JP2018126520A - Detector - Google Patents

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敦也 伊藤
Atsuya Ito
敦也 伊藤
加藤 哲也
Tetsuya Kato
哲也 加藤
立石 潔
Kiyoshi Tateishi
潔 立石
木村 義則
Yoshinori Kimura
義則 木村
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve an S/N ratio of a signal outputted from a detector.SOLUTION: A detector (100a) comprises a board (10), a light emitting part (20) arranged on the board to emit light, a light receiving part (31) arranged on the board to receive scattered light from an object out of the emitted light, and a sealing part (40) arranged on the board so as to cover the light emitting part and the light receiving part. The light receiving part also receives internally reflected light reflected by a boundary surface of the sealing part out of the light emitted from the light emitting part. A reflecting film (41) is arranged on at least a portion of a surface of the sealing part.SELECTED DRAWING: Figure 5

Description

本発明は、例えばレーザ光等を用いて計測を行う光学式の計測装置に搭載される検出器の技術分野に関する。   The present invention relates to a technical field of a detector mounted on an optical measuring device that performs measurement using, for example, laser light.

この種の計測装置として、例えば、半導体レーザと受光素子とが同一平面上に配置されたセンサ部を備え、生体組織からの散乱光を利用して該生体組織における血流量、血液量、血流速度、脈拍等を測定する装置が提案されている(特許文献1参照)。   As this type of measuring apparatus, for example, a sensor unit in which a semiconductor laser and a light receiving element are arranged on the same plane is provided, and blood flow volume, blood volume, blood flow in the living tissue is utilized using scattered light from the living tissue. An apparatus for measuring speed, pulse, etc. has been proposed (see Patent Document 1).

特許第4718324号Japanese Patent No. 4718324

しかしながら特許文献1に記載の技術には、例えばS/N比(Signal to Noise Ratio)について改善の余地があるという技術的問題点がある。   However, the technique described in Patent Document 1 has a technical problem that there is room for improvement with respect to, for example, the S / N ratio (Signal to Noise Ratio).

本発明は、例えば上記問題点に鑑みてなされたものであり、S/N比を向上させることができる検出器を提供することを課題とする。   The present invention has been made in view of the above problems, for example, and an object of the present invention is to provide a detector capable of improving the S / N ratio.

請求項1に記載の検出器は、上記課題を解決するために、基板と、前記基板上に配置され、光を出射する発光部と、前記基板上に配置され、前記出射された光の対象物からの散乱光を受光する受光部と、前記発光部及び前記受光部を覆うように、前記基板上に配置された封止部と、を備え、前記受光部は、前記出射された光の前記封止部の界面で反射された内部反射光を更に受光し、前記封止部の表面の少なくとも一部に反射膜が配置されている。   In order to solve the above-described problem, the detector according to claim 1 is a substrate, a light emitting unit that is disposed on the substrate and emits light, and a target of the emitted light that is disposed on the substrate. A light receiving portion that receives scattered light from an object, and a sealing portion that is disposed on the substrate so as to cover the light emitting portion and the light receiving portion, and the light receiving portion is configured to receive the emitted light. Internally reflected light reflected at the interface of the sealing portion is further received, and a reflective film is disposed on at least a part of the surface of the sealing portion.

本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための形態から明らかにされる。   The effect | action and other gain of this invention are clarified from the form for implementing demonstrated below.

実施例に係る検出器の構成を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the structure of the detector which concerns on an Example. 実施例に係る光検出装置の斜視図である。It is a perspective view of the photon detection apparatus which concerns on an Example. 実施例に係る光検出装置の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the photon detection apparatus which concerns on an Example. 受光素子に入射する光を示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows the light which injects into a light receiving element. 実施例の第1変形例に係る検出器の構成を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the structure of the detector which concerns on the 1st modification of an Example. 実施例の第2変形例に係る検出器の構成を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the structure of the detector which concerns on the 2nd modification of an Example. 実施例の第3変形例に係る検出器の構成を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the structure of the detector which concerns on the 3rd modification of an Example. 実施例の第3変形例に係る光検出装置の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the photon detection apparatus which concerns on the 3rd modification of an Example. 実施例の第4変形例に係る検出器の構成を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the structure of the detector which concerns on the 4th modification of an Example. 実施例の第4変形例に係る光検出装置の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the photon detection apparatus which concerns on the 4th modification of an Example. 実施例の第5変形例に係る検出器の構成を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the structure of the detector which concerns on the 5th modification of an Example. 実施例の第5変形例に係る光検出装置の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the photon detection apparatus which concerns on the 5th modification of an Example.

本発明の検出器に係る実施形態について説明する。   An embodiment according to the detector of the present invention will be described.

実施形態に係る検出器は、例えばサブマウントである基板と、該基板上に配置され、光を出射する発光部と、該基板上に配置され、出射された光の対象物からの散乱光を受光する受光部と、発光部及び受光部を覆うように、基板上に配置された封止部と、を備える。   The detector according to the embodiment includes, for example, a substrate that is a submount, a light emitting unit that is disposed on the substrate and emits light, and a scattered light from a target object that is disposed on the substrate and is emitted. A light receiving portion that receives light, and a sealing portion that is disposed on the substrate so as to cover the light emitting portion and the light receiving portion.

発光部には、例えば面発光レーザ等の光源を適用可能である。ここで、測定対象物が生体である場合には、該生体による吸収が比較的低い、700nm(ナノメートル)〜1300nmの波長域に含まれる光を出射する光源が望ましい。   For example, a light source such as a surface emitting laser can be applied to the light emitting unit. Here, when the measurement object is a living body, a light source that emits light in a wavelength range of 700 nm (nanometers) to 1300 nm, which is relatively low in absorption by the living body, is desirable.

上記700nm〜1300nmの波長域に含まれる光を出射する光源を発光部として用いる場合、封止部には、650nm以下の波長を有する光(即ち、可視光)に対する透過率が10%以下であり、且つ、700nm〜1300nmの波長を有する光に対する透過率が90%以上である樹脂を適用することが望ましい。このように構成すれば、外乱光となり得る可視光の受光部への入射を抑制することができ、実用上非常に有利である。   When a light source that emits light in the wavelength range of 700 nm to 1300 nm is used as a light emitting part, the sealing part has a transmittance of 10% or less for light having a wavelength of 650 nm or less (that is, visible light). In addition, it is desirable to apply a resin having a transmittance of 90% or more for light having a wavelength of 700 nm to 1300 nm. If comprised in this way, incidence | injection to the light-receiving part of the visible light which can become disturbance light can be suppressed, and it is very advantageous practically.

また、測定対象物が生体である場合、例えばフォトダイオード等である受光部で受光される散乱光には、生体の静止組織(例えば皮膚等)で散乱された光と、生体の移動物体(例えば赤血球等)で散乱された光と、が含まれる。そして、生体の移動物体で散乱された光には、該移動物体の速度に比例したドップラーシフトが生じる。従って、受光部には、生体の静止組織で散乱された光と、生体の移動物体で散乱された光との干渉光が入射する。   When the measurement object is a living body, for example, scattered light received by a light receiving unit such as a photodiode includes light scattered by a living tissue (for example, skin) and a moving object (for example, a living body). Light scattered by red blood cells or the like). Then, Doppler shift proportional to the speed of the moving object occurs in the light scattered by the moving object of the living body. Therefore, interference light between light scattered by the stationary tissue of the living body and light scattered by the moving object of the living body enters the light receiving unit.

ここで、生体の静止組織で散乱された光の電界強度を、下記(1)式で表わし、生体の移動物体で散乱された光の電界強度を、下記(2)式で表わすと、干渉光の強度は、下記(3)式で表わすことができる。   Here, the electric field intensity of the light scattered by the stationary tissue of the living body is expressed by the following expression (1), and the electric field intensity of the light scattered by the moving object of the living body is expressed by the following expression (2), the interference light The intensity of can be expressed by the following equation (3).

Figure 2018126520
Figure 2018126520

Figure 2018126520
Figure 2018126520

Figure 2018126520
“A”及び“A”は、光の振幅であり、“f”は光の周波数であり、“Δf”はドップラーシフトに起因して変動する周波数である。“i”はiベクトルであり、“j”はjベクトルである。iベクトル及びjベクトルは、光の進行方向を表わす単位ベクトルである。
Figure 2018126520
“A 0 ” and “A 1 ” are the amplitude of light, “f 0 ” is the frequency of light, and “Δf” is a frequency that varies due to the Doppler shift. “I” is an i vector, and “j” is a j vector. The i vector and the j vector are unit vectors representing the traveling direction of light.

上記(3)式の第一項は定常光成分であり、第二項はビート成分である。上記(3)式からわかるように、iベクトルの方向とjベクトルの方向とが近づく程、ビート成分が強くなる。   The first term of the above formula (3) is a stationary light component, and the second term is a beat component. As can be seen from the above equation (3), the beat component becomes stronger as the direction of the i vector approaches the direction of the j vector.

ところで、発光部から出射された光は、測定対象物によって様々な方向に散乱される。加えて、生体の移動物体で散乱された光は、生体の静止組織で散乱された光に比べて微弱である。このため、散乱光のみでは、上記(3)式のビート成分を十分に強くすることが困難である。   Incidentally, the light emitted from the light emitting unit is scattered in various directions by the measurement object. In addition, the light scattered by the moving object of the living body is weaker than the light scattered by the stationary tissue of the living body. For this reason, it is difficult to make the beat component of the formula (3) sufficiently strong with only scattered light.

しかるに本実施形態では、封止部により発光部が覆われているので、発光部から出射された光は、その一部が封止部を透過して測定対象物に到達すると共に、他の部分が該封止部の界面で反射される。このため、受光部には、測定対象物からの散乱光と、封止部の界面で反射された内部反射光とが入射することとなる。   However, in this embodiment, since the light emitting part is covered by the sealing part, a part of the light emitted from the light emitting part passes through the sealing part and reaches the measurement object, and another part. Is reflected at the interface of the sealing portion. For this reason, scattered light from the measurement object and internally reflected light reflected at the interface of the sealing portion are incident on the light receiving portion.

内部反射光は、受光部に対して90度に近い入射角で入射すると共に、上記生体の静止組織で散乱された光と同様に扱うことができる。加えて、内部反射光は、発光部から出射された光に対する割合は少ないものの、界面で反射され受光部に入射する比率は、測定対象物によって散乱され受光部に入射する散乱光の比率に比べれば十分高い。   The internally reflected light is incident on the light receiving unit at an incident angle close to 90 degrees and can be handled in the same manner as the light scattered by the stationary tissue of the living body. In addition, although the ratio of internally reflected light to the light emitted from the light emitting unit is small, the ratio of being reflected by the interface and entering the light receiving unit is compared with the ratio of scattered light scattered by the measurement object and entering the light receiving unit. High enough.

つまり、本実施形態では、内部反射光を利用することにより、上記(3)式のビート成分を十分に強くすることができる。加えて、内部反射光に起因して、生体の移動物体で散乱された光のうち、受光部に対して90度に近い入射角で入射する光に係るビート成分が強く計測される。   That is, in the present embodiment, the beat component of the above expression (3) can be sufficiently strengthened by using the internally reflected light. In addition, of the light scattered by the moving object of the living body due to the internally reflected light, a beat component related to light incident at an incident angle close to 90 degrees with respect to the light receiving unit is strongly measured.

この結果、本実施形態に係る検出器によれば、S/N比を向上させることができる。加えて、当該検出器の空間分解能を向上させることができる。更に、当該検出器では、発光部及び受光部が一体でモールドされているので、例えば製造工程を短縮することができ、実用上非常に有利である。   As a result, according to the detector according to the present embodiment, the S / N ratio can be improved. In addition, the spatial resolution of the detector can be improved. Further, in the detector, since the light emitting part and the light receiving part are integrally molded, for example, the manufacturing process can be shortened, which is very advantageous in practice.

本実施形態に係る検出器の一態様では、前記受光部は、第1光電変換素子及び第2光電変換素子を含み、前記第1光電変換素子のアノード及び前記第2光電変換素子のアノードが互いに電気的に接続されている、又は、前記第1光電変換素子のカソード及び前記第2光電変換素子のカソードが互いに電気的に接続されている。   In one aspect of the detector according to the present embodiment, the light receiving unit includes a first photoelectric conversion element and a second photoelectric conversion element, and the anode of the first photoelectric conversion element and the anode of the second photoelectric conversion element are mutually connected. The cathode of the first photoelectric conversion element and the cathode of the second photoelectric conversion element are electrically connected to each other.

この態様によれば、第1光電変換素子が出力する電流のDC成分と、第2光電変換素子が出力する電流のDC成分とを相殺させることができ、当該検出器から出力される信号におけるS/N比を向上させることができる。   According to this aspect, it is possible to cancel the DC component of the current output from the first photoelectric conversion element and the DC component of the current output from the second photoelectric conversion element, and S in the signal output from the detector. / N ratio can be improved.

本実施形態に係る検出器の他の態様では、封止部の表面の少なくとも一部に反射膜が配置されている。   In another aspect of the detector according to the present embodiment, a reflective film is disposed on at least a part of the surface of the sealing portion.

この態様によれば、内部反射光の量を増加させることができるので、実用上非常に有利である。尚、反射膜としては、例えばアルミニウム等の薄膜を適用可能である。   According to this aspect, the amount of internally reflected light can be increased, which is very advantageous in practice. In addition, as a reflecting film, thin films, such as aluminum, are applicable, for example.

本実施形態に係る検出器の他の態様では、封止部は、受光部の側から発光部の側に向かって該封止部の厚さ(即ち、基板面と封止部上面との間の距離)が薄くなる第1傾斜面と、発光部の側から受光部の側に向かって封止部の厚さが薄くなる第2傾斜面と、を有し、第1傾斜面と第2傾斜面とは、互いになす角が90度に近づくように形成されている。   In another aspect of the detector according to the present embodiment, the sealing portion has a thickness of the sealing portion from the light receiving portion side toward the light emitting portion side (that is, between the substrate surface and the sealing portion upper surface). The first inclined surface becomes thinner, and the second inclined surface where the thickness of the sealing portion becomes thinner from the light emitting portion side toward the light receiving portion side. The inclined surface is formed so that the angle formed between each other approaches 90 degrees.

この態様によれば、発光部から出射された光の出射角の大きさと、内部反射光の受光部への入射角の大きさとを、ほぼ同じにすることができる。ここで、出射角はほぼ90度であるので、入射角もほぼ90度となり、比較的容易にして、上記(3)式のビート成分を強くすることができる。   According to this aspect, the magnitude of the emission angle of the light emitted from the light emitting section and the magnitude of the incident angle of the internally reflected light to the light receiving section can be made substantially the same. Here, since the emission angle is approximately 90 degrees, the incident angle is also approximately 90 degrees, and the beat component of the expression (3) can be strengthened relatively easily.

この態様では、封止部は、基板の基板面に沿う面である上面を有し、上面の一の辺は第1傾斜面と共有され、該一の辺に対向する、上面の他の辺は第2傾斜面と共有されていてよい。   In this aspect, the sealing portion has an upper surface that is a surface along the substrate surface of the substrate, and one side of the upper surface is shared with the first inclined surface and is opposed to the one side. May be shared with the second inclined surface.

このように構成すれば、当該検出器の高さを抑制することができ、実用上非常に有利である。   If comprised in this way, the height of the said detector can be suppressed and it is very advantageous practically.

本発明の検出器に係る実施例について、図面に基づいて説明する。   Embodiments according to the detector of the present invention will be described with reference to the drawings.

実施例に係る検出器について、図1を参照して説明する。図1は、実施例に係る検出器の構成を示す概略構成図である。尚、図1(a)は上面図であり、図1(b)は下面図であり、図1(c)は側面図である。   The detector according to the embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a schematic configuration diagram illustrating a configuration of a detector according to the embodiment. 1A is a top view, FIG. 1B is a bottom view, and FIG. 1C is a side view.

図1において、検出器100は、基板10と、該基板10上に配置された面発光レーザ20と、該基板10上に配置された受光素子31と、該面発光レーザ20及び該受光素子31を覆うように基板10上に配置された封止部40と、を備えて構成されている。   In FIG. 1, a detector 100 includes a substrate 10, a surface emitting laser 20 disposed on the substrate 10, a light receiving element 31 disposed on the substrate 10, the surface emitting laser 20 and the light receiving element 31. And a sealing portion 40 disposed on the substrate 10 so as to cover the substrate.

本発明に係る「発光部」の一例としての、面発光レーザ20は、例えば850nmの波長を有する光を出射する。尚、面発光レーザ20から出射される光の波長は、700nm〜1300nmの範囲内に含まれていればよく、850nmに限定されない。   The surface emitting laser 20 as an example of the “light emitting unit” according to the present invention emits light having a wavelength of, for example, 850 nm. The wavelength of the light emitted from the surface emitting laser 20 is not limited to 850 nm as long as it is included in the range of 700 nm to 1300 nm.

封止部40は、例えばエポキシ樹脂等の樹脂により構成されている。封止部40を構成する樹脂には、650nm以下の波長を有する光に対する透過率が10%以下であり、且つ、700nm〜1300nmの波長を有する光に対する透過率が90%以上となるように、染料が混入されている。   The sealing portion 40 is made of a resin such as an epoxy resin, for example. In the resin constituting the sealing portion 40, the transmittance for light having a wavelength of 650 nm or less is 10% or less, and the transmittance for light having a wavelength of 700 nm to 1300 nm is 90% or more. Dye is mixed.

面発光レーザ20のアノード及びカソードは基板10の上面にある電極(図示せず)にワイヤーボンディング等を用いて電気的に接続されている。基板10の上面の電極は、該基板10の下面に貫通している。   The anode and cathode of the surface emitting laser 20 are electrically connected to an electrode (not shown) on the upper surface of the substrate 10 using wire bonding or the like. The electrode on the upper surface of the substrate 10 penetrates the lower surface of the substrate 10.

図1(b)に示すように、基板10の下面には、面発光レーザ20のアノードと電気的に接続された端子20aと、該面発光レーザ20のカソードと電気的に接続された端子20cと、本発明に係る「受光部」の一例としての、受光素子31のアノードと電気的に接続された端子31aと、該受光素子31のカソードと電気的に接続された端子31cと、が露出している。   As shown in FIG. 1B, on the lower surface of the substrate 10, there are terminals 20 a electrically connected to the anode of the surface emitting laser 20 and terminals 20 c electrically connected to the cathode of the surface emitting laser 20. As an example of the “light receiving unit” according to the present invention, a terminal 31a electrically connected to the anode of the light receiving element 31 and a terminal 31c electrically connected to the cathode of the light receiving element 31 are exposed. doing.

検出器100の大きさは、例えば3mm×3mmである。面発光レーザ20の上面から封止部40の上面までの距離、及び、受光素子31の上面から封止部40の上面までの距離は、例えば0.5mmである。面発光レーザ20の発光点(図1(a)参照)と、受光素子31の受光面中心(図1(a)参照)との間の距離は、例えば0.6mmである。   The size of the detector 100 is, for example, 3 mm × 3 mm. The distance from the upper surface of the surface emitting laser 20 to the upper surface of the sealing portion 40 and the distance from the upper surface of the light receiving element 31 to the upper surface of the sealing portion 40 are, for example, 0.5 mm. The distance between the light emitting point of the surface emitting laser 20 (see FIG. 1A) and the center of the light receiving surface of the light receiving element 31 (see FIG. 1A) is, for example, 0.6 mm.

当該検出器100が、光検出装置に搭載される場合には、図2に示すように、例えばアルミニウム等で形成されたケース300内に格納された回路基板上に搭載される。ケース300には、面発光レーザ20からの出射される光、及び受光素子31に入射する光を妨げないように、窓301が設けられている。   When the detector 100 is mounted on a light detection device, it is mounted on a circuit board stored in a case 300 made of, for example, aluminum as shown in FIG. The case 300 is provided with a window 301 so as not to block light emitted from the surface emitting laser 20 and light incident on the light receiving element 31.

尚、ケース300の大きさは、例えば10mm×15mm×3mmである。窓301の大きさは、例えば3mm×3mmである。   The size of the case 300 is, for example, 10 mm × 15 mm × 3 mm. The size of the window 301 is, for example, 3 mm × 3 mm.

次に、光検出装置について、図3を参照して説明を加える。図3は、実施例に係る光検出装置の構成を示すブロック図である。本実施例では、光検出装置の一例として、レーザドップラー血流計を挙げる。   Next, the photodetector will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a block diagram illustrating the configuration of the photodetecting device according to the embodiment. In this embodiment, a laser Doppler blood flow meter is taken as an example of the light detection device.

図3において、光検出装置は、検出器100(即ち、光電流変換部)と、電流電圧変換部200とを備えて構成されている。検出器100への入力光(入射光)は、面発光レーザ20から出射された光が、対象物(例えば人間の指等)によって反射・散乱等された光である。   In FIG. 3, the photodetector is configured to include a detector 100 (that is, a photocurrent conversion unit) and a current-voltage conversion unit 200. Input light (incident light) to the detector 100 is light obtained by reflecting or scattering light emitted from the surface emitting laser 20 by an object (for example, a human finger).

受光素子31は、例えばPINダイオード等のフォトダイオードである。検出器100は、受光素子31が出力する電流Idtを検出電流Idtとして端子31aから出力する。また、検出器100は、端子31aから出力される検出電流Idtの極性が反転された電流(−Idt)を端子31cから出力する。   The light receiving element 31 is a photodiode such as a PIN diode. The detector 100 outputs the current Idt output from the light receiving element 31 from the terminal 31a as the detection current Idt. The detector 100 outputs a current (-Idt) obtained by inverting the polarity of the detection current Idt output from the terminal 31a from the terminal 31c.

電流電圧変換部200は、入力端子In1及びIn2と、全差動アンプ230と、帰還抵抗Rf1及びRf2と、増幅器240と、出力端子Outと、を有して構成されている。電流電圧変換部200は、検出器100から入力端子In1及びIn2に入力される検出電流Idtを電圧信号に変換して出力端子Outから光検出信号として出力する。   The current-voltage conversion unit 200 includes input terminals In1 and In2, a fully differential amplifier 230, feedback resistors Rf1 and Rf2, an amplifier 240, and an output terminal Out. The current-voltage converter 200 converts the detection current Idt input from the detector 100 to the input terminals In1 and In2 into a voltage signal and outputs the voltage signal from the output terminal Out.

全差動アンプ230は、入力端子In1に電気的に接続された入力端子In+と、入力端子In2に電気的に接続された入力端子In−と、出力端子Out−と、出力端子Out+と、基準電位端子Vrefと、を有する。基準電位は、該基準電位端子Vrefを介して入力される。出力端子Out−及びOut+は、後述する増幅器240の入力端子In−及びIn+に夫々電気的に接続されている。   The fully differential amplifier 230 includes an input terminal In + electrically connected to the input terminal In1, an input terminal In− electrically connected to the input terminal In2, an output terminal Out−, an output terminal Out +, and a reference And a potential terminal Vref. The reference potential is input via the reference potential terminal Vref. The output terminals Out− and Out + are electrically connected to input terminals In− and In + of an amplifier 240 described later, respectively.

帰還抵抗Rf1は、その一端が全差動アンプ230の入力端子In+と、その他端が該全差動アンプ230の出力端子Out−と、電気的に接続されており、負帰還を施すと共に電流を電圧に変換する。   The feedback resistor Rf1 has one end electrically connected to the input terminal In + of the fully differential amplifier 230 and the other end electrically connected to the output terminal Out− of the fully differential amplifier 230. Convert to voltage.

帰還抵抗Rf2は、その一端が全差動アンプ230の入力端子In−と、その他端が該全差動アンプ230の出力端子Out+と、電気的に接続されており、負帰還を施すと共に電流を電圧に変換する。   The feedback resistor Rf2 has one end electrically connected to the input terminal In− of the fully-differential amplifier 230 and the other end electrically connected to the output terminal Out + of the fully-differential amplifier 230. Convert to voltage.

全差動アンプ230は、入力端子In1に入力される電流Idtを電圧信号−Rf1・Idtに変換し、出力端子Out−から出力する。同時に、全差動アンプ230は、入力端子In2に入力される電流−Idtを電圧信号Rf2・Idtに変換し、出力端子Out+から出力する。即ち、全差動アンプ230は、入力端子In1及びIn2に入力される電流を、夫々独立して電流電圧変換し、差動出力するトランスインピーダンスアンプとして構成されている。   The fully differential amplifier 230 converts the current Idt input to the input terminal In1 into a voltage signal −Rf1 · Idt and outputs the voltage signal from the output terminal Out−. At the same time, the fully-differential amplifier 230 converts the current −Idt input to the input terminal In2 into the voltage signal Rf2 · Idt, and outputs the voltage signal from the output terminal Out +. That is, the fully-differential amplifier 230 is configured as a transimpedance amplifier that independently converts currents input to the input terminals In1 and In2 into current-voltage and outputs them differentially.

増幅器240は、入力端子In−から入力される電圧信号−Rf1・Idtと、入力端子In+から入力される電圧信号Rf2・Idtとの電位差(2・Rf・Idt)を増幅して出力する(尚、Rf1=Rf2=Rfとする)。   The amplifier 240 amplifies and outputs a potential difference (2 · Rf · Idt) between the voltage signal −Rf1 · Idt inputted from the input terminal In− and the voltage signal Rf2 · Idt inputted from the input terminal In + (note that Rf1 = Rf2 = Rf).

電流電圧変換部200から出力された光検出信号は、配線302(図2参照)のうち1本を介して、信号処理装置(図示せず)に入力される。該信号処理装置では、光検出信号を処理することにより、血流値、血流速度及び脈拍等の生体情報を演算する。尚、光検出信号から血流値等を求める方法には、公知の各種態様を適用可能であるので、その詳細についての説明は割愛する。   The light detection signal output from the current-voltage converter 200 is input to a signal processing device (not shown) via one of the wirings 302 (see FIG. 2). The signal processing device calculates biological information such as a blood flow value, a blood flow velocity, and a pulse by processing the light detection signal. It should be noted that various known aspects can be applied to the method for obtaining the blood flow value and the like from the photodetection signal, and therefore the detailed description thereof is omitted.

上述した電流電圧変換部200では、帰還抵抗Rf1及びRf2によって負帰還が施されることにより、全差動アンプ230の入力端子In+と基準電位端子Vrefとの電位差は殆どゼロになっている。同様に、全差動アンプ230の入力端子In−と基準電位端子Vrefとの電位差も殆どゼロになっている。この結果、入力端子In+の電位と入力端子In−の電位とは、殆ど同じとなる。   In the current-voltage conversion unit 200 described above, negative feedback is performed by the feedback resistors Rf1 and Rf2, so that the potential difference between the input terminal In + of the fully differential amplifier 230 and the reference potential terminal Vref is almost zero. Similarly, the potential difference between the input terminal In− and the reference potential terminal Vref of the fully differential amplifier 230 is almost zero. As a result, the potential of the input terminal In + and the potential of the input terminal In− are almost the same.

従って、全差動アンプ230の入力端子In+に、電流電圧変換部200の入力端子In1を介して電気的に接続されている端子31aと、全差動アンプ230の入力端子In−に、電流電圧変換部200の入力端子In2を介して電気的に接続されている端子31cと、の電位差も殆どゼロである。つまり、受光素子31をゼロバイアスの状態、即ち、所謂発電モードで動作させることができる。このため受光素子31に発生する暗電流を低減或いは無くすことができる。   Accordingly, the current voltage is applied to the terminal 31a electrically connected to the input terminal In + of the fully differential amplifier 230 via the input terminal In1 of the current-voltage converter 200 and to the input terminal In− of the fully differential amplifier 230. The potential difference from the terminal 31c electrically connected via the input terminal In2 of the conversion unit 200 is also almost zero. That is, the light receiving element 31 can be operated in a zero bias state, that is, a so-called power generation mode. For this reason, the dark current generated in the light receiving element 31 can be reduced or eliminated.

この結果、暗電流のゆらぎに起因するノイズ電流を低減することができ、電流電圧変換部200から出力される光検出信号に係るS/N比を向上させることができる。   As a result, the noise current resulting from the fluctuation of the dark current can be reduced, and the S / N ratio related to the light detection signal output from the current-voltage conversion unit 200 can be improved.

次に、検出器100の受光素子31に入射する光について、図4を参照して説明する。図4は、受光素子に入射する光を示す概念図である。   Next, light incident on the light receiving element 31 of the detector 100 will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a conceptual diagram showing light incident on the light receiving element.

面発光レーザ20から出射されたレーザ光(図4における“射出光”参照)は、大半が封止部40を透過し、ケース300の窓301を通して、対象物である生体に照射される。生体に照射されたレーザ光は、生体で反射・散乱され、その一部が封止部40を透過して受光素子31に入射する。また、面発光レーザ20から出射されたレーザ光の一部は、封止部40の界面で反射され、受光素子31に入射する(図4における“内部反射光”参照)。   Most of the laser light emitted from the surface emitting laser 20 (see “emitted light” in FIG. 4) passes through the sealing portion 40 and is irradiated to the living body as the object through the window 301 of the case 300. The laser light applied to the living body is reflected and scattered by the living body, and part of the laser light passes through the sealing portion 40 and enters the light receiving element 31. Further, part of the laser light emitted from the surface emitting laser 20 is reflected at the interface of the sealing portion 40 and enters the light receiving element 31 (see “internally reflected light” in FIG. 4).

生体で反射・散乱された光には、生体の静止組織により反射・散乱された光(図4における“静止組織からの戻り光”参照)と、例えば赤血球等の生体の移動物体により反射・散乱された光(図4における“赤血球からの戻り光”参照)と、が含まれる。ここで、生体の移動物体により反射・散乱された光は、該移動物体の速度に比例したドップラーシフトを生じる。   The light reflected / scattered by the living body includes light reflected / scattered by the stationary tissue of the living body (see “return light from stationary tissue” in FIG. 4) and reflected / scattered by the moving object of the living body such as red blood cells. Light (see “Return Light from Red Blood Cells” in FIG. 4). Here, the light reflected and scattered by the moving object of the living body causes a Doppler shift proportional to the speed of the moving object.

受光素子31で受光される光は、上記光が互いに干渉することにより、定常光成分(即ち、生体による反射・散乱によって変動しない成分)と、ビート成分(即ち、ドップラーシフトされた変調成分に起因して生じる成分)と、を含む(上述の(3)式参照)。   The light received by the light receiving element 31 is caused by a steady light component (that is, a component that does not vary due to reflection / scattering by a living body) and a beat component (that is, a Doppler-shifted modulation component) due to the interference of the light with each other. (See above formula (3)).

封止部40の界面で反射された光(以降、適宜“内部反射光”と称する)が受光素子31に入射する比率は、測定対象物(ここでは、生体)によって散乱された光が受光素子31に入射する比率に比べて十分に強い。そして、内部反射光は、受光素子31に対して90度に近い入射角で入射する。このため、生体の移動物体により反射・散乱された光のうち、受光素子31に対して90度に近い入射角で入射する光が選択的に強調されることとなる(上述の(3)式参照)。   The ratio at which the light reflected at the interface of the sealing portion 40 (hereinafter referred to as “internally reflected light” as appropriate) is incident on the light receiving element 31 is the light scattered by the measurement object (here, a living body). It is sufficiently stronger than the ratio of incident light on 31. The internally reflected light is incident on the light receiving element 31 at an incident angle close to 90 degrees. For this reason, among the light reflected and scattered by the moving object of the living body, the light incident on the light receiving element 31 at an incident angle close to 90 degrees is selectively emphasized (the above-described formula (3)). reference).

具体的には例えば、面発光レーザが封止部で覆われていない場合(即ち、内部反射光が無い場合)に比べて、当該検出器100では、受光素子31に対して90度に近い入射角で入射する光のビート成分の信号強度が15dBも増大する。   Specifically, for example, in the detector 100, the incident light is close to 90 degrees with respect to the light receiving element 31 as compared with the case where the surface emitting laser is not covered with the sealing portion (that is, when there is no internal reflection light). The signal intensity of the beat component of the light incident at the angle increases by 15 dB.

<第1変形例>
実施例に係る検出器の第1変形例について、図5を参照して説明する。図5は、実施例の第1変形例に係る検出器の構成を示す概略構成図である。
<First Modification>
A first modification of the detector according to the embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a schematic configuration diagram illustrating a configuration of a detector according to a first modification of the embodiment.

図5において、検出器100aは、封止部40の上面に配置され、例えばアルミニウム等からなる反射膜41を備えている。該反射膜41は、封止部40の上面全てを覆うように配置されていてもよいし、例えば面発光レーザ20の上方及び受光素子31の上方のみに配置されていてもよい。   In FIG. 5, the detector 100 a is provided on the upper surface of the sealing portion 40 and includes a reflective film 41 made of, for example, aluminum. The reflection film 41 may be disposed so as to cover the entire upper surface of the sealing portion 40, or may be disposed only above the surface emitting laser 20 and the light receiving element 31, for example.

封止部40の上面全てを覆うように反射膜41が配置されている場合、該反射膜41に係るレーザ光の反射率は、例えば20%等と、レーザ光の透過率は、例えば80%等と、面発光レーザ20から出射された光が対象物に確実に照射されるように、反射膜41に係る反射率及び透過率を設定すればよい。   When the reflective film 41 is disposed so as to cover the entire upper surface of the sealing portion 40, the reflectance of the laser light related to the reflective film 41 is, for example, 20%, and the transmittance of the laser light is, for example, 80%. The reflectance and transmittance of the reflective film 41 may be set so that the light emitted from the surface emitting laser 20 is reliably irradiated onto the object.

上述の(3)式からわかるように、生体の移動物体で反射・散乱された光と、生体の静止物体で反射・散乱された光又は内部反射光と、のいずれかが強ければ、ビート成分が強くなる。従って、封止部40の上面に反射膜41を配置することにより、内部反射光を強くすることができるので、受光素子31から出力される信号のS/N比をより向上させることができる。   As can be seen from the above equation (3), if either the light reflected / scattered by the moving object of the living body, the light reflected / scattered by the stationary object of the living body, or the internally reflected light is strong, the beat component Becomes stronger. Therefore, by arranging the reflective film 41 on the upper surface of the sealing portion 40, the internal reflected light can be strengthened, so that the S / N ratio of the signal output from the light receiving element 31 can be further improved.

<第2変形例>
実施例に係る検出器の第2変形例について、図6を参照して説明する。図6は、実施例の第2変形例に係る検出器の構成を示す概略構成図である。
<Second Modification>
A second modification of the detector according to the embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a schematic configuration diagram illustrating a configuration of a detector according to a second modification of the embodiment.

図6(a)において、検出器100bの封止部40aは、受光素子31の側から面発光レーザ20の側に向かって下がる第1傾斜面と、該面発光レーザ20の側から該受光素子31の側に向かって下がる第2傾斜面とを有する。ここで特に、第1傾斜面と第2傾斜面とは、互いになす角が90度に近づくように形成されている。   6A, the sealing portion 40a of the detector 100b includes a first inclined surface that decreases from the light receiving element 31 side toward the surface emitting laser 20 side, and the light receiving element from the surface emitting laser 20 side. And a second inclined surface descending toward the side of 31. Here, in particular, the first inclined surface and the second inclined surface are formed so that the angle formed therebetween approaches 90 degrees.

第1傾斜面と第2傾斜面とがなす角が90度近傍であることにより、面発光レーザ20から出射される光の出射角と、内部反射光の受光素子31への入射角とがほぼ同じになる。面発光レーザ20から出射される光の出射角は90度に近いため、内部反射光の受光素子31への入射角も90度に近くなる。この結果、受光素子31に対してほぼ垂直に入射する内部反射光の光量を増加することができるので、受光素子31から出力される信号のS/N比をより向上させることができる。   Since the angle formed by the first inclined surface and the second inclined surface is near 90 degrees, the emission angle of the light emitted from the surface emitting laser 20 and the incident angle of the internally reflected light to the light receiving element 31 are almost equal. Be the same. Since the emission angle of the light emitted from the surface emitting laser 20 is close to 90 degrees, the incident angle of the internally reflected light to the light receiving element 31 is also close to 90 degrees. As a result, it is possible to increase the amount of internally reflected light incident substantially perpendicularly to the light receiving element 31, so that the S / N ratio of the signal output from the light receiving element 31 can be further improved.

図6(b)において、検出器100cの封止部40bは、上記第1傾斜面と一の辺を共有すると共に、該一の辺と対向する他の辺を上記第2傾斜面と共有する上面を有する。このように構成すれば、受光素子31に対してほぼ垂直に入射する内部反射光の光量を増加させつつ、検出器100cの高さを抑制することができ、実用上非常に有利である。   In FIG. 6B, the sealing portion 40b of the detector 100c shares one side with the first inclined surface, and shares the other side facing the one side with the second inclined surface. Having an upper surface. If comprised in this way, the height of the detector 100c can be suppressed, increasing the light quantity of the internally reflected light which injected substantially perpendicularly with respect to the light receiving element 31, and it is very advantageous practically.

<第3変形例>
実施例に係る検出器の第3変形例について、図7及び図8を参照して説明する。図7は、実施例の第3変形例に係る検出器の構成を示す概略構成図である。図8は、実施例の第3変形例に係る光検出装置の構成を示すブロック図である。
<Third Modification>
A third modification of the detector according to the embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 7 is a schematic configuration diagram illustrating a configuration of a detector according to a third modification of the embodiment. FIG. 8 is a block diagram illustrating a configuration of a photodetecting device according to a third modification of the embodiment.

図7において、検出器100dは、基板10上に配置された受光素子32を更に備えて構成されている。図7(a)に示すように、受光素子32は、該受光素子32及び面発光レーザ20の発光点間の距離が、受光素子31及び面発光レーザ20の発光点間の距離に、ほぼ等しくなるように配置されている。図7(b)に示すように、基板10の下面には、受光素子32のアノードと電気的に接続された端子32aと、受光素子32のカソードと電気的に接続された端子32cと、が露出している。   In FIG. 7, the detector 100 d further includes a light receiving element 32 disposed on the substrate 10. As shown in FIG. 7A, in the light receiving element 32, the distance between the light emitting point of the light receiving element 32 and the surface emitting laser 20 is substantially equal to the distance between the light emitting point of the light receiving element 31 and the surface emitting laser 20. It is arranged to be. As shown in FIG. 7B, the lower surface of the substrate 10 has a terminal 32 a electrically connected to the anode of the light receiving element 32 and a terminal 32 c electrically connected to the cathode of the light receiving element 32. Exposed.

尚、本変形例に係る「受光素子31」及び「受光素子32」は、夫々、本発明に係る「第1光電変換素子」及び「第2光電変換素子」の一例である。   The “light receiving element 31” and the “light receiving element 32” according to this modification are examples of the “first photoelectric conversion element” and the “second photoelectric conversion element” according to the present invention, respectively.

本変形例では特に、図8に示すように、受光素子31のアノードと電気的に接続された端子31aと、受光素子32のアノードと電気的に接続された端子32aとが回路基板200上で互いに電気的に接続されている。受光素子31のカソードは端子31cに電気的に接続されている。受光素子32のカソードは端子32cに電気的に接続されている。   In this modification, in particular, as shown in FIG. 8, a terminal 31 a electrically connected to the anode of the light receiving element 31 and a terminal 32 a electrically connected to the anode of the light receiving element 32 are formed on the circuit board 200. They are electrically connected to each other. The cathode of the light receiving element 31 is electrically connected to the terminal 31c. The cathode of the light receiving element 32 is electrically connected to the terminal 32c.

受光素子31及び32が直列接続されているので、検出器100dは、受光素子31が出力する電流Idt1と、受光素子32が出力する電流Idt2との差分電流(Idt2−Idt1)を検出電流Idtとして端子31cから出力する。また、検出器100dは、端子31cから出力される検出電流Idtの極性が反転された電流(−Idt)を端子32cから出力する。   Since the light receiving elements 31 and 32 are connected in series, the detector 100d uses the difference current (Idt2−Idt1) between the current Idt1 output from the light receiving element 31 and the current Idt2 output from the light receiving element 32 as the detected current Idt. Output from terminal 31c. The detector 100d outputs a current (-Idt) obtained by inverting the polarity of the detection current Idt output from the terminal 31c from the terminal 32c.

このように構成すれば、受光素子31が出力する電流Idt1のDC成分と、受光素子32が出力する電流Idt2のDC成分とを相殺させることができ、入力光に含まれる信号光成分に相当するAC成分を主として含む検出電流Idtを出力することができる。この結果、電流電圧変換部200が出力する光検出信号におけるS/N比を向上させることができる。   With this configuration, the DC component of the current Idt1 output from the light receiving element 31 and the DC component of the current Idt2 output from the light receiving element 32 can be canceled out, which corresponds to the signal light component included in the input light. A detection current Idt mainly including an AC component can be output. As a result, the S / N ratio in the photodetection signal output from the current-voltage conversion unit 200 can be improved.

<第4変形例>
実施例に係る検出器の第4変形例について、図9及び図10を参照して説明する。図9は、実施例の第4変形例に係る検出器の構成を示す概略構成図である。図10は、実施例の第4変形例に係る光検出装置の構成を示すブロック図である。
<Fourth Modification>
A fourth modification of the detector according to the embodiment will be described with reference to FIGS. 9 and 10. FIG. 9 is a schematic configuration diagram illustrating a configuration of a detector according to a fourth modification example of the embodiment. FIG. 10 is a block diagram illustrating a configuration of the photodetecting device according to the fourth modification example of the embodiment.

本変形例では特に、図10に示すように、検出器100eの内部で、受光素子31のアノードと、受光素子32のアノードとが互いに電気的に接続されている。このように構成すれば、回路基板200に、受光素子31のアノードと受光素子32のアノードとを電気的に接続するための配線を設けることが必要ないので、実用上非常に有利である。   In this modification, in particular, as shown in FIG. 10, the anode of the light receiving element 31 and the anode of the light receiving element 32 are electrically connected to each other inside the detector 100e. With this configuration, it is not necessary to provide wiring for electrically connecting the anode of the light receiving element 31 and the anode of the light receiving element 32 on the circuit board 200, which is very advantageous in practice.

尚、図9に示すように、検出器100eの下面には、受光素子31のカソードと電気的に接続された端子31cと、受光素子32のカソードと電気的に接続された端子32cと、が露出される。   As shown in FIG. 9, a terminal 31c electrically connected to the cathode of the light receiving element 31 and a terminal 32c electrically connected to the cathode of the light receiving element 32 are provided on the lower surface of the detector 100e. Exposed.

<第5変形例>
実施例に係る検出器の第5変形例について、図11及び図12を参照して説明する。図11は、実施例の第5変形例に係る検出器の構成を示す概略構成図である。図12は、実施例の第5変形例に係る光検出装置の構成を示すブロック図である。
<Fifth Modification>
A fifth modification of the detector according to the embodiment will be described with reference to FIGS. 11 and 12. FIG. 11 is a schematic configuration diagram illustrating a configuration of a detector according to a fifth modification example of the embodiment. FIG. 12 is a block diagram illustrating a configuration of the photodetecting device according to the fifth modification example of the embodiment.

本変形例では特に、図12に示すように、検出器100fの内部で、受光素子31のカソードと、受光素子32のカソードとが互いに電気的に接続されている。このように構成すれば、回路基板200に、受光素子31のカソードと受光素子32のカソードとを電気的に接続するための配線を設けることが必要ないので、実用上非常に有利である。加えて、本変形例でも、上述した第3変形例と同様に、受光素子への入射光の定常成分に起因する検出電流のDC成分を抑制することができる。この結果、電流電圧変換部200が出力する光検出信号におけるS/N比を向上させることができる。   Particularly in this modification, as shown in FIG. 12, the cathode of the light receiving element 31 and the cathode of the light receiving element 32 are electrically connected to each other inside the detector 100f. With this configuration, it is not necessary to provide wiring for electrically connecting the cathode of the light receiving element 31 and the cathode of the light receiving element 32 on the circuit board 200, which is very advantageous in practice. In addition, in this modified example, similarly to the above-described third modified example, it is possible to suppress the DC component of the detection current caused by the steady component of the light incident on the light receiving element. As a result, the S / N ratio in the photodetection signal output from the current-voltage conversion unit 200 can be improved.

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う検出器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。   The present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be appropriately changed without departing from the spirit or idea of the invention that can be read from the claims and the entire specification. Moreover, it is included in the technical scope of the present invention.

10…基板、20…面発光レーザ、31、32…受光素子、40、40a、40b…封止部、41…反射膜、100、100a、100b、100c、100d、100e、100f…検出器、200…電流電圧変換部、230…全差動アンプ、240…増幅器、300…ケース、301…窓   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Board | substrate, 20 ... Surface emitting laser, 31, 32 ... Light receiving element, 40, 40a, 40b ... Sealing part, 41 ... Reflective film, 100, 100a, 100b, 100c, 100d, 100e, 100f ... Detector, 200 ... Current-voltage converter 230 ... Fully differential amplifier 240 ... Amplifier 300 ... Case 301 ... Window

Claims (1)

基板と、
前記基板上に配置され、光を出射する発光部と、
前記基板上に配置され、前記出射された光の対象物からの散乱光を受光する受光部と、
前記発光部及び前記受光部を覆うように、前記基板上に配置された封止部と、
を備え、
前記受光部は、前記出射された光の前記封止部の界面で反射された内部反射光を更に受光し、
前記封止部の表面の少なくとも一部に反射膜が配置されている
ことを特徴とする検出器。
A substrate,
A light emitting unit disposed on the substrate and emitting light;
A light receiving portion that is disposed on the substrate and receives scattered light from an object of the emitted light; and
A sealing portion disposed on the substrate so as to cover the light emitting portion and the light receiving portion;
With
The light receiving part further receives the internally reflected light reflected at the interface of the sealing part of the emitted light,
A detector, wherein a reflective film is disposed on at least a part of the surface of the sealing portion.
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