JP2018119938A - 抵抗変化型温度センサおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
また、簡便なプロセスで製膜可能な共役系有機半導体高分子からなるサーミスタ素子についても検討されており、電解重合法で重合した共役系有機半導体高分子膜を基板に装着し、その膜に一対の電極を真空蒸着で形成してなる有機NTC素子や(特許文献2を参照。)、共役系有機半導体高分子と熱可塑性樹脂あるいは熱硬化性樹脂に無機成分が含有されてなることを特徴とする有機NTC素子が報告されている(特許文献3を参照。)。
絶縁性基板上に配線及び前記感温抵抗膜もしくは前記参照抵抗膜となる金属薄膜を形成する工程と、
前記参照抵抗膜もしくは前記感温抵抗膜となる共役系有機半導体材料を溶解した溶液を所定の位置に塗布する工程とを含む。
感温抵抗膜および参照抵抗膜として共役系有機半導体材料を用いた場合の作製方法としては、感温抵抗膜および抵抗膜は、共役系有機半導体材料が溶解した溶液を塗布する工程を含む。
絶縁性基板上に金属配線を形成する工程と、
感温抵抗膜となる第1の共役系有機半導体材料を溶解した溶液を前記配線上の所定に位置に塗布する工程と、
参照抵抗膜となる第2の共役系有機半導体材料を溶解した溶液を前記配線上の所定に位置に塗布する工程とを含む。
前記感温抵抗膜及び前記参照抵抗膜となる共役系有機半導体材料を溶解した溶液を前記配線上の所定に位置に塗布する工程と、
前記感温抵抗膜もしくは前記参照抵抗膜のみに紫外線を照射する工程を含む。
また、感温抵抗膜と参照抵抗膜を同時に近接して作製することも可能となり、素子ばらつきの影響を最小限にすることが可能となる。
まず、抵抗変化型温度センサの温度検出原理について説明する。本発明における抵抗変化型温度センサの等価回路の一例を図1に示す。図1において、抵抗変化型温度センサは抵抗温度係数の互いに異なる感温抵抗膜2と参照抵抗膜4から構成され、それら2つの抵抗膜は互いに直列に接続されており、その一方は電源1に、他方はグランド5に接続されている。この抵抗変化型温度センサにおいて、感温抵抗膜2と参照抵抗膜4とが接続している地点の電位を出力電位とする。出力電位は、2つの抵抗膜の抵抗値の比率によって決定される。抵抗変化型温度センサ素子の温度が変化すると、感温抵抗膜2と参照抵抗膜4の抵抗温度係数が互いに異なるため、2つの抵抗膜の抵抗値の比率は温度に依存して決定される。つまり、出力電位は温度に依存して一意的に変化するため、温度を電圧信号として検知することが可能である。
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。
実施例では絶縁性基板上にリフトオフ法及び真空蒸着法で電極配線を形成した。電極材料としてはCrとAuの積層膜をもちいた。
電極形成後共役系有機半導体材料で感温抵抗膜22を形成する。感温抵抗膜22はチオフェン系導電性高分子1をインクジェットにより配線上に形成した。
この素子を用いると、抵抗率で2桁以上の違いがあり、温度係数も0.5%/℃以上の違いがあり、十分な精度で読み取りが可能となる。
次に図7(b)に示すように感温抵抗膜22上をマスク32により遮光し、紫外線30を参照抵抗膜24である共役系有機半導体材料に照射する。この紫外線30の照射により参照抵抗膜24は抵抗率、抵抗率の温度依存性が変化した共役系有機半導体材料が得られる。
この照射によって、図7(c)に示すように抵抗温度係数の異なる感温抵抗膜22と参照抵抗膜24’を直列に接続した図1の等価回路に示される回路を得た。
さらに本発明は感温抵抗膜と参照抵抗膜を近接してあるいは一体化して作るため、素子のばらつきを最小限にすることができ、安定した抵抗変化型温度センサが実現できる。
2 感温抵抗膜
3 出力端子
4 参照抵抗膜
12 金属膜(参照抵抗膜)
22 共役系有機半導体材料(感温抵抗膜)
24 共役系有機半導体材料(参照抵抗膜)
24’ 共役系有機半導体材料(参照抵抗膜)
30 紫外線
32 遮光マスク
501 UV光未照射時の抵抗率の温度依存性
502 UV光(9J/cm2)照射後の抵抗率の温度依存性
Claims (10)
- 感温抵抗膜および参照抵抗膜から構成される抵抗変化型温度センサにおいて、少なくとも前記感温抵抗膜もしくは前記参照抵抗膜のいずれか片方は共役系有機半導体材料からなることを特徴とする抵抗変化型温度センサ。
- 前記感温抵抗膜もしくは前記参照抵抗膜は共役系有機半導体材料からなり、他方前記感温抵抗膜もしくは前記参照抵抗膜は金属薄膜で構成されることを特徴とする請求項1に記載の抵抗変化型温度センサ。
- 前記感温抵抗膜もしくは前記参照抵抗膜は紫外線を照射処理した共役系有機半導体材料を用いることを特徴とする請求項2に記載の抵抗変化型温度センサ。
- 前記感温抵抗膜および前記参照抵抗膜は異なる抵抗温度係数を持つ共役系有機半導体材料からなることを特徴とする請求項1に記載の抵抗変化型温度センサ。
- 前記感温抵抗膜および前記参照抵抗膜は同一の共役系有機半導体材料からなり、少なくとも前記感温抵抗膜もしくは前記参照抵抗膜の一方は紫外線を照射処理した共役系有機半導体材料を用いたことを特徴とする請求項1もしくは第4に記載の抵抗変化型温度センサ。
- 前記共役系有機半導体材料は、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリピロールのいずれか、またはそれらの誘導体のいずれかから構成されることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の抵抗変化型温度センサ。
- 感温抵抗膜および参照抵抗膜から構成される抵抗変化型温度センサの作製方法において、
絶縁性基板上に配線及び前記感温抵抗膜もしくは前記参照抵抗膜となる金属薄膜を形成する工程と、
前記参照抵抗膜もしくは前記感温抵抗膜となる共役系有機半導体薄膜を溶解した溶液を所定の位置に塗布する工程とを含むことを特徴とする抵抗変化型温度センサの作製方法。 - 感温抵抗膜および参照抵抗膜から構成される抵抗変化型温度センサの作製方法において、前記感温抵抗膜および参照抵抗膜を、共役系有機半導体材料が溶解した溶液を塗布することにより作製する工程を含むことを特徴とする抵抗変化型温度センサの作製方法。
- 感温抵抗膜および参照抵抗膜から構成される抵抗変化型温度センサの作製方法において、
絶縁性基板上に金属配線を形成する工程と、
前記感温抵抗膜となる第1の共役系有機半導体材料を溶解した溶液を前記配線上の所定に位置に塗布する工程と、
前記参照抵抗膜となる第2の共役系有機半導体材料を溶解した溶液を前記配線上の所定に位置に塗布する工程と
を含むことを特徴とする温度センサの作製方法。 - 感温抵抗膜および参照抵抗膜から構成される抵抗変化型温度センサの製造方法において、
絶縁性基板上に金属配線を形成する工程と
前記感温抵抗膜及び前記参照抵抗膜となる共役系有機半導体材料を溶解した溶液を前記配線上の所定に位置に塗布する工程と、
前記感温抵抗膜もしくは前記参照抵抗膜のみに紫外線を照射する工程を含むことを特徴とする抵抗変化型温度センサの作製方法。
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KENGO NAKAYAMA ET AL.: ""Organic temperature sensors and organic analog-to-digital converters based on p-type and n-type org", ORGANIC ELECTRONICS, vol. 36, JPN6020046352, September 2016 (2016-09-01), NE, pages 148 - 152, ISSN: 0004401174 * |
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