JP2018117118A - ショットキーダイオード、ショットキーダイオードアレイ及びショットキーダイオードの製造方法 - Google Patents
ショットキーダイオード、ショットキーダイオードアレイ及びショットキーダイオードの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018117118A JP2018117118A JP2018000466A JP2018000466A JP2018117118A JP 2018117118 A JP2018117118 A JP 2018117118A JP 2018000466 A JP2018000466 A JP 2018000466A JP 2018000466 A JP2018000466 A JP 2018000466A JP 2018117118 A JP2018117118 A JP 2018117118A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- semiconductor structure
- schottky diode
- insulating substrate
- carbon nanotube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
図1及び図2を参照すると、本発明の第一実施例は、ショットキーダイオード100を提供する。ショットキーダイオード100は、絶縁基板102及びショットキーダイオードユニット(図示せず)を含む。ショットキーダイオードユニットが絶縁基板102の表面に設置され、絶縁基板102に支持される。ショットキーダイオードユニットが第一電極104、半導体構造108及び第二電極106を含む。第一電極104が絶縁基板102の表面に設置される。半導体構造108が第一端部1082及び第一端部1082と対向して設置された第二端部1084を含む。第一端部1082が第一電極104に敷設され、第一電極104を半導体構造108の第一端部1082と絶縁基板102との間に位置させる。第二端部1084が、絶縁基板102の表面に設置され、第二電極106が半導体構造108の第二端部1084に設置され、半導体構造108の第二端部1084を第二電極106と絶縁基板102との間に位置させる。
102、202 絶縁基板
104、204 第一電極
204a 第一金属層
204b 第二金属層
106、206 第二電極
206a 第三金属層
206b 第四金属層
108、208 半導体構造
1082、2082 第一端部
1084、2084 第二端部
110、220 ショットキーダイオードユニット
10、20 ショットキーダイオードアレイ
212 階段構造体
214 反方向階段構造体
304、404 絶縁誘電層
302、402 ゲート電極
300、400 薄膜トランジスタ
Claims (6)
- 絶縁基板及びショットキーダイオードユニットを含み、前記ショットキーダイオードユニットが前記絶縁基板の表面に設置されるショットキーダイオードにおいて、
前記ショットキーダイオードユニットは、第一電極、半導体構造及び第二電極を含み、前記第一電極が前記絶縁基板の表面に設置され、前記半導体構造が第一端部及び該第一端部と対向して設置された第二端部を含み、前記半導体構造の第一端部が前記第一電極に敷設され、前記第一電極を前記半導体構造の第一端部と前記絶縁基板との間に位置させ、前記半導体構造の第二端部が、前記絶縁基板の表面に設置され、前記第二電極が前記半導体構造の第二端部に設置され、前記半導体構造の第二端部を前記第二電極と前記絶縁基板との間に位置させ、前記半導体構造がナノスケールの半導体構造であることを特徴とするショットキーダイオード。 - 前記ナノスケールの半導体構造は、一次元の半導体線形材料又は二次元の半導体フィルムであることを特徴とする、請求項1に記載のショットキーダイオード。
- 前記半導体構造は、カーボンナノチューブ構造体であり、前記カーボンナノチューブ構造体が少なくとも一本カーボンナノチューブを含み、前記カーボンナノチューブ構造体における半導体型のカーボンナノチューブの質量百分率が80%以上であることを特徴とする、請求項1に記載のショットキーダイオード。
- 絶縁基板及び複数のショットキーダイオードユニットを含み、前記複数のショットキーダイオードユニットがアレイの形式で前記絶縁基板の表面に配列され、前記各々のショットキーダイオードユニットが間隔をあけて設置されるショットキーダイオードアレイにおいて、
前記ショットキーダイオードユニットが第一電極、半導体構造及び第二電極を含み、前記第一電極が前記絶縁基板の表面に設置され、前記半導体構造が第一端部及び該第一端部と対向して設置された第二端部を含み、前記半導体構造の第一端部が前記第一電極に敷設され、前記第一電極を前記半導体構造の第一端部と前記絶縁基板との間に位置させ、前記半導体構造の第二端部が、前記絶縁基板の表面に設置され、前記第二電極が前記半導体構造の第二端部に設置され、前記半導体構造の第二端部を前記第二電極と前記絶縁基板との間に位置させ、前記半導体構造がナノスケールの半導体構造であることを特徴とするショットキーダイオードアレイ。 - 絶縁基板を提供して、該絶縁基板に第一電極を形成するステップと、
前記第一電極及び前記絶縁基板に半導体構造を形成して、前記半導体構造が第一端部及び該第一端部と対向して設置された第二端部を含み、前記半導体構造の第一端部を前記第一電極の上表面に設置して、前記半導体構造の第二端部を前記絶縁基板の表面に設置するステップと、
前記半導体構造の第二端部の上表面に第二電極を形成するステップと、
を含むことを特徴とするショットキーダイオードの製造方法。 - 前記第一電極及び前記第二電極をフォトエッチング法によって形成することを特徴とする、請求項5に記載のショットキーダイオードの製造方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710051536.X | 2017-01-20 | ||
CN201710051536.XA CN108336151B (zh) | 2017-01-20 | 2017-01-20 | 肖特基二极管、肖特基二极管阵列及肖特基二极管的制备方法 |
CN201710045817.4A CN108336149B (zh) | 2017-01-20 | 2017-01-20 | 肖特基二极管及肖特基二极管阵列 |
CN201710045817.4 | 2017-01-20 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018117118A true JP2018117118A (ja) | 2018-07-26 |
JP6572327B2 JP6572327B2 (ja) | 2019-09-04 |
Family
ID=62985713
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018000466A Active JP6572327B2 (ja) | 2017-01-20 | 2018-01-05 | ショットキーダイオード、ショットキーダイオードアレイ及びショットキーダイオードの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6572327B2 (ja) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009098622A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-05-07 | Seiko Epson Corp | 眼鏡レンズの設計方法及び眼鏡 |
JP2012185347A (ja) * | 2011-03-07 | 2012-09-27 | Seiko Epson Corp | カラーレンズ及びカラーレンズの製造方法 |
WO2013051489A1 (ja) * | 2011-10-03 | 2013-04-11 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 偏光ミラーめがねレンズ |
WO2014030611A1 (ja) * | 2012-08-21 | 2014-02-27 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 着色偏光フィルム、着色偏光シート、および着色偏光レンズ並びにこれらの製造法 |
WO2014050930A1 (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | 株式会社ニコン・エシロール | 光学部品およびその製造方法 |
WO2014123184A1 (ja) * | 2013-02-07 | 2014-08-14 | 日東電工株式会社 | 偏光膜を有する光学積層体 |
-
2018
- 2018-01-05 JP JP2018000466A patent/JP6572327B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009098622A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-05-07 | Seiko Epson Corp | 眼鏡レンズの設計方法及び眼鏡 |
JP2012185347A (ja) * | 2011-03-07 | 2012-09-27 | Seiko Epson Corp | カラーレンズ及びカラーレンズの製造方法 |
WO2013051489A1 (ja) * | 2011-10-03 | 2013-04-11 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 偏光ミラーめがねレンズ |
WO2014030611A1 (ja) * | 2012-08-21 | 2014-02-27 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 着色偏光フィルム、着色偏光シート、および着色偏光レンズ並びにこれらの製造法 |
WO2014050930A1 (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | 株式会社ニコン・エシロール | 光学部品およびその製造方法 |
WO2014123184A1 (ja) * | 2013-02-07 | 2014-08-14 | 日東電工株式会社 | 偏光膜を有する光学積層体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6572327B2 (ja) | 2019-09-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10680119B2 (en) | Schottky diode including an insulating substrate and a Schottky diode unit and method for making the same | |
US10217833B2 (en) | Thin film transistor including schottky diode unit in an insulating medium layer | |
JP6572327B2 (ja) | ショットキーダイオード、ショットキーダイオードアレイ及びショットキーダイオードの製造方法 | |
TWI679773B (zh) | 薄膜電晶體 | |
US10381585B2 (en) | Thin film transistor | |
JP6522172B2 (ja) | 薄膜トランジスタ | |
JP6538892B2 (ja) | ショットキーダイオード、ショットキーダイオードアレイ及びショットキーダイオードの製造方法 | |
JP6538893B2 (ja) | 薄膜トランジスタ | |
TWI686955B (zh) | 肖特基二極體及肖特基二極體陣列 | |
TWI692101B (zh) | 薄膜電晶體 | |
TWI712178B (zh) | 肖特基二極體及肖特基二極體陣列 | |
US10193091B2 (en) | Schottky diode including an insulating substrate and a Schottky diode unit |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180105 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180202 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190121 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190130 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190423 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190724 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190809 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6572327 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |