JP2018073402A - Dram基盤プロセシングユニット - Google Patents
Dram基盤プロセシングユニット Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018073402A JP2018073402A JP2017201264A JP2017201264A JP2018073402A JP 2018073402 A JP2018073402 A JP 2018073402A JP 2017201264 A JP2017201264 A JP 2017201264A JP 2017201264 A JP2017201264 A JP 2017201264A JP 2018073402 A JP2018073402 A JP 2018073402A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dram
- computing
- dpu
- rows
- cell array
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 18
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 47
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 17
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 16
- 238000013135 deep learning Methods 0.000 description 8
- 230000009471 action Effects 0.000 description 7
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 4
- 101100496858 Mus musculus Colec12 gene Proteins 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 3
- 238000013468 resource allocation Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000010801 machine learning Methods 0.000 description 2
- 238000010606 normalization Methods 0.000 description 2
- 238000011002 quantification Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 239000013598 vector Substances 0.000 description 2
- 101100186131 Arabidopsis thaliana NAC053 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 1
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000013528 artificial neural network Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000013527 convolutional neural network Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 238000012905 input function Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 238000012549 training Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F9/00—Arrangements for program control, e.g. control units
- G06F9/06—Arrangements for program control, e.g. control units using stored programs, i.e. using an internal store of processing equipment to receive or retain programs
- G06F9/30—Arrangements for executing machine instructions, e.g. instruction decode
- G06F9/38—Concurrent instruction execution, e.g. pipeline, look ahead
- G06F9/3885—Concurrent instruction execution, e.g. pipeline, look ahead using a plurality of independent parallel functional units
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/406—Management or control of the refreshing or charge-regeneration cycles
- G11C11/40622—Partial refresh of memory arrays
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F13/00—Interconnection of, or transfer of information or other signals between, memories, input/output devices or central processing units
- G06F13/14—Handling requests for interconnection or transfer
- G06F13/16—Handling requests for interconnection or transfer for access to memory bus
- G06F13/1668—Details of memory controller
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F15/00—Digital computers in general; Data processing equipment in general
- G06F15/76—Architectures of general purpose stored program computers
- G06F15/78—Architectures of general purpose stored program computers comprising a single central processing unit
- G06F15/7807—System on chip, i.e. computer system on a single chip; System in package, i.e. computer system on one or more chips in a single package
- G06F15/7821—Tightly coupled to memory, e.g. computational memory, smart memory, processor in memory
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F15/00—Digital computers in general; Data processing equipment in general
- G06F15/76—Architectures of general purpose stored program computers
- G06F15/80—Architectures of general purpose stored program computers comprising an array of processing units with common control, e.g. single instruction multiple data processors
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F9/00—Arrangements for program control, e.g. control units
- G06F9/06—Arrangements for program control, e.g. control units using stored programs, i.e. using an internal store of processing equipment to receive or retain programs
- G06F9/30—Arrangements for executing machine instructions, e.g. instruction decode
- G06F9/38—Concurrent instruction execution, e.g. pipeline, look ahead
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/403—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells with charge regeneration common to a multiplicity of memory cells, i.e. external refresh
- G11C11/405—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells with charge regeneration common to a multiplicity of memory cells, i.e. external refresh with three charge-transfer gates, e.g. MOS transistors, per cell
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/4076—Timing circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/409—Read-write [R-W] circuits
- G11C11/4091—Sense or sense/refresh amplifiers, or associated sense circuitry, e.g. for coupled bit-line precharging, equalising or isolating
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/409—Read-write [R-W] circuits
- G11C11/4096—Input/output [I/O] data management or control circuits, e.g. reading or writing circuits, I/O drivers or bit-line switches
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1006—Data managing, e.g. manipulating data before writing or reading out, data bus switches or control circuits therefor
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1006—Data managing, e.g. manipulating data before writing or reading out, data bus switches or control circuits therefor
- G11C7/1012—Data reordering during input/output, e.g. crossbars, layers of multiplexers, shifting or rotating
Abstract
Description
101 バンク
102 サブアレイ
103 バッファ
104 システムバス
105 マット
106 データセルアレイ
107 コンピューティングセルアレイ
108 イントラマットシフトアレイ
110 データセルアレイデコーダー
111 コンピューティングセルアレイデコーダー
112 インターマットシフトアレイ
113 インターマットフォワーディングアレイ
114 サブアレイコントローラ
201、202 コンピューティングセルトポグラフィ
715 確率的データアレイ
716 コンバーターツー確率アレイ
900 システム構造
910 ハードウェアレイヤー
911 PCIe装置
912 DIMM
920 ライブラリ及びドライバーレイヤー
921 DPUライブラリ
922 DPUドライバー
923 DPUコンパイラ
930 フレームワークレイヤー
940 アプリケーションレイヤー
Claims (17)
- DRAM基盤プロセシングユニット(Dynamic Random Access Memory based Processing Unit、DPU)において、
少なくとも1つのカラム(column)を含むアレイ内に配置された複数のDRAM(Dynamic Random Access Memory)基盤のコンピューティングセルを含む少なくとも1つのコンピューティングセルアレイと、
前記少なくとも1つのコンピューティングセルアレイと連結され、DPU動作を遂行するように前記少なくとも1つのコンピューティングセルアレイを構成するコントローラと、を含み、
前記少なくとも1つのカラムは、少なくとも3つのロー(row)のDRAM基盤のコンピューティングセルを含み、
前記少なくとも3つのローのDRAM基盤のコンピューティングセルは、前記少なくとも3つのローの第1ロー及び第2ロー上で動作するロジック機能を提供するように構成され、前記少なくとも3つのローの第3ロー内に前記ロジック機能の結果を格納するように構成されることを特徴とするDPU。 - 前記少なくとも1つのカラムの前記DRAM基盤のコンピューティングセルの各々は、3つのトランジスタ、1つのキャパシター(3T1C)を含むDRAMメモリセルを含むことを特徴とする請求項1に記載のDPU。
- 前記少なくとも1つのカラムの前記DRAM基盤のコンピューティングセルは、NORロジック機能を提供することを特徴とする請求項2に記載のDPU。
- 前記少なくとも1つのカラムの前記DRAM基盤のコンピューティングセルの各々は、1つのトランジスタ、1つのキャパシター(1T1C)を含むDRAMメモリセルを含むことを特徴とする請求項1に記載のDPU。
- 前記DRAM基盤のコンピューティングセルの各々は、前記DRAM基盤のコンピューティングセルのビットラインと連結されたALU(Arithmetic Logic Unit)をさらに含み、前記ALUは、前記ロジック機能を提供することを特徴とする請求項4に記載のDPU。
- 少なくとも1つのカラム内に配置された少なくとも1つのDRAM基盤のコンピューティングセルを含む少なくとも1つのメモリセルアレイと、
前記少なくとも3つのローのDRAM基盤のコンピューティングセルの読出しビットラインに電気的に連結された入力(input)を含み、前記少なくとも3つのローのDRAM基盤のコンピューティングセルの書込みビットラインに電気的に連結された出力(output)を含むセンスアンプ(sense amplifier)と、をさらに含み、
前記コントローラは、
前記少なくとも1つのメモリセルアレイとさらに連結され、メモリ動作を遂行するように前記少なくとも1つのメモリセルアレイを構成し、アドレスバスを通じて前記メモリ動作に対する命令を受信することを特徴とする請求項1に記載のDPU。 - 第2の少なくとも1つのカラムを含むアレイ内に配置された複数のDRAM基盤の確率(stochastic)コンピューティングセルを含む少なくとも1つの確率コンピューティングセルアレイをさらに含み、
前記第2の少なくとも1つのカラムは、第2の少なくとも3つのローのDRAM基盤の確率コンピューティングセルを含み、
前記第2の少なくとも3つのローのDRAM基盤の確率コンピューティングセルは、前記第2の少なくとも3つのローの第1ロー及び第2ロー上で動作するロジック機能を提供するように構成され、前記第2の少なくとも3つのローの第3ロー内に前記ロジック機能の結果を格納するように構成され、
前記コントローラは、
前記少なくとも1つの確率コンピューティングセルアレイとさらに連結され、確率ロジック動作を遂行するように前記少なくとも1つの確率コンピューティングセルアレイを構成し、アドレスバスを通じて前記確率ロジック動作に対する命令を受信することを特徴とする請求項1に記載のDPU。 - 第1の少なくとも1つのカラムを含むアレイ内に配置された複数のDRAM基盤のコンピューティングセルを含む少なくとも1つのコンピューティングセルアレイと、
第2の少なくとも1つのカラム内に配置された少なくとも1つのDRAM基盤のコンピューティングセルを含む少なくとも1つのデータセルアレイと、
前記少なくとも1つのコンピューティングセルアレイと連結され、DPU(DRAM基盤プロセシングユニット、Dynamic Random Access Memory based Processing Unit)動作を遂行するように前記少なくとも1つのコンピューティングセルアレイを構成し、メモリ動作を遂行するために前記少なくとも1つのデータセルアレイと連結されるコントローラと、を含み、
前記第1の少なくとも1つのカラムは、少なくとも3つのローのDRAM基盤のコンピューティングセルを含み、
前記少なくとも3つのローのDRAM基盤のコンピューティングセルは、前記少なくとも3つのローの第1ロー及び第2ロー上で動作するロジック機能を提供するように構成され、前記少なくとも3つのローの第3ロー内に前記ロジック機能の結果を格納するように構成されることを特徴とするDPU。 - 前記コントローラは、アドレスバスを通じて前記DPU動作に対する命令を受信する請求項2又は8に記載のDPU。
- 前記第1の少なくとも1つのカラムの前記DRAM基盤のコンピューティングセルの各々は、1つのトランジスタ、1つのキャパシター(1T1C)を含むDRAMメモリセルを含み、
前記DRAM基盤のコンピューティングセルの各々は、前記DRAM基盤のコンピューティングセルのビットラインと連結されたALUをさらに含み、前記ALUは、前記ロジック機能を提供することを特徴とする請求項8に記載のDPU。 - 前記ALUは、NORロジック機能を提供することを特徴とする請求項5又は請求項10に記載のDPU。
- 第3の少なくとも1つのカラムを含むアレイ内に配置された複数のDRAM基盤の確率コンピューティングセルを含む少なくとも1つの確率コンピューティングセルアレイをさらに含み、
前記第3の少なくとも1つのカラムは、第2の少なくとも3つのローのDRAM基盤の確率コンピューティングセルを含み、
前記第2の少なくとも3つのローのDRAM基盤の確率コンピューティングセルは、前記第2の少なくとも3つのローの第1ロー及び第2ロー上で動作するロジック機能を提供するように構成され、前記第2の少なくとも3つのローの第3ロー内に前記ロジック機能の結果を格納するように構成され、
前記コントローラは、
前記少なくとも1つの確率コンピューティングセルアレイとさらに連結され、確率ロジック動作を遂行するように前記少なくとも1つの確率コンピューティングセルアレイを構成し、アドレスバスを通じて前記確率ロジック動作に対する命令を受信することを特徴とする請求項8に記載のDPU。 - 前記第3の少なくとも1つのカラムの前記DRAM基盤の確率コンピューティングセルの各々は、
3つのトランジスタと1つのキャパシター(3T1C)を含むDRAMメモリセルを含むか、或いは1つのトランジスタと1つのキャパシター(1T1C)を含むDRAMメモリセルを含むことを特徴とする請求項12に記載のDPU。 - 第1の少なくとも1つのカラムを含むアレイ内に配置された複数のDRAM基盤のコンピューティングセルを含む少なくとも1つのコンピューティングセルアレイと、
第2の少なくとも1つのカラムを含むアレイ内に配置された複数のDRAM基盤の確率コンピューティングセルを含む少なくとも1つの確率コンピューティングセルアレイと、
前記少なくとも1つのコンピューティングセルアレイと連結され、DPU(DRAM基盤プロセシングユニット、Dynamic Random Access Memory based Processing Unit)動作を遂行するように前記少なくとも1つのコンピューティングセルアレイを構成し、確率ロジック動作を遂行するために前記少なくとも1つの確率コンピューティングセルアレイと連結されるコントローラと、を含み、
前記第1の少なくとも1つのカラムは、第1の少なくとも3つの行のDRAM基盤のコンピューティングセルを含み、
前記第1の少なくとも3つのローのDRAM基盤のコンピューティングセルは、前記第1の少なくとも3つのローの第1ロー及び第2ロー上で動作するロジック機能を提供するように構成され、前記第1の少なくとも3つのローの第3ロー内に前記ロジック機能の結果を格納するように構成され、
前記第2の少なくとも1つのカラムは、第2の少なくとも3つのローのDRAM基盤の確率コンピューティングセルを含み、
前記第2の少なくとも3つのローのDRAM基盤の確率コンピューティングセルは、前記第2の少なくとも3つのローの第1ロー及び第2ロー上で動作するロジック機能を提供するように構成され、前記第2の少なくとも3つのローの第3ロー内に前記ロジック機能の結果を格納するように構成されることを特徴とするDPU。 - 前記コントローラは、アドレス(address)バスを通じて前記DPU動作に対する命令を受信することを特徴とする請求項14に記載のDPU。
- 前記第1の少なくとも1つのカラムの前記DRAM基盤のコンピューティングセルの各々は、3つのトランジスタ、1つのキャパシター(3T1C)を含むDRAMメモリセルを含み、
前記第1の少なくとも1つのカラムの前記DRAM基盤のコンピューティングセルは、NORロジック機能を提供することを特徴とする請求項8又は15に記載のDPU。 - 前記第2の少なくとも1つのカラムの前記DRAM基盤の確率コンピューティングセルの各々は、3つのトランジスタ、1つのキャパシター(3T1C)を含むDRAMメモリセルを含むことを特徴とする請求項14に記載のDPU。
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201662413977P | 2016-10-27 | 2016-10-27 | |
US62/413977 | 2016-10-27 | ||
US201662418155P | 2016-11-04 | 2016-11-04 | |
US62/418155 | 2016-11-04 | ||
US15/426,033 US10242728B2 (en) | 2016-10-27 | 2017-02-06 | DPU architecture |
US15/426033 | 2017-02-06 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018073402A true JP2018073402A (ja) | 2018-05-10 |
JP2018073402A5 JP2018073402A5 (ja) | 2020-11-26 |
JP6799520B2 JP6799520B2 (ja) | 2020-12-16 |
Family
ID=62022501
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017201264A Active JP6799520B2 (ja) | 2016-10-27 | 2017-10-17 | Dram基盤プロセシングユニット |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10242728B2 (ja) |
JP (1) | JP6799520B2 (ja) |
KR (1) | KR102139213B1 (ja) |
CN (1) | CN108008974B (ja) |
TW (1) | TWI714806B (ja) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10249362B2 (en) | 2016-12-06 | 2019-04-02 | Gsi Technology, Inc. | Computational memory cell and processing array device using the memory cells for XOR and XNOR computations |
US11227653B1 (en) | 2016-12-06 | 2022-01-18 | Gsi Technology, Inc. | Storage array circuits and methods for computational memory cells |
US10770133B1 (en) | 2016-12-06 | 2020-09-08 | Gsi Technology, Inc. | Read and write data processing circuits and methods associated with computational memory cells that provides write inhibits and read bit line pre-charge inhibits |
US10777262B1 (en) | 2016-12-06 | 2020-09-15 | Gsi Technology, Inc. | Read data processing circuits and methods associated memory cells |
US10847212B1 (en) | 2016-12-06 | 2020-11-24 | Gsi Technology, Inc. | Read and write data processing circuits and methods associated with computational memory cells using two read multiplexers |
US10847213B1 (en) | 2016-12-06 | 2020-11-24 | Gsi Technology, Inc. | Write data processing circuits and methods associated with computational memory cells |
US10860320B1 (en) | 2016-12-06 | 2020-12-08 | Gsi Technology, Inc. | Orthogonal data transposition system and method during data transfers to/from a processing array |
US10943648B1 (en) | 2016-12-06 | 2021-03-09 | Gsi Technology, Inc. | Ultra low VDD memory cell with ratioless write port |
US10521229B2 (en) | 2016-12-06 | 2019-12-31 | Gsi Technology, Inc. | Computational memory cell and processing array device using memory cells |
US10854284B1 (en) | 2016-12-06 | 2020-12-01 | Gsi Technology, Inc. | Computational memory cell and processing array device with ratioless write port |
US10891076B1 (en) | 2016-12-06 | 2021-01-12 | Gsi Technology, Inc. | Results processing circuits and methods associated with computational memory cells |
US10614875B2 (en) * | 2018-01-30 | 2020-04-07 | Micron Technology, Inc. | Logical operations using memory cells |
CN108985449B (zh) * | 2018-06-28 | 2021-03-09 | 中国科学院计算技术研究所 | 一种对卷积神经网络处理器的控制方法及装置 |
US10755766B2 (en) | 2018-09-04 | 2020-08-25 | Micron Technology, Inc. | Performing logical operations using a logical operation component based on a rate at which a digit line is discharged |
KR20200057475A (ko) | 2018-11-16 | 2020-05-26 | 삼성전자주식회사 | 연산 회로를 포함하는 메모리 장치 및 그것을 포함하는 뉴럴 네트워크 시스템 |
US11074008B2 (en) * | 2019-03-29 | 2021-07-27 | Intel Corporation | Technologies for providing stochastic key-value storage |
US10949214B2 (en) * | 2019-03-29 | 2021-03-16 | Intel Corporation | Technologies for efficient exit from hyper dimensional space in the presence of errors |
US11157692B2 (en) * | 2019-03-29 | 2021-10-26 | Western Digital Technologies, Inc. | Neural networks using data processing units |
US10777253B1 (en) * | 2019-04-16 | 2020-09-15 | International Business Machines Corporation | Memory array for processing an N-bit word |
US10877731B1 (en) | 2019-06-18 | 2020-12-29 | Gsi Technology, Inc. | Processing array device that performs one cycle full adder operation and bit line read/write logic features |
US10958272B2 (en) | 2019-06-18 | 2021-03-23 | Gsi Technology, Inc. | Computational memory cell and processing array device using complementary exclusive or memory cells |
US10930341B1 (en) | 2019-06-18 | 2021-02-23 | Gsi Technology, Inc. | Processing array device that performs one cycle full adder operation and bit line read/write logic features |
US11409527B2 (en) * | 2019-07-15 | 2022-08-09 | Cornell University | Parallel processor in associative content addressable memory |
US11435946B2 (en) * | 2019-09-05 | 2022-09-06 | Micron Technology, Inc. | Intelligent wear leveling with reduced write-amplification for data storage devices configured on autonomous vehicles |
DE112020004469T5 (de) * | 2019-09-20 | 2022-08-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung |
US11226816B2 (en) * | 2020-02-12 | 2022-01-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Systems and methods for data placement for in-memory-compute |
US20220058471A1 (en) * | 2020-08-19 | 2022-02-24 | Micron Technology, Inc. | Neuron using posits |
CN116136835B (zh) * | 2023-04-19 | 2023-07-18 | 中国人民解放军国防科技大学 | 一种三进二出数值获取方法、装置及介质 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5838165A (en) * | 1996-08-21 | 1998-11-17 | Chatter; Mukesh | High performance self modifying on-the-fly alterable logic FPGA, architecture and method |
WO2004038599A1 (de) * | 2002-09-06 | 2004-05-06 | Pact Xpp Technologies Ag | Rekonfigurierbare sequenzerstruktur |
US20110026323A1 (en) * | 2009-07-30 | 2011-02-03 | International Business Machines Corporation | Gated Diode Memory Cells |
US8238173B2 (en) * | 2009-07-16 | 2012-08-07 | Zikbit Ltd | Using storage cells to perform computation |
US8379433B2 (en) * | 2010-09-15 | 2013-02-19 | Texas Instruments Incorporated | 3T DRAM cell with added capacitance on storage node |
JP6106043B2 (ja) * | 2013-07-25 | 2017-03-29 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路装置 |
US9455020B2 (en) * | 2014-06-05 | 2016-09-27 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for performing an exclusive or operation using sensing circuitry |
DE102015214138A1 (de) | 2014-07-28 | 2016-01-28 | Victor Equipment Co. | Automatisiertes Gasschneidsystem mit Hilfsbrenner |
US9954533B2 (en) * | 2014-12-16 | 2018-04-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | DRAM-based reconfigurable logic |
US9697877B2 (en) * | 2015-02-05 | 2017-07-04 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Compute memory |
-
2017
- 2017-02-06 US US15/426,033 patent/US10242728B2/en active Active
- 2017-05-12 KR KR1020170059482A patent/KR102139213B1/ko active IP Right Grant
- 2017-09-13 CN CN201710823568.7A patent/CN108008974B/zh active Active
- 2017-09-18 TW TW106131867A patent/TWI714806B/zh active
- 2017-10-17 JP JP2017201264A patent/JP6799520B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI714806B (zh) | 2021-01-01 |
US10242728B2 (en) | 2019-03-26 |
TW201816592A (zh) | 2018-05-01 |
KR20180046345A (ko) | 2018-05-08 |
JP6799520B2 (ja) | 2020-12-16 |
KR102139213B1 (ko) | 2020-07-29 |
CN108008974B (zh) | 2023-05-26 |
CN108008974A (zh) | 2018-05-08 |
US20180122456A1 (en) | 2018-05-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6799520B2 (ja) | Dram基盤プロセシングユニット | |
JP6920169B2 (ja) | Dram基盤の確率論的コンピューティングシステム | |
KR102182217B1 (ko) | 디램 기반 프로세싱 유닛 | |
JP7173709B2 (ja) | ニューラルネットワーク回路 | |
Angizi et al. | Redram: A reconfigurable processing-in-dram platform for accelerating bulk bit-wise operations | |
Talati et al. | mmpu—a real processing-in-memory architecture to combat the von neumann bottleneck | |
US20030222879A1 (en) | Multiplier-based processor-in-memory architectures for image and graphics processing | |
JP7264897B2 (ja) | メモリ装置及びそれを制御するための方法 | |
US6948045B2 (en) | Providing a register file memory with local addressing in a SIMD parallel processor | |
US10956813B2 (en) | Compute-in-memory circuit having a multi-level read wire with isolated voltage distributions | |
Angizi et al. | Pim-assembler: A processing-in-memory platform for genome assembly | |
Zhou et al. | Flexidram: A flexible in-dram framework to enable parallel general-purpose computation | |
Nair et al. | Fpga acceleration of gcn in light of the symmetry of graph adjacency matrix | |
US20220318610A1 (en) | Programmable in-memory computing accelerator for low-precision deep neural network inference | |
Bottleneck | mMPU—A Real Processing-in-Memory Architecture to Combat the von | |
US20230385624A1 (en) | Computing in memory with artificial neurons | |
신현승 | McDRAM: Low Latency and Energy-Efficient Matrix Computation in DRAM |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180222 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20180214 |
|
AA79 | Non-delivery of priority document |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A24379 Effective date: 20180306 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180308 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201015 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20201015 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20201015 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20201022 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20201110 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20201120 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6799520 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |