JP2018068083A - Three-level power conversion device and rectifier - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の実施形態は、３レベル電力変換装置および整流器に関する。 Embodiments described herein relate generally to a three-level power converter and a rectifier.
従来、高電位端子、低電位端子および中間電位端子と、交流端子との間に設けられ、複数のスイッチング素子と複数のダイオードとを備え、高電位端子、低電位端子および中間電位端子と、交流端子との間で電力を変換する電力変換回路が知られている（例えば、特許文献１を参照）。
従来、上位側直流端子、中間電位端子および下位側直流端子の何れかの電位を選択して交流端子に出力する１相分の電力変換回路を有する３レベル電力変換装置が知られている（例えば、特許文献２を参照）。
Conventionally, it is provided between a high potential terminal, a low potential terminal, an intermediate potential terminal, and an AC terminal, and includes a plurality of switching elements and a plurality of diodes. A power conversion circuit that converts power with a terminal is known (see, for example, Patent Document 1).
Conventionally, there is known a three-level power conversion device having a power conversion circuit for one phase that selects any one of the potential of the upper DC terminal, the intermediate potential terminal, and the lower DC terminal and outputs the selected potential to the AC terminal (for example, , See Patent Document 2).
特許文献１に記載された電力変換回路および特許文献２に記載された３レベル電力変換装置では、ワイドバンドギャップ半導体（以下、ＷＢＧ半導体ともいう。）の特長を生かすための工夫がなされている。特許文献１に記載された電力変換回路では、逆回復を行わないダイオードに、ＷＢＧ半導体以外のダイオードが用いられている。特許文献２に記載された３レベル電力変換装置では、従来の回路のクランプダイオードがスイッチング素子に置き換えられるとともに、ＷＢＧ半導体が有効に活用されている。
しかしながら、どちらの文献の例でも、ＷＢＧ半導体を一部などに使用する例を示しており、今まで使用していた回路構成の置き換えが難しく、汎用性に乏しい。このため、ＷＢＧ半導体が多く使われることになってコストダウンが進んでもパッケージ種類が多くなるなどして、量産効果によるコストダウンが見込めない。
つまり、特許文献１に記載された電力変換回路では、電力変換回路に含まれている複数のスイッチング素子のうちの、一部のスイッチング素子としてＷＢＧ半導体が用いられており、他のスイッチング素子としてＷＢＧ半導体以外の半導体が用いられている。そのため、特許文献１に記載された電力変換回路では、部品の共通化によるコストダウン効果を向上させることができない。
また、特許文献２に記載された３レベル電力変換装置においても、ＷＢＧ半導体の部品を共通化して用いることによってコストダウン効果を向上させることは行われていない。
The power conversion circuit described in
However, in both examples, the WBG semiconductor is used for a part or the like, and it is difficult to replace the circuit configuration used so far, and the versatility is poor. For this reason, even if WBG semiconductors are frequently used and cost reduction progresses, cost reduction due to mass production effects cannot be expected due to an increase in package types.
That is, in the power conversion circuit described in
Further, even in the three-level power conversion device described in
本発明は、ワイドバンドギャップ半導体で形成される部品を共通化して用いることによってコストダウン効果を向上させることができる３レベル電力変換装置および整流器を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a three-level power conversion device and a rectifier that can improve the cost reduction effect by using a common component formed of a wide band gap semiconductor.
本発明の一実施形態は、スイッチング素子と前記スイッチング素子に逆並列に接続されたダイオードとを有し、高電位端子に接続された第１並列接続体と、前記第１並列接続体と交流端子との間に配置され、前記第１並列接続体と同一仕様で製作された第２並列接続体と、前記交流端子に接続され、前記第１並列接続体と同一仕様で製作された第３並列接続体と、前記第３並列接続体と前記高電位端子よりも低い電位を与える低電位端子との間に配置され、前記第１並列接続体と同一仕様で製作された第４並列接続体と、前記第１並列接続体と前記第２並列接続体との間の部分と、前記高電位端子の電位と前記低電位端子の電位との中間の電位である中間電位を与える中間電位端子との間に配置された第１ダイオードと、前記第３並列接続体と前記第４並列接続体との間の部分と、前記中間電位端子との間に配置された第２ダイオードと、前記第２並列接続体のダイオードに並列に接続された第３ダイオードと、前記第３並列接続体のダイオードに並列に接続された第４ダイオードと、を備え、前記第１並列接続体、前記第２並列接続体、前記第３並列接続体および前記第４並列接続体を構成する素子がワイドバンドギャップ半導体で形成されており、前記第３ダイオードの順電圧降下が、前記第２並列接続体のダイオードの順電圧降下よりも小さく、前記第４ダイオードの順電圧降下が、前記第３並列接続体のダイオードの順電圧降下よりも小さい３レベル電力変換装置である。 One embodiment of the present invention includes a switching element and a diode connected in antiparallel to the switching element, a first parallel connection connected to a high potential terminal, the first parallel connection and an AC terminal And a second parallel connection body manufactured with the same specifications as the first parallel connection body, and a third parallel connection connected to the AC terminal and manufactured with the same specifications as the first parallel connection body. A fourth parallel connection body that is disposed between a connection body, the third parallel connection body, and a low-potential terminal that applies a lower potential than the high-potential terminal, and is manufactured with the same specifications as the first parallel connection body; A portion between the first parallel connection body and the second parallel connection body, and an intermediate potential terminal for applying an intermediate potential that is an intermediate potential between the potential of the high potential terminal and the potential of the low potential terminal. A first diode disposed between the third parallel connection body and the third parallel connection body; A second diode disposed between a portion between the fourth parallel connection body and the intermediate potential terminal; a third diode connected in parallel to a diode of the second parallel connection body; A fourth diode connected in parallel to a diode of three parallel connection bodies, and constitutes the first parallel connection body, the second parallel connection body, the third parallel connection body, and the fourth parallel connection body The element is formed of a wide band gap semiconductor, the forward voltage drop of the third diode is smaller than the forward voltage drop of the diode of the second parallel connection body, and the forward voltage drop of the fourth diode is the first voltage drop. This is a three-level power converter that is smaller than the forward voltage drop of a diode of three parallel connections.
また、本発明の一実施形態は、前記３レベル電力変換装置を備える整流器であって、前記交流端子に交流電源が接続され、前記高電位端子と前記低電位端子とがインバータに接続され、ユニポーラ変調で制御され、かつ、高力率で動作させられる整流器である。 One embodiment of the present invention is a rectifier including the three-level power converter, wherein an AC power source is connected to the AC terminal, the high potential terminal and the low potential terminal are connected to an inverter, and a unipolar A rectifier controlled by modulation and operated at a high power factor.
本発明によれば、ワイドバンドギャップ半導体で形成される部品を共通化して用いることによってコストダウン効果を向上させることができる３レベル電力変換装置および整流器を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the three-level power converter device and rectifier which can improve a cost reduction effect by sharing and using the components formed with a wide band gap semiconductor can be provided.
［２レベル電力変換装置］
３レベル電力変換装置の第１の実施形態を説明する前に、代表的な２レベル電力変換装置について説明する。
図５は代表的な２レベル電力変換装置を示した回路図である。図５に示す２レベル電力変換装置には、ダイオードによって構成され、交流から直流に電力を変換する整流回路Ｄｒｅｃが備えられている。整流回路Ｄｒｅｃの入力側には、交流電源Ｖｓが接続されている。整流回路Ｄｒｅｃの出力側には、直流電力を交流に変換するインバータＩＮＶが接続されている。インバータＩＮＶの出力側には、インバータＩＮＶによって交流電力が供給される負荷Ｍが接続されている。
図５に示す例では、インバータＩＮＶに、直流電力を蓄えるための直流中間コンデンサＣｄと、インバータＩＮＶのアームを構成する並列接続体Ｓｕ、Ｓｖ、Ｓｗ、Ｓｘ、Ｓｙ、Ｓｚと、出力電流を検出する電流検出器ＣＴｕ、ＣＴｖ、ＣＴｗと、電流検出器ＣＴｕ、ＣＴｖ、ＣＴｗの検出値にしたがって並列接続体Ｓｕ〜Ｓｚのスイッチング素子をオンオフするための制御装置ＣＴＲＬとが備えられている。その結果、インバータＩＮＶは任意の交流電力を出力する。
[Two-level power converter]
Before describing the first embodiment of the three-level power converter, a representative two-level power converter will be described.
FIG. 5 is a circuit diagram showing a typical two-level power converter. The two-level power converter shown in FIG. 5 includes a rectifier circuit Drec configured by a diode and converting power from alternating current to direct current. An AC power supply Vs is connected to the input side of the rectifier circuit Drec. An inverter INV for converting DC power into AC is connected to the output side of the rectifier circuit Drec. A load M to which AC power is supplied by the inverter INV is connected to the output side of the inverter INV.
In the example shown in FIG. 5, the inverter INV detects a DC intermediate capacitor Cd for storing DC power, the parallel connection bodies Su, Sv, Sw, Sx, Sy, Sz constituting the arm of the inverter INV, and the output current. Current detectors CTu, CTv, CTw, and a control device CTRL for turning on and off the switching elements of the parallel connected bodies Su to Sz according to the detection values of the current detectors CTu, CTv, CTw. As a result, the inverter INV outputs arbitrary AC power.
並列接続体Ｓｕ、Ｓｖ、Ｓｗ、Ｓｘ、Ｓｙ、Ｓｚを構成する素子として、従来においては、Ｓｉ（シリコン）材料を利用した半導体素子が用いられていたが、近年においては、ＳｉＣ（炭化ケイ素）、窒化ガリウム、ダイヤモンドなどの材料を利用したワイドバンドギャップ（ＷＢＧ）半導体素子が使われ始めている。
図６は図５に示すようなインバータＩＮＶの一相分を取り出して示した図である。図６（ａ）に示す例では、インバータＩＮＶの一相分の上下アームを構成する並列接続体Ｓｕ、Ｓｘのスイッチング素子とダイオードは、Ｓｉ半導体で形成されている。並列接続体Ｓｕは、スイッチング素子Ｑｕとスイッチング素子Ｑｕに逆並列に接続されたダイオードＤｕとを有する。並列接続体Ｓｘは、スイッチング素子Ｑｘとスイッチング素子Ｑｘに逆並列に接続されたダイオードＤｘとを有する。並列接続体Ｓｕと並列接続体Ｓｘとの間の部分は、交流端子ＡＣｕに接続されている。
図６（ｂ）に示す例では、スイッチング素子Ｑｕと、スイッチング素子Ｑｕに逆並列に接続されたダイオードＳＢＤｕとが、異なる半導体材料によって形成されている。スイッチング素子ＱｕがＳｉ半導体によって形成され、ダイオードＳＢＤｕがＷＢＧ半導体によって形成されている。また、スイッチング素子Ｑｘと、スイッチング素子Ｑｘに逆並列に接続されたダイオードＳＢＤｘとが、異なる半導体材料によって形成されている。スイッチング素子ＱｘがＳｉ半導体によって形成され、ダイオードＳＢＤｘがＷＢＧ半導体によって形成されている。スイッチング素子Ｑｕとスイッチング素子Ｑｘとの間の部分は、交流端子ＡＣｕに接続されている。
Conventionally, semiconductor elements using Si (silicon) material have been used as elements constituting the parallel connection bodies Su, Sv, Sw, Sx, Sy, Sz. In recent years, SiC (silicon carbide) has been used. Wide band gap (WBG) semiconductor devices using materials such as gallium nitride and diamond have begun to be used.
FIG. 6 is a diagram showing one phase of the inverter INV as shown in FIG. In the example shown in FIG. 6A, the switching elements and diodes of the parallel connection bodies Su and Sx constituting the upper and lower arms for one phase of the inverter INV are formed of Si semiconductors. The parallel connection body Su has a switching element Qu and a diode Du connected in antiparallel to the switching element Qu. The parallel connection body Sx includes a switching element Qx and a diode Dx connected in antiparallel to the switching element Qx. A portion between the parallel connection body Su and the parallel connection body Sx is connected to the AC terminal ACu.
In the example shown in FIG. 6B, the switching element Qu and the diode SBDu connected in antiparallel to the switching element Qu are formed of different semiconductor materials. The switching element Qu is formed of a Si semiconductor, and the diode SBDu is formed of a WBG semiconductor. Further, the switching element Qx and the diode SBDx connected in antiparallel to the switching element Qx are formed of different semiconductor materials. The switching element Qx is formed of a Si semiconductor, and the diode SBDx is formed of a WBG semiconductor. A portion between the switching element Qu and the switching element Qx is connected to the AC terminal ACu.
図６（ｃ）に示す例では、スイッチング素子Ｑｕと、スイッチング素子Ｑｕに逆並列に接続されたダイオードＳＢＤｕとが、同じ半導体材料によって形成されている。ダイオードＳＢＤｕがＷＢＧ半導体によって形成されると共に、スイッチング素子ＱｕもＷＢＧ半導体によって形成されている。また、スイッチング素子Ｑｘと、スイッチング素子Ｑｘに逆並列に接続されたダイオードＳＢＤｘとが、同じ半導体材料によって形成されている。ダイオードＳＢＤｘがＷＢＧ半導体によって形成されると共に、スイッチング素子ＱｘもＷＢＧ半導体によって形成されている。スイッチング素子Ｑｕとスイッチング素子Ｑｘとの間の部分は、交流端子ＡＣｕに接続されている。
ＷＢＧ半導体によって形成されたダイオードは、Ｓｉ半導体によって形成されたダイオードに比べ、次の特長を有する。
In the example shown in FIG. 6C, the switching element Qu and the diode SBDu connected in antiparallel to the switching element Qu are formed of the same semiconductor material. The diode SBDu is formed of a WBG semiconductor, and the switching element Qu is also formed of a WBG semiconductor. Further, the switching element Qx and the diode SBDx connected in antiparallel to the switching element Qx are formed of the same semiconductor material. The diode SBDx is formed of a WBG semiconductor, and the switching element Qx is also formed of a WBG semiconductor. A portion between the switching element Qu and the switching element Qx is connected to the AC terminal ACu.
The diode formed by the WBG semiconductor has the following features compared to the diode formed by the Si semiconductor.
図７はＷＢＧ半導体の特長を説明するための回路動作を示している。
図７（ａ）に示す状態では、スイッチング素子Ｑｘがオフになっている。そのため、負荷Ｌｏａｄからスイッチング素子Ｑｘに電流は流れることができず、矢印で示すように、電流Ｉｏが、負荷ＬｏａｄからダイオードＤｕを通って流れる。
次いで、スイッチング素子Ｑｘにオン指令が与えられ、スイッチング素子Ｑｘがオン状態に遷移すると、図７（ｂ）に実線矢印で示すように、負荷Ｌｏａｄからの電流が、スイッチング素子Ｑｘに転流する。この転流動作の間、図７（ｂ）に破線矢印で示すように、逆電流がダイオードＤｕに一瞬流れる。図７（ｂ）において、ＶＣＥ（Ｕ）はダイオードＤｕに印加される逆電圧（ダイオードＤｕに逆並列に接続されたスイッチング素子Ｑｕのコレクタ−エミッタ間電圧）を示している。
FIG. 7 shows a circuit operation for explaining the features of the WBG semiconductor.
In the state shown in FIG. 7A, the switching element Qx is turned off. Therefore, no current can flow from the load Load to the switching element Qx, and the current Io flows from the load Load through the diode Du as indicated by an arrow.
Next, when an ON command is given to the switching element Qx and the switching element Qx transitions to the ON state, the current from the load Load is commutated to the switching element Qx as indicated by a solid line arrow in FIG. During this commutation operation, a reverse current flows through the diode Du for a moment as shown by a broken line arrow in FIG. In FIG. 7B, VCE (U) indicates the reverse voltage applied to the diode Du (the collector-emitter voltage of the switching element Qu connected in reverse parallel to the diode Du).
図８はダイオードＤｕに印加される電圧ＶＣＥ（Ｕ）と電流Ｉ（Ｄｕ）とを模式的に示した図である。図８において、横軸は時間を示している。詳細には、図８（ａ）はＳｉ半導体によって形成されたダイオードに印加される電圧ＶＣＥ（Ｕ）と電流Ｉ（Ｄｕ）とを示しており、図８（ｂ）はＷＢＧ半導体によって形成されたダイオードに印加される電圧ＶＣＥ（Ｕ）と電流Ｉ（Ｄｕ）とを示している。
図８（ａ）に示すように、Ｓｉ半導体によって形成されたダイオードにおいては、逆電圧が印加されると、逆回復電流Ｉｐが流れる。一方、図８（ｂ）に示すように、ＷＢＧ半導体によって形成されたダイオードにおいては、逆電圧が印加されても、逆回復電流Ｉｐが殆ど流れず、逆回復電流が流れることによって生じていた損失が低減され、その損失に伴う発熱が低減される。そのため、ＷＢＧ半導体によって形成されたダイオードを用いることによって、冷却手段を小型化することができ、冷却手段を含む装置の全体を小型化することができる。さらに、ＷＢＧ半導体によって形成されたダイオードは、上述した損失が低減されることにより、装置の全体の高効率化に寄与することができる。
FIG. 8 is a diagram schematically showing the voltage VCE (U) and the current I (Du) applied to the diode Du. In FIG. 8, the horizontal axis represents time. Specifically, FIG. 8A shows a voltage VCE (U) and a current I (Du) applied to a diode formed of Si semiconductor, and FIG. 8B is formed of WBG semiconductor. A voltage VCE (U) and a current I (Du) applied to the diode are shown.
As shown in FIG. 8A, in a diode formed of a Si semiconductor, a reverse recovery current Ip flows when a reverse voltage is applied. On the other hand, as shown in FIG. 8B, in the diode formed by the WBG semiconductor, the reverse recovery current Ip hardly flows even when the reverse voltage is applied, and the loss caused by the reverse recovery current flowing. And the heat generated by the loss is reduced. Therefore, by using a diode formed of a WBG semiconductor, the cooling means can be reduced in size, and the entire apparatus including the cooling means can be reduced in size. Furthermore, the diode formed of the WBG semiconductor can contribute to the high efficiency of the entire device by reducing the above-described loss.
［３レベル電力変換装置］
図９は一般的な３レベル電力変換装置によって構成されたインバータＩＮＶなどを示した回路図である。
図９に示す例では、コンデンサＣｍ１の一方の側（図９の上側）が高電位になり、コンデンサＣｍ１の他方の側（図９の下側）およびコンデンサＣｍ２の一方の側（図９の上側）が中間電位になる。コンデンサＣｍ２の他方の側（図９の下側）が低電位になる。
また、並列接続体を構成する素子が一つの半導体材料によって形成されている。つまり、並列接続体を構成するスイッチング素子とダイオードとが、共にＳｉ半導体によって形成されている。
[3-level power converter]
FIG. 9 is a circuit diagram showing an inverter INV and the like configured by a general three-level power converter.
In the example shown in FIG. 9, one side of capacitor Cm1 (upper side in FIG. 9) is at a high potential, and the other side of capacitor Cm1 (lower side in FIG. 9) and one side of capacitor Cm2 (upper side in FIG. 9). ) Becomes an intermediate potential. The other side (lower side in FIG. 9) of the capacitor Cm2 becomes a low potential.
Moreover, the element which comprises a parallel connection body is formed with one semiconductor material. That is, both the switching element and the diode constituting the parallel connection body are formed of the Si semiconductor.
図９に示す例では、スイッチング素子と、そのスイッチング素子に逆並列に接続されたダイオードとを有する並列接続体Ｓｕ１の一方の側（図９の上側）が高電位になっている。スイッチング素子と、そのスイッチング素子に逆並列に接続されたダイオードとを有する並列接続体Ｓｕ２が、並列接続体Ｓｕ１とｕ相交流端子との間に配置されている。また、スイッチング素子と、そのスイッチング素子に逆並列に接続されたダイオードとを有する並列接続体Ｓｕ３が、ｕ相交流端子に接続されている。スイッチング素子と、そのスイッチング素子に逆並列に接続されたダイオードとを有する並列接続体Ｓｕ４の一方の側（図９の上側）が、並列接続体Ｓｕ３に接続されている。並列接続体Ｓｕ４の他方の側（図９の下側）が低電位になっている。ダイオードＤｕの一方の側（図９の上側）が、並列接続体Ｓｕ１と並列接続体Ｓｕ２との間の部分に接続されており、ダイオードＤｕの他方の側（図９の下側）が中間電位になっている。ダイオードＤｘの一方の側（図９の上側）が中間電位になっており、ダイオードＤｘの他方の側（図９の下側）が、並列接続体Ｓｕ３と並列接続体Ｓｕ４との間の部分に接続されている。 In the example shown in FIG. 9, one side (upper side in FIG. 9) of the parallel connection body Su1 having a switching element and a diode connected in antiparallel to the switching element is at a high potential. A parallel connection body Su2 having a switching element and a diode connected in antiparallel to the switching element is arranged between the parallel connection body Su1 and the u-phase AC terminal. In addition, a parallel connection body Su3 having a switching element and a diode connected in antiparallel to the switching element is connected to the u-phase AC terminal. One side (upper side in FIG. 9) of the parallel connection body Su4 having a switching element and a diode connected in antiparallel to the switching element is connected to the parallel connection body Su3. The other side of the parallel connection body Su4 (the lower side in FIG. 9) is at a low potential. One side of the diode Du (upper side in FIG. 9) is connected to a portion between the parallel connection body Su1 and the parallel connection body Su2, and the other side of the diode Du (lower side in FIG. 9) is an intermediate potential. It has become. One side (the upper side in FIG. 9) of the diode Dx is at an intermediate potential, and the other side (the lower side in FIG. 9) of the diode Dx is at a portion between the parallel connection body Su3 and the parallel connection body Su4. It is connected.
図９に示す例では、スイッチング素子と、そのスイッチング素子に逆並列に接続されたダイオードとを有する並列接続体Ｓｖ１の一方の側（図９の上側）が高電位になっている。スイッチング素子と、そのスイッチング素子に逆並列に接続されたダイオードとを有する並列接続体Ｓｖ２が、並列接続体Ｓｖ１とｖ相交流端子との間に配置されている。また、スイッチング素子と、そのスイッチング素子に逆並列に接続されたダイオードとを有する並列接続体Ｓｖ３が、ｖ相交流端子に接続されている。スイッチング素子と、そのスイッチング素子に逆並列に接続されたダイオードとを有する並列接続体Ｓｖ４の一方の側（図９の上側）が、並列接続体Ｓｖ３に接続されている。並列接続体Ｓｖ４の他方の側（図９の下側）が低電位になっている。ダイオードＤｖの一方の側（図９の上側）が、並列接続体Ｓｖ１と並列接続体Ｓｖ２との間の部分に接続されており、ダイオードＤｖの他方の側（図９の下側）が中間電位になっている。ダイオードＤｙの一方の側（図９の上側）が中間電位になっており、ダイオードＤｙの他方の側（図９の下側）が、並列接続体Ｓｖ３と並列接続体Ｓｖ４との間の部分に接続されている。 In the example shown in FIG. 9, one side (upper side in FIG. 9) of the parallel connection body Sv1 having a switching element and a diode connected in antiparallel to the switching element is at a high potential. A parallel connection body Sv2 having a switching element and a diode connected in antiparallel to the switching element is arranged between the parallel connection body Sv1 and the v-phase AC terminal. Further, a parallel connection body Sv3 having a switching element and a diode connected in antiparallel to the switching element is connected to the v-phase AC terminal. One side (upper side in FIG. 9) of the parallel connection body Sv4 having a switching element and a diode connected in antiparallel to the switching element is connected to the parallel connection body Sv3. The other side (the lower side in FIG. 9) of the parallel connection body Sv4 is at a low potential. One side (upper side in FIG. 9) of the diode Dv is connected to a portion between the parallel connection body Sv1 and the parallel connection body Sv2, and the other side (lower side in FIG. 9) of the diode Dv is an intermediate potential. It has become. One side (upper side in FIG. 9) of the diode Dy is at an intermediate potential, and the other side (lower side in FIG. 9) of the diode Dy is at a portion between the parallel connection body Sv3 and the parallel connection body Sv4. It is connected.
図９に示す例では、スイッチング素子と、そのスイッチング素子に逆並列に接続されたダイオードとを有する並列接続体Ｓｗ１の一方の側（図９の上側）が高電位になっている。スイッチング素子と、そのスイッチング素子に逆並列に接続されたダイオードとを有する並列接続体Ｓｗ２が、並列接続体Ｓｗ１とｗ相交流端子との間に配置されている。また、スイッチング素子と、そのスイッチング素子に逆並列に接続されたダイオードとを有する並列接続体Ｓｗ３が、ｗ相交流端子に接続されている。スイッチング素子と、そのスイッチング素子に逆並列に接続されたダイオードとを有する並列接続体Ｓｗ４の一方の側（図９の上側）が、並列接続体Ｓｗ３に接続されている。並列接続体Ｓｗ４の他方の側（図９の下側）が低電位になっている。ダイオードＤｗの一方の側（図９の上側）が、並列接続体Ｓｗ１と並列接続体Ｓｗ２との間の部分に接続されており、ダイオードＤｗの他方の側（図９の下側）が中間電位になっている。ダイオードＤｚの一方の側（図９の上側）が中間電位になっており、ダイオードＤｚの他方の側（図９の下側）が、並列接続体Ｓｗ３と並列接続体Ｓｗ４との間の部分に接続されている。
図９に示すインバータＩＮＶは各相に３つの電位を出力することができる。
In the example shown in FIG. 9, one side (upper side in FIG. 9) of the parallel connection body Sw1 having a switching element and a diode connected in antiparallel to the switching element is at a high potential. A parallel connection body Sw2 having a switching element and a diode connected in antiparallel to the switching element is arranged between the parallel connection body Sw1 and the w-phase AC terminal. In addition, a parallel connection body Sw3 having a switching element and a diode connected in antiparallel to the switching element is connected to the w-phase AC terminal. One side (upper side in FIG. 9) of the parallel connection body Sw4 having a switching element and a diode connected in antiparallel to the switching element is connected to the parallel connection body Sw3. The other side (the lower side in FIG. 9) of the parallel connection body Sw4 is at a low potential. One side of diode Dw (upper side in FIG. 9) is connected to a portion between parallel connection body Sw1 and parallel connection body Sw2, and the other side of diode Dw (lower side in FIG. 9) is an intermediate potential. It has become. One side (upper side in FIG. 9) of the diode Dz is at an intermediate potential, and the other side (lower side in FIG. 9) of the diode Dz is at a portion between the parallel connection body Sw3 and the parallel connection body Sw4. It is connected.
The inverter INV shown in FIG. 9 can output three potentials for each phase.
図１０は図９に示す３レベル電力変換装置の変形例を説明するための図である。
図１０（ａ）に示す例では、並列接続体Ｓｕ１を構成するスイッチング素子とダイオードとが、異なる半導体材料によって形成されている。詳細には、並列接続体Ｓｕ１のスイッチング素子がＳｉ半導体によって形成され、並列接続体Ｓｕ１のダイオードがＳｉＣなどのＷＢＧ半導体によって形成されている。同様に、並列接続体Ｓｕ２のスイッチング素子がＳｉ半導体によって形成され、並列接続体Ｓｕ２のダイオードがＳｉＣなどのＷＢＧ半導体によって形成されている。並列接続体Ｓｕ３のスイッチング素子がＳｉ半導体によって形成され、並列接続体Ｓｕ３のダイオードがＳｉＣなどのＷＢＧ半導体によって形成されている。並列接続体Ｓｕ４のスイッチング素子がＳｉ半導体によって形成され、並列接続体Ｓｕ４のダイオードがＳｉＣなどのＷＢＧ半導体によって形成されている。
FIG. 10 is a diagram for explaining a modification of the three-level power converter shown in FIG.
In the example shown in FIG. 10A, the switching element and the diode constituting the parallel connection body Su1 are formed of different semiconductor materials. Specifically, the switching element of the parallel connection body Su1 is formed of a Si semiconductor, and the diode of the parallel connection body Su1 is formed of a WBG semiconductor such as SiC. Similarly, the switching element of the parallel connection body Su2 is formed of a Si semiconductor, and the diode of the parallel connection body Su2 is formed of a WBG semiconductor such as SiC. The switching element of the parallel connection body Su3 is formed of a Si semiconductor, and the diode of the parallel connection body Su3 is formed of a WBG semiconductor such as SiC. The switching element of the parallel connection body Su4 is formed of a Si semiconductor, and the diode of the parallel connection body Su4 is formed of a WBG semiconductor such as SiC.
図１０（ｂ）に示す例では、スイッチング素子とダイオードとを有する並列接続体が一つの半導体材料によって形成されている。詳細には、並列接続体Ｓｕ１を構成するスイッチング素子とダイオードがＷＢＧ半導体によって形成されている。同様に、並列接続体Ｓｕ２を構成するスイッチング素子とダイオードが、ＷＢＧ半導体によって形成されている。並列接続体Ｓｕ３を構成するスイッチング素子とダイオードが、ＷＢＧ半導体によって形成されている。並列接続体Ｓｕ４を構成するスイッチング素子とダイオードが、ＷＢＧ半導体によって形成されている。
また、図１０（ｂ）に示す例では、一方の側（図１０（ｂ）の上側）が並列接続体Ｓｕ１と並列接続体Ｓｕ２との間の部分に接続されており、他方の側（図１０（ｂ）の下側）が中間電位になっているダイオードＤｕが、ＷＢＧ半導体によって形成されている。同様に、一方の側（図１０（ｂ）の上側）が中間電位になっており、他方の側（図１０（ｂ）の下側）が並列接続体Ｓｕ３と並列接続体Ｓｕ４との間の部分に接続されているダイオードＤｘが、ＷＢＧ半導体によって形成されている。
In the example shown in FIG. 10B, a parallel connection body having a switching element and a diode is formed of one semiconductor material. Specifically, the switching element and the diode constituting the parallel connection body Su1 are formed of a WBG semiconductor. Similarly, a switching element and a diode constituting the parallel connection body Su2 are formed of a WBG semiconductor. A switching element and a diode constituting the parallel connection body Su3 are formed of a WBG semiconductor. A switching element and a diode constituting the parallel connection body Su4 are formed of a WBG semiconductor.
In the example shown in FIG. 10B, one side (the upper side of FIG. 10B) is connected to a portion between the parallel connection body Su1 and the parallel connection body Su2, and the other side (the figure). A diode Du having an intermediate potential 10 (b) is formed of a WBG semiconductor. Similarly, one side (the upper side in FIG. 10B) is at an intermediate potential, and the other side (the lower side in FIG. 10B) is between the parallel connection body Su3 and the parallel connection body Su4. A diode Dx connected to the portion is formed of a WBG semiconductor.
［第１の実施形態］
以下、図を参照して３レベル電力変換装置の第１の実施形態について説明する。
図１は第１の実施形態の３レベル電力変換装置を示した回路図である。
図１に示す例では、コンデンサＣｍ１の一方の側（図１の上側）が高電位になり、コンデンサＣｍ１の他方の側（図１の下側）およびコンデンサＣｍ２の一方の側（図１の上側）が中間電位になる。コンデンサＣｍ２の他方の側（図１の下側）が低電位になる。
また、並列接続体を構成する素子が一つの半導体材料によって形成されている。つまり、並列接続体を構成するスイッチング素子とダイオードとが、共にＷＢＧ半導体によって形成されている。
[First Embodiment]
Hereinafter, a first embodiment of a three-level power converter will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a circuit diagram showing a three-level power converter according to the first embodiment.
In the example shown in FIG. 1, one side of capacitor Cm1 (upper side in FIG. 1) is at a high potential, and the other side of capacitor Cm1 (lower side in FIG. 1) and one side of capacitor Cm2 (upper side in FIG. 1). ) Becomes an intermediate potential. The other side of capacitor Cm2 (the lower side in FIG. 1) is at a low potential.
Moreover, the element which comprises a parallel connection body is formed with one semiconductor material. That is, both the switching element and the diode constituting the parallel connection body are formed of the WBG semiconductor.
図１に示す例では、スイッチング素子と、そのスイッチング素子に逆並列に接続されたダイオードとを有する並列接続体Ｓｕ１が、高電位端子（図示せず）に接続されている。つまり、並列接続体Ｓｕ１の一方の側（図１の上側）が高電位になっている。
並列接続体Ｓｕ２は並列接続体Ｓｕ１と交流端子との間に配置されている。並列接続体Ｓｕ２は、並列接続体Ｓｕ１と同一仕様で製作されている。つまり、並列接続体Ｓｕ２は、並列接続体Ｓｕ１と同様に、スイッチング素子と、そのスイッチング素子に逆並列に接続されたダイオードとを有する。
In the example shown in FIG. 1, a parallel connection body Su1 having a switching element and a diode connected in antiparallel to the switching element is connected to a high potential terminal (not shown). That is, one side (upper side in FIG. 1) of the parallel connection body Su1 is at a high potential.
The parallel connection body Su2 is disposed between the parallel connection body Su1 and the AC terminal. The parallel connection body Su2 is manufactured with the same specifications as the parallel connection body Su1. That is, the parallel connection body Su2 includes a switching element and a diode connected in antiparallel to the switching element, like the parallel connection body Su1.
図１に示す例では、並列接続体Ｓｕ３が交流端子に接続されている。並列接続体Ｓｕ３は、並列接続体Ｓｕ１と同一仕様で製作されている。つまり、並列接続体Ｓｕ３は、並列接続体Ｓｕ１と同様に、スイッチング素子と、そのスイッチング素子に逆並列に接続されたダイオードとを有する。
並列接続体Ｓｕ４は、並列接続体Ｓｕ３と、高電位端子よりも低い電位を与える低電位端子（図示せず）との間に配置されている。すなわち、並列接続体Ｓｕ４の一方の側（図１の上側）が並列接続体Ｓｕ３に接続され、並列接続体Ｓｕ４の他方の側（図１の下側）が低電位になっている。並列接続体Ｓｕ４は、並列接続体Ｓｕ１と同一仕様で製作されている。つまり、並列接続体Ｓｕ４は、並列接続体Ｓｕ１と同様に、スイッチング素子と、そのスイッチング素子に逆並列に接続されたダイオードとを有する。
In the example shown in FIG. 1, the parallel connection body Su3 is connected to the AC terminal. The parallel connection body Su3 is manufactured with the same specifications as the parallel connection body Su1. That is, the parallel connection body Su3 includes a switching element and a diode connected in antiparallel to the switching element, like the parallel connection body Su1.
The parallel connection body Su4 is disposed between the parallel connection body Su3 and a low potential terminal (not shown) that applies a lower potential than the high potential terminal. That is, one side (upper side in FIG. 1) of the parallel connection body Su4 is connected to the parallel connection body Su3, and the other side (lower side in FIG. 1) of the parallel connection body Su4 is at a low potential. The parallel connection body Su4 is manufactured with the same specifications as the parallel connection body Su1. That is, the parallel connection body Su4 includes a switching element and a diode connected in antiparallel to the switching element, like the parallel connection body Su1.
図１に示す例では、ダイオードＤｕが、並列接続体Ｓｕ１と並列接続体Ｓｕ２との間の部分Ａ１２と、高電位と低電位との中間の電位である中間電位を与える中間電位端子（図示せず）との間に配置されている。すなわち、ダイオードＤｕの一方の側（図１の上側）が部分Ａ１２に接続され、ダイオードＤｕの他方の側（図１の下側）が中間電位になっている。
図１に示す例では、ダイオードＤｕがＷＢＧ半導体によって形成されているが、これに限られない。ダイオードＤｕをＳｉ半導体によって形成することもできる。
In the example shown in FIG. 1, the diode Du provides an intermediate potential terminal (not shown) that provides an intermediate potential that is an intermediate potential between the high potential and the low potential, and the portion A12 between the parallel connection body Su1 and the parallel connection body Su2. Z)). That is, one side (upper side in FIG. 1) of the diode Du is connected to the portion A12, and the other side (lower side in FIG. 1) of the diode Du is at an intermediate potential.
In the example illustrated in FIG. 1, the diode Du is formed of a WBG semiconductor, but is not limited thereto. The diode Du can also be formed of a Si semiconductor.
図１に示す例では、ダイオードＤｘが、並列接続体Ｓｕ３と並列接続体Ｓｕ４との間の部分Ａ３４と、中間電位端子との間に配置されている。すなわち、ダイオードＤｘの一方の側（図１の上側）が中間電位になっており、ダイオードＤｘの他方の側（図１の下側）が部分Ａ３４に接続されている。
図１に示す例では、ダイオードＤｘがＷＢＧ半導体によって形成されているが、これに限られない。ダイオードＤｘをＳｉ半導体によって形成することもできる。
In the example shown in FIG. 1, the diode Dx is disposed between the intermediate potential terminal and the portion A34 between the parallel connection body Su3 and the parallel connection body Su4. That is, one side (the upper side in FIG. 1) of the diode Dx is at an intermediate potential, and the other side (the lower side in FIG. 1) of the diode Dx is connected to the portion A34.
In the example shown in FIG. 1, the diode Dx is formed of a WBG semiconductor, but is not limited thereto. The diode Dx can also be formed of a Si semiconductor.
図１に示す例では、ダイオードＤｕ２が、並列接続体Ｓｕ２のダイオードに並列に接続されている。さらに、ダイオードＤｕ２の順電圧降下が、並列接続体Ｓｕ２のダイオードの順電圧降下よりも小さくなるように、例えば、ダイオードＤｕ２がＳｉ半導体によって形成されている。
また、ダイオードＤｘ２が、並列接続体Ｓｕ３のダイオードに並列に接続されている。さらに、ダイオードＤｘ２の順電圧降下が、並列接続体Ｓｕ３のダイオードの順電圧降下よりも小さくなるように、例えば、ダイオードＤｘ２がＳｉ半導体によって形成されている。
In the example shown in FIG. 1, the diode Du2 is connected in parallel to the diode of the parallel connection body Su2. Further, for example, the diode Du2 is formed of a Si semiconductor so that the forward voltage drop of the diode Du2 is smaller than the forward voltage drop of the diode of the parallel connection body Su2.
The diode Dx2 is connected in parallel to the diode of the parallel connection body Su3. Furthermore, for example, the diode Dx2 is formed of a Si semiconductor so that the forward voltage drop of the diode Dx2 is smaller than the forward voltage drop of the diode of the parallel connection body Su3.
図２は並列接続体Ｓｕ２のダイオードの順電圧降下およびＳｉ半導体によって形成されたダイオードＤｕ２の順電圧降下を示した図である。
詳細には、図２（ａ）の横軸は並列接続体Ｓｕ２のダイオードの順電圧降下を示しており、図２（ａ）の縦軸は並列接続体Ｓｕ２のダイオードの順方向電流を示している。図２（ａ）において、実線は低温時における並列接続体Ｓｕ２のダイオードの順電圧降下と順方向電流との関係を示しており、破線は高温時における並列接続体Ｓｕ２のダイオードの順電圧降下と順方向電流との関係を示している。
図２（ｂ）の横軸はＳｉ半導体によって形成されたダイオードＤｕ２の順電圧降下を示しており、図２（ｂ）の縦軸はＳｉ半導体によって形成されたダイオードＤｕ２の順方向電流を示している。図２（ｂ）において、実線は低温時におけるＳｉ半導体によって形成されたダイオードＤｕ２の順電圧降下と順方向電流との関係を示しており、破線は高温時におけるＳｉ半導体によって形成されたダイオードＤｕ２の順電圧降下と順方向電流との関係を示している。
FIG. 2 is a diagram showing a forward voltage drop of the diode of the parallel connection body Su2 and a forward voltage drop of the diode Du2 formed of the Si semiconductor.
Specifically, the horizontal axis of FIG. 2A shows the forward voltage drop of the diode of the parallel connection body Su2, and the vertical axis of FIG. 2A shows the forward current of the diode of the parallel connection body Su2. Yes. In FIG. 2A, the solid line shows the relationship between the forward voltage drop and the forward current of the diode of the parallel connection body Su2 at a low temperature, and the broken line shows the forward voltage drop of the diode of the parallel connection body Su2 at a high temperature. The relationship with the forward current is shown.
2B shows the forward voltage drop of the diode Du2 formed of Si semiconductor, and the vertical axis of FIG. 2B shows the forward current of the diode Du2 formed of Si semiconductor. Yes. In FIG. 2B, the solid line indicates the relationship between the forward voltage drop and the forward current of the diode Du2 formed of the Si semiconductor at a low temperature, and the broken line indicates the relationship between the forward current and the diode Du2 formed of the Si semiconductor at a high temperature. The relationship between forward voltage drop and forward current is shown.
図２（ａ）に示す例では、温度がＴ１［℃］の低温時であって、並列接続体Ｓｕ２のダイオードの順方向電流が値Ｉ１の時に、並列接続体Ｓｕ２のダイオードの順電圧降下が値Ｖ１になる。温度がＴ２（＞Ｔ１）［℃］の高温時であって、並列接続体Ｓｕ２のダイオードの順方向電流が値Ｉ１の時に、並列接続体Ｓｕ２のダイオードの順電圧降下が値Ｖ２（＞Ｖ１）になる。
図２（ｂ）に示す例では、温度がＴ１［℃］の低温時であって、Ｓｉ半導体によって形成されたダイオードＤｕ２の順方向電流が値Ｉ１の時に、Ｓｉ半導体によって形成されたダイオードＤｕ２の順電圧降下が値Ｖ３（＜Ｖ１）になる。温度がＴ２［℃］の高温時であって、Ｓｉ半導体によって形成されたダイオードＤｕ２の順方向電流が値Ｉ１の時に、Ｓｉ半導体によって形成されたダイオードＤｕ２の順電圧降下が値Ｖ４（＜Ｖ２）になる。
In the example shown in FIG. 2A, when the temperature is a low temperature of T1 [° C.] and the forward current of the diode of the parallel connection body Su2 is the value I1, the forward voltage drop of the diode of the parallel connection body Su2 is It becomes the value V1. When the temperature is T2 (> T1) [° C.] and the forward current of the diode of the parallel connection body Su2 is the value I1, the forward voltage drop of the diode of the parallel connection body Su2 is the value V2 (> V1). become.
In the example shown in FIG. 2B, the temperature of the diode Du2 formed of the Si semiconductor is low when the temperature is T1 [° C.] and the forward current of the diode Du2 formed of the Si semiconductor is the value I1. The forward voltage drop becomes the value V3 (<V1). When the temperature is a high temperature of T2 [° C.] and the forward current of the diode Du2 formed of the Si semiconductor is the value I1, the forward voltage drop of the diode Du2 formed of the Si semiconductor is the value V4 (<V2). become.
すなわち、第１の実施形態の３レベル電力変換装置では、図１および図２に示すように、並列接続体Ｓｕ２のダイオードの順電圧降下の値（低温時に値Ｖ１、高温時に値Ｖ２）よりも小さい順電圧降下の値（低温時に値Ｖ３、高温時に値Ｖ４）を有する例えばＳｉ半導体によって形成されたダイオードＤｕ２が、並列接続体Ｓｕ２のダイオードに並列に接続されている。
そのため、第１の実施形態の３レベル電力変換装置では、ダイオードＤｕ２が並列接続体Ｓｕ２のダイオードに並列に接続されていない場合よりも、並列接続体Ｓｕ２のダイオードに順方向電流が流れる時の損失を低減することができる。
また、第１の実施形態の３レベル電力変換装置では、図１に示すように、並列接続体Ｓｕ３のダイオードの順電圧降下の値よりも小さい順電圧降下の値を有する例えばＳｉ半導体によって形成されたダイオードＤｘ２が、並列接続体Ｓｕ３のダイオードに並列に接続されている。
そのため、第１の実施形態の３レベル電力変換装置では、ダイオードＤｘ２が並列接続体Ｓｕ３のダイオードに並列に接続されていない場合よりも、並列接続体Ｓｕ３のダイオードに順方向電流が流れる時の損失を低減することができる。
その結果、第１の実施形態の３レベル電力変換装置を冷却する冷却手段を小型化することができ、冷却手段を含む装置の全体を小型化することができる。
That is, in the three-level power conversion device of the first embodiment, as shown in FIGS. 1 and 2, the forward voltage drop value of the diode of the parallel connection body Su2 (value V1 at low temperature, value V2 at high temperature). A diode Du2 formed of, for example, a Si semiconductor having a small forward voltage drop value (value V3 at low temperature and value V4 at high temperature) is connected in parallel to the diode of the parallel connection body Su2.
Therefore, in the three-level power conversion device according to the first embodiment, the loss when the forward current flows through the diode of the parallel connection body Su2 as compared with the case where the diode Du2 is not connected in parallel to the diode of the parallel connection body Su2. Can be reduced.
Further, in the three-level power conversion device of the first embodiment, as shown in FIG. 1, it is formed of, for example, a Si semiconductor having a forward voltage drop value smaller than the forward voltage drop value of the diode of the parallel connection body Su3. The diode Dx2 is connected in parallel to the diode of the parallel connection body Su3.
Therefore, in the three-level power conversion device of the first embodiment, the loss when the forward current flows through the diode of the parallel connection body Su3, compared to the case where the diode Dx2 is not connected in parallel to the diode of the parallel connection body Su3. Can be reduced.
As a result, the cooling means for cooling the three-level power converter according to the first embodiment can be reduced in size, and the entire apparatus including the cooling means can be reduced in size.
さらに、第１の実施形態の３レベル電力変換装置では、図１に示すように、並列接続体Ｓｕ１と、並列接続体Ｓｕ２と、並列接続体Ｓｕ３と、並列接続体Ｓｕ４とが、同一仕様で製作されている。
そのため、第１の実施形態の３レベル電力変換装置では、並列接続体Ｓｕ１、Ｓｕ２、Ｓｕ３、Ｓｕ４が異なる仕様で製作されている場合とは異なり、並列接続体Ｓｕ１、Ｓｕ２、Ｓｕ３、Ｓｕ４を共通部品として用いることができ、３レベル電力変換装置の全体のコストダウン効果を向上させることができる。
なお、並列接続体を構成するスイッチング素子がＳｉ半導体によって形成され、並列接続体を構成するダイオードがＷＢＧ半導体によって形成されていてもよい。このような構成の並列接続体を用いて３レベル電力変換装置を構成すれば、よりコストダウン効果を向上させることができる。
Furthermore, in the three-level power conversion device of the first embodiment, as shown in FIG. 1, the parallel connection body Su1, the parallel connection body Su2, the parallel connection body Su3, and the parallel connection body Su4 have the same specifications. It has been produced.
Therefore, unlike the case where the parallel connection bodies Su1, Su2, Su3, and Su4 are manufactured with different specifications, the parallel connection bodies Su1, Su2, Su3, and Su4 are shared in the three-level power conversion device of the first embodiment. It can be used as a component, and the overall cost reduction effect of the three-level power converter can be improved.
In addition, the switching element which comprises a parallel connection body may be formed with Si semiconductor, and the diode which comprises a parallel connection body may be formed with the WBG semiconductor. If the three-level power converter is configured using the parallel connection body having such a configuration, the cost reduction effect can be further improved.
図１に示す３レベル電力変換装置では、特許文献１に記載された電力変換回路と同様に、３レベル電力変換装置の通常運転時に、並列接続体Ｓｕ２、Ｓｕ３は逆回復動作せず、並列接続体Ｓｕ２のダイオードに並列に接続されているダイオードＤｕ２および並列接続体Ｓｕ３のダイオードに並列に接続されているダイオードＤｘ２も逆回復動作しない。
ダイオードＤｕ２、Ｄｘ２を接続しても主回路の配線インダクタンスは大きくならないため、並列接続体Ｓｕ２、Ｓｕ３のスイッチング素子のスイッチング動作に伴うサージ電圧に大きく影響しない。従って、ダイオードＤｕ２、Ｄｘ２を並列接続体Ｓｕ２、Ｓｕ３のスイッチング素子の直近に配置する必要はない。
In the three-level power conversion device shown in FIG. 1, as in the power conversion circuit described in
Even if the diodes Du2 and Dx2 are connected, the wiring inductance of the main circuit does not increase, so that the surge voltage associated with the switching operation of the switching elements of the parallel connection bodies Su2 and Su3 is not greatly affected. Therefore, it is not necessary to arrange the diodes Du2 and Dx2 in the immediate vicinity of the switching elements of the parallel connection bodies Su2 and Su3.
［第１の実施形態の適用例］
図３（ａ）は第１の実施形態の３レベル電力変換装置の第１適用例を示しており、図３（ｂ）は第１の実施形態の３レベル電力変換装置の第２適用例を示している。
図３（ａ）に示す例では、並列接続体Ｓｕ１、Ｓｕ２が２ｉｎ１パッケージＰＭ１に含まれており、並列接続体Ｓｕ３、Ｓｕ４が２ｉｎ１パッケージＰＭ２に含まれている。２ｉｎ１パッケージＰＭ１と２ｉｎ１パッケージＰＭ２とは共通部品化されている。また、ダイオードＤｕ、Ｄｘが２ｉｎ１パッケージＰＭ３に含まれており、ダイオードＤｕ２、Ｄｘ２が２ｉｎ１パッケージＰＭ４に含まれている。その結果、３レベル電力変換装置の全体が小型化されている。
図３（ｂ）に示す例では、並列接続体Ｓｕ１とダイオードＤｕとが２ｉｎ１パッケージＰＭ１１に含まれており、並列接続体Ｓｕ４とダイオードＤｘとが２ｉｎ１パッケージＰＭ３１に含まれている。並列接続体Ｓｕ２、Ｓｕ３が２ｉｎ１パッケージＰＭ２１に含まれており、ダイオードＤｕ２、Ｄｘ２が２ｉｎ１パッケージＰＭ４１に含まれている。その結果、３レベル電力変換装置の全体が小型化されている。
図３（ａ）に示す例および図３（ｂ）に示す例のいずれにおいても、３レベル電力変換装置と交流端子ＡＣｕとの間に２ｉｎ１パッケージＰＭ４あるいは２ｉｎ１パッケージＰＭ４１を配置するだけでよい。これにより、コンデンサＣｍ１、Ｃｍ２を含んだ一巡の配線インダクタンスに影響を与えることなく、ダイオードＤｕ２、Ｄｘ２を追加することができる。
[Application Example of First Embodiment]
FIG. 3A shows a first application example of the three-level power conversion device of the first embodiment, and FIG. 3B shows a second application example of the three-level power conversion device of the first embodiment. Show.
In the example shown in FIG. 3A, the parallel connection bodies Su1 and Su2 are included in the 2in1 package PM1, and the parallel connection bodies Su3 and Su4 are included in the 2in1 package PM2. The 2in1 package PM1 and the 2in1 package PM2 are formed as a common component. The diodes Du and Dx are included in the 2in1 package PM3, and the diodes Du2 and Dx2 are included in the 2in1 package PM4. As a result, the entire three-level power converter is downsized.
In the example shown in FIG. 3B, the parallel connection body Su1 and the diode Du are included in the 2in1 package PM11, and the parallel connection body Su4 and the diode Dx are included in the 2in1 package PM31. The parallel connection bodies Su2 and Su3 are included in the 2in1 package PM21, and the diodes Du2 and Dx2 are included in the 2in1 package PM41. As a result, the entire three-level power converter is downsized.
In both the example shown in FIG. 3A and the example shown in FIG. 3B, the 2-in-1 package PM4 or the 2-in-1 package PM41 need only be arranged between the three-level power converter and the AC terminal ACu. Thereby, the diodes Du2 and Dx2 can be added without affecting the wiring inductance including the capacitors Cm1 and Cm2.
図１および図２に示すように、第１の実施形態の３レベル電力変換装置では、従来から使用されているＳｉ半導体の回路構成を踏襲しつつ、装置の全体を簡単に小型化することができる。また、同一仕様の並列接続体Ｓｕ１、Ｓｕ２、Ｓｕ３、Ｓｕ４を用いることによって量産効果を向上させることができ、コストダウンに寄与することができる。具体的には、並列接続体Ｓｕ１、Ｓｕ２、Ｓｕ３、Ｓｕ４を用いること、および、Ｓｉ半導体のダイオードの特長を活かす部位にダイオードＤｕ２、Ｄｘ２を搭載することによって、装置の全体を小型化しつつ、コストダウン効果を向上させることができる。 As shown in FIGS. 1 and 2, in the three-level power conversion device according to the first embodiment, the entire device can be easily reduced in size while following the circuit configuration of a Si semiconductor that has been conventionally used. it can. Moreover, the mass production effect can be improved by using parallel connection bodies Su1, Su2, Su3, and Su4 of the same specification, which can contribute to cost reduction. Specifically, by using the parallel connection bodies Su1, Su2, Su3, Su4, and mounting the diodes Du2, Dx2 in a part that takes advantage of the features of the Si semiconductor diode, the entire apparatus can be reduced in size and cost. The down effect can be improved.
図４は第１の実施形態の３レベル電力変換装置の第３適用例を示している。
図４に示す例では、第１の実施形態の３レベル電力変換装置が整流器ＲＥＣに適用されている。図４中の並列接続体Ｓｒ１、Ｓｒ２、Ｓｒ３、Ｓｒ４が、図１中の並列接続体Ｓｕ１、Ｓｕ２、Ｓｕ３、Ｓｕ４に対応している。図４中のダイオードＤｒ１、Ｄｒ２が、図１中のダイオードＤｕ、Ｄｘに対応している。図４中のダイオードＤｒ１１、Ｄｒ２１が、図１中のダイオードＤｕ２、Ｄｘ２に対応している。図１に示す第１の実施形態の３レベル電力変換装置のうちのコンデンサＣｍ１、Ｃｍ２を除く部分が、図４に示す整流器ＲＥＣのｒ相上下アームを構成している。図４に示す整流器ＲＥＣのｓ相上下アームおよびｔ相上下アームは、ｒ相上下アームと同様に、図１に示す第１の実施形態の３レベル電力変換装置のうちのコンデンサＣｍ１、Ｃｍ２を除く部分によって構成することができる。
図４に示す例では、交流電源Ｖｓが、整流器ＲＥＣを構成するｒ相上下アームの交流端子と、ｓ相上下アームの交流端子と、ｔ相上下アームの交流端子とに接続されている。ｒ相上下アーム、ｓ相上下アームおよびｔ相上下アームの高電位端子と低電位端子とがインバータＩＮＶに接続されている。
FIG. 4 shows a third application example of the three-level power converter according to the first embodiment.
In the example shown in FIG. 4, the three-level power conversion device of the first embodiment is applied to the rectifier REC. The parallel connection bodies Sr1, Sr2, Sr3, Sr4 in FIG. 4 correspond to the parallel connection bodies Su1, Su2, Su3, Su4 in FIG. The diodes Dr1 and Dr2 in FIG. 4 correspond to the diodes Du and Dx in FIG. The diodes Dr11 and Dr21 in FIG. 4 correspond to the diodes Du2 and Dx2 in FIG. The portion of the three-level power converter according to the first embodiment shown in FIG. 1 excluding the capacitors Cm1 and Cm2 constitutes the r-phase upper and lower arms of the rectifier REC shown in FIG. The s-phase upper and lower arms and the t-phase upper and lower arms of the rectifier REC shown in FIG. 4 are the same as the r-phase upper and lower arms, except for the capacitors Cm1 and Cm2 in the three-level power converter of the first embodiment shown in FIG. Can be constituted by parts.
In the example shown in FIG. 4, the AC power supply Vs is connected to the AC terminal of the r-phase upper and lower arms, the AC terminal of the s-phase upper and lower arms, and the AC terminal of the t-phase upper and lower arms constituting the rectifier REC. The high potential terminal and low potential terminal of the r-phase upper and lower arms, the s-phase upper and lower arms, and the t-phase upper and lower arms are connected to the inverter INV.
図４に示す例では、整流器ＲＥＣによって、交流電源Ｖｓの交流電力が直流電力に変換される。直流電力は、整流器ＲＥＣの直流中間コンデンサＣｍ１、Ｃｍ２に蓄えられて、インバータＩＮＶに供給される。インバータＩＮＶは負荷Ｍに接続されている。
交流電源Ｖｓは商用電源であって、周波数は安定している。このため、整流器ＲＥＣはユニポーラ変調で制御されることが多い。また、整流器ＲＥＣを高力率で動作させることが整流器ＲＥＣの小型化に寄与するため、整流器ＲＥＣを高力率で動作させる場合が多い。
そのため、図４に示す例では、整流器ＲＥＣが、ユニポーラ変調で制御され、高力率で動作させられる。
In the example illustrated in FIG. 4, the AC power of the AC power supply Vs is converted into DC power by the rectifier REC. The DC power is stored in the DC intermediate capacitors Cm1 and Cm2 of the rectifier REC and supplied to the inverter INV. The inverter INV is connected to the load M.
The AC power source Vs is a commercial power source, and the frequency is stable. For this reason, the rectifier REC is often controlled by unipolar modulation. In addition, since operating the rectifier REC with a high power factor contributes to the miniaturization of the rectifier REC, the rectifier REC is often operated with a high power factor.
Therefore, in the example shown in FIG. 4, the rectifier REC is controlled by unipolar modulation and is operated at a high power factor.
交流電源Ｖｓから負荷Ｍに電力が供給される場合には、整流器ＲＥＣを構成する３レベル電力変換装置の構成上、外側の並列接続体（図４中の並列接続体Ｓｒ１、Ｓｒ４、Ｓｓ１、Ｓｓ４、Ｓｔ１、Ｓｔ４に相当する）に比べ、内側の２つの並列接続体（図４中の並列接続体Ｓｒ２、Ｓｒ３、Ｓｓ２、Ｓｓ３、Ｓｔ２、Ｓｔ３に相当する）の損失が大きくなる。
図４に示す例では、Ｓｉ半導体によって形成されているダイオードＤｒ１１、Ｄｒ２１、Ｄｓ１１、Ｄｓ２１、Ｄｔ１１、Ｄｔ２１を付加することによって、損失を低減することができ、結果として、整流器ＲＥＣの全体を小型化することができる。特に、負荷Ｍへの供給時間が長いほど、その効果は大きい。したがって、図４に示す例のように、整流器ＲＥＣとインバータＩＮＶとで全体が構成されている場合には、高力率で交流電力から直流電力に変換する時間の長い整流器ＲＥＣに、ＷＢＧ半導体以外の半導体で形成されたダイオードＤｒ１１、Ｄｒ２１、Ｄｓ１１、Ｄｓ２１、Ｄｔ１１、Ｄｔ２１を付加するだけで装置の小型化・高効率化が見込める。
When power is supplied from the AC power source Vs to the load M, the external parallel connection body (parallel connection bodies Sr1, Sr4, Ss1, and Ss4 in FIG. 4) is configured due to the configuration of the three-level power converter that forms the rectifier REC. , Corresponding to the inner parallel connection bodies (corresponding to the parallel connection bodies Sr2, Sr3, Ss2, Ss3, St2, and St3 in FIG. 4).
In the example shown in FIG. 4, the loss can be reduced by adding the diodes Dr11, Dr21, Ds11, Ds21, Dt11, and Dt21 formed of a Si semiconductor. As a result, the entire rectifier REC is downsized. can do. In particular, the longer the supply time to the load M, the greater the effect. Therefore, as in the example shown in FIG. 4, when the rectifier REC and the inverter INV are configured as a whole, the rectifier REC having a high power factor and a long time for conversion from AC power to DC power is used in addition to the WBG semiconductor. By adding diodes Dr11, Dr21, Ds11, Ds21, Dt11, and Dt21 formed of the above semiconductor, it is possible to reduce the size and increase the efficiency of the device.
以上、本発明の実施形態及びその変形を説明したが、これらの実施形態及びその変形は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態及びその変形は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態及びその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同時に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。また、上述した各実施形態及びその変形は、互いに適宜組み合わせることができる。 As mentioned above, although embodiment of this invention and its deformation | transformation were demonstrated, these embodiment and its deformation | transformation were shown as an example and are not intending limiting the range of invention. These embodiments and modifications thereof can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the spirit of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and at the same time, are included in the invention described in the claims and equivalents thereof. Moreover, each embodiment mentioned above and its deformation | transformation can mutually be combined suitably.
Ａ１２、Ａ３４ 部分
Ｃｍ１、Ｃｍ２ コンデンサ
Ｄｕ、Ｄｘ、Ｄｕ２、Ｄｘ２ ダイオード
Ｓｕ１、Ｓｕ２、Ｓｕ３、Ｓｕ４ 並列接続体
ＩＮＶ インバータ
Ｉ１、Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４ 値
ＡＣｕ 交流端子
ＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４ ２ｉｎ１パッケージ
ＰＭ１１、ＰＭ２１、ＰＭ３１、ＰＭ４１ ２ｉｎ１パッケージ
ＣＴｕ、ＣＴｖ、ＣＴｗ 電流検出器
Ｄｒ１、Ｄｒ２、Ｄｒ１１、Ｄｒ２１ ダイオード
Ｄｓ１、Ｄｓ２、Ｄｓ１１、Ｄｓ２１ ダイオード
Ｄｔ１、Ｄｔ２、Ｄｔ１１、Ｄｔ２１ ダイオード
Ｓｒ１、Ｓｒ２、Ｓｒ３、Ｓｒ４ 並列接続体
Ｓｓ１、Ｓｓ２、Ｓｓ３、Ｓｓ４ 並列接続体
Ｓｔ１、Ｓｔ２、Ｓｔ３、Ｓｔ４ 並列接続体
Ｖｓ 交流電源
ＲＥＣ 整流器
Ｍ 負荷
ＣＴＲＬ 制御装置
Ｃｄ コンデンサ
Ｓｕ、Ｓｖ、Ｓｗ、Ｓｘ、Ｓｙ、Ｓｚ 並列接続体
Ｄｒｅｃ 整流回路
Ｑｕ、Ｑｘ スイッチング素子
Ｄｕ、Ｄｘ ダイオード
Ｑｕ、Ｑｘ スイッチング素子
ＳＢＤｕ、ＳＢＤｘ ダイオード
Ｌｏａｄ 負荷
Ｓｖ１、Ｓｖ２、Ｓｖ３、Ｓｖ４、Ｓｗ１、Ｓｗ２、Ｓｗ３、Ｓｗ４ 並列接続体
Ｄｖ、Ｄｗ、Ｄｙ、Ｄｚ ダイオード
A12, A34 Partial Cm1, Cm2 Capacitors Du, Dx, Du2, Dx2 Diodes Su1, Su2, Su3, Su4 Parallel connection INV Inverters I1, V1, V2, V3, V4 Value ACu AC terminals PM1, PM2, PM3, PM4 2in1 package PM11, PM21, PM31, PM41 2in1 packages CTu, CTv, CTw Current detectors Dr1, Dr2, Dr11, Dr21 Diodes Ds1, Ds2, Ds11, Ds21 Diodes Dt1, Dt2, Dt11, Dt21 Diodes Sr1, Sr2, Sr3, Sr4 Parallel connection Body Ss1, Ss2, Ss3, Ss4 Parallel connection body St1, St2, St3, St4 Parallel connection body Vs AC power supply REC Rectifier M Load CTRL Controller Cd Capacitors Su, Sv, Sw, Sx, S , Sz parallel connection body Drec rectifier circuit Qu, Qx switching element Du, Dx diode Qu, Qx switching element SBDu, SBDx diode load load Sv1, Sv2, Sv3, Sv4, Sw1, Sw2, Sw3, Sw4 parallel connection body Dv, Dw, Dy, Dz diode
Claims (2)
前記第１並列接続体と交流端子との間に配置され、前記第１並列接続体と同一仕様で製作された第２並列接続体と、
前記交流端子に接続され、前記第１並列接続体と同一仕様で製作された第３並列接続体と、
前記第３並列接続体と前記高電位端子よりも低い電位を与える低電位端子との間に配置され、前記第１並列接続体と同一仕様で製作された第４並列接続体と、
前記第１並列接続体と前記第２並列接続体との間の部分と、前記高電位端子の電位と前記低電位端子の電位との中間の電位である中間電位を与える中間電位端子との間に配置された第１ダイオードと、
前記第３並列接続体と前記第４並列接続体との間の部分と、前記中間電位端子との間に配置された第２ダイオードと、
前記第２並列接続体のダイオードに並列に接続された第３ダイオードと、
前記第３並列接続体のダイオードに並列に接続された第４ダイオードと、
を備え、
前記第１並列接続体、前記第２並列接続体、前記第３並列接続体および前記第４並列接続体を構成する素子がワイドバンドギャップ半導体で形成されており、
前記第３ダイオードの順電圧降下が、前記第２並列接続体のダイオードの順電圧降下よりも小さく、
前記第４ダイオードの順電圧降下が、前記第３並列接続体のダイオードの順電圧降下よりも小さい
３レベル電力変換装置。 A first parallel connection body having a switching element and a diode connected in antiparallel to the switching element, and connected to a high potential terminal;
A second parallel connection body disposed between the first parallel connection body and the AC terminal and manufactured in the same specifications as the first parallel connection body;
A third parallel connection body connected to the AC terminal and manufactured with the same specifications as the first parallel connection body;
A fourth parallel connection body disposed between the third parallel connection body and a low potential terminal that applies a lower potential than the high potential terminal, and manufactured with the same specifications as the first parallel connection body;
Between a portion between the first parallel connection body and the second parallel connection body and an intermediate potential terminal that applies an intermediate potential that is an intermediate potential between the potential of the high potential terminal and the potential of the low potential terminal. A first diode arranged in
A second diode disposed between a portion between the third parallel connection body and the fourth parallel connection body and the intermediate potential terminal;
A third diode connected in parallel to the diode of the second parallel connection;
A fourth diode connected in parallel to the diode of the third parallel connection;
With
The elements constituting the first parallel connection body, the second parallel connection body, the third parallel connection body and the fourth parallel connection body are formed of a wide band gap semiconductor,
The forward voltage drop of the third diode is smaller than the forward voltage drop of the diode of the second parallel connection;
The three-level power converter, wherein a forward voltage drop of the fourth diode is smaller than a forward voltage drop of the diode of the third parallel connection body.
前記交流端子に交流電源が接続され、前記高電位端子と前記低電位端子とがインバータに接続され、ユニポーラ変調で制御され、かつ、高力率で動作させられる
整流器。 A rectifier comprising the three-level power converter according to claim 1,
An AC power source is connected to the AC terminal, the high potential terminal and the low potential terminal are connected to an inverter, controlled by unipolar modulation, and operated at a high power factor.
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