JP2018067308A - 入出力パネル、半導体装置、駆動方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ゲート配線と、第1の電極と、第2の電極と、電流検出回路と、画素と、を有する入出力パネルである。第1の電極は、ゲート配線と電気的に接続される。第2の電極は、ゲート配線と交差し、第1の電極との間に容量を形成するように配置される。電流検出回路は、第2の電極と電気的に接続され、容量の変化を検知する機能を備える。画素は、トランジスタと、表示素子と、を備える。トランジスタは、ゲート電極と、ソース電極およびドレイン電極を備える。ゲート電極は、ゲート配線と電気的に接続される。表示素子は第3の電極および液晶材料を備える。第3の電極はソース電極またはドレイン電極と電気的に接続される。
【選択図】図1
Description
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力パネルに適用することのできる、被検知体の近接または接触を検知可能なセンサ(以降、タッチセンサと呼ぶ)の構成例について説明する。また、本発明の一態様の入出力パネルは、表示素子を有する。
図1(A)に示す回路図を用いて説明する入出力パネルは、センサ電極3527を有する。センサ電極3527は、共通電極3522から分離されている。一例として、入出力パネル3551の画素の一部の構造を、概略的に示す断面図を用いて説明する(図3(A)参照)。なお、入出力パネル3551は液晶材料を含む層3524を有する。入出力パネル3551はFFS(Fringe Field Switching)モードで動作する液晶素子を有する。
図1(B)に示す回路図を用いて説明する入出力パネルは、共通電極3522およびセンサ電極3529を備える。一例として、入出力パネル3552の画素の一部の構造を、概略的に示す断面図を用いて説明する(図4(A)参照)。なお、入出力パネル3552は液晶材料を含む層3524を有する。入出力パネル3552はFFSモードで動作する液晶素子を有する。
図5(A)、(B)は、相互容量方式のタッチセンサの構成を示す模式図と、入出力波形の模式図である。タッチセンサは一対の電極を備え、これらの間に容量が形成されている。一対の電極のうち一方の電極に入力電圧が入力される。また、他方の電極に流れる電流(または、他方の電極の電位)を検出する電流検出回路を備える。
図5(C)は、マトリクス状に配置された複数の容量を備えるタッチセンサの構成例を示す。
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力パネルに適用することのできる、実施の形態1とは別の構成例について説明する。また、本発明の一態様の入出力パネルは、表示素子を有する。本実施の形態で示す入出力パネルは、液晶材料を含む層を有するFFSモードで動作する液晶素子を有する。
図1(B)に示す回路図を用いて説明する入出力パネルは、共通電極3522およびセンサ電極3529を備える。一例として、入出力パネル3553の画素の一部の構造を、概略的に示す断面図を用いて説明する(図6(A)参照)。
図1(B)に示す回路図を用いて説明する入出力パネルは、共通電極3522およびセンサ電極3529を備える。一例として、入出力パネル3554の画素の一部の構造を、概略的に示す断面図を用いて説明する(図7(A)参照)。
図1(A)に示す回路図を用いて説明する入出力パネルは、センサ電極3527およびセンサ電極3529を備える。一例として、入出力パネル3555の画素の一部の構造を、概略的に示す断面図を用いて説明する(図8(A)参照)。
本発明の一態様のタッチパネルの駆動方法の一例について、以下に説明を行う。
本発明の一態様のタッチパネルの配線について、本実施の形態では、配線3510の本数を倍にして、配線3511の数を半分にした構成を図14に示されるブロック図を用いて説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力パネルに適用することのできる、実施の形態1または実施の形態2とは別の構成例について説明する。具体的には、本発明の一態様の入出力パネルは、液晶素子または発光素子を有する。
図1(A)に示す回路図を用いて説明する入出力パネルは、センサ電極3527を有する。センサ電極3527は、共通電極3522から分離されている。一例として、入出力パネル3556の画素の一部の構造を、概略的に示す断面図を用いて説明する(図15(A)参照)。
図16(A)に示す入出力パネル3557は、VA(Vertical Alignment)モードで動作する液晶素子を有する。
また、本発明の一態様であるタッチパネルは、発光素子を有しても良い。
図18(A)に示す入出力パネル3559は、図3(A)に示す入出力パネル3551のセンサ電極3527を、基板3543上に形成したものである。このとき基板3543は、センサ電極3527と、液晶材料を含む層3524との間に挟まれる。
可視光を透過する導電膜を、図16(A)に示す入出力パネル3557の共通電極3522または図17(A)に示す入出力パネル3558の電極3572に用いることができる。例えば、波長が400nm以上800nm未満の範囲の光に対する反射率が1%以上好ましくは5%以上100%未満であって、且つ透過率が1%以上好ましくは10%以上100%未満である導電膜を、共通電極3522、または電極3572に用いることができる。
図18(B)に示す入出力パネル3560は、透過型、あるいは半透過型の液晶素子を有する。入出力パネル3560は、バックライトBLを備える点が、例えば、実施の形態1において、図3(A)を用いて説明する入出力パネル3551とは異なる。また、共通電極3522、画素電極3523Aおよび画素電極3523Bは、いずれも可視光を透過する。
本実施の形態では、本発明の一態様のタッチパネルの駆動方法の例について、図面を参照して説明する。
図9(A)ではタッチセンサとして配線の交差部に容量のみを設けるパッシブマトリクス方式のタッチセンサの構成を示したが、トランジスタと容量とを備えたアクティブマトリクス方式のタッチセンサとしてもよい。図24にアクティブマトリクス方式のタッチセンサに含まれる一つのセンサ回路の例を示している。
図25(A)は、一例として表示装置の構成を示すブロック図である。図25(A)ではゲート駆動回路GD、ソース駆動回路SD、画素pixを示している。なお図25(A)では、ゲート駆動回路GDに電気的に接続されるゲート線x_1乃至x_m(mは自然数)、ソース駆動回路SDに電気的に接続されるソース線y_1乃至y_n(nは自然数)に対応して、画素pixではそれぞれに(1,1)乃至(n,m)の符号を付している。
図26(A)乃至(D)は、一例として図9(A)、(B)で説明したタッチセンサと、図25(A)、(B)で説明した表示装置とを1sec.(1秒間)駆動する場合に、連続するフレーム期間の動作について説明する図である。なお図26(A)では、表示装置の1フレーム期間を16.7ms(フレーム周波数:60Hz)、タッチセンサの1フレーム期間を16.7ms(フレーム周波数:60Hz)とした場合について示している。
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力パネルの有する、トランジスタ3521を例とするトランジスタの一構成について、説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図19および図20を参照しながら説明する。
本実施の形態で説明する情報処理装置5200Bは、演算装置5210と、入出力装置5220とを、有する(図19(A)参照)。
例えば、円筒状の柱などに沿った外形を表示部5230に適用することができる(図19(B)参照)。また、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える。また、人の存在を検知して、表示内容を変更する機能を備える。これにより、例えば、建物の柱に設置することができる。または、広告または案内等を表示することができる。または、デジタル・サイネージ等に用いることができる。
例えば、使用者が使用するポインタの軌跡に基づいて画像情報を生成する機能を備える(図19(C)参照)。具体的には、対角線の長さが20インチ以上、好ましくは40インチ以上、より好ましくは55インチ以上の表示パネルを用いることができる。または、複数の表示パネルを並べて1つの表示領域に用いることができる。または、複数の表示パネルを並べてマルチスクリーンに用いることができる。これにより、例えば、電子黒板、電子掲示板、電子看板等に用いることができる。
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える(図19(D)参照)。これにより、例えば、スマートウオッチの消費電力を低減することができる。または、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をスマートウオッチに表示することができる。
表示部5230は、例えば、筐体の側面に沿って緩やかに曲がる曲面を備える(図19(E)参照)。または、表示部5230は表示パネルを備え、表示パネルは、例えば、前面、側面および上面に表示する機能を備える。これにより、例えば、携帯電話の前面だけでなく、側面および上面に画像情報を表示することができる。
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える(図20(A)参照)。これにより、スマートフォンの消費電力を低減することができる。または、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をスマートフォンに表示することができる。
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える(図20(B)参照)。これにより、晴天の日に屋内に差し込む強い外光が当たっても好適に使用できるように、映像をテレビジョンシステムに表示することができる。
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える(図20(C)参照)。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をタブレットコンピュータに表示することができる。
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える(図20(D)参照)。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に閲覧できるように、被写体をデジタルカメラに表示することができる。
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える(図20(E)参照)。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をパーソナルコンピュータに表示することができる。
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器の構成について、図23を参照しながら説明する。
図23は、折り畳みが可能な電子機器920を示している。図23に示す電子機器920は、筐体921a、筐体921b、表示部922、ヒンジ923、等を有する。表示部922は筐体921a、筐体921bに、組み込まれている。
110 絶縁膜
116 絶縁膜
118 絶縁膜
122 絶縁膜
150 トランジスタ
151 トランジスタ
152 トランジスタ
922 表示部
1503 容量
1511 トランジスタ
1512 トランジスタ
1513 トランジスタ
3503 容量
3503A 容量
3503B 容量
3510 配線
3511 配線
3513 液晶素子
3514 容量部
3515 静電容量方式センサ部
3516 ゲート電極
3517 ゲート配線
3518 コンタクト領域
3519 ソース配線
3521 トランジスタ
3522 共通電極
3522A 共通電極
3522B 共通電極
3523 画素電極
3523A 画素電極
3523B 画素電極
3524 液晶材料を含む層
3525 カラーフィルタ
3526 配線
3527 センサ電極
3529 センサ電極
3530 トランジスタ
3531 電源線
3551 入出力パネル
3552 入出力パネル
3553 入出力パネル
3554 入出力パネル
3555 入出力パネル
3556 入出力パネル
3557 入出力パネル
3558 入出力パネル
3559 入出力パネル
3560 入出力パネル
3561 配向膜
3562 配向膜
3572 電極
3573 発光性の材料を含む層
3578 隔壁
3581 矢印
5230 表示部
Claims (14)
- ゲート配線と、
第1の電極と、
第2の電極と、
電流検出回路と、
画素と、を有し、
前記第1の電極は、前記ゲート配線と電気的に接続され、
前記第2の電極は、前記ゲート配線と交差し、
前記第2の電極は、前記第1の電極との間に容量を形成するように配置され、
前記電流検出回路は、前記第2の電極と電気的に接続され、
前記電流検出回路は、前記容量の変化を検知する機能を備え、
前記画素は、トランジスタおよび表示素子を備え、
前記トランジスタは、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極と、を備え、
前記ゲート電極は、前記ゲート配線と電気的に接続され、
前記表示素子は、第3の電極および液晶材料を備え、
前記第3の電極は、前記ソース電極または前記ドレイン電極と電気的に接続される、入出力パネル。 - 請求項1において、
前記第3の電極は、前記第2の電極との間に前記液晶材料の配向を制御する電界を形成するよう配置される、入出力パネル。 - 請求項2において、
前記第3の電極は、前記液晶材料および前記第2の電極の間に挟まれる領域を有する入出力パネル。 - 請求項1において、
前記表示素子は、第4の電極を有し、
前記第3の電極は、前記第4の電極との間に前記液晶材料の配向を制御する電界を形成するよう配置され、
前記第4の電極は、共通電位が与えられる配線と電気的に接続される、入出力パネル。 - 請求項4において、
前記第3の電極は、前記液晶材料および前記第4の電極の間に挟まれる領域を有する入出力パネル。 - 請求項2または請求項4において、
前記第1の電極は、前記第3の電極が含む材料と同じ材料を含み、
前記第2の電極は、前記第4の電極が含む材料と同じ材料を含む入出力パネル。 - 請求項2において、
バックライトを有し、
前記第2の電極と、前記第3の電極と、の何れか1または両方は、波長が400nm以上800nm未満の範囲の光に対し、反射率が5%以上100%未満であり、かつ透過率が1%以上95%未満であり、
前記バックライトは、前記液晶材料を含む層に光を照射可能な入出力パネル。 - 請求項4において、
バックライトを有し、
前記第3の電極と、前記第4の電極と、の何れか1または両方は、波長が400nm以上800nm未満の範囲の光に対し、反射率が5%以上100%未満であり、かつ透過率が1%以上95%未満であり、
前記バックライトは、前記液晶材料を含む層に光を照射可能な入出力パネル。 - ゲート配線と、
第1の電極と、
第2の電極と、
電流検出回路と、
画素と、を有し、
前記第1の電極は、前記ゲート配線と電気的に接続され、
前記第2の電極は、前記ゲート配線と交差し、
前記第2の電極は、前記第1の電極との間に容量を形成するように配置され、
前記電流検出回路は、前記第2の電極と電気的に接続され、
前記電流検出回路は、前記容量の変化を検知する機能を備え、
前記画素は、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、発光素子と、を備え、
前記第1のトランジスタは、第1のゲート電極、第1のソース電極および第1のドレイン電極を有し、
前記第2のトランジスタは、第2のゲート電極、第2のソース電極および第2のドレイン電極を有し、
前記第1のゲート電極は、前記ゲート配線と電気的に接続され、
前記第1のソース電極または前記第1のドレイン電極は、前記第2のゲート電極と電気的に接続され、
前記第2のソース電極または前記第2のドレイン電極は、前記発光素子を駆動する電力を供給する、入出力パネル。 - キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視点入力装置、姿勢検出装置、のうち一以上と、
請求項1乃至請求項9に記載の入出力パネルと、を含む半導体装置。 - ゲート配線と、信号線と、画素と、を有し、
前記画素は、前記ゲート配線および前記信号線と電気的に接続される入出力パネルの駆動方法であって、
前記ゲート配線に選択信号を供給する期間において、
ビデオ信号を前記信号線に供給し、
前記ゲート配線に近接する被検知体を検知する、入出力パネルの駆動方法。 - ゲート配線と、信号線と、画素と、を有し、
前記画素は、前記ゲート配線および前記信号線と電気的に接続され、
前記画素は、表示素子を含む入出力パネルの駆動方法であって、
第1の期間乃至第3の期間を有し、
前記第1の期間において、所定の電圧を前記信号線に供給し、
前記第2の期間において、全ての前記ゲート配線が選択信号を供給されるように、所定の順番で前記ゲート配線の1つずつに選択信号を供給し、前記ゲート配線に近接する被検知体を検知し、
前記第3の期間において、全ての前記ゲート配線が選択信号を供給されるように、所定の順番で前記ゲート配線に選択信号を供給し、ビデオ信号を前記信号線に供給する、入出力パネルの駆動方法。 - ゲート配線と、信号線と、画素と、を有し、
前記画素は、前記ゲート配線および前記信号線と電気的に接続され、
前記画素は、表示素子を含む入出力パネルの駆動方法であって、
第1の期間乃至第3の期間を有し、
前記第1の期間において、所定の電圧を前記信号線に供給し、
前記第2の期間において、全ての前記ゲート配線が選択信号を供給されるように、所定の順番で一群の隣り合うゲート配線毎に選択信号を供給し、前記一群の隣り合うゲート配線に近接する被検知体を検知し、
前記第3の期間において、全ての前記ゲート配線が選択信号を供給されるように、所定の順番で選択信号を前記ゲート配線に供給し、ビデオ信号を前記信号線に供給する、入出力パネルの駆動方法。 - 第1の表示領域と、第2の表示領域と、を有し、
前記第2の表示領域は、前記第1の表示領域と隣接し、
前記第1の表示領域は、一群のゲート配線および信号線を備え、
前記第2の表示領域は、他の一群のゲート配線および前記信号線を備える入出力パネルの駆動方法であって、
第1の期間乃至第6の期間を有し、
前記第1の期間において、所定の電圧を前記信号線に供給し、
前記第2の期間において、前記一群のゲート配線に選択信号を供給し、前記一群のゲート配線に近接する被検知体を検知し、
前記第3の期間において、前記一群のゲート配線が選択信号を供給されるように、所定の順番で選択信号を前記一群のゲート配線から一ずつ選んで供給し、ビデオ信号を前記信号線に供給し、
前記第4の期間において、所定の電圧を前記信号線に供給し、
前記第5の期間において、前記他の一群のゲート配線に選択信号を供給し、前記他の一群のゲート配線に近接する被検知体を検知し、
前記第6の期間において、前記他の一群のゲート配線が選択信号を供給されるように、所定の順番で選択信号を前記他の一群のゲート配線から一ずつ選んで供給し、ビデオ信号を前記信号線に供給する、入出力パネルの駆動方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020044170A1 (ja) * | 2018-08-29 | 2020-03-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置 |
CN112543907A (zh) * | 2018-08-09 | 2021-03-23 | 株式会社半导体能源研究所 | 输入输出装置、数据处理装置 |
WO2021209852A1 (ja) * | 2020-04-16 | 2021-10-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示モジュール、電子機器、及び車両 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102461634B1 (ko) * | 2016-05-26 | 2022-10-31 | 티씨엘 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 | 액정 표시 장치 및 그 제조방법 |
DE112018000392T5 (de) | 2017-01-16 | 2019-09-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung |
US11175323B2 (en) * | 2017-03-17 | 2021-11-16 | Inficon, Inc. | Process monitoring using crystal with reactance sensor |
CN107146770B (zh) * | 2017-05-10 | 2021-01-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置 |
CN108428730B (zh) * | 2018-05-16 | 2021-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示基板及其制作方法、显示装置 |
KR20210002171A (ko) * | 2019-06-26 | 2021-01-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
US11073941B1 (en) * | 2020-04-27 | 2021-07-27 | Himax Technologies Limited | Driving device and operation method thereof |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009258182A (ja) * | 2008-04-11 | 2009-11-05 | Sony Corp | 表示装置とその駆動方法 |
US20130169587A1 (en) * | 2012-01-04 | 2013-07-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device including sensor |
US20130265244A1 (en) * | 2012-04-09 | 2013-10-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device including touch sensor |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4757393B2 (ja) * | 2001-03-23 | 2011-08-24 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
US20070154629A1 (en) * | 2003-08-29 | 2007-07-05 | Japan Science And Technology Agency | Thin ito films and method of producing the same |
KR101349096B1 (ko) | 2006-12-27 | 2014-01-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이장치 |
US7920129B2 (en) | 2007-01-03 | 2011-04-05 | Apple Inc. | Double-sided touch-sensitive panel with shield and drive combined layer |
KR101478045B1 (ko) * | 2007-11-26 | 2014-12-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 스크린 |
JP4816668B2 (ja) | 2008-03-28 | 2011-11-16 | ソニー株式会社 | タッチセンサ付き表示装置 |
US8217913B2 (en) | 2009-02-02 | 2012-07-10 | Apple Inc. | Integrated touch screen |
US7995041B2 (en) | 2009-02-02 | 2011-08-09 | Apple Inc. | Integrated touch screen |
US8953120B2 (en) | 2011-01-07 | 2015-02-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US9535277B2 (en) | 2012-09-05 | 2017-01-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Conductive oxide film, display device, and method for forming conductive oxide film |
US9223449B2 (en) * | 2013-03-14 | 2015-12-29 | Synaptics Incorporated | Black image insertion for capacitive sensing |
JP6350521B2 (ja) * | 2013-04-05 | 2018-07-04 | Jsr株式会社 | アレイ基板、液晶表示素子および感放射線性樹脂組成物 |
WO2015132694A1 (en) | 2014-03-07 | 2015-09-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Touch sensor, touch panel, and manufacturing method of touch panel |
JP6613044B2 (ja) | 2014-04-22 | 2019-11-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示モジュール、及び電子機器 |
JP6468686B2 (ja) | 2014-04-25 | 2019-02-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 入出力装置 |
JP6358935B2 (ja) * | 2014-11-25 | 2018-07-18 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置およびタッチ検出方法 |
KR101661039B1 (ko) | 2014-12-30 | 2016-10-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 인-셀 방식 터치 센서를 구비한 초고 해상도 평판 표시장치 |
TWI803287B (zh) | 2015-03-27 | 2023-05-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 觸控面板 |
US10372274B2 (en) | 2015-04-13 | 2019-08-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and touch panel |
KR102300405B1 (ko) * | 2015-04-30 | 2021-09-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20170106200A (ko) | 2016-03-11 | 2017-09-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 입출력 패널, 입출력 장치 |
-
2017
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-
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009258182A (ja) * | 2008-04-11 | 2009-11-05 | Sony Corp | 表示装置とその駆動方法 |
US20130169587A1 (en) * | 2012-01-04 | 2013-07-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device including sensor |
US20130265244A1 (en) * | 2012-04-09 | 2013-10-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device including touch sensor |
JP2013218659A (ja) * | 2012-04-09 | 2013-10-24 | Samsung Display Co Ltd | 表示装置 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112543907A (zh) * | 2018-08-09 | 2021-03-23 | 株式会社半导体能源研究所 | 输入输出装置、数据处理装置 |
WO2020044170A1 (ja) * | 2018-08-29 | 2020-03-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置 |
CN112639931A (zh) * | 2018-08-29 | 2021-04-09 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示面板、显示装置、输入输出装置、数据处理装置 |
JP7411554B2 (ja) | 2018-08-29 | 2024-01-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置 |
US11968863B2 (en) | 2018-08-29 | 2024-04-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel, display device, input/output device, and data processing device |
WO2021209852A1 (ja) * | 2020-04-16 | 2021-10-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示モジュール、電子機器、及び車両 |
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