JP2018063354A - Method of manufacturing semiconductor optical amplifier module - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体光増幅器モジュールの製造方法に関し、特に、アイソレータを備えた半導体光増幅器モジュールの製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor optical amplifier module, and more particularly to a method for manufacturing a semiconductor optical amplifier module having an isolator.
従来より、光を電気信号に変換せずに直接増幅する光増幅器として、主に光ファイバアンプと半導体光増幅器(SOA)が知られている。特に、SOAは、小型で広い波長帯域にわたって光を増幅できるという利点を有している(例えば、非特許文献1参照)。 Conventionally, optical fiber amplifiers and semiconductor optical amplifiers (SOA) are mainly known as optical amplifiers that directly amplify light without converting it into an electrical signal. In particular, the SOA has an advantage of being small and capable of amplifying light over a wide wavelength band (for example, see Non-Patent Document 1).
このようなSOAを備えた光モジュール(以下、「SOAモジュール」という)は、例えば、駆動電流が供給された状態で入力側光ファイバを介して入力された信号光を増幅して出力側光ファイバから出力するSOAチップとレンズとが、電子冷却素子(ペルチェ素子)上の同一基板上に固定されてなる。また、SOAチップと入力側及び出力側光ファイバとの間には、アイソレータが配置されている。 An optical module including such an SOA (hereinafter referred to as “SOA module”), for example, amplifies signal light input via an input side optical fiber in a state where a drive current is supplied, and outputs an output side optical fiber. The SOA chip and the lens that are output from are fixed on the same substrate on the electronic cooling element (Peltier element). Further, an isolator is disposed between the SOA chip and the input side and output side optical fibers.
上記のようなSOAモジュールに対しては、製造時には光ファイバの調芯を行い、製造が完了した状態では温度サイクル試験などの環境試験を行う必要がある。いずれの場合においても、入力側及び出力側光ファイバとSOAチップとの光結合率が良好な状態になっているか否かは、SOAモジュールから出力された光の光強度を測定することによって判断することができる。 For the SOA module as described above, it is necessary to align an optical fiber at the time of manufacture and to perform an environmental test such as a temperature cycle test when the manufacture is completed. In any case, whether or not the optical coupling rate between the input side and output side optical fibers and the SOA chip is in a good state is determined by measuring the light intensity of the light output from the SOA module. be able to.
出力側光ファイバについては、SOAチップに対向する側と反対側の端部に光強度を測定するパワーメータを接続して、SOAチップ自身が発する自然放出光の光強度を測定しながら調芯を行うことが可能である。 For the output side optical fiber, a power meter for measuring the light intensity is connected to the end opposite to the side facing the SOA chip, and alignment is performed while measuring the light intensity of the spontaneous emission light emitted by the SOA chip itself. Is possible.
しかしながら、SOAチップ自身が発する自然放出光は、アイソレータにより遮断されて入力側光ファイバには入射しない。そこで、入力側光ファイバについては、SOAチップに対向する側と反対側の端部から信号光を入力し、SOAチップを通して増幅されて出力側光ファイバから出力された信号光の光強度を測定しながら調芯を行うことになる。 However, the spontaneous emission light emitted by the SOA chip itself is blocked by the isolator and does not enter the input side optical fiber. Therefore, for the input side optical fiber, signal light is input from the end opposite to the side facing the SOA chip, and the light intensity of the signal light amplified through the SOA chip and output from the output side optical fiber is measured. While aligning.
しかしながら、一般に環境(外力、温度、圧力)の変化に伴い、光ファイバ内を伝送される光の偏波状態は変化してしまう。例えば、調芯中に作業者が不意に光ファイバを動かしただけでも偏波状態は変化する。入力側光ファイバ側で偏波状態の変化が起こると、SOAチップが僅かでも偏波依存性を有する場合には、増幅された信号光の光強度にも変化が発生する。 However, in general, the polarization state of light transmitted through the optical fiber changes with changes in the environment (external force, temperature, pressure). For example, the polarization state changes even if the operator moves the optical fiber unexpectedly during alignment. When the polarization state changes on the input side optical fiber side, even if the SOA chip has a slight polarization dependency, the light intensity of the amplified signal light also changes.
図5のグラフの実線は、入力側光ファイバ内での信号光の偏波状態の変化が生じていない場合の、SOAチップと入力側光ファイバとの光結合ロスを示している。ここでは、SOAチップの光軸と入力側光ファイバの光軸との軸ずれ量が0(ゼロ)の場合を0dBとしている。また、図中の矢印は、入力側光ファイバ内での信号光の偏波状態の変化により、出力側光ファイバから出力された信号光の光強度が変化して、見掛け上の光結合ロスが例えば1dB程度変化することを表している。よって、偏波状態の変化がある場合には、(見掛け上の)光結合ロスの値から実際の軸ずれ量を正確に推定することができなくなる。 The solid line in the graph of FIG. 5 indicates the optical coupling loss between the SOA chip and the input side optical fiber when there is no change in the polarization state of the signal light in the input side optical fiber. Here, the case where the amount of axial deviation between the optical axis of the SOA chip and the optical axis of the input side optical fiber is 0 (zero) is 0 dB. The arrow in the figure indicates that the optical intensity of the signal light output from the output side optical fiber changes due to the change in the polarization state of the signal light in the input side optical fiber, resulting in an apparent optical coupling loss. For example, it represents a change of about 1 dB. Therefore, when there is a change in the polarization state, it is impossible to accurately estimate the actual axis deviation amount from the value of the (apparent) optical coupling loss.
このように、非特許文献1に開示されたような従来のSOAモジュールにおいては、光ファイバ内での信号光の偏波状態の変化により、本来の光ファイバとSOAチップとの光結合率を反映した光強度を正確に測定できなくなってしまうという問題があった。
Thus, in the conventional SOA module as disclosed in
本発明は、このような従来の課題を解決するためになされたものであって、入力側光ファイバと半導体光増幅器との間にアイソレータが配置された半導体光増幅器モジュールにおいて、入力側光ファイバ周辺の環境が変化した場合であっても、半導体光増幅器の偏波依存性に起因する増幅後の信号光の光強度の変化を抑制することが可能な半導体光増幅器モジュールの製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve such a conventional problem, and in a semiconductor optical amplifier module in which an isolator is disposed between an input side optical fiber and a semiconductor optical amplifier, the periphery of the input side optical fiber is provided. To provide a method of manufacturing a semiconductor optical amplifier module capable of suppressing a change in optical intensity of amplified signal light due to polarization dependence of a semiconductor optical amplifier even when the environment of the semiconductor optical amplifier changes With the goal.
上記課題を解決するために、本発明の請求項1の半導体光増幅器モジュールの製造方法は、入力された信号光を増幅する半導体光増幅器と、前記半導体光増幅器に前記信号光を入力する入力側光ファイバと、前記半導体光増幅器から出力された増幅後の前記信号光又は自然放出光を外部に伝送する出力側光ファイバと、前記入力側光ファイバの一端側から出力された前記信号光を前記半導体光増幅器の光入射端面に向けて集光する入力側レンズと、前記半導体光増幅器の光出射端面から出力された増幅後の前記信号光又は自然放出光を前記出力側光ファイバの一端側に向けて集光する出力側レンズと、前記入力側光ファイバの一端側と前記入力側レンズとの間に配置され、前記半導体光増幅器から前記入力側光ファイバへの光を遮断するアイソレータと、を備える半導体光増幅器モジュールの製造方法であって、前記半導体光増幅器への駆動電流の供給を開始して、前記半導体光増幅器から自然放出光を発生させる駆動電流供給工程と、前記入力側光ファイバの一端側を、前記アイソレータ及び前記入力側レンズを介して前記半導体光増幅器の前記光入射端面に光結合する位置に仮配置するとともに、前記出力側光ファイバの一端側を、前記出力側レンズを介して前記半導体光増幅器の前記光出射端面に光結合する位置に仮配置する光ファイバ仮配置工程と、無偏波の光を前記信号光として発生する信号光源に前記入力側光ファイバの他端側を接続するとともに、前記半導体光増幅器の前記光出射端面から出力された増幅後の前記信号光又は自然放出光の光強度を測定する光強度測定装置に前記出力側光ファイバの他端側を接続する工程と、前記信号光源からの前記信号光を前記入力側光ファイバの他端側から一端側に向かって伝送させ、前記信号光が前記半導体光増幅器に入力されている状態で、前記光強度測定装置により測定された増幅後の前記信号光の光強度が最大となる位置に前記入力側光ファイバの一端側を固定する入力側光ファイバ位置固定工程と、を含む構成である。
In order to solve the above problems, a method of manufacturing a semiconductor optical amplifier module according to
上記のように、本発明に係る半導体光増幅器モジュールの製造方法は、入力側光ファイバと半導体光増幅器との間にアイソレータが配置された半導体光増幅器モジュールにおいて、入力側光ファイバに対して無偏波の信号光を入力して調芯を行うものである。この構成により、入力側光ファイバ周辺の環境が変化した場合であっても、半導体光増幅器の偏波依存性に起因する増幅後の信号光の光強度の変化を抑制して、入力側光ファイバに対して安定した調芯を行うことが可能となる。 As described above, the method of manufacturing a semiconductor optical amplifier module according to the present invention includes a semiconductor optical amplifier module in which an isolator is disposed between the input side optical fiber and the semiconductor optical amplifier. Wave signal light is input to perform alignment. With this configuration, even when the environment around the input-side optical fiber changes, the input-side optical fiber suppresses the change in the light intensity of the amplified signal light due to the polarization dependence of the semiconductor optical amplifier. Therefore, stable alignment can be performed.
また、本発明の請求項2の半導体光増幅器モジュールの製造方法は、前記入力側光ファイバ位置固定工程の前に、前記光強度測定装置により測定された自然放出光の光強度が最大となる位置に前記出力側光ファイバの一端側を固定する出力側光ファイバ位置固定工程を更に含む構成である。
In the method for manufacturing a semiconductor optical amplifier module according to
この構成により、本発明に係る半導体光増幅器モジュールの製造方法は、出力側光ファイバについては半導体光増幅器が発する自然放出光を使用した調芯を行うことができる。 With this configuration, the manufacturing method of the semiconductor optical amplifier module according to the present invention can perform alignment using the spontaneous emission light emitted from the semiconductor optical amplifier for the output side optical fiber.
また、本発明の請求項3の半導体光増幅器モジュールの製造方法は、前記光ファイバ仮配置工程の前に、前記入力側レンズ及び前記出力側レンズの位置を固定するレンズ位置固定工程を更に含む構成である。
The method of manufacturing a semiconductor optical amplifier module according to
この構成により、本発明に係る半導体光増幅器モジュールの製造方法は、後述するレンズ位置調整工程で位置調整された入力側レンズ及び出力側レンズを、信号光源と光強度測定装置との間に入力側光ファイバ及び出力側光ファイバが配置されていない状態で固定することができる。 With this configuration, the method for manufacturing a semiconductor optical amplifier module according to the present invention allows the input side lens and the output side lens, which have been adjusted in the lens position adjustment process described later, to be placed between the signal light source and the light intensity measuring device on the input side. The optical fiber and the output side optical fiber can be fixed without being arranged.
また、本発明の請求項4の半導体光増幅器モジュールの製造方法は、前記レンズ位置固定工程の前に、前記半導体光増幅器から発生している自然放出光を用いて前記入力側レンズ及び前記出力側レンズの位置を調整するレンズ位置調整工程を更に含み、前記レンズ位置調整工程は、スリットを通過した前記半導体光増幅器から発生している自然放出光の光強度を前記光強度測定装置で測定し、前記光強度測定装置で測定した光強度の変動に基づいて、前記入力側レンズ及び前記出力側レンズの位置変動を確認することにより、前記入力側レンズ及び前記出力側レンズの位置を調整する構成である。 According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a semiconductor optical amplifier module, wherein the input side lens and the output side are generated using spontaneous emission light generated from the semiconductor optical amplifier before the lens position fixing step. A lens position adjusting step for adjusting the position of the lens, wherein the lens position adjusting step measures the light intensity of spontaneously emitted light generated from the semiconductor optical amplifier that has passed through the slit with the light intensity measuring device; A configuration in which the positions of the input side lens and the output side lens are adjusted by checking the positional fluctuation of the input side lens and the output side lens based on the fluctuation of the light intensity measured by the light intensity measuring device. is there.
この構成により、本発明に係る半導体光増幅器モジュールの製造方法は、信号光源と光強度測定装置との間に入力側光ファイバ及び出力側光ファイバが配置されていない状態で、入力側レンズ及び出力側レンズの位置を最適化することができる。 With this configuration, the manufacturing method of the semiconductor optical amplifier module according to the present invention allows the input side lens and the output side to be output in a state where the input side optical fiber and the output side optical fiber are not disposed between the signal light source and the light intensity measuring device. The position of the side lens can be optimized.
本発明は、入力側光ファイバと半導体光増幅器との間にアイソレータが配置された半導体光増幅器モジュールにおいて、入力側光ファイバ周辺の環境が変化した場合であっても、半導体光増幅器の偏波依存性に起因する増幅後の信号光の光強度の変化を抑制することが可能な半導体光増幅器モジュールの製造方法を提供するものである。 The present invention provides a semiconductor optical amplifier module in which an isolator is disposed between an input-side optical fiber and a semiconductor optical amplifier. Even when the environment around the input-side optical fiber changes, the polarization dependence of the semiconductor optical amplifier The present invention provides a method for manufacturing a semiconductor optical amplifier module capable of suppressing a change in light intensity of amplified signal light due to the characteristics.
以下、本発明に係る半導体光増幅器モジュールの製造方法の実施形態について、図面を用いて説明する。なお、各図面上の各構成の寸法比は、実際の寸法比と必ずしも一致していない。 Embodiments of a method for manufacturing a semiconductor optical amplifier module according to the present invention will be described below with reference to the drawings. In addition, the dimensional ratio of each structure on each drawing does not necessarily correspond with the actual dimensional ratio.
まず、本発明の実施形態における半導体光増幅器モジュールの構成について説明する。 First, the configuration of the semiconductor optical amplifier module in the embodiment of the present invention will be described.
図1、図2に示すように、バタフライ型のSOAモジュール1は、入力された信号光を増幅する半導体光増幅器としてのSOAチップ10と、SOAチップ10に信号光を入力する入力側光ファイバ11と、SOAチップ10から出力された増幅後の信号光又は自然放出光を外部に伝送する出力側光ファイバ12と、を備える。ここで、入力側光ファイバ11及び出力側光ファイバ12としては、シングルモード光ファイバを用いることができる。
As shown in FIGS. 1 and 2, a butterfly-
SOAチップ10としては、光通信を行う波長帯において、広い利得帯域にわたって偏波間利得差が1dB以下の光増幅が可能となるものを用いることが好ましい。
As the
さらに、SOAモジュール1は、入力側光ファイバ11の一端側から出力された信号光をSOAチップ10の光入射端面10aに向けて集光する入力側レンズ13と、SOAチップ10の光出射端面10bから出力された増幅後の信号光又は自然放出光を出力側光ファイバ12の一端側に向けて集光する出力側レンズ14と、基板15と、を主に備える。
Further, the
SOAチップ10、入力側レンズ13、出力側レンズ14、及び基板15は、内部が中空の直方体状のパッケージ(筺体)16に格納されている。入力側光ファイバ11は、パッケージ16の背面側の壁面16aに接続される。また、出力側光ファイバ12は、パッケージ16の正面側の壁面16bに接続され、出力側レンズ14により集光された光をパッケージ16の外部に導くようになっている。
The
なお、図1、図2は、入力側レンズ13及び出力側レンズ14がそれぞれ1枚のレンズからなる構成を示しているが、これらのレンズは、2枚レンズ系の構成であってもよい。
1 and 2 show a configuration in which each of the
図2に示すように、パッケージ16の両側壁16c,16dには、SOAモジュール1の動作を制御するための信号が入出力される複数の端子17が、所定間隔で取り付けられている。これらの端子17は、任意のプリント基板上のパターンに半田付けされるようになっている。例えば、これらの複数の端子17のうち、例えば端子17aと端子17bの2つは、SOAチップ10に駆動電流を供給するための電極端子となっている。
As shown in FIG. 2, a plurality of
また、パッケージ16の前端下部及び後端下部にはフランジ部18が設けられ、フランジ部18にはSOAモジュール1を任意の放熱板にネジ止めするための取り付け穴19が設けられている。
Further, a
図1に示すように、パッケージ16内の底壁16eの上面には、ペルチェ素子20が固定されている。このペルチェ素子20上に上記の基板15が固定されている。
As shown in FIG. 1, a
基板15上には、SOAチップ10がサブマウント21を介して固定されている。さらに、基板15上には、入力側レンズ13を保持するレンズホルダ22aと、出力側レンズ14を保持するレンズホルダ22bとが固定されている。レンズホルダ22a,22bはステンレスなどの金属からなる。
The
パッケージ16の壁面16aには、入力側光ファイバ11からSOAチップ10に信号光を導くための円筒状の開口部23aが形成されている。同様に、パッケージ16の壁面16bには、SOAチップ10から出射される増幅後の信号光を外部に導くための円筒状の開口部23bが形成されている。
A
円筒状の開口部23a内には、入力側光ファイバ11の一端側と入力側レンズ13との間に配置され、SOAチップ10から入力側光ファイバ11への光を遮断するアイソレータ24と、窓ガラス25aが格納されている。一方、円筒状の開口部23b内には、窓ガラス25bが格納されている。
In the
なお、出力側光ファイバ12の一端側と出力側レンズ14との間に、出力側光ファイバ12からSOAチップ10への光を遮断するための出力側アイソレータが更に配置されていてもよい。
An output isolator for blocking light from the output side
入力側光ファイバ11の先端部分には円筒状のフェルール26aが取り付けられている。この円筒状のフェルール26aは、スリーブ27aによってパッケージ16の壁面16aに固定されている。さらに、フェルール26aの全体及び入力側光ファイバ11の一部を取り囲む円筒状のカバー28aが、パッケージ16の壁面16aに固定されている。
A
同様に、出力側光ファイバ12の先端部分に取り付けられた円筒状のフェルール26bは、スリーブ27bによってパッケージ16の壁面16bに固定されている。さらに、フェルール26bの全体及び出力側光ファイバ12の一部を取り囲む円筒状のカバー28bが、パッケージ16の壁面16bに固定されている。
Similarly, a
ここで、カバー28a,28bは、それぞれパッケージ16の壁面16a,16bと溶接により連結固定される。また、フェルール26a,26bは、溶接によりそれぞれスリーブ27a,27b内に固定される。パッケージ16、スリーブ27a,27b、及びカバー28a,28bは溶接で連結されるため、それぞれステンレス(SUS)などの金属材料で構成されている。
Here, the
以下、上記のように構成されるSOAモジュール1の製造方法について、図1〜図4を参照しながら説明する。
Hereinafter, a method for manufacturing the
まず、パッケージ16内にSOAチップ10を固定し、入力側レンズ13と出力側レンズ14を仮配置する(ステップS1)。
First, the
次に、SOAチップ10への駆動電流の供給を開始する(ステップS2:駆動電流供給工程)。これにより、SOAチップ10から自然放出光が発生する。
Next, supply of drive current to the
次に、入力側レンズ13及び出力側レンズ14の位置調整を行う。入力側レンズ13及び出力側レンズ14の位置調整は、光パワーメータ31の受光センサにて測定したSOAチップ10からの自然放出光の光強度の変動を確認して行い、光パワーメータ31で測定した光強度が最適値になるように入力側レンズ13及び出力側レンズ14の位置をパッケージ16内で調整する(ステップS3:レンズ位置調整工程)。
Next, the positions of the
光パワーメータ31の受光センサの径が入力側レンズ13及び出力側レンズ14の位置の変動量に対して大きい場合は、光パワーメータ31の受光センサの直近にスリットを有する部材を設置する。このスリットを通過したSOAチップ10から発生している自然放出光の光強度の測定を行う。SOAチップ10から発生している自然放出光の一部を取り出して光強度の測定を行うことにより、入力側レンズ13及び出力側レンズ14の位置の変動に伴う光パワーメータ31の受光量(すなわち、光パワーメータ31で測定された自然放出光の光強度)の変動を確認することが可能となり、入力側レンズ13及び出力側レンズ14の位置調整を精度良く行うことができる。
When the diameter of the light receiving sensor of the
その後、入力側レンズ13及び出力側レンズ14の位置を固定する。さらに、アイソレータなどのその他の部材をパッケージ16内に配置する(ステップS4:レンズ位置固定工程)。
Thereafter, the positions of the
次に、入力側光ファイバ11の一端側を、アイソレータ24及び入力側レンズ13を介してSOAチップ10の光入射端面10aに光結合する位置に仮配置する。また、出力側光ファイバ12の一端側を、出力側レンズ14を介してSOAチップ10の光出射端面10bに光結合する位置に仮配置する(ステップS5:光ファイバ仮配置工程)。
Next, one end side of the input side
次に、無偏波の光を信号光として発生する信号光源30に入力側光ファイバ11の他端側を接続する。例えば、信号光源30には無偏波の自然放出光を発生させるSOAを用いることができる。この場合は信号光源の構成を簡略化することができる。あるいは、半導体レーザやスーパールミネッセントダイオードなどの発光素子と、前記発光素子から出力される光の偏波状態を無偏波に変換するデポラライザとを含んで構成されたものを信号光源30としてもよい。例えば、発光素子としてスーパールミネッセントダイオードを用い、デポラライザとしてパンダファイバを用いる場合には、偏波解消に必要なパンダファイバの長さが十μm程度で済むという利点がある。また、SOAチップ10の光出射端面10bから出力された増幅後の信号光又は自然放出光の光強度を測定する光パワーメータ31に出力側光ファイバ12の他端側を接続する(ステップS6)。
Next, the other end of the input side
信号光源30の他の例としては、発光ダイオード(LED)や、励起光は入射されているが信号光が入射されていない状態の光ファイバ増幅器が挙げられる。あるいは、2つのLD光源から発生する誘導放出光の偏波面を偏光子によって互いに直交させ、その偏波面が直交する2つの光を偏波カップラで合成して出力する構成を信号光源30としてもよい。
Other examples of the
なお、SOAチップ10へ駆動電流が供給されている状態では、SOAチップ10から自然放出光が発生するが、SOAチップ10の入力側にはアイソレータ24が配置されているため、自然放出光は入力側光ファイバ11には入射せず、出力側光ファイバ12のみに入射する。
In the state where the drive current is supplied to the
次に、光パワーメータ31により測定された自然放出光の光強度が最大となる位置に出力側光ファイバ12の一端側を固定する(ステップS7:出力側光ファイバ位置固定工程)。すなわち、先端にフェルール26bが取り付けられた出力側光ファイバ12をSOAチップ10に対して調芯し、SOAチップ10と出力側光ファイバ12との光結合率が最大となるようにする。この状態で、スリーブ27bとフェルール26bとを溶接により固定する。
Next, one end side of the output side
次に、信号光源30からの信号光を入力側光ファイバ11の他端側から入力させ、一端側に向かって伝送させる(ステップS8:入力側光ファイバ位置固定工程)。これにより、信号光は、アイソレータ24を通過して、SOAチップ10により増幅された後に出力側光ファイバ12に入射する。
Next, the signal light from the
次に、信号光がSOAチップ10に入力されている状態で、光パワーメータ31により測定された増幅後の信号光の光強度が最大となる位置に入力側光ファイバ11の一端側を固定する(ステップS9:入力側光ファイバ位置固定工程)。すなわち、先端にフェルール26aが取り付けられた入力側光ファイバ11をSOAチップ10に対して調芯し、SOAチップ10と入力側光ファイバ11との光結合率が最大となるようにする。この状態で、スリーブ27aとフェルール26aとを溶接により固定する。
Next, with the signal light being input to the
次に、カバー28a,28bをそれぞれパッケージ16の壁面16a,16bに溶接して固定し、モジュール封止等を行なって、本実施形態のSOAモジュール1が完成する。
Next, the
なお、ステップS4で行う入力側レンズ13や出力側レンズ14の固定を、ステップS7の出力側光ファイバ12の固定あるいはステップS9の入力側光ファイバ11の固定の後で行ってもよい。
Note that the fixing of the
以上説明したように、本実施形態に係るSOAモジュール1の製造方法は、入力側光ファイバ11とSOAチップ10との間にアイソレータ24が配置されたSOAモジュール1に対して実行されるものである。本実施形態の製造方法によれば、無偏波の信号光を入力側光ファイバ11に入力することにより、入力側光ファイバ11周辺の環境が変化した場合であっても、SOAチップ10の偏波依存性に起因する増幅後の信号光の光強度の変化を抑制して、入力側光ファイバ11に対して安定した調芯を行うことが可能となる。
As described above, the method for manufacturing the
また、本実施形態に係るSOAモジュール1の製造方法は、出力側光ファイバ12についてはSOAチップ10が発する自然放出光を使用した調芯を行うことができる。
Moreover, the manufacturing method of the
また、本実施形態に係るSOAモジュール1の製造方法は、信号光源30と光パワーメータ31との間に入力側光ファイバ11及び出力側光ファイバ12が配置されていない状態で、入力側レンズ13及び出力側レンズ14の位置を最適化することができる。
In addition, in the method for manufacturing the
また、本実施形態に係るSOAモジュール1の製造方法は、レンズ位置調整工程で位置調整された入力側レンズ13及び出力側レンズ14を、信号光源30と光パワーメータ31との間に入力側光ファイバ11及び出力側光ファイバ12が配置されていない状態で固定することができる。
In addition, in the method for manufacturing the
1 SOAモジュール(半導体光増幅器モジュール)
10 SOAチップ(半導体光増幅器)
10a 光入射端面
10b 光出射端面
11 入力側光ファイバ
12 出力側光ファイバ
13 入力側レンズ
14 出力側レンズ
17,17a,17b 端子
24 アイソレータ
30 信号光源
31 光パワーメータ(光強度測定装置)
1 SOA module (semiconductor optical amplifier module)
10 SOA chip (semiconductor optical amplifier)
DESCRIPTION OF
Claims (4)
前記半導体光増幅器に前記信号光を入力する入力側光ファイバ(11)と、
前記半導体光増幅器から出力された増幅後の前記信号光又は自然放出光を外部に伝送する出力側光ファイバ(12)と、
前記入力側光ファイバの一端側から出力された前記信号光を前記半導体光増幅器の光入射端面(10a)に向けて集光する入力側レンズ(13)と、
前記半導体光増幅器の光出射端面(10b)から出力された増幅後の前記信号光又は自然放出光を前記出力側光ファイバの一端側に向けて集光する出力側レンズ(14)と、
前記入力側光ファイバの一端側と前記入力側レンズとの間に配置され、前記半導体光増幅器から前記入力側光ファイバへの光を遮断するアイソレータ(24)と、を備える半導体光増幅器モジュール(1)の製造方法であって、
前記半導体光増幅器への駆動電流の供給を開始して、前記半導体光増幅器から自然放出光を発生させる駆動電流供給工程(S2)と、
前記入力側光ファイバの一端側を、前記アイソレータ及び前記入力側レンズを介して前記半導体光増幅器の前記光入射端面に光結合する位置に仮配置するとともに、前記出力側光ファイバの一端側を、前記出力側レンズを介して前記半導体光増幅器の前記光出射端面に光結合する位置に仮配置する光ファイバ仮配置工程(S5)と、
無偏波の光を前記信号光として発生する信号光源(30)に前記入力側光ファイバの他端側を接続するとともに、前記半導体光増幅器の前記光出射端面から出力された増幅後の前記信号光又は自然放出光の光強度を測定する光強度測定装置(31)に前記出力側光ファイバの他端側を接続する工程(S6)と、
前記信号光源からの前記信号光を前記入力側光ファイバの他端側から一端側に向かって伝送させ、前記信号光が前記半導体光増幅器に入力されている状態で、前記光強度測定装置により測定された増幅後の前記信号光の光強度が最大となる位置に前記入力側光ファイバの一端側を固定する入力側光ファイバ位置固定工程(S8,S9)と、を含むことを特徴とする半導体光増幅器モジュールの製造方法。 A semiconductor optical amplifier (10) for amplifying the input signal light;
An input side optical fiber (11) for inputting the signal light to the semiconductor optical amplifier;
An output side optical fiber (12) for transmitting the amplified signal light or spontaneous emission light output from the semiconductor optical amplifier to the outside;
An input side lens (13) for condensing the signal light output from one end side of the input side optical fiber toward the light incident end face (10a) of the semiconductor optical amplifier;
An output side lens (14) for condensing the amplified signal light or spontaneous emission light output from the light emitting end face (10b) of the semiconductor optical amplifier toward one end side of the output side optical fiber;
A semiconductor optical amplifier module (1), comprising: an isolator (24) disposed between one end side of the input side optical fiber and the input side lens and blocking light from the semiconductor optical amplifier to the input side optical fiber. ) Manufacturing method,
A drive current supply step (S2) for starting supply of drive current to the semiconductor optical amplifier to generate spontaneous emission light from the semiconductor optical amplifier;
One end side of the input side optical fiber is temporarily disposed at a position where it is optically coupled to the light incident end surface of the semiconductor optical amplifier via the isolator and the input side lens, and one end side of the output side optical fiber is Temporary optical fiber placement step (S5) for temporary placement at a position optically coupled to the light emitting end face of the semiconductor optical amplifier via the output side lens;
The amplified signal output from the light emitting end face of the semiconductor optical amplifier while connecting the other end of the input-side optical fiber to a signal light source (30) that generates unpolarized light as the signal light Connecting the other end of the output side optical fiber to a light intensity measuring device (31) for measuring the light intensity of light or spontaneous emission light (S6);
The signal light from the signal light source is transmitted from the other end side of the input side optical fiber toward the one end side, and measured by the light intensity measuring device in a state where the signal light is input to the semiconductor optical amplifier. And an input side optical fiber position fixing step (S8, S9) for fixing one end side of the input side optical fiber at a position where the light intensity of the amplified signal light is maximized. Manufacturing method of optical amplifier module.
前記レンズ位置調整工程は、スリットを通過した前記半導体光増幅器から発生している自然放出光の光強度を前記光強度測定装置で測定し、前記光強度測定装置で測定した光強度の変動に基づいて、前記入力側レンズ及び前記出力側レンズの位置変動を確認することにより、前記入力側レンズ及び前記出力側レンズの位置を調整することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の半導体光増幅器モジュールの製造方法。 Before the lens position fixing step, further includes a lens position adjusting step (S3) for adjusting the positions of the input side lens and the output side lens using spontaneous emission light generated from the semiconductor optical amplifier,
In the lens position adjusting step, the light intensity of the spontaneous emission light generated from the semiconductor optical amplifier that has passed through the slit is measured by the light intensity measuring device, and based on the fluctuation of the light intensity measured by the light intensity measuring device. The position of the input side lens and the output side lens is adjusted by confirming position fluctuations of the input side lens and the output side lens, according to any one of claims 1 to 3. The manufacturing method of the semiconductor optical amplifier module of description.
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JP2016201608A Pending JP2018063354A (en) | 2016-10-13 | 2016-10-13 | Method of manufacturing semiconductor optical amplifier module |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112198600A (en) * | 2020-12-07 | 2021-01-08 | 武汉乾希科技有限公司 | Multichannel optical receiving component for optical communication and optical path coupling method thereof |
CN113972560A (en) * | 2021-10-20 | 2022-01-25 | 南京理工大学 | Double-isolator semiconductor optical amplifier and coupling method thereof |
CN118011564A (en) * | 2024-03-06 | 2024-05-10 | 苏州天孚光通信股份有限公司 | Butterfly-shaped semiconductor amplifier and coupling preparation method thereof |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020076133A1 (en) * | 2000-02-17 | 2002-06-20 | Xun Li | Guided wave optical switch based on an active semiconductor amplifier and a passive optical component |
JP2002341159A (en) * | 2001-05-14 | 2002-11-27 | Nec Corp | Wavelength correction method and device, wavelength inspection method and device, array waveguide grating, and interleaver |
JP2004349698A (en) * | 2003-05-21 | 2004-12-09 | Samsung Electronics Co Ltd | Semiconductor optical amplifier module |
JP2010020105A (en) * | 2008-07-10 | 2010-01-28 | Fujitsu Ltd | Optical semiconductor device and manufacturing method therefor |
JP2013097275A (en) * | 2011-11-02 | 2013-05-20 | Ntt Electornics Corp | Microlens array and optical transmission component |
JP2016018121A (en) * | 2014-07-09 | 2016-02-01 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | Method for manufacturing optical amplification module |
-
2016
- 2016-10-13 JP JP2016201608A patent/JP2018063354A/en active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020076133A1 (en) * | 2000-02-17 | 2002-06-20 | Xun Li | Guided wave optical switch based on an active semiconductor amplifier and a passive optical component |
JP2002341159A (en) * | 2001-05-14 | 2002-11-27 | Nec Corp | Wavelength correction method and device, wavelength inspection method and device, array waveguide grating, and interleaver |
JP2004349698A (en) * | 2003-05-21 | 2004-12-09 | Samsung Electronics Co Ltd | Semiconductor optical amplifier module |
JP2010020105A (en) * | 2008-07-10 | 2010-01-28 | Fujitsu Ltd | Optical semiconductor device and manufacturing method therefor |
JP2013097275A (en) * | 2011-11-02 | 2013-05-20 | Ntt Electornics Corp | Microlens array and optical transmission component |
JP2016018121A (en) * | 2014-07-09 | 2016-02-01 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | Method for manufacturing optical amplification module |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112198600A (en) * | 2020-12-07 | 2021-01-08 | 武汉乾希科技有限公司 | Multichannel optical receiving component for optical communication and optical path coupling method thereof |
CN112198600B (en) * | 2020-12-07 | 2021-03-26 | 武汉乾希科技有限公司 | Multichannel optical receiving component for optical communication and optical path coupling method thereof |
CN113972560A (en) * | 2021-10-20 | 2022-01-25 | 南京理工大学 | Double-isolator semiconductor optical amplifier and coupling method thereof |
CN118011564A (en) * | 2024-03-06 | 2024-05-10 | 苏州天孚光通信股份有限公司 | Butterfly-shaped semiconductor amplifier and coupling preparation method thereof |
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