JP2018060976A - Direct modulation laser - Google Patents

Direct modulation laser Download PDF

Info

Publication number
JP2018060976A
JP2018060976A JP2016199347A JP2016199347A JP2018060976A JP 2018060976 A JP2018060976 A JP 2018060976A JP 2016199347 A JP2016199347 A JP 2016199347A JP 2016199347 A JP2016199347 A JP 2016199347A JP 2018060976 A JP2018060976 A JP 2018060976A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
soa
laser
dfb laser
direct modulation
dfb
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016199347A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP6557643B2 (en
Inventor
小林　亘
Wataru Kobayashi
亘 小林
淳 神田
Atsushi Kanda
神田　　淳
隆彦 進藤
Takahiko Shindo
隆彦 進藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority to JP2016199347A priority Critical patent/JP6557643B2/en
Publication of JP2018060976A publication Critical patent/JP2018060976A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6557643B2 publication Critical patent/JP6557643B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a direct modulation laser capable of simultaneously achieving high speed operation and high optical output.SOLUTION: The direct modulation laser includes: a DFB laser; an SOA formed on the output end of the DFB laser; an electrode for the DFB laser for providing a superimposed signal of an AC component signal and a DC component signal to the DFB laser; and an electrode for SOA which is electrically connected to the electrode for the DFB laser via a stub to provide the DC current component signal to the SOA.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、分布帰還型（ＤＦＢ:Distributed FeedBack）の直接変調レーザに関する。
する。 The present invention relates to a distributed feedback (DFB) directly modulated laser.
To do.

直接変調レーザ（ＤＭＬ:Directly Modulated Laser)は、レーザチップに入力する電流値を変調することで、レーザチップ端面から出力されるレーザビームの光強度を直接的に高速変調して用いる素子である。従来の直接変調レーザでは、ＭＱＷ（Multiple Quantum Well）構造の活性層と、リッジ型導波路と、半導体層とを備えるものがある（特許文献１）。   Directly modulated laser (DML) is an element that directly modulates the light intensity of a laser beam output from the end face of a laser chip by modulating the current value input to the laser chip. Some conventional direct modulation lasers include an active layer having an MQW (Multiple Quantum Well) structure, a ridge waveguide, and a semiconductor layer (Patent Document 1).

特許第５８２３９９９号Japanese Patent No. 5823999

一般的に、ＤＭＬを高速動作させる場合には、レーザの共振器長を短くする手法がとられている。しかしながら、ＤＭＬの共振器長が短いと、素子の抵抗が大きくなるため、ＤＭＬに電流を注入する際に素子の温度が上がり、その結果、光出力が劣化するという問題があった。   In general, when the DML is operated at a high speed, a method of shortening the cavity length of the laser is taken. However, if the resonator length of the DML is short, the resistance of the element increases, and thus there is a problem that the temperature of the element rises when current is injected into the DML, resulting in deterioration of the optical output.

換言すると、ＤＭＬの高速動作と光出力との間にはトレードオフの関係があるので、単にレーザの共振器長を短くしただけでは、このトレードオフによりＤＭＬの高速動作と高出力とを同時に実現することができなかった。   In other words, since there is a trade-off relationship between high-speed operation of DML and optical output, simply reducing the laser cavity length realizes high-speed operation and high output of DML simultaneously by this trade-off. I couldn't.

本発明は、上記の状況下においてなされたものであり、レーザの出射側に半導体光増幅器（ＳＯＡ：Semiconductor Optical Amplifier）を備えるようにすることで、高速動作と高い光出力とを同時に実現することができる直接変調レーザを提供することを目的とする。   The present invention has been made under the above circumstances, and by providing a semiconductor optical amplifier (SOA) on the laser emission side, high-speed operation and high light output can be realized simultaneously. An object of the present invention is to provide a direct modulation laser capable of satisfying the requirements.

上記の目的を達成するため、本発明は、ＤＦＢレーザと、前記ＤＦＢレーザの出射端に形成されたＳＯＡと、前記ＤＦＢレーザに交流成分信号および直流成分信号の重畳信号を与えるためのＤＦＢレーザ用電極と、前記ＤＦＢレーザ用電極とスタブを介して電気的に接続され、前記ＳＯＡに直流成分信号を与えるためのＳＯＡ用電極とを含む。   In order to achieve the above object, the present invention provides a DFB laser, a SOA formed at the output end of the DFB laser, and a DFB laser for giving an AC component signal and a superimposed signal of a DC component signal to the DFB laser. An electrode, and an SOA electrode that is electrically connected to the DFB laser electrode via a stub and that provides a DC component signal to the SOA.

前記ＳＯＡへの前記直流成分信号は、前記ＤＦＢレーザおよび前記ＳＯＡの光導波方向についての長さの比に応じて与えられるようにしてもよい。   The DC component signal to the SOA may be given according to a ratio of lengths of the DFB laser and the SOA in the optical waveguide direction.

本発明によると、高速動作と高い光出力とを同時に実現することができる。   According to the present invention, high-speed operation and high light output can be realized simultaneously.

実施形態に係る直接変調レーザの構成概略を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the structure outline of the direct modulation laser which concerns on embodiment. 図１の直接変調レーザの積層例を示す図である。It is a figure which shows the lamination example of the direct modulation laser of FIG. 図１の直接変調レーザを含む光送信モジュールの構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of the optical transmission module containing the direct modulation laser of FIG. スタブの長さをλ／４にした場合の直接変調レーザの構成概略を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the structure outline of a direct modulation laser when the length of a stub is set to (lambda) / 4. 図４の直接変調レーザを含む光送信モジュールの構成例を示す図である。FIG. 5 is a diagram illustrating a configuration example of an optical transmission module including the direct modulation laser of FIG. 4.

以下、本発明の実施形態である直接変調レーザについて説明する。実施形態の直接変調レーザは、ＤＦＢレーザである。   Hereinafter, a direct modulation laser according to an embodiment of the present invention will be described. The directly modulated laser of the embodiment is a DFB laser.

［直接変調レーザ１００の全体構成の概略］
図１は、本実施形態に係る直接変調レーザ１００の全体構成の概略を説明するための図である。 [Outline of Overall Configuration of Direct Modulation Laser 100]
FIG. 1 is a diagram for explaining an outline of the overall configuration of a direct modulation laser 100 according to the present embodiment.

図１に示すように、この直接変調レーザ１００は、光導波方向に対して順に、ＤＦＢレーザ１０１およびＳＯＡ１０３を備えており、分離溝１０２は、ＤＦＢレーザ１０１とＳＯＡ１０３とを電気的に分離する。この実施形態において、ＤＦＢレーザ１０１およびＳＯＡ１０３は、単一の半導体基板上に、一体的にモノシリック積層されている。   As shown in FIG. 1, the direct modulation laser 100 includes a DFB laser 101 and an SOA 103 in order with respect to the optical waveguide direction, and the separation groove 102 electrically separates the DFB laser 101 and the SOA 103. In this embodiment, the DFB laser 101 and the SOA 103 are monolithically laminated on a single semiconductor substrate.

駆動回路１０６は、交流成分信号ＩRFの信号源１０と、直流成分信号ＩDCの信号源２０と、コンデンサＣ、抵抗ＲおよびコイルＬを含む回路とを含む。 The drive circuit 106 includes a signal source 10 for an AC component signal I RF, a signal source 20 for a DC component signal IDC , and a circuit including a capacitor C, a resistor R, and a coil L.

ＤＦＢレーザ１０１には、ｐ型電極（ＤＦＢレーザ用電極）１１が設けられており、ｐ型電極１１には、駆動回路１０６の抵抗ＲおよびコンデンサＣからなる直列回路と接続される。ＤＦＢレーザ１０１の他端は接地される。   The DFB laser 101 is provided with a p-type electrode (DFB laser electrode) 11, and the p-type electrode 11 is connected to a series circuit including a resistor R and a capacitor C of the drive circuit 106. The other end of the DFB laser 101 is grounded.

ｐ型電極１１と抵抗Ｒの間には、駆動回路１０６のコイルＬの一端が接続され、コイルＬの他端は信号源２０と接続される。ＳＯＡ１０３の一端は接地される。   One end of the coil L of the drive circuit 106 is connected between the p-type electrode 11 and the resistor R, and the other end of the coil L is connected to the signal source 20. One end of the SOA 103 is grounded.

ＳＯＡ１０３には、ｐ型電極（ＳＯＡ用電極）１２が設けられており、ｐ型電極１２は、スタブ１５を介して、ｐ型電極１１と電気的に接続される。スタブ１５の長さｌは、スタブ１５中を伝搬する高周波交流信号の波長λに応じて、ｌ＝λ／２となるように設定する。   The SOA 103 is provided with a p-type electrode (SOA electrode) 12, and the p-type electrode 12 is electrically connected to the p-type electrode 11 through a stub 15. The length l of the stub 15 is set so that l = λ / 2 according to the wavelength λ of the high-frequency AC signal propagating through the stub 15.

この場合、コイルＬには、交流成分が流れないので、信号源１０からの交流成分信号ＩRFは、信号源２０側に流れない。したがって、ＤＦＢレーザ１０１のｐ型電極１１には、後述する交流成分および直流成分を含む重畳信号（ＩRF＋ＩDC）が与えられる。 In this case, since no alternating current component flows through the coil L, the alternating current component signal I RF from the signal source 10 does not flow to the signal source 20 side. Therefore, a superimposed signal (I RF + I DC ) including an AC component and a DC component, which will be described later, is given to the p-type electrode 11 of the DFB laser 101.

一方、ｐ型電極１１からみたスタブ１５は、ｐ型電極１２の先端が開放され、かつスタブ１５の長さｌがλ／２となるため、高周波域ではオープンとなる。つまり、スタブ１５には、ｐ型電極１１からの直流電流成分は流れるものの、高周波交流成分は流れない。したがって、ｐ型電極１２に流れる直流成分信号は、ＤＦＢレーザ１０１およびＳＯＡ１０３の光導波方向についての長さ（抵抗）の比に応じて与えられる。例えば、ＳＯＡ長が５０μｍで、ＤＦＢレーザ長が２００μｍの場合、ＳＯＡ長は、ＳＯＡ１０３およびＤＦＢレーザ１０１の全長に対して１／５となるため、ＳＯＡ１０３に流れる直流電流信号をＩSOAとすると、ＩSOA＝（１／５）×ＩDCとなる。 On the other hand, the stub 15 viewed from the p-type electrode 11 is open in the high frequency region because the tip of the p-type electrode 12 is opened and the length l of the stub 15 is λ / 2. That is, although a direct current component from the p-type electrode 11 flows through the stub 15, no high-frequency alternating current component flows. Therefore, the DC component signal flowing through the p-type electrode 12 is given according to the ratio of the length (resistance) of the DFB laser 101 and the SOA 103 in the optical waveguide direction. For example, when the SOA length is 50 μm and the DFB laser length is 200 μm, the SOA length is 1/5 with respect to the total length of the SOA 103 and the DFB laser 101. Therefore, if the direct current signal flowing through the SOA 103 is I SOA , SOA = (1/5) × I DC

このように、ＤＦＢレーザ１０１およびＳＯＡ１０３の各長さを調整することで、ＳＯＡ１０３に注入される直流成分信号ＩSOAを調整することができる。 In this way, the DC component signal I SOA injected into the SOA 103 can be adjusted by adjusting the lengths of the DFB laser 101 and the SOA 103.

本実施形態において、信号ＩRF，ＩDC，ＩSOAは、電流信号である。 In the present embodiment, the signals I RF , I DC and I SOA are current signals.

なお、図１において、ＤＦＢレーザ端面１０１ａは、高反射（ＨＲ: High Reflection）コートが施され、ＳＯＡ出射端面１０３ａは、無反射（AＲ: Anti-Reflection）コートが施されている。   In FIG. 1, the DFB laser end face 101a is provided with a high reflection (HR) coating, and the SOA emission end face 103a is provided with an anti-reflection (AR) coating.

このように、コンデンサＣ、抵抗ＲおよびコイルＬを含む回路によって、ＤＦＢレーザ１０１に交流成分および直流成分の重畳信号（ＩRF＋ＩDC）を与え、ＳＯＡ１０３に直流成分信号ＩSOAを与えるようにすることで、ＳＯＡ１０３に必要な給電を常に確保することができる。 As described above, by the circuit including the capacitor C, the resistor R, and the coil L, the superimposed signal (I RF + I DC ) of the AC component and the DC component is given to the DFB laser 101, and the DC component signal I SOA is given to the SOA 103. As a result, it is possible to always ensure the power supply required for the SOA 103.

本実施形態の直接変調レーザ１００では、ＤＦＢレーザ１０１からの光出力がＳＯＡ１０３で増幅されるようになっている。したがって、ＤＦＢレーザ１０１の共振器長を短くしたとしても、その光出力の劣化分をＳＯＡ１０３で増幅することができるので、ＤＦＢレーザ１０１の高速動作を行うとともに、光出力を高くすることができる。   In the direct modulation laser 100 of the present embodiment, the optical output from the DFB laser 101 is amplified by the SOA 103. Therefore, even if the resonator length of the DFB laser 101 is shortened, the degradation of the optical output can be amplified by the SOA 103, so that the DFB laser 101 can be operated at high speed and the optical output can be increased.

［直接変調レーザ１００の積層構成］
次に、上述した直接変調レーザ１００の構成について、図１および図２を参照して説明する。 [Laminated structure of direct modulation laser 100]
Next, the configuration of the direct modulation laser 100 described above will be described with reference to FIGS. 1 and 2.

図２は、直接変調レーザ１００の構成例を示す図である。   FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration example of the direct modulation laser 100.

図２において、直接変調レーザ１００は、ＳＩ（半絶縁性）−ＩｎＰ基板１を備えており、この基板１上に、光導波方向に対して順に、ＤＦＢレーザ部層３と、ＳＯＡ部層４とを備える。また、基板１の裏面には、ｎ型電極１３を備える。なお、基板１は、ｎ型ＩｎＰ基板とするようにしてもよい。   In FIG. 2, the direct modulation laser 100 includes an SI (semi-insulating) -InP substrate 1. A DFB laser part layer 3 and an SOA part layer 4 are sequentially formed on the substrate 1 in the optical waveguide direction. With. An n-type electrode 13 is provided on the back surface of the substrate 1. The substrate 1 may be an n-type InP substrate.

上述した各層２，４は、ＩｎＧａＡｌＡｓ系の材料もしくはＩｎＧａＡｓP系の材料で形成され、量子井戸構造を有する。   Each of the layers 2 and 4 described above is formed of an InGaAlAs-based material or an InGaAsP-based material and has a quantum well structure.

ＤＦＢレーザ部層３とＳＯＡ部層４との間に形成された光導波路層５は、ＩｎＧａＡｓＰ系の材料で形成される。そして、ＤＦＢレーザ部層３、ＳＯＡ部層４および光導波路層５上には、ｐ型ＩｎＰクラッド層７が形成されている。   The optical waveguide layer 5 formed between the DFB laser part layer 3 and the SOA part layer 4 is made of an InGaAsP-based material. A p-type InP cladding layer 7 is formed on the DFB laser part layer 3, the SOA part layer 4, and the optical waveguide layer 5.

図２において、ＤＦＢレーザ部層３上には、回折格子６が形成されている。絶縁膜８は、ＤＦＢレーザ部層３、ＳＯＡ部層４、光導波路層５およびクラッド層７をそれぞれ覆うように形成されている。そして、絶縁膜８上にはベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）９が形成され、ＢＣＢ９上にはさらに、ＤＦＢレーザ部層３へ信号（ＩRF＋ＩDC）を注入のためのｐ型電極１１が形成されている。ｐ型電極１１は、スタブ１５を介して、ｐ型電極１２と電気的に接続される。 In FIG. 2, a diffraction grating 6 is formed on the DFB laser part layer 3. The insulating film 8 is formed so as to cover the DFB laser part layer 3, the SOA part layer 4, the optical waveguide layer 5, and the cladding layer 7, respectively. A benzocyclobutene (BCB) 9 is formed on the insulating film 8, and a p-type electrode 11 for injecting a signal (I RF + I DC ) into the DFB laser portion layer 3 is further formed on the BCB 9. ing. The p-type electrode 11 is electrically connected to the p-type electrode 12 via the stub 15.

［直接変調レーザ１００の動作］
次に、上述した直接変調レーザ１００の動作について、図１〜図２を参照して説明する。 [Operation of Direct Modulation Laser 100]
Next, the operation of the direct modulation laser 100 described above will be described with reference to FIGS.

先ず、ＤＦＢレーザ１０１およびＳＯＡ１０３の各ｐ型電極１１，１２に対して同時に順方向バイアスが印加された場合、ＤＦＢレーザ部層３において発生した光は、回折格子６により周期的に帰還する。   First, when a forward bias is simultaneously applied to the p-type electrodes 11 and 12 of the DFB laser 101 and the SOA 103, the light generated in the DFB laser part layer 3 is periodically fed back by the diffraction grating 6.

そして、シングルモードのレーザ光が生成されてＤＦＢレーザ部層３から出射する。このときのレーザ光の発振波長は、例えば1300ｎｍである。   Then, single mode laser light is generated and emitted from the DFB laser part layer 3. The oscillation wavelength of the laser light at this time is 1300 nm, for example.

上述したＤＦＢレーザ部層３からのレーザ光は、光導波路層５を介して、ＳＯＡ部層４で増幅されて外部へ出射される。   The laser light from the DFB laser part layer 3 described above is amplified by the SOA part layer 4 via the optical waveguide layer 5 and emitted to the outside.

以上説明したように、本実施形態の直接変調レーザ１００では、ＤＦＢレーザ１０１とＳＯＡ１０３とを備える。この場合には、ＤＦＢレーザ１０１の共振器長を短くしたとしても、その光出力の劣化分をＳＯＡ１０３で増幅することができるので、ＤＦＢレーザ１０１の高速動作を行うとともに、光出力を高くすることができる。   As described above, the direct modulation laser 100 of this embodiment includes the DFB laser 101 and the SOA 103. In this case, even if the resonator length of the DFB laser 101 is shortened, the degradation of the optical output can be amplified by the SOA 103, so that the DFB laser 101 is operated at a high speed and the optical output is increased. Can do.

また、ＤＦＢレーザ１０１には、駆動回路１０６によって、交流成分および直流成分を含む重畳信号（ＩRF＋ＩDC）が与えられるとともにＳＯＡ１０３にはスタブ１５を介して直流成分信号ＩSOAのみが与えられるため、ＳＯＡ１０３への給電が確保される。この点で、直接変調レーザ１００によれば、ＳＯＡへの給電を効率よく行うことができる。 The DFB laser 101 is given a superimposed signal (I RF + I DC ) including an AC component and a DC component by the drive circuit 106 and only the DC component signal I SOA is given to the SOA 103 via the stub 15. , Power supply to the SOA 103 is ensured. In this respect, the direct modulation laser 100 can efficiently supply power to the SOA.

次に、上記実施形態の直接変調レーザの変形例について説明する   Next, a modification of the direct modulation laser of the above embodiment will be described.

（変更例１）
上記実施形態では、直接変調レーザ１００を光送信モジュールに搭載する態様について言及しなかったが、そのような光送信モジュールを構成するようにしてもよい。 (Modification 1)
In the above-described embodiment, the aspect in which the direct modulation laser 100 is mounted on the optical transmission module is not mentioned, but such an optical transmission module may be configured.

図３は、かかる光送信モジュール２００の一例として、図１と同様の構成を示している。本変形例の以下の説明では、特に記述しない限り、第１実施形態の説明で用いた符号等をそのまま用いる。   FIG. 3 shows a configuration similar to FIG. 1 as an example of the optical transmission module 200. In the following description of the present modification, the symbols used in the description of the first embodiment are used as they are unless otherwise specified.

図３に示す例では、光送信モジュール２００は、１４本のピンが配置される。この場合、「３」のピンには、直流成分信号ＩDCが供給され、「１２」のピンには、交流成分信号ＩRFが供給される。 In the example shown in FIG. 3, the optical transmission module 200 has 14 pins. In this case, the pin "3", the DC component signal I DC is supplied to the pin "12", the AC component signal I RF are supplied.

「３」のピンは、コイルＬの一端と接続され、コイルＬの他端は、ワイヤ５１を介してｐ型電極１１と接続される。ｐ型電極１１は、スタブ１５を介してｐ型電極１２と電気的に接続される。   The “3” pin is connected to one end of the coil L, and the other end of the coil L is connected to the p-type electrode 11 via the wire 51. The p-type electrode 11 is electrically connected to the p-type electrode 12 via the stub 15.

一方、「１２」のピンには、コンデンサＣの一端と接続され、コンデンサＣの他端は、抵抗Ｒの一端と接続される。抵抗Ｒの他端は、電極１１と接続される。このようにしても、光送信モジュール２００では、ＤＦＢレーザ１０１からの光出力がＳＯＡ１０３で増幅されるようになっている。したがって、ＤＦＢレーザ１０１の共振器長を短くしたとしても、その光出力の劣化分をＳＯＡ１０３で増幅することができるので、ＤＦＢレーザ１０１の高速動作を行うとともに、光出力を高くすることができる。   On the other hand, the pin “12” is connected to one end of the capacitor C, and the other end of the capacitor C is connected to one end of the resistor R. The other end of the resistor R is connected to the electrode 11. Even in this case, in the optical transmission module 200, the optical output from the DFB laser 101 is amplified by the SOA 103. Therefore, even if the resonator length of the DFB laser 101 is shortened, the degradation of the optical output can be amplified by the SOA 103, so that the DFB laser 101 can be operated at high speed and the optical output can be increased.

（変更例２）
上述したスタブ１５の長さｌは、変更することができる。例えば、図４は、ｌ＝λ／４の場合の直接変調レーザ１００Ａの構成例を示している。この場合、ｐ型電極１２は、コンデンサＣ１を介してＧＮＤ接地し、ＳＯＡ１０３は高周波的に短絡するようになっている。このように構成することで、ＳＯＡ１０３に高周波交流成分信号が入らないようにすることも可能である。 (Modification 2)
The length l of the stub 15 described above can be changed. For example, FIG. 4 shows a configuration example of the direct modulation laser 100A when l = λ / 4. In this case, the p-type electrode 12 is grounded via the capacitor C1, and the SOA 103 is short-circuited in high frequency. With this configuration, it is possible to prevent the high frequency AC component signal from entering the SOA 103.

図５は、本変形例に係る直接変調レーザ１００Ａを含む光送信モジュール２００Ａの構成例を例示している。この図５に示した例においても、ｐ型電極１２は、コンデンサＣ１を介してＧＮＤ接地するようにしてある。   FIG. 5 illustrates a configuration example of an optical transmission module 200A including the direct modulation laser 100A according to this modification. Also in the example shown in FIG. 5, the p-type electrode 12 is grounded via the capacitor C1.

（変更例３）
以上では、1300nm波長で発振する場合について説明したが、それ以外の波長を適用しても上記実施形態と同等の効果を得ることができる。例えば1550nm帯で発振する場合についても、光通信用の直接変調レーザの各構成要素１０１，１０３の結晶組成を変更して適用することもできる。 (Modification 3)
In the above description, the case of oscillating at a wavelength of 1300 nm has been described. However, the same effects as in the above embodiment can be obtained even when other wavelengths are applied. For example, also in the case of oscillating in the 1550 nm band, the crystal composition of each component 101, 103 of the direct modulation laser for optical communication can be changed and applied.

（変更例４）
図２に示したものにおいて、リッジ型導波路を例にとって説明しているが、埋め込み型導波路を適用するようにしてもよい。 (Modification 4)
In the example shown in FIG. 2, a ridge type waveguide is described as an example, but a buried type waveguide may be applied.

（変更例５）
上述した光送信モジュール２００，２００Ａは、１４ピンのバタフライモジュールを例に挙げて説明したが、これと同等の回路を実現できるのであれば、他の代替の手法によっても実施することができる。例えば、かかる光送信モジュールとして、ＴＯＳＡ（Transmitter Optical SubAssembly）やＴＯ（Transistor Outlined）−ＣＡＮController Area Network）モジュールを採用するようにしてもよい。 (Modification 5)
The optical transmission modules 200 and 200A described above have been described by taking a 14-pin butterfly module as an example. However, as long as an equivalent circuit can be realized, the optical transmission modules 200 and 200A can be implemented by other alternative methods. For example, a TOSA (Transmitter Optical SubAssembly) or TO (Transistor Outlined) -CAN Controller Area Network (TOSA) module may be employed as the optical transmission module.

１ 基板
３ ＤＦＢレーザ部層
４ ＳＯＡ部層
５ 光導波路層
６ 回折格子
７ クラッド層
８ 絶縁膜
９ ＢＣＢ
１０，２０ 信号源
１１、１２ ｐ型電極
１３ ｎ型電極
１５ スタブ
５１ ワイヤ
１００，１００Ａ 直接変調レーザ
１０１ ＤＦＢレーザ
１０３ ＳＯＡ
１０６ 駆動回路
２００，２００Ａ 光送信モジュール DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 3 DFB laser part layer 4 SOA part layer 5 Optical waveguide layer 6 Diffraction grating 7 Cladding layer 8 Insulating film 9 BCB
10, 20 Signal source 11, 12 P-type electrode 13 N-type electrode 15 Stub 51 Wire 100, 100A Direct modulation laser 101 DFB laser 103 SOA
106 Drive circuit 200, 200A Optical transmission module

Claims (2)

ＤＦＢレーザと、
前記ＤＦＢレーザの出射端に形成されたＳＯＡと、
前記ＤＦＢレーザに交流成分信号および直流成分信号の重畳信号を与えるためのＤＦＢレーザ用電極と、
前記ＤＦＢレーザ用電極とスタブを介して電気的に接続され、前記ＳＯＡに直流成分信号を与えるためのＳＯＡ用電極と
を含むことを特徴とする直接変調レーザ。 A DFB laser,
SOA formed at the output end of the DFB laser;
An electrode for a DFB laser for providing the DFB laser with a superimposed signal of an AC component signal and a DC component signal;
A direct modulation laser comprising: an SOA electrode electrically connected to the DFB laser electrode via a stub and providing a direct current component signal to the SOA. 前記ＳＯＡへの前記直流成分信号は、前記ＤＦＢレーザおよび前記ＳＯＡの光導波方向についての長さの比に応じて与えられることを特徴とする請求項１に記載の直接変調レーザ。   2. The direct modulation laser according to claim 1, wherein the DC component signal to the SOA is given in accordance with a ratio of lengths of the DFB laser and the SOA in the optical waveguide direction.
JP2016199347A 2016-10-07 2016-10-07 Direct modulation laser Active JP6557643B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016199347A JP6557643B2 (en) 2016-10-07 2016-10-07 Direct modulation laser

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016199347A JP6557643B2 (en) 2016-10-07 2016-10-07 Direct modulation laser

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018060976A true JP2018060976A (en) 2018-04-12
JP6557643B2 JP6557643B2 (en) 2019-08-07

Family

ID=61910154

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016199347A Active JP6557643B2 (en) 2016-10-07 2016-10-07 Direct modulation laser

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6557643B2 (en)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002329922A (en) * 2001-03-30 2002-11-15 Agilent Technol Inc Matching circuit of laser diode and method for impedance matching
US20040042069A1 (en) * 2002-08-28 2004-03-04 Aaron Fisher Placing a semiconductor laser electrically in series with a semiconductor optical amplifier
JP2013183413A (en) * 2012-03-05 2013-09-12 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Isolatorless optical transmitter
JP2013258336A (en) * 2012-06-13 2013-12-26 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Semiconductor optical integrated element
WO2016136183A1 (en) * 2015-02-23 2016-09-01 日本電信電話株式会社 Electroabsorption distributed feedback laser with integrated semiconductor optical amplifier, and driving method for same

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002329922A (en) * 2001-03-30 2002-11-15 Agilent Technol Inc Matching circuit of laser diode and method for impedance matching
US20040042069A1 (en) * 2002-08-28 2004-03-04 Aaron Fisher Placing a semiconductor laser electrically in series with a semiconductor optical amplifier
JP2013183413A (en) * 2012-03-05 2013-09-12 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Isolatorless optical transmitter
JP2013258336A (en) * 2012-06-13 2013-12-26 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Semiconductor optical integrated element
WO2016136183A1 (en) * 2015-02-23 2016-09-01 日本電信電話株式会社 Electroabsorption distributed feedback laser with integrated semiconductor optical amplifier, and driving method for same

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
DUTTA, N.K. ET AL.: "Integrated distributed feedback laser and optical amplifier", 1991 PROCEEDINGS IEEE/CORNELL CONFERENCE ON ADVANCED CONCEPTS IN HIGH SPEED SEMICONDUCTOR DEVICES AN, JPN6018048767, 5 August 1991 (1991-08-05), pages 238 - 243, XP010056977, ISSN: 0003937925, DOI: 10.1109/CORNEL.1991.169991 *
KOBAYASHI, W. ET AL.: "Ultra low power consumption operation of SOA assisted extended reach EADFB laser (AXEL)", 2016 21ST OPTOELECTRONICS AND COMMUNICATIONS CONFERENCE (OECC) HELD JOINTLY WITH 2016 INTERNATIONAL, vol. WD3-2, JPN6018048766, 3 July 2016 (2016-07-03), ISSN: 0003937924 *

Also Published As

Publication number Publication date
JP6557643B2 (en) 2019-08-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7133576B2 (en) Traveling-wave optoelectronic wavelength converter
US7760782B2 (en) Distributed bragg reflector type directly modulated laser and distributed feed back type directly modulated laser
US8970948B2 (en) Method and system for operating semiconductor optical amplifiers
JP2015230991A (en) Modulation light source
JP2002169131A (en) Optical semiconductor device, and modulation method of the optical semiconductor device
JP6717733B2 (en) Semiconductor optical integrated circuit
JP2018060974A (en) Semiconductor optical integrated element
WO2019059066A1 (en) Semiconductor optical integrated element
US8463087B2 (en) Beat signal generating device for use in a Terahertz system, Terahertz system and use of a beat signal generating device
JP6761392B2 (en) Semiconductor optical integrated device
JP2017017077A (en) Semiconductor laser light source
US6792025B1 (en) Wavelength selectable device
JP6557643B2 (en) Direct modulation laser
JPH07231132A (en) Semiconductor optical device
JP2018060975A (en) Direct modulation laser
JP2011181789A (en) Semiconductor light source
JP6761390B2 (en) Semiconductor optical integrated device
JP3227701B2 (en) Mode-locked semiconductor laser
JP6761391B2 (en) Semiconductor optical integrated device
JPWO2006011262A1 (en) Optical signal amplification 3-terminal device
JP2019033116A (en) Semiconductor optical integrated element
JP3257185B2 (en) Semiconductor light source device and driving method thereof
JP2018060973A (en) Semiconductor optical integrated element and optical transmission/reception module mounted with the same
JP4157736B2 (en) Optical transmitter
US20230268713A1 (en) Optical Signal Transmitter

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180206

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20181128

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20181211

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190208

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190709

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190712

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6557643

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150