JP2018044804A - デバイス - Google Patents

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直樹 高山
Naoki Takayama
直樹 高山
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Abstract

【課題】筐体から高い突出物を設けることなく、周囲環境の温度を計測することが可能なデバイスを提供する。【解決手段】筐体41の内部に配置される第1センサ16と、第1センサ16よりも筐体41の表層側に配置される第2センサ13と、第1センサ16の計測結果および第2センサ13の計測結果をもとに、周囲環境の温度を予測して算出する計算部と、を備え、第1センサ16が温度センサであり、第2センサ13が熱流束センサまたは温度センサである。【選択図】図10

Description

本発明は、周囲環境の温度を計測することが可能なデバイスに関する。
従来、スマートフォンや時計などの筐体に、温度センサを内蔵したデバイスがある。
また、特許文献1には、周囲環境の情報を収集すると共に該情報を送信する手段を有する携帯可能な装置を備えたことを特徴とする携帯電話端末装置による情報収集・管理システムが記載されている。また、特許文献1の背景技術には、使用者周辺の気温・気圧・高度を測定して表示することができる腕時計が開発されている旨の記載がある。
特開2011−228787号公報
筐体が人体に密着して使用される場合は、デバイスの温度が人の体温に近い温度となり、筐体に内蔵された温度センサでは、周囲環境の温度を計測することができない。
また、筐体の内部に、発熱または冷却を行う機構が存在する場合にも、筐体に内蔵された温度センサでは、周囲環境の温度を計測することができない。
温度センサの検温部が筐体の表層から高く突出するように設けた場合、筐体の内部機構や人体の影響を抑制することができる。しかし、携帯用のデバイス等では寸法や形状に制約があり、筐体に高い突出物を設けにくい。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、筐体から高い突出物を設けることなく、周囲環境の温度を計測することが可能なデバイスを提供することを課題とする。
本発明は、筐体の内部に配置される第1センサと、前記第1センサよりも前記筐体の表層側に配置される第2センサと、前記第1センサの計測結果および前記第2センサの計測結果をもとに、周囲環境の温度を予測して算出する計算部と、を備え、前記第1センサが温度センサであり、前記第2センサが熱流束センサであることを特徴とするデバイスを提供する。
また、本発明は、筐体の内部に配置される第1センサと、前記第1センサよりも前記筐体の表層側に配置される第2センサと、前記第1センサの計測結果および前記第2センサの計測結果をもとに、周囲環境の温度を予測して算出する計算部と、を備え、前記第1センサおよび前記第2センサが温度センサであることを特徴とするデバイスを提供する。
前記デバイスは、さらに圧力センサを備え、前記計算部は、前記圧力センサの計測結果に基づき、前記周囲環境の温度に補正を加える機能を有してもよい。
前記デバイスは、さらに湿度センサを備え、前記計算部は、前記湿度センサの計測結果に基づき、前記周囲環境の温度に補正を加える機能を有してもよい。
前記デバイスは、さらに筐体を備え、前記第1センサが、前記筐体の内部に配置されており、前記第2センサが、前記第1センサよりも前記筐体の表層側に配置されていてもよい。
本発明のデバイスによれば、筐体の内部と、それより表層側とに設けられる、2つのセンサ間に流れる熱流束に基づき、周囲環境の温度を予測して算出することができる。これにより、筐体から高い突出物を設けることなく、周囲環境の温度を計測することができる。
筐体の内部から表層に向けた熱流束を説明するための概念図である。 円筒状の筐体の内部から表層に向けた熱流束を説明するための概念図である。 第1実施形態のデバイスを示す断面図である。 温度センサと計算部を内蔵したICを例示するブロック図である。 ICの外部に温度センサを設けた構成を例示するブロック図である。 第2実施形態のデバイスを示す断面図である。 第3実施形態のデバイスを示す断面図である。 第4実施形態のデバイスを示す断面図である。 熱流束センサとICとの電気接続例を示す模式的な回路図である。 第5実施形態のデバイスを示す断面図である。
以下、好適な実施形態に基づき、図面を参照して本発明を説明する。
まず、図1を参照して、筐体2の内部側から表層に向けた熱3の流れについて考察する。図1の例では、筐体2の内部側から周囲環境1までの間に内部層2aと外部層2bが存在し、周囲環境1は、例えば外気である。
内部層2aの熱伝導率をk[W/(m・K)]、外部層2bの熱伝導率をk[W/(m・K)]とする。
筐体2と周囲環境1との間の熱伝達率をh[W/(m・K)]とする。
熱3の流れ方向に沿った内部層2aの寸法をl[m]、同じ方向に沿った外部層2bの寸法をl[m]とする。
筐体2の内部における温度をTin[K]、内部層2aと外部層2bとの境界部における温度をT[K]、筐体2が周囲環境1に接する位置での温度をT[K]、周囲環境1の温度をTout[K]とする。周囲環境の温度Toutは、例えば外気温のように、デバイスの筐体2から十分離れた位置における温度である。一般に、Tは、Toutと等しくはならない。
定常状態では、熱流束q[W/m]が一定となることから、次の関係式(1−1)、(1−2)、および(1−3)において、左辺のqが相互に等しくなる。
Figure 2018044804
式(1−1)〜(1−3)からTおよびTを消去すると、次の式(2)が導かれる。
Figure 2018044804
また、式(1−1)〜(1−3)からTおよびqを消去すると、次の式(3)が導かれる。
Figure 2018044804
また、式(1−1)〜(1−3)からTおよびqを消去すると、次の式(4)が導かれる。
Figure 2018044804
式(2)〜(4)において、k、k、h、l、lは定数である。したがって、式(2)によれば、Tinおよびqの計測値から、Toutを予測することができる。また、式(3)によれば、TinおよびTの計測値から、Toutを予測することができる。また、式(4)によれば、TinおよびTの計測値から、Toutを予測することができる。
そこで、筐体2の内部に配置された第1センサと、第1センサよりも筐体2の表層側に配置された第2センサとを備えたデバイスにおいて、第1センサが温度センサであり、第2センサが熱流束センサである場合には、第1センサによりTinを測定し、第2センサによりqを測定することにより、式(2)から周囲環境1の温度を予測して算出することができる。
また、第1センサおよび第2センサが温度センサである場合には、第1センサによりTinを測定し、第2センサによりTまたはTを測定することにより、それぞれ式(3)または式(4)から周囲環境1の温度を予測して算出することができる。
なお、式(1−2)〜(1−3)からTを消去すると、次の式(5)が導かれる。
Figure 2018044804
そこで、第1センサが温度センサであり、第2センサが熱流束センサである場合には、第1センサによりTを測定し、第2センサによりqを測定することによっても、式(5)から周囲環境1の温度を予測して算出することができる。なお、式(5)は、式(2)において、l=0、かつTin=Tとした場合と等価である。
また、式(1−2)〜(1−3)からqを消去すると、次の式(6)が導かれる。
Figure 2018044804
そこで、第1センサおよび第2センサが温度センサである場合には、第1センサによりTを測定し、第2センサによりTを測定することによっても、式(6)から周囲環境1の温度を予測して算出することができる。なお、式(6)は、式(3)において、l=0、かつTin=Tとした場合と等価である。
式(2)〜(4)は、第1センサと周囲環境との間の筐体が2層から構成されている場合を示し、式(5)〜(6)は、第1センサと周囲環境との間の筐体が1層から構成されている場合を示す。筐体が3層以上から構成されている場合も、式(1−1)〜(1−2)と同様な熱流束と熱伝導率との関係式、および式(1−3)と同様な熱流束と熱伝達率との関係式に基づき、周囲環境の温度を予測して算出することができる。
係数値の具体例として、内部層2aがエポキシ樹脂、外部層2bがアルミニウム、周囲環境1が静止空気である場合、k=0.21[W/(m・K)]、k=204[W/(m・K)]、h=4.6[W/(m・K)]の値を用いることができる。さらに、l=l=0.005[m]の場合、l/kの値は約0.024、l/kの値は約0.25×10−5、1/hの値は約0.22である。(l/k)+(l/k)+(1/h)の和は約0.24である。この例からも明らかなように、厚さ(例えばl)が非常に小さいか、熱伝導率(例えばk)が非常に大きい層は、係数値(例えばl/kの項)を無視することも可能である。
式(1)〜(6)では、熱の伝搬が一方向のみで、筐体の形状が並行平板状である。筐体の形状が異なる場合、熱伝導に関する式も異なる。次に、筐体2が例えば図2に示すような円筒状である場合、円筒の中心軸上に原点Oをとり、原点Oから径方向の距離r[m]に応じて放射状に熱伝導が起こる場合を考察する。
筐体2の熱伝導率をk[W/(m・K)]とする。筐体2と周囲環境1との間の熱伝達率をh[W/(m・K)]とする。
筐体2の内部(位置r[m])における温度をTin[K]、筐体2の表層(位置r[m])における温度をT[K]とする。r≦r≦rの区間では、熱流束q[W/m]は、次の式(7)で表される。
Figure 2018044804
また、筐体2と周囲環境1との間の熱伝達率をh[W/(m・K)]、周囲環境1の温度をTout[K]とすると、r=rにおける円筒表面での熱放射は、次の式(8)で表される。なお、qおよびhの定義は、式(7)と同一である。
Figure 2018044804
式(7)にr=rを代入し、式(7)〜(8)からTを消去すると、次の式(9)が導かれる。
Figure 2018044804
式(2)および(9)を一般化すると、a[(m・K)/W]を定数として、Tout=Tin+a・qの形式が考えられる。この場合、第1センサ(温度センサ)によりTinを測定し、第2センサ(熱流束センサ)によりqを測定することにより、周囲環境の温度を予測して算出することができる。計算によって定数aを導出してもよい。また、特定の(Tout,Tin)の組み合わせに対するqの値を、複数の組み合わせについて測定し、最小二乗法などにより、実験的、統計的に定数aを求めてもよい。
熱伝達率hの変化による影響を低減するために、ガスセンサ、圧力センサ、風量センサ、湿度センサ等の補正用センサを1種または2種以上、デバイスに設け、補正用センサの計測結果に基づき、周囲環境の温度に補正を加えてもよい。ガスセンサとしては、COセンサ等が挙げられる。圧力センサとしては、周囲環境(外気)の気圧を測定するセンサが挙げられる。風量センサとしては、例えば発生した熱の分布の変化で風の動きを検知する熱式のセンサが挙げられる。湿度センサは、熱伝導に対する湿度の寄与が比較的大きいので、CO等のガスセンサによる補正に比べると、湿度センサによる補正が望ましい。ガスセンサと湿度センサを併用してもよい。
例えば、補正用センサの計測値をsとし、補正用の定数をbとして、Tout=Tin+(a+b・s)qの形式とした式から、Toutを求めることができる。これは、係数aの変化を、補正用センサの計測値sの関数(a+b・s)により表現した例である。補正用センサの計測値を2種以上用いてもよい。
熱伝導率の温度依存性が大きい場合は、筐体の内部温度Tinに対する係数cを設け、Tout=Tin+(a+c・Tin)q、またはTout=Tin+(a+b・s+c・Tin)qの形式とした式から、Toutを求めてもよい。これは、係数aの温度依存性を、温度Tinの一次関数(a+c・Tin)により表現した例である。
また、Tout=Tin+a・q、またはTout=Tin+(a+b・s)qの形式において、係数a,bの温度依存性を関数、テーブル等により表現してもよい。例えば、表1は、筐体の内部温度Tinの温度範囲(境界値Ts1,Ts2,Ts3等)に対して、係数aの値がa,a,a等、係数bの値がb,b,b等と変化する例を示す。
Figure 2018044804
表1では、Tinに対する係数a,bの変化を考慮した場合について説明したが、熱流束qに対する係数a,bの変化を、関数、テーブル等により表現してもよい。また、(Tin,q)の組み合わせに対する係数a,bの変化を、関数、テーブル等により表現してもよい。
同様に、式(3)〜(4)を一般化すると、dおよびeを無次元(無単位)の定数として、Tout=d・Tin+e・T(ただし、TはTまたはT)の形式が考えられる。この場合、第1センサ(温度センサ)によりTinを測定し、第2センサ(温度センサ)によりTを測定することにより、周囲環境の温度を予測して算出することができる。計算によって定数d,eを導出してもよい。また、特定の(Tout,Tin)の組み合わせに対するTの値を複数の組み合わせについて測定し、最小二乗法などにより、実験的、統計的に定数d,eを求めてもよい。
上述した例の係数aと同様に、係数d,eを定数でなく、補正用センサの計測値sや、筐体の温度Tin、T等に依存するパラメータとして扱うことも可能である。この場合、s,Tin,T等に対する関数、テーブル等により、係数dまたはeの変化を表現することができる。
上記関数、テーブル等を用いた計算は、IC等の計算部により行うことができる。テーブル等の数値、条件等は、計算部とは別に設けた記憶部に保持させてもよい。定数または係数の数値は、デバイス(筐体、パッケージ等)の形状または素材、センサの位置等に応じて、設定的に決定してもよい。高精度を必要とする場合には、製造したデバイスごとに補正または校正を行うことも考えられる。必要に応じて、定数または係数の数値の修正を外部から信号等により入力することも可能である。
計算部は、必ずしもデバイス内のICに搭載される必要はなく、デバイスの出力を受けた筐体内の別の処理系で計算の一部または全部を行ってもよい。デバイスが外部との通信部を有する場合、計算部は、計算に必要なデータをデバイスから外部の処理系に送信し、外部の処理系において得られた計算結果を受信するための機能を有してもよい。デバイスは、筐体に対して取り付け可能に一体化されたパッケージ部品でもよく、筐体に対してセンサおよび計算部が別々に搭載された構成でもよく、筐体を含む機器であってもよい。
機器としては、スマートフォン、携帯電話、ウェアラブルデバイス、時計等の携帯可能な電子機器が挙げられるが、特にこれらに限定されない。
熱流束センサとしては、ペルチェ素子、サーモパイル等が挙げられる。
温度センサとしては、熱電対、サーミスタ、半導体ブリッジ等が挙げられる。
(第1実施形態)
図3に、第1実施形態のデバイスを模式的に示す。このデバイスは、基板11上に搭載されたIC12が、筐体を構成する成形部14の内部に設けられたパッケージ10である。成形部14の表層側には、熱流束センサ13として、例えばペルチェ素子が設けられている。基板11上には、配線12a,13aによりそれぞれIC12または熱流束センサ13と電気的に接続された配線(図示せず)が設けられている。成形部14は、例えば樹脂等の成形品であり、モールド(金型等)を用いた樹脂モールド(モールディング)等により構成することができる。
図4〜5のブロック図に示すように、IC12は、計算部15を含む。図4に示すように、温度センサ16がIC12に内蔵されてもよい。図5に示すように、温度センサ16がIC12の外部に外付けされてもよい。IC12の計算部15と温度センサ16との間を接続する配線16aは、基板11上に設けられてもよく、基板11外に設けられてもよい。
(第2実施形態)
図6に、第2実施形態のデバイスを模式的に示す。本実施形態では、第1実施形態のパッケージ10が、介在物22を介して外部筐体21に固定されている。外部筐体21には、熱流束センサ13の位置に開口部23を有する。これにより、熱流束センサ13を通って筐体の内部から外部に放出される熱19の伝達を、外気に開放された開口部23により向上させることができる。
本実施形態の場合、外部筐体21とパッケージ10とを合わせて筐体が構成されるが、開口部23からパッケージ10が外気に露出されるため、筐体中の熱伝導を考察する場合には、主にパッケージ10内の熱伝導を考慮すればよい。これにより、外部筐体21の仕様に対してパッケージ10の設計変更なしで対応することも可能である。
外部筐体21としては、例えば樹脂等の成形品が挙げられる。介在物22としては、接着剤やパッキン等が挙げられる。パッケージ10と外部筐体21との固定は、接着剤による接着、嵌合等による締め付け等が挙げられる。固定によるセンサへの影響を抑制するため、固定機構が主として成形部14に作用することが好ましい。筐体の内側には、IC12の出力信号をディスプレイ等の表示部(図示せず)に送信する信号線17や、IC12に電力を供給する電源線18が設けられてもよい。
(第3実施形態)
図7に、第3実施形態のデバイスを模式的に示す。本実施形態では、第2実施形態と同様に、第1実施形態のパッケージ10が、介在物25を介して外部筐体24に固定されているが、外部筐体24が熱伝導性の良い材質から構成されている。熱伝導性の良い材質としては、アルミニウム、銅等が挙げられる。外部筐体24には、熱流束センサ13を外気に向けて開放する開口部が設けられなくてもよい。
熱流束センサ13と外部筐体24との間で熱伝導性を確保するため、外部筐体24と熱流束センサ13との間の介在物25は、熱伝導シールや熱伝導グリス等、熱伝導性の良好な材料から構成されることが好ましい。熱伝導シールは、例えば熱伝導性粒子を含む粘着剤から構成することができる。熱伝導グリスとしては、例えば熱伝導性粒子を含むグリスが挙げられる。熱伝導性粒子としては、アルミニウム等の金属粒子や、アルミナ等の金属化合物粒子が挙げられる。
本実施形態の場合、外部筐体24、介在物25、パッケージ10を合わせて筐体が構成されるが、外部筐体24および介在物25の熱伝導率が大きいため、筐体中の熱伝導を考察する場合には、主にパッケージ10内の熱伝導を考慮すればよい。これにより、外部筐体24の仕様に対してパッケージ10の設計変更なしで対応することも可能である。
(第4実施形態)
図8に、第4実施形態のデバイスを模式的に示す。本実施形態のパッケージ30では、IC12の基板がリードフレーム31から構成され、熱流束センサ13がリードフレーム31の表層側に設けられている。この場合、例えば導電部32により熱流束センサ13をリードフレーム31に接続することができる。導電部32としては、導電性接着剤、半田、ワイヤーボンディングが挙げられる。
リードフレーム31の周囲において、IC12および熱流束センサ13の側面を覆うように成形部33が形成されている。成形部33は、例えば樹脂等の成形品であり、樹脂モールド等により構成することができる。熱流束センサ13の表面は、成形部33に覆われず、外部に露出されていると、外気との熱伝導性を確保しやすいので好ましい。
本実施形態のパッケージ30を筐体に組み込む構成は、例えば第1実施形態のパッケージ10を、第2〜第3実施形態の外部筐体21,24に組み込む構成と同様でもよい。
第1〜第4実施形態においては、IC12が計算部15と温度センサ16を内蔵した構成を採用することができる。この場合の電気接続例を、図9の模式的な回路図に示す。信号線17は、例えばIC間通信に用いられるIC方式においては、2本の信号線17a,17bが用いられる。電源線18は、ドレイン側電圧(VDD)に接続された電源線18aと、グラウンド(GND)に設置された電源線18bを有してもよい。
熱流束センサ13とIC12との間の接続は、+および−の2本を有してもよい。
(第5実施形態)
図10に、第5実施形態のデバイスを模式的に示す。基板11は、電子機器40の筐体41の内部に収容され、IC12は、基板11上に実装されている。筐体41の内面には、温度センサ16が設けられ、配線16aにより、基板11上の配線(図示せず)に接続されている。筐体41の外面には、熱流束センサ13が設けられ、配線13aにより、基板11上の配線(図示せず)に接続されている。
電子機器40としては、例えば腕時計、活動量計、スマートウォッチ等の腕時計型デバイス等が挙げられる。筐体41の表側には、文字盤などの表示部42が設けられている。筐体41の裏側は、人体に対する接触面43となっている。熱流束センサ13および温度センサ16は、接触面43の反対側で、表示部42側に設けられることが好ましい。配線13a,16aとしては、コード配線、フレキシブル配線板(FPC)、電気コネクタ、ピン等により構成することができる。補正用センサとして、例えば外気圧を測定するための圧力センサを筐体の内部に設ける場合には、圧力センサが外気に通じるように筐体に開口部を設けることが好ましい。
以上、本発明を好適な実施形態に基づいて説明してきたが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の改変が可能である。
温度センサと熱流束センサを用いる場合においては、温度センサの個数を1個または2個以上とすることができ、また、熱流束センサの個数を1個または2個以上とすることができる。第1センサおよび第2センサが温度センサである場合には、温度センサの個数を2個または3個以上とすることができる。
以下、実施例をもって本発明をより具体的に説明する。なお、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。
(実施例1)
実施例1は、第1実施形態のデバイスの実施例である。配線基板上に、温度センサを内蔵したICをダイボンドし、ICと配線との間にワイヤーボンディングを設ける。この配線基板にペルチェ素子を接続する。ICおよびペルチェ素子を一体にモールド成形することにより、周囲環境温度計測用のパッケージを形成する。パッケージ外部への電気接続のため、駆動用電源線と信号線とが設けられている。
各センサの出力は計算部に接続され、例えば上述した計算により、外気温を予測することが可能である。外気温の予測をする際、上述した補正用センサ(圧力センサ、湿度センサ、ガスセンサ、風量センサ等)の測定結果を用いて、外気温の予測値の補正を行ってもよい。予測された外気温は、例えば時計等の表示部に表示してもよい。
(実施例2)
実施例2は、第2実施形態のデバイスの実施例である。実施例1のパッケージを、例えばペルチェ素子が露出するように、開口部(孔)を設けた筐体に接着してもよい。筐体と支持部材との間にパッケージを挟み、筐体に対して支持部材をネジ止め等により固定してもよい。パッケージの設置箇所は、ペルチェ素子が大気(外気)と接触する配置にする必要がある。例えば、腕時計型筐体の場合は、人体近傍となる裏面にパッケージを設置することは望ましくなく、人体と接しない表側の面に設置することが望ましい。あるいは、時計のバンド部にパッケージを設置してもよい。日光等の電磁波による熱の影響を減らすため、周囲環境と接する面を金属光沢面としても良い。
(実施例3)
実施例3は、第3実施形態のデバイスの実施例である。実施例1のパッケージを、熱伝導の高いアルミニウム等から構成された筐体の内側に配置し、熱伝導の高い素材(シリコーングリスなど)でペルチェ素子と筐体とを熱的に接続してもよい。さらに、筐体と支持部材との間にパッケージを挟み、筐体に対して支持部材をネジ止め等により固定してもよい。
(実施例4)
実施例4は、第4実施形態のデバイスの実施例である。リードフレーム上にペルチェ素子を接着固定し、ペルチェ素子の熱起電力の出力を、導電性接着剤、半田、ワイヤーボンディング等により、リードフレームに接続する。リードフレームのペルチェ素子とは反対側の面上にICをダイボンドし、ワイヤーボンディングにより電気的接続を行う。さらにモールド成形を行うことにより、周囲環境温度計測用のパッケージを形成する。パッケージの設置方法、計算方法等は、実施例1〜3と同様にしてもよい。
(実施例5)
実施例5は、第5実施形態のデバイスの実施例である。筐体の表層にペルチェ素子を搭載し、筐体の裏面でペルチェ素子とは反対側の位置に温度センサを搭載する。この場合、周囲環境温度計測デバイスをパッケージ化することなく、筐体に直接設置することができる。温度センサとペルチェ素子との位置関係は、必ずしも近接させる必要はないが、近接していることが好ましい。計算方法等は、実施例1と同様にしてもよい。
1…周囲環境(外気)、2,41…筐体、2a…内部層、2b…外部層、10,30…パッケージ(デバイス)、11…基板、12…IC(計算部)、13…熱流束センサ(第2センサ)、14,33…成形部、15…計算部、16…温度センサ(第1センサ)、17,17a,17b…信号線、18,18a,18b…電源線、21,24…外部筐体、22,25…介在物、23…開口部、31…リードフレーム、40…電子機器(デバイス)、42…表示部。

Claims (5)

  1. 筐体の内部に配置される第1センサと、前記第1センサよりも前記筐体の表層側に配置される第2センサと、前記第1センサの計測結果および前記第2センサの計測結果をもとに、周囲環境の温度を予測して算出する計算部と、を備え、
    前記第1センサが温度センサであり、前記第2センサが熱流束センサであることを特徴とするデバイス。
  2. 筐体の内部に配置される第1センサと、前記第1センサよりも前記筐体の表層側に配置される第2センサと、前記第1センサの計測結果および前記第2センサの計測結果をもとに、周囲環境の温度を予測して算出する計算部と、を備え、
    前記第1センサおよび前記第2センサが温度センサであることを特徴とするデバイス。
  3. 前記デバイスは、さらに圧力センサを備え、
    前記計算部は、前記圧力センサの計測結果に基づき、前記周囲環境の温度に補正を加える機能を有することを特徴とする請求項1または2に記載のデバイス。
  4. 前記デバイスは、さらに湿度センサを備え、
    前記計算部は、前記湿度センサの計測結果に基づき、前記周囲環境の温度に補正を加える機能を有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のデバイス。
  5. 前記デバイスは、さらに筐体を備え、前記第1センサが、前記筐体の内部に配置されており、前記第2センサが、前記第1センサよりも前記筐体の表層側に配置されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のデバイス。
JP2016178209A 2016-09-13 2016-09-13 デバイス Pending JP2018044804A (ja)

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