JP2018042329A - Power supply controller - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress an electricity consumption of a power supply controller itself which is independent from a power consumption of a load.SOLUTION: A power supply controller comprises: a semiconductor latch circuit that maintains any one of a first state of disconnecting the supply of electric power to a load and a second state of supplying electric power to a load in a state in which the electric power is not supplied; a driving circuit that shifts the semiconductor latch circuit from the first state to the second state when detecting a magnetic force in a state in which the electric power is supplied; and a magnetic sensing switch that supplies the electric power to the driving circuit when the magnetic force is applied, and disconnects the electric power supply to the driving circuit when the magnetic force is not applied.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、電源制御装置に関する。   The present invention relates to a power supply control device.

ケースに封止された回路のオン−オフをケースの外部から操作する電源制御装置がある（例えば、特許文献１参照）。
［特許文献１］特表２０１０−５３７７７２号公報 There is a power supply control device that operates on / off of a circuit sealed in a case from the outside of the case (see, for example, Patent Document 1).
[Patent Document 1] Japanese Patent Publication No. 2010-537772

上記の特許文献１に記載の装置は、電源を負荷に接続した場合は、その状態を維持するためにホールＩＣに電力を供給し続ける。このため、負荷の消費電力とは別に、電源制御装置自体も電力を消費する。   When the power supply is connected to a load, the device described in Patent Document 1 continues to supply power to the Hall IC in order to maintain the state. For this reason, apart from the power consumption of the load, the power supply control device itself also consumes power.

本発明の一態様においては、負荷に対する電力の供給を遮断する第１の状態と、負荷に電力を供給する第２の状態とのいずれかを、電力が供給されていない状態で維持する半導体ラッチ回路と、電力を供給された状態で磁力を検出した場合に、半導体ラッチ回路を、第１の状態から第２の状態へ遷移させる駆動回路と、磁力が作用した場合に駆動回路に電力を供給し、磁力が作用しない場合に駆動回路への電力供給を遮断する磁気感応スイッチとを備える電源制御装置が提供される。   In one embodiment of the present invention, a semiconductor latch that maintains one of a first state in which power supply to a load is cut off and a second state in which power is supplied to the load in a state in which no power is supplied. A circuit, a drive circuit for transitioning the semiconductor latch circuit from the first state to the second state when the magnetic force is detected in a state where power is supplied, and a power supply to the drive circuit when the magnetic force acts A power supply control device is provided that includes a magnetically sensitive switch that cuts off the power supply to the drive circuit when no magnetic force is applied.

上記の発明の概要は、本発明の特徴の全てを列挙したものではない。これらの特徴群のサブコンビネーションも発明となり得る。   The above summary of the present invention does not enumerate all of the features of the present invention. A sub-combination of these feature groups can also be an invention.

電源制御装置１００の模式的な回路図である。2 is a schematic circuit diagram of a power supply control device 100. FIG. ホールＩＣチップ１３０の内部構造を示すブロック図である。3 is a block diagram showing an internal structure of the Hall IC chip 130. FIG. ホールＩＣチップ１３０に対する磁界の作用を説明する模式図である。4 is a schematic diagram for explaining the action of a magnetic field on the Hall IC chip 130. FIG. ホールＩＣチップ１３０の動作を説明するグラフである。5 is a graph for explaining the operation of the Hall IC chip 130. 電源制御装置１００の動作を示す表である。4 is a table showing the operation of the power supply control device 100.

以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明する。以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。   Hereinafter, the present invention will be described through embodiments of the invention. The following embodiments do not limit the invention according to the claims. Not all combinations of features described in the embodiments are essential for the solution of the invention.

図１は、電源制御装置１００の模式的な回路図である。電源制御装置１００は、電源１１０、ホールＩＣチップ１３０、およびリードスイッチ１４０を備える。   FIG. 1 is a schematic circuit diagram of the power supply control device 100. The power supply control device 100 includes a power supply 110, a Hall IC chip 130, and a reed switch 140.

電源１１０は、例えば電池であり、２次電池であってもよい。また、電源１１０は、スーパーキャパシタ等、他の電力蓄積素子であってもよい。   The power source 110 is a battery, for example, and may be a secondary battery. The power source 110 may be another power storage element such as a super capacitor.

ホールＩＣチップ１３０は、電源制御装置１００の高電圧側と低電圧側とに個別に接続される高電圧側端子および低電圧側端子と、出力端子およびＰＤＮ端子とを有する。出力端子は、磁界からの磁力がホールＩＣチップ１３０に作用した場合に、電源１１０の高電圧側または低電圧側のいずれかに結合されて、その状態を維持する。   Hall IC chip 130 has a high voltage side terminal and a low voltage side terminal individually connected to the high voltage side and the low voltage side of power supply control device 100, and an output terminal and a PDN terminal. When the magnetic force from the magnetic field acts on the Hall IC chip 130, the output terminal is coupled to either the high voltage side or the low voltage side of the power supply 110 and maintains its state.

ＰＤＮ端子は、加えられた電圧の状態に応じて、ホールＩＣチップ１３０自体と電源１１０とを結合または遮断する。例えば、ＰＤＮ端子への印加電圧がハイの場合、ホールＩＣチップ１３０の内部回路は電源１１０に結合され、ホールＩＣチップ１３０自体が動作可能な状態になる。よって、ホールＩＣチップ１３０は、磁界から作用する磁力の状態に応じて、出力端子の状態をローからハイまたはハイからローに遷移させ、次に遷移するまでその出力端子の状態を維持する。   The PDN terminal couples or cuts off the Hall IC chip 130 itself and the power supply 110 according to the state of the applied voltage. For example, when the voltage applied to the PDN terminal is high, the internal circuit of the Hall IC chip 130 is coupled to the power supply 110, and the Hall IC chip 130 itself becomes operable. Accordingly, the Hall IC chip 130 changes the state of the output terminal from low to high or from high to low according to the state of the magnetic force acting from the magnetic field, and maintains the state of the output terminal until the next transition.

ＰＤＮ端子への印加電圧がローの場合、ホールＩＣチップ１３０自体が電源１１０から遮断されて動作を停止する。このため、ホールＩＣチップ１３０の出力端子の状態は遷移しなくなる。また、ホールＩＣチップ１３０は、漏洩電流を含む一切の電力消費が無くなる。ただし、ＰＤＮ端子の印加電圧がローの場合も、ホールＩＣチップ１３０の出力端子の電圧は、直前の状態を維持する。   When the voltage applied to the PDN terminal is low, the Hall IC chip 130 is cut off from the power source 110 and stops operating. For this reason, the state of the output terminal of the Hall IC chip 130 does not change. Further, the Hall IC chip 130 does not consume any power including leakage current. However, even when the applied voltage at the PDN terminal is low, the voltage at the output terminal of the Hall IC chip 130 maintains the previous state.

このような機能を有するホールＩＣチップ１３０としては、例えば、旭化成株式会社が製造するモノリシック型集積回路（型番ＡＫ８７７２）を使用できる。また、ＮＶＥ社（米国）のＡＦＬ０００−１０型等の他のホールＩＣチップ１３０を用いてもよい。更に、株式会社村田製作所のＭＲＭＳ６０１Ａ型等をホール素子１３２として用いて、ホールＩＣチップ１３０に替わる回路を形成してもよい。   As the Hall IC chip 130 having such a function, for example, a monolithic integrated circuit (model number AK8772) manufactured by Asahi Kasei Corporation can be used. Further, another Hall IC chip 130 such as AFL000-10 type manufactured by NVE (USA) may be used. Further, an MRMS 601A type manufactured by Murata Manufacturing Co., Ltd. may be used as the Hall element 132 to form a circuit in place of the Hall IC chip 130.

電源制御装置１００において、ホールＩＣチップ１３０の高電圧側端子は電源１１０の高電圧側に、ホールＩＣチップ１３０の低電圧側端子は電源１１０の低電圧側に、それぞれ接続される。また、ホールＩＣチップ１３０の高電圧側端子および低電圧側端子の間には、バイパスコンデンサ１２０が電源１１０と並列に接続される。   In the power supply control device 100, the high voltage side terminal of the Hall IC chip 130 is connected to the high voltage side of the power supply 110, and the low voltage side terminal of the Hall IC chip 130 is connected to the low voltage side of the power supply 110. Further, a bypass capacitor 120 is connected in parallel with the power supply 110 between the high voltage side terminal and the low voltage side terminal of the Hall IC chip 130.

バイパスコンデンサ１２０は、ホールＩＣチップ１３０の動作により電源制御装置１００から負荷への電力供給が断続した場合に生じる電源電圧の変動を抑制する。バイパスコンデンサ１２０を省略しても、電源制御装置１００が負荷に対して電力供給を断続する機能は変わらないが、バイパスコンデンサ１２０を設けることにより、最終的に負荷に供給される電力が安定する。   The bypass capacitor 120 suppresses fluctuations in the power supply voltage that occur when power supply from the power supply control device 100 to the load is interrupted by the operation of the Hall IC chip 130. Even if the bypass capacitor 120 is omitted, the power control device 100 does not change the function of intermittently supplying power to the load. However, by providing the bypass capacitor 120, the power supplied to the load is finally stabilized.

また、電源制御装置１００において、ホールＩＣチップ１３０のＰＤＮ端子は、リードスイッチ１４０を介して電源１１０の高電圧側に接続される。リードスイッチ１４０は、重なり合う位置に隙間を空けて配された一対の磁性体金属板によるリード電極を有する。   In the power supply control device 100, the PDN terminal of the Hall IC chip 130 is connected to the high voltage side of the power supply 110 via the reed switch 140. The reed switch 140 has a lead electrode made up of a pair of magnetic metal plates arranged with a gap at an overlapping position.

ここで、リード電極の一方は電源１１０の高電圧側に結合される。リード電極の他方は、プルダウン抵抗１５０を介して基準電位に結合される。また、ホールＩＣチップ１３０のＰＤＮ端子は、リード電極の他方とプルダウン抵抗１５０との間に接続される。   Here, one of the lead electrodes is coupled to the high voltage side of the power source 110. The other of the lead electrodes is coupled to a reference potential via a pull-down resistor 150. The PDN terminal of the Hall IC chip 130 is connected between the other lead electrode and the pull-down resistor 150.

リードスイッチ１４０は、磁力が作用した場合に接続状態が変化する磁気感応スイッチの一例であり、本実施例では、電源制御装置１００の外部の磁界から磁力が作用した場合に、磁界の極性にかかわらず、磁化されたリード電極が互いに吸着しあって接触し、リードスイッチ１４０の両端を電気的に導通させる。これにより、図示の例では、電源１１０とプルダウン抵抗１５０とにより発生した制御電圧が、ホールＩＣチップ１３０のＰＤＮ端子に印加され、ホールＩＣチップ１３０がイネーブル状態になる。   The reed switch 140 is an example of a magnetically sensitive switch whose connection state changes when a magnetic force acts. In this embodiment, when the magnetic force acts from a magnetic field external to the power supply control device 100, the reed switch 140 depends on the polarity of the magnetic field. First, the magnetized lead electrodes are attracted and contacted with each other, and both ends of the reed switch 140 are electrically connected. Thereby, in the illustrated example, the control voltage generated by the power supply 110 and the pull-down resistor 150 is applied to the PDN terminal of the Hall IC chip 130, and the Hall IC chip 130 is enabled.

また、リードスイッチ１４０に作用する磁力が消滅した場合、一対のリード電極は金属板としての弾性により互いに離れ、リードスイッチ１４０による電気的な導通は切断される。これにより、ホールＩＣチップ１３０はディスエーブル状態になる。よって、ホールＩＣチップ１３０の出力端子の状態は遷移しなくなるが、出力端子の直前の状態は、リードスイッチ１４０が遮断された後も維持される。   When the magnetic force acting on the reed switch 140 is extinguished, the pair of lead electrodes are separated from each other by elasticity as a metal plate, and electrical conduction by the reed switch 140 is cut off. As a result, the Hall IC chip 130 is disabled. Therefore, the state of the output terminal of the Hall IC chip 130 does not change, but the state immediately before the output terminal is maintained even after the reed switch 140 is shut off.

更に、電源制御装置１００において、ホールＩＣチップ１３０の出力端子は、電流増幅素子１６０の制御端子に接続される。電流増幅素子１６０の一端は、電源１１０の高電圧側に接続され、電流増幅素子１６０の他端は、基準電圧側、例えば接地に接続される。更に、電流増幅素子１６０の他端と基準電圧との間には、電源制御装置１００により制御された電力の供給を受ける負荷が接続される。   Further, in the power supply control device 100, the output terminal of the Hall IC chip 130 is connected to the control terminal of the current amplification element 160. One end of the current amplifying element 160 is connected to the high voltage side of the power supply 110, and the other end of the current amplifying element 160 is connected to the reference voltage side, for example, ground. Furthermore, a load that receives supply of electric power controlled by the power supply control device 100 is connected between the other end of the current amplifying element 160 and the reference voltage.

電流増幅素子１６０は、制御端子の電圧が予め定めた閾値電圧を超えた場合に、両端を導通させるスイッチ素子として動作する。図示の例では、電流増幅素子１６０として電界効果トランジスタが用いられ、ゲート電極Ｇの電圧が閾値を超えるか否かに応じて、ドレインおよびソースの間を導通または遮断する。電流増幅素子１６０としては、バイポーラトランジスタを用いてもよい。また、負荷の消費電力が小さい場合は、電流増幅素子１６０を省略してもよい。   The current amplifying element 160 operates as a switch element that conducts both ends when the voltage at the control terminal exceeds a predetermined threshold voltage. In the illustrated example, a field effect transistor is used as the current amplifying element 160, and the drain and the source are conducted or cut off depending on whether or not the voltage of the gate electrode G exceeds a threshold value. As the current amplification element 160, a bipolar transistor may be used. Further, when the power consumption of the load is small, the current amplifying element 160 may be omitted.

よって、電流増幅素子１６０の制御端子に、ホールＩＣチップ１３０の出力端子から予め定めた閾値電圧以上の電圧が印加された場合、電流増幅素子１６０のドレイン・ソース間で導通し、電源１１０から供給される電力が負荷にも供給される。また、ホールＩＣチップ１３０の出力端子から電流増幅素子１６０の制御端子に加えられる電圧が上記閾値電圧よりも低くなった場合は、電流増幅素子１６０のドレイン・ソース間が遮断され、電源１１０から負荷への電力供給も絶たれる。   Therefore, when a voltage equal to or higher than a predetermined threshold voltage is applied to the control terminal of the current amplification element 160 from the output terminal of the Hall IC chip 130, the current amplification element 160 conducts between the drain and source and is supplied from the power supply 110. Power is also supplied to the load. Further, when the voltage applied from the output terminal of the Hall IC chip 130 to the control terminal of the current amplifying element 160 becomes lower than the threshold voltage, the drain and source of the current amplifying element 160 are disconnected, and the load from the power supply 110 is reduced. The power supply to will be cut off.

図２は、電源制御装置１００で用いたホールＩＣチップ１３０の構造を模式的に示すブロック図である。ホールＩＣチップ１３０は、パワーダウンスイッチ１３１、ホール素子１３２、チョッパスイッチ回路１３３、増幅器１３４、シュミットトリガ回路１３５、およびラッチ回路１３６と、一対の制御素子１３７、１３８を含む出力段とを有するモノリシック回路である。   FIG. 2 is a block diagram schematically showing the structure of the Hall IC chip 130 used in the power supply control device 100. The Hall IC chip 130 is a monolithic circuit having a power down switch 131, a Hall element 132, a chopper switch circuit 133, an amplifier 134, a Schmitt trigger circuit 135, a latch circuit 136, and an output stage including a pair of control elements 137 and 138. It is.

パワーダウンスイッチ１３１は、ＰＤＮ端子に接続され、ＰＤＮ端子に印加される制御電圧に応じて、電源１１０から供給される電源電圧ＶＤＤを、ホールＩＣチップ１３０全体に接続するか否かを選択する。ＰＤＮ端子に印加される制御電圧がローの場合、パワーダウンスイッチ１３１はオフになり、ホールＩＣチップ１３０の各要素が電圧源ＶＤＤから遮断される。これにより、各回路が動作しなくなるので、ホールＩＣチップ１３０による電力消費も完全に抑制される。ただし、ラッチ回路として、電力の供給を絶たれた状態であっても、出力の状態は維持され続ける。ＰＤＮ端子に印加される制御電圧がハイの場合、パワーダウンスイッチ１３１はオンになり、ホールＩＣチップ１３０の各回路がイネーブル状態になる。 The power down switch 131 is connected to the PDN terminal, and selects whether or not to connect the power supply voltage V DD supplied from the power supply 110 to the entire Hall IC chip 130 according to the control voltage applied to the PDN terminal. . When the control voltage applied to the PDN terminal is low, the power down switch 131 is turned off, and each element of the Hall IC chip 130 is disconnected from the voltage source V DD . As a result, each circuit does not operate, and thus power consumption by the Hall IC chip 130 is completely suppressed. However, as a latch circuit, the output state continues to be maintained even when power supply is cut off. When the control voltage applied to the PDN terminal is high, the power down switch 131 is turned on, and each circuit of the Hall IC chip 130 is enabled.

パワーダウンスイッチ１３１が、ホールＩＣチップ１３０を電圧源ＶＤＤに電気的に結合している場合、ホール素子１３２は、電流に直交する磁場から磁力が作用すると、電流および磁場の両方に直交する方向に起電力を生じる。よって、ホール素子１３２の出力電圧の変化により、磁場を電気的に検出できる。 When the power down switch 131 electrically couples the Hall IC chip 130 to the voltage source V DD , the Hall element 132 has a direction orthogonal to both the current and the magnetic field when a magnetic force is applied from a magnetic field orthogonal to the current. Produces an electromotive force. Therefore, the magnetic field can be electrically detected by the change in the output voltage of the Hall element 132.

チョッパスイッチ回路１３３および増幅器１３４は、シュミットトリガ回路１３５とも共通のタイミング信号により同期して動作する。チョッパスイッチ回路１３３は、ホール素子１３２の駆動切り替えスイッチであり、上記タイミング信号に基づくチッピングによりホール素子１３２のオフセットを補正してノイズを軽減する。増幅器１３４は、ホール素子１３２の出力電圧を増幅した駆動電圧を、シュミットトリガ回路に出力する。   The chopper switch circuit 133 and the amplifier 134 operate in synchronization with the Schmitt trigger circuit 135 by a common timing signal. The chopper switch circuit 133 is a drive changeover switch for the Hall element 132 and corrects an offset of the Hall element 132 by chipping based on the timing signal to reduce noise. The amplifier 134 outputs a drive voltage obtained by amplifying the output voltage of the Hall element 132 to the Schmitt trigger circuit.

シュミットトリガ回路１３５は、増幅器１３４が出力した駆動電圧と、予め設定された閾値とを比較して、出力電圧が予め定めた閾値を超えた場合に、ラッチ回路１３６が保持する出力状態を遷移させる。   The Schmitt trigger circuit 135 compares the drive voltage output from the amplifier 134 with a preset threshold value, and transitions the output state held by the latch circuit 136 when the output voltage exceeds a predetermined threshold value. .

シュミットトリガ回路１３５は、入力電圧を閾値と比較して、比較結果に応じて、ハイまたはローのいずれかの電圧を出力する。ただし、シュミットトリガ回路１３５は、出力電圧がハイからローに遷移する場合の閾値と、出力電圧がローからハイに遷移する場合の閾値との２つの閾値を有する。このため、入力電圧の僅かな揺らぎでは出力電圧を遷移させないヒステリシスを有する。また、次に閾値を超える入力電圧の変化が生じるまでの間は、出力電圧を維持し続けるラッチとしても機能する。   The Schmitt trigger circuit 135 compares the input voltage with a threshold value, and outputs either high or low voltage according to the comparison result. However, the Schmitt trigger circuit 135 has two threshold values: a threshold value when the output voltage transitions from high to low, and a threshold value when the output voltage transitions from low to high. For this reason, there is a hysteresis that does not cause the output voltage to transition when the input voltage slightly fluctuates. Also, it functions as a latch that continues to maintain the output voltage until the next change in input voltage exceeding the threshold value occurs.

ラッチ回路１３６は、シュミットトリガ回路１３５によるハイまたはローの出力電圧を維持する機能を有する。この機能は、電源１１０から供給される電源電圧ＶＤＤに依存しないので、パワーダウンスイッチ１３１により電力が供給されていない場合であっても、ラッチ回路１３６の出力は維持される。 The latch circuit 136 has a function of maintaining a high or low output voltage by the Schmitt trigger circuit 135. Since this function does not depend on the power supply voltage V DD supplied from the power supply 110, the output of the latch circuit 136 is maintained even when power is not supplied by the power down switch 131.

出力段を形成する制御素子１３７、１３８は、ホールＩＣチップ１３０の出力端子に対して高電圧側と低電圧側とに配され、それぞれ、ラッチ回路１３６の出力を制御端子に受ける。図示の例では、制御素子１３７、１３８として電界効果トランジスタが用いられ、ＣＭＯＳ出力を形成している。   The control elements 137 and 138 forming the output stage are arranged on the high voltage side and the low voltage side with respect to the output terminal of the Hall IC chip 130, and receive the output of the latch circuit 136 at the control terminal, respectively. In the illustrated example, field effect transistors are used as the control elements 137 and 138 to form a CMOS output.

上記出力段において、高電圧側の制御素子１３７の一端は、電源１１０の高電圧側ＶＤＤに直結している。また、低電圧側の制御素子１３８の一端は、電源１１０の低電圧側ＶＳＳに直結している。ホールＩＣチップ１３０の出力端子は、制御素子１３７および制御素子１３８の他端の間に結合される。これにより、ホールＩＣチップ１３０の出力端子は、パワーダウンスイッチ１３１によりホールＩＣチップ１３０内部への電力供給が遮断されている場合であっても、ホールＩＣチップ１３０の出力状態が維持し続ける。 In the output stage, one end of the control element 137 on the high voltage side is directly connected to the high voltage side V DD of the power supply 110. One end of the control element 138 of the low voltage side is directly connected to the low voltage side V SS power supply 110. The output terminal of the Hall IC chip 130 is coupled between the control element 137 and the other end of the control element 138. As a result, the output terminal of the Hall IC chip 130 continues to maintain the output state of the Hall IC chip 130 even when the power supply to the Hall IC chip 130 is interrupted by the power down switch 131.

図３は、上記のようなホールＩＣチップ１３０に磁界を作用させる方法を模式的に示す図である。ホールＩＣチップ１３０は板状のチップ形状を有し、接続パッド等により表裏が判別できる形態を有する。   FIG. 3 is a diagram schematically showing a method of applying a magnetic field to the Hall IC chip 130 as described above. The Hall IC chip 130 has a plate-like chip shape and has a form in which the front and back sides can be discriminated by connection pads or the like.

ホールＩＣチップ１３０には、例えば、磁石１７０により発生した磁界により磁力を作用させることができる。ここで、ホールＩＣチップ１３０のホール素子１３２は、予め定められた方向、例えば、図中でチップの上側がＳ極、下側がＮ極になる方向の磁界を、ホールＩＣチップ１３０の一対の広い平坦な面に対して直交する方向に作用させた場合に磁界を検出する。   For example, a magnetic force can be applied to the Hall IC chip 130 by a magnetic field generated by the magnet 170. Here, the Hall element 132 of the Hall IC chip 130 generates a magnetic field in a predetermined direction, for example, a magnetic field in a direction in which the upper side of the chip is the S pole and the lower side is the N pole in the figure. A magnetic field is detected when acting in a direction perpendicular to a flat surface.

図４は、磁界の発生または消失と、極性の反転とを検出した場合のホールＩＣチップ１３０の動作を説明するグラフである。パワーダウンスイッチ１３１がオンでホールＩＣチップ１３０がイネーブルであって、ホールＩＣチップ１３０に作用する磁界の磁束密度が上昇してシュミットトリガ回路１３５がオンになる閾値を超えた場合、ホールＩＣチップ１３０の出力電圧がローからハイに遷移する。   FIG. 4 is a graph for explaining the operation of the Hall IC chip 130 when the occurrence or disappearance of a magnetic field and the reversal of polarity are detected. When the power down switch 131 is turned on and the Hall IC chip 130 is enabled, and the magnetic flux density of the magnetic field acting on the Hall IC chip 130 increases and exceeds the threshold value at which the Schmitt trigger circuit 135 is turned on, the Hall IC chip 130 is turned on. Output voltage transitions from low to high.

ハイに遷移したホールＩＣチップ１３０の出力の状態は、シュミットトリガ回路１３５の出力が次に遷移するまで、パワーダウンスイッチ１３１のオンオフにかかわらず、ラッチ回路１３６により維持される。よって、電源制御装置１００においてホールＩＣチップ１３０の出力を制御端子に受ける電流増幅素子１６０は導通し続け、電源１１０から負荷への電力供給が継続される。   The output state of the Hall IC chip 130 that has transitioned to high is maintained by the latch circuit 136 regardless of whether the power down switch 131 is on or off until the output of the Schmitt trigger circuit 135 transitions to the next time. Therefore, the current amplifying element 160 that receives the output of the Hall IC chip 130 at the control terminal in the power supply control device 100 continues to conduct, and the power supply from the power supply 110 to the load is continued.

また、パワーダウンスイッチ１３１がオンでホールＩＣチップ１３０がイネーブルであって、ホールＩＣチップ１３０に作用する逆極性の磁界の磁束密度がオフの閾値を超えた場合は、ホールＩＣチップ１３０の出力電圧がハイからローに遷移する。ローに遷移したホールＩＣチップ１３０の出力の状態は、シュミットトリガ回路１３５の出力が次に遷移するまで、パワーダウンスイッチ１３１のオンオフにかかわらず、ラッチ回路１３６により維持される。よって、電源制御装置１００の電流増幅素子１６０は、電源１１０から負荷への電力供給を遮断し続ける。   When the power down switch 131 is on and the Hall IC chip 130 is enabled, and the magnetic flux density of the reverse polarity magnetic field acting on the Hall IC chip 130 exceeds the off threshold, the output voltage of the Hall IC chip 130 is Transitions from high to low. The state of the output of the Hall IC chip 130 that has transitioned to low is maintained by the latch circuit 136 regardless of whether the power down switch 131 is on or off until the output of the Schmitt trigger circuit 135 transitions to the next. Therefore, the current amplification element 160 of the power supply control device 100 continues to cut off the power supply from the power supply 110 to the load.

上記の一連の動作において、ホール素子１３２による磁力の検出、および、シュミットトリガ回路１３５における出力電圧の遷移は、パワーダウンスイッチ１３１がオンであって、ホールＩＣチップ１３０がイネーブルな状態に限って動作する。これに対して、ラッチ回路１３６は、パワーダウンスイッチ１３１のオンオフにかかわらず、ハイまたはローの出力状態を維持し続ける。   In the above series of operations, the detection of the magnetic force by the Hall element 132 and the transition of the output voltage in the Schmitt trigger circuit 135 are performed only when the power down switch 131 is on and the Hall IC chip 130 is enabled. To do. On the other hand, the latch circuit 136 continues to maintain the high or low output state regardless of whether the power down switch 131 is on or off.

図５は、電源制御装置１００全体の動作状態を示す表である。同図の（Ａ）段に示すように、電源制御装置１００の初期状態において、ホールＩＣチップ１３０の出力は、例えばローにセットされ、電源１１０から負荷への電力供給はない。   FIG. 5 is a table showing the operation state of the power supply control device 100 as a whole. As shown in the (A) stage of the figure, in the initial state of the power supply control device 100, the output of the Hall IC chip 130 is set to low, for example, and no power is supplied from the power supply 110 to the load.

なお、初期状態において、電源制御装置１００に作用する磁界はなく、リードスイッチ１４０もオフである。このため、ホールＩＣチップ１３０のＰＤＮ端子にかかる制御電圧はローで、ホールＩＣチップ１３０のパワーダウンスイッチ１３１はオフになっている。よって、ホールＩＣチップ１３０の内部回路は電源１１０から遮断されてディスエーブル状態であり、電子回路に不可避な漏洩電流以外に電力を消費しない。従って、出力端子の状態を維持するために電力を供給し続ける場合に比較して、ホールＩＣチップ１３０の消費電力を数十分の一から百分の一程度に抑制できる。   In the initial state, there is no magnetic field acting on the power supply control device 100, and the reed switch 140 is also off. For this reason, the control voltage applied to the PDN terminal of the Hall IC chip 130 is low, and the power-down switch 131 of the Hall IC chip 130 is off. Therefore, the internal circuit of the Hall IC chip 130 is disconnected from the power source 110 and is in a disabled state, and does not consume power other than the leakage current that is unavoidable for the electronic circuit. Therefore, the power consumption of the Hall IC chip 130 can be suppressed to several tenths to one-hundred compared with the case where power is continuously supplied to maintain the state of the output terminals.

図５の（Ｂ）段は、電源制御装置１００が負荷に電力を供給していない元の状態からの動作を示す。当初の状態では、電源制御装置１００に作用する磁界はなく、リードスイッチ１４０もオフである。このため、ホールＩＣチップ１３０のＰＤＮ端子にかかる制御電圧はローで、ホールＩＣチップ１３０のパワーダウンスイッチ１３１はオフになっている。よって、（Ａ）段に示した初期状態と同様に、ホールＩＣチップ１３０の内部回路は電源１１０から遮断されてディスエーブル状態であり、電子回路に不可避な漏洩電流以外に電力を消費しない。   The (B) stage of FIG. 5 shows the operation | movement from the original state in which the power supply control apparatus 100 is not supplying electric power to load. In the initial state, there is no magnetic field acting on the power supply control device 100, and the reed switch 140 is also off. For this reason, the control voltage applied to the PDN terminal of the Hall IC chip 130 is low, and the power-down switch 131 of the Hall IC chip 130 is off. Therefore, as in the initial state shown in the stage (A), the internal circuit of the Hall IC chip 130 is disconnected from the power source 110 and is in a disabled state, and does not consume power other than the leakage current unavoidable in the electronic circuit.

ここで、図２に示したように、電源制御装置１００に磁石１７０を近づけて、有効な極性を有する有効磁界をホールＩＣチップ１３０に作用させると、まず、磁界の磁力によりリードスイッチ１４０がオンになる。これにより、ホールＩＣチップ１３０のＰＤＮ端子の制御電圧がハイになり、ホールＩＣチップ１３０がイネーブルになる。   Here, as shown in FIG. 2, when the magnet 170 is brought close to the power supply control device 100 and an effective magnetic field having an effective polarity is applied to the Hall IC chip 130, first, the reed switch 140 is turned on by the magnetic force of the magnetic field. become. As a result, the control voltage of the PDN terminal of the Hall IC chip 130 becomes high, and the Hall IC chip 130 is enabled.

更に、イネーブルになったホールＩＣチップ１３０のホール素子１３２が磁力を検出してシュミットトリガ回路１３５への入力電圧が閾値を超えると、ホールＩＣチップ１３０の出力端子の電圧がハイレベルに遷移する。これにより、電源制御装置１００においては電流増幅素子１６０が導通し、電源１１０から負荷への電力供給が開始される。   Further, when the Hall element 132 of the enabled Hall IC chip 130 detects the magnetic force and the input voltage to the Schmitt trigger circuit 135 exceeds the threshold value, the voltage at the output terminal of the Hall IC chip 130 transitions to a high level. Thereby, in the power supply control device 100, the current amplifying element 160 is turned on, and power supply from the power supply 110 to the load is started.

その後、磁石１７０を遠ざけて電源制御装置１００に作用する磁界を除去すると、リードスイッチ１４０がオフになるので、ホールＩＣチップ１３０のＰＤＮ端子の制御電圧がローになり、ホールＩＣチップ１３０はディスエーブルになる。よって、（Ａ）段に示した初期状態と同様に、ホールＩＣチップ１３０の内部回路は電源１１０から遮断されてディスエーブル状態であり、電子回路に不可避な漏洩電流以外に電力を消費しない。しかしながら、ホールＩＣチップ１３０の出力端子の端子電圧はハイレベルに維持され、電源１１０から負荷への電力供給は継続される。   After that, when the magnetic field acting on the power supply control device 100 is removed by moving the magnet 170 away, the reed switch 140 is turned off, so that the control voltage of the PDN terminal of the Hall IC chip 130 becomes low and the Hall IC chip 130 is disabled. become. Therefore, as in the initial state shown in the stage (A), the internal circuit of the Hall IC chip 130 is disconnected from the power source 110 and is in a disabled state, and does not consume power other than the leakage current unavoidable in the electronic circuit. However, the terminal voltage of the output terminal of the Hall IC chip 130 is maintained at a high level, and power supply from the power source 110 to the load is continued.

図５の（Ｃ）段は、電源制御装置１００が負荷に電力を供給している元の状態からの動作を示す。当初の状態では、電源制御装置１００に作用する磁界はなく、リードスイッチ１４０もオフである。このため、ホールＩＣチップ１３０のＰＤＮ端子にかかる制御電圧はローで、ホールＩＣチップ１３０のパワーダウンスイッチ１３１はオフになっている。よって、（Ａ）段に示した初期状態と同様に、ホールＩＣチップ１３０の内部回路は電源１１０から遮断されてディスエーブル状態であり、電子回路に不可避な漏洩電流以外に電力を消費しない。しかしながら、ホールＩＣチップ１３０の出力電圧は、ラッチ回路１３６によりハイレベルに維持されているので、電源１１０から負荷への電力供給を維持されている。   The (C) stage of FIG. 5 shows the operation | movement from the original state in which the power supply control apparatus 100 is supplying electric power to load. In the initial state, there is no magnetic field acting on the power supply control device 100, and the reed switch 140 is also off. For this reason, the control voltage applied to the PDN terminal of the Hall IC chip 130 is low, and the power-down switch 131 of the Hall IC chip 130 is off. Therefore, as in the initial state shown in the stage (A), the internal circuit of the Hall IC chip 130 is disconnected from the power source 110 and is in a disabled state, and does not consume power other than the leakage current unavoidable in the electronic circuit. However, since the output voltage of the Hall IC chip 130 is maintained at a high level by the latch circuit 136, power supply from the power supply 110 to the load is maintained.

次に、電源制御装置１００に極性を反転させた磁石１７０を近づけて、ホールＩＣチップ１３０に他の有効磁界を作用させると、まず、磁界の磁力によりリードスイッチ１４０がオンになる。これにより、ホールＩＣチップ１３０のＰＤＮ端子の制御電圧がハイになり、ホールＩＣチップ１３０がイネーブルになる。   Next, when the magnet 170 whose polarity is reversed is brought close to the power supply control device 100 and another effective magnetic field is applied to the Hall IC chip 130, first, the reed switch 140 is turned on by the magnetic force of the magnetic field. As a result, the control voltage of the PDN terminal of the Hall IC chip 130 becomes high, and the Hall IC chip 130 is enabled.

イネーブルになったホールＩＣチップ１３０のホール素子１３２が磁力を検出すると、シュミットトリガ回路１３５の出力が遷移して、ホールＩＣチップ１３０の出力電圧がハイレベルからローレベルに遷移する。これにより、電流増幅素子１６０による導通が遮断され、電源１１０から負荷への電力供給が停止される。   When the Hall element 132 of the enabled Hall IC chip 130 detects a magnetic force, the output of the Schmitt trigger circuit 135 transitions, and the output voltage of the Hall IC chip 130 transitions from a high level to a low level. Thereby, the conduction by the current amplifying element 160 is cut off, and the power supply from the power source 110 to the load is stopped.

その後、電源制御装置１００から磁石１７０を遠ざけて、磁界が作用しない状態にする。これにより、リードスイッチ１４０がオフになるので、ホールＩＣチップ１３０のＰＤＮ端子の制御電圧がローになり、ホールＩＣチップ１３０はディスエーブルになる。よって、ホールＩＣチップ１３０は、電力を殆ど消費しなくなる。しかしながら、ホールＩＣチップ１３０のラッチ回路１３６が、ローになった出力電圧を維持するので、電流増幅素子１６０の導通も維持され、電源１１０から負荷への電力供給は遮断されたままになる。   Thereafter, the magnet 170 is moved away from the power supply control device 100 so that the magnetic field does not act. As a result, the reed switch 140 is turned off, so that the control voltage of the PDN terminal of the Hall IC chip 130 becomes low, and the Hall IC chip 130 is disabled. Therefore, the Hall IC chip 130 consumes little power. However, since the latch circuit 136 of the Hall IC chip 130 maintains the low output voltage, the conduction of the current amplifying element 160 is also maintained, and the power supply from the power supply 110 to the load remains cut off.

このように、電源制御装置１００は、直接に接触して機械的な操作をすることなく、負荷に対する電力の供給を断続できる。また、電源制御装置１００は、負荷に対する電力の供給または遮断を遷移させるホールＩＣチップ１３０自体に対して、出力状態が遷移する期間に限って電力を供給する。これにより、負荷に対する電力供給が遷移しない期間は、ホールＩＣチップ１３０への電力供給が遮断され、電源１１０の限られた電力を、本来の負荷に供給できる。   In this way, the power supply control device 100 can intermittently supply power to the load without direct contact and mechanical operation. In addition, the power supply control device 100 supplies power to the Hall IC chip 130 itself that changes the supply or cut-off of the power to the load only during the period in which the output state changes. As a result, during the period when the power supply to the load does not transition, the power supply to the Hall IC chip 130 is cut off, and the limited power of the power source 110 can be supplied to the original load.

なお、上記の例では、イネーブルになったホールＩＣチップ１３０の出力電圧を遷移させる場合に、極性に応じて磁界が有効である場合と有効ではない場合とがあることを記載した。しかしながら、ホールＩＣチップ１３０は、作用させた磁界の極性に関わりなく出力電圧を遷移させる構成にすることもできる。また、電源制御装置１００は、負荷に対する電力の供給を一度開始したら、電源１１０の電力を使い切るまで電力の供給を継続する仕様にすることもできる。   In the above example, it has been described that when transitioning the output voltage of the enabled Hall IC chip 130, the magnetic field may or may not be effective depending on the polarity. However, the Hall IC chip 130 can also be configured to transition the output voltage regardless of the polarity of the applied magnetic field. In addition, once the power supply control device 100 starts supplying power to the load, the power supply control device 100 can be configured to continue supplying power until the power of the power supply 110 is used up.

以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は、上記の実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加え得ることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。   As mentioned above, although this invention was demonstrated using embodiment, the technical scope of this invention is not limited to the range as described in said embodiment. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications or improvements can be added to the above-described embodiment. It is apparent from the scope of the claims that the embodiments added with such changes or improvements can be included in the technical scope of the present invention.

特許請求の範囲、明細書、および図面に示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示していない限り、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現し得ることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面に記載した動作フローに関して、便宜上「まず」、「次に」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。   The execution order of each process such as operations, procedures, steps, and stages in the apparatus, system, program, and method shown in the claims, the description, and the drawings is particularly “before” or “prior”. It should be noted that unless otherwise specified, and unless the output of the previous process is used in the subsequent process, it can be implemented in any order. Even if the operation flow described in the claims, the specification, and the drawings is described using “first”, “next”, etc. for the sake of convenience, it means that it is essential to carry out in this order. is not.

１００ 電源制御装置、１１０ 電源、１２０ バイパスコンデンサ、１３０ ホールＩＣチップ、１３１ パワーダウンスイッチ、１３２ ホール素子、１３３ チョッパスイッチ回路、１３４ 増幅器、１３５ シュミットトリガ回路、１３６ ラッチ回路、１３７、１３８ 制御素子、１４０ リードスイッチ、１５０ プルダウン抵抗、１６０ 電流増幅素子、１７０ 磁石 100 power supply control device, 110 power supply, 120 bypass capacitor, 130 Hall IC chip, 131 power down switch, 132 Hall element, 133 chopper switch circuit, 134 amplifier, 135 Schmitt trigger circuit, 136 latch circuit, 137, 138 control element, 140 Reed switch, 150 pull-down resistor, 160 current amplification element, 170 magnet

Claims (8)

負荷に対する電力の供給を遮断する第１の状態と、前記負荷に電力を供給する第２の状態とのいずれかを、電力が供給されていない状態で維持する半導体ラッチ回路と、
電力を供給された状態で磁力を検出した場合に、前記半導体ラッチ回路を、前記第１の状態から前記第２の状態へ遷移させる駆動回路と、
磁力が作用した場合に前記駆動回路に電力を供給し、磁力が作用しない場合に前記駆動回路への電力供給を遮断する磁気感応スイッチと
を備える電源制御装置。 A semiconductor latch circuit that maintains any one of a first state in which power supply to the load is cut off and a second state in which power is supplied to the load in a state in which no power is supplied;
A drive circuit that transitions the semiconductor latch circuit from the first state to the second state when a magnetic force is detected in a state where power is supplied;
A power supply control device comprising: a magnetically sensitive switch that supplies electric power to the drive circuit when a magnetic force acts, and cuts off power supply to the drive circuit when no magnetic force acts. 前記駆動回路は、電力を供給された状態で磁力を検出する毎に、前記半導体ラッチ回路の状態を遷移させる請求項１に記載の電源制御装置。   2. The power supply control device according to claim 1, wherein the drive circuit changes the state of the semiconductor latch circuit every time it detects a magnetic force in a state where power is supplied. 前記駆動回路は、電力を供給された状態で、予め定められた第１の極性の磁力を検出した場合に、前記半導体ラッチ回路を前記第１の状態から前記第２の状態に遷移させ、前記第１の極性と異なる第２の極性の磁力を検出した場合に、前記半導体ラッチ回路を前記第２の状態から前記第１の状態に遷移させる請求項１に記載の電源制御装置。   When the driving circuit detects a magnetic force having a predetermined first polarity in a state where power is supplied, the driving circuit shifts the semiconductor latch circuit from the first state to the second state, and 2. The power supply control device according to claim 1, wherein, when a magnetic force having a second polarity different from the first polarity is detected, the semiconductor latch circuit is shifted from the second state to the first state. 前記負荷への電力供給を断続する制御素子を更に備え、
前記半導体ラッチ回路は、前記制御素子の制御端子に加える制御電圧を維持することにより前記第１の状態および前記第２の状態のいずれか一方を維持する請求項１から３のいずれか一項に記載の電源制御装置。 A control element for intermittently supplying power to the load;
4. The semiconductor latch circuit according to claim 1, wherein the semiconductor latch circuit maintains one of the first state and the second state by maintaining a control voltage applied to a control terminal of the control element. 5. The power supply control device described. 前記駆動回路は、磁力を検出した場合に出力電圧を変化させるホール素子を有する請求項１から４のいずれか一項に記載の電源制御装置。   The power supply control device according to any one of claims 1 to 4, wherein the drive circuit includes a Hall element that changes an output voltage when a magnetic force is detected. 前記負荷および前記駆動回路に共通に電力を供給する電池を更に備える請求項１から５のいずれか一項に記載の電源制御装置。   The power supply control device according to any one of claims 1 to 5, further comprising a battery that supplies power to the load and the drive circuit in common. 前記半導体ラッチ回路、前記駆動回路、および前記磁気感応スイッチは、気密に封止された共通のケースに収容される請求項１から６のいずれか一項に記載の電源制御装置。   The power supply control device according to any one of claims 1 to 6, wherein the semiconductor latch circuit, the drive circuit, and the magnetically sensitive switch are accommodated in a common case that is hermetically sealed. 前記駆動回路および前記磁気感応スイッチは、互いに磁気的に遮蔽されている請求項１から７のいずれか一項に記載の電源制御装置。   The power supply control device according to claim 1, wherein the drive circuit and the magnetically sensitive switch are magnetically shielded from each other.
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Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000174254A (en) * 1998-12-07 2000-06-23 Sharp Corp Semiconductor integrated circuit for magnetic detection
JP4786608B2 (en) * 2007-07-30 2011-10-05 パナソニック株式会社 Magnetic field detector
US7834725B2 (en) * 2007-09-05 2010-11-16 The Smartpill Corporation Magnetic activation and deactivation circuit and system

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020177291A (en) * 2019-04-15 2020-10-29 株式会社シブタニ Reservation information transmitter
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