JP2018041968A - Wafer chuck support tool - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wafer chuck and a wafer chuck support tool, which suppresses excess adhesion caused by a capillary action and which do not require reduction in a wafer chuck diameter with respect to a wafer diameter.SOLUTION: A wafer chuck comprises: a suction surface 200 for sucking a semiconductor wafer and a groove part formed on a whole circumference of the suction surface along an outer edge. The groove part includes a side wall part 103. A side wall part has a top edge and a bottom edge which are located and formed in a direction away from the semiconductor wafer rather than the suction surface. The side wall part has an inside wall inside the suction surface in a radial direction. The inside wall of the side wall part is a down slope.SELECTED DRAWING: Figure 29

Description

本発明はウエハチャック補助具に関するものである。   The present invention relates to a wafer chuck auxiliary tool.

半導体製造プロセスの写真製版プロセスに代表されるレジスト塗布工程および現像工程では、半導体ウエハをウエハチャックの吸着面で真空吸着した状態で、半導体ウエハ表面上に薬液を吐出し、半導体ウエハを高速回転させる。   In the resist coating process and development process typified by the photoengraving process of the semiconductor manufacturing process, the semiconductor wafer is vacuum-sucked by the suction surface of the wafer chuck, the chemical solution is discharged onto the surface of the semiconductor wafer, and the semiconductor wafer is rotated at high speed. .

高速回転させると薬液は遠心力で半導体ウエハ表面から飛ばされる。そして、半導体ウエハから飛び散った薬液は、処理を行う半導体ウエハおよびウエハチャックを囲んで配置されているカバーの側壁に当たった衝撃等で、微小なミストとなり浮遊する。   When rotating at high speed, the chemical solution is blown off the surface of the semiconductor wafer by centrifugal force. Then, the chemical liquid splashed from the semiconductor wafer floats as a minute mist due to an impact or the like hitting the side wall of the cover disposed around the semiconductor wafer to be processed and the wafer chuck.

特に半導体ウエハの裏面は、装置構造上排気がされにくく、ミストが滞留する。よって、半導体ウエハの裏面にはミストが付着する場合がある。   In particular, the back surface of the semiconductor wafer is difficult to be evacuated due to the device structure, and mist stays. Therefore, mist may adhere to the back surface of the semiconductor wafer.

ウエハチャックに設けられた洗浄機構を用いて、半導体ウエハを回転させながら半導体ウエハの裏面に洗浄液を当てることにより、付着したミストの大部分は除去される。   By applying a cleaning solution to the back surface of the semiconductor wafer while rotating the semiconductor wafer using a cleaning mechanism provided in the wafer chuck, most of the attached mist is removed.

現像工程としてはパドル現像法が主流となっている。パドル現像法では、半導体ウエハを低速回転させながら半導体ウエハ表面上に現像液を吐出し、半導体ウエハ全面に現像液が行き亘った段階で半導体ウエハの回転を静止させる。そして、半導体ウエハ表面全面に現像液の「水溜り」を形成させ、現像処理を行う。   The paddle development method is the mainstream as the development process. In the paddle development method, the developer is discharged onto the surface of the semiconductor wafer while rotating the semiconductor wafer at a low speed, and the rotation of the semiconductor wafer is stopped when the developer reaches the entire surface of the semiconductor wafer. Then, a “water pool” of developer is formed on the entire surface of the semiconductor wafer, and development processing is performed.

半導体ウエハ表面全面にムラなく現像液の「水溜り」を形成させるために、半導体ウエハ表面上に現像液の表面張力で保持される液量より多い量の現像液を供給（吐出）する。しかし、表面張力で保持される液量より多いため、その一部は半導体ウエハ表面上から零れる。半導体ウエハ表面上から零れる現像液は、一部は零れ落ち、一部は現像液の表面張力によって半導体ウエハのエッジ部を伝って、半導体ウエハの裏面側へ廻り込む。半導体ウエハの裏面側へ廻り込んだ現像液は、廻り込み防止機構によってウエハチャックの吸着面へ到達することを阻止される。   In order to form a “water pool” of the developer evenly on the entire surface of the semiconductor wafer, a larger amount of developer than the amount retained by the surface tension of the developer is supplied (discharged) on the surface of the semiconductor wafer. However, since it is larger than the amount of liquid held by the surface tension, a part of the liquid spills from the surface of the semiconductor wafer. Part of the developer that spills from the surface of the semiconductor wafer spills, and partly travels along the edge of the semiconductor wafer due to the surface tension of the developer and travels to the back side of the semiconductor wafer. The developer that has entered the back side of the semiconductor wafer is prevented from reaching the suction surface of the wafer chuck by the turning-in prevention mechanism.

特開２００１−３３２４８６号公報JP 2001-332486 A

従来のウエハチャックでは、洗浄液がウエハチャックの吸着面に接触したり、現像液が半導体ウエハの裏面に廻り込んでウエハチャックの吸着面に接触したりすると、ウエハチャックの吸着面に吸着されることによって固定されている半導体ウエハとウエハチャックの吸着面との微小な隙間に洗浄液または現像液等が入り込んでしまう（毛細管現象）。   In the conventional wafer chuck, if the cleaning liquid comes into contact with the chucking surface of the wafer chuck, or the developer moves around the back surface of the semiconductor wafer and comes into contact with the chucking surface of the wafer chuck, it is attracted to the chucking surface of the wafer chuck. As a result, a cleaning solution or a developer enters a minute gap between the semiconductor wafer fixed by the wafer and the suction surface of the wafer chuck (capillary phenomenon).

洗浄液または現像液等が当該隙間に入り込んだ場合、半導体ウエハを回収する際に半導体ウエハとウエハチャックの吸着面とが過剰に密着し、ウエハチャックの吸着面から半導体ウエハが外れなくなってしまう場合がある。このような場合、搬送エラーとなったり、半導体ウエハが破損したりする。   If cleaning liquid or developer enters the gap, the semiconductor wafer and the chucking surface of the wafer chuck may be in close contact with each other when the semiconductor wafer is recovered, and the semiconductor wafer may not come off from the chucking surface of the wafer chuck. is there. In such a case, a conveyance error occurs or the semiconductor wafer is damaged.

そのため洗浄機構は、ウエハチャックの吸着面と洗浄液とが接触しない程度の間隔を空けて設置しなければならない。そうすると、本来は除去したいミストを除去できない領域（ミストが付着しているにも関わらず洗浄できない領域）が生じてしまい、付着したミストが製品の品質に悪影響を与える等の問題があった。   For this reason, the cleaning mechanism must be installed at an interval that does not allow the suction surface of the wafer chuck and the cleaning liquid to come into contact with each other. In this case, a region where the mist originally desired to be removed cannot be removed (a region where the mist cannot be washed although it is adhered) is generated, and there is a problem that the adhered mist adversely affects the quality of the product.

また、廻り込む現像液との接触を避けるため、ウエハチャック径をウエハ径に対して小さくすると、やはり問題が生じる。半導体パワーデバイス等で使用される、厚さが１００μｍ程度の薄い半導体ウエハでは、その薄さのために半導体ウエハの強度が低下する。そのため、特にそのような薄い半導体ウエハを用いる場合には、ウエハ径に対してウエハチャック径が小さいと、ウエハチャックで保持していない領域が半導体ウエハの自重等で垂れ下がってしまい、半導体ウエハ全体を水平に支えきれない。この状態で半導体ウエハを高速回転させると、保持していない領域の回転が安定せず、構成部品に接触して傷がつく等の製品における欠陥が発生するという問題があった。   Further, if the wafer chuck diameter is made smaller than the wafer diameter in order to avoid contact with the developing solution that goes around, problems still arise. In a thin semiconductor wafer having a thickness of about 100 μm used in a semiconductor power device or the like, the strength of the semiconductor wafer is reduced due to the thinness. Therefore, particularly when using such a thin semiconductor wafer, if the wafer chuck diameter is small relative to the wafer diameter, the area not held by the wafer chuck hangs down due to the weight of the semiconductor wafer, etc. It cannot be supported horizontally. When the semiconductor wafer is rotated at a high speed in this state, there is a problem in that the rotation of the area that is not held is not stable, and defects in the product such as contact with the component parts and scratches occur.

本発明は、上記のような問題を解決するためになされたものであり、毛細管現象による過剰な密着を抑制し、かつ、ウエハ径に対するウエハチャック径を小さくする必要がないウエハチャック補助具を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and provides a wafer chuck auxiliary tool that suppresses excessive adhesion due to capillary action and does not need to reduce the wafer chuck diameter relative to the wafer diameter. The purpose is to do.

本発明の一態様に関するウエハチャック補助具は、輪形状の溝部を備え、前記溝部は、輪内にウエハチャックを嵌め込んで固定可能であり、前記ウエハチャックは、半導体ウエハを吸着する吸着面を備え、前記溝部は、上端および下端が前記吸着面よりも前記半導体ウエハから離れる方向に位置して形成された、前記吸着面の径方向内側に内壁を有する側壁部を備え、前記側壁部の前記内壁が、下り斜面である。   A wafer chuck auxiliary tool according to an aspect of the present invention includes a ring-shaped groove portion, and the groove portion can be fixed by fitting a wafer chuck in the ring, and the wafer chuck has a suction surface for sucking a semiconductor wafer. The groove portion includes a side wall portion having an upper wall and an inner wall on the radially inner side of the suction surface, the upper end and the lower end of the groove portion being located in a direction away from the semiconductor wafer with respect to the suction surface. The inner wall is a descending slope.

本発明の上記態様によれば、毛細管現象による過剰な密着を抑制できる。また、ウエハ径に対するウエハチャック径を小さくする必要がない。   According to the above aspect of the present invention, excessive adhesion due to capillary action can be suppressed. Further, it is not necessary to reduce the wafer chuck diameter with respect to the wafer diameter.

実施形態に関するウエハチャックを示す外観図である。It is an external view which shows the wafer chuck regarding embodiment. 図１に示されたウエハチャックのＡ−Ａ’断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of the wafer chuck shown in FIG. 1 taken along line A-A ′. 前提技術に関するウエハチャックを示す外観図である。It is an external view which shows the wafer chuck regarding a base technology. 図３に示されたウエハチャックのＢ−Ｂ’断面図である。FIG. 4 is a B-B ′ sectional view of the wafer chuck shown in FIG. 3. 実施形態に関する、ウエハチャックが半導体ウエハを保持した状態を示すウエハチャックの断面図である。It is sectional drawing of the wafer chuck which shows the state with which the wafer chuck was holding the semiconductor wafer regarding embodiment. 前提技術に関する、ウエハチャックが半導体ウエハを保持した状態を示すウエハチャックの断面図である。It is sectional drawing of a wafer chuck which shows the state with which the wafer chuck was holding the semiconductor wafer regarding a base technology. 実施形態に関する、ウエハチャックが半導体ウエハを保持した状態を示すウエハチャックの断面図である。It is sectional drawing of the wafer chuck which shows the state with which the wafer chuck was holding the semiconductor wafer regarding embodiment. 実施形態に関する、ウエハチャックが半導体ウエハを保持した状態を示すウエハチャックの断面図である。It is sectional drawing of the wafer chuck which shows the state with which the wafer chuck was holding the semiconductor wafer regarding embodiment. 実施形態に関するウエハチャックを示す外観図である。It is an external view which shows the wafer chuck regarding embodiment. 実施形態に関するウエハチャックの上面図である。It is a top view of the wafer chuck regarding the embodiment. 図１０に示されたウエハチャックのＣ−Ｃ’断面図である。FIG. 11 is a C-C ′ sectional view of the wafer chuck shown in FIG. 10. 前提技術に関するウエハチャックを示す外観図である。It is an external view which shows the wafer chuck regarding a base technology. 前提技術に関するウエハチャックの上面図である。It is a top view of the wafer chuck regarding a base technology. 図１３に示されたウエハチャックのＤ−Ｄ’断面図である。FIG. 14 is a cross-sectional view of the wafer chuck taken along the line D-D ′ shown in FIG. 13. 吸着面および溝部が回転軸を中心に回転した場合に生じる、空気の流れを示した図である。It is the figure which showed the flow of air produced when an adsorption | suction surface and a groove part rotate centering around a rotating shaft. 実施形態に関する、ウエハチャックが半導体ウエハを保持した状態を示すウエハチャックの断面図である。It is sectional drawing of the wafer chuck which shows the state with which the wafer chuck was holding the semiconductor wafer regarding embodiment. 実施形態に関するウエハチャックの第１変形例を示す図である。It is a figure which shows the 1st modification of the wafer chuck regarding embodiment. 実施形態に関するウエハチャックの第２変形例を示す図である。It is a figure which shows the 2nd modification of the wafer chuck regarding embodiment. 実施形態に関するウエハチャック補助具を示す上面図である。It is a top view which shows the wafer chuck auxiliary tool regarding embodiment. 図１９に示されたウエハチャック補助具のＥ−Ｅ’断面図である。FIG. 20 is a cross-sectional view taken along the line E-E ′ of the wafer chuck auxiliary tool shown in FIG. 19. 実施形態に関する、溝部にウエハチャックが取り付けられた状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state with which the wafer chuck was attached to the groove part regarding embodiment. 実施形態に関する、溝部にウエハチャックが取り付けられた状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state with which the wafer chuck was attached to the groove part regarding embodiment. 実施形態に関する、スペーサーの形状を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the shape of the spacer regarding embodiment. 実施形態に関するウエハチャック補助具の変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of the wafer chuck auxiliary tool regarding embodiment. スピン塗布を行う際のウエハチャックの断面構造図である。It is a cross-section figure of a wafer chuck at the time of performing spin coating. 洗浄機構による半導体ウエハの裏面洗浄時のウエハチャックを示した図である。It is the figure which showed the wafer chuck | zipper at the time of the back surface cleaning of the semiconductor wafer by a washing | cleaning mechanism. 現像処理を行う際のウエハチャックの断面構造図である。It is a cross-section figure of a wafer chuck at the time of performing development processing. ウエハ径に対してウエハチャック径が小さい場合の、ウエハチャックの断面構造図である。FIG. 4 is a cross-sectional structure diagram of a wafer chuck when the wafer chuck diameter is smaller than the wafer diameter. 実施形態に関する、ウエハチャックの断面図である。It is sectional drawing of the wafer chuck regarding embodiment. 実施形態に関する、ウエハチャック補助具の断面図である。It is sectional drawing of the wafer chuck auxiliary tool regarding embodiment.

以下、添付の図面を参照しながら実施形態について説明する。   Hereinafter, embodiments will be described with reference to the accompanying drawings.

なお、本実施形態において、表面、裏面または底面等の用語が用いられるが、これらの用語は、各面を便宜上区別するために用いられているものであり、実際の上下左右の方向とは関係しない。   In this embodiment, terms such as front surface, back surface, and bottom surface are used. These terms are used to distinguish each surface for convenience, and are related to the actual vertical and horizontal directions. do not do.

まず、本発明の前提技術について説明する。   First, the prerequisite technology of the present invention will be described.

図２５は、一般的なスピン塗布を行う際のウエハチャックの断面構造図であり、スピン塗布時を表現した図である。   FIG. 25 is a cross-sectional structure diagram of a wafer chuck when performing general spin coating, and is a diagram expressing the time of spin coating.

半導体製造プロセスの写真製版プロセスに代表されるレジスト塗布工程および現像工程では、半導体ウエハ１をウエハチャック２０の吸着面２００で真空吸着した状態で、半導体ウエハ１表面上に薬液を吐出し、半導体ウエハ１を高速回転させる。そして、薬液によってレジスト膜４等を半導体ウエハ１表面に均一に形成（スピン塗布）する、または、薬液を遠心力で飛ばして乾燥させる（スピン乾燥）。   In a resist coating process and a development process typified by a photolithography process in a semiconductor manufacturing process, a chemical solution is discharged onto the surface of the semiconductor wafer 1 while the semiconductor wafer 1 is vacuum-sucked by the suction surface 200 of the wafer chuck 20. 1 is rotated at high speed. Then, the resist film 4 or the like is uniformly formed on the surface of the semiconductor wafer 1 by a chemical solution (spin coating), or the chemical solution is blown off by a centrifugal force and dried (spin drying).

高速回転させると薬液は遠心力で半導体ウエハ１表面から飛ばされる。そして、半導体ウエハ１から飛び散った薬液５は、処理を行う半導体ウエハ１およびウエハチャック２０を囲んで配置されているカバーの側壁６に当たった衝撃等で、微小なミスト７となり浮遊する。   When rotating at high speed, the chemical solution is blown off from the surface of the semiconductor wafer 1 by centrifugal force. Then, the chemical solution 5 splashed from the semiconductor wafer 1 floats as a minute mist 7 due to an impact or the like hitting the side wall 6 of the cover disposed so as to surround the semiconductor wafer 1 to be processed and the wafer chuck 20.

発生したミスト７は、ウエハチャック２０に設けられた排気機構の気流８によって大半は除去されるが、構造物の凹凸、または、半導体ウエハ１の高速回転により生じる乱気流９の影響で、一部のミスト７は排気されにくい領域で滞留してしまう。   Most of the generated mist 7 is removed by the air flow 8 of the exhaust mechanism provided in the wafer chuck 20, but a part of the mist 7 is affected by the unevenness of the structure or the turbulence 9 generated by the high-speed rotation of the semiconductor wafer 1. The mist 7 stays in a region where it is difficult to exhaust.

特に半導体ウエハ１裏面は、装置構造上排気がされにくく、ミスト７が滞留する。よって、半導体ウエハ１裏面にはミスト７が付着する場合がある。   In particular, the back surface of the semiconductor wafer 1 is difficult to be exhausted due to the structure of the apparatus, and the mist 7 stays. Therefore, mist 7 may adhere to the back surface of the semiconductor wafer 1.

図２６は、洗浄機構による半導体ウエハの裏面洗浄時の状態を示した図である。   FIG. 26 is a diagram illustrating a state when the back surface of the semiconductor wafer is cleaned by the cleaning mechanism.

ウエハチャック２０に設けられた洗浄機構１０を用いて、半導体ウエハ１を回転させながら半導体ウエハ１裏面に洗浄液１１を当てることにより、付着したミスト７の大部分は除去される。洗浄処理を行っている状態では、半導体ウエハ１およびウエハチャック２０は高速回転しているため、洗浄機構１０から吐出される洗浄液１１は回転による遠心力で外側へ流されながら、ミスト７を除去していくことになる。しかし、この洗浄液１１とウエハチャック２０の吸着面２００とが接触すると、ウエハチャック２０の吸着面２００に吸着されることによって固定されている半導体ウエハ１とウエハチャック２０の吸着面２００との微小な隙間に洗浄液１１が入り込んでしまう（毛細管現象）。よって、この現象を防ぐため、半導体ウエハ１の径方向におけるウエハチャック２０の吸着面２００の端部と洗浄機構１０との間の距離は、洗浄液１１がウエハチャック２０の吸着面２００に接触しない程度に離す必要がある。その結果、半導体ウエハ１裏面において、ミスト７が付着しているにも関わらず洗浄できない領域１２が生じる。   By applying the cleaning liquid 11 to the back surface of the semiconductor wafer 1 while rotating the semiconductor wafer 1 using the cleaning mechanism 10 provided on the wafer chuck 20, most of the attached mist 7 is removed. Since the semiconductor wafer 1 and the wafer chuck 20 are rotating at a high speed in the state where the cleaning process is being performed, the cleaning liquid 11 discharged from the cleaning mechanism 10 removes the mist 7 while being flown outward by the centrifugal force of the rotation. It will follow. However, when the cleaning liquid 11 and the suction surface 200 of the wafer chuck 20 come into contact with each other, a minute amount of the semiconductor wafer 1 fixed by being sucked by the suction surface 200 of the wafer chuck 20 and the suction surface 200 of the wafer chuck 20. The cleaning liquid 11 enters the gap (capillary phenomenon). Therefore, in order to prevent this phenomenon, the distance between the end of the suction surface 200 of the wafer chuck 20 and the cleaning mechanism 10 in the radial direction of the semiconductor wafer 1 is such that the cleaning liquid 11 does not contact the suction surface 200 of the wafer chuck 20. Need to be separated. As a result, a region 12 that cannot be cleaned despite the mist 7 adhering to the back surface of the semiconductor wafer 1 is generated.

現像工程としてはパドル現像法が主流となっている。パドル現像法では、半導体ウエハ１を低速回転させながら半導体ウエハ１表面上に現像液１３を吐出し、半導体ウエハ１全面に現像液１３が行き亘った段階で半導体ウエハ１の回転を静止させる。現像液１３としては、例えば水酸化テトラメチルアンモニウム（［（ＣＨ３）４Ｎ］＋ＯＨ−）水溶液（濃度２．３８％程度）を用いる。当該水溶液の、濃度２０％から２５％における密度は１．０１５ｇ／ｃｍ３程度である（水（Ｈ２Ｏ）の４℃における密度は９９９．９７２ｋｇ・ｍ−３）。そして、半導体ウエハ１表面全面に現像液１３の「水溜り」を形成させ、現像処理を行う。 The paddle development method is the mainstream as the development process. In the paddle development method, the developer 13 is discharged onto the surface of the semiconductor wafer 1 while rotating the semiconductor wafer 1 at a low speed, and the rotation of the semiconductor wafer 1 is stopped when the developer 13 reaches the entire surface of the semiconductor wafer 1. As the developer 13, for example, a tetramethylammonium hydroxide ([(CH 3 ) 4N] + OH-) aqueous solution (concentration of about 2.38%) is used. The density of the aqueous solution at a concentration of 20% to 25% is about 1.015 g / cm 3 (the density of water (H 2 O) at 4 ° C. is 999.972 kg · m −3 ). Then, a “water pool” of the developer 13 is formed on the entire surface of the semiconductor wafer 1 and development processing is performed.

図２７は、一般的な現像処理を行うウエハチャックの断面構造図であり、パドル現像処理時を表現した図である。   FIG. 27 is a cross-sectional structure diagram of a wafer chuck for performing general development processing, and is a diagram representing the time of paddle development processing.

半導体ウエハ１表面全面にムラなく現像液１３の「水溜り」を形成させるために、半導体ウエハ１表面上に現像液１３の表面張力で保持される液量より多い量の現像液１３を供給（吐出）する。しかし、表面張力で保持される液量より多いため、その一部は半導体ウエハ１表面上から零れる。半導体ウエハ１表面上から零れる現像液１３は、一部は零れ落ち、一部は現像液１３の表面張力によって半導体ウエハ１のエッジ部を伝って、半導体ウエハ１裏面側へ廻り込む。半導体ウエハ１裏面側へ廻り込んだ現像液１３は、廻り込み防止機構１４によってウエハチャック２０の吸着面２００へ到達することを阻止される。   In order to form a “water pool” of the developing solution 13 evenly on the entire surface of the semiconductor wafer 1, a larger amount of the developing solution 13 than the amount held by the surface tension of the developing solution 13 is supplied onto the surface of the semiconductor wafer 1 ( Discharge). However, since the amount of liquid retained by the surface tension is larger, a part of the liquid spills from the surface of the semiconductor wafer 1. Part of the developer 13 that spills from the surface of the semiconductor wafer 1 falls down, and partly travels along the edge of the semiconductor wafer 1 due to the surface tension of the developer 13, and goes around to the back side of the semiconductor wafer 1. The developer 13 that has entered the back side of the semiconductor wafer 1 is prevented from reaching the suction surface 200 of the wafer chuck 20 by the turning-in preventing mechanism 14.

従来のウエハチャックでは、洗浄液１１がウエハチャック２０の吸着面２００に接触したり、現像液１３が半導体ウエハ１裏面に廻り込んでウエハチャック２０の吸着面２００に接触したりすると、ウエハチャック２０の吸着面２００に吸着されることによって固定されている半導体ウエハ１とウエハチャック２０の吸着面２００との微小な隙間に洗浄液１１または現像液１３等が入り込んでしまう（毛細管現象）。   In the conventional wafer chuck, when the cleaning liquid 11 comes into contact with the suction surface 200 of the wafer chuck 20, or when the developer 13 wraps around the back surface of the semiconductor wafer 1 and comes into contact with the suction surface 200 of the wafer chuck 20, The cleaning liquid 11 or the developer 13 enters the minute gap between the semiconductor wafer 1 fixed by being attracted to the attracting surface 200 and the attracting surface 200 of the wafer chuck 20 (capillary phenomenon).

洗浄液１１または現像液１３等が当該隙間に入り込んだ場合、半導体ウエハ１を回収する際に半導体ウエハ１とウエハチャック２０の吸着面２００とが過剰に密着し、ウエハチャック２０から半導体ウエハ１が外れなくなってしまう場合がある。このような場合、搬送エラーとなったり、半導体ウエハ１が破損したりする。   When the cleaning liquid 11 or the developer 13 or the like enters the gap, the semiconductor wafer 1 and the suction surface 200 of the wafer chuck 20 are excessively in close contact with each other when the semiconductor wafer 1 is recovered, and the semiconductor wafer 1 is detached from the wafer chuck 20. It may disappear. In such a case, a conveyance error occurs or the semiconductor wafer 1 is damaged.

そのため洗浄機構１０は、ウエハチャック２０の吸着面２００と洗浄液１１とが接触しない程度の間隔を空けて設置しなければならない。そうすると、本来は除去したいミスト７を除去できない領域１２（ミストが付着しているにも関わらず洗浄できない領域）が生じてしまい、付着したミスト７が製品の品質に悪影響を与える等の問題があった。   For this reason, the cleaning mechanism 10 must be installed with an interval so that the suction surface 200 of the wafer chuck 20 and the cleaning liquid 11 do not come into contact with each other. In this case, an area 12 where the mist 7 that is originally desired to be removed cannot be removed (an area where the mist 7 is attached but cannot be cleaned) is generated, and the attached mist 7 adversely affects the quality of the product. It was.

また、廻り込む現像液１３との接触を避けるため、ウエハチャック径をウエハ径に対して小さくすると、やはり問題が生じる。半導体パワーデバイス等で使用される、厚さが１００μｍ程度の薄い半導体ウエハ１では、その薄さのために半導体ウエハ１の強度が低下する。そのため、特にそのような薄い半導体ウエハ１を用いる場合には、ウエハ径に対してウエハチャック径が小さいと、ウエハチャック２０で保持していない領域が半導体ウエハ１の自重等で垂れ下がってしまい、半導体ウエハ１全体を水平に支えきれない（図２８参照）。この状態で半導体ウエハ１を高速回転させると、保持していない領域の回転が安定せず、構成部品に接触して傷がつく等の製品における欠陥が発生するという問題があった。   Also, if the wafer chuck diameter is made smaller than the wafer diameter in order to avoid contact with the developing solution 13 that wraps around, problems still occur. In a thin semiconductor wafer 1 having a thickness of about 100 μm used in a semiconductor power device or the like, the strength of the semiconductor wafer 1 is reduced due to the thinness. Therefore, particularly when such a thin semiconductor wafer 1 is used, if the wafer chuck diameter is smaller than the wafer diameter, a region not held by the wafer chuck 20 hangs down due to the weight of the semiconductor wafer 1 or the like. The entire wafer 1 cannot be supported horizontally (see FIG. 28). When the semiconductor wafer 1 is rotated at a high speed in this state, there is a problem in that the rotation of the area that is not held is not stable, and a defect occurs in the product such as contact with the component parts and damage.

以下に説明する実施形態は、上記のような問題を解決するウエハチャックおよびウエハチャック補助具に関するものである。   The embodiment described below relates to a wafer chuck and a wafer chuck auxiliary tool that solve the above-described problems.

＜第１実施形態＞
＜構成＞
図１は、本実施形態に関するウエハチャックを示す外観図である。図２は、図１に示されたウエハチャックのＡ−Ａ’断面図である。 <First Embodiment>
<Configuration>
FIG. 1 is an external view showing a wafer chuck according to this embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view of the wafer chuck taken along the line AA ′ shown in FIG.

図１に示されるようにウエハチャック２は、半導体ウエハを吸着することによって固定する吸着面２００と、吸着面２００の外縁に沿って全周に形成された溝部１００と、吸着面２００および溝部１００を回転させる回転軸３とを備えている。   As shown in FIG. 1, the wafer chuck 2 includes a suction surface 200 that is fixed by sucking a semiconductor wafer, a groove portion 100 that is formed all around the outer edge of the suction surface 200, and the suction surface 200 and the groove portion 100. And a rotating shaft 3 for rotating the.

なお、吸着面２００には溝１０１が形成されていてもよい（図２参照）。   In addition, the groove | channel 101 may be formed in the adsorption | suction surface 200 (refer FIG. 2).

溝部１００は、吸着面２００の外縁から吸着面２００の径方向外側に一定距離で形成され、かつ吸着面２００よりも凹んで形成された底部１０２と、底部１０２の外側に形成された側壁部１０３とを備えている（図２参照）。側壁部１０３は、底部１０２よりも盛り上がって形成されている。   The groove portion 100 is formed at a constant distance from the outer edge of the suction surface 200 to the outer side in the radial direction of the suction surface 200 and is recessed from the suction surface 200, and the side wall portion 103 formed outside the bottom portion 102. (See FIG. 2). The side wall portion 103 is formed so as to be higher than the bottom portion 102.

側壁部１０３の内壁、すなわち、吸着面２００の径方向内側における面は、吸着面２００の径方向内側へ下る斜面である。換言すれば、当該斜面と半導体ウエハとの間の距離は、吸着面２００の径方向内側であるほど大きくなる。   The inner wall of the side wall 103, that is, the surface on the radially inner side of the suction surface 200 is a slope that goes down radially inward of the suction surface 200. In other words, the distance between the inclined surface and the semiconductor wafer becomes larger as the inner side in the radial direction of the suction surface 200.

また、側壁部１０３の半導体ウエハに対向する側の端部は、半導体ウエハには接触しない。すなわち、側壁部１０３の半導体ウエハに対向する側の端部は、ウエハチャック２の吸着面２００よりも下方に位置している。   Further, the end of the side wall 103 on the side facing the semiconductor wafer does not contact the semiconductor wafer. That is, the end of the side wall 103 facing the semiconductor wafer is located below the suction surface 200 of the wafer chuck 2.

回転軸３は、モーター等の動力によって回転する軸である。   The rotating shaft 3 is a shaft that is rotated by power such as a motor.

図３は、本発明の前提技術に関するウエハチャックを示す外観図である。図４は、図３に示されたウエハチャックのＢ−Ｂ’断面図である。   FIG. 3 is an external view showing a wafer chuck related to the premise technique of the present invention. 4 is a B-B ′ cross-sectional view of the wafer chuck shown in FIG. 3.

図３に示されるようにウエハチャック２０は、半導体ウエハを吸着することによって固定する吸着面２００と、吸着面２００を回転させる回転軸３とを備えている。   As shown in FIG. 3, the wafer chuck 20 includes a suction surface 200 that is fixed by sucking a semiconductor wafer, and a rotating shaft 3 that rotates the suction surface 200.

ウエハチャック２０は、半導体ウエハを吸着する吸着面２００において溝１０１が形成されていてもよい（図４参照）。   The wafer chuck 20 may have a groove 101 formed on the suction surface 200 for sucking a semiconductor wafer (see FIG. 4).

＜動作＞
図５は、ウエハチャックが半導体ウエハを保持した状態を示すウエハチャックの断面図であり、半導体ウエハの裏面にミストが浮遊している状態を示している。 <Operation>
FIG. 5 is a cross-sectional view of the wafer chuck showing a state where the wafer chuck holds the semiconductor wafer, and shows a state where mist is floating on the back surface of the semiconductor wafer.

図５に示されるように、本実施形態に関するウエハチャックでは、半導体ウエハ１の裏面と側壁部１０３の上端との間に隙間Ｘが生じている。隙間Ｘは、例えば０．１ｍｍから２ｍｍ程度である。この隙間Ｘが十分に狭いことにより、半導体ウエハ１とウエハチャック２の吸着面２００との接触部周辺にミスト７が付着することを抑制することができる。また、斜面である側壁部１０３の内壁と半導体ウエハ１の裏面との距離が、吸着面２００の径方向内側であるほど大きくなるため、毛細管現象によって液体が半導体ウエハ１の裏面と吸着面２００との接触部周辺へ到達することを防ぐことができる。   As shown in FIG. 5, in the wafer chuck according to the present embodiment, a gap X is generated between the back surface of the semiconductor wafer 1 and the upper end of the side wall portion 103. The gap X is, for example, about 0.1 mm to 2 mm. By sufficiently narrowing the gap X, it is possible to suppress the mist 7 from adhering to the vicinity of the contact portion between the semiconductor wafer 1 and the suction surface 200 of the wafer chuck 2. In addition, since the distance between the inner wall of the side wall portion 103 that is a slope and the back surface of the semiconductor wafer 1 becomes larger as the inner side in the radial direction of the suction surface 200, the liquid is absorbed between the back surface of the semiconductor wafer 1 and the suction surface 200 by capillary action. Can be prevented from reaching the periphery of the contact portion.

図６は、本発明の前提技術に関するウエハチャックが半導体ウエハを保持した状態を示すウエハチャックの断面図であり、半導体ウエハの裏面にミストが浮遊している状態を示している。   FIG. 6 is a cross-sectional view of the wafer chuck showing a state in which the wafer chuck related to the premise technique of the present invention holds the semiconductor wafer, and shows a state in which mist is floating on the back surface of the semiconductor wafer.

図６に示されるように、本発明の前提技術に関するウエハチャックでは、半導体ウエハ１とウエハチャック２０の吸着面２００との接触部周辺にミスト７が付着してしまい、当該箇所における毛細管現象が生じてしまう。この場合、半導体ウエハ１とウエハチャック２０の吸着面２００とが過剰に密着し、ウエハチャック２０の吸着面２００から半導体ウエハ１が外れなくなってしまう場合がある。   As shown in FIG. 6, in the wafer chuck related to the base technology of the present invention, mist 7 adheres to the periphery of the contact portion between the semiconductor wafer 1 and the suction surface 200 of the wafer chuck 20, and a capillary phenomenon occurs at that location. End up. In this case, the semiconductor wafer 1 and the suction surface 200 of the wafer chuck 20 may be in close contact with each other, and the semiconductor wafer 1 may not be detached from the suction surface 200 of the wafer chuck 20.

図７は、ウエハチャックが半導体ウエハを保持した状態を示すウエハチャックの断面図であり、半導体ウエハの裏面に、ミストを除去するための洗浄液が当てられている状態を示している。   FIG. 7 is a sectional view of the wafer chuck showing a state in which the wafer chuck holds the semiconductor wafer, and shows a state in which a cleaning liquid for removing mist is applied to the back surface of the semiconductor wafer.

図７に示されるように、本実施形態に関するウエハチャックでは、半導体ウエハ１の裏面と側壁部１０３の上端との間に隙間Ｘが生じている。隙間Ｘは、例えば０．１ｍｍから２ｍｍ程度である。また、斜面である側壁部１０３の内壁と半導体ウエハ１の裏面との距離が、吸着面２００の径方向内側であるほど大きくなるため、毛細管現象によって洗浄液１１が半導体ウエハ１の裏面と吸着面２００との接触部周辺へ到達することを防ぐことができる。   As shown in FIG. 7, in the wafer chuck according to the present embodiment, a gap X is generated between the back surface of the semiconductor wafer 1 and the upper end of the side wall portion 103. The gap X is, for example, about 0.1 mm to 2 mm. In addition, since the distance between the inner wall of the side wall portion 103 that is a slope and the back surface of the semiconductor wafer 1 becomes larger as the inner side in the radial direction of the suction surface 200, the cleaning liquid 11 is removed from the back surface of the semiconductor wafer 1 and the suction surface 200 by capillary action. Can be prevented from reaching the periphery of the contact portion.

図８は、ウエハチャックが半導体ウエハを保持した状態を示すウエハチャックの断面図であり、半導体ウエハの裏面に、現像液が廻り込んでいる状態を示している。   FIG. 8 is a cross-sectional view of the wafer chuck showing a state in which the wafer chuck holds the semiconductor wafer, and shows a state in which the developing solution is wrapped around the back surface of the semiconductor wafer.

図８に示されるように、本実施形態に関するウエハチャックでは、半導体ウエハ１の裏面と側壁部１０３の上端との間に隙間Ｘが生じている。隙間Ｘは、例えば０．１ｍｍから２ｍｍ程度である。また、斜面である側壁部１０３の内壁と半導体ウエハ１の裏面との距離が、吸着面２００の径方向内側であるほど大きくなるため、毛細管現象によって現像液１３が半導体ウエハ１の裏面と吸着面２００との接触部周辺へ到達することを防ぐことができる。   As shown in FIG. 8, in the wafer chuck according to the present embodiment, a gap X is generated between the back surface of the semiconductor wafer 1 and the upper end of the side wall portion 103. The gap X is, for example, about 0.1 mm to 2 mm. In addition, since the distance between the inner wall of the side wall portion 103 that is a slope and the back surface of the semiconductor wafer 1 increases as the inner side in the radial direction of the suction surface 200, the developer 13 causes the back surface of the semiconductor wafer 1 to adhere to the suction surface by capillary action. Reaching around the contact portion with 200 can be prevented.

＜効果＞
本実施形態によれば、ウエハチャックが、半導体ウエハ１を吸着する吸着面２００と、吸着面２００の外縁に沿って全周に形成された溝部１００とを備える。溝部１００は、底部１０２と、側壁部１０３とを備える。 <Effect>
According to the present embodiment, the wafer chuck includes the suction surface 200 that sucks the semiconductor wafer 1 and the groove portion 100 that is formed on the entire periphery along the outer edge of the suction surface 200. The groove part 100 includes a bottom part 102 and a side wall part 103.

底部１０２は、吸着面２００よりも凹み、かつ、側壁部１０３よりも吸着面２００の径方向内側において側壁部１０３の下端と連続して形成されている。   The bottom portion 102 is recessed from the suction surface 200 and is formed continuously with the lower end of the side wall portion 103 on the radially inner side of the suction surface 200 with respect to the side wall portion 103.

側壁部１０３は、上端および下端が吸着面２００よりも半導体ウエハ１から離れる方向に位置して形成されている。そして、側壁部１０３は、吸着面２００の径方向内側に内壁を有している。側壁部１０３の内壁は、下り斜面である。   The side wall portion 103 is formed such that the upper end and the lower end are located in a direction away from the semiconductor wafer 1 with respect to the suction surface 200. The side wall 103 has an inner wall on the radially inner side of the suction surface 200. The inner wall of the side wall 103 is a downward slope.

このような構成によれば、毛細管現象による過剰な密着を抑制できる。また、ウエハ径に対するウエハチャック径を小さくする必要がない。   According to such a configuration, excessive adhesion due to capillary action can be suppressed. Further, it is not necessary to reduce the wafer chuck diameter with respect to the wafer diameter.

すなわち、半導体ウエハ１の裏面と吸着面２００との接触部周辺は、底部１０２および側壁部１０３によってミストの浸入が抑制されている。現像液１３についても同様に、底部１０２および側壁部１０３によって、半導体ウエハ１の裏面と吸着面２００との接触部周辺への到達が抑制されている。そのため、これらが半導体ウエハ１の裏面と吸着面２００との接触部の隙間に入り込むことにより毛細管現象が生じることが抑制される。また、半導体ウエハ１の裏面に付着したミストを洗浄する際にも、半導体ウエハ１の裏面と吸着面２００との接触部周辺を除く領域における洗浄で十分であるため、洗浄液１１が半導体ウエハ１の裏面と吸着面２００との接触部の隙間に入り込むことにより毛細管現象が生じることが抑制される。   That is, intrusion of mist is suppressed by the bottom 102 and the side wall 103 around the contact portion between the back surface of the semiconductor wafer 1 and the suction surface 200. Similarly, the bottom portion 102 and the side wall portion 103 of the developer 13 are also prevented from reaching the contact portion between the back surface of the semiconductor wafer 1 and the suction surface 200. For this reason, the capillary phenomenon is suppressed from entering the gap between the contact portion between the back surface of the semiconductor wafer 1 and the suction surface 200. Further, when cleaning the mist adhering to the back surface of the semiconductor wafer 1, cleaning in the region excluding the periphery of the contact portion between the back surface of the semiconductor wafer 1 and the suction surface 200 is sufficient. It is suppressed that a capillary phenomenon arises by entering into the clearance gap of the contact part of a back surface and the adsorption surface 200. FIG.

また、洗浄機構１０によって適切にミストを除去することができ、ミストが付着しているにも関わらず洗浄できない領域は生じない。よって、半導体ウエハ１の裏面にミスト等が付着することを抑制できる。   Further, the mist can be appropriately removed by the cleaning mechanism 10, and there is no region that cannot be cleaned although the mist is attached. Therefore, it is possible to suppress mist or the like from adhering to the back surface of the semiconductor wafer 1.

また、半導体ウエハ１の裏面に廻り込む現像液１３との接触を避けるためにウエハチャック径をウエハ径に対して小さくする必要がなく、厚さの薄い半導体ウエハ１を使用する場合であっても、半導体ウエハ１全体を水平に支え、安定して回転等の処理を行うことができる。   Further, it is not necessary to make the wafer chuck diameter smaller than the wafer diameter in order to avoid contact with the developing solution 13 that goes around the back surface of the semiconductor wafer 1, and even when a thin semiconductor wafer 1 is used. The entire semiconductor wafer 1 can be supported horizontally, and processing such as rotation can be performed stably.

また、側壁部１０３の斜面と半導体ウエハ１との間の距離が、吸着面２００の径方向内側であるほど大きくなることで、毛細管現象によって液体が半導体ウエハ１の裏面と吸着面２００との接触部周辺へ到達することを防ぐことができる。   Further, since the distance between the inclined surface of the side wall portion 103 and the semiconductor wafer 1 becomes larger as the inner side in the radial direction of the suction surface 200, the liquid is brought into contact with the back surface of the semiconductor wafer 1 and the suction surface 200 by capillary action. Reaching the periphery of the part can be prevented.

＜第２実施形態＞
＜構成＞
以下では、上記実施形態で説明した構成と同様の構成については同じ符号を付して図示し、その詳細な説明については適宜省略する。 Second Embodiment
<Configuration>
In the following, the same components as those described in the above embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted as appropriate.

図９は、本実施形態に関するウエハチャックを示す外観図である。図１０は、図９に示されたウエハチャックの上面図である。図１１は、図１０に示されたウエハチャックのＣ−Ｃ’断面図である。   FIG. 9 is an external view showing the wafer chuck according to the present embodiment. FIG. 10 is a top view of the wafer chuck shown in FIG. FIG. 11 is a cross-sectional view taken along the line C-C ′ of the wafer chuck shown in FIG. 10.

図９に示されるようにウエハチャック２Ａは、半導体ウエハを吸着することによって固定する吸着面２０１と、ウエハチャック２Ａの外縁に形成された溝部１００Ａと、吸着面２０１および溝部１００Ａを回転させる回転軸３とを備えている。   As shown in FIG. 9, the wafer chuck 2A includes a suction surface 201 that is fixed by sucking a semiconductor wafer, a groove portion 100A formed on the outer edge of the wafer chuck 2A, and a rotation shaft that rotates the suction surface 201 and the groove portion 100A. 3 is provided.

溝部１００Ａは、吸着面２０１の外縁から吸着面２０１の径方向外側に一定距離で形成された底部１０２Ａと、底部１０２Ａの外側に形成された側壁部１０３Ａとを備えている（図１０および図１１参照）。   The groove portion 100A includes a bottom portion 102A formed at a constant distance from the outer edge of the suction surface 201 to the outside in the radial direction of the suction surface 201, and a side wall portion 103A formed outside the bottom portion 102A (FIGS. 10 and 11). reference).

底部１０２Ａは、少なくともウエハチャック２Ａの吸着面２０１よりも下方に位置していればよい。また底部１０２Ａは、吸着面２０１の周方向に断続的に形成され、回転軸３を中心に回転するプロペラの羽の形状である。底部１０２Ａの形状により、回転軸３を中心に吸着面２０１および溝部１００Ａが回転すると、回転軸３に平行な方向に空気の流れが生じる。   The bottom 102A only needs to be positioned at least below the suction surface 201 of the wafer chuck 2A. The bottom portion 102 </ b> A is intermittently formed in the circumferential direction of the suction surface 201 and has a wing shape of a propeller that rotates about the rotation shaft 3. Due to the shape of the bottom portion 102 </ b> A, when the suction surface 201 and the groove 100 </ b> A rotate around the rotation shaft 3, an air flow is generated in a direction parallel to the rotation shaft 3.

側壁部１０３Ａの内壁、すなわち、吸着面２０１の径方向内側における面は、吸着面２０１の径方向内側へ下る斜面である。換言すれば、当該斜面と半導体ウエハとの間の距離は、吸着面２０１の径方向内側であるほど大きくなる。   The inner wall of the side wall 103 </ b> A, that is, the surface on the radially inner side of the suction surface 201 is a slope that goes down radially inward of the suction surface 201. In other words, the distance between the inclined surface and the semiconductor wafer becomes larger as the inner side in the radial direction of the suction surface 201.

また、側壁部１０３Ａの半導体ウエハに対向する側の端部は、半導体ウエハには接触しない。すなわち、側壁部１０３Ａの半導体ウエハに対向する側の端部は、ウエハチャック２Ａの吸着面２０１よりも下方に位置している。   Further, the end portion of the side wall portion 103A on the side facing the semiconductor wafer does not contact the semiconductor wafer. That is, the end of the side wall 103A facing the semiconductor wafer is positioned below the suction surface 201 of the wafer chuck 2A.

図１２は、本発明の前提技術に関するウエハチャックを示す外観図である。図１３は、図１２に示されたウエハチャックの上面図である。図１４は、図１３に示されたウエハチャックのＤ−Ｄ’断面図である。詳細な説明は、図３および図４における場合と同様であるので省略する。   FIG. 12 is an external view showing a wafer chuck related to the prerequisite technology of the present invention. FIG. 13 is a top view of the wafer chuck shown in FIG. FIG. 14 is a cross-sectional view taken along the line D-D ′ of the wafer chuck shown in FIG. 13. The detailed description is the same as in FIGS. 3 and 4 and will not be repeated.

＜動作＞
図１５は、吸着面２０１および溝部１００Ａが回転軸３を中心に回転した場合に生じる、空気の流れを示した図である。当該空気の流れは、溝部１００Ａの底部１０２Ａがプロペラの羽の形状であることに起因して生じている。なお、回転軸３を中心とする回転方向を逆にすれば、逆方向の空気の流れを実現することもできる。 <Operation>
FIG. 15 is a diagram illustrating an air flow generated when the suction surface 201 and the groove portion 100 </ b> A rotate around the rotation shaft 3. The air flow is generated because the bottom portion 102A of the groove portion 100A has a propeller blade shape. In addition, if the rotation direction centering on the rotating shaft 3 is reversed, the air flow in the reverse direction can be realized.

図１６は、ウエハチャックが半導体ウエハを保持した状態を示すウエハチャックの断面図である。   FIG. 16 is a cross-sectional view of the wafer chuck showing a state in which the wafer chuck holds the semiconductor wafer.

図１６に示されるように、本実施形態に関するウエハチャックでは、半導体ウエハ１の裏面と側壁部１０３Ａの上端との間に隙間Ｘが生じている。空気の流れは図１５で示されたとおりであるので、底部１０２Ａが形成されない部分から空気が流入し、隙間Ｘから空気が流出する。   As shown in FIG. 16, in the wafer chuck according to this embodiment, a gap X is generated between the back surface of the semiconductor wafer 1 and the upper end of the side wall portion 103A. Since the air flow is as shown in FIG. 15, the air flows in from the portion where the bottom portion 102 </ b> A is not formed, and the air flows out from the gap X.

図１６に示される場合であれば、隙間Ｘによって形成される空気が排出される開口の面積が、底部１０２Ａが形成されていない部分（空気が流入する部分）の面積よりも小さいことにより、半導体ウエハ１およびウエハチャックが回転軸３を中心に高速回転した場合に、溝部１００Ａと半導体ウエハ１の裏面とで形成される空間内の圧力が十分に上昇する（陽圧）。   In the case shown in FIG. 16, the area of the opening through which the air formed by the gap X is discharged is smaller than the area of the part where the bottom part 102A is not formed (the part into which air flows). When the wafer 1 and the wafer chuck are rotated at high speed about the rotation shaft 3, the pressure in the space formed by the groove 100A and the back surface of the semiconductor wafer 1 is sufficiently increased (positive pressure).

溝部１００Ａと半導体ウエハ１の裏面とで形成される空間内の圧力がその外部の圧力より高いため、溝部１００Ａ内部から外部へ向かう気流が生じ、ミスト７および洗浄液１１、さらには現像液１３が半導体ウエハ１とウエハチャック２Ａの吸着面２０１との接触部周辺に到達することが抑制される。また、ミスト７および洗浄液１１、さらには現像液１３が、半導体ウエハ１の裏面と側壁部１０３Ａの上端との間に留まることも抑制される。   Since the pressure in the space formed by the groove 100A and the back surface of the semiconductor wafer 1 is higher than the external pressure, an air flow is generated from the inside of the groove 100A to the outside, and the mist 7 and the cleaning liquid 11, and further the developer 13 are transferred to the semiconductor. Reaching around the contact portion between the wafer 1 and the suction surface 201 of the wafer chuck 2A is suppressed. In addition, the mist 7 and the cleaning solution 11, and the developer 13 are also prevented from staying between the back surface of the semiconductor wafer 1 and the upper end of the side wall portion 103A.

＜第１変形例＞
図１７は、図１１に示されたウエハチャックの第１変形例を示す図である。 <First Modification>
FIG. 17 is a view showing a first modification of the wafer chuck shown in FIG.

図１７に示されるようにウエハチャックは、半導体ウエハを吸着することによって固定する吸着面２０１と、吸着面２０１の裏面側に沿って形成され、吸着面２０１の外縁までの領域に亘って形成された溝部１００Ｂと、吸着面２０１および溝部１００Ｂを回転させる回転軸３とを備えている。   As shown in FIG. 17, the wafer chuck is formed along the suction surface 201 that is fixed by sucking the semiconductor wafer, the back surface side of the suction surface 201, and the region up to the outer edge of the suction surface 201. The groove portion 100B and the rotating shaft 3 that rotates the suction surface 201 and the groove portion 100B are provided.

溝部１００Ｂは、吸着面２０１の裏面側の、回転軸３に隣接する位置の底面が、吸着面２０１の周方向に断続的に形成され、回転軸３を中心に回転するプロペラの羽の形状である。図１７に示された溝部１００Ｂの場合は、回転軸３に固定されており、吸着面２０１の裏面側に沿う底面、および、吸着面２０１の外縁に沿う側壁部は、吸着面２０１とは接触していない。   The groove portion 100B is formed in the shape of a wing of a propeller that is intermittently formed in the circumferential direction of the suction surface 201 on the back surface side of the suction surface 201 and adjacent to the rotation shaft 3 and rotates around the rotation shaft 3. is there. In the case of the groove portion 100B shown in FIG. 17, the bottom surface along the back surface side of the suction surface 201 and the side wall portion along the outer edge of the suction surface 201 are in contact with the suction surface 201. Not done.

そして、溝部１００Ｂの底面は吸着面２０１の裏面との間、および、吸着面２０１の外縁との間に空気を通す空間を設けて形成されており、上記プロペラの羽の形状の底面から吸着面２０１の外縁へと空気が流れる。   The bottom surface of the groove 100B is formed by providing a space for allowing air to pass between the back surface of the suction surface 201 and the outer edge of the suction surface 201, and the suction surface from the bottom surface of the wing shape of the propeller. Air flows to the outer edge of 201.

＜第２変形例＞
図１８は、図１１に示されたウエハチャックの第２変形例を示す図である。 <Second Modification>
FIG. 18 is a view showing a second modification of the wafer chuck shown in FIG.

図１８に示されるようにウエハチャックは、半導体ウエハを吸着することによって固定する吸着面２０１と、吸着面２０１の外縁に形成された溝部１００Ａと、吸着面２０１および溝部１００Ａを回転させる回転軸３と、溝部１００Ａの下方（底部１０２Ａよりも半導体ウエハから離れた位置）から高い清浄度の空気を送り込む送風機構１０４とを備えている。   As shown in FIG. 18, the wafer chuck includes a suction surface 201 that is fixed by sucking a semiconductor wafer, a groove portion 100A formed on the outer edge of the suction surface 201, and a rotating shaft 3 that rotates the suction surface 201 and the groove portion 100A. And a blower mechanism 104 that feeds air with high cleanness from below the groove 100A (a position farther from the semiconductor wafer than the bottom 102A).

送風機構１０４から溝部１００Ａと半導体ウエハの裏面とで形成される空間内に送り込まれる空気の清浄度が高いことで、製品の品質への信頼度がより高まる。送り込まれる空気としては、例えば、ＨＥＰＡ（Ｈｉｇｈ Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ Ｐａｒｔｉｃｕｌａｔｅ Ａｉｒ Ｆｉｌｔｅｒ）フィルターによって異物を除去された空気（クラス１０００以下。１フィート立方中に０．５ミクロン以上の微粒子が１０００個以下）が考えられる。   The high cleanliness of the air sent from the blower mechanism 104 into the space formed by the groove 100A and the back surface of the semiconductor wafer increases the reliability of the product quality. As the air to be sent in, for example, air from which foreign matter has been removed by a HEPA (High Efficiency Particulate Air Filter) filter (class 1000 or less, 1000 particles of 0.5 microns or more in 1 foot cube or less) can be considered.

＜効果＞
本実施形態によれば、底部１０２Ａが、吸着面２０１の周方向において断続的に形成され、かつ、吸着面２０１の平面視においてプロペラの羽の形状である。 <Effect>
According to the present embodiment, the bottom portion 102 </ b> A is intermittently formed in the circumferential direction of the suction surface 201 and has the shape of a propeller wing in a plan view of the suction surface 201.

このような構成によれば、半導体ウエハ１およびウエハチャックが回転軸３を中心に回転した場合に、底部１０２Ａが形成されない部分から空気が流入し、隙間Ｘから空気が流出する。よって、隙間Ｘからミスト等が浸入することを効果的に抑制することができる。   According to such a configuration, when the semiconductor wafer 1 and the wafer chuck rotate around the rotation shaft 3, air flows in from the portion where the bottom portion 102 </ b> A is not formed, and air flows out from the gap X. Therefore, it is possible to effectively prevent mist and the like from entering from the gap X.

さらに、溝部１００Ａと半導体ウエハ１の裏面とで形成される空間内の圧力が十分に上昇する（陽圧）ことによって、隙間Ｘからミスト等が浸入することを効果的に抑制することができる。   Furthermore, when the pressure in the space formed by the groove 100A and the back surface of the semiconductor wafer 1 is sufficiently increased (positive pressure), it is possible to effectively suppress the intrusion of mist and the like from the gap X.

また、本実施形態によれば、ウエハチャックが、底部１０２Ａよりも半導体ウエハ１から離れる方向に配置された、送風機構１０４を備える。   In addition, according to the present embodiment, the wafer chuck is provided with the blower mechanism 104 that is arranged in a direction away from the semiconductor wafer 1 than the bottom 102A.

このような構成によれば、底部１０２Ａが形成されない部分から隙間Ｘに至る空気の流れを効果的に作り出すことができるため、隙間Ｘからミスト等が浸入することを効果的に抑制することができる。また、送風機構１０４によって清浄度の高い空気を送り込むことによって、製品の品質への信頼度をより高めることができる。   According to such a configuration, it is possible to effectively create an air flow from the portion where the bottom portion 102A is not formed to the gap X, and therefore it is possible to effectively suppress the intrusion of mist or the like from the gap X. . Moreover, the reliability to the quality of a product can be raised more by sending air with high cleanliness by the ventilation mechanism 104. FIG.

＜第３実施形態＞
＜構成＞
以下では、上記実施形態で説明した構成と同様の構成については同じ符号を付して図示し、その詳細な説明については適宜省略する。 <Third Embodiment>
<Configuration>
In the following, the same components as those described in the above embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted as appropriate.

図１９は、本実施形態に関するウエハチャック補助具を示す上面図である。図２０は、図１９に示されたウエハチャック補助具のＥ−Ｅ’断面図である。   FIG. 19 is a top view showing the wafer chuck assisting tool according to the present embodiment. 20 is a cross-sectional view taken along the line E-E 'of the wafer chuck auxiliary tool shown in FIG.

図１９に示されるようにウエハチャック補助具２１は、ウエハチャックが取り付けられる部分を中空として確保し、ウエハチャックが取り付けられる部分の外縁に形成された輪形状の溝部１００Ｃを備えている。   As shown in FIG. 19, the wafer chuck auxiliary tool 21 secures a hollow portion to which the wafer chuck is attached, and includes an annular groove portion 100 </ b> C formed on the outer edge of the portion to which the wafer chuck is attached.

溝部１００Ｃは、輪内部にウエハチャックを嵌め込んで固定可能である。   The groove 100C can be fixed by fitting a wafer chuck inside the ring.

溝部１００Ｃは、ウエハチャックの径方向外側に一定距離で形成され、かつ、吸着面よりも半導体ウエハから離れる方向に位置する底部１０２と、底部１０２の外側に形成された側壁部１０３とを備えている（図２０参照）。側壁部１０３は、吸着面よりも半導体ウエハから離れる方向にその上端が位置し、かつ、底部１０２よりも盛り上がって形成されている。   The groove portion 100 </ b> C includes a bottom portion 102 that is formed at a constant distance outside the wafer chuck in the radial direction and is located in a direction farther from the semiconductor wafer than the suction surface, and a side wall portion 103 formed outside the bottom portion 102. (See FIG. 20). The side wall portion 103 is formed so that its upper end is located in a direction away from the semiconductor wafer with respect to the suction surface and is raised above the bottom portion 102.

図２０に示されるように、側壁部１０３の内壁、すなわち、吸着面の径方向内側における面は、吸着面の径方向内側へ下る斜面である。換言すれば、当該斜面と半導体ウエハとの間の距離は、吸着面の径方向内側であるほど大きくなる。   As shown in FIG. 20, the inner wall of the side wall portion 103, that is, the surface on the radially inner side of the suction surface is a slope that goes down radially inward of the suction surface. In other words, the distance between the inclined surface and the semiconductor wafer becomes larger as it is radially inward of the suction surface.

また、溝部１００Ｃは、取り付けられるウエハチャックの裏面の外縁部分に対応する位置に、突起部１０５を備えている。   Further, the groove 100C includes a protrusion 105 at a position corresponding to the outer edge portion of the back surface of the wafer chuck to be attached.

溝部１００Ｃの中空である領域の径方向の距離は、半導体ウエハの外径に合わせて複数種用意しておくことが望ましい。半導体ウエハと溝部１００Ｃとは、溝部１００Ｃの内側面、および、突起部１０５の上面で接触しているが、回転軸３を中心とする回転動作時に外れず、かつ、人力によって取り外しが可能な程度の摩擦力を有していることが望ましい。溝部１００Ｃの材質としては、例えば、耐薬品性を有し、かつ、加工が容易である樹脂系、または、金属系材料が望ましい。   It is desirable to prepare a plurality of types of radial distances in the hollow region of the groove 100C according to the outer diameter of the semiconductor wafer. The semiconductor wafer and the groove portion 100C are in contact with the inner surface of the groove portion 100C and the upper surface of the protrusion portion 105, but do not come off during the rotation operation around the rotation shaft 3 and can be removed by human power. It is desirable to have a frictional force of As a material of the groove portion 100C, for example, a resin-based or metal-based material that has chemical resistance and is easy to process is desirable.

図２１は、溝部にウエハチャックが取り付けられた状態を示す断面図である。図２１に示されるようにこの状態では、吸着面２００の外縁と溝部１００Ｃの内側面とが接触し、また、吸着面２００の裏面と突起部１０５とが接触している。   FIG. 21 is a cross-sectional view showing a state in which a wafer chuck is attached to the groove. As shown in FIG. 21, in this state, the outer edge of the suction surface 200 and the inner surface of the groove portion 100C are in contact, and the back surface of the suction surface 200 and the protrusion 105 are in contact.

図２２は、溝部にウエハチャックが取り付けられた状態を示す断面図である。ただし、図２１に示された場合とは異なり、吸着面２００の裏面と突起部１０５との間に、スペーサー１０６が備えられている。   FIG. 22 is a cross-sectional view showing a state in which a wafer chuck is attached to the groove. However, unlike the case shown in FIG. 21, a spacer 106 is provided between the back surface of the suction surface 200 and the protrusion 105.

図２３は、上記のスペーサー１０６の形状を示す斜視図である。スペーサー１０６の厚さは、複数のパターンを用意しておくことができる。   FIG. 23 is a perspective view showing the shape of the spacer 106 described above. A plurality of patterns can be prepared for the thickness of the spacer 106.

このように、厚さの異なるスペーサー１０６を複数種用意しておくことで、半導体ウエハの裏面と側壁部１０３の上端との間の隙間Ｘを調整することができ、異なる厚さを有する半導体ウエハに対しても、同様にウエハチャック補助具２１を取り付けて本発明の効果を発揮させることができる。   In this way, by preparing a plurality of types of spacers 106 having different thicknesses, the gap X between the back surface of the semiconductor wafer and the upper end of the side wall portion 103 can be adjusted, and the semiconductor wafer having different thicknesses. Similarly, the wafer chuck auxiliary tool 21 can be similarly attached to exert the effects of the present invention.

＜変形例＞
図２４は、図１９に示されたウエハチャック補助具の変形例を示す図である。 <Modification>
FIG. 24 is a view showing a modification of the wafer chuck auxiliary tool shown in FIG.

図２４に示されるようにウエハチャック補助具２１Ａは、ウエハチャックが取り付けられる部分を中空として確保し、ウエハチャックが取り付けられる部分の外縁に形成された溝部１００Ｄを備えている。   As shown in FIG. 24, the wafer chuck auxiliary tool 21A secures a hollow portion to which the wafer chuck is attached and includes a groove portion 100D formed on the outer edge of the portion to which the wafer chuck is attached.

溝部１００Ｄは、ウエハチャックの径方向外側に一定距離で形成された底部１０２Ａと、底部１０２Ａの外側に形成された側壁部１０３Ａとを備えている。   The groove portion 100D includes a bottom portion 102A formed at a constant distance outside the wafer chuck in the radial direction, and a side wall portion 103A formed outside the bottom portion 102A.

また溝部１００Ｄは、取り付けられるウエハチャックの裏面の外縁部分に対応する位置に、突起部１０５を備えている。   Further, the groove portion 100D includes a protruding portion 105 at a position corresponding to the outer edge portion of the back surface of the wafer chuck to be attached.

底部１０２Ａは、少なくともウエハチャックの吸着面よりも下方に位置していればよい。また底部１０２Ａは、吸着面の周方向に断続的に形成され、回転軸３を中心に回転するプロペラの羽の形状である。底部１０２Ａの形状により、回転軸３を中心に吸着面および溝部１００Ｄが回転すると、回転軸３に平行な方向に空気の流れが生じる。   The bottom 102A only needs to be positioned at least below the suction surface of the wafer chuck. The bottom 102A is formed in the shape of a wing of a propeller that is intermittently formed in the circumferential direction of the suction surface and rotates about the rotation shaft 3. Due to the shape of the bottom portion 102 </ b> A, when the suction surface and the groove 100 </ b> D rotate around the rotation shaft 3, an air flow is generated in a direction parallel to the rotation shaft 3.

なお、図１８に示されたような送風機構１０４がウエハチャック補助具に備えられていてもよい。   A blower mechanism 104 as shown in FIG. 18 may be provided in the wafer chuck auxiliary tool.

＜効果＞
本実施形態によれば、ウエハチャック補助具が、輪形状の溝部１００Ｃを備える。 <Effect>
According to the present embodiment, the wafer chuck auxiliary tool includes the annular groove portion 100C.

溝部１００Ｃは、輪内にウエハチャックを嵌め込んで固定可能である。ウエハチャックは、半導体ウエハ１を吸着する吸着面２００を備える。溝部１００Ｃは、底部１０２と、側壁部１０３とを備える。   The groove 100C can be fixed by fitting a wafer chuck into the ring. The wafer chuck includes an adsorption surface 200 that adsorbs the semiconductor wafer 1. The groove part 100 </ b> C includes a bottom part 102 and a side wall part 103.

底部１０２は、吸着面２００よりも半導体ウエハ１から離れる方向に位置し、かつ、側壁部１０３よりも吸着面２００の径方向内側において側壁部１０３の下端と連続して形成されている。   The bottom portion 102 is located in a direction away from the semiconductor wafer 1 with respect to the suction surface 200 and is formed continuously with the lower end of the side wall portion 103 on the radial inner side of the suction surface 200 with respect to the side wall portion 103.

側壁部１０３は、上端および下端が吸着面２００よりも半導体ウエハ１から離れる方向に位置して形成されている。そして、側壁部１０３は、吸着面２００の径方向内側に内壁を有している。側壁部１０３の内壁は、下り斜面である。   The side wall portion 103 is formed such that the upper end and the lower end are located in a direction away from the semiconductor wafer 1 with respect to the suction surface 200. The side wall 103 has an inner wall on the radially inner side of the suction surface 200. The inner wall of the side wall 103 is a downward slope.

このような構成によれば、従来のウエハチャックを流用しつつ、半導体ウエハ１の裏面にミスト等が付着することを抑制できる。また、ウエハ径に対するウエハチャック径を小さくする必要がない。   According to such a configuration, it is possible to suppress mist and the like from adhering to the back surface of the semiconductor wafer 1 while diverting the conventional wafer chuck. Further, it is not necessary to reduce the wafer chuck diameter with respect to the wafer diameter.

従来のウエハチャックを流用できるため、導入が容易であり、製造コストも抑えることができる。また、加工が容易であるため、半導体ウエハの形状または厚さ等に応じて適宜設計を変更することも可能である。   Since a conventional wafer chuck can be used, introduction is easy and manufacturing cost can be reduced. Further, since the processing is easy, the design can be appropriately changed according to the shape or thickness of the semiconductor wafer.

また、本実施形態によれば、溝部１００Ｃが、嵌め込まれるウエハチャックの裏面の外縁部分に対応して形成された突起部１０５を備える。   Further, according to the present embodiment, the groove portion 100 </ b> C includes the protruding portion 105 formed corresponding to the outer edge portion of the back surface of the wafer chuck to be fitted.

そして、ウエハチャック補助具は、ウエハチャックの裏面の外縁部分と突起部１０５との間に挿入されるスペーサー１０６を備える。   The wafer chuck auxiliary tool includes a spacer 106 inserted between the outer edge portion of the back surface of the wafer chuck and the protrusion 105.

このような構成によれば、嵌め込まれるウエハチャックの厚さに応じてスペーサー１０６を適宜挿入することで、半導体ウエハ１と側壁部１０３の上端との間の間隔を調整することができる。すなわち、厚さの異なるウエハチャックに対して適用可能である。   According to such a configuration, the interval between the semiconductor wafer 1 and the upper end of the side wall portion 103 can be adjusted by appropriately inserting the spacer 106 according to the thickness of the wafer chuck to be fitted. That is, it can be applied to wafer chucks having different thicknesses.

また、本実施形態によれば、底部１０２Ａが、吸着面の周方向において断続的に形成され、かつ、吸着面の平面視においてプロペラの羽の形状である。   Further, according to the present embodiment, the bottom portion 102A is intermittently formed in the circumferential direction of the suction surface, and has a shape of a propeller wing in a plan view of the suction surface.

このような構成によれば、半導体ウエハ１およびウエハチャックが回転軸３を中心に回転した場合に、底部１０２Ａが形成されない部分から空気が流入し、隙間Ｘから空気が流出する。よって、隙間Ｘからミスト等が浸入することを効果的に抑制することができる。   According to such a configuration, when the semiconductor wafer 1 and the wafer chuck rotate around the rotation shaft 3, air flows in from the portion where the bottom portion 102 </ b> A is not formed, and air flows out from the gap X. Therefore, it is possible to effectively prevent mist and the like from entering from the gap X.

＜第４実施形態＞
＜構成＞
以下では、上記実施形態で説明した構成と同様の構成については同じ符号を付して図示し、その詳細な説明については適宜省略する。 <Fourth embodiment>
<Configuration>
In the following, the same components as those described in the above embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted as appropriate.

図２９は、本実施形態に関するウエハチャックの断面図である。図２に示されたウエハチャックと異なる点は、ウエハチャックの吸着面２００の外縁に沿って全周に形成された溝部１００Ｅが、側壁部１０３を備えており、底部１０２を備えていない点である。   FIG. 29 is a cross-sectional view of the wafer chuck according to the present embodiment. A difference from the wafer chuck shown in FIG. 2 is that a groove 100E formed on the entire circumference along the outer edge of the chucking surface 200 of the wafer chuck includes a side wall 103 and does not include a bottom 102. is there.

側壁部１０３の内壁の、吸着面２００の外縁に接触する箇所（斜面の下端）は、図２９においては吸着面２００の裏面側に位置しているが、当該箇所が吸着面２００の表面側に位置していてもよい。すなわち、側壁部１０３の斜面の傾斜角度が、図示されているものよりも浅くてもよい。また、側壁部１０３の斜面は、図２９において示されている一定の傾斜角のものである必要はなく、傾斜角が変化するものであってもよい。   The location (lower end of the slope) of the inner wall of the side wall 103 that is in contact with the outer edge of the suction surface 200 is located on the back side of the suction surface 200 in FIG. May be located. That is, the inclination angle of the slope of the side wall 103 may be shallower than that shown in the figure. Further, the slope of the side wall portion 103 does not have to have the constant inclination angle shown in FIG. 29, and the inclination angle may change.

側壁部１０３の斜面の傾斜角度、および、当該斜面の形状については、上述のいずれの実施形態においても同様である。   The inclination angle of the slope of the side wall 103 and the shape of the slope are the same in any of the above-described embodiments.

＜効果＞
本実施形態によれば、ウエハチャックが、半導体ウエハ１を吸着する吸着面２００と、吸着面２００の外縁に沿って全周に形成された溝部１００Ｅとを備える。溝部１００Ｅは、側壁部１０３を備える。 <Effect>
According to the present embodiment, the wafer chuck includes the suction surface 200 that sucks the semiconductor wafer 1 and the groove portion 100 </ b> E formed on the entire circumference along the outer edge of the suction surface 200. The groove part 100 </ b> E includes a side wall part 103.

側壁部１０３は、上端および下端が吸着面２００よりも半導体ウエハ１から離れる方向に位置して形成されている。そして、側壁部１０３は、吸着面２００の径方向内側に内壁を有している。側壁部１０３の内壁は、下り斜面である。   The side wall portion 103 is formed such that the upper end and the lower end are located in a direction away from the semiconductor wafer 1 with respect to the suction surface 200. The side wall 103 has an inner wall on the radially inner side of the suction surface 200. The inner wall of the side wall 103 is a downward slope.

このような構成によれば、側壁部１０３の斜面と半導体ウエハ１との間の距離が、吸着面２００の径方向内側であるほど大きくなるため、毛細管現象によって液体が半導体ウエハ１の裏面と吸着面２００との接触部周辺へ到達することを防ぐことができる。   According to such a configuration, the distance between the inclined surface of the side wall portion 103 and the semiconductor wafer 1 increases as the inner side in the radial direction of the adsorption surface 200, so that the liquid is adsorbed on the back surface of the semiconductor wafer 1 by capillary action. Reaching the periphery of the contact portion with the surface 200 can be prevented.

＜第５実施形態＞
以下では、上記実施形態で説明した構成と同様の構成については同じ符号を付して図示し、その詳細な説明については適宜省略する。 <Fifth Embodiment>
In the following, the same components as those described in the above embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted as appropriate.

図３０は、本実施形態に関するウエハチャック補助具の断面図である。図２０に示されたウエハチャック補助具と異なる点は、ウエハチャックが取り付けられる部分の外縁に形成された輪形状の溝部１００Ｆが、側壁部１０３を備えており、底部１０２を備えていない点である。   FIG. 30 is a cross-sectional view of the wafer chuck auxiliary tool relating to the present embodiment. A difference from the wafer chuck auxiliary tool shown in FIG. 20 is that an annular groove portion 100F formed on the outer edge of a portion to which the wafer chuck is attached has a side wall portion 103 and does not have a bottom portion 102. is there.

側壁部１０３の内壁の、ウエハチャックが取り付けられる部分の外縁に接触する箇所（斜面の下端）は、図３０においては、取り付けられる吸着面２００の裏面側に位置しているが、当該箇所が吸着面２００の表面側に位置していてもよい。すなわち、側壁部１０３の斜面の傾斜角度が、図示されているものよりも浅くてもよい。また、側壁部１０３の斜面は、図３０において示されている一定の傾斜角のものである必要はなく、傾斜角が変化するものであってもよい。   The location (lower end of the slope) of the inner wall of the side wall portion 103 that contacts the outer edge of the portion to which the wafer chuck is attached is located on the back side of the suction surface 200 to be attached in FIG. It may be located on the surface side of the surface 200. That is, the inclination angle of the slope of the side wall 103 may be shallower than that shown in the figure. Further, the slope of the side wall portion 103 does not have to have the constant inclination angle shown in FIG. 30, and the inclination angle may change.

側壁部１０３の斜面の傾斜角度、および、当該斜面の形状については、上述のいずれの実施形態においても同様である。   The inclination angle of the slope of the side wall 103 and the shape of the slope are the same in any of the above-described embodiments.

＜効果＞
本実施形態によれば、ウエハチャック補助具が、輪形状の溝部１００Ｆを備える。 <Effect>
According to the present embodiment, the wafer chuck auxiliary tool includes the annular groove portion 100F.

溝部１００Ｆは、輪内にウエハチャックを嵌め込んで固定可能である。ウエハチャックは、半導体ウエハ１を吸着する吸着面２００を備える。溝部１００Ｆは、側壁部１０３を備える。   The groove portion 100F can be fixed by fitting a wafer chuck into the ring. The wafer chuck includes an adsorption surface 200 that adsorbs the semiconductor wafer 1. The groove part 100 </ b> F includes a side wall part 103.

側壁部１０３は、上端および下端が吸着面２００よりも半導体ウエハ１から離れる方向に位置して形成されている。そして、側壁部１０３は、吸着面２００の径方向内側に内壁を有している。側壁部１０３の内壁は、下り斜面である。   The side wall portion 103 is formed such that the upper end and the lower end are located in a direction away from the semiconductor wafer 1 with respect to the suction surface 200. The side wall 103 has an inner wall on the radially inner side of the suction surface 200. The inner wall of the side wall 103 is a downward slope.

このような構成によれば、側壁部１０３の斜面と半導体ウエハ１との間の距離が、吸着面２００の径方向内側であるほど大きくなるため、毛細管現象によって液体が半導体ウエハ１の裏面と吸着面２００との接触部周辺へ到達することを防ぐことができる。   According to such a configuration, the distance between the inclined surface of the side wall portion 103 and the semiconductor wafer 1 increases as the inner side in the radial direction of the adsorption surface 200, so that the liquid is adsorbed on the back surface of the semiconductor wafer 1 by capillary action. Reaching the periphery of the contact portion with the surface 200 can be prevented.

上記実施形態では、各構成要素の材質、材料または実施の条件等についても記載しているが、これらは例示であって記載したものに限られるものではない。よって、例示されていない無数の変形例（任意の構成要素の変形または省略、さらには、異なる実施形態間の自由な組み合わせを含む）が、本発明の範囲内において想定され得る。   In the said embodiment, although the material of each component, material, or the conditions of implementation etc. are described, these are illustrations and are not restricted to what was described. Accordingly, countless variations that are not illustrated (including modifications or omissions of arbitrary components and free combinations between different embodiments) can be envisaged within the scope of the present invention.

１ 半導体ウエハ、２，２Ａ，２０ ウエハチャック、３ 回転軸、４ レジスト膜、５ 薬液、６ 側壁、７ ミスト、８ 気流、９ 乱気流、１０ 洗浄機構、１１ 洗浄液、１２ 領域、１３ 現像液、１４ 廻り込み防止機構、２１，２１Ａ ウエハチャック補助具、１００，１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄ，１００Ｅ，１００Ｆ 溝部、１０１ 溝、１０２，１０２Ａ 底部、１０３，１０３Ａ 側壁部、１０４ 送風機構、１０５ 突起部、１０６ スペーサー、２００，２０１ 吸着面。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor wafer, 2, 2A, 20 Wafer chuck, 3 Rotating shaft, 4 Resist film, 5 Chemical solution, 6 Side wall, 7 Mist, 8 Air flow, 9 Turbulence, 10 Cleaning mechanism, 11 Cleaning liquid, 12 area | region, 13 Developer, 14 Anti-rotation mechanism, 21, 21A Wafer chuck auxiliary tool, 100, 100A, 100B, 100C, 100D, 100E, 100F Groove, 101 groove, 102, 102A Bottom, 103, 103A Side wall, 104 Blower mechanism, 105 Protrusion, 106 Spacer, 200, 201 Adsorption surface.

Claims (5)

輪形状の溝部を備え、
前記溝部は、輪内にウエハチャックを嵌め込んで固定可能であり、
前記ウエハチャックは、半導体ウエハを吸着する吸着面を備え、
前記溝部は、
上端および下端が前記吸着面よりも前記半導体ウエハから離れる方向に位置して形成された、前記吸着面の径方向内側に内壁を有する側壁部を備え、
前記側壁部の前記内壁が、下り斜面である、
ウエハチャック補助具。 With a ring-shaped groove,
The groove can be fixed by fitting a wafer chuck in the ring,
The wafer chuck includes a suction surface for sucking a semiconductor wafer,
The groove is
The upper end and the lower end are formed so as to be located in a direction away from the semiconductor wafer with respect to the suction surface, and include a side wall portion having an inner wall on the radially inner side of the suction surface,
The inner wall of the side wall is a downward slope;
Wafer chuck auxiliary tool. 前記溝部が、嵌め込まれる前記ウエハチャックの裏面の外縁部分に対応して形成された突起部をさらに備え、
ウエハチャック補助具が、前記ウエハチャックの裏面の外縁部分と前記突起部との間に挿入されるスペーサーをさらに備える、
請求項１に記載のウエハチャック補助具。 The groove portion further comprises a protrusion formed corresponding to the outer edge portion of the back surface of the wafer chuck to be fitted,
The wafer chuck auxiliary tool further includes a spacer inserted between an outer edge portion of the back surface of the wafer chuck and the protrusion.
The wafer chuck auxiliary tool according to claim 1. 前記溝部が、前記吸着面よりも前記半導体ウエハから離れる方向に位置し、かつ、前記側壁部よりも前記吸着面の径方向内側において前記側壁部の前記下端と連続して形成された底部をさらに備える、
請求項１または２に記載のウエハチャック補助具。 The groove portion is positioned further away from the semiconductor wafer than the suction surface, and further includes a bottom portion formed continuously with the lower end of the side wall portion on the radially inner side of the suction surface from the side wall portion. Prepare
The wafer chuck auxiliary tool according to claim 1 or 2. 前記底部が、前記吸着面の周方向において断続的に形成され、かつ、前記吸着面の平面視においてプロペラの羽の形状である、
請求項３に記載のウエハチャック補助具。 The bottom is intermittently formed in the circumferential direction of the suction surface, and is in the shape of a propeller wing in a plan view of the suction surface;
The wafer chuck auxiliary tool according to claim 3. 前記底部よりも前記半導体ウエハから離れる方向に配置された、送風機構をさらに備える、
請求項３または４に記載のウエハチャック補助具。 Further provided with a blower mechanism disposed in a direction away from the semiconductor wafer than the bottom,
The wafer chuck auxiliary tool according to claim 3 or 4.
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