JP2018037570A - Display unit - Google Patents

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有弥 田中
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a display unit capable of controlling a threshold voltage of an OLED provided on each pixel.SOLUTION: An electron transport layer 44 includes a positive hole blocking layer 43 formed between the electron transport layer 44 formed from a material storing a negative fixed charge on the positive hole blocking layer 43 side and a luminous layer 42. When a positive charge by a positive hole which the positive hole blocking layer 43 blocks and a negative fixed charge cancel each other, current supply into an OLED starts.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本発明は表示装置に関する。   The present invention relates to a display device.

有機EL表示装置は、各画素に、アノード、カソード、及び発光層を含む有機発光ダイオード(OLED)を有している。有機EL表示装置のなかには、発光層が複数の画素に別個に形成されているものがある。下記特許文献1では、青画素、緑画素、及び赤画素に、青色発光層、緑色発光層、赤色発光層がそれぞれ形成されている。また、特許文献1では、緑色発光層と赤色発光層は電子輸送層とブロッキング層とで覆われ、青色発光層は電子輸送層だけで覆われている。   The organic EL display device has an organic light emitting diode (OLED) including an anode, a cathode, and a light emitting layer in each pixel. Some organic EL display devices have a light emitting layer formed separately on a plurality of pixels. In the following Patent Document 1, a blue light emitting layer, a green light emitting layer, and a red light emitting layer are formed in a blue pixel, a green pixel, and a red pixel, respectively. Moreover, in patent document 1, the green light emitting layer and the red light emitting layer are covered with the electron carrying layer and the blocking layer, and the blue light emitting layer is covered only with the electron carrying layer.

特開2002−260858号公報JP 2002-260858 A

OLEDの閾値電圧は、そのビルトイン電位によって決まる。そのため、OLEDの材料(例えば、発光層の材料)が画素によって異なるために、OLEDの閾値電圧が画素によって相違する場合がある。例えば青色発光層、緑色発光層、赤色発光層が3つの画素にそれぞれ形成されている表示装置においては、3つの画素でOLEDの閾値電圧が異なる場合がある。このため、例えば白を表示するために青画素、赤画素、及び緑画素に同電圧を加えると、閾値電圧が低い画素(例えば、赤画素や緑画素)の輝度が高くなり、閾値電圧が高い画素(例えば、青画素)の輝度が相対的に低くなり、その結果、清純な白が表示されないという問題が生じる。   The threshold voltage of an OLED is determined by its built-in potential. Therefore, since the material of the OLED (for example, the material of the light emitting layer) differs depending on the pixel, the threshold voltage of the OLED may differ depending on the pixel. For example, in a display device in which a blue light emitting layer, a green light emitting layer, and a red light emitting layer are formed in three pixels, the threshold voltage of the OLED may be different in the three pixels. For this reason, for example, when the same voltage is applied to a blue pixel, a red pixel, and a green pixel in order to display white, the luminance of a pixel having a low threshold voltage (for example, a red pixel or a green pixel) is increased, and the threshold voltage is increased. The luminance of a pixel (for example, a blue pixel) becomes relatively low, and as a result, there arises a problem that pure white is not displayed.

本発明の目的の一つは、各画素に設けられているOLEDの閾値電圧を制御できる表示装置を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a display device capable of controlling the threshold voltage of an OLED provided in each pixel.

本発明に係る表示装置は、アノードと、カソードと、前記アノードと前記カソードとの間に形成されている発光層と、前記カソードと前記発光層との間に形成され、前記カソードから供給される電子を前記発光層に輸送する電子輸送層と、前記電子輸送層と前記発光層との間に形成され、前記アノードから前記カソードに向かう正孔をブロックする正孔ブロッキング層と、を有している。前記電子輸送層は、前記電子輸送層の前記正孔ブロッキング層側に負の固定電荷を蓄積する材料で形成されている。この表示装置によれば、OLEDの閾値電圧を制御できる。
また、本発明に係る別の表示装置は、発光層と、電子と正孔のうちの一方の電荷である第1電荷を前記発光層に供給する第1電極と、前記発光層を挟んで前記第1電極とは反対側に配置され、電子と正孔のうちの他方の電荷である第2電荷を前記発光層に供給する第2電極と、前記第1電極と前記発光層との間に配置され、前記第1電極から供給される前記第1電荷を前記発光層に輸送するための第1電荷輸送層と、前記第1電荷輸送層と前記発光層との間に配置され、前記第2電極から前記第1電極に向かう前記第2電荷をブロックする第2電荷ブロッキング層とを有している。前記第1電荷輸送層の材料は、前記第1電荷輸送層の前記第2電荷ブロッキング層側に前記第1電荷を蓄積する材料である。この表示装置によっても、OLEDの閾値電圧を制御できる。
The display device according to the present invention is formed between an anode, a cathode, a light emitting layer formed between the anode and the cathode, and between the cathode and the light emitting layer, and is supplied from the cathode. An electron transport layer that transports electrons to the light emitting layer, and a hole blocking layer that is formed between the electron transport layer and the light emitting layer and blocks holes from the anode toward the cathode. Yes. The electron transport layer is formed of a material that accumulates negative fixed charges on the hole blocking layer side of the electron transport layer. According to this display device, the threshold voltage of the OLED can be controlled.
Further, another display device according to the present invention includes a light emitting layer, a first electrode that supplies the first charge, which is one of electrons and holes, to the light emitting layer, and the light emitting layer interposed therebetween. A second electrode that is disposed on the opposite side of the first electrode and supplies the second charge, which is the other charge of electrons and holes, to the light emitting layer, and between the first electrode and the light emitting layer A first charge transport layer disposed to transport the first charge supplied from the first electrode to the light emitting layer, disposed between the first charge transport layer and the light emitting layer, and A second charge blocking layer that blocks the second charge from the two electrodes toward the first electrode. The material of the first charge transport layer is a material that accumulates the first charge on the second charge blocking layer side of the first charge transport layer. This display device can also control the threshold voltage of the OLED.

本発明の実施形態に係る有機EL表示装置を示す平面図である。It is a top view which shows the organic electroluminescence display which concerns on embodiment of this invention. 図1に示す表示装置の断面図である。It is sectional drawing of the display apparatus shown in FIG. 各画素に形成されている画素回路を示す図である。It is a figure which shows the pixel circuit currently formed in each pixel. 青画素、緑画素、及び赤画素における有機発光ダイオードの積層構造を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the laminated structure of the organic light emitting diode in a blue pixel, a green pixel, and a red pixel. 有機発光ダイオードの積層構造を示す図である。この図では、カソードから発光層への電子供給が開始する前の状態(初期状態)が模式的に示されている。It is a figure which shows the laminated structure of an organic light emitting diode. In this figure, a state (initial state) before the start of electron supply from the cathode to the light emitting layer is schematically shown. 有機発光ダイオードを構成する層のエネルギーレベルの例を示す図である。この図では、カソードから発光層への電子供給が開始する前の状態(初期状態)が示されている。It is a figure which shows the example of the energy level of the layer which comprises an organic light emitting diode. This figure shows a state (initial state) before the start of electron supply from the cathode to the light emitting layer. 有機発光ダイオードの積層構造を示す図である。この図では、カソードから発光層への電子供給が開始している状態が模式的に示されている。It is a figure which shows the laminated structure of an organic light emitting diode. In this figure, a state in which the supply of electrons from the cathode to the light emitting layer is started is schematically shown. 有機発光ダイオードを構成する層のエネルギーレベルの例を示す図である。この図では、カソードから発光層への電子供給が開始している状態が模式的に示されている。It is a figure which shows the example of the energy level of the layer which comprises an organic light emitting diode. In this figure, a state in which the supply of electrons from the cathode to the light emitting layer is started is schematically shown. 有機発光ダイオードに加えられる電圧と有機発光ダイオードを流れる電流密度との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the voltage applied to an organic light emitting diode, and the current density which flows through an organic light emitting diode. 有機発光ダイオードに加えられる電圧と有機発光ダイオードに流れる電流密度との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the voltage applied to an organic light emitting diode, and the current density which flows into an organic light emitting diode.

以下、本発明の一実施形態について説明する。図1は本発明の実施形態の一例である有機ElectroLuminesence表示装置1の平面図である。図2は有機EL表示装置1の断面図である。図3はTFT基板10の回路層30に形成されている回路の一例を説明するための図である。図4は発光色の異なる3つの画素における有機発光ダイオード(OLED)4の積層構造を例示する図である。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 is a plan view of an organic ElectroLuminescence display device 1 which is an example of an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view of the organic EL display device 1. FIG. 3 is a diagram for explaining an example of a circuit formed in the circuit layer 30 of the TFT substrate 10. FIG. 4 is a diagram illustrating a stacked structure of organic light emitting diodes (OLED) 4 in three pixels having different emission colors.

以下、本発明の一実施形態について説明する。なお、本明細書の開示は一例にすぎず、発明の主旨を保っての適宜の変更で且つ当業者が容易に想到し得るものは、本発明の範囲に含有される。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described. It should be noted that the disclosure of this specification is merely an example, and any modifications that can be easily conceived by those skilled in the art while maintaining the gist of the present invention are included in the scope of the present invention.

図1に示すように、表示装置1には表示領域Dが規定されている。表示領域Dには、複数の色でそれぞれ発光する複数の画素が規定されている。例えば、表示装置1は、複数の画素として、赤画素Pr、緑画素Pg、及び青画素Pbを含んでいる(図2参照)。各画素にOLED4(図3参照)が形成されている。画素の色及び色の数は表示装置1の例に限定されない。   As shown in FIG. 1, a display area D is defined in the display device 1. In the display area D, a plurality of pixels that respectively emit light in a plurality of colors are defined. For example, the display device 1 includes a red pixel Pr, a green pixel Pg, and a blue pixel Pb as a plurality of pixels (see FIG. 2). An OLED 4 (see FIG. 3) is formed in each pixel. The color of the pixel and the number of colors are not limited to the example of the display device 1.

図1に示すように、表示装置1はTFT基板10を有している。表示装置1はさらにTFT基板10と対向する対向基板9を有してもよい。図2に示すように、TFT基板10は基材10aを有している。基材10aは例えばガラスやプラスチックである。また、TFT基板10は基材10a上に形成される回路層30を有している。回路層30はOLED4へ供給する電流を制御する画素回路が形成されている。   As shown in FIG. 1, the display device 1 has a TFT substrate 10. The display device 1 may further include a counter substrate 9 that faces the TFT substrate 10. As shown in FIG. 2, the TFT substrate 10 has a base material 10a. The base material 10a is, for example, glass or plastic. The TFT substrate 10 has a circuit layer 30 formed on the base material 10a. The circuit layer 30 is formed with a pixel circuit that controls a current supplied to the OLED 4.

図2に示すように、回路層30の上側にはアノード2が形成されている。具体的には、回路層30の上側には平坦化膜(不図示)が形成され、その平坦化膜の上側にアノード2が形成されている。アノード2は各画素に位置している。TFT基板10はアノード2と向き合っているカソード3を有している。カソード3は複数の画素に亘って形成されている。すなわち、複数の画素においてカソード3は連続している。図4に示すように、アノード2とカソード3との間に、後述する発光層42や電子輸送層44を有する有機層40が形成されている。有機層40、アノード2、及びカソード3によってOLED4が構成されている。   As shown in FIG. 2, the anode 2 is formed on the upper side of the circuit layer 30. Specifically, a planarization film (not shown) is formed on the upper side of the circuit layer 30, and the anode 2 is formed on the upper side of the planarization film. The anode 2 is located in each pixel. The TFT substrate 10 has a cathode 3 facing the anode 2. The cathode 3 is formed over a plurality of pixels. That is, the cathode 3 is continuous in a plurality of pixels. As shown in FIG. 4, an organic layer 40 having a light emitting layer 42 and an electron transport layer 44 described later is formed between the anode 2 and the cathode 3. An OLED 4 is constituted by the organic layer 40, the anode 2, and the cathode 3.

回路層30は、各画素に形成されている画素回路を有している。各画素のアノード2は回路層30に形成されている画素回路に接続している。図3に示すように、画素回路は複数のTFT(Thin Film Transistor)31a,31bや、キャパシタ31cなどを有している。また、回路層30には、X方向に伸びている走査信号線31Bと、Y方向に伸びている映像信号線31Cと、Y方向に伸びている駆動電源線31Dとが形成されている。アノード2は駆動TFT31bを介して駆動電源線31Dに接続されている。カソード3は接地電位に接続されている。走査信号線31BはY方向に並んでいる複数の画素行のそれぞれに設けられている。映像信号線31CはX方向に並んでいる複数の画素列のそれぞれに設けられている。走査信号線31Bは走査線駆動回路(不図示)によって順番に選択される。選択された走査信号線31BにはスイッチングTFT31aをオンする電圧が印加される。映像信号線31Cには、選択された走査信号線31Bに接続された画素の映像信号に応じた電圧が加えられる。この電圧はスイッチングTFT31aを介してキャパシタ31cに加えられる。キャパシタ31cに加えられた電圧に応じた電流が、駆動TFT31bを通して駆動電源線31DからOLED4に供給される。これにより、選択された走査信号線31Bに対応する画素のOLED4が発光する。画素回路は図3に示す例に限られず、種々の変更がなされてよい。   The circuit layer 30 has a pixel circuit formed in each pixel. The anode 2 of each pixel is connected to a pixel circuit formed in the circuit layer 30. As shown in FIG. 3, the pixel circuit includes a plurality of TFTs (Thin Film Transistors) 31a and 31b, a capacitor 31c, and the like. The circuit layer 30 includes a scanning signal line 31B extending in the X direction, a video signal line 31C extending in the Y direction, and a drive power supply line 31D extending in the Y direction. The anode 2 is connected to the drive power supply line 31D via the drive TFT 31b. The cathode 3 is connected to the ground potential. The scanning signal line 31B is provided in each of a plurality of pixel rows arranged in the Y direction. The video signal line 31C is provided in each of a plurality of pixel columns arranged in the X direction. The scanning signal lines 31B are sequentially selected by a scanning line driving circuit (not shown). A voltage for turning on the switching TFT 31a is applied to the selected scanning signal line 31B. A voltage corresponding to the video signal of the pixel connected to the selected scanning signal line 31B is applied to the video signal line 31C. This voltage is applied to the capacitor 31c via the switching TFT 31a. A current corresponding to the voltage applied to the capacitor 31c is supplied from the drive power supply line 31D to the OLED 4 through the drive TFT 31b. Thereby, the OLED 4 of the pixel corresponding to the selected scanning signal line 31B emits light. The pixel circuit is not limited to the example shown in FIG. 3, and various changes may be made.

図2に示すように、アノード2上にバンク層21が形成されている。バンク層21は、各画素に、アノード2を露出させる開口を有している。有機層40はアノード2及びバンク層21上に形成され、バンク層21の開口の内側においてアノード2と接している。カソード3は有機層40への水分の浸透を防ぐバリア層5によって覆われている。バリア層5は複数の層で構成される積層構造を有してもよい。表示装置1の例では、バリア層5は、SiNやSiOなどの無機材料で形成される第1バリア層5a及び第3バリア層5cと、第1バリア層5aと第3バリア層5cとの間に形成される、アクリルなどの有機材料で形成されている第2バリア層5bとを有している。バリア層5の構造は表示装置1の例に限られない。表示装置1の例ではバリア層5の上側に対向基板9が配置され、バリア層5と対向基板9との間に充填材6が形成されている。   As shown in FIG. 2, a bank layer 21 is formed on the anode 2. The bank layer 21 has an opening for exposing the anode 2 to each pixel. The organic layer 40 is formed on the anode 2 and the bank layer 21, and is in contact with the anode 2 inside the opening of the bank layer 21. The cathode 3 is covered with a barrier layer 5 that prevents the penetration of moisture into the organic layer 40. The barrier layer 5 may have a laminated structure including a plurality of layers. In the example of the display device 1, the barrier layer 5 includes a first barrier layer 5a and a third barrier layer 5c formed of an inorganic material such as SiN or SiO, and between the first barrier layer 5a and the third barrier layer 5c. And a second barrier layer 5b formed of an organic material such as acrylic. The structure of the barrier layer 5 is not limited to the example of the display device 1. In the example of the display device 1, the counter substrate 9 is disposed on the upper side of the barrier layer 5, and the filler 6 is formed between the barrier layer 5 and the counter substrate 9.

上述したように、各画素にOLED4が形成されている。OLED4はアノード2とカソード3と有機層40とを有している。表示装置1はトップエミッション型の表示装置である。アノード2は光反射性を有する金属膜、或いは光反射性を有する金属膜と透明導電膜との積層膜により構成される。例えば、アノード2の材料としては、例えば、ITOとAgとの積層膜や、AlNd合金の膜、IZOと銀との積層膜などを用いることができる。カソード3の材料としては、例えばITOやIZO、ZnOなどの透明導電性材料を用いることができる。カソード3に半透明、半反射の導電性材料を用いてもよい。カソード3には、例えばマグネシウムや銀が含まれてもよいし、マグネシウムと銀の合金が用いられてもよい。表示装置1はボトムエミッション型でもよい。この場合、アノード2は透明導電材料或いは半透明、半反射の導電性材料によって形成され、カソード3は光を反射する材料を含む。アノード2及びカソード3の材料は上述したものに限定されず、適宜変更されてよい。   As described above, the OLED 4 is formed in each pixel. The OLED 4 has an anode 2, a cathode 3, and an organic layer 40. The display device 1 is a top emission type display device. The anode 2 is composed of a metal film having light reflectivity or a laminated film of a metal film having light reflectivity and a transparent conductive film. For example, as the material of the anode 2, for example, a laminated film of ITO and Ag, an AlNd alloy film, a laminated film of IZO and silver, or the like can be used. As a material of the cathode 3, for example, a transparent conductive material such as ITO, IZO, or ZnO can be used. A semi-transparent and semi-reflective conductive material may be used for the cathode 3. The cathode 3 may contain, for example, magnesium or silver, or an alloy of magnesium and silver may be used. The display device 1 may be a bottom emission type. In this case, the anode 2 is formed of a transparent conductive material or a translucent, semi-reflective conductive material, and the cathode 3 includes a material that reflects light. The materials of the anode 2 and the cathode 3 are not limited to those described above, and may be changed as appropriate.

図4に示すように、有機層40は、アノード2とカソード3との間に、有機材料によって形成される発光層42を有している。発光層42は複数の画素に別個に形成されている。すなわち、各画素に、その画素の色で発光する発光層が形成されている。例えば、赤画素Prには赤色光を発する発光層42が形成され、緑画素Pgには緑色光を発する発光層42が形成され、青画素Pbには青色光を発する発光層42が形成される。   As shown in FIG. 4, the organic layer 40 has a light emitting layer 42 formed of an organic material between the anode 2 and the cathode 3. The light emitting layer 42 is separately formed on a plurality of pixels. That is, a light emitting layer that emits light in the color of the pixel is formed in each pixel. For example, the red pixel Pr is formed with a light emitting layer 42 that emits red light, the green pixel Pg is formed with a light emitting layer 42 that emits green light, and the blue pixel Pb is formed with a light emitting layer 42 that emits blue light. .

図4に示すように、有機層40は発光層42とアノード2との間に形成される正孔輸送層41を有している。言い換えれば、正孔輸送層41はアノード2の上側に形成され、発光層42は正孔輸送層41の上側に形成されている。正孔輸送層41はアノード2から供給される正孔を発光層42に輸送する。有機層40は正孔輸送層41とアノード2との間に正孔注入層を有してもよい。さらに有機層40は、発光層42とカソード3との間に電子輸送層44を有している。カソード3は電子輸送層44の上側に形成されている。電子輸送層44はカソード3から供給される電子を発光層42に輸送する。有機層40は電子輸送層44とカソード3との間に電子注入層を有してもよい。さらに、有機層40は電子輸送層44と発光層42との間に正孔ブロッキング層43を有している。正孔ブロッキング層43は発光層42の上側に形成され、電子輸送層44は正孔ブロッキング層43の上側に形成されている。正孔ブロッキング層43はアノード2からカソード3に向かう正孔をブロックする。   As shown in FIG. 4, the organic layer 40 has a hole transport layer 41 formed between the light emitting layer 42 and the anode 2. In other words, the hole transport layer 41 is formed on the upper side of the anode 2, and the light emitting layer 42 is formed on the upper side of the hole transport layer 41. The hole transport layer 41 transports holes supplied from the anode 2 to the light emitting layer 42. The organic layer 40 may have a hole injection layer between the hole transport layer 41 and the anode 2. Further, the organic layer 40 has an electron transport layer 44 between the light emitting layer 42 and the cathode 3. The cathode 3 is formed on the upper side of the electron transport layer 44. The electron transport layer 44 transports electrons supplied from the cathode 3 to the light emitting layer 42. The organic layer 40 may have an electron injection layer between the electron transport layer 44 and the cathode 3. Further, the organic layer 40 has a hole blocking layer 43 between the electron transport layer 44 and the light emitting layer 42. The hole blocking layer 43 is formed on the upper side of the light emitting layer 42, and the electron transport layer 44 is formed on the upper side of the hole blocking layer 43. The hole blocking layer 43 blocks holes from the anode 2 toward the cathode 3.

電子輸送層44は正孔ブロッキング層43側に負の固定電荷を蓄積する材料で形成されている。ここで固定電荷とは正孔ブロッキング層43側に移動しない電荷である。電子輸送層44は、具体的には配向分極を生じる材料を含んでおり、配向分極によって正孔ブロッキング層43側に負の固定電荷を蓄積する。配向分極はアノード2とカソード3との間に生じる電界によって、電子輸送層44の材料(分子)が持つ永久双極子の向きが揃うことによる分極である。例えば、カソード3とアノード2との間に電位差があるものの、カソード3から発光層42に電子が供給されていない状態において、電子輸送層44の材料(分子)が所定の方向に配向且つ分極をし、電子輸送層44の正孔ブロッキング層43側に、電子輸送層44の配向分極に起因する負の固定電荷が蓄積する。その後カソード3とアノード2との間の電位差が解消されたとしても、蓄積された固定電荷は電子輸送層44の正孔ブロッキング層43側に維持される。尚、カソード3とアノード2との間の電位差が解消されたときに、電子輸送層44の永久双極子の向きがランダムになり、蓄積された固定電荷が解消される場合もある。上述したように、有機層40は電子輸送層44と発光層42との間に正孔ブロッキング層43を有している。この構造によると、正孔ブロッキング層43の厚さを調整することによって、OLED4の閾値電圧を制御できる。   The electron transport layer 44 is formed of a material that accumulates negative fixed charges on the hole blocking layer 43 side. Here, the fixed charge is a charge that does not move to the hole blocking layer 43 side. Specifically, the electron transport layer 44 includes a material that causes orientation polarization, and accumulates negative fixed charges on the hole blocking layer 43 side by orientation polarization. The orientation polarization is polarization caused by the direction of the permanent dipoles of the material (molecules) of the electron transport layer 44 being aligned by the electric field generated between the anode 2 and the cathode 3. For example, in the state where there is a potential difference between the cathode 3 and the anode 2 but no electrons are supplied from the cathode 3 to the light emitting layer 42, the material (molecules) of the electron transport layer 44 is oriented and polarized in a predetermined direction. Then, negative fixed charges due to the orientation polarization of the electron transport layer 44 accumulate on the hole blocking layer 43 side of the electron transport layer 44. Thereafter, even if the potential difference between the cathode 3 and the anode 2 is eliminated, the accumulated fixed charge is maintained on the hole blocking layer 43 side of the electron transport layer 44. When the potential difference between the cathode 3 and the anode 2 is eliminated, the direction of the permanent dipole of the electron transport layer 44 may be random, and the accumulated fixed charge may be eliminated. As described above, the organic layer 40 has the hole blocking layer 43 between the electron transport layer 44 and the light emitting layer 42. According to this structure, the threshold voltage of the OLED 4 can be controlled by adjusting the thickness of the hole blocking layer 43.

図5A、図5B、図6A、及び図6Bは電子輸送層44と正孔ブロッキング層43とによる閾値電圧制御の仕組みを説明するための図である。図5A及び図6AはOLED4の積層構造を示す図である。図5Aでは、カソード3から発光層42への電子供給が開始する前の状態(初期状態)が模式的に示されている。図6Aではカソード3から発光層42への電子供給が開始している状態が模式的に示されている。図5B及び図6BはOLED4を構成する層のエネルギーレベルの例が示されている。図5Bでは、図5Aと同様に、カソード3から発光層42への電子供給が開始する前の状態(初期状態)が示されている。図6Bでは、図6Aと同様に、カソード3から発光層42への電子供給が開始している状態が模式的に示されている。   5A, 5B, 6A, and 6B are diagrams for explaining a mechanism of threshold voltage control by the electron transport layer 44 and the hole blocking layer 43. FIG. 5A and 6A are diagrams showing a laminated structure of the OLED 4. FIG. 5A schematically shows a state (initial state) before the start of electron supply from the cathode 3 to the light emitting layer 42. FIG. 6A schematically shows a state where supply of electrons from the cathode 3 to the light emitting layer 42 is started. FIG. 5B and FIG. 6B show examples of energy levels of the layers constituting the OLED 4. FIG. 5B shows a state (initial state) before the start of electron supply from the cathode 3 to the light emitting layer 42, as in FIG. 5A. FIG. 6B schematically shows a state where the supply of electrons from the cathode 3 to the light emitting layer 42 is started, as in FIG. 6A.

上述したように、電子輸送層44は配向分極を生じる材料で形成されている。そのため、カソード3とアノード2間に電圧が加えられると、図5Aに示すようにカソード3から電子が供給されていない初期状態、すなわち、電圧がOLED4の閾値電圧よりも低い状態で、アノード2とカソード3間の電界に起因して電子輸送層44が配向分極を生じる。その結果、電子輸送層44の正孔ブロッキング層43側の界面に負の電荷が表れる。電子輸送層44に生じる負の電荷に起因して、図5Bに示すように電子輸送層44のLUMOには電位勾配が生じる。この電位勾配のために、カソード3の電子は電子輸送層44を通らない。つまり、電流はOLED4を流れない。また、この状態では、図5Aに示すように、アノード2は正孔輸送層41及び発光層42に正孔を供給される。電子輸送層44と発光層42との間には正孔ブロッキング層43が形成されている。図5Bに示すように、正孔ブロッキング層43は発光層42のHOMOに比べて十分に低いHOMOを有している。そのため、発光層42に入った正孔は正孔ブロッキング層43に進むことができず、発光層42の正孔ブロッキング層43側の界面に留まる。   As described above, the electron transport layer 44 is formed of a material that causes orientation polarization. Therefore, when a voltage is applied between the cathode 3 and the anode 2, as shown in FIG. 5A, in an initial state where electrons are not supplied from the cathode 3, that is, in a state where the voltage is lower than the threshold voltage of the OLED 4, Due to the electric field between the cathodes 3, the electron transport layer 44 undergoes orientational polarization. As a result, a negative charge appears at the interface of the electron transport layer 44 on the hole blocking layer 43 side. Due to the negative charge generated in the electron transport layer 44, a potential gradient occurs in the LUMO of the electron transport layer 44 as shown in FIG. 5B. Due to this potential gradient, the electrons of the cathode 3 do not pass through the electron transport layer 44. That is, no current flows through the OLED 4. In this state, as shown in FIG. 5A, the anode 2 is supplied with holes to the hole transport layer 41 and the light emitting layer 42. A hole blocking layer 43 is formed between the electron transport layer 44 and the light emitting layer 42. As shown in FIG. 5B, the hole blocking layer 43 has a HOMO that is sufficiently lower than the HOMO of the light emitting layer 42. Therefore, the holes that have entered the light emitting layer 42 cannot travel to the hole blocking layer 43 and remain at the interface of the light emitting layer 42 on the hole blocking layer 43 side.

アノード2とカソード3間の電位差が増すに従って、発光層42の正孔ブロッキング層43側の界面に留まる正の電荷量は増大する。図6Aに示すように発光層42の正孔ブロッキング層43側の界面に留まる正の電荷量が電子輸送層44の配向分極による負の電荷量と等しくなると、図6Bに示すように、電子輸送層44のLUMOの電位勾配が解消される。その結果、カソード3の電子は電子輸送層44及び正孔ブロッキング層43を通過し、発光層42に入る。そして、発光層42で正孔と電子との再結合が生じる。すなわち、発光層42の発光が開始する。   As the potential difference between the anode 2 and the cathode 3 increases, the amount of positive charge remaining at the interface on the hole blocking layer 43 side of the light emitting layer 42 increases. As shown in FIG. 6A, when the positive charge amount remaining at the interface of the light emitting layer 42 on the hole blocking layer 43 side becomes equal to the negative charge amount due to the orientation polarization of the electron transport layer 44, as shown in FIG. The LUMO potential gradient of layer 44 is eliminated. As a result, the electrons of the cathode 3 pass through the electron transport layer 44 and the hole blocking layer 43 and enter the light emitting layer 42. Then, recombination of holes and electrons occurs in the light emitting layer 42. That is, the light emission layer 42 starts to emit light.

図6A及び図6Bで示すようにカソード3から発光層42への電子供給が開始する時点で発光層42の界面に蓄積している正の電荷量をQhとするとき、Qhは次の式で表される(正の電荷量Qhは電子輸送層44の配向分極によって生じる負の電荷量と同じである)。
Qh=C・V
上の式において、CはOLED4の静電容量であり、VはOLED4に加えられる電圧である。静電容量Cは正孔ブロッキング層43の厚さに反比例する。したがって、正孔ブロッキング層43の厚さが増すに従って、電圧Vが増す。つまり、電子輸送層44の配向分極によって生じている負の電荷を打ち消すために必要な電圧(すなわちOLED4の閾値電圧)は、正孔ブロッキング層43の厚さの増大にしたがって増す。
As shown in FIGS. 6A and 6B, when the positive charge amount accumulated at the interface of the light emitting layer 42 at the time when the electron supply from the cathode 3 to the light emitting layer 42 is started is Qh, Qh is expressed by the following equation. (The positive charge amount Qh is the same as the negative charge amount generated by the orientation polarization of the electron transport layer 44).
Qh = C ・ V
In the above equation, C is the capacitance of the OLED 4 and V is the voltage applied to the OLED 4. The capacitance C is inversely proportional to the thickness of the hole blocking layer 43. Therefore, the voltage V increases as the thickness of the hole blocking layer 43 increases. That is, the voltage (ie, the threshold voltage of the OLED 4) required to cancel the negative charge generated by the orientation polarization of the electron transport layer 44 increases as the thickness of the hole blocking layer 43 increases.

図7はOLED4に加えられる電圧とOLED4に流れる電流密度との関係(電流−電圧特性)を示す図である。この図において、横軸は電圧であり、縦軸は電流密度である。また、この図において、丸、三角、四角でそれぞれ示される3種類のマークは、正孔ブロッキング層の厚さが異なる3つのOLED4についての電流−電圧特性をそれぞれ表している。丸マークは最も薄い正孔ブロッキング層43を有するOLED4の特性を表し、四角マークは最も厚い正孔ブロッキング層43を有するOLED4の特性を表している。この図で示されるように、OLED4に電流が流れ始める閾値電圧Vth1、Vth2、Vth3は正孔ブロッキング層43の厚さが増すに従って高くなっている。つまり、正孔ブロッキング層43の厚さを調整することによって、OLED4の閾値電圧を制御できる。   FIG. 7 is a diagram showing the relationship (current-voltage characteristics) between the voltage applied to the OLED 4 and the current density flowing through the OLED 4. In this figure, the horizontal axis is voltage, and the vertical axis is current density. In this figure, three types of marks indicated by circles, triangles, and squares represent current-voltage characteristics for three OLEDs 4 having different hole blocking layer thicknesses, respectively. The circle mark represents the characteristic of the OLED 4 having the thinnest hole blocking layer 43, and the square mark represents the characteristic of the OLED 4 having the thickest hole blocking layer 43. As shown in this figure, the threshold voltages Vth1, Vth2, and Vth3 at which current starts to flow through the OLED 4 increase as the thickness of the hole blocking layer 43 increases. That is, the threshold voltage of the OLED 4 can be controlled by adjusting the thickness of the hole blocking layer 43.

電子輸送層44が含む材料、すなわち永久双極子を持つ分子が配向する材料としては、例えば、
TPBi:1,3,5-tris(1-phenyl-1H-benzimidazol-2-yl)benzeneや、
BCP:2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline、
Alq3:tris-(8-hydroxyquinolate) aluminum、
OXD−7:1,42is[2-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazo-5-yl]benzeneなどを用いることができる。
As a material included in the electron transport layer 44, that is, a material in which molecules having a permanent dipole are oriented, for example,
TPBi: 1,3,5-tris (1-phenyl-1H-benzimidazol-2-yl) benzene,
BCP: 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline,
Alq3: tris- (8-hydroxyquinolate) aluminum,
OXD-7: 1,42is [2- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazo-5-yl] benzene or the like can be used.

正孔ブロッキング層43が含む材料としては、例えば、
PPT:2,8-bis(diphenylphosphoryl)dibenzo[b,d]thiopheneや、
DPEPO:bis(2-(diphenylphosphino)phenyl)ether oxide、
TAZ:3-pheny-4-(1’-naphthyl)-5-phenyl-1,2,4-triazoleなどを用いることができる。
As a material included in the hole blocking layer 43, for example,
PPT: 2,8-bis (diphenylphosphoryl) dibenzo [b, d] thiophene,
DPEPO: bis (2- (diphenylphosphino) phenyl) ether oxide,
TAZ: 3-pheny-4- (1′-naphthyl) -5-phenyl-1,2,4-triazole and the like can be used.

正孔ブロッキング層43が含む材料は上の例に限られない。正孔ブロッキング層43の材料としては、高い電子移動度を有し且つ低い正孔移動度を有する材料が用いられてもよい。例えば、正孔ブロッキング層43の材料は、10−5cm/Vs以上の電子移動度を有し且つ10−8cm/Vs以下の正孔移動度を有する材料が用いられてもよい。これに替えて、正孔ブロッキング層43の材料としては、高い電子移動度を有し且つ深いHOMOを有している材料が用いられてもよい。例えば、正孔ブロッキング層43の材料は10−5cm/Vs以上の電子移動度を有し、且つ6.5eVより大きいHOMO(6.5eVよりも深いHOMO)を有している材料が利用されてもよい。 The material included in the hole blocking layer 43 is not limited to the above example. As a material of the hole blocking layer 43, a material having a high electron mobility and a low hole mobility may be used. For example, the material of the hole blocking layer 43 may be a material having an electron mobility of 10 −5 cm 2 / Vs or more and a hole mobility of 10 −8 cm 2 / Vs or less. Instead, as the material of the hole blocking layer 43, a material having high electron mobility and deep HOMO may be used. For example, the material of the hole blocking layer 43 is a material having an electron mobility of 10 −5 cm 2 / Vs or more and a HOMO greater than 6.5 eV (a HOMO deeper than 6.5 eV). May be.

図4に示すように、OLED4は各画素に形成されている。有機層40は、各画素において、発光層42、正孔ブロッキング層43、及び電子輸送層44を有している。すなわち、有機層40は、色の異なる複数の画素(表示装置1の例では、赤画素Pr、緑画素Pg、青画素Pb)において、発光層42、正孔ブロッキング層43、及び電子輸送層44を有している。   As shown in FIG. 4, the OLED 4 is formed in each pixel. The organic layer 40 includes a light emitting layer 42, a hole blocking layer 43, and an electron transport layer 44 in each pixel. That is, the organic layer 40 includes a light emitting layer 42, a hole blocking layer 43, and an electron transport layer 44 in a plurality of pixels having different colors (in the example of the display device 1, a red pixel Pr, a green pixel Pg, and a blue pixel Pb). have.

電子輸送層44は色の異なる複数の画素(表示装置1の例では、赤画素Pr、緑画素Pg、青画素Pb)に亘って形成されている。すなわち、電子輸送層44は複数の画素において共通している。また、正孔輸送層41も複数の画素に亘って形成されている。電子輸送層44や正孔輸送層41とは異なり、発光層42は画素の色に合わせて別個に形成されている。表示装置1の例では、赤画素Pr、緑画素Pg、及び青画素Pbに、赤色光を発する発光層42、緑色光を発する発光層42、青色光を発する発光層42がそれぞれ形成されている。また、正孔ブロッキング層43も色が異なる複数の画素に別個に形成されている。具体的には、正孔ブロッキング層43は、赤画素Pr、緑画素Pg、及び青画素Pbのそれぞれに別個に形成されている。   The electron transport layer 44 is formed over a plurality of pixels having different colors (in the example of the display device 1, a red pixel Pr, a green pixel Pg, and a blue pixel Pb). That is, the electron transport layer 44 is common to a plurality of pixels. The hole transport layer 41 is also formed over a plurality of pixels. Unlike the electron transport layer 44 and the hole transport layer 41, the light emitting layer 42 is formed separately according to the color of the pixel. In the example of the display device 1, a red light emitting layer 42 that emits red light, a light emitting layer 42 that emits green light, and a light emitting layer 42 that emits blue light are formed in the red pixel Pr, the green pixel Pg, and the blue pixel Pb, respectively. . Further, the hole blocking layer 43 is also separately formed on a plurality of pixels having different colors. Specifically, the hole blocking layer 43 is formed separately for each of the red pixel Pr, the green pixel Pg, and the blue pixel Pb.

互いに色が異なる複数の画素のうち一部の画素の正孔ブロッキング層43は、他の一部の画素の正孔ブロッキング層43よりも薄い。こうすることによって、発光層42の材料に起因してOLED4の閾値電圧に差が生じている場合に、その差を低減できる。表示装置1の例では、図4に示すように、青画素Pbの正孔ブロッキング層43は、緑画素Pg及び赤画素Prの正孔ブロッキング層43よりも薄い。言い換えれば、発光層42が発する光の波長が相対的に短い画素(表示装置1の例では、青画素Pb)では、発光層42が発する光の波長が相対的に長い画素(表示装置1の例では、赤画素Prや緑画素Pg)に比べて、正孔ブロッキング層43の厚さが薄い。   Among the plurality of pixels having different colors, the hole blocking layer 43 of some pixels is thinner than the hole blocking layer 43 of some other pixels. By doing so, when there is a difference in the threshold voltage of the OLED 4 due to the material of the light emitting layer 42, the difference can be reduced. In the example of the display device 1, as shown in FIG. 4, the hole blocking layer 43 of the blue pixel Pb is thinner than the hole blocking layer 43 of the green pixel Pg and the red pixel Pr. In other words, in a pixel having a relatively short wavelength of light emitted from the light emitting layer 42 (blue pixel Pb in the example of the display device 1), a pixel having a relatively long wavelength of light emitted from the light emitting layer 42 (of the display device 1). In the example, the hole blocking layer 43 is thinner than the red pixel Pr and the green pixel Pg).

一般的に、波長の短い光を発するOLEDの閾値電圧は、波長の長い光を発するOLEDの閾値電圧よりも高くなる傾向にある。例えば、青色光を発するOLEDの閾値電圧は、緑色光や赤色光を発するOLEDの閾値電圧よりも高い傾向がある。表示装置1の例では、青画素Pbでの正孔ブロッキング層43の厚さは、他の色の画素での正孔ブロッキング層43の厚さよりも小さい。これによって、青画素のOLED4の閾値電圧と他の色のOLED4との閾値電圧との差を低減できる。   Generally, the threshold voltage of an OLED that emits light having a short wavelength tends to be higher than the threshold voltage of an OLED that emits light having a long wavelength. For example, the threshold voltage of an OLED that emits blue light tends to be higher than the threshold voltage of an OLED that emits green or red light. In the example of the display device 1, the thickness of the hole blocking layer 43 in the blue pixel Pb is smaller than the thickness of the hole blocking layer 43 in other color pixels. Thereby, the difference between the threshold voltage of the OLED 4 of the blue pixel and the threshold voltage of the OLED 4 of another color can be reduced.

なお、正孔ブロッキング層43がないと仮定した場合、青画素PbのOLED4が有する閾値電圧(言い換えれば、内蔵電位)は、他の画素Pr、PgのOLED4が有する閾値電圧よりも高い。つまり、表示装置1の例では、もともと閾値電圧が高いOLED4には相対的に薄い正孔ブロッキング層43が設けられ、もともと閾値電圧が低いOLED4では厚い正孔ブロッキング層43が設けられている。こうすることによって、もともとあった画素間の閾値電圧の差を、正孔ブロッキング層43によって低減できる。なお、相対的に薄い正孔ブロッキング層43が設けられる画素は必ずしも青画素Pbでなくてもよい。つまり、2つの画素のうち一方の画素の閾値電圧が他方の画素の閾値電圧よりも高い場合には、この一方の画素に相対的に薄い正孔ブロッキング層43が設けられ、他方の画素に相対的に厚い正孔ブロッキング層43が設けられてもよい。   When it is assumed that there is no hole blocking layer 43, the threshold voltage (in other words, the built-in potential) of the OLED 4 of the blue pixel Pb is higher than the threshold voltage of the OLED 4 of the other pixels Pr and Pg. In other words, in the example of the display device 1, the relatively thin hole blocking layer 43 is originally provided in the OLED 4 having a high threshold voltage, and the thick hole blocking layer 43 is originally provided in the OLED 4 having a low threshold voltage. By doing so, the hole voltage layer 43 can reduce the difference in threshold voltage originally between pixels. Note that the pixel on which the relatively thin hole blocking layer 43 is provided is not necessarily the blue pixel Pb. That is, when the threshold voltage of one of the two pixels is higher than the threshold voltage of the other pixel, a relatively thin hole blocking layer 43 is provided on the one pixel, and A thick hole blocking layer 43 may be provided.

図8はOLED4に加えられる電圧とOLED4に流れる電流密度との関係(電流−電圧特性)を示す図である。この図において、実線Lr2、Lb2はそれぞれ赤画素Pr及び青画素Pbでの電流−電圧特性を示す線を示している(以下では、この線を電流−電圧特性線と称する)。また、破線Lr1、Lb1は、赤画素Prと青画素Pbとにおいて正孔ブロッキング層43が設けられていないと仮定した場合に得られる電流−電圧特性を示している。緑画素Pgについての電流−電圧特性線は図8において省略されている。   FIG. 8 is a diagram showing the relationship (current-voltage characteristics) between the voltage applied to the OLED 4 and the current density flowing through the OLED 4. In this figure, solid lines Lr2 and Lb2 indicate lines indicating current-voltage characteristics in the red pixel Pr and blue pixel Pb, respectively (hereinafter, these lines are referred to as current-voltage characteristic lines). Broken lines Lr1 and Lb1 indicate current-voltage characteristics obtained when it is assumed that the hole blocking layer 43 is not provided in the red pixel Pr and the blue pixel Pb. The current-voltage characteristic line for the green pixel Pg is omitted in FIG.

表示装置1では、有機層40は、赤画素Prと青画素Pbの双方において電子輸送層44と正孔ブロッキング層43とを有している。そのため、この2つの画素の電流−電圧特性線Lr1、Lb1は、正孔ブロッキング層43を設けることによって高電圧側にシフトしている。すなわち、電流−電圧特性線Lr1、Lb1は、正孔ブロッキング層43を設けることによって電流−電圧特性線Lr2、Lb2に変化している。   In the display device 1, the organic layer 40 includes the electron transport layer 44 and the hole blocking layer 43 in both the red pixel Pr and the blue pixel Pb. Therefore, the current-voltage characteristic lines Lr1 and Lb1 of the two pixels are shifted to the high voltage side by providing the hole blocking layer 43. That is, the current-voltage characteristic lines Lr1 and Lb1 are changed to the current-voltage characteristic lines Lr2 and Lb2 by providing the hole blocking layer 43.

上述したように、表示装置1の例では、赤画素Prの正孔ブロッキング層43は青画素Pbの正孔ブロッキング層43よりも厚い。そのため、赤画素Prについての電流−電圧特性線Lr1は、青画素Pbについての電流−電圧特性線Lb1よりも大きくシフトしている。そして、2つの画素の閾値電圧の差は正孔ブロッキング層43を設けることによって小さくなっている(図8においてVr1、Vb1はそれぞれ、正孔ブロッキング層43が存在しない場合の赤画素Prの閾値電圧、青画素Pbの閾値電圧である。また、Vr2、Vb2はそれぞれ、正孔ブロッキング層43が形成されている場合の赤画素Prの閾値電圧、青画素Pbの閾値電圧である)。   As described above, in the example of the display device 1, the hole blocking layer 43 of the red pixel Pr is thicker than the hole blocking layer 43 of the blue pixel Pb. Therefore, the current-voltage characteristic line Lr1 for the red pixel Pr is shifted more than the current-voltage characteristic line Lb1 for the blue pixel Pb. The difference between the threshold voltages of the two pixels is reduced by providing the hole blocking layer 43 (in FIG. 8, Vr1 and Vb1 are the threshold voltages of the red pixel Pr when there is no hole blocking layer 43, respectively). The threshold voltages of the blue pixel Pb and Vr2 and Vb2 are the threshold voltage of the red pixel Pr and the threshold voltage of the blue pixel Pb, respectively, when the hole blocking layer 43 is formed.

図4に示すように、表示装置1の例では、赤画素Prに設けられている正孔ブロッキング層43と緑画素Pgに設けられている正孔ブロッキング層43は実質的に同じ厚さを有している。つまり、表示装置1の例では、色が異なる3つの画素のうち、2つの画素の正孔ブロッキング層43は同じ厚さを有し、1つの画素だけが相対的に薄い正孔ブロッキング層43を有している。したがって、正孔ブロッキング層43は赤画素Prと緑画素Pgとに亘って形成されてもよい。こうすることによって、表示装置1の製造工程を低減できる。表示装置1の例に替えて、緑画素Pgの正孔ブロッキング層43は、赤画素Prの正孔ブロッキング層43よりも薄くてもよい。すなわち、正孔ブロッキング層43の厚さは、色が異なる3つの画素において、互いに異なっていてもよい。   As shown in FIG. 4, in the example of the display device 1, the hole blocking layer 43 provided in the red pixel Pr and the hole blocking layer 43 provided in the green pixel Pg have substantially the same thickness. doing. That is, in the example of the display device 1, among the three pixels having different colors, the hole blocking layer 43 of the two pixels has the same thickness, and only one pixel has the relatively thin hole blocking layer 43. Have. Therefore, the hole blocking layer 43 may be formed across the red pixel Pr and the green pixel Pg. By doing so, the manufacturing process of the display device 1 can be reduced. Instead of the example of the display device 1, the hole blocking layer 43 of the green pixel Pg may be thinner than the hole blocking layer 43 of the red pixel Pr. That is, the thickness of the hole blocking layer 43 may be different among the three pixels having different colors.

以上説明したように、表示装置1では、電子輸送層44は正孔ブロッキング層43側に負の固定電荷を蓄積する材料で形成されている。また、電子輸送層44と発光層42との間には正孔ブロッキング層43が形成されている。この構造によると、正孔ブロッキング層43の厚さを調整することによって、OLED4の閾値電圧を制御できる。   As described above, in the display device 1, the electron transport layer 44 is formed of a material that accumulates negative fixed charges on the hole blocking layer 43 side. A hole blocking layer 43 is formed between the electron transport layer 44 and the light emitting layer 42. According to this structure, the threshold voltage of the OLED 4 can be controlled by adjusting the thickness of the hole blocking layer 43.

なお、本発明は以上説明した実施形態に限られず、種々の変更がなされてよい。
正孔ブロッキング層43は必ずしも全ての画素に形成されていなくてもよい。例えば、閾値電圧がもともと高い画素や、相対的に波長の短い光を発する画素(具体的には、青画素Pb)には、必ずしも正孔ブロッキング層43は形成されていなくてもよい。そして、他の色の画素にだけ正孔ブロッキング層43が形成されてもよい。
The present invention is not limited to the embodiment described above, and various changes may be made.
The hole blocking layer 43 is not necessarily formed on all pixels. For example, the hole blocking layer 43 does not necessarily have to be formed in a pixel that originally has a high threshold voltage or a pixel that emits light having a relatively short wavelength (specifically, the blue pixel Pb). Then, the hole blocking layer 43 may be formed only on the pixels of other colors.

また、正孔輸送層に配向分極材料を使用し、正孔輸送層と発光層との間に電子ブロッキング層を配置し、正孔輸送層電子ブロッキング層側に正の固定電荷を蓄積させる構造にしてもよい。この構造においても、上記の実施形態と同様に、電子ブロッキング層の厚さを調整することで閾電圧の制御が可能である。   In addition, an orientation polarization material is used for the hole transport layer, an electron blocking layer is disposed between the hole transport layer and the light emitting layer, and a positive fixed charge is accumulated on the hole transport layer electron blocking layer side. May be. Also in this structure, the threshold voltage can be controlled by adjusting the thickness of the electron blocking layer, as in the above embodiment.

OLED4はマルチフォトエミッション素子でもよい。すなわち、有機層40は各画素に複数の発光層42を有してもよい。そして、隣接する2つの発光層42の間に電荷発生層が形成されてもよい。この場合でも、正孔ブロッキング層43と電子輸送層44とによって各OLED4の閾値電圧を制御できる。   The OLED 4 may be a multi-photo emission element. That is, the organic layer 40 may have a plurality of light emitting layers 42 in each pixel. A charge generation layer may be formed between the two adjacent light emitting layers 42. Even in this case, the threshold voltage of each OLED 4 can be controlled by the hole blocking layer 43 and the electron transport layer 44.

1 表示装置、2 アノード、3 カソード、4 有機発光ダイオード(OLED)、5 バリア層、6 充填材、9 対向基板、10 TFT基板、10a 基材、21 バンク層、30 回路層、31B 走査信号線、31C 映像信号線、31D 駆動電源線、31a スイッチングTFT、31b 駆動TFT、31c キャパシタ、40 有機層、41 正孔輸送層、42 発光層、43 正孔ブロッキング層、44 電子輸送層、Pb 青画素、Pg 緑画素、Pr 赤画素。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Display apparatus, 2 anode, 3 cathode, 4 organic light emitting diode (OLED), 5 barrier layer, 6 filler, 9 counter substrate, 10 TFT substrate, 10a base material, 21 bank layer, 30 circuit layer, 31B scanning signal line , 31C video signal line, 31D drive power supply line, 31a switching TFT, 31b drive TFT, 31c capacitor, 40 organic layer, 41 hole transport layer, 42 light emitting layer, 43 hole blocking layer, 44 electron transport layer, Pb blue pixel , Pg Green pixel, Pr Red pixel.

Claims (14)

アノードと、
カソードと、
前記アノードと前記カソードとの間に形成されている発光層と、
前記カソードと前記発光層との間に形成され、前記カソードから供給される電子を前記発光層に輸送する電子輸送層と、
前記電子輸送層と前記発光層との間に形成され、前記アノードから前記カソードに向かう正孔をブロックする正孔ブロッキング層と、を有し、
前記電子輸送層の材料は、前記電子輸送層の前記正孔ブロッキング層側に負の固定電荷を蓄積する材料である
ことを特徴とする表示装置。
An anode,
A cathode,
A light emitting layer formed between the anode and the cathode;
An electron transport layer that is formed between the cathode and the light emitting layer and transports electrons supplied from the cathode to the light emitting layer;
A hole blocking layer that is formed between the electron transport layer and the light emitting layer and blocks holes from the anode toward the cathode;
The display device characterized in that the material of the electron transport layer is a material that accumulates a negative fixed charge on the hole blocking layer side of the electron transport layer.
前記電子輸送層は配向分極を生じる材料を含んでおり、前記配向分極によって前記電子輸送層の前記正孔ブロッキング層側に負の固定電荷を蓄積する
ことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
2. The display according to claim 1, wherein the electron transport layer includes a material that causes orientation polarization, and accumulates negative fixed charges on the hole blocking layer side of the electron transport layer by the orientation polarization. apparatus.
前記発光層を有している第1画素と、
前記発光層を有している第2画素とを有し、
前記第1画素の前記発光層の発光色と前記第2画素の前記発光層の発光色は互いに異なっている
ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載される表示装置。
A first pixel having the light emitting layer;
A second pixel having the light emitting layer,
The display device according to claim 1, wherein a light emission color of the light emitting layer of the first pixel and a light emission color of the light emitting layer of the second pixel are different from each other.
前記第1画素と前記第2画素の双方は、前記アノード、前記発光層、前記カソード、前記電子輸送層、及び前記正孔ブロッキング層を有し、
前記第1画素の前記正孔ブロッキング層と前記第2画素の前記正孔ブロッキング層は別個に形成されている
ことを特徴とする請求項3に記載される表示装置。
Both the first pixel and the second pixel have the anode, the light emitting layer, the cathode, the electron transport layer, and the hole blocking layer,
The display device according to claim 3, wherein the hole blocking layer of the first pixel and the hole blocking layer of the second pixel are formed separately.
前記第1画素は、前記アノード、前記発光層、前記カソード、前記電子輸送層、及び前記正孔ブロッキング層を有し、
前記第2画素は、前記アノード、前記発光層、前記カソード、及び前記電子輸送層を有し、
前記第2画素には前記第1の画素の前記正孔ブロッキング層よりも薄い正孔ブロッキング層が形成されている、又は前記第2画素には正孔ブロッキング層が形成されていない
ことを特徴とする請求項3又は請求項4に記載される表示装置。
The first pixel has the anode, the light emitting layer, the cathode, the electron transport layer, and the hole blocking layer,
The second pixel has the anode, the light emitting layer, the cathode, and the electron transport layer,
A hole blocking layer thinner than the hole blocking layer of the first pixel is formed in the second pixel, or a hole blocking layer is not formed in the second pixel. The display device according to claim 3 or 4.
前記第2画素の前記発光層は、前記第1画素の前記発光層が発する光よりも波長の短い光を発する
ことを特徴とする請求項5に記載される表示装置。
The display device according to claim 5, wherein the light emitting layer of the second pixel emits light having a shorter wavelength than light emitted from the light emitting layer of the first pixel.
前記第1画素の前記発光層の発光色は緑又は赤であり、
前記第2画素の前記発光層の発光色は青である
ことを特徴とする請求項6に記載される表示装置。
The emission color of the light emitting layer of the first pixel is green or red,
The display device according to claim 6, wherein an emission color of the light emitting layer of the second pixel is blue.
前記アノード、前記発光層、前記カソード、前記電子輸送層、及び前記正孔ブロッキング層を有している第1画素と、
前記アノード、前記発光層、前記カソード、及び前記電子輸送層を有している第2画素とを有し、
前記第2画素には、前記第1の画素の前記正孔ブロッキング層よりも薄い正孔ブロッキング層が形成されている、又は正孔ブロッキング層が形成されておらず、
前記第1画素と前記第2画素とにおいて前記正孔ブロッキング層がないと仮定したときに、前記第2画素が発光する前記アノードと前記カソードとの間の閾値電圧は、前記第1画素が発光する前記アノードと前記カソードとの間の閾値電圧よりも大きい
ことを特徴とする請求項1に記載される表示装置。
A first pixel having the anode, the light emitting layer, the cathode, the electron transport layer, and the hole blocking layer;
A second pixel having the anode, the light emitting layer, the cathode, and the electron transport layer;
In the second pixel, a hole blocking layer thinner than the hole blocking layer of the first pixel is formed, or a hole blocking layer is not formed,
When it is assumed that there is no hole blocking layer in the first pixel and the second pixel, the threshold voltage between the anode and the cathode that emits light from the second pixel is that the first pixel emits light. The display device according to claim 1, wherein a threshold voltage between the anode and the cathode is larger.
前記発光層を有している第1画素と、
前記発光層を有している第2画素と、
前記発光層を有している第3画素とを有し、
前記第1画素の前記発光層の発光色と、前記第2画素の前記発光層の発光色と、前記第3画素の前記発光層の発光色は互いに異なっており、
前記第1画素と前記第3画素とには、同じ厚さを有する前記正孔ブロッキング層が形成されている
ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載される表示装置。
A first pixel having the light emitting layer;
A second pixel having the light emitting layer;
A third pixel having the light emitting layer,
The emission color of the emission layer of the first pixel, the emission color of the emission layer of the second pixel, and the emission color of the emission layer of the third pixel are different from each other,
The display device according to claim 1, wherein the hole blocking layer having the same thickness is formed in the first pixel and the third pixel.
前記電子輸送層はTPBi、BCP、Alq3、及びOXD−7のうち少なくとも1つを含んでいる
ことを特徴とする請求項1から請求項9の何れか1項に記載される表示装置。
The display device according to any one of claims 1 to 9, wherein the electron transport layer includes at least one of TPBi, BCP, Alq3, and OXD-7.
前記正孔ブロッキング層はPPT、DPEPO、及びTAZのうち少なくとも1つを含んでいる
ことを特徴とする請求項1から請求項10の何れか1項に記載される表示装置。
The display device according to any one of claims 1 to 10, wherein the hole blocking layer includes at least one of PPT, DPEPO, and TAZ.
前記正孔ブロッキング層は10−5cm/Vs以上の電子移動度を有し、且つ10−8cm/Vs以下の正孔移動度を有している
ことを特徴とする請求項1から請求項11の何れか1項に記載される表示装置。
The hole blocking layer has an electron mobility of 10 −5 cm 2 / Vs or more and a hole mobility of 10 −8 cm 2 / Vs or less. The display device according to claim 11.
発光層と、
電子と正孔のうちの一方の電荷である第1電荷を前記発光層に供給する第1電極と、
前記発光層を挟んで前記第1電極とは反対側に配置され、電子と正孔のうちの他方の電荷である第2電荷を前記発光層に供給する第2電極と、
前記第1電極と前記発光層との間に配置され、前記第1電極から供給される前記第1電荷を前記発光層に輸送するための第1電荷輸送層と、
前記第1電荷輸送層と前記発光層との間に配置され、前記第2電極から前記第1電極に向かう前記第2電荷をブロックする第2電荷ブロッキング層と、を有し、
前記第1電荷輸送層の材料は、前記第1電荷輸送層の前記第2電荷ブロッキング層側に前記第1電荷を蓄積する材料である
ことを特徴とする表示装置。
A light emitting layer;
A first electrode for supplying a first charge, which is one of electrons and holes, to the light emitting layer;
A second electrode disposed on the opposite side of the first electrode across the light emitting layer and supplying a second charge that is the other charge of electrons and holes to the light emitting layer;
A first charge transporting layer disposed between the first electrode and the light emitting layer for transporting the first charge supplied from the first electrode to the light emitting layer;
A second charge blocking layer disposed between the first charge transport layer and the light emitting layer and blocking the second charge from the second electrode toward the first electrode;
The material of the first charge transport layer is a material that accumulates the first charge on the second charge blocking layer side of the first charge transport layer.
前記第1電荷輸送層は配向分極を生じる材料を含んでおり、前記配向分極によって前記第1電荷輸送層の前記第2電荷ブロッキング層側に前記第1電荷を蓄積する
ことを特徴とする請求項13に記載の表示装置。
The first charge transport layer includes a material that causes orientation polarization, and the first charge is accumulated on the second charge blocking layer side of the first charge transport layer by the orientation polarization. 13. The display device according to 13.
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