JP2018006878A - Signal transmission body and electronic apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、温度変化に対する伝送損失の変動が小さい信号伝送体、及びこの信号伝送体を備える電子機器に関する。 The present invention relates to a signal transmission body in which a variation in transmission loss with respect to a temperature change is small, and an electronic apparatus including the signal transmission body.
近年、電子機器は大量の情報を処理することが求められている。このため、そのような電子機器においては、高周波数のデジタル信号や、マイクロ波、ミリ波等の高周波アナログ信号を処理し得る高周波信号伝送体が使用されてきた。
例えば、特許文献１には、特定の銅箔と、液晶ポリマーフィルムやフッ素樹脂フィルムとを積層して得られる銅張積層板が記載されている。特許文献１には、液晶ポリマーフィルムやフッ素樹脂フィルムは誘電正接が小さいため、これらの銅張積層板は高周波回路を形成する際の材料として適することも記載されている。
In recent years, electronic devices are required to process a large amount of information. For this reason, in such electronic devices, high-frequency signal transmission bodies capable of processing high-frequency digital signals and high-frequency analog signals such as microwaves and millimeter waves have been used.
For example, Patent Document 1 describes a copper-clad laminate obtained by laminating a specific copper foil and a liquid crystal polymer film or a fluororesin film. Patent Document 1 also describes that a liquid crystal polymer film or a fluororesin film has a small dielectric loss tangent, so that these copper-clad laminates are suitable as a material for forming a high-frequency circuit.
通常、電子機器には使用温度域全範囲において安定的に動作することが求められる。したがって、高温でも使用する可能性がある電子機器に用いられる信号伝送体は、常温域から高温域にわたって信号を正確に伝えることが求められる。
しかしながら、特許文献１に記載の信号伝送体は、高温時に波形が乱れたり、振幅が小さくなったりする結果、信号を正確に伝えることができない場合があった。
Usually, electronic devices are required to operate stably over the entire operating temperature range. Therefore, a signal transmission body used in an electronic device that may be used even at high temperatures is required to accurately transmit signals from a normal temperature range to a high temperature range.
However, the signal transmission body described in Patent Document 1 may not be able to accurately transmit a signal as a result of the waveform being disturbed or the amplitude being reduced at high temperatures.
この問題は、入力電位を高めることで、ある程度解消することができる。しかしながら、この場合、消費電力が大きくなるという問題があった。さらに、入力電位を高めることで電子機器等がより発熱し易くなるため、新たな問題を引き起こすおそれもあった。 This problem can be solved to some extent by increasing the input potential. However, in this case, there is a problem that power consumption increases. Furthermore, increasing the input potential makes it easier for electronic devices and the like to generate heat, which may cause new problems.
上記のように、常温時の伝送特性に優れていても、温度変化に対する伝送損失の変動が大きく、高温時に伝送特性が大きく低下する信号伝送体は、使用条件によっては十分な性能を発揮するものではなかった。したがって、使用する温度条件に関わらず、安定的に信号を伝え得る信号伝送体が要望されていた。
本発明は、上記した実情に鑑みてなされたものであり、温度変化に対する伝送損失の変動が小さい信号伝送体、及びこの信号伝送体を備える電子機器を提供することを目的とする。
As mentioned above, a signal transmission body that exhibits excellent transmission characteristics at room temperature, with large variations in transmission loss due to temperature changes, and a significant decrease in transmission characteristics at high temperatures. It wasn't. Therefore, there has been a demand for a signal transmission body capable of stably transmitting a signal regardless of the temperature conditions to be used.
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a signal transmission body in which a variation in transmission loss with respect to a temperature change is small, and an electronic apparatus including the signal transmission body.
本発明者は上記課題を解決すべく鋭意研究した結果、銅等の導体材料は、温度が上昇するにつれて抵抗が大きくなり、また、液晶ポリマーやフッ素樹脂等の誘電体材料も、温度が上昇するにつれて誘電正接が大きくなるため、これらを組み合わせて得られる信号伝送体の伝送損失は、温度が上昇するにつれて極めて大きくなることが分かった。
本発明者は、さらに、温度が上昇するにつれて誘電正接が小さくなる樹脂を用いて誘電体部を形成することで、温度変化に対する伝送損失の変動が小さい信号伝送体が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have found that conductor materials such as copper increase in resistance as the temperature increases, and dielectric materials such as liquid crystal polymers and fluororesins also increase in temperature. As the loss tangent increases as the temperature increases, it has been found that the transmission loss of the signal transmission body obtained by combining these increases extremely as the temperature rises.
The present inventor has further found that a signal transmission body with a small variation in transmission loss with respect to a temperature change can be obtained by forming the dielectric portion using a resin whose dielectric loss tangent decreases as the temperature rises. The invention has been completed.
かくして本発明によれば、下記〔１〕〜〔８〕の信号伝送体、及び〔９〕の電子機器が提供される。
〔１〕導体部と誘電体部とを有する信号伝送体であって、下記式（Ｉ）を満たすことを特徴とする信号伝送体。
Thus, according to the present invention, the following [1] to [8] signal transmission bodies and [9] electronic devices are provided.
[1] A signal transmission body having a conductor portion and a dielectric portion, which satisfies the following formula (I).
（Ｘは、信号伝送体について、９ＧＨｚの高周波信号に対する伝送損失を−４０℃と＋８０℃で測定して算出した、温度変化に対する伝送損失の変化率（ｄＢ／ｃｍ／℃）を表し、Ｙは、その信号伝送体を構成する導体部のみについて、９ＧＨｚの高周波信号に対する伝送損失を測定して算出した、温度変化に対する伝送損失の変化率（ｄＢ／ｃｍ／℃）を表す。）
〔２〕前記導体部が、銅を含有するものである、〔１〕に記載の信号伝送体。
〔３〕前記誘電体部が、下記式（ＩＩ）を満たす樹脂を含有するものである、〔１〕又は〔２〕に記載の信号伝送体。
(X represents the rate of change in transmission loss (dB / cm / ° C.) with respect to temperature change, calculated by measuring the transmission loss for a high frequency signal of 9 GHz at −40 ° C. and + 80 ° C. for the signal transmission body, and Y is The rate of change in transmission loss (dB / cm / ° C.) with respect to temperature change calculated by measuring the transmission loss with respect to a high frequency signal of 9 GHz for only the conductor portion constituting the signal transmission body.
[2] The signal transmission body according to [1], wherein the conductor portion contains copper.
[3] The signal transmission body according to [1] or [2], wherein the dielectric portion includes a resin that satisfies the following formula (II).
（ａ１は、＋８０℃、９ＧＨｚにおける誘電正接（ｔａｎδ）を表し、ａ２は、−４０℃、９ＧＨｚにおける誘電正接（ｔａｎδ）を表す。）
〔４〕前記樹脂が、脂環構造含有重合体である、〔３〕に記載の信号伝送体。
〔５〕９ＧＨｚの高周波信号に対する伝送損失を測定したときに、−４０℃から＋８０℃の範囲における伝送損失の最大値と最小値の差が、０．００２０ｄＢ／ｃｍ以下である、〔１〕〜〔４〕のいずれかに記載の信号伝送体。
〔６〕マイクロストリップライン構造を有する、〔１〕〜〔５〕のいずれかに記載の信号伝送体。
〔７〕ストリップライン構造を有する、〔１〕〜〔５〕のいずれかに記載の信号伝送体。
〔８〕同軸ケーブルである、〔１〕〜〔５〕のいずれかに記載の信号伝送体。
〔９〕前記〔１〕〜〔８〕のいずれかに記載の信号伝送体を備える電子機器。
(A 1 represents the dielectric loss tangent (tan δ) at + 80 ° C. and 9 GHz, and a 2 represents the dielectric loss tangent (tan δ) at −40 ° C. and 9 GHz.
[4] The signal transmission body according to [3], wherein the resin is an alicyclic structure-containing polymer.
[5] When measuring transmission loss for a high frequency signal of 9 GHz, the difference between the maximum value and the minimum value of transmission loss in the range of −40 ° C. to + 80 ° C. is 0.0020 dB / cm or less. [4] The signal transmission body according to any one of [4].
[6] The signal transmission body according to any one of [1] to [5], which has a microstrip line structure.
[7] The signal transmission body according to any one of [1] to [5], which has a stripline structure.
[8] The signal transmission body according to any one of [1] to [5], which is a coaxial cable.
[9] An electronic device comprising the signal transmission body according to any one of [1] to [8].
本発明によれば、温度変化に対する伝送損失の変動が小さい信号伝送体、及びこの信号伝送体を備える電子機器が提供される。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the signal transmission body with a small fluctuation | variation of the transmission loss with respect to a temperature change, and an electronic device provided with this signal transmission body are provided.
本発明の信号伝送体は、導体部と誘電体部とを有する信号伝送体であって、前記式（Ｉ）を満たすことを特徴とするものである。 The signal transmission body of the present invention is a signal transmission body having a conductor portion and a dielectric portion, and satisfies the above formula (I).
〔導体部〕
本発明の信号伝送体を構成する導体部は、導体を含有する部分であって、信号伝送を担うものである。
導体としては、銅、金、銀、ステンレス、アルミニウム、ニッケル、クロム等の金属が挙げられ、これらの中でも銅が好ましい。
導体部の形状は特に限定されない。導体部の形状は目的の信号伝送体に応じて適宜決定することができる。
〔誘電体部〕
本発明の信号伝送体を構成する誘電体部は、導体部に接するように配置され、導体部間を絶縁するものである。
[Conductor]
The conductor part which comprises the signal transmission body of this invention is a part containing a conductor, Comprising: Signal transmission is carried out.
Examples of the conductor include metals such as copper, gold, silver, stainless steel, aluminum, nickel, and chromium, and among these, copper is preferable.
The shape of the conductor part is not particularly limited. The shape of the conductor portion can be appropriately determined according to the target signal transmission body.
(Dielectric part)
The dielectric part which comprises the signal transmission body of this invention is arrange | positioned so that a conductor part may be contact | connected, and insulates between conductor parts.
誘電体部は、下記式（ＩＩ）を満たす樹脂を含有するものが好ましい。誘電体部が、式（ＩＩ）を満たす樹脂を含有することで、温度変化に対する伝送損失の変動が小さい信号伝送体が得られ易くなる。 The dielectric part preferably contains a resin that satisfies the following formula (II). When the dielectric portion contains the resin satisfying the formula (II), it becomes easy to obtain a signal transmission body in which the fluctuation of the transmission loss with respect to the temperature change is small.
式（ＩＩ）中、ａ１は、＋８０℃、９ＧＨｚにおける誘電正接（ｔａｎδ）を表し、ａ２は、−４０℃、９ＧＨｚにおける誘電正接（ｔａｎδ）を表す。 In the formula (II), a 1 represents a dielectric loss tangent (tan δ) at + 80 ° C. and 9 GHz, and a 2 represents a dielectric loss tangent (tan δ) at −40 ° C. and 9 GHz.
ａ１は、通常、０．０００４〜０．０００８、好ましくは、０．０００４〜０．０００６である。
ａ２は、通常、０．０００８〜０．００２０、好ましくは、０．０００８〜０．００１０である。
ａ１、ａ２は、実施例に記載の方法により測定することができる。
a 1 is usually from 0.0004 to 0.0008, preferably from 0.0004 to 0.0006.
a 2 is usually 0.0008 to 0.0020, preferably 0.0008 to 0.0010.
a 1 and a 2 can be measured by the method described in Examples.
式（ＩＩ）を満たす樹脂としては、脂環構造含有重合体が挙げられる。脂環構造含有重合体は、主鎖及び／又は側鎖に脂環構造を有する重合体である。なかでも、機械的強度、耐熱性等に優れる誘電体部を形成できることから、主鎖に脂環構造を有するものが好ましい。
脂環構造としては、飽和環状炭化水素（シクロアルカン）構造、不飽和環状炭化水素（シクロアルケン）構造などが挙げられる。なかでも、機械的強度、耐熱性等に優れる誘電体部を形成できることから、シクロアルカン構造が好ましい。
脂環構造を構成する炭素原子数は、特に限定されないが、通常４〜３０個、好ましくは５〜２０個、より好ましくは５〜１５個の範囲である。脂環構造を構成する炭素原子数がこれらの範囲内であることで、機械的強度、及び耐熱性等の特性がより高度にバランスされた誘電体部を形成し易くなる。
Examples of the resin satisfying the formula (II) include alicyclic structure-containing polymers. The alicyclic structure-containing polymer is a polymer having an alicyclic structure in the main chain and / or side chain. Of these, those having an alicyclic structure in the main chain are preferable because a dielectric portion excellent in mechanical strength, heat resistance, and the like can be formed.
Examples of the alicyclic structure include a saturated cyclic hydrocarbon (cycloalkane) structure and an unsaturated cyclic hydrocarbon (cycloalkene) structure. Among these, a cycloalkane structure is preferable because a dielectric portion excellent in mechanical strength, heat resistance, and the like can be formed.
Although the carbon atom number which comprises an alicyclic structure is not specifically limited, Usually, 4-30 pieces, Preferably it is 5-20 pieces, More preferably, it is the range of 5-15 pieces. When the number of carbon atoms constituting the alicyclic structure is within these ranges, it becomes easy to form a dielectric portion in which characteristics such as mechanical strength and heat resistance are more highly balanced.
脂環構造含有重合体中の脂環構造を有する繰り返し単位の割合は、適宜選択することができる。この繰り返し単位の割合は、全繰り返し単位に対して、通常３０重量％以上、好ましくは５０重量％以上、より好ましくは７０重量％以上である。脂環構造含有重合体中の脂環構造を有する繰り返し単位の割合が３０重量％以上であることで、耐熱性、透明性等に優れる誘電体部を形成し易くなる。脂環構造含有重合体中の脂環構造を有する繰り返し単位以外の残部は、特に限定されず、適宜選択される。 The ratio of the repeating unit having an alicyclic structure in the alicyclic structure-containing polymer can be appropriately selected. The ratio of this repeating unit is usually 30% by weight or more, preferably 50% by weight or more, more preferably 70% by weight or more with respect to all repeating units. When the ratio of the repeating unit having an alicyclic structure in the alicyclic structure-containing polymer is 30% by weight or more, it becomes easy to form a dielectric part having excellent heat resistance and transparency. The remainder other than the repeating unit having an alicyclic structure in the alicyclic structure-containing polymer is not particularly limited and is appropriately selected.
脂環構造含有重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、特に限定されないが、通常、５，０００〜５００，０００、好ましくは８，０００〜２００，０００、より好ましくは１０，０００〜１００，０００である。脂環構造含有重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）がこれらの範囲内であることで、誘電体部の機械的強度と、誘電体部を形成する際の作業性とにより高度にバランスされる。
脂環構造含有重合体の分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、特に限定されないが、通常、１．０〜４．０、好ましくは１．０〜３．０、より好ましくは１．０〜２．５である。
脂環構造含有重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）は、実施例に記載の方法に従って求めることができる。
Although the weight average molecular weight (Mw) of an alicyclic structure containing polymer is not specifically limited, Usually, 5,000-500,000, Preferably it is 8,000-200,000, More preferably, it is 10,000-100,000. It is. When the weight-average molecular weight (Mw) of the alicyclic structure-containing polymer is within these ranges, the mechanical strength of the dielectric part and the workability when forming the dielectric part are highly balanced.
Although molecular weight distribution (Mw / Mn) of an alicyclic structure containing polymer is not specifically limited, Usually, 1.0-4.0, Preferably it is 1.0-3.0, More preferably, it is 1.0-2. 5.
The weight average molecular weight (Mw) and the number average molecular weight (Mn) of the alicyclic structure-containing polymer can be determined according to the method described in Examples.
脂環構造含有重合体のガラス転移温度（Ｔｇ）は、特に限定されないが、通常、１００〜２００℃、好ましくは１００〜１７０℃である。
脂環構造含有重合体のガラス転移温度（Ｔｇ）が１００℃以上であることで、耐熱性に優れる誘電体部を形成し易くなる。また、脂環構造含有重合体のガラス転移温度（Ｔｇ）が２００℃以下の脂環構造含有重合体は溶融時に十分な流動性を有し、成形性に優れる。
ガラス転移温度（Ｔｇ）は、ＪＩＳ Ｋ ６９１１に基づいて測定することができる。
Although the glass transition temperature (Tg) of an alicyclic structure containing polymer is not specifically limited, Usually, it is 100-200 degreeC, Preferably it is 100-170 degreeC.
When the glass transition temperature (Tg) of the alicyclic structure-containing polymer is 100 ° C. or higher, it becomes easy to form a dielectric part having excellent heat resistance. An alicyclic structure-containing polymer having a glass transition temperature (Tg) of the alicyclic structure-containing polymer of 200 ° C. or lower has sufficient fluidity when melted and is excellent in moldability.
The glass transition temperature (Tg) can be measured based on JIS K 6911.
脂環構造含有重合体の具体例としては、（１）ノルボルネン系重合体、（２）単環の環状オレフィン系重合体、（３）環状共役ジエン系重合体、（４）ビニル脂環式炭化水素系重合体などが挙げられる。これらの中でも、耐熱性、機械的強度に優れる誘電体部を形成し易いことから、ノルボルネン系重合体が好ましい。
なお、本明細書において、これらの重合体は、重合反応生成物だけでなく、その水素添加物も意味するものである。
Specific examples of the alicyclic structure-containing polymer include (1) norbornene polymer, (2) monocyclic olefin polymer, (3) cyclic conjugated diene polymer, and (4) vinyl alicyclic carbonization. Examples thereof include hydrogen-based polymers. Among these, a norbornene-based polymer is preferable because a dielectric portion having excellent heat resistance and mechanical strength can be easily formed.
In the present specification, these polymers mean not only polymerization reaction products but also hydrogenated products thereof.
（１）ノルボルネン系重合体
ノルボルネン系重合体は、ノルボルネン骨格を有する単量体であるノルボルネン系単量体を重合して得られる重合体又はその水素添加物である。
ノルボルネン系重合体としては、ノルボルネン系単量体の開環重合体、ノルボルネン系単量体とこれと開環共重合可能なその他の単量体との開環重合体、これらの開環重合体の水素添加物、ノルボルネン系単量体の付加重合体、ノルボルネン系単量体とこれと共重合可能なその他の単量体との付加重合体などが挙げられる。
(1) Norbornene polymer The norbornene polymer is a polymer obtained by polymerizing a norbornene monomer which is a monomer having a norbornene skeleton, or a hydrogenated product thereof.
The norbornene-based polymer includes a ring-opening polymer of a norbornene-based monomer, a ring-opening polymer of a norbornene-based monomer and another monomer capable of ring-opening copolymerization, and these ring-opening polymers. And an addition polymer of a norbornene monomer, an addition polymer of a norbornene monomer and another monomer copolymerizable therewith, and the like.
ノルボルネン系単量体としては、ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン（慣用名：ノルボルネン）及びその誘導体（環に置換基を有するものをいう。）、トリシクロ［４．３．０１，６．１２，５］デカ−３，７−ジエン（慣用名：ジシクロペンタジエン）及びその誘導体、テトラシクロ［９．２．１．０２，１０．０３，８］テトラデカ−３，５，７，１２−テトラエン（メタノテトラヒドロフルオレン、７，８−ベンゾトリシクロ［４．３．０．１２，５］デカ−３−エン、１，４−メタノ−１，４，４ａ，９ａ−テトラヒドロフルオレンともいう）及びその誘導体、テトラシクロ［４．４．１２，５．１７，１０．０］ドデカ−３−エン（慣用名：テトラシクロドデセン）及びその誘導体などが挙げられる。 Examples of the norbornene-based monomer include bicyclo [2.2.1] hept-2-ene (common name: norbornene) and its derivatives (which have a substituent in the ring), tricyclo [4.3.0]. 1,6 . 1 2,5] deca-3,7-diene (trivial name: dicyclopentadiene) and derivatives thereof, tetracyclo [9.2.1.0 2,10. 0 3,8 ] tetradeca-3,5,7,12-tetraene (methanotetrahydrofluorene, 7,8-benzotricyclo [4.3.0.1 2,5 ] dec-3-ene, 1,4- Methano-1,4,4a, 9a-tetrahydrofluorene) and its derivatives, tetracyclo [4.4.1 2,5 . 1 7,10 . 0] dodec-3-ene (common name: tetracyclododecene) and its derivatives.
置換基としては、アルキル基、アルキレン基、ビニル基、アルコキシカルボニル基、アルキリデン基などが挙げられる。
置換基を有するノルボルネン系単量体としては、８−メトキシカルボニル−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカ−３−エン、８−メチル−８−メトキシカルボニル−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカ−３−エン、８−エチリデン−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカ−３−エンなどが挙げられる。
これらのノルボルネン系単量体は、１種単独であるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
Examples of the substituent include an alkyl group, an alkylene group, a vinyl group, an alkoxycarbonyl group, and an alkylidene group.
Examples of the norbornene-based monomer having a substituent include 8-methoxycarbonyl-tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-methyl-8-methoxycarbonyl-tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-ethylidene-tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene and the like.
These norbornene monomers can be used singly or in combination of two or more.
ノルボルネン系単量体と開環共重合可能なその他の単量体としては、シクロヘキセン、シクロヘプテン、シクロオクテン、及びこれらの誘導体などの単環の環状オレフィン系単量体などが挙げられる。これらの置換基としては、ノルボルネン系単量体の置換基として示したものと同様のものが挙げられる。 Examples of other monomers capable of ring-opening copolymerization with norbornene monomers include monocyclic olefin monomers such as cyclohexene, cycloheptene, cyclooctene, and derivatives thereof. Examples of these substituents are the same as those shown as the substituents of the norbornene monomer.
ノルボルネン系単量体と付加共重合可能なその他の単量体としては、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセンなどの炭素数２〜２０のα−オレフィン、及びこれらの誘導体；シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン、シクロオクテンなどのシクロオレフィン、及びこれらの誘導体；１，４−ヘキサジエン、４−メチル−１，４−ヘキサジエン、５−メチル−１，４−ヘキサジエン、１，７−オクタジエンなどの非共役ジエン；などが挙げられる。これらの中でも、α−オレフィンが好ましく、エチレンが特に好ましい。これらの置換基としては、ノルボルネン系単量体の置換基として示したものと同様のものが挙げられる。 Other monomers capable of addition copolymerization with norbornene monomers include α-olefins having 2 to 20 carbon atoms such as ethylene, propylene, 1-butene, 1-pentene and 1-hexene, and derivatives thereof. Cycloolefins such as cyclobutene, cyclopentene, cyclohexene, cyclooctene, and derivatives thereof; 1,4-hexadiene, 4-methyl-1,4-hexadiene, 5-methyl-1,4-hexadiene, 1,7-octadiene Non-conjugated dienes such as; Among these, α-olefins are preferable and ethylene is particularly preferable. Examples of these substituents are the same as those shown as the substituents of the norbornene monomer.
ノルボルネン系単量体の開環重合体、又はノルボルネン系単量体とこれと開環共重合可能なその他の単量体との開環重合体は、単量体成分を、公知の開環重合触媒の存在下で重合させることにより合成することができる。開環重合触媒としては、例えば、ルテニウム、オスミウムなどの金属のハロゲン化物と、硝酸塩又はアセチルアセトン化合物、及び還元剤とからなる触媒、あるいは、チタン、ジルコニウム、タングステン、モリブデンなどの金属のハロゲン化物又はアセチルアセトン化合物と、有機アルミニウム化合物とからなる触媒等が挙げられる。
ノルボルネン系単量体の開環重合体水素添加物は、通常、上記開環重合体の重合溶液に、ニッケル、パラジウムなどの遷移金属を含む公知の水添触媒を添加し、炭素−炭素不飽和結合を水素化することにより得ることができる。
A ring-opening polymer of a norbornene-based monomer, or a ring-opening polymer of a norbornene-based monomer and another monomer capable of ring-opening copolymerization with a monomer component is a known ring-opening polymerization. It can be synthesized by polymerizing in the presence of a catalyst. Examples of the ring-opening polymerization catalyst include a catalyst comprising a metal halide such as ruthenium or osmium, a nitrate or an acetylacetone compound, and a reducing agent, or a metal halide or acetylacetone such as titanium, zirconium, tungsten, or molybdenum. Examples thereof include a catalyst composed of a compound and an organoaluminum compound.
The ring-opening polymer hydrogenated product of norbornene-based monomer is usually obtained by adding a known hydrogenation catalyst containing a transition metal such as nickel or palladium to the polymerization solution of the ring-opening polymer, and carbon-carbon unsaturation. It can be obtained by hydrogenating the bond.
ノルボルネン系単量体の付加重合体、又はノルボルネン系単量体とこれと共重合可能なその他の単量体との付加重合体は、単量体成分を、公知の付加重合触媒の存在下で重合させることにより合成することができる。付加重合触媒としては、例えば、チタン、ジルコニウム又はバナジウム化合物と有機アルミニウム化合物とからなる触媒が挙げられる。 An addition polymer of a norbornene monomer, or an addition polymer of a norbornene monomer and another monomer copolymerizable with the norbornene monomer, in the presence of a known addition polymerization catalyst. It can be synthesized by polymerization. Examples of the addition polymerization catalyst include a catalyst composed of a titanium, zirconium or vanadium compound and an organoaluminum compound.
これらのノルボルネン系重合体の中でも、耐熱性、機械的強度等に優れる誘電体部を形成し易いことから、ノルボルネン系単量体の開環重合体水素添加物が好ましい。 Among these norbornene-based polymers, a ring-opening polymer hydrogenated product of norbornene-based monomers is preferable because a dielectric portion excellent in heat resistance, mechanical strength, and the like can be easily formed.
（２）単環の環状オレフィン系重合体
単環の環状オレフィン系重合体としては、例えば、シクロヘキセン、シクロヘプテン、シクロオクテンなどの、単環の環状オレフィン系単量体の付加重合体が挙げられる。
これらの付加重合体の合成方法は特に限定されず、公知の方法を適宜利用することができる。
(2) Monocyclic Cyclic Olefin Polymer Examples of the monocyclic cycloolefin polymer include addition polymers of monocyclic cycloolefin monomers such as cyclohexene, cycloheptene, and cyclooctene.
A method for synthesizing these addition polymers is not particularly limited, and a known method can be appropriately used.
（３）環状共役ジエン系重合体
環状共役ジエン系重合体としては、例えば、シクロペンタジエン、シクロヘキサジエンなどの環状共役ジエン系単量体を１，２−又は１，４−付加重合した重合体及びその水素添加物などが挙げられる。
これらの付加重合体の合成方法は特に限定されず、公知の方法を適宜利用することができる。
(3) Cyclic conjugated diene polymer As the cyclic conjugated diene polymer, for example, a polymer obtained by subjecting a cyclic conjugated diene monomer such as cyclopentadiene or cyclohexadiene to 1,2- or 1,4-addition polymerization, and Examples thereof include hydrogenated products.
A method for synthesizing these addition polymers is not particularly limited, and a known method can be appropriately used.
（４）ビニル脂環式炭化水素系重合体
ビニル脂環式炭化水素系重合体としては、例えば、ビニルシクロヘキセン、ビニルシクロヘキサンなどのビニル脂環式炭化水素系単量体の重合体及びその水素添加物；スチレン、α−メチルスチレンなどのビニル芳香族系単量体の重合体の芳香環部分の水素添加物；などが挙げられる。また、ビニル脂環式炭化水素系単量体やビニル芳香族系単量体と、これらの単量体と共重合可能な他の単量体との共重合体であってもよい。かかる共重合体としては、ランダム共重合体、ブロック共重合体等が挙げられる。
これらの重合体の合成方法は特に限定されず、公知の方法を適宜利用することができる。
(4) Vinyl alicyclic hydrocarbon polymer As examples of vinyl alicyclic hydrocarbon polymers, polymers of vinyl alicyclic hydrocarbon monomers such as vinylcyclohexene and vinylcyclohexane, and hydrogenation thereof. A hydrogenated product of an aromatic ring portion of a polymer of a vinyl aromatic monomer such as styrene or α-methylstyrene. Further, it may be a copolymer of a vinyl alicyclic hydrocarbon monomer or vinyl aromatic monomer and another monomer copolymerizable with these monomers. Examples of such a copolymer include a random copolymer and a block copolymer.
The method for synthesizing these polymers is not particularly limited, and known methods can be used as appropriate.
より耐熱性に優れる誘電体部を形成できることから、脂環構造含有重合体としては結晶性の脂環構造含有重合体（以下、「重合体（α）」ということがある。）が好ましい。
「結晶性」とは、測定条件等を最適化することにより、示差走査熱量計（ＤＳＣ）で融点を観測することができるという性質をいい、重合体鎖の立体規則性により定まる性質である。
As the alicyclic structure-containing polymer, a crystalline alicyclic structure-containing polymer (hereinafter sometimes referred to as “polymer (α)”) is preferable because a dielectric part having more excellent heat resistance can be formed.
“Crystallinity” refers to the property that the melting point can be observed with a differential scanning calorimeter (DSC) by optimizing the measurement conditions and the like, and is determined by the stereoregularity of the polymer chain.
重合体（α）としては、国際公開第２０１２／０３３０７６号パンフレットに記載の、シンジオタクチック立体規則性を有するジシクロペンタジエン開環重合体水素化物、特開２００２−２４９５５３号公報に記載の、アイソタクチック立体規則性を有するジシクロペンタジエン開環重合体水素化物、特開２００７−１６１０２号公報に記載の、ノルボルネン開環重合体水素化物等が挙げられる。 As the polymer (α), a dicyclopentadiene ring-opened polymer hydride having syndiotactic stereoregularity described in International Publication No. 2012/033076 pamphlet, an isoform described in JP-A No. 2002-249553 Examples thereof include dicyclopentadiene ring-opened polymer hydrides having tactic stereoregularity, norbornene ring-opened polymer hydrides described in JP-A-2007-16102, and the like.
重合体（α）の融点は、好ましくは、１８０〜３５０℃、より好ましくは２００〜３２０℃、特に好ましくは２２０〜３００℃である。
融点がこの範囲にある重合体（α）は、成形性と耐熱性とのバランスが良好なものとなる。
The melting point of the polymer (α) is preferably 180 to 350 ° C, more preferably 200 to 320 ° C, and particularly preferably 220 to 300 ° C.
The polymer (α) having a melting point in this range has a good balance between moldability and heat resistance.
重合体（α）としては、シンジオタクチック立体規則性を有するジシクロペンタジエン開環重合体水素化物（以下、「重合体（α１）」ということがある。）が好ましい。 The polymer (α) is preferably a dicyclopentadiene ring-opened polymer hydride having syndiotactic stereoregularity (hereinafter sometimes referred to as “polymer (α1)”).
重合体（α１）の立体規則性の程度は特に限定されないが、耐熱性に優れる誘電体部を効率よく形成し得ることから、立体規則性の程度がより高いものが好ましい。
具体的には、ジシクロペンタジエンを開環重合して、次いで水素化して得られる繰り返し単位についてのラセモ・ダイアッドの割合が、５１％以上であることが好ましく、６０％以上であることがより好ましく、７０％以上であることが特に好ましい。
ラセモ・ダイアッドの割合が高いものほど、すなわち、シンジオタクチック立体規則性の高いものほど、高い融点を有するジシクロペンタジエン開環重合体水素化物となる。
ラセモ・ダイアッドの割合は、１３Ｃ−ＮＭＲスペクトル分析で測定し、定量することができる。具体的には、オルトジクロロベンゼン−ｄ４を溶媒として、１５０℃でｉｎｖｅｒｓｅ−ｇａｔｅｄ ｄｅｃｏｕｐｌｉｎｇ法を適用して１３Ｃ−ＮＭＲ測定を行い、オルトジクロロベンゼン−ｄ４の１２７．５ｐｐｍのピークを基準シフトとして、メソ・ダイアッド由来の４３．３５ｐｐｍのシグナルと、ラセモ・ダイアッド由来の４３．４３ｐｐｍのシグナルの強度比からラセモ・ダイアッドの割合を決定することができる。
The degree of stereoregularity of the polymer (α1) is not particularly limited, but a polymer having higher degree of stereoregularity is preferable because a dielectric part having excellent heat resistance can be efficiently formed.
Specifically, the ratio of racemo dyad to the repeating unit obtained by ring-opening polymerization of dicyclopentadiene and then hydrogenating is preferably 51% or more, and more preferably 60% or more. 70% or more is particularly preferable.
The higher the ratio of racemo dyad, that is, the higher the syndiotactic stereoregularity, the more dicyclopentadiene ring-opening polymer hydride having a higher melting point.
The ratio of racemo dyad can be measured and quantified by 13 C-NMR spectrum analysis. Specifically, 13 C-NMR measurement was performed using ortho-dichlorobenzene-d4 as a solvent and an inverse-gated decoupling method applied at 150 ° C., and the 127.5 ppm peak of orthodichlorobenzene-d4 was used as a reference shift. The ratio of racemo dyad can be determined from the intensity ratio of the 43.35 ppm signal derived from meso dyad and the 43.43 ppm signal derived from racemo dyad.
ジシクロペンタジエンには、エンド体及びエキソ体の立体異性体が存在するが、本発明においては、そのどちらも単量体として用いることができる。また、一方の異性体のみを単独で用いてもよいし、エンド体及びエキソ体が任意の割合で存在する異性体混合物を用いてもよい。本発明においては、重合体（α１）の結晶性が高まり、耐熱性により優れる誘電体部をより形成しやすいことから、一方の立体異性体の割合を高くすることが好ましい。例えば、エンド体又はエキソ体の割合が、好ましくは８０％以上、より好ましくは９０％以上、さらに好ましくは９５％以上である。なお、合成が容易であることから、エンド体の割合が高いことが好ましい。 In dicyclopentadiene, there are stereoisomers of endo and exo, both of which can be used as monomers in the present invention. Moreover, only one isomer may be used alone, or an isomer mixture in which an endo isomer and an exo isomer are present in an arbitrary ratio may be used. In the present invention, since the crystallinity of the polymer (α1) is increased and a dielectric part having better heat resistance is more easily formed, it is preferable to increase the ratio of one stereoisomer. For example, the ratio of endo-form or exo-form is preferably 80% or more, more preferably 90% or more, and still more preferably 95% or more. In addition, since the synthesis | combination is easy, it is preferable that the ratio of an end body is high.
重合体（α１）を合成する際、単量体として、ジシクロペンタジエンのみを用いてもよいし、ジシクロペンタジエンと共重合可能な他の単量体を用いてもよい。他の単量体としては、ジシクロペンタジエン以外のノルボルネン類や、環状オレフィン類、ジエン類等が挙げられる。
他の単量体を用いる場合、その使用量は、単量体全量中、好ましくは１０重量％以下、より好ましくは５重量％以下である。
重合体（α１）の合成方法は特に限定されず、公知の方法に従って、開環重合反応及び水素化反応を行うことにより、重合体（α１）を合成することができる。
When synthesizing the polymer (α1), only dicyclopentadiene may be used as the monomer, or another monomer copolymerizable with dicyclopentadiene may be used. Examples of other monomers include norbornenes other than dicyclopentadiene, cyclic olefins, and dienes.
When other monomers are used, the amount used is preferably 10% by weight or less, more preferably 5% by weight or less, based on the total amount of monomers.
A method for synthesizing the polymer (α1) is not particularly limited, and the polymer (α1) can be synthesized by performing a ring-opening polymerization reaction and a hydrogenation reaction according to a known method.
誘電体部は、脂環構造含有重合体の他に、添加剤等の他の成分を含有していてもよい。
他の成分としては、脂環構造含有重合体以外の樹脂、酸化防止剤、結晶核剤、充填剤、難燃剤、難燃助剤、着色剤、帯電防止剤、可塑剤、紫外線吸収剤、光安定剤、近赤外線吸収剤、滑剤等が挙げられる。
The dielectric part may contain other components such as an additive in addition to the alicyclic structure-containing polymer.
Other components include resins other than alicyclic structure-containing polymers, antioxidants, crystal nucleating agents, fillers, flame retardants, flame retardant aids, colorants, antistatic agents, plasticizers, UV absorbers, light Stabilizers, near infrared absorbers, lubricants and the like can be mentioned.
誘電体部中の脂環構造含有重合体の含有量は、誘電体部全体に対して、通常、５０重量％以上、好ましくは６０重量％以上、より好ましくは、８０重量％以上である。
前記他の成分の含有量は、目的に合わせて適宜決定することができるが、誘電体部全体に対して、通常、５０重量％未満、好ましくは４０重量％未満、より好ましくは２０重量％未満である。
The content of the alicyclic structure-containing polymer in the dielectric part is usually 50% by weight or more, preferably 60% by weight or more, and more preferably 80% by weight or more with respect to the entire dielectric part.
The content of the other components can be appropriately determined according to the purpose, but is generally less than 50% by weight, preferably less than 40% by weight, more preferably less than 20% by weight with respect to the entire dielectric part. It is.
〔信号伝送体〕
本発明の信号伝送体は、下記式（Ｉ）を満たすものである。
[Signal transmission body]
The signal transmission body of the present invention satisfies the following formula (I).
（Ｘは、信号伝送体について、９ＧＨｚの高周波信号に対する伝送損失を−４０℃と＋８０℃で測定して算出した、温度変化に対する伝送損失の変化率（ｄＢ／ｃｍ／℃）を表し、Ｙは、その信号伝送体を構成する導体部のみについて、９ＧＨｚの高周波信号に対する伝送損失を測定して算出した、温度変化に対する伝送損失の変化率（ｄＢ／ｃｍ／℃）を表す。）
Ｘ及びＹは、実施例に記載の方法に従って求めることができる。
(X represents the rate of change in transmission loss (dB / cm / ° C.) with respect to temperature change, calculated by measuring the transmission loss for a high frequency signal of 9 GHz at −40 ° C. and + 80 ° C. for the signal transmission body, and Y is The rate of change in transmission loss (dB / cm / ° C.) with respect to temperature change calculated by measuring the transmission loss with respect to a high frequency signal of 9 GHz for only the conductor portion constituting the signal transmission body.
X and Y can be determined according to the method described in Examples.
式（Ｉ）を満たすことからわかるように、本発明の信号伝送体は、導体部のみの場合に比べて、温度変化に対する伝送損失の変化率がより小さくなるものである。
すなわち、通常、導体部の抵抗値は温度が高くなるにつれて大きくなり、また、液晶ポリマーやフッ素樹脂の誘電正接も温度が高くなるにつれて大きくなる。
信号伝送体の伝送損失は、導体部の抵抗と誘電体部の誘電正接が合わさったものであると考えると、液晶ポリマーやフッ素樹脂を用いて誘電体部を形成すると、温度変化に対する伝送損失が極めて大きい信号伝送体になると考えられる。
As can be seen from satisfying the formula (I), the signal transmission body of the present invention has a smaller rate of change of transmission loss with respect to temperature change than in the case of only the conductor portion.
That is, normally, the resistance value of the conductor portion increases as the temperature increases, and the dielectric loss tangent of the liquid crystal polymer or the fluororesin increases as the temperature increases.
Considering that the transmission loss of the signal transmission body is a combination of the resistance of the conductor part and the dielectric loss tangent of the dielectric part, if the dielectric part is formed using liquid crystal polymer or fluororesin, the transmission loss with respect to temperature changes will be reduced. It is considered to be an extremely large signal transmission body.
一方、高温時の誘電正接よりも低温時の誘電正接が大きくなるような樹脂（例えば、前記式（ＩＩ）を満たす樹脂）を用いて誘電体部を形成すると、温度変化に対する伝送損失の変化率は、導体部のみのものよりも信号伝送体のほうが小さくなる（すなわち、前記式（Ｉ）が満たされる。）。
このように、導体部における抵抗値の温度変化を、誘電体部における誘電正接の温度変化で相殺させるように、導体部と誘電体部とを組み合わせることで、本発明の信号伝送体を得ることができる。
On the other hand, when the dielectric portion is formed using a resin whose dielectric loss tangent at a low temperature is larger than that at a high temperature (for example, a resin satisfying the formula (II)), the rate of change in transmission loss with respect to a temperature change Is smaller in the signal transmission body than in the case of only the conductor portion (that is, the expression (I) is satisfied).
Thus, the signal transmission body of the present invention can be obtained by combining the conductor portion and the dielectric portion so that the temperature change of the resistance value in the conductor portion is offset by the temperature change of the dielectric loss tangent in the dielectric portion. Can do.
本発明の信号伝送体は、下記式（ＩＩＩ）を満たすことがより好ましい。 The signal transmission body of the present invention more preferably satisfies the following formula (III).
式（ＩＩＩ）中、Ｘ、Ｙは、前記と同じ意味を表し、｜Ｘ｜、｜Ｙ｜は、それぞれＸの絶対値、Ｙの絶対値を表す。 In formula (III), X and Y represent the same meaning as described above, and | X | and | Y | represent the absolute value of X and the absolute value of Y, respectively.
本発明の信号伝送体は、９ＧＨｚの高周波信号に対する伝送損失を測定したときに、−４０℃から＋８０℃の範囲における伝送損失の最大値と最小値の差が、０．００２０ｄＢ／ｃｍ以下であることが好ましく、０．０００７〜０．００１５ｄＢ／ｃｍがより好ましく、０．０００７〜０．００１０ｄＢ／ｃｍがさらに好ましい。 In the signal transmission body of the present invention, the difference between the maximum value and the minimum value of the transmission loss in the range of −40 ° C. to + 80 ° C. is 0.0020 dB / cm or less when measuring the transmission loss for a high frequency signal of 9 GHz. It is preferably 0.0007 to 0.0015 dB / cm, and more preferably 0.0007 to 0.0010 dB / cm.
−４０℃から＋８０℃の範囲における伝送損失の最大値と最小値の差を、０．００２０ｄＢ／ｃｍ以下にするためには、例えば以下の方法に従って行うことができる。 In order to set the difference between the maximum value and the minimum value of transmission loss in the range of −40 ° C. to + 80 ° C. to 0.0020 dB / cm or less, for example, the following method can be used.
（１）まず、所定の特性インピーダンスになるように、導体部の形状（厚み、幅）、ＧＮＤ層との距離、誘電体部の比誘電率、厚み等を基にして回路設計を行う。
（２）次いで、配線幅の値を大きくし、かつ、誘電体厚みの値を大きくした場合（又は、その逆に、配線幅の値を小さくし、かつ、誘電体厚みの値を小さくした場合）に、伝送損失における誘電体損失と導体損失の影響がどの程度変化するかを調べる。
（３）（２）で得られた知見を基に、配線幅及び誘電体厚みを最適化することにより、目的の特性を有する信号伝送体を得ることができる。
(1) First, circuit design is performed based on the shape (thickness and width) of the conductor part, the distance from the GND layer, the relative dielectric constant and thickness of the dielectric part, etc. so as to obtain a predetermined characteristic impedance.
(2) Next, when the wiring width value is increased and the dielectric thickness value is increased (or, conversely, when the wiring width value is decreased and the dielectric thickness value is decreased). ), How much the influence of the dielectric loss and the conductor loss in the transmission loss changes is investigated.
(3) Based on the knowledge obtained in (2), a signal transmission body having desired characteristics can be obtained by optimizing the wiring width and the dielectric thickness.
本発明の信号伝送体としては、マイクロストリップライン構造を有するもの、ストリップライン構造を有するもの、同軸ケーブルが挙げられる。 Examples of the signal transmission body of the present invention include those having a microstrip line structure, those having a strip line structure, and coaxial cables.
信号伝送体がマイクロストリップライン構造を有するものである場合、誘電体層の厚みを調節することにより、−４０℃から＋８０℃の範囲における伝送損失の最大値と最小値の差を調節することができる。
マイクロストリップライン構造を有する信号伝送体の断面において、導体部の幅は通常０．８〜３．０ｍｍ、好ましくは１．２〜２．８ｍｍであり、導体部の厚みは通常０．０１２〜０．０３５ｍｍ、好ましくは０．０１２〜０．０１８ｍｍであり、誘電体部の厚みは通常、０．３〜１．０ｍｍ、好ましくは０．４５〜１．０ｍｍである。
マイクロストリップライン構造を有する信号伝送体の誘電体部の厚みとは、図１中のｈ１をいう。
When the signal transmission body has a microstrip line structure, the difference between the maximum value and the minimum value of the transmission loss in the range of −40 ° C. to + 80 ° C. can be adjusted by adjusting the thickness of the dielectric layer. it can.
In the cross section of the signal transmission body having a microstrip line structure, the width of the conductor is usually 0.8 to 3.0 mm, preferably 1.2 to 2.8 mm, and the thickness of the conductor is usually 0.012 to 0. 0.035 mm, preferably 0.012-0.018 mm, and the thickness of the dielectric portion is usually 0.3-1.0 mm, preferably 0.45-1.0 mm.
The thickness of the dielectric portion of the signal transmission member having a microstrip line structure, refers to h 1 in FIG.
信号伝送体がストリップライン構造を有するものである場合、誘電体層の厚みを調節することにより、−４０℃から＋８０℃の範囲における伝送損失の最大値と最小値の差を調節することができる。
ストリップライン構造を有する信号伝送体の断面において、導体部の幅は通常０．６〜２．０ｍｍ、好ましくは０．９〜１．８ｍｍであり、導体部の厚みは通常０．０１２〜０．０３５ｍｍ、好ましくは０．０１２〜０．０１８ｍｍであり、誘電体部の厚みは通常、０．４〜１．２ｍｍ、好ましくは０．６〜１．２ｍｍである。
ストリップライン構造を有する信号伝送体の誘電体部の厚みとは、図１２中のｈ２をいう。
When the signal transmission body has a stripline structure, the difference between the maximum value and the minimum value of the transmission loss in the range of −40 ° C. to + 80 ° C. can be adjusted by adjusting the thickness of the dielectric layer. .
In the cross section of the signal transmission body having the stripline structure, the width of the conductor is usually 0.6 to 2.0 mm, preferably 0.9 to 1.8 mm, and the thickness of the conductor is usually 0.012 to 0. 035 mm, preferably 0.012 to 0.018 mm, and the thickness of the dielectric portion is usually 0.4 to 1.2 mm, preferably 0.6 to 1.2 mm.
The thickness of the dielectric portion of the signal transmission member having a strip line structure, refers to h 2 in FIG.
信号伝送体が同軸ケーブルの場合、内部導体部を覆う誘電体部の厚み（断面における直径）を調節することにより、−４０℃から＋８０℃の範囲における伝送損失の最大値と最小値の差を調節することができる。
同軸ケーブルの断面において、内部導体部の直径は、通常０．０１〜１．０ｍｍ、好ましくは０．０５〜０．１ｍｍであり、誘電体部の厚みは通常、０．４〜１．２ｍｍ、好ましくは０．６〜１．２ｍｍである。
When the signal transmission body is a coaxial cable, the difference between the maximum value and the minimum value of the transmission loss in the range of −40 ° C. to + 80 ° C. can be obtained by adjusting the thickness (diameter in the cross section) of the dielectric portion covering the inner conductor. Can be adjusted.
In the cross section of the coaxial cable, the diameter of the inner conductor portion is usually 0.01 to 1.0 mm, preferably 0.05 to 0.1 mm, and the thickness of the dielectric portion is usually 0.4 to 1.2 mm. Preferably it is 0.6-1.2 mm.
本発明の信号伝送体は、温度変化に対する伝送損失の変動が小さい。したがって、本発明の信号伝送体は、常温時だけでなく高温時においても、安定的に信号を伝えることができる。
〔電子機器〕
本発明の電子機器は、本発明の信号伝送体を備えるものである。したがって、本発明の電子機器は、高温時においても誤作動が少なく、また、電力消費量も少ない。
本発明の電子機器としては、携帯電話、スマートフォン、パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、デジタルカメラ等が挙げられる。
The signal transmission body of the present invention has a small variation in transmission loss with respect to temperature change. Therefore, the signal transmission body of the present invention can transmit a signal stably not only at normal temperature but also at high temperature.
〔Electronics〕
The electronic device of the present invention includes the signal transmission body of the present invention. Therefore, the electronic device of the present invention has few malfunctions even at high temperatures and low power consumption.
Examples of the electronic device of the present invention include a mobile phone, a smartphone, a personal computer, a game device, and a digital camera.
以下、実施例を挙げて、本発明をより詳細に説明する。なお、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではない。また、下記の実施例及び比較例において、「部」及び「％」は特に断りのない限り、重量基準である。
各例における測定は、以下の方法により行った。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. The present invention is not limited to the following examples. In the following examples and comparative examples, “parts” and “%” are based on weight unless otherwise specified.
The measurement in each example was performed by the following method.
〔ガラス転移温度及び融点〕
示差走査熱量計（製品名「ＤＳＣ６２２０」、日立ハイテクサイエンス社製）を用いて、昇温速度が１０℃／分の条件で示差走査熱量測定を行い、重合体のガラス転移温度及び融点を測定した。
[Glass transition temperature and melting point]
Using a differential scanning calorimeter (product name “DSC6220”, manufactured by Hitachi High-Tech Science Co., Ltd.), differential scanning calorimetry was performed under the condition of a heating rate of 10 ° C./min, and the glass transition temperature and melting point of the polymer were measured. .
〔重量平均分子量（Ｍｗ）及び分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）〕
テトラヒドロフランを溶媒として、４０℃でゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）を行い、重量平均分子量（Ｍｗ）及び分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）をポリスチレン換算値として求めた。
測定装置：ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）システム「ＨＬＣ−８２２０」（東ソー社製）
カラム：「Ｈタイプカラム」（東ソー社製）
[Weight average molecular weight (Mw) and molecular weight distribution (Mw / Mn)]
Gel permeation chromatography (GPC) was performed at 40 ° C. using tetrahydrofuran as a solvent, and the weight average molecular weight (Mw) and the molecular weight distribution (Mw / Mn) were determined as polystyrene equivalent values.
Measuring apparatus: Gel permeation chromatography (GPC) system “HLC-8220” (manufactured by Tosoh Corporation)
Column: “H type column” (manufactured by Tosoh Corporation)
〔重合体中の不飽和結合の水素化率〕
１Ｈ−ＮＭＲ測定に基づいて、重合体中の不飽和結合の水素化率を求めた。
[Hydrogenation rate of unsaturated bond in polymer]
Based on the 1 H-NMR measurement, the hydrogenation rate of the unsaturated bond in the polymer was determined.
〔信号伝送体の伝送損失〕
実施例及び比較例において、マイクロストリップラインやストリップライン等の信号伝送体を作製した後、ネットワークアナライザー（製品名「ＰＮＡ Ｎｅｔｗｏｒｋ Ａｎａｌｙｚｅｒ Ｅ８３６１Ｃ」、アジレントテクノロジー社製）を用いて、それらの伝送損失を、−４０℃、０℃、４０℃、８０℃で測定し、以下の基準で評価した。
◎：伝送損失の変化（最大値と最小値の差をいう。以下同じ）が０．００１０ｄＢ／ｃｍ未満
○：伝送損失の変化が０．００１０ｄＢ／ｃｍ以上、０．００２０ｄＢ／ｃｍ未満
△：伝送損失の変化が０．００２０ｄＢ／ｃｍ以上
[Transmission loss of signal transmission body]
In Examples and Comparative Examples, after producing a signal transmission body such as a microstrip line and a strip line, using a network analyzer (product name “PNA Network Analyzer E8361C”, manufactured by Agilent Technologies), the transmission loss is Measurements were made at −40 ° C., 0 ° C., 40 ° C., and 80 ° C., and evaluated according to the following criteria.
A: Change in transmission loss (the difference between the maximum value and the minimum value; the same applies hereinafter) is less than 0.0010 dB / cm ○: Change in transmission loss is 0.0010 dB / cm or more and less than 0.0020 dB / cm Δ: Transmission Loss change is 0.0020 dB / cm or more
〔信号伝送体の導体部の伝送損失〕
円柱共振器法測定装置（製品名「ＳＵＭ−ＲＯＤ」、サムテック社製）とネットワークアナライザー（製品名「ＰＮＡ Ｎｅｔｗｏｒｋ Ａｎａｌｙｚｅｒ Ｅ８３６１Ｃ」、アジレントテクノロジー社製）を用いて、導体部の抵抗率を測定し、導体部の伝送損失を算出した。
[Transmission loss of conductor of signal transmission body]
Using a cylindrical resonator method measuring device (product name “SUM-ROD”, manufactured by Samtec) and a network analyzer (product name “PNA Network Analyzer E8361C”, manufactured by Agilent Technologies), the resistivity of the conductor part is measured. The transmission loss of the conductor part was calculated.
〔信号伝送体の誘電体部の誘電正接（ｔａｎδ）〕
厚さ０．１ｍｍ以上、１．０ｍｍ以下の誘電体部を５０×５０ｍｍの外形寸法に加工し、平衡円板共振器法治具（ＳＵＭＤＩＳＣ社製）に収納し、ネットワークアナライザー（製品名「ＰＮＡ―Ｌ Ｎｅｔｗｏｒｋ Ａｎａｌｙｚｅｒ Ｎ５２３０Ｃ」、アジレントテクノロジー社製）を用いて、誘電体部の誘電正接（ｔａｎδ）を測定した。
[Dielectric loss tangent (tan δ) of dielectric part of signal transmission body]
A dielectric part having a thickness of 0.1 mm or more and 1.0 mm or less is processed into an external dimension of 50 × 50 mm, and is stored in a balanced disk resonator method jig (manufactured by SUMDISC), and a network analyzer (product name “PNA- The dielectric loss tangent (tan δ) of the dielectric portion was measured using “L Network Analyzer N5230C” (manufactured by Agilent Technologies).
〔製造例１〕〔ジシクロペンタジエン開環重合体水素化物の合成〕
内部を窒素置換した金属製耐圧反応容器に、シクロヘキサン１５４．５部、ジシクロペンタジエン（エンド体含有率９９％以上）のシクロヘキサン溶液（濃度７０％）４２．８部（ジシクロペンタジエンとして３０部）、１−ヘキセン１．９部を加え、全容を５３℃に加熱した。
一方、テトラクロロタングステンフェニルイミド（テトラヒドロフラン）錯体０．０１４部を０．７０部のトルエンに溶解して得られた溶液に、ジエチルアルミニウムエトキシドのｎ−ヘキサン溶液（濃度１９％）０．０６１部を加えて１０分間攪拌し、触媒溶液を調製した。この触媒溶液を前記反応器内に添加し、５３℃で４時間、開環重合反応を行い、ジシクロペンタジエン開環重合体を含む溶液を得た。
[Production Example 1] [Synthesis of dicyclopentadiene ring-opening polymer hydride]
In a metal pressure-resistant reaction vessel purged with nitrogen inside, 154.5 parts of cyclohexane, 42.8 parts of cyclohexane solution (concentration 70%) of dicyclopentadiene (end content 99% or more) (30 parts as dicyclopentadiene) 1-hexene 1.9 parts was added and the whole was heated to 53 ° C.
On the other hand, in a solution obtained by dissolving 0.014 part of tetrachlorotungstenphenylimide (tetrahydrofuran) complex in 0.70 part of toluene, 0.061 part of n-hexane solution of diethylaluminum ethoxide (
得られたジシクロペンタジエン開環重合体を含む溶液２００部に、停止剤として、１，２−エタンジオール０．０３７部を加えて、６０℃で１時間攪拌し、重合反応を停止させた。その後、ハイドロタルサイト様化合物（製品名「キョーワード（登録商標）２０００」、協和化学工業社製）を１部加えて、６０℃に加温し、１時間攪拌した。濾過助剤（製品名「ラヂオライト（登録商標）＃１５００」昭和化学工業社製）を０．４部加え、ＰＰプリーツカートリッジフィルター（製品名「ＴＣＰ−ＨＸ」、ＡＤＶＡＮＴＥＣ東洋社製）を用いて、吸着剤を濾別し、ジシクロペンタジエン開環重合体を含む溶液を得た。
この溶液の一部を用いて、ジシクロペンタジエン開環重合体の分子量を測定したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は２８，１００、数平均分子量（Ｍｎ）は８，７５０、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は３．２１であった。
To 200 parts of the solution containing the obtained dicyclopentadiene ring-opened polymer, 0.037 part of 1,2-ethanediol was added as a terminator and stirred at 60 ° C. for 1 hour to stop the polymerization reaction. Thereafter, 1 part of a hydrotalcite-like compound (product name “KYOWARD (registered trademark) 2000”, manufactured by Kyowa Chemical Industry Co., Ltd.) was added, heated to 60 ° C., and stirred for 1 hour. 0.4 parts of filter aid (product name “Radiolite (registered trademark) # 1500” manufactured by Showa Chemical Industry Co., Ltd.) is added, and PP pleated cartridge filter (product name “TCP-HX”, manufactured by ADVANTEC Toyo Co., Ltd.) is used. The adsorbent was filtered off to obtain a solution containing a dicyclopentadiene ring-opening polymer.
A part of this solution was used to measure the molecular weight of the dicyclopentadiene ring-opened polymer. The weight average molecular weight (Mw) was 28,100, the number average molecular weight (Mn) was 8,750, the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 3.21.
精製処理後の、ジシクロペンタジエン開環重合体を含む溶液２００部（重合体含有量３０部）に、シクロヘキサン１００部、クロロヒドリドカルボニルトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム０．００４３部を添加し、水素圧６ＭＰａ、１８０℃で４時間水素化反応を行なった。反応液は、固形分が析出したスラリー液であった。
反応液を遠心分離することにより、固形分と溶液とを分離し、固形分を、６０℃で２４時間減圧乾燥し、ジシクロペンタジエン開環重合体水素化物２８．５部を得た。
水素化反応における不飽和結合の水素化率は９９％以上、ガラス転移温度は９８℃、融点は２６２℃であった。
得られたジシクロペンタジエン開環重合体水素化物をシート状に成形加工し、誘電体成形体を作製した。
100 parts cyclohexane and 0.0043 parts chlorohydridocarbonyltris (triphenylphosphine) ruthenium are added to 200 parts solution (polymer content 30 parts) containing dicyclopentadiene ring-opening polymer after purification treatment, and hydrogen The hydrogenation reaction was carried out at 6 MPa and 180 ° C. for 4 hours. The reaction liquid was a slurry liquid in which a solid content was deposited.
The reaction solution was centrifuged to separate the solid and the solution, and the solid was dried under reduced pressure at 60 ° C. for 24 hours to obtain 28.5 parts of a dicyclopentadiene ring-opened polymer hydride.
The hydrogenation rate of unsaturated bonds in the hydrogenation reaction was 99% or more, the glass transition temperature was 98 ° C., and the melting point was 262 ° C.
The obtained dicyclopentadiene ring-opening polymer hydride was molded into a sheet to produce a dielectric molded body.
〔実施例１〕
誘電体との接続界面の表面粗さ（Ｒｚ）が０．５μｍ以下である厚み１８μｍの平滑銅箔（ＣＦ−Ｔ４Ｘ−ＳＶ、福田金属箔粉社製）２枚で、厚み０．５ｍｍの誘電体成形体を挟み、温度２８０℃、圧力３ＭＰａで真空プレスすることで、銅箔付き誘電体板を作製した。
次いで、銅箔付き誘電体板の片側の面をエッチング加工し、配線幅１．４ｍｍのマイクロストリップライン構造を有する信号伝送体（以下、「試料番号３」と表すことがある。）を作製した。
この信号伝送体の誘電体部の誘電率は２．４であり、配線幅１．４ｍｍ、誘電体厚み０．５ｍｍとすることでインピーダンスは約５０Ωとなる。なお、マイクロストリップラインの断面形状を示した図１において、１ａが導体部（配線）、２ａが誘電体部であり、配線幅はＷ１、誘電体厚みはｈ１である。
[Example 1]
Two smooth copper foils (CF-T4X-SV, manufactured by Fukuda Metal Foil Powder Co., Ltd.) having a thickness of 0.5 μm or less and having a surface roughness (Rz) of a connection interface with a dielectric, and a dielectric having a thickness of 0.5 mm. The body molded body was sandwiched and vacuum-pressed at a temperature of 280 ° C. and a pressure of 3 MPa to produce a dielectric plate with a copper foil.
Next, one surface of the dielectric plate with copper foil was etched to produce a signal transmission body (hereinafter sometimes referred to as “sample number 3”) having a microstrip line structure with a wiring width of 1.4 mm. .
The dielectric constant of the dielectric portion of this signal transmission body is 2.4, and the impedance is about 50Ω when the wiring width is 1.4 mm and the dielectric thickness is 0.5 mm. In FIG. 1 showing the cross-sectional shape of the microstrip line, 1a is a conductor portion (wiring), 2a is a dielectric portion, the wiring width is W 1 , and the dielectric thickness is h 1 .
得られた信号伝送体について、９ＧＨｚの高周波信号に対する伝送損失を測定した。結果を第１表及び図２に示す。
信号伝送体全体の伝送損失は−４０℃から８０℃の間で変化が小さく、最大値と最小値の差は０．００１０ｄＢ／ｃｍ／℃以下であった。
About the obtained signal transmission body, the transmission loss with respect to the high frequency signal of 9 GHz was measured. The results are shown in Table 1 and FIG.
The transmission loss of the entire signal transmission body showed little change between −40 ° C. and 80 ° C., and the difference between the maximum value and the minimum value was 0.0010 dB / cm / ° C. or less.
図３に、導体部（平滑銅箔）の抵抗率と温度との関係を示す。図３から分かるように、温度が上昇するにつれて導体部の抵抗率は上昇する。
導体部の抵抗が増加すると伝送損失は増加する。導体部の抵抗率から算出した導体部の伝送損失と温度との関係を図４に示す。図４から分かるように、温度上昇に伴い導体部の伝送損失は増加する。その傾き（−４０℃から８０℃の範囲における１℃あたりの伝送損失の変化量は、０．００００３４ｄＢ／ｃｍ／℃である。
In FIG. 3, the relationship between the resistivity of a conductor part (smooth copper foil) and temperature is shown. As can be seen from FIG. 3, the resistivity of the conductor portion increases as the temperature increases.
As the resistance of the conductor increases, the transmission loss increases. FIG. 4 shows the relationship between the transmission loss of the conductor calculated from the resistivity of the conductor and the temperature. As can be seen from FIG. 4, the transmission loss of the conductor portion increases as the temperature rises. The gradient (the amount of change in transmission loss per 1 ° C. in the range of −40 ° C. to 80 ° C. is 0.000034 dB / cm / ° C.
図５に、誘電体部を構成する樹脂であるジシクロペンタジエン開環重合体水素化物の誘電損失（ｔａｎδ）と温度との関係を示す。図５から分かるように、温度が上昇するにつれて誘電体部の誘電損失は低下する。
誘電体部の誘電損失が低下すると伝送損失は低下する。誘電体部の伝送損失と温度との関係を図６に示す。図６から分かるように、温度上昇に伴い誘電体部の伝送損失は低下する。
このように、通常、金属等の導電体は温度上昇に伴い抵抗率が増大し、伝送損失が増大するため、温度上昇に伴い誘電損失が低下する特性を有する樹脂を用いて誘電体部を形成することにより、温度変化に対して伝送損失の変動が小さい信号伝送体を得ることができる。
FIG. 5 shows the relationship between the dielectric loss (tan δ) of dicyclopentadiene ring-opened polymer hydride, which is a resin constituting the dielectric portion, and the temperature. As can be seen from FIG. 5, the dielectric loss of the dielectric portion decreases as the temperature increases.
When the dielectric loss of the dielectric portion decreases, the transmission loss decreases. FIG. 6 shows the relationship between the transmission loss of the dielectric part and the temperature. As can be seen from FIG. 6, the transmission loss of the dielectric portion decreases as the temperature rises.
As described above, since the resistivity of a conductor such as a metal usually increases as the temperature rises and the transmission loss increases, the dielectric portion is formed using a resin having a characteristic that the dielectric loss decreases as the temperature rises. By doing so, it is possible to obtain a signal transmission body in which fluctuations in transmission loss are small with respect to temperature changes.
〔実施例２〜５〕
実施例１で得られた信号伝送体（試料番号３）は、配線幅が１．４ｍｍ、誘電体厚みが０．５ｍｍのマイクロストリップライン構造を有するものである。
本発明の信号伝送体においては、配線幅や誘電体厚みを変更すると伝送損失がそれぞれ変化する。配線幅と誘電体厚みはインピーダンスにより決まる為、配線幅と誘電体厚みを自由に組み合わせることはできないが、配線幅の値を大きくし、誘電体厚みの値を大きくすると伝送損失における誘電体損失の影響が大きくなる。逆に配線幅の値を小さくし、誘電体厚みの値を小さくすると伝送損失における導体損失の影響が大きくなる。
このことを示すために、実施例１の信号伝送体から、配線幅と誘電体厚みを変化させた信号伝送体（試料番号１、２、４、５）の例を実施例２から５に示す。
なお、本実施例においてはインピーダンスを５０Ωとしたが、信号伝送体を電子機器に用いる場合は７５Ωや１００Ωといった値を採用する場合もあり、本発明は５０Ωに限定されるものではない。
実施例２〜５の結果を、第１表及び図７に示す。
[Examples 2 to 5]
The signal transmission body (sample number 3) obtained in Example 1 has a microstrip line structure with a wiring width of 1.4 mm and a dielectric thickness of 0.5 mm.
In the signal transmission body of the present invention, transmission loss changes when the wiring width and dielectric thickness are changed. Since the wiring width and dielectric thickness are determined by impedance, the wiring width and dielectric thickness cannot be freely combined. However, if the wiring width value is increased and the dielectric thickness value is increased, the dielectric loss in the transmission loss The impact will increase. Conversely, if the wiring width value is reduced and the dielectric thickness value is reduced, the influence of the conductor loss on the transmission loss increases.
In order to show this, Examples 2 to 5 show examples of signal transmission bodies (sample numbers 1, 2, 4, and 5) in which the wiring width and the dielectric thickness are changed from the signal transmission body of Example 1. .
In the present embodiment, the impedance is set to 50Ω. However, when the signal transmission body is used for an electronic device, values such as 75Ω or 100Ω may be adopted, and the present invention is not limited to 50Ω.
The results of Examples 2 to 5 are shown in Table 1 and FIG.
このように、配線幅および誘電体厚みを調整することで温度変化に対する伝送損失の変動が小さい信号伝送体を得ることができる。 In this way, a signal transmission body with a small variation in transmission loss with respect to temperature change can be obtained by adjusting the wiring width and the dielectric thickness.
〔実施例６〜１０〕
実施例１において、誘電体との接続界面の表面粗さ（Ｒｚ）が１．０μｍから２．０μｍである厚み１８μｍの低粗化銅箔（３ＥＣ−ＶＬＰ、三井金属鉱業社製）を使用したこと、及び第２表に記載の配線幅及び誘電体厚みにしたことを除き、実施例１と同様にして信号伝送体（試料番号６〜１０）を作製し、各種測定を行った。なお、実施例６〜１０ではインピーダンスを５０Ωに調整した信号伝送体とした。
実施例６〜１０の結果を、第２表及び図９に示す。
[Examples 6 to 10]
In Example 1, a low-roughened copper foil (3EC-VLP, manufactured by Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd.) having a thickness of 18 μm and a surface roughness (Rz) of a connection interface with a dielectric of 1.0 μm to 2.0 μm was used. A signal transmission body (sample numbers 6 to 10) was produced in the same manner as in Example 1 except that the wiring width and dielectric thickness described in Table 2 were used, and various measurements were performed. In Examples 6 to 10, a signal transmission body with an impedance adjusted to 50Ω was used.
The results of Examples 6 to 10 are shown in Table 2 and FIG.
銅箔の表面粗さの影響により、伝送損失の値は実施例１〜５とは異なるが、実施例６〜１０の信号伝送体においても、温度変化に対する伝送損失の変動が小さい。 Although the value of the transmission loss is different from that of Examples 1 to 5 due to the influence of the surface roughness of the copper foil, the fluctuation of the transmission loss with respect to the temperature change is small also in the signal transmission bodies of Examples 6 to 10.
〔実施例１１〜１４〕
実施例１において、誘電体との接続界面の表面粗さ（Ｒｚ）が３．０μｍ以上である厚み１８μｍの粗化銅箔（ＧＴＳ−ＭＰ、古河電気工業製）を使用したこと、及び第３表に記載の配線幅及び誘電体厚みにしたことを除き、実施例１と同様にして信号伝送体を作製し、各種測定を行った。なお、実施例１１〜１４ではインピーダンスを５０Ωに調整した信号伝送体とした。
実施例１１〜１４の結果を、第３表及び図１１に示す。
[Examples 11 to 14]
In Example 1, a roughened copper foil (GTS-MP, manufactured by Furukawa Electric Co., Ltd.) having a thickness of 18 μm and having a surface roughness (Rz) of a connection interface with a dielectric of 3.0 μm or more was used. A signal transmission body was produced in the same manner as in Example 1 except that the wiring width and dielectric thickness described in the table were used, and various measurements were performed. In Examples 11 to 14, a signal transmission body having an impedance adjusted to 50Ω was used.
The results of Examples 11 to 14 are shown in Table 3 and FIG.
銅箔の表面粗さの影響により、伝送損失の値は実施例１〜５とは異なるが、実施例１１〜１４の信号伝送体においても、温度変化に対する伝送損失の変動が小さい。 Although the value of transmission loss is different from that of Examples 1 to 5 due to the influence of the surface roughness of the copper foil, the fluctuation of transmission loss with respect to temperature change is also small in the signal transmission bodies of Examples 11 to 14.
〔実施例１５〕
誘電体との接続界面の表面粗さ（Ｒｚ）が０．５μｍ以下である厚み１８μｍの平滑銅箔（ＣＦ−Ｔ４Ｘ−ＳＶ、福田金属箔粉社製）３枚を用意し、この中の２枚で、厚み０．８ｍｍの誘電体成形体を挟み、温度２８０℃、圧力３ＭＰａで真空プレスすることで、両面銅箔付き誘電体板を作製した。また、残りの１枚の平滑銅箔と厚み０．８ｍｍの誘電体成形体を重ね、温度２８０℃、圧力３ＭＰａで真空プレスすることで、片面銅箔付き誘電体板を作製した。
両面銅箔付き誘電体板の片面をエッチング加工し、配線幅１．２ｍｍの伝送路を形成した。得られた伝送路面に、片面銅箔付き誘電体板を重ね、温度２８０℃、圧力３ＭＰａで真空プレスすることでこれらを貼り合わせ、ストリップライン構造を有する信号伝送体（以下、「試料番号１５」と表すことがある。）を作製した。
なお、ストリップラインの断面形状を示した図１２において、１ｂが導体部（配線）、２ｂが誘電体部であり、配線幅はＷ２、誘電体厚みはｈ２である。
Example 15
Three smooth copper foils (CF-T4X-SV, manufactured by Fukuda Metal Foil Powder Co., Ltd.) having a thickness of 18 μm and a surface roughness (Rz) of the connection interface with the dielectric of 0.5 μm or less are prepared. A dielectric plate with a double-sided copper foil was prepared by sandwiching a 0.8 mm thick dielectric molded body between the two sheets and vacuum pressing at a temperature of 280 ° C. and a pressure of 3 MPa. Moreover, the dielectric sheet | seat with a single-sided copper foil was produced by stacking the remaining 1 smooth copper foil and the 0.8-mm-thick dielectric molded object, and vacuum-pressing at a temperature of 280 degreeC and a pressure of 3 MPa.
One side of the dielectric plate with double-sided copper foil was etched to form a transmission line with a wiring width of 1.2 mm. A dielectric plate with a single-sided copper foil is superimposed on the obtained transmission line surface, and these are bonded together by vacuum pressing at a temperature of 280 ° C. and a pressure of 3 MPa, and a signal transmission body having a stripline structure (hereinafter referred to as “sample number 15”). It was sometimes expressed as :).
In FIG. 12 showing the cross-sectional shape of the stripline, 1b is a conductor portion (wiring), 2b is a dielectric portion, the wiring width is W 2 , and the dielectric thickness is h 2 .
得られた信号伝送体について、９ＧＨｚの高周波信号に対する伝送損失を測定した。結果を第４表及び図１３に示す。 About the obtained signal transmission body, the transmission loss with respect to the high frequency signal of 9 GHz was measured. The results are shown in Table 4 and FIG.
〔実施例１６〜１８〕
実施例１５の信号伝送体から、配線幅と誘電体厚みを変化させた信号伝送体の例を実施例１６〜１８に示す。
実施例１６〜１８の結果を、第４表及び図１３に示す。
[Examples 16 to 18]
Examples of the signal transmission body in which the wiring width and the dielectric thickness are changed from the signal transmission body of Example 15 are shown in Examples 16 to 18.
The results of Examples 16 to 18 are shown in Table 4 and FIG.
〔実施例１９〜２２〕
実施例１５において、誘電体との接続界面の表面粗さ（Ｒｚ）が１．０μｍから２．０μｍである厚み１８μｍの低粗化銅箔（３ＥＣ−ＶＬＰ、三井金属鉱業製）を使用したこと、及び第５表に記載の配線幅及び誘電体厚みにしたことを除き、実施例１５と同様にして信号伝送体を作製し、各種測定を行った。
実施例１９〜２２の結果を、第５表及び図１４に示す。
[Examples 19 to 22]
In Example 15, a low-roughened copper foil (3EC-VLP, manufactured by Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd.) having a thickness of 18 μm and a surface roughness (Rz) of a connection interface with a dielectric of 1.0 μm to 2.0 μm was used. A signal transmission body was prepared in the same manner as in Example 15 except that the wiring width and dielectric thickness described in Table 5 were used, and various measurements were performed.
The results of Examples 19 to 22 are shown in Table 5 and FIG.
〔実施例２３〜２６〕
実施例１５において、誘電体との接続界面の表面粗さ（Ｒｚ）が３．０μｍ以上である厚み１８μｍの粗化銅箔（ＧＴＳ−ＭＰ、古河電気工業製）を使用したこと、及び第６表に記載の配線幅及び誘電体厚みにしたことを除き、実施例１５と同様にして信号伝送体を作製し、各種測定を行った。
実施例２３〜２６の結果を、第６表及び図１５に示す。
[Examples 23 to 26]
In Example 15, a roughened copper foil (GTS-MP, manufactured by Furukawa Electric Co., Ltd.) having a thickness of 18 μm and having a surface roughness (Rz) of the connection interface with the dielectric of 3.0 μm or more was used. A signal transmission body was produced in the same manner as in Example 15 except that the wiring width and dielectric thickness described in the table were used, and various measurements were performed.
The results of Examples 23 to 26 are shown in Table 6 and FIG.
〔参考例１〕
誘電体として液晶ポリマーを使用する場合を想定し、液晶ポリマー（Ｒ−Ｆ７０５Ｔ、パナソニック社製）の誘電損失を測定した。その結果を図１６に示す。
実施例で用いたジシクロペンタジエン開環重合体水素化物と異なり、温度が上昇するにつれて液晶ポリマーの誘電損失が増加している。
したがって、この液晶ポリマーを誘電体として用いて信号伝送体を製造すると、導体部と同様の温度特性を示すことから、温度変化に対する伝送損失の変動が極めて大きくなることが予想される。
[Reference Example 1]
Assuming the case where a liquid crystal polymer is used as the dielectric, the dielectric loss of the liquid crystal polymer (R-F705T, manufactured by Panasonic Corporation) was measured. The result is shown in FIG.
Unlike the dicyclopentadiene ring-opening polymer hydride used in the examples, the dielectric loss of the liquid crystal polymer increases as the temperature increases.
Therefore, when a signal transmission body is manufactured using this liquid crystal polymer as a dielectric, the temperature characteristic is the same as that of the conductor portion, so that it is expected that the fluctuation of the transmission loss with respect to the temperature change becomes extremely large.
１ａ、１ｂ：導体部（配線）
２ａ、２ｂ：誘電体部
1a, 1b: Conductor part (wiring)
2a, 2b: Dielectric part
Claims (9)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016128152A JP6720730B2 (en) | 2016-06-28 | 2016-06-28 | Signal transmitter and electronic device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016128152A JP6720730B2 (en) | 2016-06-28 | 2016-06-28 | Signal transmitter and electronic device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2018006878A true JP2018006878A (en) | 2018-01-11 |
| JP6720730B2 JP6720730B2 (en) | 2020-07-08 |
Family
ID=60949939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016128152A Active JP6720730B2 (en) | 2016-06-28 | 2016-06-28 | Signal transmitter and electronic device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6720730B2 (en) |
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|---|---|
| JP6720730B2 (en) | 2020-07-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190416 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200220 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200601 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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