JP2017530673A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 少なくとも第１及び第２極性補正回路を有する電力不平衡緩和極性補正回路であって、前記第１及び第２極性補正回路が、各々、
   入力電流を受け取るための入力部と、
   整流出力電流を供給するための出力部と、
   少なくとも、受け取った前記電流が第１極性のものであるときに前記受け取った電流を伝導するための第１電流路、及び前記受け取った電流が第２極性のものであるときに前記受け取った電流を伝導するための第２電流路とを有し、
   前記第１電流路が、第１タイプの非対称伝導素子として受動整流素子を有し、前記第２電流路が、前記第１タイプとは異なる第２タイプの非対称伝導素子として能動整流素子を有し、前記電力不平衡緩和極性補正回路が、制御装置を更に有し、前記制御装置が、前記第１極性補正回路によって受け取った電流が前記第１極性補正回路の前記第１電流路を通じて伝導され、且つ前記第２極性補正回路によって受け取った電流が前記第２極性補正回路の前記第２電流路を通じて伝導されるときに、前記制御装置が前記第１極性補正回路と前記第２極性補正回路との間の電力の不平衡を緩和するための電力不平衡緩和条件を決定するときに、前記能動整流素子を電力不平衡緩和モードで動作するよう制御するよう構成される電力不平衡緩和極性補正回路。
2. 前記第１タイプの非対称伝導素子が、ダイオードであり、前記第２タイプの非対称伝導素子が、ＭＯＳＦＥＴであり、前記電力不平衡緩和モードにおいては、前記制御装置が、電流が前記第２極性補正回路の前記第２電流路の前記ＭＯＳＦＥＴのボディダイオードを流れるように、前記ＭＯＳＦＥＴを制御する請求項１に記載の電力不平衡緩和極性補正回路。
3. 前記制御装置が、更に、電力不平衡レベルを決定するよう構成されると共に、決定した前記電力不平衡レベルが所定のしきい値を上回るときに、前記ＭＯＳＦＥＴを前記電力不平衡緩和モードで制御するよう構成される請求項２に記載の電力不平衡緩和極性補正回路。
4. 前記制御装置が、更に、前記出力部を通じて引き込まれた電流レベルを決定するよう構成されると共に、決定した前記電流レベルが所定のしきい値を上回るときに、前記ＭＯＳＦＥＴを前記電力不平衡緩和モードで制御するよう構成される請求項２に記載の電力不平衡緩和極性補正回路。
5. 前記制御装置が、更に、前記ＭＯＳＦＥＴのチャネル抵抗を制御するよう構成される請求項２に記載の電力不平衡緩和極性補正回路。
6. 請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電力不平衡緩和極性補正回路を有するパワー・オーバー・イーサネット（登録商標）対応受電デバイス。
7. 請求項６に記載の受電デバイスを有し、給電機器を更に有するパワー・オーバー・イーサネット（登録商標）配電システムであって、前記給電機器が、所定の極性配置に従って、ポートを通して、電流を供給するよう構成されるパワー・オーバー・イーサネット（登録商標）配電システム。
8. 請求項１に記載の電力不平衡緩和極性補正回路における制御装置によって実施される方法であって、前記方法が、
   前記第１極性補正回路の入力部を通じて受け取った電流の極性を決定するステップと、
   前記第２極性補正回路の入力部を通じて受け取った電流の極性を決定するステップと、
   前記第１極性補正回路の前記入力部を通じて受け取った電流が第１極性のものであり、且つ前記第２極性補正回路の前記入力部を通じて受け取った電流が第２極性のものであるときに、前記第２極性補正回路の能動整流素子を電力不平衡緩和モードで動作するよう制御するステップとを有する方法。
9. プロセッサ、メモリ、及び少なくとも第１及び第２極性補正回路とインターフェースするよう構成されるインターフェースを有する電力不平衡緩和極性補正回路制御装置であって、前記第１及び第２極性補正回路が、各々、
   入力電流を受け取るための入力部と、
   整流出力電流を供給するための出力部と、
   少なくとも、受け取った前記電流が第１極性のものであるときに前記受け取った電流を伝導するための第１電流路、及び前記受け取った電流が第２極性のものであるときに前記受け取った電流を伝導するための第２電流路とを有し、
   前記電力不平衡緩和極性補正回路制御装置が、前記第１極性補正回路によって受け取った電流が前記第１極性補正回路の前記第１電流路を通じて伝導され、且つ前記第２極性補正回路によって受け取った電流が前記第２極性補正回路の前記第２電流路を通じて伝導される場合に、前記第１極性補正回路と前記第２極性補正回路との間の電力の不平衡を緩和するための電力不平衡緩和条件を決定するよう構成される電力不平衡緩和極性補正回路制御装置。