JP2017515000A - Shielding device for rotating cathode assembly and method for shielding dark part in deposition equipment - Google Patents

Shielding device for rotating cathode assembly and method for shielding dark part in deposition equipment Download PDF

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Abstract

本開示によると、基板上に材料をスパッタリングするための回転ターゲット(10)を有する回転カソード用のシールド装置(20)、及び堆積機器内の暗部領域をシールドする方法が提供される。シールド装置(20)は、回転ターゲット(10)の一部をカバーするように構成されたシールド(21)、及びシールド(21)を回転ターゲット(10)に接続するための固定具(80)を含む。固定具(80)は、シールド(21)が回転ターゲットの軸方向に、基本的に回転ターゲット(10)の中心から離れて膨張することができるようにしてシールドと係合するように、構成される。【選択図】図1According to the present disclosure, a shield device (20) for a rotating cathode having a rotating target (10) for sputtering material onto a substrate and a method for shielding dark areas in a deposition apparatus are provided. The shield device (20) includes a shield (21) configured to cover a part of the rotating target (10), and a fixture (80) for connecting the shield (21) to the rotating target (10). Including. The fixture (80) is configured to engage the shield such that the shield (21) can expand in the axial direction of the rotary target, essentially away from the center of the rotary target (10). The [Selection] Figure 1

Description

本開示は、回転カソードをシールドする装置に関し、具体的には、シールド及び、該シールドを回転カソードに接続するための固定具を有するシールド装置、並びに堆積機器中の暗部領域をシールドする方法に関する。   The present disclosure relates to an apparatus for shielding a rotating cathode, and in particular, to a shielding apparatus having a shield and a fixture for connecting the shield to the rotating cathode, and a method for shielding a dark area in a deposition apparatus.

多くの用途において、基板上に薄層を堆積することが望ましい。薄層を堆積するための既知の技法には、具体的には、蒸発、化学気相堆積、及びスパッタリング堆積がある。例えば、スパッタリングは、例えばアルミニウムといった金属、またはセラミックの薄層のような薄層を堆積するために使用され得る。スパッタリング処理の間、通常は不活性処理ガスのイオンを低圧でターゲットの表面に衝突させることにより、コーティングする材料のスパッタリング用ターゲットから、コーティング材料が移動される。イオンは、処理ガスの電子衝撃イオン化によって生成され、スパッタリングカソードとして機能するターゲットと、アノードとの間の電圧差によって加速される。ターゲットが受ける衝撃によって、コーティング材料の原子または分子が射出する結果となり、射出した原子または分子は、スパッタリングカソードに対向して、例えばスパッタリング用カソードの下方に、配列された基板上に堆積膜として蓄積される。   In many applications, it is desirable to deposit a thin layer on a substrate. Known techniques for depositing thin layers include evaporation, chemical vapor deposition, and sputtering deposition in particular. For example, sputtering can be used to deposit a thin layer, such as a thin layer of a metal, such as aluminum, or ceramic. During the sputtering process, the coating material is moved from the sputtering target of the material to be coated, typically by impinging ions of an inert process gas against the surface of the target at a low pressure. Ions are generated by electron impact ionization of the process gas and are accelerated by the voltage difference between the target that functions as the sputtering cathode and the anode. The impact on the target results in the ejection of atoms or molecules of the coating material, and the ejected atoms or molecules accumulate as a deposited film on the arrayed substrate opposite the sputtering cathode, for example, below the sputtering cathode. Is done.

通常、回転カソードは、スパッタリング設備のカソード駆動ユニットによって支持されている。カソードの形状寸法及び設計により、回転ターゲットは、通常、平面ターゲットよりも活用度が高く、動作時間が長い。したがって、回転ターゲットの使用は通常、耐用年数を延長させ、コストを低減する。スパッタリングの間、カソード駆動ユニットは、回転カソードに回転自在に動きを伝達する。例えば最大約4mの回転カソードの長手方向への延伸と、数日間というスパッタリング設備の通常の連続動作時間とを踏まえると、カソード駆動ユニットの軸受部は、通常、長期間にわたって大きな機械的負荷を確実に支持することが望ましい。   Usually, the rotating cathode is supported by the cathode drive unit of the sputtering facility. Depending on the geometry and design of the cathode, the rotating target is usually more utilized and has a longer operating time than the planar target. Thus, the use of a rotating target typically extends the useful life and reduces costs. During sputtering, the cathode drive unit transmits movement to the rotating cathode in a rotatable manner. For example, considering the lengthwise extension of a rotating cathode of up to about 4 m and the normal continuous operating time of a sputtering equipment of several days, the bearing of the cathode drive unit usually ensures a large mechanical load over a long period of time. It is desirable to support.

ガス放電及びその結果生じるイオン衝撃からカソード本体を保護するため、カソードの駆動端及び自由端の両方に、暗室シールドが設けられてよい。カソード本体の駆動端周囲のシールドは、処理ガスの放電が該駆動端に接触することを防止すべきである。暗室シールドは、チャンバ壁または駆動ユニットに取り付けられていてよく、取付面からは電気的に絶縁されていてよい。   To protect the cathode body from gas discharge and the resulting ion bombardment, darkroom shields may be provided at both the drive and free ends of the cathode. The shield around the drive end of the cathode body should prevent the process gas discharge from coming into contact with the drive end. The darkroom shield may be attached to the chamber wall or drive unit and may be electrically isolated from the attachment surface.

ターゲットの端面からスパッタリングされた材料は、不均一な堆積に寄与し得る。均一な堆積を促進するため、暗部シールド(単数または複数)をターゲットの端面付近に配置することがしばしば好まれる。暗部シールドは、ターゲット端面をプラズマからシールドすることによって、ターゲット端面のスパッタリングを減少させる。   The material sputtered from the end face of the target can contribute to non-uniform deposition. It is often preferred to place the dark shield (s) near the end face of the target to promote uniform deposition. The dark part shield reduces sputtering of the target end face by shielding the target end face from the plasma.

スパッタリングの間、暗室シールドの表面の基板に面しているエリアで、堆積材料の膜が暗室シールドの表面上に成長する。最終的に、形成された膜は、通例、膜がより厚いエリアにおいて、破断して小片または断片になり始める。結果として生じた材料の断片が基板上に落下した場合、基板上で断片が落下したエリアでは、該断片が堆積を妨害し、欠陥品が生じる。したがって、こうした暗室シールドは頻繁に交換されなければならず、それによってスパッタリングユニットの維持コストは増大する。   During sputtering, a film of deposited material grows on the surface of the darkroom shield in the area facing the substrate on the surface of the darkroom shield. Eventually, the formed film typically begins to break into pieces or pieces in areas where the film is thicker. If the resulting piece of material falls on the substrate, the piece interferes with deposition in the area where the piece fell on the substrate, resulting in a defective product. Therefore, these darkroom shields must be replaced frequently, thereby increasing the maintenance cost of the sputtering unit.

さらに、熱サイクルの反復の間、暗室または暗部のシールド(単数または複数)は、しばしば熱膨張を起こす。したがって、暗室または暗部のシールド(単数または複数)は、しばしば、暗部シールドと堆積機器の他の特徴部との間に間隙または空間を設けることによって、長手方向及び横方向の熱膨張を許容できるように配設されている。   Furthermore, during repeated thermal cycles, the darkroom or darkroom shield (s) often undergo thermal expansion. Thus, the darkroom or darkroom shield (s) often allows for longitudinal and lateral thermal expansion by providing a gap or space between the darkroom shield and other features of the deposition equipment. It is arranged.

熱膨張の間の該暗部シールドの大きさの変化によって、望ましくない位置に間隙または空間が形成され得、それによって例えば、材料をターゲットから基板上にスパッタリングするためにターゲット上で利用可能な空間が減少し得る。   Changes in the size of the dark space shield during thermal expansion can create gaps or spaces at undesired locations, such as, for example, the space available on the target for sputtering material from the target onto the substrate. May decrease.

したがって、堆積機器の暗部をシールドするための、改良された装置及び方法の必要性が、引き続き存在している。   Accordingly, there continues to be a need for improved apparatus and methods for shielding dark areas of deposition equipment.

上記の観点から、一態様による、基板上に材料をスパッタリングするための回転ターゲットを有する、回転カソード用のシールド装置が提供される。装置には、回転ターゲットの一部をカバーするように構成されたシールド、及び該シールドを回転ターゲットに接続するための固定具が含まれる。固定具は、シールドが回転ターゲットの軸方向に、基本的に回転ターゲットの中心から離れて膨張することができるようにしてシールドと係合するように、構成される。   In view of the above, according to one aspect, a shielding device for a rotating cathode is provided having a rotating target for sputtering material onto a substrate. The apparatus includes a shield configured to cover a portion of the rotating target and a fixture for connecting the shield to the rotating target. The fixture is configured to engage the shield such that the shield can expand in the axial direction of the rotating target, essentially away from the center of the rotating target.

さらに、別の態様による、基板上に材料をスパッタリングするための回転ターゲットを有する、回転カソード用のシールド装置が提供される。装置には、回転ターゲットの一部をカバーするように構成されたシールド、及び該シールドを回転ターゲットに接続するための固定具が含まれる。固定具は、シールドが基本的に回転ターゲットの中心から離れて、回転ターゲットの軸方向に膨張することができるようにしてシールドを吊り下げるように、構成される。   In addition, according to another aspect, a shielding device for a rotating cathode is provided having a rotating target for sputtering material onto a substrate. The apparatus includes a shield configured to cover a portion of the rotating target and a fixture for connecting the shield to the rotating target. The fixture is configured to suspend the shield such that the shield is essentially away from the center of the rotating target and can expand in the axial direction of the rotating target.

さらに、堆積機器の動作中、堆積機器内の暗部領域をシールドする方法が提供される。本方法は、堆積機器の暗部領域をシールドするため、回転ターゲットの一部をカバーするシールドを形成する、複数のパートを組み立てて、シールドを堆積機器の回転ターゲットに接続するための固定具を提供する。シールドは、堆積機器の動作中、シールドが回転ターゲットの軸方向に、基本的に回転ターゲットの中心から離れて膨張するようにして回転ターゲットと係合するように、組み立てられる。   In addition, a method is provided for shielding dark areas in the deposition apparatus during operation of the deposition apparatus. The method provides a fixture for assembling multiple parts to connect the shield to the rotating target of the deposition equipment, forming a shield that covers a portion of the rotating target to shield the dark area of the deposition equipment. To do. The shield is assembled so that during operation of the deposition equipment, the shield engages the rotating target such that it expands in the axial direction of the rotating target, essentially away from the center of the rotating target.

さらに、堆積機器の動作中、堆積機器内の暗部領域をシールドする方法が提供される。本方法は、堆積機器の暗部領域をシールドするため、回転ターゲットの一部をカバーするシールドを形成する、複数のパートを組み立てて、シールドを堆積機器の回転ターゲットに接続するための固定具を提供する。シールドは、堆積機器の動作中、シールドが回転ターゲットの軸方向に、基本的に回転ターゲットの中心から離れて膨張するようにして回転ターゲットから吊り下げられるように、組み立てられる。   In addition, a method is provided for shielding dark areas in the deposition apparatus during operation of the deposition apparatus. The method provides a fixture for assembling multiple parts to connect the shield to the rotating target of the deposition equipment, forming a shield that covers a portion of the rotating target to shield the dark area of the deposition equipment. To do. The shield is assembled such that during operation of the deposition equipment, the shield is suspended from the rotating target in such a way that it expands in the axial direction of the rotating target, essentially away from the center of the rotating target.

本開示の更なる態様、利点、及び特徴は、従属請求項、明細書、及び添付の図面から明らかである。   Further aspects, advantages and features of the disclosure will be apparent from the dependent claims, the specification and the attached drawings.

上記の実施形態のうちのいくつかは、以下の図面を参照し、下記の典型的実施形態の記載の中でより詳細に記載されるであろう。   Some of the above embodiments will be described in more detail in the following description of exemplary embodiments with reference to the following drawings.

実施形態による、材料を基板上にスパッタリングする堆積機器の、シールド装置、回転ターゲット及びカソード駆動部の概略側面図である。2 is a schematic side view of a shield device, a rotating target, and a cathode drive of a deposition apparatus that sputters material onto a substrate, according to an embodiment. FIG. 実施形態による、図1の部分Aの拡大図である。FIG. 2 is an enlarged view of portion A of FIG. 1 according to an embodiment. 実施形態による、シールド装置のシールドの概略分解図である。It is a schematic exploded view of the shield of the shield apparatus according to the embodiment. 実施形態による、暗部シールドを回転ターゲットに接続するためのシールド装置の一部の概略図である。FIG. 3 is a schematic view of a portion of a shield device for connecting a dark space shield to a rotating target, according to an embodiment. 実施形態による、暗部シールドを回転ターゲットに接続するためのシールド装置のさらなる一部の概略図である。FIG. 6 is a schematic diagram of a further portion of a shield device for connecting a dark space shield to a rotating target, according to an embodiment. 実施形態による、暗室シールドの概略上面図である。FIG. 6 is a schematic top view of a darkroom shield according to an embodiment. 実施形態による、シールドのパートの概略3次元図である。FIG. 3 is a schematic three-dimensional view of a part of a shield, according to an embodiment. 実施形態による、スパッタリング設備の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the sputtering equipment by embodiment. 実施形態による、スパッタリング設備の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the sputtering equipment by embodiment.

次に、各図に1または複数の例が示されている、様々な実施形態を細部にわたり参照する。各例は、説明として提示されており、限定を意味するものではない。例えば、一実施形態の一部として図示もしくは説明された特徴を用いて、または他の実施形態と組み合わせて、さらに別の実施形態を得ることができる。本開示は、このような修正または変形を含むことが意図されている。   Reference will now be made in detail to various embodiments, one or more examples of which are illustrated in each figure. Each example is presented as an illustration and is not meant to be limiting. For example, further embodiments may be obtained using features illustrated or described as part of one embodiment, or in combination with other embodiments. The present disclosure is intended to include such modifications or variations.

本開示の実施形態は、薄膜及びコーティングの堆積で使用される設備、プロセス、及び材料を伴うナノマニュファクチャリング技術ソリューションに関する。代表例としては、限定するものではないが、半導体及び誘電体材料及び装置、シリコンベースのウエハ、フラットパネルディスプレイ(TFTなど)、マスク及びフィルタ、エネルギー変換及び貯蔵(太陽電池、燃料電池、及びバッテリなど)、ソリッドステート照明(LEDなど)、磁気及び光記憶装置、微小電気機械システム(MEMS)及びナノ電気機械システム(NEMS)、微小光及び光電子装置、建築用及び自動車用ガラス、金属箔及びポリマー箔並びにパッケージングのためのメタライゼーションシステム、並びに、マイクロ及びナノモールディング、に関係する応用形態が含まれる。   Embodiments of the present disclosure relate to nano-manufacturing technology solutions with equipment, processes, and materials used in thin film and coating deposition. Representative examples include, but are not limited to, semiconductor and dielectric materials and devices, silicon-based wafers, flat panel displays (such as TFTs), masks and filters, energy conversion and storage (solar cells, fuel cells, and batteries). Solid state lighting (such as LEDs), magnetic and optical storage devices, microelectromechanical systems (MEMS) and nanoelectromechanical systems (NEMS), microoptical and optoelectronic devices, architectural and automotive glass, metal foils and polymers Applications involving foils and metallization systems for packaging, as well as micro and nano moldings are included.

スパッタリングは、エネルギー粒子によってターゲットが衝撃を受けたために、固体のターゲット材料から原子が射出されるプロセスである。スクレーピングの際、材料で基板をコーティングするプロセスは、通常、薄膜を付けることを指す。用語「コーティング」及び用語「堆積」は、本明細書において交換可能に用いられる。用語「スパッタリング設備」及び用語「堆積機器」は、本明細書において交換可能に用いられ、通常は薄膜の基板上への堆積であるターゲット材料の堆積に、スパッタリングを使用する機器を指す。   Sputtering is a process in which atoms are ejected from a solid target material because the target is impacted by energetic particles. During scraping, the process of coating a substrate with a material usually refers to applying a thin film. The terms “coating” and “deposition” are used interchangeably herein. The terms “sputtering equipment” and “deposition equipment” are used interchangeably herein and refer to equipment that uses sputtering to deposit a target material, usually deposition of a thin film on a substrate.

典型的なターゲット材料は、限定しないが、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)や金(Au)といった純金属、アルミニウム−ニオブ(Al−Nb)合金やアルミニウム−ニッケル(Al−Ni)合金といった合金、シリコン(Si)といった半導体材料、並びに、窒化物、炭化物、チタン酸塩、ケイ酸塩、アルミン酸塩、及び、例えばZnO:Alなどの不純物ドープ酸化亜鉛ZnO、AlZnO、In、SnOやCdO、さらにはスズドープ酸化インジウムIn(ITO)やフッ素ドープ二酸化ケイ素SnOといった、透明導電性酸化物(TCO)などの酸化物、といった誘電体材料、を含む。酸化物、窒化物、酸窒化物などもまた、ターゲット材料が処理ガス内の反応ガスと反応する、反応スパッタリングによって堆積することができる。 Typical target materials include, but are not limited to, aluminum (Al), copper (Cu), pure metals such as silver (Ag) and gold (Au), aluminum-niobium (Al-Nb) alloys, and aluminum-nickel (Al--). Ni) alloys, semiconductor materials such as silicon (Si), and nitrides, carbides, titanates, silicates, aluminates, and impurity doped zinc oxides such as ZnO: Al, ZnO, AlZnO, In 2 O 3 , SnO 2 , CdO, and dielectric materials such as oxides such as transparent conductive oxide (TCO), such as tin-doped indium oxide In 2 O 3 (ITO) and fluorine-doped silicon dioxide SnO 2 . Oxides, nitrides, oxynitrides, and the like can also be deposited by reactive sputtering, where the target material reacts with a reactive gas in the process gas.

本明細書で用いられる用語「基板」は、例えば、ウエハまたはガラスプレートといった非フレキシブル基板、並びに、ウエブ及び箔といったフレキシブル基板の両方を指すものとする。   As used herein, the term “substrate” is intended to refer to both non-flexible substrates such as, for example, wafers or glass plates, and flexible substrates such as webs and foils.

用語「暗部シールド」は、本明細書においては、カソードの望まない部分へのスパッタリングを概して防ぐシールドを指すものとする。用語「暗部シールド」と「暗室シールド」は、本明細書において交換可能に用いられる。   The term “dark shield” is used herein to refer to a shield that generally prevents sputtering to unwanted portions of the cathode. The terms “dark part shield” and “dark room shield” are used interchangeably herein.

図1は、基板上に材料をスパッタリングする堆積機器の部分100を、回転ターゲット10によって規定される回転軸50に平行な方向に沿った典型的な断面で示す。部分100は、回転ターゲット10と、回転ターゲット10の少なくとも一部をカバーするために回転ターゲット10に接続されたシールド装置20とを回転する駆動ユニット30を含む。堆積機器の動作の間、回転ターゲットは回転軸50の周りを回転し得る。   FIG. 1 illustrates a portion 100 of a deposition apparatus that sputters material onto a substrate in a typical cross section along a direction parallel to a rotation axis 50 defined by a rotating target 10. The portion 100 includes a drive unit 30 that rotates the rotary target 10 and a shield device 20 connected to the rotary target 10 to cover at least a portion of the rotary target 10. During operation of the deposition equipment, the rotating target can rotate about the axis of rotation 50.

本明細書に記載の実施形態によると、シールド装置20のシールド21は、例えば回転ターゲット10の底端15といった、回転ターゲット10の部分をカバーし得る。回転ターゲット10の底端15は、回転ターゲット10の、駆動ユニット30に接続された端部として規定され得る。回転ターゲット10の中間部分16は、スパッタリング機器の動作中、基板上に材料を堆積させるために使用され得る。用語「中間部分」及び用語「非カバー部」は、本明細書において交換可能に用いられる。回転ターゲット10の頂端17は、例えば電界蓄積によって生じるガス放電を防ぐため、シールド装置(図示せず)によってカバーされていてよい。   According to the embodiments described herein, the shield 21 of the shield device 20 may cover a portion of the rotating target 10, such as the bottom end 15 of the rotating target 10. The bottom end 15 of the rotary target 10 can be defined as the end of the rotary target 10 connected to the drive unit 30. The intermediate portion 16 of the rotating target 10 can be used to deposit material on the substrate during operation of the sputtering equipment. The terms “intermediate part” and “non-cover part” are used interchangeably herein. The top end 17 of the rotating target 10 may be covered by a shield device (not shown) in order to prevent gas discharge caused by electric field accumulation, for example.

この点に関して、「頂」「底」「上の」「下の」「上方に」「下方に」「上に」などといった方向を示す用語は、回転軸50の方向に対して使用される。用語「軸方向」は、本明細書において使用される際、回転軸50に平行な方向を示すことが意図される。同様に、用語「半径方向」は、本明細書で使用される際、回転軸50と直交し、回転軸50から遠ざかる方向を示すことが意図される。同様に、用語「軸距離」は、本明細書において使用される際、回転軸50の方向における距離を示すことが意図される。用語「軸延伸」は、本明細書において使用される際、回転軸50の方向における延伸を示すことが意図される。   In this regard, terms indicating directions such as “top”, “bottom”, “upper”, “down”, “upward”, “downward”, “upward”, etc. are used with respect to the direction of the rotation axis 50. The term “axial direction”, as used herein, is intended to indicate a direction parallel to the axis of rotation 50. Similarly, the term “radial direction” as used herein is intended to indicate a direction perpendicular to and away from the rotational axis 50. Similarly, the term “axial distance”, as used herein, is intended to indicate a distance in the direction of the axis of rotation 50. The term “axial stretching”, as used herein, is intended to indicate stretching in the direction of the axis of rotation 50.

図2は、図1に示す、基板上に材料をスパッタリングする堆積機器の部分100の抜粋60を概略的に示す。具体的には、本明細書の実施形態によるシールド装置20は、回転ターゲット10の駆動端の周囲で組み立てられて示されている。   FIG. 2 schematically illustrates an excerpt 60 of the portion 100 of the deposition apparatus shown in FIG. 1 that sputters material onto the substrate. Specifically, the shield device 20 according to the embodiment of the present specification is shown assembled around the driving end of the rotary target 10.

シールド装置20のシールド21は、第1部分26及び第2部分27を含む。第1部分は、回転ターゲットの駆動部への取付点よりも上で、回転ターゲットの一部を回転ターゲットの軸方向にカバーしている、シールドの部分として示され得る。第2部分は、回転ターゲットの駆動部への取付点において、ターゲットの軸方向に、回転ターゲットの一部をカバーしている、シールドの部分として示され得、オプションで、第2部分は回転ターゲットの駆動部への取付点よりも下に軸方向に延伸し得る。   The shield 21 of the shield device 20 includes a first portion 26 and a second portion 27. The first part can be shown as the part of the shield that covers a part of the rotating target in the axial direction of the rotating target above the attachment point of the rotating target to the drive. The second part may be shown as the part of the shield that covers a part of the rotating target in the axial direction of the target at the attachment point to the drive of the rotating target, optionally the second part is the rotating target It can extend in the axial direction below the attachment point to the drive unit.

本明細書に示す実施形態によると、シールド21の第1部分26の直径は、シールド21の第2部分27の直径よりも小さくてよい。シールド21の第1部分26の直径は、回転ターゲット10の直径と基本的に同じであってよい。本明細書に示す実施形態によると、ターゲット10の直径は、回転ターゲット10の、シールド装置20のシールド21の直ぐ上の部分の直径として規定され得る。回転ターゲット10の、シールド21の直ぐ上の回転軸50に平行な軸方向の部分は、堆積機器の動作の間、基板上に材料を堆積させるために使用され得る。   According to the embodiment shown herein, the diameter of the first portion 26 of the shield 21 may be smaller than the diameter of the second portion 27 of the shield 21. The diameter of the first portion 26 of the shield 21 may be basically the same as the diameter of the rotating target 10. According to the embodiments shown herein, the diameter of the target 10 can be defined as the diameter of the portion of the rotating target 10 directly above the shield 21 of the shield device 20. An axial portion of the rotating target 10 parallel to the rotation axis 50 just above the shield 21 can be used to deposit material on the substrate during operation of the deposition equipment.

図2に示すとおり、本明細書に示す実施形態では、シールド21を回転ターゲット10に接続する固定具80は、シールド21の第1部分26においてシールド21に接続されていてよい。具体的には、シールド21と係合している固定具80は、シールド21の内周においてシールド21に接続されていてよい。本明細書に示す他の実施形態と組み合わせることができるある実施形態によると、固定具は、1または複数のネジなどのような固定要素によってシールドを係合することができるか、及び/または、固定具は、本明細書に記載のように、シールドを固定具の箇所で吊り下げるように構成されることができる。   As shown in FIG. 2, in the embodiment shown in the present specification, the fixture 80 that connects the shield 21 to the rotary target 10 may be connected to the shield 21 at the first portion 26 of the shield 21. Specifically, the fixture 80 engaged with the shield 21 may be connected to the shield 21 on the inner periphery of the shield 21. According to certain embodiments, which can be combined with other embodiments described herein, the fastener can engage the shield with a securing element such as one or more screws, and / or The fixture can be configured to suspend the shield at the location of the fixture, as described herein.

本明細書に示す実施形態では、シールドを安定させ及び/またはガイドするガイド装置90が、堆積機器の駆動部に取り付けられていてよい。ガイド装置90は、シールド21の第2部分27でカバーされていてよい。ガイド装置は、シールドの径中心方向にあってよい。   In the embodiments shown herein, a guide device 90 for stabilizing and / or guiding the shield may be attached to the drive of the deposition equipment. The guide device 90 may be covered with the second portion 27 of the shield 21. The guide device may be in the radial center direction of the shield.

図3は、図1に示す、基板上に材料をスパッタリングする堆積機器の部分100の抜粋60の分解図を概略的に示す。本明細書に示す他の実施形態と組み合わせてよいある実施形態によると、シールドは、暗室シールド21の径方向内周に沿って形成された1または複数のノッチ、トレンチ、チャネル、または窪みを含み得る。ノッチ22は、シールド21の上端から50%以内、具体的には20%以内の軸位置に配置されていてよい。本明細書に示す実施形態によると、ノッチ22は、固定具80とシールド21とを互いに確実に接続するための、オーバーハングまたは突出部23を含み得る。   FIG. 3 schematically shows an exploded view of an excerpt 60 of the portion 100 of the deposition apparatus that sputters material onto the substrate shown in FIG. According to certain embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the shield includes one or more notches, trenches, channels, or depressions formed along the radially inner periphery of the darkroom shield 21. obtain. The notch 22 may be disposed at an axial position within 50%, specifically within 20% from the upper end of the shield 21. According to the embodiments shown herein, the notch 22 can include an overhang or protrusion 23 to securely connect the fixture 80 and the shield 21 to each other.

本明細書に示す実施形態によると、ノッチ22は、固定具80の少なくとも一部を受容するようにサイズ決めされていてよい。それによって、シールド21は固定具80を介して回転ターゲット10に接続され得る。本明細書に示す実施形態では、例えばPEEKリングといった固定具80は、回転ターゲット10にクランプ止めされていてよい。   According to the embodiments shown herein, the notch 22 may be sized to receive at least a portion of the fixture 80. Thereby, the shield 21 can be connected to the rotating target 10 via the fixture 80. In the embodiment shown herein, a fixture 80 such as a PEEK ring may be clamped to the rotating target 10.

本明細書に示す実施形態によると、回転ターゲット10は、回転ターゲット10の外周に沿って形成され、固定具80を受容するように適合された、1または複数のノッチ、トレンチ、チャネル、または窪みを含み得る。ノッチ11は、以降、第1ノッチと呼ばれ得る。堆積機器の動作中、シールド装置20のシールド21でカバーされるように、第1ノッチ11は、回転ターゲット10の駆動端に配置され得る。   According to embodiments shown herein, the rotating target 10 is formed along the outer periphery of the rotating target 10 and is adapted to receive a fixture 80, one or more notches, trenches, channels, or depressions. Can be included. Notch 11 may hereinafter be referred to as the first notch. The first notch 11 can be arranged at the drive end of the rotary target 10 so that it is covered by the shield 21 of the shield device 20 during operation of the deposition apparatus.

本明細書の実施形態によると、回転ターゲット10は、凹部またはノッチ12を含み得る。以降第2ノッチとも呼ばれる凹部またはノッチ12は、シールド装置20が回転ターゲット10に取り付けられる際、堆積プロセスに関わる回転ターゲット10の外表面と、シールド21の上端の外表面とが同一平面上にある(図2の平面70参照)ようにして、シールド装置20を受容するように適合され得る。   According to embodiments herein, the rotating target 10 may include a recess or notch 12. The recess or notch 12, also referred to as a second notch hereinafter, is such that when the shield device 20 is attached to the rotary target 10, the outer surface of the rotary target 10 involved in the deposition process and the outer surface of the upper end of the shield 21 are on the same plane. (See plane 70 in FIG. 2) and may be adapted to receive shield device 20 in this manner.

本明細書に示す実施形態によると、シールドを回転ターゲットに接続するための固定具を受容するように適合された第1ノッチ11は、第2ノッチ12内に配置され得る。堆積機器の動作中、固定具自体はシールドによってカバーされる。   According to embodiments shown herein, a first notch 11 adapted to receive a fixture for connecting a shield to a rotating target may be disposed within the second notch 12. During operation of the deposition equipment, the fixture itself is covered by a shield.

本明細書に記載の実施形態によると、回転ターゲットの部分といった、ターゲットの部分をカバーし得る、シールド装置が提供される。シールド装置は、シールドと、該シールドをターゲットに接続する固定具とを含み得る。固定具は、シールドがターゲットの軸方向(図2の矢印25参照)に、基本的にターゲットの中心から離れて膨張することを可能にするように構成され得る。シールドの軸方向の膨張を示すために使用される用語「基本的に」は、本明細書においては、シールドの大部分が、ターゲットの軸方向にターゲットの中心から離れて(図1の参照番号13を参照)膨張し得ることを意味するとして理解されるべきである。例えば、シールドの50%以上、具体的には70%以上が、ターゲットの軸方向にターゲットの中心から離れて、膨張し得る。   According to embodiments described herein, a shield apparatus is provided that can cover a portion of a target, such as a portion of a rotating target. The shield device may include a shield and a fixture that connects the shield to the target. The fixture may be configured to allow the shield to expand in the axial direction of the target (see arrow 25 in FIG. 2), essentially away from the center of the target. The term “essentially” used to indicate the axial expansion of the shield is used herein to refer to the majority of the shield in the axial direction of the target and away from the center of the target (reference number in FIG. 1). 13) to be understood as meaning that it can expand. For example, 50% or more of the shield, specifically 70% or more, can expand away from the center of the target in the axial direction of the target.

シールドは、シールドの上端から50%以内、具体的には20%以内の軸位置で、固定具に接続可能であってよい。シールドの上端部は、回転ターゲットの中心に最も近いシールドの端部として規定され得る。代替方法では、シールドの上端は、駆動ユニットに面しているシールドの端部とシールドの軸方向に反対側にある、シールドの端部として規定され得る。本明細書に示す実施形態によると、シールドの重心は、シールドの回転ターゲットへの取付点よりも下であってよい。例えば、シールドがターゲットの一部の周囲に配設されているときのシールドの重心は、シールドをターゲットに接続する固定具よりも下であってよい。   The shield may be connectable to the fixture at an axial position within 50%, specifically within 20% of the top of the shield. The upper end of the shield may be defined as the end of the shield closest to the center of the rotating target. In the alternative, the upper end of the shield may be defined as the end of the shield that is axially opposite the end of the shield facing the drive unit. According to the embodiments shown herein, the center of gravity of the shield may be below the attachment point of the shield to the rotating target. For example, the center of gravity of the shield when the shield is disposed around a portion of the target may be below the fixture that connects the shield to the target.

固定具とシールドとを互いに接続するため、シールドは、シールドの上端から50%以内、具体的には20%以内に配置された、専用取付部位を含み得る。例えば、シールドはノッチを含み得る。ノッチは、シールドがターゲットの周囲に設置されているときにノッチがターゲットに面するように、シールドの内周に配置されていてよい。本明細書に示す実施形態によると、ノッチは、部分的または全面的にシールドの内周に沿って延伸し得る。   In order to connect the fixture and shield together, the shield may include a dedicated attachment site that is located within 50%, specifically within 20% of the top of the shield. For example, the shield may include a notch. The notch may be disposed on the inner periphery of the shield such that the notch faces the target when the shield is placed around the target. According to the embodiments shown herein, the notches can extend partially or fully along the inner circumference of the shield.

用語「ノッチ」及び用語「チャネル」は、本明細書において同義に使用される。シールドのノッチ、またはノッチの少なくとも一部は、両側の側壁によって取り囲まれた底部領域を含み得る。本明細書に示す実施形態では、側壁のうちの少なくとも1つは、固定具を既定の位置に保持するために側壁の少なくとも一部に沿って延伸する、オーバーハング構造または突出部を含み得る。   The terms “notch” and “channel” are used interchangeably herein. The notch of the shield, or at least a portion of the notch, can include a bottom region surrounded by sidewalls on both sides. In the embodiments shown herein, at least one of the side walls may include an overhang structure or protrusion that extends along at least a portion of the side wall to hold the fixture in place.

本明細書に示す実施形態では、シールド装置の固定具は、回転ターゲットといったターゲットからシールドを吊り下げるか懸下するように適合され得る。用語「吊り下げる」及び用語「懸下する」は、本明細書において、交換可能に使用される。本明細書に記載のようにシールドを吊り下げるかまたは懸下することは、概して、回転ターゲットの一部をカバーするためにシールドが回転ターゲットに接続されているとき、シールドが基本的に固定具より下では支持されていないことを意味する。熱サイクルの間、これによってシールドが固定具との取付点から下方に膨張することが可能になる(例えば図2を参照)。シールドは、回転ターゲットの軸方向にターゲットの中心から離れて、ターゲットの駆動端の方へ、膨張し得る。シールドの膨張は、こうして制御され得、既定の方向へガイドされ得る。本明細書に示す実施形態では、重力の影響により、シールドは基本的に地表に向けて単一の方向に膨張し得る。本明細書に記載された他の実施形態と組み合わされてもよい、いくつかの実施形態によれば、固定具及び/またはガイド装置は、絶縁材料を含み得る。オプションで、絶縁体は耐熱プラスチックを含み得る。耐熱プラスチックは、スパッタ堆積チャンバ内における使用を改善することができる。   In the embodiments shown herein, the shield fixture may be adapted to suspend or suspend the shield from a target, such as a rotating target. The terms “hang” and “hang” are used interchangeably herein. Hanging or suspending the shield as described herein generally means that the shield is essentially a fixture when the shield is connected to the rotating target to cover a portion of the rotating target. Below it means not supported. During thermal cycling, this allows the shield to expand downward from the attachment point with the fixture (see, eg, FIG. 2). The shield can expand away from the center of the target in the axial direction of the rotating target and towards the drive end of the target. The expansion of the shield can thus be controlled and guided in a predetermined direction. In the embodiment shown here, due to the influence of gravity, the shield can basically expand in a single direction towards the ground surface. According to some embodiments, which may be combined with other embodiments described herein, the fixture and / or guide device may include an insulating material. Optionally, the insulator may include a heat resistant plastic. Refractory plastics can improve use in sputter deposition chambers.

実施形態によるシールド装置は、シールドを、垂直な方向またはシールドの軸方向と直角な方向にガイドし安定させるための、ガイド装置をさらに含み得る。ガイド装置は、シールドの回転軸から離れる方向への動きに抗して、シールドを安定させ得る。本明細書に示す実施形態によると、ガイド装置は、堆積機器の駆動部に接続されるように適合され得る。   The shield device according to the embodiment may further include a guide device for guiding and stabilizing the shield in a vertical direction or a direction perpendicular to the axial direction of the shield. The guide device can stabilize the shield against movement in a direction away from the rotation axis of the shield. According to embodiments shown herein, the guide device can be adapted to be connected to a drive of the deposition equipment.

ガイド装置は、シールドとの接点において1または複数の摩擦低減部を有し得る。該1または複数の摩擦低減部は、該シールドと共に移動し得る。本明細書に示す実施形態によると、摩擦低減部は、ガイド装置の他の部分から独立して可動である。例えば、摩擦低減部は1または複数のローラーであり得る。代替方法または追加方法として、本明細書に示す実施形態によると、シールドはガイド装置との接点において摩擦低減部を含み得る。   The guide device may have one or more friction reduction parts at the point of contact with the shield. The one or more friction reduction portions may move with the shield. According to the embodiment shown here, the friction reduction part is movable independently of the other parts of the guide device. For example, the friction reduction portion can be one or more rollers. As an alternative or additional method, according to embodiments shown herein, the shield may include a friction reduction portion at the point of contact with the guide device.

通常、シールドは回転ターゲットから電気的に絶縁されている。例えば、少なくとも固定具とガイド装置の、シールドとの接触面は、絶縁体材料で作られていてよい。絶縁材料は、例えば、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)といった耐熱プラスチックであってよい。   Usually, the shield is electrically isolated from the rotating target. For example, at least the contact surface of the fixture and the guide device with the shield may be made of an insulating material. The insulating material may be a heat resistant plastic such as polyetheretherketone (PEEK).

本明細書に示す実施形態によると、回転ターゲットは、固定具を介してシールドを回転ターゲットに接続するための専用取付部位を含み得る。例えば、該取付部位は、ターゲットの外周に沿って延伸する第1ノッチであり得る。第1ノッチは、部分的または全面的にターゲットの外周に沿って延伸し得る。固定具は、例えば、位置決め機能とロック機能(拘束機能)を有する回転ターゲットに対して、フォームフィットまたはスナップフィットによって装着されてよい。   According to the embodiments shown herein, the rotary target may include a dedicated attachment site for connecting the shield to the rotary target via a fixture. For example, the attachment site may be a first notch that extends along the outer periphery of the target. The first notch may extend partially or entirely along the outer periphery of the target. For example, the fixture may be attached to a rotating target having a positioning function and a lock function (restraint function) by a form fit or a snap fit.

回転ターゲットは、凹部または第2ノッチを含み得る。回転ターゲットの凹部または第2ノッチは、シールド装置を収容するための空間または間隙を設けるように適合され得る。この空間または間隙は、シールドと、基板に材料を堆積させるのに使用される回転ターゲットの面とが基本的に共通の表面にあるように、適合される。   The rotating target may include a recess or a second notch. The recess or second notch of the rotating target can be adapted to provide a space or gap for accommodating the shield device. This space or gap is adapted so that the shield and the surface of the rotating target used to deposit material on the substrate are essentially on a common surface.

本明細書に示す実施形態によると、シールドと回転ターゲットの接合部は、基本的に平坦または同一平面の移行領域を形成し得る。回転ターゲットの、シールド装置のシールドの上端の直ぐ上の部分と、シールド装置のシールドと上端とは、同一平面上にあってよい。これによって、堆積機器の動作中、材料の基板上への均一的な堆積が確保される。   According to the embodiments shown herein, the shield-rotary target joint may form a basically flat or coplanar transition region. The portion of the rotating target immediately above the upper end of the shield of the shield device and the shield and the upper end of the shield device may be on the same plane. This ensures uniform deposition of material on the substrate during operation of the deposition equipment.

本明細書に示す実施形態によると、シールド装置の固定具を接続するための回転ターゲットの第1ノッチは、回転ターゲットの第2ノッチ内または凹部内に配置され得る。   According to embodiments shown herein, the first notch of the rotating target for connecting the fixture of the shield device may be arranged in the second notch or in the recess of the rotating target.

図面に示すシールド装置20は、回転ターゲット10と一緒に回転するように適合された、セグメント化された暗部シールド21を含み得る。例えば、該セグメント化された暗部シールドは、2つのセグメント(本明細書では「パート」とも呼ばれる)に区分されていてよい。用語「セグメント化された」は、本明細書において、組み合わされた多数のパートからなる暗部シールドを示すことが意図される。用語「セグメント化された」「マルチパートの」及び「いくつかのパートの」は、本明細書において同時に使用される。通常、シールドは、典型的な粗さがRZ25とRZ70の間である、不均一の表面を有する。   The shield apparatus 20 shown in the drawings may include a segmented dark space shield 21 adapted to rotate with the rotating target 10. For example, the segmented dark space shield may be divided into two segments (also referred to herein as “parts”). The term “segmented” is intended herein to denote a dark shield consisting of multiple parts combined. The terms “segmented”, “multipart” and “several parts” are used simultaneously herein. Usually, the shield has a non-uniform surface with a typical roughness between RZ25 and RZ70.

暗部シールドは、複数のセグメントへとセグメント化され得、複数のセグメントは組み合わされ得る。シールドがターゲットに取り付けられる際、少なくとも2つのパートは、例えばファスナといった固定装置を使用することによって、共に固定されることができる。セグメント(複数)は別々のピースであるか、または代替方法では、例えばヒンジまたはジョイントによって共につなぎ合わされていてよい。具体的には、ヒンジまたはジョイントは、径方向に関してセグメントの内側に配置されていてよい。   The dark space shield can be segmented into multiple segments, and the multiple segments can be combined. When the shield is attached to the target, the at least two parts can be secured together by using a fastening device such as a fastener. The segment (s) may be separate pieces or, alternatively, may be joined together by, for example, hinges or joints. Specifically, the hinge or joint may be disposed inside the segment with respect to the radial direction.

暗部シールドがいくつかのパートを含むという事実を踏まえると、暗部シールドは、回転ターゲットの少なくとも一部を覆って容易に配置され得、その上に容易に取り付けられ得る。一体式のシールドは、ターゲットの少なくとも一部を覆って配置するためでも、ターゲットを覆って配置されなくてはならないであろう。ターゲットは、何メートルかに及ぶ相当な長さを有しているため、またターゲット材料はシールドとの接触によって容易に影響を受けやすいため、本明細書に記載のマルチパートシールドの使用によって、メンテナンスの労力を本質的に削減することができる。実施形態によると、シールドまたはシールドの少なくとも一部(パート)は、回転ターゲットに同心に組み付けられ得る。   Given the fact that the dark space shield includes several parts, the dark space shield can be easily placed over and attached to at least a portion of the rotating target. An integral shield would have to be placed over the target, even to place it over at least a portion of the target. Because the target has a considerable length that spans several meters, and because the target material is easily susceptible to contact with the shield, the use of the multi-part shield described herein allows maintenance. Can essentially reduce labor. According to embodiments, the shield or at least a part of the shield may be assembled concentrically to the rotating target.

用語「回転ターゲット」は、本明細書において、スパッタリング設備に回転可能に取り付けられるように適合された、任意のカソードアセンブリを指すものとする。通常、回転ターゲットは、スパッタリングされるように適合された、ターゲット構造体を含む。用語「回転ターゲット」は、本明細書において、具体的にはスパッタリングの向上のため、例えば永久磁石といった内部磁気ユニットを追加することによってアセンブリが強化された、磁気強化カソードアセンブリを指すものとする。   The term “rotary target” is used herein to refer to any cathode assembly that is adapted to be rotatably attached to a sputtering facility. Typically, the rotating target includes a target structure that is adapted to be sputtered. The term “rotating target” is used herein to refer to a magnetically enhanced cathode assembly, specifically, the assembly is enhanced by adding an internal magnetic unit, such as a permanent magnet, for improved sputtering.

以下で回転スパッタリングカソードまたは回転カソードとも呼ばれる回転ターゲットは、ターゲット材料の中空シリンダ形物体から作られていてよい。これらの回転ターゲットはまた、一体型ターゲットとも呼ばれ、ターゲット材料からこれらのターゲットを鋳造または焼結することによって製造され得る。   The rotating target, also referred to as rotating sputtering cathode or rotating cathode in the following, may be made from a hollow cylindrical object of target material. These rotating targets are also referred to as monolithic targets and can be manufactured by casting or sintering these targets from a target material.

非一体型の回転ターゲットは、通常、その外表面に、付けられたターゲット材料の層を有する、シリンダ形の回転チューブ、例えばバッキングチューブを含む。こうした回転スパッタリングカソードの製造において、ターゲット材料は、例えば、噴射、粉末のキャスティングまたは等方加圧によって、バッキングチューブの外表面上に付けられ得る。代替方法では、回転カソードを形成するため、ターゲットチューブとも称され得る中空シリンダ形のターゲット材料が、バッキングチューブ上に配設され得、且つ、例えばインジウムでバッキングチューブに接合され得る。さらなる代替形態によると、接合されていないターゲットシリンダを、バッキングチューブから径方向外向きに備えることができる。   Non-integral rotating targets typically include a cylindrical rotating tube, such as a backing tube, having a layer of target material applied to its outer surface. In the manufacture of such rotating sputtering cathodes, the target material can be applied onto the outer surface of the backing tube, for example, by spraying, powder casting or isotropic pressing. In an alternative method, a hollow cylinder-shaped target material, which may also be referred to as a target tube, may be disposed on the backing tube and joined to the backing tube, for example with indium, to form a rotating cathode. According to a further alternative, an unjoined target cylinder can be provided radially outward from the backing tube.

堆積速度を増大させるために、磁気強化カソードを使用することが提案されている。これは、マグネトロンスパッタリングとも称されうる。磁石の配列を含み得る磁気ユニットが、スパッタリングカソードの内側、例えばバッキングチューブの内側または一体式ターゲットの内側に配設され得、磁気強化スパッタリングのための磁場を提供し得る。カソードは、磁気ユニットに対して回動し得るように、通常、カソードの長手方向軸の周囲で回転可能である。用語「端部」または「端」は、本明細書の回転ターゲットまたはカソードの文脈においては、カソードまたはターゲットの軸方向の端部または端を指すものとする。通常、ターゲットまたはカソードの外側断面は、例えば8cmと30cmの間である直径を有する円形であり、一方該ターゲットまたはカソードの長さは、例えば最長0.3m、または最長4mでさえある、何メートルかであり得る。   In order to increase the deposition rate, it has been proposed to use a magnetically enhanced cathode. This can also be referred to as magnetron sputtering. A magnetic unit that can include an array of magnets can be disposed inside the sputtering cathode, eg, inside the backing tube or inside the monolithic target, and can provide a magnetic field for magnetic enhanced sputtering. The cathode is usually rotatable about the longitudinal axis of the cathode so that it can pivot relative to the magnetic unit. The term “end” or “end” is intended to refer to the axial end or end of the cathode or target in the context of the rotating target or cathode herein. Typically, the outer cross-section of the target or cathode is circular with a diameter that is, for example, between 8 cm and 30 cm, while the length of the target or cathode is, for example, up to 0.3 m, or even up to 4 m It can be.

動作中、電気的に遮蔽されていないカソードは、電界蓄積によって、カソード端部においてガス放電(アーク発生)を蒙り得る。この放電は、望ましくない。カソード端部に隣接するガス放電領域は、「暗室」と呼ばれる。本明細書に示す実施形態によると、暗室シールドは、カソードの一端または両端をカバーするように配置され得る。   In operation, an unshielded cathode can undergo gas discharge (arcing) at the cathode end due to electric field accumulation. This discharge is undesirable. The gas discharge area adjacent to the cathode end is called the “dark room”. According to embodiments shown herein, the darkroom shield can be arranged to cover one or both ends of the cathode.

本明細書に示す実施形態によると、カソードの駆動端におけるガス放電を避けるため、ターゲットの暗室領域を遮蔽するようにシールドが設けられる。通常、シールドは絶縁体で作られている。回転しないシールドによって遮蔽されるターゲットは、スパッタリング処理の間、暗室シールドの一面のみに材料が堆積し得る。結果として暗室シールドの表面上に形成される膜は、何度かの堆積サイクルの後、断片化され得、材料の小片が解放されて、基盤表面上に堆積し得る。これによってスパッタリングされた材料の基板上への堆積がマスキングされ、製品に欠陥が生じる。前記の材料の小片は、概して蓄積し得、堆積機器を汚染し得る。   According to the embodiments shown herein, a shield is provided to shield the dark room region of the target to avoid gas discharge at the cathode drive end. Usually the shield is made of an insulator. A target that is shielded by a non-rotating shield can deposit material on only one side of the darkroom shield during the sputtering process. The resulting film formed on the surface of the darkroom shield can be fragmented after several deposition cycles, and small pieces of material can be released and deposited on the substrate surface. This masks the deposition of the sputtered material on the substrate and causes defects in the product. Small pieces of the material can generally accumulate and can contaminate the deposition equipment.

本明細書に示す、ターゲットと共に回転する暗室シールドによって、暗室シールドの表面は、材料の堆積に曝される。材料の層が均一な態様で堆積し、暗室シールドの表面全体にわたって膜が形成される。このことは、膜が断片化されるまでより長い間堆積され得ることを意味し、それによって膜の断片が基板上に落下する可能性が減少する。回転しない暗室シールドを扱う場合に比べて、基板及び堆積機器の汚染のリスク、並びにメンテナンスの時間及びコストは、こうして減少し得る。   With the darkroom shield rotating with the target as shown herein, the surface of the darkroom shield is exposed to material deposition. A layer of material is deposited in a uniform manner, forming a film over the entire surface of the darkroom shield. This means that the film can be deposited longer until it is fragmented, thereby reducing the possibility of film fragments falling onto the substrate. Compared to handling a non-rotating darkroom shield, the risk of contamination of the substrate and deposition equipment, as well as maintenance time and costs, can thus be reduced.

実施形態によると、複数のセグメントは、組み立てられて一緒になったときにシリンダ形状のシールドを形成する、シリンダのセグメントであり得る。通常、それぞれがシリンダの外周の180°をカバーする、2つのセグメントが提供される。例えば図6に示すさらなる実施形態によると、シールド21は3つのセグメント24から組み立てられ得、各セグメントがシリンダの120°をカバーしている。   According to embodiments, the plurality of segments can be segments of a cylinder that when assembled and together form a cylindrical shaped shield. Usually, two segments are provided, each covering 180 ° of the outer circumference of the cylinder. For example, according to a further embodiment shown in FIG. 6, the shield 21 can be assembled from three segments 24, each segment covering 120 ° of the cylinder.

シールドは、1ピースごとに回転対称であってよい。少なくとも2つの、シールドのパートは、シリンダの切片をなすパートであり、例えば外周の180°または120°をカバーする。パートは組み立てられて一緒になると、パート同士の接合点を別にすると回転対称であり得る、シリンダを形成する。本開示によると、パートが「回転対称」であると言われる場合、回転した後も表面が同一である。回転は、シリンダの切片(複数)の場合、シリンダの中心である回転中心に対して行われる。360°/n(例えば、n=2またはn=3)をカバーするシリンダの切片は、こうして、最大360°/nまでの任意の度を回転されることができ、その結果、表面は同一である。表面という用語は、具体的に、径方向の外周上の表面を含む。本明細書のどの具体的な実施形態にも限定されることなく、シールドは、合わせてシリンダの360°をカバーする、3つを超えるパート、例えば4つ、6つ、またはそれよりも多くのパートを含んでよい。   The shield may be rotationally symmetric for each piece. At least two of the shield parts are part of the cylinder and cover, for example, 180 ° or 120 ° of the outer periphery. When the parts are assembled and put together, they form a cylinder that can be rotationally symmetric except for the junction between the parts. According to the present disclosure, when a part is said to be “rotationally symmetric”, the surface is the same after rotation. The rotation is performed with respect to the rotation center that is the center of the cylinder in the case of a plurality of pieces of the cylinder. Cylinder segments covering 360 ° / n (eg n = 2 or n = 3) can thus be rotated any degree up to 360 ° / n, so that the surface is the same is there. The term surface specifically includes surfaces on the radial outer periphery. Without being limited to any specific embodiment herein, the shield together covers 360 ° of the cylinder, and more than three parts, for example four, six, or more May include parts.

回転対称のシリンダの切片の断面図が、図7に示されている。シリンダの180°をカバーするシールドのパートまたはセグメント24は、中心26を有する。例示的に示される矢印25は、該パートを180°回転することができ、その結果、表面、具体的には径方向の外周上の表面が同一であることを示すものである。   A cross-sectional view of a section of a rotationally symmetric cylinder is shown in FIG. The shield part or segment 24 that covers 180 ° of the cylinder has a center 26. The arrow 25 shown as an example indicates that the part can be rotated 180 °, so that the surface, in particular the surface on the radial outer circumference, is identical.

具体的には、本明細書に示す実施形態によると、シールドのセグメントには、例えばネジまたはピンなどを受容するための孔があってはならない。孔があれば、シールドのパートが非回転対称になるであろう。既知のシールドにおいては、シールドを他のエレメントに組み付けるため、孔が設けられていた。しかし、シールドの非回転対称の形状はどれも、スパッタリングの間に電界による障害に結び付く。これは次に、コーティングされる基板上の層の均一性を低減させる結果となる。   Specifically, according to the embodiments shown herein, the shield segments should not have holes for receiving screws or pins, for example. If there is a hole, the shield part will be non-rotationally symmetric. In known shields, holes were provided to assemble the shield to other elements. However, any non-rotationally symmetric shape of the shield leads to an electric field failure during sputtering. This in turn results in reduced layer uniformity on the substrate being coated.

さらに、孔は、ネジなどの挿入を可能にするために設けられていた。したがって、例えばメンテナンスでシールドを分解または取り外しするために、ネジを抜く必要がある。これには時間がかかる。なぜなら、スパッタリングの間にネジ頭がコーティングされており、シールドを分解または取り外しするためには、まずネジ頭からコーティングを除去し、次にネジを抜かなければならないからである。   Furthermore, the hole was provided in order to enable insertion of a screw or the like. Therefore, for example, in order to disassemble or remove the shield for maintenance, it is necessary to remove the screw. This takes time. This is because the screw head is coated during sputtering and in order to disassemble or remove the shield, the coating must first be removed from the screw head and then unscrewed.

したがって、孔といった、非回転対称の要素が全くない回転対称のシールドを提供することは、コーティングの品質を向上するだけでなく、メンテナンスの労力とコストの削減にもなる。   Thus, providing a rotationally symmetric shield that does not have any non-rotary symmetric elements, such as holes, not only improves the quality of the coating, but also reduces maintenance effort and costs.

本明細書に示す他の実施形態と組み合わせることができる具体的な実施形態によると、回転ターゲットは、頂部シールドを含み得る。頂部シールドは、回転ターゲットの頂端に配置されている。用語「頂端」は、駆動部に接続された端部(本明細書では回転ターゲットの「駆動端」と呼ばれる)とはターゲットの軸方向に反対にある、ターゲットの端部であるとして理解されるべきである。頂部シールドは、回転ターゲットと共に回転するように適合される。駆動端シールドと同様、頂端シールドまたは頂端シールドの少なくとも一部は、回転ターゲットに同心に組み付けられ得る。   According to a specific embodiment that can be combined with other embodiments shown herein, the rotating target can include a top shield. The top shield is disposed at the top end of the rotating target. The term “top end” is understood to be the end of the target that is opposite the axial direction of the target from the end connected to the drive (referred to herein as the “drive end” of the rotating target). Should. The top shield is adapted to rotate with the rotating target. Similar to the drive end shield, the top shield or at least a portion of the top shield may be assembled concentrically to the rotating target.

堆積チャンバの熱サイクルの反復の間、暗室または暗部のシールド(単数または複数)は、しばしば熱膨張を起こす。したがって、固定具即ちシールドを回転ターゲットに接続している要素は、回転ターゲットを損なうことなくこうした反復的な熱膨張を促進するように、適合されることができる。   During repeated deposition chamber thermal cycles, the darkroom or darkroom shield (s) often undergo thermal expansion. Thus, the element connecting the fixture or shield to the rotating target can be adapted to promote such repetitive thermal expansion without damaging the rotating target.

当該技術では、シールドは、回転ターゲットの駆動端をカバーするためにカソード駆動部に取り付けられてよい。駆動部は、シールド及び回転ターゲットを支持する。こうしたケースでは、シールドは、ターゲットの軸方向に、支持している駆動部から離れ、回転ターゲットの中心に向かって、膨張する。したがって、シールドの熱膨張を許容するため、シールドの駆動端と回転ターゲットとの間に大きな空間または間隙が設けられてよい。これらの空間は、基板上への材料の堆積に使用されるターゲットの表面エリアを減少させ得る。   In the art, the shield may be attached to the cathode drive to cover the drive end of the rotating target. The drive unit supports the shield and the rotating target. In such a case, the shield expands away from the supporting drive in the axial direction of the target and towards the center of the rotating target. Therefore, a large space or gap may be provided between the drive end of the shield and the rotating target in order to allow thermal expansion of the shield. These spaces can reduce the surface area of the target that is used to deposit material on the substrate.

図4は、実施形態による、暗部シールドを回転ターゲットに接続するためのシールド装置の一部を概略的に示す。具体的には図4は、図2に示す実施形態の、抜粋61の拡大図である。固定具80は、回転ターゲット10の第1ノッチ11に接続されていてよい。本明細書に示す実施形態によると、ノッチ11は、例えば回転ターゲットの内部に刻まれていてよい。   FIG. 4 schematically illustrates a portion of a shield device for connecting a dark space shield to a rotating target, according to an embodiment. Specifically, FIG. 4 is an enlarged view of the excerpt 61 of the embodiment shown in FIG. The fixture 80 may be connected to the first notch 11 of the rotary target 10. According to embodiments shown herein, the notch 11 may be carved, for example, inside a rotating target.

本明細書に示す実施形態によると、固定具80は、シールド21のノッチ22内に埋め込まれたフック形状部を含み得る。シールド21は、フック形状部から吊り下げられるか、または懸下されていてよい。   According to the embodiments shown herein, the fixture 80 may include a hook shape embedded within the notch 22 of the shield 21. The shield 21 may be suspended or suspended from the hook-shaped part.

本明細書に示す実施形態では、オーバーハング構造または突出部23は、固定具80をノッチ22の内部に配置して保持し得る。例えば、オーバーハング構造または突出部23は、シールド21の軸方向に、シールド21の底端に向かって延伸し得る。本明細書に示す実施形態によると、オーバーハング構造または突出部23は、ノッチ22の端部、具体的には、シールド21の上端に最も近いノッチ22の端部に配置され得る。   In the embodiments shown herein, the overhang structure or protrusion 23 may hold the fixture 80 positioned within the notch 22. For example, the overhang structure or protrusion 23 may extend in the axial direction of the shield 21 toward the bottom end of the shield 21. According to the embodiments shown herein, the overhang structure or protrusion 23 may be disposed at the end of the notch 22, specifically the end of the notch 22 closest to the upper end of the shield 21.

本明細書に示す実施形態によると、固定具80は、シールドが回転ターゲットから1.5mmから4.5mmまでの距離、例えば約3mm±0.5mmで離れているように、構成され得る。シールド21は固定具80から吊り下げられているかまたは懸下していてよいため、該シールドと回転ターゲットとの間の空隙または距離40、41は、熱サイクル工程の間、基本的には一定に保たれていてよい。具体的には、シールド21の上端と回転ターゲット10との間の軸方向のギャップまたは距離40は、シールド21を吊り下げるように適合された専用の固定具80によって、熱サイクルの間、基本的に一定に保たれてよい。それによって、熱サイクルの間、シールド21が回転ターゲットの中心から離れて基本的に下方に膨張することが可能になる。有益には、基板への材料の堆積のために堆積機器の動作中に使用される回転ターゲットの表面の範囲は、基本的に一定に保たれ、それによって、基板上に堆積される材料の層の均一性が確保され得る。   According to the embodiments shown herein, the fixture 80 may be configured such that the shield is separated from the rotating target by a distance of 1.5 mm to 4.5 mm, for example about 3 mm ± 0.5 mm. Since the shield 21 may be suspended or suspended from the fixture 80, the air gap or distance 40, 41 between the shield and the rotating target is essentially constant during the thermal cycling process. May be kept. Specifically, the axial gap or distance 40 between the upper end of the shield 21 and the rotating target 10 is fundamental during a thermal cycle by a dedicated fixture 80 adapted to suspend the shield 21. May be kept constant. This allows the shield 21 to expand downwardly away from the center of the rotating target during the thermal cycle. Beneficially, the surface range of the rotating target used during the operation of the deposition equipment for the deposition of material on the substrate is kept essentially constant, so that the layer of material deposited on the substrate Can be ensured.

図5は、実施形態による、暗部シールドを回転ターゲットに接続するためのシールド装置のさらなる一部を概略的に示す。図5は、図2に示す実施形態の、抜粋62の拡大図である。具体的には、図5は、シールド装置20の底部を示す。本明細書に示す実施形態によると、堆積機器の動作中、シールド装置20のシールド21の底部は、回転ターゲット10の底部をカバーするように適合され得る。回転ターゲット10の底端は、回転ターゲットの、堆積機器の駆動部に接続された部分を含み得る。   FIG. 5 schematically illustrates a further part of a shield device for connecting a dark space shield to a rotating target, according to an embodiment. FIG. 5 is an enlarged view of the excerpt 62 of the embodiment shown in FIG. Specifically, FIG. 5 shows the bottom of the shield device 20. According to the embodiments shown herein, the bottom of the shield 21 of the shield device 20 can be adapted to cover the bottom of the rotating target 10 during operation of the deposition equipment. The bottom end of the rotating target 10 may include the portion of the rotating target that is connected to the drive of the deposition equipment.

本明細書に示す実施形態によると、シールド装置20のシールド21は、回転ターゲットの軸方向と垂直な方向に、回転ターゲットから空間41を空けていてよい。この空間41は、堆積機器の熱サイクル工程の間、一定に保たれてよい。実施形態によると、回転ターゲットとシールド21の間の距離または間隙41は、1.5mmから4.5mmまで、例えば約3mm±0.5mmであってよい。   According to the embodiment shown in the present specification, the shield 21 of the shield device 20 may leave a space 41 from the rotating target in a direction perpendicular to the axial direction of the rotating target. This space 41 may be kept constant during the thermal cycling process of the deposition equipment. According to embodiments, the distance or gap 41 between the rotating target and the shield 21 may be from 1.5 mm to 4.5 mm, for example about 3 mm ± 0.5 mm.

本明細書に示す実施形態によると、シールド装置20は、シールド装置20のシールド21の底端を安定させるためのガイド装置90を含み得る。ガイド装置は、シールドの軸方向に垂直な方向、または回転ターゲットと直角の方向に、シールド21を安定させ得る。   According to the embodiments shown herein, the shield device 20 may include a guide device 90 for stabilizing the bottom end of the shield 21 of the shield device 20. The guide device may stabilize the shield 21 in a direction perpendicular to the axial direction of the shield or in a direction perpendicular to the rotating target.

ガイド装置は、堆積機器の駆動部に接続されるように適合され得る。本明細書に記載の実施形態では、ガイド装置は、シールド装置20のシールド21との接点において、摩擦低減部を含み得る。例えば、摩擦低減部は可動部であり得る。摩擦低減部の可動部は、堆積機器の動作中、シールド21と共に可動であるように適合され得る。   The guide device may be adapted to be connected to the drive of the deposition equipment. In the embodiments described herein, the guide device may include a friction reduction portion at the contact point of the shield device 20 with the shield 21. For example, the friction reducing part can be a movable part. The movable part of the friction reduction part can be adapted to be movable with the shield 21 during operation of the deposition equipment.

ガイド装置90とシールド装置20のシールド21は、間隙または空間42が、ガイド装置90とシールド装置20のシールド21との間に、軸方向に形成されるように構成され得る。間隙42は、シールド21が、堆積機器の熱サイクル工程の間、回転ターゲットの中心から下方に自由に膨張することを許容するように適合され得る。本明細書に示す実施形態によると、間隙42は、シールド21が非膨張状態にあるときに対比して、シールドが膨張状態にあるときには、大きさがより小さくてよい。   The guide device 90 and the shield 21 of the shield device 20 may be configured such that a gap or space 42 is formed in the axial direction between the guide device 90 and the shield 21 of the shield device 20. The gap 42 may be adapted to allow the shield 21 to freely expand downward from the center of the rotating target during the thermal cycle process of the deposition equipment. According to the embodiments shown herein, the gap 42 may be smaller in size when the shield is in an expanded state, as opposed to when the shield 21 is in an unexpanded state.

図8は、実施形態による、スパッタリング設備200の、回転軸50に沿った概略断面図である。スパッタリング設備200は通常、壁231及び232によって形成される処理チャンバ220を含む。典型的な実施形態によると、カソード、ターゲット、またはバッキングチューブの軸50は、基本的には壁231に平行であり、その場合、カソードの差し込み式の構成が実現される。   FIG. 8 is a schematic cross-sectional view along the rotation axis 50 of the sputtering equipment 200 according to the embodiment. Sputtering equipment 200 typically includes a processing chamber 220 formed by walls 231 and 232. According to an exemplary embodiment, the cathode, target, or backing tube axis 50 is essentially parallel to the wall 231, in which case a cathode plug-in configuration is realized.

実施形態によると、回転ターゲットを回転させる駆動部を含み得る少なくとも1つのエンドブロック101が、処理チャンバ220に取り付けられている。基体110は、典型的には、絶縁プレート116を介して、処理チャンバ220のフラップまたは扉230に固定されている。スパッタリングの間、フラップまたは扉230は閉鎖されている。したがって基体110はスパッタリングの間、通常静止しているか、少なくとも回転不能である。代替方法では、外部ハウジング125は、処理チャンバ220の壁231に直接固定されてよい。   According to an embodiment, at least one end block 101, which may include a drive that rotates a rotating target, is attached to the processing chamber 220. The substrate 110 is typically secured to a flap or door 230 of the processing chamber 220 via an insulating plate 116. During sputtering, the flap or door 230 is closed. Accordingly, the substrate 110 is normally stationary or at least non-rotatable during sputtering. In the alternative, the outer housing 125 may be secured directly to the wall 231 of the processing chamber 220.

実施形態によると、典型的には電気駆動部である回転駆動部150が、取付支持体152を介して処理チャンバ220の外側に配設されている。しかし、回転駆動部150はまた、外部ハウジング125の内部に設置されていてもよい。典型的には、回転駆動部150は、スパッタリングの間、回転駆動部のモータ軸154、モータ軸に接続されたピニオン153、及び、 ピニオン153と、ロータ122のベアリングハウジング123に取り付けられた大歯車151との周囲にループを形成するチェーンまたは歯付きベルト(図示せず)を介して、回転ターゲット10を駆動する。   According to the embodiment, the rotation driving unit 150 that is typically an electric driving unit is disposed outside the processing chamber 220 via the mounting support 152. However, the rotation driving unit 150 may also be installed inside the outer housing 125. Typically, during the sputtering, the rotation drive unit 150 includes a motor shaft 154 of the rotation drive unit, a pinion 153 connected to the motor shaft, and a pinion 153 and a large gear attached to the bearing housing 123 of the rotor 122. The rotary target 10 is driven via a chain or a toothed belt (not shown) that forms a loop around 151.

典型的には、冷却剤サポートチューブ134及び/または電気サポートラインは、冷却剤供給/排出ユニット130及び/または電気サポートユニットから、外部ハウジング125を通って、処理チャンバ220の外部まで、供給されている。   Typically, the coolant support tube 134 and / or the electrical support line is supplied from the coolant supply / discharge unit 130 and / or the electrical support unit through the outer housing 125 to the outside of the processing chamber 220. Yes.

回転ターゲット10は、典型的にはエンドブロック101によって支持されている。加えて、回転ターゲット10は、上端においてさらに支持され得る。本明細書に示す実施形態によると、上記の各図面を参照してより詳細に記載されたシールド装置20は、ターゲット10の少なくとも一部をカバーし得る。シールド装置は、ターゲット10の回転軸50の軸方向に延伸し得、回転ターゲット10とエンドブロック101との接合点の少なくとも一部をカバーし得る。   The rotary target 10 is typically supported by an end block 101. In addition, the rotary target 10 can be further supported at the upper end. According to the embodiments shown herein, the shield device 20 described in more detail with reference to the above figures may cover at least a portion of the target 10. The shield device can extend in the axial direction of the rotation shaft 50 of the target 10 and can cover at least a part of the joint point between the rotation target 10 and the end block 101.

本明細書に示す実施形態によると、回転ターゲット10は、回転軸50に沿ってエンドブロックのターゲットフランジ121に取り付けられ得る。実施形態によると、ターゲットフランジ121と回転ターゲット10は、互いに同軸である。シールド装置20は、ターゲットフランジ121の少なくとも一部をカバーするため、ターゲットの回転軸50の軸方向に延伸し得る。   According to the embodiments shown herein, the rotary target 10 may be attached to the end block target flange 121 along the axis of rotation 50. According to the embodiment, the target flange 121 and the rotary target 10 are coaxial with each other. Since the shield device 20 covers at least a part of the target flange 121, the shield device 20 can extend in the axial direction of the target rotation shaft 50.

回転ターゲット10は、回転ターゲット10をターゲットフランジ121に押し付ける環状クランプを使用して、ターゲットフランジ121の上部にはめ込まれ得る。ターゲットフランジ121と、隣接するバッキングチューブ及び回転ターゲット10のそれぞれの隣接部との間に、Oリングシールが配置され得る。したがって、回転ターゲット10はターゲットフランジ121に真空気密に取り付けられ得る。   The rotating target 10 can be fitted on top of the target flange 121 using an annular clamp that presses the rotating target 10 against the target flange 121. An O-ring seal may be disposed between the target flange 121 and each adjacent portion of the adjacent backing tube and rotating target 10. Therefore, the rotary target 10 can be attached to the target flange 121 in a vacuum-tight manner.

実施形態によると、回転ターゲット10は、例えば低圧処理チャンバへの流体の漏出を防止するために、ターゲットフランジ121の上部に真空気密に取り付けられ得る。これは、典型的には環状シーリング(図示せず)によって達成される。   According to embodiments, the rotating target 10 may be vacuum-tightly attached to the top of the target flange 121, for example, to prevent fluid leakage into the low pressure processing chamber. This is typically accomplished by an annular seal (not shown).

スパッタリングの間、回転ターゲット10をカソードとして作用させるため、回転ターゲット10用の少なくとも1つの電気供給(図示せず)もまた、ターゲットフランジ121を通じて提供され得る。   At least one electrical supply (not shown) for the rotating target 10 may also be provided through the target flange 121 to cause the rotating target 10 to act as a cathode during sputtering.

本開示の他の実施形態と組み合わされ得る実施形態によると、ターゲットフランジ及びベアリングハウジングの両方とも、例えば鋼といった導電性材料から作られていてよい。これらの実施形態では、電流は、電流コレクタプレートから、ベアリングハウジング及びターゲットフランジを通って、回転ターゲットまで流れ得る。   According to embodiments that may be combined with other embodiments of the present disclosure, both the target flange and the bearing housing may be made of a conductive material, such as steel. In these embodiments, current can flow from the current collector plate, through the bearing housing and the target flange to the rotating target.

本開示の他の実施形態と組み合わされ得る実施形態によると、ターゲットフランジは、回転ターゲットを機械的に支持するように適合され得る。加えて、ターゲットチューブ用の冷却剤と電気の供給は、ターゲットフランジを通じて提供され得る。   According to embodiments that may be combined with other embodiments of the present disclosure, the target flange may be adapted to mechanically support the rotating target. In addition, a coolant and electricity supply for the target tube can be provided through the target flange.

図9は、図8に示すスパッタリング設備200を示す。図9の概略図の断面は、図8の断面と直交する方向である。実施形態によると、スパッタリング設備200は、例えばアルゴンといった処理ガスを真空チャンバ220に供給するためのガス注入口201を含む、真空チャンバ220を有する。真空チャンバ220は、基板支持体202及び、基板支持体202上に配置された基板203をさらに含む。さらに、真空チャンバ220は回転ターゲット10を含む。   FIG. 9 shows the sputtering equipment 200 shown in FIG. 9 is a direction orthogonal to the cross section of FIG. According to an embodiment, the sputtering facility 200 includes a vacuum chamber 220 that includes a gas inlet 201 for supplying a processing gas, such as argon, to the vacuum chamber 220. The vacuum chamber 220 further includes a substrate support 202 and a substrate 203 disposed on the substrate support 202. Further, the vacuum chamber 220 includes the rotating target 10.

カソードとして作用している回転ターゲット10とアノードとして作用している基板支持体202との間に、高い電圧差が印加され得る。プラズマは、典型的には、例えばアルゴン原子といった加速された電子の衝撃イオン化によって生成される。生成されたアルゴンイオンは、典型的には原子である回転ターゲット10の粒子が、スパッタリングされ、続いて基板203上に堆積するように、回転ターゲット10の方向に加速される。   A high voltage difference can be applied between the rotating target 10 acting as the cathode and the substrate support 202 acting as the anode. The plasma is typically generated by bombarded ionization of accelerated electrons, such as argon atoms. The generated argon ions are accelerated in the direction of the rotating target 10 such that particles of the rotating target 10, typically atoms, are sputtered and subsequently deposited on the substrate 203.

実施形態では、例えばクリプトンなどの他の不活性ガス、または酸素もしくは窒素といった反応ガスといった他の好適なガスが、プラズマを作り出すために使用され得る。本開示の他の実施形態と組み合わされ得る典型的な実施形態によると、プラズマエリアの圧力は、約10−4mbarから約10−2mbar、典型的には約10−3mbarであることができる。さらなる実施形態では、真空チャンバ220は、基板203を真空チャンバ220の中に取り入れるか、または真空チャンバ220から外に引っ込めるかするための、1または複数の開口部、及び/またはバルブを含み得る。 In embodiments, other inert gases such as krypton, or other suitable gases such as reactive gases such as oxygen or nitrogen may be used to create the plasma. According to an exemplary embodiment that may be combined with other embodiments of the present disclosure, the pressure in the plasma area may be about 10 −4 mbar to about 10 −2 mbar, typically about 10 −3 mbar. it can. In further embodiments, the vacuum chamber 220 may include one or more openings and / or valves for taking the substrate 203 into or withdrawing the substrate 203 out of the vacuum chamber 220.

マグネトロンスパッタリングは、堆積速度がやや速いという点で特に有利である。1または複数の磁石14を回転ターゲット10の内部に配置することによって、ターゲット表面の直下にある、生成された磁場内の自由電子は、捕捉され得る。このことは、ガス分子をイオン化する確率を、通常数桁高める。次いで、堆積率が顕著に増大し得る。用途とスパッタリングされる材料とに応じて、静止磁場または時変磁場が使用され得る。さらに、磁石224及び/またはターゲット10を冷却するため、冷却流体が回転ターゲット10内部で循環され得る。   Magnetron sputtering is particularly advantageous in that the deposition rate is slightly faster. By placing one or more magnets 14 inside the rotating target 10, free electrons in the generated magnetic field directly under the target surface can be captured. This usually increases the probability of ionizing gas molecules by several orders of magnitude. The deposition rate can then increase significantly. Depending on the application and the material being sputtered, a static or time-varying magnetic field can be used. Further, cooling fluid may be circulated within the rotating target 10 to cool the magnet 224 and / or the target 10.

回転ターゲット10は、示される断面図では不可視で、したがって破線円で示される、エンドブロック101によって支持され得る。エンドブロック101は、示される断面図では不可視で、したがって破線長方形で示される、処理チャンバ220の壁231または扉230またはフラップに、回転不能に取り付けられていてよい。   The rotating target 10 can be supported by an end block 101, which is invisible in the cross-sectional view shown, and is therefore indicated by a dashed circle. The end block 101 may be non-rotatably attached to the wall 231 or door 230 or flap of the processing chamber 220, which is invisible in the cross-sectional view shown, and thus shown as a dashed rectangle.

本明細書に示す実施形態によると、堆積機器の動作の間、堆積機器内の暗部領域をシールドする方法が提供される。方法は、シールドを堆積機器の回転ターゲットに接続する固定具を提供することを含み、固定具を提供することは、該固定具を回転ターゲットに接続することを含み得る。方法は、堆積機器内の暗部領域をシールドするため、回転ターゲットの一部をカバーするシールドを形成するように、複数のパートを組み立てることをさらに含み得る。シールドは、堆積機器の動作の間、シールドが回転ターゲットの軸方向に、基本的に回転ターゲットの中心から離れて膨張することができるよう、シールドは回転ターゲットから吊り下げられるように、及び/または回転ターゲットと係合するように、組み立てられる。複数のパートを組み立てることは、例えば、シールドを形成するために2以上のシールド用パートを組み立てることを含み得る。   According to embodiments shown herein, a method is provided for shielding dark areas in a deposition apparatus during operation of the deposition apparatus. The method includes providing a fixture that connects the shield to a rotating target of the deposition apparatus, and providing the fixture can include connecting the fixture to the rotating target. The method may further include assembling the plurality of parts to form a shield that covers a portion of the rotating target to shield dark areas in the deposition equipment. The shield is suspended from the rotating target so that the shield can expand in the axial direction of the rotating target, essentially away from the center of the rotating target, during operation of the deposition equipment, and / or Assembled to engage a rotating target. Assembling a plurality of parts may include, for example, assembling two or more shielding parts to form a shield.

本明細書に示す実施形態によると、堆積機器の動作の間に堆積機器内の暗部領域をシールドする方法は、取付点においてシールドが回転ターゲットから吊り下げられるように、且つシールドの重心が取付点よりも下であるように、シールドを組み立てることをさらに含み得る。方法は、シールドの軸方向と垂直な方向にシールドを安定させることも、また含み得る。   According to embodiments shown herein, a method for shielding a dark area in a deposition apparatus during operation of the deposition apparatus is such that the shield is suspended from a rotating target at the attachment point and the center of gravity of the shield is at the attachment point. May further comprise assembling the shield to be below. The method may also include stabilizing the shield in a direction perpendicular to the axial direction of the shield.

本開示の様々な実施形態の具体的な特徴は、一部の図面に示され、他の図面には示されていないことがあるが、これは単に便宜のためにすぎない。ある図面のどの特徴も、他の任意の図面のどの特徴とも組み合わせて参照および/または特許請求することができる。   Although specific features of various embodiments of the disclosure may be shown in some drawings and not in others, this is for convenience only. Any feature of a drawing may be referenced and / or claimed in combination with any feature of any other drawing.

本明細書では諸例を用いて、ベストモードを含めて本開示を開示し、また当業者が本開示の主題を実施することを、任意のデバイスまたはシステムを作製および使用すること、および組み込まれる任意の方法を実施することを含めて可能にしている。様々な具体的な実施形態を上記で開示したが、当業者には、特許請求の趣旨及び範囲で、等しく効果的な修正形態が可能であることが理解されよう。特に、上述の実施形態の相互に非排他的な特徴は、互いに組み合わされ得る。特許を受けることができる範囲は、特許請求の範囲によって規定され、こうした修正形態及び、当業者に想到される他の例も含むことができる。このような他の例は、それが特許請求の範囲の文字通りの言葉と相違しない構造要素を有する場合、または特許請求の範囲の文字通りの言葉とは実質的な違いがない等価の構造要素を有する場合には、特許請求の範囲内にあるものとする。   This specification uses examples to disclose the present disclosure, including the best mode, and to make and use any device or system, and to incorporate those skilled in the art to implement the subject matter of the present disclosure. Including the implementation of any method. While various specific embodiments have been disclosed above, those skilled in the art will recognize that equally effective modifications are possible within the spirit and scope of the claims. In particular, mutually non-exclusive features of the embodiments described above can be combined with each other. The patentable scope is defined by the claims, and may include such modifications and other examples that occur to those skilled in the art. Such other examples have equivalent structural elements that have structural elements that do not differ from the literal words in the claims or that do not differ substantially from the literal words in the claims. In that case, it is within the scope of the claims.

Claims (15)

基板に材料をスパッタリングするための回転ターゲット(10)を有する、回転カソード用のシールド装置(20)であって、
− 前記回転ターゲット(10)の一部をカバーするように構成されたシールド(21)、及び
− 前記シールド(21)を前記回転ターゲット(10)に接続するための固定具(80)を備え、
前記固定具(80)は、
前記シールド(21)が、前記回転ターゲットの軸方向に、基本的に前記回転ターゲット(10)の中心(13)から離れて膨張することができるよう、前記シールド(21)と係合するように構成される、装置(20)。
A shield device (20) for a rotating cathode having a rotating target (10) for sputtering material onto a substrate,
A shield (21) configured to cover a portion of the rotating target (10), and a fixture (80) for connecting the shield (21) to the rotating target (10),
The fixture (80)
The shield (21) engages with the shield (21) so that it can expand in the axial direction of the rotary target, essentially away from the center (13) of the rotary target (10). Configured device (20).
前記シールド(21)は、前記シールドの上端から50%以内、具体的には20%以内である前記シールド(21)の軸位置で、前記固定具(80)に接続可能である、請求項1に記載の装置(20)。   The shield (21) is connectable to the fixture (80) at an axial position of the shield (21) within 50%, specifically within 20% of the upper end of the shield. (20). 前記固定具(80)は、回転ターゲットの軸方向と垂直な方向に、前記回転ターゲット(10)から一定の距離で前記シールド(21)を保持するように構成される、請求項1または2に記載の装置(20)。   3. The fixture (80) according to claim 1 or 2, wherein the fixture (80) is configured to hold the shield (21) at a constant distance from the rotary target (10) in a direction perpendicular to the axial direction of the rotary target. The device (20) described. 前記固定具(80)は、前記回転ターゲットの前記軸方向と垂直な方向に、前記回転ターゲット(10)から、1.5mmから4.5mmまでの間の一定の距離(41)で前記シールド(21)を保持するように構成される、請求項3に記載の装置(20)。   The fixture (80) is arranged at a constant distance (41) between 1.5 mm and 4.5 mm from the rotating target (10) in a direction perpendicular to the axial direction of the rotating target. The device (20) of claim 3, wherein the device (20) is configured to hold 21). 前記シールド(21)の重心は、前記シールドを回転ターゲットに接続する前記固定具(80)よりも下である、請求項1から4のいずれか一項に記載の装置(20)。   The apparatus (20) according to any one of claims 1 to 4, wherein the center of gravity of the shield (21) is below the fixture (80) connecting the shield to a rotating target. 前記シールド(21)を、前記シールドの軸方向と垂直な方向に安定させるためのガイド装置(90)をさらに含む、請求項1から5のいずれか一項に記載の装置(20)。   The device (20) according to any one of the preceding claims, further comprising a guide device (90) for stabilizing the shield (21) in a direction perpendicular to the axial direction of the shield. 前記ガイド装置(90)は前記シールド(21)との接点において摩擦低減部を含む、請求項6に記載の装置(20)。   The device (20) according to claim 6, wherein the guide device (90) comprises a friction reduction part at the point of contact with the shield (21). 前記摩擦低減部は前記シールド(21)と一緒に可動である、請求項7に記載の装置(20)。   The device (20) according to claim 7, wherein the friction reduction part is movable together with the shield (21). 固定具(80)及び/またはガイド装置(90)は絶縁材料を含み、前記絶縁材料はオプションで耐熱プラスチックを含む、請求項1から8のいずれか一項に記載の装置(20)。   The device (20) according to any one of the preceding claims, wherein the fixture (80) and / or the guide device (90) comprises an insulating material, the insulating material optionally comprising a heat-resistant plastic. 固定具(80)は、シールド(21)を吊り下げるためのPEEKリングを備える、請求項1から9のいずれか一項に記載の装置(20)。   The device (20) according to any one of the preceding claims, wherein the fixture (80) comprises a PEEK ring for suspending the shield (21). 堆積機器内の基板上にスパッタリングされるための材料を有する回転ターゲット(10)であって、前記回転ターゲットは、請求項1から10のいずれか一項に記載のシールド装置を接続するため、外周に沿って第1ノッチ(11)を備える、回転ターゲット(10)。   11. A rotary target (10) having a material to be sputtered onto a substrate in a deposition apparatus, the rotary target being connected to a shield device according to any one of claims 1 to 10, A rotating target (10) comprising a first notch (11) along the axis. 前記回転ターゲット(10)は、前記シールドと前記回転ターゲットが互いに対して基本的に同一平面であるようにして前記シールド(21)の少なくとも一部を収容するため、外周に沿って第2ノッチ(12)を含む、請求項11に記載の回転ターゲット(10)。   The rotating target (10) receives at least a portion of the shield (21) so that the shield and the rotating target are basically flush with each other, so that a second notch ( 12. A rotating target (10) according to claim 11, comprising 12). 第1ノッチ(11)は前記第2ノッチ(12)内に配置される、請求項12に記載の回転ターゲット(10)。   The rotating target (10) according to claim 12, wherein a first notch (11) is arranged in the second notch (12). 堆積機器の動作の間、堆積機器内の暗部領域をシールドする方法であって、
− シールド(21)を前記堆積機器の回転ターゲット(10)に接続するための固定具(80)を提供することと、
− 前記堆積機器内の前記暗部領域をシールドするため、前記回転ターゲット(10)の一部をカバーする前記シールド(21)を形成するように複数のパートを組み立てることとを含み、
前記シールド(21)は、前記回転機器の動作の間、前記シールドが前記回転ターゲットの軸方向に、基本的に前記回転ターゲット(10)の中心から離れて膨張するようにして前記回転ターゲットと係合するように組み立てられる、方法。
A method of shielding a dark area in a deposition device during operation of the deposition device, comprising:
Providing a fixture (80) for connecting a shield (21) to a rotating target (10) of the deposition apparatus;
Assembling a plurality of parts to form the shield (21) covering a portion of the rotating target (10) to shield the dark area in the deposition apparatus;
The shield (21) is engaged with the rotary target so that the shield expands in the axial direction of the rotary target, basically away from the center of the rotary target (10) during operation of the rotary device. A method that is assembled to fit.
基板上に材料をスパッタリングするための回転ターゲット(10)を有する回転カソード用のシールド装置(20)であって、前記装置は、
− 前記回転ターゲット(10)の一部をカバーするように構成されたシールド(21)、及び
− 前記シールド(21)を前記回転ターゲット(10)に接続するための固定具(80)を備え、
前記固定具(80)は、前記シールド(21)が前記回転ターゲットの軸方向に、基本的に前記回転ターゲット(10)の中心(13)から離れて膨張するようにして前記シールドと係合するように構成され、前記固定具(80)は、前記回転ターゲットの前記軸方向と垂直な方向に、前記回転ターゲット(10)から一定の距離で前記シールド(21)を保持するように構成され、かつ前記シールド装置は、
− 前記シールドを、前記シールドの前記軸方向と垂直な方向に安定させるためのガイド装置(90)、及び
− 堆積機器内の基板上にスパッタリングされる材料を有する回転ターゲット(10)をさらに備え、
前記回転ターゲット(10)は、前記シールド装置(20)を接続するため、外周に沿って第1ノッチ(11)を備える、装置(20)。
A rotating cathode shielding device (20) having a rotating target (10) for sputtering material on a substrate, the device comprising:
A shield (21) configured to cover a portion of the rotating target (10), and a fixture (80) for connecting the shield (21) to the rotating target (10),
The fixture (80) engages the shield such that the shield (21) expands in the axial direction of the rotary target, essentially away from the center (13) of the rotary target (10). The fixture (80) is configured to hold the shield (21) at a certain distance from the rotary target (10) in a direction perpendicular to the axial direction of the rotary target, And the shield device is
-A guide device (90) for stabilizing the shield in a direction perpendicular to the axial direction of the shield; and- a rotating target (10) comprising a material sputtered onto a substrate in a deposition apparatus;
The rotary target (10) comprises a first notch (11) along the outer periphery for connecting the shield device (20).
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