JP2017229001A - Imaging apparatus and distance measuring apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、撮像装置および測距装置に関する。 The present invention relates to an imaging device and a distance measuring device.
対象物へ照射した光の反射光を受光することにより、対象物までの距離を測定する光飛行時間(TOF;Time of Flight)計測法が知られている(例えば特許文献1)。このような方法により対象物までの距離を測定する際、同時に対象物の画像を得ることは困難であった。 An optical time-of-flight (TOF) measurement method for measuring a distance to an object by receiving reflected light of light irradiated on the object is known (for example, Patent Document 1). When measuring the distance to the object by such a method, it is difficult to obtain an image of the object at the same time.
第1の態様によると、撮像装置は、変調光を含む入射光の一部を光電変換して残りを透過する第1撮像素子と、前記入射光の残りを光電変換する第2撮像素子と、前記第1撮像素子と前記第2撮像素子との一方が出力した信号に含まれる前記変調光の信号により被写体距離を演算する演算部と、を備える。
第2の態様によると、測距装置は、変調光を含む入射光の一部を光電変換して残りを透過する第1撮像素子と、前記入射光の残りを光電変換する第2撮像素子と、前記第1撮像素子と前記第2撮像素子との一方が出力した信号に含まれる前記変調光の信号により被写体距離を演算する演算部と、を備える。
According to the first aspect, the imaging apparatus includes: a first imaging element that photoelectrically converts a part of incident light including modulated light and transmits the remainder; a second imaging element that photoelectrically converts the remainder of the incident light; A computing unit that computes a subject distance based on the modulated light signal included in a signal output from one of the first image sensor and the second image sensor.
According to the second aspect, the distance measuring device includes a first image sensor that photoelectrically converts a part of incident light including modulated light and transmits the remaining light, and a second image sensor that photoelectrically converts the remaining incident light. A calculation unit that calculates a subject distance based on a signal of the modulated light included in a signal output from one of the first image sensor and the second image sensor.
(第1の実施の形態)
図1は、第1の実施の形態に係る撮像装置の構成を模式的に示す断面図である。撮像装置1は、光源部10、撮像光学系11、撮像部12、および制御部13を備える。
(First embodiment)
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the imaging apparatus according to the first embodiment. The
光源部10は、被測定物2に対して測定光束3を放出する。測定光束3は、例えば可視光である。測定光束3のうち、被測定物2の表面で反射した反射光束4aは、撮像光学系11を通過して撮像部12に入射する。被測定物2には、測定光束3の他に、例えば太陽や街灯などの光源6からの光束(背景光5)も放出される。測定光束3による反射光束4aに加えて、背景光5による反射光束4bも撮像光学系11を通過して撮像部12に入射する。撮像部12は、例えばCMOSイメージセンサである。なお、詳細は後述するが、撮像部12は2層の光電変換部を有しており、1回の撮像により2種類の信号を同時に得ることができるように構成されている。
The
制御部13は、不図示のCPUおよびその周辺回路により構成される。制御部13は、所定の制御プログラムを読み込んで実行することにより、撮像装置1全体を制御する。制御部13は、第1測距部13a、第2測距部13b、第1画像作成部13c、および第2画像作成部13dを有する。制御部13が有するこれらの各部は、上記の制御プログラムによりソフトウェア的に実現される。なお、制御部13が有するこれらの各部を、同等の機能を有する電子回路等により構成してもよい。これらの各部の働きについては後に詳述する。
The
(撮像部12の説明)
図2は、撮像部12を模式的に示す斜視図である。撮像部12は、第1撮像素子12aおよび第2撮像素子12bを積層した構造を有する。第1撮像素子12aは、有機光電変換膜による複数の第1撮像画素30aを有する。第2撮像素子12bは、フォトダイオードによる複数の第2撮像画素30bを有する。被測定物2からの入射光は、まず第1撮像素子12aの第1撮像画素30aに入射する。
(Description of the imaging unit 12)
FIG. 2 is a perspective view schematically showing the
第1撮像素子12aは、シアン、マゼンタ、イエローの各色に感度を有する3種類の第1撮像画素30aを有する。第1撮像画素30aは、入射光のうち、それら各色に対応する波長域の光のみを光電変換する。シアンに対応する第1撮像画素30aは、シアンの色情報を有する信号を出力する。同様に、マゼンタに対応する第1撮像画素30aは、マゼンタの色情報を有する信号を出力し、イエローに対応する第1撮像画素30aは、イエローの色情報を有する信号を出力する。
The
第1撮像画素30aへの入射光のうち、光電変換されなかった残りの光は、第1撮像画素30aを通過し、下方に設けられた第2撮像画素30bに入射する。シアンに対応する第1撮像画素30aの下方に設けられた第2撮像画素30bは、シアンの光以外の光(シアンの補色、すなわち赤色の光を光電変換し、赤色の色情報を有する信号を出力する。同様に、マゼンタに対応する第1撮像画素30aの下方に設けられた第2撮像画素30bは、マゼンタの光以外の光(マゼンタの補色、すなわち緑色の光を光電変換し、緑色の色情報を有する信号を出力する。イエローに対応する第1撮像画素30aの下方に設けられた第2撮像画素30bは、イエローの光以外の光(イエローの補色、すなわち青色の光を光電変換し、青色の色情報を有する信号を出力する。
Of the light incident on the
図3(a)は、撮像部12の構成を模式的に示す断面図である。図3(a)の紙面上側が、被測定物2からの光束の入射面である。すなわち被測定物2からの光束は、図2(a)の紙面上側から紙面下側に向かって入射する。撮像部12の最下層はシリコン基板120である。シリコン基板120の上層には、配線層130、下部電極114、有機光電変換膜112、共通電極113、マイクロレンズ111が順に配置されている。
FIG. 3A is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the
シリコン基板120には、フォトダイオードPDや不図示の信号読み出し回路などが形成されている。配線層130には、個別電極114やフォトダイオードPD、不図示の信号読み出し回路などを互いに接続する配線が形成されている。有機光電変換膜112は、可視光を吸収し、吸収した光の量に応じた量の電荷(電子正孔対)を生成する。
On the
有機光電変換膜112の一方の面(上面)には、透明な共通電極113が設けられている。有機光電変換膜112の他方の面(下面)には、透明な個別電極114が設けられている。有機光電変換膜112は、全ての撮像画素部121に共通な1枚の薄膜として形成されている。共通電極113は、全ての撮像画素部121について共通な1つの電極として設けられている。共通電極113には、所定の正電圧Vpcが印加される。個別電極114は、撮像画素部121ごとに互いに分離して設けられている。個別電極114は、共通電極113と対向するように設けられている。
A transparent
被測定物2からの光束は、マイクロレンズ111を通過し、シリコン基板120内に形成されたフォトダイオードPDに入射する。フォトダイオードPDは、入射した光束の光量に応じた量の信号電荷を生成する。
The light beam from the
マイクロレンズ111は、入射光をフォトダイオードPDに向けて集光する。マイクロレンズ111は、フォトダイオードPDの受光面に結像面を有する。換言すると、マイクロレンズ111は、被測定物2の像をフォトダイオードPDに結像させる。
The
図3(b)は、第1撮像画素30aを模式的に示す平面図である。第1撮像画素30aに含まれる個別電極114は、光軸を通過する直線に対して線対称な一対の第1個別電極114aおよび第2個別電極114bとして構成される。第1撮像画素30aは、図3(b)に図示した第1個別電極114aおよび第2個別電極114bが占める領域に入射した光を光電変換した結果に基づく信号を出力する。第1撮像画素30aは、第1個別電極114aが占める領域に入射した光を光電変換した結果に基づく信号と、第2個別電極114bが占める領域に入射した光を光電変換した結果に基づく信号と、を個別に出力する。つまり第1撮像画素30aは、第1個別電極114aによる光電変換部と、第2個別電極114bによる光電変換部とを有している。
FIG. 3B is a plan view schematically showing the
図3(c)は、第2撮像画素30bを模式的に示す平面図である。第2撮像画素30bに含まれるフォトダイオードPDは、図3(b)に図示した一対の第1個別電極114aおよび第2個別電極114bが占める領域を全て含むように形成される。
FIG. 3C is a plan view schematically showing the
以上のように構成された第1撮像画素30aは、撮像光学系11の一対の瞳領域をそれぞれ通過した一対の光束を、それぞれ個別に光電変換した一対の信号を出力する。これに対して、第2撮像画素30bは、それら一対の瞳領域を含む1つの瞳領域を通過した光束を光電変換した信号を出力する。
The
図4(a)は、第1撮像素子12aにおける第1撮像画素30aの配列を模式的に示す平面図であり、図4(b)は、第2撮像素子12bにおける第2撮像画素30bの配列を模式的に示す平面図である。図4(a)において、「Cy」「Mg」「Ye」という文字は、それぞれシアン、マゼンタ、イエローの各色に対応する第1撮像画素30aを示す。図4(b)において、「R」「G」「B」という文字は、それぞれ赤、緑、青の各色に対応する第2撮像画素30bを示す。第2撮像画素30bは、いわゆるベイヤ配列を為すように配列される。第1撮像画素30aは、第2撮像画素30bと補色関係になるように配列される。
FIG. 4A is a plan view schematically showing the arrangement of the
図5は、第1撮像画素30aおよび第2撮像画素30bの回路図である。第1撮像画素30aは、共通電極113、有機光電変換膜112、第1個別電極114a、第2個別電極114b、第1リセットトランジスタRST1、第2リセットトランジスタRST2、第1増幅トランジスタAMP1、第2増幅トランジスタAMP2、第1選択トランジスタSEL1、および第2選択トランジスタSEL2を有する。
FIG. 5 is a circuit diagram of the
共通電極113には、所定の正電圧Vpcが印加される。第1個別電極114aには、有機光電変換膜112により吸収された(光電変換された)光量に応じた量の電荷(正孔)が蓄積される。第1リセットトランジスタRST1は、第1リセット信号φRST1に従って、第1個別電極114aに蓄積されている電荷を所定電圧Vrefによりリセットする。第1増幅トランジスタAMP1は、第1個別電極114aに蓄積されている電荷に応じた信号を、所定電圧Vccに基づき出力する。第1選択トランジスタSEL1は、第1選択信号φSEL1に従って、第1増幅トランジスタAMP1から出力された信号を、この第1撮像画素30aからの第1信号として所定の出力信号線に出力する。
A predetermined positive voltage Vpc is applied to the
第2リセットトランジスタRST2は、第2リセット信号φRST2に従って、第2個別電極114bに蓄積されている電荷を所定電圧Vrefによりリセットする。第2増幅トランジスタAMP2は、第2個別電極114bに蓄積されている電荷に応じた信号を、所定電圧Vccに基づき出力する。第2選択トランジスタSEL2は、第2選択信号φSEL2に従って、第2増幅トランジスタAMP2から出力された信号を、この第1撮像画素30aからの第2信号として所定の出力信号線に出力する。
The second reset transistor RST2 resets the electric charge accumulated in the second
第2撮像画素30bは、フォトダイオードPD、転送トランジスタTX、第3リセットトランジスタRST3、第3増幅トランジスタAMP3、および第3選択トランジスタSEL3を有する。フォトダイオードPDは、入射光を光電変換して光量に応じた量の電荷を生成する。転送トランジスタTXは、転送信号φTXに従って、フォトダイオードPDにより生成された電荷を、いわゆるフローティングディフュージョンFDに転送する。第3リセットトランジスタRST3は、第3リセット信号φRST3に従って、フォトダイオードPDおよびフローティングディフュージョンFDに蓄積されている電荷を所定電圧Vccによりリセットする。第3増幅トランジスタAMP3は、フローティングディフュージョンFDに蓄積されている電荷に応じた信号を、所定電圧Vccに基づき出力する。第3選択トランジスタSEL3は、第3選択信号φSEL3に従って、第3増幅トランジスタAMP3から出力された信号を、この第2撮像画素30bからの第3信号として所定の出力信号線に出力する。
The
(第1測距部13aの説明)
第1測距部13aは、第1撮像画素30aにより出力された第1信号および第2信号から、被測定物2までの距離を測定する。第1測距部13aは、いわゆる光飛行時間(Time of Flight)計測法により、被測定物2までの距離を測定する。
(Description of the first
The first
図6は、第1測距部13aによる測距動作のタイミングチャートである。図6の横軸は、紙面左方向から紙面右方向に向かって時間の経過を示し、図6の縦軸は、光量および信号量を示す。なお、図6では説明を簡単にするため、1つの第1撮像画素30aに注目して説明を行い、第1選択信号φSEL1および第2選択信号φSEL2については図示および説明を省略する。
FIG. 6 is a timing chart of the distance measuring operation by the first
図6において、第1サンプルホールド信号とは、第1信号を所定周期ごとにサンプリングし保持した信号である。また、第2サンプルホールド信号とは、第2信号を所定周期ごとにサンプリングし保持した信号である。 In FIG. 6, the first sample hold signal is a signal obtained by sampling and holding the first signal at predetermined intervals. The second sample hold signal is a signal obtained by sampling and holding the second signal every predetermined period.
時刻t1に、制御部13は第1リセット信号φRST1をHレベルにする。これにより、第1個別電極114aがリセットされ、第1信号および第1サンプルホールド信号がHレベルになる。その後の時刻t2に、制御部13は第2リセット信号φRST2をHレベルにする。これにより、第2個別電極114bがリセットされ、第2信号および第2サンプルホールド信号がHレベルになる。
At time t1, the
その後の時刻t3に、制御部13は、光源部10から被測定物2に向けてパルス光を放出させる。このパルス光のパルス幅はToである。これと同時に、制御部13は、所定時間Taごとに第1リセット信号φRST1のHレベルとLレベルを繰り返し変化させ続ける。また、制御部13は、第1リセット信号φRST1を反転した信号(HレベルとLレベルを逆転させた信号)を第2リセット信号φRSTとして出力する。つまり、第1撮像画素30aからは、所定時間Taの期間に入射した光が光電変換された第1信号と、その直後の所定時間Taの期間に入射した光が光電変換された第2信号とが繰り返し出力される。換言すると、入射光を所定時間Taごとに交互に光電変換した結果が、第1信号および第2信号として出力される。
Thereafter, at time t <b> 3, the
光源部10から放出されたパルス光は、被測定物2により反射され、反射光束4aとして第1撮像画素30aに入射する。反射光束4aが第1撮像画素30aに入射する時刻t4は、パルス光を放出した時刻t3から遅れ時間Tdだけ遅れる。遅れ時間Tdは、被測定物2の距離に応じた時間である。例えば被測定物2が遠ければ遠いほど、遅れ時間Tdは大きくなる。
The pulsed light emitted from the
第1撮像画素30aには、反射光束4aとは別に、背景光5による反射光束4bが入射し続けている。従って、反射光束4aが入射しない間、第1撮像画素30aから出力される第1信号および第2信号は、環境光の光量に応じた大きさになる。第1サンプルホールド信号および第2サンプルホールド信号も同様である。第1サンプルホールド信号と第2サンプルホールド信号とを、位相を180度ずらして差を取った差信号は、反射光束4bが一定である限り、ゼロとなる。
In addition to the reflected
これに対して、反射光束4aが入射するときには、第1撮像画素30aから出力される第1信号および第2信号は、環境光の光量と反射光束4aの光量とを加算した光量に応じた大きさになる。第1サンプルホールド信号および第2サンプルホールド信号も同様である。従って、第1サンプルホールド信号と第2サンプルホールド信号とを、位相を180度ずらして差を取った差信号には、反射光束4aの光量が反映される。
On the other hand, when the reflected
制御部13は、光源部10から被測定物2に対して一定時間Taごとに繰り返しパルス光を放出させる。このとき差信号は、パルス光および反射光束4aと同一の周波数成分を有する。従って、差信号から、パルス光と反射光束4aとの位相差(すなわち遅れ時間Td)を検出することができる。遅れ時間Tdは光速と被測定物2までの距離とにより決定されるので、遅れ時間Tdが判明すれば、被測定物2までの距離を算出することができる。
The
図7は、差信号からパルス光と反射光束4aとの位相差φを算出する方法を示す説明図である。なお図7では、説明を簡単にするため、光源部10からパルス光ではなく正弦波の光を放出した場合について説明するが、パルス光でも同様の処理により位相差φを得ることができる。このとき、差信号はASin(ωt―φ)と表記することができる。この差信号に対して、参照信号Sin(ωt)および参照信号Cos(ωt)を乗算すると、前者はA/2(cos(―φ)―cos(2ωt―φ))となり、後者はA/2(sin(―φ)+sin(2ωt―φ))となる。この2つの信号に対してローパスフィルタを適用すると、A/2(cos(―φ))、A/2(sin(―φ))という信号が得られる。位相差φは、これら2つから、arctan(―sin(―φ)/cos(―φ))を演算することにより算出される。
FIG. 7 is an explanatory diagram showing a method of calculating the phase difference φ between the pulsed light and the reflected
制御部13は、第1測距部13aにより測定された第1撮像画素30aごとの距離を、例えば二次元状に配列してデプスマップを作成し、不図示の記憶媒体に記憶する。また、第1測距部13aにより測定された第1撮像画素30aごとの距離を、撮像光学系11の焦点調節に利用することもできる。
The
(第2測距部13bの説明)
第2測距部13bは、第1撮像画素30aにより出力された信号から、被測定物2までの距離を測定する。第2測距部13bは、いわゆる瞳分割方式の位相差検出法により、被測定物2までの距離を測定する。
(Description of the second
The second
第2測距部13bは、X方向に並んだ複数の第1撮像画素30aの各々から、第1個別電極114aに対応する信号をそれぞれ取得して配列した第1の信号列と、第2個別電極114bに対応する信号をそれぞれ取得して配列した第2の信号列とを生成する。
The second
第2測距部13bは、第1の信号列と第2の信号列との相関を、第1の信号列と第2の信号列とを少しずつシフトさせながら繰り返し演算し、相関量が極小となるシフト量を求める。ここで求められた相関量が極小となるシフト量は、撮像光学系11のデフォーカス量に応じた量となる。相関量が極小となるシフト量に所定の係数を乗じることで、撮像光学系11のデフォーカス量が算出できる。
The second
第2測距部13bは、撮像光学系11のデフォーカス量と、撮像光学系11の現在の撮影距離(フォーカス位置)とから、被測定物2までの距離を算出する。例えば、撮像光学系11の現在の撮影距離が1メートルであり、撮像光学系11のデフォーカス量が0である場合、撮像装置1から被測定物2までの距離は1メートルである。デフォーカス量の正負は、撮像光学系11の現在の撮影距離よりも被測定物2が近い(遠い)ことを示しており、デフォーカス量の絶対値の大小は、その近さ(遠さ)を示している。従って、例えば撮影距離に応じて予め定められた係数を乗じることで、被測定物2までの距離を算出することができる。
The second
制御部13は、第2測距部13bにより測定された被測定物2の各部分の距離を、例えば二次元状に配列してデプスマップを作成し、不図示の記憶媒体に記憶する。また、第2測距部13bにより測定された距離やデフォーカス量を、撮像光学系11の焦点調節に利用することもできる。
The
(第1画像作成部13cの説明)
第1画像作成部13cは、第1撮像画素30aにより出力された信号から、被測定物2の画像データを作成する。第1画像作成部13cは、1つの第1撮像画素30aにより出力された一対の信号を加算した加算信号を、その第1撮像画素30aに対応する撮像信号と見なす。第1画像作成部13cは、そのようにして作成された第1撮像画素30aの各々に対応する撮像信号に対して、周知のデモザイク処理や種々の画像処理(ホワイトバランスの調整など)を施すことにより、被測定物2の画像データを作成する。制御部13は、第1画像作成部13cにより作成された画像データを、例えば不図示の記憶媒体に記憶したり、不図示の表示装置に表示したりする。また、第1測距部13aや第2測距部13bにより測定された距離に基づくデプスマップと、第1画像作成部13cにより作成された画像データとを関連付けて、不図示の記憶媒体に記憶してもよい。
(Description of first
The first
(第2画像作成部13dの説明)
第2画像作成部13dは、第2撮像画素30bにより出力された信号から、被測定物2の画像データを作成する。第2画像作成部13dは、第2撮像画素30bの各々に対応する信号に対して、周知のデモザイク処理や種々の画像処理(ホワイトバランスの調整など)を施すことにより、被測定物2の画像データを作成する。制御部13は、第2画像作成部13dにより作成された画像データを、例えば不図示の記憶媒体に記憶したり、不図示の表示装置に表示したりする。また、第1測距部13aや第2測距部13bにより測定された距離に基づくデプスマップと、第2画像作成部13dにより作成された画像データとを関連付けて、不図示の記憶媒体に記憶してもよい。
(Description of second
The second
上述した実施の形態によれば、次の作用効果が得られる。
(1)第1撮像素子12aは、変調光を含む入射光の一部を光電変換して残りを透過する。第2撮像素子12bは、入射光の残りを光電変換する。第1測距部13aは、第1撮像素子12aが出力した第1信号に含まれる測定光束3の信号により被写体距離を演算する。このようにしたので、被測定物2までの距離の測定と同時に、測距用でない通常の信号を得ることができる。
According to the embodiment described above, the following operational effects can be obtained.
(1) The
(2)第2画像作成部13dは、第2撮像素子12bが出力した第3信号により画像データを生成する。このようにしたので、被測定物2までの距離の測定と同時に、被測定物2の画像データを得ることができる。
(2) The second
(3)第1撮像素子12aは光電変換部を有する第1撮像画素30aを備える。第2撮像素子12bは光電変換部を有する第2撮像画素30bを備える。第1撮像画素30aは、図3(b)に示すように、第1個別電極114aによる光電変換部と、第2個別電極114bによる光電変換部とを有している。第1測距部13aは、第1期間において第1個別電極114aに対応する光電変換部による光電変換の結果に基づく第1信号と、第1期間とは異なる第2期間において第2個別電極114bに対応する光電変換部による光電変換の結果に基づく第2信号とにより測定光束3の信号を検出する。このようにしたので、被測定物2の同一部位からの反射光束4aに基づき距離を測定することができる。
(3) The
(4)マイクロレンズ111は、第1個別電極114aによる光電変換部および第2個別電極114bによる光電変換部の受光面に結像面を有する。第2測距部13bは、第1個別電極114aに対応する光電変換部による光電変換の結果に基づく第1信号と、第2個別電極114bに対応する光電変換部による光電変換の結果に基づく第2信号と、の相関を演算することにより被写体距離を測定する。このようにしたので、いわゆるToF法による被写体距離と、いわゆる像面位相差方式による被写体距離とを共に得ることができる。更に、第2画像作成部13dにより作成される画像の画質と、第2測距部13bにより測定される距離の精度と、が共に向上する。
(4) The
(第2の実施の形態)
上述した第1の実施の形態では、光源部10から放出したパルス光と、その反射光束4aとの位相差φを検出することにより、遅れ時間Tdを求めていた。第2の実施の形態に係る撮像装置の第1測距部13aは、位相差φを介さず、遅れ時間Tdを直接検出する。以下、第2の実施の形態に係る第1測距部13aの動作について説明する。なお、第1の実施の形態と同一の箇所については説明を省略する。
(Second Embodiment)
In the above-described first embodiment, the delay time Td is obtained by detecting the phase difference φ between the pulsed light emitted from the
図8は、第1測距部13aによる測距動作のタイミングチャートである。図8の横軸は、紙面左方向から紙面右方向に向かって時間の経過を示し、図8の縦軸は、光量および信号量を示す。なお、図8では説明を簡単にするため、1つの第1撮像画素30aに注目して説明を行い、第1選択信号φSEL1および第2選択信号φSEL2については図示および説明を省略する。
FIG. 8 is a timing chart of the distance measuring operation by the first
時刻t11に、制御部13は第1リセット信号φRST1をHレベルにする。これにより、第1個別電極114aがリセットされ、第1信号がHレベルになる。その後の時刻t12に、制御部13は第2リセット信号φRST2をHレベルにする。これにより、第2個別電極114bがリセットされ、第2信号がHレベルになる。
At time t11, the
その後の時刻t13に、制御部13は、光源部10から被測定物2に向けてパルス光を放出させる。このパルス光のパルス幅はToである。つまり、パルス光は時刻t3から時間Toの間だけ放出される。これと同時に、制御部13は、第1リセット信号φRST1を時間Toの間だけLレベルにする。その後、時間Toが経過した後の時刻t14に、制御部13は、第1リセット信号φRST1をHレベルにすると共に、第2リセット信号φRST2をLレベルにする。その後、時間Toが経過した後の時刻t15に、制御部13は、第2リセット信号φRST2をHレベルにする。つまり、第1撮像画素30aからは、時刻t13から時刻t14までの期間に入射した光が光電変換された第1信号と、時刻t14から時刻t15までの期間に入射した光が光電変換された第2信号とが出力される。
Thereafter, at time t <b> 13, the
その後の時刻t16に、制御部13は、第1リセット信号φRST1を時間Toの間だけLレベルにする。その後、時間Toが経過した後の時刻t17に、制御部13は、第1リセット信号φRST1をHレベルにすると共に、第2リセット信号φRST2をLレベルにする。その後、時間Toが経過した後の時刻t18に、制御部13は、第2リセット信号φRST2をHレベルにする。つまり、第1撮像画素30aからは、時刻t16から時刻t17までの期間に入射した光が光電変換された第1信号と、時刻t17から時刻t18までの期間に入射した光が光電変換された第2信号とが出力される。
At subsequent time t16, the
光源部10から放出されたパルス光は、被測定物2により反射され、反射光束4aとして第1撮像画素30aに入射する。反射光束4aが第1撮像画素30aに入射する時刻t19は、パルス光を放出した時刻t13から遅れ時間Tdだけ遅れる。遅れ時間Tdは、被測定物2の距離に応じた時間である。例えば被測定物2が遠ければ遠いほど、遅れ時間Tdは大きくなる。
The pulsed light emitted from the
第1撮像画素30aには、反射光束4aとは別に、背景光5による反射光束4bが入射し続けている。従って、反射光束4aが入射しない間、第1撮像画素30aから出力される第1信号および第2信号は、環境光の光量に応じた大きさQoになる。
In addition to the reflected
これに対して、反射光束4aが入射するときには、第1撮像画素30aから出力される第1信号および第2信号は、それぞれ、環境光の光量と反射光束4aの光量とを加算した光量に応じた大きさQA’、QB’になる。遅れ時間Tdが小さいほど、QA’が相対的に大きくなり、QB’が相対的に小さくなる。逆に、遅れ時間Tdが大きいと、QA’が相対的に小さくなり、QB’が相対的に大きくなる。
On the other hand, when the reflected
第1測距部13aは、時間t13から時間t14の間の光電変換の結果得られた第1信号および第2信号から、上記のQA’およびQB’を得る。第1測距部13aは、時間t14から時間t15の間の光電変換の結果得られた第1信号または第2信号から、上記のQoを得る。第1測距部13aは、QA’、QB’からそれぞれQoを減算することにより、反射光束4aの光量を示す信号量QA、QBを得る。第1測距部13aは、QAとQBの比から、遅れ時間Tdを演算する。
The first
上述した実施の形態によれば、第1の実施の形態と同様の作用効果が得られる。 According to the embodiment described above, the same operational effects as those of the first embodiment can be obtained.
(変形例1)
第2撮像画素30bにより出力される第3信号には、光源部10からのパルス光の成分が含まれてしまう。そこで、第2画像作成部13dが、第3信号からパルス光のパルスカウント分を減算して画像データを作成するようにしてもよい。つまり第2画像作成部13dが、第3信号からパルス光の成分を減算して画像データを作成するようにしてもよい。このようにすることで、第2画像作成部13dにより作成される画像データの画質が向上する。
(Modification 1)
The third signal output from the
(変形例2)
第2測距部13bによる距離の測定(瞳分割方式による測距)が必要ない場合には、マイクロレンズ111を省略してもよい。この場合には、例えば有機光電変換膜112とフォトダイオードPDをより近づける、隣接するフォトダイオードPD間に隔壁を設ける等の方法により、隣接する第2撮像画素30b間のクロストークを抑止することが望ましい。なお、この場合においても、第1測距部13aによる距離の測定(ToF法による測距)は可能である。
(Modification 2)
If the distance measurement by the second
(変形例3)
一部の第2撮像画素30bについて、フォトダイオードPDを図3(b)に示すように一対に分割し、第2測距部13bがそれら一対のフォトダイオードPDからの信号に基づき被写体距離を演算するようにしてもよい。この場合において、分割された一対のフォトダイオードPDの各々に対応する一対の読み出し回路を設けてもよいし、一対のフォトダイオードPDに対して読み出し回路を1つだけ設け、信号の読み出しを異なるタイミングで行う(時分割的に行う)ようにしてもよい。
(Modification 3)
For some of the
また、マイクロレンズ111がフォトダイオードPDに像を結ばないようにしてもよい。そのようなマイクロレンズの例を図9に示す。マイクロレンズ111が像を結ばずに入射光を拡散させるようにしたり、マイクロレンズ111がフォトダイオードPDよりも更に深い部分に像を結ぶようにしたりすることで、第1測距部13aにより測定される距離(ToF法による測距)の精度が向上する。
Further, the
また、マイクロレンズ111が下部電極114やその近傍に像を結ぶようにしてもよい。このようにすることで、第2測距部13bにより測定される距離(瞳分割方式による測距)の精度が向上する。また、第1画像作成部13cにより作成される画像の画質も向上する。
Further, the
更に、それらを組み合わせてもよい。例えば、撮像面の一部にはフォトダイオードPDに像を結ばないマイクロレンズ111を配置し(もしくはマイクロレンズ111を配置せず)、撮像面の別の一部ではフォトダイオードPDを図3(b)に示すように一対に分割し、撮像面の残りの部分には第1の実施の形態で示したマイクロレンズ111を配置する。このようにすることで、測距精度と画質とを両立させることができる。
Furthermore, they may be combined. For example, a
(変形例4)
図2(a)に図示したように、撮像部12は、いわゆる表面照射型の構造を有しているが、配線層130をフォトダイオードPDの裏面に移動させた、いわゆる裏面照射型の構造としてもよい。この場合において、第1撮像画素30aからの信号は、例えば有機光電変換膜112の近傍に薄膜トランジスタによる信号読み出し回路(図5に例示した回路)を形成することにより読み出す。あるいは、シリコン基板120に第1撮像画素30aの信号読み出し回路を形成し、その信号読み出し回路と個別電極114とを、シリコン基板120を貫通する貫通電極により接続してもよい。
(Modification 4)
As shown in FIG. 2A, the
(変形例5)
有機光電変換膜など、フォトダイオードPDとは異なる光電変換部材を、フォトダイオードPDの代わりに配置してもよい。つまり、第2撮像画素30bが、フォトダイオードPD以外の光電変換部を有するようにしてもよい。
(Modification 5)
A photoelectric conversion member different from the photodiode PD, such as an organic photoelectric conversion film, may be disposed instead of the photodiode PD. That is, the
(変形例6)
有機光電変換膜112に、シアン、マゼンタ、イエローの各色とは異なる波長域への感度を持たせてもよい。例えば、有機光電変換膜112が、赤外光を吸収し可視光を透過するようにしてもよい。この場合、有機光電変換膜112の前後いずれかに、赤、緑、青の各色に対応する波長域の光のみを通過させるカラーフィルタを配置し、下層のフォトダイオードPDに、それら各色の光のみが入射するようにすることが望ましい。
(Modification 6)
The organic
1…撮像装置、13…制御部、13a…第1測距部、13b…第2測距部、13c…第1画像作成部、13d…第2画像作成部、30…撮像画素、30a…第1撮像画素、30b…第2撮像画素、112…有機光電変換膜、PD…フォトダイオード
DESCRIPTION OF
Claims (10)
前記入射光の残りを光電変換する第2撮像素子と、
前記第1撮像素子と前記第2撮像素子との一方が出力した信号に含まれる前記変調光の信号により被写体距離を演算する演算部と、
を備える撮像装置。 A first imaging element that photoelectrically converts a part of incident light including modulated light and transmits the remainder;
A second image sensor that photoelectrically converts the remainder of the incident light;
A calculation unit that calculates a subject distance based on a signal of the modulated light included in a signal output from one of the first image sensor and the second image sensor;
An imaging apparatus comprising:
前記第1撮像素子と前記第2撮像素子との他方が出力した信号により画像データを生成する画像生成部を更に備える撮像装置。 The imaging device according to claim 1,
An imaging apparatus further comprising an image generation unit that generates image data based on a signal output from the other of the first imaging element and the second imaging element.
前記第1撮像素子および前記第2撮像素子は光電変換部を有する画素を備え、前記第1撮像素子と前記第2撮像素子との一方は、前記画素に第1光電変換部および第2光電変換部を有し、
前記演算部は、第1期間において前記第1光電変換部が出力した信号と、前記第1期間とは異なる第2期間において前記第2光電変換部の他方が出力した信号とにより前記変調光の信号を検出する撮像装置。 The imaging device according to claim 2,
The first image sensor and the second image sensor each include a pixel having a photoelectric conversion unit, and one of the first image sensor and the second image sensor has a first photoelectric conversion unit and a second photoelectric conversion on the pixel. Part
The arithmetic unit is configured to output the modulated light based on a signal output from the first photoelectric conversion unit in a first period and a signal output from the other of the second photoelectric conversion units in a second period different from the first period. An imaging device that detects a signal.
前記第1光電変換部および前記第2光電変換部の受光面に結像面を有するマイクロレンズを更に備え、
前記演算部は、前記第1光電変換部が出力した信号と、前記第2光電変換部が出力した信号と、の相関を演算することにより被写体距離を演算する撮像装置。 The imaging device according to claim 3.
A microlens having an imaging surface on the light receiving surfaces of the first photoelectric conversion unit and the second photoelectric conversion unit;
The imaging device calculates an object distance by calculating a correlation between a signal output from the first photoelectric conversion unit and a signal output from the second photoelectric conversion unit.
前記第1撮像素子と前記第2撮像素子との一方は、第3光電変換部および第4光電変換部を有する、前記第1光電変換部および前記第2光電変換部を有する前記画素とは異なる画素を更に備え、
前記第3光電変換部および前記第4光電変換部の受光面に結像面を有するマイクロレンズを更に備え、
前記演算部は、前記第3光電変換部が出力した信号と、前記第4光電変換部が出力した信号と、の相関を演算することにより被写体距離を演算する撮像装置。 The imaging device according to claim 3.
One of the first image sensor and the second image sensor has a third photoelectric conversion unit and a fourth photoelectric conversion unit, and is different from the pixel having the first photoelectric conversion unit and the second photoelectric conversion unit. Further comprising pixels,
A microlens having an imaging surface on the light receiving surfaces of the third photoelectric conversion unit and the fourth photoelectric conversion unit;
The imaging unit calculates an object distance by calculating a correlation between a signal output from the third photoelectric conversion unit and a signal output from the fourth photoelectric conversion unit.
前記演算部は、前記第1撮像素子が出力した信号に含まれる前記変調光の信号により被写体距離を演算し、
前記画像生成部は、前記第2撮像素子により出力された信号から前記画像データを生成する撮像装置。 In the imaging device according to any one of claims 2 to 5,
The calculation unit calculates a subject distance based on the modulated light signal included in the signal output from the first image sensor,
The image generating unit generates the image data from a signal output from the second image sensor.
前記画像生成部は、前記第2撮像素子により出力された信号から前記変調光の信号を減算して前記画像データを生成する撮像装置。 In the imaging device according to any one of claims 2 to 6,
The imaging apparatus, wherein the image generation unit generates the image data by subtracting a signal of the modulated light from a signal output from the second imaging element.
所定のデューティ比を有するパルス波または所定の周波数を有する正弦波の波形を有する前記変調光を被写体に向けて放出する光源部を更に備える撮像装置。 In the imaging device according to any one of claims 1 to 7,
An imaging apparatus further comprising a light source unit that emits the modulated light having a pulse wave having a predetermined duty ratio or a sinusoidal waveform having a predetermined frequency toward a subject.
前記第1撮像素子と前記第2撮像素子との一方は、有機光電変換膜により光電変換を行う撮像装置。 In the imaging device according to any one of claims 1 to 8,
One of the first imaging element and the second imaging element is an imaging apparatus that performs photoelectric conversion by an organic photoelectric conversion film.
前記入射光の残りを光電変換する第2撮像素子と、
前記第1撮像素子と前記第2撮像素子との一方が出力した信号に含まれる前記変調光の信号により被写体距離を演算する演算部と、
を備える測距装置。
A first imaging element that photoelectrically converts a part of incident light including modulated light and transmits the remainder;
A second image sensor that photoelectrically converts the remainder of the incident light;
A calculation unit that calculates a subject distance based on a signal of the modulated light included in a signal output from one of the first image sensor and the second image sensor;
Ranging device comprising.
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