JP6716902B2 - Electronics - Google Patents

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Description

本発明は、電子機器に関する。 The present invention relates to electronic devices.

対象物へ照射した光の反射光を受光することにより、対象物までの距離を測定する、光飛行時間(TOF;Time of Flight)計測法が知られている(例えば特許文献1)。TOF計測法では環境により測距の精度が低下するという問題が知られている。 A time-of-flight (TOF) measuring method is known in which the distance to an object is measured by receiving the reflected light of the light applied to the object (for example, Patent Document 1). It is known that the TOF measurement method has a problem that the accuracy of distance measurement decreases depending on the environment.

特許第5395323号公報Patent No. 5395323

第1の態様による電子機器は、光学系の第1の瞳領域を通過した被写体からの光を光電変換して電荷を生成する第1光電変換部と、前記第1光電変換部で生成された電荷に基づく信号を出力する第1出力部および第2出力部とを有する第1画素と、前記第1の瞳領域とは異なる第2の瞳領域を通過した前記被写体からの光を光電変換して電荷を生成する第2光電変換部と、前記第2光電変換部で生成された電荷に基づく信号を出力する第3出力部および第4出力部とを有する第2画素と有する撮像部と、前記第1出力部から出力された信号と前記第3出力部から出力された信号とに基づいて、前記被写体までの距離を測定する第1測距部と、前記第1出力部から出力された信号および前記第2出力部から出力された信号と、前記第3出力部から出力された信号および前記第4出力部から出力された信号と、の少なくとも一方に基づいて、前記被写体までの距離を測定する第2測距部と、を備える。
第2の態様による電子機器は、光学系の第1の瞳領域を通過した被写体からの光を光電変換して電荷を生成する第1光電変換部と、前記第1光電変換部で生成された電荷に基づく信号を出力する第1出力部および第2出力部とを有する第1画素と、前記第1の瞳領域とは異なる第2の瞳領域を通過した前記被写体からの光を光電変換して電荷を生成する第2光電変換部と、前記第2光電変換部で生成された電荷に基づく信号を出力する第3出力部および第4出力部とを有する第2画素と有する撮像部と、前記第1出力部から出力された信号と前記第3出力部から出力された信号とに基づいて、前記撮像部から前記被写体までの距離を測定する第1測距部と、前記第1出力部から出力された信号および前記第2出力部から出力された信号と、前記第3出力部から出力された信号および前記第4出力部から出力された信号と、の少なくとも一方に基づいて、前記被写体までの距離を測定する第2測距部と、前記第1測距部による測定と前記第2測距部による測定とのうちの一方を選択可能である制御部と、を備える。
The electronic device according to the first aspect includes a first photoelectric conversion unit that photoelectrically converts light from a subject that has passed through the first pupil region of the optical system to generate electric charges, and the first photoelectric conversion unit. A first pixel having a first output section and a second output section that output a signal based on electric charge, and photoelectrically convert light from the subject that has passed through a second pupil area different from the first pupil area. a second photoelectric conversion unit that generates charges Te, and the imaging unit and a second pixel and a third output portion and a fourth output unit for outputting a signal based on the electric charge produced in the second photoelectric conversion unit A first distance measuring unit that measures a distance to the subject based on a signal output from the first output unit and a signal output from the third output unit; and an output from the first output unit. To the object based on at least one of the signal output from the third output unit and the signal output from the third output unit and the signal output from the second output unit. A second distance measuring unit for measuring
The electronic device according to the second aspect includes a first photoelectric conversion unit that photoelectrically converts light from a subject that has passed through the first pupil region of the optical system to generate electric charges, and the first photoelectric conversion unit. A first pixel having a first output section and a second output section that output a signal based on electric charge, and photoelectrically convert light from the subject that has passed through a second pupil area different from the first pupil area. a second photoelectric conversion unit that generates charges Te, and the imaging unit and a second pixel and a third output portion and a fourth output unit for outputting a signal based on the electric charge produced in the second photoelectric conversion unit A first distance measuring unit that measures a distance from the imaging unit to the subject based on a signal output from the first output unit and a signal output from the third output unit , and the first output Based on at least one of a signal output from a unit and a signal output from the second output unit, and a signal output from the third output unit and a signal output from the fourth output unit, A second distance measuring unit that measures the distance to the subject, and a control unit that can select one of the measurement by the first distance measuring unit and the measurement by the second distance measuring unit .

第1の実施の形態に係る撮像装置の構成を模式的に示す断面図である。It is a sectional view showing typically composition of an imaging device concerning a 1st embodiment. 撮像部12の構成を模式的に示すブロック図である。3 is a block diagram schematically showing the configuration of the image pickup unit 12. FIG. 横ブロック21aの構成を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the horizontal block 21a typically. 非測距用画素301および第1測距用画素302aの回路構成を示す図である。It is a figure which shows the circuit structure of the non-ranging pixel 301 and the 1st ranging pixel 302a. 制御部13が有する受信回路53の回路構成を示す図である。3 is a diagram showing a circuit configuration of a receiving circuit 53 included in the control unit 13. FIG. 非測距用画素301の構成を模式的に示す図である。It is a figure which shows the structure of the non-ranging pixel 301 typically. 第1測距用画素302aおよび第2測距用画素302bの構成を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the structure of the pixel 302a for 1st ranging, and the pixel 302b for 2nd ranging. 縦ブロック21bの構成を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the vertical block 21b typically. 制御部13が実行する焦点調節処理のフローチャートである。7 is a flowchart of a focus adjustment process executed by the control unit 13. 撮像部12の撮像面の一部を模式的に示す平面図である。3 is a plan view schematically showing a part of the image pickup surface of the image pickup section 12. FIG. 第1画素303aの拡大図であるIt is an enlarged view of the 1st pixel 303a. 受信回路53の変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of the receiving circuit 53.

(第1の実施の形態)
図1は、第1の実施の形態に係る撮像装置の構成を模式的に示す断面図である。撮像装置1は、光源部10、撮像光学系11、撮像部12、および制御部13を備える。
(First embodiment)
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the image pickup apparatus according to the first embodiment. The image pickup apparatus 1 includes a light source unit 10, an image pickup optical system 11, an image pickup unit 12, and a control unit 13.

光源部10は、被測定物2に対して測定光束3を放出する。測定光束3は、例えば可視光である。なお、測定光束3を赤外光としてもよい。測定光束3のうち、被測定物2の表面で反射した反射光束4は、撮像光学系11を通過して撮像部12に入射する。撮像部12は、例えば裏面照射型のCMOSイメージセンサである。 The light source unit 10 emits the measurement light beam 3 to the DUT 2. The measurement light beam 3 is, for example, visible light. The measurement light beam 3 may be infrared light. Of the measurement light flux 3, the reflected light flux 4 reflected by the surface of the DUT 2 passes through the imaging optical system 11 and enters the imaging unit 12. The imaging unit 12 is, for example, a backside illumination type CMOS image sensor.

制御部13は、不図示のCPUおよびその周辺回路により構成される。制御部13は、所定の制御プログラムを読み込んで実行することにより、撮像装置1全体を制御する。制御部13は、第1測距部13a、第2測距部13b、測光部13c、および焦点調節部13dを有する。制御部13が有するこれらの各部は、上記の制御プログラムによりソフトウェア的に実現される。なお、制御部13が有するこれらの各部を、同等の機能を有する電子回路等により構成してもよい。 The control unit 13 includes a CPU (not shown) and its peripheral circuits. The control unit 13 controls the entire imaging device 1 by reading and executing a predetermined control program. The control unit 13 includes a first distance measuring unit 13a, a second distance measuring unit 13b, a photometric unit 13c, and a focus adjusting unit 13d. Each of these units included in the control unit 13 is realized as software by the above control program. Each of these units included in the control unit 13 may be configured by an electronic circuit or the like having an equivalent function.

第1測距部13aおよび第2測距部13bは、撮像部12により出力された光電変換信号に基づき、被測定物2までの距離を測定する(測距する)。第1測距部13aと第2測距部13bは、それぞれ異なる方式で測距を行う。測光部13cは、撮像部12により出力された光電変換信号に基づき、被測定物2を測光する。なお、撮像装置1に撮像部12とは異なる光センサ等を設け、測光部13cがその光センサ等の出力に基づき被測定物2を測光するようにしてもよい。焦点調節部13dは、撮像光学系11の焦点調節を行う。 The first distance measuring unit 13a and the second distance measuring unit 13b measure (distance measuring) the distance to the DUT 2 based on the photoelectric conversion signal output from the imaging unit 12. The first distance measuring unit 13a and the second distance measuring unit 13b perform distance measurement by different methods. The photometric unit 13c measures the object 2 to be measured based on the photoelectric conversion signal output from the imaging unit 12. Note that the image pickup device 1 may be provided with an optical sensor or the like different from the image pickup unit 12, and the photometric unit 13c may measure the object 2 to be measured based on the output of the optical sensor or the like. The focus adjustment unit 13d adjusts the focus of the imaging optical system 11.

図2は、撮像部12の構成を模式的に示すブロック図である。撮像部12の撮像面20は、横6×縦4の計24個のブロック21から成る。撮像面20には、5つの測距領域22が設けられている。5つの測距領域22のうち3つは、横長の測距領域22aであり、残りの2つは縦長の測距領域22bである。第1測距部13aおよび第2測距部13bは、5つの測距領域22の各々について測距を行う。 FIG. 2 is a block diagram schematically showing the configuration of the image pickup unit 12. The image pickup surface 20 of the image pickup unit 12 is composed of a total of 24 blocks 21 each of which is horizontal 6×vertical 4. Five distance measuring areas 22 are provided on the imaging surface 20. Three of the five distance measuring areas 22 are horizontally long distance measuring areas 22a, and the remaining two are vertically long distance measuring areas 22b. The first distance measurement unit 13a and the second distance measurement unit 13b perform distance measurement for each of the five distance measurement areas 22.

24個のブロック21は、それぞれ、いずれかの測距領域22の一部を含む。24個のブロック21のうち16個は、横長の測距領域22aの一部を含む横ブロック21aである。残りの8個は、縦長の測距領域22bの一部を含む縦ブロック21bである。 Each of the 24 blocks 21 includes a part of one of the distance measurement areas 22. Sixteen of the 24 blocks 21 are horizontal blocks 21a including a part of the horizontally long distance measuring area 22a. The remaining eight are vertical blocks 21b including a part of the vertically long distance measuring area 22b.

撮像部12は、水平走査回路23と、垂直走査回路24とを有している。水平走査回路23および垂直走査回路24は、ブロック21毎に、そのブロック21に含まれる撮像画素を走査し、光電変換信号を読み出す。 The imaging unit 12 has a horizontal scanning circuit 23 and a vertical scanning circuit 24. For each block 21, the horizontal scanning circuit 23 and the vertical scanning circuit 24 scan the image pickup pixels included in the block 21 and read out photoelectric conversion signals.

図3は、横ブロック21aの構成を模式的に示す平面図である。横ブロック21aには、複数の撮像画素30が二次元状に配列されている。それら複数の撮像画素30には、非測距用画素301と、第1測距用画素302aと、第2測距用画素302bと、の3種類の画素が含まれる。横長の測距領域22a内には、第1測距用画素302aと、第2測距用画素302bとが横方向(x方向)に互い違いに配列される。それ以外の場所には、非測距用画素301が配列される。 FIG. 3 is a plan view schematically showing the configuration of the horizontal block 21a. A plurality of imaging pixels 30 are two-dimensionally arranged in the horizontal block 21a. The plurality of imaging pixels 30 include three types of pixels: a non-distance measuring pixel 301, a first distance measuring pixel 302a, and a second distance measuring pixel 302b. In the horizontally long distance measuring area 22a, the first distance measuring pixels 302a and the second distance measuring pixels 302b are arranged alternately in the horizontal direction (x direction). Non-ranging pixels 301 are arranged at other locations.

横ブロック21aに配列された複数の撮像画素30は、光電変換信号の読み出し時、まず1行目が同時に読み出され、次に2行目以降が順次読み出される。従って、横長の測距領域22a内の第1測距用画素302aおよび第2測距用画素302bから読み出される光電変換信号は、同時性を有している。 In the plurality of imaging pixels 30 arranged in the horizontal block 21a, when the photoelectric conversion signal is read, the first row is read at the same time, and then the second row and thereafter are sequentially read. Therefore, the photoelectric conversion signals read from the first distance measuring pixel 302a and the second distance measuring pixel 302b in the horizontally long distance measuring area 22a have simultaneity.

図4は、非測距用画素301および第1測距用画素302aの回路構成を示す図である。非測距用画素301は、フォトダイオードPD、転送トランジスタTX、リセットトランジスタRST、選択トランジスタSEL、および増幅トランジスタAMPを有している。 FIG. 4 is a diagram showing a circuit configuration of the non-ranging pixel 301 and the first ranging pixel 302a. The non-distance measuring pixel 301 has a photodiode PD, a transfer transistor TX, a reset transistor RST, a selection transistor SEL, and an amplification transistor AMP.

フォトダイオードPDは、入射光を光電変換して信号電荷を生成する。生成された信号電荷は、転送トランジスタTXを介してフローティングディフュージョンFDに転送される。増幅トランジスタAMPは、フローティングディフュージョンFDに蓄積されている信号電荷の量に応じた信号を選択トランジスタSELに出力する。垂直走査回路24が選択トランジスタSELをオンすると、フローティングディフュージョンFDに蓄積されている信号電荷の量に応じた信号が制御部13に出力される。フローティングディフュージョンFDに転送された信号電荷は、リセットトランジスタRSTのオンオフによりリセットされる。 The photodiode PD photoelectrically converts incident light to generate signal charges. The generated signal charge is transferred to the floating diffusion FD via the transfer transistor TX. The amplification transistor AMP outputs a signal corresponding to the amount of signal charge accumulated in the floating diffusion FD to the selection transistor SEL. When the vertical scanning circuit 24 turns on the selection transistor SEL, a signal corresponding to the amount of signal charges accumulated in the floating diffusion FD is output to the control unit 13. The signal charge transferred to the floating diffusion FD is reset by turning on/off the reset transistor RST.

以下の説明では、便宜上、転送トランジスタTX、選択トランジスタSEL、および増幅トランジスタAMPを含む部分を出力部50と称する。出力部50は、フォトダイオードPDによる光電変換信号を制御部13に出力する。制御部13は、列ごとに1つの受信回路53を有している。受信回路53は、出力部50により出力された光電変換信号を受信する回路である。受信回路53の構成については後に詳述する。 In the following description, for convenience, a portion including the transfer transistor TX, the selection transistor SEL, and the amplification transistor AMP is referred to as an output unit 50. The output unit 50 outputs the photoelectric conversion signal from the photodiode PD to the control unit 13. The control unit 13 has one receiving circuit 53 for each column. The receiving circuit 53 is a circuit that receives the photoelectric conversion signal output by the output unit 50. The configuration of the receiving circuit 53 will be described later in detail.

第1測距用画素302aは、フォトダイオードPDa、第1転送トランジスタTX1、第1リセットトランジスタRST1、第1選択トランジスタSEL1、第1増幅トランジスタAMP1、第2転送トランジスタTX2、第2リセットトランジスタRST2、第2選択トランジスタSEL2、および第2増幅トランジスタAMP2を有している。 The first distance measuring pixel 302a includes a photodiode PDa, a first transfer transistor TX1, a first reset transistor RST1, a first selection transistor SEL1, a first amplification transistor AMP1, a second transfer transistor TX2, a second reset transistor RST2, and a second reset transistor RST2. The second selection transistor SEL2 and the second amplification transistor AMP2 are included.

第1転送トランジスタTX1、第1リセットトランジスタRST1、第1選択トランジスタSEL1、および第1増幅トランジスタAMP1は、それぞれ、非測距用画素301が有する転送トランジスタTX、リセットトランジスタRST、選択トランジスタSEL、および増幅トランジスタAMPと同様に働く。第2転送トランジスタTX2、第2リセットトランジスタRST2、第2選択トランジスタSEL2、および第2増幅トランジスタAMP2について同様である。 The first transfer transistor TX1, the first reset transistor RST1, the first selection transistor SEL1, and the first amplification transistor AMP1 are respectively the transfer transistor TX, the reset transistor RST, the selection transistor SEL, and the amplification which the non-ranging pixel 301 has. Works like the transistor AMP. The same applies to the second transfer transistor TX2, the second reset transistor RST2, the second selection transistor SEL2, and the second amplification transistor AMP2.

つまり、第1測距用画素302aは、非測距用画素301の出力部50に相当する回路を2セット有している。以下の説明では、便宜上、第1転送トランジスタTX1、第1選択トランジスタSEL1、および第1増幅トランジスタAMP1を含む部分を第1出力部51と称し、第2転送トランジスタTX2、第2選択トランジスタSEL2、および第2増幅トランジスタAMP2を含む部分を第2出力部52と称する。第1測距用画素302aは、フォトダイオードPDaが生成した信号電荷を、第1出力部51および第2出力部52から別個に読み出すことが可能に構成されている。 That is, the first distance measuring pixel 302a has two sets of circuits corresponding to the output section 50 of the non-distance measuring pixel 301. In the following description, for convenience, a portion including the first transfer transistor TX1, the first selection transistor SEL1, and the first amplification transistor AMP1 is referred to as a first output unit 51, and the second transfer transistor TX2, the second selection transistor SEL2, and A portion including the second amplification transistor AMP2 is referred to as a second output unit 52. The first distance measuring pixel 302a is configured to be able to separately read the signal charges generated by the photodiode PDa from the first output section 51 and the second output section 52.

制御部13は、第1測距用画素302aまたは第2測距用画素302bを含む列に対しては、列ごとに2つの受信回路53を有している。一方の受信回路53は、第1出力部51により出力された光電変換信号を受信する回路である。他方の受信回路53は、第2出力部52により出力された光電変換信号を受信する回路である。 The control unit 13 has two receiving circuits 53 for each column for the column including the first distance measuring pixel 302a or the second distance measuring pixel 302b. One receiving circuit 53 is a circuit that receives the photoelectric conversion signal output by the first output unit 51. The other receiving circuit 53 is a circuit that receives the photoelectric conversion signal output by the second output unit 52.

なお、第2測距用画素302bの回路構成は、第1測距用画素302aと同一であるため説明を省略する。 The circuit configuration of the second distance measuring pixel 302b is the same as that of the first distance measuring pixel 302a, and thus the description thereof is omitted.

図5は、制御部13が有する受信回路53の回路構成を示す図である。受信回路53は、相関二重サンプリング(CDS)により、受信した光電変換信号からノイズ成分を取り除く。受信回路53は、ノイズ成分を取り除いた光電変換信号をデジタル値に変換する。受信回路53は、光電変換信号を変換したデジタル値を出力する。 FIG. 5 is a diagram showing a circuit configuration of the receiving circuit 53 included in the control unit 13. The receiving circuit 53 removes a noise component from the received photoelectric conversion signal by correlated double sampling (CDS). The receiving circuit 53 converts the photoelectric conversion signal from which the noise component has been removed into a digital value. The receiving circuit 53 outputs a digital value obtained by converting the photoelectric conversion signal.

受信回路53は、撮像画素30をリセットした直後のフィードスルー期間を紙面上側のスイッチ531でクランプする。受信回路53は、光電変換信号の出力期間を紙面下側のスイッチ532でクランプする。その後、受信回路53は、スイッチ533とスイッチ534とをオンして、クランプした電圧を差動アンプ535に入力し、2つの電圧の差分を取る。受信回路53は、差動アンプ535の出力をAD変換器536で例えば12ビットのデジタル値に変換して出力する。以上のように、制御部13は、アンプ雑音とリセット雑音を除去したデジタル値を画素値として読み出すことができる。 The receiving circuit 53 clamps the feedthrough period immediately after resetting the imaging pixel 30 with the switch 531 on the upper side of the drawing. The receiving circuit 53 clamps the output period of the photoelectric conversion signal with the switch 532 on the lower side of the drawing. After that, the receiving circuit 53 turns on the switch 533 and the switch 534, inputs the clamped voltage to the differential amplifier 535, and takes the difference between the two voltages. The receiving circuit 53 converts the output of the differential amplifier 535 into a 12-bit digital value by the AD converter 536 and outputs the digital value. As described above, the control unit 13 can read the digital value from which the amplifier noise and the reset noise have been removed as the pixel value.

図6(a)は、非測距用画素301の構成を模式的に示す断面図であり、図6(b)は、非測距用画素301の構成を模式的に示す平面図である。図6(a)の紙面上側が、被測定物2からの光束の入射面である。すなわち被測定物2からの光束は、図6(a)の紙面上側から紙面下側に向かって入射する。撮像部12の最下層は配線層40である。配線層40の上層には、シリコン基板41、マイクロレンズ43が順に配置されている。 6A is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the non-distance measuring pixel 301, and FIG. 6B is a plan view schematically showing the configuration of the non-distance measuring pixel 301. The upper side of the paper surface of FIG. 6A is the incident surface of the light flux from the DUT 2. That is, the light flux from the DUT 2 is incident from the upper side of the paper surface of FIG. The lowermost layer of the imaging unit 12 is the wiring layer 40. On the upper layer of the wiring layer 40, a silicon substrate 41 and a microlens 43 are sequentially arranged.

シリコン基板41には、フォトダイオードPD、ソース・ドレイン電極45、および画素分離構造46が形成されている。画素分離構造46は、非測距用画素31同士を電気的に分離する構造である。画素分離構造46は、例えば、いわゆるSTI(シャロートレンチアイソレーション)である。ソース・ドレイン電極45は、図4に示した転送トランジスタTXのソース電極やドレイン電極である。 A photodiode PD, a source/drain electrode 45, and a pixel separation structure 46 are formed on the silicon substrate 41. The pixel separation structure 46 is a structure that electrically separates the non-distance measuring pixels 31 from each other. The pixel isolation structure 46 is, for example, so-called STI (shallow trench isolation). The source/drain electrodes 45 are the source electrode and the drain electrode of the transfer transistor TX shown in FIG.

配線層40には、ゲート電極47および配線48が形成されている。ゲート電極47は、図4に示した転送トランジスタTXのゲート電極である。配線48は、非測距用画素301の各回路を構成する配線である。 A gate electrode 47 and a wiring 48 are formed on the wiring layer 40. The gate electrode 47 is the gate electrode of the transfer transistor TX shown in FIG. The wiring 48 is a wiring that configures each circuit of the non-ranging pixel 301.

被測定物2からの光束は、マイクロレンズ43を通過し、シリコン基板41内に形成されたフォトダイオードPDに入射する。フォトダイオードPDは、入射した光束の光量に応じた量の信号電荷を生成する。図6(b)に示すように、フォトダイオードPDは集光効率を高めるため、表面積を可能な限り大きくしている。以上のように構成されたフォトダイオードPDは、撮像光学系11の射出瞳の全体を通過した光束を受光する。 The light flux from the DUT 2 passes through the microlens 43 and enters the photodiode PD formed in the silicon substrate 41. The photodiode PD generates an amount of signal charge according to the amount of light of the incident light flux. As shown in FIG. 6B, the surface area of the photodiode PD is made as large as possible in order to improve the light collection efficiency. The photodiode PD configured as described above receives the light flux that has passed through the entire exit pupil of the imaging optical system 11.

図7(a)は、第1測距用画素302aおよび第2測距用画素302bの構成を模式的に示す断面図であり、図7(b)は、第1測距用画素302aおよび第2測距用画素302bの構成を模式的に示す平面図である。 FIG. 7A is a sectional view schematically showing the configuration of the first distance measuring pixel 302a and the second distance measuring pixel 302b, and FIG. 7B is a sectional view showing the first distance measuring pixel 302a and the first distance measuring pixel 302a. It is a top view which shows typically the structure of the 2nd distance measurement pixel 302b.

第1測距用画素302aは、マイクロレンズ43aおよびフォトダイオードPDaを有する。フォトダイオードPDaは、図6(b)に示すように、マイクロレンズ43aの右半分に偏って配置される。マイクロレンズ43aとシリコン基板41との間には、遮光部材42が配置されている。遮光部材42は、マイクロレンズ43aの左半分を覆うように配置される。 The first distance measuring pixel 302a has a microlens 43a and a photodiode PDa. As shown in FIG. 6B, the photodiode PDa is arranged biased to the right half of the microlens 43a. A light blocking member 42 is arranged between the microlens 43a and the silicon substrate 41. The light blocking member 42 is arranged so as to cover the left half of the microlens 43a.

以上のように構成されたフォトダイオードPDaは、撮像光学系11の射出瞳の全体のうち、一部の瞳領域(マイクロレンズ43aの右半分に対応する瞳領域)を通過した光束を受光する。残りの領域を通過した光束は、遮光部材42により阻まれ、フォトダイオードPDaに到達しない。 The photodiode PDa configured as described above receives the light flux that has passed through a partial pupil region (pupil region corresponding to the right half of the microlens 43a) of the entire exit pupil of the imaging optical system 11. The light flux that has passed through the remaining area is blocked by the light blocking member 42 and does not reach the photodiode PDa.

シリコン基板41には、フォトダイオードPDa、ソース・ドレイン電極45、および画素分離構造46が形成されている。ソース・ドレイン電極45は、図4に示した転送トランジスタTX1、TX2のソース電極やドレイン電極である。 A photodiode PDa, a source/drain electrode 45, and a pixel separation structure 46 are formed on the silicon substrate 41. The source/drain electrodes 45 are the source electrodes and drain electrodes of the transfer transistors TX1 and TX2 shown in FIG.

配線層40には、ゲート電極471、472および配線48aが形成されている。ゲート電極471は、図4に示した転送トランジスタTX1のゲート電極である。ゲート電極472は、図4に示した転送トランジスタTX2のゲート電極である。配線48aは、第1測距用画素302aの各回路を構成する配線である。 Gate electrodes 471 and 472 and a wiring 48 a are formed on the wiring layer 40. The gate electrode 471 is the gate electrode of the transfer transistor TX1 shown in FIG. The gate electrode 472 is the gate electrode of the transfer transistor TX2 shown in FIG. The wiring 48a is a wiring configuring each circuit of the first distance measuring pixel 302a.

ゲート電極471、472と配線48aは、共に遮光部材42の下部に配置されている。従って、マイクロレンズ43aを通過した光束は、これらの各部に到達しない。これにより、これらの各部は光電効果による影響を受けない。 The gate electrodes 471 and 472 and the wiring 48 a are both arranged under the light shielding member 42. Therefore, the light flux that has passed through the microlens 43a does not reach these portions. As a result, these parts are not affected by the photoelectric effect.

第2測距用画素302bは、マイクロレンズ43bおよびフォトダイオードPDbを有する。フォトダイオードPDbは、図6(b)に示すように、マイクロレンズ43bの左半分に偏って配置される。マイクロレンズ43bとシリコン基板41との間には、遮光部材42が配置されている。遮光部材42は、マイクロレンズ43bの右半分を覆うように配置される。 The second distance measuring pixel 302b has a microlens 43b and a photodiode PDb. As shown in FIG. 6B, the photodiode PDb is arranged biased to the left half of the microlens 43b. A light blocking member 42 is arranged between the microlens 43b and the silicon substrate 41. The light blocking member 42 is arranged so as to cover the right half of the microlens 43b.

以上のように構成されたフォトダイオードPDbは、撮像光学系11の射出瞳の全体のうち、一部の瞳領域(マイクロレンズ43bの左半分に対応する領域)を通過した光束を受光する。残りの領域を通過した光束は、遮光部材42により阻まれ、フォトダイオードPDbに到達しない。 The photodiode PDb configured as described above receives a light flux that has passed through a partial pupil region (a region corresponding to the left half of the microlens 43b) of the entire exit pupil of the imaging optical system 11. The light flux that has passed through the remaining area is blocked by the light blocking member 42 and does not reach the photodiode PDb.

シリコン基板41には、フォトダイオードPDb、ソース・ドレイン電極45、および画素分離構造46が形成されている。ソース・ドレイン電極45は、図4に示した転送トランジスタTX1、TX2のソース電極やドレイン電極である。 A photodiode PDb, a source/drain electrode 45, and a pixel separation structure 46 are formed on the silicon substrate 41. The source/drain electrodes 45 are the source electrodes and drain electrodes of the transfer transistors TX1 and TX2 shown in FIG.

配線層40には、ゲート電極473、474および配線48bが形成されている。ゲート電極473は、図4に示した転送トランジスタTX1のゲート電極である。ゲート電極474は、図4に示した転送トランジスタTX2のゲート電極である。配線48bは、第2測距用画素302bの各回路を構成する配線である。 Gate electrodes 473 and 474 and a wiring 48b are formed on the wiring layer 40. The gate electrode 473 is the gate electrode of the transfer transistor TX1 shown in FIG. The gate electrode 474 is the gate electrode of the transfer transistor TX2 shown in FIG. The wiring 48b is a wiring forming each circuit of the second distance measuring pixel 302b.

ゲート電極473、474と配線48bは、共に遮光部材42の下部に配置されている。従って、マイクロレンズ43bを通過した光束は、これらの各部に到達しない。これにより、これらの各部は光電効果による影響を受けない。 The gate electrodes 473 and 474 and the wiring 48b are both arranged under the light shielding member 42. Therefore, the light flux that has passed through the microlens 43b does not reach these portions. As a result, these parts are not affected by the photoelectric effect.

図8は、縦ブロック21bの構成を模式的に示す平面図である。縦ブロック21bには、複数の撮像画素30が二次元状に配列されている。それら複数の撮像画素30には、非測距用画素301と、第3測距用画素302cと、第4測距用画素302dと、の3種類の画素が含まれる。縦長の測距領域22b内には、第3測距用画素302cと、第4測距用画素302dとが縦方向(y方向)に互い違いに配列される。それ以外の場所には、非測距用画素301が配列される。 FIG. 8 is a plan view schematically showing the configuration of the vertical block 21b. A plurality of imaging pixels 30 are two-dimensionally arranged in the vertical block 21b. The plurality of imaging pixels 30 include three types of pixels, a non-distance measuring pixel 301, a third distance measuring pixel 302c, and a fourth distance measuring pixel 302d. In the vertically long distance measuring area 22b, the third distance measuring pixels 302c and the fourth distance measuring pixels 302d are arranged alternately in the vertical direction (y direction). Non-ranging pixels 301 are arranged at other locations.

縦ブロック21bに配列された複数の撮像画素30は、光電変換信号の読み出し時、まず1列目が同時に読み出され、次に2列目以降が順次読み出される。従って、縦長の測距領域22b内の第3測距用画素302cおよび第4測距用画素302dから読み出される光電変換信号は、同時性を有している。 In the plurality of imaging pixels 30 arranged in the vertical block 21b, when the photoelectric conversion signal is read, first the first column is read simultaneously, and then the second and subsequent columns are sequentially read. Therefore, the photoelectric conversion signals read from the third distance measuring pixel 302c and the fourth distance measuring pixel 302d in the vertically long distance measuring area 22b have simultaneity.

第3測距用画素302cは、xy平面上の第1測距用画素302aを時計回りに90度回転させた構成を有している。すなわち、第3測距用画素302cは、マイクロレンズおよびフォトダイオードを有する。そのフォトダイオードは、マイクロレンズの下半分に偏って配置される。第3測距用画素302cは、そのマイクロレンズの上半分を覆うように配置された遮光部材を有している。従って、第3測距用画素302cが有するフォトダイオードは、撮像光学系11の射出瞳の全体のうち、第1測距用画素302aとも第2測距用画素302bとも異なる一部の瞳領域(マイクロレンズの下半分に対応する瞳領域)を通過した光束を受光する。 The third distance measuring pixel 302c has a configuration in which the first distance measuring pixel 302a on the xy plane is rotated clockwise by 90 degrees. That is, the third distance measuring pixel 302c has a microlens and a photodiode. The photodiode is arranged in a biased manner in the lower half of the microlens. The third distance measuring pixel 302c has a light shielding member arranged so as to cover the upper half of the microlens. Therefore, the photodiode included in the third distance measuring pixel 302c is a partial pupil area (different from the first distance measuring pixel 302a and the second distance measuring pixel 302b) in the entire exit pupil of the imaging optical system 11. The light flux that has passed through the pupil area corresponding to the lower half of the microlens is received.

第4測距用画素302dは、xy平面上の第2測距用画素302bを時計回りに90度回転させた構成を有している。すなわち、第4測距用画素302dは、マイクロレンズおよびフォトダイオードを有する。そのフォトダイオードは、マイクロレンズの上半分に偏って配置される。第4測距用画素302dは、そのマイクロレンズの下半分を覆うように配置された遮光部材を有している。従って、第4測距用画素302dが有するフォトダイオードは、撮像光学系11の射出瞳の全体のうち、第1測距用画素302aとも第2測距用画素302bとも第3測距用画素302cとも異なる一部の瞳領域(マイクロレンズの上半分に対応する瞳領域域)を通過した光束を受光する。 The fourth distance measuring pixel 302d has a configuration in which the second distance measuring pixel 302b on the xy plane is rotated clockwise by 90 degrees. That is, the fourth distance measuring pixel 302d has a microlens and a photodiode. The photodiode is arranged in the upper half of the microlens in a biased manner. The fourth distance measuring pixel 302d has a light shielding member arranged so as to cover the lower half of the microlens. Therefore, the photodiode included in the fourth distance measuring pixel 302d is the first distance measuring pixel 302a, the second distance measuring pixel 302b, the third distance measuring pixel 302c in the entire exit pupil of the imaging optical system 11. A light beam that has passed through a part of a different pupil region (a pupil region region corresponding to the upper half of the microlens) is received.

(第1測距部13aによる位相差検出方式の測距の説明)
第1測距部13aによる測距動作を説明する。なお、以下の説明では、横長の測距領域22aの1つを例に挙げて説明を行う。縦長の測距領域22bについては、測距方向および読み出し方向が縦方向であることを除き同一の動作となるため、説明を省略する。
(Explanation of distance measurement of the phase difference detection method by the first distance measuring unit 13a)
The distance measuring operation by the first distance measuring unit 13a will be described. In the following description, one of the horizontally long distance measuring areas 22a will be described as an example. The vertically long distance measuring area 22b has the same operation except that the distance measuring direction and the reading direction are the vertical direction, and thus the description thereof will be omitted.

第1測距部13aは、いわゆる位相差検出方式の測距を行う。第1測距部13aは、横方向に1画素おきに並べられた第1測距用画素302aの各々から、第1出力部51を介して光電変換信号を読み出す。ここで読み出された複数の光電変換信号を、信号列a(i)とおく。第1測距部13aは、横方向に1画素おきに並べられた第2測距用画素302bの各々から、第1出力部51を介して光電変換信号を読み出す。ここで読み出された複数の光電変換信号を、信号列b(i)とおく。信号列a(i)および信号列b(i)を生成するための露光タイミングおよび読み出しタイミングは同一である。 The first distance measuring unit 13a performs so-called phase difference detection type distance measurement. The first distance measuring unit 13a reads a photoelectric conversion signal via the first output unit 51 from each of the first distance measuring pixels 302a arranged laterally every other pixel. The plurality of photoelectric conversion signals read here are referred to as a signal sequence a(i). The first distance measuring unit 13a reads a photoelectric conversion signal via the first output unit 51 from each of the second distance measuring pixels 302b arranged laterally every other pixel. The plurality of photoelectric conversion signals read here are referred to as a signal sequence b(i). The exposure timing and the read timing for generating the signal train a(i) and the signal train b(i) are the same.

第1測距部13aは、信号列a(i)と信号列b(i)に基づき相関演算を行い、信号列a(i)と信号列b(i)のずれ(位相差)を検出する。そして、このずれ(位相差)に所定の係数を乗じ、被測定物2までの距離を算出する。 The first distance measuring unit 13a performs a correlation calculation based on the signal sequence a(i) and the signal sequence b(i), and detects a shift (phase difference) between the signal sequence a(i) and the signal sequence b(i). .. Then, the deviation (phase difference) is multiplied by a predetermined coefficient to calculate the distance to the DUT 2.

なお、信号列a(i)の読み出しを、第2出力部52を用いて行ってもよい。同様に、信号列b(i)の読み出しを、第2出力部52を用いて行ってもよい。 The signal sequence a(i) may be read using the second output section 52. Similarly, the signal sequence b(i) may be read using the second output unit 52.

第1測距部13aは、第3測距用画素302cと第4測距用画素302dとから同様に光電変換信号を読み出して被測定物2までの距離を算出することもできる。第1測距用画素302aと第2測距用画素302bは横方向に配列されているので、被測定物2の横方向に関するずれ(位相差)に基づき測距が行われる。一方で、第3測距用画素302cと第4測距用画素302dは縦方向に配列されているので、被測定物2の縦方向に関するずれ(位相差)に基づき測距が行われる。 The first distance measuring unit 13a can also read the photoelectric conversion signal from the third distance measuring pixel 302c and the fourth distance measuring pixel 302d in the same manner to calculate the distance to the DUT 2. Since the first distance measurement pixels 302a and the second distance measurement pixels 302b are arranged in the horizontal direction, distance measurement is performed based on the lateral displacement (phase difference) of the DUT 2. On the other hand, since the third distance-measuring pixels 302c and the fourth distance-measuring pixels 302d are arranged in the vertical direction, distance measurement is performed based on the vertical displacement (phase difference) of the DUT 2.

(第2測距部13bによるTOF計測方式の測距の説明)
第2測距部13bによる測距動作を説明する。なお、以下の説明では、横長の測距領域22aの1つを例に挙げて説明を行う。縦長の測距領域22bについては、測距方向が縦方向であることを除き同一の動作となるため、説明を省略する。
(Explanation of TOF measurement distance measurement by the second distance measurement unit 13b)
The distance measuring operation by the second distance measuring unit 13b will be described. In the following description, one of the horizontally long distance measuring areas 22a will be described as an example. The vertically long distance measuring area 22b has the same operation except that the distance measuring direction is the vertical direction, and thus description thereof will be omitted.

第2測距部13bは、いわゆるTOF計測方式の測距を行う。第2測距部13bによる測距に際し、光源部10は、被測定物2に対して測定光束3を放出する。測定光束3は、所定幅を有するパルス光である。つまり、光源部10は、所定期間だけ一定の強さの光を放出する。 The second distance measuring unit 13b performs distance measurement using a so-called TOF measurement method. When the distance is measured by the second distance measuring unit 13b, the light source unit 10 emits the measurement light beam 3 to the object to be measured 2. The measurement light beam 3 is pulsed light having a predetermined width. That is, the light source unit 10 emits light having a constant intensity for a predetermined period.

光源部から放出された測定光束3は、反射光束4として、第1測距用画素302aに入射する。第2測距部13bは、所定時刻に、第1測距用画素302aの第1出力部51を介して光電変換信号を読み出す。第2測距部13bは、その後、第1測距用画素302aの第2出力部52を介して光電変換信号を読み出す。つまり、第2測距部13bは、第1測距用画素302aによる一定期間分の光電変換信号を、所定時刻を境界とした前後の期間で分割し別々に読み出す。 The measurement light flux 3 emitted from the light source unit enters the first distance measuring pixel 302a as the reflected light flux 4. The second distance measuring unit 13b reads out the photoelectric conversion signal via the first output unit 51 of the first distance measuring pixel 302a at a predetermined time. The second distance measuring unit 13b then reads out the photoelectric conversion signal via the second output unit 52 of the first distance measuring pixel 302a. In other words, the second distance measuring unit 13b divides the photoelectric conversion signal for a fixed period by the first distance measuring pixel 302a into periods before and after a predetermined time as a boundary and reads them separately.

第2測距部13bは、同一の第1測距用画素302aについて、第1出力部51から読み出された光電変換信号の信号量と、第2出力部52から読み出された光電変換信号の信号量との比を算出する。第2測距部13bは、算出した比から、反射光束4の遅れ時間を算出する。反射光束4の遅れ時間とはすなわち、測定光束3が光源部10を出発してから被測定物2の表面で反射して反射光束4となり撮像部12に達するまでの時間である。第2測距部13bは、この遅れ時間と、既知である光の速度から、被測定物2までの距離を算出する。 The second distance measuring unit 13b, for the same first distance measuring pixel 302a, the signal amount of the photoelectric conversion signal read from the first output unit 51 and the photoelectric conversion signal read from the second output unit 52. The ratio with the signal amount of is calculated. The second distance measuring unit 13b calculates the delay time of the reflected light flux 4 from the calculated ratio. The delay time of the reflected light beam 4 is the time from when the measurement light beam 3 leaves the light source unit 10 to when it is reflected by the surface of the DUT 2 and becomes the reflected light beam 4 and reaches the imaging unit 12. The second distance measuring unit 13b calculates the distance to the DUT 2 from the delay time and the known speed of light.

なお、第2測距部13bは、第2測距用画素302b、第3測距用画素302c、第4測距用画素302dについても同様に、被測定物2の測距を行うことができる。具体的な測距の手順は上述した第1測距用画素302aの場合と同一であるので、説明を省略する。 The second distance measuring unit 13b can also perform distance measurement of the DUT 2 in the same manner for the second distance measuring pixel 302b, the third distance measuring pixel 302c, and the fourth distance measuring pixel 302d. .. The specific procedure of distance measurement is the same as that of the above-described first distance measurement pixel 302a, and thus the description thereof is omitted.

(焦点調節処理の説明)
図9は、制御部13が実行する焦点調節処理のフローチャートである。ステップS100において、測光部13cが被測定物2を測光する。ステップS110では、焦点調節部13dが、被測定物2の測光結果である光量が所定のしきい値を上回るか否かを判定する。光量が所定のしきい値を上回る場合、すなわち光量が大きい場合には、焦点調節部13dは処理をステップS120に進める。
(Explanation of focus adjustment processing)
FIG. 9 is a flowchart of the focus adjustment process executed by the control unit 13. In step S100, the photometric unit 13c measures the object 2 to be measured. In step S110, the focus adjustment unit 13d determines whether or not the light amount that is the photometric result of the DUT 2 exceeds a predetermined threshold value. When the light amount exceeds the predetermined threshold value, that is, when the light amount is large, the focus adjustment unit 13d advances the process to step S120.

ステップS120において、第1測距部13aは、5つの測距領域22に配置されている第1測距用画素302aおよび第2測距用画素302bの第1出力部51から、光電変換信号を読み出す。この読み出しにより、5つの測距領域22の各々に対応する5つの信号列a(i)および信号列b(i)が作成される。ステップS130で、第1測距部13aは、5つの信号列a(i)および信号列b(i)の各々について、のずれ(位相差)を検出する。ステップS140で、第1測距部13aは、5つの測距領域22の各々に対応するずれ(位相差)から、5つの測距領域22の各々に対応する被測定物2の距離を算出する。 In step S120, the first distance measuring unit 13a outputs photoelectric conversion signals from the first output units 51 of the first distance measuring pixels 302a and the second distance measuring pixels 302b arranged in the five distance measuring areas 22. read out. By this reading, five signal trains a(i) and signal trains b(i) corresponding to each of the five distance measuring areas 22 are created. In step S130, the first distance measuring unit 13a detects the deviation (phase difference) of each of the five signal sequences a(i) and b(i). In step S140, the first distance measuring unit 13a calculates the distance of the DUT 2 corresponding to each of the five distance measuring areas 22 from the shift (phase difference) corresponding to each of the five distance measuring areas 22. ..

ステップS110において、光量が所定のしきい値を上回らなかった場合、焦点調節部13dは処理をステップS150に進める。ステップS150では、第2測距部13bが、光源部10に測定光束3を放出させる。ステップS160において、第2測距部13bは、5つの測距領域22に配置されている第1測距用画素302aおよび第2測距用画素302bの第1出力部51から、光電変換信号を読み出す。ステップS170において、第2測距部13bは、5つの測距領域22に配置されている第1測距用画素302aおよび第2測距用画素302bの第2出力部52から、光電変換信号を読み出す。 When the light amount does not exceed the predetermined threshold value in step S110, the focus adjustment unit 13d advances the process to step S150. In step S150, the second distance measuring unit 13b causes the light source unit 10 to emit the measurement light flux 3. In step S160, the second distance measuring unit 13b outputs photoelectric conversion signals from the first output units 51 of the first distance measuring pixels 302a and the second distance measuring pixels 302b arranged in the five distance measuring areas 22. read out. In step S170, the second distance measuring unit 13b outputs photoelectric conversion signals from the second output units 52 of the first distance measuring pixels 302a and the second distance measuring pixels 302b arranged in the five distance measuring areas 22. read out.

ステップS180で、第2測距部13bは、5つの測距領域22の各々について、第1出力部51から読み出した光電変換信号の信号量と、第2出力部52から読み出した光電変換信号の信号量との比に基づき、測定光束3の遅れ時間を算出する。ステップS190で、第2測距部13bは、5つの測距領域22の各々に対応する遅れ時間に基づき、5つの測距領域22の各々に対応する被測定物2の距離を算出する。 In step S180, the second distance measuring unit 13b calculates the signal amount of the photoelectric conversion signal read from the first output unit 51 and the photoelectric conversion signal read from the second output unit 52 for each of the five distance measuring regions 22. The delay time of the measurement light beam 3 is calculated based on the ratio with the signal amount. In step S190, the second distance measuring unit 13b calculates the distance of the DUT 2 corresponding to each of the five distance measuring areas 22 based on the delay time corresponding to each of the five distance measuring areas 22.

ステップS200において、焦点調節部13dは、ステップS140で算出された被測定物2の距離またはステップS190で算出された被測定物2の距離に基づき、撮像光学系11の焦点調節を行う。なお、被測定物2の距離は5つの測距領域22の各々について算出されるので、焦点調節部13dは、例えば焦点調節の対象とする測距領域22を1つ選択したり、5つの測距領域22の各々について算出された距離から最終的な目標距離を決定したりして焦点調節を行う。 In step S200, the focus adjustment unit 13d adjusts the focus of the imaging optical system 11 based on the distance of the DUT 2 calculated in step S140 or the distance of the DUT 2 calculated in step S190. Since the distance to the DUT 2 is calculated for each of the five distance measuring areas 22, the focus adjusting unit 13d selects, for example, one distance measuring area 22 to be the target of focus adjustment, or five distance measuring areas 22. Focus adjustment is performed by determining the final target distance from the distances calculated for each of the distance regions 22.

上述した第1の実施の形態による撮像装置によれば、次の作用効果が得られる。
(1)第1測距用画素302aのフォトダイオードPDaは、撮像光学系11の射出瞳の一部の領域である第1瞳領域を通過した光束を受光して第1信号を出力する。第2測距用画素302bのフォトダイオードPDbは、撮像光学系11の射出瞳の他の一部の領域である第2瞳領域を通過した光束を受光して第2信号を出力する。第1測距部13aは、第1信号と第2信号とのずれ(位相差)に基づき被測定物2までの距離を測定する。第2測距部13bは、光源部10が放出した測定光束3のうち被測定物2で反射し第1瞳領域を通過した光束を受光したフォトダイオードPDaにより出力された第1信号に基づき、測定光束3の放出から受光までの遅れ時間を検出して被測定物までの距離を測定する。このようにしたので、TOF計測法に基づく測距と位相差検出法に基づく測距とを併用することができる。特に、撮像部12を単一の撮像素子とすることができるので、部品点数を増やすことなく2方式の測距を併用可能な柔軟性を得ることができる。
According to the image pickup apparatus according to the first embodiment described above, the following operational effects can be obtained.
(1) The photodiode PDa of the first distance measuring pixel 302a receives the light flux that has passed through the first pupil area, which is a partial area of the exit pupil of the imaging optical system 11, and outputs the first signal. The photodiode PDb of the second distance measuring pixel 302b receives the light flux that has passed through the second pupil area, which is another partial area of the exit pupil of the imaging optical system 11, and outputs a second signal. The first distance measuring unit 13a measures the distance to the DUT 2 based on the shift (phase difference) between the first signal and the second signal. The second distance measuring unit 13b, based on the first signal output by the photodiode PDa that receives the light flux of the measurement light flux 3 emitted by the light source unit 10 that is reflected by the DUT 2 and has passed through the first pupil region, The delay time from the emission of the measurement light beam 3 to the reception of light is detected to measure the distance to the object to be measured. Since this is done, distance measurement based on the TOF measurement method and distance measurement based on the phase difference detection method can be used together. In particular, since the image pickup unit 12 can be a single image pickup device, it is possible to obtain flexibility in which two types of distance measurement can be used together without increasing the number of components.

(2)撮像部12は、第1時刻から第2時刻までの間にフォトダイオードPDaが受光した光束に基づく第1信号を出力する第1出力部51と、第2時刻から第3時刻までの間にフォトダイオードPDaが受光した光束に基づく第1信号を出力する第2出力部52とを有する。第2測距部13bは、第1出力部51から出力された第1信号と第2出力部52から出力された第1信号とに基づき、測定光束3の放出から受光までの遅れ時間を検出する。このようにしたので、位相差検出法が適さない状況において、TOF計測法に基づく測距を行うことができ、状況に応じた柔軟な測距を行うことができる。 (2) The imaging unit 12 outputs the first signal based on the luminous flux received by the photodiode PDa from the first time to the second time, and the second output from the second time to the third time. A second output unit 52 that outputs a first signal based on the light beam received by the photodiode PDa is provided therebetween. The second distance measuring unit 13b detects a delay time from emission to reception of the measurement light beam 3 based on the first signal output from the first output unit 51 and the first signal output from the second output unit 52. To do. Since this is done, distance measurement based on the TOF measurement method can be performed in a situation where the phase difference detection method is not suitable, and flexible distance measurement can be performed according to the situation.

(3)第2測距部13bは、第1時刻から第2時刻までの間に受光した光束に基づく第1信号と、第2時刻から第3時刻までの間に受光した光束に基づく第1信号との信号量の差に基づき、測定光束3の放出から受光までの遅れ時間を検出する。このようにしたので、位相差検出法が適さない状況において、TOF計測法に基づく測距を行うことができ、状況に応じた柔軟な測距を行うことができる。 (3) The second distance measuring unit 13b uses the first signal based on the light flux received between the first time and the second time and the first signal based on the light flux received between the second time and the third time. The delay time from the emission of the measurement light beam 3 to the light reception is detected based on the difference in the signal amount from the signal. Since this is done, distance measurement based on the TOF measurement method can be performed in a situation where the phase difference detection method is not suitable, and flexible distance measurement can be performed according to the situation.

(4)焦点調節部13dは、測光部13cにより計測された光量が所定量以上の場合には、第1測距部13aによる測定結果に基づき撮像光学系11の焦点調節を行い、測光部13cにより計測された光量が所定量未満の場合には、第2測距部13bによる測定結果に基づき撮像光学系11の焦点調節を行う。このようにしたので、環境光の光量によらずに、信頼性の高い焦点調節を行うことができる。 (4) The focus adjusting unit 13d adjusts the focus of the imaging optical system 11 based on the measurement result of the first distance measuring unit 13a when the light amount measured by the light measuring unit 13c is equal to or more than the predetermined amount, and the light measuring unit 13c. If the amount of light measured by is less than the predetermined amount, the focus of the imaging optical system 11 is adjusted based on the measurement result by the second distance measuring unit 13b. Since it did in this way, reliable focus adjustment can be performed irrespective of the light quantity of ambient light.

(5)撮像部12は、マイクロレンズ43とフォトダイオードPDaとを含む第1測距用画素302aと、マイクロレンズ43とフォトダイオードPDbとを含み第1測距用画素302bとは異なる第2測距用画素302bとを有する。このようにしたので、第1測距部13aが、いわゆる位相差方式の測距を行うことができる。 (5) The imaging unit 12 includes the first distance measuring pixel 302a including the microlens 43 and the photodiode PDa, and the second distance measuring pixel 302b including the microlens 43 and the photodiode PDb, which is different from the second distance measuring pixel 302b. Distance pixels 302b are included. Since it did in this way, the 1st ranging part 13a can perform the so-called phase difference type ranging.

(6)第1測距用画素302aは、射出瞳の第1領域とは異なる領域を通過した光束を遮光する遮光部材42を有し、第2測距用画素302bは、射出瞳の第2領域とは異なる領域を通過した光束を遮光する遮光部材42を有する。このようにしたので、フォトダイオードPDaが第1領域以外の領域を通過した光束を受光したり、フォトダイオードPDbが第2領域以外の領域を通過した光束を受光したりすることが防止される。 (6) The first distance-measuring pixel 302a has the light shielding member 42 that shields the light flux that has passed through the region different from the first region of the exit pupil, and the second distance-measuring pixel 302b is the second region of the exit pupil. A light blocking member 42 that blocks a light beam that has passed through a region different from the region is provided. As a result, the photodiode PDa is prevented from receiving the light flux that has passed through the regions other than the first region, and the photodiode PDb is prevented from receiving the light flux that has passed through the regions other than the second region.

(7)第1測距用画素302aの遮光部材42により遮光される範囲には、第1出力部51および第2出力部52の一部が配置される。このようにしたので、第1出力部51および第2出力部52が光電効果による影響を受けない。また、第1測距用画素302aが占有する空間を有効利用することができる。 (7) Part of the first output section 51 and the second output section 52 is arranged in a range of the first distance measuring pixel 302a that is shielded by the light shielding member 42. Since it did in this way, the 1st output part 51 and the 2nd output part 52 are not affected by the photoelectric effect. Further, the space occupied by the first distance measuring pixel 302a can be effectively used.

(8)撮像部12は、第1領域とも第2領域とも異なる射出瞳の一部の領域である第3領域を通過した光束を受光して第3信号を出力するフォトダイオードを有する第3測距用画素302cと、第1〜第3領域のいずれとも異なる射出瞳の一部の領域である第4領域を通過した光束を受光して第4信号を出力するフォトダイオードを有する第4測距用画素302dとを更に有する。フォトダイオードPDaとフォトダイオードPDbとが並んで配置される方向は、第3測距用画素302cのフォトダイオードと第4測距用画素302dのフォトダイオードとが並んで配置される方向とは異なる。このようにしたので、被測定物2の測距を、互いに異なる方向について行うことができる。 (8) The imaging unit 12 receives the light flux that has passed through the third area, which is a partial area of the exit pupil different from both the first area and the second area, and outputs a third signal to the third measurement unit. A fourth distance measuring device having a distance pixel 302c and a photodiode that receives a light beam that has passed through a fourth region that is a partial region of an exit pupil different from any of the first to third regions and outputs a fourth signal. And a pixel 302d for use. The direction in which the photodiode PDa and the photodiode PDb are arranged side by side is different from the direction in which the photodiode of the third distance measuring pixel 302c and the photodiode of the fourth distance measuring pixel 302d are arranged side by side. Since this is done, distance measurement of the DUT 2 can be performed in different directions.

(9)第1測距部13aは、位相差検出法に基づく測距を行う。位相差検出法に基づく測距は、光源部10から測定光束3を放出することなしに行うことができるので、光源部10による測定光束3の放出で消費される電力を節約することができる。 (9) The first distance measuring unit 13a performs distance measurement based on the phase difference detection method. Since the distance measurement based on the phase difference detection method can be performed without emitting the measurement light beam 3 from the light source unit 10, the power consumed by the emission of the measurement light beam 3 by the light source unit 10 can be saved.

(10)第2測距部13bは、TOF計測法に基づく測距を行う。TOF計測法に基づく測距は、光源部10から放出される測定光束3を用いて行うので、暗い環境下であっても精度よく測距を行うことができる。 (10) The second distance measuring unit 13b performs distance measurement based on the TOF measurement method. Since the distance measurement based on the TOF measurement method is performed using the measurement light flux 3 emitted from the light source unit 10, the distance measurement can be performed accurately even in a dark environment.

(第2の実施の形態)
上述した第1の実施の形態では、第2測距部13bによる測距を、測距用画素302が配置された領域でのみ行っていた。第2の実施の形態に係る撮像装置は、撮像面上の全ての領域で第1測距部13aおよび第2測距部13bによる測距を行うことが可能な撮像部12を有する。なお、以下の説明において、第1の実施の形態と同一の箇所については同一の符号を付して説明を省略する。
(Second embodiment)
In the above-described first embodiment, the distance measurement by the second distance measurement unit 13b is performed only in the area where the distance measurement pixels 302 are arranged. The image pickup apparatus according to the second embodiment has an image pickup unit 12 capable of performing distance measurement by the first distance measurement unit 13a and the second distance measurement unit 13b in all areas on the image pickup surface. In the following description, the same parts as those in the first embodiment will be designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

図10は、撮像部12の撮像面の一部を模式的に示す平面図である。撮像部12の撮像面には、画素303が二次元状に配列されている。画素303には、第1画素303a、第2画素303b、第3画素303c、第4画素303dの4種類が含まれる。 FIG. 10 is a plan view schematically showing a part of the image pickup surface of the image pickup unit 12. The pixels 303 are two-dimensionally arranged on the imaging surface of the imaging unit 12. The pixel 303 includes four types of first pixel 303a, second pixel 303b, third pixel 303c, and fourth pixel 303d.

画素303の形状は正方形である。画素303は、正方形を45度回転させた状態でxy平面上に二次元状に配列される。列121には、第1画素303aと第2画素303bが交互に(1画素おきに)配列される。列121に隣接する列122には、第3画素303cと第4画素303dが交互に(1画素おきに)配列される。 The pixel 303 has a square shape. The pixels 303 are two-dimensionally arranged on the xy plane in a state where the square is rotated by 45 degrees. In the column 121, the first pixels 303a and the second pixels 303b are arranged alternately (every other pixel). In the column 122 adjacent to the column 121, the third pixel 303c and the fourth pixel 303d are arranged alternately (every other pixel).

図11は、第1画素303aの拡大図である。第1画素303aは、正方形の形状を有するマイクロレンズ43と、直角三角形の形状を有するフォトダイオードPDとを有する。フォトダイオードPDは、第1画素303aの左半分の領域を占めるように配置される。第1画素303aの残り右半分には、転送トランジスタのゲート電極47や、配線48が配置される。第1画素303aの右半分には、ゲート電極47や配線48を覆う遮光部材42が配置される。遮光部材42により、ゲート電極47および配線48には反射光束4が入射しない。 FIG. 11 is an enlarged view of the first pixel 303a. The first pixel 303a includes the microlens 43 having a square shape and the photodiode PD having a right triangle shape. The photodiode PD is arranged so as to occupy the left half region of the first pixel 303a. The gate electrode 47 of the transfer transistor and the wiring 48 are arranged on the remaining right half of the first pixel 303a. The light blocking member 42 that covers the gate electrode 47 and the wiring 48 is disposed on the right half of the first pixel 303a. Due to the light shielding member 42, the reflected light flux 4 does not enter the gate electrode 47 and the wiring 48.

なお、第1画素303aの回路構成は、図4に示した非測距用画素301と同一であるので、説明を省略する。つまり第1画素303aは、測距用画素302のように、2つの出力部51,52を有しているのではなく、単一の出力部50のみを有している。 The circuit configuration of the first pixel 303a is the same as that of the non-distance measuring pixel 301 shown in FIG. That is, the first pixel 303a does not have the two output units 51 and 52 like the distance measuring pixel 302, but has only the single output unit 50.

第2画素303bは、第1画素303aを時計回りに180度回転させた画素である。同様に、第3画素303cは、第1画素303aを時計回りに90度回転させた画素であり、第4画素303dは、第1画素303aを時計回りに270度回転させた画素である。 The second pixel 303b is a pixel obtained by rotating the first pixel 303a 180 degrees clockwise. Similarly, the third pixel 303c is a pixel obtained by rotating the first pixel 303a clockwise by 90 degrees, and the fourth pixel 303d is a pixel obtained by rotating the first pixel 303a clockwise by 270 degrees.

第1測距部13aによる測距動作を説明する。本実施形態の第1測距部13aは、縦方向と、横方向と、斜め方向についての測距を、撮像面の任意の位置で行うことができる。例えば、横方向に配列された第1画素303aと第2画素303bとから、第1の実施の形態で説明した信号列a(i)および信号列b(i)を作成することにより、横方向に関する測距を行うことができる。同様に、縦方向に配列された第3画素303cと第4画素303dとから、信号列a(i)および信号列b(i)を作成することにより、縦方向に関する測距を行うことができる。斜め方向についても同様である。 The distance measuring operation by the first distance measuring unit 13a will be described. The first distance measuring unit 13a of the present embodiment can perform distance measurement in the vertical direction, the horizontal direction, and the diagonal direction at any position on the imaging surface. For example, by creating the signal sequence a(i) and the signal sequence b(i) described in the first embodiment from the first pixel 303a and the second pixel 303b arranged in the horizontal direction, Distance measurement can be performed. Similarly, by forming the signal sequence a(i) and the signal sequence b(i) from the third pixel 303c and the fourth pixel 303d arranged in the vertical direction, distance measurement in the vertical direction can be performed. .. The same applies to the diagonal direction.

第2測距部13bによる測距動作を説明する。本実施形態の第2測距部13bは、TOF計測方式の測距を、撮像面の任意の位置で行うことができる。第2測距部13bは、隣接する2つの画素303には被測定物2の同一位置からの反射光束4が入射すると見なして、TOF計測方式の測距を行う。ここで「隣接する2つの画素303」とは、縦方向、横方向、もしくは斜め方向に隣接する2つの画素303を指す。 The distance measuring operation by the second distance measuring unit 13b will be described. The second distance measuring unit 13b of the present embodiment can perform distance measurement using the TOF measurement method at any position on the imaging surface. The second distance measuring unit 13b considers that the reflected light flux 4 from the same position of the DUT 2 is incident on the two adjacent pixels 303, and performs the distance measurement by the TOF measurement method. Here, "two adjacent pixels 303" refers to two pixels 303 that are adjacent in the vertical direction, the horizontal direction, or the diagonal direction.

第2測距部13bは、所定時刻に、隣接する2つの画素303の一方について、出力部50を介して光電変換信号を読み出す。第2測距部13bは、その後、隣接する2つの画素303の他方について、出力部50を介して光電変換信号を読み出す。それら2つの画素303に被測定物2の同一位置からの反射光束4が入射すると仮定すれば、同一位置からの反射光束4に基づく光電変換信号を、所定時刻を境界とした前後の期間で分割し別々に読み出していることになる。 The second distance measuring unit 13b reads the photoelectric conversion signal from one of the two adjacent pixels 303 via the output unit 50 at a predetermined time. The second distance measuring unit 13b then reads the photoelectric conversion signal from the other of the two adjacent pixels 303 via the output unit 50. Assuming that the reflected light flux 4 from the same position of the DUT 2 enters these two pixels 303, the photoelectric conversion signal based on the reflected light flux 4 from the same position is divided into a period before and after a predetermined time as a boundary. It means that they are read separately.

上述した第2の実施の形態による撮像装置によれば、上述した第1の実施の形態と同様の作用効果に加えて、更に次の作用効果が得られる。
(11)第1測距部13aおよび第2測距部13bは、撮像面上の任意の位置で測距を行う。このようにしたので、測距位置の柔軟性が向上する。
According to the imaging device of the second embodiment described above, in addition to the same operational effects as those of the above-described first embodiment, the following operational effects can be obtained.
(11) The first distance measuring unit 13a and the second distance measuring unit 13b perform distance measurement at arbitrary positions on the imaging surface. Since this is done, the flexibility of the distance measuring position is improved.

(12)画素303は、単一の出力部50を有する。このようにしたので、撮像部12の回路構成が簡略化され、撮像部12の製造が容易になる。 (12) The pixel 303 has a single output section 50. Since it did in this way, the circuit structure of the imaging part 12 is simplified and the manufacture of the imaging part 12 becomes easy.

次のような変形も本発明の範囲内であり、変形例の一つ、もしくは複数を上述の実施形態と組み合わせることも可能である。 The following modifications are also within the scope of the present invention, and one or more modifications can be combined with the above-described embodiment.

(変形例1)
第1の実施の形態において、第1測距用画素302aと第2測距用画素302bが、共に、フォトダイオードPDaとフォトダイオードPDbの両方を有するように構成してもよい。この場合、ゲート電極47や配線48は、撮像部12を二層構造として、フォトダイオードPDaやフォトダイオードPDbが形成される層の下層に設ける。このようにすると、遮光部材42は不要となり、入射光の利用効率が向上する。第3測距用画素302cと第4測距用画素302dについても同様に構成することができる。
(Modification 1)
In the first embodiment, both the first distance measuring pixel 302a and the second distance measuring pixel 302b may have both the photodiode PDa and the photodiode PDb. In this case, the gate electrode 47 and the wiring 48 are provided in the lower layer of the layer in which the photodiode PDa and the photodiode PDb are formed with the imaging unit 12 having a two-layer structure. In this way, the light blocking member 42 is unnecessary, and the efficiency of using incident light is improved. The third distance measuring pixel 302c and the fourth distance measuring pixel 302d can be similarly configured.

(変形例2)
上述した各実施の形態では、第1測距部13aによる測距と第2測距部13bによる測距を排他的に行っていたが、これら2方式の測距を同時に行ってもよい。つまり、反射光束4に基づく光電変換信号に対して、位相差方式の測距とTOF計測方式の測距とを並行して(または順次)行い、両方の結果を得るようにしてもよい。TOF計測方式の測距を行う際に第1出力部51から読み出した光電変換信号と、第2出力部52から読み出した光電変換信号とを加算すれば、位相差方式の測距に利用可能な信号となる。この場合、焦点調節部13dは、いずれか一方の測距結果に基づき焦点調節を行ってもよいし、両方の測距結果を平均した距離に基づき焦点調節を行ってもよい。
(Modification 2)
In each of the above-described embodiments, the distance measurement by the first distance measuring unit 13a and the distance measurement by the second distance measuring unit 13b are exclusively performed, but these two methods of distance measurement may be performed at the same time. That is, the distance measurement of the phase difference method and the distance measurement of the TOF measurement method may be performed in parallel (or sequentially) on the photoelectric conversion signal based on the reflected light flux 4 and both results may be obtained. When the photoelectric conversion signal read from the first output unit 51 and the photoelectric conversion signal read from the second output unit 52 are added when performing the distance measurement of the TOF measurement method, it can be used for the distance measurement of the phase difference method. Become a signal. In this case, the focus adjustment unit 13d may perform focus adjustment based on one of the distance measurement results, or may perform focus adjustment based on an average distance of both distance measurement results.

(変形例3)
上述した各実施の形態では、第1測距部13aによる測距と第2測距部13bによる測距の結果を焦点調節に利用していたが、これとは異なる目的に測距の結果を利用してもよい。例えば、被測定物2の距離を二次元状にマップした、いわゆるデプスマップを作成してもよいし、被測定物2の立体像を作成するために利用してもよい。
(Modification 3)
In each of the above-described embodiments, the result of distance measurement by the first distance measuring unit 13a and the result of distance measurement by the second distance measuring unit 13b are used for focus adjustment, but the result of distance measurement is used for a different purpose. You may use it. For example, a so-called depth map in which the distance of the object to be measured 2 is two-dimensionally mapped may be created, or may be used to create a stereoscopic image of the object to be measured 2.

(変形例4)
受信回路53を、図5とは異なるものにしてもよい。例えば図12(a)に示す受信回路54は、撮像画素30をリセットした直後のフィードスルー期間を入力キャパシタ541およびスイッチ542によりクランプする。その後、光電変換信号を、スイッチ543を介してアンプ544に入力する。AD変換器546は、アンプ544の出力信号をデジタル値に変換する。別の例として、図12(b)に示す受信回路55は、撮像画素30をリセットした直後のフィードスルー期間と光電変換信号とをそれぞれ、スイッチ551、スイッチ552を介してアンプ553に入力する。AD変換器556は、アンプ553の出力信号をデジタル値に変換する。これにより、リセット信号と光電変換信号とが個別にデジタル値に変換される。制御部13は、後者のデジタル値から前者のデジタル値を減算することによりノイズ成分を取り除く。
(Modification 4)
The receiving circuit 53 may be different from that shown in FIG. For example, the receiving circuit 54 shown in FIG. 12A clamps the feedthrough period immediately after resetting the imaging pixel 30 by the input capacitor 541 and the switch 542. After that, the photoelectric conversion signal is input to the amplifier 544 through the switch 543. The AD converter 546 converts the output signal of the amplifier 544 into a digital value. As another example, the receiving circuit 55 shown in FIG. 12B inputs the feedthrough period and the photoelectric conversion signal immediately after resetting the imaging pixel 30 to the amplifier 553 via the switch 551 and the switch 552, respectively. The AD converter 556 converts the output signal of the amplifier 553 into a digital value. As a result, the reset signal and the photoelectric conversion signal are individually converted into digital values. The control unit 13 removes the noise component by subtracting the former digital value from the latter digital value.

(変形例5)
遮光部材42の下部には、第1出力部51および第2出力部52の一部とは異なる回路を配置してもよい。例えば、第1測距部13aや第2測距部13bなど、制御部13の機能の一部を、遮光部材42の下部に電子回路として作り込んでもよい。
(Modification 5)
A circuit different from a part of the first output section 51 and the second output section 52 may be arranged below the light blocking member 42. For example, a part of the functions of the control unit 13 such as the first distance measuring unit 13a and the second distance measuring unit 13b may be incorporated in the lower portion of the light shielding member 42 as an electronic circuit.

(変形例6)
遮光部材42を、光を吸収する材料で構成してもよい。この場合、入射光は遮光部材42に吸収され、結果として、その下部の回路に到達しなくなる。
(Modification 6)
The light blocking member 42 may be made of a material that absorbs light. In this case, the incident light is absorbed by the light shielding member 42, and as a result, it does not reach the circuit therebelow.

(変形例7)
上述した各実施の形態では、入射光をフォトダイオードにより光電変換する撮像素子について説明した。これを、例えば有機材料により形成された光電変換膜等で光電変換する撮像素子とすることも可能である。
(Modification 7)
In each of the above-described embodiments, the image pickup device in which incident light is photoelectrically converted by the photodiode has been described. It is also possible to use this as an image pickup device that performs photoelectric conversion with a photoelectric conversion film formed of an organic material, for example.

なお、本実施の形態に係る撮像装置としては、上述したような撮像装置1に限定されない。例えばレンズ一体型のデジタルスチルカメラ、フィルムスチルカメラ、あるいはビデオカメラにも本実施の形態を適用することができる。さらには、携帯電話、スマートホン、タブレットPCなどの電子機器に内蔵される小型カメラモジュール、監視カメラやロボット用の視覚認識装置、車載カメラなどにも本実施の形態を適用できる。 The image pickup apparatus according to the present embodiment is not limited to the above-described image pickup apparatus 1. For example, the present embodiment can be applied to a lens-integrated digital still camera, film still camera, or video camera. Furthermore, the present embodiment can be applied to a small camera module built in an electronic device such as a mobile phone, a smart phone, and a tablet PC, a visual recognition device for a surveillance camera or a robot, and a vehicle-mounted camera.

本発明の特徴を損なわない限り、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で考えられるその他の形態についても、本発明の範囲内に含まれる。 The present invention is not limited to the above-described embodiments as long as the characteristics of the present invention are not impaired, and other forms considered within the scope of the technical idea of the present invention are also included in the scope of the present invention. ..

1…撮像装置、10…光源部、11…光学系、12…撮像部、13…制御部、13a…第1測距部、13b…第2測距部、13c…測光部、13d…焦点調節部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Imaging device, 10... Light source part, 11... Optical system, 12... Imaging part, 13... Control part, 13a... 1st ranging part, 13b... 2nd ranging part, 13c... Photometric part, 13d... Focus adjustment Department

Claims (13)

光学系の第1の瞳領域を通過した被写体からの光を光電変換して電荷を生成する第1光電変換部と、前記第1光電変換部で生成された電荷に基づく信号を出力する第1出力部および第2出力部とを有する第1画素と、前記第1の瞳領域とは異なる第2の瞳領域を通過した前記被写体からの光を光電変換して電荷を生成する第2光電変換部と、前記第2光電変換部で生成された電荷に基づく信号を出力する第3出力部および第4出力部とを有する第2画素とを有する撮像部と、
前記第1出力部から出力された信号と前記第3出力部から出力された信号とに基づいて、前記被写体までの距離を測定する第1測距部と、
前記第1出力部から出力された信号および前記第2出力部から出力された信号と、前記第3出力部から出力された信号および前記第4出力部から出力された信号と、の少なくとも一方に基づいて、前記被写体までの距離を測定する第2測距部と、を備える電子機器。
A first photoelectric conversion unit that photoelectrically converts light from a subject that has passed through a first pupil region of the optical system to generate electric charges, and a first photoelectric conversion unit that outputs a signal based on the electric charges generated by the first photoelectric conversion unit. A second pixel, which has a first pixel having an output section and a second output section, and photoelectric conversion of light from the subject that has passed through a second pupil area different from the first pupil area to generate an electric charge. And an imaging unit having a second pixel having a third output unit and a fourth output unit that output a signal based on the charges generated by the second photoelectric conversion unit,
A first distance measuring unit that measures a distance to the subject based on a signal output from the first output unit and a signal output from the third output unit;
At least one of the signal output from the first output unit and the signal output from the second output unit, and the signal output from the third output unit and the signal output from the fourth output unit And a second distance measuring unit that measures the distance to the subject based on the electronic device.
請求項1に記載の電子機器において、
前記第1測距部は、前記第1画素で受光した前記第1の瞳領域の前記被写体の像と前記第2画素で受光した前記第2の瞳領域の前記被写体の像とのずれに基づいて前記被写体までの距離を測定し、
前記第2測距部は、発光部より発光され前記被写体で反射した光を光電変換した電荷に基づく前記第1出力部および前記第2出力部から出力された信号と、前記発光部より発光され前記被写体で反射した光を光電変換した電荷に基づく前記第3出力部および前記第4出力部から出力された信号と、の少なくとも一方に基づいて、前記発光部での発光から前記第1画素と前記第2画素との少なくとも一方での受光までの時間を検出して前記被写体までの距離を測定する電子機器。
The electronic device according to claim 1,
The first distance measuring unit is based on a deviation between an image of the subject in the first pupil region received by the first pixel and an image of the subject in the second pupil region received by the second pixel. And measure the distance to the subject,
The second distance measuring unit emits light from the light emitting unit and signals output from the first output unit and the second output unit based on electric charges obtained by photoelectrically converting the light emitted from the light emitting unit and reflected by the subject. Based on at least one of the signal output from the third output unit and the fourth output unit based on the electric charge obtained by photoelectrically converting the light reflected by the subject, the light emission from the light emitting unit is changed to the first pixel. An electronic device that measures a distance to the subject by detecting a time until light is received by at least one of the second pixels.
請求項2に記載の電子機器において、
前記第1出力部は第1時刻から第2時刻までの間に前記第1光電変換部で生成された電荷に基づく信号を出力し、前記第3出力部は前記第1時刻から前記第2時刻までの間に前記第2光電変換部で生成された電荷に基づく信号を出力し、前記第2出力部は前記第2時刻から第3時刻までの間に前記第1光電変換部で生成された電荷基づく信号を出力し、前記第4出力部は前記第2時刻から前記第3時刻までの間に前記第2光電変換部で生成された電荷基づく信号を出力し、
前記第2測距部は、前記第1出力部および前記第2出力部から出力された信号と、前記第3出力部および前記第4出力部から出力された信号との少なくとも一方に基づいて、前記発光部での発光から受光までの時間を検出する電子機器。
The electronic device according to claim 2,
The first output unit outputs a signal based on the charges generated by the first photoelectric conversion unit between the first time and the second time, and the third output unit outputs the first time to the second time. To output a signal based on the charges generated by the second photoelectric conversion unit, and the second output unit generates the signal by the first photoelectric conversion unit between the second time and the third time. Outputting a signal based on charge, the fourth output unit outputs a signal based on charge generated by the second photoelectric conversion unit between the second time and the third time,
The second distance measuring unit, based on at least one of the signals output from the first output unit and the second output unit and the signals output from the third output unit and the fourth output unit, An electronic device for detecting a time from light emission to light reception in the light emitting unit.
請求項2または請求項3に記載の電子機器において、
前記第2測距部は、前記第1出力部から出力された信号および前記第2出力部から出力された信号の信号量の差と、前記第3出力部から出力された信号および前記第2出力部から出力された信号の信号量の差とに基づいて、前記発光部での発光から受光までの時間を検出する電子機器。
In the electronic device according to claim 2 or 3,
The second distance measuring unit has a difference in signal amount between the signal output from the first output unit and the signal output from the second output unit, and the signal output from the third output unit and the second output unit. An electronic device that detects a time from light emission to light reception in the light emitting unit based on a difference in signal amount of signals output from the output unit.
請求項1から請求項4までのいずれか一項に記載の電子機器において、
前記被写体を測光する測光部と、
前記測光部により計測された光量に基づいて、前記第1測距部による測定または前記第2測距部による測定を行うよう制御する制御部と、を備える電子機器。
The electronic device according to any one of claims 1 to 4,
A metering unit for metering the subject,
An electronic device, comprising: a control unit that controls the first distance measuring unit or the second distance measuring unit to perform measurement based on the amount of light measured by the light measuring unit.
請求項5に記載の電子機器において、
前記制御部は、前記測光部により計測された光量がしきい値を上回る場合には、前記第1測距部による測定を行い、前記測光部により計測された光量が前記しきい値を上回らない場合には、前記第2測距部による測定を行う電子機器。
The electronic device according to claim 5,
When the light amount measured by the photometric unit exceeds a threshold value , the control unit performs measurement by the first distance measuring unit, and the light amount measured by the photometric unit does not exceed the threshold value. In this case, an electronic device that performs the measurement by the second distance measuring unit.
請求項1から請求項6までのいずれか一項に記載の電子機器において、
前記第1測距部による測定と前記第2測距部による測定とのうちの一方を選択可能な選択部備える電子機器。
The electronic device according to any one of claims 1 to 6,
An electronic device comprising a selection unit capable of selecting one of measurement by the first distance measurement unit and measurement by the second distance measurement unit.
請求項1から請求項7までのいずれか一項に記載の電子機器において、
前記第1画素は、第1マイクロレンズと前記第1光電変換部と前記第1の瞳領域とは異なる領域を通過した光を遮光する第1遮光部とを有し、
前記第2画素は、第2マイクロレンズと第2光電変換部と前記第2の瞳領域とは異なる領域を通過した光を遮光する第2遮光部とを有する電子機器。
In the electronic device according to any one of claims 1 to 7,
The first pixel includes a first microlens, the first photoelectric conversion unit, and a first light blocking unit that blocks light that has passed through a region different from the first pupil region.
The said 2nd pixel is an electronic device which has a 2nd microlens, a 2nd photoelectric conversion part, and a 2nd light shielding part which shields the light which passed the area|region different from the said 2nd pupil area|region.
請求項8に記載の電子機器において、
前記第1出力部および第2出力部は、前記第1遮光部により遮光される範囲に配置され、前記第3出力部および第4出力部は、前記第2遮光部により遮光される範囲に配置される電子機器。
The electronic device according to claim 8,
The first output section and the second output section are arranged in a range shielded by the first light shielding section, and the third output section and the fourth output section are arranged in a range shielded by the second light shielding section. Electronic equipment.
光学系の第1の瞳領域を通過した被写体からの光を光電変換して電荷を生成する第1光電変換部と、前記第1光電変換部で生成された電荷に基づく信号を出力する第1出力部および第2出力部とを有する第1画素と、前記第1の瞳領域とは異なる第2の瞳領域を通過した前記被写体からの光を光電変換して電荷を生成する第2光電変換部と、前記第2光電変換部で生成された電荷に基づく信号を出力する第3出力部および第4出力部とを有する第2画素とを有する撮像部と、
前記第1出力部から出力された信号と前記第3出力部から出力された信号とに基づいて、前記撮像部から前記被写体までの距離を測定する第1測距部と、
前記第1出力部から出力された信号および前記第2出力部から出力された信号と、前記第3出力部から出力された信号および前記第4出力部から出力された信号と、の少なくとも一方に基づいて、前記被写体までの距離を測定する第2測距部と、
前記第1測距部による測定と前記第2測距部による測定とのうちの一方を選択可能である制御部と、を備える電子機器。
A first photoelectric conversion unit that photoelectrically converts light from a subject that has passed through the first pupil region of the optical system to generate an electric charge, and a first photoelectric conversion unit that outputs a signal based on the electric charge generated by the first photoelectric conversion unit. A first pixel having an output section and a second output section, and a second photoelectric conversion that photoelectrically converts light from the subject that has passed through a second pupil area different from the first pupil area to generate an electric charge. And an imaging unit having a second pixel having a third output unit and a fourth output unit that output a signal based on the charges generated by the second photoelectric conversion unit,
A first distance measuring unit that measures a distance from the imaging unit to the subject based on a signal output from the first output unit and a signal output from the third output unit;
At least one of the signal output from the first output unit and the signal output from the second output unit, and the signal output from the third output unit and the signal output from the fourth output unit A second distance measuring unit that measures the distance to the subject based on
An electronic device comprising: a control unit capable of selecting one of measurement by the first distance measuring unit and measurement by the second distance measuring unit.
請求項10に記載の電子機器において、
前記被写体を測光する測光部と、
前記測光部により計測された光量に基づいて、前記第1測距部による測定または前記第2測距部による測定を行うよう制御する制御部と、を備える電子機器。
The electronic device according to claim 10,
A metering unit for metering the subject,
An electronic device comprising: a control unit that controls to perform measurement by the first distance measuring unit or measurement by the second distance measuring unit based on the light amount measured by the light measuring unit.
請求項11に記載の電子機器において、
前記制御部は、前記測光部により計測された光量がしきい値を上回る場合には、前記第1測距部による測定を行い、前記測光部により計測された光量が前記しきい値を上回らない場合には、前記第2測距部による測定を行う電子機器。
The electronic device according to claim 11,
When the light amount measured by the photometric unit exceeds a threshold value , the control unit performs measurement by the first distance measuring unit, and the light amount measured by the photometric unit does not exceed the threshold value. In this case, an electronic device that performs the measurement by the second distance measuring unit.
請求項1から請求項12までのいずれか一項に記載の電子機器において、
前記撮像部は、前記第1の瞳領域及び前記第2の瞳領域を通過した光を光電変換して電荷を生成する第3光電変換部と、前記第3光電変換部で生成された電荷に基づく信号を出力する出力部とを有する第3画素とを有し、
前記第3画素の出力部から出力された信号に基づいて画像データを生成する生成部とを備える電子機器。
The electronic device according to any one of claims 1 to 12,
The image capturing unit converts a light that has passed through the first pupil region and the second pupil region into a third photoelectric conversion unit that photoelectrically converts the light to generate an electric charge, and an electric charge generated by the third photoelectric conversion unit. A third pixel having an output section for outputting a signal based on
An electronic device comprising: a generation unit that generates image data based on a signal output from the output unit of the third pixel.
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