JP2017203847A - Light deflector - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light deflector capable of keeping a KTN crystal at a constant temperature by a single temperature controller.SOLUTION: A light deflector includes an electro-optic crystal and an electrode pair formed on opposing faces of the electro-optic crystal and comprising a positive electrode and a negative electrode to generate an electric field in the electro-optic crystal, in which an optical axis of incident light is set to be orthogonal to the direction of the electric field and a voltage is applied between the pair of electrodes to deflect the incident light. The light deflector includes: a first conductor holding part having a first temperature detector and in contact with the positive electrode; and a second conductor holding part having a second temperature detector in contact with the negative electrode. The electro-optic crystal is kept at a constant temperature by temperature control means based on the temperature detected by the first and second temperature detectors connected in series.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本発明は、光偏向器に関し、より詳細には、光偏向器の安定動作に必要な温度制御機構をより安価にすることのできる光偏向器の構造に関する。   The present invention relates to an optical deflector, and more particularly, to an optical deflector structure capable of reducing the temperature control mechanism required for stable operation of the optical deflector.

光偏向器は、プリンタ、ディスプレイ、OCT等の検査用光学機器、生体観察用レーザ顕微鏡等幅広く用いられている。従来、ポリゴンミラー、ガルバノミラー、MEMSミラー等を用いた光偏向器が提案されている。近年、高速な光偏向器として電気光学結晶であるタンタル酸ニオブ酸カリウム(KTN:KTa1-xNbx3、0<x<1)結晶を用いた光偏向器が報告されている。KTN光偏向器は、いわゆる透過型の光偏向器である。KTN結晶への電子注入および電圧印加によりKTN結晶内部に電界を発生させ、KTN結晶内部に屈折率分布を発生させる。電界の方向と直交するように入射光の光軸が設定され、電界の印加により、結晶内部を透過する光を偏向させる。ガルバノミラー等のように駆動部分を持たない機構により、従来の光偏向よりも高速な光偏向を実現している。 Optical deflectors are widely used for printers, displays, optical instruments for inspection such as OCT, laser microscopes for living body observation, and the like. Conventionally, an optical deflector using a polygon mirror, a galvanometer mirror, a MEMS mirror, or the like has been proposed. In recent years, an optical deflector using a potassium tantalate niobate (KTN: KTa 1-x Nb x O 3 , 0 <x <1) crystal, which is an electro-optic crystal, has been reported as a high-speed optical deflector. The KTN optical deflector is a so-called transmission type optical deflector. An electric field is generated inside the KTN crystal by electron injection and voltage application to the KTN crystal, and a refractive index distribution is generated inside the KTN crystal. The optical axis of the incident light is set so as to be orthogonal to the direction of the electric field, and the light transmitted through the crystal is deflected by the application of the electric field. A mechanism that does not have a driving portion such as a galvanometer mirror realizes light deflection that is faster than conventional light deflection.

KTN光偏向器における偏向角θは、次式で表される(例えば、非特許文献1参照)。   The deflection angle θ in the KTN optical deflector is expressed by the following equation (for example, see Non-Patent Document 1).

nはKTNの屈折率、g11は電気光学定数、eは電気素量、Nは電子数、Lは結晶長、εは誘電率、Vは印加電圧、dは電極間距離である。KTNは、他の電気光学結晶よりも誘電率が大きいため広角な偏向が可能である。また、KTNの誘電率には温度依存性があり、正方晶と立方晶の相転移温度付近で極大となるため、広角及び安定な動作のためには、KTN結晶の温度を相転移温度付近で一定に保つ必要がある。KTNは、その大きな誘電率のため発熱が大きく、KTN結晶の温度を一定に保つには、KTN結晶からの発熱を考慮した温度制御機構が必要になる。 n is the refractive index of KTN, g 11 is the electro-optic constant, e is the elementary charge, N is the number of electrons, L is the crystal length, ε is the dielectric constant, V is the applied voltage, and d is the distance between the electrodes. Since KTN has a larger dielectric constant than other electro-optic crystals, wide-angle deflection is possible. In addition, the dielectric constant of KTN is temperature-dependent and becomes a maximum near the phase transition temperature of tetragonal and cubic crystals. Therefore, for wide angle and stable operation, the temperature of KTN crystal is around the phase transition temperature. It is necessary to keep it constant. KTN generates a large amount of heat due to its large dielectric constant, and in order to keep the temperature of the KTN crystal constant, a temperature control mechanism that takes into account the heat generation from the KTN crystal is required.

特開2013−195916号公報JP 2013-195916 A

J. Miyazu, T. Imai, S. Toyoda, M Sasaura, S. Yagi, K. Kato, Y. Sasaki, and K. Fujiura, “New Beam Scanning Model for High-Speed Operation Using KTa1-xNbxO3 Crystals”, Appl. Phys. Express, vol. 4, no. 11, 111501, November 2011.J. Miyazu, T. Imai, S. Toyoda, M Sasaura, S. Yagi, K. Kato, Y. Sasaki, and K. Fujiura, “New Beam Scanning Model for High-Speed Operation Using KTa1-xNbxO3 Crystals”, Appl Phys. Express, vol. 4, no. 11, 111501, November 2011.

KTN結晶の温度を一定に保つ温度制御機構として、温度検出器としてサーミスタを、冷却加熱手段としてペルチェ素子を用いた機構が知られている(例えば、特許文献1参照)。   As a temperature control mechanism for keeping the temperature of the KTN crystal constant, a mechanism using a thermistor as a temperature detector and a Peltier element as a cooling heating means is known (for example, see Patent Document 1).

図1に、従来の光偏向器の温度制御機構の第1例を示す。KTN結晶1は、その上下面をグラファイトシート2a、2bで挟み込まれ、2つの金属ブロック3a、3bで保持されている。KTN結晶1の上下面には、制御電圧を印加するための電極が形成され、金属ブロック3a、3bを介して制御電圧源に電気的に接続されている。グラファイトシート2a、2bは、KTN結晶1に高周波制御電圧を印加する場合に、振動によるKTN結晶の破壊を防止するために挿入される。KTN結晶1の両脇には、KTN結晶1の位置決めと、2つの金属ブロックの温度を均一に保つための伝熱材としてアルミニウムナイトライド(AlN)4a,4bを挿入している。   FIG. 1 shows a first example of a temperature control mechanism of a conventional optical deflector. The upper and lower surfaces of the KTN crystal 1 are sandwiched between graphite sheets 2a and 2b and are held by two metal blocks 3a and 3b. Electrodes for applying a control voltage are formed on the upper and lower surfaces of the KTN crystal 1, and are electrically connected to a control voltage source via metal blocks 3a and 3b. The graphite sheets 2a and 2b are inserted in order to prevent the KTN crystal from being broken by vibration when a high frequency control voltage is applied to the KTN crystal 1. On both sides of the KTN crystal 1, aluminum nitride (AlN) 4a and 4b are inserted as heat transfer materials for positioning the KTN crystal 1 and keeping the temperatures of the two metal blocks uniform.

金属ブロック3aと支持板5との間にペルチェ素子6が配置され、金属ブロック3aの内部には、サーミスタ7が埋め込まれている。温度制御装置8は、サーミスタ7によって温度を検出して、ペルチェ素子6により金属ブロック3aを加熱して、KTN結晶1を適切な設定温度に維持する。   A Peltier element 6 is disposed between the metal block 3a and the support plate 5, and a thermistor 7 is embedded in the metal block 3a. The temperature control device 8 detects the temperature by the thermistor 7 and heats the metal block 3 a by the Peltier element 6 to maintain the KTN crystal 1 at an appropriate set temperature.

図2に、第1例における環境温度に対するKTN結晶のキャパシタンスの変化を示す。KTN結晶1の上下面に設けた電極間のキャパシタンスを、環境温度に応じて測定した結果である。KTNのキャパシタンスは以下の式で表される。   FIG. 2 shows changes in the capacitance of the KTN crystal with respect to the environmental temperature in the first example. It is the result of measuring the capacitance between the electrodes provided on the upper and lower surfaces of the KTN crystal 1 according to the environmental temperature. The capacitance of KTN is expressed by the following equation.

Sは、KTN結晶1に設けた電極面積である。式(2)に示すように、キャパシタンスは誘電率に比例するため、キャパシタンスの変動をみることにより誘電率の変化を捉えることができる。KTN光偏向器を用いるシステムに要求される誘電率の変動を、キャパシタンスに置き換えると、許容範囲は±0.02nFであるが、図2によれば、±0.2nFの変動が見られる。 S is an electrode area provided in the KTN crystal 1. As shown in the equation (2), since the capacitance is proportional to the dielectric constant, the change in the dielectric constant can be detected by looking at the variation of the capacitance. When the variation in permittivity required for a system using a KTN optical deflector is replaced with a capacitance, the allowable range is ± 0.02 nF, but according to FIG. 2, a variation of ± 0.2 nF is observed.

図3に、従来の光偏向器の温度制御機構の第2例を示す。誘電率の変動を抑制するために、2つのペルチェ素子6a,6bを、金属ブロック3aと支持板5aとの間、金属ブロック3bと支持板5bとの間にそれぞれ配置した。サーミスタ7a,7bも、金属ブロック3a,3bのそれぞれに2つ配置して、2つの温度制御装置8a,8bにより、KTN結晶1の上下両方から温度制御を行う。このような構成により、KTNの温度を一定に保ち、誘電率の変動を抑制する。   FIG. 3 shows a second example of a temperature control mechanism of a conventional optical deflector. In order to suppress fluctuations in the dielectric constant, two Peltier elements 6a and 6b are disposed between the metal block 3a and the support plate 5a, and between the metal block 3b and the support plate 5b, respectively. Two thermistors 7a and 7b are also arranged in each of the metal blocks 3a and 3b, and the temperature is controlled from above and below the KTN crystal 1 by the two temperature control devices 8a and 8b. With such a configuration, the temperature of the KTN is kept constant and fluctuations in the dielectric constant are suppressed.

しかしながら、第2例のKTN光偏向器では、ペルチェ素子を駆動させるための温度制御装置が2台必要になり、KTN光偏向器のサイズが大型となり、製造コストも大きくなってしまうという課題があった。   However, the KTN optical deflector of the second example requires two temperature control devices for driving the Peltier elements, which increases the size of the KTN optical deflector and increases the manufacturing cost. It was.

本発明の目的は、1つの温度制御装置によりKTN結晶の温度を一定に保つことができる光偏向器を提供することにある。   An object of the present invention is to provide an optical deflector capable of keeping the temperature of a KTN crystal constant with a single temperature control device.

本発明は、このような目的を達成するために、一実施態様は、電気光学結晶と、前記電気光学結晶の対向する面に形成され前記電気光学結晶の内部に電界を発生させる正極と負極とからなる電極対とを備え、前記電界の方向と直交するように入射光の光軸が設定され、前記電極対の間に電圧を印加して、前記入射光を偏向させる光偏向器であって、前記正極と接触し第1の温度検出器を備えた第1の導体保持部と、前記負極と接触し第2の温度検出器を備えた第2の導体保持部とを備え、直列に接続された前記第1および前記第2の温度検出器により検出された温度に基づいて、温度制御手段により前記電気光学結晶を一定の温度に保持することを特徴とする。   In order to achieve the above object, according to one embodiment of the present invention, there is provided an electro-optic crystal, and a positive electrode and a negative electrode that are formed on opposing surfaces of the electro-optic crystal and generate an electric field inside the electro-optic crystal. An optical deflector for deflecting the incident light by applying a voltage between the electrode pair, the optical axis of the incident light being set so as to be orthogonal to the direction of the electric field, A first conductor holding portion that contacts the positive electrode and includes a first temperature detector, and a second conductor holding portion that contacts the negative electrode and includes a second temperature detector, and is connected in series. The electro-optic crystal is held at a constant temperature by temperature control means based on the temperatures detected by the first and second temperature detectors.

本発明によれば、直列に接続された第1および第2の温度検出器により検出された温度に基づいて、電気光学結晶を一定の温度に保持するように制御するので、1つの温度制御手段によりKTN結晶の温度を一定に保つことができる。   According to the present invention, since the electro-optic crystal is controlled to be held at a constant temperature based on the temperatures detected by the first and second temperature detectors connected in series, one temperature control means is provided. Thus, the temperature of the KTN crystal can be kept constant.

従来の光偏向器の温度制御機構の第1例を示す図である。It is a figure which shows the 1st example of the temperature control mechanism of the conventional optical deflector. 第1例における環境温度に対するKTN結晶のキャパシタンスの変化を示す図である。It is a figure which shows the change of the capacitance of the KTN crystal with respect to the environmental temperature in a 1st example. 従来の光偏向器の温度制御機構の第2例を示す図である。It is a figure which shows the 2nd example of the temperature control mechanism of the conventional optical deflector. 本発明の実施例1にかかる光偏向器を示す図である。It is a figure which shows the optical deflector concerning Example 1 of this invention. 実施例1における環境温度に対するKTN結晶のキャパシタンスの変化を示す図である。It is a figure which shows the change of the capacitance of a KTN crystal with respect to environmental temperature in Example 1. FIG. 本発明の実施例2にかかる光偏向器を示す図である。It is a figure which shows the optical deflector concerning Example 2 of this invention. 本発明の実施例3にかかる光偏向器を示す図である。It is a figure which shows the optical deflector concerning Example 3 of this invention.

以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図4に、本発明の実施例1にかかる光偏向器を示す。図4は、光の入射方向から見たKTN光偏向器である。KTN結晶11は、その上下面をグラファイトシート12a、12bで挟み込まれ、2つの金属ブロック(導体保持部)13a、13bで保持されている。KTN結晶11の対向する上下の面には、制御電圧を印加するための正極と負極とからなる電極対が形成され、それぞれに接触する金属ブロック13a、13bを介して制御電圧源に電気的に接続されている。制御電圧源からの電圧印加と、KTN結晶11への電子注入によりKTN結晶11内部に電界を発生させ、KTN結晶11内部に屈折率分布を発生させる。電界の方向と直交するように入射光の光軸が設定され、電極対の間に電圧を印加して、入射光を偏向させる。   FIG. 4 shows an optical deflector according to the first embodiment of the present invention. FIG. 4 shows a KTN optical deflector viewed from the incident direction of light. The upper and lower surfaces of the KTN crystal 11 are sandwiched between graphite sheets 12a and 12b, and are held by two metal blocks (conductor holding portions) 13a and 13b. On the upper and lower surfaces of the KTN crystal 11 facing each other, an electrode pair consisting of a positive electrode and a negative electrode for applying a control voltage is formed, and electrically connected to the control voltage source via the metal blocks 13a and 13b that are in contact with the electrode pairs. It is connected. By applying a voltage from the control voltage source and injecting electrons into the KTN crystal 11, an electric field is generated inside the KTN crystal 11, and a refractive index distribution is generated inside the KTN crystal 11. The optical axis of the incident light is set so as to be orthogonal to the direction of the electric field, and a voltage is applied between the electrode pair to deflect the incident light.

グラファイトシート12a、12bは、KTN結晶11に高周波制御電圧を印加する場合に、振動によるKTN結晶の破壊を防止するために挿入される。KTN結晶11の両脇には、KTN結晶11の位置決めと、2つの金属ブロックの温度を均一に保つための伝熱材としてアルミニウムナイトライド(AlN)14a,14bを挿入している。   The graphite sheets 12a and 12b are inserted in order to prevent the KTN crystal from being destroyed by vibration when a high frequency control voltage is applied to the KTN crystal 11. On both sides of the KTN crystal 11, aluminum nitride (AlN) 14a, 14b is inserted as a heat transfer material for positioning the KTN crystal 11 and keeping the temperatures of the two metal blocks uniform.

金属ブロック13aと支持板15との間にペルチェ素子16が配置され、金属ブロック13a,13bの内部には、それぞれサーミスタ(温度検出器)17a,17bが埋め込まれている。温度制御装置18は、サーミスタ17a,17bによって温度を検出して、ペルチェ素子16により金属ブロック13aを加熱または冷却して、KTN結晶11を適切な設定温度(一定温度)に維持する。   A Peltier element 16 is disposed between the metal block 13a and the support plate 15, and thermistors (temperature detectors) 17a and 17b are embedded in the metal blocks 13a and 13b, respectively. The temperature control device 18 detects the temperature by the thermistors 17a and 17b, and heats or cools the metal block 13a by the Peltier element 16, thereby maintaining the KTN crystal 11 at an appropriate set temperature (constant temperature).

ここで、温度制御装置18は、直列に接続されたサーミスタ17aとサーミスタ17bの抵抗値を測定することにより温度を検出する。すなわち、KTN結晶11の発熱による金属ブロック13a、13bの双方の温度上昇をフィードバックすることができる。また、KTN結晶11の発熱だけでなく、環境温度の変化による金属ブロック13a、13bの温度変化に対しても対応することができ、KTN結晶11の誘電率を一定に保つことができる。   Here, the temperature control device 18 detects the temperature by measuring the resistance values of the thermistor 17a and the thermistor 17b connected in series. That is, the temperature rise of both the metal blocks 13a and 13b due to the heat generation of the KTN crystal 11 can be fed back. Further, not only the heat generation of the KTN crystal 11 but also the temperature change of the metal blocks 13a and 13b due to the change of the environmental temperature can be dealt with, and the dielectric constant of the KTN crystal 11 can be kept constant.

さらに、このような構成により、温度制御装置18およびペルチェ素子16を1組だけ使用することにより温度制御が可能となる。従って、KTN光偏向器の大型化を防ぎ、製造コストを抑制することができる。   Further, such a configuration enables temperature control by using only one set of the temperature control device 18 and the Peltier element 16. Accordingly, it is possible to prevent the KTN optical deflector from becoming large and to reduce the manufacturing cost.

図5に、実施例1における環境温度に対するKTN結晶のキャパシタンスの変化を示す。KTN結晶11には、周波数20kHz、振幅600Vppの印加電圧を加える。環境温度を20−40℃の間で継時的に変化させ、金属ブロック13a、13bのKTN結晶のキャパシタンスを測定した。従来例の図2と比較すると、実施例1によれば、KTN結晶のキャパシタンスの変化が、許容範囲の±0.02nF以内に収まっており、環境温度が20℃変化しても殆ど影響を受けていないことがわかる。   FIG. 5 shows changes in the capacitance of the KTN crystal with respect to the environmental temperature in Example 1. An applied voltage having a frequency of 20 kHz and an amplitude of 600 Vpp is applied to the KTN crystal 11. The capacitance of the KTN crystal of the metal blocks 13a and 13b was measured while changing the ambient temperature between 20-40 ° C. Compared with FIG. 2 of the conventional example, according to Example 1, the change in the capacitance of the KTN crystal is within ± 0.02 nF of the allowable range, and even if the environmental temperature changes by 20 ° C., it is almost affected. You can see that it is not.

KTN結晶は、電圧印加の際に電歪が生じ、KTN結晶に加えられる圧力によって誘電率が変化する。このため、KTN結晶の電歪を吸収し、KTN結晶への圧力を一定に保つために、ばね等を利用したKTN結晶の保持機構が有効である(例えば、特許文献1参照)。例えば、2つの金属ブロック(導体保持部)13a、13bによって、正極が形成された面および負極が形成された面にそれぞれ垂直な方向に、KTN結晶に対して所定の圧力を与える圧力付与手段を備えることができる。このような保持機構の有無および形状・構成は、どのようなものでも構わない。また、上下の熱移動についても上下電極間の絶縁性が保持されていれば、どのような形状でも構わない。サーミスタの構成についても、上下電極それぞれの温度を検出できれば設置箇所・個数等を含めどのような構成になっていても構わない。   The KTN crystal is electrostricted when a voltage is applied, and the dielectric constant changes depending on the pressure applied to the KTN crystal. For this reason, in order to absorb the electrostriction of the KTN crystal and keep the pressure on the KTN crystal constant, a holding mechanism of the KTN crystal using a spring or the like is effective (for example, see Patent Document 1). For example, pressure applying means for applying a predetermined pressure to the KTN crystal in a direction perpendicular to the surface on which the positive electrode is formed and the surface on which the negative electrode is formed by two metal blocks (conductor holding portions) 13a and 13b. Can be provided. The presence / absence and shape / configuration of such a holding mechanism may be arbitrary. Further, the upper and lower heat transfer may have any shape as long as the insulation between the upper and lower electrodes is maintained. The structure of the thermistor also may be in any configuration, including setting locations, number, etc. If detecting the temperature of the upper and lower electrodes.

図6に、本発明の実施例2にかかる光偏向器を示す。実施例1の光偏向器がy軸方向の1軸の光偏向を行うのに対して、実施例2の光偏向器は、x軸とy軸の2軸の光偏向を行う。y軸方向の光偏向を行う前段の光偏向素子の構成は、実施例1の光偏向器と同じである。KTN結晶21は、その上下面をグラファイトシート22a、22bで挟み込まれ、2つの金属ブロック(導体保持部)23a、23bで保持されている。KTN結晶21の対向する上下の面には、制御電圧を印加するための正極と負極とからなる電極対が形成され、それぞれに接触する金属ブロック23a、23bを介して制御電圧源に電気的に接続されている。KTN結晶21の両脇には、KTN結晶21の位置決めと、2つの金属ブロックの温度を均一に保つための伝熱材としてアルミニウムナイトライド(AlN)24a,24bを挿入している。金属ブロック23aを伝熱板25の上面に載置し、伝熱板25の下面にペルチェ素子26が配置される。金属ブロック23a,23bの内部には、それぞれサーミスタ27a,27bが埋め込まれている。   FIG. 6 shows an optical deflector according to Embodiment 2 of the present invention. The optical deflector according to the first embodiment performs uniaxial light deflection in the y-axis direction, whereas the optical deflector according to the second embodiment performs biaxial optical deflection of the x axis and the y axis. The configuration of the optical deflection element in the previous stage that performs optical deflection in the y-axis direction is the same as that of the optical deflector of the first embodiment. The upper and lower surfaces of the KTN crystal 21 are sandwiched between graphite sheets 22a and 22b, and are held by two metal blocks (conductor holding portions) 23a and 23b. On the upper and lower surfaces of the KTN crystal 21 facing each other, an electrode pair consisting of a positive electrode and a negative electrode for applying a control voltage is formed, and electrically connected to the control voltage source via the metal blocks 23a and 23b that are in contact with the electrode pairs. It is connected. On both sides of the KTN crystal 21, aluminum nitride (AlN) 24a and 24b are inserted as heat transfer materials for positioning the KTN crystal 21 and keeping the temperatures of the two metal blocks uniform. The metal block 23 a is placed on the upper surface of the heat transfer plate 25, and the Peltier element 26 is disposed on the lower surface of the heat transfer plate 25. The thermistors 27a and 27b are embedded in the metal blocks 23a and 23b, respectively.

前段の光偏向素子と、x軸方向の光偏向を行う後段の光偏向素子との間には、半波長板29が挿入され、それぞれ同一の光軸上に配置され、前段の光偏向素子と後段の光偏向素子とは、光軸を中心軸として90度の角度を成すように、設置されている。前段の光偏向素子からの出射光は、半波長板29を透過して、後段の光偏向素子に入射される。   A half-wave plate 29 is inserted between the former stage optical deflection element and the latter stage optical deflection element that performs the optical deflection in the x-axis direction, and is disposed on the same optical axis. The latter optical deflection element is installed so as to form an angle of 90 degrees with the optical axis as the central axis. The outgoing light from the front stage light deflection element passes through the half-wave plate 29 and enters the rear stage light deflection element.

後段の光偏向素子の構成も、実施例1の光偏向器の構成と同じである。KTN結晶31は、その左右の面をグラファイトシート32a、32bで挟み込まれ、2つの金属ブロック(導体保持部)33a、33bで保持されている。KTN結晶31の対向する左右の面には、制御電圧を印加するための正極と負極とからなる電極対が形成され、それぞれに接触する金属ブロック33a、33bを介して制御電圧源に電気的に接続されている。KTN結晶31の上下には、KTN結晶31の位置決めと、2つの金属ブロックの温度を均一に保つための伝熱材としてアルミニウムナイトライド(AlN)34a,34bを挿入している。金属ブロック33a,33bの一方の側面を伝熱板25の上面に載置する。金属ブロック33a,33bの内部には、それぞれサーミスタ37a,37bが埋め込まれている。   The configuration of the optical deflection element at the subsequent stage is the same as the configuration of the optical deflector of the first embodiment. The left and right surfaces of the KTN crystal 31 are sandwiched between graphite sheets 32a and 32b, and are held by two metal blocks (conductor holding portions) 33a and 33b. On the opposite left and right surfaces of the KTN crystal 31, an electrode pair consisting of a positive electrode and a negative electrode for applying a control voltage is formed, and electrically connected to the control voltage source via metal blocks 33a and 33b that are in contact with the electrode pair. It is connected. Above and below the KTN crystal 31, aluminum nitride (AlN) 34a and 34b are inserted as heat transfer materials for positioning the KTN crystal 31 and keeping the temperatures of the two metal blocks uniform. One side surface of the metal blocks 33 a and 33 b is placed on the upper surface of the heat transfer plate 25. The thermistors 37a and 37b are embedded in the metal blocks 33a and 33b, respectively.

温度制御装置28は、サーミスタ27a,27bによって前段の光偏向素子の温度を検出し、サーミスタ37a,37bによって後段の光偏向素子の温度を検出する。4つのサーミスタ27a,27b,37a,37bは直列に接続され、温度制御装置18は、これらの直列抵抗値を測定することにより、双方の光偏向素子の温度上昇をフィードバックすることができる。温度制御装置28は、ペルチェ素子26により金属ブロック23a,33a,33bを加熱して、KTN結晶21,31を適切な設定温度に維持する。   The temperature control device 28 detects the temperature of the preceding optical deflection element by the thermistors 27a and 27b, and detects the temperature of the subsequent optical deflection element by the thermistors 37a and 37b. The four thermistors 27a, 27b, 37a, and 37b are connected in series, and the temperature control device 18 can feed back the temperature rise of both optical deflection elements by measuring these series resistance values. The temperature control device 28 heats the metal blocks 23a, 33a, 33b by the Peltier element 26, and maintains the KTN crystals 21, 31 at an appropriate set temperature.

実施例2によれば、前後段の光偏向素子を含む光偏向器全体を、1つの温度制御装置により制御することができる。なお、伝熱板の構成については、各金属ブロックと接することができ、ペルチェ素子を熱的に結合できる構成であればどのような形状でもよい。   According to the second embodiment, the entire optical deflector including the optical deflection elements at the front and rear stages can be controlled by one temperature control device. In addition, about the structure of a heat exchanger plate, what kind of shape may be sufficient if it can contact | connect each metal block and can couple | bond a Peltier element thermally.

複数のサーミスタを直列に接続した時の温度制御装置の設定について述べる。サーミスタによって検出される温度は以下の式から算出される。   The setting of the temperature control device when a plurality of thermistors are connected in series will be described. The temperature detected by the thermistor is calculated from the following equation.

Taはa℃での絶対温度、Raはa℃でのゼロ負荷抵抗値、T25は25℃での絶対温度、R25は25℃でのサーミスタの抵抗値、BはB定数である。実施例1のようにサーミスタを2つ直列に接続したとき、それぞれの抵抗をR1、R2としたとき、検出される温度は、 Ta is an absolute temperature at a ° C., Ra is a zero load resistance value at a ° C., T 25 is an absolute temperature at 25 ° C., R 25 is a resistance value of the thermistor at 25 ° C., and B is a B constant. When two thermistors are connected in series as in Example 1, when the respective resistances are R 1 and R 2 , the detected temperatures are:

と近似した場合、次式となる。 Is approximated by the following equation.

式(3)と比較すると、サーミスタの抵抗値R25を2倍にすることにより、RaとR1+R2とを同等に扱うことができる。すなわち、サーミスタの抵抗値R25を2倍に設定変更するだけにより、従来の単一のサーミスタを接続した場合と同様に、直複数のサーミスタを直列に接続した場合でも、ペルチェ素子を駆動させることができる。 Compared with the equation (3), by multiplying the resistance value R 25 of the thermistor by two, Ra and R 1 + R 2 can be treated equally. That is, the Peltier element can be driven even when a plurality of thermistors are connected in series as in the case where a conventional single thermistor is connected, by simply changing the resistance value R 25 of the thermistor twice. Can do.

図7に、本発明の実施例3にかかる光偏向器を示す。KTN結晶41は、その上下面をグラファイトシート42a、42bで挟み込まれ、2つの金属ブロック(導体保持部)43a、43bで保持されている。KTN結晶41の対向する上下の面には、制御電圧を印加するための正極と負極とからなる電極対が形成され、それぞれに接触する金属ブロック43a、43bを介して制御電圧源に電気的に接続されている。KTN結晶41の両脇には、KTN結晶41の位置決めと、2つの金属ブロックの温度を均一に保つための伝熱材としてアルミニウムナイトライド(AlN)44a,44bを挿入している。金属ブロック43aと支持板45との間にペルチェ素子46が配置され、金属ブロック43aの内部には、複数のサーミスタ(複数の温度検出素子)47a,47cが、金属ブロック43bの内部には、複数のサーミスタ(複数の温度検出素子)47b,47dが、それぞれ埋め込まれている。   FIG. 7 shows an optical deflector according to Embodiment 3 of the present invention. The upper and lower surfaces of the KTN crystal 41 are sandwiched between graphite sheets 42a and 42b, and are held by two metal blocks (conductor holding portions) 43a and 43b. On the upper and lower surfaces of the KTN crystal 41 facing each other, an electrode pair consisting of a positive electrode and a negative electrode for applying a control voltage is formed, and electrically connected to the control voltage source via the metal blocks 43a and 43b in contact with each. It is connected. On both sides of the KTN crystal 41, aluminum nitride (AlN) 44a and 44b are inserted as heat transfer materials for positioning the KTN crystal 41 and keeping the temperatures of the two metal blocks uniform. A Peltier element 46 is disposed between the metal block 43a and the support plate 45. A plurality of thermistors (a plurality of temperature detection elements) 47a and 47c are provided inside the metal block 43a, and a plurality of thermistors (a plurality of temperature detection elements) are provided inside the metal block 43b. Thermistors (a plurality of temperature detecting elements) 47b and 47d are embedded.

サーミスタ47a(抵抗値R1)とサーミスタ47b(抵抗値R2)とが直列に接続され、サーミスタ47c(抵抗値R1)とサーミスタ47d(抵抗値R2)とが直列に接続され、前者のサーミスタの組と後者のサーミスタの組とが並列に接続され、温度制御装置48に接続されている。この場合、4つの合成抵抗は、 The thermistor 47a (resistance value R 1 ) and the thermistor 47b (resistance value R 2 ) are connected in series, and the thermistor 47c (resistance value R 1 ) and the thermistor 47d (resistance value R 2 ) are connected in series. The thermistor set and the latter thermistor set are connected in parallel and connected to the temperature controller 48. In this case, the four combined resistors are

となる。 It becomes.

また、4か所の平均温度は、   The average temperature at the four locations is

となる。 It becomes.

このとき、温度制御装置48によって検出される温度は式(3)と同じになる。従って、温度制御装置48は、実施例2の温度制御装置38の設定を変更せずに、そのまま適用することができる。   At this time, the temperature detected by the temperature control device 48 is the same as that in Expression (3). Therefore, the temperature control device 48 can be applied as it is without changing the setting of the temperature control device 38 of the second embodiment.

(電気光学材料)
本実施形態においては、電気光学結晶としてKTN結晶を例に説明したが、反転対称性を有するペロブスカイト型の結晶構造を有する単結晶材料を用いることもできる。KTNに関連する単結晶材料として、結晶の主成分が、周期律表Ia族とVa族から構成されており、Ia族はカリウムであり、Va族はニオブ、タンタルの少なくとも1つを含む材料を用いることができる。また、添加不純物としてカリウムを除く周期律表Ia族、例えばリチウム、またはIIa族の1または複数種を含むこともできる。例えば、立方晶相のKLTN(K1-yLiyTa1-xNbx3、0<x<1、0<y<1)結晶を用いることもできる。
(Electro-optic material)
In the present embodiment, the KTN crystal has been described as an example of the electro-optic crystal, but a single crystal material having a perovskite crystal structure having inversion symmetry can also be used. As a single crystal material related to KTN, the main component of the crystal is composed of groups Ia and Va in the periodic table, group Ia is potassium, and group Va includes at least one of niobium and tantalum. Can be used. Moreover, 1 or multiple types of periodic table group Ia except potassium as an additional impurity, for example, lithium, or IIa group can also be included. For example, a cubic phase KLTN (K 1-y Li y Ta 1-x Nb x O 3 , 0 <x <1, 0 <y <1) crystal may be used.

その他に、PbTi1-xZrx3(PZT)や、これにLaを添加したPLZTも、ペロブスカイト型結晶であり、組成と使用温度の選択により、反転対称性を持たせることができる。これらは、単結晶でなくても、多結晶の焼結体としても用いることができる。 In addition, PbTi 1-x Zr x O 3 (PZT) and PLZT to which La is added are also perovskite crystals, and can have inversion symmetry by selecting the composition and use temperature. These can be used not only as a single crystal but also as a polycrystalline sintered body.

(電極材料)
電気光学結晶に高い電圧を印加すると、電極から電荷が注入され、結晶内に空間電荷が発生しうる。この空間電荷により電圧の印加方向に電界の大きさの傾斜が生じるために、屈折率の変調にも傾斜が生じる。従って、電気光学材料を本実施形態の光偏向器として機能させるため、所望の屈折率分布を得るためには、電気光学結晶に電圧を印加した際に、電気光学結晶の内部に高密度の空間電荷が形成されるのがよい。
(Electrode material)
When a high voltage is applied to the electro-optic crystal, charges are injected from the electrodes, and space charges can be generated in the crystal. This space charge causes a gradient in the magnitude of the electric field in the direction in which the voltage is applied. Therefore, in order to make the electro-optic material function as the optical deflector of the present embodiment, in order to obtain a desired refractive index distribution, when a voltage is applied to the electro-optic crystal, a high-density space is formed inside the electro-optic crystal. Charges should be formed.

空間電荷の量は、キャリアの注入効率に依存する量である。電気光学結晶において電気伝導に寄与するキャリアが電子の場合には、電極材料の仕事関数が小さくなるにつれて、電極と基板との間はオーミック接合に近づき、キャリアの注入効率は増加する。従って、本実施形態のKTN結晶の対向する面に形成された電極は、KTN結晶とオーミック接合が形成される材料であることが好ましい。例えば、仕事関数が5.0eV未満の電極材料として、Ti(3.84)等を用いることができる。()内は仕事関数を示し、単位はeVである。なお、Tiの単層電極は、酸化して高抵抗になるので、一般的には、Ti/Pt/Auを順に積層した電極を用いて、Tiの層と電気光学結晶とを接合させる。さらに、ITO(Indium Tin Oxide)、ZnOなどの透明電極を用いることもできる。   The amount of space charge depends on the carrier injection efficiency. When the carriers contributing to electrical conduction in the electro-optic crystal are electrons, as the work function of the electrode material decreases, the electrode and the substrate approach an ohmic junction, and the carrier injection efficiency increases. Therefore, the electrode formed on the opposing surface of the KTN crystal of this embodiment is preferably a material that forms an ohmic junction with the KTN crystal. For example, Ti (3.84) or the like can be used as an electrode material having a work function of less than 5.0 eV. The parentheses indicate work functions, and the unit is eV. Since the Ti single-layer electrode is oxidized and becomes high resistance, generally, an electrode in which Ti / Pt / Au is sequentially laminated is used to join the Ti layer and the electro-optic crystal. Furthermore, transparent electrodes such as ITO (Indium Tin Oxide) and ZnO can also be used.

一方、電気光学結晶において電気伝導に寄与するキャリアが正孔の場合には、正孔を効率よく注入するために、電極材料の仕事関数は、5.0eV以上であることが好ましい。例えば、仕事関数が5.0eV以上の電極材料として、Co(5.0)、Ge(5.0)、Au(5.1)、Pd(5.12)、Ni(5.15)、Ir(5.27)、Pt(5.65)、Se(5.9)を用いることができる。   On the other hand, when the carriers contributing to electrical conduction in the electro-optic crystal are holes, the work function of the electrode material is preferably 5.0 eV or more in order to inject holes efficiently. For example, as an electrode material having a work function of 5.0 eV or more, Co (5.0), Ge (5.0), Au (5.1), Pd (5.12), Ni (5.15), Ir (5.27), Pt (5.65), Se (5.9) can be used.

1,11,21,31,41 KTN結晶
2,12,22,32,42 グラファイトシート
3,13,23,33,43 金属ブロック
4,14,24,34,44 アルミニウムナイトライド(AlN)
5,15,45 支持板
6,16,26,46 ペルチェ素子
7,17,27,37,47 サーミスタ
8,18,28,48 温度制御装置
25 伝熱板
1,11,21,31,41 KTN crystal 2,12,22,32,42 Graphite sheet 3,13,23,33,43 Metal block 4,14,24,34,44 Aluminum nitride (AlN)
5, 15, 45 Support plate 6, 16, 26, 46 Peltier element 7, 17, 27, 37, 47 Thermistor 8, 18, 28, 48 Temperature controller 25 Heat transfer plate

Claims (7)

電気光学結晶と、前記電気光学結晶の対向する面に形成され前記電気光学結晶の内部に電界を発生させる正極と負極とからなる電極対とを備え、前記電界の方向と直交するように入射光の光軸が設定され、前記電極対の間に電圧を印加して、前記入射光を偏向させる光偏向器であって、
前記正極と接触し第1の温度検出器を備えた第1の導体保持部と、
前記負極と接触し第2の温度検出器を備えた第2の導体保持部とを備え、
直列に接続された前記第1および前記第2の温度検出器により検出された温度に基づいて、温度制御手段により前記電気光学結晶を一定の温度に保持することを特徴とする光偏向器。
Incident light so as to be orthogonal to the direction of the electric field, comprising: an electro-optic crystal; and an electrode pair formed on opposite surfaces of the electro-optic crystal and configured to generate an electric field inside the electro-optic crystal. And an optical deflector for deflecting the incident light by applying a voltage between the electrode pair,
A first conductor holding portion in contact with the positive electrode and provided with a first temperature detector;
A second conductor holding part in contact with the negative electrode and provided with a second temperature detector;
An optical deflector characterized in that the electro-optic crystal is held at a constant temperature by temperature control means based on temperatures detected by the first and second temperature detectors connected in series.
前記第1の導体保持部および前記第2の導体保持部によって、前記正極が形成された面および前記負極が形成された面にそれぞれ垂直な方向に、前記電気光学結晶に対して所定の圧力を与える圧力付与手段をさらに備えたことを特徴とする請求項1に記載の光偏向器。   The first conductor holding part and the second conductor holding part apply a predetermined pressure to the electro-optic crystal in directions perpendicular to the surface on which the positive electrode is formed and the surface on which the negative electrode is formed. The optical deflector according to claim 1, further comprising pressure applying means for applying the pressure. 前記電気光学結晶は、ペロブスカイト型単結晶材料であることを特徴とする請求項1または2に記載の光偏向器。   3. The optical deflector according to claim 1, wherein the electro-optic crystal is a perovskite single crystal material. 前記電気光学結晶は、タンタル酸ニオブ酸カリウム(KTN:KTa1-xNbx3、0<x<1)であることを特徴とする請求項3に記載の光偏向器。 The electro-optical crystal, potassium tantalate niobate (KTN: KTa 1-x Nb x O 3, 0 <x <1) the optical deflector according to claim 3, characterized in that the. 前記正極および前記負極とは、前記電気光学結晶とオーミック接合が形成される材料からなることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の光偏向器。   5. The optical deflector according to claim 1, wherein the positive electrode and the negative electrode are made of a material that forms an ohmic junction with the electro-optic crystal. 請求項1ないし5のいずれかに記載の光偏向器が同一の光軸上に複数配置され、前記第1および前記第2の温度検出器のすべてが直列に接続され、前記温度制御手段によりすべての電気光学結晶を一定の温度に保持することを特徴とする光偏向器。   A plurality of optical deflectors according to any one of claims 1 to 5 are arranged on the same optical axis, all of the first and second temperature detectors are connected in series, and all of them are controlled by the temperature control means. An optical deflector characterized in that the electro-optic crystal is maintained at a constant temperature. 前記第1の温度検出器は、複数の第1の温度検出素子を含み、
前記第2の温度検出器は、前記第1の温度検出素子と同数の第2の温度検出素子を含み、
第1の温度検出素子の1つと第2の温度検出素子の1つとが直列に接続された、複数の温度検出素子の組を含み、
並列に接続された前記複数の温度検出素子の組により検出された温度に基づいて、前記温度制御手段により前記電気光学結晶を一定の温度に保持することを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記載の光偏向器。
The first temperature detector includes a plurality of first temperature detection elements,
The second temperature detector includes the same number of second temperature detection elements as the first temperature detection elements,
A set of a plurality of temperature detection elements, wherein one of the first temperature detection elements and one of the second temperature detection elements are connected in series;
6. The electro-optic crystal is held at a constant temperature by the temperature control means based on a temperature detected by a set of the plurality of temperature detecting elements connected in parallel. An optical deflector according to claim 1.
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