JP2017181117A - 赤外線検知素子及び赤外線検知素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、このような事情によりなされたものであって、赤外線吸収膜の赤外線吸収率を従来のものより向上させた赤外線検知素子及びこの赤外線検知素子を形成する新規な製造方法を提供する。
本発明の赤外線検知素子の製造方法における赤外線吸収膜を形成する工程について、金黒膜を蒸着により形成するという製造工程は一般に知られている技術であるが、本発明では、さらに、従来の工程にはない間引き成膜準備工程を追加しており、これを実施することにより、この工程を用いないで成膜した場合に比べて、クラスタの平面密度をさらに低下させることができ、赤外線吸収率を向上させることが可能になる。
この実施例の赤外線検知素子1は、図1に示されているように、シリコンなどの半導体基板2に形成されている。赤外線検知素子1は、半導体基板2と、この半導体基板上に空洞3を介して形成されたシリコン窒化膜などからなるメンブレン4と、このメンブレン4上に形成されたアモルファスシリコン層5とを有している。アモルファスシリコン層5は、その上に形成される赤外線吸収膜6を蒸着堆積させるときの下地膜として用いられる。メンブレン4上には、一端が赤外線吸収膜6と接続するよう設けられた複数の熱電対などの熱電部材7が形成されている。赤外線吸収膜6の温度変化として熱変換された入力はこの熱電部材7を介して検出される。
赤外線吸収膜6において、第2の金黒膜9は、そのクラスタサイズが下層に形成された第1の金黒膜8よりも大きく、そのクラスタの平面密度が1.6個/100μm2以上である。真空蒸着により形成した金黒膜は、金の微粒子が堆積した膜になるが、蒸着した微粒子はその蒸着条件によって、ばらばらの状態で堆積したり、いくつかの微粒子がくっつき少し大きめのサイズのかたまり(塊)になったりする。ここではこのかたまりをクラスタと呼び、大きさをクラスタサイズという。
シリコンなどの半導体基板に赤外線検知素子を形成するにあたり、半導体基板2に断熱構造で支持されたメンブレン4を形成し、メンブレン4の吸熱効率を高めるために下地膜5を介して赤外線吸収膜6を形成する(図1参照)。
蒸着された薄膜が形成される真空容器(チャンバ)内は内部に生じる温度差により対流が発生し、蒸着された薄膜は柱状構造のクラスタから構成されるようになる。そして、次に、第2の成膜工程が行われる前に、第1の成膜工程の終了後の半導体基板を、第1及び第2の成膜工程とは温度又は湿度の異なる空気に晒す間引き成膜準備工程を実施する。
さらに、必要に応じて、第1及び第2の成膜工程を経て形成された赤外線吸収膜6に対して一時的に水分を加える。これによって金黒膜8、9を構成する金の微粒子の相互の密着性を高めることができる。
赤外線吸収膜6を形成するに当たって、金黒膜を蒸着により形成するという製造工程は従来知られているが、この実施例では、間引き成膜準備工程を行っており、これを実施した場合、連続的に成膜した場合に比べて、クラスタの平面密度をさらに低下させることができ、その結果赤外線吸収率を更に向上させることができる。
2・・・半導体基板
3・・・空洞
4・・・メンブレン
5・・・アモルファスシリコン層(下地膜)
6・・・赤外線吸収膜
7・・・熱電部材
8・・・第1の金黒膜
9・・・第2の金黒膜
Claims (3)
- 半導体基板と、前記半導体基板のダイヤフラム構造上の受光領域に形成されたメンブレンと、前記メンブレン上に形成された金微粒子の蒸着物からなる金黒膜から構成された赤外線吸収膜とを具備し、前記赤外線吸収膜は、前記メンブレン表面上に形成された第1の金黒膜と、前記第1の金黒膜上に設けられた第2の金黒膜とから構成され、前記第2の金黒膜は、そのクラスタサイズが前記下層の第1の金黒膜よりも大きく、そのクラスタ平面密度が1.6個/100μm2以上であることを特徴とする赤外線検知素子。
- 半導体基板上の受光領域に赤外線吸収膜を形成する工程を具備し、前記赤外線吸収膜を形成する工程は、微粒子状の金を蒸着によって堆積させることにより下層の第1の金黒膜を形成する第1の成膜工程と、前記下層の第1の金黒膜上に更に微粒子状の金を蒸着によって堆積させることにより上層の第2の金黒膜を形成する第2の成膜工程と、前記第2の成膜工程が行われる前に、前記第1の成膜工程の終了後の前記半導体基板を、前記第1及び第2の成膜工程とは温度又は湿度の異なる空気に晒す間引き成膜準備工程とを有し、前記間引き成膜準備工程によって前記上層の第2の金黒膜は、そのクラスタサイズが前記下層の第1の金黒膜よりも大きく、且つ受光側の表面部でのクラスタの平面密度が1.6個/100μm2以上に形成されていることを特徴とする赤外線検知素子の製造方法。
- 前記第1及び第2の成膜工程を経て形成された前記赤外線吸収膜に対して一時的に水分を加えることによって前記金の微粒子の相互の密着性を高める工程を更に有することを特徴とする請求項2に記載の赤外線検知素子の製造方法。
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