JP2017162961A - レーザ加工装置 - Google Patents

Abstract

【課題】パルスレーザビームの平均パワーの測定精度の低下を回避し、かつ測定時間の短縮を図ることが可能な測定器を備えたレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】レーザ光源から出力されたパルスレーザビームの経路に、減衰量可変のアッテネータが配置されている。吸光部材が、パルスレーザビームを受光して発熱する。ステージに加工対象物が保持される。レーザ光源から出力されたパルスレーザビームが加工対象物に入射する状態と、吸光部材に入射する状態とが、切替器によって切り替えられる。温度センサが吸光部材の温度を測定する。制御装置が、レーザ光源からパルスレーザビームを出力させ、パルスレーザビームが吸光部材に入射するように切替器の状態を切り替える。その後、吸光部材の温度が空間的に均一になった状態における温度センサの測定値に基づいて、アッテネータの減衰量を調整する。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体ウエハに注入されたドーパントの活性化アニールに適したレーザ加工装置に関する。

シリコン等の半導体ウエハに注入したドーパントを活性化する方法として、レーザアニールが適用される場合がある（特許文献１）。パルスレーザビームを用いてレーザアニールを行う際には、半導体ウエハの加熱温度及び加熱深さを調整するために、パルス幅及びパルスエネルギを目標とする値に制御することが望まれる。半導体ウエハの表面におけるパルスエネルギを測定するために、パワーメータが用いられる。パワーメータは、ある時間幅におけるパルスレーザビームの平均パワーを測定することができる。測定された平均パワーと、パルスの繰り返し周波数とから、パルスエネルギが算出される。

特開２０１４−１９２２７７号公報

一般的なサーモパイル方式のパワーメータの測定原理について簡単に説明する。板状のレーザ吸収体の中心部にレーザビームが入射し、中心部の温度が上昇する。中心部と外周部との温度差を熱電対で測定することにより、レーザビームの平均パワーを求めることができる。

レーザ吸収体にレーザビームが入射し始めた時点では、中心部の温度が上昇しても、外周部の温度が上昇していないため、両者の間に大きな温度差が生じる。レーザビームの入射が継続すると、レーザ吸収体の中心部から外周部に熱が伝搬することにより、中心部と外周部との温度差が小さくなる。従って、サーモパイル方式のパワーメータの出力信号は、レーザビームの入射の開始によって上昇し、ある時点で極大値を示す。その後、時間の経過とともに緩やかに低下する。レーザ吸収体の温度分布が定常状態に達すると、パワーメータの出力信号が一定値に落ち着く。

パルスレーザビームの平均パワーを高精度に測定するためには、パワーメータの出力信号が安定するまで待つことが好ましい。言い換えると、パワーメータのレーザ吸収体の中心部から外周部まで熱が伝搬して、定常状態になるまで待つことが好ましい。定常状態になる前のパワーメータからの出力信号から平均パワーを求めると、測定精度が低下してしまう。

本発明の目的は、パルスレーザビームの平均パワーの測定精度の低下を回避し、かつ測定時間の短縮を図ることが可能な測定器を備えたレーザ加工装置を提供することである。

本発明の一観点によると、
パルスレーザビームを出力するレーザ光源と、
前記レーザ光源から出力されたパルスレーザビームの経路に配置され、パルスレーザビームの光強度を減衰させる減衰量可変のアッテネータと、
パルスレーザビームを受光して発熱する吸光部材と、
加工対象物を保持するステージと、
前記レーザ光源から出力されたパルスレーザビームが前記ステージに保持された加工対象物に入射する状態と、前記吸光部材に入射する状態とを切り替える切替器と、
前記吸光部材の温度を測定する温度センサと、
前記レーザ光源からのパルスレーザビームの出力タイミング、前記アッテネータの減衰量、前記切替器の状態を制御する制御装置と
を有し、
前記制御装置は、前記レーザ光源からパルスレーザビームを出力させ、パルスレーザビームが前記吸光部材に入射するように前記切替器の状態を切り替え、前記吸光部材の温度が空間的に均一になった状態における前記温度センサの測定値に基づいて、前記アッテネータの減衰量を調整するレーザ加工装置が提供される。

吸光部材の温度が均一になった時点の温度に基づいて、パルスレーザビームの平均パワーを算出することができる。吸光部材内のパルスレーザビームが入射する吸熱部から、外周の低温部まで熱が伝搬して定常状態に達するまでの時間より短い時間で、吸光部材の温度が定常状態に達する。このため、測定精度を低下させることなく、測定時間を短縮することができる。

図１は、実施例によるレーザ加工装置の概略図である。 図２Ａは、実施例によるレーザ加工装置に用いられている吸光部材の斜視図であり、図２Ｂは、吸光部材にパルスレーザビームが入射したときの温度の時間変化の一例を示すグラフである。 図３Ａは、一般的なサーモパイル方式のパワーメータの吸光部材の正面図であり、図３Ｂは、パワーメータにパルスレーザビームが入射したときに、パワーメータの熱電対から出力される電気信号の時間変化の一例を示すグラフである。 図４は、実施例によるレーザ加工装置の制御装置が実行するアッテネータの減衰量の調整処理を示すフローチャートである。 図５Ａ及び図５Ｂは、それぞれ他の実施例、及びその変形例によるレーザ加工装置で用いられる吸光部材の概略図である。

図１に、実施例によるレーザ加工装置の概略図を示す。レーザ光源１０が、制御装置５０からの発振指令信号Ｓ０を受けて、パルスレーザビームを出力する。レーザ光源１０には、例えばレーザダイオードが用いられる。レーザダイオードは、例えば波長８０８ｎｍの擬似連続発振（ＱＣＷ）レーザビームを出力する。

レーザ光源１０から出力されたパルスレーザビームの経路に、減衰量可変のアッテネータ１１が配置されている。アッテネータ１１は、パルスレーザビームの光強度を減衰させる。アッテネータ１１の減衰量は、制御装置５０からの減衰量指令信号Ｓ１によって指令される。アッテネータ１１を透過したパルスレーザビームが、ビームホモジナイザ１２、折り返しミラー１３、及び対物レンズ１４を経由して、加工チャンバ１５内に導入される。

加工チャンバ１５の中にステージ２０が配置されている。ステージ２０の上に、加工対象物３０が保持される。加工対象物３０は、例えばドーパントがイオン注入されている半導体ウエハである。ステージ２０は、制御装置５０から制御されることにより、加工対象物３０を、その表面に平行な二次元方向に移動させる。

パルスレーザビームは、加工チャンバ１５の上方の壁面に設けられた入射窓１６を通って、加工チャンバ１５内に導入される。ステージ２０が加工対象物３０を移動させることにより、加工対象物３０の表面上を、パルスレーザビームの入射位置が移動する。パルスレーザビームの入射位置の主走査方向への移動と、副走査方向への移動とを繰り返すことにより、加工対象物３０の表面の全域をアニールすることができる。

ビームホモジナイザ１２と対物レンズ１４とは、加工対象物３０の表面におけるパルスレーザビームの断面形状を長尺化するとともに、長さ方向及び幅方向に関するビームプロファイルを均一化する。ステージ２０の側面に、ミラー２１が取付けられている。図１では、加工チャンバ１５内に導入されたパルスレーザビームがミラー２１に入射している状態を示している。

ミラー２１に入射したパルスレーザビームは、ミラー２１によって水平方向に反射される。ミラー２１で反射されたパルスレーザビームは、加工チャンバ１５の側壁に設けられた窓１７を通って、加工チャンバ１５の外に配置された吸光部材４０に入射する。吸光部材４０は、パルスレーザビームを受光して発熱する。

ミラー２１から吸光部材４０までのパルスレーザビームの経路にレンズ２２が配置されている。レンズ２２は、吸光部材４０の表面におけるパルスレーザビームのビーム断面の大きさを調整する。例えば、ビーム断面が小さすぎると、吸光部材４０が局所的に過度に加熱されて、損傷を受けやすい。逆に、ビーム断面が大きくなりすぎて、吸光部材４０によってケラレが生じると、パルスレーザビームのパワーの測定精度が低下してしまう。温度センサ４１が吸光部材４０の温度を測定する。温度センサ４１から出力される測定値に対応した電気信号Ｓ３が制御装置５０に入力される。

ステージ２０及びミラー２１は、制御装置５０からの制御信号Ｓ５を受けて、レーザ光源１０から出力されたパルスレーザビームがステージ２０に保持された加工対象物３０に入射する状態（加工状態）と、吸光部材４０に入射する状態（モニタ状態）とを切り替える。ステージ２０及びミラー２１を、切替器２３ということとする。

レーザ光源１０とアッテネータ１１との間のパルスレーザビームの経路に、分岐装置１８が配置されている。分岐装置１８は、制御装置５０からの切替信号Ｓ２を受けて、パルスレーザビームがアッテネータ１１に入射する状態（加工状態）と、パワーメータ４５に入射する状態（待機状態）とを切り替える。パワーメータ４５は、入射するパルスレーザビームのパワーに応じた電気信号Ｓ４を出力する。電気信号Ｓ４は、制御装置５０に入力される。パワーメータ４５には、例えばサーモパイル方式のものを用いることができる。

制御装置５０は、レーザ光源１０からのパルスレーザビームの出力タイミング、アッテネータ１１の減衰量、切替器２３の状態、及び分岐装置１８の状態を制御する。

図２Ａに、吸光部材４０（図１）の斜視図を示す。吸光部材４０は、矩形、円形等の板状の外形を有し、複数のワイヤ４２により支持されている。加工チャンバ１５（図１）に対する吸光部材４０の相対位置、言い換えると、ミラー２１で反射されたパルスレーザビームの経路４３に対する吸光部材４０の相対位置が固定されている。温度センサ４１が吸光部材４０に熱的に結合している。温度センサ４１から出力される電気信号Ｓ３が制御装置５０に入力される。

図２Ｂに、吸光部材４０へのパルスレーザビームの入射開始時点からの温度の時間変化のグラフの一例を示す。横軸は、パルスレーザビームの入射開始時点からの経過時間を表し、縦軸は温度を表す。図２Ｂの実線及び破線は、それぞれ吸光部材４０の平均温度Ｔａｖ、最高温度Ｔｍａｘ、及び最低温度Ｔｍｉｎを示す。通常は、吸光部材４０の前面のほぼ中心の温度が最高温度Ｔｍａｘになり、最外周部の温度が最低温度Ｔｍｉｎになる。

パルスレーザビームの入射時点からある時間が経過した時点（時刻ｔ１）において、吸光部材４０の温度が均一になり、平均温度Ｔａｖ、最高温度Ｔｍａｘ、及び最低温度Ｔｍｉｎが全て一致する。さらに時間が経過すると、吸光部材４０への入熱量と放熱量とが釣り合う（時刻ｔ２）。吸光部材４０への入熱量と放熱量とが釣り合った時点よりも後は、平均温度Ｔａｖはほぼ一定になる。

平均温度Ｔａｖが一定になるまでの時間を短くするために、吸光部材４０の熱容量を小さくすることが好ましい。一例として、吸光部材４０の外形を薄板状とし、平面形状を、ビーム断面の形状とほぼ等しくすることが好ましい。また、吸光部材４０に、比熱が小さい材料を用いることが好ましい。さらに、吸光部材４０の温度が均一になるまでの時間（時刻ｔ１までの時間）を短くするために、吸光部材４０の材料として、熱伝導率が高いものを用いることが好ましい。

吸光部材４０の温度が均一になるまでの時間を短くするために、吸光部材４０の前面（パルスレーザビームが入射する面）のうち、パルスレーザビームの入射領域の比率を大きくすることが好ましい。例えば、パルスレーザビームの入射領域の面積を、前面の面積の８０％以上にすることが好ましい。

図３Ａに、一般的なサーモパイル方式のパワーメータ４５（図１）の吸光部材４６の正面図を示す。吸光部材４６は、例えば円盤状の外形を有する。吸光部材４６の中心を含む吸光領域４８に、パルスレーザビームが入射する。吸光領域４８と、外周部の低温部４９との間に温度差が生じる。この温度差が、熱電対４７によって電気信号に変換される。熱電対４７の２種の金属の複数の接合点が、内側の円周６０及び外側の円周６１に沿って配置される。熱電対４７から取り出された電気信号Ｓ４が制御装置５０に入力される。

図３Ｂに、パワーメータ４５の熱電対４７から出力される電気信号Ｓ４の時間変化の一例のグラフを示す。横軸は、パルスレーザビームの入射時点からの経過時間を表し、縦軸は電気信号Ｓ４の大きさを表す。パルスレーザビームの入射が開始されると、吸光部材４６の吸光領域４８の温度が上昇し始める。このため、吸光領域４８と低温部４９との温度差が大きくなる。この温度差に依存して、電気信号Ｓ４の値が上昇する。

さらに時間が経過すると、吸光領域４８から低温部４９に熱が伝わることにより、両者の温度差が小さくなる。その結果、電気信号Ｓ４の値は、ある時刻ｔ５において極大値を示し、その後、徐々に低下する。吸光領域４８への入熱量と、低温部４９からの放熱量とが釣り合った時点（時刻ｔ６）より後は、電気信号Ｓ４の値はほぼ一定になる。時刻ｔ６以降の電気信号Ｓ４の値Ｔ２から、吸光部材４６への入熱量、言い換えるとパワーレーザビームの平均パワーを求めることができる。

図４に、制御装置５０が実行するアッテネータ１１の減衰量の調整処理のフローチャートを示す。

制御装置５０がレーザ光源１０に発振指令信号Ｓ０を送出すると、レーザ光源１０から、指令された繰り返し周波数でパルスレーザビームが出力される。

ステップＳＴ１において、出力測定モードを判定する。出力測定モードには、「出口出力測定モード」と、「加工面出力測定モード」とが含まれる。出力測定モードが「出口出力測定モード」に設定されているとき、分岐装置１８（図１）が待機状態にされる。出力測定モードが「加工面出力測定モード」に設定されているとき、分岐装置１８が加工状態にされ、切替器２３（図１）がモニタ状態にされる。

レーザ光源１０からのパルスレーザビームの出力が開始された時点では、出力測定モードが「出口出力測定モード」にされている。出力測定モードが「出口出力測定モード」である場合、ステップＳＴ２において、パルスレーザビームがパワーメータ４５（図１）に入射する。ステップＳＴ３において、制御装置５０がパワーメータ４５から、温度の測定値に相当する電気信号Ｓ４を取得する。

ステップＳＴ４において、温度の測定値（電気信号Ｓ４の大きさ）が定常状態に達したか否かを判定する。例えば、図３Ｂに示したグラフにおいて、パルスレーザビームの入射開始時点からの経過時間が判定下限値ＬＬＴを超え、かつ電気信号Ｓ４の時間変化の傾きが基準値以下になったら、温度の測定値が定常状態になったと判定される。経過時間の判定下限値ＬＬＴは、パワーメータ４５の特性に応じて事前に設定されている。

温度の測定値が定常状態に達していない場合には、定常状態に達するまでステップＳＴ３からステップＳＴ４までの処理を繰り返す。温度の測定値が定常状態に達した場合には、「出口出力測定モード」の処理を終了する。制御装置５０は、定常状態の測定値に基づいて、レーザ光源１０から出力されているパルスレーザビームの平均パワーを算出することができる。算出された平均パワーが許容範囲内であれば、オペレータは、出力測定モードを「加工面出力測定モード」に切り替える。算出された平均パワーが許容範囲から外れている場合は、制御装置５０が警告メッセージを出力する。警告メッセージが出力されると、オペレータまたはメンテナンス要員が、レーザ光源１０のメンテナンスを行う。

ステップＳＴ１において出力測定モードが「加工面出力測定モード」であると判定された場合には、ステップＳＴ５において、制御装置５０が分岐装置１８（図１）の状態を加工状態に設定する。この時点で、ステージ２０及びミラー２１からなる切替器２３の状態はモニタ状態にされている。分岐装置１８の状態が加工状態になると、パルスレーザビームが吸光部材４０に入射する。

ステップＳＴ６において、制御装置５０がアッテネータ１１の減衰量を調整する。当初は、減衰量を予め決められた初期値に設定する。ステップＳＴ７において、吸光部材４０の温度が均一になるまで待機した後、温度センサ４１から吸光部材４０の温度の測定値を取得する。吸光部材４０の温度が均一になるまでの待機時間（図２Ｂにおいてパルスレーザビームの入射開始時点から時刻ｔ１までの時間）は、制御装置５０に予め記憶されている。この待機時間は、種々の平均パワーのパルスレーザビームを吸光部材４０に入射させる評価実験を行うことにより、決定することができる。

ステップＳＴ８において、制御装置５０は、吸光部材４０の温度の測定値が定常状態に達したか否かを判定する。例えば、温度の測定値の時間変化の傾きが基準値以下になった場合（図２Ｂの時刻ｔ２）に、温度の測定値が定常状態に達したと判定される。温度の測定値が定常状態に達していない場合には、定常状態に達するまでステップＳＴ７からステップＳＴ８までの処理を繰り返す。

吸光部材４０の温度の測定値が定常状態に達すると、ステップＳＴ９において、定常状態に達したときの温度の測定値から算出されるパルスレーザビームの平均パワーが許容範囲内か否かを判定する。

以下、温度の測定値からパルスレーザビームの平均パワーを求める方法について説明する。吸光部材４０の位置に校正済のパワーメータを配置して、パルスレーザビームの平均パワーを測定する。その後、このパルスレーザビームを吸光部材４０に入射させて、吸光部材４０の温度を測定する。種々の平均パワーのパルスレーザビームを用いてこの評価実験を繰り返すことにより、温度の測定値と、パルスレーザビームの平均パワーとの対応関係を得ることができる。この対応関係を、予め制御装置５０に記憶させておく。制御装置５０は、この対応関係と、温度センサ４１の測定値とに基づいて、パルスレーザビームの平均パワーを算出することができる。

ステップＳＴ９において、算出された平均パワーが許容範囲から外れていると判定された場合には、ステップＳＴ６からステップＳＴ９までの処理を再度実行する。ステップＳＴ６においては、吸光部材４０に入射するパルスレーザビームの平均パワーが許容範囲に収まるように、アッテネータ１１の減衰量が調整される。減衰量の変化量は、例えば算出された平均パワーと、許容範囲の中心値との差から求めることができる。

パルスレーザビームの平均パワーの許容値を制御装置５０に記憶させておく代わりに、温度センサ４１から出力された電気信号Ｓ３の大きさ、すなわち吸光部材４０の温度の測定値の許容範囲を記憶させておいてもよい。この場合には、温度の測定値をパルスレーザビームの平均パワーに換算することなく、ステップＳＴ９の判定を行うことができる。

ステップＳＴ９で温度の測定値から算出されるパルスレーザビームの平均パワーが許容範囲に収まっていると判定された場合には、平均パワーの測定を終了して、レーザ加工を開始する。

次に、上記実施例の優れた効果について説明する。一般的なサーモパイル方式のパワーメータでは、図３Ａに示したように、吸光部材４６内の高温部と低温部との温度差に基づいて、パルスレーザビームの平均パワーを求める。このため、高温部から低温部に熱が伝搬し、吸光部材４６の温度分布が定常状態に到達するまで、平均パワーの算出処理の開始を待たなければならない。吸光部材４０の温度分布が定常状態に到達する前の測定結果に基づいて、パルスレーザビームの平均パワーを求める場合には、測定精度が低下してしまう。

これに対し、図２Ａに示した吸光部材４０を用いる方法では、吸光部材４０の温度が空間的に均一になった時点の平均温度に基づいて、パルスレーザビームの平均パワーを求める。図３Ａに示した低温部４９を設ける必要が無いため、吸光部材４０の体積を小さくすることができる。その結果、吸光部材４０の熱容量も小さくすることができる。吸光部材４０の熱容量が小さくなると、より短い時間で吸光部材４０の温度が定常状態に到達する。このため、測定精度を低下させることなく、加工面におけるパルスレーザビームの平均パワーを測定するための所要時間を短縮することができる。

次に、図５Ａ及び図５Ｂを参照して、他の実施例について説明する。以下、図１〜図４に示した実施例との相違点について説明し、共通の構成については説明を省略する。図１〜図４に示した実施例では、吸光部材４０に入射したパルスレーザビームのほぼ全ての光エネルギが吸光部材４０に吸収された。以下に説明する実施例では、パルスレーザビームの光エネルギの一部が吸光部材４０に吸収される。

図５Ａに、本実施例によるレーザ加工装置で用いられる吸光部材４０の概略図を示す。測定対象のパルスレーザビームの経路４３が、吸光部材４０の表面に対して傾いている。吸光部材４０は、入射したパルスレーザビームの一部のエネルギを吸収し、残りのエネルギを反射する。吸光部材４０で反射したパルスレーザビームは、ビームダンパ４４に入射する。

図５Ｂに、図５Ａに示した実施例の変形例によるレーザ加工装置で用いられる吸光部材４０の概略図を示す。パルスレーザビームの経路４３に部分反射鏡６５が配置されている。部分反射鏡６５は、パルスレーザビームの一部のエネルギを吸光部材４０に向かわせ、残りのエネルギをビームダンパ４４に向かわせる。

図５Ａ及び図５Ｂに示した実施例では、図１〜図４に示した実施例と比べて、吸光部材４０に入射するパルスレーザビームの平均パワーが低下する。パルスレーザビームの平均パワーが大きい場合には、吸光部材４０の過度の温度上昇を回避するために、吸光部材４０をある程度の大きさにしなければならない。図５Ａ及び図５Ｂに示した実施例では、吸光部材４０に入射するパルスレーザビームの平均パワーが弱められているため、吸光部材４０の体積を小さくすることができる。吸光部材４０が小さくなると、温度が均一になるまでの時間が短くなる。このため、ステップＳＴ７（図４）において、均一温度になるまでの待機時間を短縮することができる。

以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。

１０ レーザ光源
１１ アッテネータ
１２ ビームホモジナイザ
１３ 折り返しミラー
１４ 対物レンズ
１５ 加工チャンバ
１６ 入射窓
１７ 窓
１８ 分岐装置
２０ ステージ
２１ ミラー
２２ レンズ
２３ 切替器
３０ 加工対象物
４０ 吸光部材
４１ 温度センサ
４２ ワイヤ
４３ パルスレーザビームの経路
４４ ビームダンパ
４５ パワーメータ
４６ パワーメータの吸光部材
４７ 熱電対
４８ 吸光領域
４９ 低温部
５０ 制御装置
６０ 内側の円周
６１ 外側の円周
６５ 部分反射鏡
ＬＬＴ 判定下限値
Ｓ０ 発振指令信号
Ｓ１ 減衰量指令信号
Ｓ２ 切替信号
Ｓ３、Ｓ４ 電気信号
Ｓ５ 制御信号
Ｔａｖ 平均温度
Ｔｍａｘ 最高温度
Ｔｍｉｎ 最低温度

Claims (5)

1. パルスレーザビームを出力するレーザ光源と、
   前記レーザ光源から出力されたパルスレーザビームの経路に配置され、パルスレーザビームの光強度を減衰させる減衰量可変のアッテネータと、
   パルスレーザビームを受光して発熱する吸光部材と、
   加工対象物を保持するステージと、
   前記レーザ光源から出力されたパルスレーザビームが前記ステージに保持された加工対象物に入射する状態と、前記吸光部材に入射する状態とを切り替える切替器と、
   前記吸光部材の温度を測定する温度センサと、
   前記レーザ光源からのパルスレーザビームの出力タイミング、前記アッテネータの減衰量、前記切替器の状態を制御する制御装置と
   を有し、
   前記制御装置は、前記レーザ光源からパルスレーザビームを出力させ、パルスレーザビームが前記吸光部材に入射するように前記切替器の状態を切り替え、前記吸光部材の温度が空間的に均一になった状態における前記温度センサの測定値に基づいて、前記アッテネータの減衰量を調整するレーザ加工装置。
2. 前記切替器から前記吸光部材までのパルスレーザビームの経路に配置され、パルスレーザビームの一部のエネルギを前記吸光部材に向かわせ、残りのエネルギをビームダンパに向かわせる部分反射鏡を有する請求項１に記載のレーザ加工装置。
3. 前記吸光部材は、入射したパルスレーザビームの一部のエネルギを吸収し、残りのエネルギを反射し、
   前記吸光部材で反射されたパルスレーザビームが入射する位置に配置されたビームダンパを、さらに有する請求項１に記載のレーザ加工装置。
4. 前記制御装置は、前記温度センサの前記測定値の時間変化の傾きが、基準値以下になった時点の前記測定値に基づいて、前記アッテネータの減衰量を調整する請求項１乃至３のいずれかのレーザ加工装置。
5. 前記制御装置は、前記吸光部材に入射するパルスレーザビームの平均パワーが許容範囲に収まるように、前記アッテネータの減衰量を調整する請求項１乃至４のいずれか１項に記載のレーザ加工装置。

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