JP2017132013A - Polishing pad - Google Patents

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JP2017132013A JP2016015534A JP2016015534A JP2017132013A JP 2017132013 A JP2017132013 A JP 2017132013A JP 2016015534 A JP2016015534 A JP 2016015534A JP 2016015534 A JP2016015534 A JP 2016015534A JP 2017132013 A JP2017132013 A JP 2017132013A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a polishing pad capable of suppressing occurrence of scratch, as well as improving a polishing speed.SOLUTION: A polishing pad comprises a polishing layer made of a polyurethane foam containing as raw materials: diphenylmethane diisocyanate-based isocyanate-terminated prepolymer including as raw materials, a diphenylmethane diisocyanate-based compound including at least one type selected from a group of diphenylmethane diisocyanate and modified diphenylmethane diisocyanate, and a surfactant having a hydroxyl group; a toluene diisocyanate-based isocyanate-terminated prepolymer including as raw materials, a toluene diisocyanate and a high-molecular weight polyol; and an active hydrogen-containing compound.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明はレンズ、反射ミラー等の光学材料やシリコンウエハ、ハードディスク用のガラス基板、アルミ基板、及び一般的な金属研磨加工等の高度の表面平坦性を要求される材料の平坦化加工を行う研磨パッドに関する。   The present invention is a polishing for flattening optical materials such as lenses and reflecting mirrors, silicon wafers, glass substrates for hard disks, aluminum substrates, and materials that require high surface flatness such as general metal polishing. Related to pads.

高度の表面平坦性を要求される材料の代表的なものとしては、半導体集積回路(IC、LSI)を製造するシリコンウエハと呼ばれる単結晶シリコンの円盤があげられる。シリコンウエハは、IC、LSI等の製造工程において、回路形成に使用する各種薄膜の信頼できる半導体接合を形成するために、酸化物層や金属層を積層・形成する各工程において、表面を高精度に平坦に仕上げることが要求される。このような研磨仕上げ工程においては、一般的に研磨パッドはプラテンと呼ばれる回転可能な支持円盤に固着され、半導体ウエハ等の加工物は研磨ヘッドに固着される。そして双方の運動により、プラテンと研磨ヘッドとの間に相対速度を発生させ、さらに砥粒を含む研磨スラリーを研磨パッド上に連続供給することにより、研磨操作が実行される。   A typical material that requires high surface flatness is a single crystal silicon disk called a silicon wafer for manufacturing a semiconductor integrated circuit (IC, LSI). Silicon wafers have a highly accurate surface in each process of stacking and forming oxide layers and metal layers in order to form reliable semiconductor junctions of various thin films used for circuit formation in IC, LSI, and other manufacturing processes. It is required to finish flat. In such a polishing finishing process, a polishing pad is generally fixed to a rotatable support disk called a platen, and a workpiece such as a semiconductor wafer is fixed to a polishing head. A polishing operation is performed by generating a relative speed between the platen and the polishing head by both movements, and continuously supplying a polishing slurry containing abrasive grains onto the polishing pad.

研磨パッドの研磨特性としては、研磨対象物の平坦性(プラナリティー)及び面内均一性に優れ、研磨速度が大きいことが要求される。   The polishing characteristics of the polishing pad are required to be excellent in the flatness (planarity) and in-plane uniformity of the object to be polished and to have a high polishing rate.

研磨速度については、研磨層を気泡を含有する発泡体にしてスラリーの保持量を多くすることにより向上できる(研磨層を気泡を含有する発泡体にしてスラリーの保持量を多くすることにより研磨速度を向上させることについて、例えば下記特許文献1)。   The polishing rate can be improved by making the polishing layer a foam containing bubbles and increasing the amount of slurry retained (the polishing rate can be increased by making the polishing layer a foam containing bubbles and increasing the amount of slurry retained). For example, the following Patent Document 1).

特許第3490431号公報Japanese Patent No. 3490431 特開2013−144353号公報JP 2013-144353 A 特開2006−320981号公報JP 2006-320981 A

従来の研磨パッドの研磨速度は十分では無い。そこで、更なる研磨速度の向上のため、研磨層を高弾性率化することが考えられる(例えば、前記特許文献2)。しかし、研磨層を高弾性率化すると、研磨速度を向上させることはできるが、研磨対象物の被研磨面にスクラッチ(傷)が発生しやすいという問題がある。一方、前記特許文献3に記載されている研磨パッドのように研磨層を単に低弾性率化すると研磨速度が低下する。   The polishing rate of the conventional polishing pad is not sufficient. Therefore, it is conceivable to increase the elastic modulus of the polishing layer in order to further improve the polishing rate (for example, Patent Document 2). However, when the elastic modulus of the polishing layer is increased, the polishing rate can be improved, but there is a problem that scratches (scratches) are likely to occur on the surface to be polished of the object to be polished. On the other hand, when the polishing layer is simply made to have a low elastic modulus like the polishing pad described in Patent Document 3, the polishing rate is lowered.

すなわち、従来の研磨パッドでは、スクラッチの発生を抑制しながら研磨速度を向上させるのは困難であった。   That is, with the conventional polishing pad, it is difficult to improve the polishing rate while suppressing the generation of scratches.

本発明は、スクラッチの発生を抑制しながら研磨速度を向上させる事ができる研磨パッドを提供することを目的とする。   An object of this invention is to provide the polishing pad which can improve a grinding | polishing speed, suppressing generation | occurrence | production of a scratch.

本発明の研磨パッドは、ジフェニルメタンジイソシアネート及び変性ジフェニルメタンジイソシアネートからなる群より選ばれる少なくとも1種以上であるジフェニルメタンジイソシアネート系化合物と水酸基を有する界面活性剤とを原料成分として含むジフェニルメタンジイソシアネート系イソシアネート末端プレポリマー、トルエンジイソシアネートと高分子量ポリオールとを原料成分として含むトルエンジイソシアネート系イソシアネート末端プレポリマー、並びに活性水素含有化合物を原料成分として含有するポリウレタン発泡体からなる研磨層を有する。   The polishing pad of the present invention is a diphenylmethane diisocyanate-based isocyanate-terminated prepolymer containing, as raw material components, a diphenylmethane diisocyanate-based compound that is at least one selected from the group consisting of diphenylmethane diisocyanate and modified diphenylmethane diisocyanate, and a surfactant having a hydroxyl group, It has a polishing layer made of a polyurethane foam containing a toluene diisocyanate-based isocyanate-terminated prepolymer containing toluene diisocyanate and a high molecular weight polyol as raw material components, and an active hydrogen-containing compound as a raw material component.

本発明の研磨パッドによれば、スクラッチの発生を抑制しながら研磨速度を向上させる事ができる。本発明の研磨パッドがこのような効果を奏する理由は定かではないが、以下のように考えられる。   According to the polishing pad of the present invention, the polishing rate can be improved while suppressing the generation of scratches. The reason why the polishing pad of the present invention exhibits such an effect is not clear, but is considered as follows.

ジフェニルメタンジイソシアネート及び変性ジフェニルメタンジイソシアネートからなる群より選ばれる少なくとも1種以上であるジフェニルメタンジイソシアネート系化合物と水酸基を有する界面活性剤とのジフェニルメタンジイソシアネート系イソシアネート末端プレポリマー、及びトルエンジイソシアネートを原料として含むトルエンジイソシアネート系イソシアネート末端プレポリマーを原料として含有するポリウレタン発泡体では、ジフェニルメタンジイソシアネート系イソシアネート末端プレポリマーの構成単位である界面活性剤によって形成された気泡の周囲にはジフェニルメタンジイソシアネートを構成単位として多く含みながら、全体のマトリックスにはトルエンジイソシアネートを構成単位として多く含む。トルエンジイソシアネート系イソシアネート末端プレポリマーを構成単位として多く含む全体のマトリックスは低硬度であるため被研磨材の表面にスクラッチを付けにくいが、前記ジフェニルメタンジイソシアネート系イソシアネート化合物を構成単位として多く含むポリウレタンは、前記トルエンジイソシアネート系イソシアネート末端プレポリマーを構成単位として多く含むポリウレタンよりも硬度が高いため、気泡周辺は剛直な構造となり、ドレッサーによる目立てが改善するため、研磨速度に優れている。そのため、本発明の研磨パッドによれば、スクラッチの発生を抑制しながら研磨速度を向上させる事ができると考えられる。   A diphenylmethane diisocyanate-based isocyanate-terminated prepolymer of at least one diphenylmethane diisocyanate-based compound selected from the group consisting of diphenylmethane diisocyanate and modified diphenylmethane diisocyanate and a surfactant having a hydroxyl group, and a toluene diisocyanate-based isocyanate containing toluene diisocyanate as a raw material In a polyurethane foam containing a terminal prepolymer as a raw material, the entire matrix is formed by containing a large amount of diphenylmethane diisocyanate as a constituent unit around bubbles formed by a surfactant that is a constituent unit of a diphenylmethane diisocyanate-based isocyanate terminal prepolymer. Contains a large amount of toluene diisocyanate as a structural unit. The entire matrix containing many toluene diisocyanate-based isocyanate-terminated prepolymers as a structural unit is low in hardness, so that it is difficult to scratch the surface of the material to be polished.However, the polyurethane containing many diphenylmethane diisocyanate-based isocyanate compounds as a structural unit is Since the hardness is higher than that of polyurethane containing a large amount of a toluene diisocyanate-based isocyanate-terminated prepolymer as a structural unit, the periphery of the bubbles has a rigid structure, and the dressing by the dresser is improved, so that the polishing rate is excellent. Therefore, according to the polishing pad of the present invention, it is considered that the polishing rate can be improved while suppressing the generation of scratches.

CMP研磨で使用する研磨装置の一例を示す概略構成図Schematic configuration diagram showing an example of a polishing apparatus used in CMP polishing

<研磨パッド>
本実施形態の研磨パッドは、ジフェニルメタンジイソシアネート及び変性ジフェニルメタンジイソシアネートからなる群より選ばれる少なくとも1種以上であるジフェニルメタンジイソシアネート系化合物と水酸基を有する界面活性剤とを原料成分として含むジフェニルメタンジイソシアネート系イソシアネート末端プレポリマー、トルエンジイソシアネートと高分子量ポリオールとを原料成分として含むトルエンジイソシアネート系イソシアネート末端プレポリマー、並びに活性水素含有化合物を原料成分として含有するポリウレタン発泡体からなる研磨層を有する。
<Polishing pad>
The polishing pad of this embodiment is a diphenylmethane diisocyanate-based isocyanate-terminated prepolymer containing, as raw material components, at least one diphenylmethane diisocyanate-based compound selected from the group consisting of diphenylmethane diisocyanate and modified diphenylmethane diisocyanate and a surfactant having a hydroxyl group. And a polishing layer made of a polyurethane foam containing a toluene diisocyanate-based isocyanate-terminated prepolymer containing toluene diisocyanate and high molecular weight polyol as raw material components, and an active hydrogen-containing compound as a raw material component.

〔ジフェニルメタンジイソシアネート系イソシアネート末端プレポリマー〕
前記ポリウレタン発泡体は、研磨速度向上の観点から、ジフェニルメタンジイソシアネート及び変性ジフェニルメタンジイソシアネートからなる群より選ばれる少なくとも1種以上であるジフェニルメタンジイソシアネート系化合物と水酸基を有する界面活性剤とを原料成分として含むジフェニルメタンジイソシアネート系イソシアネート末端プレポリマーを原料成分として含む(以下、ジフェニルメタンジイソシアネートをMDIとも称し、MDI及び変性MDIと合わせてMDI系化合物とも称する。また、ジフェニルメタンジイソシアネート系イソシアネート末端プレポリマーをMDI系プレポリマーとも称する)。当該MDI系プレポリマーは、水酸基を有する界面活性剤を原料成分として含むため、界面活性剤として作用する。
[Diphenylmethane diisocyanate-based isocyanate-terminated prepolymer]
The polyurethane foam includes diphenylmethane diisocyanate containing, as raw material components, at least one diphenylmethane diisocyanate compound selected from the group consisting of diphenylmethane diisocyanate and modified diphenylmethane diisocyanate and a surfactant having a hydroxyl group from the viewpoint of improving the polishing rate. A diisocyanate-terminated prepolymer is included as a raw material component (hereinafter, diphenylmethane diisocyanate is also referred to as MDI, and MDI and modified MDI are also referred to as MDI compounds. In addition, diphenylmethane diisocyanate-based isocyanate-terminated prepolymer is also referred to as MDI-based prepolymer) . Since the MDI prepolymer contains a surfactant having a hydroxyl group as a raw material component, it acts as a surfactant.

[MDI系化合物]
前記MDI系化合物は、MDI及び変性MDIからなる群より選ばれる少なくとも1種以上である。当該MDI系化合物としては、2,2’−MDI、2,4’−MDI、4,4’−MDI、ポリメリックMDI、ウレトニミン変性MDI、ウレタン変性MDI、イソシアヌレート変性MDI、アシル尿素ジイソシアネート、及びカルボジイミド変性MDI(例えば、商品名ミリオネートMTL、日本ポリウレタン工業製)からなる群より選ばれる少なくとも1種以上が挙げられる。これらの中でも、スクラッチの発生抑制の観点、及び研磨速度向上の観点から4,4’−MDIが好ましく、カルボジイミド変性の4,4’−MDIがより好ましい。
[MDI compounds]
The MDI compound is at least one selected from the group consisting of MDI and modified MDI. The MDI compounds include 2,2′-MDI, 2,4′-MDI, 4,4′-MDI, polymeric MDI, uretonimine modified MDI, urethane modified MDI, isocyanurate modified MDI, acylurea diisocyanate, and carbodiimide. Examples thereof include at least one selected from the group consisting of modified MDI (for example, trade name Millionate MTL, manufactured by Nippon Polyurethane Industry). Among these, 4,4′-MDI is preferable from the viewpoint of suppressing generation of scratches and improving the polishing rate, and carbodiimide-modified 4,4′-MDI is more preferable.

[水酸基を有する界面活性剤]
前記水酸基を有する界面活性剤は、均一な気泡を有するポリウレタン発泡体を製造する観点から、水酸基を有するシリコーン系界面活性剤が好ましい。水酸基を有するシリコーン系界面活性剤としては、SZ1718(東レダウコーニング社製)、L5420(東レダウコーニング社製)、SRX295(東レダウコーニング社製)、テゴスターブB8465(エボニックジャパン社製)等が挙げられる。
[Surfactant having a hydroxyl group]
The surfactant having a hydroxyl group is preferably a silicone surfactant having a hydroxyl group from the viewpoint of producing a polyurethane foam having uniform cells. Examples of the silicone surfactant having a hydroxyl group include SZ1718 (manufactured by Toray Dow Corning), L5420 (manufactured by Toray Dow Corning), SRX295 (manufactured by Toray Dow Corning), Tegostarb B8465 (manufactured by Evonik Japan), and the like. .

前記水酸基を有する界面活性剤の水酸基価は、研磨速度向上の観点から、30〜300mgKOH/gが好ましく、80〜200mgKOH/gがより好ましい。   The hydroxyl value of the surfactant having a hydroxyl group is preferably 30 to 300 mgKOH / g, more preferably 80 to 200 mgKOH / g, from the viewpoint of improving the polishing rate.

前記MDI系プレポリマーは、前記MDI系化合物と前記水酸基を有する界面活性剤とを反応させて得ることができる。前記MDI系プレポリマー中には、前記MDI系化合物と前記水酸基を有する界面活性剤とのみを反応させることが好ましいが、本実施形態の効果を損なわない範囲で公知の化合物を反応させることができる。ただし、前記MDI系プレポリマー中に構成単位として含まれるMDI系化合物の量は、研磨速度向上の観点から、前記MDI系プレポリマーの構成単位中60〜90モル%が好ましい。また、前記MDI系プレポリマー中に構成単位として含まれる水酸基を有する界面活性剤の量は、ポリウレタン発泡体を製造する際に効率的に気泡を形成する観点から、前記MDI系プレポリマーの構成単位中10〜40モル%が好ましい。   The MDI prepolymer can be obtained by reacting the MDI compound with the surfactant having a hydroxyl group. In the MDI-based prepolymer, it is preferable to react only the MDI-based compound and the surfactant having a hydroxyl group, but a known compound can be reacted within a range that does not impair the effects of the present embodiment. . However, the amount of the MDI compound contained as a structural unit in the MDI prepolymer is preferably 60 to 90 mol% in the structural unit of the MDI prepolymer from the viewpoint of improving the polishing rate. In addition, the amount of the surfactant having a hydroxyl group contained as a structural unit in the MDI prepolymer is a structural unit of the MDI prepolymer from the viewpoint of efficiently forming bubbles when producing a polyurethane foam. 10-40 mol% is preferable.

前記MDI系プレポリマーのNCO重量%は、2〜23重量%が好ましく、4〜10重量%がより好ましい。前記MDI系プレポリマーのNCO重量%は、高すぎるとスクラッチに対して効果が見られず、また低すぎると、研磨レートが低くなったり平坦性が悪くなる。   The NDI weight% of the MDI prepolymer is preferably 2 to 23% by weight, and more preferably 4 to 10% by weight. If the NCO weight% of the MDI-based prepolymer is too high, there will be no effect on scratches. If it is too low, the polishing rate will be low and the flatness will be poor.

前記MDI系プレポリマーは、原料中のイソシアネート基(NCO)と活性水素(H)の当量比(NCO/H)が通常1.2〜8、好ましくは1.5〜3となる範囲で加熱反応して製造することができる。 In the MDI prepolymer, the equivalent ratio (NCO / H * ) of isocyanate group (NCO) to active hydrogen (H * ) in the raw material is usually 1.2 to 8, preferably 1.5 to 3. It can be produced by heating reaction.

〔トルエンジイソシアネート系イソシアネート末端プレポリマー〕
前記ポリウレタン発泡体は、スクラッチの発生抑制の観点から、トルエンジイソシアネートと高分子量ポリオールとを原料成分として含むトルエンジイソシアネート系イソシアネート末端プレポリマーを原料成分として含む(以下、トルエンジイソシアネートをTDIとも称し、トルエンジイソシアネート系イソシアネート末端プレポリマーをTDI系プレポリマーとも称する)。
[Toluene diisocyanate-based isocyanate-terminated prepolymer]
The polyurethane foam contains, as a raw material component, a toluene diisocyanate-based isocyanate-terminated prepolymer containing toluene diisocyanate and a high molecular weight polyol as raw material components from the viewpoint of suppressing the occurrence of scratches (hereinafter, toluene diisocyanate is also referred to as TDI, and toluene diisocyanate). Systemic isocyanate-terminated prepolymers are also referred to as TDI based prepolymers).

[TDI]
前記TDIは、2,4−トルエンジイソシアネート、及び2,6−トルエンジイソシアネートからなる群より選ばれる少なくとも1種以上である。
[TDI]
The TDI is at least one selected from the group consisting of 2,4-toluene diisocyanate and 2,6-toluene diisocyanate.

前記TDI系プレポリマーは、本実施形態の効果を損なわない範囲でTDI以外のイソシアネート成分を原料成分として含有してもよい。当該TDI以外のイソシアネート成分としては、2,2’−ジフェニルメタンジイソシアネート、2,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート、4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート、1,5−ナフタレンジイソシアネート、p−フェニレンジイソシアネート、m−フェニレンジイソシアネート、p−キシリレンジイソシアネート、m−キシリレンジイソシアネート等の芳香族ジイソシアネート類、エチレンジイソシアネート、2,2,4−トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、1,6−ヘキサメチレンジイソシアネート等の脂肪族ジイソシアネート類、1,4−シクロヘキサンジイソシアネート、4,4’−ジシクロへキシルメタンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ノルボルナンジイソシアネート等の脂環式ジイソシアネート類、デスモジュール−N(バイエル社製)や商品名デュラネート(旭化成工業社製)等のジイソシアネートアダクト体化合物である3官能以上の多官能ポリイソシアネート化合物等が挙げられる。ただし、本実施形態の効果発現の観点から、前記TDI系プレポリマーに原料成分として含まれるイソシアネート成分中、前記TDIの含有量が50mol%以上であることが好ましく、70mol%以上であることがより好ましい。   The TDI prepolymer may contain an isocyanate component other than TDI as a raw material component as long as the effects of the present embodiment are not impaired. As isocyanate components other than the TDI, 2,2′-diphenylmethane diisocyanate, 2,4′-diphenylmethane diisocyanate, 4,4′-diphenylmethane diisocyanate, 1,5-naphthalene diisocyanate, p-phenylene diisocyanate, m-phenylene diisocyanate, aromatic diisocyanates such as p-xylylene diisocyanate and m-xylylene diisocyanate, aliphatic diisocyanates such as ethylene diisocyanate, 2,2,4-trimethylhexamethylene diisocyanate and 1,6-hexamethylene diisocyanate, 1,4- Such as cyclohexane diisocyanate, 4,4′-dicyclohexylmethane diisocyanate, isophorone diisocyanate, norbornane diisocyanate, etc. Cyclic diisocyanates, Desmodur -N (Bayer) and Duranate ™ (Asahi Kasei Kogyo) a polyfunctional polyisocyanate compound of three or more functional groups is a diisocyanate adduct compounds such like. However, from the viewpoint of expression of the effect of the present embodiment, the content of the TDI is preferably 50 mol% or more and more preferably 70 mol% or more in the isocyanate component contained as a raw material component in the TDI prepolymer. preferable.

[高分子量ポリオール]
前記高分子量ポリオールとしては、ポリウレタンの技術分野において通常用いられるものを用いることができる。例えば、ポリテトラメチレンエーテルグリコール、ポリエチレングリコール等に代表されるポリエーテルポリオール、ポリブチレンアジペートに代表されるポリエステルポリオール、ポリカプロラクトンポリオール、ポリカプロラクトンのようなポリエステルグリコールとアルキレンカーボネートとの反応物などで例示されるポリエステルポリカーボネートポリオール、エチレンカーボネートを多価アルコールと反応させ、次いで得られた反応混合物を有機ジカルボン酸と反応させたポリエステルポリカーボネートポリオール、ポリヒドロキシル化合物とアリールカーボネートとのエステル交換反応により得られるポリカーボネートポリオールなどが挙げられる。これらは単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
[High molecular weight polyol]
As said high molecular weight polyol, what is normally used in the technical field of a polyurethane can be used. Examples include polyether polyols typified by polytetramethylene ether glycol, polyethylene glycol, etc., polyester polyols typified by polybutylene adipate, polycaprolactone polyols, reactants of polyester glycols such as polycaprolactone and alkylene carbonate, etc. Polyester polycarbonate polyol, Polyester polyol obtained by reacting ethylene carbonate with polyhydric alcohol and then reacting the resulting reaction mixture with organic dicarboxylic acid, Polycarbonate polyol obtained by transesterification of polyhydroxyl compound and aryl carbonate Etc. These may be used alone or in combination of two or more.

これら高分子量ポリオールの数平均分子量は特に限定されないが、得られるポリウレタン樹脂の弾性特性等の観点から、500〜5000程度であることが望ましい。数平均分子量が500未満であると、これを用いて得られるポリウレタン樹脂は十分な弾性特性を有さず、脆いポリマーとなり易く、このポリウレタン樹脂からなる研磨パッドが硬くなりすぎ、被研磨材表面のスクラッチの発生原因となる場合がある。また、摩耗しやすくなるため、研磨パッドの寿命の観点からも好ましくない。一方、数平均分子量が5000を超えると、これを用いて得られるポリウレタン樹脂からなる研磨パッドが軟らかくなり、十分に満足できるプラナリティーが得られにくいため好ましくない。   The number average molecular weight of these high molecular weight polyols is not particularly limited, but is preferably about 500 to 5000 from the viewpoint of the elastic properties of the resulting polyurethane resin. When the number average molecular weight is less than 500, the polyurethane resin obtained by using the polyurethane resin does not have sufficient elastic properties and tends to be a brittle polymer, the polishing pad made of this polyurethane resin becomes too hard, May cause scratches. Moreover, since it becomes easy to wear, it is not preferable from the viewpoint of the life of the polishing pad. On the other hand, when the number average molecular weight exceeds 5000, a polishing pad made of a polyurethane resin obtained using the number average molecular weight becomes soft, and it is difficult to obtain a sufficiently satisfactory planarity, which is not preferable.

また、前記高分子量ポリオールの他に、エチレングリコール、1,2−プロピレングリコール、1,3−プロピレングリコール、1,2−ブタンジオール、1,3−ブタンジオール、1,4−ブタンジオール、2,3−ブタンジオール、1,6−ヘキサンジオール、ネオペンチルグリコール、1,4−シクロヘキサンジメタノール、3−メチル−1,5−ペンタンジオール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、1,4−ビス(2−ヒドロキシエトキシ)ベンゼン、トリメチロールプロパン、グリセリン、1,2,6−ヘキサントリオール、ペンタエリスリトール、テトラメチロールシクロヘキサン、メチルグルコシド、ソルビトール、マンニトール、ズルシトール、スクロース、2,2,6,6−テトラキス(ヒドロキシメチル)シクロヘキサノール、ジエタノールアミン、N−メチルジエタノールアミン、及びトリエタノールアミン等の低分子量ポリオール成分を併用することができる。また、エチレンジアミン、トリレンジアミン、ジフェニルメタンジアミン、及びジエチレントリアミン等の低分子量ポリアミン成分を併用することもできる。また、モノエタノールアミン、2−(2−アミノエチルアミノ)エタノール、及びモノプロパノールアミン等のアルコールアミンを併用することもできる。これら低分子量ポリオール、低分子量ポリアミン等は1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。低分子量ポリオールや低分子量ポリアミン等の配合量は特に限定されず、製造される研磨パッド(研磨層)に要求される特性により適宜決定されるが、全ポリオール成分の20〜70モル%であることが好ましい。   In addition to the high molecular weight polyol, ethylene glycol, 1,2-propylene glycol, 1,3-propylene glycol, 1,2-butanediol, 1,3-butanediol, 1,4-butanediol, 2, 3-butanediol, 1,6-hexanediol, neopentyl glycol, 1,4-cyclohexanedimethanol, 3-methyl-1,5-pentanediol, diethylene glycol, triethylene glycol, 1,4-bis (2-hydroxy Ethoxy) benzene, trimethylolpropane, glycerin, 1,2,6-hexanetriol, pentaerythritol, tetramethylolcyclohexane, methylglucoside, sorbitol, mannitol, dulcitol, sucrose, 2,2,6,6-tetrakis (hydroxymethyl) ) Cyclohexanol, diethanolamine, N- methyldiethanolamine, and can be used in combination a low molecular weight polyol component such as triethanolamine. Moreover, low molecular weight polyamine components such as ethylenediamine, tolylenediamine, diphenylmethanediamine, and diethylenetriamine can be used in combination. Also, alcohol amines such as monoethanolamine, 2- (2-aminoethylamino) ethanol, and monopropanolamine can be used in combination. These low molecular weight polyols and low molecular weight polyamines may be used alone or in combination of two or more. The blending amount of the low molecular weight polyol, the low molecular weight polyamine or the like is not particularly limited, and is appropriately determined depending on the properties required for the polishing pad (polishing layer) to be produced, and is 20 to 70 mol% of the total polyol component. Is preferred.

前記TDI系プレポリマーは、前記TDIと前記高分子量ポリオールとを反応させて得ることができる。前記TDI系プレポリマー中には、前記TDIと前記高分子量ポリオールとのみを反応させることが好ましいが、本実施形態の効果を損なわない範囲で公知の化合物を反応させることができる。ただし、前記TDI系プレポリマー中に構成単位として含まれるTDIの量は、スクラッチ抑制の観点から、前記TDI系プレポリマーの構成単位中30〜65モル%が好ましく、45〜60モル%がより好ましい。また、前記TDI系プレポリマー中に構成単位として含まれる前記高分子量ポリオールの量は、スクラッチ抑制の観点から、前記TDI系プレポリマーの構成単位中35〜70モル%が好ましく、40〜55モル%がより好ましい。   The TDI prepolymer can be obtained by reacting the TDI and the high molecular weight polyol. In the TDI prepolymer, it is preferable to react only the TDI and the high molecular weight polyol, but a known compound can be reacted within a range that does not impair the effect of the present embodiment. However, the amount of TDI contained as a structural unit in the TDI prepolymer is preferably 30 to 65 mol% and more preferably 45 to 60 mol% in the structural unit of the TDI prepolymer from the viewpoint of suppressing scratches. . In addition, the amount of the high molecular weight polyol contained as a structural unit in the TDI prepolymer is preferably 35 to 70 mol%, and preferably 40 to 55 mol% in the structural unit of the TDI prepolymer, from the viewpoint of suppressing scratches. Is more preferable.

前記TDI系プレポリマーのNCO重量%は、スクラッチの発生抑制の観点、及び研磨速度向上の観点から4.5〜8.5重量%が好ましく、6.5〜8.2重量%がより好ましい。   The NDI wt% of the TDI prepolymer is preferably 4.5 to 8.5 wt%, more preferably 6.5 to 8.2 wt% from the viewpoint of suppressing the occurrence of scratches and improving the polishing rate.

前記TDI系プレポリマーは、原料中のイソシアネート基(NCO)と活性水素(H)の当量比(NCO/H)が通常1.2〜8、好ましくは1.5〜3となる範囲で加熱反応して製造することができる。 In the TDI prepolymer, the equivalent ratio (NCO / H * ) of isocyanate group (NCO) to active hydrogen (H * ) in the raw material is usually 1.2 to 8, preferably 1.5 to 3. It can be produced by heating reaction.

〔活性水素含有化合物〕
前記活性水素含有化合物としては、高分子量ポリオール、低分子量ポリオール、低分子量ポリアミン、アルコールアミン、鎖延長剤など、ポリウレタンの技術分野において、通常用いられるものを挙げることができる。ただし、前記水酸基を有する界面活性剤は当該活性水素含有化合物に含まれない。
[Active hydrogen-containing compounds]
Examples of the active hydrogen-containing compound include those usually used in the technical field of polyurethane, such as a high molecular weight polyol, a low molecular weight polyol, a low molecular weight polyamine, an alcohol amine, and a chain extender. However, the surfactant having a hydroxyl group is not included in the active hydrogen-containing compound.

前記活性水素含有化合物である高分子量ポリオールは、前記TDI系プレポリマーの原料として用いられる高分子ポリオールと同様のものが挙げられる。   Examples of the high molecular weight polyol which is the active hydrogen-containing compound include the same high molecular weight polyols used as a raw material for the TDI prepolymer.

前記活性水素含有化合物である低分子量ポリオールは、前記TDI系プレポリマーの原料として用いられる低分子量ポリオールと同様のものが挙げられる。   Examples of the low molecular weight polyol that is the active hydrogen-containing compound include those similar to the low molecular weight polyol used as a raw material for the TDI prepolymer.

前記活性水素含有化合物である低分子量ポリアミンは、前記TDI系プレポリマーの原料として用いられる低分子量ポリアミンと同様のものが挙げられる。   Examples of the low molecular weight polyamine that is the active hydrogen-containing compound include the same as the low molecular weight polyamine used as a raw material for the TDI prepolymer.

前記活性水素含有化合物であるアルコールアミンは、前記TDI系プレポリマーの原料として用いられるアルコールアミンと同様のものが挙げられる。   Examples of the alcohol amine that is the active hydrogen-containing compound include the same alcohol amine used as a raw material of the TDI prepolymer.

前記鎖延長剤は、少なくとも2個以上の活性水素基を有する有機化合物であり、活性水素基としては、水酸基、第1級もしくは第2級アミノ基、チオール基(SH)などが例示できる。具体的には、4,4’−メチレンビス(o−クロロアニリン)(MOCA)、2,6−ジクロロ−p−フェニレンジアミン、4,4’−メチレンビス(2,3−ジクロロアニリン)、3,5−ビス(メチルチオ)−2,4−トルエンジアミン、3,5−ビス(メチルチオ)−2,6−トルエンジアミン、3,5−ジエチルトルエン−2,4−ジアミン、3,5−ジエチルトルエン−2,6−ジアミン、トリメチレングリコール−ジ−p−アミノベンゾエート、1,2−ビス(2−アミノフェニルチオ)エタン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジエチル−5,5’−ジメチルジフェニルメタン、N,N’−ジ−sec−ブチル−4,4’−ジアミノジフェニルメタン、3,3’−ジエチル−4,4’−ジアミノジフェニルメタン、m−キシリレンジアミン、N,N’−ジ−sec−ブチル−p−フェニレンジアミン、m−フェニレンジアミン、およびp−キシリレンジアミンなどに例示されるポリアミン類、あるいは、上述した低分子量ポリオールや低分子量ポリアミンなどを挙げることができる。これらは1種で用いても、2種以上を混合しても差し支えない。   The chain extender is an organic compound having at least two active hydrogen groups, and examples of the active hydrogen group include a hydroxyl group, a primary or secondary amino group, and a thiol group (SH). Specifically, 4,4′-methylenebis (o-chloroaniline) (MOCA), 2,6-dichloro-p-phenylenediamine, 4,4′-methylenebis (2,3-dichloroaniline), 3,5 -Bis (methylthio) -2,4-toluenediamine, 3,5-bis (methylthio) -2,6-toluenediamine, 3,5-diethyltoluene-2,4-diamine, 3,5-diethyltoluene-2 , 6-diamine, trimethylene glycol-di-p-aminobenzoate, 1,2-bis (2-aminophenylthio) ethane, 4,4′-diamino-3,3′-diethyl-5,5′-dimethyl Diphenylmethane, N, N′-di-sec-butyl-4,4′-diaminodiphenylmethane, 3,3′-diethyl-4,4′-diaminodiphenylmethane, m-xyl Polyamines exemplified by diamine, N, N′-di-sec-butyl-p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, and p-xylylenediamine, or the low molecular weight polyols and low molecular weight polyamines described above. Can be mentioned. These may be used alone or in combination of two or more.

前記MDI系プレポリマー、前記TDI系プレポリマー、及び前記活性水素含有化合物の比は、各々の分子量や研磨パッドの所望物性などにより種々変え得る。前記MDI系イソシアネート末端プレポリマーの添加量は、前記TDI系プレポリマー100重量部に対して1〜10重量部が好ましく、3〜7重量部がより好ましい。前記MDI系イソシアネート末端プレポリマーの添加量が少ないと研磨性能が得られず、多いとウレタン発泡体の剛性が高くなりスクラッチが発生しやすくなる。また、所望する研磨特性を有する研磨パッドを得るためには、前記活性水素含有化合物の活性水素基(水酸基、アミノ基)数に対する前記イソシアネート化合物のイソシアネート基数(NCO Index)は、0.9〜1.10であることが好ましく、さらに好ましくは0.9〜1.0である。前記イソシアネート基数が前記範囲外の場合には、硬化不良が生じて要求される比重及び硬度が得られず、研磨特性が低下する傾向にある。   The ratio of the MDI-based prepolymer, the TDI-based prepolymer, and the active hydrogen-containing compound can be variously changed according to the respective molecular weights, desired physical properties of the polishing pad, and the like. The amount of the MDI-based isocyanate-terminated prepolymer added is preferably 1 to 10 parts by weight and more preferably 3 to 7 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the TDI prepolymer. If the amount of the MDI-based isocyanate-terminated prepolymer is small, polishing performance cannot be obtained, and if it is large, the rigidity of the urethane foam increases and scratches are likely to occur. In order to obtain a polishing pad having desired polishing characteristics, the isocyanate group number (NCO Index) of the isocyanate compound relative to the number of active hydrogen groups (hydroxyl group, amino group) of the active hydrogen-containing compound is 0.9 to 1. Is preferably 10.10, more preferably 0.9 to 1.0. When the number of isocyanate groups is outside the above range, curing failure occurs and the required specific gravity and hardness cannot be obtained, and the polishing characteristics tend to deteriorate.

〔ポリウレタン発泡体の製造〕
前記ポリウレタン発泡体は、溶融法、溶液法など公知のウレタン化技術を応用して製造することができるが、コスト、作業環境などを考慮した場合、溶融法で製造することが好ましい。
[Production of polyurethane foam]
The polyurethane foam can be produced by applying a known urethanization technique such as a melting method or a solution method, but is preferably produced by a melting method in consideration of cost, working environment and the like.

前記ポリウレタン樹脂は、プレポリマー法により製造する。プレポリマー法にて得られるポリウレタン樹脂は、物理的特性が優れており好適である。   The polyurethane resin is produced by a prepolymer method. The polyurethane resin obtained by the prepolymer method is suitable because of its excellent physical properties.

なお、前記TDI系プレポリマーは、数平均分子量が300〜5000程度のものが加工性、物理的特性等が優れており好適である。   As the TDI prepolymer, those having a number average molecular weight of about 300 to 5,000 are preferable because they have excellent processability and physical characteristics.

前記ポリウレタン樹脂は、前記MDI系プレポリマー、前記TDI系プレポリマー、及び前記活性水素含有化合物を含むポリウレタン組成物を反応硬化させて製造する。   The polyurethane resin is produced by reaction-curing a polyurethane composition containing the MDI prepolymer, the TDI prepolymer, and the active hydrogen-containing compound.

前記研磨パッドの効果を損なわない範囲で、酸化防止剤等の安定剤、滑剤、顔料、充填剤、帯電防止剤、その他の添加剤が含まれていても良い。また、界面活性剤として作用するMDI系イソシアネート以外に、反応させていない状態の界面活性剤を適宜配合しても構わない。当該界面活性剤は、水酸基を有していても有していなくても良い。   As long as the effect of the polishing pad is not impaired, a stabilizer such as an antioxidant, a lubricant, a pigment, a filler, an antistatic agent, and other additives may be contained. Moreover, you may mix | blend suitably the surfactant of the state which is not made to react other than the MDI type isocyanate which acts as surfactant. The surfactant may or may not have a hydroxyl group.

前記ポリウレタン発泡体の製造は、各成分を計量して容器に投入し、撹拌するバッチ方式であってもよく、または撹拌装置に各成分を連続供給して撹拌し、混合液を送り出して成形品を製造する連続生産方式であってもよい。   The production of the polyurethane foam may be a batch system in which each component is weighed and put into a container and stirred, or each component is continuously fed to a stirrer and stirred, and a mixed solution is sent out to form a molded product. May be a continuous production method.

また、前記MDI系プレポリマー、前記TDI系プレポリマーを反応容器に入れ、その後活性水素含有化合物を投入、撹拌後、所定の大きさの注型に流し込んでポリウレタン樹脂ブロックを作製し、そのブロックをスライサーを用いてスライスして研磨層を製造してもよく、又は前述の注型の段階で、薄いシート状に加工して研磨層を製造してもよい。   Also, the MDI prepolymer and the TDI prepolymer are placed in a reaction vessel, and then an active hydrogen-containing compound is added, stirred, and then poured into a casting mold of a predetermined size to produce a polyurethane resin block. The polishing layer may be produced by slicing using a slicer, or may be produced by processing into a thin sheet at the above-described casting stage.

ポリウレタン発泡体の製造方法としては、中空ビーズを添加させる方法、機械発泡法(メカニカルフロス法を含む)、化学発泡法などが挙げられる。なお、各方法を併用してもよいが、機械発泡法が好ましい。   Examples of the method for producing the polyurethane foam include a method of adding hollow beads, a mechanical foaming method (including a mechanical floss method), and a chemical foaming method. In addition, although each method may be used together, the mechanical foaming method is preferable.

[機械発泡法によるポリウレタン発泡体の製造例]
前記ポリウレタン発泡体を機械発泡法で製造する方法の例について以下に説明する。かかるポリウレタン発泡体の製造方法は、以下の工程を有する。
1)気泡分散液を作製する発泡工程
前記MDI系プレポリマー、前記TDI系プレポリマーを含む第1成分に、非反応性気体の存在下で撹拌し、非反応性気体を微細気泡として分散させて気泡分散液とする。前記プレポリマーが常温で固体の場合には適宜の温度に予熱し、溶融して使用する。
2)活性水素含有化合物混合工程
前記の気泡分散液に活性水素含有化合物を含む第2成分を添加、混合、撹拌して発泡反応液とする。
3)注型工程
前記の発泡反応液を金型に流し込む。
4)硬化工程
金型に流し込まれた発泡反応液を加熱し、反応硬化させる。
[Production example of polyurethane foam by mechanical foaming method]
An example of a method for producing the polyurethane foam by a mechanical foaming method will be described below. The manufacturing method of this polyurethane foam has the following processes.
1) Foaming step for producing a bubble dispersion liquid The first component containing the MDI prepolymer and the TDI prepolymer is stirred in the presence of a nonreactive gas to disperse the nonreactive gas as fine bubbles. Use bubble dispersion. When the prepolymer is solid at normal temperature, it is preheated to an appropriate temperature and melted before use.
2) Active hydrogen-containing compound mixing step A second component containing an active hydrogen-containing compound is added to the bubble dispersion and mixed and stirred to obtain a foaming reaction liquid.
3) Casting step The foaming reaction solution is poured into a mold.
4) Curing process The foaming reaction liquid poured into the mold is heated and reacted and cured.

前記微細気泡を形成するために使用される非反応性気体としては、可燃性でないものが好ましく、具体的には窒素、酸素、炭酸ガス、ヘリウムやアルゴン等の希ガスやこれらの混合気体が例示され、乾燥して水分を除去した空気の使用がコスト的にも最も好ましい。   As the non-reactive gas used to form the fine bubbles, non-flammable gases are preferable, and specific examples include nitrogen, oxygen, carbon dioxide, rare gases such as helium and argon, and mixed gases thereof. In view of cost, it is most preferable to use air that has been dried to remove moisture.

非反応性気体を微細気泡状にして前記第1成分に分散させる撹拌装置としては、公知の撹拌装置は特に限定なく使用可能であり、具体的にはホモジナイザー、ディゾルバー、2軸遊星型ミキサー(プラネタリーミキサー)等が例示される。撹拌装置の撹拌翼の形状も特に限定されないが、ホイッパー型の撹拌翼の使用にて微細気泡が得られ好ましい。目的とするポリウレタン発泡体を得るためには、撹拌翼の回転数は500〜2000rpmであることが好ましく、より好ましくは800〜1500rpmである。また、撹拌時間は目的とする密度に応じて適宜調整する。   As a stirrer for dispersing non-reactive gas in the form of fine bubbles and dispersing in the first component, a known stirrer can be used without any particular limitation. Specifically, a homogenizer, a dissolver, a two-axis planetary mixer (planetator) Lee mixer) and the like. The shape of the stirring blade of the stirring device is not particularly limited, but it is preferable to use a whipper type stirring blade because fine bubbles can be obtained. In order to obtain the target polyurethane foam, the rotational speed of the stirring blade is preferably 500 to 2000 rpm, more preferably 800 to 1500 rpm. The stirring time is appropriately adjusted according to the target density.

なお、発泡工程において気泡分散液を作成する撹拌と、混合工程における活性水素含有化合物を添加して混合する撹拌は、異なる撹拌装置を使用することも好ましい態様である。特に混合工程における撹拌は気泡を形成する撹拌でなくてもよく、大きな気泡を巻き込まない撹拌装置の使用が好ましい。このような撹拌装置としては、遊星型ミキサーが好適である。発泡工程と混合工程の撹拌装置を同一の撹拌装置を使用しても支障はなく、必要に応じて撹拌翼の回転速度を調整する等の撹拌条件の調整を行って使用することも好適である。   In addition, it is also a preferable aspect to use a different stirring apparatus for the stirring which produces a bubble dispersion liquid in a foaming process, and the stirring which adds and mixes an active hydrogen containing compound in a mixing process. In particular, the stirring in the mixing step may not be stirring that forms bubbles, and it is preferable to use a stirring device that does not involve large bubbles. As such an agitator, a planetary mixer is suitable. There is no problem even if the same stirring device is used as the stirring device for the foaming step and the mixing step, and it is also preferable to adjust the stirring conditions such as adjusting the rotation speed of the stirring blade as necessary. .

ポリウレタン発泡体の製造方法においては、発泡反応液を型に流し込んで流動しなくなるまで反応した発泡体を、加熱、ポストキュアすることは、発泡体の物理的特性を向上させる効果があり、極めて好適である。金型に発泡反応液を流し込んで直ちに加熱オーブン中に入れてポストキュアを行う条件としてもよく、そのような条件下でもすぐに反応成分に熱が伝達されないので、気泡径が大きくなることはない。硬化反応は、常圧で行うことが気泡形状が安定するために好ましい。   In the production method of polyurethane foam, heating and post-curing the foam that has reacted until the foaming reaction liquid is poured into the mold and no longer flows is effective in improving the physical properties of the foam and is extremely suitable. It is. The foam reaction solution may be poured into the mold and immediately put into a heating oven for post cure, and heat is not immediately transferred to the reaction components under such conditions, so the bubble size does not increase. . The curing reaction is preferably performed at normal pressure because the bubble shape is stable.

なお、第3級アミン系等の公知のポリウレタン反応を促進する触媒を使用してもかまわない。触媒の種類、添加量は、混合工程後、所定形状の型に流し込む流動時間を考慮して選択する。   In addition, you may use the catalyst which accelerates | stimulates well-known polyurethane reactions, such as a tertiary amine type | system | group. The type and amount of the catalyst are selected in consideration of the flow time for pouring into a mold having a predetermined shape after the mixing step.

ポリウレタン発泡体の平均気泡径は、20〜70μmであることが好ましく、より好ましくは30〜60μmである。   It is preferable that the average cell diameter of a polyurethane foam is 20-70 micrometers, More preferably, it is 30-60 micrometers.

ポリウレタン発泡体のアスカーD硬度は30〜48度が好ましく、35〜45度がより好ましい。アスカーD硬度が30度未満の場合には、研磨速度が低下したり、研磨後の被研磨材の表面平滑性が悪くなる傾向にある。一方、48度より大きい場合は、被研磨材の表面にスクラッチが発生しやすくなる。   The Asker D hardness of the polyurethane foam is preferably 30 to 48 degrees, and more preferably 35 to 45 degrees. When the Asker D hardness is less than 30 degrees, the polishing rate tends to decrease or the surface smoothness of the polished material after polishing tends to deteriorate. On the other hand, when it is larger than 48 degrees, scratches are likely to occur on the surface of the material to be polished.

ポリウレタン発泡体の比重は、0.7〜0.85が好ましく、0.73〜0.80がより好ましい。比重が0.7未満の場合、研磨層の耐久性が低下する傾向にある。一方、0.85より大きい場合は、気泡の砥粒保持性が悪くなり、研磨速度が低下する傾向にある。   The specific gravity of the polyurethane foam is preferably 0.7 to 0.85, more preferably 0.73 to 0.80. When the specific gravity is less than 0.7, the durability of the polishing layer tends to decrease. On the other hand, when it is larger than 0.85, the abrasive retention of bubbles is deteriorated and the polishing rate tends to decrease.

本実施形態の研磨パッド(研磨層)の被研磨材と接触する研磨表面は、スラリーを保持・更新するための凹凸構造を有することが好ましい。発泡体からなる研磨層は、研磨表面に多くの開口を有し、スラリーを保持・更新する働きを持っているが、研磨表面に凹凸構造を形成することにより、スラリーの保持と更新をさらに効率よく行うことができ、また被研磨材との吸着による被研磨材の破壊を防ぐことができる。凹凸構造は、スラリーを保持・更新する形状であれば特に限定されるものではなく、例えば、XY格子溝、同心円状溝、貫通孔、貫通していない穴、多角柱、円柱、螺旋状溝、偏心円状溝、放射状溝、及びこれらの溝を組み合わせたものが挙げられる。また、これらの凹凸構造は規則性のあるものが一般的であるが、スラリーの保持・更新性を望ましいものにするため、ある範囲ごとに溝ピッチ、溝幅、溝深さ等を変化させることも可能である。   The polishing surface of the polishing pad (polishing layer) of the present embodiment that comes into contact with the material to be polished preferably has a concavo-convex structure for holding and renewing the slurry. The polishing layer made of foam has many openings on the polishing surface and has the function of holding and updating the slurry. By forming a concavo-convex structure on the polishing surface, the slurry can be held and updated more efficiently. It can be performed well, and destruction of the material to be polished due to adsorption with the material to be polished can be prevented. The concavo-convex structure is not particularly limited as long as it is a shape that holds and renews the slurry. For example, an XY lattice groove, a concentric circular groove, a through hole, a non-penetrating hole, a polygonal column, a cylinder, a spiral groove, Examples include eccentric circular grooves, radial grooves, and combinations of these grooves. In addition, these uneven structures are generally regular, but in order to make the slurry retention and renewability desirable, the groove pitch, groove width, groove depth, etc. should be changed for each range. Is also possible.

前記凹凸構造の作製方法は特に限定されるものではないが、例えば、所定サイズのバイトのような治具を用い機械切削する方法、所定の表面形状を有した金型に樹脂を流しこみ、硬化させることにより作製する方法、所定の表面形状を有したプレス板で樹脂をプレスし作製する方法、フォトリソグラフィを用いて作製する方法、印刷手法を用いて作製する方法、炭酸ガスレーザーなどを用いたレーザー光による作製方法などが挙げられる。   The method for producing the concavo-convex structure is not particularly limited. For example, a method of machine cutting using a jig such as a tool of a predetermined size, pouring a resin into a mold having a predetermined surface shape, and curing. Using a press plate having a predetermined surface shape, a method of producing a resin by pressing, a method of producing using photolithography, a method of producing using a printing technique, a carbon dioxide laser, etc. Examples include a manufacturing method using laser light.

研磨層の厚みは特に限定されるものではないが、通常0.8〜4mm程度であり、1.2〜2.5mmであることが好ましい。前記厚みの研磨層を作製する方法としては、前記微細発泡体のブロックをバンドソー方式やカンナ方式のスライサーを用いて所定厚みにする方法、所定厚みのキャビティーを持った金型に樹脂を流し込み硬化させる方法、及びコーティング技術やシート成形技術を用いた方法などが挙げられる。   The thickness of the polishing layer is not particularly limited, but is usually about 0.8 to 4 mm, and preferably 1.2 to 2.5 mm. As a method for producing the polishing layer having the above thickness, a method in which the block of the fine foam is made to have a predetermined thickness using a band saw type or canna type slicer, a resin is poured into a mold having a cavity having a predetermined thickness, and curing is performed. And a method using a coating technique or a sheet forming technique.

また、研磨層の厚みバラツキは100μm以下であることが好ましい。厚みバラツキが100μmを越えるものは、研磨層に大きなうねりを持ったものとなり、被研磨材に対する接触状態が異なる部分ができ、研磨特性に悪影響を与える。また、研磨層の厚みバラツキを解消するため、一般的には、研磨初期に研磨層表面をダイヤモンド砥粒を電着、融着させたドレッサーを用いてドレッシングするが、上記範囲を超えたものは、ドレッシング時間が長くなり、生産効率を低下させるものとなる。   Further, the thickness variation of the polishing layer is preferably 100 μm or less. When the thickness variation exceeds 100 μm, the polishing layer has a large waviness, and there are portions where the contact state with the material to be polished is different, which adversely affects the polishing characteristics. In order to eliminate the thickness variation of the polishing layer, in general, the surface of the polishing layer is dressed with a dresser in which diamond abrasive grains are electrodeposited and fused in the initial stage of polishing. As a result, the dressing time becomes longer and the production efficiency is lowered.

研磨層の厚みのバラツキを抑える方法としては、所定厚みにスライスした研磨シート表面をバフィングする方法が挙げられる。また、バフィングする際には、粒度などが異なる研磨材で段階的に行うことが好ましい。   Examples of a method for suppressing the variation in the thickness of the polishing layer include a method of buffing the surface of the polishing sheet sliced to a predetermined thickness. Moreover, when buffing, it is preferable to carry out stepwise with abrasives having different particle sizes.

本実施形態の研磨パッドは、前記研磨層とクッションシートとを貼り合わせたものであってもよい。   The polishing pad of this embodiment may be a laminate of the polishing layer and a cushion sheet.

クッションシート(クッション層)は、研磨層の特性を補うものである。クッションシートは、CMPにおいて、トレードオフの関係にあるプラナリティとユニフォーミティの両者を両立させるために必要なものである。プラナリティとは、パターン形成時に発生する微小凹凸のある被研磨材を研磨した時のパターン部の平坦性をいい、ユニフォーミティとは、被研磨材全体の均一性をいう。研磨層の特性によって、プラナリティを改善し、クッションシートの特性によってユニフォーミティを改善する。本実施形態の研磨パッドにおいては、クッションシートは研磨層より柔らかいものを用いることが好ましい。   The cushion sheet (cushion layer) supplements the characteristics of the polishing layer. The cushion sheet is necessary for achieving both planarity and uniformity in a trade-off relationship in CMP. Planarity refers to the flatness of a pattern portion when a material having fine irregularities generated during pattern formation is polished, and uniformity refers to the uniformity of the entire material to be polished. The planarity is improved by the characteristics of the polishing layer, and the uniformity is improved by the characteristics of the cushion sheet. In the polishing pad of this embodiment, it is preferable to use a cushion sheet that is softer than the polishing layer.

クッションシートとしては、例えば、ポリエステル不織布、ナイロン不織布、アクリル不織布などの繊維不織布やポリウレタンを含浸したポリエステル不織布のような樹脂含浸不織布、ポリウレタンフォーム、ポリエチレンフォームなどの高分子樹脂発泡体、ブタジエンゴム、イソプレンゴムなどのゴム性樹脂、感光性樹脂などが挙げられる。   Examples of the cushion sheet include fiber nonwoven fabrics such as polyester nonwoven fabric, nylon nonwoven fabric, and acrylic nonwoven fabric, resin-impregnated nonwoven fabrics such as polyester nonwoven fabric impregnated with polyurethane, polymer resin foams such as polyurethane foam and polyethylene foam, butadiene rubber, and isoprene. Examples thereof include rubber resins such as rubber and photosensitive resins.

研磨層とクッションシートとを貼り合わせる手段としては、例えば、研磨層とクッションシートとを両面テープで挟みプレスする方法が挙げられる。   Examples of means for attaching the polishing layer and the cushion sheet include a method of pressing the polishing layer and the cushion sheet with a double-sided tape.

両面テープは、不織布やフィルム等の基材の両面に接着層を設けた一般的な構成を有するものである。クッションシートへのスラリーの浸透等を防ぐことを考慮すると、基材にフィルムを用いることが好ましい。また、接着層の組成としては、例えば、ゴム系接着剤やアクリル系接着剤等が挙げられる。金属イオンの含有量を考慮すると、アクリル系接着剤は、金属イオン含有量が少ないため好ましい。また、研磨層とクッションシートは組成が異なることもあるため、両面テープの各接着層の組成を異なるものとし、各層の接着力を適正化することも可能である。   The double-sided tape has a general configuration in which adhesive layers are provided on both sides of a substrate such as a nonwoven fabric or a film. In consideration of preventing the penetration of the slurry into the cushion sheet, it is preferable to use a film for the substrate. Examples of the composition of the adhesive layer include rubber adhesives and acrylic adhesives. Considering the content of metal ions, an acrylic adhesive is preferable because the metal ion content is low. In addition, since the composition of the polishing layer and the cushion sheet may be different, the composition of each adhesive layer of the double-sided tape can be made different so that the adhesive force of each layer can be optimized.

本実施形態の研磨パッドは、プラテンと接着する面に両面テープが設けられていてもよい。該両面テープとしては、上述と同様に基材の両面に接着層を設けた一般的な構成を有するものを用いることができる。基材としては、例えば不織布やフィルム等が挙げられる。研磨パッドの使用後のプラテンからの剥離を考慮すれば、基材にフィルムを用いることが好ましい。また、接着層の組成としては、例えば、ゴム系接着剤やアクリル系接着剤等が挙げられる。金属イオンの含有量を考慮すると、アクリル系接着剤は、金属イオン含有量が少ないため好ましい。   The polishing pad of this embodiment may be provided with a double-sided tape on the surface to be bonded to the platen. As the double-sided tape, a tape having a general configuration in which an adhesive layer is provided on both surfaces of a base material can be used as described above. As a base material, a nonwoven fabric, a film, etc. are mentioned, for example. In consideration of peeling from the platen after use of the polishing pad, it is preferable to use a film for the substrate. Examples of the composition of the adhesive layer include rubber adhesives and acrylic adhesives. Considering the content of metal ions, an acrylic adhesive is preferable because the metal ion content is low.

半導体デバイスは、前記研磨パッドを用いて半導体ウエハの表面を研磨する工程を経て製造される。半導体ウエハとは、一般にシリコンウエハ上に配線金属及び酸化膜を積層したものである。半導体ウエハの研磨方法、研磨装置は特に制限されず、例えば、図1に示すように研磨パッド(研磨層)1を支持する研磨定盤2と、半導体ウエハ4を支持する支持台(ポリシングヘッド)5とウエハへの均一加圧を行うためのバッキング材と、研磨剤3の供給機構を備えた研磨装置などを用いて行われる。研磨パッド1は、例えば、両面テープで貼り付けることにより、研磨定盤2に装着される。研磨定盤2と支持台5とは、それぞれに支持された研磨パッド1と半導体ウエハ4が対向するように配置され、それぞれに回転軸6、7を備えている。また、支持台5側には、半導体ウエハ4を研磨パッド1に押し付けるための加圧機構が設けてある。研磨に際しては、研磨定盤2と支持台5とを回転させつつ半導体ウエハ4を研磨パッド1に押し付け、スラリーを供給しながら研磨を行う。スラリーの流量、研磨荷重、研磨定盤回転数、及びウエハ回転数は特に制限されず、適宜調整して行う。   The semiconductor device is manufactured through a step of polishing the surface of the semiconductor wafer using the polishing pad. A semiconductor wafer is generally a laminate of a wiring metal and an oxide film on a silicon wafer. The method and apparatus for polishing the semiconductor wafer are not particularly limited. For example, as shown in FIG. 1, a polishing surface plate 2 that supports a polishing pad (polishing layer) 1 and a support table (polishing head) that supports the semiconductor wafer 4. 5 and a polishing apparatus equipped with a backing material for uniformly pressing the wafer and a supply mechanism of the abrasive 3. The polishing pad 1 is attached to the polishing surface plate 2 by attaching it with a double-sided tape, for example. The polishing surface plate 2 and the support base 5 are disposed so that the polishing pad 1 and the semiconductor wafer 4 supported on each of the polishing surface plate 2 and the support table 5 face each other, and are provided with rotating shafts 6 and 7 respectively. Further, a pressurizing mechanism for pressing the semiconductor wafer 4 against the polishing pad 1 is provided on the support base 5 side. In polishing, the semiconductor wafer 4 is pressed against the polishing pad 1 while rotating the polishing surface plate 2 and the support base 5, and polishing is performed while supplying slurry. The flow rate of the slurry, the polishing load, the polishing platen rotation speed, and the wafer rotation speed are not particularly limited and are appropriately adjusted.

これにより半導体ウエハ4の表面の突出した部分が除去されて平坦状に研磨される。その後、ダイシング、ボンディング、パッケージング等することにより半導体デバイスが製造される。半導体デバイスは、演算処理装置やメモリー等に用いられる。   As a result, the protruding portion of the surface of the semiconductor wafer 4 is removed and polished flat. Thereafter, a semiconductor device is manufactured by dicing, bonding, packaging, or the like. The semiconductor device is used for an arithmetic processing device, a memory, and the like.

<測定、評価方法>
〔比重の測定〕
JIS Z8807−1976に準拠して行った。作製したポリウレタン発泡体シートを4cm×8.5cmの短冊状(厚み:任意)に切り出したものを比重測定用試料とし、温度23℃±2℃、湿度50%±5%の環境で16時間静置した。測定には比重計(ザルトリウス社製)を用い、比重を測定した。
<Measurement and evaluation method>
[Measurement of specific gravity]
This was performed according to JIS Z8807-1976. The produced polyurethane foam sheet was cut into a 4 cm x 8.5 cm strip (thickness: arbitrary) and used as a specific gravity measurement sample. I put it. The specific gravity was measured using a hydrometer (manufactured by Sartorius).

〔D硬度の測定〕
JIS K6253−1997に準拠して行った。作製したポリウレタン発泡体シートを2cm×2cm(厚み:任意)の大きさに切り出したものを硬度測定用試料とし、温度23℃±2℃、湿度50%±5%の環境で16時間静置した。測定時には、試料を重ね合わせ、厚み6mm以上とした。硬度計(高分子計器社製、アスカーD型硬度計)を用い、硬度を測定した。
[D hardness measurement]
This was performed in accordance with JIS K6253-1997. The produced polyurethane foam sheet was cut into a size of 2 cm × 2 cm (thickness: arbitrary) and used as a sample for hardness measurement, and was allowed to stand for 16 hours in an environment of temperature 23 ° C. ± 2 ° C. and humidity 50% ± 5%. . At the time of measurement, the samples were overlapped to a thickness of 6 mm or more. The hardness was measured using a hardness meter (manufactured by Kobunshi Keiki Co., Ltd., Asker D type hardness meter).

〔研磨レート及びスクラッチ〕
[研磨条件]
研磨パッドを研磨装置(MAT社製 型番:ARW−8C1A)に取り付け、酸化膜ウエハを研磨した。研磨条件は以下の通りである。
研磨圧:4.5psi
リテーナー圧:5.0psi
研磨ヘッド回転数:90rpm
プラテン回転数:93rpm
スラリー:SS25(キャボット社製)を超純水にて2倍稀釈しスラリー流量は120ml/minとし、研磨時間1minとした。
ドレス条件:ドレッサーはSaesol社製DK45を使用し、荷重4.8lbf、回転数63rpmにて、in−situドレス処理させながら研磨した。
研磨の操作としては、研磨パッドを装置定盤に取り付けた後、超純水を流しながら上記ドレッサーの条件で30minパッド表面をドレス処理した。その後、ダミーウエハを8枚流した後、研磨レートモニター用のウエハ1枚とスクラッチモニター用のウエハ1枚を研磨した。
[Polishing rate and scratch]
[Polishing conditions]
The polishing pad was attached to a polishing apparatus (manufactured by MAT, model number: ARW-8C1A), and the oxide film wafer was polished. The polishing conditions are as follows.
Polishing pressure: 4.5 psi
Retainer pressure: 5.0 psi
Polishing head rotation speed: 90 rpm
Platen rotation speed: 93rpm
Slurry: SS25 (manufactured by Cabot) was diluted twice with ultrapure water, the slurry flow rate was 120 ml / min, and the polishing time was 1 min.
Dressing condition: The dresser used was DK45 manufactured by Saesol, and was polished while applying an in-situ dressing process at a load of 4.8 lbf and a rotation speed of 63 rpm.
As a polishing operation, after attaching the polishing pad to the apparatus surface plate, the pad surface was dressed for 30 minutes under the above-mentioned dresser conditions while flowing ultrapure water. Then, after eight dummy wafers were flowed, one polishing rate monitor wafer and one scratch monitor wafer were polished.

[研磨レートの評価]
研磨レートは、8インチのシリコンウエハ上にタングステン膜を10000Å製膜したウエハを1枚につき60秒研磨し、このときの研磨量から算出した。酸化膜の膜厚測定には、光干渉式膜厚測定装置(ナノメトリクス社製、装置名:Nanospec)を用いた。
[Evaluation of polishing rate]
The polishing rate was calculated from the polishing amount at this time by polishing a wafer obtained by forming a 10,000-mm tungsten film on an 8-inch silicon wafer for 60 seconds. An optical interference film thickness measuring device (manufactured by Nanometrics, device name: Nanospec) was used for measuring the thickness of the oxide film.

[スクラッチの評価]
スクラッチの評価は、KLA テンコール社製の欠陥評価装置(Surfscan SP1)を用いて、研磨後のウエハ上に0.19μm以上の条痕がいくつあるかを測定することにより行った。
[Scratch evaluation]
The scratch was evaluated by measuring the number of streaks of 0.19 μm or more on the polished wafer using a defect evaluation apparatus (Surfscan SP1) manufactured by KLA Tencor.

<プレポリマーの調製>
〔MDI系プレポリマーの調製〕
容器にMDI系イソシアネート(東ソー 品名:ミリオネートMTL)35.7重量部、シリコーン系界面活性剤(エボニックジャパン 品名:デゴスターブB8465 OHV:110mgKOH/g)64.3重量部を入れて、70℃で6時間反応させてMDI系プレポリマーを得た。NCO重量%は5.4%であった。
<Prepolymer preparation>
[Preparation of MDI Prepolymer]
Put 35.7 parts by weight of MDI isocyanate (Tosoh product name: Millionate MTL) and 64.3 parts by weight of silicone surfactant (Evonik Japan product name: Degostarb B8465 OHV: 110 mg KOH / g) in a container and continue at 70 ° C for 6 hours. Reaction was performed to obtain an MDI-based prepolymer. The NCO weight percent was 5.4%.

〔TDI系プレポリマーの調製〕
容器にトルエンジイソシアネート(三井化学 品名:コスモネートT80)27.2重量部、イソホロンジイソシアネート(エボニックジャパン 品名:VEST ANAT IPDI)6.1重量部、平均分子量1000のポリテトラメチレンエーテルグリコール(三菱化学 品名:PTMG1000)64.4重量部、1,4ブタンジオール(ナカライテスク製)2.3重量部を入れ、70℃で4時間反応させてTDI系プレポリマーを得た。NCO重量%は7.9%であった。
[Preparation of TDI prepolymer]
In a container, toluene diisocyanate (Mitsui Chemicals product name: Cosmonate T80) 27.2 parts by weight, isophorone diisocyanate (Evonik Japan product name: VEST ANAT IPDI) 6.1 parts by weight, polytetramethylene ether glycol having an average molecular weight of 1000 (Mitsubishi Chemical product name: (PTMG1000) 64.4 parts by weight and 1,4 butanediol (manufactured by Nacalai Tesque) 2.3 parts by weight were added and reacted at 70 ° C. for 4 hours to obtain a TDI prepolymer. The NCO weight% was 7.9%.

<実施例1>
60℃に加熱したTDI系プレポリマー100重量部に、MDI系プレポリマーを5重量部を重合容器内に配合した。その後、撹拌翼を用いて、回転数900rpmで反応系内に気泡を取り込むように激しく4分間撹拌を行った。その後120℃に温度調整したMOCA(イハラケミカル社製、キュアミンMT)24.6重量部を添加し、1分間撹拌させた。その後オープンモールド(注型容器)へ流し込み、この混合液の流動性がなくなった時点でオーブン内に入れ、100℃で16時間ポストキュアを行い、ポリウレタン樹脂発泡体ブロックを得た。
<Example 1>
5 parts by weight of an MDI prepolymer was blended in a polymerization vessel with 100 parts by weight of a TDI prepolymer heated to 60 ° C. Then, it stirred violently for 4 minutes so that a bubble might be taken in in a reaction system with the rotation speed of 900 rpm using the stirring blade. Thereafter, 24.6 parts by weight of MOCA (Ihara Chemical Co., Ltd., Cuamine MT) whose temperature was adjusted to 120 ° C. was added and stirred for 1 minute. Then, it was poured into an open mold (casting container). When the fluidity of this mixed solution disappeared, it was put in an oven and post-cured at 100 ° C. for 16 hours to obtain a polyurethane resin foam block.

約80℃に加熱した前記ポリウレタン樹脂発泡体ブロックをスライサー(アミテック社製、VGW−125)を使用してスライスし、ポリウレタン樹脂発泡体シートを得た。次に、バフ機(アミテック社製)を使用して、#120番、#240番、及び#400番のサンドペパーにて順次切削加工し、厚さ2mmになるまで該シートの表面バフ処理をし、厚み精度を整えたシートとした。このバフ処理をしたシートを直径508mmの大きさで打ち抜き、溝加工機(テクノ社製)を用いて表面に溝幅0.40mm、溝ピッチ3.1mm、溝深さ0.8mmの同心円状の溝加工を行って研磨層を作製した。この研磨層の溝加工面と反対側の面にラミ機を使用して、ダブルタックテープ(積水化学工業社製 品名:5782W)を貼りつけた。更に、コロナ処理をしたクッション層(東レ社製、ポリエチレンフォーム、トーレペフ、厚み1.27mm)の表面をバフ処理し、それをラミ機を使用して前記ダブルタックテープに貼り合わせた。更に、クッション層のもう一方側に、ラミ機を使って定盤用テープ(3M製 442JA)を貼り合せて、研磨パッドを作製した。研磨層の密度は0.77、D硬度は43(60sec値)であった。   The polyurethane resin foam block heated to about 80 ° C. was sliced using a slicer (manufactured by Amitech, VGW-125) to obtain a polyurethane resin foam sheet. Next, using a buffing machine (manufactured by Amitech Co., Ltd.), it is sequentially cut with # 120, # 240 and # 400 sand peppers, and the surface of the sheet is buffed until the thickness becomes 2 mm. And it was set as the sheet | seat which prepared the thickness precision. The buffed sheet is punched out with a diameter of 508 mm, and a concentric circle having a groove width of 0.40 mm, a groove pitch of 3.1 mm, and a groove depth of 0.8 mm on the surface using a groove processing machine (manufactured by Techno). Groove processing was performed to produce a polishing layer. A double tack tape (Sekisui Chemical Co., Ltd. product name: 5882W) was attached to the surface of the polishing layer opposite to the grooved surface using a laminator. Further, the surface of the cushion layer (Toray Industries, polyethylene foam, Torepefu, thickness 1.27 mm) subjected to corona treatment was buffed and bonded to the double tack tape using a laminator. Further, a surface plate tape (442M made by 3M) was bonded to the other side of the cushion layer using a laminator to prepare a polishing pad. The polishing layer had a density of 0.77 and a D hardness of 43 (60 sec value).

<実施例2>
実施例1において、TDI系プレポリマー100重量部に、MDI系プレポリマー2重量部配合し、MOCAを24.3重量部混合させた以外は、実施例1と同じ方法で研磨パッドを作製した。研磨層の密度は0.79、D硬度は44(60sec値)であった。
<Example 2>
In Example 1, a polishing pad was prepared in the same manner as in Example 1, except that 100 parts by weight of TDI prepolymer was mixed with 2 parts by weight of MDI prepolymer and 24.3 parts by weight of MOCA was mixed. The polishing layer had a density of 0.79 and a D hardness of 44 (60 sec value).

<実施例3>
実施例1において、TDI系プレポリマー100重量部に、MDI系プレポリマー9重量部配合し、MOCAを25.3重量部混合させた以外は、実施例1と同じ方法で研磨パッドを作製した。研磨層の密度は0.77、D硬度は44(60sec値)であった。
<Example 3>
In Example 1, a polishing pad was produced in the same manner as in Example 1 except that 100 parts by weight of TDI prepolymer was mixed with 9 parts by weight of MDI prepolymer and 25.3 parts by weight of MOCA was mixed. The polishing layer had a density of 0.77 and a D hardness of 44 (60 sec value).

<実施例4>
実施例1において、TDI系プレポリマー100重量部に、MDI系プレポリマー5重量部配合し、尚且つ界面活性剤B8465(エボニックジャパン 品名:デゴスターブB8465)を3重量部加えた以外は、実施例1と同じ方法で研磨パッドを作製した。研磨層の密度は0.78、D硬度は42(60sec値)であった。
<Example 4>
Example 1 Example 1 except that 5 parts by weight of MDI-based prepolymer was added to 100 parts by weight of TDI-based prepolymer, and 3 parts by weight of surfactant B8465 (Evonik Japan product name: Degostarb B8465) was added. A polishing pad was prepared in the same manner as described above. The density of the polishing layer was 0.78, and the D hardness was 42 (60 sec value).

<比較例1>
実施例1において、MDI系プレポリマーを添加しないで、界面活性剤B8465を3重量部配合し、MOCAを23.8重量部を混合させた以外は、実施例1と同じ方法で研磨パッドを作製した。研磨層の密度は0.68、D硬度は28であった。
<Comparative Example 1>
In Example 1, a polishing pad was prepared in the same manner as in Example 1 except that 3 parts by weight of surfactant B8465 was added and 23.8 parts by weight of MOCA was mixed without adding an MDI-based prepolymer. did. The density of the polishing layer was 0.68, and the D hardness was 28.

前記実施例1〜4及び比較例1の評価結果を下記表1に示す。   The evaluation results of Examples 1 to 4 and Comparative Example 1 are shown in Table 1 below.

Figure 2017132013
Figure 2017132013

MDIプレポリマー化した界面活性剤を配合した実施例1〜4においては、配合していない比較例1と比べて、研磨レートが高く、欠陥数も少ない結果であった。
In Examples 1 to 4 in which the MDI prepolymerized surfactant was blended, the polishing rate was high and the number of defects was small compared to Comparative Example 1 in which the surfactant was not blended.

Claims (6)

ジフェニルメタンジイソシアネート及び変性ジフェニルメタンジイソシアネートからなる群より選ばれる少なくとも1種以上であるジフェニルメタンジイソシアネート系化合物と水酸基を有する界面活性剤とを原料成分として含むジフェニルメタンジイソシアネート系イソシアネート末端プレポリマー、トルエンジイソシアネートと高分子量ポリオールとを原料成分として含むトルエンジイソシアネート系イソシアネート末端プレポリマー、並びに活性水素含有化合物を原料成分として含有するポリウレタン発泡体からなる研磨層を有する研磨パッド。   A diphenylmethane diisocyanate-based isocyanate-terminated prepolymer, a toluene diisocyanate and a high-molecular-weight polyol, each containing at least one diphenylmethane diisocyanate compound selected from the group consisting of diphenylmethane diisocyanate and modified diphenylmethane diisocyanate and a surfactant having a hydroxyl group as raw material components; A polishing pad having a polishing layer made of a polyurethane foam containing a toluene diisocyanate-based isocyanate-terminated prepolymer as a raw material component and an active hydrogen-containing compound as a raw material component. 前記ジフェニルメタンジイソシアネート系イソシアネート末端プレポリマーのNCO重量%が、2〜23重量%である請求項1に記載の研磨パッド。   The polishing pad according to claim 1, wherein the NCO wt% of the diphenylmethane diisocyanate-based isocyanate-terminated prepolymer is 2 to 23 wt%. 前記ジフェニルメタンジイソシアネート系イソシアネート末端プレポリマーの含有量が、前記トルエンジイソシアネート系イソシアネート末端プレポリマー100重量部に対して1〜10重量部である請求項1又は2に記載の研磨パッド。   The polishing pad according to claim 1 or 2, wherein the content of the diphenylmethane diisocyanate-based isocyanate-terminated prepolymer is 1 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the toluene diisocyanate-based isocyanate-terminated prepolymer. 前記トルエンジイソシアネート系イソシアネート末端プレポリマーのNCO重量%が4.5〜8.5重量%である請求項1〜3いずれか1項に記載の研磨パッド。   The polishing pad according to any one of claims 1 to 3, wherein the toluene diisocyanate-based isocyanate-terminated prepolymer has an NCO wt% of 4.5 to 8.5 wt%. 前記活性水素含有化合物が、4,4’−メチレンビス(o−クロロアニリン)である請求項1〜4いずれか1項に記載の研磨パッド。   The polishing pad according to claim 1, wherein the active hydrogen-containing compound is 4,4′-methylenebis (o-chloroaniline). 請求項1〜5いずれか1項に記載の研磨パッドを用いて半導体ウエハの表面を研磨する工程を含む半導体デバイスの製造方法。
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising a step of polishing a surface of a semiconductor wafer using the polishing pad according to claim 1.
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