JP2017129634A

JP2017129634A - Method for inspecting mask and mask inspection device

Info

Publication number: JP2017129634A
Application number: JP2016007329A
Authority: JP
Inventors: 上貴文井; Takafumi Inoue; 本英昭橋; Hideaki Hashimoto; 田雅矢武; Masaya Takeda
Original assignee: Nuflare Technology Inc
Current assignee: Nuflare Technology Inc
Priority date: 2016-01-18
Filing date: 2016-01-18
Publication date: 2017-07-27
Anticipated expiration: 2036-01-18
Also published as: JP6522529B2

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for inspecting a mask capable of suitably inspecting the pattern of a mask, and a mask inspection device.SOLUTION: In the cast the approach run start position as an execution position for focusing when a stage 6 mounted with a mask 2 starts approach run lies with a light shielding zone 203, the approach run start position is changed with in a non-pattern region 202, focusing is executed at the approach run start position within the non-pattern region 202, the approach run of a stage 6 is started from the approach run start position within the non-pattern region 202, at least in a meanwhile from the completion of the focusing at the approach run start position within the non-pattern region 202 to the passage of the execution position through a light shielding zone 203, and, when the execution position enters the inspection region at which detects are inspected in the pattern region 201, it is switched to the focusing in auto-focusing.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明は、マスク検査方法およびマスク検査装置に関する。 The present invention relates to a mask inspection method and a mask inspection apparatus.

ＥＵＶ(Extreme Ultraviolet)マスクは、パターンを有するパターン領域と、パターン領域の外周に配置されたパターンを有しない非パターン領域との間に、遮光帯（すなわち、ブラックボーダ領域）を有することが主流となっている。遮光帯は、ＥＵＶ光が遮られるシャドウイング現象を防止する目的で設けられる。遮光帯は、パターン領域および非パターン領域より高さが低い。 An EUV (Extreme Ultraviolet) mask mainly has a light shielding band (that is, a black border region) between a pattern region having a pattern and a non-pattern region having no pattern arranged on the outer periphery of the pattern region. It has become. The light shielding band is provided for the purpose of preventing a shadowing phenomenon in which EUV light is blocked. The shading band is lower than the pattern area and the non-pattern area.

ＥＵＶマスクのパターンの欠陥を検査する際には、ステージ上にＥＵＶマスクを載置し、ＥＵＶマスクのパターン領域のうちユーザが設定した検査領域に検査光を照射する。そして、ＤＢ(Die to Database)検査の場合には、検査領域からの反射光に基づいて得られたパターンの光学画像と、パターンの参照画像との差分を欠陥として検出する。検査位置すなわち検査光の照射位置を変更するため、欠陥検査の際には、検査領域を構成するストライプに沿ってステージを移動させる。検査領域内において所望の検査速度で欠陥を検査するため、ステージの移動にあたっては、検査領域に検査光が照射される前に、予めステージを所定の速度まで加速すなわち助走させておく。 When inspecting a defect in the EUV mask pattern, the EUV mask is placed on the stage, and the inspection light set in the EUV mask pattern area is irradiated with inspection light. In the case of DB (Die to Database) inspection, a difference between the optical image of the pattern obtained based on the reflected light from the inspection region and the reference image of the pattern is detected as a defect. In order to change the inspection position, that is, the irradiation position of the inspection light, the stage is moved along the stripe constituting the inspection area in the defect inspection. In order to inspect the defect at a desired inspection speed in the inspection area, when moving the stage, the stage is accelerated or run up to a predetermined speed before the inspection area is irradiated with the inspection light.

欠陥を適切に検査するため、検査領域に検査光を照射する際には、パターン側のマスクの表面（以下、マスク面ともいう）に対する検査光のフォーカス合わせを行う。従来は、ステージの助走の開始から検査領域への検査光の照射開始に至るまで、オートフォーカスによるフォーカス合わせを継続していた。 In order to appropriately inspect the defect, when the inspection area is irradiated with the inspection light, the inspection light is focused on the surface of the mask on the pattern side (hereinafter also referred to as a mask surface). Conventionally, focusing by autofocus has been continued from the start of the stage approach to the start of irradiation of the inspection light to the inspection area.

検査領域が遮光帯より十分内側にある場合、ステージが助走を開始するときのフォーカス合わせの実行位置（以下、フォーカス位置ともいう）である助走開始位置は、パターン領域内に存在し得る。助走開始位置がパターン領域内にある場合、助走開始位置とパターン領域内の検査領域との高さはほぼ同じである。この場合、フォーカス位置が助走開始位置から検査領域に変位しても、オートフォーカスが十分に追従できるため、デフォーカスすなわちフォーカスボケは殆ど生じない。 When the inspection area is sufficiently inside the shading zone, the approach start position, which is a focus alignment execution position (hereinafter also referred to as a focus position) when the stage starts approach, may exist in the pattern area. When the approach start position is within the pattern area, the height of the approach start position and the inspection area within the pattern area are substantially the same. In this case, even if the focus position is displaced from the approach start position to the inspection area, the autofocus can sufficiently follow, and therefore defocus, that is, focus blur hardly occurs.

特開２０１２−７８１６４号公報JP 2012-78164 A

しかしながら、検査領域が遮光帯付近まで至る場合、助走開始位置は、遮光帯内に存在し得る。助走開始位置が遮光帯内にある場合、助走開始位置と検査領域との高さの差は大きい。この場合、フォーカス位置が助走開始位置から検査領域に変位すると、オートフォーカスが追従し切れず、デフォーカスが大きくなってしまう。デフォーカスが大きくなることで、実際は欠陥が生じていないのに疑似的な欠陥が検出されてしまう。 However, when the inspection area reaches the vicinity of the shading zone, the approach start position may exist within the shading zone. When the approach start position is within the shading zone, the difference in height between the approach start position and the inspection area is large. In this case, when the focus position is displaced from the approach start position to the inspection area, autofocus cannot follow and defocus becomes large. By increasing the defocus, a pseudo defect is detected even though no defect has actually occurred.

したがって、従来は、マスクのパターンの欠陥を適切に検査することが困難であるといった問題があった。 Therefore, conventionally, there has been a problem that it is difficult to properly inspect the mask pattern for defects.

本発明の目的は、マスクのパターンの欠陥を適切に検査できるマスク検査方法およびマスク検査装置を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a mask inspection method and a mask inspection apparatus that can appropriately inspect defects in a mask pattern.

本発明の一態様であるマスク検査方法は、パターンを有するパターン領域と、パターン領域の周囲に設けられ、パターンを有しない非パターン領域と、パターン領域と非パターン領域との間においてパターン領域を囲み、パターン領域および非パターン領域より高さが低い遮光帯とを有するマスクのパターンの欠陥を検査するマスク検査方法であって、マスクが載置されたステージが助走を開始するときのフォーカス合わせの実行位置である助走開始位置が遮光帯内にある場合に、助走開始位置を非パターン領域内に変更し、非パターン領域内の助走開始位置でフォーカス合わせを実行し、非パターン領域内の助走開始位置からステージの助走を開始させ、少なくとも非パターン領域内の助走開始位置でのフォーカス合わせの完了から実行位置が遮光帯を通過するまでの間、フォーカス合わせの完了時のフォーカスを維持し、実行位置がパターン領域のうち欠陥を検査すべき検査領域に入ったときに、オートフォーカスでのフォーカス合わせに切換えるものである。 A mask inspection method according to one embodiment of the present invention encloses a pattern region having a pattern, a non-pattern region provided around the pattern region, and between the pattern region and the non-pattern region. A mask inspection method for inspecting a defect in a pattern of a mask having a shading band having a height lower than that of a pattern region and a non-pattern region, and performing focusing when a stage on which the mask is placed starts a run If the approach start position that is the position is within the shading zone, the approach start position is changed to the non-pattern area, focus adjustment is performed at the approach start position in the non-pattern area, and the approach start position in the non-pattern area The stage starts running from the start, and at least from the completion of focusing at the starting position in the non-pattern area, the execution position Focus is maintained at the time of completion of focusing until it passes the shading band, and when the execution position enters the inspection area to be inspected for defects in the pattern area, the focus is switched to auto focusing. It is.

上述のマスク検査方法において、検査領域を設定し、設定された検査領域に応じた助走開始位置を取得してもよい。 In the mask inspection method described above, an inspection region may be set, and a start start position corresponding to the set inspection region may be acquired.

上述のマスク検査方法において、マスクの傾きを測定し、助走開始位置でのフォーカス合わせの際に、マスクの傾きと、助走開始位置から検査領域の開始位置までの距離とに基づいて、助走開始位置と検査領域の開始位置との高さの差分を算出し、高さの差分に応じて、検査領域でのオートフォーカスにおけるフォーカスの初期値を補正してもよい。 In the mask inspection method described above, the mask inclination is measured, and when focusing is performed at the approach start position, the approach start position is based on the mask inclination and the distance from the approach start position to the start position of the inspection area. And the initial position of the focus in autofocus in the inspection area may be corrected according to the difference in height.

上述のマスク検査方法において、マスクの傾きの測定は、欠陥の検査の開始前に検査領域を所定ストライプ分スキャンした結果に基づいて行ってもよい。 In the mask inspection method described above, the measurement of the mask inclination may be performed based on the result of scanning the inspection region for a predetermined stripe before the start of the defect inspection.

上述のマスク検査方法において、マスクの傾きの測定は、欠陥を検査する位置にマスクを搬入するときに行ってもよい。 In the mask inspection method described above, the measurement of the mask inclination may be performed when the mask is carried into a position for inspecting a defect.

上述のマスク検査方法において、実行位置が検査領域のストライプの終端近傍に到達したときにフォーカスを固定してもよい。 In the mask inspection method described above, the focus may be fixed when the execution position reaches the vicinity of the end of the stripe of the inspection region.

本発明の一態様であるマスク検査装置は、パターンを有するパターン領域と、パターン領域の周囲に設けられ、パターンを有しない非パターン領域と、パターン領域と非パターン領域との間においてパターン領域を囲み、パターン領域および非パターン領域より高さが低い遮光帯とを有するマスクを載置可能なステージと、ステージを移動する移動機構と、マスクに対するフォーカス合わせを実行するフォーカス機構と、ステージが助走を開始するときのフォーカス合わせの実行位置である助走開始位置が遮光帯内にある場合に、助走開始位置を非パターン領域内に変更し、非パターン領域内の助走開始位置からステージの助走を開始させる制御を行うステージ制御部と、非パターン領域内の助走開始位置でフォーカス合わせを実行し、少なくとも非パターン領域内の助走開始位置でのフォーカス合わせの完了から実行位置が遮光帯を通過するまでの間、フォーカス合わせの完了時のフォーカスを維持し、実行位置がパターン領域のうち欠陥を検査すべき検査領域に入ったときに、オートフォーカスでのフォーカス合わせに切換える制御を行うフォーカス制御部と、を備えるものである。 A mask inspection apparatus according to one embodiment of the present invention surrounds a pattern region having a pattern, a non-pattern region provided around the pattern region, and having no pattern, and between the pattern region and the non-pattern region. A stage on which a mask having a shading band lower than the pattern area and the non-pattern area can be placed, a moving mechanism for moving the stage, a focus mechanism for performing focusing on the mask, and the stage start running Control to change the start start position to a non-pattern area and start the stage start from the start start position in the non-pattern area when the start start position that is the focus adjustment execution position is within the shading zone. Focus control is performed at the stage control unit that performs and the approach start position in the non-pattern area. In both cases, the focus at the time of completion of focusing is maintained from the completion of focusing at the approach start position in the non-pattern area until the execution position passes the shading zone, and the execution position is inspected for defects in the pattern area. And a focus control unit that performs control to switch to autofocusing when entering the inspection area.

本発明によれば、マスクのパターンの欠陥を適切に検査できる。 According to the present invention, it is possible to appropriately inspect a defect of a mask pattern.

第１の実施形態のマスク検査装置を示す図である。It is a figure which shows the mask inspection apparatus of 1st Embodiment. 図２Ａは、第１の実施形態のマスク検査装置を適用可能なマスクの一例を示す平面図であり、図２Ｂは、図２ＡのＩＩＢ−ＩＩＢ断面図である。2A is a plan view showing an example of a mask to which the mask inspection apparatus of the first embodiment can be applied, and FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the line IIB-IIB in FIG. 2A. 第１の実施形態のマスク検査方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the mask inspection method of 1st Embodiment. 第１の実施形態のマスク検査方法を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the mask inspection method of 1st Embodiment. 図５Ａは、第１の実施形態のマスク検査方法において、フォーカス位置およびその移動方向とフォーカス信号との関係を示す模式図であり、図５Ｂは、比較例のマスク検査方法において、フォーカス位置およびその移動方向とフォーカス信号との関係を示す模式図である。FIG. 5A is a schematic diagram illustrating a relationship between a focus position and a moving direction thereof and a focus signal in the mask inspection method according to the first embodiment. FIG. 5B is a schematic view illustrating the focus position and the focus position in the mask inspection method according to the comparative example. It is a schematic diagram which shows the relationship between a moving direction and a focus signal. 第２の実施形態のマスク検査装置を示す図である。It is a figure which shows the mask inspection apparatus of 2nd Embodiment. 第２の実施形態のマスク検査方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the mask inspection method of 2nd Embodiment. 第２の実施形態のマスク検査方法を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the mask inspection method of 2nd Embodiment. 第３の実施形態のマスク検査方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the mask inspection method of 3rd Embodiment.

以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。実施形態は、本発明を限定するものではない。 Embodiments according to the present invention will be described below with reference to the drawings. The embodiments do not limit the present invention.

（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態のマスク検査装置１を示す図である。図２Ａは、第１の実施形態のマスク検査装置１を適用可能なマスク２の一例を示す平面図である。図２Ｂは、図２ＡのＩＩＢ−ＩＩＢ断面図である。図１のマスク検査装置１は、例えば、図２Ａおよび図２Ｂに示されるＥＵＶマスク（以下、単にマスクともいう）２のパターンの欠陥を検査するために用いることができる。 (First embodiment)
FIG. 1 is a diagram illustrating a mask inspection apparatus 1 according to the first embodiment. FIG. 2A is a plan view showing an example of a mask 2 to which the mask inspection apparatus 1 of the first embodiment can be applied. 2B is a cross-sectional view taken along the line IIB-IIB in FIG. 2A. The mask inspection apparatus 1 of FIG. 1 can be used, for example, to inspect defects in the pattern of the EUV mask (hereinafter also simply referred to as a mask) 2 shown in FIGS. 2A and 2B.

ここで、マスク２の構成について先に説明する。マスク２は、半導体製造プロセスにおけるフォトリソグラフィに用いられる。図２Ａおよび図２Ｂに示すように、マスク２は、パターン領域２０１と、非パターン領域２０２と、遮光帯２０３とを有する。パターン領域２０１は、平面視において矩形状を呈する。パターン領域２０１には、表面の凹凸によって吸収体のパターン２０４が形成されている。パターン２０４は、半導体パターンに対応する形状を有する。隣り合うパターン２０４同士の間には、多層膜ミラー２０７の最上層が露出している。多層膜ミラー２０７は、隣り合うパターン２０４同士の間から入射したＥＵＶ光を反射することで、ウェハ上のレジストを露光できる。非パターン領域２０２は、パターン領域２０１の周囲に設けられている。非パターン領域２０２は、平面視においてパターン領域２０１を囲む矩形の枠状を呈する。非パターン領域２０２には、パターンが形成されていない。遮光帯２０３は、パターン領域２０１と非パターン領域２０２との間においてパターン領域２０１を囲む。遮光帯２０３は、平面視においてパターン領域２０１を囲む矩形の枠状を呈する。遮光帯２０３の高さは、パターン領域２０１および非パターン領域２０２の高さより低い。パターン領域２０１と非パターン領域２０２とは、同じ高さであってもよい。 Here, the configuration of the mask 2 will be described first. The mask 2 is used for photolithography in a semiconductor manufacturing process. As shown in FIGS. 2A and 2B, the mask 2 has a pattern region 201, a non-pattern region 202, and a light shielding band 203. The pattern area 201 has a rectangular shape in plan view. In the pattern region 201, an absorber pattern 204 is formed by surface irregularities. The pattern 204 has a shape corresponding to the semiconductor pattern. The uppermost layer of the multilayer mirror 207 is exposed between the adjacent patterns 204. The multilayer mirror 207 can expose the resist on the wafer by reflecting the EUV light incident between the adjacent patterns 204. The non-pattern area 202 is provided around the pattern area 201. The non-pattern region 202 has a rectangular frame shape surrounding the pattern region 201 in plan view. No pattern is formed in the non-pattern region 202. The light shielding band 203 surrounds the pattern area 201 between the pattern area 201 and the non-pattern area 202. The light shielding band 203 has a rectangular frame shape surrounding the pattern region 201 in plan view. The height of the light shielding band 203 is lower than the heights of the pattern area 201 and the non-pattern area 202. The pattern area 201 and the non-pattern area 202 may have the same height.

このようなマスク２のパターン２０４の欠陥を検査するため、図１に示すように、マスク検査装置１は、光の進行方向順に、光源３と、偏光ビームスプリッタ４と、照明光学系５と、ステージの一例であるＸＹθテーブル６と、拡大光学系７と、フォトダイオードアレイ８とを備える。なお、偏光ビームスプリッタ４とＸＹθテーブル６との間に、光の偏光方向を変化させる波長板を設けてもよい。 In order to inspect such a defect in the pattern 204 of the mask 2, as shown in FIG. 1, the mask inspection apparatus 1 includes a light source 3, a polarization beam splitter 4, an illumination optical system 5, An XYθ table 6, which is an example of a stage, an enlargement optical system 7, and a photodiode array 8 are provided. A wavelength plate that changes the polarization direction of light may be provided between the polarizing beam splitter 4 and the XYθ table 6.

光源３は、偏光ビームスプリッタ４に向けてレーザ光を出射する。なお、フォトリソグラフィに使用する光はＥＵＶ光であるが、パターン２０４の欠陥検査に使用する光はレーザ光でよい。偏光ビームスプリッタ４は、光源３からの光を照明光学系５に向けて反射する。照明光学系５は、偏光ビームスプリッタ４で反射された光をＸＹθテーブル６に向けて照射する。ＸＹθテーブル６に載置されたマスク２は、照明光学系５から照射された光を反射する。このマスク２の反射光によって、マスク２が照明される。マスク２の反射光は、照明光学系５および偏向ビームスプリッタ４を透過した後、拡大光学系７に入射する。拡大光学系７は、入射したマスク２の反射光を、マスク２の像（以下、光学画像ともいう）としてフォトダイオードアレイ８に結像させる。フォトダイオードアレイ８は、マスク２の光学画像を光電変換する。光電変換されたマスク２の光学画像に基づいて、パターン２０４の欠陥が検査される。 The light source 3 emits laser light toward the polarization beam splitter 4. Note that the light used for photolithography is EUV light, but the light used for defect inspection of the pattern 204 may be laser light. The polarization beam splitter 4 reflects light from the light source 3 toward the illumination optical system 5. The illumination optical system 5 irradiates the light reflected by the polarization beam splitter 4 toward the XYθ table 6. The mask 2 placed on the XYθ table 6 reflects the light emitted from the illumination optical system 5. The mask 2 is illuminated by the reflected light of the mask 2. The reflected light of the mask 2 passes through the illumination optical system 5 and the deflecting beam splitter 4 and then enters the expansion optical system 7. The magnifying optical system 7 forms the incident reflected light of the mask 2 on the photodiode array 8 as an image of the mask 2 (hereinafter also referred to as an optical image). The photodiode array 8 photoelectrically converts the optical image of the mask 2. Based on the optical image of the mask 2 subjected to photoelectric conversion, the defect of the pattern 204 is inspected.

また、図１に示すように、マスク検査装置１は、オートローダ９と、移動機構の一例であるＸ軸モータ１０Ａ、Ｙ軸モータ１０Ｂおよびθ軸モータ１０Ｃと、フォーカス機構１１と、レーザ測長システム１２とを備える。 As shown in FIG. 1, the mask inspection apparatus 1 includes an autoloader 9, an X-axis motor 10A, a Y-axis motor 10B and a θ-axis motor 10C, which are examples of a moving mechanism, a focus mechanism 11, and a laser length measurement system. 12.

オートローダ１０は、ＸＹθテーブル６上にマスク２を自動搬送する。Ｘ軸モータ１０Ａ、Ｙ軸モータ１０Ｂおよびθ軸モータ１０Ｃは、それぞれ、ＸＹθテーブル６をＸ方向、Ｙ方向およびθ方向に移動させる。これにより、ＸＹθテーブル６上のマスク２に対して光源３の光がスキャンされる。レーザ測長システム１２は、ＸＹθテーブル６のＸ方向およびＹ方向の位置を検出する。 The autoloader 10 automatically conveys the mask 2 on the XYθ table 6. The X-axis motor 10A, the Y-axis motor 10B, and the θ-axis motor 10C move the XYθ table 6 in the X direction, the Y direction, and the θ direction, respectively. Thereby, the light of the light source 3 is scanned with respect to the mask 2 on the XYθ table 6. The laser length measurement system 12 detects the positions of the XYθ table 6 in the X direction and the Y direction.

光学画像のデフォーカスを抑制するため、フォーカス機構１１は、マスク面からの反射光の検出結果に基づいて照明光学系５の焦点をマスク面に合わせるフォーカス合わせを行う。フォーカス合わせは、ＸＹθテーブル６をＺ方向に移動させることで行う。なお、フォーカス合わせは、必ずしもＸＹθテーブル６をＺ方向に移動させることに限定されず、例えば、照明光学系５をＺ方向に移動させることで行ってもよい。その他、フォーカス合わせの具体的な態様は特に限定されず、例えば、フォトダイオードアレイ８と別体の光検出器で検出したマスク面からの反射光に基づいてマスク面の高さを求め、マスク面の高さに応じた移動量でＸＹθテーブル６をＺ方向に移動させてもよい。マスク面の高さは、後述する第２の実施形態のＺセンサ４１で測定してもよい。 In order to suppress the defocusing of the optical image, the focus mechanism 11 performs focus adjustment for focusing the illumination optical system 5 on the mask surface based on the detection result of the reflected light from the mask surface. Focusing is performed by moving the XYθ table 6 in the Z direction. The focusing is not necessarily limited to moving the XYθ table 6 in the Z direction, and may be performed by moving the illumination optical system 5 in the Z direction, for example. In addition, the specific mode of focusing is not particularly limited. For example, the height of the mask surface is obtained based on the reflected light from the mask surface detected by a photodetector separate from the photodiode array 8, and the mask surface. The XYθ table 6 may be moved in the Z direction by a moving amount corresponding to the height of the. You may measure the height of a mask surface with the Z sensor 41 of 2nd Embodiment mentioned later.

また、図１に示すように、マスク検査装置１は、バス１４に接続された各種の回路を備える。具体的には、マスク検査装置１は、オートローダ制御回路１５と、ステージ制御部の一例であるテーブル制御回路１７と、フォーカス制御部の一例であるオートフォーカス制御回路１８とを備える。また、マスク検査装置１は、位置回路２２と、展開回路２３と、参照回路２４と、比較回路２５とを備える。また、マスク検査装置１は、センサ回路１９を備えており、このセンサ回路１９は、フォトダイオードアレイ８と比較回路２５との間に接続されている。 As shown in FIG. 1, the mask inspection apparatus 1 includes various circuits connected to a bus 14. Specifically, the mask inspection apparatus 1 includes an autoloader control circuit 15, a table control circuit 17 that is an example of a stage control unit, and an autofocus control circuit 18 that is an example of a focus control unit. In addition, the mask inspection apparatus 1 includes a position circuit 22, a development circuit 23, a reference circuit 24, and a comparison circuit 25. The mask inspection apparatus 1 includes a sensor circuit 19, and the sensor circuit 19 is connected between the photodiode array 8 and the comparison circuit 25.

オートローダ制御回路１５は、オートローダ９を制御する。 The autoloader control circuit 15 controls the autoloader 9.

テーブル制御回路１７は、モータ１０Ａ〜Ｃを駆動制御する。テーブル制御回路１７は、予め設定された検査領域２０５（図４参照）に応じた助走開始位置ｐ（図４参照）を取得する。 The table control circuit 17 controls driving of the motors 10A to 10C. The table control circuit 17 acquires the approach start position p (see FIG. 4) corresponding to the inspection area 205 (see FIG. 4) set in advance.

ここで、検査領域２０５は、パターン領域２０１のうちパターン２０４の欠陥を検査する領域である。検査領域２０５は、マスク検査装置１への入力操作によってユーザが設定できる。検査領域２０５は、短冊状の複数のストライプ２０６（図４参照）によって仮想的に分割されている。ＸＹθテーブル６の移動にともなってストライプ２０６に沿って光をスキャンすることで、検査が進行する。助走開始位置ｐは、ＸＹθテーブル６が所定の検査速度までの助走（加速）を開始するときのフォーカス合わせの実行位置である。フォーカス合わせの実行位置（以下、フォーカス合わせ位置ともいう）は、マスク面に照射される光のストライプ２０６方向における位置ということもできる。 Here, the inspection area 205 is an area for inspecting the pattern 204 for defects in the pattern 204. The inspection area 205 can be set by the user by an input operation to the mask inspection apparatus 1. The inspection area 205 is virtually divided by a plurality of strip-shaped stripes 206 (see FIG. 4). As the XYθ table 6 moves, the inspection proceeds by scanning light along the stripe 206. The approach start position p is a focus adjustment execution position when the XYθ table 6 starts approach (acceleration) up to a predetermined inspection speed. The focus adjustment execution position (hereinafter also referred to as the focus adjustment position) can be said to be a position in the direction of the stripe 206 of the light applied to the mask surface.

テーブル制御回路１７は、検査領域２０５の端部からストライプ２０６に沿って検査領域２０５の外方に所定距離だけ離れた位置を助走開始位置ｐとして算出してもよい。 The table control circuit 17 may calculate a position that is a predetermined distance away from the end of the inspection area 205 along the stripe 206 to the outside of the inspection area 205 as the running start position p.

テーブル制御回路１７は、助走開始位置ｐがパターン領域２０１内にある場合には、助走開始位置ｐを変更しない。一方、テーブル制御回路１７は、助走開始位置ｐが遮光帯２０３内にある場合には、助走開始位置ｐを非パターン領域２０２内に変更する。具体的には、テーブル制御回路１７は、ＸＹθテーブル６をストライプ２０６方向に移動調整することで助走開始位置ｐを非パターン領域２０２内に変更する。助走開始位置ｐは、遮光帯２０３におけるストライプ２０６の長手方向の外端からストライプ２０６に沿って外方に所定距離だけ離れた位置に変更されてもよい。 The table control circuit 17 does not change the approach start position p when the approach start position p is in the pattern area 201. On the other hand, the table control circuit 17 changes the approach start position p into the non-pattern area 202 when the approach start position p is in the light shielding zone 203. Specifically, the table control circuit 17 changes the approach start position p into the non-pattern area 202 by adjusting the movement of the XYθ table 6 in the stripe 206 direction. The approach start position p may be changed to a position away from the outer end in the longitudinal direction of the stripe 206 in the light shielding band 203 by a predetermined distance outward along the stripe 206.

助走開始位置ｐが非パターン領域２０２内に変更された場合、テーブル制御回路１７は、モータ１０Ａを駆動制御することで、非パターン領域２０２内の助走開始位置ｐからＸＹθテーブル６の助走を開始させる。 When the approach start position p is changed in the non-pattern area 202, the table control circuit 17 controls the motor 10A to start the approach of the XYθ table 6 from the approach start position p in the non-pattern area 202. .

また、助走開始位置ｐが非パターン領域２０２内に変更された場合、オートフォーカス制御回路１８は、非パターン領域２０２内の助走開始位置ｐでフォーカス合わせを実行するようにフォーカス機構１１を制御する。また、オートフォーカス制御回路１８は、少なくとも非パターン領域２０２内の助走開始位置ｐでのフォーカス合わせの完了からフォーカス位置が遮光帯２０３を通過するまでの間、当該フォーカス合わせの完了時のフォーカスを維持（すなわち、固定）するようにフォーカス機構１１を制御する。非パターン領域２０２内の助走開始位置ｐでのフォーカス合わせの完了時のフォーカスすなわち当該フォーカス合わせで合わされたフォーカスは、当該フォーカス合わせの完了からフォーカス位置が検査領域２０５に到達するまで維持されてもよい。 When the approach start position p is changed into the non-pattern area 202, the autofocus control circuit 18 controls the focus mechanism 11 so as to execute focusing at the approach start position p in the non-pattern area 202. Further, the autofocus control circuit 18 maintains the focus at the completion of the focus adjustment from the completion of the focus adjustment at the approach start position p in the non-pattern area 202 until the focus position passes the light shielding band 203. The focus mechanism 11 is controlled to be fixed (that is, fixed). The focus at the time of completion of focus adjustment at the approach start position p in the non-pattern area 202, that is, the focus adjusted by the focus adjustment may be maintained from the completion of the focus adjustment until the focus position reaches the inspection area 205. .

なお、非パターン領域２０２内の助走開始位置ｐでのフォーカス合わせは、当該助走開始位置ｐにおいて完了してもよいが、この場合、フォーカス合わせの所要時間だけＸＹθテーブル６の助走を待機することが求められる場合がある。したがって、検査を迅速に開始するには、非パターン領域２０２内の助走開始位置ｐでのフォーカス合わせを開始するときに、当該フォーカス合わせの完了を待たずにＸＹθテーブル６の助走を開始することが望ましい。この場合、非パターン領域２０２内の助走開始位置ｐでのフォーカス合わせは、助走開始位置ｐからフォーカス合わせの所要時間だけＸＹθテーブル６が助走（すなわち、フォーカス位置が移動）した時点で完了してよい。 The focusing at the approach start position p in the non-pattern area 202 may be completed at the approach start position p. In this case, the approach of the XYθ table 6 may be waited for the time required for the focus adjustment. May be required. Therefore, in order to start the inspection quickly, when starting the focusing at the approaching start position p in the non-pattern area 202, the approaching of the XYθ table 6 can be started without waiting for the completion of the focusing. desirable. In this case, focusing at the approach start position p in the non-pattern area 202 may be completed when the XYθ table 6 is approached (that is, the focus position is moved) from the approach start position p for the time required for focus adjustment. .

オートフォーカス制御回路１８は、ＸＹθテーブル６の助走にともなってフォーカス位置が検査領域２０５に入ったときに、オートフォーカスでのフォーカス合わせに切換えるようにフォーカス機構１１を制御する。 The autofocus control circuit 18 controls the focus mechanism 11 to switch to autofocusing when the focus position enters the inspection area 205 as the XYθ table 6 runs.

ここで、検査領域２０５はパターン領域２０１内にあるため、検査領域２０５は遮光帯２０３より高さが高い。このため、もし、高さが低い遮光帯２０３を助走開始位置としてオートフォーカスでフォーカス合わせを行った後、高さが高い検査領域２０５でフォーカス合わせを行う場合、遮光帯２０３と検査領域２０５との間でフォーカスの変動量が大きくなる。フォーカスの変動量が大きいことで、検査領域２０５内において迅速にオートフォーカスを追従させることができず、デフォーカスが生じてしまう。 Here, since the inspection area 205 is in the pattern area 201, the inspection area 205 is higher than the light shielding band 203. For this reason, if focusing is performed in the inspection area 205 having a high height after focusing is performed by autofocusing with the light shielding band 203 having a low height as a starting start position, the light shielding band 203 and the inspection area 205 are The amount of fluctuation in focus increases between the two. Due to the large amount of variation in focus, autofocus cannot be quickly followed in the inspection area 205, and defocus occurs.

これに対して、第１の実施形態では、助走開始位置ｐを非パターン領域２０２内に変更することで、高さが低い遮光帯２０３におけるオートフォーカスでのフォーカス合わせを回避できる。また、非パターン領域２０２で合わせたフォーカスを固定したままフォーカス位置が遮光帯２０３を通過し、検査領域２０５においてオートフォーカスに切換えることができる。この場合、非パターン領域２０２で固定したフォーカスに対して、検査領域２０５でのフォーカスの変動量は殆ど無い。なぜならば、非パターン領域２０２の高さは、検査領域２０５の高さと殆ど同じだからである。そして、フォーカスの変動量が殆ど無いことで、検査領域２０５内においオートフォーカスを迅速に追従させることができる。これにより、デフォーカスを抑制できる。 On the other hand, in the first embodiment, by changing the approach start position p into the non-pattern area 202, it is possible to avoid focusing by autofocus in the light shielding band 203 having a low height. In addition, the focus position can pass through the light shielding band 203 while the focus adjusted in the non-pattern area 202 is fixed, and the auto focus can be switched in the inspection area 205. In this case, with respect to the focus fixed in the non-pattern area 202, there is almost no amount of focus variation in the inspection area 205. This is because the height of the non-pattern area 202 is almost the same as the height of the inspection area 205. And since there is almost no amount of fluctuation of focus, it is possible to quickly follow autofocus within the inspection area 205. Thereby, defocus can be suppressed.

オートフォーカス制御回路１８の更なる詳細については、後述のマスク検査方法において説明する。 Further details of the autofocus control circuit 18 will be described later in the mask inspection method.

センサ回路１９は、フォトダイオードアレイ８で光電変換された光学画像を取り込み、取り込まれた光学画像をＡ／Ｄ変換する。そして、センサ回路１９は、Ａ／Ｄ変換した光学画像を比較回路２５に出力する。センサ回路１９は、例えば、ＴＤＩ(Time Delay Integration)センサの回路であってもよい。ＴＤＩセンサを用いることで、パターン２０４を高精度に撮像できる。 The sensor circuit 19 captures the optical image photoelectrically converted by the photodiode array 8 and A / D converts the captured optical image. Then, the sensor circuit 19 outputs the A / D converted optical image to the comparison circuit 25. The sensor circuit 19 may be, for example, a TDI (Time Delay Integration) sensor circuit. By using the TDI sensor, the pattern 204 can be imaged with high accuracy.

レーザ測長システム１２は、ＸＹθテーブル６の移動位置を検出し、検出された移動位置を位置回路２２に出力する。位置回路２２は、レーザ測長システム１２から入力された移動位置に基づいて、ＸＹθテーブル６上でのマスク２の位置を検出する。そして、位置回路２２は、検出されたマスク２の位置を比較回路２５に出力する。 The laser length measurement system 12 detects the movement position of the XYθ table 6 and outputs the detected movement position to the position circuit 22. The position circuit 22 detects the position of the mask 2 on the XYθ table 6 based on the movement position input from the laser length measurement system 12. Then, the position circuit 22 outputs the detected position of the mask 2 to the comparison circuit 25.

展開回路２３は、マスク２の設計データを読み出す。設計データは、後述する磁気ディスク装置３１から読み出してもよい。設計データは、マスクを表す図形の座標、辺の長さ、種類などの情報であってもよい。展開回路２３は、読み出された設計データを２値または多値の画像データに変換する。そして、展開回路２３は、画像データに変換された設計データを参照回路２４に出力する。 The development circuit 23 reads the design data of the mask 2. The design data may be read from a magnetic disk device 31 described later. The design data may be information such as the coordinates of the graphic representing the mask, the length of the side, and the type. The development circuit 23 converts the read design data into binary or multivalued image data. Then, the expansion circuit 23 outputs the design data converted into image data to the reference circuit 24.

参照回路２４は、展開回路２３から入力された設計データに対して適切なフィルタ処理を施すことで、パターン２０４の欠陥検査に用いる参照画像を生成する。参照回路２４は、生成された参照画像を比較回路２５に出力する。 The reference circuit 24 generates a reference image used for defect inspection of the pattern 204 by performing appropriate filter processing on the design data input from the development circuit 23. The reference circuit 24 outputs the generated reference image to the comparison circuit 25.

比較回路２５は、位置回路２２から入力された位置情報を用いながら、光学画像のパターンの各位置の線幅を測定する。比較回路２５は、測定された光学画像のパターンと、参照回路２４から入力された参照画像のパターンについて、両パターンの線幅や階調値（明るさ）を比較する。そして、比較回路２５は、例えば、光学画像のパターンの線幅と、参照画像のパターンの線幅との誤差をパターン２０４の欠陥として検出する。 The comparison circuit 25 measures the line width at each position of the pattern of the optical image while using the position information input from the position circuit 22. The comparison circuit 25 compares the line width and the gradation value (brightness) of both patterns of the measured optical image pattern and the reference image pattern input from the reference circuit 24. Then, the comparison circuit 25 detects, for example, an error between the line width of the pattern of the optical image and the line width of the pattern of the reference image as a defect of the pattern 204.

また、図１に示すように、マスク検査装置１は、制御計算機３０と、磁気ディスク装置３１と、磁気テープ装置３２と、フロッピー（登録商標）ディスク３３と、ＣＲＴ３４と、パターンモニタ３５と、プリンタ３６とを備える。これらの構成部３０〜３６は、いずれもバス１４に接続されている。制御計算機３０は、バス１４に接続された各構成部に対して、パターン２０４の欠陥検査に関連する各種の制御や処理を実行する。磁気ディスク装置３１、磁気テープ装置３２およびフロッピーディスク３３は、欠陥検査に関連する各種の情報を記憶する。ＣＲＴ３４およびパターンモニタ３５は、欠陥検査に関連する各種の画像を表示する。プリンタ３６は、欠陥検査に関連する各種の情報を印刷する。 As shown in FIG. 1, the mask inspection apparatus 1 includes a control computer 30, a magnetic disk device 31, a magnetic tape device 32, a floppy (registered trademark) disk 33, a CRT 34, a pattern monitor 35, and a printer. 36. These components 30 to 36 are all connected to the bus 14. The control computer 30 executes various types of control and processing related to the defect inspection of the pattern 204 for each component connected to the bus 14. The magnetic disk device 31, the magnetic tape device 32, and the floppy disk 33 store various types of information related to defect inspection. The CRT 34 and the pattern monitor 35 display various images related to defect inspection. The printer 36 prints various information related to defect inspection.

（マスク検査方法）
次に、マスク検査装置１を適用したマスク検査方法について説明する。図３は、第１の実施形態のマスク検査方法を示すフローチャートである。図４は、第１の実施形態のマスク検査方法を示す斜視図である。第１の実施形態のマスク検査方法では、図４の破線矢印に示す方向に検査領域２０５のストライプ２０６が連続的にスキャンされるように、ＸＹθテーブル６を移動させる。ＸＹθテーブル６を移動させながら、フォトダイオードアレイ８で撮像された光学画像に基づいてストライプ２０６上のパターン２０４（図１参照）の欠陥を検査する。以下、パターン２０４の欠陥検査の過程でのフォーカス合わせを中心に説明する。 (Mask inspection method)
Next, a mask inspection method to which the mask inspection apparatus 1 is applied will be described. FIG. 3 is a flowchart illustrating the mask inspection method according to the first embodiment. FIG. 4 is a perspective view showing the mask inspection method of the first embodiment. In the mask inspection method according to the first embodiment, the XYθ table 6 is moved so that the stripe 206 in the inspection region 205 is continuously scanned in the direction indicated by the dashed arrow in FIG. While moving the XYθ table 6, the defect of the pattern 204 (see FIG. 1) on the stripe 206 is inspected based on the optical image captured by the photodiode array 8. The following description focuses on focusing in the process of defect inspection of the pattern 204.

先ず、図３に示すように、入力操作に応じた検査領域２０５を設定する（ステップＳ１）。検査領域２０５の設定方法は特に限定されず、例えば、制御計算機３０が入力操作に応じた検査領域２０５を磁気ディスク装置３１に記録することで行ってもよい。なお、図４では、パターン領域２０１全体を検査領域２０５に設定しているが、パターン領域２０１の一部を検査領域２０５に設定してもよい。 First, as shown in FIG. 3, an inspection area 205 corresponding to the input operation is set (step S1). The method for setting the inspection area 205 is not particularly limited. For example, the control computer 30 may record the inspection area 205 corresponding to the input operation on the magnetic disk device 31. In FIG. 4, the entire pattern area 201 is set as the inspection area 205, but a part of the pattern area 201 may be set as the inspection area 205.

検査領域２０５の設定後、テーブル制御回路１７は、検査領域２０５に応じた助走開始位置ｐを算出する（ステップＳ２）。より具体的には、テーブル制御回路１７は、検査領域２０５に含まれる全てのストライプ２０６に対応する助走開始位置ｐを同時に算出する。このとき、テーブル制御回路１７は、ストライプ２０６の始端からストライプ２０６の長手方向外方に所定距離離れた位置を助走開始位置ｐとして算出してもよい。なお、ストライプ２０６の始端とは、ストライプ２０６の長手方向の両端のうち、助走開始位置ｐに近い方の端部である。ストライプ２０６の長手方向の両端のうち、助走開始位置ｐに遠い方の端部は、ストライプ２０６の終端と呼ぶ。 After setting the inspection area 205, the table control circuit 17 calculates the approach start position p corresponding to the inspection area 205 (step S2). More specifically, the table control circuit 17 calculates the approach start positions p corresponding to all the stripes 206 included in the inspection area 205 at the same time. At this time, the table control circuit 17 may calculate a position away from the starting end of the stripe 206 by a predetermined distance outward in the longitudinal direction of the stripe 206 as the running start position p. The start end of the stripe 206 is an end portion closer to the run-up start position p out of both ends in the longitudinal direction of the stripe 206. Of the two ends in the longitudinal direction of the stripe 206, the end portion farther from the approach start position p is called the end of the stripe 206.

例えば、ＸＹθテーブル６の助走における加速度をａ、検査領域２０５におけるＸＹθテーブル６の速度すなわち検査速度をｖとする。助走開始位置ｐは、ストライプ２０６の始端から外方に少なくともｖ^２／２ａ離れた位置であってもよい。ＸＹθテーブル６の加速度ａは、例えば、２〜５ｍｍ／ｓ^２であってよい。検査速度ｖは、例えば、１０ｍｍ／ｓであってもよい。 For example, the acceleration in the approach of the XYθ table 6 is a, and the speed of the XYθ table 6 in the inspection area 205, that is, the inspection speed is v. The approach start position p may be a position at least v ² / 2a away from the start end of the stripe 206. The acceleration a of the XYθ table 6 may be ² to 5 mm / s ² , for example. The inspection speed v may be 10 mm / s, for example.

なお、テーブル制御回路１７は、検査領域２０５に含まれるストライプ２０６に対応する助走開始位置ｐを別々に算出してもよい。 Note that the table control circuit 17 may separately calculate the approach start position p corresponding to the stripe 206 included in the inspection region 205.

助走開始位置ｐの算出後、テーブル制御回路１７は、予め取得されている遮光帯２０３の座標に基づいて、助走開始位置ｐが遮光帯２０３内にあるか否かを判定する（ステップＳ３）。より具体的には、テーブル制御回路１７は、検査領域２０５内の全てのストライプ２０６について、各ストライプ２０６に対応する助走開始位置ｐが遮光帯２０３内にあるか否かを判定する。 After calculating the approach start position p, the table control circuit 17 determines whether the approach start position p is within the light shielding band 203 based on the coordinates of the light shielding band 203 acquired in advance (step S3). More specifically, the table control circuit 17 determines whether or not the running start position p corresponding to each stripe 206 is within the light shielding band 203 for all the stripes 206 in the inspection region 205.

助走開始位置ｐが遮光帯２０３内にある場合（ステップＳ３：Ｙｅｓ）、テーブル制御回路１７は、助走開始位置ｐを非パターン領域２０２内に変更する（ステップＳ４）。より具体的には、テーブル制御回路１７は、検査領域２０５内の全てのストライプ２０６に対応する助走開始位置ｐのうち、遮光帯２０３内にあると判定された助走開始位置ｐを非パターン領域２０２内に変更する。変更された助走開始位置ｐは、遮光帯２０３におけるストライプ２０６の長手方向の外端から外方に、助走開始位置ｐでのフォーカス合わせの所要時間分のＸＹθテーブル６の助走距離に相当する距離またはこれより大きい距離離れていてもよい。すなわち、助走開始位置ｐでフォーカス合わせを開始するときに加速度ａでＸＹθテーブル６の助走を開始し、助走開始位置ｐでのフォーカス合わせを所要時間ｔかけて行う構成において、変更された助走開始位置ｐは、遮光帯２０３の外端から外方に少なくとも（１／２）ａｔ^２離れていてもよい。例えば、変更された助走開始位置ｐは、遮光帯２０３の外端から外方に１〜２ｍｍ離れていてもよい。このような位置に助走開始位置ｐを変更することで、フォーカス位置が非パターン領域２０２から遮光帯２０３に入る前に確実にフォーカスを固定できる。 When the approach start position p is within the light shielding zone 203 (step S3: Yes), the table control circuit 17 changes the approach start position p into the non-pattern area 202 (step S4). More specifically, the table control circuit 17 sets the approach start position p determined to be in the light shielding band 203 among the approach start positions p corresponding to all the stripes 206 in the inspection area 205 to the non-pattern area 202. Change in. The changed approach start position p is a distance corresponding to the approach distance of the XYθ table 6 corresponding to the time required for focusing at the approach start position p outward from the outer end in the longitudinal direction of the stripe 206 in the shading band 203 or The distance may be greater than this. That is, in the configuration where the XYθ table 6 starts running at an acceleration a when focusing is started at the approach start position p, and the focus adjustment at the approach start position p is performed over the required time t, the changed approach start position is changed. p may be at least (1/2) at ² away from the outer end of the light shielding band 203. For example, the changed approach start position p may be 1 to 2 mm away from the outer end of the light shielding band 203. By changing the approach start position p to such a position, the focus can be reliably fixed before the focus position enters the light shielding band 203 from the non-pattern area 202.

一方、助走開始位置ｐが遮光帯２０３内にない場合（ステップＳ３：Ｎｏ）、テーブル制御回路１７は、助走開始位置ｐがパターン領域２０１内にあると判断して、助走開始位置ｐを維持する。 On the other hand, when the approach start position p is not in the light shielding zone 203 (step S3: No), the table control circuit 17 determines that the approach start position p is in the pattern area 201 and maintains the approach start position p. .

助走開始位置ｐの算出後、オートフォーカス制御回路１８は、現在の検査対象のストライプ２０６（以下、検査対象ストライプともいう）に対応する助走開始位置ｐでのフォーカス合わせを行う（ステップＳ５）。フォーカス合わせにおいて、オートフォーカス制御回路１８は、フォーカス機構１１にフォーカス信号を出力することで、フォーカス信号に応じた移動量だけＺ方向にＸＹθテーブル６を移動させる。助走開始位置ｐでのフォーカス合わせは、当該フォーカス合わせの所要時間後に完了してもよい。なお、現在の検査対象ストライプ２０６は、検査の進行にともなって図４の−Ｙ方向側のストライプ２０６から＋Ｙ方向側のストライプ２０６へと変化する。 After calculating the approach start position p, the autofocus control circuit 18 performs focusing at the approach start position p corresponding to the current stripe 206 to be inspected (hereinafter also referred to as the inspection target stripe) (step S5). In focusing, the autofocus control circuit 18 outputs a focus signal to the focus mechanism 11 to move the XYθ table 6 in the Z direction by a movement amount corresponding to the focus signal. The focusing at the approach start position p may be completed after the time required for the focusing. Note that the current stripe 206 to be inspected changes from the stripe 206 on the −Y direction side in FIG. 4 to the stripe 206 on the + Y direction side as the inspection progresses.

助走開始位置ｐでのフォーカス合わせの開始後、テーブル制御回路１７は、Ｘ軸モータ１０Ａを駆動することでＸＹθテーブル６の助走を開始する（ステップＳ６）。助走開始位置ｐでのフォーカス合わせの完了からフォーカス位置が検査領域２０５に到達するまでの間、オートフォーカス制御回路１８は、助走開始位置ｐでのフォーカス合わせの完了時のフォーカスを維持する。なお、助走開始位置ｐがパターン領域２０１内にある場合（ステップＳ３：Ｎｏ）、オートフォーカス制御回路１８は、助走開始から現在の検査対象ストライプの走査が完了するまでの間、継続してオートフォーカスでのフォーカス合わせを行ってもよい。この場合、フォーカス位置が検査領域２０５に到達した時点で既にオートフォーカスでのフォーカス合わせが開始しているので、後述する検査領域２０５でのオートフォーカスへの切り替え（ステップＳ８）は省略してよい。 After starting focusing at the approach start position p, the table control circuit 17 starts the approach of the XYθ table 6 by driving the X-axis motor 10A (step S6). The autofocus control circuit 18 maintains the focus at the completion of the focus adjustment at the approach start position p until the focus position reaches the inspection area 205 after the focus adjustment at the approach start position p is completed. When the approach start position p is within the pattern area 201 (step S3: No), the autofocus control circuit 18 continues autofocusing from the start of the approach until the scanning of the current stripe to be inspected is completed. You may focus on. In this case, since autofocusing has already started when the focus position reaches the inspection area 205, switching to autofocus in the inspection area 205 (step S8) described later may be omitted.

助走の開始後、オートフォーカス制御回路１８は、フォーカス位置が検査領域２０５に到達したか否かを判定する（ステップＳ７）。この判定は、助走開始位置ｐからのフォーカス位置の移動量が、予め取得されている助走開始位置ｐと検査領域２０５の開始位置（すなわち、ストライプ２０６の始端）との間の距離に達したか否かに基づいて行ってもよい。オートフォーカス制御回路１８は、助走すなわち加速によるＸＹθテーブル６の移動が所定時間行われた後に、検査速度（定速）によるＸＹθテーブル６の移動が所定時間行われた場合に、フォーカス位置が検査領域２０５に到達したと判定してもよい。ＸＹθテーブル６は、フォーカス位置が遮光帯２０３内にあるときに助走を完了して検査速度に達してもよく、または、フォーカス位置が検査領域２０５の開始位置にあるときに検査速度に達してもよい。 After the start of the run, the autofocus control circuit 18 determines whether or not the focus position has reached the inspection area 205 (step S7). This determination is based on whether the movement amount of the focus position from the approach start position p has reached the distance between the approach start position p acquired in advance and the start position of the inspection area 205 (that is, the start end of the stripe 206). It may be based on whether or not. When the movement of the XYθ table 6 by the inspection speed (constant speed) is performed for a predetermined time after the movement of the XYθ table 6 by the run, that is, acceleration, is performed for a predetermined time, the autofocus control circuit 18 It may be determined that 205 has been reached. The XYθ table 6 may complete the run when the focus position is within the light shielding band 203 and reach the inspection speed, or may reach the inspection speed when the focus position is at the start position of the inspection area 205. Good.

フォーカス位置が検査領域２０５に到達した場合（ステップＳ７：Ｙｅｓ）、オートフォーカス制御回路１８は、オートフォーカスによるフォーカス合わせに切換える（ステップＳ８）。一方、フォーカス位置が検査領域２０５に到達していない場合（ステップＳ７：Ｎｏ）、オートフォーカス制御回路１８は、固定フォーカスのまま判定（ステップＳ７）を繰り返す。 When the focus position reaches the inspection area 205 (step S7: Yes), the autofocus control circuit 18 switches to autofocusing (step S8). On the other hand, when the focus position has not reached the inspection area 205 (step S7: No), the autofocus control circuit 18 repeats the determination (step S7) while maintaining the fixed focus.

オートフォーカスへの切り替え後、オートフォーカス制御回路１８は、全ストライプ２０６の検査が完了したか否かを判定する（ステップＳ９）。 After switching to autofocus, the autofocus control circuit 18 determines whether or not the inspection of all stripes 206 has been completed (step S9).

全ストライプ２０６の検査が完了した場合（ステップＳ９：Ｙｅｓ）、オートフォーカス制御回路１８は、処理を終了する。 When the inspection of all stripes 206 is completed (step S9: Yes), the autofocus control circuit 18 ends the process.

一方、全ストライプ２０６の検査が完了していない場合（ステップＳ９：Ｎｏ）、オートフォーカス制御回路１８は、検査対象ストライプ２０６を、現在の検査対象ストライプ２０６に＋Ｙ方向（図４参照）において隣接する次のストライプ２０６に変更する（ステップＳ１０）。その後は、次のストライプ２０６を検査対象ストライプ２０６として、フォーカス合わせ（ステップＳ５）以降の処理を繰り返す。 On the other hand, when the inspection of all the stripes 206 has not been completed (step S9: No), the autofocus control circuit 18 adjoins the inspection target stripe 206 in the + Y direction (see FIG. 4). Change to the next stripe 206 (step S10). Thereafter, the processing after the focus adjustment (step S5) is repeated with the next stripe 206 as the inspection target stripe 206.

図５Ａは、第１の実施形態のマスク検査方法において、フォーカス位置およびその移動方向とフォーカス信号との関係を示す模式図である。図５Ａには、検査領域２０５と、遮光帯２０３と、非パターン領域２０２と、各領域に対応するフォーカス信号およびその移動方向が模式的に示されている。 FIG. 5A is a schematic diagram illustrating a relationship between a focus position, a moving direction thereof, and a focus signal in the mask inspection method according to the first embodiment. FIG. 5A schematically shows an inspection area 205, a light shielding band 203, a non-pattern area 202, a focus signal corresponding to each area, and a moving direction thereof.

図５Ａのフォーカス信号ＳＩＧ＿ＦＷＤは、＋Ｘ方向（前方：Ｄ＿ＦＷＤ）にフォーカス位置を移動させながら第１番目のストライプ２０６＿１を検査したときのフォーカス信号である。なお、図５Ａには、第１番目のストライプ２０６＿１の終端側の一定の範囲が示されている。図５Ａのフォーカス信号ＳＩＧ＿ＢＷＤは、−Ｘ方向（後方：Ｄ＿ＢＷＤ）にフォーカス位置を移動させながら第１番目のストライプ２０６＿１に隣接する第２番目のストライプ２０６＿２を検査したときのフォーカス信号である。なお、図５Ａには、第２番目のストライプ２０６＿２の始端側の一定の範囲が示されている。 The focus signal SIG_FWD in FIG. 5A is a focus signal when the first stripe 206_1 is inspected while moving the focus position in the + X direction (forward: D_FWD). FIG. 5A shows a certain range on the end side of the first stripe 206_1. The focus signal SIG_BWD in FIG. 5A is a focus signal when the second stripe 206_2 adjacent to the first stripe 206_1 is inspected while moving the focus position in the −X direction (backward: D_BWD). FIG. 5A shows a certain range on the start end side of the second stripe 206_2.

図５Ｂは、比較例のマスク検査方法において、フォーカス位置およびその移動方向とフォーカス信号との関係を示す模式図である。図５Ｂの詳細は図５Ａと同様である。比較例のマスク検査方法では、遮光帯２０３内においても、オートフォーカスによるフォーカス合わせを行う。 FIG. 5B is a schematic diagram illustrating a relationship between a focus position, a moving direction thereof, and a focus signal in the mask inspection method of the comparative example. The details of FIG. 5B are the same as FIG. 5A. In the mask inspection method of the comparative example, focusing is performed by autofocus even within the light shielding band 203.

図５Ｂに示すように、第２番目のストライプ２０６＿２の検査時に、遮光帯２０３内においてオートフォーカスによるフォーカス合わせを行った場合、フォーカス位置が検査領域２０５に到達した際に、検査領域２０５に対してフォーカス信号ＳＩＧ＿ＢＷＤが迅速に追従できない。これにより、遮光帯２０３に隣接する検査領域２０５の区間２０５ａにおいて、デフォーカスが大きくなってしまう。 As shown in FIG. 5B, when focusing is performed by autofocus within the light shielding band 203 during the inspection of the second stripe 206_2, when the focus position reaches the inspection region 205, The focus signal SIG_BWD cannot follow up quickly. As a result, defocusing increases in the section 205 a of the inspection area 205 adjacent to the light shielding band 203.

これに対して、第１の実施形態のマスク検査方法では、図５Ａに示すように、第２番目のストライプ２０６＿２の検査時に、非パターン領域２０２から検査領域２０５に至るまで、非パターン領域２０２で合わされたフォーカスを維持できる。非パターン領域２０２の高さが検査領域２０５の高さとほぼ同じであることで、非パターン領域２０２で合わされたフォーカスと、検査領域２０５の開始位置で合わせるべきフォーカスとは、ほぼ同じである。このため、フォーカス位置が遮光帯２０３から検査領域２０５に移動した際に、検査領域２０５に対してフォーカス信号ＳＩＧ＿ＢＷＤが迅速に追従できる。これにより、遮光帯２０３に隣接する検査領域２０５の区間２０５ａにおいて、デフォーカスを有効に抑制できる。 On the other hand, in the mask inspection method according to the first embodiment, as shown in FIG. 5A, the non-pattern area 202 extends from the non-pattern area 202 to the inspection area 205 when inspecting the second stripe 206_2. The focused focus can be maintained. Since the height of the non-pattern area 202 is substantially the same as the height of the inspection area 205, the focus adjusted in the non-pattern area 202 and the focus to be adjusted at the start position of the inspection area 205 are substantially the same. Therefore, when the focus position moves from the light shielding band 203 to the inspection area 205, the focus signal SIG_BWD can quickly follow the inspection area 205. Thereby, defocusing can be effectively suppressed in the section 205 a of the inspection region 205 adjacent to the light shielding band 203.

以上述べたように、第１の実施形態によれば、非パターン領域２０２上の助走開始位置ｐでのフォーカス合わせで合わせたフォーカスを遮光帯２０３において維持することで、遮光帯２０３と検査領域２０５との間でのフォーカスの変動量を抑制できる。これにより、検査領域２０５に対してオートフォーカスを迅速に追従させてデフォーカスを抑制できる。 As described above, according to the first embodiment, the light-shielding band 203 and the inspection area 205 are maintained by maintaining the focus in the light-shielding band 203 by focusing at the approach start position p on the non-pattern area 202. The amount of focus fluctuation between the two can be suppressed. Thereby, defocusing can be suppressed by quickly following autofocusing with respect to the inspection region 205.

（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態として、マスク２の傾きに応じてオートフォーカスの初期値すなわち基準点を補正する実施形態について説明する。なお、第２の実施形態において、第１の実施形態に対応する構成部については、同一の符号を用いて重複した説明を省略する。図６は、第２の実施形態のマスク検査装置１を示す図である。 (Second Embodiment)
Next, as a second embodiment, an embodiment in which an initial value of autofocus, that is, a reference point is corrected according to the inclination of the mask 2 will be described. In addition, in 2nd Embodiment, about the structure part corresponding to 1st Embodiment, the overlapping description is abbreviate | omitted using the same code | symbol. FIG. 6 is a diagram illustrating a mask inspection apparatus 1 according to the second embodiment.

図６に示すように、第２の実施形態のマスク検査装置１は、第１の実施形態の構成に加えて、更に、Ｚセンサ４１と、Ｚセンサ制御回路４２と、マスク傾き量演算回路４３とを備える。 As shown in FIG. 6, in addition to the configuration of the first embodiment, the mask inspection apparatus 1 of the second embodiment further includes a Z sensor 41, a Z sensor control circuit 42, and a mask inclination amount calculation circuit 43. With.

Ｚセンサ４１は、マスク面の高さすなわちＺ方向の位置を検出する。Ｚセンサ４１は、例えば、マスク面に光を照射する投光器と、照射された光を受光する受光器とを備えていてもよい。投光器と受光器とを備えることで、Ｚセンサ４１は、マスク面の高さを光学的に検出できる。これ以外にも、例えば、オートフォーカス制御回路１８によるフォーカス機構１１の駆動量（例えば、駆動信号のパルス数など）に基づいてマスク面の高さを検出してもよい。 The Z sensor 41 detects the height of the mask surface, that is, the position in the Z direction. The Z sensor 41 may include, for example, a projector that emits light to the mask surface and a light receiver that receives the emitted light. By providing the projector and the light receiver, the Z sensor 41 can optically detect the height of the mask surface. In addition to this, for example, the height of the mask surface may be detected based on the drive amount of the focus mechanism 11 by the autofocus control circuit 18 (for example, the number of pulses of the drive signal).

Ｚセンサ制御回路４２は、Ｚセンサ４１の駆動を制御する。Ｚセンサ制御回路４２は、Ｚセンサ４１からマスク面の高さの検出結果を取得する。Ｚセンサ制御回路４２は、取得されたマスク面の高さをマスク傾き量演算回路４３に出力する。 The Z sensor control circuit 42 controls driving of the Z sensor 41. The Z sensor control circuit 42 acquires the detection result of the height of the mask surface from the Z sensor 41. The Z sensor control circuit 42 outputs the acquired mask surface height to the mask inclination amount calculation circuit 43.

マスク傾き量演算回路４３は、Ｚセンサ制御回路４２から入力されたマスク面の高さに基づいて、Ｚ方向へのマスク２の傾き量を算出（すなわち、測定）する。マスク傾き量演算回路４３は、算出されたマスク２の傾き量をオートフォーカス制御回路１８に出力する。 The mask tilt amount calculation circuit 43 calculates (ie, measures) the tilt amount of the mask 2 in the Z direction based on the height of the mask surface input from the Z sensor control circuit 42. The mask inclination amount calculation circuit 43 outputs the calculated inclination amount of the mask 2 to the autofocus control circuit 18.

オートフォーカス制御回路１８は、マスク傾き量演算回路４３から入力されたマスク２の傾き量に基づいてオートフォーカスを制御する。以下、図７を用いてマスク２の傾き量を用いたオートフォーカスの制御の一例について詳述する。図７は、第２の実施形態を示すマスク検査方法のフローチャートである。 The autofocus control circuit 18 controls autofocus based on the tilt amount of the mask 2 input from the mask tilt amount calculation circuit 43. Hereinafter, an example of autofocus control using the inclination amount of the mask 2 will be described in detail with reference to FIG. FIG. 7 is a flowchart of a mask inspection method showing the second embodiment.

図７に示すように、第２の実施形態において、マスク傾き量演算回路４３は、Ｚセンサ４１で検出されたマスク面の高さに基づいて、水平方向に対するマスク２の傾き量を測定する（ステップＳ１１）。図７の例において、マスク２の傾き量の測定は、検査領域２０５の設定（ステップＳ１）と、助走開始位置の算出（ステップＳ２）との間に行っている。 As shown in FIG. 7, in the second embodiment, the mask inclination amount calculation circuit 43 measures the inclination amount of the mask 2 with respect to the horizontal direction based on the height of the mask surface detected by the Z sensor 41 ( Step S11). In the example of FIG. 7, the measurement of the tilt amount of the mask 2 is performed between the setting of the inspection area 205 (step S1) and the calculation of the approach start position (step S2).

Ｚセンサ４１の検出結果によること以外にも、マスク２の傾き量の測定は、検査開始前に検査領域２０５を所定ストライプ２０６分スキャンした結果に基づいて行ってもよい。すなわち、マスク２の傾き量は、ストライプ２０６における異なるフォーカス位置同士の間のフォーカス信号の信号値の差分として測定してもよい。また、マスク２の傾きの測定は、オートローダ９でＸＹθテーブル６上にマスク２を搬入するときに行ってもよい。このように、検査開始前にマスク２の傾き量を測定することで、傾き量に応じた適切な検査を開始することができる。 In addition to being based on the detection result of the Z sensor 41, the inclination amount of the mask 2 may be measured based on the result of scanning the inspection area 205 by a predetermined stripe 206 before the start of inspection. That is, the inclination amount of the mask 2 may be measured as a difference in signal value of the focus signal between different focus positions in the stripe 206. Further, the measurement of the inclination of the mask 2 may be performed when the mask 2 is carried onto the XYθ table 6 by the autoloader 9. Thus, by measuring the tilt amount of the mask 2 before the start of inspection, it is possible to start an appropriate inspection according to the tilt amount.

また、オートフォーカス制御回路１８は、助走開始位置ｐでのフォーカス合わせ（ステップＳ５）の際に、助走開始位置ｐと検査領域２０５の開始位置との高さの差分を算出する（ステップＳ１２）。図８は、第２の実施形態の検査方法を示す模式図である。図８は、助走開始位置ｐ_１から検査領域２０５の開始位置ｐ_２に向かうにしたがって上方に傾いたマスク２を示している。なお、図４と同様に、図８では、パターン領域２０１の開始位置を検査領域２０５の開始位置ｐ_２としている。 In addition, the autofocus control circuit 18 calculates the difference in height between the approach start position p and the start position of the inspection area 205 at the time of focusing at the approach start position p (step S5) (step S12). FIG. 8 is a schematic diagram illustrating an inspection method according to the second embodiment. FIG. 8 shows the mask 2 tilted upward from the approach start position p ₁ toward the start position p ₂ of the inspection region 205. As in FIG. 4, in FIG. 8, the start position of the pattern area 201 is the start position p < _b > ₂ of the inspection area 205.

オートフォーカス制御回路１８は、助走開始位置ｐ_１と検査領域２０５の開始位置ｐ_２との高さの差分ｄを、測定されたマスク２の傾き量θと、予め取得されている助走開始位置ｐ_１と検査領域２０５の開始位置ｐ_２との間のマスク面に沿った方向の距離ｘとに基づいて算出する。図８の例の場合、高さの差分ｄは、ｘ・ｓｉｎθである。 The autofocus control circuit 18 determines the difference d in height between the start start position p ₁ and the start position p ₂ of the inspection area 205, the measured inclination amount θ of the mask 2, and the start start position p acquired in advance. calculated based on the direction of the distance x along the mask surface of between ₁ and the start position p ₂ of the inspection region 205. In the example of FIG. 8, the height difference d is x · sin θ.

また、図７に示すように、オートフォーカス制御回路１８は、オートフォーカスでのフォーカス合わせへの切り替え（ステップＳ８）の前に、高さの差分ｄに応じてオートフォーカスにおけるフォーカスの初期値を補正する（ステップＳ１３）。オートフォーカス制御回路１８は、助走開始位置ｐで設定したフォーカスより高さの差分ｄだけ上方の位置にフォーカスの初期値を補正してもよい。 As shown in FIG. 7, the autofocus control circuit 18 corrects the initial focus value in autofocus according to the height difference d before switching to autofocusing (step S8). (Step S13). The autofocus control circuit 18 may correct the initial focus value to a position above the focus set by the approach start position p by a height difference d.

第２の実施形態によれば、マスク２の傾きに応じて検査領域２０５の開始位置におけるフォーカスの初期値を補正できるので、マスク２が傾いている場合でも、検査領域２０５においてオートフォーカスを迅速に追従させることができる。したがって、第２の実施形態によれば、デフォーカスを更に確実に抑制できる。 According to the second embodiment, since the initial focus value at the start position of the inspection area 205 can be corrected according to the inclination of the mask 2, autofocusing can be quickly performed in the inspection area 205 even when the mask 2 is inclined. Can be followed. Therefore, according to the second embodiment, defocus can be more reliably suppressed.

（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態として、現在の検査対象ストライプの終端近傍においてフォーカスを固定する実施形態について説明する。なお、第３の実施形態において、第１の実施形態に対応する構成部については、同一の符号を用いて重複した説明を省略する。図９は、第３の実施形態を示すマスク検査方法のフローチャートである。 (Third embodiment)
Next, an embodiment in which the focus is fixed near the end of the current stripe to be inspected will be described as a third embodiment. In addition, in 3rd Embodiment, about the structure part corresponding to 1st Embodiment, the overlapping description is abbreviate | omitted using the same code | symbol. FIG. 9 is a flowchart of a mask inspection method showing the third embodiment.

図９に示すように、第３の実施形態において、オートフォーカス制御回路１８は、オートフォーカスでのフォーカス合わせへの切り替え（ステップＳ８）の後、フォーカス位置が現在の検査対象ストライプ２０６の終端近傍に到達したか否かを判定する（ステップＳ２１）。 As shown in FIG. 9, in the third embodiment, the autofocus control circuit 18 switches the focus position to near the end of the current inspection target stripe 206 after switching to autofocusing (step S8). It is determined whether or not it has been reached (step S21).

フォーカス位置が現在の検査対象ストライプ２０６の終端近傍に到達した場合（ステップＳ２１：Ｙｅｓ）、オートフォーカス制御回路１８は、フォーカスを固定する（ステップＳ２２）。一方、フォーカス位置が現在の検査対象ストライプ２０６の終端近傍に未到達の場合（ステップＳ２１：Ｎｏ）、オートフォーカス制御回路１８は、オートフォーカスのまま判定（ステップＳ２１）を繰り返す。 When the focus position reaches near the end of the current stripe 206 to be inspected (step S21: Yes), the autofocus control circuit 18 fixes the focus (step S22). On the other hand, when the focus position does not reach the vicinity of the end of the current inspection target stripe 206 (step S21: No), the autofocus control circuit 18 repeats the determination (step S21) while maintaining the autofocus.

なお、現在の検査対象ストライプ２０６の終端近傍は、現在の検査対象ストライプ２０６の終端から該ストライプ２０６の始端側に向かって所定距離離れた位置である。この所定距離の具体的な態様は特に限定されないが、例えば、オートフォーカスから固定フォーカスへの切り替えの所要時間と、ＸＹθテーブル６の速度との積算値に相当する距離またはこれより大きい距離であってもよい。 The vicinity of the end of the current inspection target stripe 206 is a position away from the end of the current inspection target stripe 206 by a predetermined distance toward the start end side of the stripe 206. Although the specific mode of the predetermined distance is not particularly limited, for example, a distance corresponding to an integrated value of the time required for switching from autofocus to fixed focus and the speed of the XYθ table 6 or a distance larger than this. Also good.

ここで、現在の検査対象ストライプ２０６（例えば、図５Ａにおける第１番目のストライプ２０６＿１）の検査の終了後、次のストライプ２０６（例えば、図５Ａにおける第２番目のストライプ２０６＿２）の検査の開始前に、フォーカス位置は遮光帯２０３を通過する。 Here, after the inspection of the current inspection target stripe 206 (for example, the first stripe 206_1 in FIG. 5A) is completed, before the inspection of the next stripe 206 (for example, the second stripe 206_2 in FIG. 5A) is started. In addition, the focus position passes through the light shielding band 203.

もし、現在の検査対象ストライプ２０６の終端以降もオートフォーカスによるフォーカス合わせを継続する場合、遮光帯２０３に合焦するようにフォーカスが大きく変動する。これにより、次の検査対象ストライプ２０６に対応する助走開始位置ｐでは、低い位置（すなわち、遮光帯２０３）に合わされたフォーカスを高い位置（すなわち、助走開始位置ｐ）に合わせることが求められる。これにより、次の検査対象ストライプ２０６に対応する助走開始位置ｐでのフォーカス合わせの所要時間が長くなる。 If the focus adjustment by the autofocus is continued after the end of the current stripe 206 to be inspected, the focus largely fluctuates so as to focus on the light shielding band 203. As a result, at the approach start position p corresponding to the next inspection target stripe 206, it is required to adjust the focus adjusted to the lower position (ie, the light shielding band 203) to the higher position (ie, the approach start position p). Thereby, the time required for focusing at the approach start position p corresponding to the next stripe to be inspected 206 becomes longer.

これに対して、第３の実施形態では、現在の検査対象ストライプ２０６の終端近傍から次の検査対象ストライプ２０６に対応する助走開始位置ｐまでの間、フォーカスを高い位置に固定できる。これにより、次の検査対象ストライプ２０６に対応する助走開始位置ｐでのフォーカス合わせの所要時間を短縮できる。例えば、検査対象ストライプ２０６の終端以降もオートフォーカスを継続する場合に比べて、助走開始位置ｐにおけるフォーカス時間を１ストライプ２０６あたり１〜２秒短縮することも可能である。 On the other hand, in the third embodiment, the focus can be fixed at a high position from the vicinity of the end of the current inspection target stripe 206 to the approach start position p corresponding to the next inspection target stripe 206. Thereby, the time required for focusing at the approach start position p corresponding to the next inspection target stripe 206 can be shortened. For example, the focus time at the approach start position p can be shortened by 1 to 2 seconds per stripe 206 compared to the case where the autofocus is continued after the end of the inspection target stripe 206.

したがって、第３の実施形態によれば、助走開始位置ｐでのフォーカス合わせの所要時間を短縮できるので、検査時間を短縮できる。 Therefore, according to the third embodiment, since the time required for focusing at the approach start position p can be shortened, the inspection time can be shortened.

なお、第３の実施形態を第２の実施形態と組み合わせてもよい。また、本実施形態は、上記のように参照画像との差分に基づくＤＢ検査に限定されず、マスク上に配置される同一の設計データから描画されたダイ画像との差分を欠陥として検出するＤＤ(Die to Die)検査に適用してもよい。また、本実施形態は、パターン領域２０１と非パターン領域２０２との間に両領域２０１、２０２より高さが低い凹部すなわち溝部を有するマスクであれば、ＥＵＶマスク以外のマスクに適用することも可能である。 Note that the third embodiment may be combined with the second embodiment. Further, the present embodiment is not limited to the DB inspection based on the difference from the reference image as described above, and DD that detects a difference from the die image drawn from the same design data arranged on the mask as a defect. (Die to Die) It may be applied to inspection. In addition, the present embodiment can be applied to a mask other than an EUV mask as long as the mask has a concave portion, that is, a groove portion, whose height is lower than both the regions 201 and 202 between the pattern region 201 and the non-pattern region 202. It is.

マスク検査装置１の少なくとも一部は、ハードウェアで構成してもよいし、ソフトウェアで構成してもよい。ソフトウェアで構成する場合には、マスク検査装置１の少なくとも一部の機能を実現するプログラムをフレキシブルディスクやＣＤ−ＲＯＭ等の記録媒体に収納し、コンピュータに読み込ませて実行させてもよい。記録媒体は、磁気ディスクや光ディスク等の着脱可能なものに限定されず、ハードディスク装置やメモリなどの固定型の記録媒体でもよい。 At least a part of the mask inspection apparatus 1 may be configured by hardware or software. When configured by software, a program for realizing at least a part of the functions of the mask inspection apparatus 1 may be stored in a recording medium such as a flexible disk or a CD-ROM, and read and executed by a computer. The recording medium is not limited to a removable medium such as a magnetic disk or an optical disk, but may be a fixed recording medium such as a hard disk device or a memory.

上述の実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。 The above-described embodiments are presented as examples, and are not intended to limit the scope of the invention. The embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the scope of the invention. These embodiments and their modifications are included in the scope and gist of the invention, and are also included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.

１マスク検査装置
２マスク
２０１パターン領域
２０２非パターン領域
２０３遮光帯
６ＸＹθテーブル
１７テーブル制御回路
１８オートフォーカス制御回路 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Mask inspection apparatus 2 Mask 201 Pattern area | region 202 Non-pattern area | region 203 Shading zone 6 XY (theta) table 17 Table control circuit 18 Autofocus control circuit

Claims

A pattern region having a pattern, a non-pattern region provided around the pattern region, having no pattern, and surrounding the pattern region between the pattern region and the non-pattern region, the pattern region and the non-pattern A mask inspection method for inspecting a defect in a pattern of a mask having a light shielding band having a height lower than an area,
When the approach start position, which is the execution position of focusing when the stage on which the mask is placed, starts approach, is within the shading zone, the approach start position is changed to the non-pattern area,
The focusing is performed at the start-up position in the non-pattern area,
Starting the approach of the stage from the approach start position in the non-pattern area, at least from the completion of focusing at the approach start position in the non-pattern area until the execution position passes the light shielding zone, Maintain the focus when the focus adjustment is complete,
A mask inspection method, wherein when the execution position enters an inspection region to be inspected for the defect in the pattern region, switching to autofocusing is performed.

Set the inspection area,
The mask inspection method according to claim 1, wherein the starting start position corresponding to the set inspection region is acquired.

Measuring the inclination of the mask,
When focusing is performed at the approach start position in the non-pattern area, the approach start is based on the inclination of the mask and the distance from the approach start position in the non-pattern area to the start position of the inspection area. Calculating the difference in height between the position and the start position of the inspection area,
The mask inspection method according to claim 1, wherein an initial focus value in autofocusing in the inspection region is corrected according to the difference in height.

The mask inspection method according to claim 3, wherein the measurement of the inclination of the mask is performed based on a result of scanning the inspection area for a predetermined stripe before the start of the inspection of the defect.

The mask inspection method according to claim 3, wherein the measurement of the inclination of the mask is performed when the mask is carried into a position for inspecting the defect.

The mask inspection method according to claim 1, wherein the focus is fixed when the execution position reaches the vicinity of the end of the stripe of the inspection region.

A pattern region having a pattern, a non-pattern region provided around the pattern region, having no pattern, and surrounding the pattern region between the pattern region and the non-pattern region, the pattern region and the non-pattern A stage on which a mask having a light shielding zone whose height is lower than the region can be placed;
A moving mechanism for moving the stage;
A focus mechanism for performing focusing on the mask;
When the approach start position, which is the focus adjustment execution position when the stage starts approach, is within the shading zone, the approach start position is changed to the non-pattern area, A stage control unit that performs control to start the stage starting from the starting position,
The focus adjustment is performed at the start-up position in the non-pattern area, and at least during the period from the completion of the focus adjustment at the start-up position in the non-pattern area until the execution position passes through the light shielding zone. A focus control unit that maintains a focus at the time of completion of alignment, and performs control to switch to focus adjustment with autofocus when the execution position enters an inspection area to be inspected for the defect in the pattern area; A mask inspection apparatus comprising: