JP2015230273A - Mask inspection device and mask inspection method - Google Patents
Mask inspection device and mask inspection method Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015230273A JP2015230273A JP2014117454A JP2014117454A JP2015230273A JP 2015230273 A JP2015230273 A JP 2015230273A JP 2014117454 A JP2014117454 A JP 2014117454A JP 2014117454 A JP2014117454 A JP 2014117454A JP 2015230273 A JP2015230273 A JP 2015230273A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- image
- mask
- reflection
- transmission
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims abstract description 82
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims abstract description 103
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 83
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 46
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 39
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 claims abstract description 25
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 3
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 abstract description 21
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000035699 permeability Effects 0.000 abstract 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 28
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 238000012552 review Methods 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
Description
本発明は、マスク検査装置及びマスク検査方法に関する。 The present invention relates to a mask inspection apparatus and a mask inspection method.
大規模集積回路（Large Scale Integration; LSI）の高集積化及び大容量化に伴い、半導体素子に要求される回路寸法は微細化の一途を辿っている。そして、半導体素子においては、回路パターンが形成された原画パターン（マスクまたはレチクルを指す。以下では、マスクと総称する。）を用い、いわゆるステッパまたはスキャナと呼ばれる縮小投影露光装置でウェハ上にパターンを露光転写して回路形成することにより製造されている。 With the high integration and large capacity of large scale integration (Large Scale Integration), the circuit dimensions required for semiconductor elements are becoming ever smaller. In a semiconductor element, an original pattern pattern (a mask or a reticle, which will be collectively referred to as a mask hereinafter) on which a circuit pattern is formed is used to form a pattern on a wafer by a reduction projection exposure apparatus called a so-called stepper or scanner. It is manufactured by exposing and transferring to form a circuit.
多大な製造コストのかかるＬＳＩの製造にとって、歩留まりの向上は欠かせない。一方、最先端のデバイスでは、十数ｎｍの線幅のパターン形成が要求される状況となってきている。ここで、歩留まりを低下させる大きな要因として、マスクパターンの欠陥が挙げられる。半導体ウェハ上に形成されるＬＳＩパターン寸法の微細化に伴い、マスクパターンの欠陥も微細化している。 Yield improvement is indispensable for the manufacture of LSIs that require a large amount of manufacturing costs. On the other hand, a state-of-the-art device is required to form a pattern with a line width of several tens of nanometers. Here, a mask pattern defect is a major factor that reduces the yield. With the miniaturization of the LSI pattern dimension formed on the semiconductor wafer, the defect of the mask pattern is also miniaturized.
また、マスクの寸法精度を高めることで、プロセス諸条件の変動を吸収しようとしてきたこともあり、マスク検査においては、極めて小さなパターンの欠陥を検出することが必要になっている。こうしたことから、マスクのパターンを検査する検査装置に対して高い検査精度が要求されている。 In addition, there have been attempts to absorb variations in process conditions by increasing the dimensional accuracy of the mask, and in mask inspection, it is necessary to detect defects with extremely small patterns. For this reason, high inspection accuracy is required for an inspection apparatus for inspecting a mask pattern.
マスク検査装置では、光源から出射された光が光学系を介してマスクに照射される。マスクはステージ上に保持され載置されており、ステージが移動することによって、照射された光がマスク上を走査する。マスクを透過あるいは反射した光は、レンズを介してセンサに結像する。そして、センサで撮像された光学画像を基に、マスクの欠陥検査が行われる。 In the mask inspection apparatus, the light emitted from the light source is irradiated onto the mask via the optical system. The mask is held and placed on the stage, and the irradiated light scans the mask as the stage moves. The light transmitted or reflected through the mask forms an image on the sensor via the lens. Then, a defect inspection of the mask is performed based on the optical image picked up by the sensor.
マスク検査装置におけるマスク検査方法としては、ダイ−ダイ比較（Die-to-Die）検査方法と、ダイ−データベース（Die-to-Database）比較検査方法とが知られている。ダイ−ダイ比較検査方法は、異なる位置にある同一パターンの光学画像同士を比較する方法である。一方、ダイ−データベース検査方法は、マスク作成時に使用した描画データから生成される参照画像と、実際のマスクパターンの光学画像とを比較する方法である。 As a mask inspection method in a mask inspection apparatus, a die-to-die comparison (Die-to-Die) inspection method and a die-to-database comparison inspection method are known. The die-die comparison inspection method is a method for comparing optical images of the same pattern at different positions. On the other hand, the die-database inspection method is a method of comparing a reference image generated from drawing data used at the time of mask creation and an optical image of an actual mask pattern.
光学画像を生成するために、電荷蓄積型のＴＤＩ（Time Delay Integration）センサと、このＴＤＩセンサの出力を増幅するセンサアンプとが用いられている。透過光で検査する場合においては、例えば、ハーフトーン型位相シフトマスクは遮光膜とガラス基板のコントラストがある程度得られるため、クロムマスクと同様に検出光学系で受光したセンサ画像の光強度信号でマスクパターンを認識して欠陥判定を行う手法を採用している。 In order to generate an optical image, a charge accumulation type TDI (Time Delay Integration) sensor and a sensor amplifier that amplifies the output of the TDI sensor are used. When inspecting with transmitted light, for example, the halftone phase shift mask provides a certain level of contrast between the light-shielding film and the glass substrate. Therefore, as with the chrome mask, the mask is based on the light intensity signal of the sensor image received by the detection optical system. A technique for recognizing a defect by recognizing a pattern is adopted.
欠陥の形状によっては、マスク面の反射光を利用する方がコントラストを得やすい場合があり、異物検査機能などの用途で反射検査光学系を用いた検査方法もある。また、マスク厚のばらつきによる透過照明光の焦点ズレを容易に補正することにより、検出感度の高い欠陥検査を行う手法を採用している。 Depending on the shape of the defect, it may be easier to obtain contrast by using the reflected light of the mask surface, and there is also an inspection method using a reflection inspection optical system for applications such as a foreign matter inspection function. In addition, a technique of performing defect inspection with high detection sensitivity by easily correcting a focus shift of transmitted illumination light due to variations in mask thickness.
上記のダイ−ダイ比較検査方法において、一方の被検査領域を撮像する際にパルス光の光量変動があった場合に、センサ画素の出力変動により撮像されたパターンは、形状に変形が生じた如く撮像されてしまう。これに対し、他方の被検査領域を撮像する際にパルス光の光量変動がない場合に、撮像されたパターンは、対応するパターンの形状に変形が生じない。この場合、一方のセンサ画素と他方のセンサ画素との比較において欠陥と誤判定されてしまうことになる。このような場合に、センサ画素の出力変動を総光量で補正する方法が開示されている（特許文献１参照）。 In the above-described die-to-die comparison inspection method, when there is a fluctuation in the amount of pulsed light when imaging one area to be inspected, the pattern imaged due to the output fluctuation of the sensor pixel appears to be deformed. It will be imaged. On the other hand, when there is no fluctuation in the amount of pulsed light when imaging the other region to be inspected, the captured pattern is not deformed in the shape of the corresponding pattern. In this case, it is erroneously determined as a defect in the comparison between one sensor pixel and the other sensor pixel. In such a case, a method of correcting the output fluctuation of the sensor pixel with the total light amount is disclosed (see Patent Document 1).
また、マスクパターンを認識して欠陥判定を行う手法において、検出光学系の透過光と反射光とを分離するために、偏光ビームスプリッタ等ではなく全反射ミラー等からなる空間分離機構を設け試料からの透過光と反射光とをパターンの観察視野内で、空間的に分離された視野から得られるように分離することが開示されている。このように透過光と反射光を分離することで検出光学系において光量損失が生じるのを防止し、透過光と反射光の両方を利用して試料上のパターン欠陥を検査し、短波長光を用いた場合にあっても検出光学系における光量損失を抑制している（特許文献２参照）。 Also, in the method of recognizing a defect by recognizing a mask pattern, a spatial separation mechanism consisting of a total reflection mirror, etc., instead of a polarization beam splitter, is provided to separate the transmitted light and reflected light of the detection optical system from the sample. Separating the transmitted light and the reflected light in a pattern viewing field so as to be obtained from a spatially separated field. By separating transmitted light and reflected light in this way, light loss is prevented from occurring in the detection optical system, pattern defects on the sample are inspected using both transmitted light and reflected light, and short wavelength light is emitted. Even when it is used, the light loss in the detection optical system is suppressed (see Patent Document 2).
ダイ−データベース比較検査では、検査中にレーザ光量低下、透過率異常などでセンサ画像が暗くなると、参照画像とのレベルを比較することでエラーを検知することができる。また、上記のとおりダイ−ダイ比較検査においては、一方のダイの検査時における光量と、他方のダイの検査時における光量が変化した場合に、センサ画素の出力変動を総光量で補正している。 In the die-database comparison inspection, if the sensor image becomes dark due to a decrease in the amount of laser light, an abnormality in transmittance, or the like during the inspection, an error can be detected by comparing the level with the reference image. Further, as described above, in the die-to-die comparison inspection, when the light amount at the time of inspection of one die and the light amount at the time of inspection of the other die are changed, the output variation of the sensor pixel is corrected by the total light amount. .
しかし、ダイ−ダイ比較検査では、同一ストライプの各ダイで同様に光量低下、透過率異常などが生じている場合、ダイ比較において差分が生じず、欠陥を検出できないという問題がある。特に、マスク面内で徐々に変化すると透過率異常はダイ−ダイ比較検査において検知は困難である。また、透過光と反射光の両方を利用して試料上のパターン欠陥を検査するダイ−ダイ比較検査においても、透過光と反射光のそれぞれでダイ比較が行われることにより、光量低下、透過率異常などが生じている場合、欠陥を検出することは困難である。 However, in the die-to-die comparison inspection, there is a problem that when the light quantity reduction, the transmittance abnormality, etc. are similarly generated in the dies of the same stripe, no difference is generated in the die comparison and a defect cannot be detected. In particular, when the thickness gradually changes in the mask plane, it is difficult to detect an abnormality in transmittance in the die-to-die comparison inspection. Also, in die-to-die comparison inspection that inspects pattern defects on a sample using both transmitted light and reflected light, die comparison is performed for each of transmitted light and reflected light, thereby reducing the light amount and transmittance. When an abnormality or the like has occurred, it is difficult to detect a defect.
本発明は、こうした点に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、透過光で採取した画像と反射光で採取した画像を併用するダイ−ダイ比較検査において、光源光量低下、マスクの透過率異常、遮光膜の異物欠陥などを監視することができるマスク検査装置及びマスク検査方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of these points. That is, an object of the present invention is to monitor a decrease in the amount of light from a light source, an abnormality in the transmittance of a mask, a foreign matter defect in a light shielding film, etc., in a die-to-die comparative inspection using an image collected with transmitted light and an image collected with reflected light. An object of the present invention is to provide a mask inspection apparatus and a mask inspection method that can be used.
本発明の１の態様は、パターンが形成されたマスクを保持するステージを駆動する駆動手段と、前記マスクに光を照射する光照射手段と、前記光を前記マスクに透過させる透過光学系と、前記光を前記マスクで反射させる反射光学系と、前記透過した透過光の光量信号を検出する透過光画像センサと、前記反射した反射光の光量信号を検出する反射光画像センサと、前記透過光画像センサの各画素の出力を画素毎に増幅し、透過画像を生成する透過光センサアンプと、前記反射光画像センサの各画素の出力を画素毎に増幅し、反射画像を生成する反射光センサアンプと、前記マスクの繰り返し領域の第１の領域から生成された前記透過画像と、前記第１の領域とは異なる第２の領域から生成された前記透過画像とを比較し、且つ、前記第１の領域から生成された前記反射画像と、前記第２の領域から生成された前記反射画像とを比較することにより、前記マスクのパターンの欠陥を判定するダイ−ダイ比較手段と、前記反射画像をトーン反転して振幅調整した反転反射画像を生成し、前記透過画像と前記反転反射画像との差分に基づいた透過反射差分画像を生成し、前記透過反射差分画像に設定された光量監視ポイントの光量と、予め定められたしきい値とを比較することにより、異常を判定する監視手段とを備え、前記光量監視ポイントは、前記繰り返し領域に設定された光量監視領域に基づいて設定されることを特徴とするものである。 One aspect of the present invention includes a driving unit that drives a stage that holds a mask on which a pattern is formed, a light irradiation unit that irradiates light to the mask, a transmission optical system that transmits the light to the mask, A reflective optical system that reflects the light with the mask; a transmitted light image sensor that detects a light amount signal of the transmitted light that has been transmitted; a reflected light image sensor that detects a light amount signal of the reflected light that has been reflected; and the transmitted light A transmitted light sensor amplifier that amplifies the output of each pixel of the image sensor for each pixel and generates a transmitted image, and a reflected light sensor that amplifies the output of each pixel of the reflected light image sensor for each pixel and generates a reflected image Comparing the transmission image generated from the first area of the amplifier and the repetition area of the mask with the transmission image generated from a second area different from the first area; and 1's A die-to-die comparison means for determining a defect in the pattern of the mask by comparing the reflected image generated from a region with the reflected image generated from the second region; A reverse reflection image that is inverted and amplitude-adjusted is generated, a transmission reflection difference image based on a difference between the transmission image and the reverse reflection image is generated, and the light amount of the light amount monitoring point set in the transmission reflection difference image Monitoring means for judging abnormality by comparing with a predetermined threshold value, and the light quantity monitoring point is set based on the light quantity monitoring area set in the repetition area. It is what.
本発明の第１の態様において、前記光量監視領域は、パターンエッジと前記パターンエッジと隣接するパターンエッジとの間のベタパターンに設定されることが好ましい。 1st aspect of this invention WHEREIN: It is preferable that the said light quantity monitoring area | region is set to the solid pattern between a pattern edge and the pattern edge adjacent to the said pattern edge.
本発明の第１の態様において、前記光量監視領域は、透過部分に設定された第１の光量監視領域と、遮光膜で形成された部分に設定された第２の光量監視領域を有し、前記光量監視ポイントは、第１の光量監視ポイントと第２の光量監視ポイントを有し、前記第１の光量監視ポイントは、前記第１の光量監視領域に基づいて設定され、前記第２の光量監視ポイントは、前記第２の光量監視領域に基づいて設定され、前記第１の光量監視ポイントの光量は、基準値より低く設定された第１のしきい値と比較され、前記第２の光量監視ポイントの光量は、基準値より低く設定された第２のしきい値と比較され、且つ、基準値より高く設定された第３のしきい値と比較されることが好ましい。 In the first aspect of the present invention, the light amount monitoring region has a first light amount monitoring region set in the transmissive portion and a second light amount monitoring region set in the portion formed of the light shielding film, The light quantity monitoring point has a first light quantity monitoring point and a second light quantity monitoring point, and the first light quantity monitoring point is set based on the first light quantity monitoring area, and the second light quantity monitoring point is set. The monitoring point is set based on the second light quantity monitoring region, the light quantity of the first light quantity monitoring point is compared with a first threshold value set lower than a reference value, and the second light quantity The amount of light at the monitoring point is preferably compared with a second threshold value set lower than the reference value and compared with a third threshold value set higher than the reference value.
本発明の第１の態様において、前記基準値は、前記第１の光量監視ポイントの光量及び前記第２の光量監視ポイントの光量が、正常時の光量の値であることが好ましい。 In the first aspect of the present invention, it is preferable that the reference value is a light amount value when the light amount of the first light amount monitoring point and the light amount of the second light amount monitoring point are normal.
本発明の第１の態様において、前記監視手段は、前記透過画像と前記反射画像の位置のアライメントをするアライメント手段を有することが好ましい。 1st aspect of this invention WHEREIN: It is preferable that the said monitoring means has an alignment means to align the position of the said transmission image and the said reflected image.
本発明の第２の態様は、光源の光をマスクに照射し、前記マスクを透過した透過光を透過画像センサに結像し、前記マスクで反射した反射光を反射画像センサに結像し、前記透過画像センサ及び前記反射画像センサを前記マスクに対して相対的に移動させ、前記画像センサの各画素の出力を画素毎に透過センサアンプで増幅し透過画像を生成し、前記反射画像センサの各画素の出力を画素毎に反射センサアンプで増幅し反射画像を生成し、前記マスクに形成されたパターンの欠陥検査を行うマスク検査方法であって、前記マスクの繰り返し領域の第１の領域から生成された前記透過画像と、前記第１の領域とは異なる第２の領域から生成された前記透過画像とを比較し、前記第１の領域から生成された前記反射画像と、前記第２の領域から生成された前記反射画像とを比較することにより、前記マスクのパターンの欠陥を判定するステップと、前記反射画像をトーン反転して振幅調整した反転反射画像を生成し、前記透過画像と前記反転反射画像との差分に基づいた透過反射差分画像を生成し、前記透過反射差分画像に設定された光量監視ポイントの光量と、予め定められたしきい値を比較することにより、異常を判定するステップと、を含むことを特徴とするものである。 In a second aspect of the present invention, the light from the light source is irradiated onto the mask, the transmitted light that has passed through the mask is imaged on the transmitted image sensor, and the reflected light that is reflected by the mask is imaged on the reflected image sensor. The transmission image sensor and the reflection image sensor are moved relative to the mask, the output of each pixel of the image sensor is amplified by a transmission sensor amplifier for each pixel, and a transmission image is generated. A mask inspection method for amplifying the output of each pixel by a reflection sensor amplifier for each pixel to generate a reflected image, and performing a defect inspection of a pattern formed on the mask, from a first region of the repeated region of the mask The generated transmission image is compared with the transmission image generated from a second area different from the first area, and the reflection image generated from the first area is compared with the second area. Raw from territory A step of determining a defect in the pattern of the mask by comparing the reflected image, and generating a reverse reflection image in which the reflection image is tone-inverted and amplitude-adjusted, and the transmission image and the reverse reflection image Generating a transmission / reflection difference image based on the difference between and determining the abnormality by comparing the light quantity of the light quantity monitoring point set in the transmission / reflection difference image with a predetermined threshold value; It is characterized by including.
本発明のマスク検査装置及びマスク検査方法によれば、透過光で採取した画像と反射光で採取した画像を併用するダイ−ダイ比較検査において、光源光量低下あるいは被検査マスクの透過率異常、さらには遮光腰部の異物欠陥を指摘するよう監視することができる。 According to the mask inspection apparatus and the mask inspection method of the present invention, in the die-to-die comparison inspection using the image collected with the transmitted light and the image collected with the reflected light, the light source light amount is decreased or the transmittance of the mask to be inspected is abnormal. Can be monitored to point out foreign body defects in the shading waist.
図１は、本発明のマスク検査装置の一例としてのマスク検査装置１００の構成を示す概略図である。 FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of a mask inspection apparatus 100 as an example of a mask inspection apparatus of the present invention.
図１に示すマスク検査装置１００では、本実施の形態で必要な構成部を記載しているが、検査に必要な他の公知の構成部が含まれていてもよい。また、本明細書において、「〜手段」及び「〜回路」と記載したものは、コンピュータで動作可能なプログラムにより構成することができるが、ソフトウェアとなるプログラムだけではなく、ハードウェアとソフトウェアとの組合せやファームウェアとの組合せによって実施されるものであってもよい。プログラムにより構成される場合、プログラムは、磁気ディスク装置などの記録装置に記録される。 In the mask inspection apparatus 100 shown in FIG. 1, constituent parts necessary for the present embodiment are described, but other known constituent parts necessary for inspection may be included. In addition, in this specification, what is described as “to means” and “to circuit” can be configured by a program operable by a computer, but not only a program to be software but also hardware and software. It may be implemented by a combination or a combination with firmware. When configured by a program, the program is recorded in a recording device such as a magnetic disk device.
図１に示すマスク検査装置１００は、検査対象であるマスク１を保持するステージ２を有している。マスク１は、オートローダ３Ａからステージ２上に搬送される。オートローダ３Ａは、オートローダ制御回路３により制御される。 A mask inspection apparatus 100 shown in FIG. 1 has a stage 2 that holds a mask 1 to be inspected. The mask 1 is transferred onto the stage 2 from the autoloader 3A. The autoloader 3A is controlled by the autoloader control circuit 3.
ステージ２は、駆動手段の一例として、Ｘ方向モータ４Ａと、Ｙ方向モータ４Ｂと、θ方向（水平回転方向）モータ４Ｃとによって、Ｘ方向、Ｙ方向及びθ方向に駆動される。これらのモータ４Ａ，４Ｂ，４Ｃの駆動制御は、ステージ制御回路４によって実行される。 The stage 2 is driven in the X direction, the Y direction, and the θ direction by an X direction motor 4A, a Y direction motor 4B, and a θ direction (horizontal rotation direction) motor 4C as an example of a driving unit. The drive control of these motors 4A, 4B, 4C is executed by the stage control circuit 4.
ステージ２のＸ方向及びＹ方向の位置は、例えば、レーザ干渉計等のレーザ測長手段５と、このレーザ測長手段５に接続された位置回路５Ａとによって検出される。マスク１は、例えば、Ｘ方向に一定速度で連続移動しながらセンサの撮像が行われ、終端でＹ方向に移動した後、Ｘ方向に逆向きに一定速度で連続移動しながらセンサの撮像を行うといったことを、繰り返して被検査マスクの検査領域全面を撮像する。 The positions of the stage 2 in the X direction and the Y direction are detected by, for example, laser length measuring means 5 such as a laser interferometer and a position circuit 5A connected to the laser length measuring means 5. For example, the mask 1 captures an image of the sensor while continuously moving in the X direction at a constant speed, and after moving in the Y direction at the end, the image of the sensor is captured while moving continuously at a constant speed in the opposite direction to the X direction. The entire image of the inspection area of the inspection mask is imaged repeatedly.
また、マスク検査装置１００は、光照射手段の一例としてレーザ光を発する光源６を備えている。マスク検査装置１００は、光源６から発せられたレーザ光を、ビームスプリッタ７を介してマスク１に照射し透過させる透過光学系８と、光源６から発せられたレーザ光を、ビームスプリッタ７を介してマスク１に照射し反射させる反射光学系９を有している。 The mask inspection apparatus 100 includes a light source 6 that emits laser light as an example of a light irradiation unit. The mask inspection apparatus 100 transmits the laser light emitted from the light source 6 to the mask 1 through the beam splitter 7 and transmits it through the transmission optical system 8, and the laser light emitted from the light source 6 through the beam splitter 7. And a reflection optical system 9 for irradiating and reflecting the mask 1.
透過光学系８は、ミラー８ａ、対物レンズ８ｂ及び透過光画像センサの一例である透過光ＴＤＩセンサ１１Ａに透過光を結像させる対物レンズ８ｃを有している。また、反射光学系９は、ミラー９ａ、ビームスプリッタ９ｂ及び反射光画像センサの一例である反射光ＴＤＩセンサ１１Ｂに反射光を結像させる対物レンズ９ｃを有している。 The transmission optical system 8 includes a mirror 8a, an objective lens 8b, and an objective lens 8c that forms an image of the transmitted light on a transmitted light TDI sensor 11A that is an example of a transmitted light image sensor. The reflection optical system 9 includes a mirror 9a, a beam splitter 9b, and an objective lens 9c that forms an image of reflected light on a reflected light TDI sensor 11B that is an example of a reflected light image sensor.
透過光ＴＤＩセンサ１１Ａ及び反射光ＴＤＩセンサ１１Ｂの各ＴＤＩセンサは、例えば、２０４８画素×５１２画素（１画素が７０ｎｍ×７０ｎｍの場合、１４４μｍ×３６μｍ）の撮像領域を有する２次元のＣＣＤセンサで構成されている。すなわち、各ＴＤＩセンサは、ＴＤＩ方向に複数段（例えば、５１２段）のラインによって構成され、各ラインＬは複数の画素（例えば、２０４８画素）によって構成されている。 Each TDI sensor of the transmitted light TDI sensor 11A and the reflected light TDI sensor 11B is composed of, for example, a two-dimensional CCD sensor having an imaging region of 2048 pixels × 512 pixels (144 μm × 36 μm when one pixel is 70 nm × 70 nm). Has been. That is, each TDI sensor is composed of a plurality of lines (for example, 512 stages) in the TDI direction, and each line L is composed of a plurality of pixels (for example, 2048 pixels).
上記の各ＴＤＩセンサは、ＴＤＩ方向（５１２段方向）とステージ２のＸ方向が一致するように設置され、ステージ２が移動することにより、各ＴＤＩセンサがマスク１に対して相対的に移動することになり、各ＴＤＩセンサにマスク１のパターンが撮像されることになる。また、ステージ２の移動方向が反転されると、各ＴＤＩセンサの移動方向も反転され、各ＴＤＩセンサがマスク１に対して相対的に移動することになる。 Each of the above TDI sensors is installed so that the TDI direction (512 step direction) and the X direction of the stage 2 coincide with each other, and each TDI sensor moves relative to the mask 1 as the stage 2 moves. As a result, the pattern of the mask 1 is imaged on each TDI sensor. When the movement direction of the stage 2 is reversed, the movement direction of each TDI sensor is also reversed, and each TDI sensor moves relative to the mask 1.
なお、本実施形態のマスク検査装置１００では、画像センサとしてＴＤＩセンサを用いているが、ＴＤＩセンサに代えてラインセンサやエリアセンサのような他の画像センサを用いてもよい。 In the mask inspection apparatus 100 of the present embodiment, the TDI sensor is used as the image sensor, but other image sensors such as a line sensor and an area sensor may be used instead of the TDI sensor.
透過光ＴＤＩセンサ１１Ａは、透過光センサアンプ１２Ａと接続され、反射光ＴＤＩセンサ１１Ｂは、反射光センサアンプ１２Ｂと接続されている。各センサアンプは、各ＴＤＩセンサから入力された各画素を画素毎に増幅し、光学画像を生成すると共に、例えば画素毎に信号振幅のゲイン及びオフセットを設定しノーマライズする。 The transmitted light TDI sensor 11A is connected to the transmitted light sensor amplifier 12A, and the reflected light TDI sensor 11B is connected to the reflected light sensor amplifier 12B. Each sensor amplifier amplifies each pixel input from each TDI sensor for each pixel, generates an optical image, and sets a signal amplitude gain and offset for each pixel, for example, to normalize.
すなわち、透過光センサアンプ１２Ａは、透過光ＴＤＩセンサ１１Ａから入力された各画素を画素毎に増幅し、透過画像を生成し、反射光センサアンプ１２Ｂは、反射光ＴＤＩセンサ１１Ｂから入力された各画素を画素毎に増幅し、反射画像を生成する。 In other words, the transmitted light sensor amplifier 12A amplifies each pixel input from the transmitted light TDI sensor 11A for each pixel to generate a transmitted image, and the reflected light sensor amplifier 12B receives each input from the reflected light TDI sensor 11B. A pixel is amplified for each pixel to generate a reflection image.
透過光センサアンプ１２Ａで生成された透過画像及び反射光センサアンプ１２Ｂで生成された反射画像は、ダイ−ダイ比較手段の一例であるダイ−ダイ比較回路１３、及び監視手段の一例である監視回路１４に入力される。 The transmission image generated by the transmitted light sensor amplifier 12A and the reflection image generated by the reflected light sensor amplifier 12B are a die-die comparison circuit 13 that is an example of a die-die comparison unit, and a monitoring circuit that is an example of a monitoring unit. 14 is input.
ダイ−ダイ比較回路１３は、バッファメモリ１３ａ、バッファメモリ１３ｂ、透過光比較回路１３ｃ、反射光比較回路１３ｄ及び比較判定回路１３ｅを有している。また、監視回路１４は、透過画像入力回路１４ａ、反射画像入力回路１４ｂ、アライメント手段であるアライメント調整回路１４ｃとアライメント回路１４ｄ、トーン反転振幅調整回路１４ｅ、差分回路１４ｆ及び判定回路１４ｇを有している。ダイ−ダイ比較回路１３及び監視回路１４については後述する。 The die-to-die comparison circuit 13 includes a buffer memory 13a, a buffer memory 13b, a transmitted light comparison circuit 13c, a reflected light comparison circuit 13d, and a comparison determination circuit 13e. The monitoring circuit 14 includes a transmission image input circuit 14a, a reflection image input circuit 14b, an alignment adjustment circuit 14c and an alignment circuit 14d as alignment means, a tone inversion amplitude adjustment circuit 14e, a difference circuit 14f, and a determination circuit 14g. Yes. The die-to-die comparison circuit 13 and the monitoring circuit 14 will be described later.
マスク検査装置１００は、通常のパターン欠陥検査のほか、透過光センサアンプ１２Ａ及び反射光センサアンプ１２Ｂのオフセット及びゲインの調整、ステージ２のアライメントなどの全体的な制御を実行する制御計算機２０を備えている。 The mask inspection apparatus 100 includes a control computer 20 that performs overall control such as adjustment of offset and gain of the transmitted light sensor amplifier 12A and reflected light sensor amplifier 12B, alignment of the stage 2 in addition to normal pattern defect inspection. ing.
この制御計算機２０には、上記の位置回路５Ａ、オートローダ制御回路３、ステージ制御回路４、ダイ−ダイ比較回路１３、監視回路１４、記憶装置２１、表示装置２２などが接続されている。 The control computer 20 is connected to the position circuit 5A, the autoloader control circuit 3, the stage control circuit 4, the die-to-die comparison circuit 13, the monitoring circuit 14, the storage device 21, the display device 22, and the like.
図２に示すようにダイ−ダイ比較は、マスク１に設けられた繰り返し領域としての複数のチップ（ダイ）の隣り合う２つのチップを比較し欠陥を判定するものである。例えば、図２に示すチップ１ａ内の第１の領域３１と、チップ１ａと隣接するチップ１ｂ内の第２の領域３２に対して光源６からの光の照射により生成された２つの光学画像を用いてダイ−ダイ比較をすることで、欠陥の有無を判定する。なお、実施形態ではチップ１ａとチップ１ｂは隣接しているがこれに限定されず、例えば、両チップは離れていてもよく、つまり第１の領域と第２の領域は異なる領域であればよい。 As shown in FIG. 2, the die-to-die comparison is to judge a defect by comparing two adjacent chips of a plurality of chips (die) as a repetitive region provided in the mask 1. For example, two optical images generated by irradiating light from the light source 6 to the first region 31 in the chip 1a and the second region 32 in the chip 1b adjacent to the chip 1a shown in FIG. The presence or absence of defects is determined by performing die-to-die comparison. In the embodiment, the chip 1a and the chip 1b are adjacent to each other. However, the present invention is not limited to this. For example, both the chips may be separated from each other, that is, the first area and the second area may be different areas. .
図２に示す第１の領域３１と第２の領域３２は、チップ１ａとチップ１ｂのそれぞれの部分を模式的に拡大したものである。これらの領域において、ハッチングが施された部分は、透明領域（ガラス露出部）で形成されている部分であり、ハッチングが施されていない部分は、遮光膜または遮光性のある半透明膜で形成されている部分である。なお、透明領域は膜のないガラス露出部であり、透明領域を透過部分という。また、遮光膜または遮光性のある半透明膜で形成されている部分を遮光膜という。 A first area 31 and a second area 32 shown in FIG. 2 are obtained by enlarging the respective portions of the chip 1a and the chip 1b. In these regions, hatched portions are portions formed by transparent regions (glass exposed portions), and unhatched portions are formed by light-shielding films or light-shielding translucent films. It is a part that has been. The transparent region is a glass exposed portion without a film, and the transparent region is referred to as a transmissive portion. A portion formed of a light shielding film or a semitransparent film having a light shielding property is referred to as a light shielding film.
なお、この実施形態では、チップ内に形成されているパターン同士を比較しているがこれに限定されず、例えば、セル内に形成されている異なる領域のパターン同士を比較してもよい。 In this embodiment, the patterns formed in the chip are compared with each other. However, the present invention is not limited to this. For example, patterns in different regions formed in the cells may be compared.
図３を用いてダイ−ダイ比較回路１３について説明する。図３に示すバッファメモリ１３ａでは、第１の領域３１を基に生成された透過画像Ｔ１と、第２の領域３２を基に生成された透過画像Ｔ２が一時的に記憶される。 The die-to-die comparison circuit 13 will be described with reference to FIG. In the buffer memory 13a shown in FIG. 3, a transparent image T1 generated based on the first region 31 and a transparent image T2 generated based on the second region 32 are temporarily stored.
また、バッファメモリ１３ｂでは、第１の領域３１を基に生成された反射画像Ｈ１と、第２の領域３２を基に生成された反射画像Ｈ２が一時的に記憶される。 In the buffer memory 13b, the reflection image H1 generated based on the first area 31 and the reflection image H2 generated based on the second area 32 are temporarily stored.
バッファメモリ１３ａに記憶されている透過画像Ｔ１と透過画像Ｔ２は、透過光比較回路１３ｃに入力されて比較される。また、バッファメモリ１３ｂに記憶されている反射画像Ｈ１と反射画像Ｈ２は、反射光比較回路１３ｄに入力されて比較される。 The transmitted image T1 and the transmitted image T2 stored in the buffer memory 13a are input to the transmitted light comparison circuit 13c and compared. The reflected image H1 and the reflected image H2 stored in the buffer memory 13b are input to the reflected light comparison circuit 13d and compared.
透過光比較回路１３ｃ及び反射光比較回路１３ｄでの比較結果は、比較判定回路１３ｅに入力される。比較判定回路１３ｅは、透過光比較回路１３ｃ及び反射光比較回路１３ｄでの比較結果を算出し、予め定められた値を用いてマスク１の欠陥を判定する The comparison results in the transmitted light comparison circuit 13c and the reflected light comparison circuit 13d are input to the comparison determination circuit 13e. The comparison determination circuit 13e calculates a comparison result in the transmitted light comparison circuit 13c and the reflected light comparison circuit 13d, and determines a defect of the mask 1 using a predetermined value.
比較判定回路１３ｅでは、例えば、透過と反射を組み合わせた比較判定アルゴリズムを用いて比較し、両者の差異がしきい値を超えた場合に、その箇所が欠陥と判定されるが、透過画像同士での比較、反射画像同士での比較であってもよい。 In the comparison / determination circuit 13e, for example, comparison is performed using a comparison / determination algorithm that combines transmission and reflection. When the difference between the two exceeds a threshold value, the portion is determined as a defect. Or a comparison between reflection images.
比較判定回路１３ｅでの検査結果は、記憶装置２１に保存される。その後、オペレータは、保存された検査結果を磁気ディスク装置などの記憶装置２１から読み出してディスプレイなどの表示装置２２に表示させ確認する。 The inspection result in the comparison determination circuit 13e is stored in the storage device 21. Thereafter, the operator reads out the stored inspection result from the storage device 21 such as a magnetic disk device, and displays it on the display device 22 such as a display for confirmation.
また、保存されたマスク検査結果は、レビュー装置に送られ、オペレータによってレビューされる。このレビュー装置は検査装置の構成要素の１つであってもよく、また、検査装置の外部装置であってもよい。 Further, the stored mask inspection result is sent to a review device and reviewed by an operator. This review device may be one of the components of the inspection device, or may be an external device of the inspection device.
上記のレビューは、オペレータによって検出された欠陥が実用上問題となるものであるかどうかを判断する動作であり、このオペレータは、例えば、欠陥判定の根拠となった基準画像と、欠陥が含まれる光学画像とを見比べて修正の必要な欠陥であるか否かを判断する。 The above review is an operation for determining whether or not the defect detected by the operator is a problem in practical use. This operator includes, for example, the reference image that is the basis for the defect determination and the defect. It is judged whether the defect needs to be corrected by comparing with the optical image.
レビュー装置で判別された欠陥情報は、例えば、図１に示す記憶装置２１に保存される。レビュー装置で、例えば、１つでも修正すべき欠陥が確認されると、マスク１は、欠陥情報リストとともに、マスク検査装置１００の外部装置である修正装置に送られる。修正方法は、欠陥のタイプが凸系の欠陥か凹系の欠陥かによって異なるので、欠陥情報リストには、凹凸の区別を含む欠陥の種別と欠陥の座標が添付される。 The defect information determined by the review device is stored, for example, in the storage device 21 shown in FIG. For example, when at least one defect to be corrected is confirmed by the review apparatus, the mask 1 is sent to a correction apparatus which is an external apparatus of the mask inspection apparatus 100 together with the defect information list. Since the correction method differs depending on whether the defect type is a convex defect or a concave defect, the defect type and the defect coordinates including the distinction between the irregularities are attached to the defect information list.
ダイ−ダイ比較回路１３を用いたダイ−ダイ比較検査について説明したが、ダイ−ダイ比較検査は上記の構成に限定されず、例えば、比較される２つのチップに対して別々の光学系を用いて光学画像を取得する構成であってもよい。 The die-to-die comparison inspection using the die-to-die comparison circuit 13 has been described. However, the die-to-die comparison inspection is not limited to the above-described configuration. For example, separate optical systems are used for the two chips to be compared. The optical image may be acquired.
図４を用いて監視回路１４について説明する。図４に示す透過画像入力回路１４ａには、透過光センサアンプ１２Ａからの透過画像Ｔ１が入力され、同時に、反射画像入力回路１４ｂには、反射光センサアンプ１２Ｂからの反射画像Ｈ１が入力される。 The monitoring circuit 14 will be described with reference to FIG. The transmitted image T1 from the transmitted light sensor amplifier 12A is input to the transmitted image input circuit 14a shown in FIG. 4, and at the same time, the reflected image H1 from the reflected light sensor amplifier 12B is input to the reflected image input circuit 14b. .
なお、監視回路１４に入力される透過画像及び反射画像は、透過画像Ｔ１及び反射画像Ｈ１に限定されず、例えば、図２に示す繰り返し領域の一の領域で同時に生成される透過画像及び反射画像であればよい。 Note that the transmission image and the reflection image input to the monitoring circuit 14 are not limited to the transmission image T1 and the reflection image H1, and for example, the transmission image and the reflection image generated simultaneously in one region of the repetitive region shown in FIG. If it is.
透過画像入力回路１４ａから出力された透過画像Ｔ１と反射画像入力回路１４ｂから出力された反射画像Ｈ１は、アライメント調整回路１４ｃに入力される。アライメント調整回路１４ｃでは、透過画像Ｔ１と反射画像Ｈ１の位置ずれが検知され、この位置ずれの結果は、アライメント回路１４ｄに入力される。 The transmission image T1 output from the transmission image input circuit 14a and the reflection image H1 output from the reflection image input circuit 14b are input to the alignment adjustment circuit 14c. The alignment adjustment circuit 14c detects a positional deviation between the transmission image T1 and the reflection image H1, and the result of this positional deviation is input to the alignment circuit 14d.
反射画像入力回路１４ｂから出力された反射画像Ｈ１は、アライメント回路１４ｄに入力され、上記の位置ずれの結果に基づいて位置の調整が行われる。すなわち、このアライメント手段により、透過画像Ｔ１と反射画像Ｈ１の位置、つまりタイミングが一致するように制御される。 The reflected image H1 output from the reflected image input circuit 14b is input to the alignment circuit 14d, and the position is adjusted based on the result of the positional deviation. That is, the alignment means controls the transmission image T1 and the reflection image H1 so that the positions, that is, the timings coincide.
アライメント回路１４ｄにおいて透過画像Ｔ１との位置ずれが調整された反射画像Ｈ１は、トーン反転振幅調整回路１４ｅに入力され、そして反転反射画像ＨＨ１として出力される。 The reflection image H1 in which the positional deviation from the transmission image T1 is adjusted in the alignment circuit 14d is input to the tone inversion amplitude adjustment circuit 14e and is output as the inversion reflection image HH1.
この反転反射画像ＨＨ１は、例えば、反射画像Ｈ１を構成する光量の平均値を中心として、反射画像Ｈ１の各画素を反転させ、この反転された画像の振幅が調整されたものである。 The inverted reflected image HH1 is obtained by, for example, inverting each pixel of the reflected image H1 around the average value of the amount of light constituting the reflected image H1, and adjusting the amplitude of the inverted image.
透過画像入力回路１４ａから出力された透過画像Ｔ１及びトーン反転振幅調整回路１４ｅから出力された反転反射画像ＨＨ１は、差分回路１４ｆに入力される。差分回路１４ｆでは、（透過画像Ｔ１−反転反射画像ＨＨ１）のレベル差を求め、このレベル差に基づいて透過反射差分画像Ｓ１が生成される。 The transmission image T1 output from the transmission image input circuit 14a and the inverted reflection image HH1 output from the tone inversion amplitude adjustment circuit 14e are input to the difference circuit 14f. The difference circuit 14f obtains a level difference of (transmission image T1-inverse reflection image HH1), and generates a transmission / reflection difference image S1 based on the level difference.
透過反射差分画像Ｓ１は、判定回路１４ｇに入力され、透過反射差分画像Ｓ１に設定された光量監視ポイントの光量と予め定められたしきい値が比較される。判定回路１４ｇでは、この比較に基づいてマスク検査装置１００及びマスク１の異常、例えば、光源６から照射される光量の低下、マスク１の透過率異常、遮光膜の異物欠陥などの異常が判定される。 The transmission / reflection difference image S1 is input to the determination circuit 14g, and the light amount of the light amount monitoring point set in the transmission / reflection difference image S1 is compared with a predetermined threshold value. Based on this comparison, the determination circuit 14g determines an abnormality in the mask inspection apparatus 100 and the mask 1, for example, a decrease in the amount of light emitted from the light source 6, an abnormality in the transmittance of the mask 1, and a foreign substance defect in the light shielding film. The
上記の光量監視ポイントは、繰り返し領域、例えば、第１の領域３１に設定された光量監視領域に基づいて設定される。光量監視領域は、上記の繰り返し領域内のパターンエッジと、このパターンエッジと隣接するパターンエッジとの間のベタパターンに設定されている。 The light quantity monitoring point is set based on a repetitive area, for example, a light quantity monitoring area set in the first area 31. The light quantity monitoring area is set to a solid pattern between the pattern edge in the above-described repeating area and the pattern edge adjacent to the pattern edge.
図５は、光量監視領域及び光量分布を示す光量分布図である。図５（ａ）〜図５（ｅ）を用いて光量監視領域及び光量分布について説明する。なお、実施形態では第１の領域３１の光量監視領域及び光量分布を示しているが、これに限定されず他の領域であってもよい。 FIG. 5 is a light amount distribution diagram showing a light amount monitoring region and a light amount distribution. The light quantity monitoring region and the light quantity distribution will be described with reference to FIGS. 5 (a) to 5 (e). In the embodiment, the light amount monitoring region and the light amount distribution of the first region 31 are shown, but the present invention is not limited to this and may be other regions.
図５（ａ）に示すように、光量監視領域は、第１の領域３１において、透過部分に設定された第１の光量監視領域３１ａと、遮光膜に設定された第２の光量監視領域３１ｂを有している。第１の光量監視領域３１ａは、透過部分と遮光膜の変化箇所であるパターンエッジから所定寸法（画素）離れた透過部分に設定されている。また、第２の光量監視領域３１ｂは、透過部分と遮光膜の変化箇所であるパターンエッジから所定寸法（画素）離れた遮光膜に設定されている。なお、図５（ａ）に示すＡ−Ａ’断面は、図５（ｂ）〜図５（ｅ）及び図６（ａ）〜図６（ｄ）において断面の光量分布を示す横断補助線である。 As shown in FIG. 5A, in the first area 31, the light quantity monitoring area includes a first light quantity monitoring area 31a set as a transmission part and a second light quantity monitoring area 31b set as a light shielding film. have. The first light quantity monitoring region 31a is set to a transmission part that is a predetermined dimension (pixel) away from the pattern edge, which is a changed part of the transmission part and the light shielding film. The second light quantity monitoring region 31b is set to a light shielding film that is a predetermined dimension (pixels) away from the pattern edge, which is a changed portion of the transmission part and the light shielding film. The cross section AA ′ shown in FIG. 5 (a) is a transverse auxiliary line showing the light quantity distribution of the cross section in FIGS. 5 (b) to 5 (e) and FIGS. 6 (a) to 6 (d). is there.
図５（ｂ）は、第１の領域３１に光源６からの光が照射され、透過光学系８及び透過光ＴＤＩセンサ１１Ａを介して透過光センサアンプ１２Ａで生成された透過画像Ｔ１の光量分布を示す光量分布図である。この光量分布図の縦軸は透過光の光量（明るさ）であり、横軸は第１の領域３１の位置を示しており、以下に示す光量分布図においても同様である。 FIG. 5B shows the light amount distribution of the transmission image T1 generated by the transmission light sensor amplifier 12A through the transmission optical system 8 and the transmission light TDI sensor 11A when the first region 31 is irradiated with the light from the light source 6. FIG. The vertical axis of this light quantity distribution chart is the light quantity (brightness) of the transmitted light, and the horizontal axis shows the position of the first region 31, and the same applies to the light quantity distribution charts shown below.
図５（ｃ）は、第１の領域３１に光源６からの光が照射され、反射光学系９及び反射光ＴＤＩセンサ１１Ｂを介して反射光センサアンプ１２Ｂで生成された反射画像Ｈ１の光量分布を示している。 FIG. 5C shows the light amount distribution of the reflected image H1 generated by the reflected light sensor amplifier 12B through the reflected optical system 9 and the reflected light TDI sensor 11B when the first region 31 is irradiated with the light from the light source 6. Is shown.
図５（ｄ）は、図５（ｃ）で示す反射画像Ｈ１が監視回路１４に入力され、トーン反転振幅調整回路１４ｅで反転され振幅調整された反転反射画像ＨＨ１の光量分布を示している。この反転反射画像ＨＨ１は、監視回路１４に設けられている上記のアライメント手段により、透過画像Ｔ１との位置ずれが調整されたものとなっている。 FIG. 5D shows the light amount distribution of the inverted reflected image HH1 in which the reflected image H1 shown in FIG. 5C is input to the monitoring circuit 14, inverted by the tone inversion amplitude adjusting circuit 14e, and amplitude-adjusted. The reverse reflection image HH1 is adjusted in positional deviation from the transmission image T1 by the alignment means provided in the monitoring circuit 14.
図５（ｅ）は、差分回路１４ｆに、図５（ｂ）に示す透過画像Ｔ１と図５（ｄ）に示す反転反射画像ＨＨ１が入力され、差分処理された透過反射差分画像Ｓ１の光量分布を示している。 FIG. 5 (e) shows the light amount distribution of the transmission / reflection difference image S1 subjected to the difference processing by inputting the transmission image T1 shown in FIG. 5 (b) and the inverted reflection image HH1 shown in FIG. 5 (d) to the difference circuit 14f. Is shown.
図５（ｅ）に示すように透過反射差分画像Ｓ１の光量分布に設定された光量監視ポイントは、第１の光量監視ポイントＫ１と第２の光量監視ポイントＫ２を有する。第１の光量監視ポイントＫ１は、第１の光量監視領域３１ａに基づいており、第２の光量監視ポイントＫ２は、第２の光量監視領域３１ｂに基づいている。 As shown in FIG. 5E, the light quantity monitoring point set in the light quantity distribution of the transmission / reflection difference image S1 has a first light quantity monitoring point K1 and a second light quantity monitoring point K2. The first light quantity monitoring point K1 is based on the first light quantity monitoring area 31a, and the second light quantity monitoring point K2 is based on the second light quantity monitoring area 31b.
判定回路１４ｇでは、透過反射差分画像Ｓ１の光量分布に設定された上記の光量監視ポイントの光量と、予め定められたしきい値とを比較することで異常を判定する。 In the determination circuit 14g, an abnormality is determined by comparing the light amount of the light amount monitoring point set in the light amount distribution of the transmission / reflection difference image S1 with a predetermined threshold value.
すなわち、第１の光量監視ポイントＫ１の光量は、正常時の光量を基準とした基準値ＳＴより低く設定された第１のしきい値ＴＨ１と比較され、第２の光量監視ポイントＫ２の光量は、基準値ＳＴより低く設定された第２のしきい値ＴＨ２と比較され、且つ、基準値ＳＴより高く設定された第３のしきい値ＴＨ３と比較される。 That is, the light quantity at the first light quantity monitoring point K1 is compared with the first threshold value TH1 set lower than the reference value ST with the normal light quantity as a reference, and the light quantity at the second light quantity monitoring point K2 is The second threshold value TH2 set lower than the reference value ST is compared with the third threshold value TH3 set higher than the reference value ST.
図６は、異常時の光量分布を示す光量分布図である。図６（ａ）〜図６（ｄ）を用いて監視回路１４により異常が判定される一例について説明する。 FIG. 6 is a light amount distribution diagram showing the light amount distribution at the time of abnormality. An example in which an abnormality is determined by the monitoring circuit 14 will be described with reference to FIGS. 6 (a) to 6 (d).
図６（ａ）〜図６（ｄ）は、第１の領域３１において、光源からの光量の低下、透過部分の透過率異常、遮光膜の欠陥などにより透過光及び反射光が低下している場合、これら透過光及び反射光に基づいた光量分布を示す光量分布図である。 6A to 6D, in the first region 31, the transmitted light and the reflected light are decreased due to a decrease in the amount of light from the light source, an abnormality in the transmittance of the transmissive portion, a defect in the light shielding film, and the like. It is a light quantity distribution diagram which shows the light quantity distribution based on these transmitted light and reflected light.
図６（ａ）は、第１の領域３１に照射された光が透過され、透過光ＴＤＩセンサ１１Ａを介して透過光センサアンプ１２Ａで生成された透過画像Ｔ１ａの光量分布を示している。 FIG. 6A shows a light amount distribution of a transmission image T1a generated by the transmitted light sensor amplifier 12A through the transmitted light TDI sensor 11A through which the light irradiated to the first region 31 is transmitted.
図６（ａ）に示すように、第１の光量監視領域３１ａを透過した透過光に基づいた光量は、点線で示す基準値よりも低いものとなっている。一方、第２の光量監視領域３１ｂを透過した透過光に基づいた光量は、基準値と同等なものとなっている。 As shown in FIG. 6A, the light quantity based on the transmitted light that has passed through the first light quantity monitoring region 31a is lower than the reference value indicated by the dotted line. On the other hand, the light quantity based on the transmitted light that has passed through the second light quantity monitoring region 31b is equivalent to the reference value.
図６（ｂ）は、第１の領域３１に照射された光が反射され、反射光ＴＤＩセンサ１１Ｂを介して反射光センサアンプ１２Ｂで生成された反射画像Ｈ１ａの光量分布を示している。 FIG. 6B shows the light amount distribution of the reflected image H1a generated by the reflected light sensor amplifier 12B through the reflected light TDI sensor 11B, with the light irradiated on the first region 31 reflected.
図６（ｂ）に示すように、第２の光量監視領域３１ｂで反射した反射光に基づいた光量は、点線で示す基準値よりも低いものとなっている。一方、第１の光量監視領域３１ａで反射した反射光に基づいた光量は、基準値と同等なものとなっている。 As shown in FIG. 6B, the light amount based on the reflected light reflected by the second light amount monitoring region 31b is lower than the reference value indicated by the dotted line. On the other hand, the amount of light based on the reflected light reflected by the first light amount monitoring region 31a is equivalent to the reference value.
図６（ｃ）は、図６（ｂ）で示す反射画像Ｈ１ａが監視回路１４に入力され、トーン反転振幅調整回路１４ｅで反転され振幅調整された反転反射画像ＨＨ１ａの光量分布を示している。この反転反射画像ＨＨ１ａは、監視回路１４に設けられている上記のアライメント手段により、透過画像Ｔ１ａとの位置ずれが調整されたものとなっている。 FIG. 6C shows the light quantity distribution of the inverted reflection image HH1a in which the reflection image H1a shown in FIG. 6B is input to the monitoring circuit 14, inverted by the tone inversion amplitude adjustment circuit 14e, and amplitude-adjusted. This reverse reflection image HH1a is obtained by adjusting the positional deviation with respect to the transmission image T1a by the alignment means provided in the monitoring circuit 14.
図６（ｃ）に示す実線は、反射画像Ｈ１ａが反転された反転反射画像ＨＨ１ａの光量分布である。また、図６（ｃ）に示す破線は、基準値に基づく反射画像が反転された反転反射画像の光量分布である。 The solid line shown in FIG. 6C is the light amount distribution of the reverse reflection image HH1a obtained by inverting the reflection image H1a. Moreover, the broken line shown in FIG.6 (c) is the light quantity distribution of the reverse reflection image in which the reflection image based on the reference value was reversed.
図６（ｃ）に示すように、反転反射画像ＨＨ１ａでは、第２の光量監視領域３１ｂでの反射光に基づいて生成される部分の光量は、反射画像Ｈ１ａと比べ反転し、点線で示す基準値よりも高いものとなっている。一方、透過部分で形成されている第１の光量監視領域３１ａに基づいて生成されている部分の光量は、反射画像Ｈ１ａと同様に、基準値と同等なものとなっている。 As shown in FIG. 6C, in the reverse reflection image HH1a, the light amount of the portion generated based on the reflected light in the second light amount monitoring region 31b is reversed as compared with the reflected image H1a, and is indicated by a dotted line. It is higher than the value. On the other hand, the light amount of the portion generated based on the first light amount monitoring region 31a formed in the transmissive portion is equivalent to the reference value as in the reflected image H1a.
図６（ｄ）は、差分回路１４ｆに、図６（ａ）に示す透過画像Ｔ１ａと図６（ｃ）に示す反転反射画像ＨＨ１ａが入力され、差分処理された透過反射差分画像Ｓ１ａの光量分布を示している。すなわち、透過反射差分画像Ｓ１ａは、（透過画像Ｔ１ａ−反転反射画像ＨＨ１ａ）のレベル差に基づいて生成されている。 In FIG. 6D, the transmission circuit T1a shown in FIG. 6A and the inverted reflection image HH1a shown in FIG. 6C are input to the difference circuit 14f, and the light amount distribution of the transmission / reflection difference image S1a subjected to difference processing. Is shown. That is, the transmission / reflection difference image S1a is generated based on the level difference of (transmission image T1a−inverse reflection image HH1a).
図６（ｄ）に示すように、透過反射差分画像Ｓ１ａの光量分布には、第１の光量監視ポイントＫ１と第２の光量監視ポイントＫ２が設定されている。上記のとおり第１の光量監視ポイントＫ１は、第１の光量監視領域３１ａに基づいており、また、第２の光量監視ポイントＫ２は第２の光量監視領域３１ｂに基づいている。 As shown in FIG. 6D, a first light quantity monitoring point K1 and a second light quantity monitoring point K2 are set in the light quantity distribution of the transmission / reflection difference image S1a. As described above, the first light quantity monitoring point K1 is based on the first light quantity monitoring area 31a, and the second light quantity monitoring point K2 is based on the second light quantity monitoring area 31b.
判定回路１４ｇは、第１の光量監視ポイントＫ１での（透過画像Ｔ１ａ−反転反射画像ＨＨ１ａ）のレベル差と、第１のしきい値ＴＨ１を比較し、異常か否かを判定する。また、判定回路１４ｇは、第２の光量監視ポイントＫ２での（透過画像Ｔ１ａ−反転反射画像ＨＨ１ａ）のレベル差と、第２のしきい値ＴＨ２及び第３のしきい値ＴＨ３を比較し、異常か否かを判定する。 The determination circuit 14g compares the level difference of (transmission image T1a−reverse reflection image HH1a) at the first light quantity monitoring point K1 with the first threshold value TH1 to determine whether or not there is an abnormality. Further, the determination circuit 14g compares the level difference of (transmission image T1a−reverse reflection image HH1a) at the second light quantity monitoring point K2 with the second threshold value TH2 and the third threshold value TH3, Determine if it is abnormal.
上記のとおりダイ−ダイ比較回路１３では、第１のダイ（領域）と第２のダイ（領域）において、両ダイに共通して発生する輝度変化などに対応することができない。すなわち、ダイ−ダイ比較回路１３を用いてダイ−ダイ比較検査を行っているときに、光源６からの光量の低下、透過光異常などで透過画像が暗くなると、ダイ−ダイ比較では、この異常を判定できない。 As described above, the die-to-die comparison circuit 13 cannot cope with a luminance change or the like that occurs in common in both dies in the first die (region) and the second die (region). That is, when performing a die-to-die comparison inspection using the die-to-die comparison circuit 13, if the transmitted image becomes dark due to a decrease in the amount of light from the light source 6, an abnormal transmitted light, or the like, this abnormality is detected in the die-to-die comparison. Cannot be determined.
しかし、監視回路１４では、透過画像とトーン反転して振幅調整した反射画像との差分をとった評価用画像（透過反射差分画像）を生成することができ、光源光量低下あるいはマスクの透過率異常，さらには遮光膜の異物欠陥などを指摘することができる。 However, the monitoring circuit 14 can generate an evaluation image (transmission / reflection difference image) that takes the difference between the transmission image and the reflection image that has been tone-inverted and amplitude-adjusted. Furthermore, it is possible to point out foreign matter defects in the light shielding film.
監視回路１４では、上記の評価用画像を用いてマスク検査装置１００やマスク１の異常を判定するために、３つのしきい値を設定している。つまり遮光膜に欠陥がある場合、反射率が高くなる場合と低くなる場合が想定される。したがって、このような欠陥を判定するために第２のしきい値ＴＨ２と第３のしきい値ＴＨ３が設定されている。 In the monitoring circuit 14, three threshold values are set in order to determine abnormality of the mask inspection apparatus 100 and the mask 1 using the evaluation image. That is, when there is a defect in the light shielding film, it is assumed that the reflectance is high or low. Therefore, the second threshold value TH2 and the third threshold value TH3 are set in order to determine such a defect.
すなわち、第１のしきい値ＴＨ１を用いて透過部分の異常が判定され、第２のしきい値ＴＨ２と第３のしきい値ＴＨ３を用いて遮光膜の異常が判定される。なお、監視回路１４では、上記のとおり３つのしきい値が設定されているが、これに限定されず必要に応じて、しきい値を追加してもよい。 In other words, the abnormality of the transmission part is determined using the first threshold value TH1, and the abnormality of the light shielding film is determined using the second threshold value TH2 and the third threshold value TH3. In the monitoring circuit 14, three threshold values are set as described above, but the present invention is not limited to this, and threshold values may be added as necessary.
次に、マスク検査装置１００を用いてマスク１を検査する方法について説明する。図７は、マスク１に形成されたパターンの光学画像の取得手順を示す模式図である。 Next, a method for inspecting the mask 1 using the mask inspection apparatus 100 will be described. FIG. 7 is a schematic diagram showing a procedure for acquiring an optical image of a pattern formed on the mask 1.
図７に示すマスク１は、図１のステージ２の上に載置されているものとする。また、マスク１上の検査領域は、図７に示すように、短冊状の複数の検査領域、すなわち、ストライプ２０１，２０２，２０３，２０４，・・・に仮想的に分割されている。各ストライプは、例えば、幅が数百μｍであって、長さがマスク１のＸ方向またはＹ方向の全長に対応する１００ｍｍ程度の領域とすることができる。 Assume that the mask 1 shown in FIG. 7 is placed on the stage 2 of FIG. Further, as shown in FIG. 7, the inspection area on the mask 1 is virtually divided into a plurality of strip-shaped inspection areas, that is, stripes 20 1 , 20 2 , 20 3 , 20 4 ,. Yes. Each stripe can be, for example, a region having a width of several hundred μm and a length of about 100 mm corresponding to the entire length of the mask 1 in the X direction or the Y direction.
光学画像は、ストライプ毎に取得される。すなわち、図７で示す光学画像を取得する際には、各ストライプ２０１，２０２，２０３，２０４，・・・が連続的に走査されるようにステージ２の動作が制御される。具体的には、ステージ２が図７に示す−Ｘ方向に移動しながら、マスク１の光学画像が取得される。そして、透過光ＴＤＩセンサ１１Ａ及び反射光ＴＤＩセンサ１１Ｂに、図７に示すような走査幅Ｗの画像が連続的に入力される。 An optical image is acquired for each stripe. That is, when the optical image shown in FIG. 7 is acquired, the operation of the stage 2 is controlled so that each of the stripes 20 1 , 20 2 , 20 3 , 20 4 ,. Specifically, an optical image of the mask 1 is acquired while the stage 2 moves in the −X direction shown in FIG. Then, an image having a scanning width W as shown in FIG. 7 is continuously input to the transmitted light TDI sensor 11A and the reflected light TDI sensor 11B.
すなわち、第１のストライプ２０１における画像を取得した後、第２のストライプ２０２における画像が取得される。この場合、ステージ２が−Ｙ方向にステップ移動した後、第１のストライプ２０１における画像の取得時の方向（−Ｘ方向）とは逆方向（Ｘ方向）に移動しながら光学画像が取得され、走査幅Ｗの画像が、透過光ＴＤＩセンサ１１Ａ及び反射光ＴＤＩセンサ１１Ｂに連続的に入力される。 That is, after acquiring the image in the first stripe 20 1, an image is acquired in the second stripe 20 2. In this case, after the stage 2 is moved stepwise in the -Y direction, and the first stripes 20 in one direction at the time of acquisition of the image in the (-X direction) optical image is acquired while moving in the opposite direction (X-direction) The image having the scanning width W is continuously input to the transmitted light TDI sensor 11A and the reflected light TDI sensor 11B.
また、第３のストライプ２０３における画像を取得する場合には、ステージ２が−Ｙ方向にステップ移動した後、第２のストライプ２０２における画像を取得する方向（Ｘ方向）とは逆方向、すなわち、第１のストライプ２０１における画像を取得した方向（−Ｘ方向）にステージ２が移動する。なお、図７の矢印は、光学画像が取得される方向と順序を示しており、ハッチングされた部分は、光学画像の取得が済んだ領域を示している。 Further, when acquiring an image of the third stripes 20 3, after the stage 2 is moved stepwise in the -Y direction, and the direction (X direction) to obtain the image in the second stripe 20 second reverse, that is, the stage 2 is moved in the direction (-X direction) acquired the image in the first stripe 20 1. In addition, the arrow of FIG. 7 has shown the direction and order where an optical image is acquired, and the hatched part has shown the area | region which acquired the optical image.
図１に示す透過光ＴＤＩセンサ１１Ａ及び反射光ＴＤＩセンサ１１Ｂに結像したパターンの像は、光電変換され、さらに透過光センサアンプ１２Ａ及び反射光センサアンプ１２ＢによってＡ／Ｄ（アナログデジタル）変換される。その後、Ａ／Ｄ変換されたセンサデータ（透過画像及び反射画像）は、透過光センサアンプ１２Ａ及び反射光センサアンプ１２Ｂからダイ−ダイ比較回路１３及び監視回路１４のそれぞれに送られる。 The pattern image formed on the transmitted light TDI sensor 11A and the reflected light TDI sensor 11B shown in FIG. 1 is photoelectrically converted and further A / D (analog-digital) converted by the transmitted light sensor amplifier 12A and the reflected light sensor amplifier 12B. The Thereafter, the A / D converted sensor data (transmission image and reflection image) is sent from the transmission light sensor amplifier 12A and the reflection light sensor amplifier 12B to the die-to-die comparison circuit 13 and the monitoring circuit 14, respectively.
以上述べた本実施形態のマスク検査装置及びマスク検査方法によれば、透過光学系で採取された透過光による透過画像と、反射光学系で採取された反射光による反射画像を併用するダイ−ダイ比較検査において、光源からの光量の低下あるいはマスクの透過率異常、さらにはマスクの異物欠陥などを、監視回路１４で検知し監視することができる。 According to the mask inspection apparatus and mask inspection method of the present embodiment described above, a die-die that uses both a transmission image obtained by transmitted light collected by a transmission optical system and a reflection image obtained by reflected light collected by a reflection optical system. In the comparative inspection, the monitoring circuit 14 can detect and monitor a decrease in the amount of light from the light source, an abnormality in the transmittance of the mask, and a foreign substance defect in the mask.
すなわち、第１のしきい値を用いて光源からの光量の低下又はマスクの透過率異常が判定され、第２のしきい値と第３のしきい値を用いて遮光膜の異常が判定される。このように本実施形態では、ダイ−ダイ比較検査において両ダイに共通して起き得る輝度変化などの検知を行うことがきる。 That is, a decrease in the amount of light from the light source or an abnormality in the transmittance of the mask is determined using the first threshold value, and an abnormality in the light shielding film is determined using the second threshold value and the third threshold value. The As described above, in the present embodiment, it is possible to detect a luminance change or the like that may occur in common between both dies in the die-to-die comparison inspection.
本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々変形して実施することができる。 The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
また、上記実施の形態では、装置構成や制御手法など、本発明の説明に直接必要としない部分についての記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いてもよい。その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更し得る全ての検査装置または検査方法は、本発明の範囲に包含される。 Further, in the above embodiment, description of parts that are not directly required for the description of the present invention, such as the device configuration and control method, is omitted, but the required device configuration and control method may be appropriately selected and used. Good. In addition, all inspection apparatuses or inspection methods that include elements of the present invention and that can be appropriately modified by those skilled in the art are included in the scope of the present invention.
１００ マスク検査装置
１ マスク
２ ステージ
３ オートローダ制御回路
３Ａ オートローダ
４ ステージ制御回路
４Ａ，４Ｂ，４Ｃ モータ
５ レーザ測長手段
５Ａ 位置回路
６ 光源
７ ビームスプリッタ
８ 透過光学系
９ 反射光学系
１１Ａ 透過光ＴＤＩセンサ
１１Ｂ 反射光ＴＤＩセンサ
１２Ａ 透過光センサアンプ
１２Ｂ 反射光センサアンプ
１３ ダイ−ダイ比較回路
１４ 監視回路
２０ 制御計算機
２１ 記憶装置
２２ 表示装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Mask inspection apparatus 1 Mask 2 Stage 3 Autoloader control circuit 3A Autoloader 4 Stage control circuit 4A, 4B, 4C Motor 5 Laser length measuring means 5A Position circuit 6 Light source 7 Beam splitter 8 Transmission optical system 9 Reflection optical system 11A Transmission light TDI sensor 11B Reflected light TDI sensor 12A Transmitted light sensor amplifier 12B Reflected light sensor amplifier 13 Die-to-die comparison circuit 14 Monitor circuit 20 Control computer 21 Storage device 22 Display device
Claims (6)
前記マスクに光を照射する光照射手段と、
前記光を前記マスクに透過させる透過光学系と、
前記光を前記マスクで反射させる反射光学系と、
前記透過した透過光の光量信号を検出する透過光画像センサと、
前記反射した反射光の光量信号を検出する反射光画像センサと、
前記透過光画像センサの各画素の出力を画素毎に増幅し、透過画像を生成する透過光センサアンプと、
前記反射光画像センサの各画素の出力を画素毎に増幅し、反射画像を生成する反射光センサアンプと、
前記マスクの繰り返し領域の第１の領域から生成された前記透過画像と、前記第１の領域とは異なる第２の領域から生成された前記透過画像とを比較し、且つ、前記第１の領域から生成された前記反射画像と、前記第２の領域から生成された前記反射画像とを比較することにより、前記マスクのパターンの欠陥を判定するダイ−ダイ比較手段と、
前記反射画像をトーン反転して振幅調整した反転反射画像を生成し、前記透過画像と前記反転反射画像との差分に基づいた透過反射差分画像を生成し、前記透過反射差分画像に設定された光量監視ポイントの光量と、予め定められたしきい値とを比較することにより、異常を判定する監視手段とを備え、
前記光量監視ポイントは、前記繰り返し領域に設定された光量監視領域に基づいて設定されることを特徴とするマスク検査装置。 Driving means for driving a stage for holding a mask on which a pattern is formed;
A light irradiation means for irradiating the mask with light;
A transmission optical system that transmits the light to the mask;
A reflective optical system for reflecting the light by the mask;
A transmitted light image sensor for detecting a light amount signal of the transmitted light, and
A reflected light image sensor for detecting a light amount signal of the reflected reflected light;
A transmitted light sensor amplifier that amplifies the output of each pixel of the transmitted light image sensor for each pixel and generates a transmitted image;
A reflected light sensor amplifier that amplifies the output of each pixel of the reflected light image sensor for each pixel and generates a reflected image;
The transparent image generated from the first region of the repeated region of the mask is compared with the transparent image generated from a second region different from the first region, and the first region A die-to-die comparing means for determining a defect in the pattern of the mask by comparing the reflected image generated from the second image and the reflected image generated from the second region;
The reflection image is generated by inverting the tone of the reflection image and adjusting the amplitude, generating a transmission reflection difference image based on the difference between the transmission image and the reflection reflection image, and the light amount set in the transmission reflection difference image A monitoring means for determining an abnormality by comparing the amount of light at the monitoring point with a predetermined threshold;
The mask inspection apparatus, wherein the light quantity monitoring point is set based on a light quantity monitoring area set in the repetition area.
前記光量監視ポイントは、第１の光量監視ポイントと第２の光量監視ポイントを有し、前記第１の光量監視ポイントは、前記第１の光量監視領域に基づいて設定され、前記第２の光量監視ポイントは、前記第２の光量監視領域に基づいて設定され、
前記第１の光量監視ポイントの光量は、基準値より低く設定された第１のしきい値と比較され、前記第２の光量監視ポイントの光量は、基準値より低く設定された第２のしきい値と比較され、且つ、基準値より高く設定された第３のしきい値と比較されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のマスク検査装置。 The light amount monitoring region has a first light amount monitoring region set in the transmission portion and a second light amount monitoring region set in the portion formed of the light shielding film,
The light quantity monitoring point has a first light quantity monitoring point and a second light quantity monitoring point, and the first light quantity monitoring point is set based on the first light quantity monitoring area, and the second light quantity monitoring point is set. The monitoring point is set based on the second light quantity monitoring area,
The light quantity of the first light quantity monitoring point is compared with a first threshold value set lower than a reference value, and the light quantity of the second light quantity monitoring point is set to be lower than the reference value. 3. The mask inspection apparatus according to claim 1, wherein the mask inspection apparatus is compared with a threshold value and compared with a third threshold value set higher than a reference value.
前記画像センサの各画素の出力を画素毎に透過センサアンプで増幅し透過画像を生成し、前記反射画像センサの各画素の出力を画素毎に反射センサアンプで増幅し反射画像を生成し、前記マスクに形成されたパターンの欠陥検査を行うマスク検査方法であって、
前記マスクの繰り返し領域の第１の領域から生成された前記透過画像と、前記第１の領域とは異なる第２の領域から生成された前記透過画像とを比較し、前記第１の領域から生成された前記反射画像と、前記第２の領域から生成された前記反射画像とを比較することにより、前記マスクのパターンの欠陥を判定するステップと、
前記反射画像をトーン反転して振幅調整した反転反射画像を生成し、前記透過画像と前記反転反射画像との差分に基づいた透過反射差分画像を生成し、前記透過反射差分画像に設定された光量監視ポイントの光量と、予め定められたしきい値を比較することにより、異常を判定するステップと、
を含むことを特徴とするマスク検査方法。 The light from the light source is irradiated onto the mask, the transmitted light transmitted through the mask is imaged on the transmitted image sensor, the reflected light reflected by the mask is imaged on the reflected image sensor, and the transmitted image sensor and the reflected image sensor Is moved relative to the mask,
The output of each pixel of the image sensor is amplified with a transmission sensor amplifier for each pixel to generate a transmission image, and the output of each pixel of the reflection image sensor is amplified with a reflection sensor amplifier for each pixel to generate a reflection image, A mask inspection method for inspecting a defect of a pattern formed on a mask,
The transmission image generated from the first region of the repeated region of the mask is compared with the transmission image generated from a second region different from the first region, and generated from the first region. Determining a defect in the mask pattern by comparing the reflected image generated with the reflected image generated from the second region;
The reflection image is generated by inverting the tone of the reflection image and adjusting the amplitude, generating a transmission reflection difference image based on the difference between the transmission image and the reflection reflection image, and the light amount set in the transmission reflection difference image A step of determining an abnormality by comparing the amount of light at the monitoring point with a predetermined threshold;
A mask inspection method comprising:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014117454A JP6373074B2 (en) | 2014-06-06 | 2014-06-06 | Mask inspection apparatus and mask inspection method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014117454A JP6373074B2 (en) | 2014-06-06 | 2014-06-06 | Mask inspection apparatus and mask inspection method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015230273A true JP2015230273A (en) | 2015-12-21 |
| JP6373074B2 JP6373074B2 (en) | 2018-08-15 |
Family
ID=54887103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014117454A Active JP6373074B2 (en) | 2014-06-06 | 2014-06-06 | Mask inspection apparatus and mask inspection method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6373074B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200041779A (en) * | 2018-10-12 | 2020-04-22 | 캐논 가부시끼가이샤 | Foreign substance detection apparatus, exposure apparatus and manufacturing method of article |
| CN113686897A (en) * | 2021-08-05 | 2021-11-23 | 江苏维普光电科技有限公司 | Mask surface particle defect detection method |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7432824B2 (en) | 2020-09-15 | 2024-02-19 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | refrigerator |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58162038A (en) * | 1982-03-23 | 1983-09-26 | Canon Inc | Pattern defect detection apparatus |
| JP2000321038A (en) * | 1999-05-13 | 2000-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method for detecting fault of pattern |
| JP2003107670A (en) * | 2001-09-27 | 2003-04-09 | Toshiba Corp | Defect inspecting device |
| JP2003287875A (en) * | 2002-01-24 | 2003-10-10 | Hitachi Ltd | Method of manufacturing mask and method of manufacturing semiconductor integrated circuit device |
| JP2006072147A (en) * | 2004-09-03 | 2006-03-16 | Lasertec Corp | Inspection device, inspection method, and manufacturing method of pattern substrate |
| US20090284591A1 (en) * | 2008-05-16 | 2009-11-19 | Nuflare Technology, Inc. | Reticle defect inspection apparatus and reticle defect inspection method |
-
2014
- 2014-06-06 JP JP2014117454A patent/JP6373074B2/en active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58162038A (en) * | 1982-03-23 | 1983-09-26 | Canon Inc | Pattern defect detection apparatus |
| JP2000321038A (en) * | 1999-05-13 | 2000-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method for detecting fault of pattern |
| JP2003107670A (en) * | 2001-09-27 | 2003-04-09 | Toshiba Corp | Defect inspecting device |
| JP2003287875A (en) * | 2002-01-24 | 2003-10-10 | Hitachi Ltd | Method of manufacturing mask and method of manufacturing semiconductor integrated circuit device |
| JP2006072147A (en) * | 2004-09-03 | 2006-03-16 | Lasertec Corp | Inspection device, inspection method, and manufacturing method of pattern substrate |
| US20090284591A1 (en) * | 2008-05-16 | 2009-11-19 | Nuflare Technology, Inc. | Reticle defect inspection apparatus and reticle defect inspection method |
| JP2009300426A (en) * | 2008-05-16 | 2009-12-24 | Nuflare Technology Inc | Reticle defect inspection device and reticle defect inspection method |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200041779A (en) * | 2018-10-12 | 2020-04-22 | 캐논 가부시끼가이샤 | Foreign substance detection apparatus, exposure apparatus and manufacturing method of article |
| KR102634513B1 (en) * | 2018-10-12 | 2024-02-07 | 캐논 가부시끼가이샤 | Foreign substance detection apparatus, exposure apparatus and manufacturing method of article |
| CN113686897A (en) * | 2021-08-05 | 2021-11-23 | 江苏维普光电科技有限公司 | Mask surface particle defect detection method |
| CN113686897B (en) * | 2021-08-05 | 2023-11-03 | 江苏维普光电科技有限公司 | Mask surface particle defect detection method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP6373074B2 (en) | 2018-08-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI587082B (en) | Mask inspection device, mask evaluation method and mask evaluation system | |
| JP6251647B2 (en) | Mask inspection apparatus and mask inspection method | |
| US9495740B2 (en) | Mask inspection apparatus and mask inspection method | |
| JP6047418B2 (en) | Inspection method and inspection apparatus | |
| JP6220521B2 (en) | Inspection device | |
| US9557277B2 (en) | Inspection apparatus and inspection method | |
| TWI678592B (en) | Inspection method and inspection device | |
| JP6364193B2 (en) | Focus position adjustment method and inspection method | |
| JP2009300426A (en) | Reticle defect inspection device and reticle defect inspection method | |
| KR101698891B1 (en) | Mask inspection device and mask inspection method | |
| JP6633918B2 (en) | Pattern inspection equipment | |
| JP2017009379A (en) | Inspection device and method for inspection | |
| JP2016145887A (en) | Inspection device and method | |
| JP2017090133A (en) | Inspection device and inspection method | |
| JP2012002676A (en) | Mask defect checking device and mask defect checking method | |
| JP6373074B2 (en) | Mask inspection apparatus and mask inspection method | |
| JP5635309B2 (en) | Inspection apparatus and inspection method | |
| TWI655496B (en) | Reference image confirmation method, photomask detection method, and photomask detection device | |
| JP2007205828A (en) | Optical image acquisition device, pattern inspection device, optical image acquisition method, and pattern inspection method | |
| JP6220553B2 (en) | Focus position adjustment method and inspection method | |
| JP4554661B2 (en) | Pattern inspection apparatus, pattern inspection method, and program | |
| JP2015105897A (en) | Inspection method of mask pattern | |
| JP4715955B2 (en) | Mask inspection method and mask inspection apparatus | |
| JP6513582B2 (en) | Mask inspection method and mask inspection apparatus | |
| US8797525B2 (en) | Pattern inspection apparatus and pattern inspection method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20160712 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20160729 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170117 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20171128 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171205 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180205 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180619 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180717 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6373074 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |