JP2017116719A - Light emitter and luminaire - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress size increase of a light emitter and enhance heat radiation efficiency on the light emitter.SOLUTION: A light emitter 4 comprises: a phosphor layer 43 containing at least one kind of a phosphor (phosphor particle 431); a substrate 41 having heat conductivity higher than that of the phosphor layer 43, on whose one main surface 411 the phosphor layer 43 is arranged; and a joint part 42 interposed between the phosphor layer 43 and the substrate 41 for metal jointing the phosphor layer 43 and the substrate 41. A through hole 5 continuous to a direction crossing the main surface 411 of the substrate 41 is formed on the substrate 41 and the joint part 42. The through hole 5 excites the phosphor, so that the through hole serves as a light path of an excitation light entering from the substrate 41 side.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、基板上に蛍光体層が積層された発光素子およびこれを備える照明装置に関する。   The present invention relates to a light emitting element in which a phosphor layer is laminated on a substrate, and an illumination device including the same.

従来、基板上に蛍光体層が積層された発光素子に対して、導光部材により伝送されるレーザー光を励起光として照射することにより、蛍光体層を発光させ、所望の光色に変換して照明する照明装置がある(例えば特許文献1参照)。   Conventionally, a phosphor layer is irradiated with a laser beam transmitted by a light guide member as excitation light to a light emitting element in which a phosphor layer is laminated on a substrate, so that the phosphor layer emits light and is converted into a desired light color. There is an illuminating device for illuminating (see, for example, Patent Document 1).

特開2015−65142号公報Japanese Patent Laying-Open No. 2015-65142

近年、蛍光体層で発生する熱をより効率的に放熱することが望まれている。発光素子を大きくして放熱面積を高めることも考えられるが照明装置自体の大型化を招くことになり好ましくない。   In recent years, it has been desired to more efficiently dissipate heat generated in the phosphor layer. Although it is conceivable to increase the heat dissipation area by enlarging the light emitting element, it is not preferable because the lighting device itself is increased in size.

そこで本発明は、発光素子の大型化を抑えつつ、発光素子における放熱効率を高めることを目的とする。   In view of the above, an object of the present invention is to increase heat dissipation efficiency in a light emitting element while suppressing an increase in size of the light emitting element.

本発明の一態様に係る発光素子は、少なくとも一種類の蛍光体を含む蛍光体層と、蛍光体層よりも熱伝導率の高い基板であって、蛍光体層が1つの主面側に配置された基板と、蛍光体層と基板との間に介在して蛍光体層と基板とを金属接合する接合部とを備え、基板と接合部とには、基板の主面に交差する方向に連続する貫通孔が形成されており、貫通孔は、蛍光体を励起させるための、基板側から入射する励起光の光路である。   A light-emitting element according to one embodiment of the present invention includes a phosphor layer including at least one kind of phosphor and a substrate having higher thermal conductivity than the phosphor layer, and the phosphor layer is disposed on one main surface side. And a bonding portion that is interposed between the phosphor layer and the substrate and metal-bonds the phosphor layer and the substrate, and the substrate and the bonding portion are arranged in a direction intersecting the main surface of the substrate. A continuous through hole is formed, and the through hole is an optical path of excitation light incident from the substrate side for exciting the phosphor.

本発明によれば、発光素子の大型化を抑えつつ、発光素子における放熱効率を高めることができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the thermal radiation efficiency in a light emitting element can be improved, suppressing the enlargement of a light emitting element.

実施の形態に係る照明装置の概略構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows schematic structure of the illuminating device which concerns on embodiment. 実施の形態に係る発光素子の概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of the light emitting element which concerns on embodiment. 実施の形態に係る発光素子の組み立て前の状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state before the assembly of the light emitting element which concerns on embodiment. 変形例1に係る発光素子の概略構成を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a light emitting element according to Modification 1. 変形例2に係る発光素子の概略構成を示す断面図である。12 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a light emitting device according to Modification 2. FIG. 変形例3に係る発光素子の概略構成を示す断面図である。14 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a light emitting device according to Modification 3. FIG. 変形例4に係る発光素子の概略構成を示す断面図である。14 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a light-emitting element according to Modification 4. FIG.

以下では、本発明の実施の形態に係る発光素子について、図面を用いて説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。従って、以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置及び接続形態等は、一例であり、本発明を限定する趣旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。   Below, the light emitting element which concerns on embodiment of this invention is demonstrated using drawing. Note that each of the embodiments described below shows a preferred specific example of the present invention. Therefore, the numerical values, shapes, materials, components, arrangement of components, connection forms, and the like shown in the following embodiments are merely examples, and are not intended to limit the present invention. Therefore, among the constituent elements in the following embodiments, constituent elements that are not described in the independent claims showing the highest concept of the present invention are described as optional constituent elements.

また、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。また、各図において、同じ構成部材については同じ符号を付している。   Each figure is a mimetic diagram and is not necessarily illustrated strictly. Moreover, in each figure, the same code | symbol is attached | subjected about the same structural member.

以下、実施の形態について説明する。   Hereinafter, embodiments will be described.

[照明装置]
まず、実施の形態に係る照明装置について説明する。
[Lighting device]
First, the illumination device according to the embodiment will be described.

図1は、実施の形態に係る照明装置の概略構成を示す模式図である。   FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a schematic configuration of a lighting apparatus according to an embodiment.

図1に示すように、照明装置1は、光源部2と、導光部材3と、発光素子4とを備える。   As shown in FIG. 1, the lighting device 1 includes a light source unit 2, a light guide member 3, and a light emitting element 4.

光源部2は、レーザー光を発生させ、例えば光ファイバーなどの導光部材3を介して発光素子4にレーザー光を供給する装置である。例えば、光源部2は、青紫〜青色(430〜490nm)の波長のレーザー光を放射する半導体レーザー素子である。   The light source unit 2 is a device that generates laser light and supplies the laser light to the light emitting element 4 via a light guide member 3 such as an optical fiber. For example, the light source unit 2 is a semiconductor laser element that emits laser light having a wavelength of bluish purple to blue (430 to 490 nm).

発光素子4は、導光部材3から伝送され、当該発光素子4の背面側から照射されたレーザー光を励起光として、白色光を表面側に放射する発光素子である。   The light emitting element 4 is a light emitting element that emits white light to the front surface side using the laser light transmitted from the light guide member 3 and irradiated from the back side of the light emitting element 4 as excitation light.

[発光素子]
以下、発光素子4について詳細に説明する。
[Light emitting element]
Hereinafter, the light emitting element 4 will be described in detail.

図2は、実施の形態に係る発光素子4の概略構成を示す断面図である。   FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of the light-emitting element 4 according to the embodiment.

図2に示すように、発光素子4は、基板41と、接合部42と、蛍光体層43とを備えている。   As shown in FIG. 2, the light emitting element 4 includes a substrate 41, a bonding portion 42, and a phosphor layer 43.

基板41は、平面視形状が例えば矩形状或いは円形状の基板である。そして基板41は、蛍光体層43よりも熱伝導率の高い基板である。これにより、蛍光体層43から伝導した熱を基板41から効率的に放熱できるようになっている。具体的には、基板41は、Cu、Alなどの金属材料から形成されている。なお、基板41は、蛍光体層43よりも熱伝導率が高いのであれば、金属材料以外から形成されていてもよい。金属材料以外の材料としては、ガラス、サファイアなどが挙げられる。また、より放熱性を高めるべく、基板41に対して、例えば鏡面ヒートシンクなどのヒートシンクを当接して取り付けていてもよい。   The substrate 41 is a substrate whose planar view shape is, for example, a rectangular shape or a circular shape. The substrate 41 is a substrate having higher thermal conductivity than the phosphor layer 43. Thereby, the heat conducted from the phosphor layer 43 can be efficiently radiated from the substrate 41. Specifically, the substrate 41 is made of a metal material such as Cu or Al. The substrate 41 may be made of a material other than a metal material as long as it has a higher thermal conductivity than the phosphor layer 43. Examples of the material other than the metal material include glass and sapphire. In addition, a heat sink such as a mirror surface heat sink may be in contact with and attached to the substrate 41 in order to further improve heat dissipation.

蛍光体層43は、接合部42を介して基板41の1つの主面411側に配置されている。蛍光体層43は、平面視形状が基板41と同じ形状に形成されている。また、蛍光体層43は、例えば、レーザー光によって励起されて蛍光を発する蛍光体の粒子(蛍光体粒子431)を分散状態で備えており、レーザー光の照射により蛍光体粒子431が蛍光を発する。このため、蛍光体層43の外方の主面が発光面となる。   The phosphor layer 43 is disposed on one main surface 411 side of the substrate 41 with the joint portion 42 interposed therebetween. The phosphor layer 43 is formed in the same shape as the substrate 41 in plan view. The phosphor layer 43 includes, for example, phosphor particles (phosphor particles 431) that emit fluorescence when excited by laser light in a dispersed state, and the phosphor particles 431 emit fluorescence when irradiated with laser light. . For this reason, the outer main surface of the phosphor layer 43 becomes a light emitting surface.

本実施の形態の場合、蛍光体層43は白色光を放射するものであり、レーザー光の照射によって赤色を発光する第一蛍光体、青色を発光する第二蛍光体、緑色を発光する第三蛍光体の3種類の蛍光体粒子が適切な割合で含まれている。   In the case of the present embodiment, the phosphor layer 43 emits white light, and a first phosphor that emits red light, a second phosphor that emits blue light, and a third phosphor that emits green light. Three types of phosphor particles of the phosphor are included at an appropriate ratio.

蛍光体の種類および特性は特に限定されるものではないが、比較的高い出力のレーザー光が励起光となるため、熱耐性が高いものが望ましい。また、蛍光体を分散状態で保持する基材の種類は特に限定されるものではないが、励起光の波長および蛍光体から発光する光の波長に対して透明性の高い基材であることが望ましい。具体的には、ガラス又はセラミックなどからなる基材が挙げられる。   The type and characteristics of the phosphor are not particularly limited. However, since a relatively high-power laser beam serves as excitation light, it is desirable to have a high heat resistance. In addition, the type of the substrate that holds the phosphor in a dispersed state is not particularly limited, but the substrate should be highly transparent with respect to the wavelength of the excitation light and the wavelength of the light emitted from the phosphor. desirable. Specifically, the base material which consists of glass or ceramics is mentioned.

また、蛍光体層43は、1種類の蛍光体による多結晶体又は単結晶体であってもよい。   Further, the phosphor layer 43 may be a polycrystal or a single crystal made of one kind of phosphor.

接合部42は、第1電極層421と、第2電極層422と、金属接合層423とを備えている。   The bonding part 42 includes a first electrode layer 421, a second electrode layer 422, and a metal bonding layer 423.

第1電極層421は、基板41における蛍光体層43側の主面411に積層されている。第1電極層421は、例えばAu、Ag、Ni、Pd、Tiなどの金属材料から形成されている。第1電極層421は、例えばスパッタリング、メッキなどの周知の製膜方法によって、基板41の主面411に金属材料を製膜することにより形成されている。   The first electrode layer 421 is stacked on the main surface 411 of the substrate 41 on the phosphor layer 43 side. The first electrode layer 421 is made of a metal material such as Au, Ag, Ni, Pd, Ti, for example. The first electrode layer 421 is formed by forming a metal material on the main surface 411 of the substrate 41 by a known film forming method such as sputtering or plating.

第2電極層422は、蛍光体層43における基板41側の主面432に積層されている。第2電極層422は、例えばAu、Ag、Ni、Pd、Tiなどの金属材料から形成されている。第2電極層422は、例えばスパッタリング、メッキなどの製膜方法によって、蛍光体層43の主面432に金属材料を製膜することにより形成されている。   The second electrode layer 422 is stacked on the main surface 432 of the phosphor layer 43 on the substrate 41 side. The second electrode layer 422 is made of a metal material such as Au, Ag, Ni, Pd, Ti, for example. The second electrode layer 422 is formed by depositing a metal material on the main surface 432 of the phosphor layer 43 by a film forming method such as sputtering or plating.

金属接合層423は、第1電極層421における蛍光体層43側の主面4211および第2電極層422における基板41側の主面4221に積層されている。金属接合層423は、金属接合可能な金属材料により形成されている。金属接合可能な金属材料とは、例えばAuSn系、AuGe系、SnAgCu系のはんだ材料などが挙げられる。   The metal bonding layer 423 is laminated on the main surface 4211 on the phosphor layer 43 side in the first electrode layer 421 and the main surface 4221 on the substrate 41 side in the second electrode layer 422. The metal bonding layer 423 is formed of a metal material capable of metal bonding. Examples of metal materials that can be metal-bonded include AuSn-based, AuGe-based, and SnAgCu-based solder materials.

ここで、発光素子4の組み立て前の状態について説明する。   Here, the state before the assembly of the light emitting element 4 will be described.

図3は、実施の形態に係る発光素子4の組み立て前の状態を示す断面図である。   FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a state before assembly of the light-emitting element 4 according to the embodiment.

図3に示すように、発光素子4の組み立て前においては、基板41に対して第1電極層421が予め一体化されていて、蛍光体層43に対して第2電極層422およびはんだ材料423aが予め一体化されている。そして、はんだ材料423aに対して第1電極層421を当接させてから、加熱によりはんだ材料423aを溶かして、第1電極層421と第2電極層422とを金属接合する。これにより、はんだ材料が、第1電極層421と第2電極層422との間に介在され、第1電極層421と第2電極層422とを接合する金属接合層423となる。   As shown in FIG. 3, before the light emitting element 4 is assembled, the first electrode layer 421 is integrated with the substrate 41 in advance, and the second electrode layer 422 and the solder material 423a are combined with the phosphor layer 43. Are integrated in advance. Then, after the first electrode layer 421 is brought into contact with the solder material 423a, the solder material 423a is melted by heating, and the first electrode layer 421 and the second electrode layer 422 are metal-bonded. As a result, the solder material is interposed between the first electrode layer 421 and the second electrode layer 422, thereby forming the metal bonding layer 423 that bonds the first electrode layer 421 and the second electrode layer 422.

なお、発光素子4の組み立て前において、はんだ材料423aは、第2電極層422に予め一体化されていてもよい。また、はんだ材料423aは、第1電極層421および第2電極層422とは別体であって組み立て時に第1電極層421および第2電極層422に取り付けられてもよい。   Before assembling the light emitting element 4, the solder material 423 a may be integrated with the second electrode layer 422 in advance. Further, the solder material 423a may be a separate body from the first electrode layer 421 and the second electrode layer 422, and may be attached to the first electrode layer 421 and the second electrode layer 422 at the time of assembly.

そして、金属接合後においては、図2に示すように基板41および接合部42に対して、基板41の主面411の法線方向に連続する貫通孔5が形成されている。この貫通孔5は、蛍光体層43の蛍光体粒子431を励起させるため、基板41側から入射するレーザー光の光路となる。なお、貫通孔5は、金属接合後に形成されなくとも、金属接合前に基板41、第1電極層421、はんだ材料423a及び第2電極層422に予め形成していてもよい。   After metal bonding, as shown in FIG. 2, through-holes 5 that are continuous in the normal direction of the main surface 411 of the substrate 41 are formed in the substrate 41 and the bonding portion 42. The through hole 5 serves as an optical path for laser light incident from the substrate 41 side in order to excite the phosphor particles 431 of the phosphor layer 43. Note that the through hole 5 may not be formed after metal bonding, but may be formed in advance in the substrate 41, the first electrode layer 421, the solder material 423a, and the second electrode layer 422 before metal bonding.

ここで、貫通孔5は、主面411に交差する方向ならば如何なる方向に連続していてもよい。また、貫通孔5は、レーザー光の進行を妨げないのであれば如何なる形状であってもよい。   Here, the through hole 5 may be continuous in any direction as long as it intersects the main surface 411. Further, the through hole 5 may have any shape as long as it does not hinder the progress of the laser beam.

[照明装置の動作]
次に、照明装置1の動作について説明する。
[Operation of lighting device]
Next, operation | movement of the illuminating device 1 is demonstrated.

光源部2から導光部材3を介してレーザー光が発光素子4の貫通孔5内に照射されると、レーザー光は貫通孔5を通過して蛍光体層43に進入する。蛍光体層43内で蛍光体粒子431に当たったレーザー光は、蛍光体粒子431によって白色光に変換されて、蛍光体層43から放射される。   When laser light is irradiated from the light source unit 2 through the light guide member 3 into the through hole 5 of the light emitting element 4, the laser light passes through the through hole 5 and enters the phosphor layer 43. Laser light hitting the phosphor particles 431 in the phosphor layer 43 is converted into white light by the phosphor particles 431 and emitted from the phosphor layer 43.

レーザー光の照射中においては、蛍光体粒子431は発熱するが、その熱は、接合部42を介して、基板41に伝わって放熱される。   During the irradiation of the laser light, the phosphor particles 431 generate heat, but the heat is transmitted to the substrate 41 through the bonding portion 42 and radiated.

[効果など]
以上のように、本実施の形態によれば、照明装置1は、発光素子4と、発光素子4の蛍光体粒子431を励起するための励起光を照射する光源部2とを備えている。そして、発光素子4は、少なくとも一種類の蛍光体粒子431を含む蛍光体層43と、蛍光体層43よりも熱伝導率が高く、蛍光体層43が1つの主面411側に配置された基板41と、蛍光体層43と基板41との間に介在して蛍光体層43と基板41とを金属接合するための接合部42とを備えている。基板41と接合部42とには、基板41の主面411に交差する方向に連続する貫通孔5が形成されている。貫通孔5は、蛍光体粒子431を励起させるため、基板41側から入射するレーザー光の光路となる。
[Effects, etc.]
As described above, according to the present embodiment, the illumination device 1 includes the light emitting element 4 and the light source unit 2 that emits excitation light for exciting the phosphor particles 431 of the light emitting element 4. The light emitting element 4 has a phosphor layer 43 including at least one kind of phosphor particles 431 and a higher thermal conductivity than the phosphor layer 43, and the phosphor layer 43 is arranged on one main surface 411 side. A substrate 41 and a bonding part 42 for metal bonding between the phosphor layer 43 and the substrate 41 are provided between the phosphor layer 43 and the substrate 41. The substrate 41 and the joint portion 42 are formed with through holes 5 that are continuous in a direction intersecting the main surface 411 of the substrate 41. The through-hole 5 serves as an optical path for laser light incident from the substrate 41 side in order to excite the phosphor particles 431.

ここで、蛍光体層43と、基板41とを樹脂によって接着した場合、その樹脂が熱的に障壁となって放熱効率が低下してしまう。しかし、上述したように、蛍光体層43よりも熱伝導率の高い基板41と、蛍光体層43とが接合部42によって金属接合されているので、蛍光体層43から基板41へスムーズに伝熱することができ、放熱効率を高めることができる。   Here, when the fluorescent substance layer 43 and the board | substrate 41 are adhere | attached with resin, the resin will become a thermal barrier and heat dissipation efficiency will fall. However, as described above, since the substrate 41 having a higher thermal conductivity than the phosphor layer 43 and the phosphor layer 43 are metal-bonded by the bonding portion 42, the phosphor layer 43 smoothly transfers to the substrate 41. It can heat and can improve heat dissipation efficiency.

そして、基板41と接合部42とには、基板41側から入射するレーザー光の光路となる貫通孔5が形成されているので、レーザー光の進行方向に白色光を放出することができる。また、基板41の背面側に光源部2および導光部材3を配置することができるので、照明装置1全体をコンパクトにすることができる。   And since the through-hole 5 used as the optical path of the laser beam which injects from the board | substrate 41 side is formed in the board | substrate 41 and the junction part 42, white light can be discharge | released in the advancing direction of a laser beam. Moreover, since the light source part 2 and the light guide member 3 can be arrange | positioned at the back side of the board | substrate 41, the illuminating device 1 whole can be made compact.

なお、放熱効率をより高めるには、接合部42の全体的な熱伝導率を蛍光体層43より高くすればよい。具体的には、接合部42をなす第1電極層421、第2電極層422及び金属接合層423のそれぞれを、蛍光体層43よりも熱伝導率が高い材料で形成すればよい。   In addition, what is necessary is just to make the whole thermal conductivity of the junction part 42 higher than the fluorescent substance layer 43 in order to raise heat dissipation efficiency more. Specifically, the first electrode layer 421, the second electrode layer 422, and the metal bonding layer 423 that form the bonding portion 42 may be formed of a material having a higher thermal conductivity than the phosphor layer 43.

また、接合部42は、基板41における主面411に積層された第1電極層421と、蛍光体層43における基板41側の主面432に積層された第2電極層422と、第1電極層421と第2電極層422との間に介在され、第1電極層421と第2電極層422とを接合する金属接合層423と、を有する。   The bonding portion 42 includes a first electrode layer 421 stacked on the main surface 411 of the substrate 41, a second electrode layer 422 stacked on the main surface 432 of the phosphor layer 43 on the substrate 41 side, and a first electrode. A metal bonding layer 423 that is interposed between the layer 421 and the second electrode layer 422 and bonds the first electrode layer 421 and the second electrode layer 422;

このように、金属接合層423が第1電極層421と第2電極層422とによって挟まれているので、製造時に第1電極層421と第2電極層422とに電流を印加することで、金属接合層423による金属接合を容易に実現することができる。   Thus, since the metal bonding layer 423 is sandwiched between the first electrode layer 421 and the second electrode layer 422, by applying a current to the first electrode layer 421 and the second electrode layer 422 at the time of manufacture, Metal bonding by the metal bonding layer 423 can be easily realized.

[変形例1]
次に、本実施の形態に係る変形例1について説明する。
[Modification 1]
Next, Modification 1 according to the present embodiment will be described.

図4は、変形例1に係る発光素子4Aの概略構成を示す断面図であり、具体的には図2に対応した図である。なお、以降の説明においては、実施の形態に係る発光素子4と同等の部分には同じ符号を付してその説明を省略し、異なる部分についてのみ説明する。   FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a light emitting element 4A according to Modification Example 1, and specifically corresponds to FIG. In the following description, the same parts as those of the light-emitting element 4 according to the embodiment are denoted by the same reference numerals, the description thereof is omitted, and only different parts are described.

図4に示すように、変形例1の発光素子4Aは、上記実施の形態の発光素子4に対して反射層44を追加したものである。具体的には反射層44は、蛍光体層43における基板41側の主面432に対して、貫通孔5を覆うように積層されている。つまり、反射層44は、蛍光体層43と接合部42との間に介在している。そして、反射層44は、レーザー光を透過し、かつ蛍光体粒子431から放射された光を反射するダイクロイックミラーであり、例えば誘電体多層膜である。   As shown in FIG. 4, the light emitting element 4 </ b> A of the first modification is obtained by adding a reflective layer 44 to the light emitting element 4 of the above embodiment. Specifically, the reflective layer 44 is laminated so as to cover the through hole 5 with respect to the main surface 432 on the substrate 41 side in the phosphor layer 43. That is, the reflective layer 44 is interposed between the phosphor layer 43 and the joint portion 42. The reflective layer 44 is a dichroic mirror that transmits laser light and reflects light emitted from the phosphor particles 431, and is, for example, a dielectric multilayer film.

このような反射層44が発光素子4Aに設けられているので、貫通孔5から入射したレーザー光を遮らず蛍光体層43に進入させることができる。また、蛍光体粒子431から発せられた白色光を反射層44で反射させて、蛍光体層43の外方へと放出することができる。つまり、反射層44がなければ接合部42で吸収され得る白色光を、反射層44によって外方へと放出することができるので、発光効率を高めることができる。また、白色光を吸収することによる発熱も抑制することができる。   Since such a reflective layer 44 is provided in the light emitting element 4 </ b> A, the laser light incident from the through hole 5 can enter the phosphor layer 43 without being blocked. Further, the white light emitted from the phosphor particles 431 can be reflected by the reflection layer 44 and emitted to the outside of the phosphor layer 43. That is, since the white light that can be absorbed by the joint portion 42 without the reflective layer 44 can be emitted outward by the reflective layer 44, the luminous efficiency can be increased. Moreover, the heat_generation | fever by absorbing white light can also be suppressed.

[変形例2]
次に、本実施の形態に係る変形例2について説明する。
[Modification 2]
Next, Modification 2 according to the present embodiment will be described.

図5は、変形例2に係る発光素子4Bの概略構成を示す断面図であり、具体的には図4に対応した図である。   FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a light emitting element 4B according to Modification Example 2, and specifically corresponds to FIG.

図5に示すように、変形例2の発光素子4Bは、変形例1の発光素子4Aに対して反射抑制層45を追加したものである。具体的には反射抑制層45は、反射層44における基板41側の主面441に対して、貫通孔5を覆うように積層されている。反射抑制層45は、レーザー光を透過し、かつ当該透過したレーザー光が反射層44の主面441で反射することを抑制する。反射抑制層45としては、例えばARコート層が挙げられる。ARコート層は、反射層44よりも屈折率の低い材料により形成されている。   As illustrated in FIG. 5, the light emitting element 4 </ b> B of the second modification is obtained by adding a reflection suppressing layer 45 to the light emitting element 4 </ b> A of the first modification. Specifically, the reflection suppressing layer 45 is laminated on the main surface 441 on the substrate 41 side in the reflecting layer 44 so as to cover the through hole 5. The reflection suppression layer 45 transmits laser light and suppresses the transmitted laser light from being reflected by the main surface 441 of the reflection layer 44. An example of the antireflection layer 45 is an AR coating layer. The AR coat layer is formed of a material having a refractive index lower than that of the reflective layer 44.

このような反射抑制層45が設けられているので、貫通孔5から入射したレーザー光が反射層44の主面441で反射して戻り光となってしまうことを抑制することができ、発光効率を高めることができる。なお、反射抑制層45は、反射層44の主面441における貫通孔5を覆う領域のみに設けてもよいし、レーザー光が照射される領域にのみ設けてもよい。   Since such a reflection suppressing layer 45 is provided, it can be suppressed that the laser light incident from the through hole 5 is reflected by the main surface 441 of the reflecting layer 44 and becomes return light, and the luminous efficiency. Can be increased. In addition, the reflection suppression layer 45 may be provided only in the area | region which covers the through-hole 5 in the main surface 441 of the reflection layer 44, and may be provided only in the area | region where a laser beam is irradiated.

[変形例3]
次に、本実施の形態に係る変形例3について説明する。
[Modification 3]
Next, Modification 3 according to the present embodiment will be described.

図6は、変形例3に係る発光素子4Cの概略構成を示す断面図であり、具体的には図2に対応した図である。   FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a light emitting element 4C according to the third modification, and specifically corresponds to FIG.

図6に示すように、変形例3の発光素子4Cは、蛍光体粒子431が蛍光体層43cにおける基板41側に配置されている。蛍光体層43cは、二層構造になっており、例えばガラスなどの透過性の板材からなる第1層433に対して、多数の蛍光体粒子431を含有する無機バインダ435を積層することで第2層434を形成している。第2層434が基板41側に配置され、第1層433が基板41とは反対側に配置されることにより、蛍光体粒子431が蛍光体層43cにおける基板41側に配置されている。   As shown in FIG. 6, in the light emitting element 4C of the third modification, the phosphor particles 431 are arranged on the substrate 41 side in the phosphor layer 43c. The phosphor layer 43c has a two-layer structure. For example, an inorganic binder 435 containing a large number of phosphor particles 431 is laminated on a first layer 433 made of a transparent plate material such as glass. Two layers 434 are formed. The second layer 434 is disposed on the substrate 41 side, and the first layer 433 is disposed on the side opposite to the substrate 41, whereby the phosphor particles 431 are disposed on the substrate 41 side in the phosphor layer 43c.

このように、蛍光体粒子431が蛍光体層43cにおける基板41側に偏って配置されているので、いずれの蛍光体粒子431と基板41との間隔を狭めることができる。このため、基板41側に効率的に伝熱することができる。   As described above, since the phosphor particles 431 are arranged so as to be biased toward the substrate 41 in the phosphor layer 43c, the interval between any phosphor particles 431 and the substrate 41 can be reduced. For this reason, heat can be efficiently transferred to the substrate 41 side.

また、蛍光体層43cが二層構造であるので、蛍光体粒子431を含有する第2層434を第1層433で保護することも可能である。   Further, since the phosphor layer 43c has a two-layer structure, the second layer 434 containing the phosphor particles 431 can be protected by the first layer 433.

なお、蛍光体層43cを二層構造にしなくとも、蛍光体層を形成する際に、当該蛍光体層の一方の主面側に蛍光体粒子を凝集させて、当該主面を基板41側に配置してもよい。   Even when the phosphor layer 43c is not formed in a two-layer structure, when forming the phosphor layer, the phosphor particles are aggregated on one main surface side of the phosphor layer so that the main surface is on the substrate 41 side. You may arrange.

[変形例4]
次に、本実施の形態に係る変形例4について説明する。
[Modification 4]
Next, Modification 4 according to the present embodiment will be described.

図7は、変形例4に係る発光素子4Dの概略構成を示す断面図であり、具体的には図2に対応した図である。   FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a light-emitting element 4D according to Modification Example 4, and specifically corresponds to FIG.

上記実施の形態では、接合部42が第1電極層421、第2電極層422および金属接合層423を備えている場合を例示して説明した。この変形例4の発光素子4Dは、焼結された銀ナノ粒子によって接合部42dが形成されている。   In the above embodiment, the case where the bonding portion 42 includes the first electrode layer 421, the second electrode layer 422, and the metal bonding layer 423 has been described as an example. In the light emitting element 4D according to the fourth modification, a bonding portion 42d is formed by sintered silver nanoparticles.

図5に示すように、接合部42dは蛍光体層43と基板41との間に介在している。前述したように接合部42dは、銀ナノ粒子を焼結して形成されているので、第1電極層421と、第2電極層422とがなくとも、金属接合することが可能である。また銀ナノ粒子は、焼結されることにより反射率が高められているので、反射層としても機能することができる。   As shown in FIG. 5, the joint 42 d is interposed between the phosphor layer 43 and the substrate 41. As described above, since the bonding portion 42d is formed by sintering silver nanoparticles, metal bonding can be performed without the first electrode layer 421 and the second electrode layer 422. Moreover, since the reflectance is raised by sintering silver nanoparticle, it can function also as a reflection layer.

[その他の実施の形態]
以上、本発明に係る照明装置について、上記実施の形態および変形例1〜4に基づいて説明したが、本発明は、上記の実施の形態および各変形例に限定されるものではない。
[Other embodiments]
As mentioned above, although the illuminating device which concerns on this invention was demonstrated based on the said embodiment and the modifications 1-4, this invention is not limited to said embodiment and each modification.

上記実施の形態および各変形例では、発光素子4が照明装置1に適用された場合を例示して説明したが、発光素子4は、その他の照明系に用いることも可能である。その他の照明系としては、例えば、プロジェクタ、車載用ヘッドライト等が挙げられる。プロジェクタに適用される場合、発光素子4は蛍光体ホイールとして用いられる。   In the said embodiment and each modification, although the case where the light emitting element 4 was applied to the illuminating device 1 was illustrated and demonstrated, the light emitting element 4 can also be used for another illumination system. Examples of other illumination systems include a projector and an in-vehicle headlight. When applied to a projector, the light emitting element 4 is used as a phosphor wheel.

また、蛍光体層43における主面432とは反対側の面、つまり光出射側の面に対して、例えばARコート層などの反射抑制層を積層してもよい。これにより、光取り出し効率を高めることが可能である。   Further, a reflection suppressing layer such as an AR coating layer may be laminated on the surface of the phosphor layer 43 opposite to the main surface 432, that is, the light emitting side surface. Thereby, the light extraction efficiency can be increased.

その他、実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で実施の形態および各変形例における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。   Other forms realized by various modifications conceived by those skilled in the art for the embodiments, and any combination of the components and functions in the embodiments and each modification without departing from the spirit of the present invention. Forms to be made are also included in the present invention.

1 照明装置
2 光源部
4,4A,4B,4C,4D 発光素子
5 貫通孔
41 基板
42,42d 接合部
43,43c 蛍光体層
44 反射層
45 反射抑制層
411 主面
421 第1電極層
422 第2電極層
423 金属接合層
431 蛍光体粒子(蛍光体)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Illuminating device 2 Light source part 4,4A, 4B, 4C, 4D Light emitting element 5 Through-hole 41 Board | substrate 42,42d Joint part 43,43c Phosphor layer 44 Reflective layer 45 Antireflection layer 411 Main surface 421 1st electrode layer 422 1st Two-electrode layer 423 Metal bonding layer 431 Phosphor particles (phosphor)

Claims (7)

少なくとも一種類の蛍光体を含む蛍光体層と、
前記蛍光体層よりも熱伝導率の高い基板であって、前記蛍光体層が1つの主面側に配置された基板と、
前記蛍光体層と前記基板との間に介在して前記蛍光体層と前記基板とを金属接合する接合部とを備え、
前記基板と前記接合部とには、前記基板の前記主面に交差する方向に連続する貫通孔が形成されており、
前記貫通孔は、前記蛍光体を励起させるための、前記基板側から入射する励起光の光路である
発光素子。
A phosphor layer comprising at least one phosphor;
A substrate having a higher thermal conductivity than the phosphor layer, the phosphor layer being disposed on one main surface side;
A bonding portion that is interposed between the phosphor layer and the substrate and metal-bonds the phosphor layer and the substrate;
In the substrate and the joint portion, a through hole is formed which is continuous in a direction intersecting the main surface of the substrate,
The through-hole is a light path of excitation light incident from the substrate side for exciting the phosphor.
前記蛍光体層における前記基板側の主面には、前記励起光を透過し、かつ前記蛍光体から放射された光を反射する反射層が、前記貫通孔を覆うように積層されている
請求項1に記載の発光素子。
The reflective layer that transmits the excitation light and reflects the light emitted from the phosphor is laminated on the main surface of the phosphor layer on the substrate side so as to cover the through hole. 2. The light emitting device according to 1.
前記反射層における前記基板側の主面には、前記励起光を透過し、かつ当該透過した前記励起光が前記反射層で反射することを抑制する反射抑制層が、前記貫通孔を覆うように積層されている
請求項1又は2に記載の発光素子。
A reflection suppression layer that transmits the excitation light and suppresses reflection of the transmitted excitation light from being reflected by the reflection layer covers the through hole on the main surface of the reflection layer on the substrate side. The light emitting device according to claim 1, wherein the light emitting device is laminated.
前記接合部は、
前記基板における前記主面に積層された第1電極層と、
前記蛍光体層における前記基板側の主面に積層された第2電極層と、
前記第1電極層と前記第2電極層との間に介在され、前記第1電極層と前記第2電極層とを接合する金属接合層と、を有する
請求項1〜3のいずれか一項に記載の発光素子。
The joint is
A first electrode layer laminated on the main surface of the substrate;
A second electrode layer laminated on the main surface of the phosphor layer on the substrate side;
The metal joining layer which is interposed between the 1st electrode layer and the 2nd electrode layer, and joins the 1st electrode layer and the 2nd electrode layer, It has any 1 paragraph of Claims 1-3. The light emitting element as described in.
前記接合部は、焼結された銀ナノ粒子からなる
請求項1〜3のいずれか一項に記載の発光素子。
The light emitting device according to any one of claims 1 to 3, wherein the joint portion is made of sintered silver nanoparticles.
前記蛍光体は、前記蛍光体層における前記基板側に配置されている
請求項1〜5のいずれか一項に記載の発光素子。
The light emitting device according to claim 1, wherein the phosphor is disposed on the substrate side in the phosphor layer.
請求項1〜6のいずれか一項に記載の発光素子と、
前記発光素子の前記蛍光体を励起するための励起光を照射する光源部と、を備える
照明装置。
The light emitting device according to any one of claims 1 to 6,
A light source unit that emits excitation light for exciting the phosphor of the light emitting element.
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