JP2017112656A - Power conversion device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、電力変換装置に関する。 The present invention relates to a power conversion device.
ハイブリッド自動車や電気自動車等の車両駆動用の電力変換装置は、インバータ回路の上・下アーム直列回路を内蔵する、例えば、3相分のパワー半導体モジュールを有する。パワー半導体モジュールの電源用端子は電源用基板に接続され、信号端子は制御回路基板に接続される。電源用基板および制御回路基板には、各端子を挿通するスルーホールが形成され、パワー半導体モジュールの各端子は、開口に挿通された状態ではんだ付けや溶接により接合される。 A power conversion device for driving a vehicle such as a hybrid vehicle or an electric vehicle includes, for example, a power semiconductor module for three phases that incorporates an upper / lower arm series circuit of an inverter circuit. The power semiconductor module has a power supply terminal connected to the power supply board and a signal terminal connected to the control circuit board. The power supply board and the control circuit board are formed with through holes through which the respective terminals are inserted, and the respective terminals of the power semiconductor module are joined by soldering or welding while being inserted into the openings.
パワー半導体モジュールの信号端子を制御回路基板のスルーホールに挿通する構造では、信号端子と制御回路基板のスルーホールとの位置ずれが生じる。このため、信号端子挿入を自動化することが困難となる。
これに対応するために、制御回路基板に接続される複数の信号中継端子がインサートされたモジュール押え部材を形成し、パワー半導体モジュールと制御回路基板との間に配置したインバータ装置が知られている。この構造では、パワー半導体モジュールの一面上に配列された複数の信号端子を該パワー半導体モジュールの一側面から側方に突出し、モジュール押え部材の各信号中継端子の一端を、該モジュール押え部材の側方から突出させ、信号端子側に向けて屈曲する。そして、各信号中継端子の一端と各信号端子とをはんだ付けする(例えば、特許文献1の図5参照)。
In the structure in which the signal terminal of the power semiconductor module is inserted into the through hole of the control circuit board, the signal terminal and the through hole of the control circuit board are misaligned. For this reason, it becomes difficult to automate signal terminal insertion.
In order to cope with this, an inverter device is known in which a module pressing member in which a plurality of signal relay terminals connected to a control circuit board are inserted is formed and disposed between the power semiconductor module and the control circuit board. . In this structure, a plurality of signal terminals arranged on one surface of the power semiconductor module protrude sideways from one side surface of the power semiconductor module, and one end of each signal relay terminal of the module pressing member is connected to the side of the module pressing member. Project from the side and bend toward the signal terminal side. And one end of each signal relay terminal and each signal terminal are soldered (for example, refer to Drawing 5 of patent documents 1).
上記特許文献1に記載された構造では、パワー半導体モジュールの複数の信号端子は、該パワー半導体モジュールの一側面上に、空間を介して配列される。換言すれば、信号端子間には空気のみが介在する。このため、信号端子間の空間距離は小さい。パワー半導体モジュールでは、入出力端子には強電が印加されるため、この構造を、電源用端子等の入出力端子に適用すると、絶縁性が確保することができず、短絡する可能性がある。このため、入出力端子間を小さくすることができず、電力変換装置の小型化を図ることができない。
In the structure described in
本発明の一態様によると、電力変換装置は、一面上に配列された複数の入出力端子を有するパワー半導体モジュールと、前記入出力端子間に配置される絶縁性部材で形成された仕切り部を有する端子カバーと、前記パワー半導体モジュールを制御する回路基板と、前記回路基板を支持する基板支持部材と、を備え、前記端子カバーは、前記基板支持部材に一体的に設けられている。 According to one aspect of the present invention, a power converter includes: a power semiconductor module having a plurality of input / output terminals arranged on one surface; and a partition formed by an insulating member disposed between the input / output terminals. A terminal cover having a circuit board for controlling the power semiconductor module; and a board support member for supporting the circuit board. The terminal cover is provided integrally with the board support member.
本発明によれば、入出力端子間の間隔を小さくして小型化を図ることができる。 According to the present invention, it is possible to reduce the size by reducing the interval between the input and output terminals.
−第1の実施形態−
図1は、本発明の電力変換装置の一実施の形態を示し、カバーを外した状態の外観斜視図であり、図2は、図1に図示された電力変換装置の筐体内部に収容された部品の分解斜視図である。
電力変換装置10は、筐体本体11とカバー15とにより構成される筐体を備えている。筐体本体11は、例えば、アルミニウム合金等の金属の鋳造により形成され、上部に開口部11aが形成されたボックス状の部材である。カバー15は、筐体本体11の開口部11aを封口する。筐体本体11の側部には、流路形成体40(図2参照)に連通する冷媒導入管13が設けられている。図示はしないが、筐体本体11の冷媒導入管13の反対側の側部には、冷媒導出管が設けられている。また、筐体本体11の側部には、交流ターミナル12および不図示のDCターミナルが設けられている。筐体本体11とカバー15は、密封構造を構成する。
-First embodiment-
FIG. 1 shows an embodiment of the power conversion device of the present invention, and is an external perspective view with a cover removed, and FIG. 2 is housed inside the casing of the power conversion device shown in FIG. FIG.
The
筐体本体11とカバー15内には、図2に図示される、流路形成体40、3つのパワー半導体モジュール30、基板支持部材25、制御用回路基板20、ACバスバー51、DCバスバーがインサート成型されたバスバーモールド52、コンデンサモジュール53、電流センサ54等が収容されている。
流路形成体40は、アルミニウム合金等の金属の鋳造等により形成される。流路形成体40の一側面41には、3つの開口部42が設けられている。各開口部42にはパワー半導体モジュール30が挿通される。パワー半導体モジュール30は、多数の放熱フィンが形成された本体部31、フランジ部32および端子部33を有する。パワー半導体モジュール30は、本体部31が流路形成体40の開口部42から挿入され、流路形成体40の内側に配置される。パワー半導体モジュール30のフランジ部32と流路形成体40とは、シール部材34(図4参照)により密封される。3つのパワー半導体モジュール30は、例えば、ジェネレータを駆動するためのU相、V相、W相用の上下アーム回路を内蔵し、三相の交流電力を出力する。
In the
The flow
図示はしないが、流路形成体40の内部には、各パワー半導体モジュール30の本体部31の周囲を流通する冷却流路が形成されている。冷却水などの冷媒は、冷媒導入管13から流路形成体40の内部に導入され、各パワー半導体モジュール30を冷却し、冷媒導出管から導出される。
Although not shown, a cooling flow path that circulates around the
ACバスバー51は、パワー半導体モジュール30の交流出力端子102(図3(A)、(B)参照)に接続される。バスバーモールド52のDCバスバーは、パワー半導体モジュール30の直流正・負極性入力端子101a、101b、103a、103b(図3(A)、(B)参照)に接続される。コンデンサモジュール53は、流路形成体40の一側面41に対向する側面に密着して配置され、流路形成体40により冷却される。電流センサ54は、各半導体モジュール30と交流ターミナル12との間に配置され、各半導体モジュール30から出力される電流を検出する。制御用回路基板20は、パワー半導体モジュール30を制御する。パワー半導体モジュール30の信号端子111〜113および121〜125(図3(A)、(B)参照)は、制御用回路基板20に設けられたスルーホールに挿通され、制御用回路基板20の電極パッドにはんだ付けされる。基板支持部材25は、3つのパワー半導体モジュール30と制御用回路基板20との間に配置される。基板支持部材25はボス部に設けられた貫通孔に挿通されるボルト等の締結部材91(図4参照)により流路形成体40に固定される。制御用回路基板20には、貫通孔が設けられており、該貫通孔に挿通されるねじ等の締結部材により基板支持部材25に固定され、支持される。基板支持部材25には、パワー半導体モジュール30の交流出力端子102および直流正・負極性入力端子101a、101b、103a、103bを覆う端子カバー1が設けられている。基板支持部材25および端子カバー1の詳細については後述する。
図3(A)は、図1に図示されたパワー半導体モジュール30の端子部33周辺の拡大図であり、図3(B)は、パワー半導体モジュール30に内蔵された回路の一例を示す回路図である。
図3(B)に図示されるように、パワー半導体モジュール30には、2つのIGBT110、120と2つのダイオード130、140とが内蔵されている。IGBT110とダイオード130とは上アーム回路を構成する。IGBT120とダイオード140とは、下アーム回路を構成する。
IGBT110のエミッタとIGBT120のコレクタが接続される。この接続点にはダイオード130のアノードとダイオード140のカソードの接続点とが接続され、また、交流出力端子102が接続される。IGBT110のコレクタおよびダイオード130のカソードは直流正極性入力端子101に接続される。IGBT120のエミッタおよびダイオード140のアノードは直流負極性入力端子103に接続される。また、IGBT110、120のゲートは、それぞれ、信号端子であるゲート端子111、121に接続され、IGBT110、120のエミッタは、それぞれ、信号端子であるエミッタ端子112、122に接続される。
なお、図3(B)におけるTは、IGBTを示し、Dはダイオードを示す。
3A is an enlarged view around the
As illustrated in FIG. 3B, the
The emitter of
Note that T in FIG. 3B represents an IGBT, and D represents a diode.
図3(B)に図示された入出力端子101〜103、および信号端子111、112、121、122は、図3(A)に図示されるようにパワー半導体モジュール30のフランジ部32の開口から外部に導出される。但し、図3(A)に図示されるように、直流負極性入力端子103は、103a、103bとして2つに分岐して形成され、パワー半導体モジュール30の内部で電気的に接続される。また、直流正極性入力端子101は、101a、101bとして2つに分岐して形成され、パワー半導体モジュール30の内部で電気的に接続される。フランジ部32は、樹脂等の絶縁性部材により形成されており、内部に封止樹脂32aが充填されている。なお、図3(A)において、図3(B)には図示されていない4つの信号端子113、123〜125は、IGBT110、120の過電流や過温度を検出するためのセンサ信号用の端子である。
The input /
図4は、図1のIV−IV線断面の一部を示す。
上述したように、パワー半導体モジュール30は、そのフランジ部32が流路形成体40の開口部42にシール部材34により密封して取り付けられる。パワー半導体モジュール30の上方には基板支持部材25が配置されている。基板支持部材25は、締結部材91により流路形成体40に固定されている。基板支持部材25の上方には、制御用回路基板20が配置されている。制御用回路基板20は、不図示の締結部材により基板支持部材25に固定されている。
パワー半導体モジュール30の信号端子111〜113および121〜125は、制御用回路基板20に設けられたスルーホールに挿通され、制御用回路基板20の不図示の電極パッドにはんだ付けされている。
FIG. 4 shows a part of a cross section taken along line IV-IV in FIG.
As described above, the
The
図5は、図2示された端子カバーの拡大図であり、図6(A)は、図5に図示された端子カバーの正面図であり、図6(B)は図6(A)のVIB−VIB線断面図であり、図7は、図6(B)の領域VIIの拡大図である。また、図8(A)は、図5に図示された端子カバーのインサート品である金属板の斜視図であり、図8(B)は、図8(A)に図示された金属板がインサート成型された端子カバーの外観斜視図である。なお、図6(B)に図示された基板支持部材25は、図4および図7に図示された基板支持部材25とは上下が逆に図示されている。
基板支持部材25には、端子カバー1が一体に設けられている。基板支持部材25は、図8(A)に図示される金属板26をインサート品として端子カバー1を含む全体をインサート成型により作製される。金属板26には、複数の貫通孔26aが形成されており、インサート成型は、金属板26の各貫通孔26aの周辺部分が絶縁性の樹脂から露出されるように行う。この金属板26の貫通孔26a内に締結部材91等のねじ部を挿通して、締結部材91等を流路形成体40のねじ孔(図示せず)に締結する。流路形成体40は、電力変換装置10の接地電位となっているので、金属板26は接地電位となる。なお、図8(A)に図示された金属板26は、図8(B)に図示された端子カバー1とは、異なる方向から見た図として示されている。
5 is an enlarged view of the terminal cover shown in FIG. 2, FIG. 6 (A) is a front view of the terminal cover shown in FIG. 5, and FIG. 6 (B) is a diagram of FIG. 6 (A). FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the line VIB-VIB, and FIG. 7 is an enlarged view of a region VII in FIG. 8A is a perspective view of a metal plate which is an insert product of the terminal cover shown in FIG. 5, and FIG. 8B is an insert of the metal plate shown in FIG. It is an external appearance perspective view of the molded terminal cover. Note that the
The
金属板26には、図8(A)に示されるように、各パワー半導体モジュール30の入出力端子101〜103に対応する部分が、周囲から上方に向けて突出され、コ字形状に屈曲された屈曲部26bが形成されている。従って、基板支持部材25の屈曲部26bに対応する端子覆い部27は、図7、図8(B)に図示されるように、周囲より厚く形成され、図4に図示されるように、制御用回路基板20側に向けて周囲の領域よりも隆起している。また、基板支持部材25の屈曲部26bに対応する部分には、図4、図6(B)、図7に図示されるように、制御用回路基板20側と反対側に向けて突出する複数の仕切り部28が絶縁性の樹脂により形成されている。
As shown in FIG. 8A, the
つまり、基板支持部材25の端子覆い部27が形成された領域は、各パワー半導体モジュール30の入出力端子101〜103を覆う端子カバー1として設けられている。端子カバー1は、図6(A)において点線の枠内の領域内に設けられている。
基板支持部材25の周縁部には、補強リブ29が設けられている。補強リブ29は、図4、図7に図示されるように、制御用回路基板20側に向けて突出して形成されている。図6に図示されるように、端子カバー1の基板支持部材25との境界部には、補強リブ29に連接する補強リブ29aが設けられている。補強リブ29aは、補強リブ29と同一の高さに形成されている。
補強リブ29、29aは、端子カバー1を含む基板支持部材25に外力が作用した場合、基板支持部材25の捩りや反り等の変形を抑制する。
That is, the region where the
Reinforcing
The reinforcing
図4に図示されるように、端子カバー1の各仕切り部28は、パワー半導体モジュール30の各入出力端子101〜103の間に配置されている。仕切り部28は、また、入出力端子102および103aの外側に設けられている。端子カバー1の端子覆い部27は、パワー半導体モジュール30の入出力端子101〜103の先端150(図4参照)側を覆っている。パワー半導体モジュール30の各入出力端子101〜103は、先端150側が根元側より幅狭に形成されており、各仕切り部28は、端子覆い部27から各入出力端子101〜103の幅狭の先端150側のほぼ全長に亘って延在されている。基板支持部材25にインサートされた金属板26は、制御用回路基板20とパワー半導体モジュール30の入出力端子101〜103との間に介在されている。
As shown in FIG. 4, each
パワー半導体モジュール30の各入出力端子101〜103には、高電位が印加される。このため、パワー半導体モジュール30の入出力端子101〜103の間の間隔を小さくすると絶縁性を確保することができず、短絡する可能性がある。上記実施形態では、パワー半導体モジュール30の入出力端子101〜103の間に絶縁性の仕切り部28が挿入されており、電磁波の伝播距離を大きくする構造を有する。このため、パワー半導体モジュール30の各入出力端子101〜103間の間隔を小さくすることができ、これより、電力変換装置10の小型化を図ることができる。
なお、パワー半導体モジュール30の信号端子111〜112および121〜125には、低電位、低電流が供給されるため、短絡の可能性が小さく、入出力端子101〜103の間隔より小さい間隔とすることができる。
A high potential is applied to the input /
Since the
また、制御用回路基板20とパワー半導体モジュール30の入出力端子101〜103との間には、基板支持部材25にインサートされた金属板26が配置されている。金属板26は、接地電位とされており、シールド部材としの作用を有する。このため、パワー半導体モジュール30に内蔵されたIGBT110、1200等のスイッチング素子のスイッチング動作時等に発生する放射ノイズのシールド効果を得ることができる。
Further, a
図9は、図4の領域IXの拡大図である。
パワー半導体モジュール30の各入出力端子101〜103は、各端子カバー1の端子覆い部27と各仕切り部28とにより囲まれる空間部S内に配置されている。端子覆い部27と各入出力端子101〜103の先端150との間には空隙Gが設けられている。各入出力端子101〜103には、DCバスバーまたはACバスバー51が溶接により接合される。各入出力端子101〜103とDCバスバーまたはACバスバー51とを溶接する際に発生するスパッタ(導電性異物)Mは、空隙Gを含む空間部S内に落下する。これにより、スパッタMが制御用回路基板20等の電子部品に付着し、電気的不具合の要因となるのを抑制することができる。
FIG. 9 is an enlarged view of the region IX in FIG.
The input /
上記第1の実施形態によれば、下記の効果を奏する。
(1)端子カバー1に設けた絶縁性部材で形成された仕切り部28を、パワー半導体モジュール30の各入出力端子101〜103の間に配置した。これにより、パワー半導体モジュール30の各入出力端子101〜103の絶縁性を確保することが可能となるため、入出力端子101〜103の間隔を小さくすることができる。これ伴って、電力変換装置10の小型化を図ることができる。
According to the first embodiment, the following effects are obtained.
(1) The
(2)端子カバー1は、パワー半導体モジュール30の各入出力端子101〜103の先端150上を覆う端子覆い部27を有している。このため、制御用回路基板20がパワー半導体モジュール30の各入出力端子101〜103に近接して配置される構造であっても、制御用回路基板20と各入出力端子101〜103との絶縁性を確保することができる。
(2) The
(3)基板支持部材25は、端子カバー1が一体成型された1つの部材として形成されている。このため、部品点数を削減することができる。
(3) The
(4)基板支持部材25は端子カバー1を含み、金属板26がインサートされたインサート成型により形成される。このため、基板支持部材25すべてを金属で形成せずとも、基板支持部材25の強度を確保し、かつ、軽量化を図ることができる。
(4) The
(5)金属板26は接地電位とされている。このため、パワー半導体モジュール30に内蔵されたスイッチング素子のスイッチング動作時等に発生する放射ノイズのシールド効果を得ることができる。
(5) The
(6)端子カバー1は、端子覆い部27と仕切り部28により構成される空間部Sを有し、空間部Sは、端子覆い部27の内面と入出力端子101〜103の先端150との間に設けられる空隙Gを含んでいる。このため、各入出力端子101〜103とDCバスバーまたはACバスバー51とを溶接する際に発生するスパッタを、空隙Gを含む空間部S内に留保することができる。これにより、スパッタが制御用回路基板20等の電子部品に付着し、電気的不具合の要因となるのを抑制することができる。
(6) The
(7)基板支持部材25の周縁部および各端子カバー1と基板支持部材25との境界部には、補強リブ29、29aが設けられている。このため、端子カバー1を含む基板支持部材25に外力が作用した場合でも、基板支持部材25の捩りや反り等の変形を抑制することができる。
(7) Reinforcing
−第2の実施形態−
図10は、本発明の第2の実施形態を示し、第1の実施形態の図4の一部に対応する断面図である。
第2の実施形態では、端子カバー1は、基板支持部材25とは別体に形成され、基板支持部材25に取付けられる構造を有する。
端子カバー1は、基板支持部材25に貫通孔または凹部を設け、この貫通孔または凹部に端子カバー1を嵌合して、固定される。端子カバー1と基板支持部材25との固定は、例えば、締結部材による締結や、圧入等により行うことができる。また、端子カバー1と基板支持部材25とに係合片と係合部を設けて係合するようにしてもよい。
-Second Embodiment-
FIG. 10 shows a second embodiment of the present invention and is a cross-sectional view corresponding to a part of FIG. 4 of the first embodiment.
In the second embodiment, the
The
第2の実施形態における他の構造は、第1の実施形態と同様であり、対応する部材に同一の符号を付し、説明を省略する。
第2の実施形態においても、第1の実施形態の効果(1)〜(2)、(4)〜(7)を奏する。
Other structures in the second embodiment are the same as those in the first embodiment, and the corresponding members are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
Also in the second embodiment, the effects (1) to (2) and (4) to (7) of the first embodiment are achieved.
−変形例1−
図11は、本発明の変形例1を示し、基板支持部材の実装構造の側面図である。
変形例1は、制御用回路基板20の一面に端子カバー1の上面を密着させる構造を有する。
上述したように、端子カバー1は、その厚さTが基板支持部材25の厚さtより厚く形成され、制御用回路基板20側に向けて隆起している。このため、図11に図示されるように、制御用回路基板20(点線で示す)の下面を、端子カバー1、すなわち、基板支持部材25の端子覆い部27の上面に密着させる構造を採用することができる。
-Modification 1-
FIG. 11 shows a first modification of the present invention and is a side view of a substrate support member mounting structure.
The first modification has a structure in which the upper surface of the
As described above, the
電力変換装置10に振動が作用すると、制御用回路基板20および基板支持部材25に捩りや反り等の変形が生じる可能性がある。基板支持部材25より厚く形成された端子カバー1と制御用回路基板20とを密着する構造とすることで、端子カバー1のがたつきを抑制する。これにより、端子カバー1に振動が作用した場合における入出力端子101〜103間の絶縁の信頼性を向上することができる。また、基板支持部材25の割れや破損の防止を図ることができる。
変形例1は、上記第1の実施形態および第2の実施形態の双方に適用することができる。
When vibration acts on the
−変形例2−
図12は、本発明の変形例2を示し、図4に対応する領域の実装構造を示す図である。
図12に示す変形例では、端子カバー1と制御用回路基板20との間に放熱シート等の放熱部材38が介装された構造を有する。放熱部材38がシート状である場合には、端子カバー1の上面または制御用回路基板20の下面に貼りつけて実装することができる。
変形例2の構造とすると、制御用回路基板20に実装された発熱素子が放出する熱を、放熱部材38および端子カバー1を介して流路形成体40に放出して冷却することができる。
変形例2は、上記第1の実施形態および第2の実施形態の双方に適用することができる。
-Modification 2-
12 shows a second modification of the present invention and is a diagram showing a mounting structure of an area corresponding to FIG.
The modification shown in FIG. 12 has a structure in which a
With the structure of the modified example 2, the heat released from the heating element mounted on the
Modification 2 can be applied to both the first embodiment and the second embodiment.
上記実施形態では、三相のアーム回路としての機能を備える3つのパワー半導体モジュール30を備える電力変換回路として例示した。しかし、本発明は、1つのパワー半導体モジュール30や6つのパワー半導体モジュール30を備える電力変換装置10に適用することができる。
In the said embodiment, it illustrated as a power converter circuit provided with the three
上記実施形態では、電力変換装置10として、IGBT110、120を用いたインバータ装置として例示した。しかし、IGBT110、120に代えて、サイリスタや、GTO(Gate Turn Off Thyristor)等を用いたインバータ回路にも適用することができる。
In the said embodiment, it illustrated as an inverter apparatus using IGBT110,120 as the
また、直流−交流変換を行うインバータ装置に限らず、交流−交流変換を行うマトリックスコンバータ等、他の電力変換装置にも適用することができる。 Further, the present invention can be applied not only to an inverter device that performs DC-AC conversion but also to other power conversion devices such as a matrix converter that performs AC-AC conversion.
上記では、種々の実施の形態および変形例を説明したが、本発明はこれらの内容に限定されるものではない。本発明の技術的思想の範囲内で考えられるその他の態様も本発明の範囲内に含まれる。 Although various embodiments and modifications have been described above, the present invention is not limited to these contents. Other embodiments conceivable within the scope of the technical idea of the present invention are also included in the scope of the present invention.
1 端子カバー
10 電力変換装置
20 制御用回路基板
25 基板支持部材
26 金属板
27 端子覆い部
28 仕切り部
29、29a 補強リブ
30 パワー半導体モジュール
38 放熱部材
40 流路形成体
101 入力端子
101a、101b 直流正極性入力端子
102 交流出力端子
103 入力端子
103a、103b 直流負極性入力端子
110 IGBT
111〜113、121〜125 信号端子
150 先端
S 空間部
G 空隙
DESCRIPTION OF
111 to 113, 121 to 125 Signal terminal 150 Tip S Space G Gap
Claims (11)
前記入出力端子間に配置される絶縁性部材で形成された仕切り部を有する端子カバーと、
前記パワー半導体モジュールを制御する回路基板と、
前記回路基板を支持する基板支持部材と、を備え、
前記端子カバーは、前記基板支持部材に一体的に設けられている、電力変換装置。 A power semiconductor module having a plurality of input / output terminals arranged on one surface;
A terminal cover having a partition portion formed of an insulating member disposed between the input / output terminals;
A circuit board for controlling the power semiconductor module;
A board support member for supporting the circuit board,
The power conversion device, wherein the terminal cover is provided integrally with the substrate support member.
前記端子カバーは、前記複数の入出力端子の先端と前記回路基板との間に配置され、前記仕切り部と一体的に設けられた端子覆い部を有する、電力変換装置。 The power conversion device according to claim 1,
The said terminal cover is a power converter device which is arrange | positioned between the front-end | tip of these input / output terminals and the said circuit board, and has a terminal cover part provided integrally with the said partition part.
前記端子カバーおよび前記基板支持部材は、樹脂により1つの部材として形成されている、電力変換装置。 The power conversion device according to claim 1,
The said terminal cover and the said board | substrate support member are power converters currently formed as one member with resin.
前記端子カバーは、前記基板支持部材とは別部材として形成されており、前記基板支持部材に取付けられている、電力変換装置。 The power conversion device according to claim 1,
The said terminal cover is a power converter device which is formed as a member different from the said board | substrate support member, and is attached to the said board | substrate support member.
前記基板支持部材および前記端子カバーは、前記入出力端子と前記回路基板とをシールドするシールド部材を有する、電力変換装置。 The power conversion device according to claim 1,
The said board | substrate support member and the said terminal cover are power converters which have a shield member which shields the said input / output terminal and the said circuit board.
前記基板支持部材および前記端子カバーのシールド部材は、接地電位とされた部材に接続されている、電力変換装置。 The power conversion device according to claim 5,
The power conversion apparatus, wherein the board support member and the shield member of the terminal cover are connected to a member having a ground potential.
前記端子カバーの前記端子覆い部は、前記基板支持部材の上面よりも前記回路基板側に向けて突出して形成されている、電力変換装置。 The power conversion device according to claim 2,
The power conversion device, wherein the terminal cover portion of the terminal cover is formed to protrude toward the circuit board side from the upper surface of the board support member.
前記端子カバーは、前記端子覆い部と前記仕切り部により構成される空間部を有し、前記空間部は、前記端子覆い部の内面と前記入出力端子の先端との間に設けられる空隙を含む、電力変換装置。 The power conversion device according to claim 2,
The terminal cover includes a space portion constituted by the terminal cover portion and the partition portion, and the space portion includes a gap provided between an inner surface of the terminal cover portion and a tip of the input / output terminal. , Power conversion device.
前記パワー半導体モジュールを複数個備え、
前記端子カバーは、前記パワー半導体モジュールのそれぞれに対応して前記基板支持部材に形成され、
前記基板支持部材の周縁部および前記各端子カバーと前記基板支持部材との境界部には、補強リブが設けられている、電力変換装置。 The power conversion device according to claim 3,
A plurality of the power semiconductor modules are provided,
The terminal cover is formed on the substrate support member corresponding to each of the power semiconductor modules,
A power conversion device, wherein reinforcing ribs are provided at a peripheral edge portion of the substrate support member and a boundary portion between each terminal cover and the substrate support member.
さらに、前記端子カバーと前記回路基板との間に介在する放熱部材を備える電力変換装置。 The power conversion device according to claim 1,
Furthermore, a power converter device provided with the heat radiating member interposed between the said terminal cover and the said circuit board.
さらに、前記入出力端子が接続されるバスバーを備え、
前記パワー半導体モジュールは、さらに、信号端子を有し、
前記信号端子は、前記回路基板に設けられた回路部に接続されている、電力変換装置。
In the power converter according to any one of claims 1 to 10,
Furthermore, a bus bar to which the input / output terminal is connected is provided,
The power semiconductor module further has a signal terminal,
The power conversion device, wherein the signal terminal is connected to a circuit unit provided on the circuit board.
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