JP2017092517A - Signal processing circuit, semiconductor integrated circuit device, oscillator, electronic apparatus, base station, and manufacturing method of signal processing circuit - Google Patents

Signal processing circuit, semiconductor integrated circuit device, oscillator, electronic apparatus, base station, and manufacturing method of signal processing circuit Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high-versatility signal processing circuit capable of outputting a plurality of information items relating to temperatures, and a manufacturing method thereof.SOLUTION: A semiconductor integrated circuit device comprises a signal processing circuit including: an amplifier circuit capable of outputting a signal based on a first reference signal and a first temperature signal; and a discrimination circuit capable of outputting a binary signal based on comparison of a second reference signal and a second temperature signal. Thus, information relating to a temperature based on the signal that the amplifier circuit can output and information relating to a temperature based on the binary signal that the discrimination circuit can output are outputted.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明は、信号処理回路、半導体集積回路装置、発振器、電子機器、基地局及び信号処理回路の製造方法に関する。   The present invention relates to a signal processing circuit, a semiconductor integrated circuit device, an oscillator, an electronic device, a base station, and a signal processing circuit manufacturing method.

通信機器あるいは測定器等の基準の周波数信号源などに用いられる水晶発振器は、温度変化に対して高い精度で出力周波数が安定していることが要求される。一般に、水晶発振器の中でも極めて高い周波数安定度が得られるものとして、恒温槽型水晶発振器(OCXO:Oven Controlled Crystal Oscillator)が知られている。OCXOは、一定温度に制御された恒温槽(オーブン)内に水晶振動子を収納したものであり、極めて高い周波数安定度を実現するためには、周囲温度の変化に対する恒温槽の温度制御偏差をできる限り小さくすることが重要である。   A crystal oscillator used for a reference frequency signal source such as a communication device or a measuring instrument is required to have a stable output frequency with high accuracy against a temperature change. In general, an oven controlled crystal oscillator (OCXO) is known as a crystal oscillator that can achieve extremely high frequency stability. OCXO has a crystal unit housed in a constant temperature chamber (oven) controlled at a constant temperature. To achieve extremely high frequency stability, the temperature control deviation of the constant temperature chamber with respect to changes in ambient temperature is set. It is important to make it as small as possible.

特許文献1には、OCXOの恒温槽を制御し、かつ、温度情報を外部に出力可能な制御回路が開示されている。制御回路が出力する温度情報に応じて発振周波数を制御する手段を設けたOCXOを構成することにより、OCXO内部の温度信号に基づいて発振周波数の温度補償を行うことができるため、発振周波数を一層安定させることができる。また、特許文献2や特許文献3には、温度が安定したことを外部に報知可能なOCXOが開示されている。   Patent Document 1 discloses a control circuit that can control a constant temperature bath of OCXO and output temperature information to the outside. By configuring the OCXO having means for controlling the oscillation frequency according to the temperature information output from the control circuit, it is possible to perform temperature compensation of the oscillation frequency based on the temperature signal inside the OCXO. It can be stabilized. Patent Documents 2 and 3 disclose OCXO that can notify the outside that the temperature has stabilized.

特許第5114122号公報Japanese Patent No. 5114122 特開2014−192578号公報JP 2014-192578 A 特開2014−99808号公報JP 2014-99808 A

しかしながら、特許文献1〜3に記載の発明は、いずれも、外部装置において温度情報が必要とされる場合と外部装置において温度が安定したことを示す情報が必要とされる場合の両方に対応することはできない。   However, all of the inventions described in Patent Documents 1 to 3 correspond to both a case where temperature information is required in the external device and a case where information indicating that the temperature is stable is required in the external device. It is not possible.

本発明は、以上のような問題点に鑑みてなされたものであり、本発明のいくつかの態様によれば、温度に関する複数の情報を出力可能な汎用性の高い信号処理回路及びその製造方法を提供することができる。また、本発明のいくつかの態様によれば、当該信号処理回路を用いた半導体集積回路装置、発振器、電子機器及び基地局を提供することができる。   The present invention has been made in view of the above problems, and according to some aspects of the present invention, a highly versatile signal processing circuit capable of outputting a plurality of information on temperature and a method for manufacturing the same. Can be provided. Further, according to some aspects of the present invention, it is possible to provide a semiconductor integrated circuit device, an oscillator, an electronic device, and a base station using the signal processing circuit.

本発明は前述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の態様または適用例として実現することが可能である。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following aspects or application examples.

[適用例1]
本適用例に係る信号処理回路は、第1基準信号及び第1温度信号に基づく信号を出力可能な増幅回路と、第2基準信号と第2温度信号との比較に基づく二値信号を出力可能な判定回路と、を備えている。
[Application Example 1]
The signal processing circuit according to this application example can output an amplification circuit capable of outputting a signal based on the first reference signal and the first temperature signal, and a binary signal based on a comparison between the second reference signal and the second temperature signal. A determination circuit.

本適用例によれば、増幅回路が出力可能な信号に基づく温度に関する情報と判定回路が出力可能な二値信号に基づく温度に関する情報とを出力可能な汎用性の高い信号処理回路を実現することができる。   According to this application example, it is possible to realize a highly versatile signal processing circuit capable of outputting information on temperature based on a signal that can be output by the amplifier circuit and information on temperature based on a binary signal that can be output by the determination circuit. Can do.

[適用例2]
上記適用例に係る信号処理回路において、前記増幅回路は、第1イネーブル信号に基づいて動作し、前記判定回路は、第2イネーブル信号に基づいて動作し、前記増幅回路からの出力信号及び前記判定回路からの出力信号は、共通の出力端子から出力されてもよい。
[Application Example 2]
In the signal processing circuit according to the application example, the amplifier circuit operates based on a first enable signal, the determination circuit operates based on a second enable signal, and the output signal from the amplifier circuit and the determination The output signal from the circuit may be output from a common output terminal.

本適用例によれば、第1イネーブル信号及び第2イネーブル信号に基づいて、増幅回路が出力する信号に基づく温度に関する情報と判定回路が出力する二値信号に基づく温度に関する情報とを共通の出力端子から出力可能な汎用性の高い信号処理回路を実現することができる。   According to this application example, based on the first enable signal and the second enable signal, information related to temperature based on the signal output from the amplifier circuit and information related to temperature based on the binary signal output from the determination circuit are output in common. A highly versatile signal processing circuit that can output from a terminal can be realized.

[適用例3]
上記適用例に係る信号処理回路において、前記増幅回路からの出力信号及び前記判定回路からの出力信号と、前記第2イネーブル信号と、が入力されるANDゲートをさらに備えてもよい。
[Application Example 3]
The signal processing circuit according to the application example may further include an AND gate to which the output signal from the amplifier circuit, the output signal from the determination circuit, and the second enable signal are input.

本適用例に係る信号処理回路によれば、増幅回路が動作し、かつ、判定回路が停止する場合に、増幅回路が出力する中間電位の信号がANDゲートに入力されても、第2イネーブル信号に基づいてANDゲートに貫通電流が流れないようにすることができる。   According to the signal processing circuit of the application example, when the amplifier circuit operates and the determination circuit stops, the second enable signal is output even if the intermediate potential signal output from the amplifier circuit is input to the AND gate. Therefore, it is possible to prevent a through current from flowing through the AND gate.

[適用例4]
上記適用例に係る信号処理回路において、前記ANDゲートからの出力信号に基づいて、温度が設定温度に達しているか否かを表す信号を生成するインターフェース回路をさらに備えてもよい。
[Application Example 4]
The signal processing circuit according to the application example may further include an interface circuit that generates a signal indicating whether the temperature has reached a set temperature based on an output signal from the AND gate.

本適用例に係る信号処理回路によれば、温度が設定温度に達しているか否かを表す信号を、インターフェース回路を介して外部に出力することができる。   According to the signal processing circuit according to this application example, a signal indicating whether or not the temperature has reached the set temperature can be output to the outside via the interface circuit.

[適用例5]
上記適用例に係る信号処理回路において、前記第1基準信号及び前記第2基準信号として、共通の基準信号が前記増幅回路及び前記判定回路に入力されてもよい。
[Application Example 5]
In the signal processing circuit according to the application example described above, a common reference signal may be input to the amplifier circuit and the determination circuit as the first reference signal and the second reference signal.

本適用例によれば、より簡単な構成の信号処理回路を実現することができる。   According to this application example, a signal processing circuit having a simpler configuration can be realized.

[適用例6]
上記適用例に係る信号処理回路において、前記第1温度信号及び前記第2温度信号として、共通の温度信号が前記増幅回路及び前記判定回路に入力されてもよい。
[Application Example 6]
In the signal processing circuit according to the application example described above, a common temperature signal may be input to the amplifier circuit and the determination circuit as the first temperature signal and the second temperature signal.

本適用例によれば、より簡単な構成の信号処理回路を実現することができる。   According to this application example, a signal processing circuit having a simpler configuration can be realized.

[適用例7]
上記適用例に係る信号処理回路において、前記第1基準信号及び前記第2基準信号が、共通の第1入力端子から入力され、前記第1温度信号及び前記第2温度信号が、共通の第2入力端子から入力されてもよい。
[Application Example 7]
In the signal processing circuit according to the application example, the first reference signal and the second reference signal are input from a common first input terminal, and the first temperature signal and the second temperature signal are shared by a second common signal. It may be input from an input terminal.

本適用例によれば、より簡単な構成の信号処理回路を実現することができる。   According to this application example, a signal processing circuit having a simpler configuration can be realized.

[適用例8]
上記適用例に係る信号処理回路において、前記増幅回路からの出力信号を、温度を表す信号として出力し、前記判定回路からの出力信号を、温度が設定温度に達しているか否かを表す信号として出力してもよい。
[Application Example 8]
In the signal processing circuit according to the application example, the output signal from the amplifier circuit is output as a signal representing temperature, and the output signal from the determination circuit is used as a signal representing whether or not the temperature has reached a set temperature. It may be output.

本適用例によれば、増幅回路からの出力信号に基づく温度情報と判定回路からの出力信号に基づく、温度が設定温度に達しているか否かを表す情報とを出力可能な汎用性の高い信号処理回路を実現することができる。   According to this application example, a highly versatile signal that can output temperature information based on the output signal from the amplifier circuit and information indicating whether the temperature has reached the set temperature based on the output signal from the determination circuit. A processing circuit can be realized.

[適用例9]
上記適用例に係る信号処理回路において、前記増幅回路が差動増幅回路であり、前記判定回路がコンパレーターであってもよい。
[Application Example 9]
In the signal processing circuit according to the application example, the amplifier circuit may be a differential amplifier circuit, and the determination circuit may be a comparator.

本適用例に係る信号処理回路によれば、差動増幅回路により、第1温度信号に基づく温度に関するアナログ信号として出力し、コンパレーターにより、第2温度信号に基づく温度に関する二値信号を、その立ち上がり時間や立下り時間を短縮して出力することができる。   According to the signal processing circuit according to this application example, the differential amplifier circuit outputs the analog signal related to the temperature based on the first temperature signal, and the comparator outputs the binary signal related to the temperature based on the second temperature signal. It is possible to output with shortened rise time and fall time.

[適用例10]
本適用例に係る半導体集積回路装置は、上記のいずれかの信号処理回路を備えている。
[Application Example 10]
A semiconductor integrated circuit device according to this application example includes any one of the signal processing circuits described above.

本適用例によれば、増幅回路が出力する信号に基づく温度に関する情報と判定回路が出力する二値信号に基づく温度に関する情報とを出力可能な汎用性の高い集積回路装置を実現することができる。   According to this application example, it is possible to realize a highly versatile integrated circuit device capable of outputting information related to temperature based on a signal output from the amplifier circuit and information related to temperature based on a binary signal output from the determination circuit. .

[適用例11]
本適用例に係る発振器は、発振素子と、前記発振素子を発振させる発振回路と、前記発振素子の周囲温度を検出する温度検出素子と、前記温度検出素子によって検出された温度に基づいて動作する温度制御素子と、上記のいずれかの信号処理回路と、を備え、前記第1温度信号及び前記第2温度信号は、前記温度検出素子からの出力信号または前記温度制御素子への入力信号に基づく信号である。
[Application Example 11]
An oscillator according to this application example operates based on an oscillation element, an oscillation circuit that oscillates the oscillation element, a temperature detection element that detects an ambient temperature of the oscillation element, and a temperature detected by the temperature detection element A temperature control element; and any one of the signal processing circuits described above, wherein the first temperature signal and the second temperature signal are based on an output signal from the temperature detection element or an input signal to the temperature control element. Signal.

本適用例によれば、増幅回路が出力する信号に基づく温度に関する情報と判定回路が出力する二値信号に基づく温度に関する情報とを出力可能な汎用性の高い信号処理回路を用いるので、用途に応じた各種の発振器をより低コストで実現することができる。   According to this application example, since a highly versatile signal processing circuit that can output temperature information based on the signal output from the amplifier circuit and temperature information based on the binary signal output from the determination circuit is used, Various types of oscillators can be realized at a lower cost.

[適用例12]
本適用例に係る電子機器は、上記のいずれかの信号処理回路又は上記の発振器を備えている。
[Application Example 12]
An electronic apparatus according to this application example includes any one of the signal processing circuits described above or the oscillator described above.

[適用例13]
本適用例に係る基地局は、上記のいずれかの信号処理回路又は上記の発振器を備えている。
[Application Example 13]
The base station according to this application example includes any of the signal processing circuits described above or the oscillator described above.

これらの適用例によれば、増幅回路が出力する信号に基づく温度に関する情報と判定回路が出力する二値信号に基づく温度に関する情報とを出力可能な汎用性の高い信号処理回路又は当該信号処理回路を備えた発振器を用いるので、例えば、電子機器及び基地局をより低コストで実現することも可能である。   According to these application examples, a highly versatile signal processing circuit capable of outputting information related to temperature based on the signal output from the amplifier circuit and information related to temperature based on the binary signal output from the determination circuit, or the signal processing circuit For example, an electronic device and a base station can be realized at a lower cost.

[適用例14]
本適用例に係る信号処理回路の製造方法は、第1基準信号及び第1温度信号に基づく信号を出力する増幅回路と、第2基準信号と第2温度信号との比較に基づく二値信号を出力する判定回路と、記憶部と、を備えている信号処理回路の製造方法であって、前記増幅回路からの出力信号及び前記判定回路からの出力信号のいずれか一方が共通の出力端子から出力されるように前記記憶部を設定する工程を含む。
[Application Example 14]
The signal processing circuit manufacturing method according to the application example includes an amplifier circuit that outputs a signal based on the first reference signal and the first temperature signal, and a binary signal based on a comparison between the second reference signal and the second temperature signal. A method of manufacturing a signal processing circuit comprising a determination circuit for output and a storage unit, wherein either one of an output signal from the amplifier circuit and an output signal from the determination circuit is output from a common output terminal The step of setting the storage unit as described above.

本適用例によれば、増幅回路からの出力信号に基づく温度に関する情報と判定回路からの出力信号(二値信号)に基づく温度に関する情報とを出力可能な汎用性の高い信号処理回路を用いるので、記憶部の設定を変更することで用途に応じた信号処理回路を低コストで製造することができる。   According to this application example, a highly versatile signal processing circuit that can output temperature information based on the output signal from the amplifier circuit and temperature information based on the output signal (binary signal) from the determination circuit is used. By changing the setting of the storage unit, a signal processing circuit corresponding to the application can be manufactured at low cost.

本実施形態の発振器の構造の一例を示す図。The figure which shows an example of the structure of the oscillator of this embodiment. 本実施形態の発振器の機能ブロック図。The functional block diagram of the oscillator of this embodiment. 本実施形態における温度制御回路と出力選択回路の構成例を示す図。The figure which shows the structural example of the temperature control circuit in this embodiment, and an output selection circuit. 本実施形態におけるオーブンの内部温度と第1温度信号の電圧及び増幅回路の出力電圧との関係の一例を示す図。The figure which shows an example of the relationship between the internal temperature of the oven in this embodiment, the voltage of a 1st temperature signal, and the output voltage of an amplifier circuit. 本実施形態におけるオーブンの内部温度と第2温度信号の電圧及び判定回路の出力電圧との関係の一例を示す図。The figure which shows an example of the relationship between the internal temperature of the oven in this embodiment, the voltage of a 2nd temperature signal, and the output voltage of a determination circuit. 本実施形態の発振器の製造方法の手順の一例を示すフローチャート図。The flowchart figure which shows an example of the procedure of the manufacturing method of the oscillator of this embodiment. 本実施形態における温度補償調整工程の詳細な手順の一例を示すフローチャート図。The flowchart figure which shows an example of the detailed procedure of the temperature compensation adjustment process in this embodiment. 変形例1における温度制御回路と出力選択回路の構成例を示す図。The figure which shows the structural example of the temperature control circuit in the modification 1, and an output selection circuit. 変形例1におけるオーブンの内部温度と第1温度信号の電圧及び増幅回路の出力電圧との関係の一例を示す図。The figure which shows an example of the relationship between the internal temperature of the oven in the modification 1, the voltage of a 1st temperature signal, and the output voltage of an amplifier circuit. 変形例1におけるオーブンの内部温度と第2温度信号の電圧及び判定回路の出力電圧との関係の一例を示す図。The figure which shows an example of the relationship between the internal temperature of the oven in the modification 1, the voltage of a 2nd temperature signal, and the output voltage of a determination circuit. 変形例2における温度制御回路と出力選択回路の構成例を示す図。The figure which shows the structural example of the temperature control circuit in the modification 2, and an output selection circuit. 変形例2における温度制御回路と出力選択回路の他の構成例を示す図。FIG. 10 is a diagram showing another configuration example of a temperature control circuit and an output selection circuit in Modification 2. 変形例3における出力選択回路の構成例を示す図。FIG. 10 is a diagram illustrating a configuration example of an output selection circuit in a third modification. 変形例3における出力選択回路の他の構成例を示す図。FIG. 10 is a diagram showing another configuration example of the output selection circuit in Modification 3. 本実施形態の電子機器の構成の一例を示す機能ブロック図。FIG. 3 is a functional block diagram illustrating an example of a configuration of an electronic apparatus according to the embodiment. 本実施形態の基地局の概略構成の一例を示す図。The figure which shows an example of schematic structure of the base station of this embodiment.

以下、本発明の好適な実施形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。   DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The embodiments described below do not unduly limit the contents of the present invention described in the claims. Also, not all of the configurations described below are essential constituent requirements of the present invention.

1.発振器
1−1.発振器の構造
図1は、本実施形態の発振器の構造の一例を示す図であり、発振器の断面図である。図1に示すように、本実施形態の発振器1は、集積回路(IC:Integrated Circuit)チップ2、発振素子3、パッケージ4、外部端子(外部電極)6、温度制御素子7及び温度検出素子8を含んで構成されている。
1. Oscillator 1-1. Structure of Oscillator FIG. 1 is a diagram showing an example of the structure of the oscillator of this embodiment, and is a cross-sectional view of the oscillator. As shown in FIG. 1, the oscillator 1 of the present embodiment includes an integrated circuit (IC) chip 2, an oscillation element 3, a package 4, an external terminal (external electrode) 6, a temperature control element 7, and a temperature detection element 8. It is comprised including.

パッケージ4は、ケース4aと基台4bが接着されることによって構成されている。   The package 4 is configured by bonding a case 4a and a base 4b.

パッケージ4の内部空間には、基台4bと対向するように部品搭載基板4cが設けられており、部品搭載基板4cの上面にはオーブン9が搭載されている。また、部品搭載基板
4cの下面にはICチップ2が搭載されている。
A component mounting board 4c is provided in the internal space of the package 4 so as to face the base 4b, and an oven 9 is mounted on the upper surface of the component mounting board 4c. The IC chip 2 is mounted on the lower surface of the component mounting board 4c.

発振素子3及び温度検出素子8は、部品搭載基板9aの上面に搭載され、温度制御素子7は、部品搭載基板9aの下面の発振素子3と対向する位置に搭載されることにより、オーブン9の内部空間に収容されている。   The oscillation element 3 and the temperature detection element 8 are mounted on the upper surface of the component mounting board 9a, and the temperature control element 7 is mounted at a position facing the oscillation element 3 on the lower surface of the component mounting board 9a. It is housed in the internal space.

発振素子3、温度制御素子7及び温度検出素子8の各端子は、それぞれICチップ2の所望の各端子と不図示の配線パターンで電気的に接続されている。また、ICチップ2の一部の端子は、パッケージ4の表面に設けられた外部端子6と不図示の配線パターンで電気的に接続されている。   Each terminal of the oscillation element 3, the temperature control element 7, and the temperature detection element 8 is electrically connected to each desired terminal of the IC chip 2 through a wiring pattern (not shown). Further, some terminals of the IC chip 2 are electrically connected to external terminals 6 provided on the surface of the package 4 through a wiring pattern (not shown).

発振素子3としては、例えば、水晶振動素子、SAW(Surface Acoustic Wave)共振素子、その他の圧電振動素子やMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)振動素子などを用いることができる。発振素子3の基板材料としては、水晶、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の圧電単結晶や、ジルコン酸チタン酸鉛等の圧電セラミックス等の圧電材料、又はシリコン半導体材料等を用いることができる。発振素子3の励振手段としては、圧電効果によるものを用いてもよいし、クーロン力による静電駆動を用いてもよい。   As the oscillation element 3, for example, a crystal vibration element, a SAW (Surface Acoustic Wave) resonance element, other piezoelectric vibration elements, a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) vibration element, or the like can be used. As a substrate material of the oscillation element 3, a piezoelectric single crystal such as crystal, lithium tantalate, and lithium niobate, a piezoelectric material such as piezoelectric ceramics such as lead zirconate titanate, or a silicon semiconductor material can be used. As an excitation means of the oscillation element 3, one using a piezoelectric effect may be used, or electrostatic driving using a Coulomb force may be used.

温度検出素子8は、その周辺の温度を検出し、温度に応じた電圧を有する温度検出信号を出力する。温度検出素子8は、オーブン9の内部空間に収容されているため、オーブン9の内部空間の温度、換言すれば、オーブン9の内部空間に収容されている発振素子3の周囲温度を検出することになる。温度検出素子8は、例えば、サーミスター(NTCサーミスター(Negative Temperature Coefficient)、PTC(Positive Temperature Coefficient)サーミスターなど)、白金抵抗、半導体のバンドギャップを利用した温度検出回路などであってもよい。   The temperature detection element 8 detects the temperature around it and outputs a temperature detection signal having a voltage corresponding to the temperature. Since the temperature detection element 8 is accommodated in the internal space of the oven 9, the temperature of the internal space of the oven 9, in other words, the ambient temperature of the oscillation element 3 accommodated in the internal space of the oven 9 is detected. become. The temperature detection element 8 may be, for example, a thermistor (NTC thermistor (Negative Temperature Coefficient), PTC (Positive Temperature Coefficient) thermistor, etc.), platinum resistance, a temperature detection circuit using a semiconductor band gap, or the like. .

温度制御素子7は、温度検出素子8によって検出された温度に基づいて動作する。温度制御素子7は、発熱素子であってもよいし、吸熱素子であってもよい。温度制御素子7は、例えば、パワートランジスター、抵抗、ペルチェ素子などであってもよい。   The temperature control element 7 operates based on the temperature detected by the temperature detection element 8. The temperature control element 7 may be a heat generating element or a heat absorbing element. The temperature control element 7 may be, for example, a power transistor, a resistor, a Peltier element, or the like.

1−2.発振器の機能構成
図2は、本実施形態の発振器1の機能ブロック図である。図2に示すように、本実施形態の発振器1は、オーブン9に収容された発振素子3、温度制御素子7及び温度検出素子8と、発振素子3を発振させるためのICチップ2とを含み、ICチップ2、発振素子3、温度制御素子7及び温度検出素子8はパッケージ4に収容されている。
1-2. FIG. 2 is a functional block diagram of the oscillator 1 according to the present embodiment. As shown in FIG. 2, the oscillator 1 of this embodiment includes an oscillation element 3, a temperature control element 7 and a temperature detection element 8 housed in an oven 9, and an IC chip 2 for causing the oscillation element 3 to oscillate. The IC chip 2, the oscillation element 3, the temperature control element 7 and the temperature detection element 8 are accommodated in the package 4.

本実施形態では、ICチップ2は、半導体集積回路装置であり、信号処理回路5を備えている。信号処理回路5は、発振回路10、出力回路20、温度制御回路30、レギュレーター40、記憶部50、インターフェース回路60及び出力選択回路70を含んで構成されている。なお、信号処理回路5は、これらの要素の一部を省略又は変更し、あるいは他の要素を追加した構成としてもよい。   In the present embodiment, the IC chip 2 is a semiconductor integrated circuit device and includes a signal processing circuit 5. The signal processing circuit 5 includes an oscillation circuit 10, an output circuit 20, a temperature control circuit 30, a regulator 40, a storage unit 50, an interface circuit 60, and an output selection circuit 70. The signal processing circuit 5 may have a configuration in which some of these elements are omitted or changed, or other elements are added.

記憶部50は、不揮発性メモリー52とレジスター54とを有しており、発振器1の外部端子6から、インターフェース回路60を介して、不揮発性メモリー52及びレジスター54に対するリード/ライトが可能に構成されている。   The storage unit 50 includes a nonvolatile memory 52 and a register 54, and is configured to be able to read / write the nonvolatile memory 52 and the register 54 from the external terminal 6 of the oscillator 1 via the interface circuit 60. ing.

不揮発性メモリー52は、各種の制御データを記憶するための記憶部であり、データの書き込みが可能なプログラマブルROM(PROM)として構成される。不揮発性メモリー52は、例えば、EEPROMのような書き換え可能な種々のメモリーであってもよい
し、ワンタイムPROMのような書き換え不可能(1回のみ書き込み可能)な種々のメモリーであってもよい。
The nonvolatile memory 52 is a storage unit for storing various control data, and is configured as a programmable ROM (PROM) capable of writing data. The non-volatile memory 52 may be, for example, various rewritable memories such as an EEPROM, or may be various rewritable memories such as a one-time PROM (which can be written only once). .

不揮発性メモリー52には、発振回路10の動作を制御するための発振制御データ、レギュレーター40の動作を制御するための電圧制御データ及び温度制御回路30の動作を制御するための温度制御データが記憶されていてもよい。発振制御データは、例えば、発振回路10の発振段電流を調整するためのデータである。電圧制御データは、例えば、レギュレーター40が生成する内部電源電圧、基準電圧、基準電流を調整するためのデータである。温度制御データは、例えば、オーブン9の内部温度(発振素子3の温度)を設定するためのデータであり、温度制御素子7の発熱あるいは吸熱を制御するために温度検出素子8が出力する温度検出信号の電圧に基づく電圧と比較される閾値電圧のデータであってもよい。発振素子3がSCカット水晶振動子であれば、その周波数温度特性は2次曲線を呈し、その頂点付近では単位温度あたりの周波数変化量が最も小さいため、例えば、温度制御データは、発振素子3の温度が頂点付近の温度になるようにオーブン9の内部温度を設定するためのデータであってもよい。なお、不揮発性メモリー52には、出力回路20の制御データが記憶されてもよい。   The nonvolatile memory 52 stores oscillation control data for controlling the operation of the oscillation circuit 10, voltage control data for controlling the operation of the regulator 40, and temperature control data for controlling the operation of the temperature control circuit 30. May be. The oscillation control data is data for adjusting the oscillation stage current of the oscillation circuit 10, for example. The voltage control data is data for adjusting the internal power supply voltage, the reference voltage, and the reference current generated by the regulator 40, for example. The temperature control data is, for example, data for setting the internal temperature of the oven 9 (the temperature of the oscillation element 3), and the temperature detection output from the temperature detection element 8 to control the heat generation or heat absorption of the temperature control element 7. The threshold voltage data may be compared with a voltage based on the voltage of the signal. If the oscillation element 3 is an SC cut crystal resonator, the frequency temperature characteristic exhibits a quadratic curve, and the amount of frequency change per unit temperature is the smallest in the vicinity of the apex. May be data for setting the internal temperature of the oven 9 so that the temperature becomes the temperature near the apex. The non-volatile memory 52 may store control data for the output circuit 20.

また、不揮発性メモリー52には、出力選択回路70の動作を制御するための第1イネーブル信号EN_AMP及び第2イネーブル信号EN_CMPが記憶される。本実施形態では、第1イネーブル信号EN_AMP及び第2イネーブル信号EN_CMPはそれぞれ1ビットの信号であるが、複数ビットの信号であってもよい。   The nonvolatile memory 52 stores a first enable signal EN_AMP and a second enable signal EN_CMP for controlling the operation of the output selection circuit 70. In the present embodiment, the first enable signal EN_AMP and the second enable signal EN_CMP are each a 1-bit signal, but may be a multi-bit signal.

不揮発性メモリー52に記憶されている各データは、ICチップ2(信号処理回路5)の電源投入時(電源端子の電圧が0Vから所望の電圧まで立ち上がる時)に不揮発性メモリー52からレジスター54に転送され、レジスター54に保持される。これにより、発振回路10、温度制御回路30及びレギュレーター40には、それぞれ、レジスター54に保持される発振制御データ、温度制御データ及び電圧制御データが入力される。また、出力選択回路70には、レジスター54に保持される第1イネーブル信号EN_AMP及び第2イネーブル信号EN_CMPが入力される。   Each data stored in the nonvolatile memory 52 is transferred from the nonvolatile memory 52 to the register 54 when the power of the IC chip 2 (signal processing circuit 5) is turned on (when the voltage of the power supply terminal rises from 0 V to a desired voltage). Transferred and held in register 54. Accordingly, the oscillation control data, temperature control data, and voltage control data held in the register 54 are input to the oscillation circuit 10, the temperature control circuit 30, and the regulator 40, respectively. The output selection circuit 70 receives the first enable signal EN_AMP and the second enable signal EN_CMP held in the register 54.

発振回路10は、発振素子3の出力信号を増幅して発振素子3にフィードバック(帰還)することで、発振素子3を発振させ、発振素子3の発振に基づく周波数信号(発振信号)を出力する。   The oscillation circuit 10 amplifies the output signal of the oscillation element 3 and feeds back to the oscillation element 3 to oscillate the oscillation element 3 and output a frequency signal (oscillation signal) based on the oscillation of the oscillation element 3. .

発振回路10としては、既知の各種の構成の回路を採用可能であり、発振回路10と発振素子3とにより構成される回路は、例えば、ピアース発振回路、インバーター型発振回路、コルピッツ発振回路、ハートレー発振回路などの種々の発振回路であってもよい。   As the oscillation circuit 10, circuits having various known configurations can be adopted. Examples of the circuit configured by the oscillation circuit 10 and the oscillation element 3 include a Pierce oscillation circuit, an inverter type oscillation circuit, a Colpitts oscillation circuit, and a Hartley oscillation circuit. Various oscillation circuits such as an oscillation circuit may be used.

出力回路20は、発振回路10が出力する発振信号が入力され、外部出力用の発振信号を生成し、発振器1の外部端子6を介して外部に出力する。出力回路20は、例えば、LVDS(Low Voltage Differential Signaling)回路、PECL(Positive Emitter Coupled Logic)回路、LVPECL(Low Voltage PECL)回路等の差動出力回路であってもよいし、シングルエンドの出力回路であってもよい。また、出力回路20は、発振回路10が出力する発振信号を分周し、分周された発振信号を出力してもよい。例えば、レジスター54に保持された制御データによって、出力回路20における周波数信号(発振信号)の分周比や出力レベルが制御されてもよい。   The output circuit 20 receives the oscillation signal output from the oscillation circuit 10, generates an oscillation signal for external output, and outputs it to the outside via the external terminal 6 of the oscillator 1. The output circuit 20 may be a differential output circuit such as an LVDS (Low Voltage Differential Signaling) circuit, a PECL (Positive Emitter Coupled Logic) circuit, or an LVPECL (Low Voltage PECL) circuit, or a single-ended output circuit. It may be. The output circuit 20 may divide the oscillation signal output from the oscillation circuit 10 and output the divided oscillation signal. For example, the frequency division ratio and output level of the frequency signal (oscillation signal) in the output circuit 20 may be controlled by the control data held in the register 54.

温度制御回路30は、温度検出素子8が出力する温度検出信号が入力され、温度制御素子7の発熱又は吸熱を制御するための温度制御信号を発生させる。例えば、温度制御回路30は、温度検出信号の電圧がレジスター54に保持されている温度制御データに応じた
所望の電圧値に保たれるように、温度制御素子7の発熱又は吸熱を制御してもよい。これにより、オーブン9の内部温度(発振素子3の温度)が、発振器1の周囲温度によらずほぼ一定になるように制御される。また、温度制御回路30は、温度検出信号に基づく第1温度信号Vt1及び第2温度信号Vt2を出力する。
The temperature control circuit 30 receives a temperature detection signal output from the temperature detection element 8 and generates a temperature control signal for controlling heat generation or heat absorption of the temperature control element 7. For example, the temperature control circuit 30 controls the heat generation or heat absorption of the temperature control element 7 so that the voltage of the temperature detection signal is maintained at a desired voltage value corresponding to the temperature control data held in the register 54. Also good. As a result, the internal temperature of the oven 9 (temperature of the oscillation element 3) is controlled to be substantially constant regardless of the ambient temperature of the oscillator 1. Further, the temperature control circuit 30 outputs a first temperature signal Vt1 and a second temperature signal Vt2 based on the temperature detection signal.

温度制御素子7は、温度制御回路30が出力する温度制御信号に基づき発熱量又は吸熱量が制御される。例えば、温度制御素子7は電流量に応じて発熱量又は吸熱量が変化し、温度制御信号に基づき温度制御素子7を流れる電流量が制御されるようにしてもよい。   The temperature control element 7 controls the amount of heat generation or heat absorption based on the temperature control signal output from the temperature control circuit 30. For example, the temperature control element 7 may change the amount of heat generated or the amount of heat absorption according to the amount of current, and the amount of current flowing through the temperature control element 7 may be controlled based on the temperature control signal.

レギュレーター40は、発振器1の電源端子からICチップ2の電源端子を介して供給される電源電圧に基づき、発振回路10、出力回路20、温度制御回路30、記憶部50、インターフェース回路60及び出力選択回路の一部又は全部を動作させるための各種の内部電源電圧、各種の基準電圧や基準電流などを生成する。   The regulator 40 is based on the power supply voltage supplied from the power supply terminal of the oscillator 1 via the power supply terminal of the IC chip 2, and the oscillation circuit 10, the output circuit 20, the temperature control circuit 30, the storage unit 50, the interface circuit 60, and the output selection. Various internal power supply voltages and various reference voltages and reference currents for operating part or all of the circuit are generated.

出力選択回路70は、温度制御回路30が出力する第1温度信号Vt1、第2温度信号Vt2、レジスター54に保持される第1イネーブル信号EN_AMP及び第2イネーブル信号EN_CMPが入力される。本実施形態では、不揮発性メモリー52及びレジスター54において、第1イネーブル信号EN_AMP及び第2イネーブル信号EN_CMPのうち、一方がアクティブ(ここではハイレベル)、他方が非アクティブ(ここではローレベル)となるように設定される。そして、出力選択回路70は、第1イネーブル信号EN_AMPがアクティブ(ハイレベル)の場合は、第1温度信号Vt1に基づく出力信号AMP_Oを生成し、第2イネーブル信号EN_CMPがアクティブ(ハイレベル)の場合は、第2温度信号Vt2に基づく出力信号AMP_Oを生成し、信号処理回路5の出力端子T1から発振器1の外部端子6を介して外部に出力する。   The output selection circuit 70 receives the first temperature signal Vt1 and the second temperature signal Vt2 output from the temperature control circuit 30, and the first enable signal EN_AMP and the second enable signal EN_CMP held in the register 54. In the present embodiment, in the nonvolatile memory 52 and the register 54, one of the first enable signal EN_AMP and the second enable signal EN_CMP is active (here, high level) and the other is inactive (here, low level). Is set as follows. When the first enable signal EN_AMP is active (high level), the output selection circuit 70 generates the output signal AMP_O based on the first temperature signal Vt1, and when the second enable signal EN_CMP is active (high level). Generates an output signal AMP_O based on the second temperature signal Vt2, and outputs it from the output terminal T1 of the signal processing circuit 5 to the outside via the external terminal 6 of the oscillator 1.

また、出力選択回路70は、第2イネーブル信号EN_CMPがアクティブ(ハイレベル)の場合は、第2温度信号Vt2に基づくデジタル信号N_AMP_Oを生成し、インターフェース回路60に出力する。   Further, when the second enable signal EN_CMP is active (high level), the output selection circuit 70 generates a digital signal N_AMP_O based on the second temperature signal Vt2 and outputs it to the interface circuit 60.

この出力選択回路70の構成例の詳細については後述する。   Details of a configuration example of the output selection circuit 70 will be described later.

インターフェース回路60は、発振器1の複数の外部端子6から入力されるクロック信号やデータ信号(コマンドデータ、アドレスデータ、書き込みデータ等)に基づき、不揮発性メモリー52及びレジスター54に対するリード/ライトを行うためのインターフェース回路である。また、インターフェース回路60は、出力選択回路70が出力するデジタル信号N_AMP_Oが入力され、発振器1の外部端子6からデジタル信号N_AMP_Oの読み出し要求コマンドが入力された場合に、デジタル信号N_AMP_Oを出力する。インターフェース回路60は、例えば、SPI(Serial Peripheral Interface)やIC(Inter-Integrated Circuit)などの各種のシリアルバス対応のインターフェース回路であってもよいし、パラレルバス対応のインターフェース回路であってもよい。ただし、発振器1の外部端子数を削減し、パッケージ4を小型化するためには、インターフェース回路60をシリアルバス対応のインターフェース回路として構成するのが望ましい。 The interface circuit 60 reads / writes data from / to the nonvolatile memory 52 and the register 54 based on clock signals and data signals (command data, address data, write data, etc.) input from the plurality of external terminals 6 of the oscillator 1. Interface circuit. The interface circuit 60 outputs the digital signal N_AMP_O when the digital signal N_AMP_O output from the output selection circuit 70 is input and a read request command for the digital signal N_AMP_O is input from the external terminal 6 of the oscillator 1. The interface circuit 60 may be an interface circuit compatible with various serial buses such as SPI (Serial Peripheral Interface) and I 2 C (Inter-Integrated Circuit), or may be an interface circuit compatible with a parallel bus. Good. However, in order to reduce the number of external terminals of the oscillator 1 and reduce the size of the package 4, it is desirable to configure the interface circuit 60 as an interface circuit compatible with a serial bus.

このように構成された本実施形態の発振器1は、発振器1の動作が保証される所望の温度範囲において、発振器1の周囲温度によらず極めて安定した周波数の発振信号を出力する恒温槽型発振器(発振素子3が水晶振動子であればOCXO(Oven Controlled Crystal Oscillator))として機能する。特に、発振素子3をSCカット水晶振動子とし、発振素子3の温度が頂点付近の温度になるように温度制御データを設定することで、周波数安定度の極めて高い恒温槽型発振器を実現することができる。   The oscillator 1 according to the present embodiment configured as described above is a thermostatic oven oscillator that outputs an oscillation signal having a very stable frequency regardless of the ambient temperature of the oscillator 1 in a desired temperature range in which the operation of the oscillator 1 is guaranteed. (If the oscillation element 3 is a crystal resonator, it functions as an OCXO (Oven Controlled Crystal Oscillator)). In particular, a temperature-controlled oscillator with extremely high frequency stability can be realized by setting the oscillation element 3 to be an SC cut crystal resonator and setting temperature control data so that the temperature of the oscillation element 3 becomes a temperature near the apex. Can do.

1−3.温度制御回路及び出力選択回路の構成
図3は、温度制御回路30及び出力選択回路70の具体的な構成例を示す図である。図3では、温度制御回路30と電気的に接続される温度制御素子7として、発熱素子として機能するNPN型パワートランジスターが用いられている。また、温度制御回路30と電気的に接続される温度検出素子8としてNTCサーミスターが用いられている。図3では、温度が低下すると温度検出素子8(NTCサーミスター)の抵抗値が上昇し、その出力信号(温度検出信号)の電圧が低下するため、温度制御回路30に含まれる演算増幅器31の入力電位差が大きくなる。逆に、温度が上昇すると温度検出素子8(NTCサーミスター)の抵抗値が低下し、その出力信号(温度検出信号)の電圧が上昇するため、演算増幅器31の入力電位差が小さくなる。演算増幅器31の出力電圧は入力電位差に比例する。温度制御素子7(NPN型パワートランジスター)は、演算増幅器31の出力電圧が所定の電圧値よりも高い時はオンし、電圧値が高いほど電流が流れて発熱量が大きくなる。また、温度制御素子7(NPN型パワートランジスター)は、演算増幅器31の出力電圧が所定の電圧値よりも低い時はオフし、電流が流れず発熱量が徐々に低下する。したがって、温度検出素子8(NTCサーミスター)の抵抗値が所望の値になるように、すなわち、オーブン9の内部温度(発振素子3の周囲温度)が所望の設定温度に保たれるように温度制御素子7の動作が制御される。
1-3. Configuration of Temperature Control Circuit and Output Selection Circuit FIG. 3 is a diagram illustrating a specific configuration example of the temperature control circuit 30 and the output selection circuit 70. In FIG. 3, an NPN power transistor that functions as a heating element is used as the temperature control element 7 that is electrically connected to the temperature control circuit 30. An NTC thermistor is used as the temperature detection element 8 that is electrically connected to the temperature control circuit 30. In FIG. 3, when the temperature decreases, the resistance value of the temperature detection element 8 (NTC thermistor) increases and the voltage of the output signal (temperature detection signal) decreases, so that the operational amplifier 31 included in the temperature control circuit 30 The input potential difference increases. Conversely, when the temperature rises, the resistance value of the temperature detection element 8 (NTC thermistor) decreases and the voltage of the output signal (temperature detection signal) rises, so the input potential difference of the operational amplifier 31 decreases. The output voltage of the operational amplifier 31 is proportional to the input potential difference. The temperature control element 7 (NPN type power transistor) is turned on when the output voltage of the operational amplifier 31 is higher than a predetermined voltage value, and the higher the voltage value, the more current flows and the amount of heat generation increases. Further, the temperature control element 7 (NPN type power transistor) is turned off when the output voltage of the operational amplifier 31 is lower than a predetermined voltage value, and current does not flow, and the heat generation amount gradually decreases. Accordingly, the temperature detection element 8 (NTC thermistor) has a desired resistance value, that is, the internal temperature of the oven 9 (the ambient temperature of the oscillation element 3) is maintained at a desired set temperature. The operation of the control element 7 is controlled.

なお、本実施形態では、可変抵抗32の抵抗値は温度制御データに応じて変化し、可変抵抗32の抵抗値に応じて演算増幅器31の非反転入力端子の電圧(温度制御素子7(NPN型パワートランジスター)の動作条件)が変化する。従って、温度制御データに応じて、温度制御素子7(NPN型パワートランジスター)のオンとオフが切り替わる時の温度検出素子8(NTCサーミスター)の出力電圧値(温度検出信号の電圧値)が可変であるため、オーブン9の設定温度を制御可能である。   In this embodiment, the resistance value of the variable resistor 32 changes according to the temperature control data, and the voltage (temperature control element 7 (NPN type) of the non-inverting input terminal of the operational amplifier 31 depends on the resistance value of the variable resistor 32. The operating condition) of the power transistor) changes. Accordingly, the output voltage value (temperature value of the temperature detection signal) of the temperature detection element 8 (NTC thermistor) when the temperature control element 7 (NPN type power transistor) is switched on and off is variable according to the temperature control data. Therefore, the set temperature of the oven 9 can be controlled.

また、図3に示すように、出力選択回路70は、増幅回路80と、判定回路90とを含んで構成されている。   As shown in FIG. 3, the output selection circuit 70 includes an amplification circuit 80 and a determination circuit 90.

増幅回路80は、第1基準信号Vr1及び温度検出素子8(NTCサーミスター)からの出力信号に基づく信号である第1温度信号Vt1が入力され、第1基準信号Vr1及び第1温度信号Vt1に基づく信号を出力可能である。本実施形態では、増幅回路80は、抵抗81、抵抗82及びレギュレーター40が生成する基準電圧Vreg2を電源電圧として動作する演算増幅器83を含む差動増幅回路である。そして、レギュレーター40が生成する基準電圧Vreg3とグランドとの間を抵抗分割して生成される第1基準信号Vr1が演算増幅器83の非反転入力端子に入力され、第1温度信号Vt1として温度検出素子8が出力する温度検出信号(NTCサーミスターからの信号)が抵抗81を介して演算増幅器83の反転入力端子に入力される。   The amplifying circuit 80 receives the first reference signal Vr1 and the first temperature signal Vt1, which is a signal based on the output signal from the temperature detection element 8 (NTC thermistor), and inputs the first reference signal Vr1 and the first temperature signal Vt1. Based signal can be output. In the present embodiment, the amplifier circuit 80 is a differential amplifier circuit including an operational amplifier 83 that operates using the resistor 81, the resistor 82, and the reference voltage Vreg2 generated by the regulator 40 as a power supply voltage. The first reference signal Vr1 generated by resistance division between the reference voltage Vreg3 generated by the regulator 40 and the ground is input to the non-inverting input terminal of the operational amplifier 83, and the temperature detection element is used as the first temperature signal Vt1. A temperature detection signal (a signal from the NTC thermistor) output by 8 is input to the inverting input terminal of the operational amplifier 83 via the resistor 81.

本実施形態では、増幅回路80は、第1イネーブル信号EN_AMPに基づいて動作する。具体的には、増幅回路80は、第1イネーブル信号EN_AMPがアクティブ(ハイレベル)の時に動作し、演算増幅器83により、第1基準信号Vr1と第1温度信号Vt1との電位差を、抵抗81の抵抗値及び抵抗82の抵抗値に応じた増幅率で増幅した電圧を有する信号を出力する。   In the present embodiment, the amplifier circuit 80 operates based on the first enable signal EN_AMP. Specifically, the amplifier circuit 80 operates when the first enable signal EN_AMP is active (high level), and the operational amplifier 83 generates a potential difference between the first reference signal Vr1 and the first temperature signal Vt1. A signal having a voltage amplified by an amplification factor corresponding to the resistance value and the resistance value of the resistor 82 is output.

また、増幅回路80は、第1イネーブル信号EN_AMPが非アクティブ(ローレベル)の時に停止し、演算増幅器83の出力端子がオープン(ハイインピーダンス)となり、第1温度信号Vt1に基づく信号を出力しない。   The amplifier circuit 80 stops when the first enable signal EN_AMP is inactive (low level), the output terminal of the operational amplifier 83 is open (high impedance), and does not output a signal based on the first temperature signal Vt1.

図4に、第1イネーブル信号EN_AMPがアクティブ(ハイレベル)の時の、オーブン9の内部温度(発振素子3の周囲温度)と第1温度信号Vt1の電圧(実線)及び増幅
回路80(演算増幅器83)の出力電圧(破線)との関係の一例を示す。図4に示すように、増幅回路80(演算増幅器83)からの出力信号は、その電圧が第1温度信号Vt1の電圧に応じて変化する信号、すなわち、温度を表す信号である。より具体的には、増幅回路80(演算増幅器83)からの出力信号は、オーブン9の内部温度(発振素子3の周囲温度)を表す信号である。
In FIG. 4, when the first enable signal EN_AMP is active (high level), the internal temperature of the oven 9 (ambient temperature of the oscillation element 3), the voltage of the first temperature signal Vt1 (solid line), and the amplifier circuit 80 (operational amplifier) 83) shows an example of the relationship with the output voltage (broken line). As shown in FIG. 4, the output signal from the amplifier circuit 80 (the operational amplifier 83) is a signal whose voltage changes according to the voltage of the first temperature signal Vt1, that is, a signal representing temperature. More specifically, the output signal from the amplifier circuit 80 (the operational amplifier 83) is a signal representing the internal temperature of the oven 9 (the ambient temperature of the oscillation element 3).

図3に戻り、判定回路90は、第2基準信号Vr2及び温度制御素子7(NPN型パワートランジスター)への入力信号に基づく信号である第2温度信号Vt2が入力され、第2基準信号Vr2と第2温度信号Vt2との比較に基づく二値信号を出力可能である。本実施形態では、判定回路90は、レギュレーター40が生成する基準電圧Vreg2を電源電圧として動作するコンパレーター91である。そして、第2温度信号Vt2として温度制御素子7の入力信号(NPN型パワートランジスターのベース端子への入力信号)がコンパレーター91の非反転入力端子に入力され、レギュレーター40が生成する基準電圧Vreg3とグランドとの間を抵抗分割して生成される第2基準信号Vr2がコンパレーター91の反転入力端子に入力される。例えば、第2基準信号Vr2の電圧は、温度制御素子7(NPN型パワートランジスター)がオンからオフ又はオフからオンに切り替わる時(オーブン9の内部温度(発振素子3の周囲温度)が設定温度に一致する時)の演算増幅器31の出力電圧値と一致するように設定される。   Returning to FIG. 3, the determination circuit 90 receives the second reference signal Vr2 and the second temperature signal Vt2 that is a signal based on the input signal to the temperature control element 7 (NPN type power transistor). A binary signal based on the comparison with the second temperature signal Vt2 can be output. In the present embodiment, the determination circuit 90 is a comparator 91 that operates using the reference voltage Vreg2 generated by the regulator 40 as a power supply voltage. Then, an input signal of the temperature control element 7 (input signal to the base terminal of the NPN type power transistor) is input to the non-inverting input terminal of the comparator 91 as the second temperature signal Vt2, and the reference voltage Vreg3 generated by the regulator 40 and A second reference signal Vr2 generated by resistance division between the ground and the ground is input to the inverting input terminal of the comparator 91. For example, the voltage of the second reference signal Vr2 is set to the set temperature when the temperature control element 7 (NPN type power transistor) is switched from on to off or from off to on (the internal temperature of the oven 9 (ambient temperature of the oscillation element 3)). The output voltage value of the operational amplifier 31 is set so as to match.

本実施形態では、判定回路90は、第2イネーブル信号EN_CMPに基づいて動作する。具体的には、判定回路90(コンパレーター91)は、第2イネーブル信号EN_CMPがアクティブ(ハイレベル)の時に動作し、第2温度信号Vt2の電圧が第2基準信号Vr2の電圧よりも高い場合はハイレベル、第2温度信号Vt2の電圧が第2基準信号Vr2の電圧よりも低い場合はローレベルとなる信号を出力する。   In the present embodiment, the determination circuit 90 operates based on the second enable signal EN_CMP. Specifically, the determination circuit 90 (comparator 91) operates when the second enable signal EN_CMP is active (high level), and the voltage of the second temperature signal Vt2 is higher than the voltage of the second reference signal Vr2. Is a high level, and when the voltage of the second temperature signal Vt2 is lower than the voltage of the second reference signal Vr2, a signal that is at a low level is output.

また、判定回路90(コンパレーター91)は、第2イネーブル信号EN_CMPが非アクティブ(ローレベル)の時に停止し、その出力端子がオープン(ハイインピーダンス)となり、第2温度信号Vt2に基づく信号を出力しない。   The determination circuit 90 (comparator 91) stops when the second enable signal EN_CMP is inactive (low level), and its output terminal becomes open (high impedance), and outputs a signal based on the second temperature signal Vt2. do not do.

図5に、第2イネーブル信号EN_CMPがアクティブ(ハイレベル)の時の、オーブン9の内部温度(発振素子3の周囲温度)と第2温度信号Vt2の電圧(実線)及び判定回路90(コンパレーター91)の出力電圧(破線)との関係の一例を示す。図5に示すように、判定回路90(コンパレーター91)からの出力信号は、第2温度信号Vt2の電圧と第2基準信号Vr2の電圧との大小関係に応じた二値信号、すなわち、温度が設定温度に達しているか否かを表す信号である。より具体的には、判定回路90(コンパレーター91)からの出力信号がハイレベルの時は、オーブン9の内部温度(発振素子3の周囲温度)が設定温度に達しておらず、ローレベルの時はオーブン9の内部温度(発振素子3の周囲温度)が設定温度に達していることを表す。   FIG. 5 shows the internal temperature of the oven 9 (the ambient temperature of the oscillation element 3) and the voltage (solid line) of the second temperature signal Vt2 and the determination circuit 90 (comparator) when the second enable signal EN_CMP is active (high level). 91) shows an example of the relationship with the output voltage (broken line). As shown in FIG. 5, the output signal from the determination circuit 90 (comparator 91) is a binary signal corresponding to the magnitude relationship between the voltage of the second temperature signal Vt2 and the voltage of the second reference signal Vr2, that is, the temperature. Is a signal indicating whether or not the set temperature has been reached. More specifically, when the output signal from the determination circuit 90 (comparator 91) is at a high level, the internal temperature of the oven 9 (the ambient temperature of the oscillation element 3) has not reached the set temperature, and is at a low level. The hour indicates that the internal temperature of the oven 9 (the ambient temperature of the oscillation element 3) has reached the set temperature.

図3に戻り、増幅回路80(演算増幅器83)の出力端子と判定回路90(コンパレーター91)の出力端子とは配線で接続されており、当該配線を伝搬する信号は、出力選択回路70の出力信号AMP_Oとして、信号処理回路5の出力端子T1から出力される。上述したように、本実施形態では、不揮発性メモリー52及びレジスター54において、第1イネーブル信号EN_AMP及び第2イネーブル信号EN_CMPのうち、一方がアクティブ(ハイレベル)、他方が非アクティブ(ローレベル)となるように設定される。従って、第1イネーブル信号EN_AMPがアクティブ(ハイレベル)に設定された時は、出力選択回路70の出力信号AMP_Oは増幅回路80からの出力信号であり、第2イネーブル信号EN_CMPがアクティブ(ハイレベル)に設定された時は、出力選択回路70の出力信号AMP_Oは判定回路90からの出力信号である。すなわち、本実施形態では、増幅回路80からの出力信号及び判定回路90からの出力信号は、共通の出力端子
T1から出力される。
Returning to FIG. 3, the output terminal of the amplifier circuit 80 (operational amplifier 83) and the output terminal of the determination circuit 90 (comparator 91) are connected by wiring, and a signal propagating through the wiring is transmitted from the output selection circuit 70. The output signal AMP_O is output from the output terminal T1 of the signal processing circuit 5. As described above, in the present embodiment, in the nonvolatile memory 52 and the register 54, one of the first enable signal EN_AMP and the second enable signal EN_CMP is active (high level) and the other is inactive (low level). Is set to be Therefore, when the first enable signal EN_AMP is set to active (high level), the output signal AMP_O of the output selection circuit 70 is an output signal from the amplifier circuit 80, and the second enable signal EN_CMP is active (high level). When set to, the output signal AMP_O of the output selection circuit 70 is an output signal from the determination circuit 90. That is, in this embodiment, the output signal from the amplifier circuit 80 and the output signal from the determination circuit 90 are output from the common output terminal T1.

また、本実施形態では、出力選択回路70は、増幅回路80からの出力信号及び判定回路90からの出力信号と、第2イネーブル信号EN_CMPとが入力されるANDゲート71をさらに備える。より具体的には、ANDゲート71は、出力選択回路70の出力信号AMP_Oと第2イネーブル信号EN_CMPとが入力され、これら2つの信号の論理積であるデジタル信号N_AMP_Oを出力する。   In this embodiment, the output selection circuit 70 further includes an AND gate 71 to which the output signal from the amplifier circuit 80, the output signal from the determination circuit 90, and the second enable signal EN_CMP are input. More specifically, the AND gate 71 receives the output signal AMP_O of the output selection circuit 70 and the second enable signal EN_CMP, and outputs a digital signal N_AMP_O that is the logical product of these two signals.

従って、第1イネーブル信号EN_AMPがアクティブ(ハイレベル)に設定された時は、第2イネーブル信号EN_CMPは非アクティブ(ローレベル)であるから、ANDゲート71が出力するデジタル信号N_AMP_Oはローレベルの信号である。この時、出力選択回路70の出力信号AMP_Oは増幅回路80からの出力信号であるので、ハイレベルとローレベルの間の中間電位となり得るが、第2イネーブル信号EN_CMPがローレベルであるから、ANDゲート71において、電源からグランドへの電流経路が遮断されており、貫通電流は流れない。従って、第1イネーブル信号EN_AMPがアクティブ(ハイレベル)に設定された時の消費電力の増加を抑制することができる。   Therefore, when the first enable signal EN_AMP is set to active (high level), the second enable signal EN_CMP is inactive (low level), so the digital signal N_AMP_O output from the AND gate 71 is a low level signal. It is. At this time, since the output signal AMP_O of the output selection circuit 70 is an output signal from the amplifier circuit 80, it can be an intermediate potential between the high level and the low level, but since the second enable signal EN_CMP is at the low level, the AND signal In the gate 71, the current path from the power source to the ground is interrupted, and no through current flows. Therefore, an increase in power consumption when the first enable signal EN_AMP is set to active (high level) can be suppressed.

また、第2イネーブル信号EN_CMPがアクティブ(ハイレベル)に設定された時は、出力選択回路70の出力信号AMP_Oは判定回路90からの出力信号であるので、ANDゲート71が出力するデジタル信号N_AMP_Oも判定回路90からの出力信号である。そして、外部装置から、発振器1の外部端子6を介してデジタル信号N_AMP_Oの読み出し要求コマンド(温度)が入力された場合、インターフェース回路60は、ANDゲート71からの出力信号であるデジタル信号N_AMP_Oに基づいて、温度が設定温度に達しているか否かを表す信号を生成し、発振器1の外部端子6を介して外部装置に出力する。より具体的には、デジタル信号N_AMP_Oがハイレベルの時は、オーブン9の内部温度(発振素子3の周囲温度)が設定温度に達しておらず、ローレベルの時はオーブン9の内部温度(発振素子3の周囲温度)が設定温度に達していることを表す。   When the second enable signal EN_CMP is set to active (high level), the output signal AMP_O of the output selection circuit 70 is an output signal from the determination circuit 90, so that the digital signal N_AMP_O output from the AND gate 71 is also used. This is an output signal from the determination circuit 90. When the read request command (temperature) of the digital signal N_AMP_O is input from the external device via the external terminal 6 of the oscillator 1, the interface circuit 60 is based on the digital signal N_AMP_O that is an output signal from the AND gate 71. Thus, a signal indicating whether or not the temperature has reached the set temperature is generated and output to an external device via the external terminal 6 of the oscillator 1. More specifically, when the digital signal N_AMP_O is at a high level, the internal temperature of the oven 9 (ambient temperature of the oscillation element 3) does not reach the set temperature, and when the digital signal N_AMP_O is at a low level, the internal temperature of the oven 9 (oscillation). This represents that the ambient temperature of the element 3 has reached the set temperature.

1−4.発振器(信号処理回路)の製造方法
図6は、本実施形態の発振器1の製造方法の手順の一例を示すフローチャート図である。図6の工程S10〜S40の一部を省略又は変更し、あるいは、他の工程を追加してもよい。
1-4. Method for Manufacturing Oscillator (Signal Processing Circuit) FIG. 6 is a flowchart showing an example of the procedure of the method for manufacturing the oscillator 1 of the present embodiment. Part of steps S10 to S40 in FIG. 6 may be omitted or changed, or other steps may be added.

図6の例では、まず、ICチップ2(信号処理回路5)の特性を調整する(S10)。たとえば、この工程S10において、ICチップ2(信号処理回路5)の特性情報を取得し、取得した特性情報に応じて、記憶部50(不揮発性メモリー52)に最適な電圧制御データや発振制御データを書き込んでもよい。   In the example of FIG. 6, first, the characteristics of the IC chip 2 (signal processing circuit 5) are adjusted (S10). For example, in this step S10, the characteristic information of the IC chip 2 (signal processing circuit 5) is acquired, and the optimum voltage control data and oscillation control data for the storage unit 50 (nonvolatile memory 52) according to the acquired characteristic information. May be written.

次に、部品搭載基板4cに、ICチップ2と、発振素子3、温度制御素子7及び温度検出素子8が収容されたオーブン9とを搭載し、熱処理を行ってケース4aと基台4bとを封止することにより、発振器1を組み立てる(S20)。工程S20により、ICチップ2、発振素子3、温度制御素子7及び温度検出素子8は、パッケージ4の内部又は凹部の表面に設けられた配線によって接続され、ICチップ2に電源を供給するとICチップ2、発振素子3、温度制御素子7及び温度検出素子8が電気的に接続される状態になる。   Next, the IC chip 2, the oven 9 in which the oscillation element 3, the temperature control element 7, and the temperature detection element 8 are housed are mounted on the component mounting board 4c, and heat treatment is performed to form the case 4a and the base 4b. The oscillator 1 is assembled by sealing (S20). By the step S20, the IC chip 2, the oscillation element 3, the temperature control element 7, and the temperature detection element 8 are connected by wiring provided inside the package 4 or on the surface of the recess, and when power is supplied to the IC chip 2, the IC chip 2, the oscillation element 3, the temperature control element 7, and the temperature detection element 8 are electrically connected.

次に、発振器1の設定温度調整を行う(S30)。この設定温度調整工程S30の詳細は後述する。   Next, the set temperature of the oscillator 1 is adjusted (S30). Details of this preset temperature adjustment step S30 will be described later.

最後に、信号処理回路5において、増幅回路80からの出力信号及び判定回路90からの出力信号のいずれか一方が共通の出力端子T1から出力されるように記憶部50を設定
する(S40)。この工程S40では、第1イネーブル信号EN_AMP及び第2イネーブル信号EN_CMPのうち、一方がアクティブ(ハイレベル)、他方が非アクティブ(ローレベル)になるように、不揮発性メモリー52を設定する。
Finally, in the signal processing circuit 5, the storage unit 50 is set so that one of the output signal from the amplifier circuit 80 and the output signal from the determination circuit 90 is output from the common output terminal T1 (S40). In this step S40, the nonvolatile memory 52 is set so that one of the first enable signal EN_AMP and the second enable signal EN_CMP is active (high level) and the other is inactive (low level).

なお、図6のフローチャート図は、信号処理回路5(あるいはICチップ2)の製造方法の手順の一例を示すフローチャート図でもあり、信号処理回路5(あるいはICチップ2)の製造方法の手順としては工程S20及びS30は無くてもよい。   The flowchart of FIG. 6 is also a flowchart showing an example of the procedure of the method for manufacturing the signal processing circuit 5 (or IC chip 2), and the procedure of the method for manufacturing the signal processing circuit 5 (or IC chip 2) is as follows. Steps S20 and S30 may be omitted.

図7は、本実施形態における設定温度調整工程(図6のS30)の詳細な手順の一例を示すフローチャート図である。図7の工程S31〜S39の一部を省略又は変更し、あるいは、他の工程を追加してもよい。また、可能な範囲で、各工程の順番を適宜変更してもよい。   FIG. 7 is a flowchart showing an example of a detailed procedure of the set temperature adjustment step (S30 in FIG. 6) in the present embodiment. Part of steps S31 to S39 in FIG. 7 may be omitted or changed, or other steps may be added. Moreover, you may change the order of each process suitably in the possible range.

図7の例では、まず、外部装置(ここでは、発振器1の特性を調整するための装置)が、恒温槽に収容されている発振器1に電源電圧を供給し、発振器1を動作させる(S31)。   In the example of FIG. 7, first, an external device (here, a device for adjusting the characteristics of the oscillator 1) supplies a power supply voltage to the oscillator 1 accommodated in the thermostat and operates the oscillator 1 (S <b> 31). ).

次に、外部装置が、恒温槽の温度(発振器1の周囲温度)を所望の温度(例えば、−40℃)に設定する(S32)。   Next, the external device sets the temperature of the thermostatic chamber (ambient temperature of the oscillator 1) to a desired temperature (for example, −40 ° C.) (S32).

次に、外部装置が、信号処理回路5のレジスター54に、インターフェース回路60を介して所定の温度制御データを設定する(S33)。   Next, the external device sets predetermined temperature control data to the register 54 of the signal processing circuit 5 via the interface circuit 60 (S33).

次に、外部装置が、第1イネーブル信号EN_AMPがアクティブ(ハイレベル)、第2イネーブル信号EN_CMPが非アクティブ(ローレベル)となるように信号処理回路5のレジスター54を設定し、出力端子T1を介して出力される第1温度信号Vt1に基づく電圧値V1を測定する(S34)。   Next, the external device sets the register 54 of the signal processing circuit 5 so that the first enable signal EN_AMP is active (high level) and the second enable signal EN_CMP is inactive (low level), and the output terminal T1 is set. The voltage value V1 based on the first temperature signal Vt1 output via the voltage is measured (S34).

次に、外部装置が、第1イネーブル信号EN_AMPが非アクティブ(ローレベル)、第2イネーブル信号EN_CMPがアクティブ(ハイレベル)となるように信号処理回路5のレジスター54を設定し、出力端子T1を介して出力される第2温度信号Vt2に基づく電圧値V2を測定する(S35)。   Next, the external device sets the register 54 of the signal processing circuit 5 so that the first enable signal EN_AMP is inactive (low level) and the second enable signal EN_CMP is active (high level), and the output terminal T1 is set. The voltage value V2 based on the second temperature signal Vt2 output via the voltage is measured (S35).

次に、外部装置が、出力回路20が出力する発振信号の周波数Fを測定する(S36)。   Next, the external device measures the frequency F of the oscillation signal output from the output circuit 20 (S36).

次に、外部装置が、恒温槽の温度を異なる温度(例えば、−30℃)に設定し(S321)、再び、工程S33〜工程S36の処理を行う。   Next, an external apparatus sets the temperature of a thermostat to different temperature (for example, -30 degreeC) (S321), and performs the process of process S33-process S36 again.

同様に、外部装置が、発振器1の動作が保証される所望の温度範囲(例えば、−40℃〜+85℃)に含まれる、測定対象のすべての温度での測定を終了するまで(S37のN)、工程S32〜工程S36の処理を繰り返す。   Similarly, until the external device finishes measurement at all temperatures to be measured that are included in a desired temperature range (for example, −40 ° C. to + 85 ° C.) in which the operation of the oscillator 1 is guaranteed (N in S37). ), And repeats the process from step S32 to step S36.

そして、外部装置が、測定対象のすべての温度での測定を終了すると(S37のY)、次に、工程S33で設定した温度制御データ、工程S34〜S36で測定したV1、V2及びFから、周波数温度特性がフラットに最も近づく温度制御データを算出する(S38)。例えば、外部装置が、V1毎に、設定した温度制御データとV2との関係やV2とFとの関係などを算出し、これらの関係を基に、最適な温度制御データを算出する。   When the external device finishes measurement at all temperatures to be measured (Y in S37), next, from the temperature control data set in step S33, V1, V2 and F measured in steps S34 to S36, Temperature control data whose frequency temperature characteristic is closest to flat is calculated (S38). For example, the external device calculates the relationship between the set temperature control data and V2, the relationship between V2 and F, etc. for each V1, and calculates optimum temperature control data based on these relationships.

次に、外部装置が、工程S38で算出した温度制御データを信号処理回路5の不揮発性
メモリー52に書き込み(S39)、設定温度調整工程が終了する。
Next, the external device writes the temperature control data calculated in step S38 into the nonvolatile memory 52 of the signal processing circuit 5 (S39), and the set temperature adjustment step ends.

1−5.作用効果
以上に説明したように、本実施形態の発振器1では、信号処理回路5が、増幅回路80により、第1基準信号Vr1及び第1温度信号Vt1に基づく信号を出力し、判定回路90が第2基準信号Vr2と第2温度信号Vt2との比較に基づく二値信号を出力する。そして、第1イネーブル信号EN_AMP及び第2イネーブル信号EN_CMPのいずれか一方のみがアクティブとなるように記憶部50を設定することで、増幅回路80からの出力信号と判定回路90からの出力信号のいずれか一方を共通の出力端子T1から出力させるこができる。このように、本実施形態によれば、汎用性の高い信号処理回路5を用いてその記憶部50の設定を変更することで用途に応じた発振器1をより低コストに実現することが可能である。また、本実施形態によれば、増幅回路80からの出力信号と判定回路90からの出力信号のいずれか一方を出力端子T1から出力可能であるため、発振器1の小型化にも有利である。
1-5. As described above, in the oscillator 1 of the present embodiment, the signal processing circuit 5 outputs a signal based on the first reference signal Vr1 and the first temperature signal Vt1 by the amplifier circuit 80, and the determination circuit 90 A binary signal based on the comparison between the second reference signal Vr2 and the second temperature signal Vt2 is output. Then, by setting the storage unit 50 so that only one of the first enable signal EN_AMP and the second enable signal EN_CMP is active, any of the output signal from the amplifier circuit 80 and the output signal from the determination circuit 90 is set. One of them can be output from a common output terminal T1. As described above, according to this embodiment, it is possible to realize the oscillator 1 according to the application at lower cost by changing the setting of the storage unit 50 using the highly versatile signal processing circuit 5. is there. In addition, according to the present embodiment, since either the output signal from the amplifier circuit 80 or the output signal from the determination circuit 90 can be output from the output terminal T1, it is advantageous for downsizing the oscillator 1.

また、本実施形態の発振器1によれば、図3に示したように、温度検出素子8からの出力信号を第1温度信号Vt1とし、温度制御素子7への入力信号を第2温度信号Vt2とすることで、オーブン9の内部温度(発振素子3の周囲温度)の情報と、オーブン9の内部温度(発振素子3の周囲温度)が設定温度に達しているか否か(温度が安定しているか否か)を表す情報とを出力することができる。従って、図7に示したように、外部装置は、第1イネーブル信号EN_AMP及び第2イネーブル信号EN_CMPの設定を変更しながら必要な情報を取得し、オーブン9の設定温度を調整することもできる。   Further, according to the oscillator 1 of the present embodiment, as shown in FIG. 3, the output signal from the temperature detection element 8 is the first temperature signal Vt1, and the input signal to the temperature control element 7 is the second temperature signal Vt2. Thus, information on the internal temperature of the oven 9 (ambient temperature of the oscillation element 3) and whether or not the internal temperature of the oven 9 (ambient temperature of the oscillation element 3) has reached the set temperature (the temperature is stabilized). Information indicating whether or not) can be output. Therefore, as shown in FIG. 7, the external device can acquire necessary information while adjusting the settings of the first enable signal EN_AMP and the second enable signal EN_CMP and adjust the set temperature of the oven 9.

また、本実施形態の発振器1によれば、第1イネーブル信号EN_AMPをアクティブに設定することにより、オーブン9の内部温度(発振素子3の周囲温度)の情報と、オーブン9の内部温度(発振素子3の周囲温度)が設定温度に達しているか否かを表す信号を、出力端子T1を介して外部へ出力するとともに、インターフェース回路60を介して外部へ出力することもできる。従って、オーブン9の内部温度(発振素子3の周囲温度)が設定温度に達しているか否かを表す信号を、出力端子T1を介して受け取る外部装置にも、インターフェース回路60を介して読み出す外部装置にも適用可能な汎用性の高い発振器1を実現することができる。   Further, according to the oscillator 1 of the present embodiment, by setting the first enable signal EN_AMP to be active, information on the internal temperature of the oven 9 (ambient temperature of the oscillation element 3) and the internal temperature of the oven 9 (oscillation element) 3) can be output to the outside via the output terminal T1 and also to the outside via the interface circuit 60. Therefore, an external device that reads out via the interface circuit 60 a signal indicating whether or not the internal temperature of the oven 9 (ambient temperature of the oscillation element 3) has reached the set temperature is also received via the output circuit T1. It is possible to realize a highly versatile oscillator 1 that can be applied to the above.

また、本実施形態の発振器1によれば、図3に示したように、判定回路90として演算増幅器ではなくコンパレーター91が用いられているので、オーブン9の内部温度(発振素子3の周囲温度)が設定温度に達しているか否かを表す二値信号を、その立ち上がり時間や立下り時間を短縮して出力することができる。   Further, according to the oscillator 1 of the present embodiment, as shown in FIG. 3, since the comparator 91 is used as the determination circuit 90 instead of the operational amplifier, the internal temperature of the oven 9 (the ambient temperature of the oscillation element 3) ) Can output a binary signal indicating whether or not the temperature has reached the set temperature with its rise time and fall time shortened.

1−6.変形例
[変形例1]
上述した実施形態では、図3に示したように、増幅回路80には、第1温度信号Vt1として、温度検出素子8からの出力信号に基づく信号が入力されているが、温度制御素子7への入力信号に基づく信号が入力されてもよい。
1-6. Modification [Modification 1]
In the above-described embodiment, as shown in FIG. 3, a signal based on the output signal from the temperature detection element 8 is input to the amplifier circuit 80 as the first temperature signal Vt1. A signal based on the input signal may be input.

図8は、この変形例1における温度制御回路30及び出力選択回路70の具体的な構成例を示す図である。図8では、温度制御素子7の入力信号(NPN型パワートランジスターのベース端子への入力信号)が、第1温度信号Vt1として増幅回路80に入力される(具体的には、演算増幅器83の反転入力端子に入力される)。また、温度検出素子8(NTCサーミスター)が出力する温度検出信号が、第2温度信号Vt2として判定回路90に入力される(具体的には、コンパレーター91の非反転入力端子に入力される)。すなわち、図8では、図3に対して、第1温度信号Vt1と第2温度信号Vt2が入れ替わ
っている。図9に、この変形例1における、第1イネーブル信号EN_AMPがアクティブ(ハイレベル)の時の、オーブン9の内部温度(発振素子3の周囲温度)と第1温度信号Vt1の電圧(実線)及び増幅回路80(演算増幅器83)の電圧(破線)との関係の一例を示す。また、図10に、第2イネーブル信号EN_CMPがアクティブ(ハイレベル)の時の、オーブン9の内部温度(発振素子3の周囲温度)と第2温度信号Vt2の電圧(実線)及び判定回路90(コンパレーター91)の電圧(破線)との関係の一例を示す。
FIG. 8 is a diagram showing a specific configuration example of the temperature control circuit 30 and the output selection circuit 70 in the first modification. In FIG. 8, the input signal of the temperature control element 7 (input signal to the base terminal of the NPN type power transistor) is input to the amplifier circuit 80 as the first temperature signal Vt1 (specifically, the inversion of the operational amplifier 83). Input to the input terminal). Further, the temperature detection signal output from the temperature detection element 8 (NTC thermistor) is input to the determination circuit 90 as the second temperature signal Vt2 (specifically, input to the non-inverting input terminal of the comparator 91). ). That is, in FIG. 8, the first temperature signal Vt1 and the second temperature signal Vt2 are interchanged with respect to FIG. FIG. 9 shows the internal temperature of the oven 9 (the ambient temperature of the oscillation element 3) and the voltage (solid line) of the first temperature signal Vt1 when the first enable signal EN_AMP is active (high level). An example of the relationship with the voltage (broken line) of the amplifier circuit 80 (operational amplifier 83) is shown. FIG. 10 shows the internal temperature of the oven 9 (the ambient temperature of the oscillation element 3) and the voltage of the second temperature signal Vt2 (solid line) and the determination circuit 90 (when the second enable signal EN_CMP is active (high level)). An example of the relationship with the voltage (broken line) of the comparator 91) is shown.

[変形例2]
上述した実施形態では、図3に示したように、別個の信号である第1基準信号Vr1及び第2基準信号Vr2が、それぞれ、増幅回路80及び判定回路90に入力されているが、第1基準信号Vr1及び第2基準信号Vr2として、共通の基準信号が増幅回路80及び判定回路90に入力されてもよい。また、上述した実施形態では、図3に示したように、別個の信号である第1温度信号Vt1及び第2温度信号Vt2が、それぞれ、増幅回路80及び判定回路90に入力されているが、第1温度信号Vt1及び第2温度信号Vt2として、共通の温度信号が増幅回路80及び判定回路90に入力されてもよい。
[Modification 2]
In the embodiment described above, as shown in FIG. 3, the first reference signal Vr1 and the second reference signal Vr2 which are separate signals are input to the amplifier circuit 80 and the determination circuit 90, respectively. A common reference signal may be input to the amplifier circuit 80 and the determination circuit 90 as the reference signal Vr1 and the second reference signal Vr2. In the above-described embodiment, as illustrated in FIG. 3, the first temperature signal Vt1 and the second temperature signal Vt2 that are separate signals are input to the amplifier circuit 80 and the determination circuit 90, respectively. A common temperature signal may be input to the amplifier circuit 80 and the determination circuit 90 as the first temperature signal Vt1 and the second temperature signal Vt2.

図11は、この変形例2における温度制御回路30及び出力選択回路70の具体的な構成例を示す図である。図11では、レギュレーター40が生成する基準電圧Vreg3とグランドとの間を抵抗分割して生成される基準信号が、第1基準信号Vr1として増幅回路80に入力される(具体的には、演算増幅器83の非反転入力端子に入力される)とともに、第2基準信号Vr2として判定回路90に入力される(具体的には、コンパレーター91の反転入力端子に入力される)。また、温度検出素子8(NTCサーミスター)からの出力信号(温度検出信号)が、第1温度信号Vt1として増幅回路80に入力される(具体的には、抵抗81を介して演算増幅器83の反転入力端子に入力される)とともに、第2温度信号Vt2として判定回路90に入力される(具体的には、コンパレーター91の非反転入力端子に入力される)。なお、図11の構成において、第1イネーブル信号EN_AMPがアクティブ(ハイレベル)の時の、オーブン9の内部温度(発振素子3の周囲温度)と第1温度信号Vt1の電圧(実線)及び増幅回路80(演算増幅器83)の電圧(破線)との関係は図4と同様であるため、その図示を省略する。同様に、図11の構成において、第2イネーブル信号EN_CMPがアクティブ(ハイレベル)の時の、オーブン9の内部温度(発振素子3の周囲温度)と第2温度信号Vt2の電圧(実線)及び判定回路90(コンパレーター91)の電圧(破線)との関係は図10と同様であるため、その図示を省略する。   FIG. 11 is a diagram showing a specific configuration example of the temperature control circuit 30 and the output selection circuit 70 in the second modification. In FIG. 11, the reference signal generated by resistance division between the reference voltage Vreg3 generated by the regulator 40 and the ground is input to the amplifier circuit 80 as the first reference signal Vr1 (specifically, an operational amplifier) 83, and the second reference signal Vr2 is input to the determination circuit 90 (specifically, input to the inverting input terminal of the comparator 91). Further, an output signal (temperature detection signal) from the temperature detection element 8 (NTC thermistor) is input to the amplifier circuit 80 as the first temperature signal Vt1 (specifically, the operational amplifier 83 is connected via the resistor 81). And is input to the determination circuit 90 as the second temperature signal Vt2 (specifically, input to the non-inverting input terminal of the comparator 91). In the configuration of FIG. 11, when the first enable signal EN_AMP is active (high level), the internal temperature of the oven 9 (ambient temperature of the oscillation element 3), the voltage of the first temperature signal Vt1 (solid line), and the amplifier circuit The relationship between the voltage 80 (operational amplifier 83) and the voltage (broken line) is the same as in FIG. Similarly, in the configuration of FIG. 11, when the second enable signal EN_CMP is active (high level), the internal temperature of the oven 9 (ambient temperature of the oscillation element 3), the voltage of the second temperature signal Vt2 (solid line), and the determination Since the relationship with the voltage (broken line) of the circuit 90 (comparator 91) is the same as that in FIG. 10, the illustration thereof is omitted.

また、図12は、この変形例2における温度制御回路30及び出力選択回路70の具体的な他の構成例を示す図である。図12では、レギュレーター40が生成する基準電圧Vreg3とグランドとの間を抵抗分割して生成される基準信号が、第1基準信号Vr1として増幅回路80に入力される(具体的には、演算増幅器83の非反転入力端子に入力される)とともに、第2基準信号Vr2として判定回路90に入力される(具体的には、コンパレーター91の反転入力端子に入力される)。また、温度制御素子7(NPN型パワートランジスター)への入力信号が、第1温度信号Vt1として増幅回路80に入力される(具体的には、抵抗81を介して演算増幅器83の反転入力端子に入力される)とともに、第2温度信号Vt2として判定回路90に入力される(具体的には、コンパレーター91の非反転入力端子に入力される)。なお、図12の構成において、第1イネーブル信号EN_AMPがアクティブ(ハイレベル)の時の、オーブン9の内部温度(発振素子3の周囲温度)と第1温度信号Vt1の電圧(実線)及び増幅回路80(演算増幅器83)の電圧(破線)との関係は図9と同様であるため、その図示を省略する。同様に、図12の構成において、第2イネーブル信号EN_CMPがアクティブ(ハイレベル)の時の、オーブン9の内部温度(発振素子3の周囲温度)と第2温度信号Vt2の電圧(実線)及
び判定回路90(コンパレーター91)の電圧(破線)との関係は図5と同様であるため、その図示を省略する。
FIG. 12 is a diagram showing another specific configuration example of the temperature control circuit 30 and the output selection circuit 70 in the second modification. In FIG. 12, a reference signal generated by resistance division between the reference voltage Vreg3 generated by the regulator 40 and the ground is input to the amplifier circuit 80 as the first reference signal Vr1 (specifically, an operational amplifier) 83, and the second reference signal Vr2 is input to the determination circuit 90 (specifically, input to the inverting input terminal of the comparator 91). An input signal to the temperature control element 7 (NPN type power transistor) is input to the amplifier circuit 80 as the first temperature signal Vt1 (specifically, to the inverting input terminal of the operational amplifier 83 via the resistor 81). And is input to the determination circuit 90 as the second temperature signal Vt2 (specifically, input to the non-inverting input terminal of the comparator 91). In the configuration of FIG. 12, when the first enable signal EN_AMP is active (high level), the internal temperature of the oven 9 (ambient temperature of the oscillation element 3), the voltage of the first temperature signal Vt1 (solid line), and the amplifier circuit The relationship between the voltage 80 (operational amplifier 83) and the voltage (broken line) is the same as in FIG. Similarly, in the configuration of FIG. 12, when the second enable signal EN_CMP is active (high level), the internal temperature of the oven 9 (ambient temperature of the oscillation element 3), the voltage of the second temperature signal Vt2 (solid line), and the determination Since the relationship with the voltage (broken line) of the circuit 90 (comparator 91) is the same as that in FIG. 5, its illustration is omitted.

この変形例2によれば、第1基準信号Vr1及び第2基準信号Vr2を生成する回路を共通化することができるので、より簡単な構成で回路面積の小さい信号処理回路5を実現することができる。   According to the second modification, since the circuit for generating the first reference signal Vr1 and the second reference signal Vr2 can be shared, the signal processing circuit 5 having a simpler configuration and a smaller circuit area can be realized. it can.

[変形例3]
また、上記実施形態における出力選択回路70を、第1基準信号Vr1及び第2基準信号Vr2が、共通の第1入力端子から入力され、第1温度信号Vt1及び第2温度信号Vt2が、共通の第2入力端子から入力されるように変形してもよい。
[Modification 3]
In the output selection circuit 70 in the above embodiment, the first reference signal Vr1 and the second reference signal Vr2 are input from a common first input terminal, and the first temperature signal Vt1 and the second temperature signal Vt2 are shared. You may deform | transform so that it may input from a 2nd input terminal.

図13は、この変形例3において、増幅回路80からの出力信号を出力端子T1から出力させる場合(第1イネーブル信号EN_AMPをアクティブに設定する場合)の出力選択回路の構成例を示す図である。図13では、演算増幅器83の反転入力端子に入力される第1温度信号Vt1及びコンパレーター91の非反転入力端子に入力される第2温度信号Vt2が、ICチップ2の第1入力端子T11から共通に入力されている。また、演算増幅器83の非反転入力端子に入力される第1基準信号Vr1及びコンパレーター91の反転入力端子に入力される第2基準信号Vr2が、ICチップ2の共通の第2入力端子T12から共通に入力されている。増幅回路80を構成する抵抗81及び抵抗82は、ICチップ2の外部に設けられている。抵抗81の一端には、例えば、温度検出素子8(NTCサーミスター)からの出力信号(温度検出信号)、あるいは、温度制御素子7(NPN型パワートランジスター)への入力信号が供給される。また、抵抗81の他端及び抵抗82の一端は第1入力端子T11と電気的に接続され、抵抗82の他端は、出力端子T1と電気的に接続されている。この場合、例えば、図6に示した発振器1の製造方法の手順において、工程S20で、基板上の抵抗81の配置領域に所望の抵抗値の抵抗を配置し、抵抗82の配置領域に所望の抵抗値の抵抗を配置すればよい。   FIG. 13 is a diagram illustrating a configuration example of the output selection circuit in the third modification when the output signal from the amplifier circuit 80 is output from the output terminal T1 (when the first enable signal EN_AMP is set to be active). . In FIG. 13, the first temperature signal Vt1 input to the inverting input terminal of the operational amplifier 83 and the second temperature signal Vt2 input to the non-inverting input terminal of the comparator 91 are transmitted from the first input terminal T11 of the IC chip 2. It is input in common. Further, the first reference signal Vr1 input to the non-inverting input terminal of the operational amplifier 83 and the second reference signal Vr2 input to the inverting input terminal of the comparator 91 are supplied from the common second input terminal T12 of the IC chip 2. It is input in common. The resistor 81 and the resistor 82 constituting the amplifier circuit 80 are provided outside the IC chip 2. For example, an output signal (temperature detection signal) from the temperature detection element 8 (NTC thermistor) or an input signal to the temperature control element 7 (NPN type power transistor) is supplied to one end of the resistor 81. The other end of the resistor 81 and one end of the resistor 82 are electrically connected to the first input terminal T11, and the other end of the resistor 82 is electrically connected to the output terminal T1. In this case, for example, in the procedure of the method for manufacturing the oscillator 1 shown in FIG. 6, a resistor having a desired resistance value is arranged in the arrangement region of the resistor 81 on the substrate and the desired region is arranged in the arrangement region of the resistor 82 in step S20. A resistor having a resistance value may be arranged.

図14は、この変形例3において、判定回路90からの出力信号を出力端子T1から出力させる場合(第2イネーブル信号EN_CMPをアクティブに設定する場合)の出力選択回路の構成例を示す図である。図14では、演算増幅器83の反転入力端子に入力される第1温度信号Vt1及びコンパレーター91の非反転入力端子に入力される第2温度信号Vt2が、ICチップ2の第1入力端子T11から共通に入力されている。また、演算増幅器83の非反転入力端子に入力される第1基準信号Vr1及びコンパレーター91の反転入力端子に入力される第2基準信号Vr2が、ICチップ2の共通の第2入力端子T12から共通に入力されている。増幅回路80を構成する抵抗81として0Ωの抵抗がICチップ2の外部に設けられており、抵抗81の両端は短絡されている。また、図13と異なり、抵抗82は設けられておらず、第1入力端子T11と出力端子T1の間は開放されている。この場合、例えば、図6に示した発振器1の製造方法の手順において、工程S20で、基板上の抵抗81の配置領域に0Ωの抵抗を配置し、抵抗82の配置領域には抵抗を配置しないようにすればよい。   FIG. 14 is a diagram illustrating a configuration example of the output selection circuit in the third modification when the output signal from the determination circuit 90 is output from the output terminal T1 (when the second enable signal EN_CMP is set to be active). . In FIG. 14, the first temperature signal Vt1 input to the inverting input terminal of the operational amplifier 83 and the second temperature signal Vt2 input to the non-inverting input terminal of the comparator 91 are transmitted from the first input terminal T11 of the IC chip 2. It is input in common. Further, the first reference signal Vr1 input to the non-inverting input terminal of the operational amplifier 83 and the second reference signal Vr2 input to the inverting input terminal of the comparator 91 are supplied from the common second input terminal T12 of the IC chip 2. It is input in common. A resistor of 0Ω is provided outside the IC chip 2 as the resistor 81 constituting the amplifier circuit 80, and both ends of the resistor 81 are short-circuited. Unlike FIG. 13, the resistor 82 is not provided, and the first input terminal T11 and the output terminal T1 are open. In this case, for example, in the procedure of the manufacturing method of the oscillator 1 shown in FIG. 6, in step S20, a 0Ω resistor is arranged in the arrangement region of the resistor 81 on the substrate, and no resistor is arranged in the arrangement region of the resistor 82. What should I do?

この変形例3によれば、ICチップ2を汎用化し、ICチップ2の外付けの抵抗81及び抵抗82を変更することで、用途に応じた発振器1を低コストに実現することが可能である。   According to the third modification, it is possible to realize the oscillator 1 according to the application at low cost by making the IC chip 2 general-purpose and changing the external resistor 81 and the resistor 82 of the IC chip 2. .

[変形例4]
上述した実施形態では、図3に示したように、ANDゲート71は、出力選択回路70の出力信号AMP_Oと第2イネーブル信号EN_CMPとが入力されているが、第2イネーブル信号EN_CMPに代えて、インターフェース回路60が外部装置から読み出し
要求コマンドを受け取った場合に生成する読み出し信号が入力されるようにしてもよい。この読み出し信号は、例えば、インターフェース回路60が記憶部50又は出力選択回路70から読み出し対象のデータを受け取る期間(クロックサイクル)にアクティブ(ハイレベル)となる信号であってもよい。あるいは、ANDゲート71は、第2イネーブル信号EN_CMPに代えて、この読み出し信号と出力選択回路70からの読み出しの場合にのみアクティブ(ハイレベル)となるアドレスデコード信号との論理積に相当する信号が入力されるようにしてもよい。
[Modification 4]
In the above-described embodiment, as shown in FIG. 3, the AND gate 71 receives the output signal AMP_O of the output selection circuit 70 and the second enable signal EN_CMP, but instead of the second enable signal EN_CMP, A read signal generated when the interface circuit 60 receives a read request command from an external device may be input. This read signal may be, for example, a signal that becomes active (high level) during a period (clock cycle) in which the interface circuit 60 receives data to be read from the storage unit 50 or the output selection circuit 70. Alternatively, the AND gate 71 receives a signal corresponding to a logical product of this read signal and an address decode signal that becomes active (high level) only when reading from the output selection circuit 70, instead of the second enable signal EN_CMP. It may be input.

[変形例5]
上述した実施形態では、図3に示したように、増幅回路80からの出力信号と判定回路90からの出力信号は、信号処理回路5の共通の出力端子T1から出力されているが、それぞれ、別個の出力端子から出力されてもよい。
[Modification 5]
In the above-described embodiment, as shown in FIG. 3, the output signal from the amplifier circuit 80 and the output signal from the determination circuit 90 are output from the common output terminal T1 of the signal processing circuit 5, It may be output from a separate output terminal.

[変形例6]
上述した実施形態では、第1イネーブル信号EN_AMPをアクティブ(ハイレベル)、かつ、第2イネーブル信号EN_CMPを非アクティブ(ローレベル)に設定した場合、ANDゲート71が出力するデジタル信号N_AMP_Oが常にローレベルとなるため、外部装置は、インターフェース回路60を介して増幅回路80からの出力信号を読み出すことができない。例えば、増幅回路80からの出力信号をデジタル信号に変換するA/D変換回路を設け、当該A/D変換回路が出力するデジタル信号がインターフェース回路60に入力されるようにしてもよい。
[Modification 6]
In the embodiment described above, when the first enable signal EN_AMP is set to active (high level) and the second enable signal EN_CMP is set to inactive (low level), the digital signal N_AMP_O output from the AND gate 71 is always low level. Therefore, the external device cannot read the output signal from the amplifier circuit 80 via the interface circuit 60. For example, an A / D conversion circuit that converts an output signal from the amplifier circuit 80 into a digital signal may be provided, and the digital signal output from the A / D conversion circuit may be input to the interface circuit 60.

2.電子機器
図15は、本実施形態の電子機器の構成の一例を示す機能ブロック図である。本実施形態の電子機器300は、発振器310、CPU(Central Processing Unit)320、逓倍回路330、ROM(Read Only Memory)340、RAM(Random Access Memory)350、通信部360を含んで構成されている。なお、本実施形態の電子機器は、図15の構成要素(各部)の一部を省略又は変更し、あるいは、他の構成要素を付加した構成としてもよい。
2. Electronic Device FIG. 15 is a functional block diagram showing an example of the configuration of the electronic device of the present embodiment. The electronic apparatus 300 according to the present embodiment includes an oscillator 310, a CPU (Central Processing Unit) 320, a multiplier circuit 330, a ROM (Read Only Memory) 340, a RAM (Random Access Memory) 350, and a communication unit 360. . Note that the electronic device of the present embodiment may have a configuration in which some of the components (each unit) in FIG. 15 are omitted or changed, or other components are added.

発振器310は、信号処理回路312により、発振源からの信号に基づき所望の周波数の発振信号を出力するものである。   The oscillator 310 outputs an oscillation signal having a desired frequency based on the signal from the oscillation source by the signal processing circuit 312.

逓倍回路330は、発振器310(信号処理回路312)が出力する発振信号を所望の周波数に逓倍して出力する回路である。逓倍回路330が出力する発振信号は、CPU320のクロック信号として使用されてもよいし、CPU320が通信用の搬送波を生成するために使用されてもよい。   The multiplier circuit 330 is a circuit that multiplies the oscillation signal output from the oscillator 310 (the signal processing circuit 312) to a desired frequency and outputs it. The oscillation signal output from the multiplier circuit 330 may be used as a clock signal for the CPU 320 or may be used for the CPU 320 to generate a carrier wave for communication.

CPU320(処理部)は、ROM340等に記憶されているプログラムに従い、例えば、発振器310が出力する発振信号あるいは逓倍回路330が出力する発振信号に基づいて各種の計算処理や制御処理を行う。   The CPU 320 (processing unit) performs various calculation processes and control processes based on, for example, an oscillation signal output from the oscillator 310 or an oscillation signal output from the multiplication circuit 330 in accordance with a program stored in the ROM 340 or the like.

ROM340は、CPU320が各種の計算処理や制御処理を行うためのプログラムやデータ等を記憶している。   The ROM 340 stores programs, data, and the like for the CPU 320 to perform various calculation processes and control processes.

RAM350は、CPU320の作業領域として用いられ、ROM340から読み出されたプログラムやデータ、CPU320が各種プログラムに従って実行した演算結果等を一時的に記憶する。   The RAM 350 is used as a work area of the CPU 320, and temporarily stores programs and data read from the ROM 340, calculation results executed by the CPU 320 according to various programs, and the like.

通信部360は、CPU320と外部装置との間のデータ通信を成立させるための各種
制御を行う。
The communication unit 360 performs various controls for establishing data communication between the CPU 320 and an external device.

例えば、信号処理回路312として上記の実施形態又は各変形例における汎用性の高い信号処理回路5を適用し、あるいは、発振器310として上記の実施形態又は各変形例の発振器1(信号処理回路5を備える)を適用することにより、電子機器300の低コスト化を実現することができる。   For example, the highly versatile signal processing circuit 5 in the above-described embodiment or each modification is applied as the signal processing circuit 312, or the oscillator 1 (the signal processing circuit 5 in the above-described embodiment or each modification) is applied as the oscillator 310. The cost reduction of the electronic device 300 can be realized.

このような電子機器300としては種々の電子機器が考えられ、例えば、GPS(Global Positioning System)モジュール、ネットワーク機器、放送機器、人工衛星や基地局で利用される通信機器、パーソナルコンピューター(例えば、モバイル型パーソナルコンピューター、ラップトップ型パーソナルコンピューター、タブレット型パーソナルコンピューター)、スマートフォンや携帯電話機などの移動体端末、ディジタルカメラ、インクジェット式吐出装置(例えば、インクジェットプリンター)、ルーターやスイッチなどのストレージエリアネットワーク機器、ローカルエリアネットワーク機器、移動体端末基地局用機器、テレビ、ビデオカメラ、ビデオレコーダー、カーナビゲーション装置、リアルタイムクロック装置、ページャー、電子手帳(通信機能付も含む)、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ゲーム用コントローラー、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、POS(Point Of Sale)端末、医療機器(例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡)、魚群探知機、各種測定機器、計器類(例えば、車両、航空機、船舶の計器類)、フライトシミュレーター、ヘッドマウントディスプレイ、モーショントレース、モーショントラッキング、モーションコントローラー、PDR(歩行者位置方位計測)等が挙げられる。   Various electronic devices can be considered as such an electronic device 300. For example, a GPS (Global Positioning System) module, a network device, a broadcasting device, a communication device used in an artificial satellite or a base station, a personal computer (for example, a mobile device) Personal computers, laptop personal computers, tablet personal computers), mobile terminals such as smartphones and mobile phones, digital cameras, ink jet dispensing devices (for example, ink jet printers), storage area network devices such as routers and switches, Local area network equipment, mobile terminal base station equipment, television, video camera, video recorder, car navigation device, real-time clock device, pager, electronic hand Books (including those with communication functions), electronic dictionaries, calculators, electronic game devices, game controllers, word processors, workstations, video phones, security TV monitors, electronic binoculars, POS (Point Of Sale) terminals, medical devices (for example, Electronic thermometer, blood pressure monitor, blood glucose meter, electrocardiogram measuring device, ultrasonic diagnostic device, electronic endoscope), fish detector, various measuring instruments, instruments (eg, vehicle, aircraft, ship instruments), flight simulator, Head mounted display, motion trace, motion tracking, motion controller, PDR (pedestrian position direction measurement), etc. are mentioned.

本実施形態の電子機器300の一例として、信号処理回路312を備えた発振器310を基準信号源として用いて、例えば、端末と有線または無線で通信を行う端末基地局用装置等として機能する伝送装置が挙げられる。信号処理回路312として上記の実施形態又は各変形例における汎用性の高い信号処理回路5を適用し、あるいは、発振器310として上記の実施形態又は各変形例の発振器1(信号処理回路5を備える)を適用することにより、例えば通信基地局などに利用可能な、従来よりも周波数精度の高い、高性能、高信頼性を所望される電子機器300をより低コストで実現することも可能である。   As an example of the electronic apparatus 300 according to the present embodiment, a transmission apparatus that functions as a terminal base station apparatus that performs wired or wireless communication with a terminal by using an oscillator 310 including a signal processing circuit 312 as a reference signal source. Is mentioned. As the signal processing circuit 312, the highly versatile signal processing circuit 5 in the above-described embodiment or each modification is applied, or as the oscillator 310, the oscillator 1 in the above-described embodiment or each modification (including the signal processing circuit 5). By applying the above, it is possible to realize an electronic device 300 that can be used for, for example, a communication base station and that has higher frequency accuracy, higher performance, and higher reliability than conventional ones at a lower cost.

また、本実施形態の電子機器300の他の一例として、通信部360が外部クロック信号を受信し、CPU320(処理部)が、当該外部クロック信号と発振器310の出力信号あるいは逓倍回路330の出力信号(内部クロック信号)とに基づいて、発振器310の周波数を制御する周波数制御部と、を含む、通信装置であってもよい。この通信装置は、例えば、ストレータム3などの基幹系ネットワーク機器やフェムトセルに使用される通信機器であってもよい。   As another example of the electronic apparatus 300 according to this embodiment, the communication unit 360 receives an external clock signal, and the CPU 320 (processing unit) outputs the external clock signal and the output signal of the oscillator 310 or the output signal of the multiplier circuit 330. And a frequency control unit that controls the frequency of the oscillator 310 based on (internal clock signal). This communication device may be, for example, a backbone network device such as stratum 3 or a communication device used for a femtocell.

3.基地局
図16は、本実施形態の基地局の概略構成の一例を示す図である。本実施形態の基地局400は、受信装置410、送信装置420及び制御装置430を含んで構成されている。なお、本実施形態の電子機器は、図16の構成要素(各部)の一部を省略又は変更し、あるいは、他の構成要素を付加した構成としてもよい。
3. Base Station FIG. 16 is a diagram illustrating an example of a schematic configuration of a base station according to the present embodiment. The base station 400 according to this embodiment includes a receiving device 410, a transmitting device 420, and a control device 430. Note that the electronic device of the present embodiment may have a configuration in which some of the components (each unit) in FIG. 16 are omitted or changed, or other components are added.

受信装置410は、受信アンテナ412、受信部414、処理部416及び発振器418を含んで構成されている。   The receiving device 410 includes a receiving antenna 412, a receiving unit 414, a processing unit 416, and an oscillator 418.

発振器418は、信号処理回路419により、発振源からの信号に基づき所望の周波数の発振信号を出力するものである。   The oscillator 418 outputs an oscillation signal having a desired frequency based on the signal from the oscillation source by the signal processing circuit 419.

受信アンテナ412は、携帯電話機やGPS衛星などの移動局(不図示)から、各種の情報が重畳された電波を受信する。   The receiving antenna 412 receives radio waves on which various types of information are superimposed from a mobile station (not shown) such as a mobile phone or a GPS satellite.

受信部414は、発振器418(信号処理回路419)が出力する発振信号を用いて、受信アンテナ412が受信した信号を所望の中間周波数(IF:Intermediate Frequency)帯の信号に復調する。   The receiving unit 414 uses the oscillation signal output from the oscillator 418 (signal processing circuit 419) to demodulate the signal received by the receiving antenna 412 into a signal in a desired intermediate frequency (IF) band.

処理部416は、発振器418が出力する発振信号を用いて、受信部414が復調した中間周波数帯の信号をベースバンド信号に変換し、ベースバンド信号に含まれている情報を復調する。   The processing unit 416 uses the oscillation signal output from the oscillator 418 to convert the intermediate frequency band signal demodulated by the receiving unit 414 into a baseband signal, and demodulates information included in the baseband signal.

制御装置430は、受信装置410(処理部416)が復調した情報を受け取り、当該情報に応じた各種の処理を行う。そして、制御装置430は、移動局に送信する情報を生成し、当該情報を送信装置420(処理部426)に送出する。   The control device 430 receives the information demodulated by the receiving device 410 (processing unit 416) and performs various processes according to the information. Then, the control device 430 generates information to be transmitted to the mobile station and sends the information to the transmission device 420 (processing unit 426).

送信装置420は、送信アンテナ422、送信部424、処理部426及び発振器428を含んで構成されている。   The transmission apparatus 420 includes a transmission antenna 422, a transmission unit 424, a processing unit 426, and an oscillator 428.

発振器428は、信号処理回路429により、発振源からの信号に基づき所望の周波数の発振信号を出力するものである。   The oscillator 428 outputs an oscillation signal having a desired frequency based on the signal from the oscillation source by the signal processing circuit 429.

処理部426は、発振器428(信号処理回路429)が出力する発振信号を用いて、制御装置430から受け取った情報を用いてベースバンド信号を生成し、当該ベースバンド信号を中間周波数帯の信号に変換する。   The processing unit 426 generates a baseband signal using the information received from the control device 430 using the oscillation signal output from the oscillator 428 (signal processing circuit 429), and converts the baseband signal into an intermediate frequency band signal. Convert.

送信部424は、発振器428が出力する発振信号を用いて、処理部426からの中間周波数帯の信号を変調して搬送波に重畳する。   The transmission unit 424 modulates the signal of the intermediate frequency band from the processing unit 426 using the oscillation signal output from the oscillator 428 and superimposes it on the carrier wave.

送信アンテナ422は、送信部424からの搬送波を電波として携帯電話機やGPS衛星などの移動局に送信する。   The transmission antenna 422 transmits the carrier wave from the transmission unit 424 as a radio wave to a mobile station such as a mobile phone or a GPS satellite.

受信装置410が有する信号処理回路419や送信装置420が有する信号処理回路429として上記の実施形態又は各変形例における汎用性の高い信号処理回路5を適用し、あるいは、受信装置410が有する発振器418や送信装置420が有する発振器428として上記の実施形態又は各変形例における発振器1(信号処理回路5を備える)を適用することにより、通信性能に優れた信頼性の高い基地局をより低コストで実現することができる。   As the signal processing circuit 419 included in the reception device 410 and the signal processing circuit 429 included in the transmission device 420, the signal processing circuit 5 having high versatility in the above-described embodiment or each modification is applied, or the oscillator 418 included in the reception device 410. By applying the oscillator 1 (including the signal processing circuit 5) in the above-described embodiment or each modification as the oscillator 428 included in the transmitter 420, a highly reliable base station with excellent communication performance can be obtained at lower cost. Can be realized.

本発明は本実施形態に限定されず、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。   The present invention is not limited to the present embodiment, and various modifications can be made within the scope of the gist of the present invention.

例えば、上述した実施形態の発振器は恒温槽型発振器であるが、本発明は、恒温槽型発振器に限らず、温度補償機能を有する温度補償発振器(例えば、TCXO(Temperature Compensated Crystal Oscillator))や周波数制御機能を有する電圧制御発振器(例えば、VCXO(Voltage Controlled Crystal Oscillator))、温度補償機能と周波数制御機能を有する発振器(例えば、VC−TCXO(Voltage Controlled Temperature Compensated Crystal Oscillator))等にも適用することができる。   For example, the oscillator of the embodiment described above is a thermostatic oven type oscillator. However, the present invention is not limited to the thermostatic oven type oscillator, but a temperature compensated oscillator having a temperature compensation function (for example, TCXO (Temperature Compensated Crystal Oscillator)) or a frequency. Application to voltage controlled oscillators (eg, VCXO (Voltage Controlled Crystal Oscillator)) having a control function, oscillators having temperature compensation function and frequency control function (eg, VC-TCXO (Voltage Controlled Temperature Compensated Crystal Oscillator)), etc. Can do.

上述した実施形態および変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例
えば、上記の実施形態および各変形例を適宜組み合わせることも可能である。
The above-described embodiments and modifications are merely examples, and the present invention is not limited to these. For example, it is possible to appropriately combine the above-described embodiment and each modification.

本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。   The present invention includes configurations that are substantially the same as the configurations described in the embodiments (for example, configurations that have the same functions, methods, and results, or configurations that have the same objects and effects). In addition, the invention includes a configuration in which a non-essential part of the configuration described in the embodiment is replaced. In addition, the present invention includes a configuration that exhibits the same operational effects as the configuration described in the embodiment or a configuration that can achieve the same object. Further, the invention includes a configuration in which a known technique is added to the configuration described in the embodiment.

1…発振器、2…ICチップ、3…発振素子、4…パッケージ、4a…ケース、4b…基台、4c…部品搭載基板、5…信号処理回路、6…外部端子(外部電極)、7…温度制御素子、8…温度検出素子、9…オーブン、9a…部品搭載基板、10…発振回路、20…出力回路、30…温度制御回路、31…演算増幅器、32…可変抵抗、40…レギュレーター、50…記憶部、52…不揮発性メモリー、54…レジスター、60…インターフェース回路、70…出力選択回路、71…ANDゲート、80…増幅回路、81…抵抗、82…抵抗、83…演算増幅器、90…判定回路、91…コンパレーター、300…電子機器、310…発振器、312…信号処理回路、320…CPU、330…逓倍回路、340…ROM、350…RAM、360…通信部、400…基地局、410…受信装置、412…受信アンテナ、414…受信部、416…処理部、418…発振器、419…信号処理回路、420…送信装置、422…送信アンテナ、424…送信部、426…処理部、428…発振器、429…信号処理回路、430…制御装置、EN_AMP…第1イネーブル信号、EN_CMP…第2イネーブル信号、Vr1…第1基準信号、Vr2…第2基準信号、Vt1…第1温度信号、Vt2…第2温度信号、T1…出力端子 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Oscillator, 2 ... IC chip, 3 ... Oscillation element, 4 ... Package, 4a ... Case, 4b ... Base, 4c ... Component mounting substrate, 5 ... Signal processing circuit, 6 ... External terminal (external electrode), 7 ... Temperature control element, 8 ... Temperature detection element, 9 ... Oven, 9a ... Component mounting board, 10 ... Oscillation circuit, 20 ... Output circuit, 30 ... Temperature control circuit, 31 ... Operational amplifier, 32 ... Variable resistance, 40 ... Regulator, DESCRIPTION OF SYMBOLS 50 ... Memory | storage part, 52 ... Nonvolatile memory, 54 ... Register, 60 ... Interface circuit, 70 ... Output selection circuit, 71 ... AND gate, 80 ... Amplifier circuit, 81 ... Resistance, 82 ... Resistance, 83 ... Operational amplifier, 90 DESCRIPTION OF SYMBOLS 91 ... Comparator 300 ... Electronic device 310 ... Oscillator 312 ... Signal processing circuit 320 ... CPU 330 ... Multiplier circuit 340 ... ROM 350 ... RAM 360 ... Communication unit, 400 ... Base station, 410 ... Reception device, 412 ... Reception antenna, 414 ... Reception unit, 416 ... Processing unit, 418 ... Oscillator, 419 ... Signal processing circuit, 420 ... Transmission device, 422 ... Transmission antenna, 424 ... Transmitter, 426 ... Processor, 428 ... Oscillator, 429 ... Signal processor, 430 ... Controller, EN_AMP ... First enable signal, EN_CMP ... Second enable signal, Vr1 ... First reference signal, Vr2 ... Second Reference signal, Vt1 ... first temperature signal, Vt2 ... second temperature signal, T1 ... output terminal

Claims (14)

第1基準信号及び第1温度信号に基づく信号を出力可能な増幅回路と、
第2基準信号と第2温度信号との比較に基づく二値信号を出力可能な判定回路と、を備えている、信号処理回路。
An amplifier circuit capable of outputting a signal based on the first reference signal and the first temperature signal;
And a determination circuit capable of outputting a binary signal based on a comparison between the second reference signal and the second temperature signal.
前記増幅回路は、第1イネーブル信号に基づいて動作し、
前記判定回路は、第2イネーブル信号に基づいて動作し、
前記増幅回路からの出力信号及び前記判定回路からの出力信号は、共通の出力端子から出力される、請求項1に記載の信号処理回路。
The amplifier circuit operates based on a first enable signal;
The determination circuit operates based on a second enable signal;
The signal processing circuit according to claim 1, wherein an output signal from the amplifier circuit and an output signal from the determination circuit are output from a common output terminal.
前記増幅回路からの出力信号及び前記判定回路からの出力信号と、前記第2イネーブル信号と、が入力されるANDゲートをさらに備える、請求項2に記載の信号処理回路。   The signal processing circuit according to claim 2, further comprising an AND gate to which an output signal from the amplification circuit, an output signal from the determination circuit, and the second enable signal are input. 前記ANDゲートからの出力信号に基づいて、温度が設定温度に達しているか否かを表す信号を生成するインターフェース回路をさらに備える、請求項3に記載の信号処理回路。   The signal processing circuit according to claim 3, further comprising an interface circuit that generates a signal indicating whether or not a temperature has reached a set temperature based on an output signal from the AND gate. 前記第1基準信号及び前記第2基準信号として、共通の基準信号が前記増幅回路及び前記判定回路に入力される、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の信号処理回路。   5. The signal processing circuit according to claim 1, wherein a common reference signal is input to the amplifier circuit and the determination circuit as the first reference signal and the second reference signal. 6. 前記第1温度信号及び前記第2温度信号として、共通の温度信号が前記増幅回路及び前記判定回路に入力される、請求項1乃至5のいずれか一項に記載の信号処理回路。   The signal processing circuit according to claim 1, wherein a common temperature signal is input to the amplifier circuit and the determination circuit as the first temperature signal and the second temperature signal. 前記第1基準信号及び前記第2基準信号が、共通の第1入力端子から入力され、
前記第1温度信号及び前記第2温度信号が、共通の第2入力端子から入力される、請求項1乃至6のいずれか一項に記載の信号処理回路。
The first reference signal and the second reference signal are input from a common first input terminal,
The signal processing circuit according to claim 1, wherein the first temperature signal and the second temperature signal are input from a common second input terminal.
前記増幅回路からの出力信号を、温度を表す信号として出力し、
前記判定回路からの出力信号を、温度が設定温度に達しているか否かを表す信号として出力する、請求項1乃至7のいずれか一項に記載の信号処理回路。
The output signal from the amplifier circuit is output as a signal representing temperature,
The signal processing circuit according to claim 1, wherein an output signal from the determination circuit is output as a signal indicating whether the temperature has reached a set temperature.
前記増幅回路が差動増幅回路であり、
前記判定回路がコンパレーターである、請求項1乃至8のいずれか一項に記載の信号処理回路。
The amplifier circuit is a differential amplifier circuit;
The signal processing circuit according to claim 1, wherein the determination circuit is a comparator.
請求項1乃至9のいずれか一項に記載の信号処理回路を備えている、半導体集積回路装置。   A semiconductor integrated circuit device comprising the signal processing circuit according to claim 1. 発振素子と、
前記発振素子を発振させる発振回路と、
前記発振素子の周囲温度を検出する温度検出素子と、
前記温度検出素子によって検出された温度に基づいて動作する温度制御素子と、
請求項1乃至9のいずれか一項に記載の信号処理回路と、を備え、
前記第1温度信号及び前記第2温度信号は、前記温度検出素子からの出力信号または前記温度制御素子への入力信号に基づく信号である、発振器。
An oscillation element;
An oscillation circuit for oscillating the oscillation element;
A temperature detection element for detecting an ambient temperature of the oscillation element;
A temperature control element that operates based on the temperature detected by the temperature detection element;
A signal processing circuit according to any one of claims 1 to 9,
The oscillator, wherein the first temperature signal and the second temperature signal are signals based on an output signal from the temperature detection element or an input signal to the temperature control element.
請求項1乃至9のいずれか一項に記載の信号処理回路又は請求項11に記載の発振器を備えている、電子機器。   An electronic apparatus comprising the signal processing circuit according to claim 1 or the oscillator according to claim 11. 請求項1乃至9のいずれか一項に記載の信号処理回路又は請求項11に記載の発振器を備えている、基地局。   The base station provided with the signal processing circuit as described in any one of Claims 1 thru | or 9, or the oscillator as described in Claim 11. 第1基準信号及び第1温度信号に基づく信号を出力する増幅回路と、第2基準信号と第2温度信号との比較に基づく二値信号を出力する判定回路と、記憶部と、を備えている信号処理回路の製造方法であって、
前記増幅回路からの出力信号及び前記判定回路からの出力信号のいずれか一方が共通の出力端子から出力されるように前記記憶部を設定する工程を含む、信号処理回路の製造方法。
An amplifier circuit that outputs a signal based on the first reference signal and the first temperature signal; a determination circuit that outputs a binary signal based on a comparison between the second reference signal and the second temperature signal; and a storage unit. A method for manufacturing a signal processing circuit comprising:
A method for manufacturing a signal processing circuit, comprising: setting the storage unit so that either one of an output signal from the amplifier circuit and an output signal from the determination circuit is output from a common output terminal.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020536451A (en) * 2017-10-03 2020-12-10 株式会社村田製作所 Oven-controlled MEMS oscillator and system and how to calibrate it

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002353808A (en) * 2001-05-24 2002-12-06 Nec Corp Clock control circuit
JP2014072716A (en) * 2012-09-28 2014-04-21 Seiko Epson Corp Integrated circuit, vibration device, electronic apparatus, mobile unit, and method for switching integrated circuit mode
JP2015089084A (en) * 2013-11-01 2015-05-07 日本電波工業株式会社 Oscillator
JP2015122607A (en) * 2013-12-24 2015-07-02 セイコーエプソン株式会社 Oscillator, electronic apparatus, and moving body

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002353808A (en) * 2001-05-24 2002-12-06 Nec Corp Clock control circuit
JP2014072716A (en) * 2012-09-28 2014-04-21 Seiko Epson Corp Integrated circuit, vibration device, electronic apparatus, mobile unit, and method for switching integrated circuit mode
JP2015089084A (en) * 2013-11-01 2015-05-07 日本電波工業株式会社 Oscillator
JP2015122607A (en) * 2013-12-24 2015-07-02 セイコーエプソン株式会社 Oscillator, electronic apparatus, and moving body

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020536451A (en) * 2017-10-03 2020-12-10 株式会社村田製作所 Oven-controlled MEMS oscillator and system and how to calibrate it
JP2022084802A (en) * 2017-10-03 2022-06-07 株式会社村田製作所 Oven-controlled mems oscillator and system and calibration method thereof
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