JP2017085148A - Composition for optical imprint, method for manufacturing film by using the composition for optical imprint, method for manufacturing optical component, method for manufacturing circuit board, and method for manufacturing electronic component - Google Patents

Composition for optical imprint, method for manufacturing film by using the composition for optical imprint, method for manufacturing optical component, method for manufacturing circuit board, and method for manufacturing electronic component Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a composition for optical imprint which has high positioning accuracy and reduced pattern collapse defects, and to provide a method for manufacturing a film by using the composition for optical imprint, a method for manufacturing an optical component, a method for manufacturing a circuit board, and a method for manufacturing an electronic component.SOLUTION: A composition for optical imprint comprises at least a component (A) consisting of a polymerizable compound and a component (B) consisting of a photoinitiator. The composition satisfies the following expressions (1) and (2): 0.800≤Er/Er(1); and 2.55 GPa≤Er(2).SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、光インプリント用組成物、これを用いた、膜の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法に関する。   The present invention relates to a composition for optical imprinting, a film manufacturing method, an optical component manufacturing method, a circuit board manufacturing method, and an electronic component manufacturing method using the composition.

半導体デバイスやMEMSなどの微細化の要求が進み、従来のフォトリソグラフィー技術に加え、基板(ウエハ)上のレジスト(光インプリント用組成物)を型(モールド)で成形し、レジストのパターンを基板上に形成する微細加工技術(光ナノインプリント技術とも呼ばれる)が注目を集めている。   The demand for miniaturization of semiconductor devices and MEMS has advanced, and in addition to conventional photolithography technology, a resist (photoimprint composition) on a substrate (wafer) is molded with a mold, and the resist pattern is formed on the substrate. The microfabrication technology (also called optical nanoimprint technology) formed on top is attracting attention.

特許文献1に記載の光ナノインプリント技術では、まず、基板上のパターン形成領域にレジストを塗布する(配置工程)。次に、このレジストをパターンが形成された型を用いて成形する(型接触工程)。そして、光を照射してレジストを硬化(光照射工程)させたうえで引き離す(離型工程)ことにより、樹脂のパターン(光硬化物)が基板上に形成される。更に、基板上の他の位置において上記の全工程を繰り返すことで、基板全体に微細な構造体を形成している。   In the optical nanoimprint technique described in Patent Document 1, first, a resist is applied to a pattern formation region on a substrate (arrangement step). Next, this resist is molded using a mold on which a pattern is formed (a mold contact step). And after irradiating light and hardening a resist (light irradiation process), it peels away (mold release process), and the pattern (photocured material) of resin is formed on a board | substrate. Further, by repeating all the above steps at other positions on the substrate, a fine structure is formed on the entire substrate.

特に半導体デバイスやMEMSなどの製造において、既に加工が施されている基板に対して光ナノインプリント技術を用いて更に微細加工を施す場合がある。このような場合、既に基板に形成されているパターンに対して、モールドの位置を正確に合わせる必要がある。この工程を位置合わせ工程と呼び、型接触工程と光照射工程の間に行う。また、光ナノインプリント技術は、多くの場合、配置工程から離型工程に至る一連の工程(ショット)を、同一基板上に複数回実施する。   In particular, in the manufacture of semiconductor devices, MEMS, and the like, there are cases in which fine processing is further performed on a substrate that has already been processed using an optical nanoimprint technique. In such a case, it is necessary to accurately align the mold position with respect to the pattern already formed on the substrate. This process is called an alignment process and is performed between the mold contact process and the light irradiation process. In many cases, the optical nanoimprint technique performs a series of steps (shots) from an arrangement step to a release step on the same substrate a plurality of times.

特開2010−073811号公報JP 2010-073811 A

しかしながら、光照射工程では、照射された光が基板に吸収されることで熱(露光熱)が発生し、露光熱によって発生する基板の熱歪みが光照射部分の隣接部にまで及び、隣接する領域ショットにおいて位置合わせ精度が低いという課題がある。   However, in the light irradiation step, heat (exposure heat) is generated when the irradiated light is absorbed by the substrate, and the thermal distortion of the substrate caused by the exposure heat reaches the adjacent portion of the light irradiation portion and is adjacent. There is a problem that the alignment accuracy is low in the area shot.

また、露光熱を低減して位置合わせ精度を向上させるために、照射する露光量を低減すると、光インプリント用組成物が硬化不良となり、離型工程においてパターンが倒れるという欠陥を生じるという課題が生じる。   Moreover, in order to reduce the exposure heat and improve the alignment accuracy, if the exposure dose to be irradiated is reduced, the composition for photoimprint becomes defective in curing, resulting in a defect that the pattern collapses in the release process. Arise.

そこで、本発明に係る光インプリント用組成物の第一の態様は、重合性化合物である成分(A)と、光重合開始剤である成分(B)と、を少なくとも有し、下記式(1)および下記式(2)を満たすことを特徴とする。
0.800≦Er10/Er200 (1)
2.55GPa≦Er10 (2)
(式(1)および式(2)において、Er10は露光量10mJ/cmで前記光インプリント用組成物を露光した際に得られる光硬化膜の複合弾性率(GPa)を示し、Er200は露光量200mJ/cmで前記光インプリント用組成物を露光した際に得られる光硬化膜の複合弾性率(GPa)を示す。)
Therefore, the first embodiment of the composition for photoimprinting according to the present invention has at least a component (A) that is a polymerizable compound and a component (B) that is a photopolymerization initiator, and has the following formula ( 1) and the following formula (2) are satisfied.
0.800 ≦ Er 10 / Er 200 (1)
2.55 GPa ≦ Er 10 (2)
(In Formula (1) and Formula (2), Er10 represents the composite elastic modulus (GPa) of the photocured film obtained when the composition for photoimprinting is exposed at an exposure amount of 10 mJ / cm 2 , Er200 is (The composite elastic modulus (GPa) of the photocured film obtained when the composition for photoimprinting is exposed at an exposure amount of 200 mJ / cm 2 is shown.)

また、本発明に係る光インプリント用組成物の第二の態様は、重合性化合物である(A)成分と、光重合開始剤である(B)成分と、を少なくとも有し、下記式(5)および下記式(6)を満たすことを特徴とする。
0.880≦E10/E200 (5)
4.00GPa≦E10 (6)
(式(5)および式(6)において、E10は露光量10mJ/cmで前記光インプリント用組成物を露光した際に得られる光硬化膜のヤング率(GPa)を示し、E200は露光量200mJ/cmで前記光インプリント用組成物を露光した際に得られる硬化膜のヤング率(GPa)を示す。)
Moreover, the 2nd aspect of the composition for photoimprints which concerns on this invention has (A) component which is a polymeric compound, and (B) component which is a photoinitiator, and has following formula ( 5) and the following formula (6) are satisfied.
0.880 ≦ E 10 / E 200 (5)
4.00 GPa ≦ E 10 (6)
(In the formulas (5) and (6), E 10 represents the Young's modulus (GPa) of the photocured film obtained when the composition for photoimprinting was exposed at an exposure amount of 10 mJ / cm 2 , and E 200 Indicates the Young's modulus (GPa) of the cured film obtained when the composition for photoimprinting is exposed at an exposure amount of 200 mJ / cm 2. )

本発明によれば、光ナノインプリント法において、高い位置合わせ精度と少ないパターン倒れ欠陥を両立した、膜、光学部品、回路基板、電子部品の製造方法、及びそれらを形成するための光インプリント用組成物を提供することができる。   According to the present invention, in the optical nanoimprint method, a film, an optical component, a circuit board, a method for manufacturing an electronic component, and a composition for optical imprint for forming the same, which achieve both high alignment accuracy and a small pattern collapse defect Things can be provided.

本実施形態の膜の製造方法の例を示す模式断面図である。It is a schematic cross section which shows the example of the manufacturing method of the film | membrane of this embodiment.

以下、本発明の実施形態について適宜図面を参照しながら詳細に説明する。ただし、本発明は以下に説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明においては、その趣旨を逸脱しない範囲で、当業者の通常の知識に基づいて、以下に説明する実施形態に対して適宜変更、改良等が加えられたものについても本発明の範囲に含まれる。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings as appropriate. However, the present invention is not limited to the embodiments described below. Further, in the present invention, the scope of the present invention also includes those in which the embodiments described below are appropriately modified and improved based on the ordinary knowledge of those skilled in the art without departing from the spirit of the present invention. include.

[光インプリント用組成物]
本実施形態の光インプリント用組成物は、以下の二つの態様を有する。
[Composition for optical imprint]
The composition for photoimprinting of the present embodiment has the following two aspects.

光インプリント用組成物の第一の態様は、重合性化合物である成分(A)と、光重合開始剤である成分(B)と、を少なくとも有し、
下記式(1)および下記式(2)を満たすことを特徴とする。
0.800≦Er10/Er200 (1)
2.55GPa≦Er10 (2)
(式(1)および式(2)において、Er10は露光量10mJ/cmで前記光インプリント用組成物を露光した際に得られる光硬化膜の複合弾性率(GPa)を示し、Er200は露光量200mJ/cmで前記光インプリント用組成物を露光した際に得られる光硬化膜の複合弾性率(GPa)を示す。)
The first aspect of the composition for photoimprint has at least a component (A) that is a polymerizable compound and a component (B) that is a photopolymerization initiator,
The following formula (1) and the following formula (2) are satisfied.
0.800 ≦ Er 10 / Er 200 (1)
2.55 GPa ≦ Er 10 (2)
(In Formula (1) and Formula (2), Er 10 represents the composite elastic modulus (GPa) of the photocured film obtained when the composition for photoimprinting was exposed at an exposure amount of 10 mJ / cm 2 , Er 200 represents the composite elastic modulus (GPa) of the photocured film obtained when the composition for photoimprinting is exposed at an exposure amount of 200 mJ / cm 2. )

また、第二の態様は、重合性化合物である(A)成分と、光重合開始剤である(B)成分と、を少なくとも有し、下記式(5)および下記式(6)を満たすことを特徴とする。
0.880≦E10/E200 (5)
4.00GPa≦E10 (6)
(式(5)および式(6)において、E10は露光量10mJ/cmで前記光インプリント用組成物を露光した際に得られる光硬化膜のヤング率(GPa)を示し、E200は露光量200mJ/cmで前記光インプリント用組成物を露光した際に得られる硬化膜のヤング率(GPa)を示す。)
上記二つの態様の少なくともいずれかを満たすことで、高い位置合わせ精度と少ないパターン倒れ欠陥を両立した光インプリント用組成物を提供することができるものである。
Moreover, a 2nd aspect has (A) component which is a polymeric compound, and (B) component which is a photoinitiator, and satisfy | fills following formula (5) and following formula (6). It is characterized by.
0.880 ≦ E 10 / E 200 (5)
4.00 GPa ≦ E 10 (6)
(In the formulas (5) and (6), E 10 represents the Young's modulus (GPa) of the photocured film obtained when the composition for photoimprinting was exposed at an exposure amount of 10 mJ / cm 2 , and E 200 Indicates the Young's modulus (GPa) of the cured film obtained when the composition for photoimprinting is exposed at an exposure amount of 200 mJ / cm 2. )
By satisfying at least one of the above two aspects, it is possible to provide a composition for optical imprinting that achieves both high alignment accuracy and few pattern collapse defects.

尚、本実施形態及び本発明において、光インプリント用組成物とは、光を照射することで重合し硬化するインプリント用の組成物を示す。   In addition, in this embodiment and this invention, the composition for optical imprint shows the composition for imprint which superpose | polymerizes and hardens | cures by irradiating light.

はじめに、各成分について、詳細に説明する。   First, each component will be described in detail.

<成分(A)重合性化合物>
成分(A)は重合性化合物である。ここで、本実施形態及び本発明において、重合性化合物とは、光重合開始剤(成分(B))から発生した重合因子(ラジカル等)と反応し、連鎖反応(重合反応)によって高分子化合物からなる膜を形成する化合物である。
<Component (A) Polymerizable Compound>
Component (A) is a polymerizable compound. Here, in the present embodiment and the present invention, the polymerizable compound is a polymer compound that reacts with a polymerization factor (radical or the like) generated from the photopolymerization initiator (component (B)) and undergoes a chain reaction (polymerization reaction). It is a compound which forms the film | membrane which consists of.

このような重合性化合物としては、例えば、ラジカル重合性化合物が挙げられる。成分(A)である重合性化合物は、一種類の重合性化合物で構成されていても良く、複数種類の重合性化合物で構成されていても良い。   Examples of such a polymerizable compound include a radical polymerizable compound. The polymerizable compound as the component (A) may be composed of one kind of polymerizable compound or may be composed of a plurality of kinds of polymerizable compounds.

尚、本実施形態及び本発明において、「AがBで構成される」とは、AがBである(すなわち、AがBのみからなる)ことを意味する。   In the present embodiment and the present invention, “A is composed of B” means that A is B (that is, A is composed only of B).

ラジカル重合性化合物としては、アクリロイル基又はメタクリロイル基を1つ以上有する化合物、すなわち、(メタ)アクリル化合物であることが好ましい。   The radical polymerizable compound is preferably a compound having at least one acryloyl group or methacryloyl group, that is, a (meth) acrylic compound.

したがって、重合性化合物は、(メタ)アクリル化合物を含むことが好ましく、重合性化合物の主成分が(メタ)アクリル化合物であることがより好ましく、(メタ)アクリル化合物であることが最も好ましい。尚、ここで記載する重合性化合物の主成分が(メタ)アクリル化合物であるとは、重合性化合物の90重量%以上が(メタ)アクリル化合物であることを示す。   Therefore, the polymerizable compound preferably contains a (meth) acrylic compound, the main component of the polymerizable compound is more preferably a (meth) acrylic compound, and most preferably a (meth) acrylic compound. In addition, the main component of the polymerizable compound described here being a (meth) acrylic compound indicates that 90% by weight or more of the polymerizable compound is a (meth) acrylic compound.

ラジカル重合性化合物が、アクリロイル基又はメタクリロイル基を1つ以上有する複数種類の化合物で構成される場合には、単官能アクリルモノマーと多官能アクリルモノマーを含むことが好ましい。これは、単官能アクリルモノマーと多官能アクリルモノマーを組み合わせることで、強度が強い硬化膜が得られるからである。   When the radically polymerizable compound is composed of a plurality of types of compounds having one or more acryloyl groups or methacryloyl groups, it is preferable to include a monofunctional acrylic monomer and a polyfunctional acrylic monomer. This is because a cured film having high strength can be obtained by combining a monofunctional acrylic monomer and a polyfunctional acrylic monomer.

アクリロイル基又はメタクリロイル基を1つ有する単官能(メタ)アクリル化合物としては、例えば、フェノキシエチル(メタ)アクリレート、フェノキシ−2−メチルエチル(メタ)アクリレート、フェノキシエトキシエチル(メタ)アクリレート、3−フェノキシ−2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、2−フェニルフェノキシエチル(メタ)アクリレート、4−フェニルフェノキシエチル(メタ)アクリレート、3−(2−フェニルフェニル)−2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、EO変性p−クミルフェノールの(メタ)アクリレート、2−ブロモフェノキシエチル(メタ)アクリレート、2,4−ジブロモフェノキシエチル(メタ)アクリレート、2,4,6−トリブロモフェノキシエチル(メタ)アクリレート、EO変性フェノキシ(メタ)アクリレート、PO変性フェノキシ(メタ)アクリレート、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート、1−アダマンチル(メタ)アクリレート、2−メチル−2−アダマンチル(メタ)アクリレート、2−エチル−2−アダマンチル(メタ)アクリレート、ボルニル(メタ)アクリレート、トリシクロデカニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、4−ブチルシクロヘキシル(メタ)アクリレート、アクリロイルモルホリン、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、イソプロピル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、アミル(メタ)アクリレート、イソブチル(メタ)アクリレート、t−ブチル(メタ)アクリレート、ペンチル(メタ)アクリレート、イソアミル(メタ)アクリレート、へキシル(メタ)アクリレート、ヘプチル(メタ)アクリレート、オクチル(メタ)アクリレート、イソオクチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ノニル(メタ)アクリレート、デシル(メタ)アクリレート、イソデシル(メタ)アクリレート、ウンデシル(メタ)アクリレート、ドデシル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アクリレート、イソステアリル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、1−ナフチルメチル(メタ)アクリレート、2−ナフチルメチル(メタ)アクリレート、テトラヒドロフルフリル(メタ)アクリレート、ブトキシエチル(メタ)アクリレート、エトキシジエチレングリコール(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ(メタ)アクリレート、メトキシエチレングリコール(メタ)アクリレート、エトキシエチル(メタ)アクリレート、メトキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、メトキシポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、ジアセトン(メタ)アクリルアミド、イソブトキシメチル(メタ)アクリルアミド、N,N−ジメチル(メタ)アクリルアミド、t−オクチル(メタ)アクリルアミド、ジメチルアミノエチル(メタ)アクリレート、ジエチルアミノエチル(メタ)アクリレート、7−アミノ−3,7−ジメチルオクチル(メタ)アクリレート、N,N−ジエチル(メタ)アクリルアミド、N,N−ジメチルアミノプロピル(メタ)アクリルアミド等が挙げられるが、これらに限定されない。   Examples of monofunctional (meth) acrylic compounds having one acryloyl group or methacryloyl group include phenoxyethyl (meth) acrylate, phenoxy-2-methylethyl (meth) acrylate, phenoxyethoxyethyl (meth) acrylate, and 3-phenoxy. 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-phenylphenoxyethyl (meth) acrylate, 4-phenylphenoxyethyl (meth) acrylate, 3- (2-phenylphenyl) -2-hydroxypropyl (meth) acrylate, EO-modified p-cumylphenol (meth) acrylate, 2-bromophenoxyethyl (meth) acrylate, 2,4-dibromophenoxyethyl (meth) acrylate, 2,4,6-tribromophenoxyethyl (meth) acrylate EO-modified phenoxy (meth) acrylate, PO-modified phenoxy (meth) acrylate, polyoxyethylene nonylphenyl ether (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, 1-adamantyl (meth) acrylate, 2-methyl-2- Adamantyl (meth) acrylate, 2-ethyl-2-adamantyl (meth) acrylate, bornyl (meth) acrylate, tricyclodecanyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, dicyclopentenyl (meth) acrylate, Cyclohexyl (meth) acrylate, 4-butylcyclohexyl (meth) acrylate, acryloylmorpholine, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2 Hydroxybutyl (meth) acrylate, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, amyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, t -Butyl (meth) acrylate, pentyl (meth) acrylate, isoamyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, heptyl (meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) Acrylate, nonyl (meth) acrylate, decyl (meth) acrylate, isodecyl (meth) acrylate, undecyl (meth) acrylate, dodecyl (meth) acrylate, lauryl (medium) Acrylate), stearyl (meth) acrylate, isostearyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, 1-naphthylmethyl (meth) acrylate, 2-naphthylmethyl (meth) acrylate, tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, butoxy Ethyl (meth) acrylate, ethoxydiethylene glycol (meth) acrylate, polyethylene glycol mono (meth) acrylate, polypropylene glycol mono (meth) acrylate, methoxyethylene glycol (meth) acrylate, ethoxyethyl (meth) acrylate, methoxypolyethylene glycol (meth) Acrylate, methoxypolypropylene glycol (meth) acrylate, diacetone (meth) acrylamide, isobutoxymethyl (Meth) acrylamide, N, N-dimethyl (meth) acrylamide, t-octyl (meth) acrylamide, dimethylaminoethyl (meth) acrylate, diethylaminoethyl (meth) acrylate, 7-amino-3,7-dimethyloctyl (meth) Examples thereof include, but are not limited to, acrylate, N, N-diethyl (meth) acrylamide, N, N-dimethylaminopropyl (meth) acrylamide and the like.

上記単官能(メタ)アクリル化合物の市販品としては、アロニックスM101、M102、M110、M111、M113、M117、M5700、TO−1317、M120、M150、M156(以上、東亞合成製)、MEDOL10、MIBDOL10、CHDOL10、MMDOL30、MEDOL30、MIBDOL30、CHDOL30、LA、IBXA、2−MTA、HPA、ビスコート#150、#155、#158、#190、#192、#193、#220、#2000、#2100、#2150(以上、大阪有機化学工業製)、ライトアクリレートBO−A、EC−A、DMP−A、THF−A、HOP−A、HOA−MPE、HOA−MPL、PO−A、P−200A、NP−4EA、NP−8EA、エポキシエステルM−600A(以上、共栄社化学製)、KAYARAD TC110S、R−564、R−128H(以上、日本化薬製)、NKエステルAMP−10G、AMP−20G(以上、新中村化学工業製)、FA−511A、512A、513A(以上、日立化成製)、PHE、CEA、PHE−2、PHE−4、BR−31、BR−31M、BR−32(以上、第一工業製薬製)、VP(BASF製)、ACMO、DMAA、DMAPAA(以上、興人製)等が挙げられるが、これらに限定されない。   Commercially available products of the above monofunctional (meth) acrylic compounds include Aronix M101, M102, M110, M111, M113, M117, M5700, TO-1317, M120, M150, M156 (above, manufactured by Toagosei Co., Ltd.), MEDOL10, MIBDOL10, CHDOL10, MMDOL30, MEDOL30, MIBDOL30, CHDOL30, LA, IBXA, 2-MTA, HPA, Biscote # 150, # 155, # 158, # 190, # 192, # 193, # 220, # 2000, # 2100, # 2150 (Osaka Organic Chemical Co., Ltd.), light acrylate BO-A, EC-A, DMP-A, THF-A, HOP-A, HOA-MPE, HOA-MPL, PO-A, P-200A, NP- 4EA, NP-8EA, Epoxy S M-600A (above, manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.), KAYARAD TC110S, R-564, R-128H (above, manufactured by Nippon Kayaku), NK ester AMP-10G, AMP-20G (above, manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.) FA-511A, 512A, 513A (manufactured by Hitachi Chemical), PHE, CEA, PHE-2, PHE-4, BR-31, BR-31M, BR-32 (manufactured by Daiichi Kogyo Seiyaku), VP ( BASF), ACMO, DMAA, DMAPAA (above, manufactured by Kojin) and the like, but are not limited thereto.

アクリロイル基又はメタクリロイル基を2つ以上有する多官能(メタ)アクリル化合物としては、例えば、トリメチロールプロパンジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、EO変性トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、PO変性トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、EO,PO変性トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、フェニルエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,6−へキサンジオールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、1,9−ノナンジオールジ(メタ)アクリレート、1,10−デカンジオールジ(メタ)アクリレート、1,3−アダマンタンジメタノールジ(メタ)アクリレート、o−キシリレンジ(メタ)アクリレート、m−キシリレンジ(メタ)アクリレート、p−キシリレンジ(メタ)アクリレート、トリス(2−ヒドキシエチル)イソシアヌレートトリ(メタ)アクリレート、トリス(アクリロイルオキシ)イソシアヌレート、ビス(ヒドロキシメチル)トリシクロデカンジ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、EO変性2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシ)フェニル)プロパン、PO変性2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシ)フェニル)プロパン、EO,PO変性2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシ)フェニル)プロパン等が挙げられるが、これらに限定されない。   Examples of the polyfunctional (meth) acrylic compound having two or more acryloyl groups or methacryloyl groups include trimethylolpropane di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, and EO-modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate. , PO-modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate, EO, PO-modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate, dimethyloltricyclodecane di (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) Acrylate, ethylene glycol di (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, phenylethylene glycol di (meth) acrylate, polyethylene glycol Di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, 1, 9-nonanediol di (meth) acrylate, 1,10-decanediol di (meth) acrylate, 1,3-adamantanedimethanol di (meth) acrylate, o-xylylene di (meth) acrylate, m-xylylene di (meth) acrylate , P-xylylene di (meth) acrylate, tris (2-hydroxyethyl) isocyanurate tri (meth) acrylate, tris (acryloyloxy) isocyanurate, bis (hydroxymethyl) tricyclodecanedi (meth) acrylate, dipe Taerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, EO-modified 2,2-bis (4-((meth) acryloxy) phenyl) propane, PO-modified 2,2-bis (4-((meta ) Acryloxy) phenyl) propane, EO, PO-modified 2,2-bis (4-((meth) acryloxy) phenyl) propane and the like, but are not limited thereto.

上記多官能(メタ)アクリル化合物の市販品としては、ユピマーUV SA1002、SA2007(以上、三菱化学製)、ビスコート#195、#230、#215、#260、#335HP、#295、#300、#360、#700、GPT、3PA(以上、大阪有機化学工業製)、ライトアクリレート4EG−A、9EG−A、NP−A、DCP−A、BP−4EA、BP−4PA、TMP−A、PE−3A、PE−4A、DPE−6A(以上、共栄社化学製)、KAYARAD PET−30、TMPTA、R−604、DPHA、DPCA−20、−30、−60、−120、HX−620、D−310、D−330(以上、日本化薬製)、アロニックスM208、M210、M215、M220、M240、M305、M309、M310、M315、M325、M400(以上、東亞合成製)、リポキシVR−77、VR−60、VR−90(以上、昭和電工製)等が挙げられるが、これらに限定されない。   Commercially available products of the above polyfunctional (meth) acrylic compounds include Iupimer UV SA1002, SA2007 (above, manufactured by Mitsubishi Chemical), Biscoat # 195, # 230, # 215, # 260, # 335HP, # 295, # 300, # 360, # 700, GPT, 3PA (manufactured by Osaka Organic Chemical Industry), light acrylate 4EG-A, 9EG-A, NP-A, DCP-A, BP-4EA, BP-4PA, TMP-A, PE- 3A, PE-4A, DPE-6A (manufactured by Kyoeisha Chemical), KAYARAD PET-30, TMPTA, R-604, DPHA, DPCA-20, -30, -60, -120, HX-620, D-310 , D-330 (above, Nippon Kayaku), Aronix M208, M210, M215, M220, M240, M305, M309 , M310, M315, M325, M400 (above, manufactured by Toagosei Co., Ltd.), Lipoxy VR-77, VR-60, VR-90 (above, manufactured by Showa Denko) and the like, but are not limited thereto.

尚、上述した化合物群において、(メタ)アクリレートとは、アクリレート及びそれと同等のアルコール残基を有するメタクリレートを意味する。(メタ)アクリロイル基とは、アクリロイル基及びそれと同等のアルコール残基を有するメタクリロイル基を意味する。EOは、エチレンオキサイドを示し、EO変性化合物Aとは、化合物Aの(メタ)アクリル酸残基とアルコール残基がエチレンオキサイド基のブロック構造を介して結合している化合物を示す。また、POは、プロピレンオキサイドを示し、PO変性化合物Bとは、化合物Bの(メタ)アクリル酸残基とアルコール残基がプロピレンオキサイド基のブロック構造を介して結合している化合物を示す。   In the above compound group, (meth) acrylate means acrylate and methacrylate having an alcohol residue equivalent thereto. The (meth) acryloyl group means an acryloyl group and a methacryloyl group having an alcohol residue equivalent thereto. EO represents ethylene oxide, and EO-modified compound A refers to a compound in which the (meth) acrylic acid residue and alcohol residue of compound A are bonded via a block structure of an ethylene oxide group. PO represents propylene oxide, and PO-modified compound B refers to a compound in which the (meth) acrylic acid residue and alcohol residue of compound B are bonded via a block structure of a propylene oxide group.

これらの中でも、成分(A)は、イソボルニルアクリレート、ベンジルアクリレート、2−ナフチルメチルアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオールジアクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジアクリレート、フェニルエチレングリコールジアクリレート、またはm−キシリレンジアクリレートのうち少なくとも一つを含有することが好ましく、少なくとも二つを含有することがより好ましい。更には、イソボルニルアクリレートと、ベンジルアクリレートと、ネオペンチルグリコールジアクリレートと、からなる、もしくは、イソボルニルアクリレートと、1,6−ヘキサンジオールジアクリレートと、からなる、もしくは、ベンジルアクリレートと、ジメチロールトリシクロデカンジアクリレートと、からなる、もしくは、ベンジルアクリレートと、フェニルエチレングリコールジアクリレートと、からなる、もしくは、ベンジルアクリレートと、m−キシリレンジアクリレートと、からなる、もしくは、ベンジルアクリレートと、2−ナフチルメチルアクリレートと、m−キシリレンジアクリレートと、からなることが好ましい。   Among these, component (A) is isobornyl acrylate, benzyl acrylate, 2-naphthylmethyl acrylate, neopentyl glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, dimethylol tricyclodecane diacrylate, phenylethylene glycol. It is preferable to contain at least one of diacrylate or m-xylylene diacrylate, and it is more preferable to contain at least two. Furthermore, it consists of isobornyl acrylate, benzyl acrylate, and neopentyl glycol diacrylate, or it consists of isobornyl acrylate and 1,6-hexanediol diacrylate, or benzyl acrylate, Dimethylol tricyclodecane diacrylate, or benzyl acrylate and phenylethylene glycol diacrylate, or benzyl acrylate and m-xylylene diacrylate, or benzyl acrylate, It preferably consists of 2-naphthylmethyl acrylate and m-xylylene diacrylate.

<成分(B)光重合開始剤>
成分(B)は、光重合開始剤である。
<Component (B) Photopolymerization initiator>
Component (B) is a photopolymerization initiator.

本実施形態及び本発明において、光重合開始剤は、所定の波長の光を感知して上記重合因子(ラジカル)を発生させる化合物である。具体的には、光重合開始剤は、光(赤外線、可視光線、紫外線、遠紫外線、X線、電子線等の荷電粒子線等、放射線)によりラジカルを発生する重合開始剤(ラジカル発生剤)である。   In the present embodiment and the present invention, the photopolymerization initiator is a compound that generates the polymerization factor (radical) by sensing light of a predetermined wavelength. Specifically, the photopolymerization initiator is a polymerization initiator (radical generator) that generates radicals by light (infrared rays, visible rays, ultraviolet rays, far ultraviolet rays, charged particle beams such as X-rays, electron beams, etc., radiation). It is.

成分(B)は、一種類の光重合開始剤で構成されていても良く、複数種類の光重合開始剤で構成されていても良い。   Component (B) may be composed of one type of photopolymerization initiator, or may be composed of a plurality of types of photopolymerization initiators.

ラジカル発生剤としては、例えば、2−(o−クロロフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2−(o−クロロフェニル)−4,5−ジ(メトキシフェニル)イミダゾール二量体、2−(o−フルオロフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2−(o−又はp−メトキシフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体等の置換基を有してもよい2,4,5−トリアリールイミダゾール二量体;ベンゾフェノン、N,N’−テトラメチル−4,4’−ジアミノベンゾフェノン(ミヒラーケトン)、N,N’−テトラエチル−4,4’−ジアミノベンゾフェノン、4−メトキシ−4’−ジメチルアミノベンゾフェノン、4−クロロベンゾフェノン、4,4’−ジメトキシベンゾフェノン、4,4’−ジアミノベンゾフェノン等のベンゾフェノン誘導体;2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタノン−1、2−メチル−1−〔4−(メチルチオ)フェニル〕−2−モルフォリノ−プロパン−1−オン等のα―アミノ芳香族ケトン誘導体;2−エチルアントラキノン、フェナントレンキノン、2−t−ブチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、1,2−ベンズアントラキノン、2,3−ベンズアントラキノン、2−フェニルアントラキノン、2,3−ジフェニルアントラキノン、1−クロロアントラキノン、2−メチルアントラキノン、1,4−ナフトキノン、9,10−フェナンタラキノン、2−メチル−1,4−ナフトキノン、2,3−ジメチルアントラキノン等のキノン類;ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル誘導体;ベンゾイン、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン、プロピルベンゾイン等のベンゾイン誘導体;ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体;9−フェニルアクリジン、1,7−ビス(9,9’−アクリジニル)ヘプタン等のアクリジン誘導体;N−フェニルグリシン等のN−フェニルグリシン誘導体;アセトフェノン、3−メチルアセトフェノン、アセトフェノンベンジルケタール、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン等のアセトフェノン誘導体;チオキサントン、ジエチルチオキサントン、2−イソプロピルチオキサントン、2−クロロチオキサントン等のチオキサントン誘導体;キサントン、フルオレノン、ベンズアルデヒド、フルオレン、アントラキノン、トリフェニルアミン、カルバゾール、1−(4−イソプロピルフェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチルプロパン−1−オン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン、2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド、ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)フェニルフォスフィンオキサイド、ビス−(2,6−ジメトキシベンゾイル)−2,4,4−トリメチルペンチルフォスフィンオキシド、1,2−オクタンジオン、1−[4−(フェニルチオ)−,2−(O−ベンゾイルオキシム)]、エタノン,1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾール−3−イル]−,1−(O−アセチルオキシム)などが挙げられるが、これらに限定されない。   Examples of the radical generator include 2- (o-chlorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (o-chlorophenyl) -4,5-di (methoxyphenyl) imidazole dimer, 2- It may have a substituent such as (o-fluorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (o- or p-methoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer 2, 4,5-triarylimidazole dimer; benzophenone, N, N′-tetramethyl-4,4′-diaminobenzophenone (Michler ketone), N, N′-tetraethyl-4,4′-diaminobenzophenone, 4-methoxy -4'-dimethylaminobenzophenone, 4-chlorobenzophenone, 4,4'-dimethoxybenzophenone, 4,4'-diamino Benzophenone derivatives such as nzophenone; 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butanone-1,2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino-propane- Α-amino aromatic ketone derivatives such as 1-one; 2-ethylanthraquinone, phenanthrenequinone, 2-t-butylanthraquinone, octamethylanthraquinone, 1,2-benzanthraquinone, 2,3-benzanthraquinone, 2-phenylanthraquinone 2,3-diphenylanthraquinone, 1-chloroanthraquinone, 2-methylanthraquinone, 1,4-naphthoquinone, 9,10-phenantharaquinone, 2-methyl-1,4-naphthoquinone, 2,3-dimethylanthraquinone, etc. Quinones; benzoin methyl ester Benzoin ether derivatives such as ether, benzoin ethyl ether and benzoin phenyl ether; benzoin derivatives such as benzoin, methyl benzoin, ethyl benzoin and propyl benzoin; benzyl derivatives such as benzyl dimethyl ketal; 9-phenylacridine, 1,7-bis (9 , 9'-acridinyl) heptane derivatives; N-phenylglycine derivatives such as N-phenylglycine; acetophenone, 3-methylacetophenone, acetophenone benzyl ketal, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2,2-dimethoxy-2- Acetophenone derivatives such as phenylacetophenone; thioxanthones such as thioxanthone, diethylthioxanthone, 2-isopropylthioxanthone, 2-chlorothioxanthone Xanthone, fluorenone, benzaldehyde, fluorene, anthraquinone, triphenylamine, carbazole, 1- (4-isopropylphenyl) -2-hydroxy-2-methylpropan-1-one, 2-hydroxy-2-methyl-1 -Phenylpropan-1-one, 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide, bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenylphosphine oxide, bis- (2,6-dimethoxybenzoyl) -2, 4,4-trimethylpentylphosphine oxide, 1,2-octanedione, 1- [4- (phenylthio)-, 2- (O-benzoyloxime)], ethanone, 1- [9-ethyl-6- (2 -Methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl]- 1-(O-acetyl oxime) and the like, but not limited to.

上記光ラジカル発生剤の市販品として、Irgacure184、369、651、500、819、907、784、2959、CGI−1700、−1750、−1850、CG24−61、Darocur 1116、1173、Lucirin TPO、LR8893、LR8970(以上、BASF製)、ユベクリルP36(UCB製)等が挙げられるが、これらに限定されない。   Commercially available products of the above photoradical generator include Irgacure 184, 369, 651, 500, 819, 907, 784, 2959, CGI-1700, -1750, -1850, CG24-61, Darocur 1116, 1173, Lucirin TPO, LR8883, LR8970 (above, manufactured by BASF), Ubekrill P36 (manufactured by UCB), and the like are exemplified, but not limited thereto.

これらの中でも、成分(B)は、アルキルフェノン系重合開始剤、オキシムエステル系重合開始剤、アシルフォスフィンオキサイド系重合開始剤であることが好ましい。   Among these, the component (B) is preferably an alkylphenone polymerization initiator, an oxime ester polymerization initiator, or an acyl phosphine oxide polymerization initiator.

尚、上記の例のうち、アルキルフェノン系重合開始剤は、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル誘導体;ベンゾイン、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン、プロピルベンゾイン等のベンゾイン誘導体;ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体;アセトフェノン、3−メチルアセトフェノン、アセトフェノンベンジルケタール、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン等のアセトフェノン誘導体;2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタノン−1、2−メチル−1−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルフォリノプロパン−1−オン等のα−アミノ芳香族ケトン誘導体である。   In the above examples, the alkylphenone polymerization initiators are benzoin ether derivatives such as benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether and benzoin phenyl ether; benzoin derivatives such as benzoin, methyl benzoin, ethyl benzoin and propyl benzoin; benzyldimethyl Benzyl derivatives such as ketals; acetophenone derivatives such as acetophenone, 3-methylacetophenone, acetophenone benzyl ketal, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone; 2-benzyl-2-dimethylamino-1- Α-amino aromatics such as (4-morpholinophenyl) -butanone-1,2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholinopropan-1-one Is a ton derivatives.

また、上記の例のうち、オキシムエステル系重合開始剤は、1,2−オクタンジオン、1−[4−(フェニルチオ)−,2−(O−ベンゾイルオキシム)]、エタノン,1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾール−3−イル]−,1−(0−アセチルオキシム)などのオキシムエステル化合物である。   Moreover, among the above examples, the oxime ester polymerization initiator is 1,2-octanedione, 1- [4- (phenylthio)-, 2- (O-benzoyloxime)], ethanone, 1- [9- An oxime ester compound such as ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl]-, 1- (0-acetyloxime).

更には、上記の例のうち、アシルフォスフィンオキサイド系重合開始剤は、2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド、ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)フェニルフォスフィンオキサイド、ビス(2,6−ジメトキシベンゾイル)−2,4,4−トリメチルペンチルフォスフィンオキサイドなどのアシルフォスフィンオキサイド化合物である。   Furthermore, among the above examples, the acyl phosphine oxide-based polymerization initiator includes 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide, bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenylphosphine oxide, bis ( 2,6-dimethoxybenzoyl) -2,4,4-trimethylpentylphosphine oxide and other acylphosphine oxide compounds.

成分(B)は、これらの中でも、下記式(a)に示される2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタノン−1、下記式(b)に示される1,2−オクタンジオン、1−[4−(フェニルチオ)−,2−(O−ベンゾイルオキシム)]、下記式(e)に示されるビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)フェニルフォスフィンオキサイド、もしくは下記式(c)に示される2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイドであることが特に好ましい。   Among these, component (B) is 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butanone-1 represented by the following formula (a), 1 represented by the following formula (b) , 2-octanedione, 1- [4- (phenylthio)-, 2- (O-benzoyloxime)], bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenylphosphine oxide represented by the following formula (e), Or 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide represented by the following formula (c) is particularly preferable.

重合開始剤である成分(B)の光インプリント用組成物における配合割合は、重合性化合物である成分(A)の全量に対して、0.01重量%以上10重量%以下であり、好ましくは、0.1重量%以上7重量%以下である。   The blending ratio in the composition for photoimprinting of the component (B) that is a polymerization initiator is 0.01% by weight or more and 10% by weight or less, preferably with respect to the total amount of the component (A) that is a polymerizable compound. Is 0.1 wt% or more and 7 wt% or less.

成分(B)の配合割合が重合性化合物の全量に対して0.01重量%以上とすることにより、組成物の硬化速度が速くなり、反応効率を良くすることができる。また、成分(B)の配合割合が重合性化合物の全量に対して10重量%以下とすることにより、得られる硬化物がある程度の機械的強度を有する硬化物となる。   When the blending ratio of the component (B) is 0.01% by weight or more with respect to the total amount of the polymerizable compound, the curing rate of the composition can be increased and the reaction efficiency can be improved. Moreover, the hardened | cured material obtained turns into a hardened | cured material with a certain amount of mechanical strength because the mixture ratio of a component (B) shall be 10 weight% or less with respect to the whole quantity of a polymeric compound.

<成分(C)その他の添加成分>
本実施形態の光インプリント用組成物は、前述した、成分(A)、成分(B)の他に、種々の目的に応じ、本発明の効果を損なわない範囲で、更なる添加成分(C)を含有していてもよい。このような添加成分(C)としては、界面活性剤、増感剤、水素供与体、酸化防止剤、溶剤、ポリマー成分等が挙げられる。
<Component (C) Other additive components>
In addition to the component (A) and component (B) described above, the composition for optical imprinting according to the present embodiment is a further additive component (C) as long as the effects of the present invention are not impaired depending on various purposes. ) May be contained. Examples of such additive component (C) include a surfactant, a sensitizer, a hydrogen donor, an antioxidant, a solvent, and a polymer component.

増感剤は、重合反応促進や反応転化率の向上を目的として、適宜添加される化合物である。増感剤として、例えば、増感色素等が挙げられる。   A sensitizer is a compound added as appropriate for the purpose of promoting the polymerization reaction or improving the reaction conversion rate. Examples of the sensitizer include sensitizing dyes.

増感色素は、特定の波長の光を吸収することにより励起され、成分(B)である重合開始剤へ相互作用する化合物である。尚、ここで記載する相互作用とは、励起状態の増感色素から成分(B)である重合開始剤へのエネルギー移動や電子移動等である。   The sensitizing dye is a compound that is excited by absorbing light of a specific wavelength and interacts with the polymerization initiator that is component (B). In addition, the interaction described here is an energy transfer, an electron transfer, etc. from the sensitizing dye in an excited state to the polymerization initiator which is the component (B).

増感色素の具体例としては、アントラセン誘導体、アントラキノン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、カルバゾール誘導体、ベンゾフェノン誘導体、チオキサントン誘導体、キサントン誘導体、チオキサントン誘導体、クマリン誘導体、フェノチアジン誘導体、カンファキノン誘導体、アクリジン系色素、チオピリリウム塩系色素、メロシアニン系色素、キノリン系色素、スチリルキノリン系色素、ケトクマリン系色素、チオキサンテン系色素、キサンテン系色素、オキソノール系色素、シアニン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム塩系色素等が挙げられるが、これらに限定されない。   Specific examples of the sensitizing dye include anthracene derivatives, anthraquinone derivatives, pyrene derivatives, perylene derivatives, carbazole derivatives, benzophenone derivatives, thioxanthone derivatives, xanthone derivatives, thioxanthone derivatives, coumarin derivatives, phenothiazine derivatives, camphorquinone derivatives, acridine dyes, Examples include thiopyrylium salt dyes, merocyanine dyes, quinoline dyes, styrylquinoline dyes, ketocoumarin dyes, thioxanthene dyes, xanthene dyes, oxonol dyes, cyanine dyes, rhodamine dyes, and pyrylium salt dyes. However, it is not limited to these.

増感剤は、一種類を単独で用いても良いし、二種類以上を混合して用いても良い。   A sensitizer may be used individually by 1 type and may be used in mixture of 2 or more types.

これらの中でも、増感剤は、ベンゾフェノン系増感剤もしくはチオキサントン系増感剤であることが好ましい。   Among these, the sensitizer is preferably a benzophenone sensitizer or a thioxanthone sensitizer.

尚、上記の例のうち、ベンゾフェノン系増感剤は、4,4’−ビス(ジアルキルアミノ)ベンゾフェノンなどのベンゾフェノン化合物である。   In the above examples, the benzophenone sensitizer is a benzophenone compound such as 4,4'-bis (dialkylamino) benzophenone.

また、上記の例のうち、チオキサントン系増感剤は、2−イソプロピルチオキサントン等のチオキサントン化合物である。   Of the above examples, the thioxanthone sensitizer is a thioxanthone compound such as 2-isopropylthioxanthone.

増感剤は、これらの中でも、下記式(f)に示される4,4’−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、もしくは下記式(i)に示される2−イソプロピルチオキサントン、であることが特に好ましい。   Among these, the sensitizer is particularly preferably 4,4′-bis (diethylamino) benzophenone represented by the following formula (f) or 2-isopropylthioxanthone represented by the following formula (i).

水素供与体は、成分(B)である重合開始剤から発生した開始ラジカルや、重合生長末端のラジカルと反応し、より反応性が高いラジカルを発生する化合物である。成分(B)である重合開始剤が光ラジカル発生剤である場合に添加することが好ましい。   The hydrogen donor is a compound that reacts with an initiation radical generated from the polymerization initiator as the component (B) or a radical at the polymerization growth terminal to generate a radical having higher reactivity. It is preferable to add when the polymerization initiator which is the component (B) is a photo radical generator.

このような水素供与体の具体例としては、N−ブチルアミン、ジ−n−ブチルアミン、トリ−n−ブチルホスフィン、アリルチオ尿素、s−ベンジルイソチウロニウム−p−トルエンスルフィネート、トリエチルアミン、ジエチルアミノエチルメタクリレート、トリエチレンテトラミン、4,4’−ビス(ジアルキルアミノ)ベンゾフェノン、N,N−ジメチルアミノ安息香酸エチルエステル、N,N−ジメチルアミノ安息香酸イソアミルエステル、ペンチル−4−ジメチルアミノベンゾエート、トリエタノールアミン、N−フェニルグリシンなどのアミン化合物、2−メルカプト−N−フェニルベンゾイミダゾール、メルカプトプロピオン酸エステルなどのメルカプト化合物、などが挙げられるが、これらに限定されない。   Specific examples of such hydrogen donors include N-butylamine, di-n-butylamine, tri-n-butylphosphine, allylthiourea, s-benzylisothiuronium-p-toluenesulfinate, triethylamine, diethylaminoethyl. Methacrylate, triethylenetetramine, 4,4′-bis (dialkylamino) benzophenone, N, N-dimethylaminobenzoic acid ethyl ester, N, N-dimethylaminobenzoic acid isoamyl ester, pentyl-4-dimethylaminobenzoate, triethanol Examples include amine compounds such as amines and N-phenylglycine, mercapto compounds such as 2-mercapto-N-phenylbenzimidazole and mercaptopropionic acid esters, but are not limited thereto.

水素供与体は、一種類を単独で用いてもよいし二種類以上を混合して用いても良い。   One hydrogen donor may be used alone, or two or more hydrogen donors may be mixed and used.

水素供与体は、増感剤としての機能を有してもよい。増感剤としての機能を有する水素供与体としては、前述した4,4’−ビス(ジアルキルアミノ)ベンゾフェノン等が含まれる。   The hydrogen donor may have a function as a sensitizer. Examples of the hydrogen donor having a function as a sensitizer include the aforementioned 4,4'-bis (dialkylamino) benzophenone.

4,4’−ビス(ジアルキルアミノ)ベンゾフェノンとしては、4,4’−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン及びその誘導体等が含まれる。これらのうち、下記式(f)に示される4,4’−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノンであることが特に好ましい。   Examples of 4,4'-bis (dialkylamino) benzophenone include 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone and derivatives thereof. Of these, 4,4′-bis (diethylamino) benzophenone represented by the following formula (f) is particularly preferable.

本実施形態の光インプリント用組成物が、添加成分として、増感剤や水素供与体を含む場合、重合性化合物である成分(A)の全量に対して、好ましくは、0.1重量%以上20重量%以下であり、より好ましくは、0.1重量%以上5.0重量%以下であり、更に好ましくは、0.2重量%以上2.0重量%以下である。成分(A)の全量に対して、増感剤が0.1重量%以上含まれていれば、重合促進効果をより効果的に発現することができる。また、増感剤もしくは水素供与体の含量を5.0重量%以下とすることにより、作製される光硬化物を構成する高分子化合物の分子量が十分に高くなると共に、光インプリント用組成物への溶解不良や光インプリント用組成物の保存安定性の劣化を抑えることができる。   When the composition for photoimprinting of this embodiment contains a sensitizer or a hydrogen donor as an additive component, it is preferably 0.1% by weight with respect to the total amount of the component (A) that is a polymerizable compound. It is 20 wt% or less, more preferably 0.1 wt% or more and 5.0 wt% or less, and still more preferably 0.2 wt% or more and 2.0 wt% or less. If the sensitizer is contained in an amount of 0.1% by weight or more based on the total amount of the component (A), the polymerization promoting effect can be expressed more effectively. Further, when the content of the sensitizer or hydrogen donor is 5.0% by weight or less, the molecular weight of the polymer compound constituting the photocured product to be produced is sufficiently high, and the composition for photoimprinting It is possible to suppress poor dissolution in the resin and deterioration of the storage stability of the composition for photoimprinting.

モールドとレジストとの間の界面結合力の低減を目的として、光インプリント用組成物に界面活性剤を添加することができる。   For the purpose of reducing the interfacial bonding force between the mold and the resist, a surfactant can be added to the photoimprinting composition.

界面活性剤としては、シリコーン系界面活性剤及びフッ素系界面活性剤を使用できる。これらのうちでも、離型力低減効果が優れるという観点から、フッ素系界面活性剤が好ましい。本発明において、界面活性剤は、重合性を有さない。   As the surfactant, a silicone-based surfactant and a fluorine-based surfactant can be used. Among these, a fluorosurfactant is preferable from the viewpoint of excellent release force reduction effect. In the present invention, the surfactant has no polymerizability.

フッ素系界面活性剤としては、パーフルオロアルキル基を有するアルコールのポリアルキレンオキサイド(ポリエチレンオキサイド、ポリプロピレンオキサイド等)付加物、パーフルオロポリエーテルのポリアルキレンオキサイド(ポリエチレンオキサイド、ポリプロピレンオキサイド等)付加物等が含まれる。尚、フッ素系界面活性剤は、分子構造の一部(例えば、末端基)に、水酸基、アルキル基、アミノ基、チオール基等を有してもよい。界面活性剤は、市販のものを用いてもよい。   Fluorosurfactants include polyalkylene oxide (polyethylene oxide, polypropylene oxide, etc.) adducts of alcohols having a perfluoroalkyl group, polyalkylene oxide (polyethylene oxide, polypropylene oxide, etc.) adducts of perfluoropolyether, etc. included. In addition, the fluorine-based surfactant may have a hydroxyl group, an alkyl group, an amino group, a thiol group, or the like in a part of the molecular structure (for example, a terminal group). A commercially available surfactant may be used.

フッ素系界面活性剤の市販品としては、例えば、メガファックF−444、TF−2066、TF−2067、TF−2068(以上、DIC製)、フロラード FC−430、FC−431(以上、住友スリーエム製)、サーフロン S−382(AGC製)、EFTOP EF−122A、122B、122C、EF−121、EF−126、EF−127、MF−100(以上、トーケムプロダクツ製)、PF−636、PF−6320、PF−656、PF−6520(以上、OMNOVA Solutions製)、ユニダインDS−401、DS−403、DS−451 (以上、ダイキン工業製)、フタージェント 250、251、222F,208G(以上、ネオス製)等が挙げられる。   Commercially available fluorosurfactants include, for example, MegaFace F-444, TF-2066, TF-2067, TF-2068 (above, manufactured by DIC), Florard FC-430, FC-431 (above, Sumitomo 3M). ), Surflon S-382 (manufactured by AGC), EFTOP EF-122A, 122B, 122C, EF-121, EF-126, EF-127, MF-100 (above, manufactured by Tochem Products), PF-636, PF -6320, PF-656, PF-6520 (manufactured by OMNOVA Solutions), Unidyne DS-401, DS-403, DS-451 (manufactured by Daikin Industries), Footage 250, 251, 222F, 208G (and above) Neos) and the like.

また、界面活性剤は、炭化水素系界面活性剤でもよい。   Further, the surfactant may be a hydrocarbon surfactant.

炭化水素系界面活性剤としては、炭素数1〜50のアルキルアルコールに炭素数2〜4のアルキレンオキサイドを付加した、アルキルアルコールポリアルキレンオキサイド付加物等が含まれる。   Examples of the hydrocarbon-based surfactant include an alkyl alcohol polyalkylene oxide adduct obtained by adding an alkylene oxide having 2 to 4 carbon atoms to an alkyl alcohol having 1 to 50 carbon atoms.

アルキルアルコールポリアルキレンオキサイド付加物としては、メチルアルコールエチレンオキサイド付加物、デシルアルコールエチレンオキサイド付加物、ラウリルアルコールエチレンオキサイド付加物、セチルアルコールエチレンオキサイド付加物、ステアリルアルコールエチレンオキサイド付加物、ステアリルアルコールエチレンオキサイド/プロピレンオキサイド付加物等が挙げられる。尚、アルキルアルコールポリアルキレンオキサイド付加物の末端基は、単純にアルキルアルコールにポリアルキレンオキサイドを付加して製造できるヒドロキシル基に限定されない。このヒドロキシル基が他の置換基、例えば、カルボキシル基、アミノ基、ピリジル基、チオール基、シラノール基等の極性官能基やアルキル基等の疎水性官能基に変換されていてもよい。   Examples of the alkyl alcohol polyalkylene oxide adduct include methyl alcohol ethylene oxide adduct, decyl alcohol ethylene oxide adduct, lauryl alcohol ethylene oxide adduct, cetyl alcohol ethylene oxide adduct, stearyl alcohol ethylene oxide adduct, stearyl alcohol ethylene oxide adduct / Examples thereof include propylene oxide adducts. The terminal group of the alkyl alcohol polyalkylene oxide adduct is not limited to a hydroxyl group that can be produced by simply adding a polyalkylene oxide to an alkyl alcohol. This hydroxyl group may be converted to other substituents, for example, a polar functional group such as a carboxyl group, an amino group, a pyridyl group, a thiol group, or a silanol group, or a hydrophobic functional group such as an alkyl group.

アルキルアルコールポリアルキレンオキサイド付加物は、市販品を使用してもよい。市販品としては、例えば、青木油脂工業製のポリオキシエチレンメチルエーテル(メチルアルコールエチレンオキサイド付加物)(BLAUNON MP−400、BLAUNONMP−550、BLAUNON MP−1000)、青木油脂工業製のポリオキシエチレンデシルエーテル(デシルアルコールエチレンオキサイド付加物)(FINESURFD−1303、FINESURF D−1305、FINESURF D−1307、FINESURF D−1310)、青木油脂工業製のポリオキシエチレンラウリルエーテル(ラウリルアルコールエチレンオキサイド付加物)(BLAUNON EL−1505)、青木油脂工業製のポリオキシエチレンセチルエーテル(セチルアルコールエチレンオキサイド付加物)(BLAUNON CH−305、BLAUNON CH−310)、青木油脂工業製のポリオキシエチレンステアリルエーテル(ステアリルアルコールエチレンオキサイド付加物)(BLAUNON SR−705、BLAUNON SR−707、BLAUNON SR−715、BLAUNON SR−720、BLAUNON SR−730、BLAUNON SR−750)、青木油脂工業製のランダム重合型ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンステアリルエーテル(BLAUNON SA−50/50 1000R,SA−30/70 2000R)、BASF製のポリオキシエチレンメチルエーテル(Pluriol A760E)、花王製のポリオキシエチレンアルキルエーテル(エマルゲンシリーズ)等が挙げられる。   A commercial item may be used for the alkyl alcohol polyalkylene oxide adduct. Examples of commercially available products include polyoxyethylene methyl ether (methyl alcohol ethylene oxide adduct) (BLAUNON MP-400, BLAUNONMP-550, BLAUNON MP-1000) manufactured by Aoki Yushi Kogyo, and polyoxyethylene decyl manufactured by Aoki Yushi Kogyo. Ether (decyl alcohol ethylene oxide adduct) (FINESURFD-1303, FINESURF D-1305, FINESURF D-1307, FINESURF D-1310), polyoxyethylene lauryl ether (lauryl alcohol ethylene oxide adduct) (BLAUUNON) manufactured by Aoki Oil & Fat Co., Ltd. EL-1505), polyoxyethylene cetyl ether (cetyl alcohol ethylene oxide adduct) (BLAUNO, manufactured by Aoki Yushi Kogyo Co., Ltd.) CH-305, BLAUNON CH-310), polyoxyethylene stearyl ether (stearyl alcohol ethylene oxide adduct) manufactured by Aoki Yushi Kogyo (BLAUNON SR-705, BLAUNON SR-707, BLAUNON SR-715, BLAUNON SR-720, BLAUNON SR-730, BLAUNON SR-750), random polymerized polyoxyethylene polyoxypropylene stearyl ether (BLAUNON SA-50 / 50 1000R, SA-30 / 70 2000R) manufactured by Aoki Yushi Kogyo, polyoxyethylene methyl manufactured by BASF Ether (Pluriol A760E), Kao polyoxyethylene alkyl ether (Emulgen series), and the like can be mentioned.

これらの炭化水素系界面活性剤の中でも内添型離型剤としては、アルキルアルコールポリアルキレンオキサイド付加物であることが好ましく、長鎖アルキルアルコールポリアルキレンオキサイド付加物であることがより好ましい。   Among these hydrocarbon surfactants, the internally added mold release agent is preferably an alkyl alcohol polyalkylene oxide adduct, and more preferably a long-chain alkyl alcohol polyalkylene oxide adduct.

特に、下記式(O)に示される化合物を炭化水素系界面活性剤として用いることが好ましい。   In particular, it is preferable to use a compound represented by the following formula (O) as a hydrocarbon surfactant.

(O)
上記式(O)において、Rcは炭素原子数5以上50以下の1価の炭化水素基であり、Raはアルキレン基を示し、mは1以上10以下の整数である。Xは、アルコキシ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ピリジル基、シラノール基、スルホ基のいずれかである。
(O)
In the above formula (O), Rc is a monovalent hydrocarbon group having 5 to 50 carbon atoms, Ra represents an alkylene group, and m is an integer of 1 to 10. X is any one of an alkoxy group, a hydroxyl group, a carboxyl group, a pyridyl group, a silanol group, and a sulfo group.

界面活性剤は、一種類を単独で用いてもよいし、二種類以上を混合して用いてもよい。   As the surfactant, one kind may be used alone, or two or more kinds may be mixed and used.

本実施形態の光インプリント用組成物が、添加成分として、界面活性剤を含む場合、この界面活性剤の含有量は、重合性化合物である成分(A)の合計重量に対して、例えば、0.001重量%以上10重量%以下である。好ましくは、0.01重量%以上7重量%以下であり、より好ましくは、0.05重量%以上5重量%以下である。少なくとも0.001重量%以上10重量%以下の範囲に設定することで、光インプリント用組成物に離型力低減効果をもたらすと共に、充填性が優れるという効果も奏する。   When the composition for photoimprinting of this embodiment contains a surfactant as an additive component, the content of this surfactant is, for example, relative to the total weight of the component (A) that is a polymerizable compound, 0.001 wt% or more and 10 wt% or less. Preferably, they are 0.01 weight% or more and 7 weight% or less, More preferably, they are 0.05 weight% or more and 5 weight% or less. By setting it in the range of at least 0.001 wt% or more and 10 wt% or less, the composition for photoimprinting has an effect of reducing the releasing force and also has an effect that the filling property is excellent.

本実施形態の光インプリント用組成物は、光ナノインプリント用組成物であることが好ましい。   It is preferable that the composition for optical imprinting of this embodiment is a composition for optical nanoimprinting.

また、本実施形態の光インプリント用組成物を露光して得られる光硬化物を赤外分光法、紫外可視分光法、熱分解ガスクロマトグラフ質量分析法などで分析することで、成分(A)、成分(B)の比率を求めることができ、結果的に、光インプリント用組成物における成分(A)、成分(B)の比率を求めることができる。   In addition, by analyzing the photocured product obtained by exposing the composition for photoimprinting of the present embodiment by infrared spectroscopy, ultraviolet-visible spectroscopy, pyrolysis gas chromatography mass spectrometry, etc., component (A) The ratio of component (B) can be determined, and as a result, the ratio of component (A) and component (B) in the composition for photoimprinting can be determined.

<光インプリント用組成物の配合時の温度>
本実施形態の光インプリント用組成物を調製する際には、少なくとも成分(A)、成分(B)を所定の温度条件下で混合・溶解させる。具体的には、0℃以上100℃以下の範囲で行う。
<Temperature when compounding composition for optical imprint>
When preparing the composition for photoimprinting of this embodiment, at least the component (A) and the component (B) are mixed and dissolved under a predetermined temperature condition. Specifically, it is performed in the range of 0 ° C. or higher and 100 ° C. or lower.

<光インプリント用組成物の粘度>
本実施形態の光インプリント用組成物の溶剤を除く成分の混合物の23℃での粘度は、好ましくは、1cP以上100cP以下であり、より好ましくは、5cP以上50cP以下であり、更に好ましくは、6cP以上20cP以下である。
<Viscosity of composition for photoimprint>
The viscosity at 23 ° C. of the mixture of components excluding the solvent of the composition for photoimprinting of the present embodiment is preferably 1 cP or more and 100 cP or less, more preferably 5 cP or more and 50 cP or less, and still more preferably, It is 6 cP or more and 20 cP or less.

光インプリント用組成物の粘度が100cP以下であることにより、光インプリント用組成物をモールドに接触する際に、モールド上の微細パターンのうち凹部に組成物が充填するのにかかる時間が長時間とならずに済む。また、充填不良によるパターン欠陥が生じにくい。   When the viscosity of the composition for photoimprint is 100 cP or less, when the composition for photoimprint is brought into contact with the mold, it takes a long time for the composition to fill the recesses in the fine pattern on the mold. You do n’t have time. Also, pattern defects due to poor filling are less likely to occur.

また、粘度が1cP以上であることにより、光インプリント用組成物を基板上に塗布する際に塗りムラが生じにくくなり、光インプリント用組成物をモールドに接触する際に、モールドの端部から光インプリント用組成物が流出しにくくなる。   In addition, when the viscosity is 1 cP or more, uneven coating is less likely to occur when the photoimprinting composition is applied onto the substrate, and the end of the mold when the photoimprinting composition is brought into contact with the mold. Therefore, the composition for photoimprinting hardly flows out.

<光インプリント用組成物の表面張力>
本実施形態の光インプリント用組成物の表面張力は、溶剤を除く成分の混合物について23℃での表面張力が、好ましくは、5mN/m以上70mN/m以下であり、より好ましくは、7mN/m以上35mN/m以下であり、更に好ましくは、10mN/m以上32mN/m以下である。ここで、表面張力が5mN/m以上であることにより、光インプリント用組成物をモールドに接触させる際にモールド上の微細パターンのうち凹部に組成物が充填するのにかかる時間が長時間とならずにすむ。
<Surface tension of composition for photoimprint>
The surface tension of the composition for photoimprinting of the present embodiment is such that the surface tension at 23 ° C. of the mixture of components excluding the solvent is preferably 5 mN / m or more and 70 mN / m or less, more preferably 7 mN / m. m to 35 mN / m, more preferably 10 mN / m to 32 mN / m. Here, when the surface tension is 5 mN / m or more, when the composition for photoimprinting is brought into contact with the mold, it takes a long time to fill the recess with the composition in the fine pattern on the mold. I'm sorry.

また、表面張力が70mN/m以下であることにより、光インプリント用組成物を露光して得られる硬化物が表面平滑性を有する硬化物となる。   Moreover, when the surface tension is 70 mN / m or less, a cured product obtained by exposing the composition for photoimprinting becomes a cured product having surface smoothness.

<光インプリント用組成物に混入している不純物>
本実施形態の光インプリント用組成物は、できる限り不純物を含まないことが好ましい。ここで記載する不純物とは、前述した成分(A)、成分(B)及び添加成分以外のものを意味する。
<Impurities mixed in the composition for photoimprint>
It is preferable that the composition for photoimprinting of the present embodiment contains as little impurities as possible. The impurity described here means a component other than the component (A), the component (B) and the additive component described above.

したがって、光インプリント用組成物は、精製工程を経て得られたものであることが好ましい。このような精製工程としては、フィルタを用いた濾過等が好ましい。   Therefore, the photoimprinting composition is preferably obtained through a purification process. As such a purification step, filtration using a filter or the like is preferable.

フィルタを用いた濾過を行う際には、具体的には、前述した成分(A)、成分(B)及び必要に応じて添加する添加成分を混合した後、例えば、孔径0.001μm以上5.0μm以下のフィルタで濾過することが好ましい。フィルタを用いた濾過を行う際には、多段階で行ったり、多数回繰り返したりすることが更に好ましい。また、濾過した液を再度濾過してもよい。孔径の異なるフィルタを複数用いて濾過してもよい。濾過に使用するフィルタとしては、ポリエチレン樹脂製、ポリプロピレン樹脂製、フッ素樹脂製、ナイロン樹脂製等のフィルタを使用することができるが、特に限定されるものではない。   When performing filtration using a filter, specifically, after mixing the above-described component (A), component (B) and additional components added as necessary, for example, a pore size of 0.001 μm or more and 5. It is preferable to filter with a filter of 0 μm or less. When performing filtration using a filter, it is more preferable to carry out in multiple stages or repeat many times. Moreover, you may filter the filtered liquid again. Filtration may be performed using a plurality of filters having different pore diameters. As a filter used for filtration, filters made of polyethylene resin, polypropylene resin, fluororesin, nylon resin, etc. can be used, but are not particularly limited.

このような精製工程を経ることで、光インプリント用組成物に混入したパーティクル等の不純物を取り除くことができる。これにより、パーティクル等の不純物によって、光インプリント用組成物を露光した後に得られる光硬化物に不用意に凹凸が生じてパターンの欠陥が発生することを防止することができる。   Through such a purification step, impurities such as particles mixed in the photoimprinting composition can be removed. Thereby, it is possible to prevent the occurrence of pattern defects due to inadvertent irregularities in the photocured product obtained after exposure of the composition for photoimprinting due to impurities such as particles.

尚、本実施形態の光インプリント用組成物を、半導体集積回路を製造するために使用する場合、製品の動作を阻害しないようにするため、光インプリント用組成物中に金属原子を含有する不純物(金属不純物)が混入することを極力避けることが好ましい。このような場合、光インプリント用組成物に含まれる金属不純物の濃度としては、10ppm以下が好ましく、100ppb以下にすることが更に好ましい。   When the composition for photoimprinting of the present embodiment is used for manufacturing a semiconductor integrated circuit, the composition for photoimprinting contains a metal atom so as not to hinder the operation of the product. It is preferable to avoid mixing impurities (metal impurities) as much as possible. In such a case, the concentration of the metal impurity contained in the photoimprinting composition is preferably 10 ppm or less, and more preferably 100 ppb or less.

<好ましい成分の組み合わせ>
上述の成分(A)、(B)、(C)を組み合わせて、本発明のインプリント用組成物を調整することができる。
<Preferred combination of components>
The imprinting composition of the present invention can be prepared by combining the components (A), (B), and (C) described above.

特に、イソボルニルアクリレートもしくはイソボルニルアクリレートおよびベンジルアクリレートで構成される単官能化合物と、ネオペンチルグリコールジアクリレートもしくは1,6−ヘキサンジオールジアクリレートもしくはジメチロールトリシクロデカンジアクリレートで構成される多官能化合物と、を含む(A)成分と、下記式(a)、(b)、(c)、(e)に示す化合物のうちの少なくとも一つを含む(B)成分と、を有し、前記単官能化合物と前記多官能化合物との重量比が1:1〜3:1であると良い。   In particular, a monofunctional compound composed of isobornyl acrylate or isobornyl acrylate and benzyl acrylate, and a polyfunctional compound composed of neopentyl glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, or dimethylol tricyclodecane diacrylate. A component (A) containing a functional compound, and a component (B) containing at least one of the compounds represented by the following formulas (a), (b), (c), and (e): The weight ratio of the monofunctional compound to the polyfunctional compound is preferably 1: 1 to 3: 1.

(c)(C)

(e)(E)

また、増感剤として、下記式(f)に記載の化合物をさらに有することが好ましい。   Moreover, it is preferable to further have a compound represented by the following formula (f) as a sensitizer.

(f) (F)

また、離型剤として、下記式(g)に記載の化合物をさらに有することが好ましい。   Moreover, it is preferable to further have the compound as described in a following formula (g) as a mold release agent.

(g)(G)

特に、(A)成分が主成分として含有されると良く、光インプリント用組成物の90%以上が(A)成分であると良い。   In particular, the component (A) is preferably contained as a main component, and 90% or more of the composition for photoimprinting is preferably the component (A).

[硬化膜]
前述の光インプリント用組成物の塗布膜を露光することで硬化膜が得られる。光インプリント用組成物の塗布膜を形成する方法の具体例は、後述のパターン形状を有する膜の製造方法における配置工程[1]に記載する。また、塗布膜を硬化させる方法の具体例は、後述のパターン形状を有する膜の製造方法における光インプリント用組成物に光を照射する光照射工程[4]の方法に記載する。
[Curing film]
A cured film is obtained by exposing the coating film of the above-mentioned photoimprinting composition. A specific example of the method for forming the coating film of the composition for photoimprinting is described in the arranging step [1] in the method for producing a film having a pattern shape described later. Moreover, the specific example of the method of hardening a coating film is described in the method of the light irradiation process [4] which irradiates light to the composition for photoimprint in the manufacturing method of the film | membrane which has the pattern shape mentioned later.

<硬化膜のヤング率及び複合弾性率の測定>
得られた硬化膜は、ナノインデンテーションなどの方法により、ヤング率及び複合弾性率を測定することができる。ナノインデンテーションは、圧子を測定試料上の所望の場所に押し込み、荷重と変位を同時に測定する方法であり、この時の荷重−変位曲線から、測定試料の硬さ・ヤング率(弾性率)を求めることができる。
<Measurement of Young's modulus and composite elastic modulus of cured film>
The obtained cured film can be measured for Young's modulus and composite elastic modulus by a method such as nanoindentation. Nanoindentation is a method in which the indenter is pushed into a desired location on the measurement sample and the load and displacement are measured simultaneously. From the load-displacement curve at this time, the hardness and Young's modulus (elastic modulus) of the measurement sample are determined. Can be sought.

具体的な測定装置としては、Nano Indenter G200(AgilentTechnologies製)、ENTシリーズ(エリオニクス製)、TIシリーズ(Hysitron製)などが挙げられる。   Specific examples of the measuring apparatus include Nano Indenter G200 (manufactured by Agilent Technologies), ENT series (manufactured by Elionix), and TI series (manufactured by Hystron).

本実施形態の光インプリント用組成物は、第一の態様として、光インプリント用組成物の膜を10mJ/cmで露光した際に得られる硬化膜の複合弾性率(GPa)をEr10とし、200mJ/cmで露光した際に得られる光インプリント用組成物の硬化膜の複合弾性率(GPa)をEr200とした時に、以下の式(1)および(2)を満たす光インプリント用組成物である。
0.800≦Er10/Er200 (1)
2.55GPa≦Er10 (2)
The composition for optical imprinting of this embodiment has, as a first aspect, the composite elastic modulus (GPa) of a cured film obtained when the film of the composition for optical imprinting is exposed at 10 mJ / cm 2 , Er 10. When the composite elastic modulus (GPa) of the cured film of the composition for photoimprint obtained when exposed at 200 mJ / cm 2 is Er 200 , the optical imprint satisfying the following formulas (1) and (2) It is a composition for printing.
0.800 ≦ Er 10 / Er 200 (1)
2.55 GPa ≦ Er 10 (2)

複合弾性率は、TI−950 TriboIndenter(Hysitron製)を用いてOliver−Pharr法で測定した際の、200nmの押込み深さでの複合弾性率として求めることができる。10mJ/cmで露光する際の光インプリント用組成物の膜及び200mJ/cmで露光する際の光インプリント用組成物の膜の厚さは、いずれも3.2μmとする。また、硬化膜の複合弾性率測定は、例えば、光インプリント用組成物の膜に露光後24時間経過後に行うことができる。 The composite elastic modulus can be obtained as a composite elastic modulus at an indentation depth of 200 nm when measured by the Oliver-Pharr method using TI-950 TriboIndenter (manufactured by Hystron). The film thickness of the composition for photoimprint when exposed at 10 mJ / cm 2 and the thickness of the film of the composition for photoimprint when exposed at 200 mJ / cm 2 are both 3.2 μm. Moreover, the composite elastic modulus measurement of a cured film can be performed, for example, 24 hours after the exposure of the film of the composition for photoimprinting.

光インプリント用組成物が式(1)を満たす場合、下記式(3)も満たすことが好ましい。
0.855≦Er10/Er200≦0.993 (3)
When the composition for optical imprint satisfies the formula (1), it is preferable that the following formula (3) is also satisfied.
0.855 ≦ Er 10 / Er 200 ≦ 0.993 (3)

尚、式(3)におけるEr10及びEr200は、式(1)におけるEr10及びEr200と同じであり、各々、光インプリント用組成物を10mJ/cmで露光した際に得られる硬化膜の複合弾性率(GPa)、光インプリント用組成物を200mJ/cmで露光した際に得られる硬化膜の複合弾性率(GPa)である。 Incidentally, Er 10 and Er 200 in the formula (3) is the same as Er 10 and Er 200 in Formula (1), respectively, obtained when exposed to light for imprints composition in 10 mJ / cm 2 curing The composite elastic modulus (GPa) of the film and the composite elastic modulus (GPa) of the cured film obtained when the composition for photoimprinting is exposed at 200 mJ / cm 2 .

また、式(2)を満たす光インプリント用組成物は、以下の式(4)を満たすと良い。
2.81GPa≦Er10≦3.27GPa(4)
Moreover, the composition for optical imprint which satisfy | fills Formula (2) is good to satisfy | fill the following formula | equation (4).
2.81 GPa ≦ Er 10 ≦ 3.27 GPa (4)

尚、式(4)におけるEr10は、式(1)におけるEr10と同じであり、光インプリント用組成物を10mJ/cmで露光した際に得られる硬化膜の複合弾性率である。 Incidentally, Er 10 in the formula (4) is the same as Er 10 in the formula (1), a composite modulus of elasticity of the resulting cured film upon exposure to light imprint composition at 10 mJ / cm 2.

本実施形態の光インプリント用組成物の第二の態様は、光インプリント用組成物の膜を10mJ/cmで露光した際に得られる硬化膜のヤング率(GPa)をE10とし、200mJ/cmで露光した際に得られる光インプリント用組成物の硬化膜のヤング率(GPa)をE200とした時に、以下の式(5)および(6)を満たす光インプリント用組成物である。
0.880≦E10/E200 (5)
4.00GPa≦E10 (6)
A second aspect of photoimprints composition of the present embodiment, the Young's modulus of the cured film obtained a film of photoimprints composition upon exposure at 10 mJ / cm 2 a (GPa) and E 10, Young's modulus of the cured film of the photo-printing composition obtained upon exposure with 200 mJ / cm 2 a (GPa) when an E 200, the following equation (5) and the composition for optical imprint satisfying (6) It is a thing.
0.880 ≦ E 10 / E 200 (5)
4.00 GPa ≦ E 10 (6)

尚、式(6)におけるE10は、式(5)におけるE10と同じであり、光インプリント用組成物を10mJ/cmで露光した際に得られる硬化膜のヤング率(GPa)である。 Incidentally, E 10 in the formula (6) is the same as E 10 in the formula (5), Young's modulus of the cured film obtained upon exposure to light imprint composition at 10 mJ / cm 2 (GPa) is there.

式(5)を満たす光インプリント用組成物は、10mJ/cmという低露光量で光インプリント用組成物を露光した場合であっても、200mJ/cmという高露光量で光インプリント用組成物を露光した場合と同程度の硬化度を示す硬化物が得られる光インプリント用組成物である。 Even if the composition for optical imprint which satisfy | fills Formula (5) is a case where the composition for optical imprint is exposed with the low exposure amount of 10 mJ / cm < 2 >, it is a photo imprint with the high exposure amount of 200 mJ / cm < 2 >. It is the composition for optical imprint from which the hardened | cured material which shows the same degree of hardening as the case where the composition for light exposure is exposed.

ここで、本実施形態の光インプリント用組成物は、式(1)及び式(5)のいずれをも満たしていても良い。さらに、式(2)および式(6)のいずれをも満たしていても良い。   Here, the composition for photoimprinting of the present embodiment may satisfy both the formula (1) and the formula (5). Furthermore, both of formula (2) and formula (6) may be satisfied.

尚、0.880を小数点以下2桁で表すと0.88であり、小数点以下2桁で記載する場合には、式(5)は、0.88≦E10/E200 と記載することもできる。 In addition, when 0.880 is expressed by two digits after the decimal point, it is 0.88, and when it is described by two digits after the decimal point, the expression (5) may be written as 0.88 ≦ E 10 / E 200 it can.

また、ヤング率は、Nano Indenter G200(Agilent Technologies製)を用いて連続剛性測定(CSM)法で測定した際の、100〜150nmの押込み深さでのヤング率の平均値として求めることができる。10mJ/cmで露光する際の光インプリント用組成物の膜及び200mJ/cmで露光する際の光インプリント用組成物の膜の厚さは、いずれも3.2μmとする。また、硬化膜のヤング率測定は、例えば、光インプリント用組成物の膜に露光後24時間経過後に行うことができる。 The Young's modulus can be determined as an average value of Young's modulus at an indentation depth of 100 to 150 nm when measured by a continuous stiffness measurement (CSM) method using Nano Indenter G200 (manufactured by Agilent Technologies). The film thickness of the composition for photoimprint when exposed at 10 mJ / cm 2 and the thickness of the film of the composition for photoimprint when exposed at 200 mJ / cm 2 are both 3.2 μm. In addition, the Young's modulus of the cured film can be measured, for example, 24 hours after the exposure of the film of the composition for photoimprint.

更に、光インプリント用組成物が式(5)を満たす場合、以下の式(7)も満たすことが好ましい。
0.956≦E10/E200≦1.05 (7)
Furthermore, when the composition for photoimprints satisfies Formula (5), it is preferable that the following Formula (7) is also satisfied.
0.956 ≦ E 10 / E 200 ≦ 1.05 (7)

また、式(7)におけるE10及びE200は、式(5)におけるE10及びE200と同じであり、各々、光インプリント用組成物を10mJ/cmで露光した際に得られる硬化膜のヤング率(GPa)、光インプリント用組成物を200mJ/cmで露光した際に得られる硬化膜のヤング率(GPa)である。 Also, E 10 and E 200 in the formula (7) is the same as E 10 and E 200 in the formula (5), respectively, obtained when exposed to light for imprints composition in 10 mJ / cm 2 curing The Young's modulus (GPa) of the film and the Young's modulus (GPa) of the cured film obtained when the composition for photoimprinting is exposed at 200 mJ / cm 2 .

また、式(6)を満たす光インプリント用組成物は、以下の式(8)を満たすことが好ましい。
4.17GPa≦E10≦5.94GPa (8)
Moreover, it is preferable that the composition for optical imprint which satisfy | fills Formula (6) satisfy | fills the following formula | equation (8).
4.17 GPa ≦ E 10 ≦ 5.94 GPa (8)

尚、式(8)におけるE10は、式(5)におけるE10と同じであり、光インプリント用組成物を10mJ/cmで露光した際に得られる硬化膜のヤング率(GPa)である。 Incidentally, E 10 in the formula (8) is the same as E 10 in the formula (5), Young's modulus of the cured film obtained upon exposure to light imprint composition at 10 mJ / cm 2 (GPa) is there.

[パターン形状を有する膜の製造方法]
次に、本実施形態のパターン形状を有する膜の製造方法について説明する。
[Method for producing film having pattern shape]
Next, the manufacturing method of the film | membrane which has the pattern shape of this embodiment is demonstrated.

図1は、本実施形態のパターン形状を有する膜の製造方法の例を示す模式断面図である。   FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a method for producing a film having a pattern shape according to this embodiment.

本実施形態のパターン形状を有する膜の製造方法は、
[1]基板上に、前述の本実施形態の光インプリント用組成物を配置する配置工程と、
[2]前記光インプリント用組成物とモールドとを接触させる型接触工程と、
[3]モールドと被加工基板の位置を合わせる位置合わせ工程と、
[4]前記光インプリント用組成物に光を照射する光照射工程と、
[5][4]の工程によって得られた硬化物とモールドとを引き離す離型工程と、
を有する。
The manufacturing method of the film having the pattern shape of the present embodiment is as follows.
[1] An arrangement step of arranging the above-described photoimprinting composition of the present embodiment on a substrate;
[2] A mold contact step in which the composition for photoimprint and a mold are brought into contact with each other
[3] An alignment process for aligning the position of the mold and the substrate to be processed;
[4] A light irradiation step of irradiating the composition for photoimprint with light;
[5] A mold release step for separating the cured product obtained from the step [4] from the mold;
Have

本実施形態のパターン形状を有する膜の製造方法は、光ナノインプリント方法を利用した膜の作製方法である。   The manufacturing method of the film | membrane which has the pattern shape of this embodiment is a preparation method of the film | membrane using the optical nanoimprint method.

本実施形態のパターン形状を有する膜の製造方法によって得られる膜は、1nm以上10mm以下のサイズのパターンを有する膜であることが好ましく、10nm以上100μm以下のサイズのパターンを有する膜であることがより好ましい。尚、一般に、光を利用してナノサイズ(1nm以上100nm以下)のパターン(凹凸構造)を有する膜を作製するパターン形成技術は、光ナノインプリント法と呼ばれており、本実施形態のパターン形状を有する膜の製造方法は、光ナノインプリント法を利用している。   The film obtained by the method for producing a film having a pattern shape according to this embodiment is preferably a film having a pattern having a size of 1 nm to 10 mm, and preferably having a pattern having a size of 10 nm to 100 μm. More preferred. In general, a pattern forming technique for producing a film having a nano-size (1 nm to 100 nm) pattern (uneven structure) using light is called an optical nanoimprint method. The manufacturing method of the film | membrane which has has utilized the optical nanoimprint method.

以下、各工程について説明する。   Hereinafter, each step will be described.

<配置工程[1]>
本工程(配置工程)では、図1(a)に示す通り、前述した本実施形態の光インプリント用組成物101を基板102上に配置(塗布)して塗布膜を形成する。
<Arrangement process [1]>
In this step (arrangement step), as shown in FIG. 1A, the optical imprinting composition 101 of the present embodiment described above is arranged (applied) on the substrate 102 to form a coating film.

光インプリント用組成物101を配置する対象である基板102は、被加工基板であり、通常、シリコンウエハが用いられる。   The substrate 102 on which the optical imprint composition 101 is to be placed is a substrate to be processed, and a silicon wafer is usually used.

しかしながら、基板102はシリコンウエハに限定されるものではなく、アルミニウム、チタン−タングステン合金、アルミニウム−ケイ素合金、アルミニウム−銅−ケイ素合金、酸化ケイ素、窒化ケイ素等の半導体デバイス用基板として知られているものの中からも任意に選んで用いても良い。尚、使用される基板102(被加工基板)には、シランカップリング処理、シラザン処理、有機薄膜の成膜、等の表面処理により光インプリント用組成物との密着性を向上させた基板を用いても良い。   However, the substrate 102 is not limited to a silicon wafer, and is known as a substrate for semiconductor devices such as aluminum, titanium-tungsten alloy, aluminum-silicon alloy, aluminum-copper-silicon alloy, silicon oxide, and silicon nitride. You may choose arbitrarily from things and use. The substrate 102 (substrate to be processed) used is a substrate having improved adhesion to the photoimprinting composition by surface treatment such as silane coupling treatment, silazane treatment, and organic thin film formation. It may be used.

本実施形態の光インプリント用組成物を被加工基板上に配置する方法としては、例えば、インクジェット法、ディップコート法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、ワイヤーバーコード法、グラビアコート法、エクストルージョンコート法、スピンコート法、スリットスキャン法等を用いることができる。尚、被形状転写層(塗布膜)の膜厚は、使用する用途によっても異なるが、例えば、0.01μm以上100.0μm以下である。光ナノインプリント法においては、インクジェット法が特に好ましい。   Examples of the method for disposing the optical imprint composition of the present embodiment on a substrate to be processed include, for example, an inkjet method, a dip coating method, an air knife coating method, a curtain coating method, a wire barcode method, a gravure coating method, an extensible method. A rouge coating method, a spin coating method, a slit scanning method, or the like can be used. In addition, although the film thickness of a to-be-shaped transfer layer (coating film) changes with uses to be used, they are 0.01 micrometer or more and 100.0 micrometers or less, for example. In the optical nanoimprint method, an inkjet method is particularly preferable.

<光インプリント用組成物とモールドとの型接触工程[2]>
次に、図1(b)に示すように、前工程(配置工程)で形成された光インプリント用組成物101からなる塗布膜にパターン形状を転写するための原型パターンを有するモールド104を接触させる。本工程で、光インプリント用組成物101(被形状転写層)にモールド104を接触させる(図1(b−1))ことにより、モールド104が表面に有する微細パターンの凹部に光インプリント用組成物101からなる塗布膜(の一部)が充填されて、モールドの微細パターンに充填された塗布膜106となる(図1(b−2))。
<Die contact process of optical imprinting composition and mold [2]>
Next, as shown in FIG. 1B, a mold 104 having an original pattern for transferring the pattern shape to the coating film made of the photoimprinting composition 101 formed in the previous step (placement step) is contacted. Let In this step, the mold 104 is brought into contact with the optical imprinting composition 101 (shape transfer layer) (FIG. 1 (b-1)), whereby the concave portion of the fine pattern on the surface of the mold 104 is used for optical imprinting A coating film (part) of the composition 101 is filled to form a coating film 106 filled in a fine pattern of the mold (FIG. 1B-2).

モールド104は、次の工程(光照射工程)を考慮して光透過性の材料で構成される必要がある。モールド104の構成材料としては、具体的には、ガラス、石英、PMMA、ポリカーボネート樹脂等の光透明性樹脂、透明金属蒸着膜、ポリジメチルシロキサン等の柔軟膜、光硬化膜、金属膜等が好ましい。ただし、モールド104の構成材料として光透明性樹脂を使用する場合は、光インプリント用組成物101に含まれる溶媒に溶解しない樹脂を選択する必要がある。熱膨張係数が小さくパターン歪みが小さいことから、石英であることが特に好ましい。   The mold 104 needs to be made of a light transmissive material in consideration of the next process (light irradiation process). Specifically, the constituent material of the mold 104 is preferably a light transparent resin such as glass, quartz, PMMA, or polycarbonate resin, a transparent metal vapor-deposited film, a flexible film such as polydimethylsiloxane, a photocured film, or a metal film. . However, in the case where a light-transparent resin is used as the constituent material of the mold 104, it is necessary to select a resin that does not dissolve in the solvent contained in the photo-imprinting composition 101. Quartz is particularly preferable because it has a small thermal expansion coefficient and a small pattern distortion.

モールド104には、光インプリント用組成物101とモールド104の表面との剥離性を向上させるために、光インプリント用組成物とモールドとの型接触工程である本工程の前に表面処理を行っても良い。表面処理の方法としては、モールドの表面に離型剤を塗布して離型剤層を形成する方法が挙げられる。ここで、モールドの表面に塗布する離型剤としては、シリコン系離型剤、フッ素系離型剤、ポリエチレン系離型剤、ポリプロピレン系離型剤、パラフィン系離型剤、モンタン系離型剤、カルナバ系離型剤等が挙げられる。例えば、ダイキン工業(株)製のオプツールDSX等の市販の塗布型離型剤も好適に用いることができる。尚、離型剤は、一種類を単独で用いてもよいし、二種類以上を併用して用いてもよい。これらの中でも、フッ素系の離型剤が特に好ましい。   In order to improve the releasability between the photoimprinting composition 101 and the surface of the mold 104, the mold 104 is subjected to a surface treatment before this step, which is a mold contact process between the photoimprinting composition and the mold. You can go. Examples of the surface treatment method include a method of forming a release agent layer by applying a release agent to the surface of the mold. Here, as a mold release agent applied to the mold surface, a silicon mold release agent, a fluorine mold release agent, a polyethylene mold release agent, a polypropylene mold release agent, a paraffin mold release agent, a montan mold release agent And carnauba release agents. For example, a commercially available coating mold release agent such as OPTOOL DSX manufactured by Daikin Industries, Ltd. can also be suitably used. In addition, a mold release agent may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types. Among these, a fluorine-based mold release agent is particularly preferable.

本工程(型接触工程)において、図1(b−1)に示すように、モールド104と光インプリント用組成物101とを接触させる際に、光インプリント用組成物101に加える圧力は特に限定されないが、通常、0MPa以上100MPa以下である。その中でも0MPa以上50MPa以下であることが好ましく、0MPa以上30MPa以下であることがより好ましく、0MPa以上20MPa以下であることが更に好ましい。   In this step (mold contact step), as shown in FIG. 1 (b-1), when the mold 104 and the optical imprinting composition 101 are brought into contact with each other, the pressure applied to the optical imprinting composition 101 is particularly Although not limited, it is usually 0 MPa or more and 100 MPa or less. Among them, it is preferably 0 MPa or more and 50 MPa or less, more preferably 0 MPa or more and 30 MPa or less, and further preferably 0 MPa or more and 20 MPa or less.

また、本工程においてモールド104を光インプリント用組成物101に接触させる時間は、特に限定されないが、通常、0.1秒以上600秒以下であり、0.1秒以上300秒以下であることが好ましく、0.1秒以上180秒以下であることがより好ましく、0.1秒以上120秒以下であることが特に好ましい。   In addition, the time during which the mold 104 is brought into contact with the photoimprinting composition 101 in this step is not particularly limited, but is usually 0.1 seconds to 600 seconds and 0.1 seconds to 300 seconds. Is more preferably 0.1 seconds or more and 180 seconds or less, and particularly preferably 0.1 seconds or more and 120 seconds or less.

本工程は、大気雰囲気下、減圧雰囲気下、不活性ガス雰囲気下のいずれの条件下でも行うことができるが、酸素や水分による光硬化反応への影響を防ぐことができるため、減圧雰囲気や不活性ガス雰囲気とすることが好ましい。不活性ガス雰囲気下で本工程を行う場合に使用することができる不活性ガスの具体例としては、窒素、二酸化炭素、ヘリウム、アルゴン、各種フロンガス等、あるいはこれらの混合ガスが挙げられる。大気雰囲気下を含めて特定のガスの雰囲気下で本工程を行う場合、好ましい圧力は、0.0001気圧以上10気圧以下である。   Although this step can be performed under any conditions of air atmosphere, reduced pressure atmosphere, and inert gas atmosphere, since it can prevent the influence of oxygen and moisture on the photocuring reaction, the reduced pressure atmosphere and An active gas atmosphere is preferable. Specific examples of the inert gas that can be used when this step is performed in an inert gas atmosphere include nitrogen, carbon dioxide, helium, argon, various chlorofluorocarbons, and a mixed gas thereof. When this step is performed in an atmosphere of a specific gas including an air atmosphere, a preferable pressure is 0.0001 atm or more and 10 atm or less.

本工程は、凝縮性ガスを含む雰囲気(以下、凝縮性ガス雰囲気)下で行ってもよい。本発明及び本明細書において、凝縮性ガスとは、型接触工程で光インプリント用組成物101(被形状転写層)とモールド104とが接触する前(図1(b−1))は雰囲気中に気体として存在し、光インプリント用組成物101(被形状転写層)とモールド104とが接触して、モールド104上に形成された微細パターンの凹部、及びモールドと基板との間隙に塗布膜(の一部)106と一緒に雰囲気中のガスが充填されたとき、充填時の圧力により発生する毛細管圧力で凝縮して液化するガスとして定義する。   This step may be performed in an atmosphere containing a condensable gas (hereinafter referred to as a condensable gas atmosphere). In the present invention and the present specification, the condensable gas means an atmosphere before the composition for photoimprint 101 (shape transfer layer) and the mold 104 are in contact with each other in the mold contact step (FIG. 1 (b-1)). It exists as a gas inside, and is applied to the concave portion of the fine pattern formed on the mold 104 and the gap between the mold and the substrate when the photoimprinting composition 101 (shaped transfer layer) and the mold 104 come into contact with each other. When the gas in the atmosphere is filled together with (a part of) the membrane 106, it is defined as a gas that condenses and liquefies at the capillary pressure generated by the pressure at the time of filling.

凝縮性ガス雰囲気下で型接触工程を行うと、微細パターンの凹部に充填されたガスが液化することで気泡が消滅するため、充填性が優れる。凝縮性ガスは、硬化性組成物中に溶解してもよい。   When the mold contact step is performed in a condensable gas atmosphere, the gas filled in the concave portions of the fine pattern is liquefied, and bubbles disappear, so that the filling property is excellent. The condensable gas may be dissolved in the curable composition.

凝縮性ガスの沸点は、型接触工程の雰囲気温度以下であれば制限がないが、−10℃〜23℃が好ましく、更に好ましくは10℃〜23℃である。この範囲であれば、充填性が更に優れる。   The boiling point of the condensable gas is not limited as long as it is not higher than the atmospheric temperature in the mold contact step, but is preferably −10 ° C. to 23 ° C., more preferably 10 ° C. to 23 ° C. If it is this range, a filling property will be further excellent.

凝縮性ガスの型接触工程の雰囲気温度での蒸気圧は、型接触工程で押印するときのモールド圧力以下であれば制限がないが、0.1〜0.4MPaが好ましい。この範囲であれば、充填性が更に優れる。雰囲気温度での蒸気圧が0.4MPaより大きいと、気泡の消滅の効果を十分に得ることができない傾向がある。一方、雰囲気温度での蒸気圧が0.1MPaよりも小さいと、減圧が必要となり、装置が複雑になる傾向がある。   The vapor pressure of the condensable gas at the atmospheric temperature in the mold contact process is not limited as long as it is equal to or lower than the mold pressure when imprinting in the mold contact process, but is preferably 0.1 to 0.4 MPa. If it is this range, a filling property will be further excellent. When the vapor pressure at the atmospheric temperature is larger than 0.4 MPa, there is a tendency that the effect of eliminating the bubbles cannot be obtained sufficiently. On the other hand, if the vapor pressure at the ambient temperature is less than 0.1 MPa, pressure reduction is required and the apparatus tends to be complicated.

型接触工程の雰囲気温度は、特に制限がないが、20℃〜25℃が好ましい。   The atmosphere temperature in the mold contact step is not particularly limited, but is preferably 20 ° C to 25 ° C.

凝縮性ガスとして、具体的には、トリクロロフルオロメタン等のクロロフルオロカーボン(CFC)、フルオロカーボン(FC)、ハイドロクロロフルオロカーボン(HCFC)、1,1,1,3,3−ペンタフルオロプロパン(CHFCHCF、HFC−245fa、PFP)等のハイドロフルオロカーボン(HFC)、ペンタフルオロエチルメチルエーテル(CFCFOCH、HFE−245mc)等のハイドロフルオロエーテル(HFE)等のフロン類が挙げられる。 Specific examples of the condensable gas include chlorofluorocarbon (CFC) such as trichlorofluoromethane, fluorocarbon (FC), hydrochlorofluorocarbon (HCFC), 1,1,1,3,3-pentafluoropropane (CHF 2 CH 2 Fluorocarbons such as hydrofluorocarbons (HFC) such as CF 3 , HFC-245fa, PFP) and hydrofluoroethers such as pentafluoroethyl methyl ether (CF 3 CF 2 OCH 3 , HFE-245mc). .

これらのうち、型接触工程の雰囲気温度が20℃〜25℃での充填性が優れるという観点から、1,1,1,3,3−ペンタフルオロプロパン(23℃での蒸気圧0.14MPa、沸点15℃)、トリクロロフルオロメタン(23℃での蒸気圧0.1056MPa、沸点24℃)、及びペンタフルオロエチルメチルエーテルが好ましく、更に安全性が優れるという観点から、1,1,1,3,3−ペンタフルオロプロパンが特に好ましい。   Among these, 1,1,1,3,3-pentafluoropropane (vapor pressure at 23 ° C., 0.14 MPa, from the viewpoint that the filling property at 20 ° C. to 25 ° C. is excellent in the atmosphere temperature in the mold contact process. From the viewpoint of having a higher boiling point of 15 ° C.), trichlorofluoromethane (vapor pressure of 0.1056 MPa at 23 ° C., boiling point of 24 ° C.), and pentafluoroethyl methyl ether, and 1,1,1,3, 3-pentafluoropropane is particularly preferred.

凝縮性ガスは、一種類を単独で用いてもよいし、二種類以上を混合して用いてもよい。またこれら凝縮性ガスは、空気、窒素、二酸化炭素、ヘリウム、アルゴン等の非凝縮性ガスと混合し、混合気体として用いてもよい。凝縮性ガスと混合する非凝縮性ガスとしては、充填性の観点から、ヘリウムが好ましい。ヘリウムであると、型接触工程でモールド104上に形成された微細パターンの凹部に塗布膜(の一部)106と一緒に雰囲気中のガス(凝縮性ガス及びヘリウム)が充填されたとき、凝縮性ガスが液化するとともにヘリウムがモールドを透過することができるため、充填性が優れる。   One type of condensable gas may be used alone, or two or more types may be mixed and used. These condensable gases may be mixed with non-condensable gases such as air, nitrogen, carbon dioxide, helium, and argon and used as a mixed gas. The non-condensable gas mixed with the condensable gas is preferably helium from the viewpoint of filling properties. In the case of helium, when the concave portion of the fine pattern formed on the mold 104 in the mold contact process is filled with the gas (condensable gas and helium) in the atmosphere together with the coating film (a part) 106, the helium is condensed. Since the property gas is liquefied and helium can permeate the mold, the filling property is excellent.

<モールドと被加工基板の位置合わせ工程[3]>
次に、図1(c)に示すように、モールド側位置決めマーク105と、被加工基板の位置決めマーク103が一致するように、被加工基板の位置を調整する。
<Mold and process substrate alignment process [3]>
Next, as shown in FIG. 1C, the position of the substrate to be processed is adjusted so that the mold side positioning mark 105 and the positioning mark 103 of the substrate to be processed coincide with each other.

<光インプリント用組成物に光を照射する光照射工程[4]>
次に、図1(d)に示すように、[3]の工程により、位置を合わせた状態で、光インプリント用組成物の前記モールドとの接触部分に、より詳細には、モールドの微細パターンに充填された塗布膜106に、モールド104を介して光を照射する(図1(d−1))。これにより、モールド104の微細パターンに充填された塗布膜106は、照射される光によって硬化して硬化膜108となる(図1(d−2))。
<Light irradiation process [4] which irradiates light to the composition for photoimprints>
Next, as shown in FIG. 1 (d), in the state of alignment in the step [3], in more detail, in the contact portion with the mold of the composition for photoimprinting, more specifically, the fineness of the mold. The coating film 106 filled in the pattern is irradiated with light through the mold 104 (FIG. 1 (d-1)). Thereby, the coating film 106 filled in the fine pattern of the mold 104 is cured by the irradiated light to become a cured film 108 (FIG. 1 (d-2)).

ここで、モールドの微細パターンに充填された塗布膜106を構成する光インプリント用組成物101に照射する光は、光インプリント用組成物101の感度波長に応じて選択されるが、具体的には、150nm以上400nm以下の波長の紫外光や、X線、電子線等を適宜選択して使用することが好ましい。   Here, the light applied to the photoimprinting composition 101 constituting the coating film 106 filled in the fine pattern of the mold is selected according to the sensitivity wavelength of the photoimprinting composition 101. For this, ultraviolet light having a wavelength of 150 nm or more and 400 nm or less, an X-ray, an electron beam or the like is preferably selected and used.

これらの中でも、光インプリント用組成物101に照射する光(照射光107)は、紫外光が特に好ましい。これは、硬化助剤(光重合開始剤)として市販されているものは、紫外光に感度を有する化合物が多いからである。ここで紫外光を発する光源としては、例えば、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、低圧水銀灯、Deep−UVランプ、炭素アーク灯、ケミカルランプ、メタルハライドランプ、キセノンランプ、KrFエキシマレーザ、ArFエキシマレーザ、Fエキシマレーザ等が挙げられるが、超高圧水銀灯が特に好ましい。また使用する光源の数は1つでもよいし又は複数であってもよい。また、光照射を行う際には、モールドの微細パターンに充填された塗布膜106の全面に行ってもよく、一部領域にのみ行ってもよい。 Among these, the light (irradiation light 107) with which the composition 101 for photoimprinting is irradiated is particularly preferably ultraviolet light. This is because many commercially available curing aids (photopolymerization initiators) are sensitive to ultraviolet light. Examples of light sources that emit ultraviolet light include high pressure mercury lamps, ultrahigh pressure mercury lamps, low pressure mercury lamps, deep-UV lamps, carbon arc lamps, chemical lamps, metal halide lamps, xenon lamps, KrF excimer lasers, ArF excimer lasers, and F 2. Although an excimer laser etc. are mentioned, an ultrahigh pressure mercury lamp is especially preferable. Further, the number of light sources used may be one or plural. Further, the light irradiation may be performed on the entire surface of the coating film 106 filled in the fine pattern of the mold, or may be performed only on a partial region.

また、光照射は、基板上に断続的に複数回行うことができ、例えば、第一の照射過程で一部領域Aを照射し、第二の照射過程で領域Aとは異なる領域Bを照射することができる。   Further, the light irradiation can be intermittently performed a plurality of times on the substrate. For example, a partial region A is irradiated in the first irradiation process, and a region B different from the region A is irradiated in the second irradiation process. can do.

この際、前述の本実施形態の光インプリント用組成物を用いることで、少ない照射量で組成物を硬化させることができる。   In this case, the composition can be cured with a small amount of irradiation by using the above-described composition for photoimprinting of the present embodiment.

すなわち、光インプリント用組成物を10mJ/cmという低露光条件で照射した場合であっても、200mJ/cmという高露光条件で照射した場合と同程度に硬化する。 That is, even when the photoimprinting composition is irradiated under a low exposure condition of 10 mJ / cm 2 , it is cured to the same extent as when it is irradiated under a high exposure condition of 200 mJ / cm 2 .

したがって、光が基板に吸収されることで発生した熱(露光熱)による基板の膨張による熱歪みが、光が照射された領域である領域Aに隣接する部分にまで及びにくい程度の低露光条件(10mJ/cm以上75mJ/cm以下、より好ましくは10mJ/cm以上30mJ/cm以下)で、光インプリント用組成物を硬化させることができる。よって、次の工程である離型工程においてパターンが倒れるという欠陥が生じにくくなり、かつ隣接する部分において[1]〜[5]の工程を繰り返す際に[3]の工程である位置合わせの精度も低下しにくくなる。 Therefore, the low exposure condition is such that the thermal distortion due to the expansion of the substrate due to the heat (exposure heat) generated by the light being absorbed by the substrate does not easily reach the portion adjacent to the region A that is the region irradiated with the light. (10 mJ / cm 2 or more 75 mJ / cm 2 or less, more preferably 10 mJ / cm 2 or more 30 mJ / cm 2 or less), the can be cured with light imprint composition. Therefore, it is difficult to cause a defect that the pattern collapses in the next mold release step, and the accuracy of the alignment that is the step [3] when the steps [1] to [5] are repeated in adjacent portions. It becomes difficult to decrease.

尚、露光による基板の熱膨張量は、以下のように計算することができる。   Note that the thermal expansion amount of the substrate due to exposure can be calculated as follows.

例えば、被加工基板をシリコン基板(線熱膨張係数2.6ppm/K)、露光領域を26×33mmの矩形形状、紫外光の露光量を90mJ/cmとして熱膨張量を計算すると、露光領域の端部において最大2.9nmの熱歪みが生じるということになる。 For example, when the processing substrate is a silicon substrate (linear thermal expansion coefficient 2.6 ppm / K), the exposure area is a rectangular shape of 26 × 33 mm, and the exposure amount of ultraviolet light is 90 mJ / cm 2 , the thermal expansion amount is calculated. This means that a thermal strain of 2.9 nm at the maximum occurs at the end portion.

<硬化物とモールドとを引き離す離型工程[5]>
次に、硬化膜108とモールド104と引き離し、基板102上に所定のパターン形状を有する硬化膜109を形成する。
<Releasing step for separating the cured product and the mold [5]>
Next, the cured film 108 and the mold 104 are separated to form a cured film 109 having a predetermined pattern shape on the substrate 102.

本工程(離型工程)では、図1(e)に示すように、硬化膜108とモールド104とを引き離し、工程[4](光照射工程)において、モールド104上に形成された微細パターンの反転パターンが、パターン形状を有する硬化膜109のパターンとして得られる。   In this step (release step), as shown in FIG. 1E, the cured film 108 and the mold 104 are separated from each other, and in the step [4] (light irradiation step), the fine pattern formed on the mold 104 is removed. A reverse pattern is obtained as a pattern of the cured film 109 having a pattern shape.

また、型接触工程を凝縮性ガス雰囲気下で行った場合、離型工程で硬化膜108とモールド104とを引き離す際に、硬化膜108とモールド104とが接触する界面の圧力が低下することに伴って凝縮性ガスが気化することで、離型力低減効果を奏する傾向がある。   In addition, when the mold contact process is performed in a condensable gas atmosphere, the pressure at the interface between the cured film 108 and the mold 104 decreases when the cured film 108 and the mold 104 are separated in the mold release process. Along with this, the condensable gas is vaporized, so that there is a tendency to exert a releasing force reduction effect.

硬化膜108とモールド104とを引き離す方法としては、引き離す際に硬化膜108の一部が物理的に破損しなければ特に限定されず、各種条件等も特に限定されない。例えば、基板102(被加工基板)を固定してモールド104を基板102から遠ざかるように移動させて剥離してもよく、モールド104を固定して基板102をモールドから遠ざかるように移動させて剥離してもよく、これらの両方を正反対の方向へ引っ張って剥離してもよい。   The method for separating the cured film 108 and the mold 104 is not particularly limited as long as a portion of the cured film 108 is not physically damaged when being separated, and various conditions are not particularly limited. For example, the substrate 102 (substrate to be processed) may be fixed and the mold 104 may be moved away from the substrate 102 to be peeled off, or the mold 104 may be fixed and moved away from the mold 102 to be peeled off. Alternatively, both of them may be peeled by pulling in the opposite direction.

以上の工程[1]〜工程[5]の製造プロセスによって、所望の凹凸パターン形状(モールド104の凹凸形状に因むパターン形状)を、所望の位置に有する硬化膜を得ることができる。得られた硬化膜は、例えば、フレネルレンズや回折格子などの光学部材(光学部材の一部材として用いる場合を含む。)として利用することもできる。このような場合、少なくとも、基板102と、この基板102の上に配置されたパターン形状を有する硬化膜109と、を有する光学部材とすることができる。   A cured film having a desired concavo-convex pattern shape (a pattern shape due to the concavo-convex shape of the mold 104) at a desired position can be obtained by the manufacturing process of the above steps [1] to [5]. The obtained cured film can also be used as an optical member (including a case where it is used as one member of an optical member) such as a Fresnel lens or a diffraction grating. In such a case, an optical member having at least the substrate 102 and the cured film 109 having a pattern shape disposed on the substrate 102 can be obtained.

本実施形態のパターン形状を有する膜の製造方法では、工程[1]〜工程[5]からなる繰り返し単位(ショット)を、同一の被加工基板上で繰り返して複数回行うことができる。工程[1]〜工程[5]からなる繰り返し単位(ショット)を複数回繰り返すことで、被加工基板の所望の位置に複数の所望の凹凸パターン形状(モールド104の凹凸形状に因むパターン形状)を有する硬化膜を得ることができる。   In the method for manufacturing a film having a pattern shape according to the present embodiment, the repeating unit (shot) including the steps [1] to [5] can be repeated a plurality of times on the same substrate. By repeating the repeating unit (shot) consisting of the steps [1] to [5] a plurality of times, a plurality of desired concavo-convex pattern shapes (pattern shapes due to the concavo-convex shape of the mold 104) are formed at desired positions on the substrate to be processed. The cured film which has can be obtained.

特に、工程[1]〜工程[5]を1ショットとした時に、第一のショットの工程[4]が終わった後から第二のショットの工程[3]が終わるまでの時間を1.2秒以内に行うことができ、高いスループットでパターン形状を有する膜を製造することができる。   In particular, when the steps [1] to [5] are one shot, the time from the end of the first shot step [4] to the end of the second shot step [3] is 1.2. A film having a pattern shape can be manufactured with high throughput.

<硬化膜の一部を除去する残膜除去工程[6]>
工程[5]である離型工程により得られる硬化膜は、特定のパターン形状を有するものの、このパターン形状が形成される領域以外の領域においても膜の一部が残る場合がある(以降の記載において、このような膜の一部を残膜と呼ぶ場合がある)。そのような場合は、図1(f)に示すように、得られたパターン形状を有する硬化膜のうちの除去すべき領域にある硬化膜(残膜)を除去して所望の凹凸パターン形状(モールド104の凹凸形状に因むパターン形状)を有する硬化物パターン110を得ることができる。
<Residual film removing step [6] for removing a part of the cured film>
Although the cured film obtained by the mold release step [5] has a specific pattern shape, a part of the film may remain in a region other than the region where the pattern shape is formed (hereinafter described) In this case, a part of such a film may be called a residual film). In such a case, as shown in FIG. 1 (f), the cured film (residual film) in the region to be removed is removed from the cured film having the obtained pattern shape to obtain a desired uneven pattern shape ( A cured product pattern 110 having a pattern shape due to the uneven shape of the mold 104 can be obtained.

ここで、残膜を除去する方法としては、例えば、硬化膜109の凹部である膜(残膜)をエッチングなどの方法により取り除き、硬化膜109が有するパターンの凹部において基板102の表面を露出させる方法が挙げられる。   Here, as a method for removing the residual film, for example, a film (residual film) that is a concave portion of the cured film 109 is removed by a method such as etching, and the surface of the substrate 102 is exposed in the concave portion of the pattern of the cured film 109. A method is mentioned.

硬化膜109の凹部にある膜をエッチングにより除去する場合、その具体的な方法としては、特に限定されるものではなく、従来公知の方法、例えば、ドライエッチングを用いることができる。ドライエッチングには、従来公知のドライエッチング装置を用いることができる。そして、ドライエッチング時のソースガスは、被エッチ膜である硬化膜の元素組成によって適宜選択されるが、CF、C、C、CCl、CCl、CBrF、BCl、PCl、SF、Cl等のハロゲン系ガス、O、CO、CO等の酸素原子を含むガス、He、N、Ar等の不活性ガス、H、NHのガス等を使用することができる。尚、これらのガスは混合して用いることもできる。 When the film in the concave portion of the cured film 109 is removed by etching, the specific method is not particularly limited, and a conventionally known method such as dry etching can be used. A conventionally known dry etching apparatus can be used for the dry etching. The source gas at the time of dry etching is appropriately selected depending on the elemental composition of the cured film that is the film to be etched, but CF 4 , C 2 F 6 , C 3 F 8 , CCl 2 F 2 , CCl 4 , CBrF 3 , BCl 3 , PCl 3 , SF 6 , Cl 2 and other halogen gases, O 2 , CO, CO 2 and other oxygen atoms, He, N 2 , Ar and other inert gases, H 2 , NH 3 The gas etc. can be used. These gases can be used in combination.

以上の工程[1]〜工程[6]の製造プロセスによって、所望の凹凸パターン形状(モールド104の凹凸形状に因むパターン形状)を、所望の位置に有する硬化物パターン110を得ることができ、硬化物パターンを有する物品を得ることができる。更に、得られた硬化物パターン110を利用して基板102を加工する場合は、後述する基板の加工工程(工程[7])を行う。   The cured product pattern 110 having a desired concavo-convex pattern shape (pattern shape due to the concavo-convex shape of the mold 104) at a desired position can be obtained and cured by the manufacturing process of the above steps [1] to [6]. An article having an object pattern can be obtained. Furthermore, when processing the board | substrate 102 using the obtained hardened | cured material pattern 110, the board | substrate processing process (process [7]) mentioned later is performed.

一方、得られた硬化物パターン110を回折格子や偏光板などの光学部材(光学部材の一部材として用いる場合を含む。)として利用し、光学部品を得ることもできる。このような場合、少なくとも、基板102と、この基板102の上に配置された硬化物パターン110と、を有する光学部品とすることができる。   On the other hand, the obtained cured product pattern 110 can be used as an optical member (including a case where it is used as one member of an optical member) such as a diffraction grating or a polarizing plate, thereby obtaining an optical component. In such a case, an optical component having at least the substrate 102 and the cured product pattern 110 disposed on the substrate 102 can be obtained.

<基板加工工程[7]>
本実施形態のパターン形状を有する膜の製造方法によって得られる、凹凸パターン形状を有する硬化物パターン110は、例えば、LSI、システムLSI、DRAM、SDRAM、RDRAM、D−RDRAM等の半導体素子に代表される電子部品に含まれる層間絶縁膜用膜として利用することも可能であり、半導体素子製造時におけるレジスト膜として利用することも可能である。
<Substrate processing step [7]>
The cured product pattern 110 having a concavo-convex pattern shape obtained by the method for producing a film having a pattern shape according to this embodiment is represented by a semiconductor element such as an LSI, a system LSI, a DRAM, an SDRAM, an RDRAM, or a D-RDRAM. It can also be used as a film for an interlayer insulating film included in an electronic component, and can also be used as a resist film at the time of manufacturing a semiconductor element.

硬化物パターン110をレジスト膜として利用する場合、工程[6]であるエッチング工程にて表面が露出した基板の一部分(図1(f)における符号111の領域)に対して、エッチング又はイオン注入等を行う。尚、この際、硬化物パターン110は、エッチングマスクとして機能する。これにより、硬化物パターン110のパターン形状に基づく回路構造112(図1(g))を基板102に形成することができる。これにより、半導体素子等で利用される回路基板を製造することができる。また、この回路基板に回路制御機構などの電子部材を設けることにより、ディスプレイ、カメラ、医療装置などの電子部品を形成することもできる。   When the cured product pattern 110 is used as a resist film, etching, ion implantation, or the like is performed on a portion of the substrate (region 111 in FIG. 1F) whose surface is exposed in the etching process which is the process [6]. I do. At this time, the cured product pattern 110 functions as an etching mask. Thereby, the circuit structure 112 (FIG. 1G) based on the pattern shape of the cured product pattern 110 can be formed on the substrate 102. Thereby, the circuit board utilized by a semiconductor element etc. can be manufactured. In addition, electronic parts such as a display, a camera, and a medical device can be formed by providing an electronic member such as a circuit control mechanism on the circuit board.

また、同様に、硬化物パターン110をレジスト膜として利用して、エッチング又はイオン注入等を行い、光学部品を得ることもできる。   Similarly, an optical component can be obtained by performing etching or ion implantation using the cured product pattern 110 as a resist film.

尚、回路付基板や電子部品を作製する場合、最終的には、加工された基板から硬化物パターン110を除去してもよいが、素子を構成する部材として残す構成としても良い。   When a circuit board or an electronic component is manufactured, the cured product pattern 110 may be finally removed from the processed substrate, but may be left as a member constituting the element.

以下、実施例により本発明をより詳細に説明するが、本発明の技術的範囲は以下に説明する実施例に限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention in detail, the technical scope of this invention is not limited to the Example described below.

(実施例1)
(1)光インプリント用組成物(a−1)の調製
まず、下記に示される成分(A)、成分(B)を配合し、これを0.2μmの超高分子量ポリエチレン製フィルタでろ過し、実施例1の光インプリント用組成物(a−1)を調製した。
Example 1
(1) Preparation of composition for optical imprint (a-1) First, the following components (A) and (B) are blended, and this is filtered through a 0.2 μm ultrahigh molecular weight polyethylene filter. The composition for photoimprinting (a-1) of Example 1 was prepared.

(1−1)成分(A):合計94重量部
<A−1>イソボルニルアクリレート(共栄社化学製、商品名:IB−XA):9重量部
<A−2>ベンジルアクリレート(大阪有機化学工業製、商品名:V#160):38重量部
<A−3>ネオペンチルグリコールジアクリレート(共栄社化学製、商品名:NP−A):47重量部
(1-1) Component (A): 94 parts by weight in total <A-1> Isobornyl acrylate (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd., trade name: IB-XA): 9 parts by weight <A-2> Benzyl acrylate (Osaka Organic Chemistry) Industrial product, trade name: V # 160): 38 parts by weight <A-3> Neopentyl glycol diacrylate (manufactured by Kyoeisha Chemicals, trade name: NP-A): 47 parts by weight

(1−2)成分(B):合計3重量部
<B−1>Irgacure369(BASF製):3重量部
(1-2) Component (B): 3 parts by weight in total <B-1> Irgacure 369 (manufactured by BASF): 3 parts by weight

(2)光インプリント用組成物の硬化膜の作製
密着層として厚さ60nmの密着促進層が形成されたシリコンウエハ上に調製した光インプリント用組成物(a−1)を2μL滴下し、上から厚さ1mmの石英ガラスを被せ、25mm×25mmの領域を光インプリント用組成物(a−1)で充填させた。
(2) Production of cured film of photoimprinting composition 2 μL of photoimprinting composition (a-1) prepared on a silicon wafer on which an adhesion promoting layer having a thickness of 60 nm was formed as an adhesion layer was dropped. A quartz glass with a thickness of 1 mm was covered from above, and an area of 25 mm × 25 mm was filled with the composition for photoimprint (a-1).

次に、石英ガラス上から、超高圧水銀ランプを備えたUV光源から出射された光を、後述する干渉フィルタを通した上で石英ガラスを通して塗布膜に10秒照射した。光照射の際に使用した干渉フィルタはVPF−25C−10−15−31300(シグマ光機製)であり、このとき照射光である紫外光の波長を313±5nmの単一波長光とし、照度を1mW/cmとした。 Next, light emitted from a UV light source equipped with an ultrahigh pressure mercury lamp from quartz glass was applied to the coating film for 10 seconds through the quartz glass after passing through an interference filter described later. The interference filter used at the time of light irradiation is VPF-25C-10-15-31300 (manufactured by Sigma Kogyo Co., Ltd.). 1 mW / cm 2 .

光照射後、石英ガラスを剥がすと、シリコンウエハ上に光インプリント用組成物(a−1)を露光量10mJ/cmで露光した平均膜厚3.2μmの硬化膜(a−1−10)が作製できた。 When the quartz glass is peeled off after light irradiation, a cured film (a-1-10) having an average film thickness of 3.2 μm is obtained by exposing the composition for photoimprint (a-1) on the silicon wafer at an exposure amount of 10 mJ / cm 2. ) Was produced.

同様にして、光照射を200秒行って、シリコンウエハ上に光インプリント用組成物(a−1)を露光量200mJ/cmで露光した平均膜厚3.2μmの硬化膜(a−1−200)を作製した。 Similarly, light irradiation was performed for 200 seconds, and the cured film (a-1) having an average film thickness of 3.2 μm was obtained by exposing the photoimprinting composition (a-1) on the silicon wafer at an exposure amount of 200 mJ / cm 2. -200).

(3−1)硬化膜のヤング率の測定
作製した硬化膜(a−1−10)及び硬化膜(a−1−200)のヤング率を、露光から24時間経過後に、ナノインデンター装置(Nano Indenter G200、Agilent Technologies社製)を用いて測定した。ヤング率は、動的試験法である連続剛性測定(CSM)法を用いて、まずある点における硬化膜表面から深さ方向に圧子を500nmまで押し込んでいったときの100nm〜150nmの範囲で得られるModulusの平均値を測定し、これを15点繰り返して行って測定した値の平均値として算出した。
(3-1) Measurement of Young's modulus of cured film The Young's modulus of the produced cured film (a-1-10) and cured film (a-1-200) was measured after the nanoindenter ( Measurement was carried out using Nano Indenter G200 (manufactured by Agilent Technologies). The Young's modulus is obtained in the range of 100 nm to 150 nm when the indenter is pushed down to the depth of 500 nm from the cured film surface at a certain point using the continuous stiffness measurement (CSM) method which is a dynamic test method. The average value of the modulus was measured, and this was repeated 15 times to calculate the average value of the measured values.

硬化膜(a−1−10)のヤング率E10及び硬化膜(a−1−200)のヤング率E200はそれぞれ、5.94GPa及び6.20GPaであり、E10/E200は0.958であった。 Each Young's modulus E 200 of the cured film (a-1-10) Young's modulus E 10 and cured film (a-1-200) is 5.94GPa and 6.20GPa, E 10 / E 200 is zero. 958.

(3−2)硬化膜の複合弾性率の測定
作製した硬化膜(a−1−10)及び硬化膜(a−1−200)の複合弾性率を、露光から24時間経過後に、ナノインデンター装置(TI−950 TriboIndenter、Hysitron社製)を用いて測定した。複合弾性率は、準静的試験法であるOliver−Pharr法を用いて、まずある点における硬化膜表面から深さ方向に圧子を200nmまで押し込んだときの複合弾性率を測定し、これを15点繰り返して行って測定した値の平均値として算出した。
(3-2) Measurement of composite elastic modulus of cured film The composite elastic modulus of the produced cured film (a-1-10) and cured film (a-1-200) was measured after the nanoindenter after 24 hours from exposure. It measured using the apparatus (TI-950 TriboIndenter, Hystron company make). The composite elastic modulus is measured by using the Oliver-Pharr method, which is a quasi-static test method, to measure the composite elastic modulus when an indenter is pushed down to 200 nm in the depth direction from the surface of the cured film at a certain point. It calculated as an average value of the values measured by repeating the points.

硬化膜(a−1−10)の複合弾性率Er10及び硬化膜(a−1−200)の複合弾性率Er200はそれぞれ、3.27GPa及び3.51GPaであり、Er10/Er200は0.932であった。 The composite elastic modulus Er 10 of the cured film (a-1-10) and the composite elastic modulus Er 200 of the cured film (a-1-200) are 3.27 GPa and 3.51 GPa, respectively, and Er 10 / Er 200 is 0.932.

(4)ナノインプリントパターンの観察
次に、下記に示す方法により、光インプリント用組成物(a−1)のナノインプリントパターンを形成し、電子顕微鏡を用いて前記ナノインプリントパターンの6.75μm四方の領域を観察した。
(4) Observation of nanoimprint pattern Next, by the method shown below, a nanoimprint pattern of the composition for photoimprint (a-1) is formed, and a 6.75 μm square region of the nanoimprint pattern is formed using an electron microscope. Observed.

(4−1)配置工程
インクジェット法により、密着層として厚さ3nmの密着促進層が形成された300mmシリコンウエハ上に、光インプリント用組成物(a−1)の液滴(液滴1個当たり11pL)を合計1440滴滴下した。尚、各液滴をそれぞれ滴下する際に、縦26mm、横33mmの領域に各液滴の間隔がほぼ均等になるように滴下した。
(4-1) Arrangement Step A droplet of the composition for optical imprint (a-1) (one droplet) on a 300 mm silicon wafer on which an adhesion promoting layer having a thickness of 3 nm was formed as an adhesion layer by an inkjet method. 1440 drops in total was dropped. In addition, when each droplet was dropped, the droplets were dropped in an area of 26 mm length and 33 mm width so that the intervals between the droplets were almost uniform.

(4−2)型接触工程、光照射工程
次に、上記シリコンウエハ上の光インプリント用組成物(a−1)に対して、28nmライン・アンド・スペース(L/S)パターンが形成され、表面処理はされていない石英モールド(縦26mm、横33mm)を接触させた。
(4-2) Mold Contact Step, Light Irradiation Step Next, a 28 nm line and space (L / S) pattern is formed on the photoimprint composition (a-1) on the silicon wafer. Then, a quartz mold (length 26 mm, width 33 mm) that was not surface-treated was brought into contact.

次に、石英モールドを接触させてから30秒後に、200W水銀キセノンランプを備えたUV光源(EXECURE 3000、HOYA CANDEO OPTRONICSCORPORATION製)を用いて、石英モールド越しにUV光を光インプリント用組成物に照射した。尚、UV光を照射する際には、UV光源と石英モールドとの間に、波長313±5nmを選択的に透過する干渉フィルタ(VPF−50C−10−25−31300、シグマ光機製)を配した。また石英モールド直下におけるUV光の照度は、波長313nmにおいて40mW/cmであった。以上の条件下で、UV光の照射を0.75秒(露光量30mJ/cm)行った。 Next, 30 seconds after contacting the quartz mold, UV light is applied to the composition for photoimprinting through the quartz mold using a UV light source (EXECURE 3000, manufactured by HOYA CANDEO OPTRONICS CORPORATION) equipped with a 200 W mercury xenon lamp. Irradiated. When irradiating UV light, an interference filter (VPF-50C-10-25-31300, manufactured by Sigma Kogyo Co., Ltd.) that selectively transmits a wavelength of 313 ± 5 nm is disposed between the UV light source and the quartz mold. did. The illuminance of UV light directly under the quartz mold was 40 mW / cm 2 at a wavelength of 313 nm. Under the above conditions, UV light irradiation was performed for 0.75 seconds (exposure amount 30 mJ / cm 2 ).

(4−3)離型工程
次に、石英モールドを、0.5mm/sの条件で引き上げて光硬化膜からモールドを離した。
(4-3) Mold Release Step Next, the quartz mold was pulled up under the condition of 0.5 mm / s to release the mold from the photocured film.

(4−4)電子顕微鏡を用いたナノインプリントパターンの観察
電子顕微鏡を用いてナノインプリントパターンを観察したところ、パターンの倒れなどの欠陥のない良好なパターンが形成されていた。
(4-4) Observation of nanoimprint pattern using electron microscope When the nanoimprint pattern was observed using an electron microscope, a good pattern free of defects such as pattern collapse was formed.

パターンの倒れとは、28nmライン・アンド・スペース(L/S)パターンを真上から観察した時に、直線状ではなく一部が湾曲している状態をいう。   Pattern collapse refers to a state in which a 28 nm line and space (L / S) pattern is not linear but partially curved when observed from directly above.

光インプリント用組成物(a−1)は、露光量30mJ/cmで良好なパターンを形成できるので、次のショットに残存する熱歪みが1nm以下であり、高い位置合わせ精度が得られることが期待される。 Since the composition for optical imprint (a-1) can form a good pattern at an exposure amount of 30 mJ / cm 2 , the thermal strain remaining in the next shot is 1 nm or less, and high alignment accuracy is obtained. There is expected.

(実施例2)
(1)光インプリント用組成物(a−2)の調製
成分(B)を、下記式(b)で表される化合物としたこと以外は実施例1と同様にして光インプリント用組成物(a−2)を調製した。
(Example 2)
(1) Preparation of photoimprinting composition (a-2) Photoimprinting composition in the same manner as in Example 1 except that the component (B) was a compound represented by the following formula (b). (A-2) was prepared.

<B−2>IrgacureOXE01(BASF製):3重量部   <B-2> Irgacure OXE01 (manufactured by BASF): 3 parts by weight

(2)光インプリント用組成物の硬化膜の作製
実施例1と同様にして、シリコンウエハ上に光インプリント用組成物(a−2)の3.2μmの厚さの膜を露光量10mJ/cmで露光した硬化膜(a−2−10)及び、光インプリント用組成物(a−2)の3.2μmの厚さの膜を露光量200mJ/cmで露光した硬化膜(a−2−200)を作製した。
(2) Production of cured film of composition for photoimprinting In the same manner as in Example 1, a film having a thickness of 3.2 μm of the composition for photoimprinting (a-2) on a silicon wafer was exposed to 10 mJ. Cured film (a-2-10) exposed at / cm 2 and a cured film (3.2 μm thick) of the composition for photoimprint (a-2) exposed at an exposure amount of 200 mJ / cm 2 ( a-2-200) was produced.

(3−1)硬化膜のヤング率の測定
実施例1と同様にして、作製した硬化膜(a−2−10)及び硬化膜(a−2−200)のヤング率を測定したところ、硬化膜(a−2−10)のヤング率E10及び硬化膜(a−2−200)のヤング率E200はそれぞれ、5.56GPa及び6.18GPaであり、E10/E200は0.900であった。
(3-1) Measurement of Young's modulus of cured film The Young's modulus of the produced cured film (a-2-10) and the cured film (a-2-200) was measured in the same manner as in Example 1. The Young's modulus E 10 of the film (a-2-10) and the Young's modulus E 200 of the cured film (a-2-200) are 5.56 GPa and 6.18 GPa, respectively, and E 10 / E 200 is 0.900. Met.

(3−2)硬化膜の複合弾性率の測定
実施例1と同様にして、作製した硬化膜(a−2−10)及び硬化膜(a−2−200)の複合弾性率を測定したところ、硬化膜(a−2−10)の複合弾性率Er10及び硬化膜(a−2−200)の複合弾性率Er200はそれぞれ、3.01GPa及び3.52GPaであり、Er10/Er200は0.855であった。
(3-2) Measurement of composite elastic modulus of cured film When the composite elastic modulus of the produced cured film (a-2-10) and cured film (a-2-200) was measured in the same manner as in Example 1. each composite elastic modulus Er 200 of composite elastic modulus Er 10 and the cured film of the cured film (a-2-10) (a- 2-200) is 3.01GPa and 3.52GPa, Er 10 / Er 200 Was 0.855.

(4)ナノインプリントパターンの観察
実施例1と同様の方法で、光インプリント用組成物(a−2)のナノインプリントパターンを形成し、電子顕微鏡を用いて前記ナノインプリントパターンを観察したところ、パターンの倒れなどの欠陥のない良好なパターンが形成されていた。
(4) Observation of nanoimprint pattern In the same manner as in Example 1, a nanoimprint pattern of the composition for photoimprint (a-2) was formed, and the nanoimprint pattern was observed using an electron microscope. A good pattern without defects such as was formed.

光インプリント用組成物(a−2)は、露光量30mJ/cmで良好なパターンを形成できるので、次のショットに残存する熱歪みが1nm以下であり、高い位置合わせ精度が得られることが期待される。 Since the composition for optical imprint (a-2) can form a good pattern at an exposure amount of 30 mJ / cm 2 , the thermal strain remaining in the next shot is 1 nm or less, and high alignment accuracy is obtained. There is expected.

(比較例1)
(1)光インプリント用組成物(b−1)の調製
成分(B)を、下記式(c)及び式(d)で表される化合物としたこと以外は実施例1と同様にして光インプリント用組成物(b−1)を調製した。
(Comparative Example 1)
(1) Preparation of composition for optical imprinting (b-1) Light in the same manner as in Example 1 except that the component (B) was a compound represented by the following formula (c) and formula (d). An imprinting composition (b-1) was prepared.

<B−3>LucirinTPO(BASF製):4重量部
<B−4>Darocur1173(BASF製):4重量部
<B-3> Lucirin TPO (made by BASF): 4 parts by weight <B-4> Darocur 1173 (made by BASF): 4 parts by weight

(2)光インプリント用組成物の硬化膜の作製
実施例1と同様にして、シリコンウエハ上に光インプリント用組成物(b−1)の3.2μmの厚さの膜を露光量10mJ/cmで露光した硬化膜(b−1−10)及び、光インプリント用組成物(b−1)の3.2μmの厚さの膜を露光量200mJ/cmで露光した硬化膜(b−1−200)を作製した。
(2) Production of cured film of composition for photoimprinting In the same manner as in Example 1, a film having a thickness of 3.2 μm of the composition for photoimprinting (b-1) on a silicon wafer was exposed to 10 mJ. Cured film (b-1-10) exposed at / cm 2 and a cured film (3.2 μm thick film of photoimprinting composition (b-1)) exposed at an exposure amount of 200 mJ / cm 2 ( b-1-200).

(3−1)硬化膜のヤング率の測定
実施例1と同様にして、作製した硬化膜(b−1−10)及び硬化膜(b−1−200)のヤング率を測定したところ、硬化膜(b−1−10)のヤング率E10及び硬化膜(b−1−200)のヤング率E200はそれぞれ、4.87GPa及び5.73GPaであり、E10/E200は0.850であった。
(3-1) Measurement of Young's modulus of cured film The Young's modulus of the produced cured film (b-1-10) and cured film (b-1-200) was measured in the same manner as in Example 1, and the cured film was cured. film (b-1-10) each Young's modulus E 200 Young's modulus E 10 and the cured film (b-1-200) is of a 4.87GPa and 5.73GPa, E 10 / E 200 is 0.850 Met.

(3−2)硬化膜の複合弾性率の測定
実施例1と同様にして、作製した硬化膜(b−1−10)及び硬化膜(b−1−200)の複合弾性率を測定したところ、硬化膜(b−1−10)の複合弾性率Er10及び硬化膜(b−1−200)の複合弾性率Er200はそれぞれ、2.50GPa及び3.18GPaであり、Er10/Er200は0.786であった。
(3-2) Measurement of composite elastic modulus of cured film In the same manner as in Example 1, the composite elastic modulus of the produced cured film (b-1-10) and cured film (b-1-200) was measured. The composite elastic modulus Er 10 of the cured film (b-1-10) and the composite elastic modulus Er 200 of the cured film (b-1-200) are 2.50 GPa and 3.18 GPa, respectively, and Er 10 / Er 200 Was 0.786.

(4)ナノインプリントパターンの観察
実施例1と同様の方法で、光インプリント用組成物(b−1)のナノインプリントパターンを形成し、電子顕微鏡を用いて前記ナノインプリントパターンを観察したところ、約50%のパターンが倒れなどの欠陥を生じていた。
(4) Observation of nanoimprint pattern When the nanoimprint pattern of the composition for optical imprint (b-1) was formed by the same method as Example 1, and the said nanoimprint pattern was observed using the electron microscope, it was about 50%. The pattern had a defect such as falling down.

光インプリント用組成物(b−1)がパターンの倒れなどの欠陥のない良好なパターンを形成するために必要な最小露光量を検討したところ、75mJ/cm以上の露光量が必要であることがわかった。前記露光量では、次のショットに残存する熱歪みが2.9nm以上となることが予想され、実施例1〜12よりも位置合わせ精度が低いことが予想される。 When the minimum exposure amount necessary for the composition for optical imprint (b-1) to form a good pattern free of defects such as pattern collapse is examined, an exposure amount of 75 mJ / cm 2 or more is required. I understood it. At the exposure amount, the thermal strain remaining in the next shot is expected to be 2.9 nm or more, and the alignment accuracy is expected to be lower than those in Examples 1-12.

(実施例3)
(1)光インプリント用組成物(a−3)の調製
成分(B)を、下記式(e)で表される化合物としたこと以外は実施例1と同様にして光インプリント用組成物(a−3)を調製した。
(Example 3)
(1) Preparation of photoimprinting composition (a-3) Photoimprinting composition in the same manner as in Example 1 except that component (B) was a compound represented by the following formula (e). (A-3) was prepared.

<B−5>Irgacure819(BASF製):3重量部   <B-5> Irgacure 819 (manufactured by BASF): 3 parts by weight

(2)光インプリント用組成物の硬化膜の作製
実施例1と同様にして、シリコンウエハ上に光インプリント用組成物(a−3)の3.2μmの厚さの膜を露光量10mJ/cmで露光した硬化膜(a−3−10)及び、光インプリント用組成物(a−3)の3.2μmの厚さの膜を露光量200mJ/cmで露光した硬化膜(a−3−200)を作製した。
(2) Production of cured film of composition for photoimprinting In the same manner as in Example 1, a film having a thickness of 3.2 μm of the composition for photoimprinting (a-3) on a silicon wafer was exposed to 10 mJ. Cured film (a-3-10) exposed at / cm 2 and a cured film (3.2 μm thick film of photoimprinting composition (a-3)) exposed at an exposure dose of 200 mJ / cm 2 ( a-3-200).

(3−1)硬化膜のヤング率の測定
行わなかった。
(3-1) Measurement of Young's modulus of cured film Not performed.

(3−2)硬化膜の複合弾性率の測定
実施例1と同様にして、作製した硬化膜(a−3−10)及び硬化膜(a−3−200)の複合弾性率を測定したところ、硬化膜(a−3−10)の複合弾性率Er10及び硬化膜(a−3−200)の複合弾性率Er200はそれぞれ、3.14GPa及び3.49GPaであり、Er10/Er200は0.900であった。
(3-2) Measurement of composite elastic modulus of cured film In the same manner as in Example 1, the composite elastic modulus of the produced cured film (a-3-10) and cured film (a-3-200) was measured. The composite elastic modulus Er 10 of the cured film (a-3-10) and the composite elastic modulus Er 200 of the cured film (a-3-200) are 3.14 GPa and 3.49 GPa, respectively, and Er 10 / Er 200 Was 0.900.

(4)ナノインプリントパターンの観察
複合弾性率の結果から、実施例1と同様の方法で光インプリント用組成物(a−3)のナノインプリントパターンを形成すると、パターンの倒れなどの欠陥のない良好なパターンが形成されると推定される。
(4) Observation of nanoimprint pattern From the result of the composite elastic modulus, when the nanoimprint pattern of the composition for photoimprint (a-3) is formed by the same method as in Example 1, there is no defect such as pattern collapse. It is estimated that a pattern is formed.

光インプリント用組成物(a−3)は、露光量30mJ/cmで良好なパターンを形成できると考えられ、次のショットに残存する熱歪みが1nm以下であり、高い位置合わせ精度が得られることが期待される。 It is considered that the composition for optical imprint (a-3) can form a good pattern at an exposure amount of 30 mJ / cm 2 , and the thermal strain remaining in the next shot is 1 nm or less, and high alignment accuracy is obtained. Expected to be.

(実施例4)
(1)光インプリント用組成物(a−4)の調製
成分(B)を、下記式(c)で表される化合物としたこと以外は実施例1と同様にして光インプリント用組成物(a−4)を調製した。
Example 4
(1) Preparation of composition for photoimprint (a-4) Composition for photoimprint, except that component (B) was a compound represented by the following formula (c) (A-4) was prepared.

<B−3>LucirinTPO(BASF製):3重量部   <B-3> Lucirin TPO (manufactured by BASF): 3 parts by weight

(2)光インプリント用組成物の硬化膜の作製
実施例1と同様にして、シリコンウエハ上に光インプリント用組成物(a−4)の3.2μmの厚さの膜を露光量10mJ/cmで露光した硬化膜(a−4−10)及び、光インプリント用組成物(a−4)の3.2μmの厚さの膜を露光量200mJ/cmで露光した硬化膜(a−4−200)を作製した。
(2) Production of cured film of composition for photoimprinting In the same manner as in Example 1, a film having a thickness of 3.2 μm of the composition for photoimprinting (a-4) on a silicon wafer was exposed to 10 mJ. Cured film (a-4-10) exposed at / cm 2 and a cured film (3.2 μm thick film of photoimprinting composition (a-4)) exposed at an exposure amount of 200 mJ / cm 2 ( a-4-200).

(3−1)硬化膜のヤング率の測定
行わなかった。
(3-1) Measurement of Young's modulus of cured film Not performed.

(3−2)硬化膜の複合弾性率の測定
実施例1と同様にして、作製した硬化膜(a−4−10)及び硬化膜(a−4−200)の複合弾性率を測定したところ、硬化膜(a−4−10)の複合弾性率Er10及び硬化膜(a−4−200)の複合弾性率Er200はそれぞれ、3.22GPa及び3.64GPaであり、Er10/Er200は0.885であった。
(3-2) Measurement of composite elastic modulus of cured film When the composite elastic modulus of the produced cured film (a-4-10) and cured film (a-4-200) was measured in the same manner as in Example 1. The composite elastic modulus Er 10 of the cured film (a-4-10) and the composite elastic modulus Er 200 of the cured film (a-4-200) are 3.22 GPa and 3.64 GPa, respectively, and Er 10 / Er 200 Was 0.885.

(4)ナノインプリントパターンの観察
複合弾性率の結果から、実施例1と同様の方法で光インプリント用組成物(a−4)のナノインプリントパターンを形成すると、パターンの倒れなどの欠陥のない良好なパターンが形成されると推定される。
(4) Observation of nanoimprint pattern From the result of the composite elastic modulus, when the nanoimprint pattern of the composition for photoimprint (a-4) is formed by the same method as in Example 1, there is no defect such as pattern collapse. It is estimated that a pattern is formed.

光インプリント用組成物(a−4)は、露光量30mJ/cmで良好なパターンを形成できると考えられ、次のショットに残存する熱歪みが1nm以下であり、高い位置合わせ精度が得られることが期待される。 The composition for optical imprint (a-4) is considered to be able to form a good pattern at an exposure amount of 30 mJ / cm 2 , and the thermal distortion remaining in the next shot is 1 nm or less, and high alignment accuracy is obtained. Expected to be.

(実施例5)
(1)光インプリント用組成物(a−5)の調製
成分(B)を、下記式(c)で表される化合物としたこと、更に成分(A)、成分(B)以外の添加成分(C)として、下記式(f)で表される化合物を用いたこと以外は実施例1と同様にして光インプリント用組成物(a−5)を調製した。
(Example 5)
(1) Preparation of composition for photoimprint (a-5) The component (B) is a compound represented by the following formula (c), and the components other than the component (A) and the component (B) As (C), a composition for photoimprinting (a-5) was prepared in the same manner as in Example 1 except that the compound represented by the following formula (f) was used.

<B−3>LucirinTPO(BASF製):3重量部
<C−1>4,4’−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン(東京化成製):0.5重量部
<B-3> Lucirin TPO (manufactured by BASF): 3 parts by weight <C-1> 4,4′-bis (diethylamino) benzophenone (manufactured by Tokyo Chemical Industry): 0.5 part by weight

(2)光インプリント用組成物の硬化膜の作製
実施例1と同様にして、シリコンウエハ上に光インプリント用組成物(a−5)の3.2μmの厚さの膜を露光量10mJ/cmで露光した硬化膜(a−5−10)及び、光インプリント用組成物(a−5)の3.2μmの厚さの膜を露光量200mJ/cmで露光した硬化膜(a−5−200)を作製した。
(2) Production of cured film of composition for photoimprinting In the same manner as in Example 1, a film having a thickness of 3.2 μm of the composition for photoimprinting (a-5) on a silicon wafer was exposed to 10 mJ. Cured film (a-5-10) exposed at / cm 2 and a cured film (3.2 m thick) of the photoimprinting composition (a-5) exposed at an exposure dose of 200 mJ / cm 2 ( a-5-200).

(3−1)硬化膜のヤング率の測定
実施例1と同様にして、作製した硬化膜(a−5−10)及び硬化膜(a−5−200)のヤング率を測定したところ、硬化膜(a−5−10)のヤング率E10及び硬化膜(a−5−200)のヤング率E200はそれぞれ、4.83GPa及び5.05GPaであり、E10/E200は0.956であった。
(3-1) Measurement of Young's modulus of cured film The Young's modulus of the produced cured film (a-5-10) and cured film (a-5-200) was measured in the same manner as in Example 1, and the cured film was cured. film (a-5-10), respectively the Young's modulus E 200 Young's modulus E 10 and the cured film (a-5-200) is of a 4.83GPa and 5.05GPa, E 10 / E 200 is 0.956 Met.

(3−2)硬化膜の複合弾性率の測定
実施例1と同様にして、作製した硬化膜(a−5−10)及び硬化膜(a−5−200)の複合弾性率を測定したところ、硬化膜(a−5−10)の複合弾性率Er10及び硬化膜(a−5−200)の複合弾性率Er200はそれぞれ、3.13GPa及び3.48GPaであり、Er10/Er200は0.899であった。
(3-2) Measurement of composite elastic modulus of cured film In the same manner as in Example 1, the composite elastic modulus of the produced cured film (a-5-10) and cured film (a-5-200) was measured. The composite elastic modulus Er 10 of the cured film (a-5-10) and the composite elastic modulus Er 200 of the cured film (a-5-200) are 3.13 GPa and 3.48 GPa, respectively, and Er 10 / Er 200 Was 0.899.

(4)ナノインプリントパターンの観察
実施例1と同様の方法で、光インプリント用組成物(a−5)のナノインプリントパターンを形成し、電子顕微鏡を用いて前記ナノインプリントパターンを観察したところ、パターンの倒れなどの欠陥のない良好なパターンが形成されていた。
(4) Observation of nanoimprint pattern In the same manner as in Example 1, a nanoimprint pattern of the composition for photoimprint (a-5) was formed, and the nanoimprint pattern was observed using an electron microscope. A good pattern without defects such as was formed.

光インプリント用組成物(a−5)は、露光量30mJ/cmで良好なパターンを形成できるので、次のショットに残存する熱歪みが1nm以下であり、高い位置合わせ精度が得られることが期待される。 Since the composition for optical imprint (a-5) can form a good pattern at an exposure amount of 30 mJ / cm 2 , the thermal strain remaining in the next shot is 1 nm or less, and high alignment accuracy is obtained. There is expected.

(実施例6)
(1)光インプリント用組成物(a−6)の調製
下記に示される成分(A)、成分(B)、添加成分(C)を配合し、これを0.2μmの超高分子量ポリエチレン製フィルタでろ過し、実施例6の光インプリント用組成物(a−6)を調製した。
(Example 6)
(1) Preparation of composition for photoimprint (a-6) The following component (A), component (B), and additive component (C) were blended, and this was made of ultra high molecular weight polyethylene of 0.2 μm. It filtered with the filter and the composition for optical imprint (a-6) of Example 6 was prepared.

(1−1)成分(A):合計100重量部
<A−1>イソボルニルアクリレート(共栄社化学製、商品名:IB−XA):75重量部
<A−4>1,6−ヘキサンジオールジアクリレート(共栄社化学製、商品名:1.6HX−A):25重量部
(1-1) Component (A): 100 parts by weight in total <A-1> Isobornyl acrylate (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd., trade name: IB-XA): 75 parts by weight <A-4> 1,6-hexanediol Diacrylate (Kyoeisha Chemical Co., Ltd., trade name: 1.6HX-A): 25 parts by weight

(1−2)成分(B):合計3重量部
<B−3>LucirinTPO(BASF製):3重量部
(1-2) Component (B): 3 parts by weight in total <B-3> Lucirin TPO (manufactured by BASF): 3 parts by weight

(1−3)成分(A)、成分(B)以外の添加成分(C):合計0.5重量部
<C−1>4,4’−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン(東京化成製):0.5重量部
(1-3) Additive component (C) other than component (A) and component (B): 0.5 parts by weight in total <C-1> 4,4′-bis (diethylamino) benzophenone (manufactured by Tokyo Chemical Industry): 0 .5 parts by weight

(2)光インプリント用組成物の硬化膜の作製
実施例1と同様にして、シリコンウエハ上に光インプリント用組成物(a−6)の3.2μmの厚さの膜を露光量10mJ/cmで露光した硬化膜(a−6−10)及び、光インプリント用組成物(a−6)の3.2μmの厚さの膜を露光量200mJ/cmで露光した硬化膜(a−6−200)を作製した。
(2) Production of cured film of composition for photoimprinting In the same manner as in Example 1, a film having a thickness of 3.2 μm of the composition for photoimprinting (a-6) on a silicon wafer was exposed to 10 mJ. Cured film (a-6-10) exposed at / cm 2 and a cured film (3.2 μm thick film of photoimprinting composition (a-6)) exposed at an exposure dose of 200 mJ / cm 2 ( a-6-200).

(3−1)硬化膜のヤング率の測定
実施例1と同様にして、作製した硬化膜(a−6−10)及び硬化膜(a−6−200)のヤング率を測定したところ、硬化膜(a−6−10)のヤング率E10及び硬化膜(a−6−200)のヤング率E200はそれぞれ、4.33GPa及び4.13GPaであり、E10/E200は1.05であった。
(3-1) Measurement of Young's modulus of cured film The Young's modulus of the produced cured film (a-6-10) and cured film (a-6-200) was measured in the same manner as in Example 1, and the cured film was cured. film (a-6-10), respectively the Young's modulus E 200 Young's modulus E 10 and the cured film (a-6-200) is of a 4.33GPa and 4.13GPa, E 10 / E 200 1.05 Met.

(3−2)硬化膜の複合弾性率の測定
実施例1と同様にして、作製した硬化膜(a−6−10)及び硬化膜(a−6−200)の複合弾性率を測定したところ、硬化膜(a−6−10)の複合弾性率Er10及び硬化膜(a−6−200)の複合弾性率Er200はそれぞれ、2.94GPa及び2.96GPaであり、Er10/Er200は0.993であった。
(3-2) Measurement of composite elastic modulus of cured film When the composite elastic modulus of the produced cured film (a-6-10) and cured film (a-6-200) was measured in the same manner as in Example 1. The composite elastic modulus Er 10 of the cured film (a-6-10) and the composite elastic modulus Er 200 of the cured film (a-6-200) are 2.94 GPa and 2.96 GPa, respectively, Er 10 / Er 200 Was 0.993.

(4)ナノインプリントパターンの観察
実施例1と同様の方法で、光インプリント用組成物(a−6)のナノインプリントパターンを形成し、電子顕微鏡を用いて前記ナノインプリントパターンを観察したところ、パターンの倒れなどの欠陥のない良好なパターンが形成されていた。
(4) Observation of nanoimprint pattern In the same manner as in Example 1, a nanoimprint pattern of the composition for photoimprint (a-6) was formed, and the nanoimprint pattern was observed using an electron microscope. A good pattern without defects such as was formed.

光インプリント用組成物(a−6)は、露光量30mJ/cmで良好なパターンを形成できるので、次のショットに残存する熱歪みが1nm以下であり、高い位置合わせ精度が得られることが期待される。 Since the composition for optical imprint (a-6) can form a good pattern at an exposure amount of 30 mJ / cm 2 , the thermal strain remaining in the next shot is 1 nm or less, and high alignment accuracy is obtained. There is expected.

(実施例7)
(1)光インプリント用組成物(a−7)の調製
成分(A)、成分(B)以外の添加成分(C)として、下記式(f)及び式(g)で表される化合物を用いたこと以外は実施例6と同様にして光インプリント用組成物(a−7)を調製した。
(Example 7)
(1) Preparation of composition for photoimprint (a-7) As an additive component (C) other than component (A) and component (B), compounds represented by the following formula (f) and formula (g) are used. A photoimprinting composition (a-7) was prepared in the same manner as in Example 6 except that it was used.

<C−1>4,4’−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン(東京化成製):0.5重量部
<C−2>ポリオキシエチレンステアリルエーテルSR−705(青木油脂製)0.5重量部
<C-1> 4,4′-bis (diethylamino) benzophenone (manufactured by Tokyo Chemical Industry): 0.5 part by weight <C-2> 0.5 part by weight of polyoxyethylene stearyl ether SR-705 (manufactured by Aoki Yushi)

(2)光インプリント用組成物の硬化膜の作製
実施例1と同様にして、シリコンウエハ上に光インプリント用組成物(a−7)の3.2μmの厚さの膜を露光量10mJ/cmで露光した硬化膜(a−7−10)及び、光インプリント用組成物(a−7)の3.2μmの厚さの膜を露光量200mJ/cmで露光した硬化膜(a−7−200)を作製した。
(2) Production of cured film of composition for photoimprinting In the same manner as in Example 1, a film having a thickness of 3.2 μm of the composition for photoimprinting (a-7) on a silicon wafer was exposed to 10 mJ. Cured film (a-7-10) exposed at / cm 2 and a cured film (3.2 μm thick film of photoimprinting composition (a-7)) exposed at an exposure dose of 200 mJ / cm 2 ( a-7-200).

(3−1)硬化膜のヤング率の測定
実施例1と同様にして、作製した硬化膜(a−7−10)及び硬化膜(a−7−200)のヤング率を測定したところ、硬化膜(a−7−10)のヤング率E10及び硬化膜(a−7−200)のヤング率E200はそれぞれ、4.17GPa及び4.27GPaであり、E10/E200は0.977であった。
(3-1) Measurement of Young's modulus of cured film The Young's modulus of the produced cured film (a-7-10) and the cured film (a-7-200) was measured in the same manner as in Example 1. film (a-7-10), respectively the Young's modulus E 200 Young's modulus E 10 and the cured film (a-7-200) is of a 4.17GPa and 4.27GPa, E 10 / E 200 is 0.977 Met.

(3−2)硬化膜の複合弾性率の測定
実施例1と同様にして、作製した硬化膜(a−7−10)及び硬化膜(a−7−200)の複合弾性率を測定したところ、硬化膜(a−7−10)の複合弾性率Er10及び硬化膜(a−7−200)の複合弾性率Er200はそれぞれ、2.81GPa及び3.11GPaであり、Er10/Er200は0.904であった。
(3-2) Measurement of composite elastic modulus of cured film When the composite elastic modulus of the produced cured film (a-7-10) and cured film (a-7-200) was measured in the same manner as in Example 1. The composite elastic modulus Er 10 of the cured film (a-7-10) and the composite elastic modulus Er 200 of the cured film (a-7-200) are 2.81 GPa and 3.11 GPa, respectively, Er 10 / Er 200 Was 0.904.

(4)ナノインプリントパターンの観察
実施例1と同様の方法で、光インプリント用組成物(a−7)のナノインプリントパターンを形成し、電子顕微鏡を用いて前記ナノインプリントパターンを観察したところ、パターンの倒れなどの欠陥のない良好なパターンが形成されていた。
(4) Observation of nanoimprint pattern In the same manner as in Example 1, a nanoimprint pattern of the composition for photoimprint (a-7) was formed, and the nanoimprint pattern was observed using an electron microscope. A good pattern without defects such as was formed.

光インプリント用組成物(a−7)は、露光量30mJ/cmで良好なパターンを形成できるので、次のショットに残存する熱歪みが1nm以下であり、高い位置合わせ精度が得られることが期待される。 Since the composition for optical imprint (a-7) can form a good pattern at an exposure amount of 30 mJ / cm 2 , the thermal strain remaining in the next shot is 1 nm or less, and high alignment accuracy is obtained. There is expected.

(比較例2)
(1)光インプリント用組成物(b−2)の調製
成分(B)を、下記式(h)で表される化合物としたこと以外は実施例1と同様にして光インプリント用組成物(b−2)を調製した。
(Comparative Example 2)
(1) Preparation of composition for photoimprint (b-2) Composition for photoimprint, except that component (B) was a compound represented by the following formula (h) (B-2) was prepared.

<B−6>Irgacure651(BASF製):3重量部   <B-6> Irgacure 651 (manufactured by BASF): 3 parts by weight

(2)光インプリント用組成物の硬化膜の作製
実施例1と同様にして、シリコンウエハ上に光インプリント用組成物(b−2)の3.2μmの厚さの膜を露光量200mJ/cmで露光した硬化膜(b−2−200)を作製した。光インプリント用組成物(b−2)の3.2μmの厚さの膜は、露光量10mJ/cmでは硬化膜とならず、硬化不十分な膜(b−2−10)となった。
(2) Production of cured film of composition for photoimprinting In the same manner as in Example 1, a film having a thickness of 3.2 μm of the composition for photoimprinting (b-2) on a silicon wafer was exposed to 200 mJ. A cured film (b-2-200) exposed at / cm 2 was produced. The film having a thickness of 3.2 μm of the composition for photoimprint (b-2) was not a cured film at an exposure amount of 10 mJ / cm 2 , but became a film with insufficient curing (b-2-10). .

(3−1)硬化膜のヤング率の測定
実施例1と同様にして、作製した硬化膜(b−2−200)のヤング率を測定したところ、硬化膜(b−2−200)のヤング率E200は4.60GPaであった。また、硬化不十分な膜(b−2−10)のヤング率E10はほぼゼロであり、E10/E200はほぼゼロであると判断した。
(3-1) Measurement of Young's modulus of cured film The Young's modulus of the produced cured film (b-2-200) was measured in the same manner as in Example 1, and the Young of the cured film (b-2-200) was measured. The rate E 200 was 4.60 GPa. The Young's modulus E 10 of the cured insufficient film (b-2-10) is almost zero, E 10 / E 200 was judged to be substantially zero.

(3−2)硬化膜の複合弾性率の測定
実施例1と同様にして、作製した硬化膜(b−2−200)の複合弾性率を測定したところ、硬化膜(b−2−200)の複合弾性率Er200は3.11GPaであった。また、硬化不十分な膜(b−2−10)の複合弾性率Er10はほぼゼロであり、Er10/Er200はほぼゼロであると判断した。
(3-2) Measurement of composite elastic modulus of cured film When the composite elastic modulus of the produced cured film (b-2-200) was measured in the same manner as in Example 1, the cured film (b-2-200) was measured. The composite elastic modulus Er 200 was 3.11 GPa. The composite elastic modulus Er 10 of cured insufficient film (b-2-10) is almost zero, Er 10 / Er 200 was judged to be substantially zero.

(4)ナノインプリントパターンの観察
実施例1と同様の方法で、光インプリント用組成物(b−2)のナノインプリントパターンを形成し、電子顕微鏡を用いて前記ナノインプリントパターンを観察したところ、約90%のパターンが倒れなどの欠陥を生じていた。
(4) Observation of nanoimprint pattern A nanoimprint pattern of the composition for photoimprint (b-2) was formed in the same manner as in Example 1, and the nanoimprint pattern was observed using an electron microscope. The pattern had a defect such as falling down.

光インプリント用組成物(b−2)がパターンの倒れなどの欠陥のない良好なパターンを形成するために必要な最小露光量を検討したところ、75mJ/cm以上の露光量が必要であることがわかった。前記露光量では、次のショットに残存する熱歪みが2.9nm以上となることが予想され、実施例1〜12よりも位置合わせ精度が低いことが予想される。 When the minimum exposure amount necessary for the composition for optical imprint (b-2) to form a good pattern free of defects such as pattern collapse is examined, an exposure amount of 75 mJ / cm 2 or more is necessary. I understood it. At the exposure amount, the thermal strain remaining in the next shot is expected to be 2.9 nm or more, and the alignment accuracy is expected to be lower than those in Examples 1-12.

(比較例3)
(1)光インプリント用組成物(b−3)の調製
成分(A)を、下記に示す化合物としたこと以外は比較例2と同様にして光インプリント用組成物(b−3)を調製した。
(Comparative Example 3)
(1) Preparation of composition for optical imprint (b-3) The composition for optical imprint (b-3) was prepared in the same manner as in Comparative Example 2 except that the component (A) was a compound shown below. Prepared.

<A−1>イソボルニルアクリレート(共栄社化学製、商品名:IB−XA):75重量部
<A−4>1,6−ヘキサンジオールジアクリレート(共栄社化学製、商品名:1.6HX−A):25重量部
<A-1> Isobornyl acrylate (Kyoeisha Chemical Co., Ltd., trade name: IB-XA): 75 parts by weight <A-4> 1,6-hexanediol diacrylate (Kyoeisha Chemical Co., Ltd., trade name: 1.6HX-) A): 25 parts by weight

(2)光インプリント用組成物の硬化膜の作製
実施例1と同様にして、シリコンウエハ上に光インプリント用組成物(b−3)の3.2μmの厚さの膜を露光量200mJ/cmで露光した硬化膜(b−3−200)を作製した。光インプリント用組成物(b−3)の3.2μmの厚さの膜は、露光量10mJ/cmでは硬化膜とならず、硬化不十分な膜(b−3−10)となった。
(2) Production of cured film of composition for photoimprinting In the same manner as in Example 1, a film having a thickness of 3.2 μm of the composition for photoimprinting (b-3) on a silicon wafer was exposed to 200 mJ. A cured film (b-3-200) exposed at / cm 2 was produced. The film having a thickness of 3.2 μm of the composition for photoimprint (b-3) did not become a cured film at an exposure amount of 10 mJ / cm 2 , but became a film with insufficient curing (b-3-10). .

(3−1)硬化膜のヤング率の測定
行わなかった。
(3-1) Measurement of Young's modulus of cured film Not performed.

(3−2)硬化膜の複合弾性率の測定
実施例1と同様にして、作製した硬化膜(b−3−200)の複合弾性率を測定したところ、硬化膜(b−3−200)の複合弾性率Er200は3.11GPaであった。また、硬化不十分な膜(b−3−10)の複合弾性率Er10はほぼゼロであり、Er10/Er200はほぼゼロであると判断した。
(3-2) Measurement of composite elastic modulus of cured film When the composite elastic modulus of the produced cured film (b-3-200) was measured in the same manner as in Example 1, the cured film (b-3-200) was measured. The composite elastic modulus Er 200 was 3.11 GPa. The composite elastic modulus Er 10 of cured insufficient film (b-3-10) is almost zero, Er 10 / Er 200 was judged to be substantially zero.

(4)ナノインプリントパターンの観察
実施例1と同様の方法で、光インプリント用組成物(b−3)のナノインプリントパターンを形成すると、そのパターンには倒れなどの欠陥が多く生じると推定される。
(4) Observation of nanoimprint pattern When the nanoimprint pattern of the composition for photoimprint (b-3) is formed by the same method as in Example 1, it is presumed that the pattern has many defects such as collapse.

また光インプリント用組成物(b−3)が、パターンの倒れなどの欠陥のない良好なパターンを形成するために必要な最小露光量は大きくなると考えられ、次のショットに残存する熱歪みが2.9nm以上となることが予想され、実施例1〜12よりも位置合わせ精度が低いことが予想される。   In addition, it is considered that the minimum exposure amount required for the photoimprinting composition (b-3) to form a good pattern free of defects such as pattern collapse is increased, and there is a thermal strain remaining in the next shot. It is expected to be 2.9 nm or more, and it is expected that the alignment accuracy is lower than in Examples 1-12.

(実施例8)
(1)光インプリント用組成物(a−8)の調製
下記に示される成分(A)、成分(B)、添加成分(C)を配合し、これを0.2μmの超高分子量ポリエチレン製フィルタでろ過し、実施例8の光インプリント用組成物(a−8)を調製した。
(Example 8)
(1) Preparation of composition for photoimprint (a-8) The following component (A), component (B), and additive component (C) were blended, and this was made of ultra high molecular weight polyethylene of 0.2 μm. It filtered with the filter and the composition for optical imprint (a-8) of Example 8 was prepared.

(1−1)成分(A):合計100重量部
<A−2>ベンジルアクリレート(大阪有機化学工業製、商品名:V#160):50重量部
<A−5>ジメチロールトリシクロデカンジアクリレート(共栄社化学製、商品名:DCP−A):50重量部
(1-1) Component (A): 100 parts by weight in total <A-2> Benzyl acrylate (manufactured by Osaka Organic Chemical Industry, trade name: V # 160): 50 parts by weight <A-5> dimethylol tricyclodecandi Acrylate (Kyoeisha Chemical Co., Ltd., trade name: DCP-A): 50 parts by weight

(1−2)成分(B):合計3重量部
<B−3>LucirinTPO(BASF製):3重量部
(1-2) Component (B): 3 parts by weight in total <B-3> Lucirin TPO (manufactured by BASF): 3 parts by weight

(1−3)成分(A)、成分(B)以外の添加成分(C):合計2.1重量部
<C−1>4,4’−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン(東京化成製):0.5重量部
<C−3>ポリオキシエチレンステアリルエーテル SR−730(青木油脂製):1.6重量部
(1-3) Additive component (C) other than component (A) and component (B): 2.1 parts by weight in total <C-1> 4,4′-bis (diethylamino) benzophenone (manufactured by Tokyo Chemical Industry): 0 .5 parts by weight <C-3> polyoxyethylene stearyl ether SR-730 (Aoki Yushi): 1.6 parts by weight

(2)光インプリント用組成物の硬化膜の作製
実施例1と同様にして、シリコンウエハ上に光インプリント用組成物(a−8)の3.2μmの厚さの膜を露光量10mJ/cmで露光した硬化膜(a−8−10)及び、光インプリント用組成物(a−8)の3.2μmの厚さの膜を露光量200mJ/cmで露光した硬化膜(a−8−200)を作製した。
(2) Production of cured film of composition for photoimprinting In the same manner as in Example 1, a film having a thickness of 3.2 μm of the composition for photoimprinting (a-8) on a silicon wafer was exposed to 10 mJ. Cured film (a-8-10) exposed at / cm 2 and a cured film (3.2 μm thick film of photoimprinting composition (a-8)) exposed at an exposure dose of 200 mJ / cm 2 ( a-8-200).

(3−1)硬化膜のヤング率の測定
行わなかった。
(3-1) Measurement of Young's modulus of cured film Not performed.

(3−2)硬化膜の複合弾性率の測定
実施例1と同様にして、作製した硬化膜(a−8−10)及び硬化膜(a−8−200)の複合弾性率を測定したところ、硬化膜(a−8−10)の複合弾性率Er10及び硬化膜(a−8−200)の複合弾性率Er200はそれぞれ、3.51GPa及び3.99GPaであり、Er10/Er200は0.880であった。
(3-2) Measurement of composite elastic modulus of cured film When the composite elastic modulus of the produced cured film (a-8-10) and cured film (a-8-200) was measured in the same manner as in Example 1. each composite elastic modulus Er 200 of composite elastic modulus Er 10 and the cured film of the cured film (a-8-10) (a- 8-200) is 3.51GPa and 3.99GPa, Er 10 / Er 200 Was 0.880.

(4)ナノインプリントパターンの観察
複合弾性率の結果から、実施例1と同様の方法で光インプリント用組成物(a−8)のナノインプリントパターンを形成すると、パターンの倒れなどの欠陥のない良好なパターンが形成されると推定される。
(4) Observation of nanoimprint pattern From the result of the composite elastic modulus, when the nanoimprint pattern of the composition for photoimprint (a-8) is formed by the same method as in Example 1, there is no defect such as pattern collapse. It is estimated that a pattern is formed.

また光インプリント用組成物(a−8)は、露光量30mJ/cmで良好なパターンを形成できると考えられ、次のショットに残存する熱歪みが1nm以下であり、高い位置合わせ精度が得られることが期待される。 Moreover, it is thought that the composition for optical imprint (a-8) can form a favorable pattern with the exposure amount of 30 mJ / cm 2 , the thermal strain remaining in the next shot is 1 nm or less, and high alignment accuracy is obtained. Expected to be obtained.

(実施例9)
(1)光インプリント用組成物(a−9)の調製
成分(A)を、下記に示す化合物の比率としたこと以外は実施例8と同様にして光インプリント用組成物(a−9)を調製した。
Example 9
(1) Preparation of composition for photoimprint (a-9) Composition for photoimprint (a-9) was carried out in the same manner as in Example 8, except that component (A) was used in the ratio of the compounds shown below. ) Was prepared.

(1−1)成分(A):合計100重量部
<A−2>ベンジルアクリレート(大阪有機化学工業製、商品名:V#160):60重量部
<A−5>ジメチロールトリシクロデカンジアクリレート(共栄社化学製、商品名:DCP−A):40重量部
(1-1) Component (A): 100 parts by weight in total <A-2> Benzyl acrylate (manufactured by Osaka Organic Chemical Industry, trade name: V # 160): 60 parts by weight <A-5> dimethylol tricyclodecandi Acrylate (Kyoeisha Chemical Co., Ltd., trade name: DCP-A): 40 parts by weight

(2)光インプリント用組成物の硬化膜の作製
実施例1と同様にして、シリコンウエハ上に光インプリント用組成物(a−9)の3.2μmの厚さの膜を露光量10mJ/cmで露光した硬化膜(a−9−10)及び、光インプリント用組成物(a−9)の3.2μmの厚さの膜を露光量200mJ/cmで露光した硬化膜(a−9−200)を作製した。
(2) Production of cured film of composition for photoimprinting In the same manner as in Example 1, a film having a thickness of 3.2 μm of the composition for photoimprinting (a-9) on a silicon wafer was exposed to 10 mJ. Cured film (a-9-10) exposed at / cm 2 and a cured film (3.2 μm thick film of photoimprinting composition (a-9)) exposed at an exposure dose of 200 mJ / cm 2 ( a-9-200).

(3−1)硬化膜のヤング率の測定
行わなかった。
(3-1) Measurement of Young's modulus of cured film Not performed.

(3−2)硬化膜の複合弾性率の測定
実施例1と同様にして、作製した硬化膜(a−9−10)及び硬化膜(a−9−200)の複合弾性率を測定したところ、硬化膜(a−9−10)の複合弾性率Er10及び硬化膜(a−9−200)の複合弾性率Er200はそれぞれ、3.49GPa及び3.82GPaであり、Er10/Er200は0.914であった。
(3-2) Measurement of composite elastic modulus of cured film When the composite elastic modulus of the produced cured film (a-9-10) and cured film (a-9-200) was measured in the same manner as in Example 1. The composite elastic modulus Er 10 of the cured film (a-9-10) and the composite elastic modulus Er 200 of the cured film (a-9-200) are 3.49 GPa and 3.82 GPa, respectively, Er 10 / Er 200 Was 0.914.

(4)ナノインプリントパターンの観察
複合弾性率の結果から、実施例1と同様の方法で光インプリント用組成物(a−9)のナノインプリントパターンを形成すると、パターンの倒れなどの欠陥のない良好なパターンが形成されると推定される。
(4) Observation of nanoimprint pattern From the result of the composite elastic modulus, when the nanoimprint pattern of the composition for photoimprint (a-9) is formed by the same method as in Example 1, there is no defect such as pattern collapse. It is estimated that a pattern is formed.

また光インプリント用組成物(a−9)は、露光量30mJ/cmで良好なパターンを形成できると考えられ、次のショットに残存する熱歪みが1nm以下であり、高い位置合わせ精度が得られることが期待される。 Moreover, it is thought that the composition for optical imprint (a-9) can form a favorable pattern with the exposure amount of 30 mJ / cm 2 , the thermal strain remaining in the next shot is 1 nm or less, and high alignment accuracy is obtained. Expected to be obtained.

(実施例10)
(1)光インプリント用組成物(a−10)の調製
下記に示される成分(A)、成分(B)、添加成分(C)を配合し、これを0.2μmの超高分子量ポリエチレン製フィルタでろ過し、実施例10の光インプリント用組成物(a−10)を調製した。
(Example 10)
(1) Preparation of composition for optical imprint (a-10) The following component (A), component (B), and additive component (C) are blended, and this is made of ultra high molecular weight polyethylene of 0.2 μm. It filtered with the filter and the composition for optical imprint (a-10) of Example 10 was prepared.

(1−1)成分(A):合計100重量部
<A−2>ベンジルアクリレート(大阪有機化学工業製、商品名:V#160):50重量部
<A−6>フェニルエチレングリコールジアクリレート:50重量部
(1-1) Component (A): 100 parts by weight in total <A-2> Benzyl acrylate (manufactured by Osaka Organic Chemical Industry, trade name: V # 160): 50 parts by weight <A-6> Phenylethylene glycol diacrylate: 50 parts by weight

(1−2)成分(B):合計3重量部
<B−3>LucirinTPO(BASF製):3重量部
(1-2) Component (B): 3 parts by weight in total <B-3> Lucirin TPO (manufactured by BASF): 3 parts by weight

(1−3)成分(A)、成分(B)以外の添加成分(C):合計1.3重量部
<C−1>4,4’−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン(東京化成製):0.5重量部
<C−3>ポリオキシエチレンステアリルエーテル エマルゲン320P(花王製):0.8重量部
(1-3) Additive component (C) other than component (A) and component (B): 1.3 parts by weight in total <C-1> 4,4′-bis (diethylamino) benzophenone (manufactured by Tokyo Chemical Industry): 0 .5 parts by weight <C-3> polyoxyethylene stearyl ether Emulgen 320P (manufactured by Kao): 0.8 parts by weight

(2)光インプリント用組成物の硬化膜の作製
実施例1と同様にして、シリコンウエハ上に光インプリント用組成物(a−10)の3.2μmの厚さの膜を露光量10mJ/cmで露光した硬化膜(a−10−10)及び、光インプリント用組成物(a−10)の3.2μmの厚さの膜を露光量200mJ/cmで露光した硬化膜(a−10−200)を作製した。
(2) Production of cured film of composition for photoimprinting In the same manner as in Example 1, a film having a thickness of 3.2 μm of the composition for photoimprinting (a-10) on a silicon wafer was exposed to 10 mJ. Cured film (a-10-10) exposed at / cm 2 and a cured film (3.2 μm thick film of photoimprinting composition (a-10)) exposed at an exposure dose of 200 mJ / cm 2 ( a-10-200).

(3−1)硬化膜のヤング率の測定
行わなかった。
(3-1) Measurement of Young's modulus of cured film Not performed.

(3−2)硬化膜の複合弾性率の測定
実施例1と同様にして、作製した硬化膜(a−10−10)及び硬化膜(a−10−200)の複合弾性率を測定したところ、硬化膜(a−10−10)の複合弾性率Er10及び硬化膜(a−10−200)の複合弾性率Er200はそれぞれ、3.25GPa及び3.76GPaであり、Er10/Er200は0.864であった。
(3-2) Measurement of composite elastic modulus of cured film In the same manner as in Example 1, the composite elastic modulus of the produced cured film (a-10-10) and cured film (a-10-200) was measured. The composite elastic modulus Er 10 of the cured film (a-10-10) and the composite elastic modulus Er 200 of the cured film (a-10-200) are 3.25 GPa and 3.76 GPa, respectively, Er 10 / Er 200 Was 0.864.

(4)ナノインプリントパターンの観察
複合弾性率の結果から、実施例1と同様の方法で光インプリント用組成物(a−10)のナノインプリントパターンを形成すると、パターンの倒れなどの欠陥のない良好なパターンが形成されると推定される。
(4) Observation of nanoimprint pattern From the result of the composite elastic modulus, when the nanoimprint pattern of the composition for photoimprint (a-10) is formed by the same method as in Example 1, there is no defect such as pattern collapse. It is estimated that a pattern is formed.

また光インプリント用組成物(a−10)は、露光量30mJ/cmで良好なパターンを形成できると考えられ、次のショットに残存する熱歪みが1nm以下であり、高い位置合わせ精度が得られることが期待される。 Moreover, it is thought that the composition for optical imprint (a-10) can form a favorable pattern with the exposure amount of 30 mJ / cm 2 , the thermal strain remaining in the next shot is 1 nm or less, and has high alignment accuracy. Expected to be obtained.

(実施例11)
(1)光インプリント用組成物(a−11)の調製
成分(A)を、下記に示す化合物としたこと以外は実施例10と同様にして光インプリント用組成物(a−11)を調製した。
(Example 11)
(1) Preparation of composition for photoimprint (a-11) Composition for photoimprint (a-11) was prepared in the same manner as in Example 10 except that component (A) was a compound shown below. Prepared.

<A−2>ベンジルアクリレート(大阪有機化学工業製、商品名:V#160):50重量部
<A−7>m−キシリレンジアクリレート:50重量部
<A-2> benzyl acrylate (trade name: V # 160, manufactured by Osaka Organic Chemical Industry): 50 parts by weight <A-7> m-xylylene diacrylate: 50 parts by weight

(2)光インプリント用組成物の硬化膜の作製
実施例1と同様にして、シリコンウエハ上に光インプリント用組成物(a−11)の3.2μmの厚さの膜を露光量10mJ/cmで露光した硬化膜(a−11−10)及び、光インプリント用組成物(a−11)の3.2μmの厚さの膜を露光量200mJ/cmで露光した硬化膜(a−11−200)を作製した。
(2) Production of cured film of composition for photoimprinting In the same manner as in Example 1, a film having a thickness of 3.2 μm of the composition for photoimprinting (a-11) on a silicon wafer was exposed to 10 mJ. Cured film (a-11-10) exposed at / cm 2 and a cured film (3.2 μm thick film of photoimprinting composition (a-11)) exposed at an exposure dose of 200 mJ / cm 2 ( a-11-200).

(3−1)硬化膜のヤング率の測定
行わなかった。
(3-1) Measurement of Young's modulus of cured film Not performed.

(3−2)硬化膜の複合弾性率の測定
実施例1と同様にして、作製した硬化膜(a−11−10)及び硬化膜(a−11−200)の複合弾性率を測定したところ、硬化膜(a−11−10)の複合弾性率Er10及び硬化膜(a−11−200)の複合弾性率Er200はそれぞれ、3.73GPa及び4.04GPaであり、Er10/Er200は0.923であった。
(3-2) Measurement of composite elastic modulus of cured film When the composite elastic modulus of the produced cured film (a-11-10) and cured film (a-11-200) was measured in the same manner as in Example 1. The composite elastic modulus Er 10 of the cured film (a-11-10) and the composite elastic modulus Er 200 of the cured film (a-11-200) are 3.73 GPa and 4.04 GPa, respectively, Er 10 / Er 200 Was 0.923.

(4)ナノインプリントパターンの観察
複合弾性率の結果から、実施例1と同様の方法で光インプリント用組成物(a−11)のナノインプリントパターンを形成すると、パターンの倒れなどの欠陥のない良好なパターンが形成されると推定される。
(4) Observation of nanoimprint pattern From the result of the composite elastic modulus, when the nanoimprint pattern of the composition for photoimprint (a-11) is formed by the same method as in Example 1, there is no defect such as pattern collapse. It is estimated that a pattern is formed.

また光インプリント用組成物(a−11)は、露光量30mJ/cmで良好なパターンを形成できると考えられ、次のショットに残存する熱歪みが1nm以下であり、高い位置合わせ精度が得られることが期待される。 Moreover, it is thought that the composition for optical imprint (a-11) can form a favorable pattern with the exposure amount of 30 mJ / cm 2 , the thermal strain remaining in the next shot is 1 nm or less, and has high alignment accuracy. Expected to be obtained.

(実施例12)
(1)光インプリント用組成物(a−12)の調製
成分(A)を、下記に示す化合物としたこと以外は実施例10と同様にして光インプリント用組成物(a−12)を調製した。
(Example 12)
(1) Preparation of composition for photoimprint (a-12) Composition for photoimprint (a-12) was prepared in the same manner as in Example 10 except that component (A) was a compound shown below. Prepared.

<A−2>ベンジルアクリレート(大阪有機化学工業製、商品名:V#160):45重量部
<A−7>m−キシリレンジアクリレート:50重量部
<A-2> benzyl acrylate (manufactured by Osaka Organic Chemical Industry, trade name: V # 160): 45 parts by weight <A-7> m-xylylene acrylate: 50 parts by weight

<A−8>2−ナフチルメチルアクリレート:5重量部   <A-8> 2-naphthylmethyl acrylate: 5 parts by weight

(2)光インプリント用組成物の硬化膜の作製
実施例1と同様にして、シリコンウエハ上に光インプリント用組成物(a−12)の3.2μmの厚さの膜を露光量10mJ/cmで露光した硬化膜(a−12−10)及び、光インプリント用組成物(a−12)の3.2μmの厚さの膜を露光量200mJ/cmで露光した硬化膜(a−12−200)を作製した。
(2) Preparation of cured film of composition for photoimprinting In the same manner as in Example 1, a film having a thickness of 3.2 μm of the composition for photoimprinting (a-12) on a silicon wafer was exposed to 10 mJ. Cured film (a-12-10) exposed at / cm 2 and a cured film (3.2 m thick) of the photoimprinting composition (a-12) exposed at an exposure dose of 200 mJ / cm 2 ( a-12-200).

(3−1)硬化膜のヤング率の測定
行わなかった。
(3-1) Measurement of Young's modulus of cured film Not performed.

(3−2)硬化膜の複合弾性率の測定
実施例1と同様にして、作製した硬化膜(a−12−10)及び硬化膜(a−12−200)の複合弾性率を測定したところ、硬化膜(a−12−10)の複合弾性率Er10及び硬化膜(a−12−200)の複合弾性率Er200はそれぞれ、3.53GPa及び4.00GPaであり、Er10/Er200は0.883であった。
(3-2) Measurement of composite elastic modulus of cured film Similar to Example 1, the composite elastic modulus of the produced cured film (a-12-10) and cured film (a-12-200) was measured. The composite elastic modulus Er 10 of the cured film (a-12-10) and the composite elastic modulus Er 200 of the cured film (a-12-200) are 3.53 GPa and 4.00 GPa, respectively, and Er 10 / Er 200 Was 0.883.

(4)ナノインプリントパターンの観察
複合弾性率の結果から、実施例1と同様の方法で光インプリント用組成物(a−12)のナノインプリントパターンを形成すると、パターンの倒れなどの欠陥のない良好なパターンが形成されると推定される。
(4) Observation of nanoimprint pattern From the result of the composite elastic modulus, when the nanoimprint pattern of the composition for photoimprint (a-12) is formed by the same method as in Example 1, there is no defect such as pattern collapse. It is estimated that a pattern is formed.

また光インプリント用組成物(a−12)は、露光量30mJ/cmで良好なパターンを形成できると考えられ、次のショットに残存する熱歪みが1nm以下であり、高い位置合わせ精度が得られることが期待される。 Moreover, it is thought that the composition for optical imprint (a-12) can form a favorable pattern with the exposure amount of 30 mJ / cm < 2 >, the thermal distortion which remains in the next shot is 1 nm or less, and has high alignment precision. Expected to be obtained.

(比較例4)
(1)光インプリント用組成物(b−4)の調製
成分(B)を、下記に示す化合物としたこと以外は実施例1と同様にして光インプリント用組成物(b−4)を調製した。
(Comparative Example 4)
(1) Preparation of composition for photoimprint (b-4) Composition for photoimprint (b-4) was prepared in the same manner as in Example 1 except that the component (B) was a compound shown below. Prepared.

<B−3>LucirinTPO(BASF製):0.5重量部   <B-3> Lucirin TPO (manufactured by BASF): 0.5 part by weight

(2)光インプリント用組成物の硬化膜の作製
実施例1と同様にして、シリコンウエハ上に光インプリント用組成物(b−4)の3.2μmの厚さの膜を露光量200mJ/cmで露光した硬化膜(b−4−200)を作製した。光インプリント用組成物(b−4)の3.2μmの厚さの膜は、露光量10mJ/cmでは硬化膜とならず、硬化不十分な膜(b−4−10)となった。
(2) Production of cured film of composition for photoimprinting In the same manner as in Example 1, a film having a thickness of 3.2 μm of the composition for photoimprinting (b-4) on a silicon wafer was exposed to 200 mJ. A cured film (b-4-200) exposed at / cm 2 was produced. The film having a thickness of 3.2 μm of the composition for photoimprint (b-4) did not become a cured film at an exposure amount of 10 mJ / cm 2 , but became a film with insufficient curing (b-4-10). .

(3−1)硬化膜のヤング率の測定
行わなかった。
(3-1) Measurement of Young's modulus of cured film Not performed.

(3−2)硬化膜の複合弾性率の測定
実施例1と同様にして、作製した硬化膜(b−4−200)の複合弾性率を測定したところ、硬化膜(b−4−200)の複合弾性率Er200は2.73GPaであった。また、硬化不十分な膜(b−4−10)の複合弾性率Er10はほぼゼロであり、Er10/Er200はほぼゼロであると判断した。
(3-2) Measurement of composite elastic modulus of cured film When the composite elastic modulus of the produced cured film (b-4-200) was measured in the same manner as in Example 1, the cured film (b-4-200) was measured. The composite elastic modulus Er 200 was 2.73 GPa. The composite elastic modulus Er 10 of cured insufficient film (b-4-10) is almost zero, Er 10 / Er 200 was judged to be substantially zero.

(4)ナノインプリントパターンの観察
複合弾性率の結果から、実施例1と同様の方法で光インプリント用組成物(b−4)のナノインプリントパターンを形成すると、そのパターンには倒れなどの欠陥が多く生じると推定される。
(4) Observation of nanoimprint pattern From the result of the composite elastic modulus, when the nanoimprint pattern of the composition for photoimprint (b-4) is formed by the same method as in Example 1, the pattern has many defects such as collapse. Presumed to occur.

また光インプリント用組成物(b−4)が、パターンの倒れなどの欠陥のない良好なパターンを形成するために必要な最小露光量は大きくなると考えられ、次のショットに残存する熱歪みが2.9nm以上となることが予想され、実施例1〜12よりも位置合わせ精度が低いことが予想される。   In addition, it is considered that the minimum exposure amount required for the photoimprinting composition (b-4) to form a good pattern free of defects such as pattern collapse increases, and the thermal distortion remaining in the next shot is increased. It is expected to be 2.9 nm or more, and it is expected that the alignment accuracy is lower than in Examples 1-12.

実施例、比較例の結果を表1、表2及び表3に要約する。   The results of Examples and Comparative Examples are summarized in Table 1, Table 2, and Table 3.

(注)
*硬化不十分のため、ほぼゼロであると判断した。
(note)
* Judged to be almost zero due to insufficient curing.

パターン○:パターン倒れなどのない良好なパターン
パターン×:パターン倒れなどの欠陥が生じたパターン
位置合わせ精度○:次のショットに残存する熱歪みが1nm以下
位置合わせ精度×:次のショットに残存する熱歪みが2.9nm以上
Pattern ○: Good pattern without pattern collapse Pattern x: Pattern with defects such as pattern collapse Positioning accuracy ○: Thermal strain remaining in the next shot is 1 nm or less Positioning accuracy ×: Remains in the next shot Thermal strain is 2.9nm or more

(注)
*硬化不十分のため、ほぼゼロであると判断した。
(note)
* Judged to be almost zero due to insufficient curing.

パターン○:パターン倒れなどのない良好なパターン
パターン×:パターン倒れなどの欠陥が生じたパターン
位置合わせ精度○:次のショットに残存する熱歪みが1nm以下
位置合わせ精度×:次のショットに残存する熱歪みが2.9nm以上
Pattern ○: Good pattern without pattern collapse Pattern x: Pattern with defects such as pattern collapse Positioning accuracy ○: Thermal strain remaining in the next shot is 1 nm or less Positioning accuracy ×: Remains in the next shot Thermal strain is 2.9nm or more

(注)
*硬化不十分のため、ほぼゼロであると判断した。
(note)
* Judged to be almost zero due to insufficient curing.

101 光インプリント用組成物
102 基板
103 基板側位置合わせマーク
104 モールド
105 モールド側位置合わせマーク
106 塗布膜
107 照射光
108 硬化膜
109 パターン形状を有する硬化膜
110 硬化物パターン
111 表面が露出した基板の一部分
112 回路構造
DESCRIPTION OF SYMBOLS 101 Photoimprinting composition 102 Substrate 103 Substrate side alignment mark 104 Mold 105 Mold side alignment mark 106 Coating film 107 Irradiation light 108 Cured film 109 Cured film having a pattern shape 110 Cured product pattern 111 Surface exposed substrate Part 112 Circuit structure

Claims (38)

重合性化合物である成分(A)と、光重合開始剤である成分(B)と、を少なくとも有し、下記式(1)および下記式(2)を満たすことを特徴とする光インプリント用組成物。
0.800≦Er10/Er200 (1)
2.55GPa≦Er10 (2)
(式(1)および式(2)において、Er10は露光量10mJ/cmで前記光インプリント用組成物を露光した際に得られる光硬化膜の複合弾性率(GPa)を示し、Er200は露光量200mJ/cmで前記光インプリント用組成物を露光した際に得られる光硬化膜の複合弾性率(GPa)を示す。)
It has at least a component (A) that is a polymerizable compound and a component (B) that is a photopolymerization initiator, and satisfies the following formula (1) and the following formula (2). Composition.
0.800 ≦ Er 10 / Er 200 (1)
2.55 GPa ≦ Er 10 (2)
(In Formula (1) and Formula (2), Er 10 represents the composite elastic modulus (GPa) of the photocured film obtained when the composition for photoimprinting was exposed at an exposure amount of 10 mJ / cm 2 , Er 200 represents the composite elastic modulus (GPa) of the photocured film obtained when the composition for photoimprinting is exposed at an exposure amount of 200 mJ / cm 2. )
下記式(3)をさらに満たすことを特徴とする請求項1に記載の光インプリント用組成物。
0.855≦Er10/Er200≦0.993 (3)
(式(3)において、Er10は露光量10mJ/cmで前記光インプリント用組成物を露光した際に得られる光硬化膜の複合弾性率(GPa)を示し、Er200は露光量200mJ/cmで前記光インプリント用組成物を露光した際に得られる光硬化膜の複合弾性率(GPa)を示す。)
The composition for photoimprinting according to claim 1, further satisfying the following formula (3):
0.855 ≦ Er 10 / Er 200 ≦ 0.993 (3)
(In Formula (3), Er 10 represents the composite elastic modulus (GPa) of the photocured film obtained when the composition for photoimprinting was exposed at an exposure amount of 10 mJ / cm 2 , and Er 200 represents an exposure amount of 200 mJ. (The composite elastic modulus (GPa) of the photocured film obtained when the composition for photoimprinting is exposed at / cm 2 is shown.)
下記式(4)をさらに満たすことを特徴とする請求項1または2に記載の光インプリント用組成物。
2.81GPa≦Er10≦3.73GPa (4)
(式(4)において、Er10は露光量10mJ/cmで前記光インプリント用組成物を露光した際に得られる光硬化膜の複合弾性率(GPa)を示す。)
The composition for photoimprinting according to claim 1 or 2, further satisfying the following formula (4):
2.81 GPa ≦ Er 10 ≦ 3.73 GPa (4)
(In Formula (4), Er 10 represents the composite elastic modulus (GPa) of the photocured film obtained when the composition for photoimprinting is exposed at an exposure amount of 10 mJ / cm 2. )
重合性化合物である(A)成分と、光重合開始剤である(B)成分と、を少なくとも有し、下記式(5)および下記式(6)を満たすことを特徴とする光インプリント用組成物。
0.880≦E10/E200 (5)
4.00GPa≦E10 (6)
(式(5)および式(6)において、E10は露光量10mJ/cmで前記光インプリント用組成物を露光した際に得られる光硬化膜のヤング率(GPa)を示し、E200は露光量200mJ/cmで前記光インプリント用組成物を露光した際に得られる硬化膜のヤング率(GPa)を示す。)
It has at least a component (A) that is a polymerizable compound and a component (B) that is a photopolymerization initiator, and satisfies the following formula (5) and the following formula (6). Composition.
0.880 ≦ E10 / E 200 (5)
4.00 GPa ≦ E 10 (6)
(In the formulas (5) and (6), E 10 represents the Young's modulus (GPa) of the photocured film obtained when the composition for photoimprinting was exposed at an exposure amount of 10 mJ / cm 2 , and E 200 Indicates the Young's modulus (GPa) of the cured film obtained when the composition for photoimprinting is exposed at an exposure amount of 200 mJ / cm 2. )
下記式(7)をさらに満たすことを特徴とする請求項4に記載の光インプリント用組成物。
0.956≦E10/E200≦1.05 (7)
(式(7)において、E10は露光量10mJ/cmで前記光インプリント用組成物を露光した際に得られる硬化膜のヤング率(GPa)を示し、E200は露光量200mJ/cmで前記光インプリント用組成物を露光した際に得られる硬化膜のヤング率(GPa)を示す。)
The composition for photoimprinting according to claim 4, further satisfying the following formula (7).
0.956 ≦ E 10 / E 200 ≦ 1.05 (7)
In (Equation (7), E 10 represents a Young's modulus of the cured film obtained upon exposing the light imprint composition at an exposure dose of 10 mJ / cm 2 a (GPa), E 200 exposure dose 200 mJ / cm 2 shows the Young's modulus (GPa) of the cured film obtained when the composition for photoimprinting is exposed to 2 ).
下記式(8)をさらに満たすことを特徴とする請求項4または5に記載の光インプリント用組成物。
4.17GPa≦E10≦5.94GPa (8)
(式(8)において、E10は露光量10mJ/cmで前記光インプリント用組成物を露光した際に得られる硬化膜のヤング率(GPa)を示す。)
The composition for photoimprinting according to claim 4 or 5, further satisfying the following formula (8).
4.17 GPa ≦ E 10 ≦ 5.94 GPa (8)
(In the formula (8), E 10 represents a Young's modulus of the cured film obtained upon exposing the light imprint composition at an exposure dose of 10 mJ / cm 2 a (GPa).)
前記(A)成分が前記光インプリント用組成物の90%以上であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の光インプリント用組成物。   The said (A) component is 90% or more of the said composition for optical imprints, The composition for optical imprints as described in any one of Claims 1-6 characterized by the above-mentioned. 前記成分(A)が、(メタ)アクリル化合物を主成分とすることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載の光インプリント用組成物。   The said component (A) has a (meth) acryl compound as a main component, The composition for optical imprints as described in any one of Claims 1-7 characterized by the above-mentioned. 前記成分(A)が、単官能(メタ)アクリル化合物と多官能(メタ)アクリル化合物とを有することを特徴とする請求項5に記載の光インプリント用組成物。   The said component (A) has a monofunctional (meth) acryl compound and a polyfunctional (meth) acryl compound, The composition for optical imprint of Claim 5 characterized by the above-mentioned. 前記成分(A)が、イソボルニルアクリレート、ベンジルアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオールジアクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジアクリレート、フェニルエチレングリコールジアクリレート、m−キシリレンジアクリレート、2−ナフチルメチルアクリレートのいずれかを少なくとも含むことを特徴とする請求項1〜9のいずれか一項に記載の光インプリント用組成物。   The component (A) is isobornyl acrylate, benzyl acrylate, neopentyl glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, dimethylol tricyclodecane diacrylate, phenylethylene glycol diacrylate, m-xylylene diacrylate, The composition for photoimprints according to any one of claims 1 to 9, comprising at least one of 2-naphthylmethyl acrylate. 前記成分(A)が、イソボルニルアクリレートと、ベンジルアクリレートと、ネオペンチルグリコールジアクリレートと、で構成される、もしくは、イソボルニルアクリレートと、1,6−ヘキサンジオールジアクリレートと、で構成されることを特徴とする請求項1〜10のいずれか一項に記載の光インプリント用組成物。   The component (A) is composed of isobornyl acrylate, benzyl acrylate, and neopentyl glycol diacrylate, or composed of isobornyl acrylate and 1,6-hexanediol diacrylate. The composition for photoimprints as described in any one of Claims 1-10 characterized by the above-mentioned. 前記成分(A)が、イソボルニルアクリレートと、ベンジルアクリレートと、ネオペンチルグリコールジアクリレートと、で構成されることを特徴とする請求項7に記載の光インプリント用組成物。   The composition for photoimprinting according to claim 7, wherein the component (A) is composed of isobornyl acrylate, benzyl acrylate, and neopentyl glycol diacrylate. 前記成分(B)が、アルキルフェノン系重合開始剤、オキシムエステル系重合開始剤、アシルフォスフィンオキサイド系重合開始剤の少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項1〜12のいずれか一項に記載の光インプリント用組成物。   The component (B) contains at least one of an alkylphenone-based polymerization initiator, an oxime ester-based polymerization initiator, and an acylphosphine oxide-based polymerization initiator. The composition for optical imprints described in 1. 前記成分(B)が下記式(a)、(b)、(c)、および(e)のいずれかに記載の化合物を含むことを特徴とする請求項13に記載の光インプリント用組成物。



The said component (B) contains the compound in any one of following formula (a), (b), (c), and (e), The composition for optical imprint of Claim 13 characterized by the above-mentioned. .



増感剤を含むことを特徴とする請求項1〜14のいずれか一項に記載の光インプリント用組成物。   The composition for photoimprints as described in any one of Claims 1-14 characterized by including a sensitizer. 前記増感剤が下記式(f)または下記式(i)で示される化合物であることを特徴とする請求項15に記載の光インプリント用組成物。

16. The photoimprinting composition according to claim 15, wherein the sensitizer is a compound represented by the following formula (f) or the following formula (i).

離型剤を有することを特徴とする請求項1〜16のいずれか一項に記載の光インプリント用組成物。   It has a mold release agent, The composition for optical imprints as described in any one of Claims 1-16 characterized by the above-mentioned. 前記離型剤が下記式(O)に示されることを特徴とする請求項17に記載の光インプリント用組成物。
(式(O)において、Rcは炭素原子数5以上50以下の1価の炭化水素基であり、Raはアルキレン基を示し、mは1以上10以下の整数である。Xは、アルコキシ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ピリジル基、シラノール基、スルホ基のいずれかである)
The said mold release agent is shown by following formula (O), The composition for optical imprint of Claim 17 characterized by the above-mentioned.
(In the formula (O), Rc is a monovalent hydrocarbon group having 5 to 50 carbon atoms, Ra represents an alkylene group, m is an integer of 1 to 10, X is an alkoxy group, A hydroxyl group, a carboxyl group, a pyridyl group, a silanol group, or a sulfo group)
前記離型剤が下記式(g)、(j)、(l)に示す化合物のうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項18に記載の光インプリント用組成物。

The composition for photoimprinting according to claim 18, wherein the release agent contains at least one of compounds represented by the following formulas (g), (j), and (l).

イソボルニルアクリレートもしくはイソボルニルアクリレートおよびベンジルアクリレートで構成される単官能化合物と、ネオペンチルグリコールジアクリレートもしくは1,6−ヘキサンジオールジアクリレートもしくはジメチロールトリシクロデカンジアクリレートで構成される多官能化合物と、を含む(A)成分と、下記式(a)、(b)、(c)、(e)に示す化合物のうちの少なくとも一つを含む(B)成分と、を有し、前記単官能化合物と前記多官能化合物との重量比が1:1〜3:1であることを特徴とする光インプリント用組成物。


Monofunctional compound composed of isobornyl acrylate or isobornyl acrylate and benzyl acrylate, and polyfunctional compound composed of neopentyl glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate or dimethylol tricyclodecane diacrylate And (B) component containing at least one of the compounds represented by the following formulas (a), (b), (c), and (e). A composition for photoimprinting, wherein the weight ratio of the functional compound to the polyfunctional compound is 1: 1 to 3: 1.


下記式(f)に記載の化合物をさらに有することを特徴とする請求項20に記載の光インプリント用組成物。
21. The composition for optical imprinting according to claim 20, further comprising a compound represented by the following formula (f).
下記式(g)、(j)、(l)に示す化合物のうち少なくとも一つをさらに有することを特徴とする請求項20または21に記載の光インプリント用組成物。

The composition for photoimprinting according to claim 20 or 21, further comprising at least one of compounds represented by the following formulas (g), (j), and (l).

前記光インプリント用組成物の90%以上が前記(A)成分であることを特徴とする請求項20〜22のいずれか一項に記載の光インプリント用組成物。   The optical imprinting composition according to any one of claims 20 to 22, wherein 90% or more of the optical imprinting composition is the component (A). 前記光インプリント用組成物を露光した際に得られる光硬化膜の膜厚が100nm以下であることを特徴とする請求項1〜23のいずれか一項に記載の光インプリント用組成物。   24. The photoimprint composition according to any one of claims 1 to 23, wherein a thickness of a photocured film obtained when the photoimprint composition is exposed is 100 nm or less. 請求項1〜24のいずれか一項に記載の前記光インプリント用組成物を硬化させた硬化物。   Hardened | cured material which hardened the said composition for optical imprints as described in any one of Claims 1-24. 基板上に、請求項1〜25のいずれか一項に記載の光インプリント用組成物を配置する工程[1]と、
前記光インプリント用組成物とパターン形状を転写するための原型パターンを有するモールドとを接触させる工程[2]と、
前記基板とモールドとの位置合わせを行う工程[3]と、
前記光インプリント用組成物に光を照射して硬化膜とする工程[4]と、
前記硬化膜と前記モールドとを引き離す工程[5]と、
を有することを特徴とするパターン形状を有する膜の製造方法。
A step [1] of disposing the composition for photoimprinting according to any one of claims 1 to 25 on a substrate;
Contacting the composition for photoimprinting with a mold having an original pattern for transferring a pattern shape [2];
A step [3] of aligning the substrate and the mold;
Irradiating light to the photo-imprinting composition to form a cured film [4];
A step [5] of separating the cured film and the mold;
A method for producing a film having a pattern shape, characterized by comprising:
前記光インプリント用組成物に光を照射して硬化膜とする工程における露光量が75mJ/cm以下であることを特徴とする請求項26に記載のパターン形状を有する膜の製造方法。 27. The method for producing a film having a pattern shape according to claim 26, wherein an exposure amount in the step of irradiating the composition for photoimprinting with light to form a cured film is 75 mJ / cm 2 or less. 前記光インプリント用組成物に光を照射して硬化膜とする工程における露光量が30mJ/cm以下であることを特徴とする請求項26に記載のパターン形状を有する膜の製造方法。 27. The method for producing a film having a pattern shape according to claim 26, wherein an exposure dose in the step of irradiating the composition for photoimprinting with light to form a cured film is 30 mJ / cm 2 or less. 前記工程[1]〜[5]を前記基板上の異なる領域に複数回行うことを特徴とする請求項26〜28のいずれか一項に記載のパターン形状を有する膜の製造方法。   The method of manufacturing a film having a pattern shape according to any one of claims 26 to 28, wherein the steps [1] to [5] are performed a plurality of times in different regions on the substrate. 前記工程[1]〜[5]を1ショットとした時に、第一のショットの前記工程[4]が終わった後から第二のショットの前記工程[3]が終わるまでの時間を1.2秒以内に行うことを特徴とする請求項29に記載のパターン形状を有する膜の製造方法。   When the steps [1] to [5] are one shot, the time from the end of the step [4] of the first shot to the end of the step [3] of the second shot is 1.2. 30. The method for producing a film having a pattern shape according to claim 29, which is performed within seconds. 前記モールドの原型パターンの表面が石英であることを特徴とする請求項26〜30のいずれか一項に記載のパターン形状を有する膜の製造方法。   The method for producing a film having a pattern shape according to any one of claims 26 to 30, wherein the surface of the original pattern of the mold is quartz. 前記型接触工程が、凝縮性ガスを含む雰囲気下で行われることを特徴とする請求項26〜31のいずれか一項に記載のパターン形状を有する膜の製造方法。   The method for producing a film having a pattern shape according to any one of claims 26 to 31, wherein the mold contact step is performed in an atmosphere containing a condensable gas. 凝縮性ガスを含む雰囲気が、ヘリウムと凝縮性ガスとの混合気体であることを特徴とする、請求項32に記載のパターン形状を有する膜の製造方法。   The method for producing a film having a pattern shape according to claim 32, wherein the atmosphere containing the condensable gas is a mixed gas of helium and condensable gas. 凝縮性ガスが、1,1,1,3,3−ペンタフルオロプロパンであることを特徴とする、請求項32または33に記載のパターン形状を有する膜の製造方法。   The method for producing a film having a pattern shape according to claim 32 or 33, wherein the condensable gas is 1,1,1,3,3-pentafluoropropane. 請求項26〜34のいずれか一項に記載の膜の製造方法によりパターン形状を有する膜を得る工程を有することを特徴とする光学部品の製造方法。   35. A method for manufacturing an optical component, comprising a step of obtaining a film having a pattern shape by the method for manufacturing a film according to any one of claims 26 to 34. 請求項26〜34のいずれか一項に記載の膜の製造方法によりパターン形状を有する膜を得る工程と、得られた膜のパターン形状をマスクとして基板にエッチング又はイオン注入を行う工程と、を有することを特徴とする光学部品の製造方法。   A step of obtaining a film having a pattern shape by the method for producing a film according to any one of claims 26 to 34, and a step of performing etching or ion implantation on the substrate using the pattern shape of the obtained film as a mask. A method of manufacturing an optical component, comprising: 請求項26〜34のいずれか一項に記載の膜の製造方法によりパターン形状を有する膜を得る工程と、得られた膜のパターン形状をマスクとして基板にエッチング又はイオン注入を行う工程と、を有することを特徴とする回路基板の製造方法。   A step of obtaining a film having a pattern shape by the method for producing a film according to any one of claims 26 to 34, and a step of performing etching or ion implantation on the substrate using the pattern shape of the obtained film as a mask. A method of manufacturing a circuit board, comprising: 請求項37に記載の回路基板の製造方法により回路基板を得る工程と、前記回路基板に電子部材を形成する工程と、を有することを特徴とする電子部品の製造方法。   38. A method for manufacturing an electronic component, comprising: a step of obtaining a circuit board by the method for manufacturing a circuit board according to claim 37; and a step of forming an electronic member on the circuit board.
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