JP2017076534A - Light source device - Google Patents
Light source device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017076534A JP2017076534A JP2015203500A JP2015203500A JP2017076534A JP 2017076534 A JP2017076534 A JP 2017076534A JP 2015203500 A JP2015203500 A JP 2015203500A JP 2015203500 A JP2015203500 A JP 2015203500A JP 2017076534 A JP2017076534 A JP 2017076534A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wavelength conversion
- conversion member
- heat dissipation
- light source
- source device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 160
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims abstract description 60
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 21
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 67
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 61
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 17
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 20
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 4
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 4
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- PQIJHIWFHSVPMH-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Ag].[Sn] Chemical compound [Cu].[Ag].[Sn] PQIJHIWFHSVPMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 229910000969 tin-silver-copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017315 Mo—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 1
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000007569 slipcasting Methods 0.000 description 1
- FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L strontium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Sr+2] FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001637 strontium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 yttria Chemical class 0.000 description 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V9/00—Elements for modifying spectral properties, polarisation or intensity of the light emitted, e.g. filters
- F21V9/30—Elements containing photoluminescent material distinct from or spaced from the light source
- F21V9/32—Elements containing photoluminescent material distinct from or spaced from the light source characterised by the arrangement of the photoluminescent material
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V29/00—Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
- F21V29/50—Cooling arrangements
- F21V29/70—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V29/00—Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
- F21V29/50—Cooling arrangements
- F21V29/502—Cooling arrangements characterised by the adaptation for cooling of specific components
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V7/00—Reflectors for light sources
- F21V7/22—Reflectors for light sources characterised by materials, surface treatments or coatings, e.g. dichroic reflectors
- F21V7/24—Reflectors for light sources characterised by materials, surface treatments or coatings, e.g. dichroic reflectors characterised by the material
- F21V7/26—Reflectors for light sources characterised by materials, surface treatments or coatings, e.g. dichroic reflectors characterised by the material the material comprising photoluminescent substances
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0239—Combinations of electrical or optical elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
Description
本発明は、光源装置に関する。更に詳しくは、例えばプロジェクタ装置の光源として好適に用いることのできる光源装置に関する。 The present invention relates to a light source device. More specifically, the present invention relates to a light source device that can be suitably used as a light source of a projector device, for example.
最近、プレゼンテーション用、もしくはデジタルシネマ用のプロジェクタ装置としては、光源において、LED(light emitting diode)やLD(laser diode)などの固体光源を用いた製品が増えてきている。
このようなプロジェクタ装置の或る種のものとしては、光源として、励起光により励起されて蛍光を発する波長変換部材を備えた光源装置を用いたものがある。そのような光源装置において、固体光源は、励起光を出射する励起光源として用いられる(例えば、特許文献1参照。)。
Recently, as projector devices for presentations or digital cinema, products using solid light sources such as LEDs (light emitting diodes) and LDs (laser diodes) as light sources are increasing.
As a certain type of such a projector device, there is a projector using a light source device including a wavelength conversion member that emits fluorescence when excited by excitation light. In such a light source device, the solid light source is used as an excitation light source that emits excitation light (see, for example, Patent Document 1).
具体的に、特許文献1には、波長変換部材と放熱基板とが接合層により接合された構成の光源装置が開示されている。また、この光源装置において、接合層を構成する接合材としては、例えば有機接着剤、無機接着剤、低融点ガラス、金属ロウ材などを用いることができ、これらのうちでも、高い反射率と高い伝熱特性とが得られることから、金属ロウ材を用いることが望ましいことが記載されている。
Specifically,
しかしながら、波長変換部材と放熱基板とが金属ロウ材よりなる接合層によって接合された光源装置においては、放熱基板と波長変換部材との間に剥離が生じる、という問題があることが判明した。具体的に説明すると、波長変換部材は、単結晶あるいは多結晶の無機蛍光体よりなるものとされ、一方、放熱基板は、金属よりなるものとされる。そして、波長変換部材と放熱基板との金属ロウ材(具体的には、半田)による接合温度は高温となる。そのため、放熱基板の構成材料と波長変換部材の構成材料との熱膨張係数の差に起因して、当該放熱基板と当該波長変換部材との間に応力が生じ、波長変換部材が放熱基板から剥離するという現象が生じる。
而して、放熱基板と波長変換部材との間の剥離が、当該波長変換部材における励起光が照射される領域内において生じた場合には、波長変換部材における放熱基板からの剥離箇所において、励起光が照射されることによって当該波長変換部材にて発生した熱の放熱基板への伝達が十分に行われない。そのため、前記剥離箇所においては、急激な温度上昇が生じ、波長変換部材が破損してしまう、という問題が生じる。このような問題は、波長変換部材に対して高い照射密度(励起密度)の光が照射された場合に顕著に生じるものである。
However, it has been found that in the light source device in which the wavelength conversion member and the heat dissipation substrate are bonded by the bonding layer made of the metal brazing material, there is a problem that peeling occurs between the heat dissipation substrate and the wavelength conversion member. More specifically, the wavelength conversion member is made of a single crystal or polycrystalline inorganic phosphor, while the heat dissipation substrate is made of metal. And the joining temperature by the metal brazing material (specifically solder) of a wavelength conversion member and a thermal radiation board becomes high temperature. Therefore, stress is generated between the heat dissipation substrate and the wavelength conversion member due to the difference in thermal expansion coefficient between the heat dissipation substrate constituent material and the wavelength conversion member constituent material, and the wavelength conversion member is peeled off from the heat dissipation substrate. A phenomenon occurs.
Thus, when the separation between the heat radiating substrate and the wavelength conversion member occurs in the region where the excitation light on the wavelength conversion member is irradiated, excitation is performed at the separation portion of the wavelength conversion member from the heat radiating substrate. When light is irradiated, heat generated in the wavelength conversion member is not sufficiently transmitted to the heat dissipation substrate. Therefore, in the said peeling location, the rapid temperature rise arises and the problem that a wavelength conversion member will be damaged arises. Such a problem remarkably occurs when light having a high irradiation density (excitation density) is irradiated to the wavelength conversion member.
本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、その目的は、セラミックよりなる波長変換部材と金属よりなる放熱基板との間に剥離が生じることのない高い信頼性を有する光源装置を提供することにある。 The present invention has been made on the basis of the above-described circumstances, and the object thereof is high reliability in which peeling does not occur between a wavelength conversion member made of ceramic and a heat dissipation substrate made of metal. The object is to provide a light source device.
本発明の光源装置は、セラミックよりなる板状の波長変換部材と、金属よりなる放熱基板と、当該波長変換部材と当該放熱基板との間に設けられた金属よりなる接合層とを備えており、当該波長変換部材と当該放熱基板とが当該接合層を介して接合されてなる光源装置において、
前記波長変換部材の厚さをT1〔mm〕、当該波長変換部材の径の最大値をL1〔mm〕、および前記放熱基板の厚さをT2〔mm〕とするとき、下記の関係式(1)を満たすことを特徴とする。
The light source device of the present invention includes a plate-shaped wavelength conversion member made of ceramic, a heat dissipation substrate made of metal, and a bonding layer made of metal provided between the wavelength conversion member and the heat dissipation substrate. In the light source device in which the wavelength conversion member and the heat dissipation substrate are bonded via the bonding layer,
When the thickness of the wavelength conversion member is T1 [mm], the maximum diameter of the wavelength conversion member is L1 [mm], and the thickness of the heat dissipation substrate is T2 [mm], the following relational expression (1 ) Is satisfied.
関係式(1) (T1)×(L1)×(T2)≦1.30 Relational expression (1) (T1) × (L1) × (T2) ≦ 1.30
本発明の光源装置においては、前記波長変換部材が励起光によって蛍光を発するものであり、
前記波長変換部材に対する励起光の照射密度が2W/mm2 以上であることが好ましい。
In the light source device of the present invention, the wavelength conversion member emits fluorescence by excitation light,
It is preferable that the irradiation density of the excitation light with respect to the wavelength conversion member is 2 W / mm 2 or more.
本発明の光源装置においては、前記波長変換部材は、蛍光体およびセラミックバインダーを含有するものであることが好ましい。 In the light source device of the present invention, the wavelength conversion member preferably contains a phosphor and a ceramic binder.
本発明の光源装置においては、セラミックよりなる波長変換部材および金属よりなる放熱基板が、当該波長変換部材の厚さおよび径の最大値と、当該放熱基板の厚さとに関して、特定の関係を満たすものとされている。そのため、波長変換部材と放熱基板とが金属よりなる接合層を介して接合されたものであっても、波長変換部材と放熱基板との間において剥離が生じることがない。従って、波長変換部材に対して高い照射密度の光が照射された場合であっても、波長変換部材において、放熱基板との剥離箇所にて局所的に急激な温度上昇が生じることに起因する破損が生じることがない。その結果、高い信頼性が得られる。 In the light source device of the present invention, the wavelength conversion member made of ceramic and the heat dissipation substrate made of metal satisfy a specific relationship with respect to the maximum thickness and diameter of the wavelength conversion member and the thickness of the heat dissipation substrate. It is said that. Therefore, even if the wavelength conversion member and the heat dissipation substrate are bonded via a bonding layer made of a metal, peeling does not occur between the wavelength conversion member and the heat dissipation substrate. Therefore, even when light having a high irradiation density is irradiated to the wavelength conversion member, the wavelength conversion member is damaged due to a local rapid increase in temperature at the peeling site from the heat dissipation substrate. Will not occur. As a result, high reliability can be obtained.
以下、本発明の光源装置の実施の形態について説明する。
図1は、本発明の光源装置の構成の一例の概略を示す説明図であり、図2は、図1の光源装置を構成する蛍光発光部材の表面を示す説明用図である。
この光源装置10は、図1に示すように、2つの励起光源11,11と、当該2つの励起光源11,11からの励起光によって蛍光を出射する波長変換部材21を有する蛍光発光部材20とを備え、これらが互いに離間して配設された蛍光光源装置である。
この図の例において、蛍光発光部材20は、波長変換部材21の表面(図1における上面)が、2つの励起光源11,11に対向するよう、当該2つの励起光源11,11の光軸の各々に対して傾斜した姿勢で配置されている。そして、2つの励起光源11,11は、蛍光発光部材20の配置位置を含む、波長変換部材21の表面に垂直な平面を対称面として、互いに対象の位置に配置されている。
Hereinafter, embodiments of the light source device of the present invention will be described.
FIG. 1 is an explanatory diagram showing an outline of an example of the configuration of the light source device of the present invention, and FIG. 2 is an explanatory diagram showing the surface of a fluorescent light emitting member constituting the light source device of FIG.
As shown in FIG. 1, the
In the example of this figure, the fluorescent
蛍光発光部材20は、四角形板状の放熱基板22の表面(図1における上面)に、四角形板状の波長変換部材21の裏面(図1における下面)が、当該放熱基板22の表面に対向した状態で配置されて接合されたものである。そして、放熱基板22と波長変換部材21との間には、四角形板状の接合層26が形成されている。すなわち、波長変換部材21と放熱基板22とは、接合層26を介して接合されている。
また、蛍光発光部材20は、波長変換部材21の表面が、2つの励起光源11,11に対向するように配置されている。
この蛍光発光部材20において、波長変換部材21の表面は、励起光入射面とされていると共に蛍光出射面とされている。すなわち、波長変換部材21は、励起光入射面と蛍光出射面とが同一面上に形成された反射型の波長変換部材である。この波長変換部材21からの放射光は、蛍光と共に励起光を含むものである。
この図の例において、波長変換部材21は、正方形平板状のものである。また、接合層26は、波長変換部材21と略同一の径(具体的には、縦横寸法)を有する正方形平板状のものである。また、放熱基板22は、矩形平板状のものである。
また、図1には、励起光源11,11の光軸が破線によって示されている。
The fluorescent
The fluorescent
In this fluorescent
In the example of this figure, the
In FIG. 1, the optical axes of the
また、蛍光発光部材20においては、図1に示されているように、波長変換部材21の裏面(図1における下面)に、銀(Ag)膜よりなる反射膜31が、当該裏面に沿って延びるように設けられている。反射膜31の厚みは、例えば90〜200nmである。このように、波長変換部材21は、銀よりなる反射膜31が設けられることにより、裏面に反射機能を有する反射型の波長変換部材とされている。
この図の例において、反射膜31は、波長変換部材21の裏面全面を覆うように設けられている。
Further, in the fluorescent
In the example of this figure, the
そして、光源装置10は、波長変換部材21の厚さをT1〔mm〕、当該波長変換部材21の径の最大値をL1〔mm〕、および放熱基板22の厚さをT2〔mm〕とするとき、下記の関係式(1)を満たすものである。
ここに、本発明において、「波長変換部材の径の最大値L1」とは、波長変換部材の表面おける面内方向の最大径を示す。具体的には、例えば、波長変換部材が、四角形板状のものである場合には対角線の長さを示し、円形板状のものである場合には直径を示し、また楕円板状のものである場合には長軸の長さ(長径)を示す。
この図の例において、波長変換部材21の径の最大値L1は、波長変換部材21が正方形平板状であることから、対角線の長さを示す。
In the
Here, in the present invention, the “maximum value L1 of the diameter of the wavelength conversion member” indicates the maximum diameter in the in-plane direction on the surface of the wavelength conversion member. Specifically, for example, when the wavelength converting member is a quadrangular plate, the length of the diagonal line is indicated, when the wavelength converting member is a circular plate, the diameter is indicated, and the wavelength converting member is an elliptical plate. In some cases, the length of the major axis (major axis) is indicated.
In the example of this figure, the maximum value L1 of the diameter of the
関係式(1) (T1)×(L1)×(T2)≦1.30 Relational expression (1) (T1) × (L1) × (T2) ≦ 1.30
波長変換部材21と放熱基板22とが上記の関係式(1)を満たすものであることにより、後述の実験例から明らかなように、蛍光発光部材20において、波長変換部材21と放熱基板22との間に剥離が生じることがない。
Since the
波長変換部材21の厚さT1は、0.05mm以上であることが好ましい。
波長変換部材21の厚さT1が過小である場合には、ハンドリングが難しくなることから十分な取扱容易性が得られなくなり、よって蛍光発光部材20の製造工程において破損等が生じるおそれがある。
また、波長変換部材21の厚さT1は、排熱性の観点から、2.0mm以下であることが更に好ましい。
The thickness T1 of the
When the thickness T1 of the
Further, the thickness T1 of the
また、波長変換部材21の径の最大値L1は、0.5mm以上であることが好ましい。
波長変換部材21の径の最大値L1が過小である場合には、当該波長変換部材21の表面の面積が極めて小さくなることから、当該表面(励起光入射面)に対して励起光を入射させることが困難となるおそれがある。
Moreover, it is preferable that the maximum value L1 of the diameter of the
When the maximum value L1 of the diameter of the
放熱基板22の厚さT2は、0.5mm以上であることが好ましく、更に好ましくは0.5〜5.0mmである。
放熱基板22の厚さT2が過小である場合には、波長変換部材21から受熱した熱が、厚み方向に比して、面内方向(具体的には、波長変換部材21の表面と平行な方向、すなわち厚み方向に垂直な方向)には拡散しにくいことから、十分な放熱性能が得られなくなるおそれがある。
The thickness T2 of the
When the thickness T2 of the
波長変換部材21は、蛍光体およびセラミックバインダーを含有する蛍光部材よりなるものである。
この波長変換部材21を構成する蛍光部材は、励起光によって励起されて蛍光を放射する蛍光体と、セラミックバインダーとを含有するセラミック板状体、具体的には、蛍光体とセラミックバインダーとの混合物を焼結することによって得られたセラミック板状体である。
The
The fluorescent member constituting the
波長変換部材21が蛍光体とセラミックバインダーとを含有するものであることによれば、波長変換部材21の内部において、励起光の進行方向が、蛍光体とセラミックバインダーとの界面にて変更されることから、励起光が蛍光体に吸収される確率が高くなる。その結果、波長変換部材21の内部に入射した励起光を有効に利用して、高い効率で蛍光に変換することができる。また、蛍光体とセラミックバインダーとの界面においては、蛍光の進行方向も変更されることから、蛍光が波長変換部材21の内部に閉じ込められることが抑制される。その結果、蛍光発光部材20においては、波長変換部材21の内部において生じた蛍光を有効に利用して、高い効率で外部に出射することができる。
また、波長変換部材21がセラミックバインダーを含有するものであることによれば、有機バインダーを含有するものに比して、熱伝導率に優れたものとなる。
According to the fact that the
Moreover, according to the
波長変換部材21において、蛍光体としては、多結晶の無機蛍光体が用いられる。
波長変換部材21を構成する蛍光体が多結晶の無機蛍光体であることにより、波長変換部材21が高い熱伝導性を有するものとなる。そのため、波長変換部材21においては励起光の照射によって発生した熱が効率よく排熱されることから、波長変換部材21が高温となることが抑制される。その結果、波長変換部材21においては、蛍光体において温度消光が生じることに起因する蛍光光量の低減を抑制することができる。
ここに、波長変換部材21を構成する多結晶の無機蛍光体は、例えば以下のようにして得ることができる。先ず、母材、賦活材、無機化合物(具体的には、例えば酸化アルミニウム(Al2 O3 ))および焼成助剤などの原材料をボールミルなどによって粉砕処理することによって、サブミクロン以下の原材料微粒子を得る。次いで、この原材料微粒子を用い、例えばスリップキャスト法によって成形体を形成して焼結する。その後、得られた焼結体に対して熱間等方圧加圧加工を施すことによって、気孔率が例えば0.5%以下の多結晶の蛍光体が得られる。
In the
Since the phosphor constituting the
Here, the polycrystalline inorganic phosphor constituting the
波長変換部材21において、セラミックバインダーとしては、排熱性(熱伝導性)および蛍光体との親和性(密着性)などの観点から、酸化アルミニウム(Al2 O3 )などが用いられる。
また、波長変換部材21において、セラミックバインダーの含有割合は、25〜75体積%であることが好ましい。
In the
Moreover, in the
このような構成の波長変換部材21は、例えば、適宜の粒径を有する蛍光体の粒子と、酸化アルミニウム(Al2 O3 )の粒子とを混合し、その混合物をプレスした後、焼成することによって製造することができる。酸化アルミニウムの粒子としては、ナノサイズのものが用いられる。
The
波長変換部材21の材質の具体例としては、Al2 O3 /YAG:Ce、Al2 O3 /YAG:Pr、Al2 O3 /YAG:Sm、Al2 O3 /LuAG:Ceなどが挙げられる。このような波長変換部材21の蛍光体において、希土類元素(賦活材)のドープ量は、0.5mol%程度である。
Specific examples of the material of the
接合層26を構成する接合材としては、排熱性および低応力性の観点から、スズを含有する半田を使用することが好ましい。
接合材として用いられるスズを含有する半田の具体例としては、例えば金スズ合金(AuSn,スズ(Sn)の含有割合20質量%)およびスズ−銀−銅合金(Sn−3Ag−0.5Cu(銀(Ag)の含有割合3質量%、銅(Cu)の含有割合0.5質量%、スズ(Sn)の含有割合96.5質量%))などが挙げられる。具体的に説明すると、接合材として金スズ合金を用いた場合には、熱伝導率が高いことから、接合材としてスズ−銀−銅合金を用いた場合に比して、励起光の励起パワーが同一であっても、波長変換部材21の温度を20deg程低くすることができる。
また、接合層26の厚みは、例えば30μmである。
この図の例において、接合材による波長変換部材21と放熱基板22との接合方法としては、例えばリフロー炉を用い、フラックスフリー半田シート(接合材シート)を、波長変換部材21(具体的には、裏面に反射膜31が配設された波長変換部材21)と放熱基板22との間に挟み、蟻酸ガスまたは水素ガスの雰囲気中において加熱を行うリフロー方式が用いられている。このように、蟻酸または水素の還元力を利用してフラックスフリー半田シートの表面酸化膜を除去してリフローを行う接合方法によれば、形成される接合層26にボイドが生じることがなく、良好な熱伝導性が得られる。
As the bonding material constituting the
Specific examples of the solder containing tin used as the bonding material include, for example, a gold-tin alloy (AuSn, content ratio of tin (Sn) 20 mass%) and a tin-silver-copper alloy (Sn-3Ag-0.5Cu ( Silver (Ag) content ratio 3 mass%, copper (Cu) content ratio 0.5 mass%, tin (Sn) content ratio 96.5 mass%)). Specifically, when a gold-tin alloy is used as the bonding material, the thermal conductivity is high, so that the excitation power of the excitation light is higher than when a tin-silver-copper alloy is used as the bonding material. However, the temperature of the
The thickness of the
In the example of this figure, as a method of joining the
放熱基板22を構成する金属としては、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、モリブデンと銅との合金(Mo−Cu)、および銅とタングステンとの合金(Cu−W)などの高熱伝導性金属が用いられる。
Examples of the metal constituting the
放熱基板22において、当該放熱基板22の表面の面積は、排熱性などの観点から、波長変換部材21の裏面の面積よりも大きいことが好ましい。
また、放熱基板22は、放熱フィンの機能を兼ね備えたものであってもよい。
この図の例において、放熱基板22は、波長変換部材21および接合層26の径(具体的には、縦横寸法)よりも大きな径(具体的には、縦横寸法)のものである。また、放熱基板22においては、当該放熱基板22の表面の中央部に、波長変換部材21(具体的には、裏面に反射膜31が配設された波長変換部材21)が配設されている。
In the
Further, the
In the example of this figure, the
励起光源11,11としては、波長変換部材21を構成する蛍光体を励起することのできる光を放射することのできるものであればよく、よって波長変換部材を構成する蛍光体の種類などに応じて適宜の波長の光を放射するものが用いられる。具体的には、例えば波長405〜465nmの光を放射するものが用いられる。
図の例において、複数の励起光源11,11は、各々、レーザダイオード(LD)よりなるものである。
The
In the example of the figure, the plurality of
また、光源装置10においては、波長変換部材21に対する励起光の照射密度(励起密度)が2W/mm2 以上であることが好ましい。すなわち、励起光源11,11としては、レーザダイオード(LD)を好適に用いることができる。
波長変換部材21に対する励起光の照射密度を2W/mm2 以上とすることにより、光源装置10の高出力化を図ることができる。
具体的に説明すると、光源装置10においては、波長変換部材21と放熱基板22との間に剥離が生じないことから、波長変換部材21における励起光入射領域の全域において、放熱基板22への熱の伝達が行われるため、当該励起光入射領域の一部が局所的に高温となることがない。そのため、励起光の励起パワーを大きくする、具体的には波長変換部材21に対する励起光の照射密度を2W/mm2 以上とすることによって、高出力化を図ることができる。
Moreover, in the
By setting the irradiation density of the excitation light to the
More specifically, in the
このような構成の光源装置10においては、励起光源11,11から出射された励起光は、蛍光発光部材20における波長変換部材21の表面(励起光入射面)に照射され、当該波長変換部材21に入射する。そして、波長変換部材21においては、当該波長変換部材21を構成する蛍光体が励起される。これにより、波長変換部材21において蛍光体から蛍光が放射される。この蛍光は、蛍光体に吸収されずに波長変換部材21の裏面において反射層31によって反射された励起光と共に波長変換部材21の表面(蛍光出射面)から外部に出射され、光源装置10の外部に出射される。
In the
而して、光源装置10においては、セラミックよりなる波長変換部材21および金属よりなる放熱基板22として、上記の関係式(1)を満たすものが用いられている。そのため、波長変換部材21と放熱基板22とが、高温の接合温度が必要とされる、金属よりなる接合層26によって接合されたものであっても、波長変換部材21と放熱基板22との間において剥離が生じることがない。具体的には、蛍光発光部材20において、反射膜31と放熱基板22との間に剥離が生じることがない。すなわち、波長変換部材22と反射膜31との積層体が、放熱基板22から剥離することがない。
従って、光源装置10においては、波長変換部材21に対して、高い照射密度の励起光が照射された場合であっても、波長変換部材21において、放熱基板22との剥離箇所にて局所的に急激な温度上昇が生じることに起因する破損、具体的には急激な蛍光発光能力の低下が生じることがない。その結果、高い信頼性が得られる。
Thus, in the
Therefore, in the
この光源装置10においては、波長変換部材21、放熱基板22および接合層26の材質を、その部材において必要とされる特性に基づいて適宜のもの、具体的には適宜の材質のものとすることができることから、蛍光発光部材20に大きな設計の自由度が得られる。
In the
また、光源装置10においては、波長変換部材21と放熱基板22との間の剥離に起因する波長変換部材21の破損が生じる、という弊害を伴うことなく、励起光源11,11としてレーザダイオード(LD)を用い、波長変換部材21に対して2W/mm2 以上の高い照射密度の励起光を照射することができるため、高出力化を図ることができる。
Further, in the
また、光源装置10においては、波長変換部材21が蛍光体およびセラミックバインダーを含有するものであることから、波長変換部材21の内部に入射した励起光を有効に利用して、高い効率で蛍光に変換することができると共に、当該波長変換部材21の内部において生じた蛍光を有効に利用して、高い効率で外部に出射することができる。
In the
以上において、本発明の光源装置を具体的な例を用いて説明したが、本発明の光源装置はこれに限定されるものではない。
例えば、波長変換部材は、表面に、複数の凸部が周期的に配列されてなる周期構造が形成されたものであってもよい。ここに、波長変換部材板の表面の周期構造は、例えば略錐形状(具体的には、錐状または錐台状)の凸部が密集した状態で二次元周期的に配列されてなるものである。また、波長変換部材が表面に周期構造を有するものである場合には、その波長変換部材は、製造容易性の観点から、蛍光体およびセラミックバインダーを含有する蛍光部材と、励起光および蛍光に対する光透過性を有する周期構造体層とからなるものであってもよい。
The light source device of the present invention has been described above using a specific example, but the light source device of the present invention is not limited to this.
For example, the wavelength conversion member may have a periodic structure in which a plurality of convex portions are periodically arranged on the surface. Here, the periodic structure on the surface of the wavelength conversion member plate is, for example, a two-dimensional periodic array in which convex portions having a substantially cone shape (specifically, a cone shape or a frustum shape) are densely packed. is there. In addition, when the wavelength conversion member has a periodic structure on the surface, the wavelength conversion member includes a fluorescent member containing a phosphor and a ceramic binder, excitation light, and light for fluorescence from the viewpoint of ease of manufacture. It may consist of a periodic structure layer having transparency.
また、波長変換部材は、少なくとも励起光を拡散する光散乱体を含有し、励起光を拡散する光拡散機能を有するものであってもよい。ここに、波長変換部材は、光散乱体が励起光と蛍光とを拡散するものである場合には、励起光および蛍光を拡散する光拡散機能を有するものとなる。
このような構成の波長変換部材において、光散乱体は、波長変換部材を構成する蛍光体およびセラミックバインダーとは異なる屈折率を有する微小粒子または粒界析出相によって構成されるものである。ここに、光散乱体を構成する微小粒子としては、例えばイットリア、窒化ケイ素、窒化アルミニウムおよびフッ化ストロンチウムなどの無機化合物よりなるものが挙げられる。
The wavelength conversion member may contain at least a light scatterer that diffuses excitation light and has a light diffusion function of diffusing excitation light. Here, when the light scatterer diffuses the excitation light and the fluorescence, the wavelength conversion member has a light diffusion function of diffusing the excitation light and the fluorescence.
In the wavelength conversion member having such a configuration, the light scatterer is constituted by fine particles or grain boundary precipitation phases having a refractive index different from that of the phosphor and the ceramic binder constituting the wavelength conversion member. Examples of the fine particles constituting the light scatterer include those made of inorganic compounds such as yttria, silicon nitride, aluminum nitride, and strontium fluoride.
また、光源装置全体の構造は、図1に示すものに限定されず、種々の構成を採用することができる。
例えば、図1に係る光源装置では、複数の励起光源の光を直接的に蛍光発光部材に入射させているが、光源装置は、複数の励起光源と蛍光発光部材との間に集光レンズを配置し、集光光を蛍光発光部材に照射する形態のものであってもよく、また励起光として、1つの励起光源の光を用いる形態のものであってもよい。また、励起光はレーザダイオードによる光に限るものではなく、波長変換部材において蛍光を発光させることができるものであれば、LEDによる光を集光したものでもよく、更には、水銀、キセノン等が封入されたランプからの光であってもよい。尚、ランプやLEDのように放射波長に幅を持つ光源を利用した場合には、励起光の波長は主たる放射波長の領域である。ただし、本発明においては、これに限定されるものではない。
Moreover, the structure of the whole light source device is not limited to what is shown in FIG. 1, A various structure is employable.
For example, in the light source device according to FIG. 1, light from a plurality of excitation light sources is directly incident on the fluorescent light emitting member, but the light source device has a condenser lens between the plurality of excitation light sources and the fluorescent light emitting member. It may be arranged to irradiate the fluorescent light emitting member with condensed light, or it may be a form using light from one excitation light source as excitation light. In addition, the excitation light is not limited to the light from the laser diode, but may be the one that collects the light from the LED as long as it can emit fluorescence in the wavelength conversion member, and further, mercury, xenon, etc. Light from an enclosed lamp may be used. When a light source having a width in the emission wavelength such as a lamp or LED is used, the wavelength of the excitation light is the main emission wavelength region. However, the present invention is not limited to this.
更に、波長変換部材は、蛍光体とセラミックバインダーとを含有するものに限定されず、入射された第1の波長域の光を、当該第1の波長域の光とは異なる波長域を有する第2の波長域の光に変換することのできるセラミック製のものであればよい。 Further, the wavelength conversion member is not limited to the one containing the phosphor and the ceramic binder, and the incident light having the first wavelength range is different from the light having the first wavelength range. Any ceramic material can be used as long as it can be converted into light having a wavelength range of 2.
以下、本発明の実験例について説明する。 Hereinafter, experimental examples of the present invention will be described.
〔実験例1〕
波長変換部材として、蛍光部材(Al2 O3 :YAG=50体積%:50体積%)よりなり、対角線の長さ(径の最大値L1)が0.5mm、2.5mmまたは5.0mmであって、厚さ(T1)が0.05mm、0.13mmまたは0.3mmの正方形状のセラミック製平板を、各々、複数用意した。
また、放熱基板として、銅よりなり、波長変換部材の縦横寸法よりも大きな縦横寸法を有する、厚さ(T2)が0.5mm、2.0mmまたは3.0mmの四角形状の金属製平板を、各々、複数用意した。
更に、接合材として、金スズ合金(AuSu)よりなるフラックスフリー半田シートを用意した。
そして、下記の表1〜表3に従って波長変換部材と放熱基板とを組み合わせて用い、それらを接合材によって接合することにより、波長変換部材と放熱基板とが厚さ30μmの接合層(半田層)によって接合されてなる蛍光発光部材を作製した。波長変換部材と放熱基板との接合は、リフロー炉を用い、波長変換部材と放熱基板との間にフラックスフリー半田シートを介在させた積重体を、設定温度320℃の条件で加熱処理することにより行った。この加熱処理中において、結合材の溶融開始温度は280℃であった。
得られた複数の蛍光発光部材の各々について、波長変換部材の表面に対して、当該表面における励起光の照射密度が2W/mm2 となる条件によって励起光を照射することにより、波長変換部材と放熱基板との間の剥離に起因する破損発生の有無を確認した。ここに、破損発生の有無は、蛍光発光部材(波長変換部材)における急激な蛍光発光能力の低下(波長変換部材の表面から励起光のみが出射される状態)の有無によって判断した。なお、蛍光発光部材(波長変換部材)における蛍光発光能力の低下は、波長変換部材と放熱基板との間に剥離が生じている場合においては、励起光の照射によって波長変換部材における剥離箇所の温度が1000℃程度の高温となることに起因して、瞬時に生じる。結果を下記の表1〜表3に示す。表1〜表3においては、波長変換部材に破損が発生しなかった場合を「○」、波長変換部材に破損が発生した場合を「×」によって示している。また、同表においては、(T1)×(L1)×(T2)の値を括弧内に示した。
[Experimental Example 1]
The wavelength conversion member is made of a fluorescent member (Al 2 O 3 : YAG = 50% by volume: 50% by volume), and the diagonal length (diameter maximum value L1) is 0.5 mm, 2.5 mm or 5.0 mm. A plurality of square ceramic flat plates each having a thickness (T1) of 0.05 mm, 0.13 mm, or 0.3 mm were prepared.
In addition, a rectangular metal flat plate having a thickness (T2) of 0.5 mm, 2.0 mm or 3.0 mm made of copper and having a vertical and horizontal dimension larger than the vertical and horizontal dimensions of the wavelength conversion member as the heat dissipation substrate, A plurality of each was prepared.
Furthermore, a flux-free solder sheet made of a gold-tin alloy (AuSu) was prepared as a bonding material.
Then, the wavelength conversion member and the heat dissipation substrate are used in combination according to the following Tables 1 to 3, and are bonded by a bonding material, whereby the wavelength conversion member and the heat dissipation substrate are bonded to each other with a thickness of 30 μm (solder layer). A fluorescent light-emitting member formed by bonding was produced. The wavelength conversion member and the heat radiating substrate are joined by using a reflow furnace, and heat-treating a stack with a flux-free solder sheet interposed between the wavelength conversion member and the heat radiating substrate at a set temperature of 320 ° C. went. During this heat treatment, the melting start temperature of the binder was 280 ° C.
For each of the obtained plurality of fluorescent light emitting members, the surface of the wavelength conversion member is irradiated with excitation light under the condition that the irradiation density of the excitation light on the surface is 2 W / mm 2 , The presence or absence of breakage due to peeling with the heat dissipation substrate was confirmed. Here, the presence or absence of the occurrence of breakage was determined by the presence or absence of a rapid decrease in the fluorescence emission ability of the fluorescence emission member (wavelength conversion member) (a state in which only excitation light was emitted from the surface of the wavelength conversion member). In addition, the fall of the fluorescence emission capability in a fluorescence light emission member (wavelength conversion member) is the temperature of the peeling location in a wavelength conversion member by irradiation of excitation light, when peeling has arisen between the wavelength conversion member and a heat radiating substrate. Occurs instantaneously due to the high temperature of about 1000 ° C. The results are shown in Tables 1 to 3 below. In Tables 1 to 3, the case where the wavelength conversion member is not damaged is indicated by “◯”, and the case where the wavelength conversion member is damaged is indicated by “x”. In the table, the value of (T1) × (L1) × (T2) is shown in parentheses.
以上の実験例1の結果から、セラミックよりなる波長変換部材と金属よりなる放熱基板とが金属よりなる接合層を介して接合された蛍光発光部材が、上記の関係式(1)を満たすものであることにより、当該波長変換部材と当該放熱基板との間に剥離が生じないことが確認された。
また、上記の関係式(1)を満たす蛍光発光部材においては、波長変換部材の表面に対して、当該表面における励起光の照射密度が2W/mm2 となる条件によって励起光を照射した場合であっても、当該波長変換部材に破損が生じないことが確認された。
From the results of Experimental Example 1 described above, the fluorescent light-emitting member in which the wavelength conversion member made of ceramic and the heat dissipation substrate made of metal are bonded via the bonding layer made of metal satisfies the above relational expression (1). It was confirmed that there was no separation between the wavelength conversion member and the heat dissipation substrate.
Further, in the fluorescent light emitting member satisfying the relational expression (1), the surface of the wavelength conversion member is irradiated with excitation light under the condition that the irradiation density of excitation light on the surface is 2 W / mm 2. Even if it exists, it was confirmed that the said wavelength conversion member does not break.
10 光源装置
11 励起光源
20 蛍光発光部材
21 波長変換部材
22 放熱基板
26 接合層
31 反射膜
DESCRIPTION OF
Claims (3)
前記波長変換部材の厚さをT1〔mm〕、当該波長変換部材の径の最大値をL1〔mm〕、および前記放熱基板の厚さをT2〔mm〕とするとき、下記の関係式(1)を満たすことを特徴とする光源装置。
関係式(1) (T1)×(L1)×(T2)≦1.30 A plate-shaped wavelength conversion member made of ceramic, a heat dissipation substrate made of metal, and a bonding layer made of metal provided between the wavelength conversion member and the heat dissipation substrate, the wavelength conversion member and the In the light source device in which the heat dissipation substrate is bonded via the bonding layer,
When the thickness of the wavelength conversion member is T1 [mm], the maximum diameter of the wavelength conversion member is L1 [mm], and the thickness of the heat dissipation substrate is T2 [mm], the following relational expression (1 ) Satisfying the above).
Relational expression (1) (T1) × (L1) × (T2) ≦ 1.30
前記波長変換部材に対する励起光の照射密度が2W/mm2 以上であることを特徴とする請求項1に記載の光源装置。 The wavelength conversion member emits fluorescence by excitation light,
2. The light source device according to claim 1, wherein an irradiation density of excitation light to the wavelength conversion member is 2 W / mm 2 or more.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015203500A JP2017076534A (en) | 2015-10-15 | 2015-10-15 | Light source device |
PCT/JP2016/076441 WO2017064951A1 (en) | 2015-10-15 | 2016-09-08 | Light source device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015203500A JP2017076534A (en) | 2015-10-15 | 2015-10-15 | Light source device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017076534A true JP2017076534A (en) | 2017-04-20 |
Family
ID=58517426
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015203500A Pending JP2017076534A (en) | 2015-10-15 | 2015-10-15 | Light source device |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2017076534A (en) |
WO (1) | WO2017064951A1 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11131433B2 (en) | 2018-08-20 | 2021-09-28 | Nichia Corporation | Fluorescent module and illumination device |
US11870019B2 (en) | 2020-02-28 | 2024-01-09 | Nichia Corporation | Wavelength-converting member and light emitting device |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109424860B (en) | 2017-08-31 | 2023-05-02 | 日亚化学工业株式会社 | Fluorescent member, optical component, and light-emitting device |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6111960B2 (en) * | 2013-09-30 | 2017-04-12 | ウシオ電機株式会社 | Fluorescent light source device |
JP2015179599A (en) * | 2014-03-19 | 2015-10-08 | ウシオ電機株式会社 | fluorescent light source device |
-
2015
- 2015-10-15 JP JP2015203500A patent/JP2017076534A/en active Pending
-
2016
- 2016-09-08 WO PCT/JP2016/076441 patent/WO2017064951A1/en active Application Filing
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11131433B2 (en) | 2018-08-20 | 2021-09-28 | Nichia Corporation | Fluorescent module and illumination device |
US11585494B2 (en) | 2018-08-20 | 2023-02-21 | Nichia Corporation | Fluorescent module and illumination device |
US11870019B2 (en) | 2020-02-28 | 2024-01-09 | Nichia Corporation | Wavelength-converting member and light emitting device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2017064951A1 (en) | 2017-04-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6460162B2 (en) | Method for manufacturing wavelength converter | |
JP6094617B2 (en) | Fluorescent light source device | |
JP6164221B2 (en) | Fluorescent light source device | |
JP5530165B2 (en) | Light source device and lighting device | |
JP6020637B1 (en) | Fluorescent light source device | |
JP6075712B2 (en) | Light emitting device | |
JP2012104267A (en) | Light source device and lighting system | |
JP6020631B2 (en) | Fluorescent light source device | |
WO2020015363A1 (en) | Wavelength conversion apparatus | |
JP2013187043A (en) | Light source device and lighting device | |
WO2017064951A1 (en) | Light source device | |
CN108692204B (en) | Fluorescent light source device | |
JP2018107064A (en) | Fluorescent light source device and manufacturing method of the same | |
JP2018113117A (en) | Fluorescent light source device and manufacturing method thereof | |
JP7244297B2 (en) | Optical wavelength conversion parts | |
TW201821389A (en) | Method for producing light wavelength conversion member, light wavelength conversion member, light wavelength conversion component and light emitting device | |
JP2019066699A (en) | Light-emitting element, fluorescent light source device | |
JP2019003090A (en) | Method for manufacturing phosphor element |