JP2017069274A - Manufacturing method and production system for wafer - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 77
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 48
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 47
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 271
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 14
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 14
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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Abstract
Description
本発明は、半導体よりなる加工用ウェハを用意し、この加工用ウェハにおける外表面に対して加工処理を行うようにしたウェハの製造方法、および、そのようなウェハの製造方法を制御する生産システムに関し、特に、加工用ウェハの外表面にマーキングされた認証マークが、加工工程により消えてしまった場合でも加工用ウェハの履歴管理が行えるような製造方法および生産システムに関する。
に関する。
The present invention provides a wafer manufacturing method in which a processing wafer made of a semiconductor is prepared, and processing is performed on the outer surface of the processing wafer, and a production system for controlling such a wafer manufacturing method. In particular, the present invention relates to a manufacturing method and a production system that can perform history management of a processing wafer even when an authentication mark marked on the outer surface of the processing wafer has disappeared due to a processing process.
About.
従来、この種のウェハの製造方法としては、特許文献1に記載のものが提案されている。このものは、加工用ウェハの一方の外表面において認証マークが消えてしまうおそれがあるときには、その認証マークを読み取って当該一方の外表面における他の位置に新たな認証マークを印字するようにしたものである。
Conventionally, a method described in
しかしながら、加工用ウェハの外表面に施される研磨や他のウェハ貼り付け等の加工工程によって、元々の加工用ウェハの外表面にマーキングされていた認証マークが消えてしまったときは、当該加工工程後の加工用ウェハの履歴が不明となってしまう。 However, if the certification mark that was originally marked on the outer surface of the processing wafer disappears due to polishing or other wafer pasting applied to the outer surface of the processing wafer, the processing The history of the processing wafer after the process becomes unknown.
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、加工用ウェハの一方の外表面において認証マークが加工工程により消えてしまっても、加工用ウェハの初期にさかのぼって認証マークを確認し、履歴が確認できるようなウェハの製造方法およびそれを制御する生産システムを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and even if the authentication mark disappears due to a processing step on one outer surface of the processing wafer, the authentication mark is traced back to the initial stage of the processing wafer, It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a wafer in which a history can be confirmed and a production system for controlling the same.
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、表裏の外表面(11、12)にそれぞれ、識別用の認証マーク(M1、M2)がマーキングされた半導体よりなる加工用ウェハ(10)を用意し、当該用意された加工用ウェハにおける表裏の外表面の両認証マークを記憶手段(200)に記憶させる用意工程と、
その後、加工用ウェハにおける外表面に対して加工処理を行う加工工程と、を有するウェハの製造方法であって、
加工工程後の加工用ウェハにおける表裏の外表面のうち、どちらか一方の外表面(11)の認証マーク(M1)が消えたときに、記憶手段によって、他方の外表面(12)に残っている認証マーク(M2)に基づいて、当該消えた認証マークを導き出すマーク導出工程、を備えることを特徴とする。
In order to achieve the above object, in the invention described in
Thereafter, a processing step of performing processing on the outer surface of the processing wafer, and a wafer manufacturing method comprising:
When the authentication mark (M1) on one of the outer surfaces (11) of the front and back outer surfaces of the processing wafer after the processing step disappears, it remains on the other outer surface (12) by the storage means. A mark deriving step of deriving the disappeared authentication mark based on the authentication mark (M2).
それによれば、用意された加工用ウェハの両外表面にそれぞれ認証マークをマーキングし、この両外表面の認証マークを組として、記憶手段で記憶しているので、加工工程により、どちらか一方の外表面における認証マークが消えてしまったとしても、他方の外表面に残っている認証マークにより、当該消えた認証マークを導き出すことで、加工用ウェハの初期状態まで履歴を遡ることができ、加工用ウェハについて初期から加工終了までの管理を行うことができる。 According to this, the authentication marks are marked on both outer surfaces of the prepared processing wafers, and the authentication marks on both outer surfaces are stored as a set in the storage means. Even if the certification mark on the outer surface disappears, the history mark can be traced back to the initial state of the processing wafer by deriving the disappeared certification mark from the certification mark remaining on the other outer surface. The wafer can be managed from the initial stage to the end of processing.
よって、本発明によれば、加工用ウェハの一方の外表面において認証マークが加工工程により消えてしまっても、加工用ウェハの初期にさかのぼって認証マークを確認し、履歴が確認できるようなウェハの製造方法を提供することができる。 Therefore, according to the present invention, even if the certification mark disappears due to the machining process on one outer surface of the processing wafer, the wafer can be confirmed by going back to the initial stage of the processing wafer and confirming the history. The manufacturing method of can be provided.
また、請求項2に記載の発明では、請求項1に記載の製造方法において、加工工程後の加工用ウェハにおける認証マークが消えた一方の外表面に、マーク導出工程によって導き出された当該消えた認証マークを、再マーキングする再マーキング工程を備えることを特徴とする。
Further, in the invention according to
それによれば、再マーキングすることで、消えた認証マークを加工用ウェハの外表面に表示することができ、再び加工用ウェハにおける表裏の外表面の両方に、認証マークがマーキングされた状態が復活する。 According to this, by re-marking, the disappeared authentication mark can be displayed on the outer surface of the processing wafer, and the state where the authentication mark is marked on both the front and back outer surfaces of the processing wafer is restored. To do.
そして、その後は、再び、上記請求項1の製造方法と同様に、加工工程、マーク導出工程を繰り返すことにより、加工用ウェハのどちらか一方の外表面において認証マークが加工工程により消えてしまっても、加工用ウェハの初期にさかのぼって履歴を確認することができる。
After that, again, as in the manufacturing method of
請求項5に記載の発明では、表裏の外表面(11、12)にそれぞれ、識別用の認証マーク(M1、M2)がマーキングされた半導体よりなる加工用ウェハ(10)を用意し、その後、加工用ウェハにおける外表面に対して加工処理を行う加工工程を行うようにしたウェハの製造方法を制御する生産システムであって、
加工用ウェハにおける外表面の情報を記憶する記憶手段(200)と、加工用ウェハにおける外表面にマーキングを行うマーキング手段(102)と、を備え、
記憶手段によって、用意された加工用ウェハにおける表裏の外表面の両認証マークを記憶しておき、加工工程後の加工用ウェハにおける表裏の外表面のうち、どちらか一方の外表面(11)の認証マーク(M1)が消えたときに、記憶手段によって、他方の外表面(12)に残っている認証マーク(M2)に基づいて、当該消えた認証マークを導き出すようにしたことを特徴とする。
In the invention according to claim 5, a processing wafer (10) made of a semiconductor having identification authentication marks (M1, M2) marked on the outer surfaces (11, 12) on the front and back sides is prepared, and thereafter A production system for controlling a manufacturing method of a wafer that performs a processing step of performing processing on an outer surface of a processing wafer,
A storage means (200) for storing information on the outer surface of the processing wafer; and a marking means (102) for marking the outer surface of the processing wafer;
Both authentication marks on the front and back outer surfaces of the prepared processing wafer are stored by the storage means, and one of the outer surfaces (11) of the front and back outer surfaces of the processing wafer after the processing step is stored. When the authentication mark (M1) disappears, the disappeared authentication mark is derived based on the authentication mark (M2) remaining on the other outer surface (12) by the storage means. .
それによれば、用意された加工用ウェハの両外表面にそれぞれ認証マークをマーキングし、この両外表面の認証マークを組として、記憶手段で記憶しているので、加工工程により、どちらか一方の外表面における認証マークが消えてしまったとしても、他方の外表面に残っている認証マークにより、当該消えた認証マークを導き出すことで、加工用ウェハの初期状態まで履歴を遡ることができ、加工用ウェハについて初期から加工終了までの管理を行うことができる。 According to this, the authentication marks are marked on both outer surfaces of the prepared processing wafers, and the authentication marks on both outer surfaces are stored as a set in the storage means. Even if the certification mark on the outer surface disappears, the history mark can be traced back to the initial state of the processing wafer by deriving the disappeared certification mark from the certification mark remaining on the other outer surface. The wafer can be managed from the initial stage to the end of processing.
よって、本発明によれば、加工用ウェハの一方の外表面において認証マークが加工工程により消えてしまっても、加工用ウェハの初期にさかのぼって認証マークを確認し、履歴が確認できるようなウェハの製造方法を制御する生産システムを提供することができる。 Therefore, according to the present invention, even if the certification mark disappears due to the machining process on one outer surface of the processing wafer, the wafer can be confirmed by going back to the initial stage of the processing wafer and confirming the history. A production system for controlling the manufacturing method can be provided.
ここで、請求項5に記載の生産システムにおいても、請求項6に記載の発明のように、加工工程後の加工用ウェハにおける認証マークが消えた一方の外表面に、記憶手段によって導き出された消えた認証マークを、マーキング手段によって再マーキングするようにしてもよい。それによれば、上記請求項2に記載の製造方法と同様の効果を奏する生産システムが提供できる。 Here, also in the production system according to claim 5, as in the invention according to claim 6, the authentication mark on the processing wafer after the processing step is derived by the storage means on one outer surface where the authentication mark disappeared. The deleted authentication mark may be re-marked by the marking means. According to this, it is possible to provide a production system that exhibits the same effects as the manufacturing method according to the second aspect.
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。 In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each means described in the claim and this column is an example which shows a corresponding relationship with the specific means as described in embodiment mentioned later.
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。また、図3〜図6において、各認証マークM1〜M3は、白丸にて模式的に示してある。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, parts that are the same or equivalent to each other are given the same reference numerals in the drawings in order to simplify the description. Moreover, in FIGS. 3-6, each authentication mark M1-M3 is typically shown by the white circle.
(第1実施形態)
本発明の第1実施形態にかかる生産システムについて、図1を参照して述べる。図1において、加工用ウェハ10は、表裏の外表面11、12の一方を一方の外表面11、他方を他方の外表面12とするシリコン等の半導体よりなるものである。
(First embodiment)
The production system according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In FIG. 1, a
ここでは、後述の図3に示されるように、加工用ウェハ10は、単層ウェハ1よりなるもので、単層ウェハ1における一方の外表面が加工用ウェハの一方の外表面11に相当し、単層ウェハ1における他方の外表面が加工用ウェハの他方の外表面12に相当するものである。
Here, as shown in FIG. 3 described later, the
制御手段100は、加工用ウェハ10の外表面11、12の情報を読み取る読み取り手段101と、加工用ウェハ10における外表面11、12にマーキングを行うマーキング手段102と、これら各手段101、102を制御する図示しないコンピュータ等よりなる制御部と、を備える。ここで、読み取り手段101は、CCD等を有するものであり、マーキング手段102は、レーザ等により刻印を行うものである。
The
記憶手段200は、加工の初期から加工後までの加工用ウェハ10における外表面11、12の情報(具体的には、後述する認証マークやそのマーキング面等)を記憶するもので、コンピュータサーバ等よりなる。これら情報は、主として読み取り手段101から記憶手段200へ送られる。
The storage means 200 stores information on the
また、記憶手段200は、その他、後述するロット投入時の情報を記憶したり、記憶された情報等に基づいて読み取り手段101およびマーキング手段102への指示を行ったりする。さらには、記憶手段200は、制御手段100で行われた各種動作やそれに伴う各種情報の履歴を記憶するようにもなっている。
In addition, the
次に、図2、図3を参照して、上記生産システムによる本実施形態のウェハの製造方法について述べる。 Next, with reference to FIG. 2 and FIG. 3, the wafer manufacturing method of this embodiment by the production system will be described.
[図3(a)の工程:ロット投入工程]
原石ロットは生産する製品に応じて、生産システムにてロット投入処理を行う。このロット投入により、システム上、ロットIDが生成され、このロットIDは記憶手段200に記憶される。1個のロットは複数個の単層ウェハ1の集合体よりなるが、ロットIDとは、この集合体を識別する固有の記号または番号である。
[Process of FIG. 3 (a): Lot input process]
The rough lot is processed by the production system according to the product to be produced. As a result of the lot input, a lot ID is generated on the system, and the lot ID is stored in the storage means 200. One lot is made up of an assembly of a plurality of single-
[図3(b)、図2の工程:第1認証マークのマーキング工程]
そして、加工用ウェハ10の一方の外表面11に第1認証マークM1をマーキングする。具体的には、記憶手段200から制御手段100へ、第1認証マークM1およびそのマーキング面が指示される。すると、マーキング手段102によって、加工用ウェハ10の一方の外表面11に第1認証マークM1がマーキングされる。
[Steps in FIGS. 3B and 2: Marking Step of First Authentication Mark]
Then, the first authentication mark M <b> 1 is marked on one
このとき、加工用ウェハ10において一方の外表面11に第1認証マークM1がマーキングされたことが、読み取り手段101を介して、記憶手段200に記憶される。ここで、第1認証マークM1は、図2に示されるように、加工用ウェハ10の一方の外表面11における周縁部にてオリエンテーションフラットOLと反対側の部位に、マーキングされる。
At this time, the fact that the first authentication mark M1 is marked on one
限定するものではないが、図2では、第1認証マークM1は、「1111」とされている。この場合、たとえば、前2桁の「11」がロットIDを意味し、後2桁の「11」がロット内におけるウェハ毎の識別番号を意味している。 Although not limited, in FIG. 2, the first authentication mark M <b> 1 is “1111”. In this case, for example, the first two digits “11” means the lot ID, and the last two digits “11” means the identification number for each wafer in the lot.
[図3(c)の工程:第2認証マークのマーキング工程]
次に、加工用ウェハ10の他方の外表面12に、第1認証マークM1と同一マーク、たとえば上記第1認証マークM1の例と同様の「1111」を、第2認証マークM2としてマーキングする。
[Step of FIG. 3C: Marking Step of Second Authentication Mark]
Next, on the other
具体的には、記憶手段200から制御手段100へ、第2認証マークM2およびそのマーキング面が指示される。すると、マーキング手段102によって、加工用ウェハ10の他方の外表面12に第2認証マークM2がマーキングされる。このとき、加工用ウェハ10における第2認証マークM2、および、そのマーキング面である他方の外表面12が、記憶手段200に記憶される。
Specifically, the second authentication mark M2 and its marking surface are instructed from the storage means 200 to the control means 100. Then, the second authentication mark M <b> 2 is marked on the other
これら図3(a)〜(c)に示される各工程が、本製造方法における用意工程に相当するものである。つまり、この用意工程によれば、表裏の外表面11、12にそれぞれ、識別用の認証マークM1、M2がマーキングされた加工用ウェハ10が用意される。それとともに、当該用意された加工用ウェハ10における表裏の外表面11、12の両認証マークM1、M2が、記憶手段200に記憶されることになる。
Each of these steps shown in FIGS. 3A to 3C corresponds to a preparation step in the present manufacturing method. That is, according to this preparation process, the
[図3(d)の工程:加工工程およびマーク導出工程]
次に、加工工程として、加工用ウェハ10における外表面11、12に対して加工処理を行う。具体的には、加工工程は、加工用ウェハ10における表裏の外表面11、12のいずれか一方に加工処理を行うことで、当該加工処理された外表面の認証マークが消えるものである。
[Process of FIG. 3D: Machining Process and Mark Deriving Process]
Next, as a processing step, processing is performed on the
たとえば、加工工程としては、加工用ウェハの外表面11、12を研磨する研磨工程などが挙げられる。そして、図3(d)においては、単層ウェハ1よりなる加工用ウェハ10の一方の外表面11に対して加工処理を行うことで第1認証マークM1が消去され、他方の外表面12では第2認証マークM2が残るようになっている。
For example, the processing step includes a polishing step for polishing the
このように、加工工程後の加工用ウェハ10における表裏の外表面11、12のうち、一方の外表面11の第1認証マークM1が消えたときに、本製造方法では、マーク導出工程を行う。
Thus, when the first authentication mark M1 on one
マーク導出工程では、記憶手段200によって、加工用ウェハ10の他方の外表面12に残っている第2認証マークM2に基づいて、消えた第1認証マークM1を導き出す。具体的には、他方の外表面12に残っている第2認証マークM2を記憶手段200に照合して、一方の外表面11にて消えた第1認証マークM1を導き出す。
In the mark derivation step, the first authentication mark M1 that has disappeared is derived by the storage means 200 based on the second authentication mark M2 remaining on the other
[図3(e)の工程:再マーキング工程]
次に、本製造方法では、加工工程後の加工用ウェハ10における第1認証マークM1が消えた一方の外表面11に、上記マーク導出工程によって導き出された第1認証マークM1を、再マーキングする。
[Step of FIG. 3E: Re-marking step]
Next, in the present manufacturing method, the first authentication mark M1 derived by the mark deriving step is re-marked on one
具体的には、記憶手段200から制御手段100へ、導き出された第1認証マークM1とそのマーキング面とが指示される。すると、マーキング手段102により加工用ウェハ10へ再マーキングが行われる。
Specifically, the derived first authentication mark M1 and its marking surface are instructed from the storage means 200 to the control means 100. Then, re-marking is performed on the
なお、この再マーキングにおいては、再マーキング対象である加工用ウェハ10において残っている第2認証マークM2およびその第2認証マークM2が残っている面の情報を、記憶手段200で照合し、この情報をマーキング手段102へ送信することが望ましい。そして、マーキング手段102は、その情報に基づき、これから再マーキングする加工用ウェハ10が正しいものかどうかを判断し、正しければ再マーキングする。
In this re-marking, the second authentication mark M2 remaining on the
ところで、本実施形態の製造方法および生産システムによれば、用意された加工用ウェハ10の両外表面11、12にそれぞれ認証マークM1、M2をマーキングし、この両外表面11、12の認証マークM1、M2を組として、記憶手段200で記憶するようにしている。
By the way, according to the manufacturing method and the production system of this embodiment, the authentication marks M1 and M2 are marked on both the
そのため、加工工程により、両外表面11、12のうち、どちらか一方の外表面における認証マークが消えてしまったとしても、他方の外表面に残っている認証マークにより、消えた認証マークを導き出すことが可能となる。そうすることで、加工用ウェハ10の初期状態まで履歴を遡ることができ、加工用ウェハ10について初期から加工終了までの管理を行うことができる。
Therefore, even if the authentication mark on one of the
よって、本実施形態によれば、加工用ウェハ10のどちらか一方の外表面において認証マークが加工工程により消えてしまっても、加工用ウェハ10の初期にさかのぼって認証マークを確認し、履歴が確認できるようなウェハの製造方法および生産システムを提供することができる。
Therefore, according to the present embodiment, even if the authentication mark disappears on the outer surface of either one of the
また、本実施形態によれば、マーク導出工程によって導き出された認証マークを、再マーキングすることで、消えた認証マークを加工用ウェハ10の外表面に表示でき、再び加工用ウェハ10における表裏の外表面11、12の両方に、認証マークM1、M2がマーキングされた状態が復活する。
Further, according to the present embodiment, by re-marking the authentication mark derived by the mark derivation step, the disappeared authentication mark can be displayed on the outer surface of the
この場合、その後は、再び、上記製造方法と同様に、加工工程、マーク導出工程を繰り返すことにより、加工用ウェハ10のどちらか一方の外表面において認証マークが加工工程により消えてしまっても、加工用ウェハ10の初期にさかのぼって、履歴を確認することができる。
In this case, after that, by repeating the processing step and the mark derivation step again like the above manufacturing method, even if the authentication mark disappears by the processing step on either outer surface of the
なお、本実施形態において、加工工程では、上記図3(d)とは逆に、加工用ウェハ10の他方の外表面12にて第2認証マークM2が消え、一方の外表面11にて第1認証マークM1が残るものであってもよい。この場合、残った第1認証マークM1に基づいてマーク導出工程を行い、他方の外表面12に、第2認証マークM2を再マークするようにしてよい。
In the present embodiment, in the processing step, the second authentication mark M2 disappears on the other
(第2実施形態)
本発明の第2実施形態にかかるウェハの製造方法について、図4を参照して、上記第1実施形態との相違点を中心に述べる。本実施形態の製造方法については、上記図1と同様の生産システムにより制御される。
(Second Embodiment)
A wafer manufacturing method according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 4 focusing on differences from the first embodiment. About the manufacturing method of this embodiment, it is controlled by the production system similar to the said FIG.
ここで、本実施形態では、加工用ウェハ10として、第1ウェハ2aと第2ウェハ2bとが貼り合わされてなる多層ウェハ2よりなるものを用いることが、第1実施形態と相違する。
Here, in the present embodiment, the
[図4(a)、図4(b)の工程]
この工程では、第1ウェハ2aについて、上記第1実施形態と同様、ロット投入工程および第1認証マークM1のマーキング工程を行う。これにより、第1認証マークM1がマーキングされた第1ウェハ2aが用意される。
[Steps of FIGS. 4A and 4B]
In this step, the lot injection step and the marking step of the first authentication mark M1 are performed on the
[図4(c)の工程:接合工程]
一方で、第2ウェハ2bについても、上記同様、ロット投入工程を行い、第2認証マークM2のマーキング工程を行う。この第2ウェハ2bに対する第2認証マークM2のマーキングは、上記第1認証マークM1のマーキングと同じ要領で行う。これにより、第2認証マークM2がマーキングされた第2ウェハ2bが用意される。
[Step of FIG. 4C: Joining Step]
On the other hand, the
ここで、第2認証マークM2は、第1認証マークM1とは異なるマークであり、第1認証マークM1が上記の例「1111」である場合、第2認証マークM2は、たとえば「2222」とする。 Here, the second authentication mark M2 is a mark different from the first authentication mark M1, and when the first authentication mark M1 is the above example “1111”, the second authentication mark M2 is, for example, “2222”. To do.
なお、第1ウェハ2aと第2ウェハ2bとが同一工場で生産されたものであっても、異なる工場で生産されたものであってもよい。いずれにせよ、各ウェハ2a、2bの各認証マークM1、M2およびそのマーキング面の情報は、記憶手段200に記憶される。
Note that the
そして、図4(c)に示されるように、第1認証マークM1がマーキングされた第1ウェハ2aと、第2認証マークM2がマーキングされた第2ウェハ2bと、互いにマーキング面とは反対の面にて、直接接合等で貼り合わせ、多層ウェハ2を形成する。
Then, as shown in FIG. 4C, the
この多層ウェハ2が形成された段階で、本実施形態の加工用ウェハ10が用意され、また、加工用ウェハ10の外表面11、12の情報は記憶手段200に記憶される。このように、図4(a)〜(c)の工程までが本実施形態の用意工程となる。
At the stage when the
ここで、多層ウェハ2における第1のウェハ2a側の外表面が加工用ウェハ10の一方の外表面11に相当し、第2のウェハ2b側の外表面が加工用ウェハ10の他方の外表面12に相当する。
Here, the outer surface on the
このように、本実施形態においては、加工用ウェハ10は多層ウェハ2であるが、上記第1実施形態と同様、用意工程では、表裏の外表面11、12にそれぞれ、認証マークM1、M2がマーキングされた加工用ウェハ10が用意される。それとともに、用意工程では、この用意された加工用ウェハ10における表裏の外表面11、12の両認証マークM1、M2が、記憶手段200に記憶される。
As described above, in the present embodiment, the
[図4(d)の工程:加工工程およびマーク導出工程]
次に、加工工程として、加工用ウェハ10における外表面11、12に対して研磨等の加工処理を行う。ここで、図4(d)の加工工程では、当該加工工程後の加工用ウェハ10における第1ウェハ2a側の外表面すなわち一方の外表面11では、第1認証マークM1が消え、第2ウェハ2b側の外表面すなわち他方の外表面12では、第2認証マークM2が残るものである。
[Step of FIG. 4D: Processing Step and Mark Deriving Step]
Next, as a processing step, processing such as polishing is performed on the
そして、マーク導出工程では、加工工程後の加工用ウェハ10における他方の外表面12に残っている第2認証マークM2に基づいて、消えた第1認証マークM1を導き出す。具体的には、他方の外表面12に残っている第2認証マークM2を記憶手段200に照合して、一方の外表面11にて消えた第1認証マークM1を導き出す。
In the mark derivation step, the first authentication mark M1 that has disappeared is derived based on the second authentication mark M2 remaining on the other
[図4(e)の工程:再マーキング工程]
次に、本製造方法においても、上記第1実施形態と同様、加工工程後の加工用ウェハ10における第1認証マークM1が消えた一方の外表面11に、上記マーク導出工程によって導き出された第1認証マークM1を、マーキング手段102によって、再マーキングする。
[Process of FIG. 4E: Re-Marking Process]
Next, also in the present manufacturing method, as in the first embodiment, the first authentication mark M1 in the processed
このように、本実施形態の製造方法および生産システムによっても、加工前の加工用ウェハ10における両外表面11、12の認証マークM1、M2を、記憶手段200で記憶することで、加工工程後に、どちらか一方の外表面における認証マークが消えてしまったとしても、他方の外表面に残っている認証マークにより、消えた認証マークを導き出すことが可能となる。
As described above, also by the manufacturing method and the production system of the present embodiment, the authentication marks M1 and M2 of the both
そのため、本実施形態によっても、加工用ウェハ10のどちらか一方の外表面において認証マークが加工工程により消えてしまっても、加工用ウェハ10の初期にさかのぼって認証マークを確認し、履歴が確認できるようなウェハの製造方法および生産システムを提供することができる。また、本実施形態によっても、再マーキングによる効果は、上記第1実施形態と同様である。
Therefore, even in this embodiment, even if the authentication mark disappears in the outer surface of one of the
なお、本実施形態においても、加工工程では、上記図4(d)とは逆に、多層ウェハ2よりなる加工用ウェハ10の他方の外表面12にて第2認証マークM2が消え、一方の外表面11にて第1認証マークM1が残るものであってもよい。この場合も、残った第1認証マークM1に基づいてマーク導出工程を行い、他方の外表面12に、第2認証マークM2を再マークするようにしてよい。
In the present embodiment as well, in the processing step, the second authentication mark M2 disappears on the other
(第3実施形態)
本発明の第3実施形態にかかるウェハの製造方法は、上記第2実施形態の変形例であり、本製造方法について、図5を参照して、上記第2実施形態との相違点を中心に述べる。なお、本実施形態の製造方法についても、上記図1と同様の生産システムにより制御される。
(Third embodiment)
The wafer manufacturing method according to the third embodiment of the present invention is a modification of the second embodiment, and the manufacturing method will be described with reference to FIG. 5, focusing on differences from the second embodiment. State. Note that the manufacturing method of this embodiment is also controlled by the same production system as in FIG.
本実施形態でも、加工用ウェハ10として、第1ウェハ2aと第2ウェハ2bとが貼り合わされてなる多層ウェハ2よりなるものを用いる。ここで、上記第2実施形態では、図4(a)、(b)に示されるように、第1ウェハ2aの下面に第2ウェハ2bを貼り付けるものであり、第1認証マークM1は、第1ウェハ2aの上面にマーキングされるものであった。
Also in this embodiment, the
それに対して、本実施形態では、図5(a)、(b)に示されるように、第1ウェハ2aの上面に第2ウェハ2bを貼り付けるものであり、第1認証マークM1は、第1ウェハ2aの下面にマーキングされる。
On the other hand, in this embodiment, as shown in FIGS. 5A and 5B, the
[図5(a)、図5(b)の工程]
この工程では、第1ウェハ2aについて、上記同様、ロット投入工程および第1認証マークM1のマーキング工程を行う。これにより、第1認証マークM1がマーキングされた第1ウェハ2aが用意される。
[Steps of FIGS. 5A and 5B]
In this process, the lot injection process and the marking process of the first authentication mark M1 are performed on the
[図5(c)の工程:接合工程]
一方で、上記第2実施形態と同様に、第2ウェハ2bについても、上記同様、ロット投入工程を行い、第2認証マークM2のマーキング工程を行う。
[Step of FIG. 5C: Joining Step]
On the other hand, in the same manner as in the second embodiment, the
これにより、第1認証マークM1とは異なるマークとしての第2認証マークM2が、マーキングされた第2ウェハ2bが用意される。そして、上記第2実施形態と同様、各ウェハ2a、2bの各認証マークM1、M2およびそのマーキング面の情報は、記憶手段200に記憶される。
As a result, a
そして、本実施形態においても、図5(c)に示されるように、第1認証マークM1がマーキングされた第1ウェハ2aと、第2認証マークM2がマーキングされた第2ウェハ2bと、互いにマーキング面とは反対の面にて、直接接合等で貼り合わせ、多層ウェハ2を形成する。
Also in this embodiment, as shown in FIG. 5C, the
この多層ウェハ2が形成された段階で、本実施形態の加工用ウェハ10が用意され、また、加工用ウェハ10の外表面11、12の情報は記憶手段200に記憶される。このように、図5(a)〜(c)の工程までが本実施形態の用意工程となる。
At the stage when the
こうして、本実施形態においても、上記第2実施形態と同様、加工用ウェハ10は多層ウェハ2であるが、用意工程では、表裏の外表面11、12にそれぞれ、認証マークM1、M2がマーキングされた加工用ウェハ10が用意される。それとともに、この用意された加工用ウェハ10における表裏の外表面11、12の両認証マークM1、M2が、記憶手段200に記憶される。
Thus, in this embodiment as well, as in the second embodiment, the
[図5(d)の工程:加工工程およびマーク導出工程]
次に、上記第2実施形態同様、加工工程を行うと、図5(d)に示されるように、当該加工工程後の加工用ウェハ10における第1ウェハ2a側の一方の外表面11では、第1認証マークM1が消え、第2ウェハ2b側の他方の外表面12では、第2認証マークM2が残る。
[Step of FIG. 5D: Processing Step and Mark Deriving Step]
Next, as in the second embodiment, when the processing step is performed, as shown in FIG. 5D, on one
そして、上記第2実施形態と同様、マーク導出工程では、加工工程後の加工用ウェハ10における他方の外表面12に残っている第2認証マークM2に基づいて、消えた第1認証マークM1を導き出す。
As in the second embodiment, in the mark derivation process, the first authentication mark M1 that has disappeared is based on the second authentication mark M2 remaining on the other
[図5(e)の工程:再マーキング工程]
次に、上記第2実施形態と同様、加工工程後の加工用ウェハ10における第1認証マークM1が消えた一方の外表面11に、上記マーク導出工程によって導き出された第1認証マークM1を、マーキング手段102によって、再マーキングする。
[Step of FIG. 5E: Re-Marking Step]
Next, as in the second embodiment, the first authentication mark M1 derived by the mark deriving step is applied to one
本実施形態の製造方法は、以上である。このように、本実施形態の製造方法およびそれを制御する生産システムによっても、上記第2実施形態に述べたのと同様の効果が発揮されるものである。 The manufacturing method of this embodiment is the above. As described above, the manufacturing method of the present embodiment and the production system that controls the same can also exhibit the same effects as described in the second embodiment.
(第4実施形態)
本発明の第4実施形態にかかるウェハの製造方法は、上記第2実施形態の変形例であり、本製造方法について、図6を参照して、上記第2実施形態との相違点を中心に述べる。なお、本実施形態の製造方法についても、上記図1と同様の生産システムにより制御される。
(Fourth embodiment)
The wafer manufacturing method according to the fourth embodiment of the present invention is a modification of the second embodiment, and the manufacturing method will be described with reference to FIG. 6, focusing on the differences from the second embodiment. State. Note that the manufacturing method of this embodiment is also controlled by the same production system as in FIG.
本実施形態でも、上記第2実施形態と同様、加工用ウェハ10として、第1ウェハ2aと第2ウェハ2bとが貼り合わされてなる多層ウェハ2よりなるものを用いる。
Also in the present embodiment, as in the second embodiment, the
[図6(a)、図6(b)の工程]
この工程では、第1ウェハ2aについて、上記第2実施形態と同様、ロット投入工程および第1認証マークM1のマーキング工程を行う。これにより、第1認証マークM1がマーキングされた第1ウェハ2aが用意される。
[Steps of FIGS. 6A and 6B]
In this step, the lot injection step and the marking step of the first authentication mark M1 are performed on the
[図6(c)の工程:接合工程]
一方で、上記第2実施形態と同様に、第2ウェハ2bについても、上記同様、ロット投入工程を行い、第2認証マークM2のマーキング工程を行う。
[Step of FIG. 6C: Joining Step]
On the other hand, in the same manner as in the second embodiment, the
そして、本実施形態においても、図6(c)に示されるように、第1認証マークM1がマーキングされた第1ウェハ2aと、第2認証マークM2がマーキングされた第2ウェハ2bと、互いにマーキング面とは反対の面にて、直接接合等で貼り合わせ、多層ウェハ2を形成する。
Also in this embodiment, as shown in FIG. 6C, the
この多層ウェハ2が形成された段階で、本実施形態の加工用ウェハ10が用意され、また、加工用ウェハ10の外表面11、12の情報は記憶手段200に記憶される。このように、図6(a)〜(c)の工程までが本実施形態の用意工程となる。
At the stage when the
こうして、本実施形態の用意工程においても、上記第2実施形態と同様、表裏の外表面11、12にそれぞれ、認証マークM1、M2がマーキングされた多層ウェハ2よりなる加工用ウェハ10が用意されるとともに、この用意された加工用ウェハ10における表裏の外表面11、12の両認証マークM1、M2が、記憶手段200に記憶される。
Thus, also in the preparation process of the present embodiment, the
[図6(d)、図6(e)、図6(f)の工程:加工工程およびマーク導出工程]
次に、上記第2実施形態同様、加工工程を行うと、図6(d)に示されるように、当該加工工程後の加工用ウェハ10における第1ウェハ2a側の一方の外表面11では、第1認証マークM1が消え、第2ウェハ2b側の他方の外表面12では、第2認証マークM2が残る。
[Steps in FIGS. 6D, 6E, and 6F: Processing Step and Mark Deriving Step]
Next, as in the second embodiment, when the processing step is performed, as shown in FIG. 6D, on one
この後、本実施形態の加工工程では、図6(e)に示されるように、さらに、加工用ウェハ10における一方の外表面11に、第3ウェハ2cを接合して貼り付ける。この第3ウェハ2cは、接合面とは反対側の面に第3認証マークM3がマーキングされたものである。
Thereafter, in the processing step of the present embodiment, as shown in FIG. 6E, the
この第3ウェハ2cについては、上記同様、ロット投入工程を行い、第3認証マークM3のマーキング工程を行う。この第3ウェハ2cに対する第3認証マークM3のマーキングは、上記第1認証マークM1のマーキングと同じ要領で行う。これにより、第3認証マークM3がマーキングされた第3ウェハ2cが用意される。
For the
ここで、第3認証マークM3は、第1認証マークM1および第2認証マークM2とは異なるマークであり、第1認証マークM1が上記の例「1111」であり、第2認証マークM2が上記の例「2222」である場合、たとえば第3認証マークM3は「3333」とする。 Here, the third authentication mark M3 is a mark different from the first authentication mark M1 and the second authentication mark M2, the first authentication mark M1 is the above example “1111”, and the second authentication mark M2 is the above-described mark. In the case of the example “2222”, for example, the third authentication mark M3 is “3333”.
なお、本実施形態においても、第1ウェハ2aと第2ウェハ2bと第3ウェハ2cとが同一工場で生産されたものであっても、異なる工場で生産されたものであってもよく、いずれにせよ、各ウェハ2a、2b、2cの各認証マークM1、M2、M3およびそのマーキング面の情報は、記憶手段200に記憶される。
In the present embodiment, the
こうして、本実施形態の加工工程では、図6(e)に示されるように、第1ウェハ2aの両面側に第2ウェハ2b、第3ウェハ2cが貼り付けられ、これら3層が積層されてなる加工用ウェハ10が形成される。この加工用ウェハ10では、第3ウェハ2c側の外表面が一方の外表面11に相当し、第2ウェハ2b側の外表面が他方の外表面12に相当するものとなる。
Thus, in the processing step of the present embodiment, as shown in FIG. 6E, the
そして、さらに本実施形態の加工工程では、図6(f)に示されるように、この3層ウェハよりなる加工用ウェハ10における一方の外表面11、つまり第3ウェハ2cの外表面を研磨等により加工処理する。
Further, in the processing step of this embodiment, as shown in FIG. 6F, one
これにより、図6(f)に示されるように、当該加工工程後の加工用ウェハ10における第3ウェハ2c側の一方の外表面11では、第3認証マークM3が消え、第2ウェハ2b側の他方の外表面12では、第2認証マークM2が残るものである。
As a result, as shown in FIG. 6F, the third authentication mark M3 disappears on the one
このような状態になっても、本実施形態では、上記第2実施形態と同様、マーク導出工程により、加工工程後の加工用ウェハ10における他方の外表面12に残っている第2認証マークM2に基づいて、消えた第1認証マークM1を導き出すことができる。
Even in such a state, in the present embodiment, the second authentication mark M2 remaining on the other
[図6(g)の工程:再マーキング工程]
次に、上記第2実施形態と同様、加工工程後の加工用ウェハ10における第1認証マークM1が消えた一方の外表面11に、上記マーク導出工程によって導き出された第1認証マークM1を、マーキング手段102によって、再マーキングする。ここでは、加工用ウェハ10における第3ウェハ2cの外表面に、第1認証マークM1が再マーキングされるものである。
[Step of FIG. 6G: Remarking Step]
Next, as in the second embodiment, the first authentication mark M1 derived by the mark deriving step is applied to one
本実施形態の製造方法は、以上であるが、このように、本実施形態の製造方法およびそれを制御する生産システムによっても、上記第2実施形態に述べたのと同様の効果が発揮されるものである。 The manufacturing method of the present embodiment is as described above. Thus, the same effect as described in the second embodiment is also exhibited by the manufacturing method of the present embodiment and the production system that controls the manufacturing method. Is.
以上、第1〜第4実施形態を参照して、本発明の製造方法および生産システムについて述べてきたが、上記した各種の認証マークM1〜M3やそのマーキング面、および、ウェハ同士の接合およびその接合面等の情報については、記憶手段200に、履歴として記憶されるものである。
As described above, the manufacturing method and the production system of the present invention have been described with reference to the first to fourth embodiments. However, the various authentication marks M1 to M3 described above, the marking surfaces thereof, and the bonding between wafers and the same. Information such as the joint surface is stored in the
この履歴として記憶手段200に記憶される情報の主たる例について、限定するものではないが、以下にあげておく。上記の各ウェハ1、2a〜2cのロットIDの情報。上記の各ウェハ1、2a〜2cにおける認証マークM1〜M3およびそのマーキング面の情報。再マーキングにおける認証マークおよびそのマーキング面の情報。ウェハの接合工程(貼り合わせ)におけるウェハや貼り合わせ面および認証マークM1〜M3の情報、等々。
The main examples of information stored in the storage means 200 as the history are not limited, but are listed below. Information on the lot ID of each of the
(他の実施形態)
なお、上記各実施形態に示した製造方法において、マーク導出工程までは行うが、再マーキング工程は行わないものであってもよい。たとえば、加工工程にて認証マークが消えてしまっても、マーク導出工程により、加工用ウェハ10の履歴が判明すればよいものであり、当該認証マークが消えた後の工程において、再マーキングが不要ならば、再マーキングが行わなくてもよい。
(Other embodiments)
In the manufacturing methods shown in the above embodiments, the mark derivation process is performed, but the re-marking process may not be performed. For example, even if the certification mark disappears in the processing step, the history of the
また、上記各実施形態に示した製造方法において、再マーキング工程後、あるいは、再マーキングを行わない場合にはマーク導出工程後には、適宜、加工用ウェハ10に対して、配線形成やダイシング等の工程を行い、最終的にはチップ単位の製品を完成させるものとすることはもちろんである。
Further, in the manufacturing method shown in each of the above embodiments, after the re-marking step or after the mark derivation step when the re-marking is not performed, the
また、上記各実施形態では、各ウェハについてロット投入工程、および、各認証マークのマーキング工程をおこなったが、当該ロット工程で、既に予め上記の各認証マークがマーキングされた原石ロットのウエハを受け入れてもよい。 Further, in each of the above embodiments, the lot injection process and the marking process of each certification mark are performed for each wafer. In the lot process, a wafer of a rough ore lot that has already been marked with each of the above certification marks is accepted. May be.
また、上記図2に示した例では、加工用ウェハ10の一方の外表面11における周縁部にてオリエンテーションフラットOLと反対側の部位に、マーキングされた。しかし、上記各実施形態に用いられる加工用ウェハ10およびその他の上記ウェハとしては、オリエンテーションフラットの有無は問わない。たとえば、ノッチなどが有るものでもよい。そして、上記の各認証マークの位置も、上記図2の例に限定するものではない。
Further, in the example shown in FIG. 2, marking is performed on a portion on the opposite side of the orientation flat OL at the peripheral edge portion on one
また、上記図2では、第1認証マークM1を、「1111」のような文字マークとしていたが、上記各実施形態に用いる認証マークとしては、二次元コードであってもよい。つまり、ある特定の認証マークを意味するものであれば、文字マークでも二次元コードでもよく、たとえば、はじめは文字マークをマーキングしておき、再マーキングでは、当該文字マークを意味する二次元コードをマーキングするようにしてもよい。 In FIG. 2, the first authentication mark M1 is a character mark such as “1111”. However, the authentication mark used in each of the above embodiments may be a two-dimensional code. That is, as long as it means a specific authentication mark, it may be a character mark or a two-dimensional code. For example, a character mark is marked first, and in re-marking, a two-dimensional code meaning the character mark is changed. You may make it mark.
具体的にいうならば、ウェハ上の認証マークが消えた後に、再マーキングするが、このとき、文字マークから文字マークという方法、および、二次元コードから二次元コードという方法がある。しかし、これら以外に文字マークが消えた後に、二次元コードを再マーキングしたり、二次元コードが消えた後に、文字マークを再マーキングしたりする方法でもよい。 Specifically, after the authentication mark on the wafer disappears, re-marking is performed. At this time, there are a method of character mark to character mark and a method of two-dimensional code to two-dimensional code. However, other than these, a method of re-marking the two-dimensional code after the character mark disappears or re-marking the character mark after the two-dimensional code disappears may be used.
さらには、はじめの認証マークとして、文字マークと二次元コードの両方がマーキングされている場合に、再マーキングのときには、当該両方もしくはどちらか一方をマーキングする方法でもよい。 Further, when both the character mark and the two-dimensional code are marked as the first authentication mark, a method of marking both or one of them may be used at the time of re-marking.
また、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。また、上記各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能であり、また、上記各実施形態は、上記の図示例に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、上記各実施形態において、実施形態の構成要素の個数、数値、量、範囲等の数値が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に特定の形状、位置関係等に限定される場合等を除き、その形状、位置関係等に限定されるものではない。 Further, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be appropriately changed within the scope described in the claims. The above embodiments are not irrelevant to each other, and can be combined as appropriate unless the combination is clearly impossible, and the above embodiments are not limited to the illustrated examples. Absent. In each of the above-described embodiments, it is needless to say that elements constituting the embodiment are not necessarily essential unless explicitly stated as essential and clearly considered essential in principle. Yes. Further, in each of the above embodiments, when numerical values such as the number, numerical value, quantity, range, etc. of the constituent elements of the embodiment are mentioned, it is clearly limited to a specific number when clearly indicated as essential and in principle. The number is not limited to the specific number except for the case. Further, in each of the above embodiments, when referring to the shape, positional relationship, etc. of the component, etc., the shape, unless otherwise specified and in principle limited to a specific shape, positional relationship, etc. It is not limited to the positional relationship or the like.
10 加工用ウェハ
11 加工用ウェハにおける一方の外表面
12 加工用ウェハにおける他方の外表面
102 マーキング手段
200 記憶手段
M1 第1認証マーク
M2 第2認証マーク
DESCRIPTION OF
Claims (8)
その後、前記加工用ウェハにおける外表面に対して加工処理を行う加工工程と、を有するウェハの製造方法であって、
前記加工工程後の前記加工用ウェハにおける表裏の外表面のうち、いずれか一方の外表面(11)の前記認証マーク(M1)が消えたときに、前記記憶手段によって、他方の外表面(12)に残っている前記認証マーク(M2)に基づいて、前記消えた認証マークを導き出すマーク導出工程、を備えることを特徴とするウェハの製造方法。 A processing wafer (10) made of a semiconductor with identification authentication marks (M1, M2) marked on the outer surfaces (11, 12) on the front and back sides is prepared, and the front and back surfaces of the prepared processing wafer are prepared. A preparation step for storing both authentication marks on the outer surface in the storage means (200);
Thereafter, a processing step of performing processing on the outer surface of the processing wafer, and a wafer manufacturing method comprising:
When the authentication mark (M1) on one of the outer surfaces (11) of the front and back outer surfaces of the processing wafer after the processing step has disappeared, the other outer surface (12 And a mark deriving step for deriving the lost authentication mark based on the authentication mark (M2) remaining in the wafer.
その後、前記加工用ウェハにおける外表面に対して加工処理を行う加工工程を行うようにしたウェハの製造方法を制御する生産システムであって、
前記加工用ウェハにおける外表面の情報を記憶する記憶手段(200)と、
前記加工用ウェハにおける外表面にマーキングを行うマーキング手段(102)と、を備え、
前記記憶手段によって、前記用意された加工用ウェハにおける表裏の外表面の両認証マークを記憶しておき、
前記加工工程後の前記加工用ウェハにおける表裏の外表面のうち、いずれか一方の外表面(11)の前記認証マーク(M1)が消えたときに、前記記憶手段によって、他方の外表面(12)に残っている前記認証マーク(M2)に基づいて、前記消えた認証マークを導き出すようにしたことを特徴とする生産システム。 Prepare processing wafers (10) made of a semiconductor with authentication marks (M1, M2) for identification on front and back outer surfaces (11, 12),
Thereafter, a production system for controlling a wafer manufacturing method for performing a processing step of performing processing on the outer surface of the processing wafer,
Storage means (200) for storing information on the outer surface of the processing wafer;
Marking means (102) for marking the outer surface of the processing wafer,
The storage means stores both authentication marks on the front and back outer surfaces of the prepared processing wafer,
When the authentication mark (M1) on one of the outer surfaces (11) of the front and back outer surfaces of the processing wafer after the processing step has disappeared, the other outer surface (12 The production system is characterized in that the disappeared certification mark is derived based on the certification mark (M2) remaining in the bracket.
前記記憶手段によって、前記用意された単層ウェハにおける表裏の外表面の前記両認証マークを記憶しておくものであることを特徴とする請求項5または6に記載の生産システム。 The preparation step comprises a single-layer wafer (1) as the processing wafer, wherein the two authentication marks are marked as the same marks on the front and back outer surfaces of the single-layer wafer. It is to prepare
The production system according to claim 5 or 6, wherein the storage means stores both the authentication marks on the front and back outer surfaces of the prepared single-layer wafer.
前記記憶手段によって、前記用意された多層ウェハにおける表裏の外表面の前記両認証マークを記憶しておくものであることを特徴とする請求項5または6に記載の生産システム。 In the preparation step, the processing wafer comprises a multilayer wafer (2) formed by bonding a first wafer (2a) and a second wafer (2b), and the first wafer in the multilayer wafer The outer surface (11) on the side and the outer surface (12) on the second wafer side are each marked with the authentication mark, and the two authentication marks are prepared differently from each other,
The production system according to claim 5 or 6, wherein the storage means stores the authentication marks on the outer surfaces of the front and back surfaces of the prepared multilayer wafer.
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JP6507973B2 (en) | 2019-05-08 |
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