JP2017066012A - Etching system - Google Patents

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雄三 三好
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暢規 石垣
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Gimpei Yamazaki
銀兵 山崎
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an etching system capable of performing high quality filtration to an etchant for a long period.SOLUTION: An etching system 10 comprises at least, an etching device 12, a MF (micro filter) filtration device 16, a filter press 18 and a liquid feeding control device 22. The etching device 12 is configured to perform etching processing by bringing an etchant stored in an etchant tank 14 into contact with a glass substrate 100. The MF filtration device 16 and the filter press 18 are configured to filter the etchant stored in the etchant tank 14. The liquid feeding control device 22 is configured to control liquid feeding on the etchant tank 14, the MF filtration device 16 and the filter press 18, and control so that SS density of the etchant stored in a feeding liquid storage part 32 which is provided to the MF filtration device 16 is in a range of 3,000-45,000 mg/L.SELECTED DRAWING: Figure 6

Description

本発明は、ガラス基板に対してエッチング処理を行うように構成されたエッチングシステムに関し、特にエッチング液中のスラッジを効果的に濾過することが可能なエッチングシステムに関する。   The present invention relates to an etching system configured to perform an etching process on a glass substrate, and more particularly to an etching system capable of effectively filtering sludge in an etching solution.

液晶ディスプレイ等のフラットパネルディスプレイに利用されるガラス基板は、薄型化の要請がある。フラットパネルディスプレイ用ガラス基板を薄型化する処理として、一般的にフッ酸を含むエッチング液をガラス基板に接触させるエッチング処理が広く用いられてきた。このようなエッチング処理としては、処理すべきガラス基板をエッチング液が入れられた槽に浸漬したり、エッチング液を処理すべきガラス基板に吹き付けたりする方法がある。   A glass substrate used for a flat panel display such as a liquid crystal display is required to be thin. As a process for thinning a glass substrate for a flat panel display, an etching process in which an etching solution containing hydrofluoric acid is generally brought into contact with the glass substrate has been widely used. As such an etching process, there are a method of immersing a glass substrate to be processed in a tank in which an etching solution is put, or spraying an etching solution on a glass substrate to be processed.

上述のガラス基板に対するエッチング処理を行う場合、使用中または使用後のエッチング液の処理が重要となる。従来は排液をフィルタ等の濾材を通して吸引することで、エッチング液中に混在したスラリまたはスラッジを捕捉しエッチング液が濾過されてきた(例えば、特許文献1参照。)。このようにすることで、エッチング液からスラリまたはスラッジが分離できるだけでなく、下部からバブリング等でフィルタに圧力を加えることで捕捉されたスラリまたはスラッジをフィルタから除去することができ、長期的にエッチング液の濾過を行うことが可能であるとされている。   When performing the etching process with respect to the above-mentioned glass substrate, the process of the etching liquid in use or after use becomes important. Conventionally, by draining the drainage fluid through a filter medium such as a filter, the slurry or sludge mixed in the etchant is captured and the etchant has been filtered (see, for example, Patent Document 1). By doing so, not only the slurry or sludge can be separated from the etching solution, but also the slurry or sludge captured by applying pressure to the filter by bubbling from the bottom can be removed from the filter, and etching is performed for a long time. It is said that the liquid can be filtered.

特許5747046号Japanese Patent No. 5747046

しかしながら、上述の特許文献1に係る技術では、時間の経過とともに濾過装置のパフォーマンスが低下するという不具合が発生することがあった。例えば、エッチング液に含まれる微細なスラリまたはスラッジがフィルタを通り抜けてしまってフィルタの後段の領域にて堆積してしまったり、巨大化したスラリまたはスラッジがフィルタの縫い目に付着してバブリングでは除去できなくなってしまったりすることがあった。その結果として、フィルタの目詰まりによる濾過処理能力の低下が発生したり、フィルタの交換等のメンテナンスの実施を余儀なくされたりする等の不都合が起こることがあった。   However, in the technique according to Patent Document 1 described above, there has been a problem in that the performance of the filtration device decreases with time. For example, fine slurry or sludge contained in the etching solution can pass through the filter and accumulate in the subsequent stage of the filter, or huge slurry or sludge can adhere to the filter seam and be removed by bubbling. Sometimes it disappeared. As a result, inconveniences such as a reduction in filtration performance due to clogging of the filter or a necessity to perform maintenance such as filter replacement may occur.

この発明の目的は、長期間にわたってエッチング液に対して高品質な濾過を行うことが可能なエッチングシステムを提供することである。   An object of the present invention is to provide an etching system capable of performing high-quality filtration on an etching solution over a long period of time.

本発明に係るエッチングシステムは、ガラス基板に対しエッチング処理を行うように構成される。エッチングシステムはエッチング装置、膜式濾過装置、後処理部および送液制御手段を備える。エッチング装置は少なくともエッチング液槽を備え、エッチング液をガラス基板に接触させることによりエッチング処理を行うように構成される。エッチング装置の例として、搬送ローラ等によって搬送されるガラス基板に対しスプレーノズルからガラス基板の上面および下面にエッチング液を噴射する枚葉式エッチング装置や、エッチング液が収容されたエッチング液槽にガラス基板を浸漬させる浸漬式エッチング装置が挙げられる。   The etching system according to the present invention is configured to perform an etching process on a glass substrate. The etching system includes an etching device, a membrane filtration device, a post-processing unit, and a liquid feeding control unit. The etching apparatus includes at least an etching solution tank and is configured to perform an etching process by bringing the etching solution into contact with a glass substrate. Examples of etching apparatuses include a single wafer etching apparatus that injects an etching solution onto the upper and lower surfaces of a glass substrate from a spray nozzle onto a glass substrate that is conveyed by a conveyance roller or the like, or an etching solution tank that contains an etching solution. An immersion type etching apparatus that immerses the substrate may be used.

膜式濾過装置は、膜モジュール、供給液収容部、濾過液送出部および目詰まり防止手段を備える。膜モジュールは、エッチング液を濾過するように構成される。この膜モジュールの例としては、MF(マイクロフィルタ)が挙げられる。供給液収容部には、エッチング装置で使用されたエッチング液であって膜モジュールに供給されるべきエッチング液を収容するように構成される。濾過液送出部は、供給液収容部に供給されたエッチング液を膜モジュールによって濾過されたエッチング液を受け入れるように構成される。目詰まり防止手段は、膜モジュールによって捕集されるスラリ(泥状を呈するもの全般を意味し、固形状のいわゆるスラッジと称されるものも含む)を膜モジュールより脱離させるようになっている。目詰まり防止手段の例として、膜モジュールにバブリング等の圧力を加える機器が挙げられる。   The membrane filtration apparatus includes a membrane module, a supply liquid storage unit, a filtrate supply unit, and clogging prevention means. The membrane module is configured to filter the etchant. An example of this membrane module is MF (microfilter). The supply liquid storage unit is configured to store the etching liquid used in the etching apparatus and to be supplied to the membrane module. The filtrate sending unit is configured to receive the etching solution obtained by filtering the etching solution supplied to the supply solution storage unit by the membrane module. The clogging prevention means is configured to detach slurry collected by the membrane module (meaning all sludge-like materials, including solid so-called sludge) from the membrane module. . As an example of the clogging prevention means, there is an apparatus that applies pressure such as bubbling to the membrane module.

後処理部は、膜式濾過装置で捕集したスラッジおよびスラリを受け入れ可能な被捕捉物収容槽を備える。この後処理部は、スラッジおよびスラリを脱水処理できる固液分離機構を備えることが好ましい。後処理部の例として、フィルタープレスが挙げられる。   The post-processing unit includes a trapping object storage tank that can receive the sludge and slurry collected by the membrane filtration device. This post-processing section preferably includes a solid-liquid separation mechanism that can dewater sludge and slurry. An example of the post-processing unit is a filter press.

送液制御手段は、エッチング液槽、膜式濾過装置および後処理部における送液を制御するようになっている。各送液通路間に自動弁等の弁を設けることで送液の量を調整できるようになっている。また、送液制御手段は、供給液収容部内のSS濃度(浮遊物質(Suspended Solids))が3000〜45000mg/Lの範囲になるように送液を制御するようになっている。   The liquid feeding control means controls the liquid feeding in the etching liquid tank, the membrane filtration device, and the post-processing unit. By providing a valve such as an automatic valve between the liquid supply passages, the amount of liquid supply can be adjusted. Further, the liquid feeding control means controls the liquid feeding so that the SS concentration (Suspended Solids) in the supply liquid container is in the range of 3000 to 45000 mg / L.

上述の構成において、送液制御手段が、エッチング液槽のSS濃度が3000mg/L未満のときにエッチング液槽から供給液収容部への送液の停止、濾過液送出部からエッチング液槽の送液の停止および膜式濾過装置から後処理部への送液を停止し、濾過後のエッチング液を前記濾過液送出部から前記供給液収容部へ循環させるようにすることが好ましい。エッチング液槽のSS濃度3000mg/L未満のエッチング液を供給液収容部へ送液を停止することで供給液収容部内のSS濃度が3000〜45000mg/Lの範囲を維持させることができる。   In the above-described configuration, when the SS concentration of the etching liquid tank is less than 3000 mg / L, the liquid feeding control unit stops the liquid feeding from the etching liquid tank to the supply liquid storage part, and sends the etching liquid tank from the filtrate sending part. It is preferable that the liquid is stopped and liquid feeding from the membrane filtration device to the post-processing unit is stopped, and the filtered etching liquid is circulated from the filtrate sending part to the supply liquid storage part. The SS concentration in the supply liquid storage part can be maintained in the range of 3000 to 45000 mg / L by stopping the supply of the etching liquid having an SS concentration of less than 3000 mg / L to the supply liquid storage part.

また、送液制御手段が、供給液収容部内のSS濃度が40000mg/Lを超えているときに膜式濾過装置にて捕捉されたスラリまたはスラッジを後処理部に排出するようにすることが好ましい。この場合、スラリおよびスラッジは供給液収容部内のSS濃度が5000mg/L未満になると排出を停止するようにすると良い。供給液収容部内のSS濃度が40000mg/Lを超えているときに捕捉されたスラリおよびスラッジを排出することで供給液収容部内のSS濃度を低減させることができ、供給液収容部内のSS濃度が5000未満になると停止するようにすることで供給液収容部内のSS濃度が3000〜45000mg/Lの範囲を維持させることができる。   Further, it is preferable that the liquid feeding control means discharges the slurry or sludge captured by the membrane filtration device to the post-processing section when the SS concentration in the supply liquid storage section exceeds 40000 mg / L. . In this case, the slurry and the sludge are preferably discharged when the SS concentration in the supply liquid container is less than 5000 mg / L. The SS concentration in the supply liquid storage unit can be reduced by discharging the slurry and sludge captured when the SS concentration in the supply liquid storage unit exceeds 40000 mg / L, and the SS concentration in the supply liquid storage unit is By stopping when it is less than 5000, the SS concentration in the supply liquid storage unit can be maintained in the range of 3000 to 45000 mg / L.

本発明によれば、長期間にわたってエッチング液に対して高品質な濾過を行うことが可能になる。   According to the present invention, it is possible to perform high-quality filtration on an etching solution over a long period of time.

本発明の一実施形態に係るエッチングシステムの概略を示す図である。It is a figure showing the outline of the etching system concerning one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係るエッチングシステムの概略を示す図である。It is a figure showing the outline of the etching system concerning one embodiment of the present invention. MF濾過装置の供給液収容部の内部を表した斜視図である。It is a perspective view showing the inside of the supply liquid storage part of MF filtration apparatus. MF濾過装置の吸引濾過中のMFを表した側面図である。It is a side view showing MF during suction filtration of an MF filtration device. 送液制御手段の制御部を表したブロック図である。It is a block diagram showing the control part of the liquid feeding control means. 送液制御手段によって制御されるエッチングシステムの送液経路を表した図である。It is a figure showing the liquid feeding path | route of the etching system controlled by a liquid feeding control means.

図1〜図3を用いて、本発明のエッチングシステムの一実施形態に係るエッチングシステム10を説明する。エッチングシステム10は、液晶ディスプレイや有機ELディスプレイ等のフラットパネル用ガラス基板に対してエッチング処理を実行するように構成される。エッチングシステム10は、エッチング装置12、MF(マイクロフィルタ)濾過装置16、フィルタープレス18、汚泥収容部20および送液制御装置22(図5参照。)を備える。エッチング装置12は、エッチング液槽14を備える。MF濾過装置16は、MF30、供給液収容部32、濾過液送出部34および散気管36を備える。フィルタープレス18は、被捕捉物収容槽を備える。この実施形態においては、MF濾過装置16およびフィルタープレス18はそれぞれ本発明の膜式濾過装置および後処理部に対応する。散気管36は本発明の目詰まり防止手段に対応する。   The etching system 10 which concerns on one Embodiment of the etching system of this invention is demonstrated using FIGS. 1-3. The etching system 10 is configured to perform an etching process on a glass substrate for a flat panel such as a liquid crystal display or an organic EL display. The etching system 10 includes an etching device 12, an MF (microfilter) filtration device 16, a filter press 18, a sludge container 20, and a liquid feed control device 22 (see FIG. 5). The etching apparatus 12 includes an etching solution tank 14. The MF filtration device 16 includes an MF 30, a supply liquid storage unit 32, a filtrate supply unit 34, and an air diffuser 36. The filter press 18 includes a captured object storage tank. In this embodiment, the MF filtration device 16 and the filter press 18 correspond to the membrane filtration device and the post-processing unit of the present invention, respectively. The air diffuser 36 corresponds to the clogging preventing means of the present invention.

エッチング装置12は、搬送ローラによって搬送されるガラス基板100に対してエッチング液槽14に収容されたエッチング液をスプレーノズルからガラス基板100の上面と下面に向けて噴射するように構成された枚葉式エッチング装置である。スプレーノズルから噴射されたエッチング液はガラス基板100に接触した後、エッチング液槽14へと戻される。本実施形態では枚葉式エッチング装置を採用しているが、エッチング液槽にガラス基板100を浸漬する浸漬式エッチング装置を採用することも可能である。   The etching apparatus 12 is configured to spray the etching solution stored in the etching solution tank 14 onto the glass substrate 100 conveyed by the conveyance roller from the spray nozzle toward the upper surface and the lower surface of the glass substrate 100. It is a type etching apparatus. The etching solution sprayed from the spray nozzle comes into contact with the glass substrate 100 and is then returned to the etching solution tank 14. In this embodiment, a single-wafer etching apparatus is employed, but an immersion etching apparatus that immerses the glass substrate 100 in an etching solution tank may be employed.

MF濾過装置16は、エッチング装置12でガラス基板100を処理した使用済みのエッチング液を濾過するように構成される。供給液収容部32は、エッチング液槽14から使用済みのエッチング液を受け入れるように構成される。MF30は、供給液収容部32の中に配置され供給液収容部32に収容されたエッチング液を吸引濾過できるようになっている。濾過液送出部34は、MF30で濾過されたエッチング液を受け入れるように構成される。MF濾過装置16の詳しい構成については後述する。   The MF filtering device 16 is configured to filter the used etching solution obtained by treating the glass substrate 100 with the etching device 12. The supply liquid storage unit 32 is configured to receive a used etching solution from the etching solution tank 14. The MF 30 is arranged in the supply liquid storage part 32 and can suck and filter the etching liquid stored in the supply liquid storage part 32. The filtrate delivery unit 34 is configured to receive the etching solution filtered by the MF 30. The detailed configuration of the MF filter device 16 will be described later.

フィルタープレス18は、MF濾過装置16で捕集されたスラッジおよびスラリを被捕捉物収容槽へ受け入れ、受け入れたスラッジおよびスラリを濾過するようになっている。濾過し、得られた濾液は濾過液送出部34に送液される。濾過した汚泥は、汚泥収容部20に収容される。フィルタープレス18は高い濾過圧力を加えることが可能であるため、低含水率の汚泥を得ることができ、廃棄物の処理が行い易くなる。   The filter press 18 receives the sludge and slurry collected by the MF filtration device 16 into the trapping object storage tank, and filters the received sludge and slurry. The filtrate obtained by filtration is sent to the filtrate delivery part 34. The filtered sludge is stored in the sludge storage unit 20. Since the filter press 18 can apply a high filtration pressure, sludge having a low water content can be obtained, and waste can be easily treated.

送液制御装置22は、エッチング液槽14から供給液収容部32への送液、濾過液送出部34からエッチング液槽14への送液、濾過液送出部34から供給液収容部32への送液および供給液収容部32からフィルタープレス18への送液を制御できるようになっている。送液制御装置22は、エッチング液槽14および供給液収容部32に収容されるエッチング液に含まれるスラッジのSS濃度の値によって送液したり、送液を停止したりすることを制御するようになっている。送液制御装置22の詳しい構成については後述する。   The liquid feeding control device 22 sends liquid from the etching liquid tank 14 to the supply liquid storage part 32, feeds liquid from the filtrate sending part 34 to the etching liquid tank 14, and sends liquid from the filtrate sending part 34 to the supply liquid storage part 32. Liquid feeding and liquid feeding from the supply liquid storage portion 32 to the filter press 18 can be controlled. The liquid feeding control device 22 controls to feed or stop the liquid feeding according to the SS concentration value of the sludge contained in the etching liquid stored in the etching liquid tank 14 and the supply liquid storage unit 32. It has become. The detailed configuration of the liquid feeding control device 22 will be described later.

図3は、MF濾過装置16の供給液収容部32内を表した斜視図である。供給液収容部32内には、MF30および散気管36が配置される。供給液収容部32の上部にエッチング液槽14からエッチング液を送液できる配管42と下部にフィルタープレス18へとつながる配管44が設置される。MF30は主面とそれと対向する面にフィルタを備え、上部の吸引管40から吸引できるようになっている。MF30はフィルタの面積や配置枚数を変更することが可能であり、エッチング液の処理量や供給液収容部32の容量によって変更することが可能である。MF30は3〜30mmの間隔で濾過面が両側にくるように立てて配置される。MF30の下方に散気管36が配置される。この散気管36からバブリングを行いMF30にスラッジが固着するのを防止する。供給液収容部32の底部はMF30で捕集したスラッジを集積できるように中央に向かって傾斜するような構造をとっている。またその中央部には集積したスラッジをフィルタープレス18に送る配管44が設置してある。底部の構造は中央に向かって傾斜するものだけではなく、壁側に向かって傾斜するような構造をとっていても良いし、スラッジを集積できればこれら以外の構造をとっていても良い。   FIG. 3 is a perspective view showing the inside of the supply liquid storage unit 32 of the MF filtration device 16. An MF 30 and an air diffuser 36 are disposed in the supply liquid storage unit 32. A pipe 42 through which the etching liquid can be fed from the etching liquid tank 14 and a pipe 44 connected to the filter press 18 are installed at the upper part of the supply liquid storage part 32. The MF 30 is provided with a filter on the main surface and the surface facing the main surface, and can be sucked from the upper suction tube 40. The MF 30 can change the area of the filter and the number of arranged filters, and can be changed depending on the processing amount of the etching liquid and the capacity of the supply liquid storage unit 32. The MF 30 is arranged upright with the filtration surface on both sides at intervals of 3 to 30 mm. An air diffuser 36 is disposed below the MF 30. Bubbling is performed from the air diffuser 36 to prevent sludge from adhering to the MF 30. The bottom of the supply liquid storage unit 32 has a structure that is inclined toward the center so that sludge collected by the MF 30 can be accumulated. A pipe 44 for sending the accumulated sludge to the filter press 18 is installed at the center. The structure of the bottom portion is not limited to the one inclined toward the center but may be inclined toward the wall side, or may have a structure other than these as long as sludge can be accumulated.

供給液収容部32はエッチング液槽14からエッチング液が供給されMF30によって濾過し、後段の濾過液送液部34に濾過を行ったエッチング液を送液する。エッチング液槽14から供給液収容部32に送液される液量はMF30によって濾過される液量と同じ液量となるように送液することが好ましい。供給液収容部32の液量が減少し、MF30が液面から露出するとMF30に付着したスラッジが乾燥してしまい再びエッチング液に浸漬させても脱離させることが困難になり、濾過効率を減少させる原因となる。   The supply liquid storage part 32 is supplied with the etching liquid from the etching liquid tank 14 and is filtered by the MF 30, and sends the filtered etching liquid to the subsequent filtrate supply part 34. It is preferable to send the solution so that the amount of liquid sent from the etching solution tank 14 to the supply liquid storage unit 32 is the same as the amount of liquid filtered by the MF 30. When the amount of liquid in the supply liquid storage unit 32 is reduced and the MF 30 is exposed from the liquid surface, sludge adhering to the MF 30 is dried and it becomes difficult to remove even if it is immersed in the etching solution again, thereby reducing the filtration efficiency. Cause it.

また、供給液収容部32の底部には、積層したスラッジを底部で循環するような循環路を設けることが好ましい。底部には、散気管36が配置されており、底部にスラッジが積層しだすと散気管36の穴を塞いでしまいバブリングが上手く行えなくなってしまうおそれがある。バブリングが行われないとMF30によって捕集されたスラッジがMF30から脱離せずに残ってしまうため濾過の効率が悪くなる。循環路を設けることで散気管36の穴にスラッジが固着するおそれが低減する。   Further, it is preferable to provide a circulation path at the bottom of the supply liquid storage unit 32 for circulating the laminated sludge at the bottom. A diffuser pipe 36 is disposed at the bottom, and if sludge begins to accumulate on the bottom, a hole in the diffuser pipe 36 may be blocked and bubbling may not be performed well. If bubbling is not performed, the sludge collected by the MF 30 remains without being desorbed from the MF 30, so that the filtration efficiency is deteriorated. Providing the circulation path reduces the possibility of sludge sticking to the hole of the air diffuser 36.

図4は、MF30がエッチング液を吸引濾過するところを表した図である。MF30は上部に設置された吸引管40から濾過されたエッチング液を吸引し、またその圧力でMF30外にある濾過前のエッチング液をMF30内に浸透させる。スラッジはMF30のフィルタによって捕集されるためMF30内には侵入しない。下方の散気管36からバブリングを行い、フィルタの表面に圧力を加えてやることでフィルタからスラッジが脱離する。脱離したスラッジはバブリングによって浮遊し、やがて供給液収容部32の底部に積層する。脱離したスラッジはバブリングによって再びエッチング液中に分散され、一部は底部へと積層する。散気管36はMF30で捕集されたスラッジを脱離させるだけでなく、供給液収容部32内のエッチング液にスラッジを分散させSS濃度を均一化させるようになっている。   FIG. 4 is a diagram showing the MF 30 sucking and filtering the etching solution. The MF 30 sucks the filtered etching solution from the suction pipe 40 installed at the upper part, and the etching solution outside the MF 30 is permeated into the MF 30 by the pressure. Since sludge is collected by the filter of MF30, it does not enter MF30. Bubbling is performed from the lower air diffusion pipe 36, and pressure is applied to the surface of the filter, so that sludge is detached from the filter. The detached sludge floats by bubbling and is eventually stacked on the bottom of the supply liquid storage unit 32. The detached sludge is dispersed again in the etching solution by bubbling, and a part thereof is laminated on the bottom. The air diffuser 36 not only desorbs the sludge collected by the MF 30, but also disperses the sludge in the etching solution in the supply liquid storage unit 32 to make the SS concentration uniform.

フィルタの孔径は細かければ細かいほど粒径の小さなスラッジでも濾過することが可能であるが、その分濾過処理速度が低下してしまう。本実施形態で使用されるMF30の孔径は0.25μmのものを使用しており、濾過流量を考慮するとこれ以上細かいものを使用することは困難である。ガラスをエッチングする際に生成するスラッジは、MF30の孔径の0.25μmよりも細かくそのままMF30に通しても濾過することができない。MF30の径内に付着したスラッジは、外部からバブリング等の圧力を加えても脱離させることが困難であり、MF30の目詰まりが起きてしまい濾過効率の低下や濾過圧力の上昇によるMF30の破損につながってしまう。エッチング液に含まれるスラッジのSS濃度が高くなってくるとスラッジの粒径が大きくなり、濾過することができ、また、新たに生成された細かいスラッジも大きなスラッジに付着することで共に濾過することが可能である。   The finer the pore size of the filter is, the finer the particle size, the smaller the particle size can be filtered. The pore diameter of MF30 used in this embodiment is 0.25 μm, and it is difficult to use a finer one in consideration of the filtration flow rate. Sludge generated when etching glass is finer than the MF30 pore diameter of 0.25 μm and cannot be filtered even if it passes through MF30 as it is. The sludge adhering to the inside diameter of the MF30 is difficult to be removed even when pressure such as bubbling is applied from the outside. The MF30 is clogged, and the filtration efficiency is lowered or the MF30 is damaged due to an increase in the filtration pressure. Will lead to. When the SS concentration of the sludge contained in the etching solution increases, the particle size of the sludge increases and can be filtered, and the newly generated fine sludge also adheres to the large sludge and is filtered together. Is possible.

エッチング液に含まれるスラッジのSS濃度が3000mg/L未満のスラッジの粒径は0.25μmよりも小さいスラッジが多いためにMF30では濾過しきることができず、目詰まりが発生してしまう。そのため、エッチング液槽14に収容されるエッチング液が3000mg/L未満の場合は、エッチング液槽14から供給液収容部32への送液を停止し、MF濾過装置16内にエッチング液を持ち込まないようになっている。エッチング液に含まれるスラッジのSS濃度は、エッチング液槽14に備え付けられたセンサ70によって判断しても良いし、また、ガラス基板100の処理量からスラッジの析出量を予測して判断しても良い。   The particle size of sludge having an SS concentration of sludge contained in the etching solution of less than 3000 mg / L is often less than 0.25 μm, so that MF30 cannot be completely filtered and clogging occurs. Therefore, when the etching liquid accommodated in the etching liquid tank 14 is less than 3000 mg / L, the liquid supply from the etching liquid tank 14 to the supply liquid storage part 32 is stopped, and the etching liquid is not brought into the MF filter device 16. It is like that. The SS concentration of sludge contained in the etching solution may be determined by the sensor 70 provided in the etching solution tank 14 or may be determined by predicting the amount of sludge deposited from the processing amount of the glass substrate 100. good.

供給液収容部32の底部にはMF30によって濾過されたスラッジが積層されており、また積層されたスラッジがバブリングによって供給液収容部32内を舞っている状態になっている。エッチング液に含まれるスラッジのSS濃度が45000mg/Lを超えると、MF30に捕集されるスラッジがバブリングによる脱離が追い付かずにMF30の目詰まりが起きてしまい濾過効率の低下や濾過圧力の上昇によるMF30の破損につながってしまう。供給液収容部32の底部に設置してある配管よりフィルタープレス18にスラッジおよびスラリを送りだすことで供給液収容部32内のエッチング液に含まれるスラッジのSS濃度を低減できる。   Sludge filtered by the MF 30 is stacked on the bottom of the supply liquid storage section 32, and the stacked sludge is in a state of floating in the supply liquid storage section 32 by bubbling. If the SS concentration of the sludge contained in the etching solution exceeds 45000 mg / L, the sludge collected by the MF30 does not catch up with the desorption due to bubbling, and the clogging of the MF30 occurs, resulting in a decrease in filtration efficiency and an increase in filtration pressure. Will lead to damage to MF30. By sending sludge and slurry to the filter press 18 from a pipe installed at the bottom of the supply liquid storage unit 32, the SS concentration of sludge contained in the etching liquid in the supply liquid storage unit 32 can be reduced.

エッチング装置12を使用し続けると、エッチング液槽14から供給液収容部32へ送液されなかったスラッジがスプレーノズルに詰まることでエッチング液が噴射されなかったり、処理されるガラス基板100の上面にスラッジが付着したりしてガラス基板100が均等にエッチングされないためにガラス基板100表面にムラやうねりが出ることがある。また、エッチング液槽14に残留したスラッジがエッチング液槽14の壁面に固着してしまうことを防止するために定期的にエッチング液をエッチング装置12から抜いてメンテナンスを行う必要がある。エッチング液槽14から抜いたエッチング液はエッチングシステム10外部のフィルタープレスやMF濾過装置等で濾過した後、新液や水等加え調整されエッチング液槽14に戻される。   If the etching apparatus 12 is continuously used, sludge that has not been fed from the etchant tank 14 to the supply liquid storage unit 32 is clogged in the spray nozzle, so that the etchant is not sprayed, or the upper surface of the glass substrate 100 to be processed is The glass substrate 100 is not evenly etched due to sludge adhering, and thus the surface of the glass substrate 100 may be uneven or undulated. Further, in order to prevent sludge remaining in the etching solution tank 14 from adhering to the wall surface of the etching solution tank 14, it is necessary to periodically remove the etching solution from the etching apparatus 12 and perform maintenance. The etching solution extracted from the etching solution tank 14 is filtered by a filter press outside the etching system 10, an MF filtering device or the like, then added with a new solution, water, etc., and returned to the etching solution tank 14.

MF濾過装置16内に収容されるエッチング液は、替えることなく元の古いエッチング液をそのまま使用することが好ましい。MF濾過装置16内のエッチング液を新しく替えてしてしまうと供給液収容部32内のエッチング液に含まれるスラッジのSS濃度が0mg/Lからのスタートになってしまうため、比較的SS濃度の高いエッチング液をエッチング液槽14から送液されても目詰まりが起きてしまう。供給液収容部32の液替えを実施する場合はスラッジのSS濃度を3000mg/L以上に調整したものを用いる必要がある。また液替え実施時にMF30が乾燥してしまうのでMF30からスラッジを脱離させておく必要がある。   It is preferable to use the original old etching solution as it is without changing the etching solution stored in the MF filtration device 16. If the etching solution in the MF filtration device 16 is newly changed, the SS concentration of sludge contained in the etching solution in the supply solution storage unit 32 starts from 0 mg / L. Even if a high etching solution is fed from the etching solution tank 14, clogging occurs. When the liquid of the supply liquid storage unit 32 is changed, it is necessary to use a sludge whose SS concentration is adjusted to 3000 mg / L or more. Moreover, since MF30 will dry at the time of liquid change implementation, it is necessary to detach sludge from MF30.

MF濾過装置16は、液替え直後やガラス基板100のエッチング処理の停止などでエッチング液槽14のSS濃度が低い場合に、エッチング液槽14から供給液収容部32の送液を停止して濃度が3000mg/Lを下回らないように制御しているが、このときMF30の吸引濾過を停止してはならない。停止してしまうとMF30の表面にスラッジが固着してしまい、次に動かしたときにMF30が機能しなくなってしまう。MF30を吸引濾過し続けると供給液収容部32の液量が減ってしまうため、濾過処理し終わり濾過液送出部34に送液されたエッチング液を供給液収容部32に再び返送するようにしてやれば供給液収容部の液量が減らずにMF30の吸引濾過を稼動し続けることができる。濾過液を再び供給液収容部32に返送しても供給液収容部32のSS濃度に変化はないため、一定のSS濃度を維持することができる。   The MF filtration device 16 stops the feeding of the supply liquid storage unit 32 from the etching liquid tank 14 when the SS concentration of the etching liquid tank 14 is low immediately after the liquid change or when the etching process of the glass substrate 100 is stopped. However, the suction filtration of MF30 should not be stopped at this time. If it stops, sludge will adhere to the surface of MF30, and when it moves next, MF30 will stop functioning. If the suction filtration of the MF 30 is continued, the amount of liquid in the supply liquid storage unit 32 decreases. Therefore, the etching solution that has been filtered and sent to the filtrate supply unit 34 is returned to the supply liquid storage unit 32 again. Thus, the suction filtration of the MF 30 can be continued without reducing the liquid amount in the supply liquid storage unit. Even if the filtrate is returned to the supply liquid storage unit 32 again, there is no change in the SS concentration of the supply liquid storage unit 32, so that a constant SS concentration can be maintained.

図5および図6を用いて送液制御装置22について説明する。図5は送液制御装置22の制御を示すブロック図である。送液制御装置22はCPU60およびメモリ62を備え、自動弁である弁50、52、54、56およびセンサ70に接続されている。CPU60は、メモリ62に格納されたプログラムを読み込みつつ、センサ70のSS濃度の検出に基づき各弁50、52、54、56の開閉を自由に行えるようになっている。センサ70はエッチング液槽14および供給液収容部32に設置される。   The liquid feeding control device 22 will be described with reference to FIGS. 5 and 6. FIG. 5 is a block diagram showing the control of the liquid feeding control device 22. The liquid feeding control device 22 includes a CPU 60 and a memory 62, and is connected to valves 50, 52, 54, 56 and a sensor 70 which are automatic valves. The CPU 60 can freely open and close the valves 50, 52, 54, and 56 based on the detection of the SS concentration of the sensor 70 while reading the program stored in the memory 62. The sensor 70 is installed in the etching solution tank 14 and the supply solution storage unit 32.

図6は、エッチングシステム10の送液経路を表した図である。エッチング液槽14から供給液収容部32、濾過液送出部34からエッチング液槽14、濾過液送出部34から供給液収容部32および供給液収容部32からフィルタープレス18を結ぶ経路には、それぞれ弁50、弁52、弁54および弁56の自動弁が配置してある。送液制御装置22は、それぞれの自動弁の開閉を行うことでエッチング液の送液を制御している。   FIG. 6 is a diagram illustrating a liquid supply path of the etching system 10. The path connecting the etching liquid tank 14 to the supply liquid storage part 32, the filtrate supply part 34 to the etching liquid tank 14, the filtrate supply part 34 to the supply liquid storage part 32, and the path connecting the supply liquid storage part 32 to the filter press 18, respectively. Automatic valves 50, 52, 54 and 56 are arranged. The liquid feeding control device 22 controls the feeding of the etching liquid by opening and closing the respective automatic valves.

供給液収容部32内のSS濃度が5000〜40000mg/Lの範囲にあるときは、弁50および52を開状態、弁54および56を閉状態にしてエッチング液槽14、供給液収容部32および濾過液送出部34を循環するように送液を制御する。エッチング装置12でガラス基板100を処理するとスラッジが生成されるためにエッチング液槽14は一時的にSS濃度が上昇する。しかし、SS濃度が上昇したエッチング液を供給液収容部32へ送液し、濾過液送出部34から濾過後のエッチング液を受け取るためエッチング液槽14のSS濃度は一定に維持される。エッチング液槽14のSS濃度が一定に維持される代わりに、MF30によってスラッジが残留する供給液収容部32内のSS濃度は上昇していく。   When the SS concentration in the supply liquid storage unit 32 is in the range of 5000 to 40000 mg / L, the valves 50 and 52 are opened, the valves 54 and 56 are closed, and the etching solution tank 14, the supply liquid storage unit 32, and The liquid feed is controlled so as to circulate through the filtrate feed section 34. When the glass substrate 100 is processed by the etching apparatus 12, sludge is generated, so that the SS concentration of the etching solution tank 14 temporarily increases. However, since the etching solution having an increased SS concentration is sent to the supply solution storage unit 32 and the filtered etching solution is received from the filtrate sending unit 34, the SS concentration in the etching solution tank 14 is maintained constant. Instead of maintaining the SS concentration in the etching solution tank 14 constant, the SS concentration in the supply solution storage unit 32 where sludge remains is increased by the MF 30.

供給液収容部32はMF30の濾過処理によってSS濃度が上昇していくが、SS濃度が40000mg/Lを超えたときに弁50、弁52および弁56を開状態、弁54を閉状態にしてエッチング液槽14、供給液収容部32および濾過液送出部34を循環するように送液を制御しながら、供給液収容部32からフィルタープレス18へ送液するように制御している。供給液収容部32からフィルタープレス18へ送液すると供給液収容部32内のSS濃度が低減する。フィルタープレス18への送液は供給液収容部32内のSS濃度が5000mg/L未満になると弁56を閉状態にし、送液を停止するよう制御される。供給液収容部32内のSS濃度40000mg/Lを超えたときに送液を開始、5000mg/L未満のときに送液の停止するように制御することで供給液収容部32内のSS濃度が3000〜45000mg/Lの範囲を維持することができる。   The SS concentration of the supply liquid storage unit 32 increases as the MF 30 is filtered. When the SS concentration exceeds 40000 mg / L, the valve 50, the valve 52, and the valve 56 are opened, and the valve 54 is closed. While controlling the liquid feed to circulate through the etching liquid tank 14, the supply liquid storage part 32 and the filtrate supply part 34, the liquid supply is controlled from the supply liquid storage part 32 to the filter press 18. When liquid is supplied from the supply liquid storage part 32 to the filter press 18, the SS concentration in the supply liquid storage part 32 is reduced. The liquid feeding to the filter press 18 is controlled so as to stop the liquid feeding by closing the valve 56 when the SS concentration in the supply liquid storage unit 32 becomes less than 5000 mg / L. Feeding is started when the SS concentration in the supply liquid storage unit 32 exceeds 40000 mg / L, and the SS concentration in the supply liquid storage unit 32 is controlled by controlling the supply of liquid when it is less than 5000 mg / L. A range of 3000 to 45000 mg / L can be maintained.

エッチング液槽14のSS濃度が3000mg/L未満のときは、弁50、弁52および弁56を閉状態、弁54を開状態にして供給液収容部32と濾過液送出部34を循環するように送液を制御している。このように制御することで供給液収容部32内のSS濃度を下げることなくMF30の稼動ができるため、MF30がフィルタ詰まりすることはない。エッチング液槽14の液替え直後はエッチング液槽14のSS濃度は低いが、液替え時に上記のように切り替えているためそのままの状態でエッチング処理を開始するようにすれば良い。エッチング装置12でガラス基板100のエッチング処理を停止しているときにMF濾過装置16を稼動するとエッチング液槽14のSS濃度が低下していくので、ガラス基板100の処理量から予測して切り替えるようにしても良い。   When the SS concentration in the etching solution tank 14 is less than 3000 mg / L, the valve 50, the valve 52 and the valve 56 are closed, and the valve 54 is opened to circulate the supply liquid storage unit 32 and the filtrate supply unit 34. The liquid feeding is controlled. By controlling in this way, the MF 30 can be operated without lowering the SS concentration in the supply liquid storage unit 32, so that the MF 30 is not clogged with a filter. The SS concentration of the etching solution tank 14 is low immediately after the liquid change in the etching solution tank 14, but the etching process may be started as it is because it is switched as described above when changing the solution. When the etching apparatus 12 stops the etching process of the glass substrate 100, when the MF filtration apparatus 16 is operated, the SS concentration in the etching solution tank 14 decreases. Anyway.

送液制御装置22は、弁50および弁52の開閉の制御はセットで行わなければならない。また、弁50および弁52の送液は同量となるように制御しなければならない。どちらかが開どちらかが閉の状態であったり、送液量が同量でなかったりする場合、エッチング液槽14、供給液収容部32および濾過液送出部34の液量のバランスが崩れタンクの容量を超えてしまう漏液や液面の低下が起こってしまうおそれがある。弁54の送液量もMF30の濾過量と同量となるようにすれば良い。弁56からフィルタープレス18へ送液すると供給液収容部32の液量が減ってしまうため、弁56を開状態にする場合のみ弁50の液量を上げ供給液収容部32内にあるMF30がエッチング液面から出ないように制御しなければならない。   The liquid feeding control device 22 must control the opening and closing of the valve 50 and the valve 52 as a set. Further, the liquid feeding of the valve 50 and the valve 52 must be controlled to be the same amount. When either one is open or the other is closed, or the amount of liquid to be fed is not the same, the balance of the amount of liquid in the etching liquid tank 14, the supply liquid storage part 32, and the filtrate sending part 34 is lost. There is a possibility that the liquid leakage exceeding the capacity of the liquid or the liquid level may decrease. The liquid feeding amount of the valve 54 may be the same as the filtration amount of the MF 30. When the liquid is fed from the valve 56 to the filter press 18, the amount of liquid in the supply liquid storage unit 32 decreases. Therefore, only when the valve 56 is opened, the liquid amount of the valve 50 is increased and the MF 30 in the supply liquid storage unit 32 It must be controlled so that it does not come out of the etching liquid surface.

送液制御装置22が5000〜40000mg/Lの範囲で制御するのは、供給液収容部32内のSS濃度5000mg/Lを切ったときに供給液収容部32からフィルタープレス18への送液を停止、または、供給液収容部32内のSS濃度が40000mg/Lを超えたときに供給液収容部32からフィルタープレス18への送液を開始すると、供給液収容部32内のSS濃度が3000〜45000mg/Lの範囲内を維持しているというアクションラインである。誤差なく制御できるのであれば、供給液収容部32内のSS濃度が3000のときに供給液収容部32からフィルタープレス18への送液の停止、または、供給液収容部32内のSS濃度が45000mg/Lのときに供給液収容部32からフィルタープレス18への送液の開始を行うことが理想である。   The liquid feeding control device 22 controls in the range of 5000 to 40,000 mg / L because the liquid feeding from the liquid feeding container 32 to the filter press 18 is performed when the SS concentration in the liquid feeding container 32 is cut to 5000 mg / L. When the SS concentration in the supply liquid storage unit 32 is stopped or when the liquid supply from the supply liquid storage unit 32 to the filter press 18 is started when the SS concentration in the supply liquid storage unit 32 exceeds 40000 mg / L, the SS concentration in the supply liquid storage unit 32 is 3000. It is an action line that maintains within the range of ˜45000 mg / L. If control can be performed without error, when the SS concentration in the supply liquid storage unit 32 is 3000, the supply of liquid from the supply liquid storage unit 32 to the filter press 18 is stopped, or the SS concentration in the supply liquid storage unit 32 is It is ideal to start feeding liquid from the supply liquid storage unit 32 to the filter press 18 at 45000 mg / L.

以上のように制御すれば、エッチング装置12で生成されたスラッジをMF濾過装置16で目詰まりや破損等することなく効率良く濾過することができる。また、エッチング液の処理量に応じてMF30のフィルタのサイズや設置枚数を可変できるので、装置規模に合わせた濾過装置を簡単に調整することができる。   By controlling as described above, the sludge generated by the etching device 12 can be efficiently filtered by the MF filtering device 16 without being clogged or damaged. In addition, since the size of the MF 30 filter and the number of installed MF 30 can be varied in accordance with the processing amount of the etching solution, it is possible to easily adjust the filtration device according to the device scale.

上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。   The above description of the embodiment is to be considered in all respects as illustrative and not restrictive. The scope of the present invention is shown not by the above embodiments but by the claims. Furthermore, the scope of the present invention is intended to include all modifications within the meaning and scope equivalent to the scope of the claims.

10−エッチングシステム
12−エッチング装置
14−エッチング液槽
16−MF濾過装置
18−フィルタープレス
20−汚泥収容部
22−送液制御装置
30−MF
32−供給液収容部
34−濾過液送出部
36−散気管
40−吸引管
42,44−配管
50,52,54,56−弁
60−CPU
62−メモリ
70−センサ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10-Etching system 12-Etching apparatus 14-Etching liquid tank 16-MF filtration apparatus 18-Filter press 20-Sludge storage part 22-Liquid feeding control apparatus 30-MF
32-Supply liquid storage part 34-Filtrate delivery part 36-Air diffusion pipe 40-Suction pipe 42, 44-Piping 50, 52, 54, 56-Valve 60-CPU
62-memory 70-sensor

Claims (3)

ガラス基板に対しエッチング処理を行うためのエッチングシステムであって、
少なくともエッチング液槽を備え、エッチング液槽に収容されたエッチング液をガラス基板に接触させることによりエッチング処理を行うように構成されたエッチング装置と、
前記エッチング液槽に接続されており、前記エッチング液槽に収容されたエッチング液を濾過するように構成された膜式濾過装置と、
前記膜式濾過装置に接続されており、前記膜式濾過装置にて捕捉されたスラリを受け入れ可能な被捕捉物収容槽を有する後処理部と、
前記エッチング液槽、前記膜式濾過装置、および前記後処理部における送液を制御する送液制御手段と、
を少なくとも備え、
前記膜式濾過装置は、
エッチング液を濾過するように構成された膜モジュールと、
前記膜モジュールに供給されるべきエッチング液を収容する供給液収容部と、
前記膜モジュールを通過後のエッチング液を送出する濾過液送出部と、
前記膜モジュールの目詰まりを防止するための目詰まり防止手段と、
を備え、
前記送液制御手段は、前記膜式濾過装置の前記供給液収容部内のSS濃度が3000〜45000mg/Lの範囲になるように前記エッチング液槽、前記膜式濾過装置、および前記後処理部における送液を制御することを特徴とするエッチングシステム。
An etching system for performing an etching process on a glass substrate,
An etching apparatus comprising at least an etchant tank, and configured to perform an etching process by bringing an etchant contained in the etchant tank into contact with a glass substrate;
A membrane filtration device connected to the etchant tank and configured to filter the etchant contained in the etchant tank;
A post-processing unit that is connected to the membrane filtration device and has a captured object storage tank capable of receiving the slurry captured by the membrane filtration device;
Liquid feeding control means for controlling liquid feeding in the etching liquid tank, the membrane filtration device, and the post-processing section;
Comprising at least
The membrane filtration device is:
A membrane module configured to filter the etchant;
A supply liquid storage section for storing an etching liquid to be supplied to the membrane module;
A filtrate delivery section for delivering the etching solution after passing through the membrane module;
Clogging prevention means for preventing clogging of the membrane module;
With
The liquid feeding control means is provided in the etching solution tank, the membrane filtration device, and the post-treatment unit so that the SS concentration in the supply liquid storage unit of the membrane filtration device is in a range of 3000 to 45000 mg / L. An etching system that controls liquid feeding.
前記送液制御手段は、前記エッチング液槽のSS濃度が3000mg/L未満のときに前記エッチング液槽から前記供給液収容部への送液、前記濾過液送出部からエッチング液槽への送液および前記膜式濾過装置から前記後処理部への送液を停止し、濾過後のエッチング液を前記濾過液送出部から前記供給液収容部へ循環させることを特徴とする請求項1に記載のエッチングシステム。   The liquid feeding control means feeds liquid from the etching liquid tank to the supply liquid storage section when the SS concentration of the etching liquid tank is less than 3000 mg / L, and sends liquid from the filtrate feeding section to the etching liquid tank. 2. The liquid feeding from the membrane filtration device to the post-processing unit is stopped, and the filtered etching solution is circulated from the filtrate feeding unit to the supply liquid storage unit. Etching system. 前記送液制御手段は、前記供給液収容部内のSS濃度が40000mg/Lを超えているときに前記膜式濾過装置にて捕捉されたスラリを前記後処理部に排出し、前記供給液収容部内のSS濃度が5000mg/L未満になると排出を停止することを特徴とする請求項1に記載のエッチングシステム。   The liquid feeding control means discharges the slurry captured by the membrane filtration device to the post-processing section when the SS concentration in the supply liquid storage section exceeds 40000 mg / L, and the inside of the supply liquid storage section The etching system according to claim 1, wherein the discharge is stopped when the SS concentration of is less than 5000 mg / L.
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