JP2017051340A - センサ及びセンサシステム - Google Patents

センサ及びセンサシステム Download PDF

Info

Publication number
JP2017051340A
JP2017051340A JP2015176657A JP2015176657A JP2017051340A JP 2017051340 A JP2017051340 A JP 2017051340A JP 2015176657 A JP2015176657 A JP 2015176657A JP 2015176657 A JP2015176657 A JP 2015176657A JP 2017051340 A JP2017051340 A JP 2017051340A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
emitting region
light
receiving element
sensor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2015176657A
Other languages
English (en)
Inventor
啓司 杉
Keiji Sugi
啓司 杉
小野　富男
Tomio Ono
富男 小野
健矢 米原
Kenya Yonehara
健矢 米原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2015176657A priority Critical patent/JP2017051340A/ja
Priority to US15/254,372 priority patent/US20170067778A1/en
Publication of JP2017051340A publication Critical patent/JP2017051340A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
    • H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
    • H01L31/173—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers formed in, or on, a common substrate
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B5/00—Measuring for diagnostic purposes; Identification of persons
    • A61B5/145—Measuring characteristics of blood in vivo, e.g. gas concentration, pH value; Measuring characteristics of body fluids or tissues, e.g. interstitial fluid, cerebral tissue
    • A61B5/1455—Measuring characteristics of blood in vivo, e.g. gas concentration, pH value; Measuring characteristics of body fluids or tissues, e.g. interstitial fluid, cerebral tissue using optical sensors, e.g. spectral photometrical oximeters
    • A61B5/14551—Measuring characteristics of blood in vivo, e.g. gas concentration, pH value; Measuring characteristics of body fluids or tissues, e.g. interstitial fluid, cerebral tissue using optical sensors, e.g. spectral photometrical oximeters for measuring blood gases
    • A61B5/14552—Details of sensors specially adapted therefor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S17/00—Systems using the reflection or reradiation of electromagnetic waves other than radio waves, e.g. lidar systems
    • G01S17/02—Systems using the reflection of electromagnetic waves other than radio waves
    • G01S17/06—Systems determining position data of a target
    • G01S17/46—Indirect determination of position data
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S17/00—Systems using the reflection or reradiation of electromagnetic waves other than radio waves, e.g. lidar systems
    • G01S17/88—Lidar systems specially adapted for specific applications
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S17/00—Systems using the reflection or reradiation of electromagnetic waves other than radio waves, e.g. lidar systems
    • G01S17/88—Lidar systems specially adapted for specific applications
    • G01S17/89—Lidar systems specially adapted for specific applications for mapping or imaging
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
    • G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
    • G01S7/481—Constructional features, e.g. arrangements of optical elements
    • G01S7/4814—Constructional features, e.g. arrangements of optical elements of transmitters alone
    • G01S7/4815—Constructional features, e.g. arrangements of optical elements of transmitters alone using multiple transmitters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B2562/00—Details of sensors; Constructional details of sensor housings or probes; Accessories for sensors
    • A61B2562/02—Details of sensors specially adapted for in-vivo measurements
    • A61B2562/0233—Special features of optical sensors or probes classified in A61B5/00
    • A61B2562/0238—Optical sensor arrangements for performing transmission measurements on body tissue

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Remote Sensing (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Heart & Thoracic Surgery (AREA)
  • Medical Informatics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Surgery (AREA)
  • Animal Behavior & Ethology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Veterinary Medicine (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Measuring Pulse, Heart Rate, Blood Pressure Or Blood Flow (AREA)
  • Measurement Of The Respiration, Hearing Ability, Form, And Blood Characteristics Of Living Organisms (AREA)

Abstract

【課題】検出精度を向上できるセンサ及びセンサシステムを提供する。【解決手段】センサ１１０は、第１発光領域１１と、第２発光領域１２と、受光素子３０と、を含む。受光素子には、第１発光領域から出射した第１光の少なくとも一部及び第２発光領域から出射した第２光の少なくとも一部の少なくともいずれかが、入射する。第１発光領域から第２発光領域に向かう第１方向における第２発光領域の第２位置は、第１方向における第１発光領域の第１位置と、第１方向における受光素子の受光位置と、の間である。【選択図】図１

Description

実施形態は、センサ及びセンサシステムに関する。
光を検出対象に照射し、検出対象で反射された光を検出するセンサがある。センサにおいて高い検出精度が望まれる。
特開２０１３−１２６５１０号公報
本発明の実施形態は、検出精度を高めることが可能なセンサ及びセンサシステムを提供する。
実施形態に係るセンサは、第１発光領域と、第２発光領域と、受光素子と、を含む。前記受光素子には、前記第１発光領域から出射した第１光の少なくとも一部及び前記第２発光領域から出射した第２光の少なくとも一部の少なくともいずれかが、入射する。前記第１発光領域から前記第２発光領域に向かう第１方向における前記第２発光領域の第２位置は、前記第１方向における前記第１発光領域の第１位置と、前記第１方向における前記受光素子の受光位置と、の間である。
図１（ａ）及び図１（ｂ）は、第１の実施形態に係るセンサを例示する模式図である。 図２（ａ）及び図２（ｂ）は、第１の実施形態に係るセンサの動作を例示する模式的断面図である。 第１の実施形態に係るセンサの動作を例示するフローチャート図である。 図４（ａ）〜図４（ｃ）は、第１の実施形態に係るセンサの一部を例示する模式的断面図である。 第１の実施形態に係るセンサの別の動作を例示する模式的断面図である。 図６（ａ）〜図６（ｃ）は、第１の実施形態に係る別のセンサを例示する模式的断面図である。 図７（ａ）〜図７（ｃ）は、第２の実施形態に係るセンサを例示する模式的平面図である。 図８（ａ）〜図８（ｃ）は、第２の実施形態に係る別のセンサを例示する模式的平面図である。 図９（ａ）及び図９（ｂ）は、第２の実施形態に係る別のセンサを例示する模式的平面図である。 図１０（ａ）〜図１０（ｄ）は、第３の実施形態に係る別のセンサを例示する模式的平面図である。 第４の実施形態に係るセンサを例示する模式的平面図である。 第５の実施形態に係るセンサシステムを例示する模式図である。
以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。図面中の同一部分には、同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について説明する。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
（第１の実施形態）
図１（ａ）及び図１（ｂ）は、第１の実施形態に係るセンサを例示する模式図である。 図１（ａ）は、平面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ１−Ａ２線断面図である。
図１（ａ）に示すように、本実施形態に係るセンサ１１０は、複数の発光領域１０（例えば、第１〜第５発光領域１１〜１５など）と、受光素子３０と、を含む。この例では、センサ１１０は、基板８０をさらに含む。センサ１１０は、例えば、生体信号（例えば、脈波及び血中酸素濃度など）を検出することが可能である。
後述するように、第１発光領域１１から出射した光（第１光）が検出対象（例えば生体）に照射され、第２発光領域１２から出射した光（第２光）が検出対象に照射される。検出対象中においてこれらの光が反射される。これらの光が例えば散乱される。反射及び散乱の少なくともいずれかの光が受光素子３０に入射する。すなわち、第１光の少なくとも一部、及び、第２光の少なくとも一部、の少なくともいずれかが、受光素子３０に入射する。
第１発光領域１１から第２発光領域１２に向かう方向を第１方向とする。第１方向をＸ軸方向とする。Ｘ軸方向に対して垂直な１つの方向をＹ軸方向とする。Ｘ軸方向とＹ軸方向とに対して垂直な方向をＺ軸方向とする。
図１（ｂ）に示すように、基板８０は、第１面８１と第２面８２とを有する。第１面８１は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に沿う。第２面８２は、第１面８１とは反対側の面である。例えば、第１面８１は上面であり、第２面８２は下面である。第１面８１は、例えば、Ｚ軸方向に対して実質的に垂直である。基板８０は、可撓性を有しても良い。第１面８１は、例えば、曲面でも良い。
複数の発光領域１０は、第１面８１に設けられる。複数の発光領域１０は、例えば、Ｘ−Ｙ平面に設けられる。この例では、受光素子３０も、第１面８１に設けられる。後述するように、受光素子３０は、第２面８２に設けられても良い。
第１方向（第１発光領域１１から第２発光領域１２に向かう方向であり、この例ではＸ軸方向）における第２発光領域１２の位置（第２位置）は、第１方向における第１発光領域１１の位置（第１位置）と、第１方向における受光素子３０の位置（受光位置）と、の間である。
すなわち、第１発光領域１１は、受光素子３０から遠い。第２発光領域１２は、受光素子３０に近い。第１発光領域１１と受光素子３０との間の距離は、第２発光領域１２と受光素子３０との間の距離よりも長い。
受光素子３０と、第１発光領域１１との間に、第２発光領域１２が設けられる。この例では、第１発光領域１１と、第２発光領域１２との間に、第３発光領域１３が設けられる。第３発光領域１３と、第２発光領域１２との間に、第４発光領域１４が設けられる。第４発光領域１４と、第２発光領域１２との間に、第５発光領域１５が設けられる。
実施形態において、複数の発光領域１０（例えば、第１〜第５発光領域１１〜１５）は、Ｚ軸方向（第１方向に対して垂直な１つの方向）において、受光素子３０と重ならない。
第１〜第５発光領域１１〜１５のそれぞれは、第１〜第５光Ｌ１〜Ｌ５のそれぞれを出射する。この例では、基板８０は、光透過性である。第１〜第５光Ｌ１〜Ｌ５は、基板８０を透過する。基板８０を透過した光が、検出対象に入射する。検出対象で反射（または散乱）した光が、基板８０を通過して、受光素子３０に入射する。受光素子３０で得られる検出信号により検出対象が検出される。
図１（ｂ）に示すように、この例では、センサ１１０は、制御部６０を含む。制御部６０は、複数の発光領域１０と、接続される。制御部６０は、複数の発光領域１０を駆動する。制御部６０は、受光素子３０と接続されてもよい。制御部６０に、例えば、受光素子３０で得られた検出信号が入力される。制御部６０は、受光素子３０で得られた検出信号を処理しても良い。
例えば、受光素子３０から遠い第１発光領域１１から出射した光は、検出対象のうちの遠い位置を通過した後に、受光素子３０に入射する。一方、受光素子３０に近い第２発光領域１２から出射した光は、検出対象のうちの近い位置を通過した後に、受光素子３０に入射する。受光素子３０からの距離が互いに異なる複数の発光領域１０を用いることで、センサ１１０からの距離が互いに異なる複数の位置の検出を、それぞれ高精度で実施することができる。
実施形態に係るセンサ１１０は、例えば、生体の検出に用いられる。生体は、対象物（例えば血管など）を含む。センサ１１０が、生体の表面の近傍に配置される。複数の発光領域１０から出射した光が、生体中に入射する。入射した光が、生体中の血管などで反射（散乱）される。反射（散乱）された光が、受光素子３０に入射する。例えば、生体は、生体中の表面に近い位置（浅い位置）と、生体中の表面から遠い位置（深い位置）と、を有する。例えば、浅い位置における血管の密度が、深い位置に存在する血管の密度よりも低い場合がある。このとき、密度の高い深い位置を通過するように、例えば、第１発光領域１１の光を用いて検出を行う。これにより、所望の位置の血管の状態を高い精度に検出することができる。すなわち、所望の深さの位置の情報を、その深さに対応する発光領域１０を用いて検出することで、検出の精度を高めることができる。
例えば、第１発光領域１１が発光しているときに、第２発光領域１２は、発光しない。これにより、目的とする深さではない深さの位置の影響が抑制される。これにより、目的とする深さの位置の対象物（血管）の状態を高精度で検出できる。
逆に、例えば、第２発光領域１２を発光させて、第１発光領域１１を発光させない。そして、第２発光領域１２の光を用いて検出を行う。これにより、浅い位置の血管の状態を高い精度に検出することができる。このとき、第１発光領域１１が発光しないため、深い位置の影響が抑制される。これにより、目的とする浅い位置の対象物（血管）の状態を高精度で検出できる。
一方、例えば、複数の発光領域と受光素子との距離が同じである第１参考例がある。この参考例では、受光素子の周りの同心円上に、複数の発光領域が並べられる。この参考例においては、複数の発光領域と受光素子との距離が同じであるため、異なる深さの位置についての情報を高精度で得ることが困難である。
実施形態においては、第２発光領域１２が、第１発光領域１１と受光素子３０との間に設けられる。すなわち、１つの方向において、受光素子３０からの距離が互いに異なる複数の位置に、第１発光領域１１と第２発光領域１２が設けられる。このような第１発光領域１１及び第２発光領域１２を用いることで、異なる深さの位置についての情報を高精度で得ることができる。
さらに、生体の検査として、特定の血管の状態を検査する場合がある。この血管の生体の表面からの位置は、生体によって異なる場合がある。例えば、皮膚の表面近傍の脂肪の層の厚さなどは、生体によって異なる。このような場合は、特定の血管の表面からの深さが、生体によって異なる。このような場合にも、異なる深さに応じた発光領域を用いることで、その特定の血管の状態を高精度に検出できる。
さらに、生体の検査を連続的に常時行う場合もある。このような場合には、負担を軽減するために、生体中の特定の位置で検査が行われる。この特定の位置においては、血管の密度が低い場合がある。このような場合には、その血管に対応する領域を対象として選択的に検出することで、高い精度の検出が可能になる。
図２（ａ）及び図２（ｂ）は、第１の実施形態に係るセンサの動作を例示する模式的断面図である。
図２（ａ）は、第１動作ＯＰ１に対応する。図２（ｂ）は、第２動作ＯＰ２に対応する。
図２（ａ）に示すように、生体２００は、第１血管２０１と、第２血管２０２と、を含む。第１血管２０１と基板８０との距離は、第２血管２０２と基板８０との距離よりも長い。
図２（ａ）に示す第１動作ＯＰ１においては、第１血管２０１が検出の対象物とされる。第１動作ＯＰ１においては、第１発光領域１１が、発光状態（例えば第１発光状態）とされる。そして、第２発光領域１２が、非発光状態（例えば第２非発光状態）とされる。この例では、第３〜第５発光領域１３〜１５は、非発光状態とされている。
非発光状態の発光領域１０（この例では第２〜第５発光領域１２〜１５）においては、発光領域１０から光が放出されない。または、非発光領域の発光領域１０（この例では第２〜第５発光領域１２〜１５）から放出される光の強度は、発光状態の発光領域１０（この例では第１発光領域１１）から放出される光の強度よりも低い。例えば、非発光状態における光の強度は、発光状態における光の強度の１／１０以下である。
図２（ｂ）に示す第２動作ＯＰ２においては、第２血管２０２が検出の対象物とされる。第２動作ＯＰ２において、第２発光領域１２が、発光状態（第２発光状態）とされる。そして、第１発光領域１１が、非発光状態とされる。この例では、第３〜第５発光領域１３〜１５は、非発光状態）とされる。
図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、対象物（第１血管２０１または第２血管２０２）に対応させて発光領域１０が選択される。これにより、対象物の状態を高い精度で検出することができる。
このような第１動作ＯＰ１及び第２動作ＯＰ２は、例えば、制御部６０により実施されても良い。以下、制御部６０の動作の例について説明する。
図３は、第１の実施形態に係るセンサの動作を例示するフローチャート図である。
図３に示すように、制御部６０は、前動作を実施する（ステップＳ１１０）。前動作は、例えば、準備動作である。前動作においては、複数の発光領域１０のそれぞれを発光状態にする。例えば、複数の発光領域１０は、順番に１つずつ発光状態とされ、それに同期して、受光素子３０で光が検出される。例えば、複数の発光領域１０のそれぞれが発光状態であり、他の発光領域１０が非発光状態であるときの光の状態が、検出される。
例えば、検出の対象物が血管である場合、光の変化（信号）は脈波状となる。脈波状の振幅が大きい期間が特定され、その期間に発光状態とされた発光領域１０が特定される。例えば、脈波状の振幅に関するしきい値が定められ、そのしきい値と、検出された振幅とが比較される。この比較結果に基づいて、脈波状の振幅が大きい期間が特定される。このようにして、前動作により、目的とする対象物（血管）に対しての感度が高い発光領域１０が、決定される。すなわち、前動作の結果に基づいて、複数の発光領域１０のなかから第１発光領域１１が定められ、前動作の結果に基づいて、複数の発光領域１０のなかから第２発光領域１２が定められる。
そして、制御部６０は、前動作の後に、第１動作ＯＰ１を実施する（ステップＳ１２０）。第１動作ＯＰ１では、前動作の結果に基づいて定められた第１発光領域１１は、発光状態（第１発光状態）であり、前動作の結果に基づいて定められた第２発光領域１２は、非発光状態（第２非発光状態）である。
すなわち、前動作により、検出の対象物（例えば血管など）に対応する発光領域１０が特定され、特定された発光領域１０が発光状態とされる。他の発光領域１０は非発光状態とされる。これにより、１つの対象物を高い精度で検出できる。
さらに、図３に示すように、このような動作を繰り返して実施してもよい。すなわち、第１動作ＯＰ１を実施した後に、前動作を再度実施する。再度実施された前動作の結果に基づいて、別の第１動作（すなわち第２動作ＯＰ２）が実施されても良い。対象物が異なる場合、または、センサ１１０と対象物との間の相対的な位置が移動した場合などに、第２動作ＯＰ２が実施される。第２動作ＯＰ２においても、高い精度で検出が行われる。
上記のように、本実施形態に係るセンサ１１０においては、検査の対象物に対応させて、複数の発光領域１０の一部を発光状態として、他の発光領域１０を非発光状態とする。これにより、高精度の検出が可能になる。
一方、１つの発光素子と、複数の検出素子と、を設ける第２参考例がある。この参考例においては、複数の検出素子により撮像画像を取得して、その撮像画像に基づいて血管の位置（深さなど）が特定され、その結果に基づいて、例えば、血管中の成分が検出される。この参考例においては、複雑な画像処理が行われ、装置（特に処理回路）が複雑となる。さらに、複数の受光素子をマトリクス状に配置するこの第２参考例においては、高コストである。
さらに、この第２参考例では、１つの発光素子から出射された光が広い範囲に広がり、その広い範囲を通過した光により撮像が行われる。光は、広い範囲に存在する複数の対象物（血管など）で散乱されて、複数の受光素子に入射する。複数の対象物のそれぞれで反射（散乱）された光は、他の対象物にも入射しさらに反射（散乱）する。このため、広い範囲を通過した光は、複数の対象物の影響を受ける。このため、第２参考例では、特定の対象物を高い精度で検出することが困難である。
さらに、対象物が血管などである場合には、検出される信号は脈波状である。脈波は、時間的に変化し、実質的に周期的である。このような脈波が、広い範囲内の複数の対象物から生じる場合には、広い範囲内の位置の違いによって、脈波において、時間遅れが生じる。すなわち、広い範囲に存在する対象物（血管など）の位置の違いによって、脈波において、時間的なずれが重なる。時間的なずれの重なりの影響を、光が受ける。この光が、複数の受光素子に到達する。このため、第２参考例においては、脈波の時間的なずれの影響によって、高い精度の検出が困難である。
これに対して、実施形態に係るセンサ１１０においては、目的とする対象物（血管など）に対応する発光領域１０が選択的に発光状態とされる。これにより、脈波の時間的なずれの影響が抑制される。このため、脈波の対象物を検出する際にも高い精度の検出が可能になる。
そして、実施形態においては、複雑な画像処理などが不要であり、装置が簡単である。このため、コストを低くすることができる。
一方、受光素子がＺ軸方向において複数の発光領域と重なる第３参考例がある。複数の発光領域の少なくとも一部が、Ｚ軸方向において受光素子と重なる。この場合には、受光素子の受光面の一部が、発光領域によって遮蔽される。このため、受光素子を十分に利用できず、検出効率が十分ではない。このため、第３参考例においては、検出感度の向上が十分ではない。
これに対して、実施形態においては、複数の発光領域１０は、Ｚ軸方向において受光素子３０と重ならない。このため、受光素子３０の受光面は、発光領域１０によって遮蔽されない。受光素子３０を十分に利用できるため、検出効率が高い。実施形態においては、検出感度を向上できる。これにより、高精度の検出が可能になる。
さらに、実施形態において、複数の発光領域１０として、有機発光層を用いることで、検出のノイズを低くすることができる。発明者の検討によると、有機発光層を含む発光領域から放射される光のノイズは、無機発光層（例えば半導体結晶など）を含む発光領域から放射される光のノイズよりも低いことが分かった。例えば、半導体結晶においては、一定の確率でキャリアが再結合して光が放出される。半導体結晶において、再結合の揺らぎは比較的小さいため、再結合の揺らぎに応じたノイズが生じると考えられる。
これに対して、有機発光層においては、有機発光層に含まれる化合物の揺らぎが大きいため、再結合は時間的に平均化されると考えられる。その結果、有機発光層を用いた場合には、ノイズが低くなると考えられる。特に、脈波状の信号を検出する場合には、信号の時間的な変化を安定して検出することで、脈波を高精度で検出することができる。低ノイズの光を用いることで、脈波を高精度で検出できる。有機発光層を含む発光領域から放射される光は、脈波などの、出力される信号が微小な検出対象を検出する用途に適している。
実施形態においては、複数の発光領域１０が設けられ、複数の発光領域１０が選択的に発光状態とされる。このため、複数の発光領域１０のそれぞれの駆動時間は、短い。有機発光層は、無機発光層（例えば半導体結晶など）に比べて、駆動寿命が短い場合がある。実施形態において、複数の発光領域１０が有機発光層を含む場合、複数の発光領域１０のそれぞれの駆動時間は、短いため、有機発光層の駆動寿命の短さの問題が緩和される。
以下、発光領域１０が有機発光層を含む場合の例について説明する。
図４（ａ）〜図４（ｃ）は、第１の実施形態に係るセンサの一部を例示する模式的断面図である。
図４（ａ）に示すように、センサ１１０ｐにおいては、第１セグメント電極１１ｅと、第１対向電極１１ｆと、第１発光層１１ｐと、第１セグメント中間層１１ｑと、第１対向中間層１１ｒと、が設けられる。第１セグメント電極１１ｅと第１対向電極１１ｆとの間に、第１発光層１１ｐが設けられる。第１セグメント電極１１ｅと第１発光層１１ｐとの間に、第１セグメント中間層１１ｑが設けられる。第１発光層１１ｐと第１対向電極１１ｆとの間に、第１対向中間層１１ｒが設けられる。第１セグメント電極１１ｅは、第１発光領域１１に含まれる。この例では、第１対向電極１１ｆ、第１発光層１１ｐ、第１セグメント中間層１１ｑ及び第１対向中間層１１ｒも、第１発光領域１１に含まれる。
さらに、センサ１１０ｐにおいては、第２セグメント電極１２ｅと、第２対向電極１２ｆと、第２発光層１２ｐと、第２セグメント中間層１２ｑと、第２対向中間層１２ｒと、が設けられる。第２セグメント電極１２ｅと第２対向電極１２ｆとの間に、第２発光層１２ｐが設けられる。第２セグメント電極１２ｅと第２発光層１２ｐとの間に、第２セグメント中間層１２ｑが設けられる。第２発光層１２ｐと第２対向電極１２ｆとの間に、第２対向中間層１２ｒが設けられる。第２セグメント電極１２ｅは、第２発光領域１２に含まれる。この例では、第２対向電極１２ｆ、第２発光層１２ｐ、第２セグメント中間層１２ｑ及び第２対向中間層１２ｒも、第２発光領域１２に含まれる。
第１発光層１１ｐは、例えば、第１有機発光層であり、第２発光層１２ｐは、例えば、第２有機発光層である。
図４（ｂ）に示すように、センサ１１０ｑにおいては、対向電極１０ｆが設けられる。そして、第１セグメント電極１１ｅと、第１発光層１１ｐと、第１セグメント中間層１１ｑと、第１対向中間層１１ｒと、が設けられる。第１セグメント電極１１ｅと対向電極１０ｆとの間に第１発光層１１ｐが設けられる。第１発光層１１ｐと対向電極１０ｆとの間に第１対向中間層１１ｒが設けられる。さらに、第２セグメント電極１２ｅと、第２発光層１２ｐと、第２セグメント中間層１２ｑと、第２対向中間層１２ｒと、が設けられる。第２セグメント電極１２ｅと対向電極１０ｆとの間に第２発光層１２ｐが設けられる。第２発光層１２ｐと対向電極１０ｆとの間に第２対向中間層１２ｒが設けられる。第１セグメント電極１１ｅは、第１発光領域１１に含まれる。この例では、第１発光層１１ｐ、第１セグメント中間層１１ｑ及び第１対向中間層１１ｒも、第１発光領域１１に含まれる。第２セグメント電極１２ｅは、第２発光領域１２に含まれる。この例では、第２発光層１２ｐ、第２セグメント中間層１２ｑ及び第２対向中間層１２ｒも、第２発光領域１２に含まれる。対向電極１０ｆは、Ｚ軸方向において第１セグメント電極１１ｅと重なる部分を有する。この部分は、第１発光領域１１として用いられる。対向電極１０ｆは、Ｚ軸方向において第２セグメント電極１２ｅと重なる部分を有する。この部分は、第２発光領域１２として用いられる。
図４（ｃ）に示すように、センサ１１０ｒにおいては、発光層１０ｐ、セグメント中間層１０ｑ、対向中間層１０ｒ、及び、対向電極１０ｆが設けられる。さらに、第１セグメント電極１１ｅ及び、第２セグメント電極１２ｅが設けられる。第１セグメント電極１１ｅと対向電極１０ｆとの間、及び、第２セグメント電極１２ｅと対向電極１０ｆとの間に、発光層１０ｐが設けられる。第１セグメント電極１１ｅと発光層１０ｐとの間、及び、第２セグメント電極１２ｅと対向電極１０ｆとの間に、セグメント中間層１０ｑが設けられる。発光層１０ｐと対向電極１０ｆとの間に対向中間層１０ｒが設けられる。第１セグメント電極１１ｅは、第１発光領域１１に含まれる。第２セグメント電極１２ｅは、第２発光領域１２に含まれる。発光層１０ｐ、セグメント中間層１０ｑ、対向中間層１０ｒ及び対向電極１０ｆのそれぞれは、Ｚ軸方向において第１セグメント電極１１ｅと重なる部分を有する。これらの部分は、第１発光領域１１として用いられる。発光層１０ｐ、セグメント中間層１０ｑ、対向中間層１０ｒ及び対向電極１０ｆのそれぞれは、Ｚ軸方向において第２セグメント電極１２ｅと重なる部分を有する。これらの部分は、第２発光領域１２として用いられる。
第１及び第２セグメント電極１１ｅ及び１２ｅは、例えば、アルミニウム、銀、及び金の少なくともいずれかを含む。これらの電極は、例えば、マグネシウムと銀の合金を含んでも良い。
第１及び第２対向電極１１ｆ及び１２ｆは、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を含む。これらの電極は、例えば、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳなどの導電性ポリマーを含んでも良い。これらの電極は、例えば、金属（例えばアルミニウムまたは銀など）を含んでも良い。これらの電極が金属を含む場合、これらの電極の厚さは、５ｎｍ（ナノメートル）以上２０ｎｍ以下であることが好ましい。これにより、光透過性が得られる。
第１及び第２セグメント中間層１１ｑ及び１２ｑは、例えば、Ａｌｑ３、ＢＡｌｑ、ＰＯＰｙ２、Ｂｐｈｅｎ及び３ＴＰＹＭＢの少なくともいずれかを含む。これらのセグメント中間層は、例えば、電子輸送層として機能する。これらのセグメント中間層は、例えば、ＬｉＦ、ＣｓＦ、Ｂａ及びＣａの少なくともいずれかを含んでも良い。これらのセグメント中間層は、例えば、電子注入層として機能しても良い。
第１及び第２発光層１１ｐ及び１２ｐは、ホスト材料と、ホスト材料に添加されるドーパントと、を含有する混合材料を含んでいても良い。
ホスト材料は、例えば、ＣＢＰ（4,4'−N,N'-ビスジカルバゾリルール−ビフェニル）、ＢＣＰ（2,9−ジメチル-4,7ジフェニル−1,10−フェナントロリン）、ＴＰＤ（−ジメチル-4,7ジフェニル−1,10−フェナントロリン）、ＰＶＫ（ポリビニルカルバゾール）、及びＰＰＴ（ポリ（３−フェニルチオフェン））の少なくともいずれかを含む。
ドーパント材料は、例えば、Ｆｌｒｐｉｃ（イリジウム(III)ビス(4,6-ジ-フルオロフェニル)-ピ.リジネート-N,C2'-ピコリネート）、Ｉｒ（ｐｐｙ）３（トリス(２−フェニルピリジン)イリジウム）、及びＦｌｒ６（ビス（２，４−ジフルオロフェニルピリジナト）−テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート−イリジウム（ＩＩＩ））の少なくともいずれかを含む。
第１及び第２対向中間層１１ｒ及び１２ｒは、例えば、α−ＮＰＤ、ＴＡＰＣ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ、ＴＰＤ及びＴＣＴＡの少なくともいずれかを含む。これらの対向中間層は、例えば、正孔輸送層として機能する。これらの対向中間層は、例えば、ＰＥＤＰＯＴ：ＰＰＳ、ＣｕＰｃ及びＭｏＯ３の少なくともいずれかを含んでも良い。これらの対向中間層は、正孔注入層して機能しても良い。
第３〜第５発光領域１３〜１５は、例えば、上記の第１発光領域１１または第２発光領域１２と同様の構成を有する。
第１〜第５発光領域１１〜１５のそれぞれは、例えば、ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）である。
基板８０は、例えば、ガラスを含む。基板８０の厚さは、例えば、０．０５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下である。基板８０は、樹脂を含んでもよい。
図５は、第１の実施形態に係るセンサの別の動作を例示する模式的断面図である。
図５は、センサ１１０において実施される第１動作ＯＰ１の別の例を示している。
センサ１１０には、第１発光領域１１と、第２発光領域１２と、第３発光領域１３と、が設けられている。既に説明したように、第１方向（Ｘ軸方向）における第３発光領域１３の第３位置は、第１位置（第１方向における第１発光領域１１の位置）と、第２位置（第１方向における第２発光領域１２の位置）と、の間である。第３発光領域１３は、第１発光領域１１に近い。第３発光領域１３は、第２発光領域１２から遠い。第１位置と第３位置との間の距離は、第３位置と第２位置との間の距離よりも短い。この場合に、以下の第１動作ＯＰ１が行われる。
第１動作ＯＰ１においては、第１発光領域１１が発光状態であり、第２発光領域１２が非発光状態であり、第３発光領域１３が発光状態（第３発光状態）である。一方、第２動作ＯＰ２においては、図２（ｂ）に関して説明したように、第１発光領域１１が非発光状態であり、第２発光領域１２が発光状態である。そして、第２動作ＯＰ２においては、第３発光領域１３は、非発光状態状態（第３非発光状態）である。
すなわち、第１動作ＯＰ１において、受光素子３０から遠い領域（第１発光領域１１及び第３発光領域１３）では、複数の発光領域１０を発光状態とする。一方、第２動作ＯＰ２において、受光素子３０に近い領域(第２発光領域１２）だけが発光状態とされる。受光素子３０から遠い領域において発光状態とされる発光領域１０の数は、受光素子３０に近い領域において発光状態とされる発光領域１０の数よりも大きい。
例えば、第１血管２０１（生体２００中の深い位置の対象物）を検出する際に受光素子３０に到達する光の強度は、第２血管２０２（生体２００中の浅い位置の対象物）に比べて低い。このとき、第１発光領域１１及び第３発光領域１３の光によって第１血管２０１を検出する。これにより、適正な強度の光が受光素子３０に入射できる。高精度の検出が可能になる。
さらに、本実施形態において、複数の発光領域１０は、互いに異なるピーク波長を有しても良い。発光領域１０から放出される光の強度は、ピーク波長において最高となる。例えば、複数の発光領域１０の１つは、第１ピーク波長を有する。例えば、複数の発光領域１０の別の１つは、第２ピーク波長を有する。
ピーク波長が異なる２つ以上の発光領域１０を用いて、検知の対象物（例えば血管）が検知される。例えば、血液中の酸素濃度が異なると、血液中の吸収率が高い波長が異なる。ピーク波長が異なる２つ以上の発光領域１０を用いて、血管を検知することで、例えば、血液中の酸素濃度に関する情報を得ることができる。異なる波長の光を用いることで、センサの用途が拡大する。
例えば、第１発光領域１１から放出される第１光Ｌ１のピーク波長（第１ピーク波長）は、第２発光領域１２から放出される第２光Ｌ２のピーク波長（第２ピーク波長）とは異なる。例えば、第１動作ＯＰ１において、第１発光領域１１を発光状態にし、第２発光領域１２を非発光状態にする。これにより、第１ピーク波長による検出が行われる。第２動作ＯＰ２において、第２発光領域１２を発光状態にし、第１発光領域１１を非発光状態にする。これにより、第２ピーク波長による検出が行われる。第１ピーク波長の第１光Ｌ１と、第２ピーク波長の第２光Ｌ２とが、独立して対象物に照射される。これにより、それぞれのピーク波長に対応する特性が高感度で検出できる。これにより、高精度の検出が可能になる。
図６（ａ）〜図６（ｃ）は、第１の実施形態に係る別のセンサを例示する模式的断面図である。
図６（ａ）に示すように、センサ１１０ａにおいては、受光素子３０は、基板８０の第２面８２に設けられている。図６（ｂ）及び図６（ｃ）に示すように、センサ１１０ｂ及びセンサ１１０ｃにおいては、光は、基板８０とは反対側に出射する。センサ１１０ｂにおいては、受光素子３０は、基板８０の第１面８１に設けられている。センサ１１０ｃにおいては、受光素子３０は、基板８０の第２面８２に設けられている。センサ１１０及び１１０ａは、ボトムエミッション型である。センサ１１０ｂ及び１１０ｃは、トップエミッション型である。
このように、実施形態において、第１発光領域１１及び第２発光領域１２は、基板８０の第１面８１に設けられる。受光素子３０は、第１面８１及第２面８２のいずれかに設けられる。
（第２の実施形態）
図７（ａ）〜図７（ｃ）は、第２の実施形態に係るセンサを例示する模式的平面図である。
図７（ａ）に示すように、センサ１２０ａにおいては、第１発光領域１１の面積は、第２発光領域１２の面積よりも大きい。第３発光領域１３の面積は、第１発光領域１２の面積と第２発光領域１２の面積との間である。第４発光領域１４の面積は、第３発光領域１３の面積と第２発光領域１２の面積との間である。第５発光領域１５の面積は、第４発光領域１４の面積と第２発光領域１２の面積との間である。
センサ１２０ａにおいては、受光素子３０からの距離が長く検出の対象物が遠い（深い）と、発光領域１０の面積が大きい。これにより、検出の対象物が遠く（深く）受光素子３０からの距離が長い場合においても、受光素子３０に入射する光の強度を高く維持することができる。これにより、高精度の検出が可能になる。
センサ１２０ａにおいては、第２方向（第１方向に対して垂直な方向であり、Ｙ軸方向）に沿った第１発光領域１１の第１長さｙ１は、第２方向に沿った第２発光領域１２の第２長さｙ２よりも長い。Ｙ軸方向に沿った第３発光領域１３の第３長さｙ３は、第１長さｙ１と第２長さｙ２との間である。Ｙ軸方向に沿った第４発光領域１４の第４長さｙ４は、第３長さｙ３と第２長さｙ２との間である。Ｙ軸方向に沿った第５発光領域１５の第５長さｙ５は、第４長さｙ４と第２長さｙ２との間である。
図７（ｂ）に示すように、センサ１２０ｂにおいても、受光素子３０からの距離が長いと、発光領域１０の面積が大きい。これにより、受光素子３０からの距離が長い場合においても受光素子３０に入射する光の強度を高く維持することができる。これにより、高精度の検出が可能になる。
センサ１２０ｂにおいては、直線Ｌｎ（受光素子３０の中心を通り第１方向に沿う直線）に沿った第１発光領域１１の第１幅ｘ１は、直線Ｌｎに沿った第２発光領域１２の第２幅ｘ２よりも広い。直線Ｌｎに沿った第３発光領域１３の第３幅ｘ３は、第１幅ｘ１と第２幅ｘ２との間である。直線Ｌｎに沿った第４発光領域１４の第４幅ｘ４は、第３幅ｘ３と第２幅ｘ２との間である。直線Ｌｎに沿った第５発光領域１５の第５幅ｘ５は、第４幅ｘ４と第２幅ｘ２との間である。
図７（ｃ）に示すように、センサ１２０ｃにおいても、受光素子３０からの距離が長いと、発光領域１０の面積が大きい。これにより、受光素子３０からの距離が長い場合においても受光素子３０に入射する光の強度を高く維持することができる。これにより、高精度の検出が可能になる。
センサ１２０ｃにおいては、第１長さｙ１は、第２長さｙ２よりも長い。Ｙ軸方向に沿った第３発光領域１３の第３長さｙ３は、第１長さｙ１と第２長さｙ２との間である。Ｙ軸方向に沿った第４発光領域１４の第４長さｙ４は、第３長さｙ３と第２長さｙ２との間である。Ｙ軸方向に沿った第５発光領域１５の第５長さｙ５は、第４長さｙ４と第２長さｙ２との間である。そして、第１幅ｘ１は、第２幅ｘ２よりも広い。直線Ｌｎに沿った第３発光領域１３の第３幅ｘ３は、第１幅ｘ１と第２幅ｘ２との間である。直線Ｌｎに沿った第４発光領域１４の第４幅ｘ４は、第３幅ｘ３と第２幅ｘ２との間である。直線Ｌｎに沿った第５発光領域１５の第５幅ｘ５は、第４幅ｘ４と第２幅ｘ２との間である。
図８（ａ）〜図８（ｃ）は、第２の実施形態に係る別のセンサを例示する模式的平面図である。
図８（ａ）〜図８（ｃ）に示すように、センサ１２１ａ、１２１ｂ及び１２１ｃにおいては、複数の発光領域１０のそれぞれが弧状である。すなわち、第１発光領域１１は、受光素子３０側の第１縁部１１ｘを有している。第１縁部１１ｘは、受光素子３０から第１発光領域１１に向かう方向（−Ｘ方向）に沿って、後退している。同様に、第２発光領域１２は、受光素子３０側の第２縁部１２ｘを有している。第２縁部１２ｘは、−Ｘ方向に沿って後退している。第３発光領域１３は、受光素子３０側の第３縁部１３ｘを有している。第３縁部１３ｘは、−Ｘ方向に沿って後退している。第４発光領域１４は、受光素子３０側の第４縁部１４ｘを有している。第４縁部１４ｘは、−Ｘ方向に沿って後退している。第５発光領域１５は、受光素子３０側の第５縁部１５ｘを有している。第５縁部１５ｘは、−Ｘ方向に沿って後退している。
第１〜第５縁部１１ｘ〜１５ｘのそれぞれは、受光位置（第１方向における受光素子３０の位置）を中心とする弧の少なくとも一部を含む。第２縁部１２ｘの少なくとも一部は、第１縁部１１ｘの少なくとも一部に対して平行である。
これらの例においても、第１発光領域１１の面積は、第２発光領域１２の面積よりも大きい。第３発光領域１３の面積は、第１発光領域１２の面積と第２発光領域１２の面積との間である。第４発光領域１４の面積は、第３発光領域１３の面積と第２発光領域１２の面積との間である。第５発光領域１５の面積は、第４発光領域１４の面積と第２発光領域１２の面積との間である。
センサ１２１ａにおいては、ｙ１＞ｙ３＞ｙ４＞ｙ５＞ｙ２である。センサ１２１ｂにおいては、ｘ１＞ｘ３＞ｘ４＞ｘ５＞ｘ２である。センサ１２１ｃにおいては、ｙ１＞ｙ３＞ｙ４＞ｙ５＞ｙ２であり、ｘ１＞ｘ３＞ｘ４＞ｘ５＞ｘ２である。センサ１２１ａ、１２１ｂ及び１２１ｃにおいても、高精度の検出が可能になる。
図９（ａ）及び図９（ｂ）は、第２の実施形態に係る別のセンサを例示する模式的平面図である。
図９（ａ）及び図９（ｂ）に示すように、センサ１２２及び１２２ａにおいては、第２発光領域１２は、受光素子３０の周りに設けられる。第１発光領域１１は、第２発光領域１２の周りに設けられる。第５発光領域１５は、第２発光領域１２の周りに設けられる。第４発光領域１４は、第５発光領域１５の周りに設けられる。第３発光領域１３は、第４発光領域１４の周りに設けられる。第１発光領域１１は、第３発光領域１３の周りに設けられる。
センサ１２２においては、第１〜第５幅ｘ１〜ｘ５は、実質的に互いに同じである。センサ１２２ａにおいては、ｘ１＞ｘ３＞ｘ４＞ｘ５＞ｘ２である。センサ１２２及びセンサ１２２ａにおいては、複数の発光領域１０は、同心円状である。複数の発光領域１０のそれぞれが、受光素子３０を囲む。高精度で検出可能な対象物が増える。センサ１２２及び１２２ａにおいても、受光素子３０からの距離が長い場合においても受光素子３０に入射する光の強度を高く維持することができる。これにより、高精度の検出が可能になる。
（第３の実施形態）
図１０（ａ）〜図１０（ｄ）は、第３の実施形態に係る別のセンサを例示する模式的平面図である。
図１０（ａ）に示すように、本実施形態に係るセンサ１３０は、第１発光領域１１、第２発光領域１２及び受光素子３０に加えて、第１対向発光領域２１と、第２対向発光領域２２と、をさらに含む。この例では、センサ１３０は、第３〜第５発光領域１３〜１５を含む。センサ１３０は、第３〜第５対向発光領域２３〜２５を含む。受光素子３０、第１〜第５発光領域１１〜１５については、例えば、センサ１１０と同様である。以下、第１〜第５対向発光領域２１〜２５について説明する。
第１方向（Ｘ軸方向）における第２対向発光領域２２の位置（第２対向位置）は、第１方向における第１対向発光領域２１の位置（第１対向位置）と、第１位置（第１方向における第１発光領域１１の位置）と、の間である。第２位置（第１方向における第２発光領域１２の位置）は、第１位置と第２対向位置との間である。受光位置（第１方向における受光素子３０の位置）は、第２位置と第２対向位置との間である。
第１方向における第３対向発光領域２３の位置（第３対向位置）は、第１対向位置と、第２対向位置と、の間である。第１方向における第４対向発光領域２４の位置（第４対向位置）は、第３対向位置と、第２対向位置と、の間である。第１方向における第５対向発光領域２５の位置（第５対向位置）は、第４対向位置と、第２対向位置と、の間である。
受光素子３０には、第１対向発光領域２１から出射した第１対向光Ｌ２１の少なくとも一部、及び、第２対向発光領域２２から出射した第２対向光Ｌ２２の少なくとも一部が入射する。受光素子３０には、第３対向発光領域２３から出射した第３対向光Ｌ２３の少なくとも一部、第４対向発光領域２４から出射した第４対向光Ｌ２４の少なくとも一部、及び、第５対向発光領域２５から出射した第５対向光Ｌ２５の少なくとも一部が入射する。
センサ１３０においては、例えば、受光素子３０を中心として、複数の発光領域１０（第１〜第５発光領域１１〜１５、及び、第１〜第５対向発光領域２１〜２５）が設けられる。高精度で検出可能な対象物の範囲が拡大する。
図１０（ｂ）に示すように、本実施形態に係るセンサ１３０ａにおいては、ｙ１＞ｙ３＞ｙ４＞ｙ５＞ｙ２である。さらに、第２方向（第１方向に対して垂直な方向であり、Ｙ軸方向）に沿った第１対向発光領域２１の第２対向長さｙ２１は、第２方向に沿った第２対向発光領域２２の第２対向長さｙ２２よりも長い。Ｙ軸方向に沿った第３対向発光領域２３の第３対向長さｙ２３は、第１対向長さｙ２１と第２対向長さｙ２２との間である。Ｙ軸方向に沿った第４対向発光領域２４の第４対向長さｙ２４は、第３対向長さｙ２３と第２対向長さｙ２２との間である。Ｙ軸方向に沿った第５対向発光領域２５の第５対向長さｙ２５は、第４対向長さｙ２４と第２対向長さｙ２２との間である。
図１０（ｃ）に示すように、本実施形態に係るセンサ１３０ｂにおいては、ｘ１＞ｘ３＞ｘ４＞ｘ５＞ｘ２である。さらに、直線Ｌｎ（受光素子３０の中心を通り第１方向に沿う直線）に沿った第１対向発光領域２１の第１対向幅ｘ２１は、直線Ｌｎに沿った第２対向発光領域２２の第２対向幅ｘ２２よりも広い。直線Ｌｎに沿った第３対向発光領域２３の第３対向幅ｘ２３は、第１対向幅ｘ２１と第２対向幅ｘ２２との間である。直線Ｌｎに沿った第４対向発光領域２４の第４対向幅ｘ２４は、第３対向幅ｘ２３と第２対向幅ｘ２２との間である。直線Ｌｎに沿った第５対向発光領域２５の第５対向幅ｘ２５は、第４対向幅ｘ２４と第２対向幅ｘ２２との間である。
図１０（ｄ）に示すように、本実施形態に係るセンサ１３０ｃにおいては、ｘ１＞ｘ３＞ｘ４＞ｘ５＞ｘ２である。さらに、ｘ２１＞ｘ２３＞ｘ２４＞ｘ２５＞ｘ２２である。ｙ１＞ｙ３＞ｙ４＞ｙ５＞ｙ２である。さらに、ｙ２１＞ｙ２３＞ｙ２４＞ｙ２５＞ｙ２２である。
センサ１３０ａ〜１３０ｃにおいては、第１対向発光領域２１の面積は、第２対向発光領域２２の面積よりも大きい。第３対向発光領域２３の面積は、第１対向発光領域２１の面積と、第２対向発光領域２２の面積と、の間である。第４対向発光領域２４の面積は、第３対向発光領域２３の面積と、第２対向発光領域２２の面積と、の間である。第５対向発光領域２５の面積は、第４対向発光領域２４の面積と、第２対向発光領域２２の面積と、の間である。受光素子３０からの距離が長い場合においても受光素子３０に入射する光の強度を高く維持することができる。これにより、高精度の検出が可能になる。
センサ１３０ａ〜１３０ｃにおいて、第１〜第５対向発光領域２１〜２５は、受光素子３０側の第１〜第５対向縁部を有し、第１〜第５対向縁部は、受光素子３０から第１対向発光領域２１に向かう方向に沿って後退しても良い。例えば、第１〜第５対向縁部のそれぞれは、受光位置を中心とする弧の少なくとも一部を含んでも良い。例えば、第２対向縁部の少なくとも一部は、第１対向縁部の少なくとも一部に対して平行でも良い。
（第４の実施形態）
図１１は、第４の実施形態に係るセンサを例示する模式的平面図である。
図１１に示すように、本実施形態に係るセンサ１４０は、複数の発光領域１０と、受光素子３０と、を含む。複数の発光領域１０は、第１方向（Ｘ軸方向）及び第２方向（Ｙ軸方向）に沿って並ぶ。複数の発光領域１０は、マトリクス状に並ぶ。第１方向は、列及び行の一方である。第２方向は、列及び行の他方である。センサ１４０においては、例えば、複数の発光領域１０のいずれかが発光状態とされ、他の発光領域１０のいずれかが非発光状態とされる。例えば、目的とする検出の対象物に応じて、発光状態とする発光領域１０を定める。目的とする検出の対象物をより高精度で検出できる。
上記の第２〜第４の実施形態においても、複数の発光領域１０は、互いに異なるピーク波長を有しても良い。例えば、第１発光領域１１から放出される第１光Ｌ１のピーク波長（第１ピーク波長）は、第２発光領域１２から放出される第２光Ｌ２のピーク波長（第２ピーク波長）とは異なる。
（第５の実施形態）
図１２は、第５の実施形態に係るセンサシステムを例示する模式図である。
図１２に示すように、本実施形態に係るセンサシステム２１０は、センサ１１０と、インターフェース部８５と、を含む。インターフェース部８５は、センサ１１０で検出された検出信号を外部に供給する。インターフェース部８５は、外部からの制御信号を入手し、制御信号を制御部６０に供給しても良い。センサとして、第１〜第４の実施形態に係るセンサ及びその変形を用いることができる。
上記の第１〜第４の実施形態に係るセンサ、並びに、第５の実施形態に係るセンサシステムは、例えば、生体の脈波の検出に応用できる。
例えば、医療分野において、脈波形（例えば動脈の拍動波形）が測定される。例えば、循環器系の検査（例えば、動脈硬化度測定、ストレス測定）において、脈波の解析が行われる。例えば、パルスオキシメータ（動脈血中酸素飽和濃度測定装置）においても脈波の解析が行われる。
例えば、腕時計型、または、生体への貼り付け型などの携帯型測定装置を用いて、脈波を常時計測する技術が開発されている。例えば、光学式容積脈波法（Ｐｈｏｔｏｐｌｅｔｈｙｓｍｏｇｒａｐｈｙ）においては、採血または穿刺を伴わないで、経皮的に脈波の波形が測定される。この方法では、生体への負担が抑制され、簡便に測定が可能である。このため、広範囲のヘルスケア分野への応用が期待される。例えば、脈波の波形から加速度脈を算出し、その特徴点を解析することで、血圧が推定される。
例えば、医療分野においては、光学式容積脈波測定装置が、指先または耳たぶに装着され、光を生体に照射し、生体内を透過してきた光が検出される。一方、ヘルスケア分野への応用の場合において、光学式容積脈波測定装置を指先または耳たぶに常時装着すると、負担が大きいため、適切ではない。この観点で、腕時計型の測定装置が開発されている。しかしながら、指先または耳たぶに比べて、手首や胸などにおける血管の密度は低く、脈波の信号が弱い。血管の密度が低いと、脈波の波形を高精度に測定することが困難である。
上記の実施形態においては、血管密度が低い手首または胸などにおいて、高精度に脈波を検出できる。そして、複数の発光領域が設けられるため、１つの発光領域における負荷を低くすることができる。
実施形態においては、複数の発光領域が格子状に配列される。複数の発光領域は、生体の少なくとも一部の測定領域に、所定の波長帯域に属する少なくとも１種類の測定光を射出する。そして、受光素子が設けられる。受光素子は、複数の発光領域から出射され、生体を通過した測定光を検出する。例えば、複数の発光領域として、ＯＬＥＤなどの光源（発光領域）をアレイ化する。この構成においては、大面積の受光素子アレイを用いるよりも低コストである。アレイ化された発光領域においては、アレイ化された受光素子よりも、駆動回路が簡単である。さらに、ＯＬＥＤを用いると、低ノイズであり、高いＳ／Ｎ比が得られる。この時、ＯＬＥＤの光源がアレイ化されることで、１つの光源についての駆動時間及び輝度を抑えることができる。これにより、長い寿命が得られる。
実施形態に係る検出方法においては、例えば、複数の光源（発光領域）と、受光素子と、を用いて検出が行われる。複数の光源は、生体の少なくとも一部の測定領域に、所定の波長帯域に属する少なくとも１種類の測定光を射出する。複数の光源は、格子状に配置される。受光素子は、複数の光源から射出され、生体を通過した測定光を検出する。本検出方法においては、検出された測定光の光量の時間変化に基づいて、解析処理を行う。解析処理は、測定領域の中から測定位置を特定することを含む。この測定位置は、生体の活動に伴う脈動に関する情報を測定するために用いられる。
実施形態に係るプログラムは、上記の検出方法をコンピュータに実施させる。実施形態に係る記録媒体には、上記のプログラムが記録される。
実施形態によれば、検出精度を向上できるセンサ及びセンサシステムが提供される。
なお、本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれば良い。
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明の実施形態は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、センサに含まれる発光領域、受光素子、基板、有機発光層、電極、及び、制御部などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
その他、本発明の実施の形態として上述したセンサ及びセンサシステムを基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全てのセンサ及びセンサシステムも、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
１０…発光領域、 １０ｆ…対向電極、 １０ｐ…発光層、 １０ｑ…セグメント中間層、 １０ｒ…対向中間層、 １１〜１５…第１〜第５発光領域、 １１ｅ、１２ｅ…第１、第２セグメント電極、 １１ｆ、１２ｆ…第１、第２対向電極、 １１ｐ、１２ｐ…第１、第２発光層、 １１ｑ、１２ｑ…第１、第２セグメント中間層、 １１ｒ、１２ｒ…第１、第２対向中間層、 １１ｘ〜１５ｘ…第１〜第５縁部、 ２１〜２５…第１〜第５対向発光領域、 ３０…受光素子、 ６０…制御部、 ８０…基板、 ８１…第１面、 ８２…第２面、 ８５…インターフェース部、 １１０、１１０ａ〜１１０ｃ、１１０ｐ〜１１０ｒ、１２０ａ〜１２０ｃ、１２１ａ〜１２１ｃ、１２２、１２２ａ、１３０、１３０ａ〜１３０ｃ、１４０…センサ、 ２００…生体、 ２０１、２０２…第１、第２血管、 ２１０…センサシステム、 Ｌ１〜Ｌ５…第１〜第５光、 Ｌ２１〜Ｌ２５…第１〜第５対向光、 Ｌｎ…直線、 ＯＰ１、ＯＰ２…第１、第２動作、 ｘ１〜ｘ５…第１〜第５幅、 ｘ２１〜ｘ２５…第１〜第５対向幅、 ｙ１〜ｙ５…第１〜第５長さ、 ｙ２１〜ｙ２５…第１〜第５対向長さ

Claims (20)

  1. 第１発光領域と、
    第２発光領域と、
    前記第１発光領域から出射した第１光の少なくとも一部及び前記第２発光領域から出射した第２光の少なくとも一部の少なくともいずれかが入射する受光素子と、
    を備え、
    前記第１発光領域から前記第２発光領域に向かう第１方向における前記第２発光領域の第２位置は、前記第１方向における前記第１発光領域の第１位置と、前記第１方向における前記受光素子の受光位置と、の間である、センサ。
  2. 前記第１発光領域の面積は、前記第２発光領域の面積よりも大きい、請求項１記載のセンサ。
  3. 前記第１方向に対して垂直な第２方向に沿った前記第１発光領域の第１長さは、前記第２方向に沿った前記第２発光領域の第２長さよりも長い、請求項１または２に記載のセンサ。
  4. 前記受光素子の中心を通り前記第１方向に沿う直線に沿った前記第１発光領域の第１幅は、前記直線に沿った前記第２発光領域の第２幅よりも広い、請求項１〜３のいずれか１つに記載のセンサ。
  5. 前記第１発光領域は、前記受光素子側の第１縁部を有し、
    前記第１縁部は、前記受光素子から前記第１発光領域に向かう方向に沿って後退している、請求項１〜４のいずれか１つに記載のセンサ。
  6. 前記第１発光領域は、前記受光素子側の第１縁部を有し、
    前記第１縁部は、前記受光位置を中心とする弧の少なくとも一部を含む、請求項１〜４のいずれか１つに記載のセンサ。
  7. 前記第２発光領域は、前記受光素子側の第２縁部を有し、
    前記第２縁部は、前記受光位置を中心とする弧の少なくとも一部を含む、請求項６記載のセンサ。
  8. 前記第２縁部の少なくとも一部は、前記第１縁部の少なくとも一部に対して平行である、請求項７記載のセンサ。
  9. 前記第２発光領域は、前記受光素子の周りに設けられる、請求項１〜８のいずれか１つに記載のセンサ。
  10. 前記第１発光領域は、前記第２発光領域の周りに設けられる、請求項１〜９のいずれか１つに記載のセンサ。
  11. 第１対向発光領域と、
    第２対向発光領域と、
    をさらに備え、
    前記第１方向における前記第２対向発光領域の第２対向位置は、前記第１方向における前記第１対向発光領域の第１対向位置と、前記第１位置と、の間であり、
    前記第２位置は、前記第１位置と前記第２対向位置との間であり、
    前記受光位置は、前記第２位置と前記第２対向位置との間である、請求項１〜１０のいずれか１つに記載のセンサ。
  12. 前記第１対向発光領域の面積は、前記第２対向発光領域の面積よりも大きい、請求項１１記載のセンサ。
  13. 前記第１発光領域から出射する第１光のピーク波長は、前記第２発光領域から出射する
    第２光のピーク波長とは異なる、請求項１〜１２のいずれか１つに記載のセンサ。
  14. 前記第１発光領域及び前記第２発光領域を制御する制御部をさらに備え、
    前記制御部は、第１動作と、第２動作と、を実施し、
    前記第１動作において、前記第１発光領域は第１発光状態であり、前記第２発光領域は第２非発光状態であり、
    前記第２動作において、前記第１発光領域は第１非発光状態であり、前記第２発光領域は第２発光状態である、請求項１〜１３のいずれか１つに記載のセンサ。
  15. 前記第１非発光状態においては、前記第１発光領域は光を出射しない、または、
    前記第１非発光状態において前記第１発光領域から放出される光の強度は前記第１発光状態において前記第１発光領域から放出される光の強度よりも低い、請求項１４記載のセンサ。
  16. 第３発光領域をさらに備え、
    前記第１方向における前記第３発光領域の第３位置は、前記第１位置と前記第２位置との間であり、
    前記第１動作において、前記第３発光領域は第３発光状態であり、
    前記第２動作において、前記第３発光領域は第３非発光状態である、請求項１４または１５に記載のセンサ。
  17. 前記第１位置と前記第３位置との間の距離は、前記第３位置と前記第２位置との間の距離よりも短い、請求項１６記載のセンサ。
  18. 基板をさらに備え、
    前記基板は、前記第１方向に沿う第１面と、前記第１面とは反対側の第２面と、を有し、
    前記第１発光領域及び前記第２発光領域は、前記第１面に設けられ、
    前記受光素子は、前記第１面及び前記第２面のいずれかに設けられる、請求項１〜１７のいずれか１つに記載のセンサ。
  19. 前記第１発光領域は、第１有機発光層を含み、
    前記第２発光領域は、第２有機発光層を含む、請求項１〜１８のいずれか１つに記載のセンサ。
  20. 請求項１〜１９のいずれか１つに記載のセンサと、
    前記センサで検出された検出信号を外部に供給するインターフェース部と、
    を備えたセンサシステム。
JP2015176657A 2015-09-08 2015-09-08 センサ及びセンサシステム Pending JP2017051340A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015176657A JP2017051340A (ja) 2015-09-08 2015-09-08 センサ及びセンサシステム
US15/254,372 US20170067778A1 (en) 2015-09-08 2016-09-01 Sensor and sensor system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015176657A JP2017051340A (ja) 2015-09-08 2015-09-08 センサ及びセンサシステム

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2017051340A true JP2017051340A (ja) 2017-03-16

Family

ID=58190424

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015176657A Pending JP2017051340A (ja) 2015-09-08 2015-09-08 センサ及びセンサシステム

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20170067778A1 (ja)
JP (1) JP2017051340A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021229938A1 (ja) 2020-05-11 2021-11-18 ソニーグループ株式会社 生体情報測定装置および生体情報測定システム

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10568525B1 (en) * 2015-12-14 2020-02-25 Fitbit, Inc. Multi-wavelength pulse oximetry
KR20180051196A (ko) * 2016-11-08 2018-05-16 삼성전자주식회사 분광기, 생체정보 측정 장치 및 방법
US11284799B2 (en) * 2018-11-27 2022-03-29 Pix Art Imaging Inc. Optical detection device for physiological characteristic identification
JP2022059660A (ja) * 2020-10-02 2022-04-14 コニカミノルタ株式会社 反射型光電容積脈波センサー及び生体情報測定装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4714080A (en) * 1986-10-06 1987-12-22 Nippon Colin Co., Ltd. Method and apparatus for noninvasive monitoring of arterial blood oxygen saturation
JPH06103257B2 (ja) * 1988-12-19 1994-12-14 大塚電子株式会社 光散乱を用いた物質の吸光係数測定方法および装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021229938A1 (ja) 2020-05-11 2021-11-18 ソニーグループ株式会社 生体情報測定装置および生体情報測定システム

Also Published As

Publication number Publication date
US20170067778A1 (en) 2017-03-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2017051340A (ja) センサ及びセンサシステム
JP2017051339A (ja) センサ及びセンサシステム
US9615798B2 (en) Biological information processing apparatus, and biological information processing method
US10039478B2 (en) Biological information processing method, biological information processing apparatus, computer system, and wearable apparatus
JP6424456B2 (ja) 発光装置、発光装置の製造方法、受発光装置、電子機器
JP6291874B2 (ja) 生体情報測定装置及び生体情報測定方法
US10265003B2 (en) Biological information acquisition device and electronic device
US20170172435A1 (en) Physiological property determination apparatus
WO2010138385A1 (en) Multiuse optical sensor
CN104814747A (zh) 血糖值测定装置及血糖值测定方法
US20160098834A1 (en) Biological information acquiring device
CN107209852B (zh) 用于识别生物特征的装置、方法和计算机程序
US20180000364A1 (en) Light-emitting element, detection device, and processing apparatus
JP5772292B2 (ja) 生体センサーおよび生体情報検出装置
US20180000365A1 (en) Detection device and processing apparatus
CN107773249A (zh) 生物体信息取得装置以及生物体信息取得方法
WO2016166865A1 (ja) 発光素子、検出装置、および処理装置
JP6107893B2 (ja) 生体センサーおよび生体情報検出装置
JP2017136184A (ja) 生体情報取得装置及び生体情報取得方法
CN111081698A (zh) 皮肤检测器及其制作方法、测量活体生理信息的方法
KR20200130962A (ko) Ppg 센서 패키지
US20200272276A1 (en) Embedded Vital Sign Monitoring in Display Screens
EP4215108A1 (en) Photodetector, ppg sensor and electronic device
US11883130B2 (en) Detecting device and measuring apparatus
JP2017189489A (ja) 生体情報測定装置及び生体情報測定方法