JP2017049244A - 非孤立型システム用の環境センサプロテクタにおけるショックマウント - Google Patents

Abstract

【課題】センサプロテクタ装置のためのショックマウント組立体を提供すること。【解決手段】ショックマウント組立体は、或る幾何学構成を有する支持構造を備え、この支持構造は、支持構造の外周を画定する外縁部を有する少なくとも１つの側壁、およびこの側壁に対して実質的に垂直な少なくとも１つの取付け面を含む。この取付け面は、少なくとも１つの電子デバイスを支持構造に結合するように構成される。衝撃吸収体が、外縁部の少なくとも一部に取り付けられ、支持構造の外周を実質的に取り囲む。ショックマウント組立体は、非孤立型システム用に構成され、振動事象または衝撃事象中、電子デバイスを保護するように構成される。【選択図】図１

Description

[0001]誘導用途において用いられる慣性センサシステムは、振動、衝撃、および静的加速度などの環境に晒される。これらのシステムは、これらの環境において適正に機能するとともに、損傷のリスクを最小限にするために、何らかの形での保護を必要とする。典型的には、このような事象中にセンサが晒されるエネルギーを低減するために、孤立型システムが用いられるが、このような孤立型システムは特有の欠点を伴う。極限環境では、孤立型システムは、その能力を超えた場所（すなわち、搖動空間）に強制的に置かれ、最低の状態になることがあり、それにより入力値が大幅に増幅し得る。このような状況下では、これらの増幅された事象が、センサ性能の低下および構成要素の損傷を生じさせることがあり、これらはシステム障害を引き起こす。また、孤立型システムは、航空機、ミサイル、発射体、列車、ボート、車両など、慣性センサが誘導のために用いられるデバイスから独立したものとして、慣性センサを動かすことがある。これはシステムエラーを生じさせることがあり、孤立型システムを用いることができる用途の種類を減らしてしまうことがある。

[0002]典型的な孤立型システムに伴うもう１つの障害は、デバイスの孤立した部分からデバイスの孤立していない部分に熱が伝わることである。孤立型システム全体の典型的な温度デルタは約１５℃であり、２５℃を超える場合もある。このようにデバイスの孤立した部分の温度がさらに高くなることにより、部品がより高価になり、平均故障間隔（ＭＴＢＦ：Ｍｅａｎ Ｔｉｍｅ Ｂｅｔｗｅｅｎ Ｆａｉｌｕｒｅｓ）の評価がより低くなり、かつ／または、システム要件を満たすために必要な温度範囲がより狭くなる。

[0003]センサプロテクタ装置のためのショックマウント組立体が提供される。ショックマウント組立体は、或る幾何学構成を有する支持構造を備え、この支持構造は、支持構造の外周を画定する外縁部を有する少なくとも１つの側壁、およびこの側壁に対して実質的に垂直な少なくとも１つの取付け面を含む。この取付け面は、少なくとも１つの電子デバイスを支持構造に結合するように構成される。衝撃吸収体が、外縁部の少なくとも一部に取り付けられ、支持構造の外周を実質的に取り囲む。ショックマウント組立体は、非孤立型システム用に構成され、振動事象または衝撃事象中、電子デバイスを保護するように構成される。

[0004]添付の図面を参照して、以下の説明から、本発明の特徴が当業者に明らかになるであろう。図面は典型的な実施形態を表現するのみであり、したがって範囲を限定するものと見なされるべきではないことが理解され、添付の図面を用いることにより本発明がさらに具体的かつ詳細に説明されるであろう。

[0005]一実施形態による環境センサプロテクタ装置の側面断面図である。 [0006]図１の環境センサプロテクタ装置の一部の拡大側面断面図である。 [0007]図３Ａは、一実施形態による、図１の環境センサプロテクタ装置において用いることができるショックマウント組立体の斜視図である。[0008]図３Ｂは、図３Ａのショックマウント組立体の側面断面図である。 [0009]図４Ａは、別の実施形態によるショックマウント組立体の斜視図である。[0010]図４Ｂは、図４Ａのショックマウント組立体の側面断面図である。 [0011]別の実施形態によるプロテクタ装置におけるショックマウント構造の部分側面断面図である。 [0012]ショックフィルタモデルの周波数に対する反応のグラフである。

[0013]以下の詳細な説明において、当業者による本発明の実施を可能にするように十分に詳細に実施形態が説明される。本発明の範囲から逸脱することなく、他の実施形態を用いてもよいことを理解されたい。したがって、以下の詳細な説明は、限定の意味に捉えられるものではない。

[0014]非孤立型システムにおける環境センサプロテクタなどのためのショックマウント組立体が、本明細書において説明される。ショックマウント組立体は、振動事象および衝撃事象中、センサ組立体の内部センサを、損傷およびセンサ性能の低下の両方から保護するように構成される。ショックマウント組立体は、全体として、特定の幾何学構成を有する取付け構造に結合された衝撃吸収体（またはバネマスダンパ）を含む。衝撃吸収体は、センサを振動または衝撃から保護する周波数フィルタとして機能する。

[0015]環境センサプロテクタにおけるショックマウント組立体は、典型的なセンサ孤立型システムを必要とすることなく、より向上したレベルでの環境からの保護を提供する。例えば、ショックマウント組立体を用いることにより、慣性センサシステムが、典型的な非動作環境および動作環境における様々な動作要件を満たすことが可能になる。この向上した性能により、センサ孤立型システムを必要とすることなく、慣性センサシステムを、使用デバイスに結合することが可能になり、したがって、センサの動きだけでなく、デバイスの実際の動きも、より良く測定することが可能となる。

[0016]ショックマウント組立体は、搖動空間（自由運動）のための追加の空隙を必要とすることなく、６の自由度を有する慣性センサ組立体のための保護を提供することができる。ショックマウント組立体は、ポインティングデバイスおよびトラッカデバイスなどの、より高い帯域幅センサ性能を必要とするシステムにおいても採用可能である。

[0017]図１および図２は、一実施形態による環境センサプロテクタ装置１００を示す。センサプロテクタ装置１００は、全体として、ハウジング組立体１０２、ハウジング組立体１０２内に収容されるショックマウント組立体１１２、ショックマウント組立体１１２に結合される慣性センサデバイス１２２を含む。ショックマウント組立体１１２は、ハウジング組立体１０２内の慣性センサデバイス１２２を支持するとともに位置決めするように構成される。ショックマウント組立体１１２はまた、振動事象または衝撃事象中、慣性センサデバイス１２２を保護するように構成される。

[0018]ハウジング組立体１０２は、底壁１０５および側壁１０６を有する下側クランプ部１０４を含み、側壁１０６の一部に内側凹部１０７が形成される。ハウジング組立体１０２は、上壁１０９および側壁１１０を有する上側クランプ部１０８も含む。クランプ部１０４およびクランプ部１０８は、互いに連結されて慣性センサデバイス１２２を取り囲み、保護する。代替の実施形態では、上側クランプ部１０８の側壁１１０の一部に内側凹部を形成することもでき、それにより、クランプ部１０４およびクランプ部１０８が互いに連結されたときに、側壁１１０の内側凹部が、内側凹部１０７と隣接する。

[0019]ショックマウント組立体１１２は、側壁１１５を有する支持構造１１４を含み、側壁１１５は、支持構造１１４の外周を画定するフランジ型の外縁部１１６を有する。支持構造１１４は、第１のセンサ取付け面１１７および対向する第２のセンサ取付け面１１８も含み、これらの取付け面は、どちらも側壁１１５から内向きに延びる。センサ取付け面１１７は、１組の中空凸部１１７ａおよび１１７ｂを含み、一方、センサ取付け面１１８は、１組の中空凸部１１８ａおよび１１８ｂを含む。中空凸部１１７ａ、１１７ｂおよび１１８ａ、１１８ｂは、慣性センサデバイス１２２を支持構造１１４に取り付けるように構成される。支持構造１１４は、アルミニウム合金または他の剛性材料から製造可能である。

[0020]衝撃吸収体１２０は、外縁部１１６の少なくとも一部に結合され、それにより、衝撃吸収体１２０が支持構造１１４の外周を実質的に取り囲む。衝撃吸収体１２０は、エラストマー材料などの衝撃吸収性の材料、または、減衰特性値を有する材料などの、衝撃および振動によって生じる周波数を減衰させることのできる他の同様の材料を含む。一実施態様では、エラストマー材料を、射出成型プロセスによって形成および成形可能である。例えば、シリコーンゴムなどのエラストマー材料を、高温かつ高圧下で射出成型可能であり、この場合、シリコーンゴムが外縁部１１６の表面に付着する。

[0021]様々な実施形態において、接触面積、エラストマー材料の厚さ、およびエラストマー材料の特性などの、ショックマウント組立体１１２の特徴的な幾何学構成を、慣性センサデバイス１２２の性能要件を満たすように調整することができる。このような特徴的な幾何学構成は成型、形成、切削、カット、型打ちまたは鋳造して必要な形状にすることができ、システム要件を満たすエラストマー材料と共に用いることができる。

[0022]一実施形態では、慣性センサデバイス１２２は、複数の微小電気機械システム（ＭＥＭＳ：Ｍｉｃｒｏ−Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍ）センサ１２４および１２６を含み、これらは非孤立型の構成で、第１の取付け面１１７および第２の取付け面１１８にそれぞれ結合される。一実施形態では、ＭＥＭＳセンサ１２４は、中空凸部１１７ａおよび１１７ｂに挿入される一連のボルト１２８と結合される。同様に、ＭＥＭＳセンサ１２６は、中空凸部１１８ａおよび１１８ｂに挿入される一連のボルト１３０と結合される。

[0023]一実施態様では、ＭＥＭＳセンサ１２４および１２６は、複数の加速度計およびジャイロスコープを含むことができる。例えば、ＭＥＭＳセンサ１２４および１２６は、３つの直交軸に沿った加速度を測定するのに役立つ３つの加速度計と、３つの直交軸を中心とした回転の測定値を提供する３つのジャイロスコープとを含む慣性測定ユニット（ＩＭＵ：Ｉｎｅｒｔｉａｌ Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ Ｕｎｉｔ）の一部であってよい。

[0024]図２に示すように、衝撃吸収体１２０がその上にあるフランジ型の外縁部１１６は、下側クランプ部１０４の側壁１０６の内側凹部１０７に隣接して嵌まる幾何学形状になっている。上側クランプ部１０８が下側クランプ部１０４に連結されると、外縁部１１６および衝撃吸収体１２０が、上側クランプ継手１３２と下側クランプ継手１３４との間に挟まれる。これにより、ハウジング組立体１０２内の支持構造１１４が固定される。この構成では、支持構造１１４が、外縁部１１６上の衝撃吸収体１２０を介してクランプ部１０４およびクランプ部１０８の両方と接合する。

[0025]衝撃吸収体１２０は、外縁部１１６の剛性表面が、クランプ部１０４および１０８の剛性表面と接触するのを防ぐように機能する。これにより、ＭＥＭＳセンサの動作に悪影響を与える衝撃および振動が減衰する。衝撃吸収体１２０の周波数応答を、その材料特性と、クランプ部１０４および１０８によって衝撃吸収体１２０に加えられる圧縮力とを変更することにより制御することができる。衝撃吸収体１２０の周波数応答を制御するために変更することができる材料特性の例としては、その厚さ、形状、減衰特性値、および剛性を含む。さらに、衝撃吸収体１２０と支持構造１１４との接合部分全体における温度デルタは非常に低い（例えば、約５℃未満）。

[0026]図３Ａおよび図３Ｂは、ショックマウント組立体１１２のさらなる詳細を、環境センサプロテクタ装置１００とは別に示す。図に示すように、支持構造１１４は、円形の幾何学構成を有し、側壁１１５のフランジ型の外縁部１１６が支持構造１１４の外周を画定する。一実施形態では、衝撃吸収体１２０は、外縁部１１６に取り付けられて支持構造１１４を実質的に取り囲む複数の衝撃吸収セグメント１２０ａを含む。各衝撃吸収セグメント１２０ａは、接続セグメント１２０ｂにより、隣接する衝撃吸収セグメント１２０ａと接続される。接続セグメント１２０ｂは、外縁部１１６の一部を露出したままにする大きさにされている。

[0027]図３Ａに示すように、保持リング１４２が、センサ取付け面１１７上で、側壁１１５に隣接して配置される。この実施形態では、センサ取付け面１１７上の３つの中空凸部１１７ａが、保持リング１４２の一部として形成され、１つの中空凸部１１７ｂが、センサ取付け面１１７上の、保持リング１４２内の中心に配置される。図３Ｂに示すように、保持リング１４４が、センサ取付け面１１８上の、保持リング１４２の正反対に配置される。センサ取付け面１１８上の中空凸部１１８ａが、保持リング１４４の一部として形成され、１つの中空凸部１１８ｂが、保持リング１４４内の中心に配置される。中空凸部１１７ａは、中空凸部１１８ａとそれぞれ正反対に位置するとともに連通し、開口１４６が、それぞれの中空凸部の間を通って延びる。同様に、中空凸部１１７ｂは、中空凸部１１８ｂと正反対に位置するとともに連通し、開口１４８が、これらの中空凸部の間を通って延びる。

[0028]さらに、開口１５０が、支持構造１１４を通って、センサ取付け面１１７とセンサ取付け面１１８との間に延在する。開口１５０は、接続具が支持構造１１４を貫通して突出するための経路を提供し、それによりＭＥＭＳセンサ１２４および１２６（図１）が互いに電気的に接続可能となる。

[0029]開口１４６および１４８は、慣性センサデバイスを支持構造１１４に結合するためのボルトを受けるように構成される。一実施形態では、円形の構成を有するＩＭＵなどの慣性センサデバイスを、支持構造１１４に結合することができる。

[0030]図４Ａおよび図４Ｂは、別の実施形態による、環境センサプロテクタにおいて採用することができるショックマウント組立体２００を示す。図に示すように、ショックマウント組立体２００は、長方形の幾何学構成を有する支持構造２０２を含む。支持構造２０２は、開放領域２０６を取り囲む複数の側壁２０４を含む。取付け面２０９を有する内部レッジ２０８が、各側壁２０４に対して垂直に、開放領域２０６へと延びる。レッジ２０８は、支持構造２０２の各角部において、中空凸部２１０を有する。中空凸部２１０は、慣性センサデバイスを支持構造２０２に結合するためのボルトを受けるように構成される。図４Ｂに示すように、側壁２０４およびレッジ２０８の組み合わせは、支持構造２０２に、Ｌ字型の断面プロファイルを提供する。

[0031]側壁２０４は、支持構造２０２の外周を画定する外縁部２１２を有する。外縁部２１２は、上面２１２ａ、下面２１２ｂ、および上面２１２ａと下面２１２ｂとの間に延びる側面２１２ｃを有する。衝撃吸収体２１４が外縁部２１２に取り付けられ、支持構造２０２を実質的に取り囲む。衝撃吸収体２１４は、外縁部２１２の上面２１２ａ、下面２１２ｂ、および側面２１２ｃにそれぞれ結合される複数の衝撃吸収セグメント２１４ａを有する。各衝撃吸収セグメント２１４ａは、接続セグメント２１４ｂにより、隣接する衝撃吸収セグメント２１４ａと接続される。接続セグメント２１４ｂは、側面２１２ｃの一部を露出したままにする大きさにされている。

[0032]一実施形態では、長方形の構成を有するＩＭＵなどの慣性センサデバイスを支持構造２０２に結合することができる。ショックマウント組立体２００は、非孤立型システム用に構成され、振動事象または衝撃事象中、慣性センサデバイスを保護する。

[0033]図５は、別の実施形態によるプロテクタ装置３００におけるショックマウントを示す。プロテクタ装置３００は、全体として、ハウジング組立体３０２と、ハウジング組立体３０２内に収容されるショックマウント組立体３１２とを含む。ハウジング組立体３０２におけるショックマウント組立体３１２は、その中に収容される電子デバイスを、振動事象または衝撃事象中、保護するように構成される。

[0034]ハウジング組立体３０２は、底壁３０５および側壁３０６を有する下側クランプ部３０４を含み、内側凹部３０７が、側壁３０６の一部に形成される。ハウジング組立体３０２は、上壁３０９および側壁３１０を有する上側クランプ部３０８も含み、内側凹部３１１が、側壁３１０の一部に形成される。

[0035]ショックマウント組立体３１２は、側壁３１５を有する支持構造３１４を含み、側壁３１５は、支持構造３１４の外周を画定する外縁部３１６を有する。支持構造３１４は、第１のデバイス取付け面３１７と、その反対側にオプションの第２のデバイス取付け面３１８も含む。様々な実施形態において、支持構造３１４は、プリント回路板、プリント配線板、センサを取り付けることができる構造（例えば、プリント配線組立体を介して取り付けられる１つまたは複数のスタンドアロンセンサ）などであってよい。

[0036]衝撃吸収体３２０は、衝撃吸収体３２０が支持構造３１４の外周を実質的に取り囲むように、外縁部３１６の少なくとも一部に結合される。衝撃吸収体３２０は、エラストマー材料などの衝撃吸収性の材料、または衝撃および振動によって生じる周波数を減衰させることのできる他の同様の材料を含む。

[0037]図５に示すように、衝撃吸収体３２０をその上に有する外縁部３１６は、内側凹部３０７および３１１に隣接して嵌まる幾何学形状にされている。上側クランプ部３０８が下側クランプ部３０４に連結されると、外縁部３１６および衝撃吸収体３２０が、上側クランプ継手３３２と下側クランプ継手３３４との間に挟まれる。これにより、ハウジング組立体３０２内の支持構造３１４が固定される。

[0038]図６は、２次システムの理想的なショックフィルタ（衝撃吸収体）の周波数応答を示すグラフ４００であり、ここで共振周波数は約６０００Ｈｚであり、伝達率のピークは２０ｄＢである。周波数応答は、或る周波数範囲にわたって、ショックフィルタの動きをショックフィルタへの入力値で除算することによって得られる結果である。本発明のショックマウント組立体などのシステムでは、周波数応答（伝達率）は、低周波数、グラフ４００においては約１００Ｈｚ未満、では約１（または０ｄＢ）である。１よりも大きい任意の値（＋ｄＢ、デシベルが正の値の場合）では増幅があり、１未満の任意の値（−ｄＢ、デシベルが負の値の場合）では減衰がある。この例では、ショックフィルタは、低周波数範囲では０ｄＢの周波数応答を有し、ピーク４０２では、２０ｄＢにまで増幅する。ピーク４０２は、このシステムの場合は約６０００Ｈｚの、自然周波数に近い周波数（共振）である。これは、様々なセンサの実施形態にとって許容可能な周波数応答である。衝撃事象中、１０，０００Ｈｚよりも高い周波数を経験するセンサシステムでは、様々な性能の問題が発生し得る。グラフ４００に示すように、ショックフィルタは、１０，０００Ｈｚよりも高い周波数などの、より高い周波数エネルギーを減衰させ、これによりセンサ性能を向上させることが可能となる。
例示的な実施形態
[0039]例１は、或る幾何学構成を有する支持構造であって、この支持構造の外周を画定する外縁部を有する少なくとも１つの側壁、およびこの側壁に対して実質的に垂直であり、少なくとも１つの電子デバイスを支持構造に結合するように構成される、第１の取付け面を備える、支持構造と、外縁部の少なくとも一部に取り付けられ、支持構造の外周を実質的に取り囲む、衝撃吸収体とを備えるショックマウント組立体であって、非孤立型システム用に構成され、振動事象または衝撃事象中、電子デバイスを保護するように構成される、ショックマウント組立体を含む。

[0040]例２は、支持構造が円形の幾何学形状を有する、例１のショックマウント組立体を含む。
[0041]例３は、支持構造が長方形の幾何学形状を有する、例１のショックマウント組立体を含む。

[0042]例４は、支持構造が、第１の取付け面の反対側に、第２の取付け面をさらに備え、この第２の取付け面は、少なくとも１つの電子デバイスを支持構造に結合するように構成される、例１〜２のいずれか１つのショックマウント組立体を含む。

[0043]例５は、少なくとも１つの電子デバイスがセンサデバイスを含む、例１〜４のいずれか１つのショックマウント組立体を含む。
[0044]例６は、第１の取付け面および第２の取付け面が、慣性センサデバイスを支持構造に結合するように構成される、例４〜５のいずれか１つのショックマウント組立体を含む。

[0045]例７は、衝撃吸収体がエラストマー材料を含む、例１〜６のいずれか１つのショックマウント組立体を含む。
[0046]例８は、衝撃吸収体が、外縁部に結合される複数の衝撃吸収セグメントを備え、各衝撃吸収セグメントは、外縁部の一部を露出したままにするような大きさにされた接続セグメントにより、隣接する衝撃吸収セグメントに接続される、例１〜７のいずれか１つのショックマウント組立体を含む。

[0047]例９は、開放領域を取り囲む複数の側壁をさらに備え、第１の取付け面が、側壁から開放領域へと延びる内部レッジの一部であり、この内部レッジは、支持構造の各角部において中空凸部を含み、この中空凸部は電子デバイスを支持構造に結合するように構成される、例３、５、７および８のいずれか１つのショックマウント組立体を含む。

[0048]例１０は、側壁、および側壁から延びるレッジが、支持構造にＬ字型の断面プロファイルを与える、例９のショックマウント組立体を含む。
[0049]例１１は、少なくとも１つの側壁を有する第１のクランプ部、および少なくとも１つの側壁を有し、第１のクランプ部に結合される第２のクランプ部を備えるハウジング組立体であって、第１のクランプ部および第２のクランプ部のうちの少なくとも１つが、第１のクランプ部および第２のクランプ部のそれぞれの側壁に沿った内側凹部を有する、ハウジング組立体と、ハウジング組立体内のショックマウント組立体であって、或る幾何学構成を有する支持構造であって、支持構造の外周を画定する外縁部を有する少なくとも１つの側壁、および側壁に対して垂直な第１の取付け面を備える、支持構造、ならびに外縁部の少なくとも一部に取り付けられ、支持構造の外周を実質的に取り囲む衝撃吸収体を備え、外縁部および衝撃吸収体は、内側凹部に隣接して嵌まるような幾何学形状にされている、ショックマウント組立体と、非孤立型の構成において、支持構造の第１の取付け面に結合される少なくとも１つのセンサデバイスとを備えるセンサプロテクタ装置であって、ショックマウント組立体は、振動事象または衝撃事象中、センサデバイスを保護するように構成される、センサプロテクタ装置を含む。

[0050]例１２は、支持構造が、第１の取付け面の反対側に第２の取付け面をさらに備える、例１１のセンサプロテクタ装置を含む。
[0051]例１３は、第２の取付け面に結合される少なくとも１つのセンサデバイスをさらに備える、例１２のセンサプロテクタ装置を含む。

[0052]例１４は、センサデバイスが慣性センサデバイスを含む、例１１〜１３のいずれか１つのセンサプロテクタ装置を含む。
[0053]例１５は、慣性センサデバイスがＭＥＭＳ慣性センサを含む、例１４のセンサプロテクタ装置を含む。

[0054]例１６は、ＭＥＭＳ慣性センサが、慣性測定ユニットの一部である複数の加速度計およびジャイロスコープを含む、例１５のセンサプロテクタ装置を含む。
[0055]例１７は、衝撃吸収体がエラストマー材料を含む、例１１〜１６のいずれか１つのセンサプロテクタ装置を含む。

[0056]例１８は、衝撃吸収体が、外縁部に結合される複数の衝撃吸収セグメントを備え、各衝撃吸収セグメントは、外縁部の一部を露出したままにするような大きさにされた接続セグメントにより、隣接する衝撃吸収セグメントに接続される、例１１〜１７のいずれか１つのセンサプロテクタ装置を含む。

[0057]例１９は、支持構造が円形の幾何学形状を有する、例１１〜１８のいずれか１つのセンサプロテクタ装置を含む。
[0058]例２０は、支持構造が長方形の幾何学形状を有する、例１４〜１８のいずれか１つのセンサプロテクタ装置を含む。

[0059]本発明は、その本質的な特徴から逸脱することなく、他の特定の形式で実施されてもよい。説明した実施形態は、あらゆる点で、限定ではなく例示的なものとして見なされるべきである。したがって、本発明の範囲は、上記の説明ではなく、添付の特許請求の範囲によって示される。特許請求の範囲の等価物の意味および範囲内でのすべての変更は、特許請求の範囲内に包含されるべきである。

１００ センサプロテクタ装置
１０２ ハウジング組立体
１０４ 下側クランプ部
１０５ 底壁
１０６ 側壁
１０７ 内側凹部
１０８ 上側クランプ部
１０９ 上壁
１１０ 側壁
１１２ ショックマウント組立体
１１４ 支持構造
１１５ 側壁
１１６ 外縁部
１１７ 第１のセンサ取付け面
１１７ａ、１１７ｂ 中空凸部
１１８ 第２のセンサ取付け面
１１８ａ、１１８ｂ 中空凸部
１２０ 衝撃吸収体
１２０ａ 衝撃吸収セグメント
１２０ｂ 接続セグメント
１２２ 慣性センサデバイス
１２４、１２６ ＭＥＭＳセンサ
１２８、１３０ ボルト
１３２ 上側クランプ継手
１３４ 下側クランプ継手
１４２、１４４ 保持リング
１４６、１４８、１５０ 開口
２００ ショックマウント組立体
２０２ 支持構造
２０４ 側壁
２０６ 開放領域
２０８ 内部レッジ
２０９ 取付け面
２１０ 中空凸部
２１２ 外縁部
２１２ａ 上面
２１２ｂ 下面
２１２ｃ 側面
２１４ 衝撃吸収体
２１４ａ 衝撃吸収セグメント
２１４ｂ 接続セグメント
３００ プロテクタ装置
３０２ ハウジング組立体
３０４ 下側クランプ部
３０５ 底壁
３０６ 側壁
３０７ 内側凹部
３０８ 上側クランプ部
３０９ 上壁
３１０ 側壁
３１１ 内側凹部
３１２ ショックマウント組立体
３１４ 支持構造
３１５ 側壁
３１６ 外縁部
３１７ 第１のデバイス取付け面
３１８ 第２のデバイス取付け面
３２０ 衝撃吸収体
３３２ 上側クランプ継手
３３４ 下側クランプ継手
４００ グラフ
４０２ ピーク

Claims (3)

1. ショックマウント組立体であって、前記ショックマウント組立体は、
   或る幾何学構成を有する支持構造を有し、前記支持構造は、
   前記支持構造の外周を画定する外縁部を有する少なくとも１つの側壁と、
   前記側壁に対して実質的に垂直である第１の取付け面を有し、前記第１の取付け面は少なくとも１つの電子デバイスを前記支持構造に結合するように構成され、
   前記ショックマウント組立体はさらに、前記外縁部の少なくとも一部に取り付けられる衝撃吸収体を有し、前記衝撃吸収体は前記支持構造の前記外周を実質的に取り囲み、
   前記ショックマウント組立体はさらに、非孤立型システム用に構成され、振動事象または衝撃事象中、前記電子デバイスを保護するように構成される、
   ショックマウント組立体。
2. 開放領域を取り囲む複数の側壁をさらに備え、前記第１の取付け面が、前記側壁から前記開放領域へと延びる内部レッジの一部であり、前記内部レッジは、前記支持構造の各角部において中空凸部を含み、前記中空凸部は前記電子デバイスを前記支持構造に結合するように構成される、請求項１に記載のショックマウント組立体。
3. センサプロテクタ装置であって、前記センサプロテクタ装置は、
   ハウジング組立体を有し、前記ハウジング組立体は、
   少なくとも１つの側壁を有する第１のクランプ部と、
   少なくとも１つの側壁を有する第２のクランプ部と、を有し、前記第２のクランプ部は、前記第１のクランプ部に結合され、
   前記第１のクランプ部および前記第２のクランプ部のうちの少なくとも１つが、前記第１のクランプ部および前記第２のクランプ部のそれぞれの前記側壁に沿った内側凹部を有し、
   前記センサプロテクタ装置はさらに、前記ハウジング組立体内のショックマウント組立体を有し、前記ショックマウント組立体は、
   或る幾何学構成を有する支持構造を有し、前記支持構造は、
   前記支持構造の外周を画定する外縁部を有する少なくとも１つの側壁と、
   前記側壁に対して垂直な第１の取付け面と、を有し、
   前記ショックマウント組立体はさらに、前記外縁部の少なくとも一部に取り付けられる衝撃吸収体を有し、前記衝撃吸収体は、前記支持構造の前記外周を実質的に取り囲み、
   前記外縁部および前記衝撃吸収体は、前記内側凹部に隣接して嵌まるような幾何学形状にされ、
   前記センサプロテクタ装置はさらに、非孤立型の構成において、前記支持構造の前記第１の取付け面に結合される少なくとも１つのセンサデバイスを有し、
   前記ショックマウント組立体は、振動事象または衝撃事象中、前記センサデバイスを保護するように構成される、
   センサプロテクタ装置。

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