JP2017045928A - Light-emitting device - Google Patents

Light-emitting device Download PDF

Info

Publication number
JP2017045928A
JP2017045928A JP2015168953A JP2015168953A JP2017045928A JP 2017045928 A JP2017045928 A JP 2017045928A JP 2015168953 A JP2015168953 A JP 2015168953A JP 2015168953 A JP2015168953 A JP 2015168953A JP 2017045928 A JP2017045928 A JP 2017045928A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
lens
phosphor layer
emitting device
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015168953A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP6696129B2 (en
Inventor
千絵 前田
Chie Maeda
千絵 前田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Chemical Industries Ltd
Original Assignee
Nichia Chemical Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Chemical Industries Ltd filed Critical Nichia Chemical Industries Ltd
Priority to JP2015168953A priority Critical patent/JP6696129B2/en
Publication of JP2017045928A publication Critical patent/JP2017045928A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6696129B2 publication Critical patent/JP6696129B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light-emitting device including a plurality of semiconductor light-emitting elements with improved intensity of light extracted in a specific direction with a reduced total light-emitting device size.SOLUTION: The light-emitting device includes: a first light source including a first semiconductor light-emitting element, a first phosphor layer provided on the first semiconductor light-emitting element, and a first lens provided on the first phosphor layer; and a second light source including a second semiconductor light-emitting element, a second phosphor layer provided on the second semiconductor light-emitting element, and a second lens provided on the second phosphor layer.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は複数の半導体発光素子を用いた発光装置に関する。   The present invention relates to a light emitting device using a plurality of semiconductor light emitting elements.

白色光を発する発光装置として、窒化ガリウム等を用いた半導体発光素子と、蛍光体とを組み合わせた発光装置がある。このような発光装置の例として、一つの発光装置内に複数の半導体発光素子を備えた例も存在する。   As a light emitting device that emits white light, there is a light emitting device in which a semiconductor light emitting element using gallium nitride or the like and a phosphor are combined. As an example of such a light emitting device, there is an example in which a plurality of semiconductor light emitting elements are provided in one light emitting device.

特許文献１には、複数の半導体発光素子と、複数の蛍光体層とを備え、前記複数の発光素子および蛍光体層の全体を一つのレンズで覆った発光装置の形態が記載されている。   Patent Document 1 describes a form of a light-emitting device that includes a plurality of semiconductor light-emitting elements and a plurality of phosphor layers, and covers the entirety of the plurality of light-emitting elements and phosphor layers with a single lens.

特開２０１２−１４２３２６号公報JP 2012-142326 A

発光装置から特定方向に取り出される光の強度を向上させるには、レンズ等の光学素子が必要である。そして、複数の半導体発光素子等を一つのレンズで覆った発光装置の場合、発光装置全体の大きさはレンズの大きさに影響される。   In order to improve the intensity of light extracted from the light emitting device in a specific direction, an optical element such as a lens is required. In the case of a light emitting device in which a plurality of semiconductor light emitting elements or the like are covered with a single lens, the size of the entire light emitting device is affected by the size of the lens.

本発明の目的は、複数の半導体発光素子を有する発光装置において、特定方向に取り出される光の強度が向上し、且つ発光装置全体の大きさがより小さい発光装置を提供することである。   An object of the present invention is to provide a light-emitting device having a plurality of semiconductor light-emitting elements, in which the intensity of light extracted in a specific direction is improved and the overall size of the light-emitting device is smaller.

本発明の実施形態に係る発光装置は、第一の半導体発光素子と、前記第一の半導体発光素子の上に設けられた第一の蛍光体層と、前記第一の蛍光体層の上に設けられた第一のレンズとを含む第一の光源と、第二の半導体発光素子と、前記第二の半導体発光素子の上に設けられた第二の蛍光体層と、前記第二の蛍光体層の上に設けられた第二のレンズとを含む第二の光源とを含む。   A light emitting device according to an embodiment of the present invention includes a first semiconductor light emitting element, a first phosphor layer provided on the first semiconductor light emitting element, and on the first phosphor layer. A first light source including a first lens provided; a second semiconductor light emitting element; a second phosphor layer provided on the second semiconductor light emitting element; and the second fluorescence. And a second light source including a second lens provided on the body layer.

本発明の実施形態に係る発光装置により、発光装置全体の大きさを小さくし、且つ特定方向に取り出される光の強度を向上させることができる。   With the light emitting device according to the embodiment of the present invention, the overall size of the light emitting device can be reduced and the intensity of light extracted in a specific direction can be improved.

図１は本発明の実施形態の概略の一例である。FIG. 1 is a schematic example of an embodiment of the present invention. 図２は本発明の実施形態の概略の別の一例である。FIG. 2 shows another example of the outline of the embodiment of the present invention. 図３は本発明の実施形態の概略のさらに別の一例である。FIG. 3 shows still another example of the outline of the embodiment of the present invention.

図１は、本発明の一実施形態に係る発光装置１の概略を示したものである。図１の（ｃ）に、実装面に垂直な方向における発光装置１の一断面を示している。図１の（ａ）における線分Ａ−Ｂの断面を図１の（ｃ）に示している。また、図１の（ｃ）における線分Ａ’−Ｂ’間の断面を図１の（ａ）に示している。また、図１の（ｃ）における線分Ａ’’−Ｂ’’間の断面を図１の（ｂ）に示している。図１において、第一のレンズ１５および第二のレンズ１６はフレネルレンズである。第一のレンズがフレネルレンズであると、レンズが薄くできるので、第一の光源に係る領域の光取り出し方向の長さを短くすることが可能になる。第ニのレンズがフレネルレンズであると、レンズが薄くできるので、第ニの光源に係る領域の光取り出し方向の長さを短くすることが可能になる。また、レンズが薄くなり、光取り出し方向の設計に係る自由度が高くなるので、図１のように第一のレンズ１５および第ニのレンズ１６を、それぞれ第一の蛍光体層１３および第二の蛍光体層１４から離間して配置する余裕も出てくる。第一の蛍光体層１３および第二の蛍光体層１４と、第一のレンズ１５および第二のレンズ１６とを適宜離間することで、第一の光源および第二の光源の光の広がりをそれぞれ調節することが可能になる。   FIG. 1 shows an outline of a light emitting device 1 according to an embodiment of the present invention. FIG. 1C shows a cross section of the light emitting device 1 in a direction perpendicular to the mounting surface. A section taken along line AB in FIG. 1A is shown in FIG. In addition, a cross section between the line segment A'-B 'in FIG. 1C is shown in FIG. Further, a cross section between the line segment A "-B" in FIG. 1C is shown in FIG. In FIG. 1, the first lens 15 and the second lens 16 are Fresnel lenses. When the first lens is a Fresnel lens, the lens can be thinned, so that the length in the light extraction direction of the region related to the first light source can be shortened. If the second lens is a Fresnel lens, the lens can be thinned, so that the length in the light extraction direction of the region related to the second light source can be shortened. Further, since the lens becomes thinner and the degree of freedom in designing the light extraction direction becomes higher, the first lens 15 and the second lens 16 are respectively connected to the first phosphor layer 13 and the second phosphor as shown in FIG. There is also a margin for disposing the phosphor layer 14 away from the phosphor layer 14. By appropriately separating the first phosphor layer 13 and the second phosphor layer 14 from the first lens 15 and the second lens 16, the spread of light from the first light source and the second light source can be increased. Each can be adjusted.

図１に示すように、発光装置１は第一の光源および第二の光源の周辺に周辺部１７を有し、さらに周辺部１７およびを囲う外周部２０を有している。周辺部１７は可視光に対して透光性を有する材料で構成され、外周部２０は可視光に対して反射率の高い材料で構成される。また、外周部２０は第一のレンズ１５および第二のレンズ１６と接しており、第一の蛍光体層および第二の蛍光体層１５と、第一のレンズ１５および第二のレンズ１６とを離間させている。   As shown in FIG. 1, the light emitting device 1 has a peripheral portion 17 around the first light source and the second light source, and further has an outer peripheral portion 20 surrounding the peripheral portion 17. The peripheral portion 17 is made of a material that is transparent to visible light, and the outer peripheral portion 20 is made of a material that has a high reflectance with respect to visible light. The outer peripheral portion 20 is in contact with the first lens 15 and the second lens 16, and the first phosphor layer and the second phosphor layer 15, the first lens 15 and the second lens 16, Are separated.

図２は、本発明の他の実施形態に係る発光装置２の概略を示したものである。図２の（ｃ）に、実装面に垂直な方向における発光装置２の一断面を示している。図２の（ａ）における線分Ａ−Ｂ間の断面を図２の（ｃ）に示している。また、図２の（ｃ）における線分Ａ’−Ｂ’間の断面を図２の（ａ）に示している。また、図２の（ｃ）における線分Ａ’’−Ｂ’’間の断面を図２の（ｂ）に示している。図２において、第一のレンズ２５および第二のレンズ２６は凸レンズである。光取り出し方向の設計に余裕があれば、このようにフレネルレンズ以外のレンズを第一のレンズ、第二のレンズ、あるいはそれら両方に採用してもよい。   FIG. 2 schematically shows a light emitting device 2 according to another embodiment of the present invention. FIG. 2C shows a cross section of the light emitting device 2 in a direction perpendicular to the mounting surface. A cross section between line segments A-B in FIG. 2A is shown in FIG. Further, FIG. 2A shows a cross section taken along line A′-B ′ in FIG. Further, FIG. 2B shows a cross section between the line segment A ″ -B ″ in FIG. In FIG. 2, the first lens 25 and the second lens 26 are convex lenses. If there is a margin in the design of the light extraction direction, a lens other than the Fresnel lens may be employed as the first lens, the second lens, or both.

図２に示すように、発光装置２は第一の光源および第二の光源の周辺に周辺部２７を有し、さらに周辺部２７およびを囲う外周部３０を有している。周辺部２７は可視光に対して透明な材料で構成され、外周部３０は可視光に対して反射率の高い材料で構成される。   As shown in FIG. 2, the light emitting device 2 has a peripheral portion 27 around the first light source and the second light source, and further has an outer peripheral portion 30 surrounding the peripheral portion 27. The peripheral portion 27 is made of a material that is transparent to visible light, and the outer peripheral portion 30 is made of a material that has a high reflectance with respect to visible light.

図３は、本発明の他の実施形態に係る発光装置３の概略を示したものである。図３の（ｃ）に、実装面に垂直な方向における発光装置３の一断面を示している。図３の（ａ）における線分Ａ−Ｂ間の断面を図３の（ｃ）に示している。また、図３の（ｃ）における線分Ａ‘−Ｂ’間の断面を図３の（ａ）に示している。あた、図３の（ｃ）における線分Ａ’’−Ｂ’’間の断面を図３の（ｂ）に示している。図３において、第一のレンズ３５および第二のレンズ３６はフレネルレンズであり、それぞれ第一の蛍光体層３３および第二の蛍光体層３４と接している。   FIG. 3 schematically shows a light emitting device 3 according to another embodiment of the present invention. FIG. 3C shows a cross section of the light emitting device 3 in a direction perpendicular to the mounting surface. A cross section between line segments A-B in FIG. 3A is shown in FIG. Further, a cross section between the line segment A′-B ′ in FIG. 3C is shown in FIG. FIG. 3B shows a cross section between the line segment A ″ -B ″ in FIG. In FIG. 3, the first lens 35 and the second lens 36 are Fresnel lenses, and are in contact with the first phosphor layer 33 and the second phosphor layer 34, respectively.

図３に示すように、発光装置３は第一の光源および第二の光源の周辺に周辺部３７を有している。周辺部３７は可視光に対して反射率の高い材料で構成される。   As shown in FIG. 3, the light emitting device 3 has a peripheral portion 37 around the first light source and the second light source. The peripheral portion 37 is made of a material having a high reflectance with respect to visible light.

以下、発光装置を構成する各部材について説明する。   Hereinafter, each member which comprises a light-emitting device is demonstrated.

＜第一の光源＞
第一の光源は、第一の半導体発光素子、第一の蛍光体層および第一のレンズを含む。第一の光源から取り出される第一の光源光は、発光装置に求められる機能によって適宜選択可能である。例えば発光装置を局所的な照明として用いる場合、第一の光源光を、相関色温度５０００Ｋ以上５７００Ｋ以下の白色光とすることが可能である。 <First light source>
The first light source includes a first semiconductor light emitting element, a first phosphor layer, and a first lens. The first light source light extracted from the first light source can be appropriately selected depending on the function required of the light emitting device. For example, when the light-emitting device is used as local illumination, the first light source light can be white light having a correlated color temperature of 5000K to 5700K.

［第一の半導体発光素子］
第一の半導体発光素子は、窒化ガリウム系の窒化物半導体を用いた紫外〜青色に発光する半導体発光素子、ガリウムヒ素を用いた赤外に発光する半導体レーザ等を、目的に応じて選択できる。図１における第一の半導体発光素子１１は、光取り出し側を上側とした場合、透光性基板１２１の下に半導体層１２２、電極１２３を形成し、バンプ１２４を通じて外部と電気的に接続される。図１における第一の半導体発光素子の形態は電極が半導体層の下側に位置するフェイスダウン構造の形態であるが、電極が半導体層の上側に位置するフェイスアップ構造の形態であってもよい。また、透光性基板１２１は第一の光源を形成する際に除去してもよい。図２、図３における第一の半導体発光素子の形態も、フェイスダウン構造であるが、こちらもフェイスアップ構造の形態であってもよい。また、透光性基板２２１、３２１は第一の光源を形成する際に除去してもよい。 [First semiconductor light emitting device]
As the first semiconductor light-emitting element, a semiconductor light-emitting element that emits ultraviolet to blue light using a gallium nitride-based nitride semiconductor, a semiconductor laser that emits infrared light using gallium arsenide, and the like can be selected according to the purpose. In the first semiconductor light emitting device 11 in FIG. 1, when the light extraction side is the upper side, the semiconductor layer 122 and the electrode 123 are formed under the translucent substrate 121 and are electrically connected to the outside through the bumps 124. . The form of the first semiconductor light emitting device in FIG. 1 is a face-down structure in which the electrode is located below the semiconductor layer, but may be a face-up structure in which the electrode is located above the semiconductor layer. . Further, the translucent substrate 121 may be removed when forming the first light source. The first semiconductor light emitting element in FIGS. 2 and 3 also has a face-down structure, but this may also have a face-up structure. Further, the translucent substrates 221 and 321 may be removed when forming the first light source.

［第一の蛍光体層］
第一の蛍光体層は、第一の半導体発光素子から発せられる第一の発光の少なくとも一部を吸収し、第一の蛍光を発することが可能な蛍光体を含む。第一の蛍光体層に含まれる蛍光体は、第一の発光と、第一の光源から取り出される光とに応じて適宜選択すればよい。 [First phosphor layer]
The first phosphor layer includes a phosphor capable of absorbing at least a part of the first emission emitted from the first semiconductor light emitting element and emitting the first fluorescence. The phosphor contained in the first phosphor layer may be appropriately selected according to the first emission and the light extracted from the first light source.

第一の蛍光体層に含まれる蛍光体は一種類でもよいし、複数種存在してもよい。例えば第一の半導体発光素子が、活性層に窒化インジウムガリウムを用いた青色発光の窒化物半導体発光素子の場合、セリウム付活のイットリウムアルミニウムガーネット蛍光体と、ユーロピウム付活の窒化珪素ストロンチウム蛍光体とを用いることができる。具体的には、２種の蛍光体を混合してエポキシ樹脂に分散し、エポキシ樹脂を硬化後、目的の形状に整形する。そして、それを第一の半導体発光素子と組み合わせることで、相関色温度が５０００Ｋ〜５７００Ｋ程度の光が取り出される第一の光源を得ることができる。なお、第一の蛍光体層として、所望の蛍光体の焼結板を用いてもよい。   One kind of phosphors may be included in the first phosphor layer, or a plurality of kinds may exist. For example, when the first semiconductor light-emitting device is a blue-emitting nitride semiconductor light-emitting device using indium gallium nitride as an active layer, a cerium-activated yttrium aluminum garnet phosphor, a europium-activated silicon strontium nitride phosphor, Can be used. Specifically, two types of phosphors are mixed and dispersed in an epoxy resin, and the epoxy resin is cured and then shaped into a target shape. Then, by combining it with the first semiconductor light emitting element, a first light source from which light having a correlated color temperature of about 5000K to 5700K is extracted can be obtained. Note that a sintered plate of a desired phosphor may be used as the first phosphor layer.

第一の蛍光体層は、第一の発光の一部を吸収するのでもよいし、全部を吸収するのでもよい。第一の蛍光体層が第一の発光の一部を吸収する場合、第一の光源光は、第一の発光と第一の蛍光とを合成した光となる。第一の蛍光体層が第一の発光の全部を吸収する場合、第一の光源光は、第一の蛍光となる。   The first phosphor layer may absorb a part of the first light emission or may absorb the whole. When the first phosphor layer absorbs a part of the first light emission, the first light source light is light obtained by synthesizing the first light emission and the first fluorescence. When the first phosphor layer absorbs all of the first light emission, the first light source light becomes the first fluorescence.

第一の蛍光体層の形状は、上側から見た平面形状が略円形であることが好ましい。このように形状を調整すると、第一の光源光の照射方向、照射立体角等が調整しやすく、被写体の照度分布を調整しやすい。   As for the shape of the 1st fluorescent substance layer, it is preferable that the planar shape seen from the upper side is a substantially circular shape. By adjusting the shape in this way, it is easy to adjust the irradiation direction of the first light source light, the irradiation solid angle, etc., and to easily adjust the illuminance distribution of the subject.

［第一のレンズ］
第一のレンズは、第一の光源光にある程度の指向性を持たせる機能を有する。第一のレンズは、上側から見たとき、第一の蛍光体層の全体を覆っていることが好ましい。また、第一のレンズの上側から見た平面形状は、第一の蛍光体層の上側から見た平面形状と相似していることが好ましい。このように形状を調整すると、第一の光源光の光束分布をより均一にしやすい。 [First lens]
The first lens has a function of giving the first light source light a certain degree of directivity. The first lens preferably covers the entire first phosphor layer when viewed from above. Moreover, it is preferable that the planar shape seen from the upper side of the first lens is similar to the planar shape seen from the upper side of the first phosphor layer. By adjusting the shape in this way, the light flux distribution of the first light source light can be made more uniform.

第一のレンズと第一の蛍光体層は、図１のように離間して配置されていると、配向特性が良くなり好ましい。   It is preferable that the first lens and the first phosphor layer are spaced apart from each other as shown in FIG.

第一のレンズの材質としては、第一の光源光における波長範囲において、透過率が高いものを選択することができる。図１における第一の蛍光体層１３および第一のレンズ１５は、特に好ましい形態の一例である。図１において第一の蛍光体層１３を上側から見た形状は略円形であり、第一のレンズ１５を上側から見た形状は、略円形のフレネルレンズ領域を含んだ四角形である。さらに、第一の蛍光体層１３の中心と、第一のレンズ１５の中心は、上側からみて第一の中心１８で一致している。このように第一の蛍光体層１３の中心と第一のレンズの中心を一致させると、配光の制御が容易となる。   As the material of the first lens, a material having a high transmittance in the wavelength range of the first light source light can be selected. The first phosphor layer 13 and the first lens 15 in FIG. 1 are examples of particularly preferable forms. In FIG. 1, the shape of the first phosphor layer 13 viewed from the upper side is a substantially circular shape, and the shape of the first lens 15 viewed from the upper side is a quadrangle including a substantially circular Fresnel lens region. Further, the center of the first phosphor layer 13 and the center of the first lens 15 coincide with each other at the first center 18 when viewed from above. As described above, when the center of the first phosphor layer 13 and the center of the first lens coincide with each other, the light distribution can be easily controlled.

図２において第一の蛍光体層２３を上側から見た形状が略円形であり、第一のレンズ２５の上側から見た形状も略円形である。さらに、第一の蛍光体層２３の中心と、第一のレンズ２５の中心は、上側からみて第一の中心２８で一致している。このように第一の蛍光体層２３の中心と第一のレンズの中心を一致させると、配光の制御が容易となる。   In FIG. 2, the shape of the first phosphor layer 23 viewed from the upper side is a substantially circular shape, and the shape viewed from the upper side of the first lens 25 is also a substantially circular shape. Further, the center of the first phosphor layer 23 and the center of the first lens 25 coincide with each other at the first center 28 when viewed from above. As described above, when the center of the first phosphor layer 23 and the center of the first lens coincide with each other, the light distribution can be easily controlled.

図３において第一の蛍光体層３３を上側から見た形状が略円形であり、第一のレンズ３５を上側から見た形状も略円形である。さらに、第一の蛍光体層３３の中心と、第一のレンズ３５の中心は、上側からみて第一の中心３８で一致している。このように第一の蛍光体層３３の中心と第一のレンズの中心を一致させると、配光の制御が容易となる。   In FIG. 3, the shape of the first phosphor layer 33 viewed from the upper side is substantially circular, and the shape of the first lens 35 viewed from the upper side is also substantially circular. Further, the center of the first phosphor layer 33 and the center of the first lens 35 coincide with each other at the first center 38 when viewed from above. As described above, when the center of the first phosphor layer 33 and the center of the first lens coincide with each other, the light distribution can be easily controlled.

＜第ニの光源＞
第ニの光源は、第ニの半導体発光素子、第ニの蛍光体層および第ニのレンズを含む。第ニの光源から取り出される光は、発光装置に求められる機能によって適宜選択可能である。例えば発光装置全体から取り出される光を、低色温度の黒体放射光に調節する場合、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）において、０．５５０≦ｘ≦０．５６０且つ０．４１５≦ｙ≦０．４２５で表される範囲のアンバー色光とすることが可能である。 <Second light source>
The second light source includes a second semiconductor light emitting element, a second phosphor layer, and a second lens. The light extracted from the second light source can be appropriately selected depending on the function required of the light emitting device. For example, when the light extracted from the entire light emitting device is adjusted to black body radiation having a low color temperature, 0.550 ≦ x ≦ 0.560 and 0.415 ≦ y ≦ in the CIE chromaticity coordinates (x, y). Amber color light in a range represented by 0.425 can be obtained.

［第ニの半導体発光素子］
第二の半導体発光素子は、第一の半導体発光素子同様、目的に応じてその組成、構造等を選択可能である。 [Second semiconductor light emitting device]
The composition, structure, and the like of the second semiconductor light emitting element can be selected according to the purpose, like the first semiconductor light emitting element.

［第一の半導体発光素子と第ニの半導体発光素子の関係］
第一の半導体発光素子と第二の半導体発光素子は、離間していてもよい。第一の半導体発光素子と第二の半導体発光素子との距離は、短ければ短いほどよく、ゼロである、すなわち互いに接触していることが特に好ましい。 [Relationship between first semiconductor light emitting element and second semiconductor light emitting element]
The first semiconductor light emitting element and the second semiconductor light emitting element may be separated from each other. The shorter the distance between the first semiconductor light-emitting element and the second semiconductor light-emitting element, the better.

［第ニの蛍光体層］
第二の蛍光体層は、第一の蛍光体層同様、目的に応じて選択する蛍光体の組成、蛍光体層の構造等を適宜選択、組み合わせ可能である。 [Second phosphor layer]
As with the first phosphor layer, the composition of the phosphor selected according to the purpose, the structure of the phosphor layer, and the like can be appropriately selected and combined for the second phosphor layer.

［第ニのレンズ］
第二のレンズは、第一のレンズ同様、目的に応じてその構造、材質等を適宜選択、組み合わせ可能である。 [Second lens]
As with the first lens, the structure, material, and the like of the second lens can be appropriately selected and combined according to the purpose.

第ニのレンズと第ニの蛍光体層は、図１のように離間して配置されていると、配向特性が良くなり好ましい。   It is preferable that the second lens and the second phosphor layer are arranged apart from each other as shown in FIG.

［第一のレンズと第ニのレンズの関係］
第一のレンズと第二のレンズは離間していてもよい。第一のレンズと第二のレンズとの距離は、短ければ短いほどよく、ゼロである、すなわち互いに接触していることが特に好ましい。第一のレンズと第二のレンズが互いに接触している場合の形態として、第一のレンズと第二のレンズが一体化した形態となってもよい。 [Relationship between the first lens and the second lens]
The first lens and the second lens may be separated from each other. It is particularly preferable that the distance between the first lens and the second lens is as short as possible and is zero, that is, in contact with each other. As a form when the first lens and the second lens are in contact with each other, the first lens and the second lens may be integrated.

［第一の光源と第二の光源の関係］
第一の光源と第二の光源は、同一の回路上の受動素子としてもよいが、互いに電気的に独立していてもよい。つまり、第１の光源と第２の光源を独立して制御可能となるように構成することで、それぞれから取り出される光の強度を任意に制御することができる。 [Relationship between the first light source and the second light source]
The first light source and the second light source may be passive elements on the same circuit, but may be electrically independent from each other. In other words, by configuring the first light source and the second light source to be independently controllable, the intensity of light extracted from each can be arbitrarily controlled.

＜他の部材＞
第一の光源および第二の光源以外に目的に応じて他の部材を組み合わせる。以下、いくつかの部材について説明する <Other members>
In addition to the first light source and the second light source, other members are combined depending on the purpose. Hereinafter, some members will be described.

［周辺部］
第一の光源および第二の光源を含む部材の周辺に周辺部を設け、第一の光源および第二の光源を含む部材を一体化させる。周辺部は、必要に応じて可視光に対して反射率の高い部材で構成されることもできるし、可視光に対して透光性を有する部材で構成することもできる。図３における周辺部３７は、可視光に対して反射率の高い材料で構成された例である。図１、２における周辺部１７、２７は、可視光に対して透光性を有する材料で構成された例である。 [Peripheral part]
A peripheral part is provided around the member including the first light source and the second light source, and the member including the first light source and the second light source is integrated. The peripheral portion can be formed of a member having a high reflectivity with respect to visible light as needed, or can be formed of a member having translucency with respect to visible light. The peripheral portion 37 in FIG. 3 is an example made of a material having a high reflectance with respect to visible light. The peripheral portions 17 and 27 in FIGS. 1 and 2 are examples made of a material having translucency with respect to visible light.

可視光に対して反射率の高い材料の例として、白色顔料を含有させた樹脂がある。このような例における白色顔料としては、酸化チタン、酸化亜鉛等がある。また、このような例における樹脂としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ナイロン樹脂等がある。   An example of a material having a high reflectance with respect to visible light is a resin containing a white pigment. Examples of the white pigment in such an example include titanium oxide and zinc oxide. Examples of the resin in such an example include an epoxy resin, a silicone resin, and a nylon resin.

可視光に対して透光性を有する材料の例として、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等がある。   Examples of a material having a light-transmitting property with respect to visible light include an epoxy resin and a silicone resin.

［外周部］
第一のレンズと第一の蛍光体層とを離間して配置する場合、または第二のレンズと第二の蛍光体層とを離間する場合、周辺部の周辺にさらに外周部を設けることが好ましい。図１は、第一の蛍光体層１３および第二の蛍光体層１４と、第一のレンズ１５および第二のレンズ１６とを、外周部１７を用いて離間させた例である。 [The outer periphery]
When the first lens and the first phosphor layer are disposed apart from each other, or when the second lens and the second phosphor layer are separated from each other, an outer peripheral portion may be provided around the periphery. preferable. FIG. 1 shows an example in which the first phosphor layer 13 and the second phosphor layer 14 are separated from the first lens 15 and the second lens 16 by using the outer peripheral portion 17.

周辺部が可視光に対して透光性を有する材料で構成される場合、周辺部の周辺に、可視光に対して反射率の高い材料で構成された外周部を設けることが好ましい。図１、図２は、可視光に対して透明な材料で構成された周辺部１７、２７それぞれの周辺に、可視光に対して反射率の高い材料で構成された外周部２０、３０を設けた例である。周辺部および外周部の少なくとも一方が、可視光に対して反射率の高い材料で構成されると、第一の光源および第二の光源の光取り出し効率が向上する。   In the case where the peripheral portion is made of a material having a light-transmitting property with respect to visible light, an outer peripheral portion made of a material having a high reflectance with respect to visible light is preferably provided around the peripheral portion. 1 and 2 show that peripheral portions 20 and 30 made of a material having high reflectivity with respect to visible light are provided around the peripheral portions 17 and 27 made of a material transparent to visible light. This is an example. When at least one of the peripheral portion and the outer peripheral portion is made of a material having a high reflectance with respect to visible light, the light extraction efficiency of the first light source and the second light source is improved.

可視光に対して反射率の高い材料の例として、ナイロン樹脂、ガラスエポキシ、アルミナセラミックス、ジルコニアセラミックス等がある。あるいは適当な材料の表面に、銀等の可視光に対して反射率の高い材料をメッキして用いてもよい。   Examples of materials having high reflectivity with respect to visible light include nylon resin, glass epoxy, alumina ceramics, zirconia ceramics, and the like. Alternatively, a material having a high reflectance with respect to visible light such as silver may be plated on a surface of an appropriate material.

実施例を以下に説明する。   Examples will be described below.

［実施例１］
＜第一の半導体発光素子＞
透光性基板１１１としてサファイア基板を用い、ＩｎＧａＮからなる発光層を含む窒化物半導体からなる半導体層１１２を、ＭＯＣＶＤ法（有機金属気相化学成長法）によって形成する。 [Example 1]
<First semiconductor light emitting device>
A sapphire substrate is used as the translucent substrate 111, and a semiconductor layer 112 made of a nitride semiconductor including a light emitting layer made of InGaN is formed by MOCVD (metal organic chemical vapor deposition).

半導体層１１２にＡｕ／Ｔｉ合金からなる電極１１３を形成し、配線基板と、電極１１３とを、バンプ１１４を通じて接続する。こうして第一の半導体発光素子１１を得る。   An electrode 113 made of an Au / Ti alloy is formed on the semiconductor layer 112, and the wiring board and the electrode 113 are connected through bumps 114. Thus, the first semiconductor light emitting element 11 is obtained.

＜第一の蛍光体層＞
セリウム付活のイットリウムアルミニウムガーネット（ＹＡＧ：Ｃｅ）蛍光体をエポキシ樹脂に分散する。分散後、硬化剤を追加し、蛍光体含有エポキシ樹脂を円柱状の型に流し、数時間静置する。静置後、型から円柱状の硬化した蛍光体含有エポキシ樹脂を透光性基板１１１の上に設置し、第一の蛍光体層１３とする。ＹＡＧ：Ｃｅ蛍光体の量は、第一の光源光が色相関温度５５００Ｋの光となるよう調整する。 <First phosphor layer>
A cerium-activated yttrium aluminum garnet (YAG: Ce) phosphor is dispersed in an epoxy resin. After dispersion, a curing agent is added, and the phosphor-containing epoxy resin is poured into a cylindrical mold and allowed to stand for several hours. After standing, a column-shaped cured phosphor-containing epoxy resin is placed on the translucent substrate 111 from the mold to form the first phosphor layer 13. The amount of YAG: Ce phosphor is adjusted so that the first light source light becomes light having a color correlation temperature of 5500K.

＜第ニの半導体発光素子＞
第一の半導体発光素子と同様の半導体発光素子を第二の半導体発光素子１２として用いる。 <Second semiconductor light emitting device>
A semiconductor light emitting element similar to the first semiconductor light emitting element is used as the second semiconductor light emitting element 12.

＜第ニの蛍光体層＞
使用する蛍光体がユーロピウム付活の窒化珪素アルミニウムカルシウム（ＣＡＳＮ：Ｅｕ）蛍光体である以外第一の蛍光体層１３と同様に行い、第二の蛍光体層１４を形成する。ＣＡＳＮ：Ｅｕ蛍光体の量は、第ニの光源光がＣＩＥ色度座標において（０．５５５，０．４２０）近辺の光となるよう調整する。 <Second phosphor layer>
The second phosphor layer 14 is formed in the same manner as the first phosphor layer 13 except that the phosphor to be used is a europium activated silicon aluminum calcium calcium (CASN: Eu) phosphor. The amount of CASN: Eu phosphor is adjusted so that the second light source light becomes light in the vicinity of (0.555, 0.420) in the CIE chromaticity coordinates.

＜外周部＞
第一の蛍光体層１３および第二の蛍光体層１４の上面より２００μｍ程高い位置に上面を有し、ナイロン樹脂で構成される外周部２０を第一の半導体発光素子１１、第一の蛍光体層１３、第二の半導体発光素子１２および第二の蛍光体層１４の周辺に設置する。外周部２０の底面を含む面が発光装置としての底面となる。 <Outer peripheral part>
The first semiconductor light-emitting element 11 and the first fluorescent light have an outer surface 20 having a top surface at a position approximately 200 μm higher than the top surfaces of the first phosphor layer 13 and the second phosphor layer 14 and made of nylon resin. It is installed around the body layer 13, the second semiconductor light emitting element 12, and the second phosphor layer 14. A surface including the bottom surface of the outer peripheral portion 20 is a bottom surface as a light emitting device.

＜周辺部＞
外周部２０の内部にシリコーン樹脂を流し込み、周辺部１７を形成する。周辺部１７の上面は、第一の蛍光体層１３および第二の蛍光体層１４の上面とほぼ同じ高さに調整する。 <Peripheral part>
Silicone resin is poured into the outer peripheral portion 20 to form the peripheral portion 17. The upper surface of the peripheral portion 17 is adjusted to the same height as the upper surfaces of the first phosphor layer 13 and the second phosphor layer 14.

＜第一のレンズ・第二のレンズ＞
シリコーン樹脂からなり、略円形のフレネルレンズ領域を有し、上側から見た平面形状が正方形であるフレネルレンズが隣接して一体化された、第一のレンズ１５および第二のレンズ１６の一体化物（以下、一体化レンズと称す）を外周部２０の上に設置する。設置後、フレネルレンズの上側から加熱、加圧して外周部２０と一体化レンズを接合させる。このとき、第一のレンズ１５の中心と第一の蛍光体層１３の中心は、上側から見て一致している。また、第二のレンズ１６の中心と第二の蛍光体層１４の中心は、上側から見て一致している。 <First lens / Second lens>
An integrated product of the first lens 15 and the second lens 16, which is made of a silicone resin, has a substantially circular Fresnel lens region, and has a Fresnel lens that is square when viewed from above. (Hereinafter referred to as an integrated lens) is placed on the outer peripheral portion 20. After installation, the outer peripheral portion 20 and the integrated lens are joined by heating and pressurizing from above the Fresnel lens. At this time, the center of the first lens 15 and the center of the first phosphor layer 13 coincide with each other when viewed from above. Further, the center of the second lens 16 and the center of the second phosphor layer 14 coincide with each other when viewed from above.

［実施例２］
実施例１と同様にして、第一の半導体発光素子２１、第一の蛍光体層２３、第二の半導体発光素子２２、第二の蛍光体層２４および外周部３０を得る。 [Example 2]
In the same manner as in Example 1, the first semiconductor light emitting device 21, the first phosphor layer 23, the second semiconductor light emitting device 22, the second phosphor layer 24, and the outer peripheral portion 30 are obtained.

＜第一のレンズ・第二のレンズ＞
シリコーン樹脂からなり、上側から見た略円形である凸レンズが隣接して一体化された、第一のレンズ２５および第二のレンズ２６の一体化物を第一の蛍光体層２３及び第二の蛍光体層２４の上に設置する。 <First lens / Second lens>
An integrated product of the first lens 25 and the second lens 26, which is made of a silicone resin and has a substantially circular convex lens viewed from above, is integrated adjacently, and the first phosphor layer 23 and the second fluorescence. It is installed on the body layer 24.

＜外周部＞
実施例１と同様にして外周部３０を設置する。 <Outer peripheral part>
The outer peripheral portion 30 is installed in the same manner as in the first embodiment.

＜周辺部＞
外周部３０の内部にシリコーン樹脂を流し込み、周辺部２７を形成する。周辺部２７の上面は、外周部３０の上面とほぼ同じ高さに調整する。このとき、第一のレンズ２５の中心と第一の蛍光体層２３の中心は、上側からみて第一の中心２８で一致している。また、第ニのレンズ２６の中心と第ニの蛍光体層２４の中心は、上側からみて第ニの中心２９で一致している。 <Peripheral part>
Silicone resin is poured into the outer peripheral portion 30 to form the peripheral portion 27. The upper surface of the peripheral portion 27 is adjusted to be substantially the same height as the upper surface of the outer peripheral portion 30. At this time, the center of the first lens 25 and the center of the first phosphor layer 23 coincide with each other at the first center 28 when viewed from above. The center of the second lens 26 and the center of the second phosphor layer 24 coincide with each other at the second center 29 when viewed from above.

［実施例３］
実施例１と同様にして第一の半導体発光素子３１、第一の蛍光体層３３、第二の半導体発光素子３２および第二の蛍光体層３４を得る。 [Example 3]
The first semiconductor light emitting element 31, the first phosphor layer 33, the second semiconductor light emitting element 32, and the second phosphor layer 34 are obtained in the same manner as in Example 1.

＜周辺部＞
シリコーン樹脂に、酸化チタンからなる白色顔料と硬化剤とを混合し、周辺部形成用の型に流し込む。型に、配線基板上に形成された第一の半導体発光素子３１、第一の蛍光体層３３、第二の半導体層３２および第二の蛍光体層３４を投入し、シリコーン樹脂が硬化するまで静置する。静置後、型から第一の半導体発光素子３１、第一の蛍光体層３３、第二の半導体層３２および第二の蛍光体層３４を引き抜くと、型の形状に応じた周辺部３７が形成される。周辺部３７の上面は、第一の蛍光体層３３および第二の蛍光体層３４の上面とほぼ同じ高さとなるよう調節する。 <Peripheral part>
A white pigment made of titanium oxide and a curing agent are mixed in a silicone resin and poured into a mold for forming the peripheral portion. The mold is charged with the first semiconductor light emitting element 31, the first phosphor layer 33, the second semiconductor layer 32, and the second phosphor layer 34 formed on the wiring substrate until the silicone resin is cured. Leave still. After standing, when the first semiconductor light emitting element 31, the first phosphor layer 33, the second semiconductor layer 32, and the second phosphor layer 34 are pulled out of the mold, a peripheral portion 37 corresponding to the shape of the mold is obtained. It is formed. The upper surface of the peripheral portion 37 is adjusted to be substantially the same height as the upper surfaces of the first phosphor layer 33 and the second phosphor layer 34.

＜第一のレンズ・第二のレンズ＞
実施例１と同様にして、第一のレンズ３５および第二のレンズ３６の一体化物と、周辺部３７とを接合させる。このとき、第一のレンズ３５の中心と第一の蛍光体層３３の中心は、上側からみて第一の中心３８で一致している。また、第二のレンズ３６の中心と第二の蛍光体層３４の中心は、上側からみて第二の中心３９で一致している。 <First lens / Second lens>
In the same manner as in the first embodiment, the integrated product of the first lens 35 and the second lens 36 and the peripheral portion 37 are joined. At this time, the center of the first lens 35 and the center of the first phosphor layer 33 coincide with each other at the first center 38 when viewed from above. Further, the center of the second lens 36 and the center of the second phosphor layer 34 coincide with each other at the second center 39 when viewed from above.

本発明の実施形態に係る発光装置は、デジタルカメラや携帯機器等の小型機器におけるフラッシュ光源等に好適に利用可能である。   The light emitting device according to the embodiment of the present invention can be suitably used for a flash light source in a small device such as a digital camera or a portable device.

１、２、３ 発光装置
１１、２１、３１ 第一の半導体発光素子
１１１、２１１、３１１ 透光性基板
１１２、２１２、３１２ 半導体層
１１３、２１３、３１３ 電極
１１４、２１４、３１４ バンプ
１２、２２、３２ 第二の半導体発光素子
１２１、２２１、３２１ 透光性基板
１２２、２２２、３２２ 半導体層
１２３、２２３、３２３ 電極
１２４、２２４、３２４ バンプ
１３、２３、３３ 第一の蛍光体層
１４、２４、３４ 第二の蛍光体層
１５、２５、３５ 第一のレンズ
１６、２６、３６ 第二のレンズ
１７、２７、３７ 周辺部
１８、２８、３８ 第一の中心
１９、２９、３９ 第二の中心
２０、３０ 外周部 1, 2, 3 Light emitting device 11, 21, 31 First semiconductor light emitting element 111, 211, 311 Translucent substrate 112, 212, 312 Semiconductor layer 113, 213, 313 Electrode 114, 214, 314 Bump 12, 22, 32 Second semiconductor light emitting device 121, 221, 321 Translucent substrate 122, 222, 322 Semiconductor layer 123, 223, 323 Electrode 124, 224, 324 Bump 13, 23, 33 First phosphor layer 14, 24, 34 Second phosphor layer 15, 25, 35 First lens 16, 26, 36 Second lens 17, 27, 37 Peripheral portion 18, 28, 38 First center 19, 29, 39 Second center 20, 30 Outer periphery

Claims (8)

第一の半導体発光素子と、前記第一の半導体発光素子の上に設けられた第一の蛍光体層と、前記第一の蛍光体層の上に設けられた第一のレンズとを含む第一の光源と、
第二の半導体発光素子と、前記第二の半導体発光素子の上に設けられた第二の蛍光体層と、前記第二の蛍光体層の上に設けられた第二のレンズとを含む第二の光源と、
を含む発光装置。 A first semiconductor light emitting device, a first phosphor layer provided on the first semiconductor light emitting device, and a first lens provided on the first phosphor layer. A light source,
A second semiconductor light emitting device; a second phosphor layer provided on the second semiconductor light emitting device; and a second lens provided on the second phosphor layer. Two light sources,
A light emitting device comprising: 前記第一の蛍光体層の上側から見た平面形状が略円形である、請求項１に記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 1, wherein a planar shape of the first phosphor layer as viewed from above is substantially circular. 前記第二の蛍光体層の上側から見た平面形状が略円形である、請求項１または２に記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 1 or 2, wherein a planar shape of the second phosphor layer as viewed from above is substantially circular. 前記第一のレンズがフレネルレンズである請求項１乃至３のいずれか一項に記載の発光装置。   The light emitting device according to any one of claims 1 to 3, wherein the first lens is a Fresnel lens. 前記第二のレンズがフレネルレンズである請求項１乃至４のいずれか一項に記載の発光装置。   The light emitting device according to any one of claims 1 to 4, wherein the second lens is a Fresnel lens. 前記第一の光源から取り出される第一の光源光が、相関色温度５０００Ｋ以上５７００Ｋ以下の白色光である、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の発光装置。   The light emitting device according to any one of claims 1 to 5, wherein the first light source light extracted from the first light source is white light having a correlated color temperature of 5000K to 5700K. 前記第二の光源から取り出される光源光が、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）において、０．５５０≦ｘ≦０．５６０且つ０．４１５≦ｙ≦０．４２５で表される範囲のアンバー色光である、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の発光装置。   The light source light extracted from the second light source is amber color light in a range represented by 0.550 ≦ x ≦ 0.560 and 0.415 ≦ y ≦ 0.425 in CIE chromaticity coordinates (x, y). The light-emitting device according to claim 1, wherein 前記第一の光源および前記第二の光源が、互いに電気的に独立している、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 1, wherein the first light source and the second light source are electrically independent from each other.
JP2015168953A 2015-08-28 2015-08-28 Light emitting device Active JP6696129B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015168953A JP6696129B2 (en) 2015-08-28 2015-08-28 Light emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015168953A JP6696129B2 (en) 2015-08-28 2015-08-28 Light emitting device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017045928A true JP2017045928A (en) 2017-03-02
JP6696129B2 JP6696129B2 (en) 2020-05-20

Family

ID=58211783

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015168953A Active JP6696129B2 (en) 2015-08-28 2015-08-28 Light emitting device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6696129B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019192888A (en) * 2018-04-27 2019-10-31 セイコーエプソン株式会社 Light-emitting device and projector

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002261325A (en) * 2001-03-02 2002-09-13 Nichia Chem Ind Ltd Light-emitting device and method of manufacturing the same
JP2005100800A (en) * 2003-09-25 2005-04-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd Led illumination light source
JP2006352061A (en) * 2004-11-12 2006-12-28 Philips Lumileds Lightng Co Llc Combination of optical element to light emitting device
JP2007049172A (en) * 2005-08-10 2007-02-22 Philips Lumileds Lightng Co Llc Multiple die led and lens optical system
JP2009141038A (en) * 2007-12-05 2009-06-25 First System Co Ltd Illuminator
US20110198619A1 (en) * 2010-02-18 2011-08-18 Walsin Lihwa Corporation Light emitting diode assembly having improved lighting efficiency
US20120223351A1 (en) * 2011-03-06 2012-09-06 Viagan Ltd. Light emitting diode package and method of manufacture
JP2012532453A (en) * 2009-06-30 2012-12-13 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー White light electroluminescent device with adjustable color temperature
JP2013183042A (en) * 2012-03-02 2013-09-12 Stanley Electric Co Ltd Light source device
WO2015052238A1 (en) * 2013-10-08 2015-04-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Luminescent material, method for producing a luminescent material and use of a luminescent material

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002261325A (en) * 2001-03-02 2002-09-13 Nichia Chem Ind Ltd Light-emitting device and method of manufacturing the same
JP2005100800A (en) * 2003-09-25 2005-04-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd Led illumination light source
JP2006352061A (en) * 2004-11-12 2006-12-28 Philips Lumileds Lightng Co Llc Combination of optical element to light emitting device
JP2007049172A (en) * 2005-08-10 2007-02-22 Philips Lumileds Lightng Co Llc Multiple die led and lens optical system
JP2009141038A (en) * 2007-12-05 2009-06-25 First System Co Ltd Illuminator
JP2012532453A (en) * 2009-06-30 2012-12-13 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー White light electroluminescent device with adjustable color temperature
US20110198619A1 (en) * 2010-02-18 2011-08-18 Walsin Lihwa Corporation Light emitting diode assembly having improved lighting efficiency
US20120223351A1 (en) * 2011-03-06 2012-09-06 Viagan Ltd. Light emitting diode package and method of manufacture
JP2013183042A (en) * 2012-03-02 2013-09-12 Stanley Electric Co Ltd Light source device
WO2015052238A1 (en) * 2013-10-08 2015-04-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Luminescent material, method for producing a luminescent material and use of a luminescent material

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019192888A (en) * 2018-04-27 2019-10-31 セイコーエプソン株式会社 Light-emitting device and projector
JP7206628B2 (en) 2018-04-27 2023-01-18 セイコーエプソン株式会社 Light-emitting device and projector

Also Published As

Publication number Publication date
JP6696129B2 (en) 2020-05-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6599295B2 (en) LIGHT EMITTING ELEMENT HAVING BELT ANGLE REFLECTOR AND MANUFACTURING METHOD
US10964858B2 (en) Light emitting diodes, components and related methods
US9246070B2 (en) Engineered-phosphor LED packages and related methods
TW533602B (en) Radiation-emitting semiconductor-element with luminescence-conversion-element, its production method, LED-lighting unit and image-forming optical system
JP6331389B2 (en) Light emitting device
EP2332188B1 (en) Method of controlling the angular non-uniformity of a light-emitting diode
JP6074669B2 (en) Light emitting diode package and manufacturing method thereof
US10184619B2 (en) Light emitting device
US20150270449A1 (en) Light emitting device having uv light emitting diode and lighting apparatus including the same
JP6769248B2 (en) Light emitting device
JP2012243641A (en) Light emitting device, and lighting device using the same
US11947245B2 (en) Light-emitting device and method of manufacturing the same
JP2012248553A (en) Light-emitting device and luminaire using the same
JP2011511445A (en) Illumination device for backlighting display and display equipped with the illumination device
JP2016115934A (en) Light-emitting device and method of manufacturing light-emitting device
US10533729B2 (en) Light source with LED chip and luminophore layer
JP6696129B2 (en) Light emitting device
JP2011071349A (en) Light emitting device
JP2017162941A (en) Light-emitting device and illuminating device
JP2017033756A (en) Luminaire
JP2018174204A (en) Light-emitting device
JP2017045919A (en) Led module and illumination device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180605

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190315

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190409

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190524

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20191008

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20191021

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200324

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200406

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6696129

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250