JP2017034222A - Photoelectric conversion element and photoelectric conversion device using the same - Google Patents

Photoelectric conversion element and photoelectric conversion device using the same Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photoelectric conversion element which can sufficiently inhibit positional deviation from a holding member when used by being held by the holding member, and a photoelectric conversion device using the element.SOLUTION: A photoelectric conversion element has: a substrate; at least one photoelectric conversion cell provided on the substrate; a back sheet which is fixed to an outer edge of the substrate via an annular attachment part to allow the at least one photoelectric conversion cell between the back sheet and the substrate; and a hard part which is provided inside the attachment part and between the substrate and the back sheet, and which has a Young's modulus larger than that of the attachment part, for sandwiching the back sheet with the holding member when the photoelectric conversion cell is held by the holding member, in which the photoelectric conversion cell has a conductive layer provided on the substrate, a counter substrate which faces the conductive layer and is arranged between the conductive layer and the back sheet, and an oxide semiconductor layer provided between the conductive layer and the counter substrate.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、光電変換素子及びこれを用いた光電変換装置に関する。   The present invention relates to a photoelectric conversion element and a photoelectric conversion apparatus using the photoelectric conversion element.

色素増感太陽電池などの色素を用いた光電変換装置は、光電変換効率が高く、製造コストが低いなどの利点を持つため注目されている次世代光電変換装置である。   A photoelectric conversion device using a dye such as a dye-sensitized solar cell is a next-generation photoelectric conversion device that has attracted attention because it has advantages such as high photoelectric conversion efficiency and low manufacturing cost.

このような色素を用いた光電変換装置は光電変換素子を備えている。光電変換素子は一般に、基板と、基板上に設けられる少なくとも1つの光電変換セルとを備えているが、光電変換素子の中にはさらに基板の周縁部にブチルゴムなどの環状で軟質の接着部を介して固定され、基板との間に少なくとも1つの光電変換セルを配置させるバックシートを有するものもある(下記特許文献1参照)。   A photoelectric conversion device using such a dye includes a photoelectric conversion element. In general, a photoelectric conversion element includes a substrate and at least one photoelectric conversion cell provided on the substrate. In addition, in the photoelectric conversion element, an annular and soft adhesive portion such as butyl rubber is further provided on the periphery of the substrate. Some have a back sheet that is fixed via a substrate and at least one photoelectric conversion cell is disposed between the substrate and the substrate (see Patent Document 1 below).

一方、光電変換装置としては、光電変換素子を保持する保持部材としての筐体を有するものも知られている。この筐体は一般に、光電変換素子を収容する収容部と、収容部に設けられ、バックシートを押さえて光電変換素子を収容部に固定する固定部とを有する。この場合、筐体の固定部がバックシートを介して接着部を押し付けることになる。   On the other hand, what has a housing | casing as a holding member holding a photoelectric conversion element is also known as a photoelectric conversion apparatus. The housing generally includes a housing portion that houses the photoelectric conversion element, and a fixing portion that is provided in the housing portion and holds the photoelectric conversion element to the housing portion by pressing the back sheet. In this case, the fixing part of the casing presses the adhesive part through the back sheet.

特開2014−192008号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 2014-192008

しかし、上記のように特許文献1に記載の光電変換素子は以下に示す課題を有していた。   However, as described above, the photoelectric conversion element described in Patent Document 1 has the following problems.

すなわち、上記特許文献1に記載の光電変換素子を備える光電変換装置では、筐体の固定部がバックシートを介して接着部を押し付けるため、光電変換装置が高温環境下に置かれると、接着部が軟化し、その結果、バックシートと筐体の固定部との間に隙間が生じる場合があり、その場合には光電変換素子が筐体に対する本来の位置から位置ズレを起こすことが考えられる。   That is, in the photoelectric conversion device including the photoelectric conversion element described in Patent Document 1, since the fixing portion of the casing presses the adhesive portion via the back sheet, when the photoelectric conversion device is placed in a high temperature environment, the adhesive portion As a result, a gap may be formed between the back sheet and the fixed portion of the casing. In this case, the photoelectric conversion element may be displaced from its original position with respect to the casing.

本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、保持部材によって保持されて使用される際に、保持部材に対する位置ズレを十分に抑制できる光電変換素子及びこれを用いた光電変換装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a photoelectric conversion element capable of sufficiently suppressing a positional shift with respect to a holding member when used by being held by a holding member, and a photoelectric conversion device using the photoelectric conversion element. For the purpose.

上記課題を解決するため、本発明は、基板と、前記基板上に設けられる少なくとも1つの光電変換セルと、前記基板の周縁部に環状の接着部を介して固定され、前記基板との間に前記少なくとも1つの光電変換セルを配置させるバックシートと、前記接着部の内側であって前記基板と前記バックシートとの間に設けられ、前記接着部よりも大きいヤング率を有し、保持部材によって前記光電変換セルを保持する際に前記保持部材とともに前記バックシートを挟むための硬質部とを有する光電変換素子であって、前記光電変換セルが、前記基板上に設けられる導電層と、前記導電層に対向し、前記導電層と前記バックシートとの間に配置される対向基板と、前記導電層及び前記対向基板の間に設けられる酸化物半導体層とを有する、光電変換素子である。   In order to solve the above-described problems, the present invention provides a substrate, at least one photoelectric conversion cell provided on the substrate, and is fixed to a peripheral edge portion of the substrate via an annular adhesive portion, and between the substrate. A backsheet on which the at least one photoelectric conversion cell is disposed; and provided between the substrate and the backsheet inside the adhesion portion, having a Young's modulus larger than the adhesion portion, and by a holding member A photoelectric conversion element having a hard part for sandwiching the back sheet together with the holding member when holding the photoelectric conversion cell, wherein the photoelectric conversion cell includes a conductive layer provided on the substrate, and the conductive A photoelectric conversion element having a counter substrate facing the layer and disposed between the conductive layer and the back sheet, and an oxide semiconductor layer provided between the conductive layer and the counter substrate It is.

この光電変換素子によれば、硬質部は、バックシートと基板とを接着させる接着部よりも大きいヤング率を有している。このため、光電変換素子が保持部材によって保持されて使用される際には、保持部材と接着部とによってバックシートを挟む場合に比べて、バックシートが保持部材と硬質部とによってしっかりと挟まれる。すなわち、光電変換素子が保持部材によって保持されて使用される際には、保持部材によって光電変換素子がしっかりと固定できる。このため、本発明の光電変換素子によれば、保持部材によって保持されて使用される際に、保持部材に対する光電変換素子の位置ズレを十分に抑制できる。   According to this photoelectric conversion element, the hard part has a Young's modulus greater than that of the adhesive part that bonds the back sheet and the substrate. For this reason, when the photoelectric conversion element is used while being held by the holding member, the back sheet is firmly held between the holding member and the hard portion as compared with the case where the back sheet is held between the holding member and the adhesive portion. . That is, when the photoelectric conversion element is used while being held by the holding member, the photoelectric conversion element can be firmly fixed by the holding member. For this reason, according to the photoelectric conversion element of this invention, when hold | maintaining and using by a holding member, the position shift of the photoelectric conversion element with respect to a holding member can fully be suppressed.

上記光電変換素子においては、前記硬質部が、前記対向基板のうち前記バックシート側の表面上に設けられていることが好ましい。   In the said photoelectric conversion element, it is preferable that the said hard part is provided on the surface by the side of the said back sheet among the said opposing substrates.

この場合、硬質部が、対向基板のうちバックシート側の表面上に設けられていない場合、例えば硬質部が、基板上であって光電変換セルの外側領域に設けられている場合に比べると、基板上において、硬質部を設置するための領域を省くことが可能となる。このため、基板の面積を小さくすることができ、光電変換素子をより小型化できる。   In this case, when the hard part is not provided on the surface on the backsheet side of the counter substrate, for example, compared to the case where the hard part is provided on the substrate and in the outer region of the photoelectric conversion cell, It is possible to omit an area for installing the hard part on the substrate. For this reason, the area of a board | substrate can be made small and a photoelectric conversion element can be reduced more in size.

上記光電変換素子においては、前記酸化物半導体層の厚さ方向に沿って前記硬質部と前記酸化物半導体層とを見た場合に、前記硬質部と前記酸化物半導体層とが互いに重なり合っていることが好ましい。   In the photoelectric conversion element, when the hard portion and the oxide semiconductor layer are viewed along the thickness direction of the oxide semiconductor layer, the hard portion and the oxide semiconductor layer overlap each other. It is preferable.

この場合、保持部材を、バックシートを介して硬質部に押し付けて対向基板が酸化物半導体層側に撓んだとしても、酸化物半導体層によって対向基板の撓みが十分に抑制される。このため、バックシートを保持部材と硬質部とによってしっかりと挟むことが可能となる。このため、保持部材に対する光電変換素子の位置ズレをより十分に抑制できる。   In this case, even if the holding member is pressed against the hard portion via the back sheet and the counter substrate is bent toward the oxide semiconductor layer, the oxide semiconductor layer sufficiently suppresses the bending of the counter substrate. For this reason, it becomes possible to pinch | interpose a back seat | sheet firmly with a holding member and a hard part. For this reason, the positional shift of the photoelectric conversion element with respect to the holding member can be more sufficiently suppressed.

上記光電変換素子においては、前記接着部の内側であって前記基板と前記バックシートとの間に脱酸素剤が設けられることが好ましい。   In the said photoelectric conversion element, it is preferable that an oxygen scavenger is provided inside the said adhesion part and between the said board | substrate and the said back sheet | seat.

この場合、光電変換素子内部に侵入した酸素が脱酸素剤により吸収されるため、酸素による発電性能の低下をより十分に抑制できる。   In this case, since oxygen that has entered the photoelectric conversion element is absorbed by the oxygen scavenger, it is possible to more sufficiently suppress a decrease in power generation performance due to oxygen.

上記光電変換素子においては、前記バックシートにおいて前記硬質部と接している部分の周囲に凹部が形成されることが好ましい。   In the said photoelectric conversion element, it is preferable that a recessed part is formed around the part which is in contact with the said hard part in the said backsheet.

この場合、バックシートにおいて硬質部と接している部分の周囲に凹部が形成されていない場合と比べて、バックシート越しに硬質部の位置を把握しやすくなるため、光電変換素子が保持部材によって保持されて使用される際に、バックシートを保持部材と硬質部によってよりしっかりと挟むことが可能となる。   In this case, the position of the hard part can be easily grasped through the back sheet, compared to the case where the concave part is not formed around the part in contact with the hard part in the back sheet, so the photoelectric conversion element is held by the holding member. When used, the back sheet can be more firmly sandwiched between the holding member and the hard portion.

また、本発明は、光電変換素子と、前記光電変換素子を保持する保持部材とを備える光電変換装置であって、前記光電変換素子が、上記光電変換素子で構成され、前記保持部材が、前記基板を固定する第1固定部と、前記バックシートを前記硬質部とともに挟み込む第2固定部とを有する、光電変換装置である。   Further, the present invention is a photoelectric conversion device comprising a photoelectric conversion element and a holding member that holds the photoelectric conversion element, wherein the photoelectric conversion element is constituted by the photoelectric conversion element, and the holding member is It is a photoelectric conversion apparatus which has the 1st fixing | fixed part which fixes a board | substrate, and the 2nd fixing | fixed part which pinches | interposes the said back sheet with the said hard part.

本発明の光電変換装置によれば、保持部材と接着部とによってバックシートが挟まれる場合に比べて、バックシートが保持部材の第2固定部と硬質部とによってしっかりと挟まれる。すなわち、保持部材の第1固定部と第2固定部とによって光電変換素子がしっかりと固定される。このため、本発明の光電変換装置によれば、保持部材に対する光電変換素子の位置のズレを十分に抑制できる。   According to the photoelectric conversion device of the present invention, the back sheet is firmly sandwiched between the second fixing portion and the hard portion of the holding member, as compared with the case where the back sheet is sandwiched between the holding member and the adhesive portion. That is, the photoelectric conversion element is firmly fixed by the first fixing portion and the second fixing portion of the holding member. For this reason, according to the photoelectric conversion apparatus of this invention, the shift | offset | difference of the position of the photoelectric conversion element with respect to a holding member can fully be suppressed.

上記光電変換装置においては、前記酸化物半導体層の厚さ方向に沿って前記保持部材の前記第2固定部と前記硬質部とを見た場合に、前記硬質部が前記第2固定部と重ならない部分にまで延在していることが好ましい。   In the photoelectric conversion device, when the second fixing portion and the hard portion of the holding member are viewed along the thickness direction of the oxide semiconductor layer, the hard portion overlaps with the second fixing portion. It is preferable that it extends to the part which does not become.

この場合、酸化物半導体層の厚さ方向に沿って保持部材の第2固定部と硬質部とを見た場合に、保持部材の第2固定部が硬質部に対して位置ズレしても、バックシートが保持部材の第2固定部と硬質部とによって挟まれた状態を維持することができる。また、硬質部のうち第2固定部側の面積が増えるため、硬質部から光電変換セルに加わる力を分散させることもできる。   In this case, when the second fixing portion and the hard portion of the holding member are viewed along the thickness direction of the oxide semiconductor layer, even if the second fixing portion of the holding member is misaligned with respect to the hard portion, The state in which the back sheet is sandwiched between the second fixed portion and the hard portion of the holding member can be maintained. Moreover, since the area by the side of the 2nd fixed part increases among hard parts, the force added to a photoelectric conversion cell from a hard part can also be disperse | distributed.

本発明によれば、保持部材によって保持されて使用される際に、保持部材に対する位置ズレを十分に抑制できる光電変換素子及びこれを用いた光電変換装置が提供される。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, when being hold | maintained and used by a holding member, the photoelectric conversion element which can fully suppress the position shift with respect to a holding member, and a photoelectric conversion apparatus using the same are provided.

本発明の光電変換装置の第1実施形態を示す平面図である。It is a top view which shows 1st Embodiment of the photoelectric conversion apparatus of this invention. 図1のII−II線に沿った切断面端面図である。It is a cut surface end view along the II-II line of FIG. 図2の光電変換装置に用いる光電変換セルを示す切断面端面図である。It is a cut surface end view which shows the photoelectric conversion cell used for the photoelectric conversion apparatus of FIG. 図1の光電変換装置の製造方法の一工程を示す切断面端面図である。It is a cut surface end view which shows 1 process of the manufacturing method of the photoelectric conversion apparatus of FIG. 図1の光電変換装置の製造方法の一工程を示す切断面端面図である。It is a cut surface end view which shows 1 process of the manufacturing method of the photoelectric conversion apparatus of FIG. 本発明の光電変換装置の第2実施形態を示す平面図である。It is a top view which shows 2nd Embodiment of the photoelectric conversion apparatus of this invention. 図6のVII−VII線に沿った切断面端面図である。FIG. 7 is a cross-sectional end view taken along line VII-VII in FIG. 6. 図6の光電変換装置の製造方法の一工程を示す切断面端面図である。It is a cut surface end view which shows 1 process of the manufacturing method of the photoelectric conversion apparatus of FIG. 図6の光電変換装置の製造方法の一工程を示す切断面端面図である。It is a cut surface end view which shows 1 process of the manufacturing method of the photoelectric conversion apparatus of FIG. 図6の光電変換装置の製造方法の一工程を示す切断面端面図である。It is a cut surface end view which shows 1 process of the manufacturing method of the photoelectric conversion apparatus of FIG. 本発明の光電変換装置の第3実施形態を示す切断面端面図である。It is a cut surface end view which shows 3rd Embodiment of the photoelectric conversion apparatus of this invention. 本発明の光電変換装置の第4実施形態を示す切断面端面図である。It is a cut surface end view which shows 4th Embodiment of the photoelectric conversion apparatus of this invention.

<第1実施形態>
以下、本発明の光電変換装置の第1実施形態について図1及び図2を参照しながら詳細に説明する。図1は、本発明の光電変換装置の第1実施形態を示す平面図、図2は、図1のII−II線に沿った切断面端面図である。
<First Embodiment>
Hereinafter, a first embodiment of the photoelectric conversion device of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 1 is a plan view showing a first embodiment of the photoelectric conversion device of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional end view taken along line II-II in FIG.

図1及び図2に示すように、光電変換装置100は、光電変換素子110と、光電変換素子110を保持する保持部材としての筐体120とを備えている。光電変換素子110は、透明基板11と、透明基板11上に設けられる光電変換セル70と、透明基板11の周縁部に環状の接着部60を介して固定され、透明基板11との間に光電変換セル70を配置させるバックシート90と、接着部60の内側であって透明基板11とバックシート90との間に設けられ、接着部60よりも大きいヤング率を有する硬質部80とを有している。   As illustrated in FIGS. 1 and 2, the photoelectric conversion device 100 includes a photoelectric conversion element 110 and a housing 120 as a holding member that holds the photoelectric conversion element 110. The photoelectric conversion element 110 is fixed to a transparent substrate 11, a photoelectric conversion cell 70 provided on the transparent substrate 11, and a peripheral portion of the transparent substrate 11 via an annular adhesive portion 60. A back sheet 90 on which the conversion cell 70 is disposed; and a hard portion 80 that is provided inside the adhesive portion 60 and between the transparent substrate 11 and the back sheet 90 and has a Young's modulus greater than that of the adhesive portion 60. ing.

光電変換セル70は、透明基板11上に設けられる電極としての透明導電層12と、透明導電層12に対向し、透明導電層12とバックシート90との間に配置される対向基板20と、透明導電層12及び対向基板20の間に設けられる酸化物半導体層13と、透明導電層12と対向基板20との間に設けられ、これらを接続する環状の封止部30と、封止部30と透明導電層12と対向基板20とによって形成されるセル空間に設けられる電解質40とを有している。酸化物半導体層13には色素が担持されている。   The photoelectric conversion cell 70 includes a transparent conductive layer 12 as an electrode provided on the transparent substrate 11, a counter substrate 20 facing the transparent conductive layer 12 and disposed between the transparent conductive layer 12 and the back sheet 90, An oxide semiconductor layer 13 provided between the transparent conductive layer 12 and the counter substrate 20, an annular sealing portion 30 provided between the transparent conductive layer 12 and the counter substrate 20, and connecting them, and a sealing portion 30, an electrolyte 40 provided in a cell space formed by the transparent conductive layer 12 and the counter substrate 20. A dye is supported on the oxide semiconductor layer 13.

対向基板20は対極で構成され、基板と電極を兼ねる導電性基板21と、導電性基板21上に設けられる触媒層22とを有している。   The counter substrate 20 is configured as a counter electrode, and includes a conductive substrate 21 serving as a substrate and an electrode, and a catalyst layer 22 provided on the conductive substrate 21.

硬質部80は、筺体120とともにバックシート90を挟むためのものであり、接着部60の内側であって透明基板11とバックシート90との間に設けられている。具体的には、硬質部80は、対向基板20のうちバックシート90側の表面上に設けられている。さらに具体的には、酸化物半導体層13の厚さ方向に沿って硬質部80と酸化物半導体層13とを見た場合に、硬質部80と酸化物半導体層13とが互いに重なり合っている。   The hard part 80 is for sandwiching the back sheet 90 together with the housing 120, and is provided inside the adhesive part 60 and between the transparent substrate 11 and the back sheet 90. Specifically, the hard portion 80 is provided on the surface of the counter substrate 20 on the back sheet 90 side. More specifically, when the hard portion 80 and the oxide semiconductor layer 13 are viewed along the thickness direction of the oxide semiconductor layer 13, the hard portion 80 and the oxide semiconductor layer 13 overlap each other.

一方、筐体120は、光電変換素子110の透明基板11を固定する第1固定部121と、第1固定部121に設けられ、バックシート90を押さえて光電変換素子110を第1固定部121とともに固定する第2固定部122とを有している。第1固定部121は、透明基板11のうち光電変換セル70と反対側の面に当接される底部121aと、光電変換素子110を包囲する側壁部121bとで構成されている。すなわち、第1固定部121は光電変換素子110を収容する収容部で構成されている。側壁部121bの一端(下端)は底部121aに接続され、側壁部121bの他端(上端)には第2固定部122が設けられている。第2固定部122と底部121aとの間に光電変換素子110が挟まれている。なお、第1固定部121の底部121aには、光電変換素子110の透明基板11に光を入射させることができるように開口121cが形成されている。   On the other hand, the housing 120 is provided in the first fixing portion 121 that fixes the transparent substrate 11 of the photoelectric conversion element 110 and the first fixing portion 121, and holds the photoelectric conversion element 110 by holding the back sheet 90 to the first fixing portion 121. And a second fixing portion 122 that is fixed together. The first fixing part 121 includes a bottom part 121 a that is in contact with a surface of the transparent substrate 11 opposite to the photoelectric conversion cell 70, and a side wall part 121 b that surrounds the photoelectric conversion element 110. That is, the first fixing part 121 is configured by a housing part that houses the photoelectric conversion element 110. One end (lower end) of the side wall part 121b is connected to the bottom part 121a, and the second fixing part 122 is provided at the other end (upper end) of the side wall part 121b. The photoelectric conversion element 110 is sandwiched between the second fixing portion 122 and the bottom portion 121a. Note that an opening 121c is formed in the bottom 121a of the first fixing part 121 so that light can enter the transparent substrate 11 of the photoelectric conversion element 110.

そして、バックシート90が硬質部80と筐体120の第2固定部122とによって挟まれている。   The back sheet 90 is sandwiched between the hard part 80 and the second fixing part 122 of the housing 120.

さらに本実施形態では、図1に示すように、酸化物半導体層13の厚さ方向に沿って筐体120の第2固定部122と硬質部80とを見た場合に、硬質部80が第2固定部122と重ならない部分にまで延在している。   Furthermore, in this embodiment, as shown in FIG. 1, when the second fixing portion 122 and the hard portion 80 of the housing 120 are viewed along the thickness direction of the oxide semiconductor layer 13, the hard portion 80 is 2 extends to a portion that does not overlap the fixed portion 122.

この光電変換装置100によれば、硬質部80は、バックシート90と透明基板11とを接着させる接着部60よりも大きいヤング率を有している。このため、筐体120の第2固定部122と接着部60とによってバックシート90を挟む場合に比べて、バックシート90が筐体120の固定部122と硬質部80とによってしっかりと挟まれる。すなわち、筐体120の第2固定部122によって光電変換素子110が筐体120の第1固定部121にしっかりと固定される。このため、光電変換装置100によれば、筐体120に対する光電変換素子110の位置ズレを十分に抑制できる。   According to this photoelectric conversion device 100, the hard portion 80 has a Young's modulus greater than that of the bonding portion 60 that bonds the back sheet 90 and the transparent substrate 11. For this reason, compared with the case where the back sheet 90 is sandwiched between the second fixing portion 122 and the adhesive portion 60 of the housing 120, the back sheet 90 is firmly sandwiched between the fixing portion 122 and the hard portion 80 of the housing 120. In other words, the photoelectric conversion element 110 is firmly fixed to the first fixing portion 121 of the housing 120 by the second fixing portion 122 of the housing 120. For this reason, according to the photoelectric conversion apparatus 100, the position shift of the photoelectric conversion element 110 with respect to the housing | casing 120 can fully be suppressed.

また光電変換装置100においては、硬質部80が、対向基板20のうちバックシート90側の表面上に設けられている。このため、硬質部80が、対向基板20のうちバックシート90側の表面上に設けられていない場合、例えば硬質部80が、透明基板11上であって光電変換セル70の外側領域に設けられている場合に比べると、透明基板11上において、硬質部80を設置するための領域を省くことが可能となる。このため、透明基板11の面積を小さくすることができ、光電変換素子110をより小型化できる。従って、光電変換装置100をより小型化することができる。   In the photoelectric conversion device 100, the hard portion 80 is provided on the surface of the counter substrate 20 on the back sheet 90 side. For this reason, when the hard part 80 is not provided on the surface of the counter substrate 20 on the back sheet 90 side, for example, the hard part 80 is provided on the transparent substrate 11 and in the outer region of the photoelectric conversion cell 70. Compared with the case where it has, the area | region for installing the hard part 80 on the transparent substrate 11 can be omitted. For this reason, the area of the transparent substrate 11 can be reduced, and the photoelectric conversion element 110 can be further downsized. Therefore, the photoelectric conversion device 100 can be further downsized.

さらに光電変換装置100においては、酸化物半導体層13の厚さ方向に沿って硬質部80と酸化物半導体層13とを見た場合に、硬質部80と酸化物半導体層13とが互いに重なり合っている。このため、筐体120の第2固定部122を、バックシート90を介して硬質部80に押し付けて対向基板20が酸化物半導体層13側に撓んだとしても、酸化物半導体層13によって対向基板20の撓みが十分に抑制される。このため、バックシート90が筐体120の第2固定部122と硬質部80とによってしっかりと挟まれる。このため、筐体120に対する光電変換素子110の位置ズレをより十分に抑制できる。   Further, in the photoelectric conversion device 100, when the hard portion 80 and the oxide semiconductor layer 13 are viewed along the thickness direction of the oxide semiconductor layer 13, the hard portion 80 and the oxide semiconductor layer 13 overlap each other. Yes. For this reason, even if the second fixing portion 122 of the casing 120 is pressed against the hard portion 80 via the back sheet 90 and the counter substrate 20 is bent toward the oxide semiconductor layer 13 side, it is opposed by the oxide semiconductor layer 13. The bending of the substrate 20 is sufficiently suppressed. For this reason, the back sheet 90 is firmly sandwiched between the second fixing portion 122 and the hard portion 80 of the housing 120. For this reason, the position shift of the photoelectric conversion element 110 with respect to the housing | casing 120 can be suppressed more fully.

さらにまた光電変換装置100においては、酸化物半導体層13の厚さ方向に沿って筐体120の第2固定部122と硬質部80とを見た場合に、硬質部80が第2固定部122と重ならない部分にまで延在している。このため、酸化物半導体層13の厚さ方向に沿って筐体120の第2固定部122と硬質部80とを見た場合に、筐体120の第2固定部122が硬質部80に対して位置ズレしても、バックシート90が筐体120の第2固定部122と硬質部80とによって挟まれた状態を維持することができる。また、硬質部80のうち第2固定部122側の面積が増えるため、硬質部80から光電変換セル70に加わる力を分散させることもできる。   Furthermore, in the photoelectric conversion device 100, when the second fixing portion 122 and the hard portion 80 of the housing 120 are viewed along the thickness direction of the oxide semiconductor layer 13, the hard portion 80 becomes the second fixing portion 122. It extends to the part that does not overlap. For this reason, when the second fixing portion 122 and the hard portion 80 of the housing 120 are viewed along the thickness direction of the oxide semiconductor layer 13, the second fixing portion 122 of the housing 120 is located with respect to the hard portion 80. The back sheet 90 can be kept sandwiched between the second fixing portion 122 and the hard portion 80 of the housing 120 even if they are misaligned. Moreover, since the area by the side of the 2nd fixing | fixed part 122 among the hard parts 80 increases, the force added to the photoelectric conversion cell 70 from the hard part 80 can also be disperse | distributed.

次に、光電変換素子110及び筐体120について詳細に説明する。   Next, the photoelectric conversion element 110 and the housing 120 will be described in detail.

≪光電変換素子≫
光電変換素子110は、透明基板11と、光電変換セル70と、接着部60と、バックシート90と、硬質部80とを有している。そこで、以下、これらについて詳細に説明する。
≪Photoelectric conversion element≫
The photoelectric conversion element 110 has a transparent substrate 11, a photoelectric conversion cell 70, an adhesive part 60, a back sheet 90, and a hard part 80. Therefore, these will be described in detail below.

<透明基板>
透明基板11を構成する材料は、例えば透明な材料であればよく、このような透明な材料としては、例えばホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、白板ガラス、石英ガラスなどのガラス、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリカーボネート(PC)、および、ポリエーテルスルフォン(PES)などが挙げられる。透明基板11の厚さは、光電変換素子100のサイズに応じて適宜決定され、特に限定されるものではないが、例えば50〜10000μmの範囲にすればよい。
<Transparent substrate>
The material which comprises the transparent substrate 11 should just be a transparent material, for example, As such a transparent material, glass, such as borosilicate glass, soda lime glass, white plate glass, quartz glass, polyethylene terephthalate (PET), for example , Polyethylene naphthalate (PEN), polycarbonate (PC), and polyethersulfone (PES). The thickness of the transparent substrate 11 is appropriately determined according to the size of the photoelectric conversion element 100 and is not particularly limited, but may be in the range of 50 to 10,000 μm, for example.

<光電変換セル>
光電変換セル70は、透明導電層12と、対向基板20と、酸化物半導体層13と、封止部30と、電解質40と、酸化物半導体層13に担持される色素とを有している。以下、これらについて詳細に説明する。
<Photoelectric conversion cell>
The photoelectric conversion cell 70 includes the transparent conductive layer 12, the counter substrate 20, the oxide semiconductor layer 13, the sealing portion 30, the electrolyte 40, and a dye supported on the oxide semiconductor layer 13. . Hereinafter, these will be described in detail.

(透明導電層)
透明導電層12を構成する材料としては、例えばスズ添加酸化インジウム(ITO)、酸化スズ(SnO)、及び、フッ素添加酸化スズ(FTO)などの導電性金属酸化物が挙げられる。透明導電層12は、単層でも、異なる導電性金属酸化物で構成される複数の層の積層体で構成されてもよい。透明導電層12が単層で構成される場合、透明導電層12は、高い耐熱性及び耐薬品性を有することから、FTOで構成されることが好ましい。透明導電層12の厚さは例えば0.01〜2μmの範囲にすればよい。
(Transparent conductive layer)
Examples of the material constituting the transparent conductive layer 12 include conductive metal oxides such as tin-added indium oxide (ITO), tin oxide (SnO 2 ), and fluorine-added tin oxide (FTO). The transparent conductive layer 12 may be a single layer or a laminate of a plurality of layers made of different conductive metal oxides. When the transparent conductive layer 12 is composed of a single layer, the transparent conductive layer 12 is preferably composed of FTO because it has high heat resistance and chemical resistance. The thickness of the transparent conductive layer 12 may be in the range of 0.01 to 2 μm, for example.

(対向基板)
対向基板20は、上述したように、基板と電極を兼ねる導電性基板21と、触媒層22とを備える。
(Opposite substrate)
As described above, the counter substrate 20 includes the conductive substrate 21 serving as a substrate and an electrode, and the catalyst layer 22.

導電性基板21は、例えばチタン、ニッケル、白金、モリブデン、タングステン、アルミニウム、ステンレス等の耐食性の金属材料で構成される。また、導電性基板21は、基板と電極を分けて、樹脂フィルム上にITO、FTO等の導電性酸化物からなる導電層を電極として形成した積層体で構成されてもよく、ガラス上にITO、FTO等の導電性酸化物からなる導電層を形成した積層体でもよい。導電性基板21の厚さは、光電変換素子110のサイズに応じて適宜決定され、特に限定されるものではないが、例えば0.01〜4mmとすればよい。   The conductive substrate 21 is made of a corrosion-resistant metal material such as titanium, nickel, platinum, molybdenum, tungsten, aluminum, and stainless steel. The conductive substrate 21 may be formed of a laminate in which a substrate and an electrode are separated and a conductive layer made of a conductive oxide such as ITO or FTO is formed on a resin film as an electrode. A laminate in which a conductive layer made of a conductive oxide such as FTO is formed may be used. The thickness of the conductive substrate 21 is appropriately determined according to the size of the photoelectric conversion element 110 and is not particularly limited, but may be, for example, 0.01 to 4 mm.

触媒層22は、白金、炭素系材料又は導電性高分子などから構成される。   The catalyst layer 22 is composed of platinum, a carbon-based material, a conductive polymer, or the like.

(酸化物半導体層)
酸化物半導体層13は、酸化物半導体粒子で構成されている。酸化物半導体粒子は、例えば酸化チタン(TiO)、酸化ケイ素(SiO)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化タングステン(WO)、酸化ニオブ(Nb)、チタン酸ストロンチウム(SrTiO)、酸化スズ(SnO)、又はこれらの2種以上で構成される。酸化物半導体層13の厚さは、例えば0.1〜100μmとすればよい。
(Oxide semiconductor layer)
The oxide semiconductor layer 13 is composed of oxide semiconductor particles. Examples of the oxide semiconductor particles include titanium oxide (TiO 2 ), silicon oxide (SiO 2 ), zinc oxide (ZnO), tungsten oxide (WO 3 ), niobium oxide (Nb 2 O 5 ), and strontium titanate (SrTiO 3 ). , Tin oxide (SnO 2 ), or two or more of these. The thickness of the oxide semiconductor layer 13 may be 0.1 to 100 μm, for example.

(封止部)
封止部30としては、例えば変性ポリオレフィン樹脂、ビニルアルコール重合体などの熱可塑性樹脂、及び、紫外線硬化樹脂などの樹脂が挙げられる。変性ポリオレフィン樹脂としては、例えばアイオノマー、エチレン−ビニル酢酸無水物共重合体、エチレン−メタクリル酸共重合体およびエチレン−ビニルアルコール共重合体が挙げられる。これらの樹脂は単独で又は2種以上を組み合せて用いることができる。
(Sealing part)
Examples of the sealing portion 30 include thermoplastic resins such as modified polyolefin resins and vinyl alcohol polymers, and resins such as ultraviolet curable resins. Examples of modified polyolefin resins include ionomers, ethylene-vinyl acetic anhydride copolymers, ethylene-methacrylic acid copolymers, and ethylene-vinyl alcohol copolymers. These resins can be used alone or in combination of two or more.

(電解質)
電解質40は、酸化還元対と有機溶媒とを含んでいる。有機溶媒としては、アセトニトリル、メトキシアセトニトリル、メトキシプロピオニトリル、プロピオニトリル、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ジエチルカーボネート、γ−ブチロラクトン、バレロニトリル、ピバロニトリル、などを用いることができる。酸化還元対としては、例えばヨウ化物イオン/ポリヨウ化物イオン(例えばI/I )、臭化物イオン/ポリ臭化物イオンなどのハロゲン原子を含む酸化還元対のほか、亜鉛錯体、鉄錯体、コバルト錯体などのレドックス対が挙げられる。なお、ヨウ化物イオン/ポリヨウ化物イオンは、ヨウ素(I)と、アニオンとしてのアイオダイド(I)を含む塩(イオン性液体や固体塩)とによって形成することができる。アニオンとしてアイオダイドを有するイオン性液体を用いる場合には、ヨウ素のみ添加すればよく、有機溶媒や、アニオンとしてアイオダイド以外のイオン性液体を用いる場合には、LiIやテトラブチルアンモニウムアイオダイドなどのアニオンとしてアイオダイド(I)を含む塩を添加すればよい。また電解質40は、有機溶媒に代えて、イオン液体を用いてもよい。イオン液体としては、例えばピリジニウム塩、イミダゾリウム塩、トリアゾリウム塩等の既知のヨウ素塩などが用いられる。このようなヨウ素塩としては、例えば、1−ヘキシル−3−メチルイミダゾリウムアイオダイド、1−エチル−3−プロピルイミダゾリウムアイオダイド、1−エチル−3−メチルイミダゾリウムアイオダイド、1,2−ジメチル−3−プロピルイミダゾリウムアイオダイド、1−ブチル−3−メチルイミダゾリウムアイオダイド、又は、1−メチル−3−プロピルイミダゾリウムアイオダイドが好適に用いられる。
(Electrolytes)
The electrolyte 40 includes a redox couple and an organic solvent. As the organic solvent, acetonitrile, methoxyacetonitrile, methoxypropionitrile, propionitrile, ethylene carbonate, propylene carbonate, diethyl carbonate, γ-butyrolactone, valeronitrile, pivalonitrile, and the like can be used. Examples of the redox pair include a redox pair containing a halogen atom such as iodide ion / polyiodide ion (for example, I / I 3 ), bromide ion / polybromide ion, zinc complex, iron complex, cobalt complex, and the like. And redox pairs. The iodide ion / polyiodide ion can be formed by iodine (I 2 ) and a salt (ionic liquid or solid salt) containing iodide (I ) as an anion. When using an ionic liquid having an iodide as an anion, only iodine should be added. When using an ionic liquid other than an organic solvent or an anion as an anion, an anion such as LiI or tetrabutylammonium iodide is used. A salt containing iodide (I ) may be added. The electrolyte 40 may use an ionic liquid instead of the organic solvent. As the ionic liquid, for example, known iodine salts such as pyridinium salts, imidazolium salts, triazolium salts, and the like are used. Examples of such iodine salts include 1-hexyl-3-methylimidazolium iodide, 1-ethyl-3-propylimidazolium iodide, 1-ethyl-3-methylimidazolium iodide, 1,2- Dimethyl-3-propylimidazolium iodide, 1-butyl-3-methylimidazolium iodide, or 1-methyl-3-propylimidazolium iodide is preferably used.

また、電解質40は、上記有機溶媒に代えて、上記イオン液体と上記有機溶媒との混合物を用いてもよい。   In addition, the electrolyte 40 may use a mixture of the ionic liquid and the organic solvent instead of the organic solvent.

また電解質40には添加剤を加えることができる。添加剤としては、1−メチルベンゾイミダゾール(NMB)、1−ブチルベンゾイミダゾール(NBB)などのベンゾイミダゾール、LiI、テトラブチルアンモニウムアイオダイド、4−t−ブチルピリジン、グアニジウムチオシアネートなどが挙げられる。中でも、ベンゾイミダゾールが添加剤として好ましい。   An additive can be added to the electrolyte 40. Examples of the additive include benzimidazoles such as 1-methylbenzimidazole (NMB) and 1-butylbenzimidazole (NBB), LiI, tetrabutylammonium iodide, 4-t-butylpyridine, and guanidinium thiocyanate. . Among them, benzimidazole is preferable as an additive.

さらに電解質40としては、上記電解質にSiO、TiO、カーボンナノチューブなどのナノ粒子を混練してゲル様となった擬固体電解質であるナノコンポジットゲル電解質を用いてもよく、また、ポリフッ化ビニリデン、ポリエチレンオキサイド誘導体、アミノ酸誘導体などの有機系ゲル化剤を用いてゲル化した電解質を用いてもよい。 Further, as the electrolyte 40, a nano-composite gel electrolyte, which is a pseudo-solid electrolyte formed by kneading nanoparticles such as SiO 2 , TiO 2 , carbon nanotubes, etc. into the electrolyte, may be used, and polyvinylidene fluoride may be used. Alternatively, an electrolyte gelled with an organic gelling agent such as a polyethylene oxide derivative or an amino acid derivative may be used.

(色素)
色素としては、例えばビピリジン構造、ターピリジン構造などを含む配位子を有するルテニウム錯体や、ポルフィリン、エオシン、ローダミン、メロシアニンなどの有機色素などの光増感色素や、ハロゲン化鉛系ペロブスカイト結晶などの有機−無機複合色素などが挙げられる。ハロゲン化鉛系ペロブスカイトとしては、例えばCHNHPbX(X=Cl、Br、I)が用いられる。上記色素の中でも、ビピリジン構造又はターピリジン構造を含む配位子を有するルテニウム錯体が好ましい。この場合、光電変換装置100の光電変換特性をより向上させることができる。なお、色素として、光増感色素を用いる場合には、光電変換装置100は色素増感光電変換装置となる。
(Dye)
Examples of the dye include a photosensitizing dye such as a ruthenium complex having a ligand including a bipyridine structure, a terpyridine structure, etc., an organic dye such as porphyrin, eosin, rhodamine, and merocyanine, and an organic substance such as a lead halide-based perovskite crystal. -An inorganic composite pigment | dye etc. are mentioned. For example, CH 3 NH 3 PbX 3 (X = Cl, Br, I) is used as the lead halide perovskite. Among the above dyes, a ruthenium complex having a ligand containing a bipyridine structure or a terpyridine structure is preferable. In this case, the photoelectric conversion characteristics of the photoelectric conversion device 100 can be further improved. In addition, when using a photosensitizing dye as a pigment | dye, the photoelectric conversion apparatus 100 becomes a dye-sensitized photoelectric conversion apparatus.

<接着部>
接着部60を構成する材料は、バックシート90と透明基板11とを接着し得るものであればよく、接着部60を構成する材料としては、例えばブチルゴム、ニトリルゴム、熱可塑性樹脂などが挙げられる。これらは単独で又は2種以上を組み合せて用いることができる。接着部60の厚さは特に制限されるものではないが、例えば300〜1000μmであればよい。
<Adhesive part>
The material constituting the bonding part 60 may be any material that can bond the back sheet 90 and the transparent substrate 11. Examples of the material constituting the bonding part 60 include butyl rubber, nitrile rubber, and thermoplastic resin. . These can be used alone or in combination of two or more. Although the thickness of the adhesion part 60 is not specifically limited, For example, what is necessary is just 300-1000 micrometers.

<バックシート>
バックシート90は、耐候性層と、金属層とを含む積層体で構成されている。
<Back sheet>
The back sheet 90 is formed of a laminate including a weather resistant layer and a metal layer.

耐候性層は、例えばポリエチレンテレフタレート又はポリブチレンテレフタレートで構成されていればよい。耐候性層の厚さは、例えば50〜300μmであればよい。   The weather resistant layer may be made of, for example, polyethylene terephthalate or polybutylene terephthalate. The thickness of the weather resistant layer may be, for example, 50 to 300 μm.

金属層は、例えばアルミニウムを含む金属材料で構成されていればよい。金属材料は通常、アルミニウム単体で構成されるが、アルミニウムと他の金属との合金であってもよい。他の金属としては、例えば銅、マンガン、亜鉛、マグネシウム、鉛、及び、ビスマスが挙げられる。具体的には、98%以上の純アルミニウムにその他の金属が微量添加された1000系アルミニウムが望ましい。これは、この1000系アルミニウムが、他のアルミニウム合金と比較して、安価で、加工性に優れているためである。金属層の厚さは特に制限されるものではないが、例えば12〜30μmであればよい。   The metal layer should just be comprised with the metal material containing aluminum, for example. The metal material is usually composed of aluminum alone, but may be an alloy of aluminum and another metal. Examples of other metals include copper, manganese, zinc, magnesium, lead, and bismuth. Specifically, 1000 series aluminum obtained by adding a trace amount of other metals to 98% or more pure aluminum is desirable. This is because the 1000 series aluminum is cheaper and more workable than other aluminum alloys. Although the thickness of a metal layer is not specifically limited, For example, what is necessary is just 12-30 micrometers.

積層体は、さらに樹脂層を含んでいてもよい。樹脂層を構成する材料としては、例えばブチルゴム、ニトリルゴム、熱可塑性樹脂などが挙げられる。これらは単独で又は2種以上を組み合せて用いることができる。樹脂層は、金属層のうち耐候性層と反対側の表面全体に形成されていてもよいし、周縁部にのみ形成されていてもよい。   The laminate may further include a resin layer. Examples of the material constituting the resin layer include butyl rubber, nitrile rubber, thermoplastic resin, and the like. These can be used alone or in combination of two or more. The resin layer may be formed on the entire surface of the metal layer opposite to the weather-resistant layer, or may be formed only on the peripheral edge.

<硬質部>
硬質部80は、対向基板20のうち透明導電層12と反対側の表面に接着されていることが好ましい。この場合、硬質部80が対向基板20のうち透明導電層12と反対側の表面にしっかりと固定されるため、筐体120の第2固定部122に対する硬質部80の位置ズレが十分に抑制される。
<Hard part>
The hard part 80 is preferably bonded to the surface of the counter substrate 20 opposite to the transparent conductive layer 12. In this case, since the hard part 80 is firmly fixed to the surface of the counter substrate 20 opposite to the transparent conductive layer 12, the positional deviation of the hard part 80 with respect to the second fixing part 122 of the housing 120 is sufficiently suppressed. The

また硬質部80は、バックシート90に接着されていても接着されていなくてもよいが、接着されていないことが好ましい。この場合、光電変換装置100が高温下に置かれ、対向基板20とバックシート90の間の空気が膨張し、バックシート90が変形した際に、接着した硬質部80に応力がかかり剥がれてしまうということが起こりにくくなる。   The hard portion 80 may or may not be bonded to the back sheet 90, but is preferably not bonded. In this case, when the photoelectric conversion device 100 is placed at a high temperature and the air between the counter substrate 20 and the back sheet 90 expands and the back sheet 90 is deformed, the bonded hard portion 80 is stressed and peeled off. This is less likely to happen.

硬質部80は、接着部60より大きいヤング率を有するものであればいかなるものでもよい。例えば接着部60を構成する材料として、ブチルゴム、ニトリルゴム、熱可塑性樹脂などが用いられる場合には、硬質部80は、ガラス、熱硬化樹脂、セラミックスなどで構成すればよい。   As long as the hard part 80 has a Young's modulus larger than the adhesion part 60, what kind of thing may be sufficient as it. For example, when butyl rubber, nitrile rubber, thermoplastic resin, or the like is used as a material constituting the bonding portion 60, the hard portion 80 may be made of glass, thermosetting resin, ceramics, or the like.

接着部60のヤング率Y1に対する硬質部80のヤング率Y2の比(Y2/Y1)は、1より大きければ特に限定されるものではないが、2〜50000であることが好ましい。   The ratio (Y2 / Y1) of the Young's modulus Y2 of the hard portion 80 to the Young's modulus Y1 of the bonded portion 60 is not particularly limited as long as it is larger than 1, but is preferably 2 to 50000.

≪筐体≫
次に、筐体120について詳細に説明する。
<< Case >>
Next, the housing 120 will be described in detail.

筐体120は、第1固定部121と、第2固定部122とを有する。以下、これらについて詳細に説明する。   The housing 120 includes a first fixing part 121 and a second fixing part 122. Hereinafter, these will be described in detail.

<第1固定部>
第1固定部121は、底部121aと側壁部121bとによって光電変換素子110を収容し得る形状を有していればよい。
<First fixing part>
The 1st fixing | fixed part 121 should just have the shape which can accommodate the photoelectric conversion element 110 by the bottom part 121a and the side wall part 121b.

第1固定部121を構成する材料としては、例えばポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリブチレンテレフタレート、フェノール樹脂、エポキシ樹脂や、アルミニウム等の金属や、セラミックスなどを用いることができる。   As a material constituting the first fixing portion 121, for example, polypropylene, polycarbonate, polyimide, polybutylene terephthalate, phenol resin, epoxy resin, metal such as aluminum, ceramics, or the like can be used.

<第2固定部>
第2固定部122は、バックシート90を介して硬質部80を押さえ付けることができるものである。このため、硬質部80が1つのみ存在する場合には、第2固定部122も1つのみで構成される。また硬質部80が3個以上存在する場合には、第2固定部122は硬質部80と同じ数だけ、すなわち3個以上設けられる。第2固定部122が3個設けられる場合には、第2固定部122は、図1の4つの側壁部121bのうち3つの側壁部121bの上端(底部121aと反対側の端部)に設けられる。第2固定部122は通常、第1固定部121とともに一体成形される。すなわち第2固定部122は通常、第1固定部121と同一材料で構成される。しかし、第2固定部122は第1固定部121とは異なる材料で構成されていてもよい。
<Second fixing part>
The second fixing portion 122 can press the hard portion 80 via the back sheet 90. For this reason, when there is only one hard part 80, the second fixing part 122 is also constituted by only one. When there are three or more hard portions 80, the same number of second fixing portions 122 as the hard portions 80, that is, three or more second fixing portions 122 are provided. When three second fixing portions 122 are provided, the second fixing portion 122 is provided at the upper end (the end opposite to the bottom portion 121a) of the three side wall portions 121b among the four side wall portions 121b in FIG. It is done. The second fixing part 122 is usually integrally formed with the first fixing part 121. That is, the second fixing part 122 is usually made of the same material as the first fixing part 121. However, the second fixing part 122 may be made of a material different from that of the first fixing part 121.

次に上述した光電変換装置100の製造方法について、図2〜5を参照しながら説明する。図3は図2の光電変換装置に用いる光電変換セルの切断面端面図、図4及び5は図1の光電変換装置の製造方法の一工程を示す切断面端面図である。   Next, the manufacturing method of the photoelectric conversion apparatus 100 mentioned above is demonstrated, referring FIGS. 3 is a cross-sectional end view of the photoelectric conversion cell used in the photoelectric conversion device of FIG. 2, and FIGS. 4 and 5 are cross-sectional end views showing one step of the method of manufacturing the photoelectric conversion device of FIG.

まず図3に示す光電変換セル70を用意する。次に、図4に示すように光電変換セル70の対向基板20の上に硬質部80を設置する。次に、バックシート90を用意し、図5に示すように、バックシート90と透明基板11とを、環状の接着部60を介して、空気中、すなわち大気圧下で貼り合わせる。こうして光電変換素子110が得られる。   First, a photoelectric conversion cell 70 shown in FIG. 3 is prepared. Next, as shown in FIG. 4, the hard part 80 is installed on the counter substrate 20 of the photoelectric conversion cell 70. Next, the back sheet 90 is prepared, and as shown in FIG. 5, the back sheet 90 and the transparent substrate 11 are bonded together in the air, that is, under atmospheric pressure, via the annular bonding portion 60. In this way, the photoelectric conversion element 110 is obtained.

次に、図2に示すように、筐体120の第1固定部121に上記のようにして得られた光電変換素子110を収容し、バックシート90を硬質部80と筐体120の第2固定部122とで挟むことで、光電変換素子110が筐体120に固定される。   Next, as shown in FIG. 2, the photoelectric conversion element 110 obtained as described above is accommodated in the first fixing portion 121 of the housing 120, and the back sheet 90 is attached to the second portion of the hard portion 80 and the housing 120. The photoelectric conversion element 110 is fixed to the housing 120 by being sandwiched between the fixing portions 122.

以上のようにして光電変換装置100が得られる。   The photoelectric conversion apparatus 100 is obtained as described above.

<第2実施形態>
次に、本発明の光電変換装置の第2実施形態について図6及び図7を参照しながら詳細に説明する。図6は、本発明の光電変換装置の第2実施形態を示す平面図、図7は図6のVII−VII線に沿った切断面端面図である。
Second Embodiment
Next, a second embodiment of the photoelectric conversion device of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. FIG. 6 is a plan view showing a second embodiment of the photoelectric conversion device of the present invention, and FIG. 7 is a cross-sectional end view taken along the line VII-VII in FIG.

図6及び図7に示すように、光電変換装置200は、光電変換素子210が以下のように構成されている点で第1実施形態の光電変換装置100と相違する。すなわち、光電変換素子210においては、接着部60の内側であって、対向基板21とバックシート90との間に脱酸素剤250がさらに設けられ、バックシート90において硬質部80と接している部分91の周囲に凹部92が形成されている。   As shown in FIGS. 6 and 7, the photoelectric conversion device 200 is different from the photoelectric conversion device 100 of the first embodiment in that the photoelectric conversion element 210 is configured as follows. That is, in the photoelectric conversion element 210, a portion where the oxygen scavenger 250 is further provided between the counter substrate 21 and the back sheet 90 inside the bonding portion 60 and is in contact with the hard portion 80 in the back sheet 90. A recess 92 is formed around 91.

本実施形態の光電変換装置200において、脱酸素剤250の高さは、図7に示すように硬質部80の高さよりも低くなっている。この場合、第2固定部122のうち硬質部80と接触する部分が平板状であり且つ第2固定部122が脱酸素剤250に対向するように配置される場合、脱酸素剤250の高さが硬質部80の高さ以上である場合に比べて、第2固定部122をより対向基板20側に近づけることができる。このため、光電変換装置200をより薄型化することができる。また第2固定部122のうち硬質部80と接触する部分が平板状であり且つ第2固定部122が脱酸素剤250に対向するように配置される場合、脱酸素剤250の高さが硬質部80の高さ以上である場合に比べて、第2固定部122と硬質部80とによってバックシート90をしっかりと挟むことができるため、筐体120に対する光電変換素子210の位置ズレを十分に抑制できる。   In the photoelectric conversion device 200 of the present embodiment, the height of the oxygen scavenger 250 is lower than the height of the hard portion 80 as shown in FIG. In this case, when the portion of the second fixing portion 122 that comes into contact with the hard portion 80 has a flat plate shape and the second fixing portion 122 is disposed so as to face the oxygen absorber 250, the height of the oxygen absorber 250 is increased. Can be made closer to the counter substrate 20 side than when the height is equal to or higher than the height of the hard portion 80. For this reason, the photoelectric conversion apparatus 200 can be made thinner. Further, when the portion of the second fixing portion 122 that contacts the hard portion 80 is flat and the second fixing portion 122 is disposed so as to face the oxygen scavenger 250, the oxygen scavenger 250 has a high height. Compared to the case where the height is greater than or equal to the height of the portion 80, the back sheet 90 can be firmly sandwiched between the second fixing portion 122 and the hard portion 80. Can be suppressed.

本実施形態の光電変換装置200によれば、光電変換素子210において、対向基板20とバックシート90との間に侵入した酸素が、脱酸素剤250によって吸収されるため、酸素による発電性能の低下をより十分に抑制できる。   According to the photoelectric conversion device 200 of the present embodiment, in the photoelectric conversion element 210, oxygen that has entered between the counter substrate 20 and the back sheet 90 is absorbed by the oxygen scavenger 250, so that the power generation performance is reduced by oxygen. Can be more sufficiently suppressed.

次に、脱酸素剤250について詳細に説明する。   Next, the oxygen scavenger 250 will be described in detail.

<脱酸素剤>
脱酸素剤250は、酸素を吸収するものであれば特に限定されるものではないが、例えば鉄粉や亜鉛粉等の金属粉末、還元処理を施した酸素欠陥を有する無機化合物(二酸化チタン、酸化亜鉛、酸化セリウム、酸化鉄等)、易酸化性の不飽和有機化合物、またはそれらをポリオレフィン、ポリエステル、ポリウレタン等の樹脂と混練したものなどが挙げられる。これらは単独又は2種以上で構成される。中でも、還元処理を施した酸素欠陥を有する無機化合物をポリオレフィンと混合したものが好ましい。この場合、脱酸素剤250の成形が容易で、高い脱酸素性能が得られる。
<Oxygen scavenger>
The oxygen scavenger 250 is not particularly limited as long as it absorbs oxygen. For example, a metal powder such as iron powder or zinc powder, or an inorganic compound having oxygen defects subjected to reduction treatment (titanium dioxide, oxide) Zinc, cerium oxide, iron oxide, etc.), easily oxidizable unsaturated organic compounds, or those obtained by kneading them with resins such as polyolefin, polyester, polyurethane and the like. These are comprised individually or in mixture of 2 or more types. Especially, what mixed the inorganic compound which has the oxygen defect which gave the reduction process with polyolefin is preferable. In this case, the oxygen scavenger 250 can be easily molded and high oxygen scavenging performance can be obtained.

脱酸素剤250を設置する位置は、特に限定されるものではないが、2つの硬質部80の中間に設けられることが好ましい。この場合、脱酸素剤250に応力をかけることなく筺体120によって光電変換装置200をしっかりと固定できる。   The position where the oxygen scavenger 250 is installed is not particularly limited, but is preferably provided between the two hard portions 80. In this case, the photoelectric conversion device 200 can be firmly fixed by the housing 120 without applying stress to the oxygen scavenger 250.

次に、上述した光電変換装置200の製造方法について、図3及び図7〜10を参照しながら説明する。図8〜10は、図6の光電変換装置の製造方法の一工程を示す切断面端面図である。   Next, a method for manufacturing the above-described photoelectric conversion device 200 will be described with reference to FIGS. 3 and 7 to 10. 8 to 10 are sectional end views showing one step of the method of manufacturing the photoelectric conversion device of FIG.

まず図3に示す光電変換セル70を用意する。次に、図8に示すように、光電変換セル70の対向基板20の上に硬質部80及び脱酸素剤250を設置する。このとき、脱酸素剤250の高さは硬質部80の高さよりも低くする。次に、バックシート90を用意し、図9に示すように、バックシート90と透明基板11とを環状の接着部60を介して、空気中、すなわち大気圧下で貼り合わせる。こうして、バックシート90と透明基板11との間の空間を密閉することで、構造体211が得られる。   First, a photoelectric conversion cell 70 shown in FIG. 3 is prepared. Next, as shown in FIG. 8, the hard portion 80 and the oxygen scavenger 250 are installed on the counter substrate 20 of the photoelectric conversion cell 70. At this time, the height of the oxygen scavenger 250 is set lower than the height of the hard portion 80. Next, a back sheet 90 is prepared, and as shown in FIG. 9, the back sheet 90 and the transparent substrate 11 are bonded together in the air, that is, under atmospheric pressure, via the annular bonding portion 60. Thus, the structure 211 is obtained by sealing the space between the back sheet 90 and the transparent substrate 11.

次に、上記のようにして得られた構造体211を放置することで、バックシート90と透明基板11との間の空間の酸素が脱酸素剤250によって吸収され、バックシート90と透明基板11との間の空間が減圧される。その結果、バックシート90のうち硬質部80の周囲の部分が、対向基板20側に撓み、図10に示すように、バックシート90において硬質部80に接している部分91の周囲に凹部92が形成される。   Next, by leaving the structure 211 obtained as described above, oxygen in the space between the back sheet 90 and the transparent substrate 11 is absorbed by the oxygen scavenger 250, and the back sheet 90 and the transparent substrate 11 are absorbed. The space between is reduced. As a result, the portion around the hard portion 80 in the backsheet 90 bends toward the counter substrate 20, and as shown in FIG. 10, the recess 92 is formed around the portion 91 in contact with the hard portion 80 in the backsheet 90. It is formed.

次に、図7に示すように、筐体120の第1固定部121に上記の光電変換素子210を固定し、バックシート90を硬質部80と筐体120の第2固定部122とで挟むことで、光電変換素子210が筐体120に固定される。   Next, as shown in FIG. 7, the photoelectric conversion element 210 is fixed to the first fixing portion 121 of the housing 120, and the back sheet 90 is sandwiched between the hard portion 80 and the second fixing portion 122 of the housing 120. Thus, the photoelectric conversion element 210 is fixed to the housing 120.

以上のようにして光電変換装置200が得られる。   The photoelectric conversion device 200 is obtained as described above.

上記の製造方法によれば、バックシート90において硬質部80に接している部分91の周囲に凹部92が形成されるため、バックシート90越しに硬質部80の位置を把握しやすくなる。従って、バックシート90を筐体120の第2固定部122と硬質部80とでよりしっかりと挟むことが可能となり、光電変換素子210の筐体120に対する位置のズレを十分に抑制できる。また、光電変換装置200を製造する際に、脱酸素剤250が2つの硬質部80の中間に設けられる場合、2つの硬質部80の周囲に形成される凹部92が同形状となり、2つの硬質部80の位置をより把握しやすくなる。   According to the above manufacturing method, since the concave portion 92 is formed around the portion 91 in contact with the hard portion 80 in the backsheet 90, it is easy to grasp the position of the hard portion 80 through the backsheet 90. Therefore, the back sheet 90 can be more firmly sandwiched between the second fixing portion 122 and the hard portion 80 of the housing 120, and the positional deviation of the photoelectric conversion element 210 with respect to the housing 120 can be sufficiently suppressed. Further, when the oxygen scavenger 250 is provided in the middle of the two hard portions 80 when the photoelectric conversion device 200 is manufactured, the concave portions 92 formed around the two hard portions 80 have the same shape, and two hard portions are formed. It becomes easier to grasp the position of the portion 80.

また、上記製造方法によれば、脱酸素剤250の高さが、硬質部80の高さよりも低いため、バックシート90の上から硬質部80の位置をより把握しやすくなる。従って、バックシート90を筐体120の第2固定部122と硬質部80とでよりしっかりと挟むことが可能となり、光電変換素子210の筐体120に対する位置のズレをより十分に抑制できる。また、脱酸素剤250の高さが、硬質部80の高さよりも低いため、第2固定部122と硬質部80とでバックシート90を挟み込む際に、脱酸素剤250が邪魔になることがない。   Moreover, according to the manufacturing method, the height of the oxygen scavenger 250 is lower than the height of the hard portion 80, so that it becomes easier to grasp the position of the hard portion 80 from above the back sheet 90. Therefore, the back sheet 90 can be more firmly sandwiched between the second fixing portion 122 and the hard portion 80 of the housing 120, and the positional deviation of the photoelectric conversion element 210 with respect to the housing 120 can be more sufficiently suppressed. Further, since the height of the oxygen scavenger 250 is lower than the height of the hard portion 80, the oxygen scavenger 250 may become an obstacle when the back sheet 90 is sandwiched between the second fixing portion 122 and the hard portion 80. Absent.

さらに、上記の製造方法によれば、空気中、すなわち大気圧下で光電変換装置200を製造しても、脱酸素剤250によって酸素が吸収されるため、酸素による発電性能の低下を抑制できる。   Furthermore, according to the manufacturing method described above, even when the photoelectric conversion device 200 is manufactured in the air, that is, under atmospheric pressure, oxygen is absorbed by the oxygen scavenger 250, so that a decrease in power generation performance due to oxygen can be suppressed.

本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば上記実施形態では、酸化物半導体層13の厚さ方向に沿って硬質部80と酸化物半導体層13とを見た場合に、硬質部80と酸化物半導体層13とが互いに重なり合っているが、硬質部80と酸化物半導体層13とが必ずしも互いに重なり合っていなくてもよい。例えば図11に示す光電変換装置300のように、硬質部80が透明基板11上であって光電変換セル70の外側の領域に設けられていてもよい。   The present invention is not limited to the above embodiment. For example, in the above embodiment, when the hard portion 80 and the oxide semiconductor layer 13 are viewed along the thickness direction of the oxide semiconductor layer 13, the hard portion 80 and the oxide semiconductor layer 13 overlap each other. The hard portion 80 and the oxide semiconductor layer 13 do not necessarily overlap each other. For example, like the photoelectric conversion device 300 shown in FIG. 11, the hard portion 80 may be provided on the transparent substrate 11 and in a region outside the photoelectric conversion cell 70.

また上記実施形態では、酸化物半導体層13の厚さ方向に沿って筐体120の第2固定部122と硬質部80とを見た場合に、硬質部80が第2固定部122と重ならない部分にまで延在しているが、硬質部80が第2固定部122と重ならない部分にまで延在していなくてもよい。すなわち、硬質部80の全部が第2固定部122と重なっていてもよい。   In the above embodiment, when the second fixing portion 122 and the hard portion 80 of the housing 120 are viewed along the thickness direction of the oxide semiconductor layer 13, the hard portion 80 does not overlap the second fixing portion 122. Although it extends to the portion, the hard portion 80 may not extend to a portion that does not overlap the second fixing portion 122. That is, the entire hard portion 80 may overlap the second fixing portion 122.

さらに上記実施形態の光電変換装置100,200,300では、透明導電層12上に酸化物半導体層13が設けられているが、酸化物半導体層13は対向基板20上に設けられてもよい。但し、この場合、触媒層22は透明導電層12上に設けられる。   Furthermore, in the photoelectric conversion devices 100, 200, and 300 of the above embodiment, the oxide semiconductor layer 13 is provided on the transparent conductive layer 12, but the oxide semiconductor layer 13 may be provided on the counter substrate 20. However, in this case, the catalyst layer 22 is provided on the transparent conductive layer 12.

さらにまた上記実施形態では、対向基板20が対極で構成されているが、対向基板20は絶縁性基板で構成されてもよい。但し、この場合は、透明導電層12と対向基板20との間に、透明導電層12側から順次、酸化物半導体層13、電解質40を含浸した多孔性の絶縁層、及び対極で構成される積層体が設けられる。   Furthermore, in the above embodiment, the counter substrate 20 is configured with a counter electrode, but the counter substrate 20 may be configured with an insulating substrate. However, in this case, the transparent conductive layer 12 and the counter substrate 20 are sequentially formed from the transparent conductive layer 12 side by the oxide semiconductor layer 13, the porous insulating layer impregnated with the electrolyte 40, and the counter electrode. A laminate is provided.

また上記実施形態では、光電変換装置100,200,300が1つの光電変換セル70のみを有しているが、光電変換装置100は光電変換セル70を複数備えていてもよい。ここで、複数の光電変換セル70は直列に接続されてもよいし、並列に接続されてもよい。   In the above embodiment, the photoelectric conversion devices 100, 200, and 300 have only one photoelectric conversion cell 70, but the photoelectric conversion device 100 may include a plurality of photoelectric conversion cells 70. Here, the plurality of photoelectric conversion cells 70 may be connected in series or may be connected in parallel.

さらに上記実施形態では、第1固定部121は、透明基板11のうち光電変換セル70と反対側の面に当接される底部121aと、光電変換素子110を包囲する側壁部121bとで構成され、側壁部121bの一端(下端)が底部121aに接続されることで、第1固定部121が光電変換素子110,210を収容しているが、第1固定部121は、光電変換素子110,210の透明基板11を固定していればよく、第1固定部121において、側壁部121bは光電変換素子110,210を包囲していなくてもよい。すなわち、第1固定部121は、光電変換素子110,210を収容する収容部で構成されていなくてもよい。   Furthermore, in the said embodiment, the 1st fixing | fixed part 121 is comprised by the bottom part 121a contact | abutted to the surface on the opposite side to the photoelectric conversion cell 70 among the transparent substrates 11, and the side wall part 121b surrounding the photoelectric conversion element 110. The first fixing part 121 accommodates the photoelectric conversion elements 110 and 210 by connecting one end (lower end) of the side wall part 121b to the bottom part 121a, but the first fixing part 121 includes the photoelectric conversion element 110, The transparent substrate 11 of 210 may be fixed, and in the first fixing part 121, the side wall part 121 b may not surround the photoelectric conversion elements 110 and 210. That is, the first fixing portion 121 may not be configured by a housing portion that houses the photoelectric conversion elements 110 and 210.

さらにまた上記第2実施形態では、脱酸素剤250の高さが、硬質部80の高さよりも低くなっているが、脱酸素剤250の高さは、硬質部80の高さ以上であってもよい。   Furthermore, in the second embodiment, the height of the oxygen scavenger 250 is lower than the height of the hard portion 80, but the height of the oxygen scavenger 250 is equal to or higher than the height of the hard portion 80. Also good.

また上記第2実施形態では、硬質部80と脱酸素剤250とが別々に設けられているが、硬質部80が酸素を吸収する材料を含む場合、すなわち硬質部80が脱酸素剤250を兼ねる場合には、脱酸素剤250を省略してもよい。   In the second embodiment, the hard part 80 and the oxygen scavenger 250 are provided separately. However, when the hard part 80 contains a material that absorbs oxygen, that is, the hard part 80 also serves as the oxygen scavenger 250. In some cases, the oxygen scavenger 250 may be omitted.

さらに上記第2実施形態では、接着部60の内側であって、透明基板11とバックシート90の間に乾燥剤がさらに設けられてもよい。ここで、硬質部80が水分を吸収する材料を含む場合、すなわち硬質部80が乾燥剤を兼ねる場合には、乾燥剤は省略してもよい。さらに、硬質部80が水分及び酸素を吸収する材料を含む場合には、脱酸素剤と乾燥剤とを省略してもよい。   Further, in the second embodiment, a desiccant may be further provided between the transparent substrate 11 and the back sheet 90 inside the adhesive portion 60. Here, when the hard part 80 includes a material that absorbs moisture, that is, when the hard part 80 also serves as a desiccant, the desiccant may be omitted. Furthermore, when the hard part 80 includes a material that absorbs moisture and oxygen, the oxygen scavenger and the desiccant may be omitted.

さらにまた上記第2実施形態では、光電変換装置200が空気中、すなわち大気圧下で製造されているが、光電変換装置200が減圧下で製造されてもよい。この場合、光電変換素子210の内部の酸素の量をより十分に減らすことができる。従って、酸素による発電性能の低下をより十分に抑制できる。また、バックシート90と透明基板11との間の空間がバックシート90を貼り合わせる段階で既に減圧されているため、脱酸素剤250が酸素を吸収する前から凹部92が形成される。従って、光電変換装置200の製造にかかる時間が短縮される。   Furthermore, in the said 2nd Embodiment, although the photoelectric conversion apparatus 200 is manufactured in the air, ie, atmospheric pressure, the photoelectric conversion apparatus 200 may be manufactured under reduced pressure. In this case, the amount of oxygen inside the photoelectric conversion element 210 can be more sufficiently reduced. Therefore, it is possible to more sufficiently suppress a decrease in power generation performance due to oxygen. In addition, since the space between the back sheet 90 and the transparent substrate 11 has already been reduced in pressure when the back sheet 90 is bonded, the recess 92 is formed before the oxygen scavenger 250 absorbs oxygen. Accordingly, the time required for manufacturing the photoelectric conversion device 200 is shortened.

また上記第1実施形態においても、光電変換装置100が、空気中、すなわち大気圧下で製造されているが、減圧下で製造されてもよい。この場合、図12に示す光電変換装置400のように、光電変換素子110において、脱酸素剤250がなくても、硬質部80の周囲に凹部92が形成されるため、バックシート90越しに硬質部80の位置が把握しやすくなる。従って、バックシート90を筐体120の固定部122と硬質部80とでよりしっかりと挟むことが可能となり、減圧下で製造された光電変換装置400は、光電変換素子110の筐体120に対する位置のズレをより十分に抑制できる。   Also in the first embodiment, the photoelectric conversion device 100 is manufactured in air, that is, under atmospheric pressure, but may be manufactured under reduced pressure. In this case, as in the photoelectric conversion device 400 shown in FIG. 12, in the photoelectric conversion element 110, the concave portion 92 is formed around the hard portion 80 even without the oxygen scavenger 250, so It becomes easy to grasp the position of the portion 80. Therefore, the back sheet 90 can be more firmly sandwiched between the fixed portion 122 and the hard portion 80 of the housing 120, and the photoelectric conversion device 400 manufactured under reduced pressure can be positioned relative to the housing 120 of the photoelectric conversion element 110. The deviation can be more sufficiently suppressed.

11…透明基板(基板)
12…透明導電層(導電層)
13…酸化物半導体層
20…対向基板
60…接着部
70…光電変換セル
80…硬質部
90…バックシート
100,200,300,400…光電変換装置
110,210…光電変換素子
120…筐体
121…第1固定部
122…第2固定部
211…構造体
250…脱酸素剤
11 ... Transparent substrate (substrate)
12 ... Transparent conductive layer (conductive layer)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 13 ... Oxide semiconductor layer 20 ... Opposite substrate 60 ... Adhesion part 70 ... Photoelectric conversion cell 80 ... Hard part 90 ... Back sheet 100,200,300,400 ... Photoelectric conversion apparatus 110,210 ... Photoelectric conversion element 120 ... Case 121 ... 1st fixing | fixed part 122 ... 2nd fixing | fixed part 211 ... Structure 250 ... Oxygen absorber

Claims (7)

基板と、
前記基板上に設けられる少なくとも1つの光電変換セルと、
前記基板の周縁部に環状の接着部を介して固定され、前記基板との間に前記少なくとも1つの光電変換セルを配置させるバックシートと、
前記接着部の内側であって前記基板と前記バックシートとの間に設けられ、前記接着部よりも大きいヤング率を有し、保持部材によって前記光電変換セルを保持する際に前記保持部材とともに前記バックシートを挟むための硬質部とを有する光電変換素子であって、
前記光電変換セルが、
前記基板上に設けられる導電層と、
前記導電層に対向し、前記導電層と前記バックシートとの間に配置される対向基板と、
前記導電層及び前記対向基板の間に設けられる酸化物半導体層とを有する、光電変換素子。
A substrate,
At least one photoelectric conversion cell provided on the substrate;
A back sheet that is fixed to a peripheral portion of the substrate via an annular adhesive portion, and the at least one photoelectric conversion cell is disposed between the substrate and the substrate;
It is provided between the substrate and the back sheet inside the adhesion part, has a Young's modulus larger than the adhesion part, and holds the photoelectric conversion cell together with the holding member when the photoelectric conversion cell is held by a holding member. A photoelectric conversion element having a hard part for sandwiching the backsheet,
The photoelectric conversion cell is
A conductive layer provided on the substrate;
A counter substrate disposed opposite the conductive layer and disposed between the conductive layer and the back sheet;
A photoelectric conversion element including the conductive layer and an oxide semiconductor layer provided between the counter substrate.
前記硬質部が、前記対向基板のうち前記バックシート側の表面上に設けられている、請求項1に記載の光電変換素子。   The photoelectric conversion element according to claim 1, wherein the hard portion is provided on a surface of the counter substrate on the backsheet side. 前記酸化物半導体層の厚さ方向に沿って前記硬質部と前記酸化物半導体層とを見た場合に、前記硬質部と前記酸化物半導体層とが互いに重なり合っている、請求項2に記載の光電変換素子。   The hard part and the oxide semiconductor layer overlap each other when the hard part and the oxide semiconductor layer are viewed along the thickness direction of the oxide semiconductor layer. Photoelectric conversion element. 前記接着部の内側であって前記基板と前記バックシートとの間に脱酸素剤が設けられる、請求項1〜3のいずれか一項に記載の光電変換素子。   The photoelectric conversion element according to any one of claims 1 to 3, wherein an oxygen scavenger is provided between the substrate and the back sheet inside the adhesion portion. 前記バックシートにおいて前記硬質部と接している部分の周囲に凹部が形成される、請求項1〜4のいずれか一項に記載の光電変換素子。   The photoelectric conversion element as described in any one of Claims 1-4 in which a recessed part is formed around the part which is in contact with the said hard part in the said back sheet. 光電変換素子と、
前記光電変換素子を保持する保持部材とを備える光電変換装置であって、
前記光電変換素子が、請求項1〜5のいずれか一項に記載の光電変換素子で構成され、
前記保持部材が、
前記基板を固定する第1固定部と、
前記バックシートを前記硬質部とともに挟み込む第2固定部とを有する、光電変換装置。
A photoelectric conversion element;
A photoelectric conversion device comprising a holding member for holding the photoelectric conversion element,
The photoelectric conversion element comprises the photoelectric conversion element according to any one of claims 1 to 5,
The holding member is
A first fixing part for fixing the substrate;
A photoelectric conversion device comprising: a second fixing portion that sandwiches the back sheet together with the hard portion.
前記酸化物半導体層の厚さ方向に沿って前記保持部材の前記第2固定部と前記硬質部とを見た場合に、前記硬質部が前記第2固定部と重ならない部分にまで延在している、請求項6に記載の光電変換装置。   When the second fixing portion and the hard portion of the holding member are viewed along the thickness direction of the oxide semiconductor layer, the hard portion extends to a portion that does not overlap the second fixing portion. The photoelectric conversion device according to claim 6.
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