JP2017031039A - Ceramic composition for electrostatic chuck, and electrostatic chuck using the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、静電チャック用セラミック組成物及びこれを用いた静電チャックに関する。 The present invention relates to a ceramic composition for an electrostatic chuck and an electrostatic chuck using the same.
半導体製造工程の進行時に、半導体の基板として用いられるウェハ（ｗａｆｅｒ）の固定が必要である。このとき、静電チャック（ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ ｃｈｕｃｋ）を用いるが、静電チャックは静電気の力を用いて工程時にウェハを固定する部品である。 During the progress of the semiconductor manufacturing process, it is necessary to fix a wafer used as a semiconductor substrate. At this time, an electrostatic chuck is used, and the electrostatic chuck is a component that fixes the wafer during the process using electrostatic force.
静電チャックの原理は、静電チャックに陽または陰の電圧を印加すると、対象物には反対の電位である陰または陽の電位が帯電し、これにより、互いに引き寄せる力が発生する原理で対象物を固定することができるということである。 The principle of the electrostatic chuck is based on the principle that when a positive or negative voltage is applied to the electrostatic chuck, the object is charged with a negative or positive potential, which is the opposite potential, thereby generating a pulling force. The thing can be fixed.
具体的には、静電チャックは、チャックに用いられるチャッキング（ｃｈｕｃｋｉｎｇ）用基板の全面で電気的な力によって発生するクーロン力（ｃｏｕｌｏｍｂ ｆｏｒｃｅ）とジョンソン−ラーベック力（Ｊｏｈｎｓｅｎ−ｒａｈｂｅｋ ｆｏｒｃｅ）を用いてウェハを固定するようになる。 Specifically, the electrostatic chuck uses a coulomb force and a Johnson-Rahbek force generated by an electrical force on the entire surface of a chucking substrate used for the chuck. The wafer is fixed.
上記クーロン力とジョンソン−ラーベック力を応用するために、一般に、静電チャックは、セラミックの絶縁体と、絶縁体の内部に配置された静電吸着用電極と、を含む。 In order to apply the Coulomb force and the Johnson-Rahbek force, an electrostatic chuck generally includes a ceramic insulator and an electrostatic chucking electrode disposed inside the insulator.
電極に電圧が印加されると、上記電極は静電発生用電極になり、上記絶縁体は誘電体として作動する。上記誘電体上にはウェハが配置され、ウェハを一つの電荷とみなし、電極を他の一つの電荷とみなして、電荷の間に絶縁体を中間層として含むことで静電吸着力が発生する。 When a voltage is applied to the electrodes, the electrodes become electrostatic generation electrodes, and the insulator operates as a dielectric. A wafer is disposed on the dielectric, the wafer is regarded as one charge, the electrode is regarded as another charge, and an insulator is included as an intermediate layer between the charges to generate an electrostatic adsorption force. .
静電吸着力の向上に影響を及ぼす要因としては、静電チャック内に配置された電極及びウェハの間にある絶縁体の比抵抗が挙げられる。セラミックを含む絶縁体の場合、セラミックの比抵抗値が高いため静電吸着力を高めるのに限界がある。 As a factor that affects the improvement of the electrostatic attraction force, there is a specific resistance of an insulator between the electrode disposed in the electrostatic chuck and the wafer. In the case of an insulator including a ceramic, there is a limit to increasing the electrostatic attraction force because the specific resistance value of the ceramic is high.
したがって、高い静電吸着力を確保するために、絶縁体の比抵抗を減少させることが非常に重要である。 Therefore, in order to ensure a high electrostatic attraction force, it is very important to reduce the specific resistance of the insulator.
下記特許文献１はセラミック静電チャックに関する発明である。 The following Patent Document 1 is an invention related to a ceramic electrostatic chuck.
一方、セラミック材料を含む静電チャックは、比抵抗が高いため静電吸着力を高めるのに限界がある。 On the other hand, an electrostatic chuck containing a ceramic material has a high specific resistance, so there is a limit in increasing the electrostatic attraction force.
本発明の多様な目的のうちの一つは、低い比抵抗を有し、静電吸着力が向上することができる静電チャック用セラミック組成物及びこれを用いた静電チャックを提供することにある。 One of various objects of the present invention is to provide a ceramic composition for an electrostatic chuck having a low specific resistance and an improved electrostatic attraction force, and an electrostatic chuck using the same. is there.
本発明を通じて提案する多様な解決手段のうち一つは、静電チャックのセラミック層に導電性粉末を含ませることにより、セラミック層の比抵抗を減らし、これにより、静電吸着力が向上することができるようにする。 One of the various solutions proposed through the present invention is to reduce the specific resistance of the ceramic layer by including conductive powder in the ceramic layer of the electrostatic chuck, thereby improving the electrostatic attraction force. To be able to.
本発明の一実施例による静電チャックは、低い比抵抗を有し、これにより、静電吸着力を向上させることができる。 An electrostatic chuck according to an embodiment of the present invention has a low specific resistance, and thus can improve electrostatic attraction.
以下では、添付の図面を参照し、本発明の好ましい実施例について説明する。しかし、本発明の実施例は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施例に限定されない。また、本発明の実施例は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, the embodiments of the present invention can be modified in various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. In addition, the embodiments of the present invention are provided to more fully explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shape and size of elements in the drawings may be exaggerated for a clearer description.
以下、本発明の静電チャック用セラミック組成物について説明する。 Hereinafter, the ceramic composition for electrostatic chucks of the present invention will be described.
本発明の一実施例による静電チャック用セラミック組成物は、主成分のセラミック粉末と、導電性粉末と、を含む。 A ceramic composition for an electrostatic chuck according to an embodiment of the present invention includes a ceramic powder as a main component and a conductive powder.
上記セラミック粉末は、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２の群より選択される少なくとも１種であることができ、これに限定されないが、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）であることができる。 The ceramic powder may be at least one selected from the group consisting of Al 2 O 3 , TiO 2 , SiO 2 , and ZrO 2 , but is not limited thereto, but may be alumina (Al 2 O 3 ). it can.
上記導電性粉末は、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）及び金（Ａｕ）のうち少なくとも一つまたはこれらの合金であることができ、これに限定されないが、銀（Ａｇ）であることができる。 The conductive powder may be at least one of nickel (Ni), silver (Ag), and gold (Au) or an alloy thereof, but is not limited thereto, and may be silver (Ag). .
上記導電性粉末の含量は、上記主成分１００重量％に対して２〜６重量％であることができる。 The content of the conductive powder may be 2 to 6% by weight with respect to 100% by weight of the main component.
上記導電性粉末の含量が２重量％未満であるとセラミック組成物で形成されたセラミック層の比抵抗値が高くなる可能性があり、上記導電性粉末の含量が６重量％を超過すると静電チャックの絶縁破壊電圧が減少して信頼性が低くなるおそれがある。 When the content of the conductive powder is less than 2% by weight, the specific resistance value of the ceramic layer formed of the ceramic composition may be increased. When the content of the conductive powder exceeds 6% by weight, the electrostatic resistance is increased. There is a risk that the breakdown voltage of the chuck is reduced and reliability is lowered.
上記導電性粉末の粒径は１μｍ以下であることができる。 The conductive powder may have a particle size of 1 μm or less.
上記導電性粉末の粒径が１μｍ以下であると、セラミック層の比抵抗が減少し、これにより、静電チャックの静電吸着力を向上させることができる。また、上記導電性粉末が微細化するほどセラミック層及び電極の焼結後に緻密化することができるため、静電チャックの機械的強度を確保することができる。 When the particle size of the conductive powder is 1 μm or less, the specific resistance of the ceramic layer is reduced, and thereby the electrostatic chucking force of the electrostatic chuck can be improved. Further, the finer the conductive powder, the denser the ceramic layer and electrode can be after sintering, so that the mechanical strength of the electrostatic chuck can be ensured.
導電性粉末は、空気中で焼結することができ、脱バインダーなどが容易な材料である。セラミック粉末の場合、大概焼結温度が高いため、セラミック粉末と導電性粉末を同一の温度で焼結すると、導電性粉末が溶融される可能性がある。したがって、焼結時に、銀（Ａｇ）が溶融されずにセラミックが焼結される温度範囲で焼結する必要がある。 The conductive powder is a material that can be sintered in the air and easily removed from the binder. In the case of ceramic powder, since the sintering temperature is generally high, if the ceramic powder and the conductive powder are sintered at the same temperature, the conductive powder may be melted. Therefore, at the time of sintering, it is necessary to sinter in a temperature range in which the ceramic is sintered without melting silver (Ag).
本発明の一実施例によるセラミック組成物はガラスをさらに含む。 The ceramic composition according to an embodiment of the present invention further includes glass.
上記セラミック組成物にガラスを含ませると、セラミック粉末と導電性粉末の焼成が同時に行われることができる。即ち、上記セラミック組成物は、低温同時焼成セラミック組成物（ｌｏｗ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｃｏ−ｆｉｒｅｄ ｃｅｒａｍｉｃ、ＬＴＣＣ）であることができる。 When glass is included in the ceramic composition, the ceramic powder and the conductive powder can be fired simultaneously. That is, the ceramic composition may be a low temperature co-fired ceramic composition (LTCC).
上記ガラスの含量は、上記主成分１００重量％に対して５０〜９０重量％であることができる。 The glass content may be 50 to 90% by weight with respect to 100% by weight of the main component.
上記ガラス含量が５０〜９０重量％であると、上記セラミック粉末と上記導電性粉末の同時焼成が可能となることができる。 When the glass content is 50 to 90% by weight, the ceramic powder and the conductive powder can be fired simultaneously.
以下、本発明の静電チャックについて説明する。 Hereinafter, the electrostatic chuck of the present invention will be described.
図１は本発明の一実施例による静電チャックの断面図を概略的に示すものである。 FIG. 1 schematically shows a cross-sectional view of an electrostatic chuck according to an embodiment of the present invention.
図１を参照すると、本発明の一実施例による静電チャックは、第１セラミック粉末で形成された第１セラミック層１０と、上記第１セラミック層１０上に配置され、第１導電性粉末で形成された電極２０と、上記電極２０上に配置され、第２セラミック粉末及び第２導電性粉末を含むセラミック組成物で形成された第２セラミック層３０と、を含む。
Referring to FIG. 1, an electrostatic chuck according to an embodiment of the present invention includes a first
上記第１セラミック層１０は、静電チャックにおいて下部ベース（図示せず）上に配置されることができる。
The first
即ち、本発明の静電チャックは、下部ベース（図示せず）、第１セラミック層１０、電極２０、及び第２セラミック層３０が積層された構造である。
That is, the electrostatic chuck of the present invention has a structure in which a lower base (not shown), the first
上記第１セラミック層１０は、第１セラミック粉末及びガラスを含むセラミック組成物で形成されることができる。
The first
上記第２セラミック粉末は、ＭｇＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、Ｍｇ２ＳｉＯ４、ＢａＴｉ４Ｏ９、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、（Ｍｇ，Ｔｉ）２（ＢＯ４）Ｏ、ＺｒＯ２の群より選択される少なくとも１種であることができ、これに限定されないが、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）であることができる。 The second ceramic powder is MgTiO 3 , SrTiO 3 , CaTiO 3 , Mg 2 SiO 4 , BaTi 4 O 9 , Al 2 O 3 , TiO 2 , SiO 2 , (Mg, Ti) 2 (BO 4 ) O, ZrO. It can be at least one selected from the group of 2 and can be, but is not limited to, alumina (Al 2 O 3 ).
上記電極２０は、第１導電性粉末を含むことができ、上記第１導電性粉末は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）及び金（Ａｕ）のうち少なくとも一つまたはこれらの合金であることができ、これに限定されないが、銀（Ａｇ）であることができる。
The
上記電極２０は、上記第１セラミック層１０及び上記第２セラミック層３０の間に配置されることができる。
The
上記電極のうち外部に引き出される電極を形成するために、下部ベース及び第１セラミック層の中心に貫通孔（図示せず）を形成することができる。 A through hole (not shown) can be formed in the center of the lower base and the first ceramic layer in order to form an electrode that is drawn out of the electrodes.
上記貫通孔（図示せず）に上記電極の一部を挿入して一つの電極２０として形成されることができる。
A part of the electrode may be inserted into the through hole (not shown) to form one
上記第２セラミック層３０は、上記電極上に配置されて、電極に電圧が印加されるとき、静電吸着力が発生する役割をすることができる。
The second
上記第２セラミック層は、第２セラミック粉末及び第２導電性粉末を含むセラミック組成物で形成されることができる。 The second ceramic layer may be formed of a ceramic composition including a second ceramic powder and a second conductive powder.
上記第２セラミック粉末は、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２の群より選択される少なくとも１種であることができ、これに制限されないが、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）であることができる。また、上記第２セラミック粉末は、上記第１セラミック粉末と同一の材料であってよい。 The second ceramic powder may be at least one selected from the group consisting of Al 2 O 3 , TiO 2 , SiO 2 , and ZrO 2 , but is not limited thereto, but is alumina (Al 2 O 3 ). be able to. The second ceramic powder may be the same material as the first ceramic powder.
上記第２導電性粉末は、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）及び金（Ａｕ）のうち少なくとも一つまたはこれらの合金であることができ、これに制限されないが、銀（Ａｇ）であることができる。また、上記第２導電性粉末は、上記第１導電性粉末と同一の材料であってよい。 The second conductive powder may be at least one of nickel (Ni), silver (Ag), and gold (Au) or an alloy thereof, but is not limited thereto, but is silver (Ag). Can do. The second conductive powder may be the same material as the first conductive powder.
上記第２導電性粉末は、第２セラミック層の比抵抗を減少させるために含まれる。 The second conductive powder is included to reduce the specific resistance of the second ceramic layer.
上記第２導電性粉末を含むことにより、上記第２セラミック層の体積比抵抗は１×１０１１Ωｃｍ以下であることができる。 By including the second conductive powder, the volume specific resistance of the second ceramic layer may be 1 × 10 11 Ωcm or less.
上記第２セラミック層の形成時に、セラミック組成物に第２導電性粉末を含ませると、第２セラミック層の比抵抗が減少し、これにより、静電チャックの静電吸着力が向上することができる。 If the second conductive powder is included in the ceramic composition during the formation of the second ceramic layer, the specific resistance of the second ceramic layer is decreased, and thereby the electrostatic chucking force of the electrostatic chuck is improved. it can.
上記第２導電性粉末の含量は、上記第２セラミック粉末１００重量％に対して２〜６重量％であることができる。 The content of the second conductive powder may be 2 to 6% by weight with respect to 100% by weight of the second ceramic powder.
上記第２導電性粉末の含量が２重量％未満であると、第２セラミック層の比抵抗値が高くなる可能性がある。また、上記第２導電性粉末の含量が６重量％を超過すると、比抵抗の減少効果がわずかであり、静電チャックの絶縁破壊電圧が減少して信頼性が低くなるおそれがある。 When the content of the second conductive powder is less than 2% by weight, the specific resistance value of the second ceramic layer may be increased. In addition, if the content of the second conductive powder exceeds 6% by weight, the effect of reducing the specific resistance is slight, and the dielectric breakdown voltage of the electrostatic chuck may be reduced to reduce the reliability.
上記導電性粉末の粒径は１μｍ以下であることができる。 The conductive powder may have a particle size of 1 μm or less.
上記導電性粉末の粒径が１μｍ以下であると、セラミック層の比抵抗が減少し、これにより、静電チャックの静電吸着力を向上させることができる。また、上記導電性粉末が微細化するほどセラミック層及び電極の焼結後に緻密化することができるため、静電チャックの機械的強度を確保することができる。 When the particle size of the conductive powder is 1 μm or less, the specific resistance of the ceramic layer is reduced, and thereby the electrostatic chucking force of the electrostatic chuck can be improved. Further, the finer the conductive powder, the denser the ceramic layer and electrode can be after sintering, so that the mechanical strength of the electrostatic chuck can be ensured.
上記第２セラミック層のセラミック組成物はガラスをさらに含むことができる。 The ceramic composition of the second ceramic layer may further include glass.
上記ガラスの含量は、上記主成分１００重量％に対して５０〜９０重量％であることができる。 The glass content may be 50 to 90% by weight with respect to 100% by weight of the main component.
上記ガラス含量が５０〜９０重量％であると、上記セラミック粉末と上記導電性粉末の同時焼成が可能であることができる。 When the glass content is 50 to 90% by weight, the ceramic powder and the conductive powder can be fired simultaneously.
上記第２セラミック層は、低温同時焼成セラミック組成物で形成されることができる。 The second ceramic layer may be formed of a low temperature cofired ceramic composition.
上記低温同時セラミック組成物は、第２導電性粉末と同時焼成が可能な非結晶化組成、部分結晶化組成、完全結晶化組成などのうち少なくとも一つであることができる。 The low-temperature simultaneous ceramic composition may be at least one of an uncrystallized composition, a partially crystallized composition, a fully crystallized composition, and the like that can be co-fired with the second conductive powder.
上記低温同時セラミック組成物が部分結晶化組成または完全結晶化組成である場合、セラミック組成物の焼結前及び中間工程ではガラス的性質を有し、低い焼結温度（９００℃以下）で緻密化が十分に行われるのに対し、焼結後には結晶相に変わって高い機械的強度及び摩耗特性を有することができる。 When the low-temperature simultaneous ceramic composition is a partially crystallized composition or a fully crystallized composition, the ceramic composition has glassy properties before sintering and in an intermediate process, and is densified at a low sintering temperature (900 ° C. or lower). However, after sintering, it can change to a crystalline phase and have high mechanical strength and wear characteristics.
本発明の静電チャックの製造時に、電極及び第２セラミック粉末のそれぞれを形成するための組成物を積層し焼結させることにより、電極及び第２セラミック層を形成することができる。 During the production of the electrostatic chuck of the present invention, the electrode and the second ceramic layer can be formed by laminating and sintering the compositions for forming the electrode and the second ceramic powder.
上記第２セラミック層の製造時に、上記第２導電性粉末は、セラミック組成物の焼結温度で完全に溶融されてガラスの内部に拡散される必要がある。 During the production of the second ceramic layer, the second conductive powder needs to be completely melted at the sintering temperature of the ceramic composition and diffused into the glass.
上記第１及び第２導電性粉末の粒径は、焼結温度及び焼結時間と密接に関わっている。 The particle sizes of the first and second conductive powders are closely related to the sintering temperature and the sintering time.
一般に、相対的に粒径が小さいものが溶融状態のガラスと接触面積が広く、表面活性の程度が高いため、低い温度及び短い時間で所望する完全固溶の状態に容易に達することができる。 In general, a glass having a relatively small particle size has a large contact area with a glass in a molten state and a high degree of surface activity. Therefore, a desired complete solid solution state can be easily reached at a low temperature and in a short time.
上記第２セラミック層の第２導電性粉末は、上記電極の第１導電性粉末より粒径が小さくてよい。 The second conductive powder of the second ceramic layer may have a smaller particle size than the first conductive powder of the electrode.
上記第１導電性粉末の粒径をｄ１とし、上記第２導電性粉末の粒径をｄ２とすると、上記ｄ２はｄ２≦０．５ｄ１を満たすことができる。 When the particle diameter of the first conductive powder is d1, and the particle diameter of the second conductive powder is d2, the d2 can satisfy d2 ≦ 0.5d1.
上記ｄ２≦０．５ｄ１を満たすと、上記第２セラミック層と上記電極の緻密化を向上させることができる。 When d2 ≦ 0.5d1 is satisfied, densification of the second ceramic layer and the electrode can be improved.
（実施例）
下記実施例は本発明の一実施例であり、下記実施例によって限定されるものではない。
(Example)
The following example is one example of the present invention and is not limited by the following example.
第２導電性粉末を含むセラミック組成物、及び第１導電性粉末を設け、焼結工程を通じて第２セラミック層及び電極を形成した。 The ceramic composition containing the second conductive powder and the first conductive powder were provided, and the second ceramic layer and the electrode were formed through the sintering process.
上記第２セラミック層及び電極の形成時に、焼結工程は８５０℃の温度で１時間行った。 During the formation of the second ceramic layer and the electrode, the sintering process was performed at a temperature of 850 ° C. for 1 hour.
第１導電性粉末の粒径はｄ１、第２導電性粉末の粒径はｄ２と記載した。 The particle diameter of the first conductive powder was described as d1, and the particle diameter of the second conductive powder was described as d2.
下記表１は第２セラミック層の第２導電性粉末の粒径による第２セラミック層の比抵抗及び静電チャックの絶縁破壊電圧を示す。 Table 1 below shows the specific resistance of the second ceramic layer and the dielectric breakdown voltage of the electrostatic chuck depending on the particle size of the second conductive powder of the second ceramic layer.
実施例と比較例を比較すると、第２導電性粉末の粒径が大きいほど第２セラミック層の比抵抗が減少することが分かる。また、比較例の場合、実施例に比べて第２セラミック層の比抵抗が高いことが分かる。 Comparing the example and the comparative example, it can be seen that the specific resistance of the second ceramic layer decreases as the particle size of the second conductive powder increases. Moreover, in the case of a comparative example, it turns out that the specific resistance of a 2nd ceramic layer is high compared with an Example.
実施例１〜３は、第２導電性粉末の粒径が１μｍ以下であるとともに、ｄ２≦０．５ｄ１を満たすもので、低い比抵抗を有する第２セラミック層を確保することができるため、静電チャックの静電吸着力を向上させることができる。 In Examples 1 to 3, the particle size of the second conductive powder is 1 μm or less and satisfies d2 ≦ 0.5d1, and a second ceramic layer having a low specific resistance can be secured. The electrostatic chucking force of the electric chuck can be improved.
下記表２は第２セラミック層の第２導電性粉末の含量による第２セラミック層の比抵抗及び静電チャックの絶縁破壊電圧を示す。 Table 2 below shows the specific resistance of the second ceramic layer and the dielectric breakdown voltage of the electrostatic chuck according to the content of the second conductive powder in the second ceramic layer.
実施例と比較例を比較すると、第２導電性粉末の含量が増加するにつれて、第２セラミック層の比抵抗が減少することが分かる。また、比較例３の場合、実施例４〜６に比べて第２セラミック層の比抵抗が高いことが分かる。 Comparing the example and the comparative example, it can be seen that the specific resistance of the second ceramic layer decreases as the content of the second conductive powder increases. Moreover, in the case of the comparative example 3, it turns out that the specific resistance of a 2nd ceramic layer is high compared with Examples 4-6.
比較例４〜６は実施例４〜６に比べて第２セラミック層の比抵抗が低いが、絶縁破壊電圧が低いため静電チャックの信頼性が問題になり得る。 In Comparative Examples 4 to 6, the specific resistance of the second ceramic layer is lower than in Examples 4 to 6, but the reliability of the electrostatic chuck can be problematic because the dielectric breakdown voltage is low.
したがって、第２導電性粉末の含量は２〜６重量％を満たすことが好ましい。これにより、第２セラミック層の比抵抗が低くなるため静電チャックの静電吸着力を向上させることができ、絶縁破壊電圧を確保することができるため静電チャックの信頼性を向上させることができる。 Therefore, the content of the second conductive powder preferably satisfies 2 to 6% by weight. Thereby, since the specific resistance of the second ceramic layer is lowered, the electrostatic chucking force of the electrostatic chuck can be improved, and the dielectric breakdown voltage can be secured, so that the reliability of the electrostatic chuck can be improved. it can.
以上、本発明の実施例について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有するものには明らかである。 The embodiments of the present invention have been described in detail above, but the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and changes can be made without departing from the technical idea of the present invention described in the claims. It will be apparent to those of ordinary skill in the art that variations are possible.
１０ 第１セラミック層
２０ 電極
３０ 第２セラミック層
10 First
Claims (16)
導電性粉末と、を含む、静電チャック用セラミック組成物。 Ceramic powder as the main component;
A ceramic composition for electrostatic chucks, comprising conductive powder.
前記第１セラミック層上に配置され、第１導電性粉末で形成された電極と、
前記電極上に配置され、第２セラミック粉末及び第２導電性粉末を含むセラミック組成物で形成された第２セラミック層と、を含む、静電チャック。 A first ceramic layer formed of a first ceramic powder;
An electrode disposed on the first ceramic layer and formed of a first conductive powder;
An electrostatic chuck comprising: a second ceramic layer disposed on the electrode and formed of a ceramic composition including a second ceramic powder and a second conductive powder.
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