JP2017030324A - Glass laminate and method for producing the same - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a glass laminate in which the occurrence of air bubbles between a glass substrate and a silicone resin layer in high-temperature heating processing is suppressed, and a method for producing the glass laminate.SOLUTION: In a first embodiment, a glass laminate 10 is provided which comprises a supporting base material 12, a silicone resin layer 14 and a glass substrate 16 in this order, and in which after the glass laminate 10 has been heated at 550°C for 10 minutes under nitrogen atmosphere, there is no air bubbles between the silicone resin layer 14 and the glass substrate 16 or when there is the air bubbles, the diameter of the air bubbles is less than 1 mm. In a second embodiment, a glass laminate 10 is provided which is identical to the glass laminate 10 in the first embodiment except that the silicone resin in the silicone resin layer 14 contains 91-99 mol% of an organosiloxy unit (T unit) represented by (R)SiOand 1-9 mol% of an organosiloxy unit (Q unit) represented by SiO.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、ガラス積層体およびその製造方法に関する。   The present invention relates to a glass laminate and a method for producing the same.

薄板化されたガラス基板のハンドリング性を向上させるため、ガラス基板と支持基板とを樹脂層(いわゆる、シリコーン樹脂層)を介して積層したガラス積層体を用意し、ガラス基板上に表示装置などの電子デバイス用部材を形成した後、ガラス基板と支持基板とを分離する方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。   In order to improve the handleability of the thin glass substrate, a glass laminate is prepared by laminating a glass substrate and a support substrate via a resin layer (so-called silicone resin layer), and a display device or the like is provided on the glass substrate. A method of separating a glass substrate and a support substrate after forming an electronic device member has been proposed (see, for example, Patent Document 1).

国際公開第2013/058217号International Publication No. 2013/058217

近年、形成される電子デバイス用部材の高機能化や複雑化に伴い、電子デバイス用部材を形成する際により高温条件下(例えば550℃)での処理の実施が望まれている。高温加熱処理によって、ガラス基板やシリコーン樹脂層に付着または含まれるガスが放出され、ガラス基板とシリコーン樹脂層との間に気泡が生じてしまう場合がある。高温で電子デバイス用部材を形成する際、所定の大きさ以上の気泡が生じると、電子デバイス用部材の位置ずれ等の悪影響を与える。
本発明者の知見によると、特許文献1に記載のガラス積層体は、450℃の熱処理では、ガラス基板とシリコーン樹脂層との間に所定の大きさ以上の気泡が生じないが、高温加熱処理(550℃)においては、ガラス基板とシリコーン樹脂層との間に所定の大きさ以上の気泡が生じる場合がある。
In recent years, with the increase in functionality and complexity of electronic device members to be formed, it is desired to perform treatment under higher temperature conditions (for example, 550 ° C.) when forming electronic device members. Gases attached or contained in the glass substrate or the silicone resin layer are released by the high-temperature heat treatment, and bubbles may be generated between the glass substrate and the silicone resin layer. When bubbles of a predetermined size or more are formed when forming the electronic device member at a high temperature, adverse effects such as displacement of the electronic device member are caused.
According to the knowledge of the present inventor, the glass laminate described in Patent Document 1 does not generate bubbles of a predetermined size or more between the glass substrate and the silicone resin layer in the heat treatment at 450 ° C. In (550 degreeC), the bubble more than a predetermined | prescribed magnitude | size may arise between a glass substrate and a silicone resin layer.

本発明は、以上の点を鑑みてなされたものであり、高温加熱処理において、ガラス基板とシリコーン樹脂層との間に気泡(特に、所定の大きさ以上の気泡)の発生が抑制されたガラス積層体、および、その製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above points, and glass in which generation of bubbles (particularly, bubbles of a predetermined size or more) is suppressed between the glass substrate and the silicone resin layer in high-temperature heat treatment. It aims at providing a laminated body and its manufacturing method.

本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討した結果、特定のシリコーン樹脂層を採用することで高温加熱処理後でもガラス基板とシリコーン樹脂層との間に気泡の発生が抑制されることを見出し、本発明を完成させた。   As a result of intensive studies to achieve the above object, the present inventors have suppressed the generation of bubbles between the glass substrate and the silicone resin layer even after high-temperature heat treatment by adopting a specific silicone resin layer. As a result, the present invention has been completed.

すなわち、本発明の第1の態様は、支持基材とシリコーン樹脂層とガラス基板とをこの順で備えたガラス積層体であって、ガラス積層体を窒素雰囲気下にて550℃で10分間加熱した後、シリコーン樹脂層とガラス基板との間に、気泡がない、または、気泡がある場合は、気泡の直径が1mm未満である、ガラス積層体である。
また、第1の態様においては、シリコーン樹脂層中のシリコーン樹脂が、(R)SiO3/2で表されるオルガノシロキシ単位(T単位)と、SiO2で表されるオルガノシロキシ単位(Q単位)とを含むことが好ましい。なお、Rは水素原子または有機基を表す。
また、第1の態様においては、T単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、91〜99モル%であり、Q単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、1〜9モル%であることが好ましい。
また、第1の態様においては、シリコーン樹脂が、さらに、(R)2SiO2/2で表されるオルガノシロキシ単位(D単位)を有することが好ましい。
また、第1の態様においては、D単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、1〜40モル%であり、T単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、30〜98モル%であり、Q単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、1〜30モル%である、ことが好ましい。
また、第1の態様においては、D単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、1〜35モル%であることが好ましい。
また、第1の態様においては、D単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、1〜15モル%であることが好ましい。
また、第1の態様においては、シリコーン樹脂が、硬化性シリコーンの硬化物であり、硬化性シリコーンの重量平均分子量が5000〜60000であることが好ましい。
また、第1の態様においては、シリコーン樹脂層の厚さが0.001〜100μmであることが好ましい。
また、第1の態様においては、ガラス基板の厚さが0.03〜0.3mmであることが好ましい。
また、シリコーン樹脂層のガラス基板側の表面粗さRaが0.1〜20nmであることが好ましい。
また、本発明の第2の態様は、支持基材上に、(R)SiO3/2で表されるオルガノシロキシ単位(T単位)と、SiO2で表されるオルガノシロキシ単位(Q単位)とを含み、T単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、91〜99モル%であり、Q単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、1〜9モル%であるシリコーン樹脂を含むシリコーン樹脂層を形成する工程と、シリコーン樹脂層上にガラス基板を積層する工程とを有する、ガラス積層体の製造方法である。
また、本発明の第3の態様は、支持基材上に、(R)2SiO2/2で表されるオルガノシロキシ単位(D単位)と、(R)SiO3/2で表されるオルガノシロキシ単位(T単位)と、SiO2で表されるオルガノシロキシ単位(Q単位)とを含み、D単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、1〜40モル%であり、T単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、30〜98モル%であり、Q単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、1〜30モル%であるシリコーン樹脂を含むシリコーン樹脂層を形成する工程と、シリコーン樹脂層上にガラス基板を積層する工程とを有する、ガラス積層体の製造方法である。
That is, the first aspect of the present invention is a glass laminate including a support base, a silicone resin layer, and a glass substrate in this order, and the glass laminate is heated at 550 ° C. for 10 minutes in a nitrogen atmosphere. After that, when there is no bubble between the silicone resin layer and the glass substrate, or there is a bubble, the glass laminate has a diameter of less than 1 mm.
In the first embodiment, the silicone resin in the silicone resin layer contains (R) an organosiloxy unit (T unit) represented by SiO 3/2 and an organosiloxy unit (Q unit) represented by SiO 2. ). R represents a hydrogen atom or an organic group.
In the first embodiment, the proportion of T units is 91 to 99 mol% with respect to all organosiloxy units, and the proportion of Q units is 1 to 9 mol% with respect to all organosiloxy units. It is preferable that
In the first embodiment, the silicone resin preferably further has an organosiloxy unit (D unit) represented by (R) 2 SiO 2/2 .
In the first embodiment, the proportion of D units is 1 to 40 mol% with respect to all organosiloxy units, and the proportion of T units is 30 to 98 mol% with respect to all organosiloxy units. It is preferable that the ratio of the Q unit is 1 to 30 mol% with respect to the total organosiloxy unit.
Moreover, in the 1st aspect, it is preferable that the ratio of D unit is 1-35 mol% with respect to all the organosiloxy units.
Moreover, in the 1st aspect, it is preferable that the ratio of D unit is 1-15 mol% with respect to all the organosiloxy units.
Moreover, in a 1st aspect, it is preferable that a silicone resin is a hardened | cured material of curable silicone, and the weight average molecular weights of curable silicone are 5000-60000.
Moreover, in the 1st aspect, it is preferable that the thickness of a silicone resin layer is 0.001-100 micrometers.
Moreover, in the 1st aspect, it is preferable that the thickness of a glass substrate is 0.03-0.3 mm.
Moreover, it is preferable that surface roughness Ra by the side of the glass substrate of a silicone resin layer is 0.1-20 nm.
The second aspect of the present invention is that (R) an organosiloxy unit (T unit) represented by SiO 3/2 and an organosiloxy unit (Q unit) represented by SiO 2 on a supporting substrate. A silicone resin in which the proportion of T units is 91 to 99 mol% with respect to all organosiloxy units, and the proportion of Q units is 1 to 9 mol% with respect to all organosiloxy units. It is a manufacturing method of a glass laminated body which has the process of forming the silicone resin layer containing, and the process of laminating | stacking a glass substrate on a silicone resin layer.
The third aspect of the present invention is that an organosiloxy unit (D unit) represented by (R) 2 SiO 2/2 and an organo group represented by (R) SiO 3/2 are formed on a supporting substrate. It contains a siloxy unit (T unit) and an organosiloxy unit (Q unit) represented by SiO 2 , and the proportion of D unit is 1 to 40 mol% with respect to all organosiloxy units, A silicone resin layer containing a silicone resin having a proportion of 30 to 98 mol% with respect to all organosiloxy units and a proportion of Q units of 1 to 30 mol% with respect to all organosiloxy units is formed. It is a manufacturing method of a glass laminated body which has a process and the process of laminating | stacking a glass substrate on a silicone resin layer.

本発明によれば、高温加熱処理において、ガラス基板とシリコーン樹脂層との間に気泡(特に、所定の大きさ以上の気泡)の発生が抑制されたガラス積層体、および、その製造方法を提供することができる。   The present invention provides a glass laminate in which the generation of bubbles (particularly, bubbles of a predetermined size or more) is suppressed between a glass substrate and a silicone resin layer in a high-temperature heat treatment, and a method for manufacturing the same. can do.

本発明に係るガラス積層体の模式的断面図である。It is typical sectional drawing of the glass laminated body which concerns on this invention. 本発明に係る部材付きガラス基板の製造方法の一実施形態を工程順に示す模式的断面図である。It is typical sectional drawing which shows one Embodiment of the manufacturing method of the glass substrate with a member which concerns on this invention in process order.

以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明するが、本発明は、以下の実施形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、以下の実施形態に種々の変形および置換を加えることができる。   DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the following embodiments, and the following embodiments are not deviated from the scope of the present invention. Various modifications and substitutions can be made.

図1は、本発明に係るガラス積層体の模式的断面図である。
図1に示すように、ガラス積層体10は、支持基材12とガラス基板16とそれらの間にシリコーン樹脂層14が存在する積層体である。シリコーン樹脂層14は、その一方の面が支持基材12に接すると共に、その他方の面がガラス基板16の第1主面16aに接している。
ガラス積層体10において、シリコーン樹脂層14とガラス基板16との界面の剥離強度が、シリコーン樹脂層14と支持基材12との界面の剥離強度より低く、シリコーン樹脂層14とガラス基板16とが剥離し、シリコーン樹脂層14と支持基材12との積層体と、ガラス基板16とに分離する。言い換えれば、シリコーン樹脂層14は支持基材12上に固定されており、ガラス基板16はシリコーン樹脂層14上に剥離可能に積層されている。
支持基材12およびシリコーン樹脂層14からなる2層部分は、液晶パネルなどの電子デバイス用部材を製造する部材形成工程において、ガラス基板16を補強する。なお、ガラス積層体10の製造のためにあらかじめ製造される支持基材12およびシリコーン樹脂層14からなる2層部分を樹脂層付き支持基材18という。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a glass laminate according to the present invention.
As shown in FIG. 1, the glass laminated body 10 is a laminated body in which the support base material 12, the glass substrate 16, and the silicone resin layer 14 exist among them. The silicone resin layer 14 has one surface in contact with the support base 12 and the other surface in contact with the first main surface 16 a of the glass substrate 16.
In the glass laminate 10, the peel strength at the interface between the silicone resin layer 14 and the glass substrate 16 is lower than the peel strength at the interface between the silicone resin layer 14 and the support base 12, and the silicone resin layer 14 and the glass substrate 16 are It peels and isolate | separates into the laminated body of the silicone resin layer 14 and the support base material 12, and the glass substrate 16. FIG. In other words, the silicone resin layer 14 is fixed on the support base 12, and the glass substrate 16 is detachably laminated on the silicone resin layer 14.
The two-layer portion composed of the support base 12 and the silicone resin layer 14 reinforces the glass substrate 16 in a member forming process for manufacturing a member for an electronic device such as a liquid crystal panel. In addition, the two-layer part which consists of the support base material 12 manufactured in advance for manufacture of the glass laminated body 10 and the silicone resin layer 14 is called the support base material 18 with a resin layer.

このガラス積層体10は、後述する部材形成工程まで使用される。即ち、このガラス積層体10は、そのガラス基板16の第2主面16b表面上に液晶表示装置などの電子デバイス用部材が形成されるまで使用される。その後、電子デバイス用部材が形成されたガラス積層体は、支持基材12と部材付きガラス基板に分離され、樹脂層付き支持基材18は電子デバイスを構成する部分とはならない。樹脂層付き支持基材18は、新たなガラス基板16と積層され、新たなガラス積層体10として再利用することができる。   This glass laminated body 10 is used until the member formation process mentioned later. That is, the glass laminate 10 is used until a member for an electronic device such as a liquid crystal display device is formed on the surface of the second main surface 16b of the glass substrate 16. Then, the glass laminated body in which the member for electronic devices was formed is isolate | separated into the support base material 12 and the glass substrate with a member, and the support base material 18 with a resin layer does not become a part which comprises an electronic device. The support substrate 18 with the resin layer is laminated with a new glass substrate 16 and can be reused as a new glass laminate 10.

支持基材12とシリコーン樹脂層14との界面は剥離強度(x)を有し、支持基材12とシリコーン樹脂層14との界面に剥離強度(x)を越える引き剥がし方向の応力が加えられると、支持基材12とシリコーン樹脂層14との界面が剥離する。シリコーン樹脂層14とガラス基板16との界面は剥離強度(y)を有し、シリコーン樹脂層14とガラス基板16との界面に剥離強度(y)を越える引き剥がし方向の応力が加えられると、シリコーン樹脂層14とガラス基板16との界面が剥離する。
ガラス積層体10においては、上記剥離強度(x)は上記剥離強度(y)よりも高い。したがって、ガラス積層体10に支持基材12とガラス基板16とを引き剥がす方向の応力が加えられると、ガラス積層体10は、シリコーン樹脂層14とガラス基板16との界面で剥離して、ガラス基板16と樹脂層付き支持基材18とに分離する。
The interface between the support substrate 12 and the silicone resin layer 14 has a peel strength (x), and a stress in the peeling direction exceeding the peel strength (x) is applied to the interface between the support substrate 12 and the silicone resin layer 14. And the interface of the support base material 12 and the silicone resin layer 14 peels. The interface between the silicone resin layer 14 and the glass substrate 16 has a peel strength (y), and when a stress in the peeling direction exceeding the peel strength (y) is applied to the interface between the silicone resin layer 14 and the glass substrate 16, The interface between the silicone resin layer 14 and the glass substrate 16 is peeled off.
In the glass laminate 10, the peel strength (x) is higher than the peel strength (y). Therefore, when a stress is applied to the glass laminate 10 in the direction in which the support base 12 and the glass substrate 16 are peeled off, the glass laminate 10 is peeled off at the interface between the silicone resin layer 14 and the glass substrate 16 and glass It isolate | separates into the board | substrate 16 and the support base material 18 with a resin layer.

剥離強度(x)は、剥離強度(y)と比較して、充分高いことが好ましい。剥離強度(x)を高めることは、支持基材12に対するシリコーン樹脂層14の付着力を高め、かつ加熱処理後においてガラス基板16に対してよりも相対的に高い付着力を維持できることを意味する。
支持基材12に対するシリコーン樹脂層14の付着力を高めるためには、後述する硬化性シリコーンを支持基材12上で架橋硬化させてシリコーン樹脂層を形成することが好ましい。架橋硬化の際の接着力で、支持基材12に対して高い結合力で結合したシリコーン樹脂層14を形成することができる。
一方、架橋硬化後のシリコーン樹脂のガラス基板16に対する結合力は、上記架橋硬化時に生じる結合力よりも低いのが通例である。したがって、支持基材12上でシリコーン樹脂層14を形成し、その後シリコーン樹脂層14の面にガラス基板16を積層することにより、ガラス積層体10を製造することができる。
The peel strength (x) is preferably sufficiently higher than the peel strength (y). Increasing the peel strength (x) means that the adhesion of the silicone resin layer 14 to the support base 12 can be increased, and a relatively higher adhesion to the glass substrate 16 can be maintained after the heat treatment. .
In order to increase the adhesion of the silicone resin layer 14 to the support substrate 12, it is preferable to form a silicone resin layer by crosslinking and curing curable silicone described later on the support substrate 12. The silicone resin layer 14 bonded to the support substrate 12 with a high bonding force can be formed by the adhesive force at the time of crosslinking and curing.
On the other hand, the bonding force of the silicone resin after cross-linking and curing to the glass substrate 16 is generally lower than the bonding force generated during the cross-linking and curing. Therefore, the glass laminate 10 can be manufactured by forming the silicone resin layer 14 on the support base 12 and then laminating the glass substrate 16 on the surface of the silicone resin layer 14.

本発明のガラス積層体10は、所定の加熱処理後において、シリコーン樹脂層14とガラス基板16との間に所定の大きさ以上の気泡の発生が抑制される。より具体的には、ガラス積層体10を窒素雰囲気下にて550℃で10分間加熱した後、シリコーン樹脂層14とガラス基板16との間に、気泡がない(気泡が観察されない)、または、気泡がある(気泡が観察される)場合は、その気泡の直径が1mm未満である。なかでも、電子デバイス用部材の位置ずれなどがより生じにくい点で、気泡がない、または、気泡がある場合は、その気泡の直径が0.5mm以下であることが好ましい。
加熱処理の方法、および、加熱処理後における気泡の観察方法は以下の通りである。
まず、使用するガラス積層体10としては、後述する方法にて製造したガラス積層体を使用するが、具体的には、支持基材12とシリコーン樹脂層14とガラス基板16とが積層されたガラス積層体10から、50mm角(縦50mm×横50mm)の測定用ガラス積層体を切り出す。切り出す方法は特に制限されず、通常、ガラス積層体10のガラス基板16側からエッチングナイフを当てて、所定の大きさのガラス積層体10を切り出す。次に、測定用ガラス積層体を550℃に加熱した熱風オーブン内に載置して、10分間放置する。その後、測定用ガラス積層体を熱風オーブンから取り出し、目視にて、シリコーン樹脂層14とガラス基板16との間の気泡の有無を観察する。なお、観察対象は、測定用ガラス積層体の全面(縦50mm×横50mm)である。気泡が観察されない場合は、気泡なしと判断し、測定対象のガラス積層体は本発明の要件を満たす。また、気泡が観察される場合は、気泡の直径を測定する。気泡が観察される場合において、観察された気泡の直径がそれぞれ1mm未満であれば、測定対象のガラス積層体は本発明の要件を満たす。
なお、目視での観察限界としては、通常、直径0.1mm程度である。
また、気泡が真円状でない場合は、円相当径を上記直径とする。円相当径とは、観察された気泡の面積と等しい面積をもつ円の直径である。
In the glass laminate 10 of the present invention, generation of bubbles of a predetermined size or more is suppressed between the silicone resin layer 14 and the glass substrate 16 after a predetermined heat treatment. More specifically, after heating the glass laminate 10 at 550 ° C. for 10 minutes in a nitrogen atmosphere, there are no bubbles between the silicone resin layer 14 and the glass substrate 16 (no bubbles are observed), or If there are bubbles (bubbles are observed), the bubble diameter is less than 1 mm. Especially, in the point which the position shift of the member for electronic devices does not produce more easily, when there is no bubble or there exists a bubble, it is preferable that the diameter of the bubble is 0.5 mm or less.
The method for heat treatment and the method for observing bubbles after the heat treatment are as follows.
First, as the glass laminate 10 to be used, a glass laminate produced by a method described later is used. Specifically, a glass in which a support base 12, a silicone resin layer 14, and a glass substrate 16 are laminated. A 50 mm square (50 mm long × 50 mm wide) glass laminate for measurement is cut out from the laminate 10. The cutting method is not particularly limited, and the glass laminate 10 having a predetermined size is usually cut out by applying an etching knife from the glass substrate 16 side of the glass laminate 10. Next, the glass laminate for measurement is placed in a hot air oven heated to 550 ° C. and left for 10 minutes. Then, the glass laminate for measurement is taken out from the hot air oven, and the presence or absence of bubbles between the silicone resin layer 14 and the glass substrate 16 is visually observed. The observation target is the entire surface of the measurement glass laminate (length 50 mm × width 50 mm). When bubbles are not observed, it is determined that there are no bubbles, and the glass laminate to be measured satisfies the requirements of the present invention. When bubbles are observed, the diameter of the bubbles is measured. When bubbles are observed, if the diameter of the observed bubbles is less than 1 mm, the glass laminate to be measured satisfies the requirements of the present invention.
Note that the visual observation limit is usually about 0.1 mm in diameter.
When the bubbles are not perfectly circular, the equivalent circle diameter is the above diameter. The equivalent circle diameter is the diameter of a circle having the same area as the observed bubble area.

本発明のガラス積層体10の好適態様としては、上記加熱処理前において、シリコーン樹脂層14とガラス基板16との間に、気泡がない、または、気泡がある場合は、気泡の直径が1mm未満であることが好ましい。
気泡の測定方法は、上記と同様である。
As a preferred embodiment of the glass laminate 10 of the present invention, there is no bubble between the silicone resin layer 14 and the glass substrate 16 before the heat treatment, or when there is a bubble, the diameter of the bubble is less than 1 mm. It is preferable that
The method for measuring bubbles is the same as described above.

なお、上記のような特性を有するガラス積層体を得る方法としては、例えば、後段で詳述するように、所定のシリコーン樹脂層を用いる方法が挙げられるが、その方法は限定されない。   In addition, as a method of obtaining the glass laminated body which has the above characteristics, the method of using a predetermined silicone resin layer is mentioned, for example so that it may explain in full detail later, The method is not limited.

以下で、まず、ガラス積層体10を構成する各層(支持基材12、ガラス基板16、シリコーン樹脂層14)について詳述し、その後、ガラス積層体の製造方法について詳述する。   Below, each layer (the support base material 12, the glass substrate 16, the silicone resin layer 14) which comprises the glass laminated body 10 is explained in full detail first, and the manufacturing method of a glass laminated body is explained in full detail after that.

[支持基材]
支持基材12は、ガラス基板16を支持し、後述する部材形成工程(電子デバイス用部材を製造する工程)において電子デバイス用部材の製造の際にガラス基板16の変形、傷付き、破損などを防止する。
支持基材12としては、例えば、ガラス板、プラスチック板、SUS板などの金属板などが用いられる。通常、部材形成工程が熱処理を伴うため、支持基材12はガラス基板16との線膨張係数の差の小さい材料で形成されることが好ましく、ガラス基板16と同一材料で形成されることがより好ましく、支持基材12はガラス板であることが好ましい。特に、支持基材12は、ガラス基板16と同じガラス材料からなるガラス板であることが好ましい。
なお、後述するように支持基材12は、2種以上の層からなる積層体であってもよい。
[Supporting substrate]
The support base 12 supports the glass substrate 16 and prevents deformation, scratches, breakage, etc. of the glass substrate 16 during the manufacture of the electronic device member in a member forming step (step of manufacturing the electronic device member) described later. To prevent.
As the support substrate 12, for example, a metal plate such as a glass plate, a plastic plate, or a SUS plate is used. Usually, since the member forming process involves heat treatment, the support base 12 is preferably formed of a material having a small difference in linear expansion coefficient from the glass substrate 16 and more preferably formed of the same material as the glass substrate 16. Preferably, the support base 12 is a glass plate. In particular, the support base 12 is preferably a glass plate made of the same glass material as the glass substrate 16.
As will be described later, the support base 12 may be a laminate composed of two or more layers.

支持基材12の材質としてガラスを採用する場合、その組成は、例えば、アルカリ金属酸化物を含有するガラス(ソーダライムガラス)、無アルカリガラスなどの種々の組成のガラスを使用できる。なかでも、熱収縮率が小さいことから無アルカリガラスであることが好ましい。   When glass is employed as the material of the support substrate 12, for example, glass having various compositions such as glass containing alkali metal oxide (soda lime glass) and non-alkali glass can be used. Of these, alkali-free glass is preferred because of its low thermal shrinkage.

支持基材12の厚さは、ガラス基板16よりも厚くてもよいし、薄くてもよい。好ましくは、ガラス基板16の厚さ、シリコーン樹脂層14の厚さ、およびガラス積層体10の厚さに基づいて、支持基材12の厚さが選択される。例えば、現行の部材形成工程が厚さ0.5mmの基板を処理するように設計されたものであって、ガラス基板16の厚さとシリコーン樹脂層14の厚さとの和が0.1mmの場合、支持基材12の厚さを0.4mmとする。支持基材12の厚さは、通常の場合、0.2〜5.0mmであることが好ましい。   The thickness of the support base 12 may be thicker or thinner than the glass substrate 16. Preferably, the thickness of the support base 12 is selected based on the thickness of the glass substrate 16, the thickness of the silicone resin layer 14, and the thickness of the glass laminate 10. For example, when the current member forming process is designed to process a substrate having a thickness of 0.5 mm, and the sum of the thickness of the glass substrate 16 and the thickness of the silicone resin layer 14 is 0.1 mm, The thickness of the support base 12 is set to 0.4 mm. In general, the thickness of the support base 12 is preferably 0.2 to 5.0 mm.

支持基材12がガラス板の場合、ガラス板の厚さは、扱いやすく、割れにくいなどの理由から、0.08mm以上であることが好ましい。また、ガラス板の厚さは、電子デバイス用部材形成後に剥離する際に、割れずに適度に撓むような剛性が望まれる理由から、1.0mm以下であることが好ましい。   When the support substrate 12 is a glass plate, the thickness of the glass plate is preferably 0.08 mm or more for reasons such as easy handling and difficulty in cracking. Further, the thickness of the glass plate is preferably 1.0 mm or less because the rigidity is desired so that the glass plate is appropriately bent without being broken when it is peeled off after forming the electronic device member.

支持基材12とガラス基板16との線膨張係数の差は、好ましくは150×10-7/℃以下であり、より好ましくは100×10-7/℃以下であり、さらに好ましくは50×10-7/℃以下である。差が大き過ぎると、部材形成工程における加熱冷却時に、ガラス積層体10が激しく反ったり、支持基材12とガラス基板16とが剥離したりする可能性がある。支持基材12の材料がガラス基板16の材料と同じ場合、このような問題が生じるのを抑制することができる。 The difference in linear expansion coefficient between the support base 12 and the glass substrate 16 is preferably 150 × 10 −7 / ° C. or less, more preferably 100 × 10 −7 / ° C. or less, and further preferably 50 × 10 10. -7 / ℃ or less. If the difference is too large, the glass laminate 10 may be severely warped or the support substrate 12 and the glass substrate 16 may be peeled off during heating and cooling in the member forming process. When the material of the support base material 12 is the same as the material of the glass substrate 16, it can suppress that such a problem arises.

[ガラス基板]
ガラス基板16は、第1主面16aがシリコーン樹脂層14と接し、シリコーン樹脂層14側とは反対側の第2主面16bに電子デバイス用部材が設けられる。
ガラス基板16の種類は、一般的なものであってよく、例えば、LCD、OLEDといった表示装置用のガラス基板などが挙げられる。ガラス基板16は耐薬品性、耐透湿性に優れ、且つ、熱収縮率が低い。熱収縮率の指標としては、JIS R 3102(1995年改正)に規定されている線膨張係数が用いられる。
[Glass substrate]
As for the glass substrate 16, the 1st main surface 16a touches the silicone resin layer 14, and the member for electronic devices is provided in the 2nd main surface 16b on the opposite side to the silicone resin layer 14 side.
The glass substrate 16 may be of a general type, and examples thereof include a glass substrate for a display device such as an LCD or an OLED. The glass substrate 16 is excellent in chemical resistance and moisture permeability and has a low heat shrinkage rate. As an index of the heat shrinkage rate, a linear expansion coefficient defined in JIS R 3102 (revised in 1995) is used.

ガラス基板16の線膨張係数は、好ましくは150×10-7/℃以下であり、より好ましくは100×10-7/℃以下であり、さらに好ましくは50×10-7/℃以下である。
ガラス基板16の線膨張係数が上記範囲内であれば、ガラス基板16上にTFTを形成する場合、加熱下でTFTが形成されたガラス基板16を冷却する際に、ガラス基板16の熱収縮によるTFTの位置ずれの発生を抑制することができる。
The linear expansion coefficient of the glass substrate 16 is preferably 150 × 10 −7 / ° C. or less, more preferably 100 × 10 −7 / ° C. or less, and further preferably 50 × 10 −7 / ° C. or less.
If the linear expansion coefficient of the glass substrate 16 is within the above range, when the TFT is formed on the glass substrate 16, the glass substrate 16 on which the TFT is formed under heating is cooled by the thermal contraction of the glass substrate 16. It is possible to suppress the occurrence of TFT position shift.

ガラス基板16は、ガラス原料を溶融し、溶融ガラスを板状に成形して得られる。このような成形方法は、一般的なものであってよく、例えば、フロート法、フュージョン法、スロットダウンドロー法、フルコール法、ラバース法などが用いられる。また、特に厚さが薄いガラス基板16は、いったん板状に成形したガラスを成形可能温度に加熱し、延伸などの手段で引き伸ばして薄くする方法(リドロー法)で成形して得られる。   The glass substrate 16 is obtained by melting a glass raw material and molding the molten glass into a plate shape. Such a molding method may be a general one, and for example, a float method, a fusion method, a slot down draw method, a full call method, a rubber method, or the like is used. The glass substrate 16 having a particularly small thickness can be obtained by heating a glass once formed into a plate shape to a moldable temperature and then stretching it by means of stretching or the like to make it thin (redraw method).

ガラス基板16のガラスの種類は特に限定されないが、無アルカリホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、高シリカガラス、その他の酸化ケイ素を主な成分とする酸化物系ガラスが好ましい。酸化物系ガラスとしては、酸化物換算による酸化ケイ素の含有量が40〜90質量%のガラスが好ましい。   The glass type of the glass substrate 16 is not particularly limited, but non-alkali borosilicate glass, borosilicate glass, soda lime glass, high silica glass, and other oxide-based glasses mainly composed of silicon oxide are preferable. As the oxide glass, a glass having a silicon oxide content of 40 to 90% by mass in terms of oxide is preferable.

ガラス基板16のガラスとしては、電子デバイス用部材の種類やその製造工程に適したガラスが採用される。例えば、液晶パネル用のガラス基板は、アルカリ金属成分の溶出が液晶に影響を与えやすいことから、アルカリ金属成分を実質的に含まないガラス(無アルカリガラス)からなる(ただし、通常アルカリ土類金属成分は含まれる)。このように、ガラス基板16のガラスは、適用されるデバイスの種類およびその製造工程に基づいて適宜選択される。   As the glass of the glass substrate 16, glass suitable for the type of electronic device member and its manufacturing process is employed. For example, a glass substrate for a liquid crystal panel is made of glass (non-alkali glass) that does not substantially contain an alkali metal component because the elution of an alkali metal component easily affects the liquid crystal (however, usually an alkaline earth metal) Ingredients are included). Thus, the glass of the glass substrate 16 is appropriately selected based on the type of device to be applied and its manufacturing process.

ガラス基板16の厚さは、ガラス基板16の薄型化および/または軽量化の観点から、0.3mm以下であることが好ましく、より好ましくは0.15mm以下である。0.3mm以下の場合、ガラス基板16に良好なフレキシブル性を与えることが可能である。0.15mm以下の場合、ガラス基板16をロール状に巻き取ることが可能である。
また、ガラス基板16の厚さは、ガラス基板16の製造が容易であること、ガラス基板16の取り扱いが容易であることなどの理由から、0.03mm以上であることが好ましい。
The thickness of the glass substrate 16 is preferably 0.3 mm or less, more preferably 0.15 mm or less, from the viewpoint of reducing the thickness and / or weight of the glass substrate 16. In the case of 0.3 mm or less, it is possible to give good flexibility to the glass substrate 16. In the case of 0.15 mm or less, the glass substrate 16 can be rolled up.
Further, the thickness of the glass substrate 16 is preferably 0.03 mm or more for reasons such as easy manufacture of the glass substrate 16 and easy handling of the glass substrate 16.

なお、ガラス基板16は2層以上からなっていてもよく、この場合、各々の層を形成する材料は同種材料であってもよいし、異種材料であってもよい。また、この場合、「ガラス基板16の厚さ」は全ての層の合計の厚さを意味するものとする。   The glass substrate 16 may be composed of two or more layers. In this case, the material for forming each layer may be the same material or different materials. In this case, “the thickness of the glass substrate 16” means the total thickness of all the layers.

[シリコーン樹脂層]
シリコーン樹脂層14は、ガラス基板16と支持基材12とを分離する操作が行われるまでガラス基板16の位置ずれを防止すると共に、ガラス基板16などが分離操作によって破損するのを防止する。シリコーン樹脂層14のガラス基板16と接する表面14aは、ガラス基板16の第1主面16aに密着する。シリコーン樹脂層14はガラス基板16の第1主面16aに弱い結合力で結合しており、その界面の剥離強度(y)は、シリコーン樹脂層14と支持基材12との間の界面の剥離強度(x)よりも低い。
[Silicone resin layer]
The silicone resin layer 14 prevents the glass substrate 16 from being displaced until the operation for separating the glass substrate 16 and the support base 12 is performed, and prevents the glass substrate 16 and the like from being damaged by the separation operation. A surface 14 a of the silicone resin layer 14 that contacts the glass substrate 16 is in close contact with the first main surface 16 a of the glass substrate 16. The silicone resin layer 14 is bonded to the first main surface 16a of the glass substrate 16 with a weak bonding force, and the peeling strength (y) at the interface is the peeling at the interface between the silicone resin layer 14 and the support base 12. Lower than strength (x).

シリコーン樹脂層14とガラス基板16とは、弱い接着力やファンデルワールス力に起因する結合力で結合していると考えられる。
また、シリコーン樹脂層14は、接着力や粘着力などの強い結合力で支持基材12表面に結合されており、両者の密着性を高める方法としては、公知の方法を採用できる。シリコーン樹脂層14は、所定のオルガノシロキシ単位を含むシリコーン樹脂からなる。例えば、後述するように、シリコーン樹脂層14を支持基材12表面上で形成する(より具体的には、所定のシリコーン樹脂を形成し得る硬化性シリコーン(オルガノポリシロキサン)を支持基材12上で架橋硬化させる)ことにより、シリコーン樹脂層14中のシリコーン樹脂を支持基材12表面に接着させ、高い結合力を得ることができる。また、支持基材12表面とシリコーン樹脂層14との間に強い結合力を生じさせる処理(例えば、カップリング剤を使用した処理)を施して支持基材12表面とシリコーン樹脂層14との間の結合力を高めることができる。
The silicone resin layer 14 and the glass substrate 16 are considered to be bonded with a bonding force resulting from a weak adhesive force or van der Waals force.
Further, the silicone resin layer 14 is bonded to the surface of the support base 12 with a strong bonding force such as an adhesive force or an adhesive force, and a known method can be adopted as a method for improving the adhesion between the two. The silicone resin layer 14 is made of a silicone resin containing a predetermined organosiloxy unit. For example, as described later, the silicone resin layer 14 is formed on the surface of the support base 12 (more specifically, a curable silicone (organopolysiloxane) capable of forming a predetermined silicone resin is formed on the support base 12. The silicone resin in the silicone resin layer 14 can be adhered to the surface of the support base 12 and high bonding strength can be obtained. Moreover, the process (for example, process using a coupling agent) which produces strong bond strength between the support base material 12 surface and the silicone resin layer 14 is given, and between the support base material 12 surface and the silicone resin layer 14 The binding power of can be increased.

シリコーン樹脂層14の厚さは特に限定されないが、上限は100μm(つまり、100μm以下)であることが好ましく、50μmであることがより好ましく、10μmであることがさらに好ましい。下限は剥離可能な厚さであれば、特に限定しないが、0.001μm以上の場合が多い。シリコーン樹脂層14の厚さがこのような範囲であると、シリコーン樹脂層14にクラックが生じにくく、シリコーン樹脂層14とガラス基板16との間に気泡や異物が介在することがあっても、ガラス基板16のゆがみ欠陥の発生を抑制することができる。
上記厚さは平均厚さを意図し、5点以上の任意の位置におけるシリコーン樹脂層14の厚みを接触式膜厚測定装置で測定し、それらを算術平均したものである。
シリコーン樹脂層14のガラス基板16側の表面の表面粗さRaは特に制限されないが、ガラス基板16の積層性および剥離性がより優れる点より、0.1〜20nmが好ましく、0.1〜10nmがより好ましい。
なお、表面粗さRaの測定方法としては、JIS B 0601−2001に準じて行われ、任意の5箇所以上の点において測定されたRaを、算術平均した値が上記表面粗さRaに該当する。
なお、シリコーン樹脂層14は2層以上からなっていてもよい。この場合「シリコーン樹脂層14の厚さ」は全てのシリコーン樹脂層の合計の厚さを意味するものとする。
The thickness of the silicone resin layer 14 is not particularly limited, but the upper limit is preferably 100 μm (that is, 100 μm or less), more preferably 50 μm, and even more preferably 10 μm. Although a lower limit will not be specifically limited if it is the thickness which can peel, In many cases, it is 0.001 micrometer or more. When the thickness of the silicone resin layer 14 is in such a range, cracks are unlikely to occur in the silicone resin layer 14, and even if bubbles or foreign substances are present between the silicone resin layer 14 and the glass substrate 16, Generation | occurrence | production of the distortion defect of the glass substrate 16 can be suppressed.
The above thickness is intended to mean the average thickness, and the thickness of the silicone resin layer 14 at an arbitrary position of five or more points is measured with a contact-type film thickness measuring device, and these are arithmetically averaged.
The surface roughness Ra of the surface of the silicone resin layer 14 on the glass substrate 16 side is not particularly limited, but is preferably from 0.1 to 20 nm, more preferably from 0.1 to 10 nm, from the viewpoint that the laminateability and peelability of the glass substrate 16 are more excellent. Is more preferable.
In addition, as a measuring method of surface roughness Ra, it was performed according to JIS B 0601-2001, and the value which carried out arithmetic average of Ra measured in arbitrary five or more points | pieces corresponds to the said surface roughness Ra. .
The silicone resin layer 14 may be composed of two or more layers. In this case, “the thickness of the silicone resin layer 14” means the total thickness of all the silicone resin layers.

(シリコーン樹脂)
シリコーン樹脂層14は、上述したようにガラス積層体が所定の性質を示すような、所定のオルガノシロキシ単位を含むシリコーン樹脂からなる。また、シリコーン樹脂は、通常、硬化処理により該シリコーン樹脂となり得る硬化性シリコーンを架橋硬化して得られる。つまり、シリコーン樹脂は、硬化性シリコーンの硬化物に該当する。
なお、本発明における硬化性シリコーンは、モノマーである加水分解性オルガノシラン化合物の混合物(モノマー混合物)であるか、または、モノマー混合物を部分加水分解縮合反応させて得られる部分加水分解縮合物(オルガノポリシロキサン)であることが好ましい。また、部分加水分解縮合物とモノマーの混合物であってもよい。本発明における硬化性シリコーンとしては、モノマー混合物の部分加水分解縮合物が好ましい。
硬化性シリコーンを架橋硬化させるためには、通常加熱により架橋反応を進めて硬化させる(すなわち、熱硬化させる)。そして、硬化性シリコーンを熱硬化させることにより、シリコーン樹脂が得られる。ただし、硬化に必ずしも加熱を必要としない場合もあり、室温硬化させることもできる。
(Silicone resin)
As described above, the silicone resin layer 14 is made of a silicone resin containing a predetermined organosiloxy unit such that the glass laminate exhibits a predetermined property. The silicone resin is usually obtained by crosslinking and curing a curable silicone that can be converted into the silicone resin by a curing treatment. That is, the silicone resin corresponds to a cured product of curable silicone.
The curable silicone in the present invention is a mixture (monomer mixture) of hydrolyzable organosilane compounds that are monomers, or a partial hydrolysis condensate (organo) obtained by subjecting the monomer mixture to a partial hydrolysis condensation reaction. Polysiloxane). Moreover, the mixture of a partial hydrolysis-condensation product and a monomer may be sufficient. As curable silicone in this invention, the partial hydrolysis-condensation product of a monomer mixture is preferable.
In order to crosslink and cure the curable silicone, the crosslinking reaction is usually advanced by heating to cure (that is, thermosetting). And a silicone resin is obtained by thermosetting curable silicone. However, there are cases where heating is not necessarily required for curing, and room temperature curing can also be performed.

オルガノシロキシ単位には、M単位と呼ばれる1官能オルガノシロキシ単位、D単位と呼ばれる2官能オルガノシロキシ単位、T単位と呼ばれる3官能オルガノシロキシ単位、および、Q単位と呼ばれる4官能オルガノシロキシ単位がある。なお、Q単位はケイ素原子に結合した有機基(ケイ素原子に結合した炭素原子を有する有機基)を有しない単位であるが、本発明においてはオルガノシロキシ単位(含ケイ素結合単位)とみなす。なお、M単位、D単位、T単位、Q単位を形成するモノマーを、それぞれMモノマー、Dモノマー、Tモノマー、Qモノマーともいう。
なお、全オルガノシロキシ単位とは、M単位、D単位、T単位、および、Q単位の合計を意図する。M単位、D単位、T単位、および、Q単位の数(モル量)の割合は、29Si−NMRによるピーク面積比の値から計算できる。
The organosiloxy unit includes a monofunctional organosiloxy unit called M unit, a bifunctional organosiloxy unit called D unit, a trifunctional organosiloxy unit called T unit, and a tetrafunctional organosiloxy unit called Q unit. The Q unit is a unit that does not have an organic group bonded to a silicon atom (an organic group having a carbon atom bonded to a silicon atom), but is regarded as an organosiloxy unit (silicon-containing bonded unit) in the present invention. The monomers forming the M unit, D unit, T unit, and Q unit are also referred to as M monomer, D monomer, T monomer, and Q monomer, respectively.
In addition, all the organosiloxy units intend the sum total of M unit, D unit, T unit, and Q unit. The ratio of the number of M units, D units, T units, and Q units (molar amount) can be calculated from the value of the peak area ratio by 29 Si-NMR.

オルガノシロキシ単位において、シロキサン結合は2個のケイ素原子が1個の酸素原子を介して結合した結合であることより、シロキサン結合におけるケイ素原子1個当たりの酸素原子は1/2個とみなし、式中O1/2と表現される。より具体的には、例えば、1つのD単位においては、その1個のケイ素原子は2個の酸素原子と結合し、それぞれの酸素原子は他の単位のケイ素原子と結合していることより、その式は−O1/2−(R)2Si−O1/2−(Rは、水素原子または有機基を表す)となる。O1/2が2個存在することより、D単位は(R)2SiO2/2(言い換えると、(R)2SiO)と表現されるのが通常である。
なお、以下の説明において、他のケイ素原子に結合した酸素原子Oは、2個のケイ素原子間を結合する酸素原子であり、Si−O−Siで表される結合中の酸素原子を意図する。したがって、Oは、2つのオルガノシロキシ単位のケイ素原子間に1個存在する。
In the organosiloxy unit, the siloxane bond is a bond in which two silicon atoms are bonded via one oxygen atom, so that the number of oxygen atoms per silicon atom in the siloxane bond is considered to be 1/2. Expressed as medium O 1/2 . More specifically, for example, in one D unit, one silicon atom is bonded to two oxygen atoms, and each oxygen atom is bonded to a silicon atom of another unit. The formula is —O 1/2 — (R) 2 Si—O 1/2 — (R represents a hydrogen atom or an organic group). Since there are two O 1/2 s , the D unit is usually expressed as (R) 2 SiO 2/2 (in other words, (R) 2 SiO).
In the following description, an oxygen atom O * bonded to another silicon atom is an oxygen atom bonded between two silicon atoms, and is intended to be an oxygen atom in a bond represented by Si—O—Si. To do. Accordingly, one O * exists between the silicon atoms of two organosiloxy units.

M単位とは、(R)3SiO1/2で表されるオルガノシロキシ単位を意図する。ここで、Rは、水素原子または有機基を表す。(R)の後に記載の数字(ここでは、3)は、水素原子または有機基が3つ接続すること意味する。つまり、M単位は、1個のケイ素原子と、3個の水素原子または有機基と、1個の酸素原子Oとを有する。より具体的には、M単位は、1個のケイ素原子に結合した3個の水素原子または有機基と、1個のケイ素原子に結合した酸素原子Oを有する。
D単位とは、(R)2SiO2/2(Rは、水素原子または有機基を表す)で表されるオルガノシロキシ単位を意図する。つまり、D単位は、1個のケイ素原子を有し、そのケイ素原子に結合した2個の水素原子または有機基と、他のケイ素原子に結合した酸素原子Oを2個有する単位である。
T単位とは、RSiO3/2(Rは、水素原子または有機基を表す)で表されるオルガノシロキシ単位を意図する。つまり、T単位は、1個のケイ素原子を有し、そのケイ素原子に結合した1個の水素原子または有機基と、他のケイ素原子に結合した酸素原子Oを3個有する単位である。
Q単位とは、SiO2で表されるオルガノシロキシ単位を意図する。つまり、Q単位は、1個のケイ素原子を有し、他のケイ素原子に結合した酸素原子Oを4個有する単位である。
なお、有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基等のアルキル基;フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基;ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基;クロロメチル基、3−クロロプロピル基、3,3,3−トリフルオロプロピル基等のハロゲン化アルキル基などハロゲン置換の一価の炭化水素基が挙げられる。なお、有機基としては、炭素数1〜12(好ましくは炭素数1〜10程度)の、非置換またはハロゲン置換の一価の炭化水素基が好ましく挙げられる。
The M unit means an organosiloxy unit represented by (R) 3 SiO 1/2 . Here, R represents a hydrogen atom or an organic group. The number (here 3) described after (R) means that three hydrogen atoms or organic groups are connected. That is, the M unit has one silicon atom, three hydrogen atoms or an organic group, and one oxygen atom O * . More specifically, the M unit has three hydrogen atoms or organic groups bonded to one silicon atom and an oxygen atom O * bonded to one silicon atom.
The D unit means an organosiloxy unit represented by (R) 2 SiO 2/2 (R represents a hydrogen atom or an organic group). That is, the D unit is a unit having one silicon atom, two hydrogen atoms or organic groups bonded to the silicon atom, and two oxygen atoms O * bonded to other silicon atoms.
The T unit means an organosiloxy unit represented by RSiO 3/2 (R represents a hydrogen atom or an organic group). That is, the T unit is a unit having one silicon atom, one hydrogen atom or organic group bonded to the silicon atom, and three oxygen atoms O * bonded to another silicon atom.
Q unit means an organosiloxy unit represented by SiO 2 . That is, the Q unit is a unit having one silicon atom and four oxygen atoms O * bonded to other silicon atoms.
Examples of the organic group include alkyl groups such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a cyclohexyl group, and a heptyl group; a phenyl group, a tolyl group, a xylyl group, and a naphthyl group. Aryl groups; aralkyl groups such as benzyl groups and phenethyl groups; halogen-substituted monovalent hydrocarbon groups such as halogenated alkyl groups such as chloromethyl groups, 3-chloropropyl groups, and 3,3,3-trifluoropropyl groups; Can be mentioned. The organic group is preferably an unsubstituted or halogen-substituted monovalent hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms (preferably about 1 to 10 carbon atoms).

シリコーン樹脂層14を構成するシリコーン樹脂は、ガラス積層体が所定の特性を示せば、その構造は特に限定されないが、(R)SiO3/2で表されるオルガノシロキシ単位(T単位)、および、SiO2で表されるオルガノシロキシ単位(Q単位)を少なくとも含むことが好ましい。 The structure of the silicone resin constituting the silicone resin layer 14 is not particularly limited as long as the glass laminate exhibits predetermined characteristics, but (R) an organosiloxy unit (T unit) represented by SiO 3/2 , and It is preferable that at least an organosiloxy unit (Q unit) represented by SiO 2 is included.

シリコーン樹脂の第1の好適態様としては、T単位およびQ単位を含み、T単位の割合が、シリコーン樹脂の全オルガノシロキシ単位に対して、91〜99モル%であり、Q単位の割合が、シリコーン樹脂の全オルガノシロキシ単位に対して、1〜9モル%である態様が挙げられる。
本好適態様において、T単位の割合は、シリコーン樹脂の全オルガノシロキシ単位に対して、92〜98モル%が好ましく、93〜97モル%がより好ましい。
本好適態様において、Q単位の割合は、シリコーン樹脂の全オルガノシロキシ単位に対して、2〜8モル%が好ましく、3〜7モル%がより好ましい。
T単位、および、Q単位が上記範囲内であると、シリコーン樹脂が高密度の架橋構造をとり、高温加熱処理において、ガラス基板とシリコーン樹脂層との間に気泡の発生または拡大が抑制される。
なお、T単位、Q単位の数(モル量)の割合は、29Si−NMRによるピーク面積比の値から計算できる。
As a 1st suitable aspect of a silicone resin, it contains T unit and Q unit, the ratio of T unit is 91-99 mol% with respect to all the organosiloxy units of a silicone resin, and the ratio of Q unit is, The aspect which is 1-9 mol% with respect to all the organosiloxy units of a silicone resin is mentioned.
In this preferred embodiment, the proportion of T units is preferably 92 to 98 mol%, more preferably 93 to 97 mol%, based on all organosiloxy units of the silicone resin.
In this preferred embodiment, the proportion of the Q unit is preferably 2 to 8 mol%, more preferably 3 to 7 mol%, based on all organosiloxy units of the silicone resin.
When the T unit and the Q unit are within the above ranges, the silicone resin takes a high-density crosslinked structure, and the generation or expansion of bubbles between the glass substrate and the silicone resin layer is suppressed in the high-temperature heat treatment. .
In addition, the ratio of the number (molar amount) of T unit and Q unit can be calculated from the value of the peak area ratio by 29 Si-NMR.

シリコーン樹脂の第2の好適態様としては、D単位、T単位およびQ単位を含み、D単位の割合が、シリコーン樹脂の全オルガノシロキシ単位に対して、1〜40モル%であり、T単位の割合が、シリコーン樹脂の全オルガノシロキシ単位に対して、30〜98モル%であり、Q単位の割合が、シリコーン樹脂の全オルガノシロキシ単位に対して、1〜30モル%である態様が挙げられる。
本好適態様において、D単位の割合は、シリコーン樹脂の全オルガノシロキシ単位に対して、5〜40モル%が好ましく、5〜35モル%がより好ましく、5〜15モル%がさらに好ましい。
本好適態様において、T単位の割合は、シリコーン樹脂の全オルガノシロキシ単位に対して、40〜90モル%が好ましく、60〜90モル%がより好ましく、75〜90モル%がさらに好ましい。
本好適態様において、Q単位の割合は、シリコーン樹脂の全オルガノシロキシ単位に対して、5〜20モル%が好ましく、5〜15モル%がより好ましい。
D単位、T単位、および、Q単位が上記範囲内であると、シリコーン樹脂が高密度の架橋構造をとり、高温加熱処理において、ガラス基板とシリコーン樹脂層との間に気泡の発生または拡大が抑制される。
D単位、T単位、Q単位の数(モル量)の割合は、29Si−NMRによるピーク面積比の値から計算できる。
As a 2nd suitable aspect of a silicone resin, it contains D unit, T unit, and Q unit, the ratio of D unit is 1-40 mol% with respect to all the organosiloxy units of silicone resin, The aspect whose ratio is 30-98 mol% with respect to all the organosiloxy units of a silicone resin, and the ratio of Q unit is 1-30 mol% with respect to all the organosiloxy units of a silicone resin is mentioned. .
In this preferred embodiment, the ratio of the D unit is preferably 5 to 40 mol%, more preferably 5 to 35 mol%, and still more preferably 5 to 15 mol% with respect to all organosiloxy units of the silicone resin.
In this preferred embodiment, the proportion of T units is preferably 40 to 90 mol%, more preferably 60 to 90 mol%, and even more preferably 75 to 90 mol% with respect to all organosiloxy units of the silicone resin.
In this preferred embodiment, the proportion of the Q unit is preferably from 5 to 20 mol%, more preferably from 5 to 15 mol%, based on all organosiloxy units of the silicone resin.
When the D unit, the T unit, and the Q unit are within the above ranges, the silicone resin takes a high-density crosslinked structure, and bubbles are generated or expanded between the glass substrate and the silicone resin layer in the high-temperature heat treatment. It is suppressed.
The ratio of the number (molar amount) of D units, T units, and Q units can be calculated from the value of the peak area ratio by 29 Si-NMR.

D単位((R)2SiO2/2)、および、T単位((R)SiO3/2)中のRの規定は、上述したように、水素原子または有機基であるが、本発明の効果がより優れる点で、Rとしては1価の炭化水素基が好ましく、アルキル基(好ましくは、メチル基)またはアリール基(好ましくは、フェニル基)がより好ましい。 The definition of R in the D unit ((R) 2 SiO 2/2 ) and the T unit ((R) SiO 3/2 ) is a hydrogen atom or an organic group as described above. In terms of more excellent effects, R is preferably a monovalent hydrocarbon group, more preferably an alkyl group (preferably a methyl group) or an aryl group (preferably a phenyl group).

なお、D単位((R)2SiO2/2)、および、T単位((R)SiO3/2)には、アルキル基(好ましくは、メチル基)またはアリール基(好ましくは、フェニル基)のいずれか一方あるいは、両方が含まれていてもよい。 The D unit ((R) 2 SiO 2/2 ) and the T unit ((R) SiO 3/2 ) have an alkyl group (preferably a methyl group) or an aryl group (preferably a phenyl group). Either one or both of them may be included.

上記シリコーン樹脂は、公知の材料を用いて製造することができる。
例えば、硬化処理により上記シリコーン樹脂となり得る硬化性シリコーンとしては、モノマーである加水分解性オルガノシラン化合物の混合物(モノマー混合物)、および/または、モノマー混合物を部分加水分解縮合反応させて得られる部分加水分解縮合物(オルガノポリシロキサン)が使用される。
使用されるモノマーの種類は、上述した所定のオルガノシロキシ単位を有するシリコーン樹脂が得られれば特に制限されない。
The silicone resin can be manufactured using a known material.
For example, the curable silicone that can be converted into the silicone resin by the curing treatment includes a mixture of monomer hydrolyzable organosilane compounds (monomer mixture) and / or partial hydrolysis obtained by partial hydrolysis condensation reaction of the monomer mixture. A decomposition condensate (organopolysiloxane) is used.
The type of monomer used is not particularly limited as long as the above-described silicone resin having a predetermined organosiloxy unit is obtained.

なお、モノマー(加水分解性オルガノシラン化合物)は、通常、(R’−)Si(−Z)4−aで表される。ただし、aは0〜3の整数、R’は水素原子または有機基、Zは水酸基または加水分解性基を表す。この化学式において、a=3の化合物がMモノマー、a=2の化合物がDモノマー、a=1の化合物がTモノマー、a=0の化合物がQモノマーである。モノマーにおいて、通常、Z基は加水分解性基である。また、R’が2または3個存在する場合(aが2または3の場合)、複数のR’は異なっていてもよい。 The monomer (hydrolyzable organosilane compound) is usually represented by (R′—) a Si (—Z) 4-a . However, a represents an integer of 0 to 3, R ′ represents a hydrogen atom or an organic group, and Z represents a hydroxyl group or a hydrolyzable group. In this chemical formula, a compound with a = 3 is an M monomer, a compound with a = 2 is a D monomer, a compound with a = 1 is a T monomer, and a compound with a = 0 is a Q monomer. In the monomer, the Z group is usually a hydrolyzable group. Further, when 2 or 3 R ′ are present (when a is 2 or 3), the plurality of R ′ may be different.

部分加水分解縮合物である硬化性シリコーンは、モノマーのZ基の一部を酸素原子Oに変換する反応により得られる。モノマーのZ基が加水分解性基の場合、Z基は加水分解反応により水酸基に変換され、次いで別々のケイ素原子に結合した2個の水酸基の間における脱水縮合反応により、2個のケイ素原子が酸素原子Oを介して結合する。硬化性シリコーン中には水酸基(または加水分解しなかったZ基)が残存し、硬化性シリコーンの硬化の際にこれら水酸基やZ基が上記と同様に反応して硬化する。硬化性シリコーンの硬化物は、通常、3次元的に架橋したポリマー(シリコーン樹脂)となる。 The curable silicone that is a partially hydrolyzed condensate is obtained by a reaction in which a part of the Z group of the monomer is converted to an oxygen atom O * . When the Z group of the monomer is a hydrolyzable group, the Z group is converted into a hydroxyl group by a hydrolysis reaction, and then two silicon atoms are converted by a dehydration condensation reaction between two hydroxyl groups bonded to separate silicon atoms. Bonded through an oxygen atom O * . In the curable silicone, hydroxyl groups (or Z groups that have not been hydrolyzed) remain, and when the curable silicone is cured, these hydroxyl groups and Z groups react and cure in the same manner as described above. The cured product of curable silicone is usually a three-dimensionally crosslinked polymer (silicone resin).

モノマーのZ基が加水分解性基である場合、そのZ基としては、アルコキシ基、塩素原子、アシルオキシ基、イソシアネート基等が挙げられる。多くの場合、モノマーとしてはZ基がアルコキシ基のモノマーが使用される。このようなモノマーは、アルコキシシランとも称される。
アルコキシ基は塩素原子などと比較すると反応性の比較的低い加水分解性基であり、Z基がアルコキシ基であるモノマー(アルコキシシラン)を使用して得られる硬化性シリコーン中にはZ基として水酸基とともに未反応のアルコキシ基が存在することが多い。
When the Z group of the monomer is a hydrolyzable group, examples of the Z group include an alkoxy group, a chlorine atom, an acyloxy group, and an isocyanate group. In many cases, a monomer in which the Z group is an alkoxy group is used as the monomer. Such monomers are also referred to as alkoxysilanes.
The alkoxy group is a hydrolyzable group having a relatively low reactivity compared to a chlorine atom and the like, and a curable silicone obtained by using a monomer (alkoxysilane) in which the Z group is an alkoxy group has a hydroxyl group as the Z group. In addition, unreacted alkoxy groups often exist.

上記シリコーン樹脂となり得る硬化性シリコーンとしては、反応の制御や取り扱いなどの面から、加水分解性オルガノシラン化合物の混合物から得られる部分加水分解縮合物(オルガノポリシロキサン)が好ましい。部分加水分解縮合物は、加水分解性オルガノシラン化合物を上記各オルガノシロキシ単位の割合となるように混合したモノマー混合物を部分的に加水分解縮合させて得られる。部分的に加水分解縮合させる方法は、特に限定されない。通常は、加水分解性オルガノシラン化合物の混合物を溶媒中、触媒存在下で反応させて製造される。触媒としては、酸触媒やアルカリ触媒が使用しうる。また、加水分解反応には通常、水を使用することが好ましい。本発明に使用する部分加水分解縮合物は、溶媒中で加水分解性オルガノシラン化合物の混合物を酸またはアルカリ水溶液の存在下で反応させて製造された物が好ましい。
使用される加水分解性オルガノシラン化合物の好適態様としては、アルコキシシランが挙げられる。つまり、硬化性シリコーンの好適態様の一つとしては、アルコキシシランの加水分解反応および縮合反応により得られた硬化性シリコーンが挙げられる。
アルコキシシランとは、加水分解性基がアルコキシ基である加水分解性オルガノシラン化合物である。アルコキシシランを使用した場合、部分加水分解縮合物の重合度が大きくなりやすく、本発明の効果がより優れる。
The curable silicone that can be the silicone resin is preferably a partially hydrolyzed condensate (organopolysiloxane) obtained from a mixture of hydrolyzable organosilane compounds from the aspects of reaction control and handling. The partially hydrolyzed condensate is obtained by partially hydrolyzing and condensing a monomer mixture in which a hydrolyzable organosilane compound is mixed so as to have the ratio of each of the above organosiloxy units. The method of partially hydrolytic condensation is not particularly limited. Usually, it is produced by reacting a mixture of a hydrolyzable organosilane compound in a solvent in the presence of a catalyst. As the catalyst, an acid catalyst or an alkali catalyst can be used. In addition, it is usually preferable to use water for the hydrolysis reaction. The partial hydrolysis-condensation product used in the present invention is preferably a product produced by reacting a mixture of hydrolyzable organosilane compounds in a solvent in the presence of an acid or alkaline aqueous solution.
A preferred embodiment of the hydrolyzable organosilane compound used is alkoxysilane. In other words, one preferred embodiment of the curable silicone is a curable silicone obtained by hydrolysis and condensation reaction of alkoxysilane.
Alkoxysilane is a hydrolyzable organosilane compound whose hydrolyzable group is an alkoxy group. When alkoxysilane is used, the degree of polymerization of the partially hydrolyzed condensate tends to increase, and the effects of the present invention are more excellent.

上記硬化性シリコーンの重量平均分子量(Mw)は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、5000〜60000が好ましく、5000〜30000がより好ましい。Mwが5000以上だと塗布性の観点で優れており、Mwが60000以下だと溶媒への溶解性、塗布性の観点でよい。   Although the weight average molecular weight (Mw) of the said curable silicone is not restrict | limited in particular, 5000-60000 are preferable and 5000-30000 are more preferable at the point which the effect of this invention is more excellent. When Mw is 5000 or more, it is excellent from the viewpoint of applicability, and when Mw is 60000 or less, solubility in a solvent and applicability may be sufficient.

上述したシリコーン樹脂層14の製造方法は特に制限されず、公知の方法を採用できる。シリコーン樹脂層14の製造方法としては、後述するように、支持基材12上に上記シリコーン樹脂となる硬化性シリコーンを塗布し、その硬化性シリコーンを架橋硬化させてシリコーン樹脂層14とすることが好ましい。支持基材12上に硬化性シリコーンの層を形成するためには、硬化性シリコーンを含む硬化性組成物を使用し、この硬化性組成物を支持基材12上に塗布して、必要に応じて溶媒を除去して、硬化性シリコーンの層とすることが好ましい。
硬化性組成物には溶媒が含まれていてもよく、その場合、溶媒の濃度の調整などにより硬化性シリコーンの層の厚さを制御することができる。なかでも、取扱い性に優れ、シリコーン樹脂層14の膜厚の制御がより容易である点から、硬化性シリコーンを含む硬化性組成物中における硬化性シリコーンの含有量は、組成物全質量に対して、1〜100質量%が好ましく、1〜50質量%がより好ましい。
溶媒としては、作業環境下で硬化性シリコーンを容易に溶解でき、かつ、容易に揮発除去できる溶媒であれば、特に限定されない。具体的には、例えば、酢酸ブチル、2−ヘプタノン、1−メトキシ−2−プロパノールアセテート等を例示できる。
The manufacturing method in particular of the silicone resin layer 14 mentioned above is not restrict | limited, A well-known method is employable. As a manufacturing method of the silicone resin layer 14, as described later, a curable silicone that becomes the silicone resin is applied on the support base 12, and the curable silicone is crosslinked and cured to form the silicone resin layer 14. preferable. In order to form a layer of curable silicone on the support substrate 12, a curable composition containing curable silicone is used, and this curable composition is applied onto the support substrate 12, and if necessary. The solvent is preferably removed to form a curable silicone layer.
The curable composition may contain a solvent. In that case, the thickness of the curable silicone layer can be controlled by adjusting the concentration of the solvent. Among them, the content of the curable silicone in the curable composition containing the curable silicone is based on the total mass of the composition because the handleability is excellent and the control of the film thickness of the silicone resin layer 14 is easier. 1 to 100% by mass is preferable, and 1 to 50% by mass is more preferable.
The solvent is not particularly limited as long as the curable silicone can be easily dissolved in the working environment and can be easily volatilized and removed. Specific examples include butyl acetate, 2-heptanone, 1-methoxy-2-propanol acetate and the like.

また、硬化性シリコーンの硬化性を促進するためには、必要に応じて、硬化触媒が硬化性組成物に含まれていてもよい。
硬化触媒は、硬化性シリコーンの加水分解反応および/または縮合反応を促進させる触媒である。硬化触媒としては、有機金属系硬化触媒が望ましく、例えば、ジアセチル錫ジアセテート、ジブチル錫ジラウレート、ジブチル錫ジアセテート、ジオクチル錫ジラウレート、ジアセチル錫ジオクトエート、オクチル酸錫などの有機錫化合物;アルミニウムトリメトキシド、アルミニウムトリス(アセチルアセトネート)、アルミニウムトリ−n−ブトキシド、アルミニウムトリス(アセトアセテートエチル)、アルミニウムジイソプロポキシ(アセトアセテートエチル)、アルミニウムアセチルアセトナート等の有機アルミニウム化合物;チタニウムテトラ(モノエチルエトキシド)、チタニウムテトラ(モノエチルエトキシド)、チタニウムテトラ(モノブチルエトキシド)等の有機チタン化合物;ジルコニウムテトラ(モノメチルエトキシド)、ジルコニウムテトラ(モノエチルエトキシド)、ジルコニウムテトラ(モノブチルエトキシド)、ジルコニウムノルマルプロピレート等の有機ジルコニウム化合物等;が挙げられ、これらは単独でまたは2種以上併用して使用できる。
硬化触媒の使用量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、硬化性シリコーン100質量部に対して、0.01〜20質量部が好ましく、0.05〜10質量部がより好ましい。
Moreover, in order to accelerate | stimulate sclerosis | hardenability of curable silicone, the curing catalyst may be contained in the curable composition as needed.
The curing catalyst is a catalyst that accelerates the hydrolysis reaction and / or condensation reaction of the curable silicone. The curing catalyst is preferably an organometallic curing catalyst, for example, an organic tin compound such as diacetyltin diacetate, dibutyltin dilaurate, dibutyltin diacetate, dioctyltin dilaurate, diacetyltin dioctoate, tin octylate; aluminum trimethoxide Organic aluminum compounds such as aluminum tris (acetylacetonate), aluminum tri-n-butoxide, aluminum tris (acetoacetate ethyl), aluminum diisopropoxy (acetoacetate ethyl), aluminum acetylacetonate; titanium tetra (monoethylethoxy) ), Organic titanium compounds such as titanium tetra (monoethyl ethoxide), titanium tetra (monobutyl ethoxide); zirconium tetra (monomethyl ethoxide) De), zirconium tetra (monoethyl ethoxide), zirconium tetra (monobutyl ethoxide), organic zirconium compound zirconium n-propylate and the like, and the like; and the like, which can be used alone or in combination of two or more.
Although the usage-amount of a curing catalyst is not restrict | limited in particular, 0.01-20 mass parts is preferable with respect to 100 mass parts of curable silicone at the point which the effect of this invention is more excellent, and 0.05-10 mass parts is more. preferable.

また、硬化性組成物には、種々の添加剤が含まれていてもよい。例えば、レべリング剤が含まれていてもよい。レべリング剤としては、メガファックF558、メガファックF560、メガファックF561(いずれもDIC社製)などのフッ素系のレべリング剤が挙げられる。なかでも、0.1%PGME溶液の表面張力(mN/m)が、19(mN/m)から27(mN/m)であるレべリング剤が好ましく、上記表面張力の範囲は、20(mN/m)から25(mN/m)がより好ましく、22(mN/m)から24(mN/m)がさらに好ましい。   Moreover, various additives may be contained in the curable composition. For example, a leveling agent may be included. Examples of the leveling agent include fluorine-based leveling agents such as Megafac F558, Megafac F560, and Megafac F561 (all manufactured by DIC). Especially, the leveling agent whose surface tension (mN / m) of a 0.1% PGME solution is 19 (mN / m) to 27 (mN / m) is preferable, and the range of the surface tension is 20 ( mN / m) to 25 (mN / m) is more preferable, and 22 (mN / m) to 24 (mN / m) is more preferable.

なお、硬化性シリコーンを用いてシリコーン樹脂層を形成する手順に関しては、後段において詳述する。   The procedure for forming the silicone resin layer using curable silicone will be described in detail later.

[ガラス積層体およびその製造方法]
本発明のガラス積層体10は、上述したように、支持基材12とガラス基板16とそれらの間にシリコーン樹脂層14が存在する積層体である。
本発明のガラス積層体10の製造方法は特に制限されないが、剥離強度(x)が剥離強度(y)よりも高い積層体を得るために、支持基材12表面上でシリコーン樹脂層14を形成する方法が好ましい。なかでも、硬化性シリコーンを支持基材12の表面に塗布し、硬化処理を施して、支持基材12表面上でシリコーン樹脂層14を形成し、次いで、シリコーン樹脂層14のシリコーン樹脂面にガラス基板16を積層して、ガラス積層体10を製造する方法が好ましい。
硬化性シリコーンを支持基材12表面で硬化させると、硬化反応時の支持基材12表面との相互作用により接着し、シリコーン樹脂と支持基材12表面との剥離強度は高くなると考えられる。したがって、ガラス基板16と支持基材12とが同じ材質からなるものであっても、シリコーン樹脂層14と両者間の剥離強度に差を設けることができる。
以下、硬化性シリコーンの層を支持基材12の表面に形成し、支持基材12表面上でシリコーン樹脂層14を形成する工程を樹脂層形成工程、シリコーン樹脂層14のシリコーン樹脂面にガラス基板16を積層してガラス積層体10とする工程を積層工程といい、各工程の手順について詳述する。
[Glass laminate and manufacturing method thereof]
As described above, the glass laminate 10 of the present invention is a laminate in which the support base 12, the glass substrate 16, and the silicone resin layer 14 exist between them.
Although the manufacturing method of the glass laminated body 10 of this invention is not restrict | limited in particular, In order to obtain a laminated body whose peeling strength (x) is higher than peeling strength (y), the silicone resin layer 14 is formed on the support base material 12 surface. Is preferred. Especially, curable silicone is apply | coated to the surface of the support base material 12, a hardening process is performed, the silicone resin layer 14 is formed on the support base material 12 surface, and glass is then formed on the silicone resin surface of the silicone resin layer 14 A method of manufacturing the glass laminate 10 by laminating the substrate 16 is preferable.
When the curable silicone is cured on the surface of the support substrate 12, it is considered that the curable silicone adheres due to the interaction with the surface of the support substrate 12 during the curing reaction, and the peel strength between the silicone resin and the surface of the support substrate 12 increases. Therefore, even if the glass substrate 16 and the support base 12 are made of the same material, a difference can be provided in the peel strength between the silicone resin layer 14 and the both.
Hereinafter, a step of forming a curable silicone layer on the surface of the support base 12 and forming the silicone resin layer 14 on the surface of the support base 12 is a resin layer forming step, and a glass substrate is formed on the silicone resin surface of the silicone resin layer 14. The process of laminating 16 to form the glass laminate 10 is called a lamination process, and the procedure of each process will be described in detail.

(樹脂層形成工程)
樹脂層形成工程では、硬化性シリコーンの層を支持基材12の表面に形成し、支持基材12表面上でシリコーン樹脂層14を形成する。
支持基材12上に硬化性シリコーンの層を形成するためには、硬化性シリコーンを溶媒に溶解させたコーティング用組成物(硬化性組成物に該当)を使用し、この組成物を支持基材12上に塗布して溶液の層を形成し、次いで硬化処理を施してシリコーン樹脂層14とすることが好ましい。
(Resin layer forming process)
In the resin layer forming step, a curable silicone layer is formed on the surface of the support substrate 12, and the silicone resin layer 14 is formed on the surface of the support substrate 12.
In order to form a layer of curable silicone on the support substrate 12, a coating composition in which the curable silicone is dissolved in a solvent (corresponding to the curable composition) is used, and this composition is used as the support substrate. It is preferable to apply on 12 and form a solution layer, and then apply a curing treatment to form a silicone resin layer 14.

支持基材12表面上に硬化性組成物を塗布する方法は特に限定されず、公知の方法を使用することができる。例えば、スプレーコート法、ダイコート法、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法、バーコート法、スクリーン印刷法、グラビアコート法などが挙げられる。   The method for applying the curable composition on the surface of the support substrate 12 is not particularly limited, and a known method can be used. Examples thereof include spray coating, die coating, spin coating, dip coating, roll coating, bar coating, screen printing, and gravure coating.

次いで、支持基材12上の硬化性シリコーンを硬化させて、シリコーン樹脂層14を形成する。より具体的には、図2(A)に示すように、該工程では支持基材12の少なくとも片面の表面上にシリコーン樹脂層14が形成される。
硬化の方法は特に制限されないが、通常、熱硬化処理により行われる。
熱硬化させる温度条件は、150〜550℃が好ましく、200〜450℃がより好ましい。また、加熱時間は、通常、10〜300分が好ましく、20〜120分がより好ましい。なお、加熱条件は、温度条件を変えて段階的に実施してもよい。
Next, the curable silicone on the support substrate 12 is cured to form the silicone resin layer 14. More specifically, as shown in FIG. 2A, in this step, a silicone resin layer 14 is formed on the surface of at least one side of the support base 12.
The curing method is not particularly limited, but is usually performed by a heat curing treatment.
150-550 degreeC is preferable and, as for the temperature conditions to thermoset, 200-450 degreeC is more preferable. The heating time is usually preferably 10 to 300 minutes and more preferably 20 to 120 minutes. Note that the heating condition may be implemented stepwise by changing the temperature condition.

なお、熱硬化処理においては、プレキュア(予備硬化)を行った後硬化(本硬化)を行って硬化させることが好ましい。プレキュアを行うことにより耐熱性に優れたシリコーン樹脂層14を得ることができる。プレキュアは溶媒の除去に引き続き行うことが好ましく、その場合、層から溶媒を除去して架橋物の層を形成する工程とプレキュアを行う工程とは特に区別されない。溶媒の除去は100℃以上に加熱して行うことが好ましく、150℃以上に加熱することにより引き続きプレキュアを行うことができる。溶媒の除去とプレキュアを行う温度および加熱時間は、100〜420℃、5〜60分が好ましく、150〜300℃、10〜30分がより好ましい。420℃以下であると剥離容易なシリコーン樹脂層が得られる。   In the thermosetting treatment, it is preferable to perform curing (main curing) after curing (precuring) and curing. By performing precure, the silicone resin layer 14 excellent in heat resistance can be obtained. Precuring is preferably performed following the removal of the solvent. In that case, there is no particular distinction between the step of removing the solvent from the layer to form a crosslinked layer and the step of performing precuring. The removal of the solvent is preferably performed by heating to 100 ° C. or higher, and precure can be continued by heating to 150 ° C. or higher. The temperature at which the solvent is removed and precured and the heating time are preferably 100 to 420 ° C. and 5 to 60 minutes, and more preferably 150 to 300 ° C. and 10 to 30 minutes. A silicone resin layer that is easily peeled when the temperature is 420 ° C. or lower is obtained.

(積層工程)
積層工程は、上記の樹脂層形成工程で得られたシリコーン樹脂層14のシリコーン樹脂面上にガラス基板16を積層し、支持基材12の層とシリコーン樹脂層14とガラス基板16の層とをこの順で備えるガラス積層体10を得る工程である。より具体的には、図2(B)に示すように、シリコーン樹脂層14の支持基材12側とは反対側の表面14aと、第1主面16aおよび第2主面16bを有するガラス基板16の第1主面16aとを積層面として、シリコーン樹脂層14とガラス基板16とを積層し、ガラス積層体10を得る。
(Lamination process)
In the laminating step, the glass substrate 16 is laminated on the silicone resin surface of the silicone resin layer 14 obtained in the resin layer forming step, and the layer of the supporting base 12, the silicone resin layer 14, and the glass substrate 16 are laminated. This is a step of obtaining the glass laminate 10 provided in this order. More specifically, as shown in FIG. 2 (B), a glass substrate having a surface 14a opposite to the support base 12 side of the silicone resin layer 14, and a first main surface 16a and a second main surface 16b. The silicone resin layer 14 and the glass substrate 16 are laminated by using the first principal surface 16a of 16 as a lamination surface, and the glass laminate 10 is obtained.

ガラス基板16をシリコーン樹脂層14上に積層する方法は特に制限されず、公知の方法を採用することができる。
例えば、常圧環境下でシリコーン樹脂層14の表面上にガラス基板16を重ねる方法が挙げられる。なお、必要に応じて、シリコーン樹脂層14の表面上にガラス基板16を重ねた後、ロールやプレスを用いてシリコーン樹脂層14にガラス基板16を圧着させてもよい。ロールまたはプレスによる圧着により、シリコーン樹脂層14とガラス基板16との間に混入している気泡が比較的容易に除去されるので好ましい。
The method in particular of laminating | stacking the glass substrate 16 on the silicone resin layer 14 is not restrict | limited, A well-known method is employable.
For example, a method of stacking the glass substrate 16 on the surface of the silicone resin layer 14 under a normal pressure environment can be mentioned. If necessary, after the glass substrate 16 is overlaid on the surface of the silicone resin layer 14, the glass substrate 16 may be pressure-bonded to the silicone resin layer 14 using a roll or a press. Air bubbles mixed between the silicone resin layer 14 and the glass substrate 16 can be removed relatively easily by pressure bonding using a roll or a press, which is preferable.

真空ラミネート法や真空プレス法により圧着すると、気泡の混入の抑制や良好な密着の確保が行われるのでより好ましい。真空下で圧着することにより、微小な気泡が残存した場合でも、加熱により気泡が成長することがなく、ガラス基板16のゆがみ欠陥につながりにくいという利点もある。   When pressure bonding is performed by a vacuum laminating method or a vacuum pressing method, it is more preferable because it suppresses mixing of bubbles and secures good adhesion. By press-bonding under vacuum, even if minute bubbles remain, there is an advantage that the bubbles do not grow by heating and are not likely to lead to a distortion defect of the glass substrate 16.

ガラス基板16を積層する際には、シリコーン樹脂層14に接触するガラス基板16の表面を十分に洗浄し、クリーン度の高い環境で積層することが好ましい。クリーン度が高いほど、ガラス基板16の平坦性は良好となるので好ましい。   When laminating the glass substrate 16, it is preferable that the surface of the glass substrate 16 in contact with the silicone resin layer 14 is sufficiently washed and laminated in an environment with a high degree of cleanliness. The higher the degree of cleanliness, the better the flatness of the glass substrate 16, which is preferable.

なお、ガラス基板16を積層した後、必要に応じて、プレアニール処理(加熱処理)を行ってもよい。該プレアニール処理を行うことにより、積層されたガラス基板16のシリコーン樹脂層14に対する密着性が向上し、適切な剥離強度(y)とすることができ、後述する部材形成工程の際に電子デバイス用部材の位置ずれなどが生じにくくなり、電子デバイスの生産性が向上する。
プレアニール処理の条件は使用されるシリコーン樹脂層14の種類に応じて適宜最適な条件が選択されるが、ガラス基板16とシリコーン樹脂層14の間の剥離強度(y)をより適切なものとする点から、300℃以上(好ましくは、300〜400℃)で5分間以上(好ましく、5〜30分間)加熱処理を行うことが好ましい。
In addition, after laminating | stacking the glass substrate 16, you may perform a pre-annealing process (heat processing) as needed. By performing the pre-annealing treatment, the adhesion of the laminated glass substrate 16 to the silicone resin layer 14 can be improved, and an appropriate peel strength (y) can be obtained. Misalignment of members is less likely to occur, and the productivity of electronic devices is improved.
The conditions for the pre-annealing treatment are appropriately selected according to the type of the silicone resin layer 14 to be used, but the peel strength (y) between the glass substrate 16 and the silicone resin layer 14 is more appropriate. From this point, it is preferable to perform heat treatment at 300 ° C. or higher (preferably 300 to 400 ° C.) for 5 minutes or longer (preferably 5 to 30 minutes).

なお、ガラス基板16の第1主面に対する剥離強度と支持基材12の第1主面に対する剥離強度に差を設けたシリコーン樹脂層14の形成は、上記方法に限られるものではない。
例えば、シリコーン樹脂層14表面に対する密着性がガラス基板16よりも高い材質の支持基材12を用いる場合には、上記硬化性シリコーンを何らかの剥離性表面上で硬化してシリコーン樹脂のフィルムを製造し、このフィルムをガラス基板16と支持基材12との間に介在させ同時に積層することができる。
また、硬化性シリコーンの硬化による接着性がガラス基板16に対して充分低くかつその接着性が支持基材12に対して充分高い場合は、ガラス基板16と支持基材12の間で架橋物を硬化させてシリコーン樹脂層14を形成することができる。
さらに、支持基材12がガラス基板16と同様のガラス材料からなる場合であっても、支持基材12表面の接着性を高める処理を施してシリコーン樹脂層14に対する剥離強度を高めることもできる。例えば、シランカップリング剤のような化学的に固定力を向上させる化学的方法(プライマー処理)や、フレーム(火炎)処理のように表面活性基を増加させる物理的方法、サンドブラスト処理のように表面の粗度を増加させることにより引っかかりを増加させる機械的処理方法などが例示される。
In addition, formation of the silicone resin layer 14 which provided the difference in the peeling strength with respect to the 1st main surface of the glass substrate 16 and the peeling strength with respect to the 1st main surface of the support base material 12 is not restricted to the said method.
For example, in the case where the support base material 12 having a higher adhesion to the surface of the silicone resin layer 14 than the glass substrate 16 is used, the curable silicone is cured on some peelable surface to produce a silicone resin film. The film can be interposed between the glass substrate 16 and the support base 12 and laminated simultaneously.
Moreover, when the adhesiveness by hardening of curable silicone is low enough with respect to the glass substrate 16, and the adhesiveness is high enough with respect to the support base material 12, a crosslinked material is formed between the glass substrate 16 and the support base material 12. The silicone resin layer 14 can be formed by curing.
Furthermore, even when the support base 12 is made of the same glass material as that of the glass substrate 16, it is possible to increase the peel strength with respect to the silicone resin layer 14 by performing a process for improving the adhesion of the support base 12 surface. For example, a chemical method (primer treatment) that improves the fixing force chemically such as a silane coupling agent, a physical method that increases surface active groups such as a flame (flame) treatment, or a surface such as a sandblast treatment Examples of such a mechanical processing method increase the catch by increasing the roughness of the material.

(ガラス積層体)
本発明のガラス積層体10は、種々の用途に使用することができ、例えば、後述する表示装置用パネル、PV、薄膜2次電池、表面に回路が形成された半導体ウェハ等の電子部品を製造する用途などが挙げられる。なお、該用途では、ガラス積層体10が高温条件(例えば、550℃以上)で曝される(例えば、1時間以上)場合が多い。
ここで、表示装置用パネルとは、LCD、OLED、電子ペーパー、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションパネル、量子ドットLEDパネル、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)シャッターパネル等が含まれる。
(Glass laminate)
The glass laminate 10 of the present invention can be used for various applications, for example, manufacturing electronic parts such as a display device panel, PV, a thin film secondary battery, and a semiconductor wafer having a circuit formed on the surface, which will be described later. The use to do is mentioned. In this application, the glass laminate 10 is often exposed (for example, 1 hour or longer) under high temperature conditions (for example, 550 ° C. or higher).
Here, the display device panel includes LCD, OLED, electronic paper, plasma display panel, field emission panel, quantum dot LED panel, MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) shutter panel, and the like.

[部材付きガラス基板およびその製造方法]
本発明においては、上述したガラス積層体を用いて、電子デバイスを製造することができる。
以下では、上述したガラス積層体10を用いた態様について詳述する。
ガラス積層体10を用いることにより、ガラス基板と電子デバイス用部材とを含む部材付きガラス基板(電子デバイス用部材付きガラス基板)が製造される。
該部材付きガラス基板の製造方法は特に限定されないが、電子デバイスの生産性に優れる点から、上記ガラス積層体中のガラス基板上に電子デバイス用部材を形成して電子デバイス用部材付き積層体を製造し、得られた電子デバイス用部材付き積層体からシリコーン樹脂層のガラス基板側界面またはシリコーン樹脂層内部を剥離面として部材付きガラス基板と樹脂層付き支持基材とに分離する方法が好ましい。なお、必要に応じて、次いで、部材付きガラス基板の剥離面を清浄化することがより好ましい。
以下、上記ガラス積層体中のガラス基板上に電子デバイス用部材を形成して電子デバイス用部材付き積層体を製造する工程を部材形成工程、電子デバイス用部材付き積層体からシリコーン樹脂層のガラス基板側界面を剥離面として部材付きガラス基板と樹脂層付き支持基材とに分離する工程を分離工程、部材付きガラス基板の剥離面を清浄化する工程を清浄化処理工程という。なお、上述したように、清浄化処理工程は、必要に応じて実施される任意の工程である。
以下に、各工程で使用される材料および手順について詳述する。
[Glass substrate with member and method for producing the same]
In this invention, an electronic device can be manufactured using the glass laminated body mentioned above.
Below, the aspect using the glass laminated body 10 mentioned above is explained in full detail.
By using the glass laminated body 10, the glass substrate with a member (glass substrate with a member for electronic devices) containing a glass substrate and the member for electronic devices is manufactured.
Although the manufacturing method of this glass substrate with a member is not specifically limited, From the point which is excellent in productivity of an electronic device, the member for electronic devices is formed on the glass substrate in the said glass laminated body, and the laminated body with an electronic device member is used. A method of separating the manufactured and obtained laminated body with a member for electronic devices into a glass substrate with a member and a supporting substrate with a resin layer by using the glass substrate side interface of the silicone resin layer or the inside of the silicone resin layer as a release surface is preferable. In addition, it is more preferable to clean the peeling surface of a glass substrate with a member next as needed.
Hereinafter, the step of forming a member for an electronic device by forming a member for an electronic device on the glass substrate in the glass laminate is a member forming step, and the glass substrate for the silicone resin layer from the laminate with the member for an electronic device. The step of separating the glass substrate with a member and the support base with a resin layer using the side interface as a separation surface is referred to as a separation step, and the step of cleaning the separation surface of the glass substrate with a member is referred to as a cleaning treatment step. In addition, as above-mentioned, the cleaning process process is an arbitrary process implemented as needed.
The materials and procedures used in each process are described in detail below.

(部材形成工程)
部材形成工程は、上記積層工程において得られたガラス積層体10中のガラス基板16上に電子デバイス用部材を形成する工程である。より具体的には、図2(C)に示すように、ガラス基板16の第2主面16b(露出表面)上に電子デバイス用部材22を形成し、電子デバイス用部材付き積層体24を得る。
まず、本工程で使用される電子デバイス用部材22について詳述し、その後工程の手順について詳述する。
(Member formation process)
A member formation process is a process of forming the member for electronic devices on the glass substrate 16 in the glass laminated body 10 obtained in the said lamination process. More specifically, as shown in FIG. 2C, the electronic device member 22 is formed on the second main surface 16b (exposed surface) of the glass substrate 16 to obtain a laminate 24 with the electronic device member. .
First, the electronic device member 22 used in this step will be described in detail, and the procedure of the subsequent steps will be described in detail.

(電子デバイス用部材(機能性素子))
電子デバイス用部材22は、ガラス積層体10中のガラス基板16上に形成され電子デバイスの少なくとも一部を構成する部材である。より具体的には、電子デバイス用部材22としては、表示装置用パネル、太陽電池、薄膜2次電池、または、表面に回路が形成された半導体ウェハ等の電子部品などに用いられる部材(例えば、表示装置用部材、太陽電池用部材、薄膜2次電池用部材、電子部品用回路)が挙げられる。
(Electronic device components (functional elements))
The electronic device member 22 is a member that is formed on the glass substrate 16 in the glass laminate 10 and constitutes at least a part of the electronic device. More specifically, as the electronic device member 22, a member used for an electronic component such as a display panel, a solar cell, a thin film secondary battery, or a semiconductor wafer having a circuit formed on its surface (for example, Display member, solar cell member, thin film secondary battery member, electronic component circuit).

例えば、太陽電池用部材としては、シリコン型では、正極の酸化スズなど透明電極、p層/i層/n層で表されるシリコン層、および負極の金属等が挙げられ、その他に、化合物型、色素増感型、量子ドット型などに対応する各種部材等を挙げることができる。
また、薄膜2次電池用部材としては、リチウムイオン型では、正極および負極の金属または金属酸化物等の透明電極、電解質層のリチウム化合物、集電層の金属、封止層としての樹脂等が挙げられ、その他に、ニッケル水素型、ポリマー型、セラミックス電解質型などに対応する各種部材等を挙げることができる。
また、電子部品用回路としては、CCDやCMOSでは、導電部の金属、絶縁部の酸化ケイ素や窒化珪素等が挙げられ、その他に圧力センサ・加速度センサなど各種センサやリジッドプリント基板、フレキシブルプリント基板、リジッドフレキシブルプリント基板などに対応する各種部材等を挙げることができる。
For example, as a member for a solar cell, a silicon type includes a transparent electrode such as tin oxide of a positive electrode, a silicon layer represented by p layer / i layer / n layer, a metal of a negative electrode, and the like. And various members corresponding to the dye-sensitized type, the quantum dot type, and the like.
Further, as a member for a thin film secondary battery, in the lithium ion type, a transparent electrode such as a metal or a metal oxide of a positive electrode and a negative electrode, a lithium compound of an electrolyte layer, a metal of a current collecting layer, a resin as a sealing layer, etc. In addition, various members corresponding to nickel hydrogen type, polymer type, ceramic electrolyte type and the like can be mentioned.
In addition, as a circuit for an electronic component, in a CCD or CMOS, a metal of a conductive part, a silicon oxide or a silicon nitride of an insulating part, and the like, various sensors such as a pressure sensor and an acceleration sensor, a rigid printed board, a flexible printed board And various members corresponding to a rigid flexible printed circuit board.

(工程の手順)
上述した電子デバイス用部材付き積層体24の製造方法は特に限定されず、電子デバイス用部材の構成部材の種類に応じて従来公知の方法にて、ガラス積層体10のガラス基板16の第2主面16b表面上に、電子デバイス用部材22を形成する。
なお、電子デバイス用部材22は、ガラス基板16の第2主面16bに最終的に形成される部材の全部(以下、「全部材」という)ではなく、全部材の一部(以下、「部分部材」という)であってもよい。シリコーン樹脂層14から剥離された部分部材付きガラス基板を、その後の工程で全部材付きガラス基板(後述する電子デバイスに相当)とすることもできる。
また、シリコーン樹脂層14から剥離された、全部材付きガラス基板には、その剥離面(第1主面16a)に他の電子デバイス用部材が形成されてもよい。また、全部材付き積層体を組み立て、その後、全部材付き積層体から支持基材12を剥離して、電子デバイスを製造することもできる。さらに、全部材付き積層体を2枚用いて組み立て、その後、全部材付き積層体から2枚の支持基材12を剥離して、2枚のガラス基板を有する部材付きガラス基板を製造することもできる。
(Process procedure)
The manufacturing method of the laminated body 24 with the member for electronic devices mentioned above is not specifically limited, According to the conventionally well-known method according to the kind of structural member of the member for electronic devices, the 2nd main of the glass substrate 16 of the glass laminated body 10 is used. The electronic device member 22 is formed on the surface 16b surface.
The electronic device member 22 is not all of the members finally formed on the second main surface 16b of the glass substrate 16 (hereinafter referred to as “all members”), but a part of all the members (hereinafter referred to as “parts”). May be referred to as a member. The glass substrate with a partial member peeled from the silicone resin layer 14 can be used as a glass substrate with an all member (corresponding to an electronic device described later) in the subsequent steps.
Moreover, the other electronic device member may be formed in the peeling surface (1st main surface 16a) in the glass substrate with all the members peeled from the silicone resin layer 14. FIG. Moreover, an electronic device can also be manufactured by assembling a laminate with all members and then peeling the support substrate 12 from the laminate with all members. Furthermore, it is also possible to assemble using two laminates with all members, and then peel off the two support bases 12 from the laminate with all members to produce a glass substrate with a member having two glass substrates. it can.

例えば、OLEDを製造する場合を例にとると、ガラス積層体10のガラス基板16のシリコーン樹脂層14側とは反対側の表面上(ガラス基板16の第2主面16bに該当)に有機EL構造体を形成するために、透明電極を形成する、さらに透明電極を形成した面上にホール注入層・ホール輸送層・発光層・電子輸送層等を蒸着する、裏面電極を形成する、封止板を用いて封止する、等の各種の層形成や処理が行われる。これらの層形成や処理として、具体的には、例えば、成膜処理、蒸着処理、封止板の接着処理等が挙げられる。   For example, when an OLED is manufactured as an example, an organic EL is formed on the surface of the glass laminate 10 opposite to the silicone resin layer 14 side of the glass substrate 16 (corresponding to the second main surface 16b of the glass substrate 16). In order to form a structure, a transparent electrode is formed, and a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, etc. are deposited on the surface on which the transparent electrode is formed, a back electrode is formed, and sealing is performed. Various layers are formed and processed, such as sealing with a plate. Specific examples of the layer formation and processing include film formation processing, vapor deposition processing, sealing plate adhesion processing, and the like.

また、例えば、TFT−LCDを製造する場合は、ガラス積層体10のガラス基板16の第2主面16b上に、レジスト液を用いて、CVD法およびスパッター法など、一般的な成膜法により形成される金属膜および金属酸化膜等にパターン形成して薄膜トランジスタ(TFT)を形成するTFT形成工程と、別のガラス積層体10のガラス基板16の第2主面16b上に、レジスト液をパターン形成に用いてカラーフィルタ(CF)を形成するCF形成工程と、TFT形成工程で得られたTFT付き積層体とCF形成工程で得られたCF付き積層体とを積層する貼合わせ工程等の各種工程を有する。   Further, for example, when manufacturing a TFT-LCD, a resist film is used on the second main surface 16b of the glass substrate 16 of the glass laminate 10 by a general film forming method such as a CVD method or a sputtering method. A TFT forming step of forming a thin film transistor (TFT) by patterning the formed metal film, metal oxide film, etc., and patterning a resist solution on the second main surface 16b of the glass substrate 16 of another glass laminate 10 Various processes such as a CF forming step for forming a color filter (CF) to be used for forming, a laminating step for laminating a laminated body with TFT obtained in the TFT forming step and a laminated body with CF obtained in the CF forming step, etc. Process.

TFT形成工程やCF形成工程では、周知のフォトリソグラフィ技術やエッチング技術等を用いて、ガラス基板16の第2主面16bにTFTやCFを形成する。この際、パターン形成用のコーティング液としてレジスト液が用いられる。
なお、TFTやCFを形成する前に、必要に応じて、ガラス基板16の第2主面16bを洗浄してもよい。洗浄方法としては、周知のドライ洗浄やウェット洗浄を用いることができる。
In the TFT formation process and the CF formation process, the TFT and the CF are formed on the second main surface 16b of the glass substrate 16 by using a well-known photolithography technique, etching technique, or the like. At this time, a resist solution is used as a coating solution for pattern formation.
In addition, before forming TFT and CF, you may wash | clean the 2nd main surface 16b of the glass substrate 16 as needed. As a cleaning method, known dry cleaning or wet cleaning can be used.

貼合わせ工程では、TFT付き積層体の薄膜トランジスタ形成面と、CF付き積層体のカラーフィルタ形成面とを対向させて、シール剤(例えば、セル形成用紫外線硬化型シール剤)を用いて貼り合わせる。その後、TFT付き積層体とCF付き積層体とで形成されたセル内に、液晶材を注入する。液晶材を注入する方法としては、例えば、減圧注入法、滴下注入法がある。   In the laminating step, the thin film transistor forming surface of the laminated body with TFT and the color filter forming surface of the laminated body with CF are opposed to each other using a sealing agent (for example, an ultraviolet curable sealing agent for cell formation). Thereafter, a liquid crystal material is injected into a cell formed by the laminate with TFT and the laminate with CF. Examples of the method for injecting the liquid crystal material include a reduced pressure injection method and a drop injection method.

(分離工程)
分離工程は、上記部材形成工程で得られた電子デバイス用部材付き積層体24から、シリコーン樹脂層14とガラス基板16との界面を剥離面として、電子デバイス用部材22が積層したガラス基板16(部材付きガラス基板)と、シリコーン樹脂層14および支持基材12とに分離して、電子デバイス用部材22およびガラス基板16を含む部材付きガラス基板26を得る工程である。
剥離時のガラス基板16上の電子デバイス用部材22が必要な全構成部材の形成の一部である場合には、分離後、残りの構成部材をガラス基板16上に形成することもできる。
(Separation process)
In the separation step, the glass substrate 16 (on which the electronic device member 22 is laminated) with the interface between the silicone resin layer 14 and the glass substrate 16 as the release surface from the laminate 24 with the electronic device member obtained in the member forming step. This is a step of obtaining a glass substrate 26 with a member including the electronic device member 22 and the glass substrate 16 by separating the glass substrate with a member), the silicone resin layer 14 and the support base 12.
When the electronic device member 22 on the glass substrate 16 at the time of peeling is a part of the formation of all the necessary constituent members, the remaining constituent members can be formed on the glass substrate 16 after separation.

部材付きガラス基板26と樹脂層付き支持基材18とを剥離する方法は、特に限定されない。具体的には、例えば、ガラス基板16とシリコーン樹脂層14との界面に鋭利な刃物状のものを差し込み、剥離のきっかけを与えた上で、水と圧縮空気との混合流体を吹き付けたりして剥離することができる。好ましくは、電子デバイス用部材付き積層体24の支持基材12が上側、電子デバイス用部材22側が下側となるように定盤上に設置し、電子デバイス用部材22側を定盤上に真空吸着し(両面に支持基材が積層されている場合は順次行う)、この状態でまず刃物をガラス基板16−シリコーン樹脂層14界面に刃物を侵入させる。そして、その後に支持基材12側を複数の真空吸着パッドで吸着し、刃物を差し込んだ箇所付近から順に真空吸着パッドを上昇させる。そうするとシリコーン樹脂層14とガラス基板16との界面へ空気層が形成され、その空気層が界面全面に広がり、樹脂層付き支持基材18を容易に剥離することができる。
また、樹脂層付き支持基材18は、新たなガラス基板と積層して、本発明のガラス積層体10を製造することができる。
The method of peeling the glass substrate 26 with a member and the support base material 18 with a resin layer is not specifically limited. Specifically, for example, a sharp blade-like object is inserted into the interface between the glass substrate 16 and the silicone resin layer 14 to give a trigger for peeling, and then a mixed fluid of water and compressed air is sprayed. Can be peeled off. Preferably, the electronic device member-attached laminate 24 is placed on the surface plate so that the support base material 12 is on the upper side and the electronic device member 22 side is on the lower side, and the electronic device member 22 side is vacuumed on the surface plate. In this state, the blade is first allowed to enter the interface between the glass substrate 16 and the silicone resin layer 14. Then, the support substrate 12 side is sucked by a plurality of vacuum suction pads, and the vacuum suction pads are raised in order from the vicinity of the place where the blade is inserted. Then, an air layer is formed at the interface between the silicone resin layer 14 and the glass substrate 16, and the air layer spreads over the entire interface, so that the support substrate 18 with the resin layer can be easily peeled off.
Moreover, the support base material 18 with a resin layer can be laminated | stacked with a new glass substrate, and the glass laminated body 10 of this invention can be manufactured.

なお、電子デバイス用部材付き積層体24から部材付きガラス基板26を分離する際においては、イオナイザによる吹き付けや湿度を制御することにより、シリコーン樹脂層14の欠片が部材付きガラス基板26に静電吸着することをより抑制することができる。   When the glass substrate 26 with a member is separated from the laminated body 24 with a member for electronic devices, the fragments of the silicone resin layer 14 are electrostatically adsorbed to the glass substrate 26 with a member by controlling the spraying and humidity with an ionizer. It can be suppressed more.

[清浄化処理工程]
清浄化処理工程は、上記分離工程で得られた部材付きガラス基板26中のガラス基板16の剥離面(第1主面16a)に清浄化処理を施す工程である。該工程を実施することにより、剥離面に付着したシリコーン樹脂やシリコーン樹脂層、剥離面に付着した上記部材形成工程で発生する金属片やホコリなどの不純物を除去することができ、剥離面の清浄性を維持することができる。結果として、ガラス基板16の剥離面に貼り付けられる位相差フィルムや偏光フィルムなどの粘着性が向上する。
[Cleaning process]
The cleaning treatment step is a step of performing a cleaning treatment on the peeling surface (first main surface 16a) of the glass substrate 16 in the glass substrate with member 26 obtained in the separation step. By performing this step, it is possible to remove impurities such as silicone resin and silicone resin layer adhering to the release surface, metal pieces and dust generated in the member forming step adhering to the release surface, and cleaning the release surface. Sex can be maintained. As a result, the tackiness of a retardation film, a polarizing film, or the like attached to the release surface of the glass substrate 16 is improved.

清浄化処理の方法は、剥離面に付着した樹脂やホコリなどを除去することができれば、特にその方法は制限されない。例えば、付着物を熱的に分解する方法や、プラズマ照射または光照射(例えば、UV照射処理)によって剥離面上の不純物を除去する方法や、溶媒を用いて洗浄処理する方法などが挙げられる。   The method for the cleaning treatment is not particularly limited as long as the resin or dust attached to the release surface can be removed. For example, there are a method of thermally decomposing the deposit, a method of removing impurities on the peeled surface by plasma irradiation or light irradiation (for example, UV irradiation treatment), and a cleaning method using a solvent.

上述した部材付きガラス基板26の製造方法は、携帯電話やPDAのようなモバイル端末に使用される小型の表示装置の製造に好適である。表示装置は主としてLCDまたはOLEDであり、LCDとしては、TN型、STN型、FE型、TFT型、MIM型、IPS型、VA型等を含む。基本的にパッシブ駆動型、アクティブ駆動型のいずれの表示装置の場合でも適用することができる。   The manufacturing method of the glass substrate 26 with a member mentioned above is suitable for manufacture of the small display apparatus used for mobile terminals, such as a mobile telephone and PDA. The display device is mainly an LCD or an OLED, and the LCD includes a TN type, STN type, FE type, TFT type, MIM type, IPS type, VA type, and the like. Basically, the present invention can be applied to both passive drive type and active drive type display devices.

上記方法で製造された部材付きガラス基板26としては、ガラス基板と表示装置用部材を有する表示装置用パネル、ガラス基板と太陽電池用部材を有する太陽電池、ガラス基板と薄膜2次電池用部材を有する薄膜2次電池、ガラス基板と電子デバイス用部材を有する電子部品などが挙げられる。表示装置用パネルとしては、液晶パネル、有機ELパネル、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションパネルなどを含む。   As the glass substrate 26 with a member manufactured by the above method, a panel for a display device having a glass substrate and a member for a display device, a solar cell having a glass substrate and a member for a solar cell, a glass substrate and a member for a thin film secondary battery. Examples thereof include a thin film secondary battery, an electronic component having a glass substrate and an electronic device member. Examples of the display device panel include a liquid crystal panel, an organic EL panel, a plasma display panel, a field emission panel, and the like.

上記においては、ガラス積層体10を用いた態様について詳述したが、ガラス積層体100を用いて上記と同様手順に従って電子デバイスを製造することもできる。
なお、ガラス積層体100を使用した場合は、上記分離工程の際に、支持基材12とシリコーン樹脂層14との界面を剥離面として、支持基材12と、シリコーン樹脂層14、ガラス基板16、および、電子デバイス用部材22を含む電子デバイスとに分離される。
In the above, although the aspect using the glass laminated body 10 was explained in full detail, an electronic device can also be manufactured using the glass laminated body 100 according to the procedure similar to the above.
In addition, when the glass laminated body 100 is used, in the said isolation | separation process, the support base material 12, the silicone resin layer 14, and the glass substrate 16 are used by making the interface of the support base material 12 and the silicone resin layer 14 into a peeling surface. And an electronic device including the electronic device member 22.

以下に、実施例等により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。また、本製造例においては、硬化性シリコーンの評価を以下に示す項目および方法によって行った。
(1)重量平均分子量Mwの評価
ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC、東ソー社製のHLC8220、RI検出、カラム:TSK−GEL SuperHZ、溶離液:テトラヒドロフラン)によってポリスチレン換算分子量を求めた。
EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples and the like, but the present invention is not limited to these examples. In this production example, the curable silicone was evaluated by the following items and methods.
(1) Evaluation of weight average molecular weight Mw The polystyrene conversion molecular weight was calculated | required by the gel permeation chromatography (GPC, HLC8220 by Tosoh Corporation, RI detection, column: TSK-GEL SuperHZ, eluent: tetrahydrofuran).

以下の実施例1〜37、比較例1〜6では、ガラス基板として、無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板(縦274mm、横274mm、板厚0.2mm、線膨張係数38×10-7/℃、旭硝子社製商品名「AN100」)を使用した。また、支持基材としては、同じく無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板(縦274mm、横274mm、板厚0.4mm、線膨張係数38×10-7/℃、旭硝子社製商品名「AN100」)を使用した。 In Examples 1 to 37 and Comparative Examples 1 to 6 below, as a glass substrate, a glass plate made of non-alkali borosilicate glass (length 274 mm, width 274 mm, plate thickness 0.2 mm, linear expansion coefficient 38 × 10 −7 / The product name “AN100” manufactured by Asahi Glass Co., Ltd. was used. Further, as a supporting base material, a glass plate made of non-alkali borosilicate glass (length 274 mm, width 274 mm, plate thickness 0.4 mm, linear expansion coefficient 38 × 10 −7 / ° C., trade name “AN100” manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) )It was used.

<製造例1:硬化性シリコーンS1の製造>
窒素雰囲気中、1Lガラス反応器にメチルトリエトキシシラン(108g)、テトラエトキシシラン(6.5g)を仕込み、0℃に冷却した。冷却後、濃硝酸(2g)を蒸留水(17g)で希釈した溶液を反応器に滴下した。反応溶液温度を0℃に保ち3時間撹拌させた。続いて、反応器にテトラヒドロフラン(75g)、濃硝酸(4g)を蒸留水(33g)で希釈した溶液を加え、室温で1時間撹拌後、反応溶液温度40℃で4時間撹拌した。攪拌終了後、反応溶液を室温まで自然冷却し、蒸留水(300g)、酢酸エチル(300g)を加えた。酢酸エチル相を分離、回収した。酢酸エチル相を無水硫酸マグネシウムで脱水、濾過を行った。真空乾燥することにより、白色固体状の硬化性シリコーンS1を得た(収率85%)。
得られた硬化性シリコーンS1は、GPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)による重量平均分子量(ポリスチレン換算)が、6.0×104であった。29Si NMR測定により、硬化性シリコーンS1の共重合体組成はT/Q=95/5(モル比)と得られた。
<Production Example 1: Production of curable silicone S1>
In a nitrogen atmosphere, methyltriethoxysilane (108 g) and tetraethoxysilane (6.5 g) were charged into a 1 L glass reactor and cooled to 0 ° C. After cooling, a solution obtained by diluting concentrated nitric acid (2 g) with distilled water (17 g) was added dropwise to the reactor. The reaction solution temperature was kept at 0 ° C. and stirred for 3 hours. Subsequently, a solution of tetrahydrofuran (75 g) and concentrated nitric acid (4 g) diluted with distilled water (33 g) was added to the reactor, and the mixture was stirred at room temperature for 1 hour, and then stirred at a reaction solution temperature of 40 ° C. for 4 hours. After completion of the stirring, the reaction solution was naturally cooled to room temperature, and distilled water (300 g) and ethyl acetate (300 g) were added. The ethyl acetate phase was separated and collected. The ethyl acetate phase was dehydrated over anhydrous magnesium sulfate and filtered. By drying in vacuo, a white solid curable silicone S1 was obtained (yield 85%).
The obtained curable silicone S1 had a weight average molecular weight (in terms of polystyrene) by GPC (gel permeation chromatography) of 6.0 × 10 4 . By 29 Si NMR measurement, the copolymer composition of the curable silicone S1 was obtained as T / Q = 95/5 (molar ratio).

<製造例2〜43:硬化性シリコーンS2〜S43の製造>
使用されるモノマーおよびその使用量を表1に示すように変更した以外は、上記製造例1と同様の手順に従って、硬化性シリコーンS2〜S43を製造した。
なお、硬化性シリコーンS42〜S43としては、特許文献1の実施例欄に記載の硬化性シリコーン(S1)および(S6)を使用した。
<Production Examples 2 to 43: Production of curable silicones S2 to S43>
Curable silicones S2 to S43 were produced according to the same procedure as in Production Example 1 except that the monomers used and the amounts used were changed as shown in Table 1.
In addition, as curable silicone S42-S43, the curable silicone (S1) and (S6) as described in the Example column of patent document 1 were used.

<実施例1>
得られた硬化性シリコーン(S1)(100質量部)、レベリング剤メガファックF561(DIC社製、0.2質量部)、および、硬化触媒(Wacker(登録商標) Catalyst F)(旭化成ワッカー社製、3質量部)をシクロヘキサノンに溶解させて硬化性シリコーン(S1)を含む液状物(固形分濃度:40質量%)を作製した。
支持基材を純水洗浄した後、さらにUV洗浄して清浄化した。
次に、支持基材の第1主面上に縦274mmおよび横274mmの大きさで、硬化性シリコーン(S1)を含む液状物を、スピンコータにて塗工した。
次に、これを250℃にて30分間大気中で加熱硬化して、支持基材の第1主面に厚さ4μmのシリコーン樹脂層を形成し、支持体A(樹脂層付き支持基材)を得た。
次に、支持体Aのシリコーン樹脂層の剥離性表面と、該シリコーン樹脂層と同じサイズで厚さ0.2mmのガラス基板(「AN100」。旭硝子株式会社製)の第1主面とを対向させて、室温下、大気圧下、積層装置にて両基板の重心が重なるように両基板を重ね合わせ、ガラス積層体S1を得た。
<Example 1>
The resulting curable silicone (S1) (100 parts by mass), leveling agent MegaFuck F561 (manufactured by DIC, 0.2 parts by mass), and curing catalyst (Wacker (registered trademark) Catalyst F) (manufactured by Asahi Kasei Wacker) 3 parts by mass) was dissolved in cyclohexanone to prepare a liquid (solid content concentration: 40% by mass) containing curable silicone (S1).
The support substrate was cleaned with pure water, and further cleaned by UV cleaning.
Next, a liquid material having a size of 274 mm in length and 274 mm in width and containing curable silicone (S1) was applied on the first main surface of the support base material with a spin coater.
Next, this is heat-cured at 250 ° C. for 30 minutes in the air to form a 4 μm-thick silicone resin layer on the first main surface of the support substrate, and support A (support substrate with resin layer) Got.
Next, the peelable surface of the silicone resin layer of the support A is opposed to the first main surface of a glass substrate (“AN100” manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) having the same size as the silicone resin layer and a thickness of 0.2 mm. Then, the two substrates were superposed at room temperature and atmospheric pressure using a laminating apparatus so that the centers of gravity of both substrates overlapped to obtain a glass laminate S1.

なお、得られたガラス積層体S1は上述した図1のガラス積層体10に該当し、ガラス積層体S1においては、支持基材とシリコーン樹脂層との界面の剥離強度(x)が、シリコーン樹脂層とガラス基板との界面との剥離強度(y)よりも高かった。
また、シリコーン樹脂層とガラス基板との間には、気泡は存在しなかった。
次に、得られたガラス積層体S1を用いた、以下の測定を実施した。以下の評価結果は、後述する表1にまとめて示す。
The obtained glass laminate S1 corresponds to the glass laminate 10 shown in FIG. 1 described above. In the glass laminate S1, the peel strength (x) at the interface between the support substrate and the silicone resin layer is a silicone resin. It was higher than the peel strength (y) between the interface between the layer and the glass substrate.
There were no bubbles between the silicone resin layer and the glass substrate.
Next, the following measurements were performed using the obtained glass laminate S1. The following evaluation results are summarized in Table 1 described later.

[剥離性評価]
ガラス積層体S1から50mm角(縦:50mm×横:50mm)のサンプルを切り出し、このサンプルを550℃(窒素雰囲気下)に加熱した熱風オーブン内に載置し、10分の放置後、取り出した。次いで、ガラス積層体S1のガラス基板の第2主面を定盤に真空吸着させたうえで、ガラス積層体S1の1つのコーナー部のガラス基板とシリコーン樹脂層との間に、厚さ0.1mmのステンレス製刃物を差し込み、上記ガラス基板の第1主面と上記シリコーン樹脂層との間に剥離のきっかけを与えた。そして、ガラス積層体S1の支持基材の第2主面を90mmピッチで複数の真空吸着パッドで吸着した上で、上記コーナー部に近い吸着パッドから順に上昇させることにより、ガラス基板の第1主面とシリコーン樹脂層とを剥離した。
上記結果より、高温加熱処理後もガラス基板が剥離できることが確認された。
なお、シリコーン樹脂層の主要部は支持基材と共にガラス基板から分離され、該結果より、支持基材とシリコーン樹脂層との間の剥離強度(x)が、シリコーン樹脂層とガラス基板との間の剥離強度(y)よりも高いことが確認された。
[Peelability evaluation]
A sample of 50 mm square (length: 50 mm × width: 50 mm) was cut out from the glass laminate S1, this sample was placed in a hot air oven heated to 550 ° C. (in a nitrogen atmosphere), left for 10 minutes, and then taken out. . Subsequently, after vacuum-adsorbing the 2nd main surface of the glass substrate of glass laminated body S1 to a surface plate, thickness 0. between the glass substrate of one corner part of glass laminated body S1, and a silicone resin layer. A 1 mm stainless steel cutting tool was inserted, and a trigger for peeling was given between the first main surface of the glass substrate and the silicone resin layer. And after adsorbing the 2nd main surface of the support base material of glass laminated body S1 with a several vacuum suction pad by 90 mm pitch, it raises in order from the suction pad near the said corner part, and is made into the 1st main surface of a glass substrate. The surface and the silicone resin layer were peeled off.
From the above results, it was confirmed that the glass substrate can be peeled even after the high-temperature heat treatment.
In addition, the main part of the silicone resin layer is separated from the glass substrate together with the support base material, and as a result, the peel strength (x) between the support base material and the silicone resin layer is between the silicone resin layer and the glass substrate. It was confirmed that it was higher than the peel strength (y).

[発泡評価]
ガラス積層体のガラス基板上に電子デバイス用部材を形成する際に、高温条件下での処理が行われている。この処理後に、シリコーン樹脂層とガラス基板との間に直径1mm以上の気泡が存在すると、電子デバイス用部材の位置ずれ等が生じ、工程収率を低下させる場合がある。そのため、加熱処理後において、シリコーン樹脂層とガラス基板との間において、気泡が存在しない、または、気泡の大きさが所定値未満であるようにすることが重要である。そこで、以下の発泡評価を行った。
支持基材とシリコーン樹脂層とガラス基板とが積層された状態のガラス積層体S1から50mm角(縦:50mm×横:50mm)のガラス積層体(測定用サンプル)を切り出し、切り出したガラス積層体を窒素雰囲気下で550℃に加熱した熱風オーブン内に載置し、10分放置後に取り出し、目視にて、切り出したガラス積層体中のシリコーン樹脂層とガラス基板との間の気泡の有無を観察し、以下の基準に従って評価した。
「◎」: 加熱後に気泡がない、または、直径0.5mm以下の気泡が存在する
「○」: 加熱後に直径0.5mm超1mm未満の気泡が存在する
「×」: 加熱後に直径1mm以上の気泡が存在する
「××」: 加熱後に製品基板が全剥がれする
[Foaming evaluation]
When forming the member for electronic devices on the glass substrate of a glass laminated body, the process under high temperature conditions is performed. If bubbles having a diameter of 1 mm or more are present between the silicone resin layer and the glass substrate after this treatment, the position of the electronic device member may be displaced and the process yield may be reduced. Therefore, after the heat treatment, it is important that no bubbles exist between the silicone resin layer and the glass substrate, or the size of the bubbles is less than a predetermined value. Therefore, the following foaming evaluation was performed.
A glass laminate (measurement sample) of 50 mm square (length: 50 mm × width: 50 mm) was cut out from the glass laminate S1 in a state in which the supporting base material, the silicone resin layer, and the glass substrate were laminated, and the cut glass laminate was cut out. Was placed in a hot air oven heated to 550 ° C. in a nitrogen atmosphere, taken out after standing for 10 minutes, and visually observed for the presence of bubbles between the silicone resin layer and the glass substrate in the cut glass laminate. And evaluated according to the following criteria.
“◎”: No bubbles after heating, or bubbles having a diameter of 0.5 mm or less are present “◯”: Bubbles having a diameter of more than 0.5 mm and less than 1 mm are present after heating “×”: Diameter of 1 mm or more after heating Bubbles exist “XX”: The product substrate completely peels off after heating

<実施例2〜37、比較例1〜6>
硬化性シリコーン(S1)を含む液状物の代わりに、下記表1に示す硬化性シリコーン(S2)〜(S43)を含む液状物をそれぞれ使用した以外は、実施例1と同様の手順に従って、ガラス積層体S2〜S43を製造した。
なお、ここでは、硬化性シリコーン(SA)(Aは2〜43の整数)を用いて製造されたガラス積層体を、ガラス積層体SAと呼ぶ。例えば、硬化性シリコーン(S3)を用いて製造されたガラス積層体は、ガラス積層体S3に該当する。
なお、得られたガラス積層体S2〜S43は上述した図1のガラス積層体10に該当し、ガラス積層体S2〜S43においては、支持基材とシリコーン樹脂層との界面の剥離強度(x)が、シリコーン樹脂層とガラス基板との界面の剥離強度(y)よりも高かった。
また、得られたガラス積層体S2〜S43を用いて、上記[剥離性評価]および[発泡評価]を実施した。結果を表1にまとめて示す。
<Examples 2-37, Comparative Examples 1-6>
According to the same procedure as in Example 1, except that liquid materials containing curable silicones (S2) to (S43) shown in Table 1 below were used instead of the liquid material containing curable silicone (S1). Laminates S2 to S43 were produced.
In addition, the glass laminated body manufactured using curable silicone (SA) (A is an integer of 2-43) here is called glass laminated body SA. For example, a glass laminate manufactured using curable silicone (S3) corresponds to the glass laminate S3.
In addition, obtained glass laminated body S2-S43 corresponds to the glass laminated body 10 of FIG. 1 mentioned above, and in glass laminated body S2-S43, the peeling strength (x) of the interface of a support base material and a silicone resin layer. However, the peel strength (y) at the interface between the silicone resin layer and the glass substrate was higher.
Moreover, said [peelability evaluation] and [foaming evaluation] were implemented using obtained glass laminated body S2-S43. The results are summarized in Table 1.

なお、実施例1〜37において、シリコーン樹脂層のガラス基板側の表面粗さRaは、0.1〜20nmの範囲であった。
また、実施例1〜37において、シリコーン樹脂層の厚さは4μmであった。
In Examples 1 to 37, the surface roughness Ra on the glass substrate side of the silicone resin layer was in the range of 0.1 to 20 nm.
Moreover, in Examples 1-37, the thickness of the silicone resin layer was 4 μm.

なお、以下の表1中、「Me基」は、Me(メチル)基を含むオルガノシロキシ単位の全オルガノシロキシ単位に対する含有量(モル%)である。また、「Ph基」は、Ph(フェニル)基を含むオルガノシロキシ単位の全オルガノシロキシ単位に対する含有量(モル%)である。
また、以下の表1中、「D単位」欄、「T単位」欄、および、「Q単位」欄は、それぞれシリコーン樹脂層中のシリコーン樹脂に含まれるD単位、T単位およびQ単位の全オルガノシロキシ単位に対する含有量(モル%)である。
また、上記各単位の含有量は、29Si−NMRにより算出した。
また、表1中、「剥離性評価」欄において、ガラス基板を剥離できた場合を「○」、ガラス基板を剥離できない、または、ガラス基板が破損する場合を「×」として示す。
In Table 1 below, “Me group” is the content (mol%) of the organosiloxy unit containing the Me (methyl) group with respect to all organosiloxy units. The “Ph group” is the content (mol%) of the organosiloxy unit containing a Ph (phenyl) group with respect to all organosiloxy units.
In Table 1 below, the “D unit” column, the “T unit” column, and the “Q unit” column are all D units, T units, and Q units contained in the silicone resin in the silicone resin layer, respectively. The content (mol%) relative to the organosiloxy unit.
The content of each unit was calculated by 29 Si-NMR.
In Table 1, in the “Peelability Evaluation” column, “◯” indicates that the glass substrate can be peeled, and “x” indicates that the glass substrate cannot be peeled or the glass substrate is damaged.

なお、本製造例および比較例においては、シリコーン樹脂層の解析を以下に示す項目および方法によって行った。
(1)シリコーン樹脂層のケイ素原子の結合状態の解析
核磁気共鳴分析装置(固体29Si−NMR:JEOL RESONANCE株式会社製、ECP600)を用いて各オルガノシロキシ単位の含有量(モル%)を求めた。
In addition, in this manufacture example and the comparative example, the analysis of the silicone resin layer was performed by the item and method shown below.
(1) Analysis of bonding state of silicon atoms in silicone resin layer Using a nuclear magnetic resonance analyzer (solid 29 Si-NMR: manufactured by JEOL RESONANCE, ECP600), the content (mol%) of each organosiloxy unit is determined. It was.

(2)シリコーン樹脂層のメチル基を有するオルガノシロキシ単位およびフェニル基を有するオルガノシロキシ単位の解析
核磁気共鳴分析装置(固体H−NMR:JEOL RESONANCE株式会社製、ECP600)を用いてPh基およびMe基に由来するピーク面積比から求めた。シリコーン樹脂層は、ガラス基材上に各実施例および比較例で使用する硬化性シリコーンを含む液状物を、スピンコータにて塗工し、各実施例および比較例の加熱条件にて加熱硬化して、ガラス基材にシリコーン樹脂層を形成後、該シリコーン樹脂層をカミソリ刃で削りとった固体サンプルを使用した。測定法にはDepth2を用い、測定条件はパルス幅2.3μsec、パルス繰り返しの待ち時間15sec、積算回数16scan、MAS回転速度22KHzとした。化学シフトの基準はアダマンタン由来のピークを1.7ppmとした。また、各構造に由来する固体H−NMRの化学シフトは、以下のとおりである。
Ph基:18〜4ppm
Me基:4〜−10ppm
(2) Analysis of an organosiloxy unit having a methyl group and an organosiloxy unit having a phenyl group in a silicone resin layer Using a nuclear magnetic resonance analyzer (solid 1 H-NMR: manufactured by JEOL RESONANCE Co., Ltd., ECP600) It calculated | required from the peak area ratio derived from Me group. The silicone resin layer is formed by applying a liquid material containing a curable silicone used in each example and comparative example on a glass substrate with a spin coater and heating and curing under the heating conditions of each example and comparative example. A solid sample in which a silicone resin layer was formed on a glass substrate and then the silicone resin layer was shaved with a razor blade was used. Depth 2 was used as the measurement method, and the measurement conditions were a pulse width of 2.3 μsec, a pulse repetition waiting time of 15 sec, an integration count of 16 scan, and a MAS rotation speed of 22 KHz. The standard of chemical shift was a peak derived from adamantane at 1.7 ppm. The chemical shift of solid 1 H-NMR derived from each structure is as follows.
Ph group: 18 to 4 ppm
Me group: 4 to -10 ppm

(3)シリコーン樹脂層の膜厚
シリコーン樹脂層の膜厚は接触式膜厚装置である表面粗さ・輪郭形状測定機(東京精密社製 サーフコム1400G−12)を用いて測定した。
(3) Film thickness of the silicone resin layer The film thickness of the silicone resin layer was measured using a surface roughness / contour shape measuring instrument (Surfcom 1400G-12 manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd.), which is a contact film thickness apparatus.

上記表1に示すように、本発明のガラス積層体においては、所定の大きさ以上の気泡の発生は抑制され、ガラス基板の剥離性(分離性)にも優れていた。
一方、比較例1〜6に示すように、所定のシリコーン樹脂層を用いなかった場合、所望の効果が得られなかった。
As shown in Table 1 above, in the glass laminate of the present invention, the generation of bubbles having a predetermined size or more was suppressed, and the peelability (separability) of the glass substrate was excellent.
On the other hand, as shown in Comparative Examples 1 to 6, when the predetermined silicone resin layer was not used, the desired effect was not obtained.

<実施例38>
本例では、実施例1で得たガラス積層体S1を用いてOLEDを製造する。
まず、ガラス積層体S1におけるガラス基板の第2主面上に、プラズマCVD法により窒化シリコン、酸化シリコン、アモルファスシリコンの順に成膜する。次に、イオンドーピング装置により低濃度のホウ素をアモルファスシリコン層に注入し、加熱処理し脱水素処理をおこなう。次に、レーザアニール装置によりアモルファスシリコン層の結晶化処理をおこなう。次に、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングおよびイオンドーピング装置より、低濃度のリンをアモルファスシリコン層に注入し、N型およびP型のTFTエリアを形成する。次に、ガラス基板の第2主面側に、プラズマCVD法により酸化シリコン膜を成膜してゲート絶縁膜を形成した後に、スパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりゲート電極を形成する。次に、フォトリソグラフィ法とイオンドーピング装置により、高濃度のホウ素とリンをN型、P型それぞれの所望のエリアに注入し、ソースエリアおよびドレインエリアを形成する。次に、ガラス基板の第2主面側に、プラズマCVD法による酸化シリコンの成膜で層間絶縁膜を、スパッタリング法によりアルミニウムの成膜およびフォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりTFT電極を形成する。次に、水素雰囲気下、加熱処理し水素化処理をおこなった後に、プラズマCVD法による窒素シリコンの成膜で、パッシベーション層を形成する。次に、ガラス基板の第2主面側に、紫外線硬化性樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ法により平坦化層およびコンタクトホールを形成する。次に、スパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより画素電極を形成する。
続いて、蒸着法により、ガラス基板の第2主面側に、正孔注入層として4,4’,4”−トリス(3−メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン、正孔輸送層としてビス[(N−ナフチル)−N−フェニル]ベンジジン、発光層として8−キノリノールアルミニウム錯体(Alq3)に2,6−ビス[4−[N−(4−メトキシフェニル)−N−フェニル]アミノスチリル]ナフタレン−1,5−ジカルボニトリル(BSN−BCN)を40体積%混合したもの、電子輸送層としてAlq3をこの順に成膜する。次に、スパッタリング法によりアルミニウムを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより対向電極を形成する。次に、ガラス基板の第2主面側に、紫外線硬化型の接着層を介してもう一枚のガラス基板を貼り合わせて封止する。上記手順によって、ガラス基板上に有機EL構造体を形成する。ガラス基板上に有機EL構造体を有するガラス積層体S1(以下、パネルAという。)が、本発明の電子デバイス用部材付き積層体である。
続いて、パネルAの封止体側を定盤に真空吸着させたうえで、パネルAのコーナー部のガラス基板とシリコーン樹脂層との界面に、厚さ0.1mmのステンレス製刃物を差し込み、ガラス基板とシリコーン樹脂層との界面に剥離のきっかけを与える。そして、パネルAの支持基材表面を真空吸着パッドで吸着した上で、吸着パッドを上昇させる。ここで刃物の差し込みは、イオナイザ(キーエンス社製)から除電性流体を当該界面に吹き付けながら行う。次に、形成した空隙へ向けてイオナイザからは引き続き除電性流体を吹き付けながら、かつ、水を剥離前線に差しながら真空吸着パッドを引き上げる。その結果、定盤上に有機EL構造体が形成されたガラス基板のみを残し、樹脂層付き支持基材を剥離することができる。
続いて、分離されたガラス基板をレーザーカッタまたはスクライブ−ブレイク法を用いて切断し、複数のセルに分断した後、有機EL構造体が形成されたガラス基板と対向基板とを組み立てて、モジュール形成工程を実施してOLEDを作製する。こうして得られるOLEDは、特性上問題は生じない。
<Example 38>
In this example, an OLED is manufactured using the glass laminate S1 obtained in Example 1.
First, silicon nitride, silicon oxide, and amorphous silicon are formed in this order on the second main surface of the glass substrate in the glass laminate S1 by plasma CVD. Next, low concentration boron is injected into the amorphous silicon layer by an ion doping apparatus, and heat treatment is performed for dehydrogenation treatment. Next, the amorphous silicon layer is crystallized by a laser annealing apparatus. Next, low concentration phosphorus is implanted into the amorphous silicon layer by an etching and ion doping apparatus using a photolithography method, thereby forming N-type and P-type TFT areas. Next, a silicon oxide film is formed on the second main surface side of the glass substrate by a plasma CVD method to form a gate insulating film, then molybdenum is formed by a sputtering method, and etching is performed using a photolithography method. A gate electrode is formed. Next, high concentration boron and phosphorus are implanted into desired areas of the N-type and P-type by photolithography and an ion doping apparatus, thereby forming a source area and a drain area. Next, an interlayer insulating film is formed on the second main surface side of the glass substrate by silicon oxide film formation by plasma CVD, and a TFT electrode is formed by aluminum film formation by sputtering and etching using photolithography. Next, after a heat treatment and a hydrogenation treatment are performed in a hydrogen atmosphere, a passivation layer is formed by film formation of nitrogen silicon by a plasma CVD method. Next, an ultraviolet curable resin is applied to the second main surface side of the glass substrate, and a planarization layer and a contact hole are formed by photolithography. Next, a film of indium tin oxide is formed by a sputtering method, and a pixel electrode is formed by etching using a photolithography method.
Subsequently, by vapor deposition, 4,4 ′, 4 ″ -tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine as the hole injection layer and bis [ (N-naphthyl) -N-phenyl] benzidine, 8-quinolinol aluminum complex (Alq 3 ) as a light emitting layer, 2,6-bis [4- [N- (4-methoxyphenyl) -N-phenyl] aminostyryl] A mixture of 40% by volume of naphthalene-1,5-dicarbonitrile (BSN-BCN) and Alq 3 as an electron transport layer are formed in this order, and then aluminum is formed by sputtering, followed by photolithography. Next, another glass substrate is pasted on the second main surface side of the glass substrate through an ultraviolet curable adhesive layer. According to the above procedure, an organic EL structure is formed on a glass substrate, and a glass laminate S1 having an organic EL structure on the glass substrate (hereinafter referred to as panel A) is an electron of the present invention. It is a laminated body with a member for devices.
Subsequently, after vacuum-adsorbing the sealing body side of the panel A to the surface plate, a stainless steel knife having a thickness of 0.1 mm is inserted into the interface between the glass substrate and the silicone resin layer at the corner portion of the panel A, and glass A trigger for peeling is given to the interface between the substrate and the silicone resin layer. And after adsorb | sucking the support base material surface of the panel A with a vacuum suction pad, a suction pad is raised. Here, the blade is inserted while spraying a static eliminating fluid on the interface from an ionizer (manufactured by Keyence Corporation). Next, the vacuum suction pad is pulled up while continuing to spray a static eliminating fluid from the ionizer toward the formed gap, and while water is inserted into the peeling front. As a result, only the glass substrate on which the organic EL structure is formed on the surface plate can be left, and the supporting substrate with the resin layer can be peeled off.
Subsequently, the separated glass substrate is cut using a laser cutter or a scribe-break method and divided into a plurality of cells, and then the glass substrate on which the organic EL structure is formed and the counter substrate are assembled to form a module. The process is performed to produce an OLED. The OLED obtained in this way does not have a problem in characteristics.

<実施例39>
本例では、実施例1で得たガラス積層体S1を用いてLCDを製造する。
まず、2枚のガラス積層体S1を準備して、片方のガラス積層体S1−1におけるガラス基板の第2主面上に、プラズマCVD法により窒化シリコン、酸化シリコン、アモルファスシリコンの順に成膜する。次に、イオンドーピング装置により低濃度のホウ素をアモルファスシリコン層に注入し、窒素雰囲気下、加熱処理し脱水素処理をおこなう。次に、レーザアニール装置によりアモルファスシリコン層の結晶化処理をおこなう。次に、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングおよびイオンドーピング装置より、低濃度のリンをアモルファスシリコン層に注入し、N型およびP型のTFTエリアを形成する。次に、ガラス基板の第2主面側に、プラズマCVD法により酸化シリコン膜を成膜しゲート絶縁膜を形成した後に、スパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりゲート電極を形成する。次に、フォトリソグラフィ法とイオンドーピング装置により、高濃度のホウ素とリンをN型、P型それぞれの所望のエリアに注入し、ソースエリアおよびドレインエリアを形成する。次に、ガラス基板の第2主面側に、プラズマCVD法による酸化シリコンの成膜で層間絶縁膜を、スパッタリング法によりアルミニウムの成膜およびフォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりTFT電極を形成する。次に、水素雰囲気下、加熱処理し水素化処理をおこなった後に、プラズマCVD法による窒素シリコンの成膜で、パッシベーション層を形成する。次に、ガラス基板の第2主面側に、紫外線硬化性樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ法により平坦化層およびコンタクトホールを形成する。次に、スパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより画素電極を形成する。
次に、もう片方のガラス積層体S1−2を大気雰囲気下、加熱処理する。次に、ガラス積層体S1におけるガラス基板の第2主面上に、スパッタリング法によりクロムを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより遮光層を形成する。次に、ガラス基板の第2主面側に、ダイコート法によりカラーレジストを塗布し、フォトリソグラフィ法および熱硬化によりカラーフィルタ層を形成する。次に、スパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜し、対向電極を形成する。次に、ガラス基板の第2主面側に、ダイコート法により紫外線硬化樹脂液を塗布し、フォトリソグラフィ法および熱硬化により柱状スペーサを形成する。次に、ロールコート法によりポリイミド樹脂液を塗布し、熱硬化により配向層を形成し、ラビングをおこなう。
次に、ディスペンサ法によりシール用樹脂液を枠状に描画し、枠内にディスペンサ法により液晶を滴下した後に、上記で画素電極が形成されたガラス積層体S1−1を用いて、2枚のガラス積層体S1のガラス基板の第2主面側同士を貼り合わせ、紫外線硬化および熱硬化によりLCDパネルを得る。
<Example 39>
In this example, an LCD is manufactured using the glass laminate S1 obtained in Example 1.
First, two glass laminates S1 are prepared, and silicon nitride, silicon oxide, and amorphous silicon are formed in this order on the second main surface of the glass substrate in one glass laminate S1-1 by plasma CVD. . Next, low concentration boron is implanted into the amorphous silicon layer by an ion doping apparatus, and heat treatment is performed in a nitrogen atmosphere to perform dehydrogenation treatment. Next, the amorphous silicon layer is crystallized by a laser annealing apparatus. Next, low concentration phosphorus is implanted into the amorphous silicon layer by an etching and ion doping apparatus using a photolithography method, thereby forming N-type and P-type TFT areas. Next, after a silicon oxide film is formed on the second main surface side of the glass substrate by a plasma CVD method and a gate insulating film is formed, molybdenum is formed by a sputtering method, and the gate is etched by photolithography. An electrode is formed. Next, high concentration boron and phosphorus are implanted into desired areas of the N-type and P-type by photolithography and an ion doping apparatus, thereby forming a source area and a drain area. Next, an interlayer insulating film is formed on the second main surface side of the glass substrate by silicon oxide film formation by plasma CVD, and a TFT electrode is formed by aluminum film formation by sputtering and etching using photolithography. Next, after a heat treatment and a hydrogenation treatment are performed in a hydrogen atmosphere, a passivation layer is formed by film formation of nitrogen silicon by a plasma CVD method. Next, an ultraviolet curable resin is applied to the second main surface side of the glass substrate, and a planarization layer and a contact hole are formed by photolithography. Next, a film of indium tin oxide is formed by a sputtering method, and a pixel electrode is formed by etching using a photolithography method.
Next, the other glass laminate S1-2 is heat-treated in an air atmosphere. Next, a chromium film is formed on the second main surface of the glass substrate in the glass laminate S1 by a sputtering method, and a light shielding layer is formed by etching using a photolithography method. Next, a color resist is applied to the second main surface side of the glass substrate by a die coating method, and a color filter layer is formed by a photolithography method and heat curing. Next, a film of indium tin oxide is formed by a sputtering method to form a counter electrode. Next, an ultraviolet curable resin liquid is applied to the second main surface side of the glass substrate by a die coating method, and columnar spacers are formed by a photolithography method and thermal curing. Next, a polyimide resin solution is applied by a roll coating method, an alignment layer is formed by thermosetting, and rubbing is performed.
Next, the sealing resin liquid is drawn in a frame shape by the dispenser method, and after dropping the liquid crystal in the frame by the dispenser method, two glass sheets S1-1 on which the pixel electrodes are formed are used. The second main surface sides of the glass substrates of the glass laminate S1 are bonded together, and an LCD panel is obtained by ultraviolet curing and thermal curing.

続いて、ガラス積層体S1−1の支持基材の第2主面を定盤に真空吸着させ、ガラス積層体S1−2のコーナー部のガラス基板とシリコーン樹脂層との界面に、厚さ0.1mmのステンレス製刃物を差し込み、ガラス基板の第1主面とシリコーン樹脂層の剥離性表面との剥離のきっかけを与える。ここで刃物の差し込みは、イオナイザ(キーエンス社製)から除電性流体を当該界面に吹き付けながら行う。次に、形成した空隙へ向けてイオナイザからは引き続き除電性流体を吹き付けながら、水を剥離前線に差しながら真空吸着パッドを引き上げる。そして、ガラス積層体S1−2の支持基材の第2主面を真空吸着パッドで吸着した上で、吸着パッドを上昇させる。その結果、定盤上に、ガラス積層体S1−1の支持基材が付いたLCDの空セルのみを残し、樹脂層付き支持基材を剥離することができる。   Subsequently, the second main surface of the support base material of the glass laminate S1-1 is vacuum-adsorbed on a surface plate, and a thickness of 0 is formed at the interface between the glass substrate and the silicone resin layer at the corner of the glass laminate S1-2. A 1 mm stainless steel blade is inserted to provide an opportunity for peeling between the first main surface of the glass substrate and the peelable surface of the silicone resin layer. Here, the blade is inserted while spraying a static eliminating fluid on the interface from an ionizer (manufactured by Keyence Corporation). Next, the vacuum suction pad is pulled up while water is being supplied to the separation front while spraying a static elimination fluid from the ionizer toward the formed gap. And after adsorb | sucking the 2nd main surface of the support base material of glass laminated body S1-2 with a vacuum suction pad, a suction pad is raised. As a result, only the empty cell of the LCD with the support substrate of the glass laminate S1-1 is left on the surface plate, and the support substrate with the resin layer can be peeled off.

次に、第1主面にカラーフィルタが形成されたガラス基板の第2主面を定盤に真空吸着させ、ガラス積層体S1−1のコーナー部のガラス基板とシリコーン樹脂層との界面に、厚さ0.1mmのステンレス製刃物を差し込み、ガラス基板の第1主面とシリコーン樹脂層の剥離性表面との剥離のきっかけを与える。そして、ガラス積層体S1−1の支持基材の第2主面を真空吸着パッドで吸着した上で、ガラス基板とシリコーン樹脂層との間に水を吹き付けながら、吸着パッドを上昇させる。その結果、定盤上にLCDセルのみを残し、シリコーン樹脂層が固定された支持基材を剥離することができる。こうして、厚さ0.1mmのガラス基板で構成される複数のLCDのセルが得られる。   Next, the second main surface of the glass substrate on which the color filter is formed on the first main surface is vacuum-adsorbed on the surface plate, and at the interface between the glass substrate and the silicone resin layer at the corner of the glass laminate S1-1, A stainless steel knife having a thickness of 0.1 mm is inserted to give an opportunity for peeling between the first main surface of the glass substrate and the peelable surface of the silicone resin layer. And after adsorb | sucking the 2nd main surface of the support base material of glass laminated body S1-1 with a vacuum suction pad, a suction pad is raised, spraying water between a glass substrate and a silicone resin layer. As a result, only the LCD cell is left on the surface plate, and the supporting substrate to which the silicone resin layer is fixed can be peeled off. Thus, a plurality of LCD cells composed of a glass substrate having a thickness of 0.1 mm are obtained.

続いて、切断する工程により、複数のLCDのセルに分断する。完成された各々のLCDセルに偏光板を貼付する工程を実施し、続いてモジュール形成工程を実施してLCDを得る。こうして得られるLCDは、特性上問題は生じない。   Subsequently, it is divided into a plurality of LCD cells by a cutting step. A step of attaching a polarizing plate to each completed LCD cell is performed, and then a module forming step is performed to obtain an LCD. The LCD obtained in this way does not have a problem in characteristics.

<実施例40>
本例では、実施例1で得たガラス積層体S1を用いてOLEDを製造する。
まず、ガラス積層体S1におけるガラス基板の第2主面上に、スパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりゲート電極を形成した。次に、スパッタリング法により、ガラス基板の第2主面側にさらに酸化アルミニウムを成膜してゲート絶縁膜を形成し、続いてスパッタリング法により酸化インジウムガリウム亜鉛を成膜してフォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより酸化物半導体層を形成した。次に、スパッタリング法により、ガラス基板の第2主面側にさらに酸化アルミニウムを成膜してチャネル保護層を形成し、続いてスパッタリング法によりモリブデンを成膜してフォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりソース電極およびドレイン電極を形成した。
次に、大気中で加熱処理を行う。次に、ガラス基板の第2主面側にさらにスパッタリング法により酸化アルミニウムを成膜してパッシベーション層を形成し、続いてスパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜してフォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、画素電極を形成する。
続いて、蒸着法により、ガラス基板の第2主面側に、正孔注入層として4,4’,4”−トリス(3−メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン、正孔輸送層としてビス[(N−ナフチル)−N−フェニル]ベンジジン、発光層として8−キノリノールアルミニウム錯体(Alq3)に2,6−ビス[4−[N−(4−メトキシフェニル)−N−フェニル]アミノスチリル]ナフタレン−1,5−ジカルボニトリル(BSN−BCN)を40体積%混合したもの、電子輸送層としてAlq3をこの順に成膜する。次に、スパッタリング法によりアルミニウムを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより対向電極を形成する。次に、ガラス基板の第2主面側に、紫外線硬化型の接着層を介してもう一枚のガラス基板を貼り合わせて封止する。上記手順によって、ガラス基板上に有機EL構造体を形成する。ガラス基板上に有機EL構造体を有するガラス積層体S1(以下、パネルBという。)が、本発明の電子デバイス用部材付き積層体(支持基材付き表示装置用パネル)である。
続いて、パネルBの封止体側を定盤に真空吸着させたうえで、パネルBのコーナー部のガラス基板とシリコーン樹脂層との界面に、厚さ0.1mmのステンレス製刃物を差し込み、ガラス基板とシリコーン樹脂層との界面に剥離のきっかけを与える。そして、パネルBの支持基材表面を真空吸着パッドで吸着した上で、吸着パッドを上昇させる。ここで刃物の差し込みは、イオナイザ(キーエンス社製)から除電性流体を当該界面に吹き付けながら行う。次に、形成した空隙へ向けてイオナイザからは引き続き除電性流体を吹き付けながら、かつ、水を剥離前線に差しながら真空吸着パッドを引き上げる。その結果、定盤上に有機EL構造体が形成されたガラス基板のみを残し、樹脂層付き支持基材を剥離することができる。
続いて、分離されたガラス基板をレーザーカッタまたはスクライブ−ブレイク法を用いて切断し、複数のセルに分断した後、有機EL構造体が形成されたガラス基板と対向基板とを組み立てて、モジュール形成工程を実施してOLEDを作製する。こうして得られるOLEDは、特性上問題は生じない。
<Example 40>
In this example, an OLED is manufactured using the glass laminate S1 obtained in Example 1.
First, molybdenum was formed into a film by sputtering method on the 2nd main surface of the glass substrate in glass laminated body S1, and the gate electrode was formed by the etching using the photolithographic method. Next, an aluminum oxide film is further formed on the second main surface side of the glass substrate by a sputtering method to form a gate insulating film, and subsequently an indium gallium zinc oxide film is formed by a sputtering method. An oxide semiconductor layer was formed by etching. Next, an aluminum oxide film is further formed on the second main surface side of the glass substrate by a sputtering method to form a channel protective layer. Subsequently, a molybdenum film is formed by a sputtering method, and etching is performed using a photolithography method. A source electrode and a drain electrode were formed.
Next, heat treatment is performed in the atmosphere. Next, an aluminum oxide film is further formed on the second main surface side of the glass substrate by a sputtering method to form a passivation layer. Subsequently, indium tin oxide is formed by a sputtering method, and etching is performed using a photolithography method. A pixel electrode is formed.
Subsequently, by vapor deposition, 4,4 ′, 4 ″ -tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine as the hole injection layer and bis [ (N-naphthyl) -N-phenyl] benzidine, 8-quinolinol aluminum complex (Alq 3 ) as a light emitting layer, 2,6-bis [4- [N- (4-methoxyphenyl) -N-phenyl] aminostyryl] A mixture of 40% by volume of naphthalene-1,5-dicarbonitrile (BSN-BCN) and Alq 3 as an electron transport layer are formed in this order, and then aluminum is formed by sputtering, followed by photolithography. Next, another glass substrate is pasted on the second main surface side of the glass substrate through an ultraviolet curable adhesive layer. According to the above procedure, an organic EL structure is formed on a glass substrate, and a glass laminate S1 having an organic EL structure on the glass substrate (hereinafter referred to as panel B) is an electronic device according to the present invention. It is a laminated body with a member for devices (panel for display devices with a supporting substrate).
Subsequently, after vacuum-adsorbing the sealing body side of the panel B to the surface plate, a stainless steel blade having a thickness of 0.1 mm is inserted into the interface between the glass substrate and the silicone resin layer at the corner of the panel B, and glass A trigger for peeling is given to the interface between the substrate and the silicone resin layer. And after adsorb | sucking the support base material surface of the panel B with a vacuum suction pad, a suction pad is raised. Here, the blade is inserted while spraying a static eliminating fluid on the interface from an ionizer (manufactured by Keyence Corporation). Next, the vacuum suction pad is pulled up while continuing to spray a static eliminating fluid from the ionizer toward the formed gap, and while water is inserted into the peeling front. As a result, only the glass substrate on which the organic EL structure is formed on the surface plate can be left, and the supporting substrate with the resin layer can be peeled off.
Subsequently, the separated glass substrate is cut using a laser cutter or a scribe-break method and divided into a plurality of cells, and then the glass substrate on which the organic EL structure is formed and the counter substrate are assembled to form a module. The process is performed to produce an OLED. The OLED obtained in this way does not have a problem in characteristics.

10 ガラス積層体
12 支持基材
14 シリコーン樹脂層
16 ガラス基板
18 樹脂層付き支持基材
22 電子デバイス用部材
24 電子デバイス用部材付き積層体
26 部材付きガラス基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Glass laminated body 12 Support base material 14 Silicone resin layer 16 Glass substrate 18 Support base material with a resin layer 22 Electronic device member 24 Laminated body with electronic device member 26 Glass substrate with member

Claims (13)

支持基材とシリコーン樹脂層とガラス基板とをこの順で備えたガラス積層体であって、
前記ガラス積層体を窒素雰囲気下にて550℃で10分間加熱した後、前記シリコーン樹脂層と前記ガラス基板との間に、気泡がない、または、気泡がある場合は、前記気泡の直径が1mm未満である、ガラス積層体。
A glass laminate comprising a supporting substrate, a silicone resin layer, and a glass substrate in this order,
After the glass laminate is heated at 550 ° C. for 10 minutes in a nitrogen atmosphere, there is no bubble between the silicone resin layer and the glass substrate, or when there is a bubble, the diameter of the bubble is 1 mm. The glass laminate is less than.
前記シリコーン樹脂層中のシリコーン樹脂が、(R)SiO3/2で表されるオルガノシロキシ単位(T単位)と、SiO2で表されるオルガノシロキシ単位(Q単位)とを含む、請求項1に記載のガラス積層体。なお、Rは水素原子または有機基を表す。 The silicone resin in the silicone resin layer includes (R) an organosiloxy unit (T unit) represented by SiO 3/2 and an organosiloxy unit (Q unit) represented by SiO 2. The glass laminate according to 1. R represents a hydrogen atom or an organic group. 前記T単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、91〜99モル%であり、
前記Q単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、1〜9モル%である、請求項2に記載のガラス積層体。
The proportion of the T unit is 91 to 99 mol% with respect to the total organosiloxy unit,
The glass laminated body of Claim 2 whose ratio of the said Q unit is 1-9 mol% with respect to all the organosiloxy units.
前記シリコーン樹脂が、さらに、(R)2SiO2/2で表されるオルガノシロキシ単位(D単位)を有する、請求項2に記載のガラス積層体。なお、Rは水素原子または有機基を表す。 The glass laminate according to claim 2, wherein the silicone resin further has an organosiloxy unit (D unit) represented by (R) 2 SiO 2/2 . R represents a hydrogen atom or an organic group. 前記D単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、1〜40モル%であり、
前記T単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、30〜98モル%であり、
前記Q単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、1〜30モル%である、
請求項4に記載のガラス積層体。
The ratio of the D unit is 1 to 40 mol% with respect to all organosiloxy units,
The proportion of the T unit is 30 to 98 mol% with respect to all organosiloxy units,
The ratio of the Q unit is 1 to 30 mol% with respect to all organosiloxy units.
The glass laminated body of Claim 4.
前記D単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、1〜35モル%である、請求項5に記載のガラス積層体。   The glass laminated body of Claim 5 whose ratio of the said D unit is 1-35 mol% with respect to all the organosiloxy units. 前記D単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、1〜15モル%である、請求項5または6に記載のガラス積層体。   The glass laminated body of Claim 5 or 6 whose ratio of the said D unit is 1-15 mol% with respect to all the organosiloxy units. 前記シリコーン樹脂層中のシリコーン樹脂が、硬化性シリコーンの硬化物であり、前記硬化性シリコーンの重量平均分子量が5000〜60000である、請求項1〜7のいずれか1項に記載のガラス積層体。   The glass laminate according to any one of claims 1 to 7, wherein the silicone resin in the silicone resin layer is a cured product of curable silicone, and the weight average molecular weight of the curable silicone is 5000 to 60000. . 前記シリコーン樹脂層の厚さが0.001〜100μmである、請求項1〜8のいずれか1項に記載のガラス積層体。   The glass laminated body of any one of Claims 1-8 whose thickness of the said silicone resin layer is 0.001-100 micrometers. 前記ガラス基板の厚さが0.03〜0.3mmである、請求項1〜9のいずれか1項に記載のガラス積層体。   The glass laminated body of any one of Claims 1-9 whose thickness of the said glass substrate is 0.03-0.3 mm. 前記シリコーン樹脂層の前記ガラス基板側の表面粗さRaが0.1〜20nmである、請求項1〜10のいずれか1項に記載のガラス積層体。   The glass laminated body of any one of Claims 1-10 whose surface roughness Ra by the side of the said glass substrate of the said silicone resin layer is 0.1-20 nm. 支持基材上に、(R)SiO3/2で表されるオルガノシロキシ単位(T単位)と、SiO2で表されるオルガノシロキシ単位(Q単位)とを含み、前記T単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、91〜99モル%であり、前記Q単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、1〜9モル%であるシリコーン樹脂を含むシリコーン樹脂層を形成する工程と、
前記シリコーン樹脂層上にガラス基板を積層する工程とを有する、ガラス積層体の製造方法。なお、Rは水素原子または有機基を表す。
On the supporting substrate, it contains an organosiloxy unit (T unit) represented by (R) SiO 3/2 and an organosiloxy unit (Q unit) represented by SiO 2 , and the proportion of the T unit is: Forming a silicone resin layer containing a silicone resin that is 91 to 99 mol% with respect to all organosiloxy units, and the ratio of the Q unit is 1 to 9 mol% with respect to all organosiloxy units; ,
And a step of laminating a glass substrate on the silicone resin layer. R represents a hydrogen atom or an organic group.
支持基材上に、(R)2SiO2/2で表されるオルガノシロキシ単位(D単位)と、(R)SiO3/2で表されるオルガノシロキシ単位(T単位)と、SiO2で表されるオルガノシロキシ単位(Q単位)とを含み、前記D単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、1〜40モル%であり、前記T単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、30〜98モル%であり、前記Q単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、1〜30モル%であるシリコーン樹脂を含むシリコーン樹脂層を形成する工程と、
前記シリコーン樹脂層上にガラス基板を積層する工程とを有する、ガラス積層体の製造方法。なお、Rは水素原子または有機基を表す。
On the supporting substrate, an organosiloxy unit (D unit) represented by (R) 2 SiO 2/2 , an organosiloxy unit (T unit) represented by (R) SiO 3/2 , and SiO 2 Organosiloxy units represented (Q units), the proportion of the D units is 1 to 40 mol% based on the total organosiloxy units, and the proportion of the T units is based on the total organosiloxy units. A step of forming a silicone resin layer containing a silicone resin that is 30 to 98 mol% and the ratio of the Q unit is 1 to 30 mol% with respect to all organosiloxy units;
And a step of laminating a glass substrate on the silicone resin layer. R represents a hydrogen atom or an organic group.
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