JP2017028164A - Wiring board and manufacturing method of wiring board - Google Patents

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正則 秋江
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high reliable wiring board capable of being manufactured using metal ink by firing at a low temperature.SOLUTION: The wiring board includes: a board; a porous layer formed over the board; and a wiring layer which is formed by firing a metal ink applied on the porous layer. Between the board and the porous layer a gap is formed, and the wiring layer is formed in a part on the porous layer corresponding to the area where the gap is formed.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、配線基板及び配線基板の製造方法に関する。   The present invention relates to a wiring board and a manufacturing method of the wiring board.

従来、インクジェット印刷法等の印刷法により、基板上に金属微粒子を含有する金属インクを塗布し、焼成することにより、基板上に配線層が形成された配線基板を製造する方法が知られている(例えば、特許文献1参照)。この方法においては、基板上に塗布された金属インクに含まれる溶媒は、所定の温度で焼成することにより除去され、残存する金属微粒子により、配線層が形成される。   Conventionally, a method of manufacturing a wiring board in which a wiring layer is formed on a substrate by applying a metal ink containing metal fine particles on the substrate by a printing method such as an ink jet printing method and baking the substrate is known. (For example, refer to Patent Document 1). In this method, the solvent contained in the metal ink applied on the substrate is removed by baking at a predetermined temperature, and a wiring layer is formed by the remaining metal fine particles.

特開2015−12186号公報Japanese Patent Laying-Open No. 2015-12186

しかしながら、樹脂材料等により形成されている基板を用いた場合、配線基板を製造する際の焼成工程において、作製される配線基板が変形する場合がある。このような焼成工程において配線基板が変形してしまうのは、焼成する際に、基板が変形する温度まで加熱されるからである。このため、基板が変形することのない比較的低い温度で金属インクの焼成を行う方法が考えられるが、この場合、金属インクに含まれる溶媒の除去が十分になされず、焼成後において、配線層に溶媒が残存している場合がある。このように、配線層に溶媒が残存していると、配線層における導電性が低下し、また、配線層と基板との密着性が悪くなるため、配線基板の信頼性の低下を招く。   However, when a substrate formed of a resin material or the like is used, the manufactured wiring substrate may be deformed in a firing step when manufacturing the wiring substrate. The reason why the wiring substrate is deformed in such a firing process is that the substrate is heated to a temperature at which the substrate is deformed during firing. For this reason, a method of firing the metal ink at a relatively low temperature that does not deform the substrate is conceivable, but in this case, the removal of the solvent contained in the metal ink is not sufficient, and the wiring layer after firing is not sufficient. In some cases, the solvent remains. As described above, when the solvent remains in the wiring layer, the conductivity in the wiring layer is lowered, and the adhesion between the wiring layer and the substrate is deteriorated, so that the reliability of the wiring substrate is lowered.

このため、金属インクを用いて低温の焼成により作製することのできる信頼性の高い配線基板が求められている。   Therefore, there is a demand for a highly reliable wiring board that can be produced by firing at low temperature using a metal ink.

実施形態の一観点によれば、基板と、前記基板の上に形成される多孔質層と、前記多孔質層の上に塗布された金属インクを焼成することにより形成された配線層と、を有し、前記基板と多孔質層との間には空隙が設けられており、前記配線層は、前記空隙が設けられている領域に対応する前記多孔質層の上の一部に形成されていることを特徴とする。   According to one aspect of the embodiment, a substrate, a porous layer formed on the substrate, and a wiring layer formed by firing a metal ink applied on the porous layer, A gap is provided between the substrate and the porous layer, and the wiring layer is formed on a part of the porous layer corresponding to a region where the gap is provided. It is characterized by being.

開示の配線基板によれば、金属インクを用いて低温の焼成を行っても信頼性の高い配線基板を作製することができる。   According to the disclosed wiring board, a highly reliable wiring board can be manufactured even if low-temperature baking is performed using metal ink.

配線基板の説明図Illustration of wiring board 第1実施形態の配線基板を例示する図The figure which illustrates the wiring board of a 1st embodiment 第1実施形態の配線基板の製造方法を例示するフローチャートThe flowchart which illustrates the manufacturing method of the wiring board of a 1st embodiment. 第1実施形態の配線基板の製造方法の工程図(1)Process drawing of the manufacturing method of the wiring board of 1st Embodiment (1) 第1実施形態の配線基板の製造方法の工程図(2)Process drawing (2) of the manufacturing method of the wiring board of 1st Embodiment 第1実施形態の配線基板の製造方法の工程図(3)Process drawing of the manufacturing method of the wiring board of the first embodiment (3) 第1実施形態の配線基板の製造方法の工程図(4)Process drawing of the manufacturing method of the wiring board of the first embodiment (4) 第1実施形態の配線基板の製造方法の工程図(5)Process drawing of the manufacturing method of the wiring board of the first embodiment (5) 第1実施形態の配線基板の製造方法の工程図(6)Process drawing of the manufacturing method of the wiring board of the first embodiment (6) 第1実施形態の配線基板の製造方法の工程図(7)Process drawing of the manufacturing method of the wiring board of the first embodiment (7) 第2実施形態の配線基板の製造方法を例示するフローチャートThe flowchart which illustrates the manufacturing method of the wiring board of a 2nd embodiment. 第2実施形態の配線基板の製造方法の工程図(1)Process drawing of the manufacturing method of the wiring board of 2nd Embodiment (1) 第2実施形態の配線基板の製造方法の工程図(2)Process drawing of the manufacturing method of the wiring board of 2nd Embodiment (2) 第2実施形態の配線基板の製造方法の工程図(3)Process drawing of the manufacturing method of the wiring board of 2nd Embodiment (3) 第2実施形態の配線基板の製造方法の工程図(4)Process drawing of the manufacturing method of the wiring board of 2nd Embodiment (4)

以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。   Hereinafter, embodiments for carrying out the invention will be described with reference to the drawings. In the drawings, the same components are denoted by the same reference numerals, and redundant description may be omitted.

ところで、金属インクを用いて信頼性の高い配線基板を作製する方法としては、基板の上に、絶縁体材料により多孔質層を形成し、基板の上に形成された多孔質層の上に配線層を形成する方法が考えられる。具体的には、図1に示すように、基板910の上に多孔質層930を形成し、多孔質層930の上に配線層970を形成する方法である。尚、図1(a)は、この配線基板の上面図であり、図1(b)は図1(a)における一点鎖線1A−1Bにおいて切断した断面図である。   By the way, as a method for producing a highly reliable wiring board using metal ink, a porous layer is formed on an insulating material on the board, and wiring is formed on the porous layer formed on the board. A method of forming the layer is conceivable. Specifically, as shown in FIG. 1, a porous layer 930 is formed on a substrate 910 and a wiring layer 970 is formed on the porous layer 930. 1A is a top view of the wiring board, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along the alternate long and short dash line 1A-1B in FIG. 1A.

このように、多孔質層930の上に配線層970を形成することにより、金属インクに含まれる溶媒を多孔質層930に吸収させることができるため、溶媒の除去を促進し、焼成後に配線層970に含まれる溶媒を減らすことができる。   In this manner, by forming the wiring layer 970 on the porous layer 930, the solvent contained in the metal ink can be absorbed by the porous layer 930. Therefore, the removal of the solvent is promoted, and the wiring layer is baked after firing. The solvent contained in 970 can be reduced.

しかしながら、多孔質層930に溶媒を吸収させただけでは、焼成後の配線層970に含まれる溶媒の除去が不十分であり、配線層における導電性が低下や、配線層と基板との密着性が悪くなること等が十分には解決されない場合がある。   However, if the porous layer 930 only absorbs the solvent, the removal of the solvent contained in the wiring layer 970 after firing is insufficient, the conductivity in the wiring layer is reduced, and the adhesion between the wiring layer and the substrate is reduced. There are cases in which it is not possible to sufficiently solve the problem.

〔第1実施形態〕
(配線基板)
次に、第1実施形態における配線基板について図2に基づき説明する。
[First Embodiment]
(Wiring board)
Next, the wiring board in the first embodiment will be described with reference to FIG.

図2に示されるように、本実施形態における配線基板1は、基板10、多孔質層30、絶縁層40及び配線層70等を有している。図2(a)は本実施形態における配線基板の上面図であり、図2(b)は図2(a)における一点鎖線2A−2Bにおいて切断した断面図である。   As shown in FIG. 2, the wiring board 1 in this embodiment includes a substrate 10, a porous layer 30, an insulating layer 40, a wiring layer 70, and the like. FIG. 2A is a top view of the wiring board in the present embodiment, and FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the alternate long and short dash line 2A-2B in FIG.

基板10は、絶縁材料によって形成される薄板状又はフィルム状の部材であり、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、PET(Poly Ethylene Terephthalate)樹脂、ポリカーボネート樹脂等の樹脂材料により形成されている。   The substrate 10 is a thin plate-like or film-like member formed of an insulating material, and is formed of, for example, a resin material such as an epoxy resin, a polyimide resin, a PET (Poly Ethylene Terephthalate) resin, or a polycarbonate resin.

多孔質層30は、基板10の上に形成されており、基板10と多孔質層30との間には、空隙Gが形成されている。具体的には、多孔質層30は、多孔質層30の周縁部分において基板10と接する支持部において支持されており、空隙Gは、この多孔質層30の支持部の内側の領域に形成される。尚、本実施形態では、この支持部は多孔質層30の一部である。   The porous layer 30 is formed on the substrate 10, and a gap G is formed between the substrate 10 and the porous layer 30. Specifically, the porous layer 30 is supported by a support portion in contact with the substrate 10 at the peripheral portion of the porous layer 30, and the gap G is formed in a region inside the support portion of the porous layer 30. The In the present embodiment, this support portion is a part of the porous layer 30.

本実施形態における配線基板1では、空隙Gの間隔、即ち、空隙Gが形成されている領域における基板10と多孔質層30との間の間隔t1は、例えば、約5μmであり、空隙Gが形成されている領域における多孔質層30の厚さt2は、例えば、約5μmである。   In the wiring substrate 1 according to the present embodiment, the gap G, that is, the gap t1 between the substrate 10 and the porous layer 30 in the area where the gap G is formed is, for example, about 5 μm. The thickness t2 of the porous layer 30 in the formed region is, for example, about 5 μm.

多孔質層30は、絶縁材料により形成されており、微細孔が形成されている。具体的には、例えば、多孔質層30は、シリカ(SiO)等の無機材料の粒子により形成されており、無機材料の粒子と粒子の間の隙間により微細孔が形成される。 The porous layer 30 is made of an insulating material and has fine holes. Specifically, for example, the porous layer 30 is formed of particles of an inorganic material such as silica (SiO 2 ), and micropores are formed by gaps between the particles of the inorganic material.

また、多孔質層30には、空隙Gが形成されている領域において、多孔質層30の厚さ方向に貫通する開口部30hが形成されている。多孔質層30に形成される開口部30hは、後に配線層70が形成される領域の近傍に形成されており、例えば、配線層70が形成される領域の近傍の両側に形成される。従って、多孔質層30に形成される開口部30hは、配線層70が形成されていない領域の一部に形成されている。多孔質層30に形成される開口部30hの大きさや数は、多孔質層30の形状等が維持される範囲で形成されている。   The porous layer 30 has an opening 30 h that penetrates in the thickness direction of the porous layer 30 in the region where the gap G is formed. The opening 30h formed in the porous layer 30 is formed in the vicinity of a region where the wiring layer 70 will be formed later. For example, the opening 30h is formed on both sides in the vicinity of the region where the wiring layer 70 is formed. Accordingly, the opening 30 h formed in the porous layer 30 is formed in a part of the region where the wiring layer 70 is not formed. The size and number of the openings 30h formed in the porous layer 30 are formed within a range in which the shape and the like of the porous layer 30 are maintained.

絶縁層40は、基板10の上、多孔質層30の周囲の側面、及び多孔質層30の周囲の上面の一部を覆うように形成されている。基板10の表面から絶縁層40の上面までの厚さt3は、基板10と多孔質層30との間の空隙Gの間隔t1と空隙Gが形成されている領域における多孔質層30における厚さt2との和よりも大きな値であることが好ましい。これにより、絶縁層40によって、基板10の上の多孔質層30の周縁部分における支持部を含む部分の形状を維持することができる。例えば、基板10の表面から絶縁層40の上面までの厚さt3は、約11μmであってもよい。   The insulating layer 40 is formed so as to cover the substrate 10, a side surface around the porous layer 30, and a part of the upper surface around the porous layer 30. The thickness t3 from the surface of the substrate 10 to the upper surface of the insulating layer 40 is the thickness t1 of the gap G between the substrate 10 and the porous layer 30 and the thickness of the porous layer 30 in the region where the gap G is formed. A value larger than the sum of t2 is preferable. Thereby, the shape of the part containing the support part in the peripheral part of the porous layer 30 on the board | substrate 10 is maintainable with the insulating layer 40. FIG. For example, the thickness t3 from the surface of the substrate 10 to the upper surface of the insulating layer 40 may be about 11 μm.

配線層70は、多孔質層30の上に金属インク50を塗布し、焼成することにより形成されており、空隙Gが形成されている領域に対応する多孔質層30の上の一部に形成されている。このように形成される配線層70の厚さは、例えば、約2μmである。尚、図2においては、便宜上、配線層70の形状が、直線状の1本の配線パターンである場合を示すが、配線層70の形状は、この形状に限定されるものではなく、様々な形状で形成することが可能である。   The wiring layer 70 is formed by applying the metal ink 50 on the porous layer 30 and baking it, and is formed on a part of the porous layer 30 corresponding to the region where the gap G is formed. Has been. The thickness of the wiring layer 70 thus formed is about 2 μm, for example. 2 shows a case where the shape of the wiring layer 70 is a single linear wiring pattern for the sake of convenience, the shape of the wiring layer 70 is not limited to this shape, but may be various. It can be formed in a shape.

(配線基板の製造方法)
次に、第1実施形態における配線基板の製造方法について図3から図10に基づき説明する。図3は、本実施形態における配線基板の製造方法のフローチャートであり、図4から図10は、本実施形態における配線基板の製造方法の工程図である。
(Method for manufacturing a wiring board)
Next, a method for manufacturing a wiring board in the first embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 3 is a flowchart of the method for manufacturing a wiring board in the present embodiment, and FIGS.

最初に、ステップ11(S11)において、基板10の上に、犠牲層20を形成する。この犠牲層20は空隙Gを形成するためのものであり、本実施形態においては、厚さが約5μmとなるように形成する。具体的には、図4に示すように、基板10の上の全体に感光性樹脂フィルムを被覆し、感光性樹脂フィルムを露光及び現像することにより、基板10の上の空隙Gが形成される領域に犠牲層20を形成する。また、予め成型した感光性樹脂を基板10の上に転写することにより、基板10の上に犠牲層20を形成してもよい。尚、基板10は、樹脂材料等により形成されている材料であって、後の金属インク50を焼成する工程において、変形しない材料により形成されている。また、犠牲層20は、除去液60により除去することができる材料であればよく、金属材料等により形成してもよい。図4(a)はこの工程における上面図であり、図4(b)は図4(a)における一点鎖線4A−4Bにおいて切断した断面図である。   First, in step 11 (S11), the sacrificial layer 20 is formed on the substrate 10. The sacrificial layer 20 is for forming the gap G, and in this embodiment, the sacrificial layer 20 is formed to have a thickness of about 5 μm. Specifically, as shown in FIG. 4, a photosensitive resin film is entirely coated on the substrate 10, and the photosensitive resin film is exposed and developed to form a gap G on the substrate 10. A sacrificial layer 20 is formed in the region. Alternatively, the sacrificial layer 20 may be formed on the substrate 10 by transferring a preliminarily molded photosensitive resin onto the substrate 10. The substrate 10 is a material made of a resin material or the like, and is made of a material that does not deform in the subsequent step of firing the metal ink 50. The sacrificial layer 20 may be any material that can be removed by the removal liquid 60 and may be formed of a metal material or the like. FIG. 4A is a top view in this step, and FIG. 4B is a cross-sectional view taken along the alternate long and short dash line 4A-4B in FIG.

次に、ステップ12(S12)において、犠牲層20の上を覆うように、多孔質層30を形成する。具体的には、図5に示すように、予め成型したシート状部材を基板10の上及び犠牲層20の上に転写することにより、犠牲層20の周囲の基板10の上の一部、犠牲層20の上面及び周囲の側面を覆う多孔質層30を形成する。形成される多孔質層30は、犠牲層20の上における厚さが約5μmとなるように形成されており、多孔質層30における開口部30hは、犠牲層20が形成されている領域の一部に形成されている。従って、この状態では、多孔質層30における開口部30hにおいて、犠牲層20が露出している。多孔質層30は、後の金属インク50を焼成する工程において、変形等が生じない材料により形成されている。また、多孔質層30は、金属インク50が浸透する速度が、面方向よりも厚さ方向が早くなるように形成されている。これにより、金属インク50により形成される配線層70の線幅等が、高い精度で所望の線幅等となるように形成することができる。尚、図5(a)はこの工程における上面図であり、図5(b)は図5(a)における一点鎖線5A−5Bにおいて切断した断面図である。   Next, in step 12 (S12), the porous layer 30 is formed so as to cover the sacrificial layer 20. Specifically, as shown in FIG. 5, a part of the sacrificial layer 20 on the substrate 10 around the sacrificial layer 20 is sacrificed by transferring a preformed sheet-like member onto the substrate 10 and the sacrificial layer 20. A porous layer 30 covering the upper surface of the layer 20 and the surrounding side surfaces is formed. The formed porous layer 30 is formed to have a thickness of about 5 μm on the sacrificial layer 20, and the opening 30 h in the porous layer 30 is a part of the region where the sacrificial layer 20 is formed. It is formed in the part. Therefore, in this state, the sacrificial layer 20 is exposed in the opening 30 h in the porous layer 30. The porous layer 30 is formed of a material that does not deform or the like in the subsequent step of firing the metal ink 50. The porous layer 30 is formed so that the speed at which the metal ink 50 penetrates is faster in the thickness direction than in the surface direction. As a result, the line width and the like of the wiring layer 70 formed with the metal ink 50 can be formed with a desired line width and the like with high accuracy. 5A is a top view in this step, and FIG. 5B is a cross-sectional view taken along the alternate long and short dash line 5A-5B in FIG. 5A.

次に、ステップ13(S13)において、平面視で多孔質層30の周囲を囲むように、絶縁層40を形成する。本実施形態においては、絶縁層40は、基板10の表面から絶縁層40の上面までの厚さが約11μmとなるように形成する。具体的には、図6に示すように、予め成型したシート状の絶縁層40を基板10の上に転写することにより、多孔質層30の周囲の基板10の上の一部、多孔質層30の周囲の側面及び側面より上面の一部を覆う絶縁層40を形成する。また、絶縁層40は、インクジェット印刷法で紫外線硬化樹脂を基板10の上に塗布した後、紫外線を照射し、紫外線硬化樹脂を硬化させることにより形成してもよい。形成された絶縁層40は、多孔質層30の周囲の側面及び上面の一部に形成されており、多孔質層30の上の配線層70が形成される領域及び多孔質層30の開口部30hが形成されている領域には形成されてはいない。従って、絶縁層40に囲まれた領域の内側では、多孔質層30の上面及び多孔質層30の開口部30hにおける犠牲層20が露出している。尚、図6(a)はこの工程における上面図であり、図6(b)は図6(a)における一点鎖線6A−6Bにおいて切断した断面図である。   Next, in step 13 (S13), the insulating layer 40 is formed so as to surround the periphery of the porous layer 30 in plan view. In the present embodiment, the insulating layer 40 is formed so that the thickness from the surface of the substrate 10 to the upper surface of the insulating layer 40 is about 11 μm. Specifically, as shown in FIG. 6, a part of the porous layer 30 on the substrate 10 around the porous layer 30, the porous layer 30, is transferred by transferring a pre-molded sheet-like insulating layer 40 onto the substrate 10. An insulating layer 40 is formed to cover a side surface around 30 and a part of the upper surface from the side surface. The insulating layer 40 may be formed by applying an ultraviolet curable resin on the substrate 10 by an inkjet printing method, and then irradiating the ultraviolet ray to cure the ultraviolet curable resin. The formed insulating layer 40 is formed on a part of the side surface and the upper surface around the porous layer 30, and the region where the wiring layer 70 is formed on the porous layer 30 and the opening of the porous layer 30. It is not formed in the region where 30h is formed. Therefore, the sacrificial layer 20 in the upper surface of the porous layer 30 and the opening 30 h of the porous layer 30 is exposed inside the region surrounded by the insulating layer 40. 6A is a top view in this step, and FIG. 6B is a cross-sectional view taken along the alternate long and short dash line 6A-6B in FIG. 6A.

次に、ステップ14(S14)において、多孔質層30の上に配線層70を形成するための金属インク50を塗布する。具体的には、図7に示すように、犠牲層20が形成されている領域に対応する多孔質層30の上の一部に、インクジェット印刷法により、金属インク50を塗布する。金属インク50を塗布する際の噴出量は、塗布される金属インク50の厚さや塗布速度等により定めることができる。本実施形態においては、金属インク50により形成される配線層70の厚さが2μmとなるように、金属インク50を塗布する。金属インク50としては、例えば、銀(Ag)、銅(Cu)等の金属微粒子と、有機溶媒とが含まれているものを用いることができる。このような金属インク50は、焼成することにより有機溶媒が除去されるため、残存する銀、銅等の金属微粒子により配線層70を形成することができる。尚、金属インク50に含まれる溶媒は、有機溶媒以外の溶媒を含むものであってもよい。   Next, in step 14 (S14), the metal ink 50 for forming the wiring layer 70 is applied on the porous layer 30. Specifically, as shown in FIG. 7, a metal ink 50 is applied to a part on the porous layer 30 corresponding to the region where the sacrificial layer 20 is formed by an ink jet printing method. The amount of ejection when the metal ink 50 is applied can be determined by the thickness of the metal ink 50 to be applied, the application speed, and the like. In the present embodiment, the metal ink 50 is applied so that the wiring layer 70 formed of the metal ink 50 has a thickness of 2 μm. As the metal ink 50, for example, an ink containing metal fine particles such as silver (Ag) and copper (Cu) and an organic solvent can be used. Since such an organic solvent is removed by firing such a metal ink 50, the wiring layer 70 can be formed from remaining metal fine particles such as silver and copper. The solvent included in the metal ink 50 may include a solvent other than the organic solvent.

また、多孔質層30における開口部30hは、配線層70を形成するための金属インク50の塗布された領域の近傍に形成されていることが好ましい。これにより、後の工程において、多孔質層30の開口部30hより除去液60を供給し、犠牲層20を除去することにより、金属インク50が塗布されている領域の多孔質層30の下に空隙Gを容易に形成することができる。   Further, the opening 30 h in the porous layer 30 is preferably formed in the vicinity of a region where the metal ink 50 for forming the wiring layer 70 is applied. Thus, in a later step, the removal liquid 60 is supplied from the opening 30h of the porous layer 30 and the sacrificial layer 20 is removed, so that the metal ink 50 is applied to the region below the porous layer 30. The gap G can be easily formed.

本実施形態では、金属インク50を多孔質層30の上に塗布すると、金属インク50に含まれる金属微粒子の一部が多孔質層30の微細孔に入り込むため、金属インク50を焼成することにより形成される多孔質層30と配線層70との間の接着力が強くなる。このような効果は、アンカー効果と呼ばれている。また、金属インク50の塗布は、インクジェット印刷法以外の他の印刷法により行ってもよい。尚、便宜上、図7から図10においては、多孔質層30における微細孔に入り込んでいる金属インク50に含まれる金属微粒子等は省略されている。図7(a)はこの工程における上面図であり、図7(b)は図7(a)における一点鎖線7A−7Bにおいて切断した断面図である。   In the present embodiment, when the metal ink 50 is applied on the porous layer 30, a part of the metal fine particles contained in the metal ink 50 enters the micropores of the porous layer 30. The adhesive force between the formed porous layer 30 and the wiring layer 70 becomes strong. Such an effect is called an anchor effect. The metal ink 50 may be applied by a printing method other than the ink jet printing method. For convenience, in FIG. 7 to FIG. 10, the metal fine particles included in the metal ink 50 entering the micropores in the porous layer 30 are omitted. FIG. 7A is a top view in this step, and FIG. 7B is a cross-sectional view taken along the alternate long and short dash line 7A-7B in FIG. 7A.

次に、ステップ15(S15)において、多孔質層30の上に塗布された金属インク50を乾燥させる。具体的には、室温又は後の工程の金属インク50を焼成する際の温度よりも低い温度で多孔質層30の上に塗布された金属インク50を乾燥させる。このように金属インク50を乾燥させることにより、多孔質層30の上に塗布された金属インク50の形状を維持することができる。   Next, in step 15 (S15), the metal ink 50 applied on the porous layer 30 is dried. Specifically, the metal ink 50 applied on the porous layer 30 is dried at room temperature or a temperature lower than the temperature at which the metal ink 50 in the subsequent process is baked. By drying the metal ink 50 in this way, the shape of the metal ink 50 applied on the porous layer 30 can be maintained.

次に、ステップ16(S16)において、多孔質層30に形成された開口部30hより除去液60を供給することにより、犠牲層20を除去する。具体的には、図8に示すように、インクジェット印刷法により、多孔質層30に形成された開口部30hより除去液60を供給することにより、基板10と多孔質層30との間に形成されている犠牲層20を除去する。このように犠牲層20を除去することにより、犠牲層20が除去された領域に空隙Gを形成することができる。除去液60は、図8における破線矢印で示す方向から供給する。除去液60としては、犠牲層20の材料に応じて選択することができ、例えば、犠牲層20が感光性樹脂である場合には現像液を用いることができ、犠牲層20が金属である場合には酸等のエッチング液を用いることができる。図9は、基板10の上に形成された犠牲層20がすべて除去されている状態を示しているが、犠牲層20はすべて除去されていなくてもよい。例えば、犠牲層20の一部が残存していても、金属インク50が塗布された領域の多孔質層30の下側に空隙Gが形成されていればよい。多孔質層30の開口部30hより供給された除去液60は、乾燥、焼成等により除去することが可能である。また、本実施形態においては、多孔質層30の周囲の側面を囲むように絶縁層40が形成されているため、除去液60により犠牲層20を除去する際に、除去液60が多孔質層30の周囲に漏れ出すことを防ぐことができる。これにより、多孔質層30の周囲に別の配線層等が形成されている場合であっても、除去液60が多孔質層30の外に漏れ出すことはないため、別の配線層の電気抵抗等の電気特性に影響を与えることはない。尚、図8(a)はこの工程における上面図であり、図8(b)は図8(a)における一点鎖線8A−8Bにおいて切断した断面図である。また、図9(a)はこの工程における上面図であり、図9(b)は図9(a)における一点鎖線9A−9Bにおいて切断した断面図である。   Next, in step 16 (S 16), the sacrificial layer 20 is removed by supplying the removal liquid 60 from the opening 30 h formed in the porous layer 30. Specifically, as shown in FIG. 8, the substrate is formed between the substrate 10 and the porous layer 30 by supplying the removal liquid 60 from the opening 30 h formed in the porous layer 30 by an ink jet printing method. The sacrificial layer 20 is removed. By removing the sacrificial layer 20 in this manner, the gap G can be formed in the region where the sacrificial layer 20 is removed. The removal liquid 60 is supplied from the direction indicated by the broken-line arrow in FIG. The removal liquid 60 can be selected according to the material of the sacrificial layer 20. For example, when the sacrificial layer 20 is a photosensitive resin, a developer can be used, and when the sacrificial layer 20 is a metal. An etching solution such as an acid can be used. Although FIG. 9 shows a state in which all the sacrificial layer 20 formed on the substrate 10 is removed, the sacrificial layer 20 may not be completely removed. For example, even if a part of the sacrificial layer 20 remains, it is sufficient that the gap G is formed below the porous layer 30 in the region where the metal ink 50 is applied. The removing liquid 60 supplied from the opening 30h of the porous layer 30 can be removed by drying, baking, or the like. In this embodiment, since the insulating layer 40 is formed so as to surround the side surface around the porous layer 30, the removal liquid 60 is removed when the sacrificial layer 20 is removed by the removal liquid 60. Leakage around 30 can be prevented. As a result, even if another wiring layer or the like is formed around the porous layer 30, the removal liquid 60 does not leak out of the porous layer 30. It does not affect electrical characteristics such as resistance. 8A is a top view in this step, and FIG. 8B is a cross-sectional view taken along the alternate long and short dash line 8A-8B in FIG. 8A. FIG. 9A is a top view in this step, and FIG. 9B is a cross-sectional view taken along the alternate long and short dash line 9A-9B in FIG. 9A.

次に、ステップ17(S17)において、多孔質層30の上に塗布された金属インク50を焼成する。具体的には、図10に示すように、多孔質層30の上に塗布された金属インク50を約125℃で焼成することにより、金属インク50に含まれる有機溶媒を除去し、金属インク50に含まれる金属微粒子により配線層70を形成する。これにより、本実施形態における配線基板を作製することができる。尚、図10(a)はこの工程における上面図であり、図10(b)は図10(a)における一点鎖線10A−10Bにおいて切断した断面図である。   Next, in step 17 (S17), the metal ink 50 applied on the porous layer 30 is baked. Specifically, as shown in FIG. 10, the metal ink 50 applied on the porous layer 30 is baked at about 125 ° C., thereby removing the organic solvent contained in the metal ink 50, and the metal ink 50. The wiring layer 70 is formed from the metal fine particles contained in the substrate. Thereby, the wiring board in this embodiment can be produced. 10A is a top view in this step, and FIG. 10B is a cross-sectional view taken along the alternate long and short dash line 10A-10B in FIG. 10A.

ここで、多孔質層が形成されていない基板の上に金属インクを直接塗布し、焼成することにより、膜厚が2μmの配線層を形成する場合では、金属インクに含まれている有機溶媒を十分に取り除くために必要な焼成温度が150℃であるとする。本実施形態における配線基板の製造方法では、金属インクが塗布されている多孔質層の側からも有機溶媒が除去されるため、金属インクに含まれる有機溶媒を十分に取り除くために必要な焼成温度を150℃よりも低い温度、例えば、125℃とすることができる。従って、本実施形態においては、金属インク50に含まれる有機溶媒を従来よりも低い温度で十分に取り除くことができる。   Here, when a wiring layer having a film thickness of 2 μm is formed by directly applying and baking a metal ink on a substrate on which a porous layer is not formed, an organic solvent contained in the metal ink is removed. It is assumed that the firing temperature necessary for sufficient removal is 150 ° C. In the method for manufacturing a wiring board in the present embodiment, the organic solvent is also removed from the side of the porous layer to which the metal ink is applied, and thus the firing temperature necessary for sufficiently removing the organic solvent contained in the metal ink. The temperature can be lower than 150 ° C., for example, 125 ° C. Therefore, in the present embodiment, the organic solvent contained in the metal ink 50 can be sufficiently removed at a temperature lower than that in the past.

以上より、本実施形態における配線基板では、基板10と多孔質層30との間に空隙Gが形成されているため、金属インク50に含まれる有機溶媒は、金属インク50の上面のみならず、金属インク50の下の多孔質層30を介して空隙Gからも除去される。これにより、金属インク50に含まれる有機溶媒の除去を促進することができ、焼成後の配線層70に残存している有機溶媒を極力減らすことができる。従って、本実施形態においては、耐熱性の低い樹脂材料等により形成された基板10を用いた場合であっても、配線層における導電性が良好であって、また、配線層と基板との密着性が良好となる信頼性の高い配線基板を得ることができる。   As described above, in the wiring board according to the present embodiment, since the gap G is formed between the substrate 10 and the porous layer 30, the organic solvent contained in the metal ink 50 is not only the upper surface of the metal ink 50, It is also removed from the gap G through the porous layer 30 under the metal ink 50. Thereby, the removal of the organic solvent contained in the metal ink 50 can be promoted, and the organic solvent remaining in the wiring layer 70 after firing can be reduced as much as possible. Therefore, in this embodiment, even when the substrate 10 made of a resin material having low heat resistance is used, the conductivity in the wiring layer is good, and the adhesion between the wiring layer and the substrate is good. A highly reliable wiring board with good performance can be obtained.

〔第2実施形態〕
第2実施形態では、第1実施形態における配線基板を第1実施形態とは異なる方法により製造する配線基板の製造方法である。
[Second Embodiment]
The second embodiment is a method for manufacturing a wiring board in which the wiring board in the first embodiment is manufactured by a method different from that in the first embodiment.

第2実施形態における配線基板の製造方法について図11から図15等に基づき説明する。図11は、本実施形態における配線基板の製造方法のフローチャートであり、図12から図15は、本実施形態における配線基板の製造方法の工程図である。尚、本実施形態における配線基板の製造方法のうち、図11に示されるステップ21からステップ23は、第1実施形態と同様の工程であるため、これらの工程の説明には、図4から図6を用いて説明する。   A method for manufacturing a wiring board according to the second embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 11 is a flowchart of the manufacturing method of the wiring board in the present embodiment, and FIGS. 12 to 15 are process diagrams of the manufacturing method of the wiring board in the present embodiment. In the wiring board manufacturing method according to this embodiment, steps 21 to 23 shown in FIG. 11 are the same processes as those in the first embodiment. 6 will be described.

最初に、ステップ21(S21)において、基板10の上に、犠牲層20を形成する。この犠牲層20は空隙Gを形成するためのものであり、本実施形態においては、厚さが約5μmとなるように形成する。具体的には、図4に示すように、基板10の上の全体に感光性樹脂フィルムを被覆し、感光性樹脂フィルムを露光及び現像することにより、基板10の上に空隙Gが形成される領域に犠牲層20を形成する。   First, in step 21 (S21), the sacrificial layer 20 is formed on the substrate 10. The sacrificial layer 20 is for forming the gap G, and in this embodiment, the sacrificial layer 20 is formed to have a thickness of about 5 μm. Specifically, as shown in FIG. 4, a photosensitive resin film is coated on the entire surface of the substrate 10, and the photosensitive resin film is exposed and developed to form a gap G on the substrate 10. A sacrificial layer 20 is formed in the region.

次に、ステップ22(S22)において、犠牲層20の上を覆うように、多孔質層30を形成する。具体的には、図5に示すように、予め成型したシート状部材を基板10の上及び犠牲層20の上に転写することにより、犠牲層20の周囲の基板10の上の一部、犠牲層20の上面及び周囲の側面を覆う多孔質層30を形成する。   Next, in step 22 (S22), the porous layer 30 is formed so as to cover the sacrificial layer 20. Specifically, as shown in FIG. 5, a part of the sacrificial layer 20 on the substrate 10 around the sacrificial layer 20 is sacrificed by transferring a preformed sheet-like member onto the substrate 10 and the sacrificial layer 20. A porous layer 30 covering the upper surface of the layer 20 and the surrounding side surfaces is formed.

次に、ステップ23(S23)において、平面視で多孔質層30の周囲を囲むように、絶縁層40を形成する。本実施形態においては、絶縁層40は、基板10の表面から絶縁層40の上面までの厚さが約11μmとなるように形成する。具体的には、図6に示すように、予め成型したシート状の絶縁層40を基板10の上に転写することにより、多孔質層30の周囲の基板10の上の一部、多孔質層30の周囲の側面及び側面より上面の一部を覆う絶縁層40を形成する。   Next, in step 23 (S23), the insulating layer 40 is formed so as to surround the periphery of the porous layer 30 in plan view. In the present embodiment, the insulating layer 40 is formed so that the thickness from the surface of the substrate 10 to the upper surface of the insulating layer 40 is about 11 μm. Specifically, as shown in FIG. 6, a part of the porous layer 30 on the substrate 10 around the porous layer 30, the porous layer 30, is transferred by transferring a pre-molded sheet-like insulating layer 40 onto the substrate 10. An insulating layer 40 is formed to cover a side surface around 30 and a part of the upper surface from the side surface.

次に、ステップ24(S24)において、多孔質層30に形成された開口部30hより除去液60を供給することにより、犠牲層20を除去する。具体的には、図12に示すように、インクジェット印刷法により、多孔質層30に形成された開口部30hより除去液60を供給することにより、基板10と多孔質層30との間に形成されている犠牲層20を除去する。このように犠牲層20を除去することにより、犠牲層20が形成されていた領域に空隙Gを形成することができる。除去液60は、図12における破線矢印で示す方向から供給する。除去液60としては、犠牲層20の材料に応じて選択することができ、例えば、犠牲層20が感光性樹脂である場合には現像液を用いることができ、犠牲層20が金属である場合には酸等のエッチング液を用いることができる。図13は、基板10の上に形成された犠牲層20がすべて除去されている状態を示しているが、犠牲層20はすべて除去されていなくてもよい。例えば、犠牲層20の一部が残存していても、金属インク50が塗布された領域の多孔質層30の下側に空隙Gが形成されていればよい。多孔質層30の開口部30hより供給された除去液60は、乾燥、焼成等により除去することが可能である。また、本実施形態においては、多孔質層30の周囲の側面を囲むように絶縁層40が形成されているため、除去液60により犠牲層20を除去する際に、除去液60が多孔質層30の周囲に漏れ出すことを防ぐことができる。これにより、多孔質層30の周囲に別の配線層等が形成されている場合であっても、除去液60は多孔質層30の外には漏れ出すことはないため、別の配線層の電気抵抗等の電気特性に影響を与えることはない。尚、図12(a)はこの工程における上面図であり、図12(b)は図12(a)における一点鎖線12A−12Bにおいて切断した断面図である。また、図13(a)はこの工程における上面図であり、図13(b)は図13(a)における一点鎖線13A−13Bにおいて切断した断面図である。   Next, in step 24 (S24), the sacrificial layer 20 is removed by supplying the removal liquid 60 from the opening 30h formed in the porous layer 30. Specifically, as shown in FIG. 12, the substrate is formed between the substrate 10 and the porous layer 30 by supplying the removal liquid 60 from the opening 30 h formed in the porous layer 30 by an ink jet printing method. The sacrificial layer 20 is removed. By removing the sacrificial layer 20 in this way, the gap G can be formed in the region where the sacrificial layer 20 was formed. The removal liquid 60 is supplied from the direction indicated by the broken-line arrow in FIG. The removal liquid 60 can be selected according to the material of the sacrificial layer 20. For example, when the sacrificial layer 20 is a photosensitive resin, a developer can be used, and when the sacrificial layer 20 is a metal. An etching solution such as an acid can be used. Although FIG. 13 shows a state where all the sacrificial layer 20 formed on the substrate 10 is removed, the sacrificial layer 20 may not be completely removed. For example, even if a part of the sacrificial layer 20 remains, it is sufficient that the gap G is formed below the porous layer 30 in the region where the metal ink 50 is applied. The removing liquid 60 supplied from the opening 30h of the porous layer 30 can be removed by drying, baking, or the like. In this embodiment, since the insulating layer 40 is formed so as to surround the side surface around the porous layer 30, the removal liquid 60 is removed when the sacrificial layer 20 is removed by the removal liquid 60. Leakage around 30 can be prevented. As a result, even if another wiring layer or the like is formed around the porous layer 30, the removal liquid 60 does not leak out of the porous layer 30. It does not affect electrical characteristics such as electrical resistance. 12A is a top view in this step, and FIG. 12B is a cross-sectional view taken along the alternate long and short dash line 12A-12B in FIG. 12A. FIG. 13A is a top view in this step, and FIG. 13B is a cross-sectional view taken along the alternate long and short dash line 13A-13B in FIG.

次に、ステップ25(S25)において、多孔質層30の上に配線層70を形成するための金属インク50を塗布する。具体的には、図14に示すように、空隙Gが形成されている領域に対応する多孔質層30の上の一部に、インクジェット印刷法により、金属インク50を塗布する。金属インク50を塗布する際の噴出量は、塗布される金属インク50の厚さや金属インク50の塗布速度等により定めることができる。本実施形態においては、金属インク50により形成される配線層70の厚さが2μmとなるように、金属インク50を塗布する。金属インク50としては、例えば、銀(Ag)、銅(Cu)等の金属微粒子と、有機溶媒とが含まれているものを用いることができる。このような金属インク50は、焼成することにより有機溶媒が除去されるため、残存する銀、銅等の金属微粒子により配線層70を形成することができる。   Next, in step 25 (S25), the metal ink 50 for forming the wiring layer 70 is applied on the porous layer 30. Specifically, as shown in FIG. 14, the metal ink 50 is applied to a part on the porous layer 30 corresponding to the region where the gap G is formed by the ink jet printing method. The amount of ejection when applying the metal ink 50 can be determined by the thickness of the metal ink 50 to be applied, the application speed of the metal ink 50, and the like. In the present embodiment, the metal ink 50 is applied so that the wiring layer 70 formed of the metal ink 50 has a thickness of 2 μm. As the metal ink 50, for example, an ink containing metal fine particles such as silver (Ag) and copper (Cu) and an organic solvent can be used. Since such an organic solvent is removed by firing such a metal ink 50, the wiring layer 70 can be formed from remaining metal fine particles such as silver and copper.

また、金属インク50の塗布は、インクジェット印刷法以外の他の印刷法により行ってもよい。金属インク50を塗布した後に、必要な場合には金属インク50を乾燥させてもよい。尚、便宜上、図14及び図15においては、多孔質層30における微細孔に入り込んでいる金属インク50に含まれる金属微粒子等は省略されている。図14(a)はこの工程における上面図であり、図14(b)は図14(a)における一点鎖線14A−14Bにおいて切断した断面図である。   The metal ink 50 may be applied by a printing method other than the ink jet printing method. After applying the metal ink 50, the metal ink 50 may be dried if necessary. For convenience, in FIG. 14 and FIG. 15, metal fine particles included in the metal ink 50 entering the micropores in the porous layer 30 are omitted. FIG. 14A is a top view in this step, and FIG. 14B is a cross-sectional view taken along the alternate long and short dash line 14A-14B in FIG.

次に、ステップ26(S26)において、多孔質層30の上に塗布された金属インク50を焼成する。具体的には、図15に示すように、多孔質層30の上に塗布された金属インク50を約125℃で焼成することにより、金属インク50に含まれる有機溶媒を除去し、金属インク50に含まれる金属微粒子により配線層70を形成する。これにより、本実施形態における配線基板を作製することができる。尚、図15(a)はこの工程における上面図であり、図15(b)は図15(a)における一点鎖線15A−15Bにおいて切断した断面図である。   Next, in step 26 (S26), the metal ink 50 applied on the porous layer 30 is baked. Specifically, as shown in FIG. 15, the metal ink 50 applied onto the porous layer 30 is baked at about 125 ° C., thereby removing the organic solvent contained in the metal ink 50, and the metal ink 50. The wiring layer 70 is formed from the metal fine particles contained in the substrate. Thereby, the wiring board in this embodiment can be produced. FIG. 15A is a top view in this step, and FIG. 15B is a cross-sectional view taken along the alternate long and short dash line 15A-15B in FIG. 15A.

以上より、本実施形態における配線基板では、基板10と多孔質層30との間に空隙Gが形成されているため、金属インク50に含まれる有機溶媒は、金属インク50の上面のみならず、金属インク50の下の多孔質層30を介して、空隙Gからも除去される。これにより、金属インク50に含まれる有機溶媒の除去を促進することができ、焼成後の配線層70に残存している有機溶媒を極力減らすことができる。従って、本実施形態においては、耐熱性の低い樹脂材料等により形成された基板を用いた場合であっても、配線層における導電性が良好であって、また、配線層と基板との密着性が良好となる信頼性の高い配線基板を得ることができる。   As described above, in the wiring board according to the present embodiment, since the gap G is formed between the substrate 10 and the porous layer 30, the organic solvent contained in the metal ink 50 is not only the upper surface of the metal ink 50, It is also removed from the gap G through the porous layer 30 under the metal ink 50. Thereby, the removal of the organic solvent contained in the metal ink 50 can be promoted, and the organic solvent remaining in the wiring layer 70 after firing can be reduced as much as possible. Therefore, in this embodiment, even when a substrate formed of a resin material having low heat resistance is used, the conductivity in the wiring layer is good, and the adhesion between the wiring layer and the substrate is also good. It is possible to obtain a highly reliable wiring board in which the resistance is good.

また、本実施形態では、金属インクを乾燥させる工程を省くことが可能となるため、低コストで配線基板を製造することが可能となる。   Further, in the present embodiment, it is possible to omit the step of drying the metal ink, and thus it is possible to manufacture a wiring board at a low cost.

以上、実施形態について詳述したが、特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。   Although the embodiments have been described in detail above, the present invention is not limited to specific embodiments, and various modifications and changes can be made within the scope described in the claims.

上記の実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
(付記1)
基板と、
前記基板の上に形成される多孔質層と、
前記多孔質層の上に塗布された金属インクを焼成することにより形成された配線層と、
を有し、
前記基板と多孔質層との間には空隙が設けられており、
前記配線層は、前記空隙が設けられている領域に対応する前記多孔質層の上の一部に形成されていることを特徴とする配線基板。
(付記2)
前記多孔質層は、前記多孔質層の周縁部分において、前記基板に接し支持されていることを特徴とする付記1に記載の配線基板。
(付記3)
前記多孔質層は、前記空隙が形成されている領域において、前記多孔質層の厚さ方向に貫通する開口部を有することを特徴とする付記1または2に記載の配線基板。
(付記4)
前記多孔質層の周囲の側面及び前記側面より上面の一部を覆う絶縁層が形成されていることを特徴とする付記1から3のいずれかに記載の配線基板。
(付記5)
基板の表面から絶縁層の上面までの厚さは、基板と多孔質層との間の空隙の間隔と空隙が形成されている領域における多孔質層における厚さとの和よりも大きな値であることを特徴とする付記4に記載の配線基板。
(付記6)
前記基板は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、PET樹脂、ポリカーボネート樹脂のいずれかを含むことを特徴とする付記1から5のいずれかに記載の配線基板。
(付記7)
基板の上に、犠牲層を形成する工程と、
前記基板の上の前記犠牲層の上面及び側面を覆う多孔質層を形成する工程と、
前記多孔質層の上に、金属インクを塗布する工程と、
前記多孔質層を形成する工程の後、除去液を供給して前記犠牲層を除去することにより、前記犠牲層が除去された領域に空隙を形成する工程と、
前記犠牲層を除去した後、前記金属インクを焼成する工程と、
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
(付記8)
前記空隙を形成する工程は、前記金属インクを塗布する工程の後に行われることを特徴とする付記7に記載の配線基板の製造方法。
(付記9)
前記多孔質層には、前記多孔質層を厚さ方向に貫通し、前記犠牲層が露出する開口部が設けられており、
前記犠牲層を除去する工程においては、前記開口部より前記除去液を供給することを特徴とする付記7または8に記載の配線基板の製造方法。
(付記10)
前記金属インクを塗布する工程は、インクジェット印刷法により前記金属インクを塗布するものであることを特徴とする付記7から9のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
(付記11)
前記多孔質層を形成する工程は、転写法により前記多孔質層を形成するものであることを特徴とする付記7から10のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
(付記12)
前記空隙を形成する工程は、インクジェット印刷法により前記除去液を供給するものであることを特徴とする付記7から11のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
Regarding the above embodiment, the following additional notes are disclosed.
(Appendix 1)
A substrate,
A porous layer formed on the substrate;
A wiring layer formed by firing a metal ink applied on the porous layer;
Have
A gap is provided between the substrate and the porous layer,
The wiring board, wherein the wiring layer is formed on a part of the porous layer corresponding to a region where the gap is provided.
(Appendix 2)
The wiring substrate according to appendix 1, wherein the porous layer is supported in contact with the substrate at a peripheral portion of the porous layer.
(Appendix 3)
The wiring board according to appendix 1 or 2, wherein the porous layer has an opening penetrating in a thickness direction of the porous layer in a region where the void is formed.
(Appendix 4)
4. The wiring board according to any one of appendices 1 to 3, wherein an insulating layer is formed to cover a side surface around the porous layer and a part of an upper surface from the side surface.
(Appendix 5)
The thickness from the surface of the substrate to the upper surface of the insulating layer is greater than the sum of the gap distance between the substrate and the porous layer and the thickness of the porous layer in the region where the void is formed. The wiring board according to appendix 4, characterized by:
(Appendix 6)
The wiring board according to any one of supplementary notes 1 to 5, wherein the board includes any one of an epoxy resin, a polyimide resin, a PET resin, and a polycarbonate resin.
(Appendix 7)
Forming a sacrificial layer on the substrate;
Forming a porous layer covering the top and side surfaces of the sacrificial layer on the substrate;
Applying a metal ink on the porous layer;
After the step of forming the porous layer, a step of forming a void in the region where the sacrificial layer has been removed by supplying a removing liquid and removing the sacrificial layer;
Firing the metal ink after removing the sacrificial layer;
A method of manufacturing a wiring board, comprising:
(Appendix 8)
The method for manufacturing a wiring board according to appendix 7, wherein the step of forming the gap is performed after the step of applying the metal ink.
(Appendix 9)
The porous layer is provided with an opening that penetrates the porous layer in the thickness direction and exposes the sacrificial layer,
9. The method of manufacturing a wiring board according to appendix 7 or 8, wherein in the step of removing the sacrificial layer, the removing liquid is supplied from the opening.
(Appendix 10)
The method of manufacturing a wiring board according to any one of appendices 7 to 9, wherein the step of applying the metal ink is a step of applying the metal ink by an ink jet printing method.
(Appendix 11)
11. The method of manufacturing a wiring board according to any one of appendices 7 to 10, wherein the step of forming the porous layer forms the porous layer by a transfer method.
(Appendix 12)
12. The method for manufacturing a wiring board according to any one of appendices 7 to 11, wherein the step of forming the gap is to supply the removal liquid by an ink jet printing method.

1 配線基板
10 基板
20 犠牲層
30 多孔質層
30h 開口部
40 絶縁層
50 金属インク
60 除去液
70 配線層
G 空隙
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Wiring board 10 Board | substrate 20 Sacrificial layer 30 Porous layer 30h Opening 40 Insulating layer 50 Metal ink 60 Removal liquid 70 Wiring layer G Gap

Claims (8)

基板と、
前記基板の上に形成される多孔質層と、
前記多孔質層の上に塗布された金属インクを焼成することにより形成された配線層と、
を有し、
前記基板と多孔質層との間には空隙が設けられており、
前記配線層は、前記空隙が設けられている領域に対応する前記多孔質層の上の一部に形成されていることを特徴とする配線基板。
A substrate,
A porous layer formed on the substrate;
A wiring layer formed by firing a metal ink applied on the porous layer;
Have
A gap is provided between the substrate and the porous layer,
The wiring board, wherein the wiring layer is formed on a part of the porous layer corresponding to a region where the gap is provided.
前記多孔質層は、前記多孔質層の周縁部分において、前記基板に接し支持されていることを特徴とする請求項1に記載の配線基板。   The wiring substrate according to claim 1, wherein the porous layer is supported in contact with the substrate at a peripheral portion of the porous layer. 前記多孔質層は、前記空隙が形成されている領域において、前記多孔質層の厚さ方向に貫通する開口部を有することを特徴とする請求項1または2に記載の配線基板。   The wiring substrate according to claim 1, wherein the porous layer has an opening penetrating in a thickness direction of the porous layer in a region where the void is formed. 前記多孔質層の周囲の側面及び前記側面より上面の一部を覆う絶縁層が形成されていることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の配線基板。   The wiring board according to claim 1, wherein an insulating layer is formed to cover a side surface around the porous layer and a part of an upper surface from the side surface. 基板の上に、犠牲層を形成する工程と、
前記基板の上の前記犠牲層の上面及び側面を覆う多孔質層を形成する工程と、
前記多孔質層の上に、金属インクを塗布する工程と、
前記多孔質層を形成する工程の後、除去液を供給して前記犠牲層を除去することにより、前記犠牲層が除去された領域に空隙を形成する工程と、
前記犠牲層を除去した後、前記金属インクを焼成する工程と、
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
Forming a sacrificial layer on the substrate;
Forming a porous layer covering the top and side surfaces of the sacrificial layer on the substrate;
Applying a metal ink on the porous layer;
After the step of forming the porous layer, a step of forming a void in the region where the sacrificial layer has been removed by supplying a removing liquid and removing the sacrificial layer;
Firing the metal ink after removing the sacrificial layer;
A method of manufacturing a wiring board, comprising:
前記空隙を形成する工程は、前記金属インクを塗布する工程の後に行われることを特徴とする請求項5に記載の配線基板の製造方法。   The method for manufacturing a wiring board according to claim 5, wherein the step of forming the void is performed after the step of applying the metal ink. 前記多孔質層には、前記多孔質層を厚さ方向に貫通し、前記犠牲層が露出する開口部が設けられており、
前記犠牲層を除去する工程においては、前記開口部より前記除去液を供給することを特徴とする請求項5または6に記載の配線基板の製造方法。
The porous layer is provided with an opening that penetrates the porous layer in the thickness direction and exposes the sacrificial layer,
The method for manufacturing a wiring board according to claim 5, wherein in the step of removing the sacrificial layer, the removing liquid is supplied from the opening.
前記金属インクを塗布する工程は、インクジェット印刷法により前記金属インクを塗布するものであることを特徴とする請求項5から7のいずれかに記載の配線基板の製造方法。   8. The method for manufacturing a wiring board according to claim 5, wherein the step of applying the metal ink is a step of applying the metal ink by an ink jet printing method.
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