JP2017021571A - Semiconductor integrated circuit, and design support device and design method therefor - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体集積回路、その設計支援装置および設計方法に関する。 The present invention relates to a semiconductor integrated circuit, a design support apparatus and a design method thereof.
近年、LSI(Large Scale Integrated Circuit:大規模集積回路)などの開発は、テクノロジの微細化により更なる大規模化、高性能化、多機能化などが強く要求されている。そのため、従来と比べ開発が複雑になり設計期間が非常に長期化してきている。一方、LSIなどを搭載した製品は、より速く市場に投入するために設計期間の短縮を求められている。 In recent years, development of LSIs (Large Scale Integrated Circuits) and the like has been strongly demanded for further scale-up, higher performance, and multi-functionality due to technology miniaturization. For this reason, development is more complicated than in the past, and the design period has become very long. On the other hand, a product equipped with an LSI or the like is required to shorten a design period in order to be put on the market faster.
半導体集積回路のレイアウト設計において配置、配線工程の後にタイミング検証での設計保障を行う。その後、タイミング検証で設計保障の取れたデータに対してレイアウト検証での設計保障を行う必要がある。レイアウト検証は、レイアウト設計の最終工程であり、DRC(Design Rule Check:デザインルールチェック)、LVS(Layout vs Schematic:レイアウト対回路図比較照合検証)などの検証項目があることが知られている。 In the layout design of a semiconductor integrated circuit, the design is guaranteed by timing verification after the placement and wiring process. After that, it is necessary to guarantee the design by layout verification for the data whose design is guaranteed by the timing verification. Layout verification is the final step of layout design, and it is known that there are verification items such as DRC (Design Rule Check) and LVS (Layout vs Schematic).
図13は、特許文献1に記載されているレイアウト検証設計法の一例を示すフローチャートである。
図示のように、まず電子デバイスのマスクレイアウトパターン(回路レイアウトデータ)を読み込むとともに(ステップS101)、設計された回路情報(回路ネットリスト)を読み込む(ステップS102)。次にステップS101で読み込まれたマスクレイアウトパターンのDRCを行い(ステップS103)、次いでエラーがないか否かを判断する(ステップS104)。
FIG. 13 is a flowchart showing an example of the layout verification design method described in Patent Document 1.
As shown in the figure, first, a mask layout pattern (circuit layout data) of an electronic device is read (step S101), and designed circuit information (circuit netlist) is read (step S102). Next, DRC of the mask layout pattern read in step S101 is performed (step S103), and then it is determined whether or not there is an error (step S104).
DRCの結果、エラーが検出された場合は(ステップS104:No)、マスクレイアウトパターン修正が必要である(ステップS105)。一方、DRCの結果、エラーが検出されなかった場合は(ステップS104:Yes)、ステップS101で読み込まれたマスクレイアウトパターンのERC(Electrical Rule Check:電気的ルールチェック)を行い、信号線のオープン、ショートの検出等を行う(ステップS106)。 If an error is detected as a result of DRC (step S104: No), mask layout pattern correction is required (step S105). On the other hand, if no error is detected as a result of DRC (step S104: Yes), ERC (Electrical Rule Check) of the mask layout pattern read in step S101 is performed, and the signal line is opened. A short circuit is detected (step S106).
次にエラーがないか否かを判断する(ステップS107)。そして、ERCの結果、エラーが検出された場合は(ステップS107:No)、マスクレイアウトパターン修正が必要である(ステップS108)。一方、ERCの結果、エラーが検出されなかった場合は(ステップS107:Yes)、続いてステップS101で読み込まれたマスクレイアウトパターンとステップS102で読み込まれた回路情報とのLVSを行う(ステップS109)。 Next, it is determined whether or not there is an error (step S107). If an error is detected as a result of ERC (step S107: No), it is necessary to correct the mask layout pattern (step S108). On the other hand, if no error is detected as a result of ERC (step S107: Yes), LVS of the mask layout pattern read in step S101 and the circuit information read in step S102 is subsequently performed (step S109). .
次にエラーがないか否かを判断する(ステップS110)。LVSの結果、エラーが検出された場合は(ステップS110:No)、マスクレイアウトパターン修正が必要である(ステップS111)。一方、LVSの結果、エラーが検出されなかった場合は(ステップS110:Yes)、マスクレイアウトパターンと回路情報とが一致していることが検証される。 Next, it is determined whether or not there is an error (step S110). If an error is detected as a result of LVS (step S110: No), mask layout pattern correction is required (step S111). On the other hand, if no error is detected as a result of the LVS (step S110: Yes), it is verified that the mask layout pattern matches the circuit information.
このように従来のレイアウト設計検証法では、ERCでエラーが検出されなくなった後にLVSを実行している。その理由は、ERCでの配線エラー、特に配線ショートがある場合は誤った接続となっているため、この状態でLVSを実行しても回路情報とは不一致となり、LVSの検証結果の精度が落ちるからである。 Thus, in the conventional layout design verification method, LVS is executed after no error is detected by ERC. The reason is that, when there is a wiring error in ERC, particularly when there is a wiring short, it is an incorrect connection, so even if LVS is executed in this state, the circuit information does not match and the accuracy of the LVS verification result decreases. Because.
しかしながら、上記従来のレイアウト設計検証法では、レイアウト検証対象の回路全体で配線エラーがなくなるまでLVSが実行できないという問題がある。 However, the conventional layout design verification method has a problem that LVS cannot be executed until there is no wiring error in the entire layout verification target circuit.
本発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、その目的は、レイアウト検証対象の半導体集積回路の一部に配線エラーがあってもLVSを実行できるようにすることである。 The present invention has been made to solve such a problem, and an object of the present invention is to make it possible to execute LVS even if there is a wiring error in a part of a semiconductor integrated circuit subject to layout verification. .
本発明に係る半導体集積回路の設計支援装置は、半導体集積回路の回路レイアウトデータを読み込む回路レイアウトデータ読み込み手段と、前記半導体集積回路の回路ネットリストを読み込む回路ネットリスト読み込み手段と、前記回路レイアウトデータのうち、検証対象外領域を表す検証対象外領域データを読み込む検証対象外領域データ読み込み手段と、前記回路ネットリスト、前記回路レイアウトデータ、および前記検証対象領域外データに基づいて、検証対象領域の回路レイアウトデータおよび回路ネットリストを生成する検証用データ生成手段と、を有する半導体集積回路の設計支援装置である。 A design support device for a semiconductor integrated circuit according to the present invention comprises: circuit layout data reading means for reading circuit layout data of a semiconductor integrated circuit; circuit net list reading means for reading a circuit net list of the semiconductor integrated circuit; and the circuit layout data. Non-verification area data reading means for reading the non-verification area data representing the non-verification area, and based on the circuit netlist, the circuit layout data, and the non-verification area data, A design support apparatus for a semiconductor integrated circuit, comprising: verification data generation means for generating circuit layout data and a circuit netlist.
本発明によれば、レイアウト検証対象の半導体集積回路の一部に配線エラーがあってもLVSを実行することができる。 According to the present invention, LVS can be executed even if there is a wiring error in a part of a semiconductor integrated circuit subject to layout verification.
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。
〈設計支援装置のハードウェア構成〉
図1は、本発明の実施形態に係る半導体集積回路の設計支援装置(以下、設計支援装置)を含むレイアウト検証装置のハードウェア構成を示すブロック図である。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
<Hardware configuration of design support device>
FIG. 1 is a block diagram showing the hardware configuration of a layout verification apparatus including a semiconductor integrated circuit design support apparatus (hereinafter referred to as a design support apparatus) according to an embodiment of the present invention.
図示のように、レイアウト検証装置100は、CPU1と、それぞれがCPU1に接続されたROM2、RAM3、キーボード4、マウス5、表示装置6、およびHD(ハードディスク)7を備えている。
As shown in the figure, the
CPU1は、装置全体の制御を行う。ROM2には、OS(オペレーティングシステム)のプログラムが格納されている。このOSのプログラムは、レイアウト検証装置100の起動に伴い実行される。RAM3は、レイアウト検証処理の実行時に作業領域として利用される。
The CPU 1 controls the entire apparatus. The
操作手段としてのキーボード4およびマウス5は、ヒューマンインタフェースとして機能し、レイアウト検証処理における各種の設定に用いられる。また、表示装置6もヒューマンインタフェースとして機能し、各種設定の内容や装置の動作状態などの表示に用いられる。
The keyboard 4 and the
HD7には、レイアウト検証プログラムの他、後述する回路ネットリスト、回路レイアウトデータ、セルライブラリ、検証対象外領域データ、検証用回路ネットリスト、および検証用回路レイアウトデータが格納される。
In addition to the layout verification program, the
レイアウト検証プログラムは、HD7からRAM3に読み出されて実行される。また、レイアウト検証プログラムは、HD7以外の記録媒体(例えばCD―ROM)に記録され、対応する読取装置(CD−ROMドライブ装置)によりRAM3に読み出す構成を採用してもよい。
The layout verification program is read from the
〈設計支援装置の機能構成〉
図2は、本発明の実施形態に係る設計支援装置の機能構成を示すブロック図である。
図示のように、設計支援装置101は、回路ネットリスト読み込み部102、回路レイアウトデータ読み込み部103、セルライブラリ読み込み部104、検証対象外領域データ読み込み部105、境界認識部106、境界情報解析部107、検証用回路ネットリスト生成部108、および検証用回路レイアウトデータ生成部109を備えている。設計支援装置101を構成する各部は、CPU1がHD7からレイアウト検証プログラムを読み込み、実行することにより実現される機能ブロックである。
<Functional configuration of design support device>
FIG. 2 is a block diagram showing a functional configuration of the design support apparatus according to the embodiment of the present invention.
As illustrated, the
ここで、回路ネットリスト読み込み部102、回路レイアウトデータ読み込み部103、セルライブラリ読み込み部104、検証対象外領域データ読み込み部105は、それぞれ本発明に係る回路ネットリスト読み込み手段、回路レイアウトデータ読み込み手段、検証対象外領域データ読み込み手段に対応する。また、境界認識部106、境界情報解析部107、検証用回路ネットリスト生成部108、および検証用回路レイアウトデータ生成部109が、本発明に係る検証用データ生成手段に対応する。
Here, the circuit net
回路ネットリスト読み込み部102、回路レイアウトデータ読み込み部103、セルライブラリ読み込み部104は、それぞれ回路ネットリスト記憶部72、回路レイアウトデータ記憶部73、セルライブラリ記憶部74から、回路ネットリスト、回路レイアウトデータ、セルライブラリを読み込み、RAM3に格納する。
The circuit net
回路ネットリストは、半導体集積回路内の回路素子および配線の接続情報を含むデータであり、回路図エディタ、配置配線ツールなどにより生成される。また、回路ネットリストは、階層構造を持っており、例えば、トップ層(第1階層)は機能ブロックに関するデータ、第2階層には機能ブロック内の内部回路である各種論理回路(AND回路、OR回路、フリップフロップ回路など)のセルに関するデータを備えている。 The circuit netlist is data including connection information of circuit elements and wirings in the semiconductor integrated circuit, and is generated by a circuit diagram editor, a placement and routing tool, or the like. The circuit netlist has a hierarchical structure. For example, the top layer (first layer) is data relating to a functional block, and the second layer is various logic circuits (AND circuit, OR, which are internal circuits in the functional block). Circuit, flip-flop circuit, etc.) cell data.
セルライブラリは、様々なセル(AND回路、OR回路、フリップフロップ回路、I/Oバッファ)などの形状(図形データ)、およびその内部構成データ(トランジスタおよび配線)を含むセルデータのライブラリである。 The cell library is a library of cell data including shapes (graphic data) such as various cells (AND circuit, OR circuit, flip-flop circuit, I / O buffer), and internal configuration data (transistors and wirings).
回路レイアウトデータは、階層構造を有する回路ネットリスト、およびセルライブラリから、配置配線ツールにより生成されるマスクパターンデータであり、半導体集積回路の回路素子および配線のチップ上の位置情報を含む。 The circuit layout data is mask pattern data generated by a placement and routing tool from a circuit netlist having a hierarchical structure and a cell library, and includes position information on a chip of a semiconductor integrated circuit circuit element and wiring.
検証対象外領域データ読み込み部105は、検証対象外領域データ記憶部75から、検証対象外領域データを読み込む。検証対象外領域データとは、回路レイアウトデータが表すマスクパターンのうち、レイアウト検証の対象から除外する領域を表すデータである。この検証対象外データは予め回路レイアウトデータ毎に設定されている。
The non-verification area
境界認識部106は、回路ネットリスト読み込み部102により読み込まれた回路ネットリスト、回路レイアウトデータ読み込み部103により読み込まれた回路レイアウトデータ、セルライブラリ読み込み部104により読み込まれたセルライブラリ、および検証対象外領域データ読み込み部105により読み込まれた検証対象外領域データを基に、回路レイアウトデータにおけるレイアウト検証対象外となる部分を認識し、検証対象外領域の外縁、すなわち検証対象外領域と検証対象領域との境界となる座標情報をRAM3に格納する。
The
境界情報解析部107は、境界認識部106で格納された座標情報を基に、境界部分にある回路のテキストデータ(フリップフロップ回路、AND回路、GND、VCCなど)、および図形データまたはレイアウトデータを取得し、RAM3に格納する。これらのデータを取得する手順の詳細については図4を参照して後述する。
Based on the coordinate information stored in the
検証用回路ネットリスト生成部108は、回路ネットリスト読み込み部102により読み込まれ、格納された回路ネットリストに対して、境界情報解析部107で格納された情報を反映させた検証用回路ネットリストを生成し、検証用回路ネットリスト記憶部76に格納する。
The verification circuit net
検証用回路レイアウトデータ生成部109は、回路レイアウトデータ読み込み部103により読み込まれ、格納されたレイアウトデータに対して、境界情報解析部107で格納された情報を反映させた検証用レイアウトデータを生成し、検証用回路レイアウトデータ記憶部77に格納する。
The verification circuit layout
後述するように、検証用回路ネットリストおよび検証用回路レイアウトデータはLVSにより検証される。つまり、レイアウト設計途中であって、配線ショートが残っていても、所望の箇所におけるLVS検証を実施することを可能にするデータが設計支援装置101により作成される。
As will be described later, the verification circuit netlist and the verification circuit layout data are verified by LVS. That is, the
なお、レイアウト検証は既知の技術であるため、この実施形態のように、レイアウト検証装置100内に設計支援装置101を内蔵させても構わないし、設計支援装置101で作成したデータを直接もしくは間接的にレイアウト検証装置に読み込ませ、レイアウト検証を実施しても構わない。
Since layout verification is a known technique, the
〈レイアウト検証用データ生成部の動作〉
図3は、設計支援装置101の動作を示すフローチャートである。
<Operation of layout verification data generator>
FIG. 3 is a flowchart showing the operation of the
図示のように、まず回路ネットリスト読み込み部102による回路ネットリストの読み込み(ステップS1)、回路レイアウトデータ読み込み部103による回路レイアウトデータの読み込み(ステップS2)、セルライブラリ読み込み部104によるセルライブラリの読み込み(ステップS3)、および検証対象外領域データ読み込み部105による検証対象外領域データの読み込み(ステップS4)が並行して行われる。なお、ステップS1〜S4を順次に行ってもよい。
As shown in the figure, first, the circuit net list is read by the circuit net list reading unit 102 (step S1), the circuit layout data is read by the circuit layout data reading unit 103 (step S2), and the cell library is read by the cell
次に境界認識部106による境界認識(ステップS5)が行われる。次いで境界情報解析部107による境界情報解析(ステップS6)が行われる。このステップの詳細については、図4、図8〜図10を参照して後述する。
Next, boundary recognition (step S5) is performed by the
次に検証用回路ネットリスト生成部108による検証用回路ネットリスト生成(ステップS7)および検証用回路レイアウトデータ生成部109による検証用回路レイアウトデータ生成(ステップS8)が並行して行われる。なお、ステップS7、S8を順次に行ってもよい。 Next, verification circuit netlist generation by the verification circuit netlist generation unit 108 (step S7) and verification circuit layout data generation by the verification circuit layout data generation unit 109 (step S8) are performed in parallel. Steps S7 and S8 may be performed sequentially.
ステップS7で生成された検証用回路ネットリストはLVSに用いられ、ステップS8で生成された検証用回路レイアウトデータはDRC、ERC、LVSに用いられる。DRCでは検証用レイアウトデータが設計基準値を満たしているか否かを確認する。ERCでは配線エラー(ショート、オープン等)の有無を確認する。LVSでは検証用回路レイアウトデータが検証用回路ネットリストどおりに作成されているか否か(配線エラーの有無を含む)を確認する。つまり、以後の動作は、図13におけるステップS101、S102で読み込むレイアウトデータ、回路情報を、それぞれ検証用回路レイアウトデータ、検証用回路ネットリストに換えたものである。 The verification circuit netlist generated in step S7 is used for LVS, and the verification circuit layout data generated in step S8 is used for DRC, ERC, and LVS. In the DRC, it is confirmed whether or not the verification layout data satisfies the design standard value. In ERC, the presence or absence of a wiring error (short, open, etc.) is confirmed. In the LVS, it is confirmed whether or not the verification circuit layout data is created according to the verification circuit netlist (including the presence or absence of a wiring error). In other words, the subsequent operation is obtained by replacing the layout data and circuit information read in steps S101 and S102 in FIG. 13 with the verification circuit layout data and the verification circuit netlist, respectively.
〈境界情報解析処理〉
図4は、図3における境界情報解析処理を示すフローチャートである。
まず指定座標トレース処理(ステップS61)を実行する。この処理では、回路レイアウトデータのうち、検証対象外領域データにより表される検証対象外領域と検証対象領域との境界線上の回路レイアウトデータを所定のサイズおよび所定の間隔でサンプルして、種々のデータを取得する。このサイズ、間隔は、回路レイアウトデータを取得するのに問題ないサイズ、間隔である(サイズ、間隔、および取得するデータの具体例については図10を参照して後述する。)。
<Boundary information analysis processing>
FIG. 4 is a flowchart showing the boundary information analysis processing in FIG.
First, designated coordinate trace processing (step S61) is executed. In this process, the circuit layout data on the boundary line between the non-verification area and the verification target area represented by the non-verification area data among the circuit layout data is sampled at a predetermined size and a predetermined interval, Get the data. These sizes and intervals are sizes and intervals that do not cause any problem in acquiring circuit layout data (a specific example of the size, interval, and acquired data will be described later with reference to FIG. 10).
次に検証対象外領域解析処理(ステップS62)を実行する。この処理では、ステップS61で取得したデータから、ネットリストとして必要な信号やレイアウトとして必要な信号を取得する。 Next, a non-verification area analysis process (step S62) is executed. In this process, a signal required as a net list and a signal required as a layout are acquired from the data acquired in step S61.
次いで検証対象外領域のデータ修正処理(ステップS63)を実行する。この処理では、ステップS62で取得された情報を基に、境界上の回路レイアウトデータおよび回路ネットリストを削除する。境界上の全ての回路レイアウトデータおよび回路ネットリストを削除した時点でこの図に示す処理が終了する。 Next, a data correction process (step S63) for the non-verification area is executed. In this process, the circuit layout data and circuit netlist on the boundary are deleted based on the information acquired in step S62. When all the circuit layout data and circuit netlist on the boundary are deleted, the processing shown in FIG.
なお、ステップS63において、境界上のデータだけでなく、検証対象外領域の全ての回路レイアウトデータおよび回路ネットリストを削除してもよい。これにより、保持するデータ量を低減することができる。 In step S63, not only the data on the boundary but also all circuit layout data and circuit netlist in the non-verification area may be deleted. Thereby, the data amount to hold | maintain can be reduced.
すなわち、ステップS63では、移動した軌跡に合わせてその部分(境界上)のみレイアウトを削除し、対象外とする部分との接続をなくしている。この処理ではLVS検証にかかわる情報の変更のみなのでデータ量としてはほとんど変わらない。トレースで情報取得した以外のLVS検証対象外とした部分(境界線内)は、情報として保持する必要がないので、回路ネットリストおよび回路レイアウトデータから削除しても構わない。そこで、LVS検証対象外のデータを削除することで、保持するデータ量を低減する。 That is, in step S63, the layout is deleted only in the portion (on the boundary) in accordance with the moved trajectory, and the connection with the portion to be excluded is eliminated. In this process, since only the information related to LVS verification is changed, the data amount hardly changes. Portions that are not subject to LVS verification (within the boundary) other than the information acquired by tracing need not be retained as information, and may be deleted from the circuit netlist and circuit layout data. Therefore, the amount of data to be retained is reduced by deleting data that is not subject to LVS verification.
〈回路レイアウトデータの一例〉
図5は、本発明の実施形態に係る設計支援装置101で検証される1チップの回路レイアウトデータの一例を示す図である。ここでは、説明の便宜上、チップの周辺部に位置するI/Oバッファおよびその配線のみを図示し、チップの中央部に位置する内部ロジックおよびその配線は省略した。
<Example of circuit layout data>
FIG. 5 is a diagram showing an example of one-chip circuit layout data verified by the
この回路レイアウトデータ200は、配線201〜207、ディバイダセル211〜214を備えている。配線201、205、207には、それぞれGND、GND3、GND4という名称のグラウンド配線としてのLVS属性(テキスト)を付与することで、LVS検証が可能となる。また、配線202、203、204、206には、それぞれVCC1、VCC2、VCC3、VCC4という名称の電源配線としてのLVS属性(テキスト)を付与することで、LVS検証が可能となる。ここで、GND3とVCC3、GND4とVCC4とが対になっている。
The
ディバイダセル211〜214は、電源配線およびグラウンド配線を切断するためのI/Oバッファである。ディバイダセル211〜214以外のI/Oバッファ(長方形で図示されているブロック)は電源セルである。
〈検証対象外領域の第1の設定例〉
図6は、図5に示す回路レイアウトデータに設定された検証対象外領域の第1の例を示す図である。
<First setting example of non-verification area>
FIG. 6 is a diagram illustrating a first example of a non-verification region set in the circuit layout data illustrated in FIG.
検証対象外領域300がLVS対象外として設定したい領域である。ここでは、検証対象外領域300の外縁の形状は矩形であり、その折れ曲がり点(矩形の場合は頂点)を左下端から反時計回りの順番でP1、P2、P3、P4とした。頂点P1、P2、P3、P4の位置はチップ上の二次元座標(X座標,Y座標)の形式で表される。
The
図7は、図6に示す検証対象外領域を記述するファイルのフォーマットの一例を示す図である。ここで、“ExemptArea”からなるテキスト400は検証対象外領域を装置に認識させるための指示を表し、それ以降に指定されたP1、P2、P3、P4の座標(400,400)、(4600,400)、(4600,4600)、(400,4600)を直線で結び、LVS検証対象外領域として装置に設定させる。ここでは、チップの左下端を座標の原点としたが、例えば他端(例えば左上端)を原点にしてもよい。
FIG. 7 is a diagram showing an example of a format of a file describing the non-verification area shown in FIG. Here, the
〈内部電源構成を考慮した回路構成〉
図8は、図5に示す回路レイアウトデータに内部電源構成を考慮した回路構成を示す図である。
<Circuit configuration considering internal power source configuration>
FIG. 8 is a diagram showing a circuit configuration in consideration of the internal power supply configuration in the circuit layout data shown in FIG.
この図において、配線2001は配線202と接続されているので、配線2001には配線202のLVS属性と同じVCC1という名称の電源配線としてのLVS属性が付される。また、配線2002は配線201と接続されているので、配線2002には配線201のLVS属性と同じGNDという名称のグラウンド配線としてのLVS属性が付される。なお、この図における一点鎖線の矩形310は、図6に示した検証対象外領域300の外縁、すなわち検証対象外領域300と検証対象領域との境界線により形成される矩形である(以下、境界矩形310)。
In this figure, since the
〈回路レイアウトデータに対する指定座標トレース処理〉
図9は、図8に示す回路レイアウトデータに対する指定座標トレース処理(図4のステップS61)について説明するための図である。また図10は、図9に示す指定座標トレース処理において移動する点のサイズおよびデータ取得間隔について説明するための図である。
<Specified coordinate trace processing for circuit layout data>
FIG. 9 is a diagram for explaining the designated coordinate trace processing (step S61 in FIG. 4) for the circuit layout data shown in FIG. FIG. 10 is a diagram for explaining the size of a moving point and the data acquisition interval in the designated coordinate tracing process shown in FIG.
図9において、矢印2101は、境界矩形310の左下端(検証対象外領域300の頂点P1)から右下端(同P2)へ移動してデータを取得することを表している。同様に、矢印2102は右下端から右上端(同P3)への移動、矢印2103は右上端から左上端(同P4)への移動、矢印2104は左上端から左下端への移動を表している。
In FIG. 9, an
このように矢印2101〜2104の方向に順番に移動する際、回路レイアウトデータを取得するのに問題のないサイズの点および間隔で移動しながら移動時に接触した図形、図形にふられているテキスト情報を取得する。
In this way, when moving in the direction of the
すなわち、図10Aに示すように、配線の最小単位などのように回路レイアウトデータを取得する上で問題の発生しない充分に小さな点2201を、図10Bの点群2202に示すように、充分に短い間隔で移動させる。この図は矢印2101の方向に移動しているときを表している。ここでは、交差する配線2101および配線2102のLVS属性とメタル座標、メタル層、メタル幅などの情報を取得し、RAM3に格納する。
That is, as shown in FIG. 10A, a sufficiently
例えば、自動配置配線のレイアウトデータ(回路レイアウトデータ)のフォーマットであるDEF(Design Exchange Format)の中にある“SPECIALNETS”は電源、GNDの属性を表す特別なネット(配線)であり、ここには配線名、配線層、座標などの情報が格納されている。DEFに限らず、自動配置配線のレイアウトデータには、配線名、配線層、座標などの情報が格納されていることが一般的であるため、自動配置配線ツールのデータベース上にあるこれらのテキスト情報、メタル情報を取得することができる。 For example, “SPECIALNETS” in DEF (Design Exchange Format), which is a layout data (circuit layout data) format for automatic placement and routing, is a special net (wiring) that represents the attributes of power supply and GND. Information such as a wiring name, a wiring layer, and coordinates is stored. Not only DEF but also layout data of automatic placement and routing generally stores information such as wiring names, wiring layers, coordinates, etc., so these text information on the database of automatic placement and routing tools Metal information can be acquired.
同様に、矢印2102、2103、2104の方向に移動を繰り返すことで、境界矩形310上の回路レイアウトデータおよび回路ネットリストデータを取得する。そして、P1の座標(400,400)に到達したところで、境界部として指定した箇所をすべて通過したため処理を終了する。なお、ここでは、反時計回りに移動しているが、時計回りに移動してもよい。また、移動開始位置は左下端でなくてもよい。
Similarly, the circuit layout data and the circuit net list data on the
ここで説明した、点のサイズや移動間隔は半導体集積回路の開発テクノロジに合わせて変更可能とする。このとき、移動した点の軌跡のレイアウトを削除する(例えば図10Bの場合、配線2101および配線2102のLVS属性とメタル座標、メタル層、メタル幅などの情報を削除する)ことで、境界矩形310上の配線の接続が無くなるため、LVS属性が伝搬しなくなる。
The point size and movement interval described here can be changed according to the development technology of the semiconductor integrated circuit. At this time, the layout of the locus of the moved point is deleted (for example, in the case of FIG. 10B, the LVS attribute of the
上記で修正した、回路レイアウトデータ、回路ネットリストを検証用回路ネットリスト、検証用回路レイアウトデータとして出力することは既知の技術で可能である。 It is possible to output the circuit layout data and the circuit net list corrected as described above as the verification circuit net list and the verification circuit layout data by a known technique.
〈検証対象外領域の第2の設定例〉
図11は、図5に示す回路レイアウトデータに設定された検証対象外領域の第2の例を示す図である。
<Second setting example of non-verification area>
FIG. 11 is a diagram showing a second example of the non-verification region set in the circuit layout data shown in FIG.
検証対象外領域320がLVS対象外として設定したい領域である。ここでは、検証対象外領域320の形状は二つの矩形を足し合わせた六角形であり、その折れ曲がり点を左下端から反時計回りの順番でP11、P12、P13、P14、P15、P16とした。折れ曲がり点P11〜16の位置はチップ上の二次元座標(X座標,Y座標)の形式で表される。このように、検証対象領域の外縁の形状は任意の多角形にすることができる。
The
図12は、図11に示す検証対象外領域を記述するファイルのフォーマットの一例を示す図である。ここでは、検証対象外領域を装置に認識させるための指示を表し、それ以降に指定されたP11、P12、P13、P14、P15、P16の座標(400,400)、(4600,400)、(4600,3500)、(3500,3500)、(3500,4600)、(400,4600)を直線で結び、LVS検証対象外領域として装置に設定させる。ここでは、チップの左下端を座標の原点としたが、例えば他端(例えば左上端)を原点にしてもよい。 FIG. 12 is a diagram showing an example of a format of a file describing the non-verification area shown in FIG. Here, an instruction for causing the apparatus to recognize the non-verification area is shown, and coordinates (400, 400), (4600, 400), (4, P11, P12, P13, P14, P15, P16 designated thereafter are represented. 4600, 3500), (3500, 3500), (3500, 4600), (400, 4600) are connected by a straight line, and the apparatus is set as an LVS verification non-target area. Here, the lower left corner of the chip is the origin of coordinates, but the other end (for example, the upper left corner) may be the origin.
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規の実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。 As mentioned above, although some embodiment of this invention was described, these embodiment is shown as an example and is not intending limiting the range of invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the spirit of the invention.
100…レイアウト検証装置、101…設計支援装置、102…回路ネットリスト読み込み部、103…回路レイアウトデータ読み込み部、104…セルライブラリ読み込み部、105…検証対象外領域データ読み込み部、106…境界認識部、107…境界情報解析部、108…検証用回路ネットリスト生成部、109…検証用回路レイアウトデータ生成部。
DESCRIPTION OF
Claims (6)
前記半導体集積回路の回路ネットリストを読み込む回路ネットリスト読み込み手段と、
前記回路レイアウトデータのうち、検証対象外領域を表す検証対象外領域データを読み込む検証対象外領域データ読み込み手段と、
前記回路ネットリスト、前記回路レイアウトデータ、および前記検証対象外領域データに基づいて、検証対象領域の回路レイアウトデータおよび回路ネットリストを生成する検証用データ生成手段と、
を有する半導体集積回路の設計支援装置。 Circuit layout data reading means for reading circuit layout data of a semiconductor integrated circuit;
Circuit net list reading means for reading a circuit net list of the semiconductor integrated circuit;
Of the circuit layout data, the non-verification area data reading means for reading the non-verification area data representing the non-verification area,
Verification data generation means for generating circuit layout data and circuit netlist of a verification target area based on the circuit netlist, the circuit layout data, and the non-verification area data;
A device for supporting design of a semiconductor integrated circuit.
前記検証対象外領域データは、前記検証対象外領域と検証対象領域との境界を構成する多角形の折れ曲がり点の座標を表すデータからなる、半導体集積回路の設計支援装置。 The design support apparatus for a semiconductor integrated circuit according to claim 1,
The non-verification region data is a design support device for a semiconductor integrated circuit, comprising data representing coordinates of polygonal bending points that constitute a boundary between the non-verification region and the verification region.
前記多角形が矩形である、半導体集積回路の設計支援装置。 The design support apparatus for a semiconductor integrated circuit according to claim 2,
A design support apparatus for a semiconductor integrated circuit, wherein the polygon is a rectangle.
前記検証用データ生成手段は、前記境界上の配線および回路素子の情報を取得する境界情報解析手段と、前記境界情報解析手段による前記情報の取得の結果を前記読み込まれた回路レイアウトデータおよび回路ネットリストに反映させて、前記検証対象領域の回路ネットリストおよび回路レイアウトデータを生成するデータ生成手段を有する、半導体集積回路の設計支援装置。 The design support apparatus for a semiconductor integrated circuit according to claim 2,
The verification data generation means includes boundary information analysis means for acquiring wiring and circuit element information on the boundary, and results of acquisition of the information by the boundary information analysis means as the read circuit layout data and circuit network. A design support apparatus for a semiconductor integrated circuit, comprising data generation means for generating a circuit net list and circuit layout data of the verification target area by reflecting the result in a list.
前記半導体集積回路の回路ネットリストを読み込む回路ネットリスト読み込み工程と、
前記回路レイアウトデータのうち、検証対象外領域を表す検証対象外領域データを読み込む検証対象外領域データ読み込み工程と、
前記回路ネットリスト、前記回路レイアウトデータ、および前記検証対象外領域データに基づいて、検証対象領域の回路レイアウトデータおよび回路ネットリストを生成する検証用データ生成工程と、
を有する半導体集積回路の設計方法。 A circuit layout data reading process for reading circuit layout data of a semiconductor integrated circuit;
A circuit net list reading step of reading a circuit net list of the semiconductor integrated circuit;
Of the circuit layout data, a non-verification area data reading step for reading non-verification area data representing a non-verification area;
A verification data generation step for generating circuit layout data and a circuit netlist of a verification target region based on the circuit netlist, the circuit layout data, and the non-verification region data;
A method for designing a semiconductor integrated circuit.
A semiconductor integrated circuit designed by the method for designing a semiconductor integrated circuit according to claim 5.
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2015
- 2015-07-10 JP JP2015138691A patent/JP2017021571A/en active Pending
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