JP2017004711A - 粒子線照射装置およびその制御方法 - Google Patents

Abstract

【課題】電源装置の小型化、低コスト化を図れる粒子線照射装置およびその制御方法を提供する。
【解決手段】粒子線照射装置は、荷電粒子ビームを標的に照射する粒子線照射装置であって、荷電粒子ビームを加速する加速器と、前記加速器において、荷電粒子ビームを周回させるための加速器用電磁石５、６、７と、荷電粒子ビームを照射するに際して、照射野を形成する照射野形成用電磁石１０、１１と、加速器用電磁石５、６、７と照射野形成用電磁石１０、１１とに電力を供給する電源装置１３とを備え、電源装置１３は、加速器用電磁石５、６、７または照射野形成用電磁石１０、１１にフォーシング電圧を出力する強制励磁電圧出力部１３ａが加速器用電磁石５、６、７と照射野形成用電磁石１０、１１とで共有化されている。
【選択図】図４

Description

本発明は、粒子線照射装置およびその制御方法に関する。

加速器で高エネルギーまで加速した荷電粒子ビームを用いる粒子線治療では、人体表面付近の正常組織への線量を極力抑えながら、粒子線のブラッグピ−クを用いて体内深くにある腫瘍に大きな線量を与えることが可能である。

加速器は荷電粒子ビームを偏向、収束、発散させるなどの用途をもつ多くの電磁石で構成されている。電磁石にはコイルに電流を流すことで自在に磁場を発生させるために、電源装置が必要となる。電源装置の出力電流精度はビームの質（ビーム位置やビームサイズ、出射ビーム電流の安定性、またはビーム加速や出射の効率など）に直接関係する。そのため、加速器には、非常に高精度な電源装置が求められるのが一般的である。

高エネルギービームを扱う場合、必要となる磁場も高くなるため、電磁石の電源装置も必然的に大容量で大型なものとなる。また、照射野を形成する装置にも腫瘍形状に合わせて荷電粒子ビームを照射するために照射野形成用電磁石とその電源装置は必要である。この電源装置についても同様に高いエネルギーのビームを偏向することが求められるため、高精度で大容量の電源装置が必要となる。

本願に係る先行技術文献として、下記の特許文献１、２がある。
特許文献１には、最低限２つの電磁石電源装置を交互に用いて複数の治療室に係る電磁石の何れか一つを励磁する技術が記載されている。使用する複数の治療室に対して、治療室数より少ない数の電源を用意し、使用する治療室間で電源の共用化を図るものである。

特許文献２には、少なくとも２つの電磁石電源装置と少なくとも２つの負荷切替装置を設けたので、それらの電源群を、別々の照射室、例えば５つの治療室の何れかの治療室に係わる第２ビーム輸送系の電磁石群に接続するよう切替制御する。そのため、少なくとも２つの電磁石電源装置を交互に用いて複数の治療室に係る各第２ビーム輸送系の電磁石群を励磁可能なことが記載されている。つまり、使用する治療室毎に電源を切り替え接続する構成である。

特許第４４５１４１１号公報（段落００４３、０１２６等） 特許第４６４８８１７号公報（段落００１０、００８３等）

特許文献１では、治療室数が２部屋より多い治療施設にしか適用しても効果がないという問題がある。
特許文献２も特許文献１と同様、治療室数が２部屋以下の治療施設の場合には効果がないという問題がある。

ところで、上述の大容量の電源装置は、製造コストが高く、大型であるため広い設置スペースが必要となる。
大容量の加速器用の電源装置は非常に大きく、膨大な設置スペースを必要とする。例えば、最も大きな電源装置1台で、奥行き１〜２ｍ、高さ２ｍ、幅２０ｍ以上となることもある。

電源装置の費用も大型なものだと１台で１億円以上かかり、それが複数台必要になることもある。電源装置の全コストで１０億円以上になる場合もある。
従って、電源装置の小型化、低コスト化は、粒子線照射施設の小型化・低コスト化に向けた一つの課題となっている。

本発明は上記実状に鑑み創案されたものであり、電源装置の小型化、低コスト化を図れる粒子線照射装置およびその制御方法の提供を目的とする。

前記課題を解決するため、第１の本発明の粒子線照射装置は、荷電粒子ビームを標的に照射する粒子線照射装置であって、前記荷電粒子ビームを加速する加速器と、当該加速器において、前記荷電粒子ビームを周回させるための加速器用電磁石と、前記荷電粒子ビームを照射するに際して、照射野を形成する照射野形成用電磁石と、前記加速器用電磁石と前記照射野形成用電磁石とに電力を供給する電源装置とを備え、前記電源装置は、前記加速器用電磁石または前記照射野形成用電磁石にフォーシング電圧を出力する強制励磁電圧出力部が前記加速器用電磁石と前記照射野形成用電磁石とで共有化されている。

第１の本発明によれば、強制励磁電圧出力部を加速器用電磁石と前記照射野形成用電磁との共有とするので、電源装置の小型化、低コスト化を図れる。

第２の本発明の粒子線照射装置は、第１の本発明の粒子線照射装置において、前記強制励磁電圧出力部は、前記加速器の運転の状態またはタイミングに合わせて、前記加速器用電磁石または前記照射野形成用電磁石に切り替えて接続されている。

第２の本発明によれば、強制励磁電圧出力部が加速器の運転の状態またはタイミングに合わせて、加速器用電磁石または照射野形成用電磁石に切り替えて接続されるので、強制励磁電圧出力部を加速器用電磁石と照射野形成用電磁石との共有の電源にすることができる。

第３の本発明の粒子線照射装置は、第１または第２の本発明の粒子線照射装置において、前記強制励磁電圧出力部は、前記加速器にて前記荷電粒子ビームを加速または減速する場合に、前記加速器用電磁石に接続される一方、前記荷電粒子ビームを、照射野を形成して標的に照射する場合に、前記照射野形成用電磁石に接続されている。

第３の本発明によれば、強制励磁電圧出力部は、加速器にて荷電粒子ビームを加速または減速する場合に加速器用電磁石に接続される一方、荷電粒子ビームを、照射野を形成して標的に照射する場合に照射野形成用電磁石に接続されるので、荷電粒子ビームを加速または減速する場合に加速器用電磁石に高電圧を出力し、荷電粒子ビームを、照射野を形成して標的に照射する場合に照射野形成用電磁石に高電圧を出力できる。

第４の本発明の粒子線照射装置は、第１から第３の何れかの本発明の粒子線照射装置において、前記電源装置は、前記加速器用電磁石に接続され、当該加速器用電磁石に前記電圧よりも低い電圧を出力して電流が安定化するように制御する第１電流安定化制御部と、前記照射野形成用電磁石に接続され、当該照射野形成用電磁石に前記電圧よりも低い電圧を出力して電流が安定化するように制御する第２電流安定化制御部とを有し、前記強制励磁電圧出力部は、前記加速器用電磁石または前記照射野形成用電磁石に切り替えて接続され電圧を出力している。

第４の本発明によれば、加速器用電磁石には、第１電流安定化制御部が接続されるとともに、強制励磁電圧出力部が切り替え接続されるので、加速器用電磁石にモードに応じた適切な電圧を安定して出力できる。また、照射野形成用電磁石には、第２電流安定化制御部が接続されるとともに、強制励磁電圧出力部が切り替え接続されるので、照射野形成用電磁石にモードに応じた適切な電圧を安定して出力できる。

第５の本発明の粒子線照射装置は、第４の本発明の粒子線照射装置において、前記加速器にて前記荷電粒子ビームを加速または減速する場合、前記加速器用電磁石に前記強制励磁電圧出力部と前記第１電流安定化制御部とが接続されるとともに、前記照射野形成用電磁石に前記第２電流安定化制御部が接続され、前記荷電粒子ビームを、照射野を形成して標的に照射する場合、前記照射野形成用電磁石に前記強制励磁電圧出力部と前記第２電流安定化制御部とが接続されるとともに、前記加速器用電磁石に前記第１電流安定化制御部が接続されている。

第５の本発明によれば、加速器にて荷電粒子ビームを加速または減速する場合、加速器用電磁石に強制励磁電圧出力部と第１電流安定化制御部とが接続されるので、加速器用電磁石に高電圧を安定して出力できる。また、照射野形成用電磁石に第２電流安定化制御部が接続されるので、照射野形成用電磁石に低電圧を出力して電流を安定化できる。
一方、荷電粒子ビームを、照射野を形成して標的に照射する場合、照射野形成用電磁石に強制励磁電圧出力部と第２電流安定化制御部とが接続されるので、照射野形成用電磁石に高電圧を安定して出力できる。また、加速器用電磁石に第１電流安定化制御部が接続されるので、加速器用電磁石に低電圧を出力して電流を安定化できる。

第６の本発明の粒子線照射装置の制御方法は、加速器用電磁石と、照射野形成用電磁石と、強制励磁電圧出力部を有する電源装置とを備え、荷電粒子ビームを標的に照射する粒子線照射装置の制御方法であって、前記強制励磁電圧出力部が前記照射野形成用電磁石から前記加速器用電磁石に切り替えて接続され電圧が当該加速器用電磁石に出力され、前記加速器において前記加速器用電磁石は前記荷電粒子ビームが所定のエネルギーに加速されるまで一定の周回軌道を保ち、前記強制励磁電圧出力部が前記加速器用電磁石から前記照射野形成用電磁石に切り替えて接続され電圧が当該照射野形成用電磁石に出力され、前記照射野形成用電磁石が、前記荷電粒子ビームの照射野を形成している。

第６の本発明によれば、強制励磁電圧出力部が照射野形成用電磁石から加速器用電磁石に切り替えて接続され電圧が当該加速器用電磁石に出力され、加速器において加速器用電磁石は荷電粒子ビームが所定のエネルギーに加速されるまで一定の周回軌道を保ち、強制励磁電圧出力部が加速器用電磁石から照射野形成用電磁石に切り替えて接続され電圧が当該照射野形成用電磁石に出力され、照射野形成用電磁石が、荷電粒子ビームの照射野を形成するので、強制励磁電圧出力部を加速器用電磁石と照射野形成用電磁石とで共有化できる。

第７の本発明の粒子線照射装置の制御方法は、第６の本発明の粒子線照射装置の制御方法において、前記電源装置は、前記加速器用電磁石に前記電圧よりも低い電圧を出力して電流が安定化するように制御する第１電流安定化制御部と、前記照射野形成用電磁石に前記電圧よりも低い電圧を出力して電流が安定化するように制御する第２電流安定化制御部とを有し、前記強制励磁電圧出力部が前記照射野形成用電磁石から前記加速器用電磁石に切り替えて接続され、前記加速器用電磁石に前記強制励磁電圧出力部と前記第１電流安定化制御部とが接続され、前記加速器において前記加速器用電磁石が前記荷電粒子ビームが所定のエネルギーに加速されるまで一定の周回軌道を保ち、前記強制励磁電圧出力部が前記加速器用電磁石から前記照射野形成用電磁石に切り替えて接続され、前記照射野形成用電磁石に前記強制励磁電圧出力部と前記第２電流安定化制御部とが接続され、前記照射野形成用電磁石が、前記荷電粒子ビームの照射野を形成している。

第７の本発明によれば、加速器用電磁石に前記強制励磁電圧出力部と前記第１電流安定化制御部とが接続され、加速器において加速器用電磁石は荷電粒子ビームが所定のエネルギーに加速されるまで一定の周回軌道を保ち、照射野形成用電磁石に強制励磁電圧出力部と第２電流安定化制御部とが接続され、照射野形成用電磁石が、荷電粒子ビームの照射野を形成する。
そのため、荷電粒子ビームを所定のエネルギーに加速する際、強制励磁電圧出力部と第１電流安定化制御部とで加速器用電磁石に高電圧を安定して出力できる。また、照射野形成用電磁石が、荷電粒子ビームの照射野を形成する際、強制励磁電圧出力部と第２電流安定化制御部とで照射野形成用電磁石に高電圧を安定して出力できる。

本発明によれば、電源装置の小型化、低コスト化を図れる粒子線照射装置およびその制御方法を実現できる。

本発明の実施形態に係る粒子線照射装置の構成例を示す上面図。 （ａ）は加速器用電磁石電源の出力電流の波形を示す図、（ｂ）は加速器用電磁石電源の出力電圧の波形を示す図、（ｃ）は照射野形成用電磁石電源の出力電流の波形を示す図、（ｄ）は照射野形成用電磁石電源の出力電圧の波形を示す図、（ｅ）は主整流回路部の接続状態を示す図。 図２（ｃ）に示す照射野形成用電磁石に図２（ｄ）に示す出力電圧が印加され、出力電流が流れる際の照射野を示す模式図。 粒子線照射装置の電源装置の回路構造を示す図。 粒子線照射装置の制御の流れを示すフロー図。

以下、本発明の実施形態について、適宜図面を参照しながら詳細に説明する。
図１は、本発明の実施形態に係る粒子線照射装置の構成例を示す上面図である。
実施形態の粒子線照射装置Ｓは、腫瘍などの標的（患者ｐの腫瘍など）ｐ１に粒子線ビームを照射する装置である。
粒子線照射装置Ｓは、電源装置１３（図４参照）の構造を、高速で大きな電流変化を行うために比較的高い電圧を出力・制御する主整流回路部１３ａ（図４参照）と、電流設定値に対して偏差を小さく保つために比較的低い電圧を出力・制御する電流安定化制御部１３ｂ、１３ｃ（図４参照）とに分けることに特徴がある。

加速器用電磁石（５、６、７）電源と照射野形成用電磁石（１０、１１）電源では、電流設定値を大きく変更している時間帯は重ならない。すなわち、加速器用電磁石（５、６、７）電源におけるビーム加速・減速中と照射野形成用電磁石（１０、１１）電源におけるビーム照射中は重ならない。
そのため、電流安定化制御部１３ｂ、１３ｃはどちらの電源でも常時動作しているものの、主整流回路部１３ａは何時でもどちらか片方しか動作していないことになる。

そこで、主整流回路部１３ａを加速器用電磁石（５、６、７）電源と照射野形成用電磁石（１０、１１）電源とで共有にし、必要な時間帯に合わせて加速器用電磁石（５、６、７）電源または照射野形成用電磁石（１０、１１）電源に切り替えて主整流回路部１３ａを動作させる。

＜粒子線照射装置Ｓの全体構成＞
粒子線照射装置Ｓは、荷電粒子入射系１Ａとシンクロトロン３と照射野形成照射装置１０Ａとを具備している。
荷電粒子入射系１Ａは、荷電粒子を生成して所定のエネルギーに加速した荷電粒子をシンクロトロン３に供給する。

シンクロトロン３には、荷電粒子入射系１Ａから荷電粒子ビームが入射される。
シンクロトロン３は環状の粒子加速器であり、荷電粒子ビームを周回させて、荷電粒子ビームを照射するため、荷電粒子ビームを所定のエネルギーに加速する。

照射野形成照射装置１０Ａは、水平方向照射野形成電磁石１０、垂直方向照射野形成電磁石１１を用いて、荷電粒子ビームを標的ｐ１に適合した照射野を形成して標的ｐ１に照射する。
荷電粒子入射系１Ａとシンクロトロン３と照射野形成照射装置１０Ａとは、外部制御装置１４（図４参照）により制御される。

＜荷電粒子入射系１Ａ＞
荷電粒子入射系１Ａは、イオン源１と線形加速器２とを備える。イオン源１と線形加速器２とシンクロトロン３とは、高真空に保たれる入射ビーム路１ｍで連結されている。

イオン源１は、中性ガスに高速の電子を衝突させるなどしてイオンを生成し、線形加速器２にてシンクロトロン３で加速可能な状態に加速する。イオン化される原子、粒子としては、例えば、水素、ヘリウム、炭素、窒素、酸素、ネオン、シリコン、アルゴンなどがある。

線形加速器２は、イオン源１から供給される荷電粒子を所定のエネルギーまで加速して、シンクロトロン３に供給する。線形加速器２によって、荷電粒子は、例えば、核子あたり数ＭｅＶ程度のエネルギーに加速される。

＜シンクロトロン３＞
シンクロトロン３は、荷電粒子入射系１Ａの線形加速器２から供給される荷電粒子を、シンクロトロン３から出射される出射ビームのエネルギーまで加速する。出射ビームとは、照射対象の標的ｐ１に照射するために、シンクロトロン３から取り出される荷電粒子ビームをいう。

線形加速器２から供給される荷電粒子は、入射インフレクタ４によって、荷電粒子入射系１Ａからの軌道が偏向され、周回軌道をもつシンクロトロン３に入射される。
シンクロトロン３は、荷電粒子を出射ビームのエネルギーまで加速するための構成要素として、偏向電磁石５と発散四極電磁石６と収束四極電磁石７と高周波加速空胴８とを備えている。

シンクロトロン３は、偏向電磁石５と発散四極電磁石６と収束四極電磁石７とが、シンクロトロンリング３ｒを形成して周回状に構成されている。
シンクロトロン３は、出射ビームを取り出すための構成要素として、出射デフレクタ９を備えている。
シンクロトロン３において、荷電粒子入射系１Ａから入射した荷電粒子ビームは、発散四極電磁石６と収束四極電磁石７とによって発散と収束とを繰り返しつつ偏向電磁石５によって偏向することで、シンクロトロンリング３ｒの周回軌道上を周回する。

高周波加速空胴８は、内部に設けられる加速ギャップ（図示せず）の間に発生する電界によって、シンクロトロンリング３ｒの周回軌道を周回する荷電粒子を加速する。
高周波加速空胴８において、加速ギャップの間を通る荷電粒子は、加速ギャップ間に印加された高周波電界から正のエネルギーゲインを得ることで加速され、周回毎にエネルギーが増加していく。また、出射ビームの出射終了後、加速ギャップ間に印加する高周波電界の周波数を下げることによって、荷電粒子を減速し放射線の発生を抑制する。

シンクロトロン３において、荷電粒子は、所定のエネルギー、例えば核子あたり数百ＭｅＶのエネルギーまで加速される。
この際、偏向電磁石５、発散四極電磁石６および収束四極電磁石７は、高周波加速空胴８における加速または減速に同期して、加速または減速された荷電粒子のエネルギーに応じて、荷電粒子がシンクロトロンリング３ｒの周回軌道に沿った軌道を描くように磁場強度が外部制御装置１４（図４参照）により制御される。

周回軌道上で所定のエネルギーに加速された荷電粒子ビームは、出射デフレクタ９によって、その軌道が偏向されて、シンクロトロンリング３ｒから出射され、出射ビームとしてビーム輸送系１０Ｂに取り出される。
ビーム輸送系１０Ｂは、照射部の照射野形成照射装置１０Ａに出射ビームである荷電粒子ビームを導く。

照射野形成照射装置１０Ａは、照射野形成用電磁石１０、１１を有している。
照射野形成用電磁石１０、１１は、標的（ｐ１）表面方向（ＸＹ方向）の２次元の線量分布を作るために用いられる。照射野形成用電磁石１０、１１は、２次元分布を作るために、水平方向（Ｘ方向）偏向用の照射野形成電磁石１０と垂直方向（Ｙ方向）偏向用の照射野形成電磁石１１の２台の照射野形成用電磁石で構成されている。

なお、１つの電磁石の中に、水平方向用と垂直方向用の２種類のコイルを入れることで１台の照射野形成用電磁石で構成する場合もある。ちなみに、腫瘍などの標的ｐ１の形状は３次元であるため、荷電粒子ビームのエネルギー（飛程）をシンクロトロン３で変えることで、標的（ｐ１）表面方向（ＸＹ方向）に標的奥行き方向（Ｚ方向）を加えて標的に照射する最終的な３次元（ＸＹＺ方向）の線量分布が作られる。
照射野形成照射装置１０Ａにおいて、取り出された出射ビームは、照射対象の標的ｐ１に応じた照射野が形成されて標的ｐ１に照射される。

＜粒子線照射装置Ｓの制御＞
粒子線照射装置Ｓは、外部制御装置１４（図４参照）により統括的に制御される。
外部制御装置１４は、荷電粒子入射系１Ａと、シンクロトロン３と、照射野形成照射装置１０Ａとを制御する。
外部制御装置１４は、タイミング制御装置、電源制御装置、照射制御装置等を有している。

タイミング制御装置は、イオン源１でのイオンの生成、線形加速器２での加速、取り出し、荷電粒子のシンクロトロン３での加速、減速、シンクロトロン３からの出射などのタイミング制御をクロック信号などを用いて行う。
電源制御装置は、各種電磁石（５、６、７、１０、１１）での電流値を指令し、制御する。
照射制御装置は、荷電粒子ビームの照射野を形成し、荷電粒子ビームを照射する制御を行う。

そのため、外部制御装置１４により、荷電粒子入射系１Ａ（イオン源１、線形加速器２）と、シンクロトロン３を構成する入射インフレクタ４、偏向電磁石５、発散四極電磁石６、収束四極電磁石７、高周波加速空胴８、出射デフレクタ９などが制御される。具体的には、外部制御装置１４により、イオン源１によるイオンの生成、線形加速器２による前段加速、シンクロトロン３への入射、加速および荷電粒子ビームのシンクロトロン３からの出射の制御が遂行される。

さらに、外部制御装置１４により、ビーム輸送系１０Ｂを通過しての照射部の照射野形成照射装置１０Ａ（照射野形成電磁石１０、１１）で、シンクロトロン３から取り出した荷電粒子ビーム(出射ビーム)の照射野形成の制御が遂行される。
荷電粒子入射系１Ａ、シンクロトロン３、およびビーム輸送系１０Ｂの随所には荷電粒子のモニタ(図示せず)が配置され、荷電粒子の軌道、電流量およびエネルギーが測定され、外部制御装置１４にその測定信号がフィードバックされることによって、制御が行われる。

＜加速器用電磁石電源装置と照射野形成用電磁石電源装置＞
上述の構成で加速器のシンクロトロン３を運転し、荷電粒子ビームを標的ｐ１（患者ｐの腫瘍など）へ照射するときの加速器用電磁石（５、６、７）電源と照射野形成用電磁石（１０、１１）電源の出力電流、電圧の波形は図２（ａ）〜（ｄ）のようになる。
図２（ａ）に加速器用電磁石（５、６、７）電源の出力電流の波形を示し、図２（ｂ）に加速器用電磁石（５、６、７）電源の出力電圧の波形を示す。また、図２（ｃ）に照射野形成用電磁石（１０、１１）電源の出力電流の波形を示し、図２（ｄ）に照射野形成用電磁石（１０、１１）電源の出力電圧の波形を示す。図２（ｅ）に主整流回路部の接続状態を示す。
以下、加速器用電磁石（５、６、７）電源を加速器用電磁石電源と記載し、照射野形成用電磁石（１０、１１）電源を照射野形成用電磁石電源と記載する。

図２に示す加速器用電磁石とは、図１中のシンクロトロン３を構成する電磁石の偏向電磁石５や発散四極電磁石６、収束四極電磁石７である。それらの電磁石（５、６、７）には、例えば“図１の計６台の偏向電磁石５に対して電源１台”、“図１の計３台の発散四極電磁石６に対して電源１台”、“図１の計３台の収束四極電磁石７に対して電源１台”のように、種別ごとに複数台が直列に電源に接続されている。電源が多いとコストが上昇し、電源をばらばらに構成すると各電源の高精度な同期制御が必要となり、制御が複雑化するからである。
なお、“３台の偏向電磁石５に対して電源１台”や“２台の偏向電磁石５に対して電源１台”というような構成もあり得るし、“１台の偏向電磁石５に対して電源１台”という構成としてもよい。

図２（ａ）の加速器用電磁石電源の出力電流ａ１は線形加速器２から荷電粒子ビームがシンクロトロン３に入射している際の電流である。
図２（ａ）の加速器用電磁石電源の出力電流ａ２はシンクロトロン３で荷電粒子ビームを加速する際の電流である。加速は、加速器用電磁石（５、６、７）の電流制御、時間制御（クロック制御）で行われる。出力電流の符号ａ２１はシンクロトロン３での荷電粒子ビームの加速が終了したタイミングを示す。

図２（ａ）の加速器用電磁石電源の出力電流ａ３はシンクロトロン３から荷電粒子ビームをビーム輸送系１０Ｂに出射している際の電流である。
図２（ａ）の加速器用電磁石電源の出力電流の符号ａ３１はシンクロトロン３から荷電粒子ビームをビーム輸送系１０Ｂに出射が終了するタイミングを示す。

図２（ａ）の加速器用電磁石電源の出力電流ａ４はシンクロトロン３で荷電粒子ビームを減速する際の電流である。減速は、加速器用電磁石（５、６、７）の電流制御、時間制御（クロック制御）で行われる。
出力電流の符号ａ４１はシンクロトロン３での荷電粒子ビームの減速が終了したタイミングを示す。
図２（ａ）の加速器用電磁石電源の出力電流ａ５は線形加速器２から荷電粒子ビームがシンクロトロン３に入射している際の電流である。以下、同様の動作を繰り返す。

図２（ｂ）の加速器用電磁石電源の出力電圧ｂ１は、線形加速器２から荷電粒子ビームがシンクロトロン３に入射する際の電圧である。
図２（ｂ）の加速器用電磁石電源の出力電圧ｂ２は、シンクロトロン３で荷電粒子ビームを加速するために出力される正電圧である。これにより、加速器用電磁石電源の出力電流ａ２（図２（ａ）参照）が増加する。

図２（ｂ）の加速器用電磁石電源の出力電圧をＶとすると、加速器用電磁石のコイルやケーブル、電源の内部抵抗を合わせた抵抗Ｒ、加速器用電磁石のコイルやケーブルの自己インダクタンスＬ、出力電流Ｉとすると次式で表される。
Ｖ＝ＲＩ＋Ｌ（ｄＩ／ｄｔ） （１）
出力電流Ｉの増加分、減少分がＬ（ｄＩ／ｄｔ）の項で表される。

図２（ｂ）の加速器用電磁石電源の出力電圧ｂ３は、シンクロトロン３から荷電粒子ビームをビーム輸送系１０Ｂに出射している時間帯であり、定電圧である。
図２（ｂ）の加速器用電磁石電源の出力電圧ｂ４は、シンクロトロン３で荷電粒子ビームを減速するために出力される負電圧である。これにより、加速器用電磁石電源の出力電流Ｉ（符号ａ４（図２（ａ）参照））が減少する。

加速器用電磁石電源の出力電圧ｂ４の際の出力電流Ｉ（符号ａ４（図２（ａ）参照））も同様に式（１）で表され、出力電流Ｉの減少分が “Ｌ（ｄＩ／ｄｔ）” の項である。
図２（ｂ）の加速器用電磁石電源の出力電圧ｂ５は、線形加速器２から荷電粒子ビームがシンクロトロン３に入射する時間帯であり、図２（ａ）の加速器用電磁石電源の出力電流のａ５の時間帯である。以下、同様の動作を繰り返す。

図２（ａ）の加速器用電磁石電源の出力電流ａ３、ａ７、ａ１１、ａ１５および図２（ｂ）の加速器用電磁石電源の出力電圧ｂ３、ｂ７、ｂ１１、ｂ１５の状態時（符号ａ３、ｂ３、符号ａ７、ｂ７、符号ａ１１、ｂ１１、符号ａ１５、ｂ１５それぞれの場合）、荷電粒子ビームがビーム輸送系１０Ｂに出射される。この際、図４に示すように、照射野形成用電磁石（１０、１１）に、主整流回路部１３ａが接続されている。

照射野形成用電磁石に、図２（ｄ）に示す出力電圧ｄ３、ｄ７、ｄ１１、ｄ１５が加えられ、図２（ｃ）に示す出力電流ｃ３、ｃ７、ｃ１１、ｃ１５が流れる。この際、図３に示すように、電荷粒子ビームｂが走査され、ＸＹ方向に広がる照射野Ｓｙが形成される。なお、図３は、図１に示す照射野形成用電磁石（１０、１１）に図２（ｄ）に示す出力電圧ｄ３、ｄ７、ｄ１１、ｄ１５が印加され、図２（ｃ）に示す出力電流ｃ３、ｃ７、ｃ１１、ｃ１５が流れる際に形成される照射野Ｓｙを示す模式図である。

図２（ａ）〜（ｄ）を参照すると、
図２（ａ）の加速器用電磁石電源の出力電流ａ２が大きく増加する間、図２（ｃ）の照射野形成用電磁石電源の出力電流ｃ２は変化しない。
図２（ｃ）の照射野形成用電磁石電源の出力電流ｃ３が大きく変化する間、図２（ａ）の加速器用電磁石電源の出力電流ａ３は変化しない。

図２（ａ）の加速器用電磁石電源の出力電流ａ４が大きく減少する間、図２（ｃ）の照射野形成用電磁石電源の出力電流ｃ４は変化しない。
図２（ｃ）の照射野形成用電磁石電源の出力電流ｃ７が大きく変化する間、図２（ａ）の加速器用電磁石電源の出力電流ａ７は変化しない。
以下、同様である。

上述のように、図２（ａ）の加速器用電磁石電源の出力電流の波形と図２（ｃ）の照射野形成用電磁石電源の出力電流の波形を見ると分るように、加速器用電磁石電源と照射野形成用電磁石電源では、電流を大きく変更している時間帯が重ならない。

これは、当然であるが、シンクロトロン３（図１参照）での荷電粒子ビームのシンクロトロン３への入射（図２（ａ）の符号ａ１）、シンクロトロン３での大きな加速（図２（ａ）の符号ａ２）、シンクロトロン３での大きな減速中（図２（ａ）の符号ａ４）には、照射野形成照射装置１０Ａからの荷電粒子ビームの照射を行えないからである。

逆に、荷電粒子ビームの照射中（図２（ｃ）の符号ｃ３、ｃ７、ｃ１１、ｃ１５）に加速器のシンクロトロン３で大きな加減速が行われることもない。
荷電粒子ビームの照射中にわずかに、加速器用電磁石電源の電流値を変更するような場合もあるが、それは非常にわずかな量である。つまり、加速器用電磁石電源の大きな電圧の変更は伴わない。
つまり、加速器用電磁石電源と照射野形成用電磁石電源とで、電流を大きく変更している時間帯が重ならないということは、高い電圧を必要とする時間帯も重ならないということである。

＜電源装置１３とその制御＞
図４に、粒子線照射装置の電源装置の回路構造を示す。
そこで、図４に示すように、加速器用電磁石（５、６、７）および照射野形成用電磁石（１０、１１）の電源装置１３を、比較的高い電圧（高電圧）を出力して電流を制御する主整流回路部１３ａと、電流設定値に対して偏差を小さく保つために比較的低い電圧（低電圧）を出力して電流を制御する電流安定化制御部１３ｂ、１３ｃとに分ける。
例えば、主整流回路部１３ａと電流安定化制御部１３ｂ、１３ｃが出力できる電圧比は１０：１〜２０：１などである。そして、主整流回路部１３ａを加速器用電磁石（５、６、７）の電源と照射野形成用電磁石（１０、１１）の電源とで共有化する構成とした。

電流安定化制御部１３ｂは、加速器用電磁石（５、６、７）の制御に用いる。電流安定化制御部１３ｃは、照射野形成用電磁石（１０、１１）の制御に用いる。
そうした場合、電流安定化制御部１３ｂ、１３ｃはどちらの電源でも常時動作しているものの、主整流回路部１３ａは必要な時間帯に合わせて加速器用電磁石（５、６、７）の電源と照射野形成用電磁石（１０、１１）の電源とで切り替えて動作させられる。これにより、電源装置１３の構成をコンパクトにでき、低コスト化と省スペース化を図ることができる。

主整流回路部１３ａと電流安定化制御部１３ｂとは、加速器用磁石（５、６、７）に所定の電流が流れるように電圧を増減して制御する。
主整流回路部１３ａと電流安定化制御部１３ｃとは、照射野形成用電磁石（１０、１１）に所定の電流が流れるように電圧を増減して制御する。

電源装置１３には、加速器用電磁石（５、６、７）に流れる電流を検出する電流検出部ｄ１と、照射野形成用電磁石（１０、１１）に流れる電流を検出する電流検出部ｄ２が接続されている。電流検出部ｄ１、ｄ２には、例えばＤＣＣＴ(DC Current Transformer)が使用される。

また、主整流回路部１３ａには、回路の出力電圧を測る電圧検出部１３ａｖが設けられている。
電流安定化制御部１３ｂ、１３ｃには、例えばＦＥＴ（Field Effect Transistor）半導体素子が用いられる。
主整流回路部１３ａには、例えばＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolor Transistor）半導体素子が用いられる。
また、電源装置１３は、加速器用電磁石（５、６、７）と照射野形成用電磁石（１０、１１）とに、外部制御装置１４で設定する電流を流すためのフィードバック装置１５を有している。

＜受電装置Ｊ＞
電源装置１３には、電源装置１３に必要な電力を供給するための受電装置Ｊが接続されている。受電装置Ｊは、主整流回路部１３ａ、電流安定化制御部１３ｂ、１３ｃのそれぞれに接続され、電力を供給する。

＜フィードバック装置１５＞
電源装置１３内のフィードバック装置１５は、外部制御装置１４、電流検出部ｄ１、ｄ２、主整流回路部１３ａ、電流安定化制御部１３ｂ、１３ｃに電気的に接続されている。
フィードバック装置１５には、加速器用電磁石（５、６、７）と照射野形成用電磁石（１０、１１）とに流す電流設定値が外部制御装置１４から入力され設定される。
フィードバック装置１５には、電流検出部ｄ１から加速器用電磁石（５、６、７）に流れる電流の信号が入力される。そして、フィードバック装置１５は、加速器用電磁石（５、６、７）に流れる電流値を電流設定値と比較する。

電流値と電流設定値とに差異がある場合には、主整流回路部１３ａまたは／および電流安定化制御部１３ｂに制御信号を出力し、加速器用電磁石（５、６、７）に流れる電流が電流設定値になるように電圧を増減して制御する。

同様に、フィードバック装置１５には、電流検出部ｄ２から照射野形成用電磁石（１０、１１）に流れる電流の信号が入力される。そして、フィードバック装置１５は照射野形成用電磁石（１０、１１）に流れる電流値を電流設定値と比較する。
電流値と電流設定値とに差異がある場合には、主整流回路部１３ａまたは／および電流安定化制御部１３ｃに制御信号を出力し、照射野形成用電磁石（１０、１１）に流れる電流が電流設定値になるように電圧を増減して制御する。

なお、フィードバック装置１５は、原則的には、電流設定値と電流値との差異が大きい場合には主整流回路部１３ａに制御信号を出力し、電流設定値と電流値との差異が小さい場合には電流安定化制御部１３ｂ、１３ｃに制御信号を出力する。

＜切替部ｓ１、ｓ２、ｓ３＞
電源装置１３は、接続を切り替える切替部ｓ１、ｓ２、ｓ３を有している。
切替部ｓ１は、高い電圧を印加する主整流回路部１３ａ側の接点ｓ１ｃを加速器用電磁石（５、６、７）側の接点ｓ１ａまたは照射野形成用電磁石（１０、１１）側の接点ｓ１ｂに接続されるように切り替える。

切替部ｓ２は、加速器用電磁石（５、６、７）のための切替部であり、電流安定化制御部１３ｂ側の接点ｓ２ｃを主整流回路部１３ａ側の接点ｓ２ａまたは加速器用電磁石（５、６、７）側の接点ｓ２ｂに接続されるように切り替える。
切替部ｓ３は、照射野形成用電磁石（１０、１１）のための切替部であり、電流安定化制御部１３ｃ側の接点ｓ３ｃを主整流回路部１３ａ側の接点ｓ３ａまたは照射野形成用電磁石（１０、１１）側の接点ｓ３ｂに接続されるように切り替える。
切替部ｓ１、ｓ２、ｓ３は、粒子線照射装置Ｓの運転状態やタイミングに応じて以下のように切り替えられる。

シンクロトロン３で荷電粒子ビームを加速または減速する場合には、切替部ｓ１は、主整流回路部１３ａを加速器用電磁石（５、６、７）側の接点ｓ１ａに切り替える。 また、切替部ｓ２は、電流安定化制御部１３ｂの接点ｓ２ｃを主整流回路部１３ａ側の接点ｓ２ａに接続されるように切り替える。これにより、加速器用電磁石（５、６、７）は、主整流回路部１３ａと電流安定化制御部１３ｂとに接続されて、高い電圧が安定して出力される。

シンクロトロン３で荷電粒子ビームを加速または減速する場合、切替部ｓ３は、電流安定化制御部１３ｃの接点ｓ３ｃが照射野形成用電磁石（１０、１１）側の接点ｓ３ｂに接続されるように切り替える。これにより、照射野形成用電磁石（１０、１１）に電流安定化制御部１３ｃから比較的低い電圧が安定して出力される。

一方、図１に示す照射野形成照射装置１０Ａで照射野を形成して荷電粒子ビームを標的ｐ１に照射する場合は、切替部ｓ１は、主整流回路部１３ａ側の接点ｓ１ｃが照射野形成用電磁石（１０、１１）側の接点ｓ１ｂに接続されるように切り替える。切替部ｓ３は、電流安定化制御部１３ｃの接点ｓ３ｃが主整流回路部１３ａ側の接点ｓ３ａに接続されるように切り替える。これにより、照射野形成用電磁石（１０、１１）は、主整流回路部１３ａと電流安定化制御部１３ｂとに接続されて、高い電圧が安定して出力される。

荷電粒子ビームの照射中には、切替部ｓ２は電流安定化制御部１３ｂの接点ｓ２ｃが加速器用電磁石（５、６、７）側の接点ｓ２ｂに接続されるように切り替える。これにより、加速器用電磁石（５、６、７）に電流安定化制御部１３ｂから比較的低い電圧が安定的に出力される。

シンクロトロン３にて荷電粒子ビームを加速または減速する場合に、主整流回路部１３ａが加速器用電磁石（５、６、７）に接続される一方、荷電粒子ビームを、照射野を形成して標的ｐ１に照射する場合に、照射野形成用電磁石（１０、１１）に接続されることで、高電力を必要とする電磁石に高電力を資源少なく、省スペースで提供できる。
切替部ｓ１、ｓ２、ｓ３には、トランジスタなどの半導体スイッチング素子を用いることが望ましく、使用する半導体素子の許容電圧、電流、電力を超えないように複数の素子を直列化または／および並列化させることで一つの切替部を構成する。また、接続を切り替える際に生じる電圧変動を抑制するためにスナバ回路などを切替部ｓ１、ｓ２、ｓ３に用いてもよい。なお、切替部ｓ１、ｓ２、ｓ３は説明する所定の機能が果たせれば任意のものを適用できる。

図４に示した例は「照射中」でのものであり、照射野形成用電磁石（１０、１１）側に主整流回路部１３ａが接続されているが、切替部ｓ１、ｓ２、ｓ３をそれぞれ逆に切り替えることで、荷電粒子ビームの「加減速中」である加速器用電磁石（５、６、７）側に主整流回路部１３ａを接続することができる。切替部ｓ１、ｓ２、ｓ３の切り替えは、加速器のシンクロトロン３の制御システムなどの外部制御装置１４から運転の状態、タイミングに合わせて送られる信号に応じて行われる。

運転の状態とは、シンクロトロン３での加速中、減速中、エネルギー維持中、照射野形成照射装置１０Ａでの照射中などである。運転のタイミングとは、シンクロトロン３での加速開始、加速終了、減速開始、減速終了、照射野形成照射装置１０Ａからの照射開始、終了などをいう。シンクロトロン３の運転の状態、タイミングに応じて、主整流回路部１３ａを加速器用電磁石（５、６、７）または照射野形成用電磁石（１０、１１）に切り替え接続することで、主整流回路部１３ａを加速器用電磁石（５、６、７）と照射野形成用電磁石（１０、１１）とで共有化できる。

＜粒子線照射装置Ｓの制御の流れ＞
次に、粒子線照射装置Ｓの制御の流れの一例について説明する。
粒子線照射装置Ｓの制御は、前記したように、外部制御装置１４により遂行される。
図５は、粒子線照射装置Ｓの制御の流れを示すフロー図である。

まず、切替部ｓ１の主整流回路部１３ａ側の端子ｓ１ｃを加速器用電磁石（５、６、７）側の端子ｓ１ａに接続する。また、切替部ｓ２の電流安定化制御部１３ｂ側の端子ｓ２ｃを主整流回路部１３ａ側の端子ｓ２ａに接続する（図５のＳ１０１）。これにより、加速器用電磁石（５、６、７）に主整流回路部１３ａと電流安定化制御部１３ｂとが接続される。こうして、加速器用電磁石（５、６、７）に通電が開始される（Ｓ１０２）。

続いて、入射インフレクタ４を用いて荷電粒子入射系１Ａから荷電粒子ビームをシンクロトロン３に入射する（Ｓ１０３）（図２（ｂ）の時刻ｔ０〜時刻ｔ１）。
そして、シンクロトロン３にて、加速器用電磁石（５、６、７）や高周波加速空洞８を用いて荷電粒子ビームを照射エネルギーまで加速する（Ｓ１０４）（図２（ｂ）の時刻ｔ１〜時刻ｔ２）。加速器用電磁石（５、６、７）の電流と荷電粒子ビームの運動量はおおよそ比例するので、当該電流を電流検出部ｄ１で検出し、さらに高周波加速空洞８に印加された高周波電界の周波数も監視することで、荷電粒子ビームを照射エネルギーまで加速し終わったことを検出できる。

続いて、主整流回路部１３ａの出力電圧を電圧検出部１３ａｖで測定してモニタする（Ｓ１０５）。そして、主整流回路部１３ａの出力電圧がゼロか否か判断される（Ｓ１０６）。加速し終った場合、主整流回路部１３ａの電圧が０に制御される（図２（ｂ）の時刻ｔ２）。

主整流回路部１３ａの出力電圧がゼロでないと判断される場合（Ｓ１０６でＮＯ）、Ｓ１０５に移行して、主整流回路部１３ａの出力電圧をモニタする。
一方、主整流回路部１３ａの出力電圧がゼロであると判断される場合（Ｓ１０６でＹＥＳ）、Ｓ１０７に移行し、切替部ｓ１の主整流回路部１３ａ側の端子ｓ１ｃを照射野形成用電磁石（１０、１１）側の端子ｓ１ｂに切り替え接続する。また、切替部ｓ３で、電流安定化制御部１３ｃ側の端子ｓ３ｃを主整流回路部１３ａ側の端子ｓ３ａに切り替え接続する（Ｓ１０７）。

そして、主整流回路部１３ａ、電流安定化制御部１３ｃで照射野形成用電磁石（１０、１１）が制御され、照射野形成照射装置１０Ａで標的ｐ１に適合する荷電粒子ビームの照射野が形成され、標的ｐ１に向けて照射が開始される（Ｓ１０８）（図２（ｃ）の時刻ｔ２〜時刻ｔ３）。

照射開始後、シンクロトロン３における荷電粒子ビーム残量の低下、もしくは照射エネルギーの変更、もしくは照射終了が発生する（Ｓ１０９）。荷電粒子ビーム残量の低下もしくは照射エネルギーの変更、もしくは照射終了を知らせる信号は外部制御装置１４によって入力される。

荷電粒子ビーム残量の低下、もしくは照射エネルギーの変更、もしくは照射終了の発生後、主整流回路部１３ａの出力電圧がモニタされる（Ｓ１１０）。
続いて、主整流回路部１３ａの出力電圧がゼロか否か判定される（Ｓ１１１）。
主整流回路部１３ａの出力電圧がゼロでないと判定された場合（Ｓ１１１でＮＯ）、Ｓ１１０に移行し、主整流回路部１３ａの出力電圧をモニタする。

一方、主整流回路部１３ａの出力電圧がゼロであると判定された場合（Ｓ１１１でＹＥＳ）（図２（ｃ）の時刻ｔ３）、切替部ｓ１で主整流回路部１３ａ側の端子ｓ１ｃを加速器用電磁石（５、６、７）側の端子ｓ１ａに接続する。また、切替部ｓ２で電流安定化制御部１３ｂの端子ｓ２ｃを主整流回路部１３ａ側の端子ｓ２ａに接続し（Ｓ１１２）、加速器用電磁石（５、６、７）に主整流回路部と電流安定化制御部１３ｂとを接続する。

続いて、シンクロトロン３内に残った荷電粒子ビームを、荷電粒子入射系１Ａから荷電粒子ビームを入射する際のエネルギー近傍まで減速する（Ｓ１１３）（図２（ａ）の時刻ｔ３〜時刻ｔ４）。
続いて、照射終了か否か判定される（Ｓ１１４）。
照射終了でないと判定された場合（Ｓ１１４でＮＯ）、Ｓ１０３に移行する。
照射終了であると判定された場合（Ｓ１１４でＹＥＳ）、終了する。

上記構成によれば、加速器用電磁石（５、６、７）と照射野形成用電磁石（１０、１１）の電源装置の構造を一部共有化することによって電源装置１３の製造コストダウンや省スペース化が可能となる。
詳細には、加速器用電磁石（５、６、７）と照射野形成用電磁石（１０、１１）との二つの電磁石電源の主整流回路を主整流回路部１３ａとして共有化するので、トータルとしての電源の製造コストを低減することができる。

例えば、電源の製造コストを６０〜７０％程度にすることができる。
また、二つの電磁石電源の共有化により、電源の設置スペースを小さくすることが可能となる。
結果として、粒子線照射装置Ｓの電源装置１３の製造コストと設置スペースを、従来の２／３程度に削減できる。
また、電源の設置スペースを２／３程度に削減できるので、粒子線照射装置Ｓの設置面積が限られる都市部への粒子線照射装置Ｓの展開の足掛かりにすることができる。

以上のことから、電源装置の小型化、低コスト化を図れる粒子線照射装置Ｓを実現することができる。

本発明は、粒子線治療施設の電磁石電源に利用可能である。

１ イオン源
２ 線形加速器
３ シンクロトロン
４ 入射インフレクタ
５ 偏向電磁石
６ 発散四極電磁石
７ 収束四極電磁石
８ 高周波加速空洞
９ 出射デフレクタ
１０ 水平方向照射野形成電磁石
１１ 垂直方向照射野形成電磁石
１３ａ 主整流回路部（強制励磁電圧出力部）
１３ｂ 電流安定化制御部（第１電流安定化制御部）
１３ｃ 電流安定化制御部（第２電流安定化制御部）
ｐ１ 標的
Ｓ 粒子線照射装置

Claims (7)

1. 荷電粒子ビームを標的に照射する粒子線照射装置であって、
   前記荷電粒子ビームを加速する加速器と、
   当該加速器において、前記荷電粒子ビームを周回させるための加速器用電磁石と、
   前記荷電粒子ビームを照射するに際して、照射野を形成する照射野形成用電磁石と、
   前記加速器用電磁石と前記照射野形成用電磁石とに電力を供給する電源装置とを備え、
   前記電源装置は、
   前記加速器用電磁石または前記照射野形成用電磁石にフォーシング電圧を出力する強制励磁電圧出力部が前記加速器用電磁石と前記照射野形成用電磁石とで共有化されている
   ことを特徴とする粒子線照射装置。
2. 請求項１に記載の粒子線照射装置において、
   前記強制励磁電圧出力部は、
   前記加速器の運転の状態またはタイミングに合わせて、前記加速器用電磁石または前記照射野形成用電磁石に切り替えて接続される
   ことを特徴とする粒子線照射装置。
3. 請求項１または請求項２に記載の粒子線照射装置において、
   前記強制励磁電圧出力部は、
   前記加速器にて前記荷電粒子ビームを加速または減速する場合に、前記加速器用電磁石に接続される一方、
   前記荷電粒子ビームを、照射野を形成して標的に照射する場合に、前記照射野形成用電磁石に接続される
   ことを特徴とする粒子線照射装置。
4. 請求項１から請求項３のうちの何れか一項に記載の粒子線照射装置において、
   前記電源装置は、
   前記加速器用電磁石に接続され、当該加速器用電磁石に前記電圧よりも低い電圧を出力して電流が安定化するように制御する第１電流安定化制御部と、
   前記照射野形成用電磁石に接続され、当該照射野形成用電磁石に前記電圧よりも低い電圧を出力して電流が安定化するように制御する第２電流安定化制御部とを有し、
   前記強制励磁電圧出力部は、
   前記加速器用電磁石または前記照射野形成用電磁石に切り替えて接続され電圧を出力する
   ことを特徴とする粒子線照射装置。
5. 請求項４に記載の粒子線照射装置において、
   前記加速器にて前記荷電粒子ビームを加速または減速する場合、前記加速器用電磁石に前記強制励磁電圧出力部と前記第１電流安定化制御部とが接続されるとともに、前記照射野形成用電磁石に前記第２電流安定化制御部が接続され、
   前記荷電粒子ビームを、照射野を形成して標的に照射する場合、前記照射野形成用電磁石に前記強制励磁電圧出力部と前記第２電流安定化制御部とが接続されるとともに、前記加速器用電磁石に前記第１電流安定化制御部が接続される
   ことを特徴とする粒子線照射装置。
6. 加速器用電磁石と、照射野形成用電磁石と、強制励磁電圧出力部を有する電源装置とを備え、荷電粒子ビームを標的に照射する粒子線照射装置の制御方法であって、
   前記強制励磁電圧出力部が前記照射野形成用電磁石から前記加速器用電磁石に切り替えて接続され電圧が当該加速器用電磁石に出力され、
   前記加速器において前記加速器用電磁石は前記荷電粒子ビームが所定のエネルギーに加速されるまで一定の周回軌道を保ち、
   前記強制励磁電圧出力部が前記加速器用電磁石から前記照射野形成用電磁石に切り替えて接続され電圧が当該照射野形成用電磁石に出力され、
   前記照射野形成用電磁石が、前記荷電粒子ビームの照射野を形成する
   ことを特徴とする粒子線照射装置の制御方法。
7. 請求項６に記載の粒子線照射装置の制御方法において、
   前記電源装置は、前記加速器用電磁石に前記電圧よりも低い電圧を出力して電流が安定化するように制御する第１電流安定化制御部と、前記照射野形成用電磁石に前記電圧よりも低い電圧を出力して電流が安定化するように制御する第２電流安定化制御部とを有し、
   前記強制励磁電圧出力部が前記照射野形成用電磁石から前記加速器用電磁石に切り替えて接続され、前記加速器用電磁石に前記強制励磁電圧出力部と前記第１電流安定化制御部とが接続され、
   前記加速器において前記加速器用電磁石は前記荷電粒子ビームが所定のエネルギーに加速されるまで一定の周回軌道を保ち、
   前記強制励磁電圧出力部が前記加速器用電磁石から前記照射野形成用電磁石に切り替えて接続され、前記照射野形成用電磁石に前記強制励磁電圧出力部と前記第２電流安定化制御部とが接続され、
   前記照射野形成用電磁石が、前記荷電粒子ビームの照射野を形成する
   ことを特徴とする粒子線照射装置の制御方法。

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