JP2016532875A - 光マイクロ波量子変換器 - Google Patents
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Abstract
Description
gomは、フォトニック格子と機械的カプラとの間の結合強度であり、
XZPは、機械的カプラのゼロ点変位であり、
ωLCは、光マイクロ波量子変換器の(ラジアン単位の)共振周波数(約10〜100ギガヘルツ(GHz))であり、
xは、フォトニック格子及び機械的カプラの変位であり、
ndは、駆動強度を定量化する光子数である。
gmeは、機械的カプラと超伝導回路の共振回路との間の結合強度であり、
ηは、超伝導回路の共振回路における静電容量と比較された機械的カプラの静電容量の関与率であり、
dは、機械的カプラのプレート間の距離(最大で約10nm)である。
Copは、超伝導回路及び光チャネルと機械的カプラの協同性であり、
Γは、電気減衰率(線幅)(約100キロヘルツ(kHz))であり、
gは、機械的カプラと超伝導回路の共振回路との間の結合強度(gme)であり、
κは、機械的カプラの消散率である。
Cは、機械的カプラと超伝導回路との間に形成される結合コンデンサの静電容量であり、
ε0は、自由空間の誘電率であり、
dは、結合コンデンサの第1のプレートと第2のプレートとの間の距離であり、
Aは、結合コンデンサの第1のプレートの面積(約100,000nm2(100nm×1000nm))である。
Cは、真空ギャップコンデンサの静電容量であり、
ε0は、自由空間の誘電率であり、
dは、真空ギャップコンデンサの第1のプレートと第2のプレートとの間の距離であり、
Aは、真空ギャップコンデンサの第1のプレートの面積(約100μm2(100μm×100μm))である。
τは、光マイクロ波量子変換器によって誘発されたトルクであり、
Afpは、真空ギャップのフットプリント(面積)(約10,000nm2)であり、
lは、回転軸に対するフォトニック格子の非ギャップ領域の距離であり、
ε0は、自由空間の誘電率であり、
Eは、フォトニック格子の非ギャップ領域における電界強度である。
Claims (21)
- 光マイクロ波量子変換器であって、
光信号を送受信するように構成されたテーパ型光ファイバと、
カンチレバーと、を備え、
前記カンチレバーは、
ナノフォトニック結晶を含み、前記テーパ型光ファイバから放射された光子によって誘発された電磁励起に応じて機械的励起をもたらすように構成された光空洞と、
前記機械的励起に応じて超伝導空洞上にて電気変調を誘発するとともに、前記超伝導空洞からの光子によって誘発された電磁励起に応じて機械的励起をもたらすように構成された機械的カプラと、を含み、
前記光空洞は、前記機械的励起に応じて前記テーパ型光ファイバ上に光変調を誘発する電磁励起をもたらすように更に構成されている、光マイクロ波量子変換器。 - 前記光空洞は、平行に配置されるとともにギャップによって分離された一対のナノフォトニック結晶を含み、前記一対のナノフォトニック結晶の各々が穴の列を有する、請求項1に記載の光マイクロ波量子変換器。
- 前記一対のナノフォトニック結晶の所与の1つと前記機械的カプラとの間に結合されたバッファを更に備える請求項2に記載の光マイクロ波量子変換器。
- 前記機械的カプラは、前記バッファに結合された第1のプレートと、前記超伝導空洞に結合された第2のプレートとを備えたコンデンサを含む、請求項3に記載の光マイクロ波量子変換器。
- 前記光空洞は、前記テーパ型光ファイバから放射された光子の捕獲に応じて振動するように構成されている、請求項4に記載の光マイクロ波量子変換器。
- 前記コンデンサの第1のプレートが前記光空洞の振動に応じて振動し、前記コンデンサの第1のプレートの振動が前記コンデンサの第2のプレート上に前記電気変調を誘発する、請求項5に記載の光マイクロ波量子変換器。
- 前記機械的カプラは、前記一対のナノフォトニック結晶と前記超伝導空洞とに結合された圧電アクチュエータを含む、請求項2に記載の光マイクロ波量子変換器。
- 前記光空洞は、前記テーパ型光ファイバから放射された光子の捕獲に応じて前記圧電アクチュエータに圧力を印加するように構成されている、請求項7に記載の光マイクロ波量子変換器。
- 前記圧電アクチュエータは、前記圧電アクチュエータに印加された圧力に応じて前記超伝導空洞上に電圧を誘起するように構成されている、請求項8に記載の光マイクロ波量子変換器。
- 前記光空洞は、少なくとも10列の穴を含む二次元フォトニック格子を含み、前記ナノフォトニック結晶はプレートを含み、前記プレートが前記機械的カプラの基板に結合されている、請求項1に記載の光マイクロ波量子変換器。
- 前記機械的カプラが真空ギャップコンデンサを含み、
前記真空ギャップコンデンサは、
前記基板によって境界が定められた第1のプレートと、
真空ギャップによって前記第1のプレートから分離され且つ前記超伝導空洞に電気的に結合された第2のプレートと
を含む、請求項10に記載の光マイクロ波量子変換器。 - 前記機械的カプラは、前記基板に繋がれた一組のアンカーを更に含み、前記一組のアンカーは、回転軸を中心とした前記フォトニック格子及び前記真空ギャップコンデンサの第1のプレートの捻回を可能にするように構成されている、請求項11に記載の光マイクロ波量子変換器。
- 前記フォトニック格子に捕獲された光子によって前記フォトニック格子が第1の方向にシフトすることにより、前記回転軸を中心に、前記第1の方向とは反対の第2の方向に前記真空ギャップコンデンサの第1のプレートがシフトする、請求項12に記載の光マイクロ波量子変換器。
- 前記真空ギャップコンデンサの第1のプレートがシフトすることにより、前記真空ギャップコンデンサの第2のプレートにより前記超伝導空洞上に前記電気変調が誘発される、請求項13に記載の光マイクロ波量子変換器。
- 前記機械的カプラは、前記基板の対向する端部に沿って繋がれた一組のレールを更に含み、前記一組のレールは、前記フォトニック格子の中央領域及び前記真空ギャップコンデンサの第1のプレートのシフトを可能にするように構成されている、請求項11に記載の光マイクロ波量子変換器。
- 前記フォトニック格子に捕獲された光子によって前記フォトニック格子が所与の方向にシフトすることにより、前記真空ギャップコンデンサの第1のプレートが前記所与の方向にシフトする、請求項15に記載の光マイクロ波量子変換器。
- 光マイクロ波量子変換器であって、
超伝導空洞に電気的に結合される機械的カプラであって、前記超伝導空洞から前記機械的カプラ上に放射された光子によって誘発された電気パルスに応じて機械的に励起するように構成された機械的カプラと、
ナノフォトニック結晶に形成された少なくとも2列の穴を有し且つ前記機械的カプラに機械的に結合された光空洞であって、前記ナノフォトニック結晶における所与の穴が、その所与の穴の中心を通って延び且つテーパ型光ファイバと交差する軸を有しており、前記機械的カプラの機械的励起に応じて前記テーパ型光ファイバ上に光変調を誘発するように構成された光空洞と
を備える光マイクロ波量子変換器。 - 前記光空洞は、平行に配置されるとともにギャップによって分離された一対のナノフォトニック結晶を含み、前記一対のナノフォトニック結晶の各々が少なくとも2列の穴の列を有する、請求項17に記載の光マイクロ波量子変換器。
- 前記光空洞がフォトニック格子を含み、前記少なくとも2列の穴が少なくとも10列の穴を含み、前記ナノフォトニック結晶がプレートを含み、及び前記プレートが前記機械的カプラの基板に結合され、前記機械的カプラが真空ギャップコンデンサを含み、
前記真空ギャップコンデンサは、
前記基板によって境界が定められた第1のプレートと、
真空ギャップによって前記第1のプレートから分離され且つ超伝導回路の共振回路に電気的に結合された第2のプレートと
を含む、請求項18に記載の光マイクロ波量子変換器。 - システムであって、
超伝導温度で光マイクロ波量子変換器を収容する冷凍ユニットであって、前記光マイクロ波量子変換器が、
ナノフォトニック結晶を含み、光ファイバから放射された光子によって誘発された電磁励起に応じて機械的励起をもたらすように構成された光空洞と、
前記機械的励起に応じて超伝導空洞上にて電気変調を誘発するとともに、前記超伝導空洞からの光子によって誘発された電磁励起に応じて機械的励起をもたらすように構成された機械的カプラであって、前記光空洞が、前記機械的励起に応じて前記光ファイバ上に光変調を誘発する電磁励起をもたらすように更に構成されている、前記機械的カプラと
を含む前記冷凍ユニットと、
前記光ファイバを含む光チャネル上で光パルスを送受信するように構成され、前記冷凍ユニットの外部に存在するノードと
を備えるシステム。 - 前記ノードは、超伝導温度で別の光量子変換器を収容する別の冷凍ユニットを含む、請求項20に記載のシステム。
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