JP2016527476A - 電界効果トランジスタ及び複数の電界効果トランジスタを含む気体検出器 - Google Patents
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Abstract
Description
間に空間を伴う複数の電極突起を含む、ソースと、
複数の電極突起を含むドレーンであって、複数の電極突起の各々は前記ソースの電極突起の間の空間の一つに配置され、このことにより、交互のドレーン及びソースの突起からなるドレーン−ソース電極接続エリアを形成する、ドレーンと、
ドレーン−ソース電極接続エリアから離間しているゲートであって、このことにより、ゲートとドレーン−ソース電極接続エリアとの間にチャネルが形成され、ゲートがチャネルに並行に走る、ゲートと、
ドレーン−ソース電極接続エリア内に配置される複数のナノ構造であって、このことにより、ドレーン−ソース電極接続エリア内にてドレーン及びソースの電極突起の間に電気接続を形成する、複数のナノ構造と
を含む。
電界効果トランジスタの各々は、
間に空間を伴う複数の電極突起を含む、ソースと、
複数の電極突起を含むドレーンであって、複数の電極突起の各々は前記ソースの電極突起の間の空間の一つに配置され、このことにより、交互のドレーン及びソースの突起からなるドレーン−ソース電極接続エリアを形成する、ドレーンと、
ドレーン−ソース電極接続エリアから離間しているゲートであって、このことにより、ゲートとドレーン−ソース電極接続エリアとの間にチャネルが形成され、ゲートがチャネルに並行に走る、ゲートと、
ドレーン−ソース電極接続エリア内に配置される複数のナノ構造であって、このことにより、ドレーン−ソース電極接続エリア内にてドレーン及びソースの電極突起の間に電気接続を形成する、複数のナノ構造と
を含む。
又は、(2)逆バイアスに対して、ID対VGSはショックレーの式の逆を示すので、指数関数的減衰の式を採用し得る。順方向バイアスでは、ID対VGSはショックレーの式の逆プロファイルを示す。ここで、数1の式の否定を採用してもよい。順方向バイアスの式と逆バイアスの式の両方の合計は、以下のようになる。
・糖尿病、腎(腎臓及び肝臓)不全、及び潰瘍の、早期検出のために、患者からの口臭を検出する。
・空港などの公共の場所内の、地雷及び可動性爆弾などの隠し爆発物から(TNTや他の爆発物から)発せられる気体濃度の10億分の1の検出。
・マンドラクス、マリワナなどの、様々なタイプの中毒性ドラッグから発せられる気体を検出することによるドラッグ取引のコントロール。
Claims (9)
- 電界効果トランジスタにおいて、
間に空間を伴う複数の電極突起を含む、ソースと、
複数の電極突起を含むドレーンであって、複数の電極突起の各々は前記ソースの電極突起の間の空間の一つに配置され、このことにより、交互のドレーン及びソースの突起からなるドレーン−ソース電極接続エリアを形成する、ドレーンと、
ドレーン−ソース電極接続エリアから離間しているゲートであって、このことにより、ゲートとドレーン−ソース電極接続エリアとの間にチャネルが形成され、ゲートがチャネルに並行に走る、ゲートと、
ドレーン−ソース電極接続エリア内に配置される複数のナノ構造であって、このことにより、ドレーン−ソース電極接続エリア内にてドレーン及びソースの電極突起の間に電気接続を形成する、複数のナノ構造と
を含む、電界効果トランジスタ。 - ドレーン、ソース及びゲートが同じ平面にある、請求項1に記載の電界効果トランジスタ。
- ドレーンの電極突起は形状が細長でありそれらの端部の一つにて若しくは近くにて、接続する、請求項1又は2に記載の電界効果トランジスタ。
- ソースの電極突起は形状が細長でありそれらの端部の一つにて若しくは近くにて、接続する、請求項1から3のうちのいずれか一に記載の電界効果トランジスタ。
- ドレーン−ソース電極接続エリア内に配置された複数のナノ構造は、ドレーン−ソース電極接続エリア上にランダムに位置する、請求項1から4のうちのいずれか一に記載の電界効果トランジスタ。
- ドレーン−ソース電極接続エリアは約90ミクロン×90ミクロンである、請求項1から5のうちのいずれか一に記載の電界効果トランジスタ。
- 基板上に配置された複数の電界効果トランジスタを含む気体検出器において、
電界効果トランジスタの各々は、
間に空間を伴う複数の電極突起を含む、ソースと、
複数の電極突起を含むドレーンであって、複数の電極突起の各々は前記ソースの電極突起の間の空間の一つに配置され、このことにより、交互のドレーン及びソースの突起からなるドレーン−ソース電極接続エリアを形成する、ドレーンと、
ドレーン−ソース電極接続エリアから離間しているゲートであって、このことにより、ゲートとドレーン−ソース電極接続エリアとの間にチャネルが形成され、ゲートがチャネルに並行に走る、ゲートと、
ドレーン−ソース電極接続エリア内に配置される複数のナノ構造であって、このことにより、ドレーン−ソース電極接続エリア内にてドレーン及びソースの電極突起の間に電気接続を形成する、複数のナノ構造と
を含む、
気体検出器。 - 基板上に配置された八つの電界効果トランジスタを含む、請求項7に記載の気体検出器。
- 電界効果トランジスタの各々から信号を受信し、信号を処理して一つ若しくはそれ以上の気体の存在を判別する、プロセッサを含む、請求項7又は8に記載の気体検出器。
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