JP2016513873A - 非一様に構成されたファイバ−ファイバロッドマルチモード増幅器を備える超ハイパワー単一モードファイバレーザシステム - Google Patents
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Abstract
Description
11 シードレーザ
12 キャビネット
14 ファイバブースタ
15 ファイバ部分
16 レーザヘッド
17 ファイバロッド部分
18 ポンプ光送達/出力ファイバ、ポンプ光送達ファイバ、出力MM受動ファイバポンプ光出力/送達ファイバ、MMポンプファイバ、出力ポンプファイバ、出力ポンプ光送達ファイバ
19 MM-MMファイバコンバイナ
20 発振器、マスタ発振器
22 入力受動ファイバ、受動入力ファイバ
24 コネクタ、コネクタアセンブリ
26 ポンプアセンブリ
28 レーザダイオード、レーザダイオードモジュール
30 セグメントミラー、ミラー
34 モード遷移領域、円錐台形断面、円錐台形区間、モード遷移コア領域、コアモード遷移領域
35 出力部分、大直径出力コア領域、増幅領域、増幅コア領域
38 リン酸MMコア、MMコア、コア
39 円筒形または円錐台形水晶ブロック
40 リング領域、リング
41 被覆
42 クラッディング
44 リング、屈折率領域
46 内部サブクラッディング
48 外部サブクラッディング
50 送達ケーブル
52 ガイド、パイプ
54 高分子層、層
58 開口
60 セグメント、屈折率領域
62 傾斜反射面
66 パワーセンサ
68 レンズ
70 調節機構
72 アクチュエータ
Claims (26)
- 縦軸に沿って中心が置かれた、開放された送達ケーブルと、
送達ケーブルを通じて延び、同心および共に延びるマルチモード(「MM」)コアならびにMMコアの周りの少なくとも1つのクラッディングと共に構築された、細長いファイバブースタであって、前記MMコアが非一様な形状であり、小直径入力一様形成MMコア領域と大直径出力一様成形MMコア領域との間に拡がり、SM信号光がMMコアに沿って伝播方向に誘導されるとき、高次モードの増幅がほぼ抑制されるように構成されるモード遷移領域を含むファイバブースタと、
前記ファイバブースタの出力端部を直接的に受けるレーザヘッドと、
互いに、および送達ケーブルと間隔を置いて配置された複数の開放されたポンプ光出力ファイバであって、各出力ファイバが、MMポンプ光を前記伝播方向に誘導する、複数の開放されたポンプ光出力ファイバと、
前記レーザヘッドの端部に取り付けられ、前記ポンプ光を前記ファイバブースタの前記出力端部に逆伝播方向に向け直すように構成されたミラーであって、前記ファイバブースタが、ほぼ単一モード(SM)でkWからMW範囲の信号光を放射するミラーと、
を備える、単一モード(「SM」)超ハイパワーファイバレーザシステム。 - 前記ポンプ光が、前記MMコアの出力端部に結合される、請求項1に記載のファイバレーザシステム。
- 前記ファイバブースタの前記クラッディングが、
前記コアの前記モード遷移領域と共に延びるテーパー領域と、
少なくとも前記テーパー領域および大直径出力領域に沿って延びる、細長い内部リングであって、前記細長い内部リングが、前記クラッディングよりも低い屈折率と共に構築され、前記クラッディングを内部サブクラッディングおよび外部サブクラッディングに分割し、前記内部サブクラッディングが、前記MMに隣接し、前記ポンプ光を受けるように構成され、ポンプ光出力ファイバの各々の開口数(「NA」)が、最大でも前記ファイバブースタの前記内部サブクラッディングと同じ大きさである、細長い内部リングと
共に構築される、請求項1に記載のファイバレーザシステム。 - 前記内部サブクラッディングが、その大部分の長さに沿って、結合されたMMポンプ光を導波し、前記クラッディングの前記テーパー領域が、前記ポンプ光の少なくとも約90%が前記コアの前記モード遷移領域に沿って吸収されるときまたはその後に、前記内部サブクラッディングから前記外部サブクラッディングに分離される前記結合されたポンプ光のそれぞれの対称モードおよび非対称モードの反射角を増大させるように選択された開口角で構築される、請求項3に記載のファイバレーザシステム。
- 向け直されたポンプ光が前記ファイバブースタの前記出力端部に結合されるように、前記レーザヘッドにそれぞれ取り付けられ、前記ミラー上に前記ポンプ光を集束させるように動作可能である複数の光集束アセンブリをさらに備える、請求項1に記載のファイバレーザシステム。
- 前記光集束アセンブリが、それぞれの出力ポンプ光ファイバを受け、それぞれX-Y-Z座標系でそれぞれのポンプ光の出力を調節するように構成される、請求項5に記載のファイバレーザシステム。
- 前記ミラーが、前記ファイバブースタの縦軸を中心に置かれ、それぞれのポンプ源からの前記MM光を前記ファイバブースタの前記出力端部に結合するように、前記縦軸に垂直に延びるそれぞれの軸の周りに互いに変位するように動作可能な複数のセグメントを含む、請求項1に記載のファイバレーザシステム。
- 前記セグメントミラーが、前記ファイバブースタに向かって狭まる円錐台形状で構成される、請求項7に記載のファイバレーザシステム。
- それぞれの送達ケーブルおよびブースタの対向する表面が、それらの間のスペースを画定する、請求項1に記載のファイバレーザシステム。
- 前記スペース内に配置された冷却システムをさらに備える、請求項9に記載のファイバレーザシステム。
- 前記冷却システムが、冷却剤によって横切られる少なくとも1つのパイプを含む、請求項10に記載のファイバレーザシステム。
- 前記冷却システムが、前記ブースタの外面に結合された高分子被覆を含み、
前記高分子被覆が、
約1.33より下の屈折率、
最大約数百℃の動作温度、および
約6から約50umの間の範囲の厚さ
と共に構成される、請求項10に記載のファイバレーザシステム。 - 前記レーザヘッドが、前記ポンプ光出力ファイバおよびブースタファイバのそれぞれの出力端部を受ける複数のコネクタと共に構成される、請求項1に記載のファイバレーザシステム。
- それぞれのkWパワーMMポンプ光を放射する1つまたは複数のポンプ源と、制御電子システムと、前記SM信号光を放射するマスタ発振器とを収容する1つまたは複数のキャビネットと共に構成されたメインコンソールをさらに備え、前記ブースタファイバおよび発振器が、互いにマスタ発振器電力増幅器(「MOPA」)構成で結合される、請求項1に記載のファイバレーザシステム。
- 前記内部サブクラッディングが、少なくとも0.22のNAで構築される、請求項3に記載のファイバレーザシステム。
- 前記コア、内部クラッディング、およびリングの各々のテーパリング比が少なくとも2となるように前記開口角が選択される、請求項4に記載のファイバレーザシステム。
- それぞれの内部サブクラッディングおよびコアの直径間の比が、少なくとも約5に対応し、それぞれの外部サブクラッディングおよびコアの直径間の比が約10である、請求項4に記載のファイバレーザシステム。
- 前記細長い内部リングの領域がフッ化物のイオンでドープされる、請求項3に記載のファイバレーザシステム。
- 前記リングの対向する端部が、それぞれ約15μmおよび約30μmの厚さである、請求項3に記載のファイバレーザシステム。
- 前記クラッディングの前記テーパー領域のそれぞれの小さい端部および大きい端部の外径が、それぞれ約200μmおよび約400μmである、請求項1に記載のファイバレーザシステム。
- 前記コアが、約100ppmから約10000ppmの間で変動する濃度でドープされる希土類イオンのグループから選択された光活性剤でドープされる、請求項1に記載のファイバレーザシステム。
- 前記ファイバブースタが、屈折ステップインデックスプロファイルと共に構成され、前記コアの屈折率プロファイルが、平坦な頂部で終了する概して円錐台形状を有する比較的高い屈折率領域に達する、比較的低い屈折率領域を含むように、前記コアがゲルマニウムのイオンでさらにドープされる、請求項21に記載のファイバレーザシステム。
- 前記クラッディングを取り囲み、約20μmから約40μmの間で変動する厚さを有する外部被覆をさらに備える、請求項1に記載のファイバレーザシステム。
- 前記モード遷移領域の長さが約4メートルであり、前記コアの全長が、約20kWの増幅されたSM信号光のパワーで、約5メートルから約7メートルの間である、請求項1に記載のファイバレーザシステム。
- 前記ファイバブースタおよびポンプ光送達ファイバの前記出力端部にそれぞれスプライスされ、円筒形の断面または概して円錐形状の断面を有する、無心石英ガラスロッドをさらに備える、請求項1に記載のファイバレーザシステム。
- 前記ファイバブースタが、一体構造で構成され、互いに融合された複数の部品を含む、請求項1に記載のファイバレーザシステム。
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