JP2016225448A5 - - Google Patents

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基板と、
前記基板の第1面に実装され、かつ、前記第1面の面内方向に光を射出する半導体発光素子と、
前記半導体発光素子から射出された光が入射する窓部と、
前記窓部を透過した光が入射し、かつ、当該窓部を透過した光を前記第1面から離れる方向に折り曲げるプリズムと、
前記プリズムによって折り曲げられた光を集光する集光部と、
を含み、
前記窓部は、前記プリズムの材料よりも前記半導体発光素子が射出する光の波長に対する耐光性が高い材料によって形成されている、ことを特徴とする光源装置。
A substrate,
A semiconductor light emitting device mounted on the first surface of the substrate and emitting light in an in-plane direction of the first surface;
A window part into which light emitted from the semiconductor light emitting element is incident;
A prism that receives light transmitted through the window and bends the light transmitted through the window in a direction away from the first surface;
A light collecting unit for collecting the light bent by the prism;
Including
The light source device, wherein the window portion is formed of a material having higher light resistance to a wavelength of light emitted from the semiconductor light emitting element than a material of the prism.
前記窓部の光入射面には、前記半導体発光素子から射出された光を集光するレンズ面が形成されている、ことを特徴とする請求項1に記載の光源装置。   The light source device according to claim 1, wherein a lens surface that collects light emitted from the semiconductor light emitting element is formed on a light incident surface of the window portion. 前記窓部の光入射面には、前記半導体発光素子から射出された光を集光する回折光学素子が形成されている、ことを特徴とする請求項1に記載の光源装置。   The light source device according to claim 1, wherein a diffractive optical element that condenses light emitted from the semiconductor light emitting element is formed on a light incident surface of the window portion. 前記プリズムの反射面は、凹面である、ことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の光源装置。   The light source device according to claim 1, wherein the reflecting surface of the prism is a concave surface. 前記集光部は、回折光学素子である、ことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の光源装置。   The light source device according to claim 1, wherein the light collecting unit is a diffractive optical element. 前記プリズムと前記集光部とは、一体に構成されている、ことを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載の光源装置。   The light source device according to claim 1, wherein the prism and the light collecting unit are integrally formed. 前記窓部の光入射面の垂線は、前記第1面の垂線方向から見て、前記半導体発光素子の光射出面の垂線に対して傾いている、ことを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1項に記載の光源装置。   7. The normal of the light incident surface of the window portion is inclined with respect to the normal of the light emitting surface of the semiconductor light emitting element when viewed from the normal direction of the first surface. The light source device according to any one of the above. 前記半導体発光素子は、
電流が注入されて光を発生させる活性層と、
前記活性層を挟む第1クラッド層および第2クラッド層と、
を有し、
前記活性層は、光を導波させる光導波路を構成し、
前記光導波路は、前記活性層と前記第1クラッド層との積層方向から見て、前記半導体発光素子の光射出面の垂線に対して傾いて設けられ、
前記半導体発光素子から射出された光は、前記窓部の光入射面で屈折して、前記半導体発光素子の光射出面の垂線に沿って進行する、ことを特徴とする請求項7に記載の光源装置。
The semiconductor light emitting element is
An active layer in which current is injected to generate light;
A first cladding layer and a second cladding layer sandwiching the active layer;
Have
The active layer constitutes an optical waveguide for guiding light,
The optical waveguide is provided to be inclined with respect to a normal to the light emission surface of the semiconductor light emitting device as seen from the stacking direction of the active layer and the first cladding layer,
The light emitted from the semiconductor light emitting device is refracted on a light incident surface of the window portion and travels along a perpendicular line of the light emitting surface of the semiconductor light emitting device. Light source device.
前記半導体発光素子は、
電流が注入されて光を発生させる活性層と、
前記活性層を挟む第1クラッド層および第2クラッド層と、
を有し、
前記活性層は、光を導波させる光導波路を構成し、
前記光導波路は、前記活性層と前記第1クラッド層との積層方向から見て、前記半導体発光素子の光射出面の垂線に沿って設けられている、ことを特徴とする請求項7に記載の光源装置。
The semiconductor light emitting element is
An active layer in which current is injected to generate light;
A first cladding layer and a second cladding layer sandwiching the active layer;
Have
The active layer constitutes an optical waveguide for guiding light,
The said optical waveguide is provided along the perpendicular of the light emission surface of the said semiconductor light-emitting device seeing from the lamination direction of the said active layer and the said 1st clad layer, The said light guide is characterized by the above-mentioned. Light source device.
前記窓部の材質は、無機材料である、ことを特徴とする請求項1ないし9のいずれか1項に記載の光源装置。   The light source device according to claim 1, wherein a material of the window portion is an inorganic material. 前記プリズムの材質は、樹脂材料である、ことを特徴とする請求項1ないし10のいずれか1項に記載の光源装置。   The light source device according to claim 1, wherein a material of the prism is a resin material. 基板と、
前記基板の第1面に実装され、かつ、前記第1面の面内方向に光を射出する半導体発光素子と、
前記半導体発光素子から射出された光を、前記第1面から離れる方向に折り曲げるプリズムと、
前記プリズムによって折り曲げられた光を集光する集光部と、
を含み、
前記プリズムは、前記集光部の材料よりも前記半導体発光素子が射出する光の波長に対する耐光性が高い材料によって形成されている、ことを特徴とする光源装置。
A substrate,
A semiconductor light emitting device mounted on the first surface of the substrate and emitting light in an in-plane direction of the first surface;
A prism that bends light emitted from the semiconductor light emitting element in a direction away from the first surface;
A light collecting unit for collecting the light bent by the prism;
Including
The light source device, wherein the prism is formed of a material having higher light resistance to a wavelength of light emitted from the semiconductor light emitting element than a material of the light collecting unit.
前記集光部は、回折光学素子である、ことを特徴とする請求項12に記載の光源装置。   The light source device according to claim 12, wherein the condensing unit is a diffractive optical element. 前記プリズムの光入射面には、前記半導体発光素子から射出された光を集光するレンズ面が形成されている、ことを特徴とする請求項12または13に記載の光源装置。   14. The light source device according to claim 12, wherein a lens surface for condensing light emitted from the semiconductor light emitting element is formed on a light incident surface of the prism. 前記プリズムの光入射面には、前記半導体発光素子から射出された光を集光する回折光学素子が形成されている、ことを特徴とする請求項12または13に記載の光源装置。   The light source device according to claim 12, wherein a diffractive optical element that collects light emitted from the semiconductor light emitting element is formed on a light incident surface of the prism. 前記プリズムの反射面は、凹面である、ことを特徴とする請求項12ないし15のいずれか1項に記載の光源装置。   The light source device according to claim 12, wherein the reflecting surface of the prism is a concave surface. 前記プリズムの材質は、無機材料である、ことを特徴とする請求項12ないし16のいずれか1項に記載の光源装置。   The light source device according to claim 12, wherein a material of the prism is an inorganic material. 前記集光部の材質は、樹脂材料である、ことを特徴とする請求項12ないし17のいずれか1項に記載の光源装置。   The light source device according to any one of claims 12 to 17, wherein a material of the light collecting unit is a resin material. 請求項1ないし18のいずれか1項に記載の光源装置と、
前記光源装置から射出された光を画像情報に応じて変調する光変調装置と、
前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、
を含む、ことを特徴とするプロジェクター。
A light source device according to any one of claims 1 to 18,
A light modulation device that modulates light emitted from the light source device according to image information;
A projection device for projecting an image formed by the light modulation device;
Including a projector.
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018190864A (en) * 2017-05-09 2018-11-29 ウシオ電機株式会社 Semiconductor laser device
US10431959B2 (en) 2017-10-02 2019-10-01 Nichia Corporation Light emitting device and optical device
DE102017123798B4 (en) 2017-10-12 2022-03-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Semiconductor lasers and manufacturing processes for optoelectronic semiconductor components
JP7216284B2 (en) * 2019-05-29 2023-02-01 日亜化学工業株式会社 light emitting device
US11404844B2 (en) * 2019-06-13 2022-08-02 Omnivision Technologies, Inc. Semiconductor structure and method of manufacturing the same
JP7370753B2 (en) * 2019-07-18 2023-10-30 古河電気工業株式会社 Light source unit, light source device and optical fiber laser
JP7460880B2 (en) * 2019-10-31 2024-04-03 日亜化学工業株式会社 Light-emitting device
JPWO2021117286A1 (en) * 2019-12-09 2021-06-17
KR20230158056A (en) * 2021-04-29 2023-11-17 엘지전자 주식회사 video projection device
CN117426031A (en) * 2021-06-14 2024-01-19 三菱电机株式会社 Semiconductor laser device and method for manufacturing semiconductor laser device

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0356901A (en) * 1989-07-26 1991-03-12 Canon Inc Grating lens system
JPH04240617A (en) * 1991-01-24 1992-08-27 Seiko Epson Corp Liquid crystal display element
JPH06118346A (en) * 1992-10-02 1994-04-28 Minolta Camera Co Ltd Laser beam light source unit and laser beam scanning optical system
US20030043582A1 (en) * 2001-08-29 2003-03-06 Ball Semiconductor, Inc. Delivery mechanism for a laser diode array
JP2005201874A (en) * 2004-01-19 2005-07-28 Matsushita Electric Works Ltd Laser marking device
JP2006010782A (en) * 2004-06-22 2006-01-12 Olympus Corp Display device for finder
JP4232840B2 (en) * 2006-11-27 2009-03-04 セイコーエプソン株式会社 Light source device and image display device
US7660500B2 (en) * 2007-05-22 2010-02-09 Epicrystals Oy Light emitting array
US20090153752A1 (en) * 2007-12-14 2009-06-18 Silverstein Barry D Projector using independent multiple wavelength light sources
JP2009260118A (en) * 2008-04-18 2009-11-05 Konica Minolta Opto Inc Optical module
JP5439764B2 (en) * 2008-08-18 2014-03-12 セイコーエプソン株式会社 Solid state light source device, projector, monitor device
JP2011107510A (en) * 2009-11-19 2011-06-02 Konica Minolta Opto Inc Optical element, and method for manufacturing the same
JP5289367B2 (en) * 2010-03-26 2013-09-11 アズビル株式会社 Optical package
JP2011227390A (en) * 2010-04-22 2011-11-10 Sanyo Electric Co Ltd Manufacturing method of laser beam transmitting lens
JP5644221B2 (en) * 2010-07-14 2014-12-24 セイコーエプソン株式会社 Light emitting device, lighting device, and projector
JP5681002B2 (en) * 2011-03-09 2015-03-04 セイコーエプソン株式会社 Light emitting device and projector
JP2013033152A (en) * 2011-08-02 2013-02-14 Panasonic Corp Projecting lens and image display device provided therewith
JP5891796B2 (en) * 2012-01-11 2016-03-23 セイコーエプソン株式会社 LIGHT EMITTING DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND PROJECTOR
JP2013235987A (en) * 2012-05-09 2013-11-21 Seiko Epson Corp Light emitting device, super luminescent diode, and projector
JP2014232790A (en) * 2013-05-29 2014-12-11 パナソニック株式会社 Semiconductor laser device and manufacturing method thereof
JP6361333B2 (en) * 2013-07-31 2018-07-25 日亜化学工業株式会社 Light source device and optical engine

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