JP2016221527A - Manufacturing method for semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device.
電力用半導体装置などの半導体装置の製造において、金属端子と金属板の超音波接合が実施される。なお、超音波接合時に生じた浮きや皺を、超音波接合とは異なる機構を用いた押圧工程により矯正する技術がある(例えば、特許文献1参照)。 In manufacturing a semiconductor device such as a power semiconductor device, ultrasonic bonding between a metal terminal and a metal plate is performed. In addition, there exists a technique which correct | amends the float and wrinkles which were produced at the time of ultrasonic joining by the press process using the mechanism different from ultrasonic joining (for example, refer patent document 1).
超音波接合を実施する前に金属端子と金属板の片方に浮きや反りといった傾きが発生している場合がある。この場合、金属同士の並行が保たれずに、超音波接合の強度が弱くなり、接合時間が安定せず、母材(金属板下の絶縁層)に過度なダメージを加えてしまう。このため、安定した接合品質を得ることができないという問題があった。 There is a case where an inclination such as floating or warping is generated on one of the metal terminal and the metal plate before the ultrasonic bonding is performed. In this case, the parallelness of the metals is not maintained, the strength of ultrasonic bonding is weakened, the bonding time is not stable, and excessive damage is applied to the base material (insulating layer under the metal plate). For this reason, there existed a problem that the stable joining quality could not be obtained.
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は安定した接合品質を確保することができる半導体装置の製造方法を得るものである。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to obtain a semiconductor device manufacturing method capable of ensuring stable bonding quality.
本発明に係る半導体装置の製造方法は、上面に金属板が設けられた絶縁層を台座に載せ、前記金属板上に金属端子を載せる工程と、超音波ツールを前記金属端子に押し付けて加圧力を加えて前記金属端子と前記金属板を平行状態に固定するプレ接合工程と、前記プレ接合工程の後に、前記超音波ツールを前記金属端子に押し付けて加圧力を加えつつ超音波振動を加えて前記金属端子と前記金属板を超音波接合させるメイン接合工程とを備えることを特徴とする。 The method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes a step of placing an insulating layer having a metal plate on an upper surface on a pedestal, placing a metal terminal on the metal plate, and pressing an ultrasonic tool against the metal terminal to apply pressure A pre-joining step of fixing the metal terminal and the metal plate in a parallel state by adding a ultrasonic vibration while pressing the ultrasonic tool against the metal terminal and applying pressure after the pre-joining step And a main joining step for ultrasonically joining the metal terminal and the metal plate.
本発明ではメイン接合の前にプレ接合を行って金属端子や金属板に浮きや反りを矯正して金属端子と金属板を平行状態に固定するため、安定した接合品質6を確保することができる。
In the present invention, pre-joining is performed before main joining, and the metal terminals and the metal plates are corrected to be lifted and warped to fix the metal terminals and the metal plates in a parallel state, so that
本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。 A method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. The same or corresponding components are denoted by the same reference numerals, and repeated description may be omitted.
実施の形態1.
図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。図2及び図3は、本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を示す斜視図である。図4は図3のI−IIに沿った断面図である。
FIG. 1 is a flowchart showing a method for manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment of the present invention. 2 and 3 are perspective views showing the method of manufacturing the semiconductor device according to the first embodiment of the present invention. 4 is a cross-sectional view taken along the line I-II in FIG.
まず、上面に金属板1が設けられた絶縁層2をワーク搬送して台座3に載せる(ステップS1)。そして、金属板1上に金属端子4を載せる。金属端子4及び金属板1は電流を流すものであり、絶縁層2は上面側の金属板1と下面側の配線(不図示)とを絶縁するものである。
First, the work is carried on the
次に、超音波ツール5をZ軸方向に下降する座標を決めるための認識工程を実施する(ステップS2)。次に、図2に示すように、超音波ツール5をZ軸方向に下降させて金属端子4に押し付けて加圧力Ppを加えて金属端子4と金属板1を平行状態に固定する(プレ接合工程、ステップS3)。次に、超音波ツール5をZ軸方向に上昇させて金属端子4から離す。
Next, a recognition process for determining coordinates for lowering the
次に、超音波ツール5をZ軸方向に下降する座標を決めるための認識工程を再び実施する(ステップS4)。次に、図3及び図4に示すように、超音波ツール5をZ軸方向に下降させて金属端子4に押し付けて加圧力Pmを加えつつ超音波振動Vmを加えて金属端子4と金属板1を超音波接合させる(メイン接合工程、ステップS5)。なお、超音波振動Vmは超音波ツール5を金属端子4に押し付けた後に加える。その後、超音波接合が終わった半導体装置をワーク搬送する(ステップS6)。
Next, a recognition process for determining coordinates for lowering the
図5は、比較例に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。比較例ではプレ接合を行わない。このため、金属端子4や金属板1に浮きや反りといった傾きが有ると、超音波ツール5と金属端子4や金属板1との平行が保たれず、金属板1の下の絶縁層2にまで過度なダメージを加えてしまい、安定した接合品質6を得ることができない。この金属端子4や金属板1の浮きや反りは、主に他プロセスの熱負荷による変形や搬送時の変形により発生する。
FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a semiconductor device according to a comparative example. In the comparative example, pre-bonding is not performed. For this reason, if the
一方、本実施の形態では、メイン接合の前にプレ接合を行って金属端子4や金属板1に浮きや反りを矯正して金属端子4と金属板1を平行状態に固定するため、図4に示すように安定した接合品質6を確保することができる。
On the other hand, in the present embodiment, pre-joining is performed before main joining to correct floating and warping on the
また、プレ接合工程の加圧力Ppはメイン接合工程の加圧力Pmより小さく、例えば1〜50%の荷重である。プレ接合工程の時間はメイン接合工程の時間より短く、例えば1〜50%の時間である。このため、金属端子4や金属板1に浮きや反りといった傾きが発生している場合でもプレ接合は可能であり、プレ接合工程において母材(金属板1下の絶縁層2)に過度なダメージを加えることはない。
Further, the pressure Pp in the pre-bonding process is smaller than the pressure Pm in the main bonding process, for example, a load of 1 to 50%. The time of the pre-joining process is shorter than the time of the main joining process, for example, 1 to 50% of time. For this reason, pre-joining is possible even when the
なお、主に電極端子4に傾きが有ると、認識工程において誤認識を起こす場合がある。プレ接合工程で誤認識を起こし、そのままメイン接合工程を行うと、間違った座標位置のままメイン接合を開始してしまうことがある。そこで、プレ接合工程の後に超音波ツール5をZ軸方向に上昇させ、メイン接合工程の前に再び認識工程を実施する。
In addition, when the
実施の形態2.
図6は、本発明の実施の形態2に係る半導体装置の製造方法を示す斜視図である。本実施の形態では、プレ接合として、超音波ツール5をZ軸方向に下降させて金属端子4に接触させて金属端子4の長手方向に対して平行方向に超音波振動Vpを加え、金属端子4と金属板1を平行状態に固定する。その後、実施の形態1と同様にメイン接合を行う。これにより、実施の形態1と同様に、安定した接合品質6を確保することができる。
FIG. 6 is a perspective view showing a method for manufacturing a semiconductor device according to the second embodiment of the present invention. In the present embodiment, as pre-bonding, the
また、プレ接合工程の超音波振動Vpの振幅量はメイン接合工程の超音波振動Vmの振幅量より小さく、例えば1〜50%の振幅量である。プレ接合工程の時間はメイン接合工程の時間より短く、例えば1〜50%の時間である。このため、金属端子4や金属板1に浮きや反りといった傾きが発生している場合でもプレ接合は可能であり、プレ接合工程において母材(金属板1下の絶縁層2)に過度なダメージを加えることはない。
Further, the amplitude amount of the ultrasonic vibration Vp in the pre-joining process is smaller than the amplitude amount of the ultrasonic vibration Vm in the main joining process, for example, 1 to 50%. The time of the pre-joining process is shorter than the time of the main joining process, for example, 1 to 50% of time. For this reason, pre-joining is possible even when the
また、超音波ツール5の形状や接合部周囲の障壁の関係によって金属端子4の長手方向に対して平行方向にしか超音波振動Vpを加えられない場合に本実施の形態を適用することができる。
Further, the present embodiment can be applied when the ultrasonic vibration Vp can be applied only in the direction parallel to the longitudinal direction of the
なお、超音波ツール5は振動子方向にしかしか振動できないため、一方向のみしか超音波振動を加えることができない。超音波ツール5又は台座3を回転させれば二方向の超音波振動を加えることができる。ただし、プレ接合工程の場合、一方向のみの超音波振動により十分に仮接合を行うことができる。
Since the
実施の形態3.
図7は、本発明の実施の形態3に係る半導体装置の製造方法を示す斜視図である。本実施の形態では、プレ接合として、超音波ツール5をZ軸方向に下降させて金属端子4に接触させて金属端子4の長手方向に対して垂直方向に超音波振動Vpを加え、金属端子4と金属板1を平行状態に固定する。その後、実施の形態1と同様にメイン接合を行う。これにより、実施の形態1と同様に、安定した接合品質6を確保することができる。
FIG. 7 is a perspective view showing a method for manufacturing a semiconductor device according to the third embodiment of the present invention. In the present embodiment, as pre-bonding, the
また、プレ接合工程の超音波振動Vpの振幅量はメイン接合工程の超音波振動Vmの振幅量より小さく、例えば1〜50%の振幅量である。プレ接合工程の時間はメイン接合工程の時間より短く、例えば1〜50%の時間である。このため、金属端子4や金属板1に浮きや反りといった傾きが発生している場合でもプレ接合は可能であり、プレ接合工程において母材(金属板1下の絶縁層2)に過度なダメージを加えることはない。
Further, the amplitude amount of the ultrasonic vibration Vp in the pre-joining process is smaller than the amplitude amount of the ultrasonic vibration Vm in the main joining process, for example, 1 to 50%. The time of the pre-joining process is shorter than the time of the main joining process, for example, 1 to 50% of time. For this reason, pre-joining is possible even when the
また、超音波ツール5の形状や接合部周囲の障壁の関係によって金属端子4の長手方向に対して垂直方向にしか超音波振動Vpを加えられない場合に本実施の形態を適用することができる。
Further, the present embodiment can be applied when the ultrasonic vibration Vp can be applied only in the direction perpendicular to the longitudinal direction of the
実施の形態4.
図8は、本発明の実施の形態4に係る半導体装置の製造方法を示す斜視図である。本実施の形態では、プレ接合として、超音波ツール5をZ軸方向に下降させて金属端子4に押し付けて加圧力Ppを加えつつ、金属端子4の長手方向に対して平行方向に超音波振動Vpを加え、金属端子4と金属板1を平行状態に固定する。その後、実施の形態1と同様にメイン接合を行う。これにより、実施の形態1と同様に、安定した接合品質6を確保することができる。
FIG. 8 is a perspective view showing a method for manufacturing a semiconductor device according to the fourth embodiment of the present invention. In the present embodiment, as pre-bonding, the
また、プレ接合工程の超音波振動Vpの振幅量はメイン接合工程の超音波振動Vmの振幅量より小さく、例えば1〜50%の振幅量である。プレ接合工程の時間はメイン接合工程の時間より短く、例えば1〜50%の時間である。プレ接合工程の加圧力Ppはメイン接合工程の加圧力Pmより小さく、例えば1〜50%の荷重である。このため、金属端子4や金属板1に浮きや反りといった傾きが発生している場合でもプレ接合は可能であり、プレ接合工程において母材(金属板1下の絶縁層2)に過度なダメージを加えることはない。
Further, the amplitude amount of the ultrasonic vibration Vp in the pre-joining process is smaller than the amplitude amount of the ultrasonic vibration Vm in the main joining process, for example, 1 to 50%. The time of the pre-joining process is shorter than the time of the main joining process, for example, 1 to 50% of time. The pressure Pp in the pre-joining process is smaller than the pressure Pm in the main joining process, for example, a load of 1 to 50%. For this reason, pre-joining is possible even when the
また、超音波ツール5の形状や接合部周囲の障壁の関係によって金属端子4の長手方向に対して平行方向にしか超音波振動Vpを加えられない場合に本実施の形態を適用することができる。
Further, the present embodiment can be applied when the ultrasonic vibration Vp can be applied only in the direction parallel to the longitudinal direction of the
実施の形態5.
図9は、本発明の実施の形態5に係る半導体装置の製造方法を示す斜視図である。本実施の形態では、プレ接合として、超音波ツール5をZ軸方向に下降させて金属端子4に押し付けて加圧力Ppを加えつつ、金属端子4の長手方向に対して垂直方向に超音波振動Vpを加え、金属端子4と金属板1を平行状態に固定する。その後、実施の形態1と同様にメイン接合を行う。これにより、実施の形態1と同様に、安定した接合品質6を確保することができる。
FIG. 9 is a perspective view showing a method for manufacturing a semiconductor device according to the fifth embodiment of the present invention. In the present embodiment, as pre-bonding, the
また、プレ接合工程の超音波振動Vpの振幅量はメイン接合工程の超音波振動Vmの振幅量より小さく、例えば1〜50%の振幅量である。プレ接合工程の時間はメイン接合工程の時間より短く、例えば1〜50%の時間である。プレ接合工程の加圧力Ppはメイン接合工程の加圧力Pmより小さく、例えば1〜50%の荷重である。このため、金属端子4や金属板1に浮きや反りといった傾きが発生している場合でもプレ接合は可能であり、プレ接合工程において母材(金属板1下の絶縁層2)に過度なダメージを加えることはない。
Further, the amplitude amount of the ultrasonic vibration Vp in the pre-joining process is smaller than the amplitude amount of the ultrasonic vibration Vm in the main joining process, for example, 1 to 50%. The time of the pre-joining process is shorter than the time of the main joining process, for example, 1 to 50% of time. The pressure Pp in the pre-joining process is smaller than the pressure Pm in the main joining process, for example, a load of 1 to 50%. For this reason, pre-joining is possible even when the
また、超音波ツール5の形状や接合部周囲の障壁の関係によって金属端子4の長手方向に対して垂直方向にしか超音波振動Vpを加えられない場合に本実施の形態を適用することができる。
Further, the present embodiment can be applied when the ultrasonic vibration Vp can be applied only in the direction perpendicular to the longitudinal direction of the
1 金属板、2 絶縁層、3 台座、4 金属端子、5 超音波ツール、Pm,Pp 加圧力、Vm,Vp 超音波振動 1 Metal plate, 2 Insulating layer, 3 Base, 4 Metal terminal, 5 Ultrasonic tool, Pm, Pp Pressure, Vm, Vp Ultrasonic vibration
Claims (9)
超音波ツールを前記金属端子に押し付けて加圧力を加えて前記金属端子と前記金属板を平行状態に固定するプレ接合工程と、
前記プレ接合工程の後に、前記超音波ツールを前記金属端子に押し付けて加圧力を加えつつ超音波振動を加えて前記金属端子と前記金属板を超音波接合させるメイン接合工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 Placing an insulating layer provided with a metal plate on the top surface on a pedestal, and placing a metal terminal on the metal plate;
A pre-joining step of pressing an ultrasonic tool against the metal terminal to apply pressure and fixing the metal terminal and the metal plate in a parallel state;
After the pre-bonding step, the ultrasonic tool is pressed against the metal terminal to apply ultrasonic pressure while applying pressure, and a main bonding step of ultrasonically bonding the metal terminal and the metal plate. A method for manufacturing a semiconductor device.
前記プレ接合工程の時間は前記メイン接合工程の時間より短いことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 The applied pressure in the pre-joining step is smaller than the applied pressure in the main joining step,
2. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein a time of the pre-bonding step is shorter than a time of the main bonding step.
超音波ツールを前記金属端子に接触させて超音波振動を加えて前記金属端子と前記金属板を平行状態に固定するプレ接合工程と、
前記プレ接合工程の後に、前記超音波ツールを前記金属端子に押し付けて加圧力を加えつつ超音波振動を加えて前記金属端子と前記金属板を超音波接合させるメイン接合工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 Placing an insulating layer provided with a metal plate on the top surface on a pedestal, and placing a metal terminal on the metal plate;
A pre-joining step of bringing an ultrasonic tool into contact with the metal terminal and applying ultrasonic vibration to fix the metal terminal and the metal plate in a parallel state;
After the pre-bonding step, the ultrasonic tool is pressed against the metal terminal to apply ultrasonic pressure while applying pressure, and a main bonding step of ultrasonically bonding the metal terminal and the metal plate. A method for manufacturing a semiconductor device.
前記プレ接合工程の時間は前記メイン接合工程の時間より短いことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。 The amplitude amount of the ultrasonic vibration in the pre-bonding step is smaller than the amplitude amount of the ultrasonic vibration in the main bonding step,
4. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 3, wherein a time of the pre-bonding step is shorter than a time of the main bonding step.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Country Status (1)
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020067191A1 (en) * | 2018-09-28 | 2020-04-02 | 株式会社Link-Us | Ultrasonic bonding method |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006135207A (en) * | 2004-11-09 | 2006-05-25 | Fujitsu Ltd | Flip-chip jointing method |
US20080211091A1 (en) * | 2005-09-21 | 2008-09-04 | Infineon Technologies Ag | Power Semiconductor Module and Method for Producing the Same |
JP2010153074A (en) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Yazaki Corp | Connection method of electric wire |
JP2011077093A (en) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Texas Instr Japan Ltd | Ultrasonic flip chip mounting method and ultrasonic mounting device |
JP2013051366A (en) * | 2011-08-31 | 2013-03-14 | Hitachi Ltd | Power module and manufacturing method of the same |
JP2016143826A (en) * | 2015-02-04 | 2016-08-08 | 三菱電機株式会社 | Power semiconductor device, ultrasonic bonding method and ultrasonic bonding device |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006135207A (en) * | 2004-11-09 | 2006-05-25 | Fujitsu Ltd | Flip-chip jointing method |
US20080211091A1 (en) * | 2005-09-21 | 2008-09-04 | Infineon Technologies Ag | Power Semiconductor Module and Method for Producing the Same |
JP2010153074A (en) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Yazaki Corp | Connection method of electric wire |
JP2011077093A (en) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Texas Instr Japan Ltd | Ultrasonic flip chip mounting method and ultrasonic mounting device |
JP2013051366A (en) * | 2011-08-31 | 2013-03-14 | Hitachi Ltd | Power module and manufacturing method of the same |
JP2016143826A (en) * | 2015-02-04 | 2016-08-08 | 三菱電機株式会社 | Power semiconductor device, ultrasonic bonding method and ultrasonic bonding device |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020067191A1 (en) * | 2018-09-28 | 2020-04-02 | 株式会社Link-Us | Ultrasonic bonding method |
JPWO2020067191A1 (en) * | 2018-09-28 | 2021-09-24 | 株式会社Link−Us | Ultrasonic bonding method |
JP7255900B2 (en) | 2018-09-28 | 2023-04-11 | 株式会社Link-Us | Ultrasonic bonding method |
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