JP2016212265A - Laser source - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、光通信に用いられるレーザ光源に関し、特に外部共振器型レーザ光源に関する。 The present invention relates to a laser light source used for optical communication, and more particularly to an external resonator type laser light source.
光通信量の急速な増大に対応するため、通信網の大容量化を進める検討が盛んに行われている。特に、波長分割多重方式や多値変調方式の導入が進んでおり、光通信用レーザには、波長可変性や狭線幅性がますます求められている。この要求を満たすため、光導波路を用いて作製した外部共振器と半導体光増幅器をハイブリッド接続した外部共振器レーザ光源の検討が盛んに行われている。 In order to cope with the rapid increase in the amount of optical communication, studies for increasing the capacity of communication networks are being actively conducted. In particular, the introduction of wavelength division multiplexing and multi-level modulation is advancing, and optical communication lasers are increasingly required to have wavelength tunability and narrow linewidth. In order to satisfy this requirement, studies have been actively conducted on an external resonator laser light source in which an external resonator manufactured using an optical waveguide and a semiconductor optical amplifier are connected in a hybrid manner.
一方光送受信器には小型化、機能集積化が求められており、近年シリコンフォトニクス(SiPh)を用いた光送受信器への関心が高まっている。そこで、Si光導波路と半導体光増幅器で構成された外部共振器レーザ光源をSiPh送受信器に集積することが期待され、検討が進んでいる(特許文献1、非特許文献1)。このとき、外部共振器レーザ光源の共振器内部からSi光導波路へ出力光を取り出す方法の1つとして、波長選択フィルタと反射型半導体光増幅器との間に2×2光カプラを設ける構成を用いることが多い。 On the other hand, optical transceivers are required to be downsized and functionally integrated. In recent years, interest in optical transceivers using silicon photonics (SiPh) has been increasing. Therefore, it is expected that an external cavity laser light source composed of a Si optical waveguide and a semiconductor optical amplifier is integrated in a SiPh transceiver, and studies are proceeding (Patent Document 1, Non-Patent Document 1). At this time, as one method of extracting output light from the resonator inside the external resonator laser light source to the Si optical waveguide, a configuration in which a 2 × 2 optical coupler is provided between the wavelength selection filter and the reflective semiconductor optical amplifier is used. There are many cases.
しかしながら、上記光取り出し法では、2×2光カプラの出力ポートの他に、もう一方の入力ポートからも光が出力してしまうという問題がある。図1は、従来の外部共振器レーザ光源の概略図を表している(非特許文献1を参照)。図1に示す外部共振器レーザ光源は、反射型半導体光増幅器(RSOA:reflective semiconductor optical amplifier)10と、2×2光カプラ20と、反射型波長選択フィルタ30によって構成される。2×2光カプラ20と反射型波長選択フィルタ30はSi光導波路チップ70として構成される。2×2光カプラ20の第1の入力ポート21にはRSOA10が光学的に接続されており、2×2光カプラの第1の出力ポート23には、反射型波長選択フィルタ30が光学的に接続されている。
However, the light extraction method has a problem in that light is output from the other input port in addition to the output port of the 2 × 2 optical coupler. FIG. 1 shows a schematic diagram of a conventional external cavity laser light source (see Non-Patent Document 1). The external cavity laser light source shown in FIG. 1 includes a reflective semiconductor optical amplifier (RSOA) 10, a 2 × 2
RSOA10がSi光導波路チップ70と接続する端面12には無反射処理がされており、RSOAのもう一方の端面11は反射鏡として用いる。またRSOA10は、光スポットサイズ変換器13と光増幅部14とを備えている。ここで、図1に示す外部共振器レーザ光源のレーザ共振器は端面11と反射型波長選択フィルタ30とによって形成される。
The
レーザの光出力は通常、ワンチップ光送信器を構成する場合は、2×2カプラ20の第2の出力ポート24よりSi光導波路へと取り出される(非特許文献1)。このとき、2×2カプラ20の第2の入力ポート22には、反射型波長選択フィルタ30から反射してきた光の一部が出力されてしまう。この出力光は通常使用されずに捨てられてしまう。この捨てられる出力光はレーザ共振器からの全光出力からみると光損失となってしまい、好ましくない。
The laser optical output is normally taken out from the
本発明は上記従来の問題に鑑みなされたものであって、本発明の課題は、光出力を1つのポートにまとめることができ、高出力化することができるレーザ光源を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above-described conventional problems, and an object of the present invention is to provide a laser light source capable of collecting optical outputs into one port and increasing the output.
上記の課題を解決するために、一実施形態に記載の発明は、任意の分岐比を持つ2×2光カプラと、前記2×2光カプラの第1の入力ポートに光学的に接続された反射型光増幅器と、前記2×2光カプラの第1の出力ポートに光学的に接続された反射型波長選択フィルタと、前記2×2光カプラの第2の入力ポートと第2の出力ポートとに2つの入力ポートが光学的に接続された、光出力比が可変なマッハツェンダ型干渉計と、前記2×2光カプラと前記マッハツェンダ型干渉計との間に少なくとも1つの光位相シフタとを備え、前記反射型光増幅器と前記反射型波長選択フィルタとが前記2×2光カプラを介してレーザ共振し、前記光位相シフタが、前記2×2光カプラから前記マッハツェンダ型干渉計の前記2つの入力ポートに入力される光の位相をそろえることを特徴とするレーザ光源。 In order to solve the above problem, the invention described in one embodiment is optically connected to a 2 × 2 optical coupler having an arbitrary branching ratio and a first input port of the 2 × 2 optical coupler. A reflection-type optical amplifier; a reflection-type wavelength selection filter optically connected to the first output port of the 2 × 2 optical coupler; and a second input port and a second output port of the 2 × 2 optical coupler And a Mach-Zehnder interferometer with a variable optical output ratio, and at least one optical phase shifter between the 2 × 2 optical coupler and the Mach-Zehnder interferometer. The reflection type optical amplifier and the reflection type wavelength selection filter resonate with each other via the 2 × 2 optical coupler, and the optical phase shifter changes from the 2 × 2 optical coupler to the 2 of the Mach-Zehnder interferometer. Light input to two input ports A laser light source, characterized in that to align the phase.
本発明を用いれば、外部共振器レーザ光源からの光出力を1つのポートにまとめることができ、高出力化することができる。 By using the present invention, the optical output from the external cavity laser light source can be combined into one port, and the output can be increased.
以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。
(第1の実施形態)
図2は、第1の実施形態の外部共振器レーザ光源の構成例を示す図である。本実施形態の外部共振器レーザ光源は、図2に示すように、反射型半導体光増幅器(RSOA:semiconductur optical amplifier)10と、2×2光カプラ20と、反射型波長選択フィルタ30と、光位相シフタ140と、可変マッハツェンダ―干渉計(MZI:Mach−Zhender interferometer)150を備えて構成される。2×2光カプラ20と、反射型波長選択フィルタ30と、光位相シフタ140と、可変MZI150とは、Si光導波路チップ内に形成される。2×2光カプラ20の第1の入力ポート21はRSOA10と光学的に接続しており、2×2カプラ20の第1の出力ポート23は、反射型波長選択フィルタ30と光学的に接続している。2×2光カプラ20の第2の出力ポート22と2×2光カプラ20の第2の入力ポート24はそれぞれ、可変MZI150の第1の入力ポート151と第2の入力ポート152に光学的に接続される。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.
(First embodiment)
FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration example of the external resonator laser light source according to the first embodiment. As shown in FIG. 2, the external cavity laser light source of this embodiment includes a reflective semiconductor optical amplifier (RSOA) 10, a 2 × 2
RSOA10は、レーザ出力のための光増幅を行う装置であって、劈開端面11と、接続面12と、光スポットサイズ変換器(SSC:spot size converter)13と、光増幅部14とを有する。RSOA10としては、例えばInP系の導波路型光増幅器が用いられる。
The RSOA 10 is an apparatus that performs optical amplification for laser output, and includes a
劈開端面11は、薄膜コーティング等を一切行わなければ反射率0.3程度のハーフミラーとして用いることができる。ここでは、劈開端面11から光を取り出すことはないので、薄膜コーティングを行うことで、HR(high reflection)面として反射率を1に近い値に設定することができる。
The
接続面12はSi導波路との接続面であり、反射を防ぐためにARコーティングを施すことができる。また、同じく反射を防ぐために、例えば、端面に対する垂線から7°傾けた、斜め導波路を導入することもできる。
The
SSC13は、Si導波路チップ70のモードフィールド径とRSOA10の出射端でのモードフィールド径を合わせている。例えば、SSC13として、先端幅が0.5μmの細テーパ型SSCを用いることができる(非特許文献1)。また、RSOA10とSi導波路チップ70は、それぞれの素子の導波光が光結合する位置で、チップの位置の相対位置を固定する。例えば、非特許文献1に述べられているようなフリップチップ実装方法で固定を行う。
The
Si光導波路チップ70は、2×2光カプラ20と、反射型波長選択フィルタ30と、光位相シフタ140と、可変マッハツェンダ干渉計(MZI:Mach−Zhender interferometer)150とを有している。
The Si
反射型波長選択フィルタ30は、特定の波長だけを選択的に反射するフィルタである。RSOA10から2×2光カプラを介して入力された光を特定の波長だけ選択的に反射する。レーザ共振器はRSOA10の劈開端面11と反射型選択フィルタ30との間で構成される。本実施形態では、必要に応じて図4に示すように、反射型波長選択フィルタ30としてブラッググレーティング(BG:Bragg grating)反射器130を用いた例で説明する。
The reflective
2×2光カプラ20において、第1の入力ポート21はRSOA10と光学的に接続しており、第1の出力ポート23は反射型波長選択フィルタ30と光学的に接続している。また、第2の入力ポート22および第2の出力ポート24はそれぞれ、可変MZI150の第1の入力ポート151と第2の入力ポート152に光学的に接続されている。
In the 2 × 2
2×2光カプラ20は、例えば方向性結合器を用いて構成することができる。このとき、方向性結合器の結合長を変えることで任意の光結合比をもつ2×2光カプラ20を実現することができる。また、方向性結合器のほかに、マルチモード干渉光結合器を用いて2×2光カプラ20を実現してもよい。また、外部共振器レーザ光源内でカプラを設ける位置がRSOA10と反射型波長選択フィルタ30とで形成される共振器内部であるため、光がカプラを往復することになる。したがって、2×2光カプラの代わりに1×2カプラを用いると、原理損失が発生するので2×2光カプラ20の代わりに1×2カプラを用いることは望ましくない。
The 2 × 2
位相シフタ140は、2×2光カプラ20から可変マッハツェンダ干渉計150の2つの入力ポートに入力される光の位相をそろえる。図3は、位相シフタを設けたSi光導波路の断面を示す図である。Si光導波路チップ70で用いるSi光導波路として、例えば、図3に示すSi細線導波路を用いることができる。Si細線導波路は、図3に示すように、Si基板上のSiO2膜内に矩形状に形成されている。また、導波路上の光位相シフタ140は、図3に示すように、導波路上にTiNのヒータとTaNとAlから成る電極を配置し、ヒータを形成することにより実現することができる。このヒータに電力を与えて発熱させ、導波路の温度を変化によって導波路の光位相を調整することができる。同様の光位相シフタは、レーザ発振している縦モード位置を調整するためにも用いることができる。
The
可変MZI150の両アームには、光位相シフタ155が設けられている。この光位相シフタ155によって光位相を変化させることで、第1の出力ポート153と第2の出力ポート154の光出力比を変化させることができる。
An
ここで、図4に示すように、反射型波長選択フィルタ30としてブラッググレーティング(BG:Bragg grating)反射器130を用いた構成を例に挙げて外部共振器レーザ光源の動作原理について説明する。BG光反射器130は、特定の波長の光のみを反射することができるため、DBR(Distributed Bragg Reflector)レーザの場合と同様に、BG光反射器130の反射波長中心付近で本外部共振器レーザ光源を発振させることができる。
Here, as shown in FIG. 4, the operation principle of the external resonator laser light source will be described by taking as an example a configuration using a Bragg grating (BG)
本実施形態の外部共振器レーザ光源においては、2×2光カプラ20の第1の入力ポート21と第1の出力ポート23とを経由して、RSOA10の劈開端面11とSi導波路チップ70のBG反射器130との間でレーザ共振器が形成される。このとき、2×2光カプラ20では、第2の出力ポート24からの光出力P1の他に、第1の入力ポート22からも光出力P2がある。2つのポート22、24の光出力強度は一般には異なっており、P2=Cr 2×(κ−1)×P1(式1)の関係がある。ここで、κは2×2光カプラ20の光結合効率であり、Crは発振波長におけるBG反射器130の透過率である。このとき、光導波損失は無視している。
In the external cavity laser light source of the present embodiment, the
さらに、レーザ共振器の別の点から光を取り出していることから、可変MZI150の第1の入力ポート151と、第2の入力ポート152に入射する光が、同じ光位相を持っているという保証はない。つまり、調整を行わない場合、可変MZI150の第1の入力ポート151と、第2の入力ポート152には、位相と強度の異なる光がそれぞれ入射する状況であるといえる。
Furthermore, since light is extracted from another point of the laser resonator, it is guaranteed that the light incident on the
図4の構成においては、可変MZI150の前段に設けられた光位相シフタ140によって、第1の入力ポート151と第2の入力ポート152に入力される光の位相を同位相に調整することができる。この調整を行うことにより、光の位相・強度が異なる場合であっても、可変MZI150で、原理的な光損失を受けることなく、2つのポートからの光出力を1つのポートにまとめることができる。例えば第1の出力ポート153に光出力をまとめることができる。
In the configuration of FIG. 4, the phase of light input to the
本実施形態の外部共振器レーザ光源においては、可変MZI150のいずれか1つの出力ポートからの出力、すなわち1出力にする際に原理損失が発生しない。本実施形態の外部共振器レーザ光源の構成によって、原理的な損失がなく2つのポートからの出力光を合波できるということは、通常使用する方向とは逆方向の光伝搬を考えることで、容易に確かめることができる。ここで、ポート153のみから光が入射すると仮定する。入射光は可変MZI150の3dB合分波器によって2つのアームに分けられ、再度3dB合分波器にて合波される。可変MZI150の各アームの光位相シフタ155によって光位相を調整することにより、任意の出力比で、原理損失を発生させることなく、ポート151と152へ、光を分波することができる。この可変MZI150の動作は、通常の可変MZIの使用法による動作と同様である。さらに、光位相シフタ140により、各ポートの導波光には、任意の位相差をつけることができる。
In the external resonator laser light source of this embodiment, no principle loss occurs when the output from any one of the output ports of the
本実施形態の外部共振器レーザ光源の構成は、上記の光伝搬と逆方向の光伝搬を利用したものである。光伝搬の相反性より、光強度、位相が異なる光がポート24、ポート22から入力された場合でも、原理損失なくポート153に光出力がまとめられる、といえる。ポート154にも同様にして光出力がまとめられることは、同じ論理で確かめることができる。
The configuration of the external cavity laser light source of the present embodiment utilizes light propagation in the opposite direction to the above light propagation. From the reciprocity of light propagation, it can be said that even when light having different light intensity and phase is input from the
なお、本実施形態では、Si光導波路チップ70と反射型半導体光増幅器10のハイブリッド接続により本発明を実施しているが、これは、光半導体モノリシック集積デバイスの形態でも実現することが可能である以下の実施形態の構成についても同様である。
In the present embodiment, the present invention is implemented by hybrid connection of the Si
(第2の実施形態)
図5は、第2の実施形態の外部共振器レーザ光源の構成例を示す図である。本実施形態の外部共振器レーザ光源は、反射型波長選択フィルタ30としてループミラー型ダブルリングフィルタ230を用いた以外は第1の実施形態と同様の構成である。第1の実施形態の外部共振器レーザ光源の各構成と同一機能を果たす部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。
(Second Embodiment)
FIG. 5 is a diagram illustrating a configuration example of the external resonator laser light source according to the second embodiment. The external resonator laser light source of this embodiment has the same configuration as that of the first embodiment except that a loop mirror type
ループミラー型ダブルリングフィルタ230は、周回長の異なる2つの可変リング型光フィルタをループミラー型に2つ配置した構成を備えている。本実施形態では、第1の実施形態のBG反射器130を用いた構成とは異なり、発振周波数を可変とすることができる。第1の実施形態のBG反射器130でもBG反射器130上部に光位相シフタであるヒータを設けることで波長可変とすることができるが、第2の実施形態のループミラー型ダブルリングフィルタ230ではバーニア効果(非特許文献2)を用いているため、波長可変領域は第1の実施形態よりも広くとることができる。
The loop mirror type
ループミラー型ダブルリングフィルタ230は、周回長の異なる2つの可変リングフィルタ231と3dB合分波器232によって構成される。また、可変リングフィルタ231はリング共振器フィルタの光周回部に光位相シフタ233を備えている。また、2つのリングフィルタは、その周回長を異なる値とすることで、それぞれのフィルタのFSR(free spectral range)を異なる値に設計している。このとき、リング部の光位相シフタを調整することにより、非特許文献2に述べられている場合と同様に、本実施形態の外部共振器レーザ光源について、波長可変動作を行うことができる。
The loop mirror type
本実施形態の外部共振器レーザ光源において、発振波長を変化させた場合の本構成の調整法について説明する。発振波長を変えた場合、可変MZI150の第1の入力ポート151と第2の入力ポート152に入射する光の位相の関係が変化してしまう。よって、発振波長を変化させた場合は、光位相シフタ140を再度調整する必要がある。本調整を行えば、第1の実施形態で説明した通り、原理損失なく1つのポートに光出力をまとめることができる。
In the external resonator laser light source of this embodiment, a method for adjusting this configuration when the oscillation wavelength is changed will be described. When the oscillation wavelength is changed, the phase relationship of light incident on the
なお、本実施形態の外部共振器レーザ光源では、反射型半導体光増幅器10とループ型ダブルリングフィルタ230との間に2×2光カプラを設けている。この構成は、反射型半導体光増幅器10から出力される高出力光が、直接にループ型ダブルリングフィルタ230に入射することを防ぐという効果をもたらす。なぜなら、反射型半導体光増幅器10から出力される光は2×2光カプラによって一部分共振器外に取り出されたのちに、ループ型ダブルリングフィルタ230に入射するからである。この構成により、高出力光が、光閉じ込め効果の大きいループ型ダブルリングフィルタ230内の入射することによって発生する、二光子吸収やキャリアプラズマ効果等の、非線形現象の発生を抑制することができる。本非線形現象は、リングフィルタの屈折率変化を引き起こすため、波長選択フィルタとしてループ型ダブルリングフィルタ230を用いる場合、制御の観点から好ましくない。また、本効果は、リング型光フィルタを用いたすべての実施形態において、同様に得ることができる。
In the external cavity laser light source of the present embodiment, a 2 × 2 optical coupler is provided between the reflective semiconductor
(第3の実施形態)
図6は、第3の実施形態の外部共振器レーザ光源の構成例を示す図である。本実施形態の外部共振器レーザ光源は、反射型波長選択フィルタ30として直列型ダブルリングフィルタ330を用いた以外は第1の実施形態と同様の構成である。第1の実施形態の外部共振器レーザ光源の各構成と同一機能を果たす部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。
(Third embodiment)
FIG. 6 is a diagram illustrating a configuration example of the external resonator laser light source according to the third embodiment. The external cavity laser light source of this embodiment has the same configuration as that of the first embodiment except that a series
直列型ダブルリングフィルタ330は、周回長の異なる2つの可変リング型光フィルタ331を2つ直列に配置し、ループミラー332で反射する構成を備えている。直列型ダブルリングフィルタ330では、直列型リングフィルタ内で、各リングフィルタ331を2回ずつ通過させることができる。よって、第2の実施形態のループ型リングフィルタ220を用いるよりも、直列型ダブルリングフィルタ330の方が、同じ条件のリング型フィルタを用いた場合、反射ピークを鋭くする効果がある。この効果により、本構成では、第2の実施形態の場合よりも、レーザ発振時におけるサイドモード抑圧比を向上させることができる。
The series
直列型ダブルリングフィルタ330は、2つのリング型フィルタ331と、ループミラー332と、リング型フィルタの周回部に設置された位相シフタ333によって構成される。直列型ダブルリングフィルタ330においては、2つの可変リング型フィルタ331が直列に接続されており、後段に接続されたループミラー332で光が反射される構造である。直列型ダブルリングフィルタ330ではループミラー332で反射される前後で、各リング型光フィルタを2回通過する。リングフィルタの透過共振ピークは、フィルタを通過させる回数が多いほど鋭くなるため、本フィルタは各リング一回通過のみのループミラー型ダブルリングフィルタよりも鋭い共振ピークを与えるといえる。
The series
(第4の実施形態)
図7は、第4の実施形態の外部共振器レーザ光源の構成例を示す図である。本実施形態の外部共振器レーザ光源は、可変MZIの第1の出力ポート153に、Si光変調器400を接続した以外は第1の実施形態と同様の構成である。第1の実施形態の外部共振器レーザ光源の各構成と同一機能を果たす部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。本実施形態の外部共振器レーザ光源は、外部共振器レーザ光源の後段にSi変調器400をオンチップ集積することで、光送信器の簡易化、小型化を実現することができる。
(Fourth embodiment)
FIG. 7 is a diagram illustrating a configuration example of the external resonator laser light source according to the fourth embodiment. The external resonator laser light source of this embodiment has the same configuration as that of the first embodiment except that the Si
Si変調器400としては、図8に示すようにBPSK(binary phase shift keying)変調器460を用いてもよいが、他の変調方式が必要な場合は、例えばQPSK、8PSK、16QAMのそれぞれの変調方式に対応したSi光変調器をオンチップ集積することができる。
As the
本構成では、可変MZI150の第1の出力ポート153の出力が最大となるよう、光位相シフタ140、可変MZI150の光位相シフタ155を調整する。なお、本実施形態ではBPSK変調器を用いたが、他の変調方式が必要な場合は、例えばQPSK、8PSK、16QAMのそれぞれの変調方式に対応したSi光変調器をオンチップ集積することができる。また、本実施形態ではSi−BPSK光変調器460を可変MZIの第1の出力ポート153に光学的に接続しているが、光変調器に限らず、必要に応じて、各種光フィルタや光検出器をSi光導波路チップ70内にオンチップで接続し、その機能を利用することができる。
In this configuration, the
本実施形態の外部共振器レーザ光源では可変MZI150の第1の出力ポート153のみにSi−BPSK変調器460が接続しているが、必要に応じて、可変MZI150の第2の出力ポート154にも変調器や、各種光フィルタや、光検出器を接続することができる。その際、可変MZI150の光位相シフタ155を調整することで、第1の出力ポート153と第2の出力ポート154への出力比を設計に合わせて任意に設定することができる。
In the external resonator laser light source of the present embodiment, the Si-
図8に示す構成例では波長選択フィルタ30として直列型ダブルリングフィルタ330を用いているが、この代わりにループ型リングフィルタ230、BG反射器130、その他の反射型波長選択フィルタを利用することができる。
In the configuration example shown in FIG. 8, the series
なお、本実施形態の外部共振器レーザ光源では、Si変調器400の入力部が2×2カプラを用いて構成されている場合、2×2カプラ20の第1の出力ポート22の光出力P2と、第2の出力ポート24の光出力P1とを、位相シフタ140を介して、直接、Si光変調器400の2つの入力ポートに接続することができる。このとき、可変MZI150は不要となり、外部共振器レーザ光源のさらなる小型化・簡易化を行うことができる。また、
In the external resonator laser light source of this embodiment, when the input unit of the
10 反射型半導体光増幅器
20 2×2光カプラ
21 2×2光カプラの第1の入力ポート
22 2×2光カプラの第2の入力ポート
23 2×2光カプラの第1の出力ポート
24 2×2光カプラの第2の出力ポート
30 反射型波長選択フィルタ
70 Si光導波路チップ
130 ブラッググレーティング反射器
140 光位相シフタ
150 可変マッハツェンダ干渉計
151、152、153、154 マッハツェンダ干渉計の入出力ポート
230 ループミラー型ダブルリングフィルタ
231 リング型光フィルタ
232 3dB合分波器
233 光位相シフタ
330 直列型ダブルリングフィルタ
331 リング型光フィルタ
332 ループミラー
333 光位相シフタ
460 BPSK変調器
DESCRIPTION OF
Claims (7)
前記2×2光カプラの第1の入力ポートに光学的に接続された反射型光増幅器と、
前記2×2光カプラの第1の出力ポートに光学的に接続された反射型波長選択フィルタと、
前記2×2光カプラの第2の入力ポートと第2の出力ポートとに2つの入力ポートが光学的に接続された、光出力比が可変なマッハツェンダ型干渉計と、
前記2×2光カプラと前記マッハツェンダ型干渉計との間に少なくとも1つの光位相シフタとを備え、
前記反射型光増幅器と前記反射型波長選択フィルタとが前記2×2光カプラを介してレーザ共振し、
前記光位相シフタが、前記2×2光カプラから前記マッハツェンダ型干渉計の前記2つの入力ポートに入力される光の位相をそろえることを特徴とするレーザ光源。 A 2 × 2 optical coupler with an arbitrary branching ratio;
A reflective optical amplifier optically connected to a first input port of the 2 × 2 optical coupler;
A reflective wavelength selective filter optically connected to a first output port of the 2 × 2 optical coupler;
A Mach-Zehnder interferometer with a variable optical output ratio, in which two input ports are optically connected to a second input port and a second output port of the 2 × 2 optical coupler;
At least one optical phase shifter between the 2 × 2 optical coupler and the Mach-Zehnder interferometer;
The reflection type optical amplifier and the reflection type wavelength selection filter resonate through the 2 × 2 optical coupler,
The laser light source, wherein the optical phase shifter aligns phases of light input from the 2 × 2 optical coupler to the two input ports of the Mach-Zehnder interferometer.
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2015
- 2015-05-08 JP JP2015095964A patent/JP2016212265A/en active Pending
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