つぎに、本発明の一実施形態のプリント配線板が図面を参照しながら説明される。本発明の一実施形態のプリント配線板１は、図１Ａに示されている。すなわち、第１面２０ａおよび第１面２０ａと反対側の第２面２０ｂを有する樹脂絶縁層２０の第１面２０ａに一面が露出するように配線導体層２１が埋め込まれている。その埋め込み配線導体層２１と接続され、樹脂絶縁層２０の第２面２０ｂ側に端面２５ａが露出するように接続導体２５が形成されている。そして、埋め込み配線導体層２１と接続導体２５とが溶接、ロウ付け、導電性接着剤などの接合手段３０により接合されている。
Next, a printed wiring board according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. A printed wiring board 1 according to an embodiment of the present invention is shown in FIG. 1A. That is, the wiring conductor layer 21 is embedded so that one surface is exposed on the first surface 20a of the resin insulating layer 20 having the first surface 20a and the second surface 20b opposite to the first surface 20a. A connection conductor 25 is formed so as to be connected to the embedded wiring conductor layer 21 and to expose the end face 25a on the second surface 20b side of the resin insulating layer 20. The embedded wiring conductor layer 21 and the connection conductor 25 are joined together by a joining means 30 such as welding, brazing, or conductive adhesive.
すなわち、本実施形態では、樹脂絶縁層２０の一面２０ａ側に埋め込み配線導体層２１が形成されている。他面２０ｂ側には、その埋め込み配線導体層２１と接続された接続導体２５の端面２５ａが露出している。そして、埋め込み配線導体層２１と接続導体２５との接続構造に特徴がある。
That is, in this embodiment, the embedded wiring conductor layer 21 is formed on the one surface 20a side of the resin insulating layer 20. On the other surface 20b side, the end surface 25a of the connection conductor 25 connected to the buried wiring conductor layer 21 is exposed. The connection structure between the embedded wiring conductor layer 21 and the connection conductor 25 is characterized.
換言すると、この種の構造のプリント配線板は、樹脂絶縁層にビアホールが形成される。そして、そのビアホール内に導体層が充填されるか、めっき法によりめっき膜が埋め込まれることにより形成されている。しかし、実施形態では、埋め込み配線導体層２１に接続導体２５が接合手段３０により接合されている。その結果、埋め込み配線導体層２１と接続導体２５との接続が確実に行われる。後のヒートサイクルによる応力が加わっても、埋め込み配線導体層２１と接続導体２５との接続部でひび割れが入ったり、クラックが入ったりして電気抵抗が増大するという問題が解消され得る。
In other words, a printed wiring board having this type of structure has a via hole formed in the resin insulating layer. Then, the via hole is filled with a conductor layer or a plating film is embedded by a plating method. However, in the embodiment, the connection conductor 25 is joined to the buried wiring conductor layer 21 by the joining means 30. As a result, the buried wiring conductor layer 21 and the connection conductor 25 are reliably connected. Even if a stress due to a later heat cycle is applied, the problem that the electrical resistance increases due to cracks or cracks at the connection portion between the embedded wiring conductor layer 21 and the connection conductor 25 can be solved.
接合手段３０としては、例えば溶接、ロウ付け、導電性接着剤などが挙げられる。樹脂絶縁層２０が形成される前に埋め込み配線導体層２１と接続導体２５とが接続されることにより、このような接合手段３０が用いられ得る。または接続導体２５が予め樹脂絶縁層２０内に固定されてから、接合導体２５が埋め込み配線導体層２１に接合されてもよい。
Examples of the joining means 30 include welding, brazing, and conductive adhesive. By connecting the embedded wiring conductor layer 21 and the connection conductor 25 before the resin insulating layer 20 is formed, such a joining means 30 can be used. Alternatively, the connecting conductor 25 may be bonded to the embedded wiring conductor layer 21 after the connecting conductor 25 is fixed in the resin insulating layer 20 in advance.
図１Ａに示される例は、接続導体２５がワイヤ状に形成されたワイヤ状導体ピン２５１がワイヤボンディングの方法で溶接されている。そのため、ワイヤ状導体ピン２５１は、直径がφ１５〜１２０μｍ程度のワイヤが用いられ得る。この場合、リールに巻きつけられた状態から解しながら、端部が溶接される。他端部が適当な長さで切断されるため、湾曲するが、樹脂絶縁層２０で埋め込まれるので、特に問題は生じない。製造方法が後述されるように、樹脂絶縁層２０が形成される前の、埋め込み配線導体層２１が形成された状態で溶接されることにより、ワイヤボンディング法により溶接できる。そのため、半導体装置の製造に用いられるようなワイヤボンダーを用いて溶接することができる。
In the example shown in FIG. 1A, a wire-like conductor pin 251 in which a connection conductor 25 is formed in a wire shape is welded by a wire bonding method. Therefore, the wire-like conductor pin 251 can be a wire having a diameter of about φ15 to 120 μm. In this case, the ends are welded while being unwound from the state wound around the reel. Since the other end portion is cut at an appropriate length, it is curved, but since it is embedded with the resin insulating layer 20, no particular problem occurs. As will be described later, the welding can be performed by the wire bonding method by welding in the state where the embedded wiring conductor layer 21 is formed before the resin insulating layer 20 is formed. Therefore, welding can be performed using a wire bonder used for manufacturing a semiconductor device.
図１Ｂは、接続導体２５の接合手段３０の他の実施形態が示されている。この実施形態は、接続導体２５として、ワイヤ状導体ピン２５１よりは太い直径がφ５０〜１５０μｍ程度の太さの柱状導体ピン２５２が用いられ、埋め込み配線導体層２１とロウ付けまたは導電性接着剤３２などにより接続されている。ロウ付けとしては、低融点の銀ロウまたは３００℃以上の融点のハンダ材などが用いられ得る。これも、製造方法の一例が後述されるように、樹脂絶縁層２０を形成する前に接続導体２５が接続され得る。その接合手段が比較的自由に選択され得る。
FIG. 1B shows another embodiment of the joining means 30 of the connection conductor 25. In this embodiment, a columnar conductor pin 252 having a diameter larger than that of the wire-like conductor pin 251 and having a diameter of about 50 to 150 μm is used as the connecting conductor 25, and the embedded wiring conductor layer 21 is brazed or conductive adhesive 32. It is connected by such as. For the brazing, a low melting point silver solder or a solder material having a melting point of 300 ° C. or higher can be used. Also in this case, the connection conductor 25 can be connected before the resin insulating layer 20 is formed, as will be described later with an example of the manufacturing method. The joining means can be selected relatively freely.
また、導電性接着剤３２としては、例えば銀ペーストなどが用いられ得る。この柱状導体ピン２５２は、例えば銅などからなる棒材が、予め樹脂絶縁層２０の厚さに合せた長さに形成されている。その結果、例えば埋め込み配線導体層２１の第１パターン２１ａ上に塗布された導電性接着剤３２上に並べて固着させることにより、簡単に接続導体２５が形成され得る。
As the conductive adhesive 32, for example, a silver paste or the like can be used. The columnar conductor pins 252 are made of, for example, a bar made of copper or the like and has a length that matches the thickness of the resin insulating layer 20 in advance. As a result, the connection conductor 25 can be easily formed by arranging and fixing the conductive adhesive 32 applied on the first pattern 21 a of the embedded wiring conductor layer 21, for example.
また、図示されていないが、接続導体２５の側面には表面粗さを粗くする粗化処理が施されていてもよい。接続導体２５の側面が粗化されることにより、所謂アンカー効果が得られる。接続導体２５と樹脂絶縁層２０との密着性が向上する。粗化処理の方法は特に限定されず、例えば、ソフトエッチング処理や、黒化（酸化）−還元処理などが例示される。また、埋め込み配線導体層２１の側面および接続導体２５が形成されている部分以外の裏面にも接続導体２５の側面と同様の粗化処理が施されていてもよい。この場合、埋め込み配線導体層２１と樹脂絶縁層２０との密着性が向上され得る。その観点からは、接続導体２５を導体層２１に接続してからまとめて粗化処理することにより、同時に粗化処理を行うことができるが、前述のワイヤボンディングをする場合には、ワイヤ状導体ピン２５１を送りながら、その外周面に機械的に凹凸が形成されてもよい。
Although not shown, the side surface of the connection conductor 25 may be subjected to a roughening process to increase the surface roughness. By roughening the side surface of the connection conductor 25, a so-called anchor effect is obtained. The adhesion between the connecting conductor 25 and the resin insulating layer 20 is improved. The method for the roughening treatment is not particularly limited, and examples thereof include a soft etching treatment and a blackening (oxidation) -reduction treatment. Further, the same roughening treatment as that of the side surface of the connection conductor 25 may be applied to the back surface other than the side surface of the embedded wiring conductor layer 21 and the portion where the connection conductor 25 is formed. In this case, the adhesion between the buried wiring conductor layer 21 and the resin insulating layer 20 can be improved. From this point of view, it is possible to simultaneously perform the roughening process by connecting the connecting conductors 25 to the conductor layer 21 and then performing the roughening process at the same time. While feeding the pin 251, mechanical irregularities may be formed on the outer peripheral surface thereof.
接続導体２５は、ワイヤ状導体ピン２５１の場合は、その横断面の形状が略円形となることが好ましいが、柱状導体ピン２５２の場合は、円柱状の形状に限定されない。楕円形、正方形、矩形、または、菱形などでもよい。
In the case of the wire-like conductor pin 251, the connecting conductor 25 preferably has a substantially circular cross section. However, in the case of the columnar conductor pin 252, the connecting conductor 25 is not limited to a cylindrical shape. It may be oval, square, rectangular, or rhombus.
後述する図４Ｃに示されるように、柱状導体ピン２５２（接続導体２５）は、予めプリプレグなどの樹脂絶縁製フィルム２０１に固定されてもよい。その場合、周囲に樹脂絶縁層材料が取り付けられた柱状導体ピン２５２が埋め込み配線導体層２１にロウ付けや導電性接着剤などの接着剤層３２を介して接合される。その後に、樹脂絶縁層２０とするフィルム材が埋め込み配線導体層２１に圧接されることにより樹脂絶縁層２０が固着されてもよい。
As shown in FIG. 4C described later, the columnar conductor pins 252 (connection conductors 25) may be fixed in advance to a resin insulating film 201 such as a prepreg. In that case, the columnar conductor pins 252 around which the resin insulating layer material is attached are joined to the embedded wiring conductor layer 21 via an adhesive layer 32 such as brazing or conductive adhesive. Thereafter, the resin insulating layer 20 may be fixed by pressing a film material to be the resin insulating layer 20 into pressure contact with the embedded wiring conductor layer 21.
接続導体２５の端面２５ａは、樹脂絶縁層２０の第２面２０ｂよりも凹んでいる。後述するように、埋め込み配線導体層２１の一面も樹脂絶縁層２０の第１面２０ａよりも凹んでいる。この接続導体２５の端面２５ａの凹みは、埋め込み配線導体層２１の一面の樹脂絶縁層２０の第１面２０ａからの凹みよりも大きい。この接続導体２５の端面２５ａの凹みは、マザーボードまたは他の基板などと接続される場合のハンダボールを形成するのに、好ましい。
The end surface 25 a of the connection conductor 25 is recessed from the second surface 20 b of the resin insulating layer 20. As will be described later, one surface of the buried wiring conductor layer 21 is also recessed from the first surface 20 a of the resin insulating layer 20. The dent of the end surface 25 a of the connection conductor 25 is larger than the dent from the first surface 20 a of the resin insulating layer 20 on one surface of the embedded wiring conductor layer 21. The recess of the end face 25a of the connecting conductor 25 is preferable for forming a solder ball when connected to a mother board or another board.
埋め込み配線導体層２１は、一面のみが露出するように、樹脂絶縁層２０の第１面２０ａ側に全体が埋め込まれている。すなわち、埋め込み配線導体層２１と樹脂絶縁層２０とは、埋め込み配線導体層２１の裏面（一面と反対面）だけではなく、その側面でも接している。具体的には、埋め込み配線導体層２１と樹脂絶縁層２０とは、埋め込み配線導体層２１に形成されている第１パターン２１ａや第２パターン２１ｂの側面においても接している。第１パターン２１ａや第２パターン２１ｂがファインピッチで形成される場合には、埋め込み配線導体層２１と樹脂絶縁層２０との接触面積が小さくなる。しかし、埋め込み配線導体層２１が樹脂絶縁層２０に埋め込まれることにより接触面積が大きくなる。それにより、密着性が維持され得る。また、埋め込み配線導体層２１が樹脂絶縁層２０内に埋め込まれていることによって、プリント配線板１０が薄くされ得る。
The embedded wiring conductor layer 21 is entirely embedded on the first surface 20a side of the resin insulating layer 20 so that only one surface is exposed. That is, the embedded wiring conductor layer 21 and the resin insulating layer 20 are in contact with not only the back surface (the surface opposite to the one surface) of the embedded wiring conductor layer 21 but also the side surfaces thereof. Specifically, the embedded wiring conductor layer 21 and the resin insulating layer 20 are also in contact with the side surfaces of the first pattern 21 a and the second pattern 21 b formed in the embedded wiring conductor layer 21. When the first pattern 21a and the second pattern 21b are formed at a fine pitch, the contact area between the embedded wiring conductor layer 21 and the resin insulating layer 20 is reduced. However, the embedded wiring conductor layer 21 is embedded in the resin insulating layer 20 to increase the contact area. Thereby, adhesion can be maintained. Further, since the embedded wiring conductor layer 21 is embedded in the resin insulating layer 20, the printed wiring board 10 can be thinned.
埋め込み配線導体層２１には、前述のように、第１パターン２１ａおよび第２パターン２１ｂが形成されている。実施形態では、第１パターン２１ａは、樹脂絶縁層２０の第２面２０ｂ側に引き出されて、他のプリント配線板またはマザーボードなどと接続されるための配線パターンである。また、第２パターン２１ｂは、例えば半導体素子（図示せず）などが接続される接続パッドであってもよい。また、埋め込み配線導体層２１には、第１および第２パターン２１ａ、２１ｂ以外の配線パターンが形成されていてもよい。例えば、第２パターン２１ｂに接続される半導体素子の電極のうち外部と電気的に接続されるものは、埋め込み配線導体層２１に形成される配線パターン（図示せず）を介して、第１パターン２１ａおよび接続導体２５と電気的に接続される。このような配線パターンは、第２パターン２１ｂと第１パターン２１ａとを接続するように設けられる。
As described above, the first pattern 21 a and the second pattern 21 b are formed in the embedded wiring conductor layer 21. In the embodiment, the first pattern 21a is a wiring pattern that is drawn out to the second surface 20b side of the resin insulating layer 20 and connected to another printed wiring board or a motherboard. The second pattern 21b may be a connection pad to which, for example, a semiconductor element (not shown) is connected. In the embedded wiring conductor layer 21, wiring patterns other than the first and second patterns 21a and 21b may be formed. For example, the electrode of the semiconductor element connected to the second pattern 21b that is electrically connected to the outside is connected to the first pattern via a wiring pattern (not shown) formed in the embedded wiring conductor layer 21. 21a and the connection conductor 25 are electrically connected. Such a wiring pattern is provided so as to connect the second pattern 21b and the first pattern 21a.
樹脂絶縁層２０は、埋め込み配線導体層２１の側面および接続導体２５が形成されていない部分の裏面、ならびに、接続導体２５の側面を被覆している。その結果、配線導体層２１が樹脂絶縁層２０に埋め込まれている。樹脂絶縁層２０の第１面２０ａ側には埋め込み配線導体層２１の一面が露出し、反対側の第２面２０ｂ側には接続導体２５の端面２５ａが露出している。樹脂絶縁層２０の厚さは、特に限定されないが、プリント配線板１０への薄型化の要求に対応しつつ、取扱いが容易な一定の剛性を併せもつ点で、５０〜２００μｍ程度にされるのが好ましい。
The resin insulating layer 20 covers the side surface of the embedded wiring conductor layer 21, the back surface of the portion where the connection conductor 25 is not formed, and the side surface of the connection conductor 25. As a result, the wiring conductor layer 21 is embedded in the resin insulating layer 20. One surface of the buried wiring conductor layer 21 is exposed on the first surface 20a side of the resin insulating layer 20, and the end surface 25a of the connection conductor 25 is exposed on the second surface 20b side opposite to the resin insulating layer 20. The thickness of the resin insulating layer 20 is not particularly limited, but is about 50 to 200 μm in that it has a certain rigidity that can be easily handled while meeting the demand for thinning the printed wiring board 10. Is preferred.
樹脂絶縁層２０の材料は、例えば、モールド用の樹脂が用いられる。しかし、図１Ｂの実施形態では、モールド用の樹脂でなくても、製造時にシート状またはフィルム状で供給される、芯材入りまたは芯材無しのプリプレグなどが用いられてもよい。図１Ｂに示される実施形態では、接続導体２５が柱状で構造的にしっかりしているからである。図１Ａに示される実施形態では、接続導体２５がワイヤ状であるため、流動性のある樹脂が流し込まれることが好ましい。しかし、図１Ａのワイヤ状導体ピン２５１の場合であっても、フィルム状の樹脂材料が用いられ得る。ワイヤ状導体ピン２５１の部分に予め貫通孔が形成されれば問題はない。樹脂組成物としては、好ましくはエポキシ樹脂が用いられる。また、シリカまたはアルミナなどの無機フィラーが３０〜８０重量％含有されているエポキシ樹脂が用いられてもよい。また、モールド用の樹脂材料が選択される場合、樹脂絶縁層２０の材料は、熱膨張率が１〜３０ｐｐｍ／℃、かつ、弾性率が５〜３０ＧＰａ、かつ、無機フィラー含有量が７０〜９８重量％であることが好ましい。成形時に金型内で良好な流動性が得られると共に、成形後に配線導体層２１との界面や、樹脂絶縁層２０の第１面２０ａ側に実装される図示しない半導体素子などとの接合部に過大な応力が生じないからである。しかしながら、熱膨張率や弾性率が前述の範囲外である材料が樹脂絶縁層２０に用いられてもよい。
For example, a resin for molding is used as the material of the resin insulating layer 20. However, in the embodiment of FIG. 1B, a prepreg with or without a core material supplied in the form of a sheet or film at the time of manufacture may be used instead of the resin for molding. This is because in the embodiment shown in FIG. 1B, the connection conductor 25 is columnar and structurally solid. In the embodiment shown in FIG. 1A, since the connecting conductor 25 has a wire shape, it is preferable that a resin having fluidity is poured. However, even in the case of the wire-like conductor pin 251 of FIG. 1A, a film-like resin material can be used. There is no problem if a through hole is formed in advance in the wire-like conductor pin 251 portion. As the resin composition, an epoxy resin is preferably used. Moreover, an epoxy resin containing 30 to 80% by weight of an inorganic filler such as silica or alumina may be used. When a resin material for molding is selected, the material of the resin insulating layer 20 has a thermal expansion coefficient of 1 to 30 ppm / ° C., an elastic modulus of 5 to 30 GPa, and an inorganic filler content of 70 to 98. It is preferable that it is weight%. At the time of molding, good fluidity is obtained in the mold, and at the interface with the wiring conductor layer 21 after molding or at a joint portion with a semiconductor element (not shown) mounted on the first surface 20a side of the resin insulating layer 20 This is because excessive stress does not occur. However, a material whose thermal expansion coefficient and elastic modulus are outside the above-described range may be used for the resin insulating layer 20.
図１Ａ〜１Ｂに示されるように、埋め込み配線導体層２１の一面は、樹脂絶縁層２０の第１面２０ａより第２面２０ｂ側に位置しており、第１面２０ａよりも凹んでいる。このように埋め込み配線導体層２１が形成されている。電極が狭ピッチで配置された図示しない半導体素子が、接合材などにより第２パターン２１ｂなどに接続される場合でも、第２パターン２１ｂ間の樹脂絶縁層２０の部分が壁となる。その結果、隣接する第２パターン２１ｂ間で接合材などが接触して電気的にショート状態となることが防止され得る。
As shown in FIGS. 1A to 1B, one surface of the embedded wiring conductor layer 21 is located closer to the second surface 20 b than the first surface 20 a of the resin insulating layer 20, and is recessed from the first surface 20 a. Thus, the buried wiring conductor layer 21 is formed. Even when a semiconductor element (not shown) in which electrodes are arranged at a narrow pitch is connected to the second pattern 21b or the like by a bonding material or the like, the portion of the resin insulating layer 20 between the second patterns 21b becomes a wall. As a result, it can be prevented that the bonding material or the like comes into contact between the adjacent second patterns 21b to be electrically short-circuited.
また、接続導体２５の端面２５ａは、前述のように、樹脂絶縁層２０の第２面２０ｂよりも凹んでいる。しかも、この接続導体２５の端面２５ａの凹み量は、埋め込み配線導体層２１の第１面２０ａからの凹み量よりも大きい。そして、本実施形態では、樹脂絶縁層２０の第２面２０ｂから接続導体２５の端面２５ａまでの距離は、特に限定されないが、例えば３〜２０μｍ程度凹むように形成される。このような凹み部を有することにより、ハンダバンプ等によりマザーボードまたは電子部品と接続する場合に接続しやすい。
Moreover, the end surface 25a of the connection conductor 25 is recessed rather than the 2nd surface 20b of the resin insulating layer 20, as mentioned above. In addition, the amount of recess in the end surface 25 a of the connection conductor 25 is larger than the amount of recess in the embedded wiring conductor layer 21 from the first surface 20 a. And in this embodiment, although the distance from the 2nd surface 20b of the resin insulating layer 20 to the end surface 25a of the connection conductor 25 is not specifically limited, For example, it forms so that about 3-20 micrometers may be dented. By having such a recess, it is easy to connect when connecting to a mother board or an electronic component by solder bumps or the like.
埋め込み配線導体層２１の露出面および接続導体２５の端面２５ａには、表面保護膜が形成されていてもよい。表面保護膜は、酸化などの腐食に対して埋め込み配線導体層２１や接続導体２５を保護する。表面保護膜は、例えばハンダなどの接合材やボンディングワイヤなどとの良好な接合性を得るために、導体層２１の一面や接続導体２５の端面２５ａ上に形成される膜であってよい。また、表面保護膜は、埋め込み配線導体層２１の一面と接続導体２５の端面２５ａとの両方に形成されてもよく、または、いずれか一方だけに形成されてもよい。
A surface protective film may be formed on the exposed surface of the embedded wiring conductor layer 21 and the end surface 25 a of the connection conductor 25. The surface protective film protects the embedded wiring conductor layer 21 and the connection conductor 25 against corrosion such as oxidation. The surface protective film may be a film formed on one surface of the conductor layer 21 or the end surface 25a of the connection conductor 25 in order to obtain a good bondability with, for example, a bonding material such as solder or a bonding wire. The surface protective film may be formed on both one surface of the embedded wiring conductor layer 21 and the end surface 25a of the connection conductor 25, or may be formed on only one of them.
埋め込み配線導体層２１は、例えば銅の電解めっき膜である。導電性がよく、安価で容易に形成され得る。しかしながら、埋め込み配線導体層２１は、電解めっき法以外の方法で形成されてもよい。なお、埋め込み配線導体層２１の一面は、後述されるプリント配線板１、１０の製造方法においてベース金属箔８１（図２Ｆ参照）がエッチングにより除去されるときに、樹脂絶縁層２０の第１面２０ａより凹む。ベース金属箔８１が全て溶解したあとも確実にエッチング除去されるように、エッチングが適切な時間継続されるからである。また、ベース金属箔８１のエッチング工程において、接続導体２５の樹脂絶縁層２０の第２面２０ｂ側に露出する面がエッチングされないようにしてもよい。端面２５ａにマスクをしてエッチング液に晒されないようにすることにより、接続導体２５のエッチングは行われない。この場合は、接続導体２５の端面２５ａが樹脂絶縁層２０の第２面２０ｂと面一の状態が維持される。しかし、マスクをしないでエッチングが行われれば、接続導体２５の端面２５ａ側もエッチングされ、樹脂絶縁層２０の第２面２０ｂよりも凹む。マスクをしないでエッチングされれば、ベース金属箔８１がエッチングされる間もエッチングされるので、埋め込み配線導体層２１の樹脂絶縁層２０の第１面２０ａからの凹みよりも大きく凹み得る。
The embedded wiring conductor layer 21 is, for example, a copper electrolytic plating film. It has good conductivity and can be easily formed at low cost. However, the embedded wiring conductor layer 21 may be formed by a method other than the electrolytic plating method. One surface of the embedded wiring conductor layer 21 is the first surface of the resin insulating layer 20 when the base metal foil 81 (see FIG. 2F) is removed by etching in the method for manufacturing the printed wiring boards 1 and 10 described later. Recessed from 20a. This is because the etching is continued for an appropriate time so as to be surely removed by etching even after the base metal foil 81 is completely dissolved. Further, in the etching process of the base metal foil 81, the surface exposed to the second surface 20b side of the resin insulating layer 20 of the connection conductor 25 may not be etched. The connection conductor 25 is not etched by masking the end face 25a so as not to be exposed to the etching solution. In this case, the end surface 25a of the connection conductor 25 is kept flush with the second surface 20b of the resin insulating layer 20. However, if etching is performed without using a mask, the end surface 25 a side of the connection conductor 25 is also etched, and is recessed from the second surface 20 b of the resin insulating layer 20. If the etching is performed without a mask, the etching is performed while the base metal foil 81 is being etched, so that the dent can be larger than the dent from the first surface 20 a of the resin insulating layer 20 of the embedded wiring conductor layer 21.
埋め込み配線導体層２１および接続導体２５を構成する材料は特に限定されない。しかし、電解めっきによる埋め込み配線導体層２１の形成が容易で、導電性に優れる銅が主に用いられる。接続導体２５も同じ材料であることが好ましい。しかしながら、埋め込み配線導体層２１および接続導体２５は、銅以外の材料により形成されてもよい。
The material constituting the embedded wiring conductor layer 21 and the connection conductor 25 is not particularly limited. However, it is easy to form the buried wiring conductor layer 21 by electrolytic plating, and copper that is excellent in conductivity is mainly used. The connection conductor 25 is also preferably made of the same material. However, the embedded wiring conductor layer 21 and the connection conductor 25 may be formed of a material other than copper.
埋め込み配線導体層２１および接続導体２５の各部の寸法の好ましい例が説明される。樹脂絶縁層２０の第１面２０ａから埋め込み配線導体層２１の一面までの距離は、０.１〜５μｍが例示される。このような寸法に形成されることは、ベース金属箔８１（図２Ｆ参照）が除去された後に継続するエッチングの時間があまり長くならず、かつ、隣接する第２パターン２１ｂ間などで接合材などが接触することが防止され得る。樹脂絶縁層２０の第２面２０ｂから接続導体２５の端面２５ａまでの距離は、３〜１０μｍが例示される。このような寸法にされるのは、ベース金属箔８１が除去される間もエッチングされるからである。埋め込み配線導体層２１の厚さは、１０〜２５μｍ程度にされる。一定の導電性を確保しつつ、電解めっき法において比較的短い時間で埋め込み配線導体層２１の形成が可能となる。接続導体２５の高さ（導体層２１との接触面から端面２５ａまでの長さ）は、特に限定されない。埋め込み配線導体層２１と、樹脂絶縁層２０の第２面２０ｂ側のマザーボードなどとを接続できる高さであればよい。５０〜１５０μｍの高さが例示される。接続導体２５がこのような高さに形成されると、数多く用いられている１００〜２００μｍ程度の厚さの樹脂絶縁層２０に適用され得る点で好ましい。しかしながら、これらの距離および厚さは、それぞれ、前述された範囲を上回る、または下回る距離または厚さにされてもよい。
Preferred examples of the dimensions of the respective portions of the embedded wiring conductor layer 21 and the connecting conductor 25 will be described. The distance from the first surface 20a of the resin insulating layer 20 to one surface of the embedded wiring conductor layer 21 is exemplified by 0.1 to 5 μm. The formation of such dimensions means that the etching time that continues after the base metal foil 81 (see FIG. 2F) is removed is not so long, and a bonding material or the like is formed between the adjacent second patterns 21b. Can be prevented from contacting. The distance from the second surface 20b of the resin insulating layer 20 to the end surface 25a of the connection conductor 25 is exemplified by 3 to 10 μm. The reason for this dimension is that the base metal foil 81 is etched while being removed. The thickness of the embedded wiring conductor layer 21 is set to about 10 to 25 μm. The embedded wiring conductor layer 21 can be formed in a relatively short time in the electrolytic plating method while ensuring a certain conductivity. The height of the connection conductor 25 (the length from the contact surface with the conductor layer 21 to the end surface 25a) is not particularly limited. Any height may be used as long as the embedded wiring conductor layer 21 and the motherboard on the second surface 20b side of the resin insulating layer 20 can be connected. A height of 50 to 150 μm is exemplified. When the connection conductor 25 is formed at such a height, it is preferable in that the connection conductor 25 can be applied to the resin insulating layer 20 having a thickness of about 100 to 200 μm. However, these distances and thicknesses may each be a distance or thickness that is above or below the range described above.
前述のように、実施形態では、樹脂絶縁層２０の第２面２０ｂから接続導体２５の端面２５ａまでの距離が、樹脂絶縁層２０の第１面２０ａから埋め込み配線導体層２１の一面までの距離よりも大きくされている。すなわち、接続導体２５の端面２５ａの樹脂絶縁層２０の第２面２０ｂからの凹みの方が、埋め込み配線導体層２１の一面の樹脂絶縁層２０の第１面２０ａからの凹みよりも大きくされている。例えば、図示しない半導体素子との接続がワイヤボンディングなどにより行われるような場合は、埋め込み配線導体層２１の一面上にボンディングに適した材料によるボンディング層（図示せず）がめっき法などにより形成され得る。このボンディング層の形成時に接続導体２５の端面２５ａがマスクされていないと、端面２５ａ上にも埋め込み配線導体層２１の一面と略同じ厚さのめっき膜が形成される。実施形態では、接続導体２５の端面２５ａ上の凹みの方が埋め込み配線導体層２１の一面上の凹みよりも大きくされている。従って、樹脂絶縁層２０の第１面２０ａからの凹みが埋まるほど厚いボンディング層が、埋め込み配線導体層２１の一面上に形成される場合でも、端面２５ａの第２面２０ｂからの凹みは、めっき膜で埋め尽くされ難い。例えば、接合材層を形成するための空間が端面２５ａ上に確保され得る。従って、端面２５ａのマスクをすることなく、めっき法などにより前述のボンディング層が形成され得る。なお、半導体素子が、ワイヤボンディングなどにより埋め込み配線導体層２１と接続される場合は、ハンダのような流動性の接合材が用いられないので、埋め込み配線導体層２１の一面の樹脂絶縁層２０の第１面２０ａからの凹みが埋められても大きな問題はない。
As described above, in the embodiment, the distance from the second surface 20 b of the resin insulating layer 20 to the end surface 25 a of the connecting conductor 25 is the distance from the first surface 20 a of the resin insulating layer 20 to one surface of the embedded wiring conductor layer 21. Has been bigger than. That is, the dent from the second surface 20 b of the resin insulating layer 20 on the end surface 25 a of the connecting conductor 25 is made larger than the dent from the first surface 20 a of the resin insulating layer 20 on one surface of the embedded wiring conductor layer 21. Yes. For example, when connection to a semiconductor element (not shown) is made by wire bonding or the like, a bonding layer (not shown) made of a material suitable for bonding is formed on one surface of the embedded wiring conductor layer 21 by plating or the like. obtain. If the end surface 25a of the connection conductor 25 is not masked when the bonding layer is formed, a plating film having substantially the same thickness as that of one surface of the embedded wiring conductor layer 21 is also formed on the end surface 25a. In the embodiment, the recess on the end surface 25 a of the connection conductor 25 is made larger than the recess on the one surface of the embedded wiring conductor layer 21. Therefore, even when a bonding layer that is thick enough to fill the recess from the first surface 20a of the resin insulating layer 20 is formed on one surface of the embedded wiring conductor layer 21, the recess from the second surface 20b of the end surface 25a is plated. It is hard to be filled with a film. For example, a space for forming the bonding material layer can be secured on the end face 25a. Therefore, the above-described bonding layer can be formed by plating or the like without masking the end face 25a. When the semiconductor element is connected to the embedded wiring conductor layer 21 by wire bonding or the like, a fluid bonding material such as solder is not used, and therefore the resin insulating layer 20 on one surface of the embedded wiring conductor layer 21 is not used. There is no major problem even if the recess from the first surface 20a is filled.
図５Ａには、実施形態のプリント配線板１０の接続導体２５の樹脂絶縁層２０の第２面２０ｂにおける配置例が示されている。接続導体２５は、図１Ａ〜１Ｂに示される例では、第２パターン２１ｂが配置されている領域の両側に１つずつ形成されているが、接続導体２５が形成される数および形成される位置は図１Ａ〜１Ｂに示されるものに限定されない。例えば、図５Ａに示されるように、接続導体列２６が、プリント配線板１０の各辺に沿って２列並置して形成されていてもよい。接続導体列２６は、一方向に並べて形成されている複数の接続導体２５からなる列である。接続導体列２６は３列以上並置されてもよい。図５Ａに示されるように、各辺に沿って形成されている接続導体列２６と一定の間隔を空けて、さらに中心部に格子状に接続導体２５が配置されてもよい。また、例えば、樹脂絶縁層２０の第２面２０ｂの全面に亘って格子状に形成されてもよい。
FIG. 5A shows an arrangement example on the second surface 20b of the resin insulating layer 20 of the connection conductor 25 of the printed wiring board 10 of the embodiment. In the example shown in FIGS. 1A to 1B, one connection conductor 25 is formed on each side of the region where the second pattern 21b is disposed. However, the number and positions of the connection conductors 25 are formed. Is not limited to that shown in FIGS. For example, as illustrated in FIG. 5A, the connection conductor rows 26 may be formed so as to be juxtaposed along each side of the printed wiring board 10. The connection conductor row 26 is a row made up of a plurality of connection conductors 25 formed side by side in one direction. Three or more connecting conductor rows 26 may be juxtaposed. As shown in FIG. 5A, the connection conductors 25 may be arranged in a lattice shape at the center with a certain distance from the connection conductor row 26 formed along each side. Further, for example, the resin insulating layer 20 may be formed in a lattice shape over the entire second surface 20b.
図５Ａに示されるプリント配線板１０の樹脂絶縁層２０の第１面２０ａ側の埋め込み配線導体層２１には、例えば、図５Ｂに示されるように、第１および第２パターン２１ａ、２１ｂ、および、配線パターン２１ｄが形成され得る。すなわち、第１パターン２１ａそれぞれの図５Ｂに示されている面（第１面２０ａ）の反対側の面（第２面２０ｂ）上には、図５Ａに示される接続導体２５が形成されている。第２パターン２１ｂは、図５Ｂに示される例では、図示されていない半導体素子が接続される接続パッド２１ｃであり、例えば、ＩＣチップなどの電極とハンダバンプやボンディングワイヤなどにより電気的に接続される。図５Ｂは、矩形状の外形の４辺それぞれに電極が配置されている半導体素子と接続される接続パッド２１ｃの例であり、接続パッド２１ｃを一定のピッチで配列してなる４つの接続パッド２１ｃの列が、全体として矩形をなすように配置されている。また、接続パッド２１ｃ（第２パターン２１ｂ）と、その周囲に形成されている第１パターン２１ａとは、配線パターン２１ｄにより接続されている。これにより、図示されない半導体素子の電極が、接続導体２５を介して、図示されないマザーボードなどの他の配線板と電気的に接続され得る。なお、図５Ｂに示されている配線導体層２１の各パターンは一例に過ぎず、プリント配線板１０内に形成される電気回路に応じて、任意の導体パターンが形成される。
The embedded wiring conductor layer 21 on the first surface 20a side of the resin insulating layer 20 of the printed wiring board 10 shown in FIG. 5A includes, for example, first and second patterns 21a, 21b, and The wiring pattern 21d can be formed. That is, the connection conductor 25 shown in FIG. 5A is formed on the surface (second surface 20b) opposite to the surface (first surface 20a) shown in FIG. 5B of each first pattern 21a. . In the example shown in FIG. 5B, the second pattern 21b is a connection pad 21c to which a semiconductor element (not shown) is connected. For example, the second pattern 21b is electrically connected to an electrode such as an IC chip by a solder bump or a bonding wire. . FIG. 5B is an example of a connection pad 21c connected to a semiconductor element in which electrodes are arranged on each of four sides of a rectangular outer shape, and four connection pads 21c formed by arranging the connection pads 21c at a constant pitch. Are arranged so as to form a rectangle as a whole. Further, the connection pad 21c (second pattern 21b) and the first pattern 21a formed around the connection pad 21c are connected by a wiring pattern 21d. Thereby, the electrode of the semiconductor element (not shown) can be electrically connected to another wiring board such as a mother board (not shown) via the connection conductor 25. Each pattern of the wiring conductor layer 21 shown in FIG. 5B is merely an example, and an arbitrary conductor pattern is formed according to the electric circuit formed in the printed wiring board 10.
また、図６に示されるように、接続導体２５は、並置される２つの接続導体列２６の列方向の位置が互いにずれるような配置で形成されていてもよい。図６に示される例では、互いに同じピッチで接続導体２５が並べられ、隣接して形成されている２つの接続導体列２６が、接続導体２５の配置ピッチの半分の長さだけ列方向に位置をずらして形成されている。すなわち、接続導体２５が千鳥状に配置されている。このように接続導体２５が千鳥状に配置されることにより、隣接する接続導体列２６の間の接続導体２５同士の間隔が広くなる。そのため、接続導体２５同士が電気的にショート状態となるおそれが少なくなる。従って、接続導体列２６がさらに狭ピッチで並置され得る。なお、図６に示される配置の場合も、接続導体列２６が樹脂絶縁層２０の第２面２０ｂの全面に亘って形成されてよい。
Further, as shown in FIG. 6, the connection conductor 25 may be formed in such an arrangement that the positions in the column direction of the two connection conductor rows 26 juxtaposed are shifted from each other. In the example shown in FIG. 6, the connecting conductors 25 are arranged at the same pitch, and two connecting conductor rows 26 formed adjacent to each other are positioned in the row direction by a length that is half the arrangement pitch of the connecting conductors 25. It is formed by shifting. That is, the connection conductors 25 are arranged in a staggered manner. By arranging the connection conductors 25 in a staggered manner in this way, the interval between the connection conductors 25 between the adjacent connection conductor rows 26 is widened. Therefore, the possibility that the connection conductors 25 are electrically short-circuited is reduced. Accordingly, the connection conductor rows 26 can be juxtaposed at a narrower pitch. In the arrangement shown in FIG. 6, the connection conductor row 26 may be formed over the entire second surface 20 b of the resin insulating layer 20.
以上の説明では、１つのプリント配線板１、１０が示されている。しかし、実施形態のプリント配線板１、１０は、図７に示されるように、複数個のプリント配線板１、１０が縦横に配列される多数個取り基板１５として製造され、最終的に分割されて個々のプリント配線板１、１０とされる。または、多数個取り基板１５のまま、電子機器製造業者などのユーザーに届けられてもよい。多数個取り基板１５の形態で製造されると、後述のプリント配線板１、１０の製造工程の説明で示されるエッチング処理やめっき膜の形成を複数個同時に行えるため、効率的にプリント配線板１、１０が製造され得る。また、ユーザーの工程においても電子機器などが効率的に製造され得る。図７に示される例では、多数個取り基板１５は、多数個取り基板１５の外周に沿って形成されていて配線導体層２１の一部であるダミー部２１ｆの内周側に配線板群１５ａを有している。配線板群１５ａには、図７上、縦方向に７個、横方向に１０個のプリント配線板１、１０が配列されている。図７の例では、配線板群１５ａが横方向に２つ並べて形成されている。２つの配線板群１５ａの間のダミー部２１ｆには、残銅率の調整のためにダミー部２１ｆの一部が４箇所に亘って長円形の形状に除去されている。下層の樹脂絶縁層２０が露出している。多数個取り基板１５内の配線板１０の縦方向の配列数および横方向の配列数は図７に示される例に限定されない。配線板１０の各方向の配列数は、多数個取り基板１５に用いられる樹脂絶縁層２０などの材料が効率よく利用され得るように個々の配線板１０のサイズに応じて適宜選択されてよい。なお、実際の製造の場合には、この多数個取り基板１５をさらに複数個有するパネルの状態で製造され得る。
In the above description, one printed wiring board 1 and 10 is shown. However, as shown in FIG. 7, the printed wiring boards 1 and 10 of the embodiment are manufactured as a multi-piece substrate 15 in which a plurality of printed wiring boards 1 and 10 are arranged vertically and horizontally, and finally divided. These are the individual printed wiring boards 1 and 10. Alternatively, the multi-chip substrate 15 may be delivered to a user such as an electronic device manufacturer. When manufactured in the form of a multi-chip substrate 15, a plurality of etching processes and formation of plating films shown in the description of the manufacturing process of the printed wiring boards 1 and 10 described later can be performed at the same time. 10 can be manufactured. Also, electronic devices and the like can be efficiently manufactured in the user process. In the example shown in FIG. 7, the multi-chip substrate 15 is formed along the outer periphery of the multi-chip substrate 15 and is arranged on the inner peripheral side of the dummy portion 21 f that is a part of the wiring conductor layer 21. have. In the wiring board group 15a, seven printed wiring boards 1 and 10 are arranged in the vertical direction and ten in the horizontal direction in FIG. In the example of FIG. 7, two wiring board groups 15a are formed side by side in the horizontal direction. In the dummy part 21f between the two wiring board groups 15a, a part of the dummy part 21f is removed in an oval shape over four places in order to adjust the remaining copper ratio. The lower resin insulating layer 20 is exposed. The number of arrangements in the vertical direction and the number of arrangements in the horizontal direction of the wiring boards 10 in the multi-cavity substrate 15 is not limited to the example shown in FIG. The number of the wiring boards 10 arranged in each direction may be appropriately selected according to the size of each wiring board 10 so that a material such as the resin insulating layer 20 used for the multi-chip substrate 15 can be used efficiently. In the case of actual manufacture, it can be manufactured in the form of a panel having a plurality of multi-chip substrates 15.
つぎに、図１Ａに示されるプリント配線板１の製造方法の一例が、図２Ａ〜２Ｆを参照して説明される。
Next, an example of a method for manufacturing the printed wiring board 1 shown in FIG. 1A will be described with reference to FIGS.
図１Ａに示されるプリント配線板１０の製造方法では、まず、図２Ａに示されるように、出発材料として、支持板８０、キャリア銅箔８０ａおよびベース金属箔８１が用意される。支持板８０の両面にキャリア銅箔８０ａが積層され、加圧および加熱されて接合される。支持板８０には、好ましくは、ガラスクロスなどの芯材にエポキシなどの絶縁性樹脂を含浸させた材料などからなる半硬化状態のプリプレグ材などが用いられる。しかし、これに限定されず、銅などの他の材料が用いられてもよい。ベース金属箔８１の材料は、表面上に、後述の埋め込み配線導体層２１（図２Ｂ参照）が形成され得るものであって、配線導体層２１および後述の接続導体２５（ワイヤ状導体ピン２５１）（図２Ｃ参照）の材料が溶解するエッチング液で同様に溶解し得る材料が用いられる。好ましくは、２〜３μｍの厚さの銅箔が用いられる。また、キャリア銅箔８０ａは、例えば、１５〜３０μｍ、好ましくは１８μｍの厚さの銅箔が用いられる。しかしながら、キャリア銅箔８０ａの厚さは、これに限定されず、他の厚さにされてもよい。
In the method for manufacturing the printed wiring board 10 shown in FIG. 1A, first, as shown in FIG. 2A, a support plate 80, a carrier copper foil 80a, and a base metal foil 81 are prepared as starting materials. Carrier copper foils 80a are laminated on both sides of the support plate 80, and are pressed and heated to be joined. The support plate 80 is preferably made of a semi-cured prepreg material made of a material in which a core material such as glass cloth is impregnated with an insulating resin such as epoxy. However, the present invention is not limited to this, and other materials such as copper may be used. The base metal foil 81 can be formed on the surface with a buried wiring conductor layer 21 (see FIG. 2B), which will be described later, and the wiring conductor layer 21 and a connecting conductor 25 (wire-like conductor pin 251), which will be described later. A material that can be similarly dissolved in the etching solution in which the material of FIG. 2C is dissolved is used. Preferably, a copper foil having a thickness of 2 to 3 μm is used. The carrier copper foil 80a is, for example, a copper foil having a thickness of 15 to 30 μm, preferably 18 μm. However, the thickness of the carrier copper foil 80a is not limited to this, and may be another thickness.
キャリア銅箔８０ａとベース金属箔８１との接合方法は、特に限定されないが、例えば、両者の貼り付け面の略全面において図示されない剥離し易い熱可塑性の接着剤により接着されてもよい。または、前述の多数個取り基板１５またはパネルの状態のダミー部２１ｆの外周付近の余白部において、接着剤または超音波接続により接合されてもよい。また、キャリア銅箔８０ａとベース金属箔８１とは、キャリア銅箔８０ａが支持板８０に接合される前に接合されてもよい。しかし、これに限定されず、例えば、支持板８０に両面銅張積層板が用いられ、表面の銅箔をキャリア銅箔８０ａとして、その上に単体のベース金属箔８１が前述の方法などを用いて接合されてもよい。
The method for joining the carrier copper foil 80a and the base metal foil 81 is not particularly limited. For example, the carrier copper foil 80a and the base metal foil 81 may be bonded to each other by an easily peelable thermoplastic adhesive not shown in the drawing. Alternatively, bonding may be performed by an adhesive or ultrasonic connection in a blank portion in the vicinity of the outer periphery of the above-described multi-cavity substrate 15 or the dummy portion 21f in a panel state. Further, the carrier copper foil 80 a and the base metal foil 81 may be joined before the carrier copper foil 80 a is joined to the support plate 80. However, the present invention is not limited to this. For example, a double-sided copper-clad laminate is used as the support plate 80, the surface copper foil is used as the carrier copper foil 80a, and the single base metal foil 81 is used as described above. May be joined together.
なお、図２Ａ〜２Ｅには、支持板８０の両側の面にベース金属箔８１が接合され、それぞれの面において、配線導体層２１、接続導体２５（ワイヤ状導体ピン２５１）および樹脂絶縁層２０が形成される製造方法の例が示されている。このような方法で製造されれば、配線導体層２１や接続導体２５などが２つ同時に形成されるという点で好ましい。しかしながら、支持板８０の一方の面だけに配線導体層２１などが形成されてもよく、また、両側で互いに異なる回路パターンの配線導体層などが形成されてもよい。以下の説明は、両面に同じ回路パターンが形成される例を参照して説明される。そのため、一方の面だけについて説明され、他面側に関しての説明、および、各図面における他面側の符号は適宜省略されている。
2A to 2E, the base metal foil 81 is bonded to both sides of the support plate 80, and the wiring conductor layer 21, the connection conductor 25 (wire-like conductor pin 251), and the resin insulating layer 20 are connected to each side. An example of a manufacturing method in which is formed is shown. If it manufactures by such a method, it is preferable at the point that the wiring conductor layer 21, the connection conductor 25, etc. are formed simultaneously. However, the wiring conductor layer 21 or the like may be formed only on one surface of the support plate 80, or wiring conductor layers or the like having different circuit patterns may be formed on both sides. The following description will be described with reference to an example in which the same circuit pattern is formed on both sides. For this reason, only one surface is described, and the description on the other surface side and the reference numerals on the other surface side in each drawing are appropriately omitted.
つぎに、図２Ｂに示されるように、ベース金属箔８１上に埋め込み配線導体層２１が形成される。埋め込み配線導体層２１の形成方法は特に限定されないが、例えば、電解めっき法が用いられる。具体的には、まず、ベース金属箔８１上にレジスト材（図示せず）が全面に塗布または積層され、パターニングされることにより配線導体層２１が形成される部分以外の所定の領域にめっきレジスト膜（図示せず）が形成される。続いて、めっきレジスト膜が形成されなくて露出するベース金属箔８１上に、ベース金属箔８１をシード層として、例えば、電解めっきによるめっき膜が形成される。その後、めっきレジスト膜が除去される。その結果、図２Ｂに示されるように、第１パターン２１ａおよび第２パターン２１ｂを有する埋め込み配線導体層２１が所定の回路パターンでベース金属箔８１上に形成される。埋め込み配線導体層２１は、好ましくは銅で形成される。また、埋め込み配線導体層２１は、好ましくは１０〜３０μｍの厚さに形成され得るが、これに限定されない。
Next, as shown in FIG. 2B, the embedded wiring conductor layer 21 is formed on the base metal foil 81. Although the formation method of the buried wiring conductor layer 21 is not particularly limited, for example, an electrolytic plating method is used. Specifically, first, a resist material (not shown) is applied or laminated on the entire surface of the base metal foil 81 and patterned to form a plating resist in a predetermined region other than the portion where the wiring conductor layer 21 is formed. A film (not shown) is formed. Subsequently, for example, a plating film by electrolytic plating is formed on the base metal foil 81 exposed without forming the plating resist film, using the base metal foil 81 as a seed layer. Thereafter, the plating resist film is removed. As a result, as shown in FIG. 2B, the embedded wiring conductor layer 21 having the first pattern 21a and the second pattern 21b is formed on the base metal foil 81 with a predetermined circuit pattern. The embedded wiring conductor layer 21 is preferably made of copper. The embedded wiring conductor layer 21 can be preferably formed to a thickness of 10 to 30 μm, but is not limited thereto.
つぎに、埋め込み配線導体層２１の第１パターン２１ａ上にワイヤ状導体ピン２５１（接続導体２５）が形成される。具体的には、まず、図２Ｃに示されるように、埋め込み配線導体層２１のベース金属箔８１と接している側の面と反対側の面にワイヤ状導体ピン２５１がワイヤボンディングされる。このワイヤボンディングは、半導体装置の製造に用いられるようなワイヤボンダーを用いてなされる。その結果、ワイヤ状導体ピン２５１が、埋め込み配線導体層２１の第１パターンに溶接３１（接合手段３０）により接続される。その後、その溶接３１による接続部から１００〜３００μｍ程度の長さで切断される。
Next, wire-like conductor pins 251 (connection conductors 25) are formed on the first pattern 21a of the embedded wiring conductor layer 21. Specifically, first, as shown in FIG. 2C, wire-like conductor pins 251 are wire-bonded to the surface of the embedded wiring conductor layer 21 opposite to the surface in contact with the base metal foil 81. This wire bonding is performed using a wire bonder used for manufacturing a semiconductor device. As a result, the wire-like conductor pin 251 is connected to the first pattern of the embedded wiring conductor layer 21 by welding 31 (joining means 30). Then, it cut | disconnects by the length of about 100-300 micrometers from the connection part by the welding 31. FIG.
このワイヤ状導体ピン２５１が形成された後、好ましくは、後述の樹脂絶縁層２０との密着性を高めるために、ワイヤ状導体ピン２５１の側面および埋め込み配線導体層２１の側面およびワイヤ状導体ピン２５１が形成されていない露出部分に粗化処理が行われる。粗化処理の方法は、特に限定されないが、例えば、ソフトエッチング処理や、黒化（酸化）−還元処理、サンドブラスト処理などが例示される。粗化される各面は、好ましくは、算術平均粗さで０．１〜１．０μｍの表面粗さに処理される。
After this wire-like conductor pin 251 is formed, preferably, the side surface of the wire-like conductor pin 251, the side surface of the embedded wiring conductor layer 21, and the wire-like conductor pin are used in order to improve adhesion to the resin insulating layer 20 described later. A roughening process is performed on the exposed portion where 251 is not formed. Although the method of a roughening process is not specifically limited, For example, a soft etching process, a blackening (oxidation) -reduction process, a sandblast process etc. are illustrated. Each surface to be roughened is preferably processed to a surface roughness of 0.1 to 1.0 μm in arithmetic mean roughness.
つぎに、埋め込み配線導体層２１およびワイヤ状導体ピン２５１を被覆する樹脂絶縁層２０（図２Ｄ参照）が形成される。具体的には、支持板８０の最外周でダムを形成し、モールド用の樹脂を流し込み、硬化させることにより形成される。ワイヤ状導体ピン２５１は、この際、端部を樹脂絶縁層２０の上面から突出させる長さに形成されている。
Next, a resin insulating layer 20 (see FIG. 2D) that covers the embedded wiring conductor layer 21 and the wire-like conductor pins 251 is formed. Specifically, it is formed by forming a dam on the outermost periphery of the support plate 80, pouring a resin for molding, and curing it. At this time, the wire-like conductor pin 251 is formed to have a length that protrudes from the upper surface of the resin insulating layer 20.
つぎに、図２Ｅに示されるように、ワイヤ状導体ピン２５１および樹脂絶縁層２０の表面を平らにするため、表面が研磨される。その結果、ワイヤ状導体ピン２５１の突出部分も研磨されて樹脂絶縁層２０の表面と面一になる。この研磨は、バフ研磨、または、化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）などにより行われ得る。
Next, as shown in FIG. 2E, the surfaces of the wire-like conductor pins 251 and the resin insulating layer 20 are polished in order to flatten the surfaces. As a result, the protruding portion of the wire-like conductor pin 251 is also polished to be flush with the surface of the resin insulating layer 20. This polishing can be performed by buffing or chemical mechanical polishing (CMP).
その後、支持板８０およびキャリア銅箔８０ａと、ベース金属箔８１とが分離される。具体的には、キャリア銅箔８０ａとベース金属箔８１とを接合している図示しない熱可塑性接着剤が、加熱などにより軟化する。その状態で、支持板８０およびキャリア銅箔８０ａに、ベース金属箔８１との界面に沿う方向の力が加えられ、キャリア銅箔８０ａとベース金属箔８１とが引き離される。または、前述のように、両者が外周付近の余白部において接着剤または超音波接続により接合されている場合は、接合箇所よりも内周側で、キャリア銅箔８０ａ、ベース金属箔８１、および支持板８０が樹脂絶縁層２０などと共に切断される。接着剤などによる接合箇所が切除されることによりキャリア銅箔８０ａとベース金属箔８１とが分離される。その結果、図２Ｆに示されるように、樹脂絶縁層２０の第１面２０ａに埋め込み配線導体層２１が埋め込まれ、樹脂絶縁層２０にワイヤ状導体ピン２５１が埋め込まれている状態の配線板の工程途上品１００が得られる。ワイヤ状導体ピン２５１は埋め込み配線導体層２１の第１パターン２１ａに接続されている。端部２５ａは樹脂絶縁層２０の第２面２０ｂ側に露出している。また、工程途上品１００の表面にベース金属箔８１が付着している。なお、支持板８０が除去されることにより、この工程途上品１００が２個得られるが、その一方のみが、第１面２０ａを上側にして図２Ｆに示されている。
Thereafter, the support plate 80, the carrier copper foil 80a, and the base metal foil 81 are separated. Specifically, a thermoplastic adhesive (not shown) that joins the carrier copper foil 80a and the base metal foil 81 is softened by heating or the like. In this state, a force in a direction along the interface with the base metal foil 81 is applied to the support plate 80 and the carrier copper foil 80a, and the carrier copper foil 80a and the base metal foil 81 are separated. Alternatively, as described above, when both are bonded by an adhesive or ultrasonic connection in a blank portion near the outer periphery, the carrier copper foil 80a, the base metal foil 81, and the support are provided on the inner peripheral side of the bonding portion. The plate 80 is cut together with the resin insulating layer 20 and the like. The carrier copper foil 80a and the base metal foil 81 are separated from each other by cutting away the joint portion by an adhesive or the like. As a result, as shown in FIG. 2F, the wiring board in a state where the embedded wiring conductor layer 21 is embedded in the first surface 20a of the resin insulating layer 20 and the wire-like conductor pins 251 are embedded in the resin insulating layer 20. An in-process product 100 is obtained. The wire-like conductor pin 251 is connected to the first pattern 21 a of the embedded wiring conductor layer 21. The end 25a is exposed on the second surface 20b side of the resin insulating layer 20. Further, the base metal foil 81 is attached to the surface of the in-process product 100. In addition, by removing the support plate 80, two in-process products 100 are obtained, but only one of them is shown in FIG. 2F with the first surface 20a facing upward.
続いて、ベース金属箔８１が、例えばエッチングなどにより除去される。このエッチング液には、ベース金属箔８１が溶解され得るものが用いられる。通常、ベース金属８１も埋め込み配線導体層２１も銅が用いられるので、このエッチング液により埋め込み配線導体層２１もエッチングされる。そのため、ベース金属箔８１が全て完全に除去されるようにエッチングがされると、埋め込み配線導体層２１の露出面もエッチングされることになる。その結果、図１Ａに示されるように、埋め込み配線導体層２１の一面が樹脂絶縁層２０の第１面２０ａよりも凹む。また、ワイヤ状導体ピン２５１も、通常ベース金属箔８１と同じ材料の銅が用いられるため、エッチングの際にマスクされていないとエッチングされる。このワイヤ状導体ピン２５１は、ベース金属箔８１のエッチングの際にもエッチングされることになる。そのため、埋め込み配線導体層２１のエッチング量よりも多くの量がエッチングされる。その結果、接続導体２５の端面２５ａの樹脂絶縁層２０の第２面からの凹み量は、埋め込み配線導体層２１の一面の樹脂絶縁層２０の第１面２０ａからの凹み量よりも大きくなる。
Subsequently, the base metal foil 81 is removed by, for example, etching. As this etching solution, one capable of dissolving the base metal foil 81 is used. Normally, copper is used for both the base metal 81 and the embedded wiring conductor layer 21, so that the embedded wiring conductor layer 21 is also etched by this etchant. Therefore, when etching is performed so that the base metal foil 81 is completely removed, the exposed surface of the embedded wiring conductor layer 21 is also etched. As a result, as shown in FIG. 1A, one surface of the embedded wiring conductor layer 21 is recessed from the first surface 20 a of the resin insulating layer 20. The wire-like conductor pins 251 are also etched unless they are masked at the time of etching because copper of the same material as that of the base metal foil 81 is usually used. The wire-shaped conductor pins 251 are also etched when the base metal foil 81 is etched. Therefore, a larger amount than the etching amount of the buried wiring conductor layer 21 is etched. As a result, the amount of dent from the second surface of the resin insulating layer 20 on the end surface 25a of the connection conductor 25 is larger than the amount of dent from the first surface 20a of the resin insulating layer 20 on one surface of the embedded wiring conductor layer 21.
ベース金属箔８１の除去後に、好ましくは、表面保護膜（図示せず）が、埋め込み配線導体層２１の露出する一面および接続導体２５の端面２５ａに形成される。表面保護膜の形成は、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、またはＳｎなどの複数または単一の金属膜をめっき法により形成することにより行われてよい。また、液状の保護材料内への浸漬や保護材料の吹付けなどによりＯＳＰが形成されてもよい。表面保護膜は、埋め込み配線導体層２１の露出面と接続導体２５の端面２５ａとの両方に形成されてもよく、いずれか一方だけに形成されてもよい。また、埋め込み配線導体層２１の露出面と接続導体２５の端面２５ａとで、異なる材料の表面保護膜が形成されてもよい。例えば、埋め込み配線導体層２１の一面上に、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕなどの金属膜が形成され、接続導体２５の端面２５ａ上にＯＳＰが形成されてよい。
After the removal of the base metal foil 81, a surface protective film (not shown) is preferably formed on the exposed surface of the embedded wiring conductor layer 21 and the end surface 25a of the connection conductor 25. The surface protective film may be formed by forming a plurality of or a single metal film such as Ni / Au, Ni / Pd / Au, or Sn by a plating method. Further, the OSP may be formed by immersion in a liquid protective material or spraying of the protective material. The surface protective film may be formed on both the exposed surface of the embedded wiring conductor layer 21 and the end surface 25a of the connection conductor 25, or may be formed on only one of them. Further, a surface protective film made of a different material may be formed on the exposed surface of the embedded wiring conductor layer 21 and the end surface 25a of the connection conductor 25. For example, a metal film such as Ni / Au or Ni / Pd / Au may be formed on one surface of the embedded wiring conductor layer 21, and OSP may be formed on the end surface 25 a of the connection conductor 25.
また、表面保護膜の形成に加えて、または表面保護膜が形成されずに、接続導体２５の端面２５ａ上に、接続導体２５と外部のマザーボードなどとを接合する接合材層（図示せず）が形成されてもよい。接合材層の材料には好ましくはハンダが用いられる。接合材層は、ペースト状のハンダの塗布やハンダボールを配置して一旦溶融後硬化させることにより形成される。または、めっき法が用いられても形成され得る。接合材層の材料や形成方法は、特に限定されず、他の材料および方法が用いられ得る。
Further, in addition to the formation of the surface protective film, or without the surface protective film being formed, a bonding material layer (not shown) for bonding the connection conductor 25 and an external mother board or the like on the end surface 25a of the connection conductor 25. May be formed. Solder is preferably used as the material of the bonding material layer. The bonding material layer is formed by applying paste-like solder or solder balls, and once melting and curing. Alternatively, it can be formed by using a plating method. The material and the forming method of the bonding material layer are not particularly limited, and other materials and methods can be used.
以上の工程を経ることにより、図１Ａに示される実施形態のプリント配線板１が完成する。完成したプリント配線板１には、第２パターン２１ｂ上に図示しない半導体素子が接続され得る。接続導体２５の端面２５ａは、プリント配線板１を有する電子機器などのマザーボードなどに接続され得る。または、図示しない他のプリント配線板に接続されて多層プリント配線板の一部とされてもよい。
Through the above steps, the printed wiring board 1 of the embodiment shown in FIG. 1A is completed. A semiconductor element (not shown) can be connected to the completed printed wiring board 1 on the second pattern 21b. The end surface 25 a of the connection conductor 25 can be connected to a mother board or the like such as an electronic device having the printed wiring board 1. Alternatively, it may be connected to another printed wiring board (not shown) to be a part of the multilayer printed wiring board.
前述の例では、樹脂絶縁層２０がモールド用の樹脂により形成されたが、半硬化させたシート状のプリプレグが用いられてもよい。ワイヤ状であるため、そのまま上に積層するとワイヤ状導体ピン１５１が押し潰される危険性がある。この場合は、例えばフィルム状のプリプレグにワイヤ状導体ピン２５１の部分を逃がす孔を開けておけば、製造可能である。
In the above-described example, the resin insulating layer 20 is formed of a molding resin, but a semi-cured sheet-like prepreg may be used. Since it is in the form of a wire, there is a risk that the wire-shaped conductor pin 151 will be crushed if it is laminated on it as it is. In this case, for example, if a hole for allowing the wire-like conductor pin 251 to escape is formed in a film-like prepreg, it can be manufactured.
このような方法によれば、埋め込み配線導体層２１と接続導体２５との接続がワイヤボンディングという溶接により接合されているため、非常に堅固に、かつ、信頼性の高い接続が得られる。その結果、製品後のヒートサイクルなどにおいても、この接続部にクラックが入ったり、ひび割れが入ったりすることがなく、電気特性を低下させることもない。
According to such a method, since the connection between the buried wiring conductor layer 21 and the connection conductor 25 is joined by welding called wire bonding, a very firm and highly reliable connection can be obtained. As a result, even in a heat cycle after the product, the connection portion is not cracked or cracked, and electrical characteristics are not deteriorated.
つぎに、図１Ｂに示されるプリント配線板１０の製造方法の一例が図３Ａ〜３Ｆを参照して説明される。この製造方法は、前述の図２Ａ〜２Ｆの製造工程におけるワイヤ状導体ピン２５１の溶接工程の代りに、柱状導体ピン２５２が導電性接着剤３２またはロウ付けなどにより接合される。その他の点は、前述の図１Ａのプリント配線板１の製造工程と同じである。
Next, an example of a method for manufacturing the printed wiring board 10 shown in FIG. 1B will be described with reference to FIGS. In this manufacturing method, the columnar conductor pins 252 are joined by the conductive adhesive 32 or brazing instead of the welding process of the wire-shaped conductor pins 251 in the manufacturing process of FIGS. Other points are the same as the manufacturing process of the printed wiring board 1 of FIG. 1A described above.
すなわち、図３Ａ〜３Ｂの工程は、前述の図２Ａ〜２Ｂと同じで、その説明は省略されるが、支持板８０上のベース金属箔８１上に、埋め込み配線導体層２１の各パターン２１ａ、２１ｂが電解めっきなどにより形成される。
3A to 3B are the same as those in FIGS. 2A to 2B described above, and the description thereof is omitted. However, each pattern 21a of the embedded wiring conductor layer 21 is formed on the base metal foil 81 on the support plate 80. 21b is formed by electrolytic plating or the like.
その後、図３Ｃに示されるように、柱状導体ピン２５２が、例えばＡｇペーストなどからなる導電性接着剤３２（接合手段３０）により接着される。この導電性接着剤３２に代えて、Ａｇロウなどの低融点のロウ材により接着されてもよい。この接着剤３２としては、ハンダリフローの際の温度より高い融点を有していることが好ましい。ハンダ材でも、通常のリフロー炉の温度よりも高い融点を有するハンダ材は使用され得る。このような高融点ハンダもロウ材に含まれる。例えばＳｎハンダなどが用いられ、予め柱状導体ピン２５２の接合面にＳｎ層が形成され、そのＳｎ層が溶融されることにより埋め込み配線導体層２１と接合されてもよい。柱状導体ピン２５２は、例えば太さが直径φ５０〜２６０μｍ程度の太さで、長さが５０〜２００μｍ程度の長さで予め形成される。その柱状導体ピン２５２の一方の端面が埋め込み配線導体層２１の第１パターン２１ａの露出面に接着される。
Thereafter, as shown in FIG. 3C, the columnar conductor pins 252 are bonded by a conductive adhesive 32 (joining means 30) made of, for example, Ag paste or the like. Instead of the conductive adhesive 32, a low melting point brazing material such as Ag brazing may be used. The adhesive 32 preferably has a melting point higher than the temperature during solder reflow. As the solder material, a solder material having a melting point higher than that of a normal reflow furnace can be used. Such high melting point solder is also included in the brazing material. For example, Sn solder or the like may be used, and an Sn layer may be formed on the joint surface of the columnar conductor pins 252 in advance, and the Sn layer may be melted to be joined to the embedded wiring conductor layer 21. The columnar conductor pins 252 are formed in advance with a thickness of about 50 to 260 μm in diameter and a length of about 50 to 200 μm, for example. One end face of the columnar conductor pin 252 is bonded to the exposed surface of the first pattern 21 a of the embedded wiring conductor layer 21.
また、例えば図４Ａに示されるように、柱状導体ピン２５２の周囲の全体にＳｎめっきが施され、導電性接着剤３３（３０）とされてもよい。このように、全面にＳｎめっきが施されることにより、柱状導体ピン２５２の反対面、すなわち樹脂絶縁層２０の第２面２０ｂ側に露出する端面２５ａに、前述の表面保護材料を形成することなく、表面保護膜となる。また、この端面２５ａにマザーボードやインターポーザなどが接続される際のハンダ材との密着性が良くなる。また、導電性接着剤３３（３０）そのものがマザーボードやインターポーザとの接合材とされてもよい。
For example, as shown in FIG. 4A, Sn plating may be applied to the entire periphery of the columnar conductor pin 252 to form the conductive adhesive 33 (30). In this way, the above-mentioned surface protective material is formed on the opposite surface of the columnar conductor pin 252, that is, the end surface 25 a exposed on the second surface 20 b side of the resin insulating layer 20, by Sn plating on the entire surface. It becomes a surface protective film. In addition, adhesion to a solder material when a mother board, an interposer, or the like is connected to the end face 25a is improved. Further, the conductive adhesive 33 (30) itself may be a bonding material for a mother board or an interposer.
さらに、図４Ｂに示されるように、柱状導体ピン２５２の接合される面に鍔部２５２ａが形成される構造であれば、埋め込み配線導体層２１の第１パターン２１ａとの接触面積が大きくなり、接合強度が向上する。なお、鍔部２５２ａは図４Ｂに示されるように凸曲面に形成されてもよいし、平面状に形成されていてもよい。或いは、鍔部２５２ａは、図４Ｂに示されるように凸曲面に形成されるのではなく、突出部が表面に形成されていてもよい。また、鍔部２５２ａは、柱状導体ピン２５２の側面から全方位に拡幅された平面視で円形状の部分であってよく、四方それぞれに向って突出してなる平面視で十字形状の部分であってもよい。
Furthermore, as shown in FIG. 4B, if the flange portion 252a is formed on the surface to which the columnar conductor pins 252 are joined, the contact area between the embedded wiring conductor layer 21 and the first pattern 21a increases. Bonding strength is improved. In addition, the collar part 252a may be formed in a convex curved surface as FIG. 4B shows, and may be formed in planar shape. Or the collar part 252a is not formed in a convex curved surface as FIG. 4B shows, but the protrusion part may be formed in the surface. Further, the flange portion 252a may be a circular portion in a plan view widened in all directions from the side surface of the columnar conductor pin 252, and may be a cross-shaped portion in a plan view that protrudes in each of four directions. Also good.
その後、埋め込み配線導体層２１の露出面および柱状導体ピン２５２の露出面に粗面化処理が行われることは前述の実施形態と同じであり、その後、図３Ｄに示されるように、樹脂絶縁層２０により接続導体２５の側面および埋め込み配線導体層２１の露出面が樹脂絶縁層２０により被覆される。この樹脂絶縁層２０の形成は、前述の例と同様に、モールド用の樹脂を流し込む方法で形成される。しかし、モールド用の樹脂を用いないでプリプレグなどの半硬化状態の樹脂フィルムが用いられてもよい。この樹脂フィルムがこの柱状導体ピン２５２の上に重ねて積層され、熱プレス法により温度を上げて圧接されてもよい。このようにすることにより、柱状導体ピン２５２の周囲に樹脂絶縁層２０が流れ込んで周囲に密着する。
Thereafter, the roughening treatment is performed on the exposed surface of the embedded wiring conductor layer 21 and the exposed surface of the columnar conductor pin 252 as in the above-described embodiment. Thereafter, as shown in FIG. 20, the side surface of the connection conductor 25 and the exposed surface of the embedded wiring conductor layer 21 are covered with the resin insulating layer 20. The resin insulating layer 20 is formed by a method of pouring a molding resin as in the above example. However, a semi-cured resin film such as a prepreg may be used without using a molding resin. The resin film may be laminated on the columnar conductor pins 252 and may be pressed by raising the temperature by a hot press method. By doing so, the resin insulating layer 20 flows around the columnar conductor pins 252 and adheres closely to the periphery.
この観点からは、図３Ｃ〜３Ｄの工程を経ないで、例えば図４Ｃに示されるように、別の方法で形成されてもよい。すなわち、プリプレグなどの樹脂フィルム２０１に、予め柱状導体ピン２５２が、接続導体２５の形成位置に埋め込まれる。その樹脂フィルム２０１を有する柱状導体ピン２５２が、図３Ｃに示されるように、埋め込み配線導体層２１の第１パターン２１ａに導電性接着剤３２により固着される。その後に、樹脂フィルム２０１が熱プレスにより温度を上昇させて圧接されることにより、埋め込み配線導体層２１の各パターンの周囲および柱状導体ピン２５２の周囲に、流れ込む。その結果、埋め込み配線導体層２１や柱状導体ピン１５２の周囲に樹脂絶縁層２０が密着して接着される。
From this point of view, it may be formed by another method, for example, as shown in FIG. 4C without going through the steps of FIGS. That is, the columnar conductor pins 252 are embedded in the resin conductor 201 such as a prepreg in advance at the position where the connection conductor 25 is formed. The columnar conductor pins 252 having the resin film 201 are fixed to the first pattern 21a of the embedded wiring conductor layer 21 by the conductive adhesive 32 as shown in FIG. 3C. Thereafter, the resin film 201 is pressed by increasing the temperature by hot pressing, and flows into the periphery of each pattern of the embedded wiring conductor layer 21 and the periphery of the columnar conductor pins 252. As a result, the resin insulating layer 20 is adhered and adhered around the embedded wiring conductor layer 21 and the columnar conductor pins 152.
このような柱状導体ピン２５２と樹脂フィルム２０１とが予め組み立てられた状態で埋め込み配線導体層２１と接合されることにより、製造工程が簡単になる。細くて小さい柱状導体ピン２５２を１個ずつ所定の場所にセッティングする必要がなくなる。組立工程が非常に容易になり得る。
Such a columnar conductor pin 252 and the resin film 201 are joined to the embedded wiring conductor layer 21 in a preassembled state, thereby simplifying the manufacturing process. It is not necessary to set the thin and small columnar conductor pins 252 one by one at a predetermined location. The assembly process can be very easy.
その後は、前述の実施形態の図２Ｅ〜２Ｆの工程と同様である。すなわち、図３Ｅ〜３Ｆに示されるように、樹脂絶縁層２０の表面の平坦化が行われ、支持板８０が除去される。さらにベース金属箔８１がエッチングにより除去される。それにより、図１Ｂに示される構造のプリント配線板１０が得られる。この場合の埋め込み配線導体層２１の露出面が樹脂絶縁層２０の第１面２０ａからの凹み量および接続導体２５の端面２５ａの樹脂絶縁層２０の第２面２０ｂからの凹み量の関係も前述の実施形態と同じ関係になる。
Thereafter, the process is the same as the process of FIGS. 2E to 2F of the above-described embodiment. That is, as shown in FIGS. 3E to 3F, the surface of the resin insulating layer 20 is planarized, and the support plate 80 is removed. Further, the base metal foil 81 is removed by etching. Thereby, the printed wiring board 10 having the structure shown in FIG. 1B is obtained. In this case, the exposed surface of the embedded wiring conductor layer 21 has a relationship between the amount of dent from the first surface 20a of the resin insulating layer 20 and the amount of dent from the second surface 20b of the resin insulating layer 20 of the end surface 25a of the connecting conductor 25. It becomes the same relationship as the embodiment.
これらの実施形態によれば、接続導体２５と埋め込み配線導体層２１とが、溶接、ロウ付け、接着剤などの非常に強力な接着手段により接続されている。そのため、製品化後の動作によるヒートサイクルの負荷がかかっても、両者間の接合部にクラックや剥離が発生し難い。すなわち、従来の樹脂絶縁層に孔加工をして接続導体が埋め込まれる構造では、不純物の影響により接合部にクラックや剥離が生じやすい。しかし、実施形態のプリント配線板によればそのような問題は少ない。その結果、電気抵抗の増大もなく、非常に信頼性の高い高特性のプリント配線板が得られる。また、製造においても、電解めっきなどを行うことなく接続導体を形成することができるため、非常に簡単で安価に製造することができる。
According to these embodiments, the connection conductor 25 and the embedded wiring conductor layer 21 are connected by a very strong adhesive means such as welding, brazing, or adhesive. For this reason, even if a heat cycle load is applied due to the operation after commercialization, cracks and peeling are unlikely to occur at the joint between the two. That is, in the conventional structure in which the hole is formed in the resin insulating layer and the connection conductor is embedded, cracks and peeling are likely to occur at the joint due to the influence of impurities. However, the printed wiring board according to the embodiment has few such problems. As a result, it is possible to obtain a highly reliable printed wiring board with high reliability without an increase in electrical resistance. Further, since the connection conductor can be formed without performing electroplating or the like in manufacturing, it can be manufactured very simply and inexpensively.
