JP2016205892A

JP2016205892A - Radiation detection device and radiation detection system

Info

Publication number: JP2016205892A
Application number: JP2015085165A
Authority: JP
Inventors: 井上　正人; Masato Inoue; 正人井上; 石井　孝昌; Takamasa Ishii; 孝昌石井; 陽平石田; Yohei Ishida
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2015-04-17
Filing date: 2015-04-17
Publication date: 2016-12-08

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the warpage of a sensor panel due to a difference of the amount of thermal expansion between an electromagnetic shield layer and the sensor panel.SOLUTION: A radiation detection device 1 includes: a sensor panel 101 on which a plurality of photoelectric conversion elements are planarly arrayed; a scintillator 102 which overlies the sensor panel 101 and which converts an incident radiation into light detectable by the photoelectric conversion elements; and an electromagnetic shield layer 103 which overlies a surface opposite to the sensor panel 101 in the scintillator 102, so as to block noise. The electromagnetic shield layer 103 is divided into a plurality of areas.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、放射線検出装置および放射線検出システムに関する。 The present invention relates to a radiation detection apparatus and a radiation detection system.

特許文献１には、放射線検出装置の構成が記載されている。この放射線検出装置は、放射線が入射する側から順に、光センサが設けられたセンサパネルと、入射した放射線を光センサが検出できる光に変換するシンチレータと、シンチレータを包む保護層と、シンチレータの光を反射させる反射層とが積層する構成を有する。保護膜には、熱ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法等の気相重合で得られる有機膜が用いられる。反射層には、波長選択性を有するダイクロイックフィルタが適用される。ダイクロイックフィルタは、加熱状態での蒸着法により形成される。このように、放射線検出装置は、複数の異なる材質の部材が積層された構成を有する。このような構成であると、組み付け工程における加熱と冷却により、部材どうしの熱伸縮量の相違に起因して、組み付け後の放射線検出装置に反りが発生する。この反りが大きくなると、その後の製造工程の部品実装において実装ずれが発生して実装ができないことがある。 Patent Document 1 describes the configuration of a radiation detection apparatus. This radiation detection apparatus includes, in order from the side on which radiation is incident, a sensor panel provided with an optical sensor, a scintillator that converts incident radiation into light that can be detected by the optical sensor, a protective layer that wraps the scintillator, and light from the scintillator And a reflective layer that reflects the light. As the protective film, an organic film obtained by gas phase polymerization such as thermal CVD or plasma CVD is used. A dichroic filter having wavelength selectivity is applied to the reflective layer. The dichroic filter is formed by a vapor deposition method in a heated state. In this way, the radiation detection apparatus has a configuration in which a plurality of members made of different materials are stacked. With such a configuration, warping occurs in the radiation detection apparatus after assembly due to the difference in thermal expansion / contraction amount between the members due to heating and cooling in the assembly process. If this warpage becomes large, mounting deviation may occur in component mounting in the subsequent manufacturing process, and mounting may not be possible.

特開２０１２−２２９９４０号公報JP 2012-229940 A

ところで、センサパネルをノイズから保護するために、センサパネルを電磁シールド層で覆いたいという要求がある。しかしながら、電磁シールド層をシンチレータ層などに積層して接合すると、前述と同様に、電磁シールド層とセンサパネルとの熱膨張量の差によってセンサパネルに反りが生じることがある。本発明は、上記の課題認識を契機としてなされたものであり、電磁シールド層とセンサパネルとの熱膨張量の差によって生じる反りを低減することを目的とする。 By the way, in order to protect the sensor panel from noise, there is a demand for covering the sensor panel with an electromagnetic shield layer. However, when the electromagnetic shield layer is laminated and joined to the scintillator layer or the like, the sensor panel may be warped due to the difference in thermal expansion between the electromagnetic shield layer and the sensor panel, as described above. The present invention has been made in light of the above problem recognition, and an object thereof is to reduce warpage caused by a difference in thermal expansion between an electromagnetic shield layer and a sensor panel.

本発明は、複数の光電変換素子が配列されたセンサパネルと、前記センサパネルに積層して配置され、入射した放射線を前記光電変換素子が検出可能な光に変換するシンチレータと、導電性材料からなる導電層を有し、前記シンチレータの前記センサパネルとは反対側の面に積層して配置される電磁シールド層と、を有し、前記電磁シールド層は複数に分割されていることを特徴とする。 The present invention includes a sensor panel in which a plurality of photoelectric conversion elements are arrayed, a scintillator that is arranged in a stacked manner on the sensor panel and converts incident radiation into light that can be detected by the photoelectric conversion elements, and a conductive material. An electromagnetic shield layer disposed on a surface opposite to the sensor panel of the scintillator, and the electromagnetic shield layer is divided into a plurality of layers. To do.

本発明によれば電磁シールド層を複数に分割することにより、電磁シールド層の熱変形量を小さくできる。このため、電磁シールド層とセンサパネルとの熱膨張量の差によって生じるセンサパネルの反りを低減できる。 According to the present invention, the amount of thermal deformation of the electromagnetic shield layer can be reduced by dividing the electromagnetic shield layer into a plurality of pieces. For this reason, the curvature of the sensor panel caused by the difference in thermal expansion between the electromagnetic shield layer and the sensor panel can be reduced.

本発明の実施形態の放射線検出装置の断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram of the radiation detection apparatus of embodiment of this invention. 本発明の実施形態の放射線検出装置の平面模式図である。1 is a schematic plan view of a radiation detection apparatus according to an embodiment of the present invention. 電磁シールド層の分割構造の第２の例を示す平面模式図である。It is a plane schematic diagram which shows the 2nd example of the division structure of an electromagnetic shielding layer. 電磁シールド層の分割構造の第３の例を示す平面模式図である。It is a plane schematic diagram which shows the 3rd example of the division structure of an electromagnetic shielding layer. 電磁シールド層の分割構造の第４の例を示す平面模式図である。It is a plane schematic diagram which shows the 4th example of the division structure of an electromagnetic shielding layer. 電磁シールド層の分割構造の第５の例を示す平面模式図である。It is a plane schematic diagram which shows the 5th example of the division structure of an electromagnetic shielding layer. 電磁シールド層の分割構造の第６の例を示す平面模式図である。It is a plane schematic diagram which shows the 6th example of the division structure of an electromagnetic shielding layer. 放射線検出システムの構成例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structural example of a radiation detection system.

（放射線検出装置）
以下に、本発明の実施形態に係る放射線検出装置について、図を用いて説明する。図１は、本発明の実施形態に係る放射線検出装置１の構成例を断面模式図である。図２は、その平面模式図である。なお、図１の矢印Ｘは、放射線検出装置１に入射する放射線の方向を示す。 (Radiation detector)
Hereinafter, a radiation detection apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a configuration example of a radiation detection apparatus 1 according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a schematic plan view thereof. An arrow X in FIG. 1 indicates the direction of radiation incident on the radiation detection apparatus 1.

図１において、１０１は、センサパネルである。センサパネル１０１は、ガラスなどの電気的な絶縁性を有する基板と、この基板の表面に配列された複数の光電変換素子およびスイッチング素子と、光電変換素子からの電気信号を伝達する配線およびスイッチング素子を駆動する信号を伝達する配線とを有する。光電変換素子とスイッチング素子とにより画素が構成される。そして、センサパネル１０１には、複数の画素が２次元マトリックス状に配列された画素領域が設けられる。さらに、センサパネル１０１には、光電変換素子とスイッチング素子と配線とを被覆して保護する保護膜と、この保護膜の表面に設けられるパッシベーション膜とを有する。 In FIG. 1, reference numeral 101 denotes a sensor panel. The sensor panel 101 includes an electrically insulating substrate such as glass, a plurality of photoelectric conversion elements and switching elements arranged on the surface of the substrate, and wiring and switching elements that transmit electric signals from the photoelectric conversion elements And a wiring for transmitting a signal for driving. A pixel is constituted by the photoelectric conversion element and the switching element. The sensor panel 101 is provided with a pixel region in which a plurality of pixels are arranged in a two-dimensional matrix. Further, the sensor panel 101 includes a protective film that covers and protects the photoelectric conversion element, the switching element, and the wiring, and a passivation film provided on the surface of the protective film.

１０２はシンチレータ（蛍光体）である。シンチレータ１０２は、入射した放射線により励起し、光電変換素子が検出可能な波長帯域の光を発する。シンチレータ１０２は、センサパネル１０１の画素領域を覆うように、センサパネル１０１の一方の表面に積層して配置される。シンチレータ１０２には、例えば、柱状結晶構造を有するＣｓＩ（Ｔｌ）などの蛍光体が適用できる。ただし、シンチレータ１０２は、これに限定されるものではなく、公知の各種構成が適用できる。また、図１に示すように、放射線検出装置１は裏面入射方式であり、シンチレータ１０２は、センサパネル１０１に放射線Ｘを入射させる側とは反対側の面に配置される。 Reference numeral 102 denotes a scintillator (phosphor). The scintillator 102 is excited by incident radiation and emits light in a wavelength band that can be detected by the photoelectric conversion element. The scintillator 102 is stacked on one surface of the sensor panel 101 so as to cover the pixel region of the sensor panel 101. For the scintillator 102, for example, a phosphor such as CsI (Tl) having a columnar crystal structure can be applied. However, the scintillator 102 is not limited to this, and various known configurations can be applied. As shown in FIG. 1, the radiation detection apparatus 1 is of a back-side incidence type, and the scintillator 102 is disposed on the surface opposite to the side on which the radiation X is incident on the sensor panel 101.

図２において、１０５はフレキシブル回路板であり、１０６は電気回路板であり、１０７はフレキシブル回路板であり、１０８は電気回路板である。フレキシブル回路板１０５は、センサパネル１０１が出力したアナログ形式の電気信号を電気回路板１０６に伝達する。電気回路板１０６には、センサパネル１０１が出力した電気信号をアナログ形式からデジタル形式に変換する電気回路が設けられる。電気回路板１０８には、センサパネル１０１を駆動する駆動信号を発生させる駆動回路が設けられる。フレキシブル回路板１０７は、電気回路板１０８の駆動回路が発生させた駆動信号をセンサパネル１０１に伝達する。 In FIG. 2, 105 is a flexible circuit board, 106 is an electric circuit board, 107 is a flexible circuit board, and 108 is an electric circuit board. The flexible circuit board 105 transmits an analog electric signal output from the sensor panel 101 to the electric circuit board 106. The electric circuit board 106 is provided with an electric circuit for converting an electric signal output from the sensor panel 101 from an analog format to a digital format. The electric circuit board 108 is provided with a drive circuit that generates a drive signal for driving the sensor panel 101. The flexible circuit board 107 transmits a drive signal generated by the drive circuit of the electric circuit board 108 to the sensor panel 101.

図１と図２において、１０３は電磁シールド層である。電磁シールド層１０３は、電磁波（ノイズ）を遮断する機能を有する。放射線検出装置１は、微弱な電気信号を扱うため、他の装置からの電磁波に対する耐性を有する（ＥＭＳを有する）ことが好ましい。また、放射線検出装置１は、外部に電磁波を放出しない（ＥＭＩを生じない）ことが好ましい。このように、放射線検出装置１には、ＥＭＣ（Electro-Magnetic Compatibility）を有する構成であることが好ましい。そこで、本実施形態では、ＥＭＣのために電磁シールド層１０３が設けられる。 1 and 2, reference numeral 103 denotes an electromagnetic shield layer. The electromagnetic shield layer 103 has a function of blocking electromagnetic waves (noise). Since the radiation detection apparatus 1 handles weak electric signals, it is preferable that the radiation detection apparatus 1 has resistance to electromagnetic waves from other apparatuses (has EMS). Moreover, it is preferable that the radiation detection apparatus 1 does not emit electromagnetic waves to the outside (does not generate EMI). Thus, it is preferable that the radiation detection apparatus 1 has a configuration having EMC (Electro-Magnetic Compatibility). Therefore, in this embodiment, the electromagnetic shield layer 103 is provided for EMC.

さらに、電磁シールド層１０３は、シンチレータ１０２が発した光を反射する機能と、外部からシンチレータ１０２に光が入射しないように遮光する機能と、シンチレータ１０２を外力による損傷から保護する機能と、外部からの水分の浸入を防止する機能を有する。ただし、電磁シールド層１０３は、シンチレータ１０２を外力による損傷から保護する機能や、外部からの水分の浸入を防止する機能を有する部材（保護膜）とは別部材であってもよい。 Furthermore, the electromagnetic shield layer 103 has a function of reflecting light emitted from the scintillator 102, a function of shielding light so that light does not enter the scintillator 102 from the outside, a function of protecting the scintillator 102 from damage due to external force, It has a function to prevent moisture from entering. However, the electromagnetic shield layer 103 may be a separate member from a member (protective film) having a function of protecting the scintillator 102 from damage due to an external force and a function of preventing moisture from entering from the outside.

電磁シールド層１０３は、基材層１１１と、基材層１１１の一方の表面に積層して配置される導電層１１２と、導電層１１２の表面に積層して配置される熱可塑性樹脂層１１３との積層構造を有する。電磁シールド層１０３は、図１と図２に示すように、シンチレータ１０２の表面および側面の全体を被覆する。さらに、電磁シールド層１０３の周縁部は、シンチレータ１０２の外周縁の外側において、センサパネル１０１に密着している。 The electromagnetic shielding layer 103 includes a base material layer 111, a conductive layer 112 that is stacked on one surface of the base material layer 111, and a thermoplastic resin layer 113 that is stacked on the surface of the conductive layer 112. It has the laminated structure. As shown in FIGS. 1 and 2, the electromagnetic shield layer 103 covers the entire surface and side surfaces of the scintillator 102. Further, the peripheral edge portion of the electromagnetic shield layer 103 is in close contact with the sensor panel 101 outside the outer peripheral edge of the scintillator 102.

基材層１１１は、導電層１１２や熱可塑性樹脂層１１３を保持する。基材層１１１には、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、アクリル樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体（ＡＢＳ）、セルロース、エポキシ樹脂、フッ素樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリプロピレン、ポリウレタン、シリコーン、ビニル重合体、ビニル共重合体などのシートが適用できる。 The base material layer 111 holds the conductive layer 112 and the thermoplastic resin layer 113. For the base material layer 111, for example, polyethylene terephthalate (PET), acrylic resin, acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer (ABS), cellulose, epoxy resin, fluororesin, polyamide, polycarbonate, polyimide, polypropylene, polyurethane, silicone, vinyl A sheet of a polymer, a vinyl copolymer or the like can be applied.

導電層１１２は、導電性材料により形成される。そして、導電層１１２に定電位が供給されることによって、ノイズ除去の効果の向上を図っている。さらに導電層１１２は、外部からシンチレータ１０２に光が入射することを防止する遮光機能と、シンチレータ１０２が発する光をセンサパネル１０１に向けて反射する機能と、外部からの水分の浸入を防止する防水機能とを有する。シンチレータ１０２が発する光を反射することにより、センサパネル１０１の光電変換素子に入射する光量を多くできる。また、シンチレータ１０２として適用されるＣｓＩ（Ｔｌ）は潮解性を有し、水分により変質しやすいため、外部からの水分の浸入を防止することにより、シンチレータ１０２の水分による変質から保護する。このため導電層１１２は、導電性に加え、遮光性と、高い反射率と、防水性とを有する材料により形成される。このような材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ロジウム（Ｒｈ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）などの金属材料が適用できる。なお、導電層１１２は、基材層１１１の表面にシート状の金属材料が貼付されることによって形成されてもよく、基材層１１１の表面に金属材料を蒸着することによって形成されてもよい。 The conductive layer 112 is formed using a conductive material. Then, by supplying a constant potential to the conductive layer 112, the effect of noise removal is improved. Further, the conductive layer 112 has a light shielding function for preventing light from entering the scintillator 102 from the outside, a function for reflecting light emitted from the scintillator 102 toward the sensor panel 101, and a waterproof function for preventing moisture from entering from the outside. With functions. By reflecting the light emitted from the scintillator 102, the amount of light incident on the photoelectric conversion element of the sensor panel 101 can be increased. Further, CsI (Tl) applied as the scintillator 102 has deliquescence and is easily denatured by moisture, and thus protects the scintillator 102 from being denatured by moisture by preventing entry of moisture from the outside. Therefore, the conductive layer 112 is formed of a material having light shielding properties, high reflectivity, and waterproofness in addition to conductivity. Examples of such materials include aluminum (Al), silver (Ag), chromium (Cr), copper (Cu), nickel (Ni), titanium (Ti), magnesium (Mg), rhodium (Rh), and platinum. Metal materials such as (Pt) and gold (Au) can be applied. Note that the conductive layer 112 may be formed by sticking a sheet-like metal material to the surface of the base material layer 111, or may be formed by vapor-depositing a metal material on the surface of the base material layer 111. .

熱可塑性樹脂層１１３は、シンチレータ１０２およびセンサパネル１０１に接合される層であり、導電層１１２の表面に積層して配置される。熱可塑性樹脂層１１３は、極性溶媒と溶剤と水とを含んでいないホットメルト樹脂（ホットメルト接着剤）が好適である。熱可塑性樹脂層１１３にホットメルト樹脂が適用される構成であれば、シンチレータ１０２に潮解性を有するＣｓＩ（Ｔｌ）が適用される構成において、熱可塑性樹脂層１１３がシンチレータ１０２に接触しても、シンチレータ１０２は溶解しない。 The thermoplastic resin layer 113 is a layer bonded to the scintillator 102 and the sensor panel 101, and is laminated on the surface of the conductive layer 112. The thermoplastic resin layer 113 is preferably a hot melt resin (hot melt adhesive) that does not contain a polar solvent, a solvent, and water. If the hot melt resin is applied to the thermoplastic resin layer 113, even if the thermoplastic resin layer 113 contacts the scintillator 102 in the configuration in which CsI (Tl) having deliquescence is applied to the scintillator 102, The scintillator 102 does not dissolve.

電磁シールド層１０３を固定する方法としては、熱可塑性樹脂層１１３を加熱（例えば１００〜１５０℃）して可塑化させ、その状態でシンチレータ１０２およびセンサパネル１０１に貼り合わせ、その後冷却して熱可塑性樹脂層１１３を硬化させる、という方法が用いられる。これにより、電磁シールド層１０３は、シンチレータ１０２およびセンサパネル１０１に固定される。このような構成であると、電磁シールド層１０３をシンチレータ１０２およびセンサパネル１０１に固定する際の加熱と冷却により、電磁シールド層１０３とセンサパネル１０１の熱伸縮量の相違に起因して、センサパネル１０１に反りが発生することがある。この反りが大きくなると、その後の製造工程の部品実装において実装ずれが発生して実装ができないことがある。 As a method for fixing the electromagnetic shield layer 103, the thermoplastic resin layer 113 is heated (for example, 100 to 150 ° C.) to be plasticized, and bonded to the scintillator 102 and the sensor panel 101 in that state, and then cooled to be thermoplastic. A method of curing the resin layer 113 is used. Thereby, the electromagnetic shield layer 103 is fixed to the scintillator 102 and the sensor panel 101. With such a configuration, the sensor panel is caused by the difference in thermal expansion and contraction between the electromagnetic shield layer 103 and the sensor panel 101 due to heating and cooling when the electromagnetic shield layer 103 is fixed to the scintillator 102 and the sensor panel 101. 101 may be warped. If this warpage becomes large, mounting deviation may occur in component mounting in the subsequent manufacturing process, and mounting may not be possible.

このようなセンサパネル１０１の反りは、電磁シールド層１０３の熱伸縮量が大きくなるにしたがって大きくなる。特に、本実施形態では、放射線をシンチレータ１０２の側からではなくセンサパネル１０１の側から入射させる裏面入射方式が適用されている。このような構成では、センサパネル１０１の基板による放射線の吸収量を低減するため、センサパネル１０１の基板を薄くする構成が考えられる。しかしながら、基板を薄くすると剛性が低下して変形しやすくなるから、前述の反りも大きくなる。 Such warpage of the sensor panel 101 increases as the amount of thermal expansion and contraction of the electromagnetic shield layer 103 increases. In particular, in the present embodiment, a back-side incident method is used in which radiation is incident not from the scintillator 102 side but from the sensor panel 101 side. In such a configuration, in order to reduce the amount of radiation absorbed by the substrate of the sensor panel 101, a configuration in which the substrate of the sensor panel 101 is thinned is conceivable. However, if the substrate is made thinner, the rigidity is reduced and the substrate is easily deformed, so that the above-described warpage is also increased.

そこで、本実施形態では、電磁シールド層１０３を複数に分割することによって、各々の電磁シールド層１０３の熱伸縮量を小さくし、センサパネル１０１の反りを低減する。すなわち、単一の電磁シールド層１０３をシンチレータ１０２およびセンサパネル１０１に固定するのではなく、シンチレータ１０２およびセンサパネル１０１の寸法よりも小さい寸法の複数の別体の電磁シールド層１０３ａ，１０３ｂを並べて固定する。これにより、電磁シールド層１０３が分割されていない構成、すなわち、単一の電磁シールド層１０３でシンチレータ１０２およびセンサパネル１０１を覆う構成に比較して、各々の電磁シールド層１０３ａ，１０３ｂの熱伸縮量を小さく抑えることができる。したがって、センサパネル１０１の全体の反りを小さくできる。そして、このような構成であれば、裏面入射方式の放射線検出装置１において、センサパネル１０１の基板の厚さを薄くした場合であっても、温度変化によって生じるセンサパネル１０１の全体の反りを低減できる。 Therefore, in this embodiment, by dividing the electromagnetic shield layer 103 into a plurality of parts, the amount of thermal expansion and contraction of each electromagnetic shield layer 103 is reduced, and the warp of the sensor panel 101 is reduced. That is, instead of fixing the single electromagnetic shield layer 103 to the scintillator 102 and the sensor panel 101, a plurality of separate electromagnetic shield layers 103a and 103b having dimensions smaller than the dimensions of the scintillator 102 and the sensor panel 101 are fixed side by side. To do. Thus, the amount of thermal expansion and contraction of each of the electromagnetic shield layers 103a and 103b is compared with a configuration in which the electromagnetic shield layer 103 is not divided, that is, a configuration in which the scintillator 102 and the sensor panel 101 are covered with a single electromagnetic shield layer 103. Can be kept small. Accordingly, the overall warpage of the sensor panel 101 can be reduced. With such a configuration, in the back-illuminated radiation detection apparatus 1, even when the substrate of the sensor panel 101 is thinned, the overall warpage of the sensor panel 101 caused by a temperature change is reduced. it can.

なお、これら複数の電磁シールド層１０３ａ，１０３ｂ（１０３）は、シンチレータ１０２の表面および側面を隙間なく覆うように配置される。そして、隣接する電磁シールド層１０３ａ，１０３ｂ（１０３）は互いに一部が重畳している。このため、隣接する電磁シールド層１０３ａ，１０３ｂの導電層１１２どうしも、基材層１１１と熱可塑性樹脂層１１３とを介して互いに一部が重畳している。このような構成によれば、隣り合う電磁シールド層１０３ａ，１０３ｂ（１０３）の境界において、電磁波（ノイズ）の遮蔽の機能など、前述の各機能の低下を防止できる。 The plurality of electromagnetic shield layers 103a and 103b (103) are arranged so as to cover the surface and side surfaces of the scintillator 102 without a gap. The adjacent electromagnetic shield layers 103a and 103b (103) partially overlap each other. For this reason, the conductive layers 112 of the adjacent electromagnetic shield layers 103a and 103b partially overlap each other via the base material layer 111 and the thermoplastic resin layer 113. According to such a configuration, it is possible to prevent deterioration of the above-described functions such as a function of shielding electromagnetic waves (noise) at the boundary between the adjacent electromagnetic shield layers 103a and 103b (103).

なお、本実施形態では、電磁シールド層１０３がシンチレータ１０２を保護する機能（保護膜の機能）を有する構成を示したが、電磁シールド層１０３と、シンチレータ１０２の保護膜とは、別部材であってもよい。このような構成であっても、電磁シールド層１０３がシンチレータ１０２やセンサパネル１０１などに固定されていると、熱膨張率の相違によって熱収縮量に差が生じ、センサパネル１０１に反りが発生することがある。そこで、電磁シールド層１０３がシンチレータ１０２の保護膜と別部材である構成においても、電磁シールド層１０３を複数に分割することにより、センサパネル１０１の全体の反りを抑制できる。 In the present embodiment, the electromagnetic shield layer 103 has a function of protecting the scintillator 102 (protective film function). However, the electromagnetic shield layer 103 and the protective film of the scintillator 102 are separate members. May be. Even in such a configuration, when the electromagnetic shield layer 103 is fixed to the scintillator 102, the sensor panel 101, or the like, the difference in thermal expansion causes a difference in thermal shrinkage, causing the sensor panel 101 to warp. Sometimes. Therefore, even in a configuration in which the electromagnetic shield layer 103 is a separate member from the protective film of the scintillator 102, the entire warp of the sensor panel 101 can be suppressed by dividing the electromagnetic shield layer 103 into a plurality of parts.

複数に分割された電磁シールド層１０３ａ，１０３ｂ（１０３）の導電層１１２には定電位が供給され、ノイズ除去の効果の向上を図っている。例えば、各々の電磁シールド層１０３ａ，１０３ｂ（１０３）の導電層１１２は接地されている。また、複数の電磁シールド層１０３ａ，１０３ｂ（１０３）のうちの１つの電磁シールド層１０３（例えば、第１の電磁シールド層１０３ａ）の導電層１１２が接地され、他の電磁シールド層１０３（例えば、第２の電磁シールド層１０３ｂ）の導電層１１２は、接地されている電磁シールド層１０３の導電層１１２に電気的に接続される構成であってもよい。このような構成により、複数の電磁シールド層１０３ａ，１０３ｂ（１０３）の導電層１１２の全てに定電位が供給されて同電位となる。なお、複数の電磁シールド層１０３の導電層１１２に定電位を供給するための具体的な構成は後述する。 A constant potential is supplied to the conductive layer 112 of the electromagnetic shield layers 103a and 103b (103) divided into a plurality of parts to improve the noise removal effect. For example, the conductive layer 112 of each of the electromagnetic shield layers 103a and 103b (103) is grounded. In addition, the conductive layer 112 of one electromagnetic shield layer 103 (for example, the first electromagnetic shield layer 103a) of the plurality of electromagnetic shield layers 103a and 103b (103) is grounded, and the other electromagnetic shield layer 103 (for example, The conductive layer 112 of the second electromagnetic shield layer 103b) may be electrically connected to the conductive layer 112 of the electromagnetic shield layer 103 that is grounded. With such a configuration, a constant potential is supplied to all of the conductive layers 112 of the plurality of electromagnetic shield layers 103a and 103b (103) to have the same potential. A specific configuration for supplying a constant potential to the conductive layers 112 of the plurality of electromagnetic shield layers 103 will be described later.

（電磁シールドの分割構造の第１の例）
次いで、電磁シールド層１０３の分割構造の各例について説明する。図１と図２は、電磁シールド層１０３の分割構造の第１の例を示している。第１の例では、電磁シールド層１０３が、第１の電磁シールド層１０３ａと、第２の電磁シールド層１０３ｂとの２つに分割されている。 (First example of split structure of electromagnetic shield)
Next, each example of the divided structure of the electromagnetic shield layer 103 will be described. 1 and 2 show a first example of the divided structure of the electromagnetic shield layer 103. FIG. In the first example, the electromagnetic shield layer 103 is divided into two parts, a first electromagnetic shield layer 103a and a second electromagnetic shield layer 103b.

第１の電磁シールド層１０３ａは略四辺形で、外形寸法はシンチレータ１０２の外形寸法よりも大きい。中央部には厚さ方向に貫通する四辺形の開口が形成されており、第１の電磁シールド層１０３ａは、全体として、略四辺形の額縁状の形状を有する。そして、第１の電磁シールド層１０３ａは、シンチレータ１０２の表面の外周部を覆うとともに、シンチレータ１０２の側面を覆う。さらに、第１の電磁シールド層１０３ａの外周縁部は、シンチレータ１０２の外側に延出しており、センサパネル１０１の画素領域の外側に固定されている。第２の電磁シールド層１０３ｂは、第１の電磁シールド層１０３ａの開口部と略相似の四辺形で、この開口部よりも大きい寸法を有する。第２の電磁シールド層１０３ｂは、第１の電磁シールド層１０３ａの開口部を塞ぐように、すなわち、第１の電磁シールド層１０３ａの開口部から露出するシンチレータ１０２を覆うように配置されて固定される。第２の電磁シールド層１０３ｂの外周縁部と第１の電磁シールド層１０３ａの開口の内周縁部とは重畳している。 The first electromagnetic shield layer 103 a is substantially quadrangular, and the outer dimension is larger than the outer dimension of the scintillator 102. A quadrilateral opening penetrating in the thickness direction is formed in the central portion, and the first electromagnetic shield layer 103a has a substantially quadrangular frame shape as a whole. The first electromagnetic shield layer 103 a covers the outer peripheral portion of the surface of the scintillator 102 and covers the side surface of the scintillator 102. Further, the outer peripheral edge portion of the first electromagnetic shield layer 103 a extends to the outside of the scintillator 102 and is fixed to the outside of the pixel region of the sensor panel 101. The second electromagnetic shield layer 103b is a quadrangle substantially similar to the opening of the first electromagnetic shield layer 103a, and has a size larger than this opening. The second electromagnetic shield layer 103b is disposed and fixed so as to close the opening of the first electromagnetic shield layer 103a, that is, to cover the scintillator 102 exposed from the opening of the first electromagnetic shield layer 103a. The The outer peripheral edge of the second electromagnetic shield layer 103b and the inner peripheral edge of the opening of the first electromagnetic shield layer 103a overlap each other.

第１の例によれば、電磁シールド層１０３は、第１の電磁シールド層１０３ａと、第２の電磁シールド層１０３ｂとに分割されている。このため、単一の電磁シールド層１０３でシンチレータ１０２およびセンサパネル１０１を被覆する構成に比較して、各々の電磁シールド層１０３ａ，１０３ｂの寸法を小さくできる。したがって、センサパネル１０１と電磁シールド層１０３ａ，１０３ｂの熱膨張率の差によって生じるセンサパネル１０１の反りを小さくできる。特に、第１の例によれば、第１の電磁シールド層１０３ａと第２の電磁シールド層１０３ｂの両方について、センサパネル１０１の対角線方向の寸法を小さくできる。したがって、このような構成によれば、センサパネル１０１の対角線方向に掛かる力を小さくできるから、センサパネル１０１の対角線方向の反りを小さくできる。 According to the first example, the electromagnetic shield layer 103 is divided into a first electromagnetic shield layer 103a and a second electromagnetic shield layer 103b. For this reason, compared with the structure which covers the scintillator 102 and the sensor panel 101 with the single electromagnetic shielding layer 103, the dimension of each electromagnetic shielding layer 103a, 103b can be made small. Therefore, the warpage of the sensor panel 101 caused by the difference in thermal expansion coefficient between the sensor panel 101 and the electromagnetic shield layers 103a and 103b can be reduced. In particular, according to the first example, the diagonal dimension of the sensor panel 101 can be reduced for both the first electromagnetic shield layer 103a and the second electromagnetic shield layer 103b. Therefore, according to such a configuration, since the force applied to the diagonal direction of the sensor panel 101 can be reduced, the warpage of the sensor panel 101 in the diagonal direction can be reduced.

ここで、電磁シールド層１０３の導電層１１２に定電位を供給する構成について説明する。第１の電磁シールド層１０３ａには、定電位を供給する定電位端子部１１４が設けられる。定電位端子部１１４は導電性の材料からなり、第１の電磁シールド層１０３ａの導電層１１２に電気的に接続されるとともに接地されている。例えば、定電位端子部１１４は、第１の電磁シールド層１０３ａの外周縁から面方向外側に延伸し、センサパネル１０１や、電気回路板１０６や、電気回路板１０８に設けられる接地された配線パターン（ＧＮＤパターン）に電気的に接続される。このほか、定電位端子部１１４は、図略の電源回路から固定電位が供給される配線パターンに電気的に接続されてもよい。また、定電位端子部１１４は、第１の電磁シールド層１０３ａの導電層１１２に一体に設けられる構成であってもよい。すなわち、第１の電磁シールド層１０３ａの導電層１１２に、外周縁から局所的に面方向の外側に向かって延出する部分を設け、この部分を定電位端子部１１４としてもよい。第２の電磁シールド層１０３ｂにも、第１の電磁シールド層１０３ａと同様の定電位端子部１１４が設けられる。このような構成によれば、第１の電磁シールド層１０３ａと第２の電磁シールド層１０３ａの導電層１１２は、定電位が供給されて同電位に維持される。なお、第２の電磁シールド層１０３ｂの定電位端子部１１４は、第１の電磁シールド層１０３ａの導電層１１２に電気的に接続される構成であってもよい。要は、第１の電磁シールド層１０３ａと第２の電磁シールド層１０３ｂの導電層１１２が、定電位が供給される部分に電気的に接続される構成であればよい。 Here, a configuration for supplying a constant potential to the conductive layer 112 of the electromagnetic shield layer 103 will be described. The first electromagnetic shield layer 103a is provided with a constant potential terminal portion 114 that supplies a constant potential. The constant potential terminal portion 114 is made of a conductive material, and is electrically connected to the conductive layer 112 of the first electromagnetic shield layer 103a and grounded. For example, the constant potential terminal portion 114 extends from the outer peripheral edge of the first electromagnetic shield layer 103a to the outside in the surface direction, and is connected to the grounded wiring pattern provided on the sensor panel 101, the electric circuit board 106, or the electric circuit board 108. It is electrically connected to (GND pattern). In addition, the constant potential terminal portion 114 may be electrically connected to a wiring pattern to which a fixed potential is supplied from a power supply circuit (not shown). Further, the constant potential terminal portion 114 may be configured to be provided integrally with the conductive layer 112 of the first electromagnetic shield layer 103a. That is, the conductive layer 112 of the first electromagnetic shield layer 103a may be provided with a portion that extends locally from the outer periphery toward the outside in the surface direction, and this portion may be used as the constant potential terminal portion 114. The second electromagnetic shield layer 103b is also provided with a constant potential terminal portion 114 similar to the first electromagnetic shield layer 103a. According to such a configuration, the conductive layers 112 of the first electromagnetic shield layer 103a and the second electromagnetic shield layer 103a are supplied with a constant potential and maintained at the same potential. The constant potential terminal portion 114 of the second electromagnetic shield layer 103b may be electrically connected to the conductive layer 112 of the first electromagnetic shield layer 103a. The point is that the conductive layer 112 of the first electromagnetic shield layer 103a and the second electromagnetic shield layer 103b may be electrically connected to a portion to which a constant potential is supplied.

（電磁シールド層の分割構造の第２の例）
次いで、電磁シールド層１０３の分割構造の第２の例について説明する。図３は、電磁シールド層１０３の分割構造の第２の例を示す模式図である。第２の例では、電磁シールド層１０３は、第３〜第５の電磁シールド層１０３ｃ〜１０３ｅの３つに分割されている。第３と第４の電磁シールド層１０３ｃ，１０３ｄは、第１の例の第１の電磁シールド層１０３ａに対応し、中央部に開口部が形成された額縁状の形状を有する。また、第３の電磁シールド層１０３ｃの外形寸法は、シンチレータ１０２の外形寸法より大きい。第４の電磁シールド層１０３ｄの外形寸法は、第３の電磁シールド層１０３ｃの開口部の内周縁の寸法よりも大きい。第５の電磁シールド層１０３ｅは、第１の例に示す第２の電磁シールド層１０３ｂに対応し、第４の電磁シールド層１０３ｄの開口部と略相似形の形状を有する。第５の電磁シールド層１０３ｅの外形寸法は、第４の電磁シールド層１０３ｄの開口部の内周縁の寸法よりも大きい。そして、第３の電磁シールド層１０３ｃがシンチレータ１０２の外周部および側面を覆うように配置される。第３の電磁シールド層１０３ｃの外周縁は、センサパネル１０１の画素領域の外側に重畳して固定されている。第４の電磁シールド層１０３ｄは、第３の電磁シールド層１０３ｃの開口部を塞ぐように配置される。第４の電磁シールド層１０３ｄの外周縁部は、第３の電磁シールド層１０３ｃの開口部の内周縁部に重畳している。第５の電磁シールド層１０３ｅは、第４の電磁シールド層１０３ｄの開口部を塞ぐように配置される。第５の電磁シールド層１０３ｅの外周縁部は、第４の電磁シールド層１０３ｄの開口部の内周縁部に重畳している。 (Second example of split structure of electromagnetic shield layer)
Next, a second example of the divided structure of the electromagnetic shield layer 103 will be described. FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a second example of the divided structure of the electromagnetic shield layer 103. In the second example, the electromagnetic shield layer 103 is divided into three, ie, third to fifth electromagnetic shield layers 103c to 103e. The third and fourth electromagnetic shield layers 103c and 103d correspond to the first electromagnetic shield layer 103a of the first example, and have a frame shape with an opening formed in the center. Further, the outer dimension of the third electromagnetic shield layer 103 c is larger than the outer dimension of the scintillator 102. The outer dimension of the fourth electromagnetic shield layer 103d is larger than the dimension of the inner periphery of the opening of the third electromagnetic shield layer 103c. The fifth electromagnetic shield layer 103e corresponds to the second electromagnetic shield layer 103b shown in the first example, and has a shape substantially similar to the opening of the fourth electromagnetic shield layer 103d. The outer dimension of the fifth electromagnetic shield layer 103e is larger than the dimension of the inner periphery of the opening of the fourth electromagnetic shield layer 103d. And the 3rd electromagnetic shielding layer 103c is arrange | positioned so that the outer peripheral part and side surface of the scintillator 102 may be covered. The outer peripheral edge of the third electromagnetic shield layer 103 c is fixed so as to overlap the outside of the pixel region of the sensor panel 101. The fourth electromagnetic shield layer 103d is disposed so as to close the opening of the third electromagnetic shield layer 103c. The outer peripheral edge portion of the fourth electromagnetic shield layer 103d is superimposed on the inner peripheral edge portion of the opening of the third electromagnetic shield layer 103c. The fifth electromagnetic shield layer 103e is disposed so as to close the opening of the fourth electromagnetic shield layer 103d. The outer peripheral edge of the fifth electromagnetic shield layer 103e overlaps the inner peripheral edge of the opening of the fourth electromagnetic shield layer 103d.

このように、第２の例では、電磁シールド層１０３は、第３〜第５の電磁シールド層１０３ｃ〜１０３ｅに３分割される。このため、第１の例と比較すると、各々の電磁シールド層１０３ｃ〜１０３ｅの寸法を小さくできるから、センサパネル１０１の反りをさらに低減できる。なお、第２の例では、電磁シールド層１０３が３分割される構成を示したが、分割される数は限定されない。電磁シールド層１０３が４分割以上される構成であってもよい。 As described above, in the second example, the electromagnetic shield layer 103 is divided into the third to fifth electromagnetic shield layers 103c to 103e. For this reason, since the dimension of each electromagnetic shielding layer 103c-103e can be made small compared with a 1st example, the curvature of the sensor panel 101 can further be reduced. In the second example, the configuration in which the electromagnetic shield layer 103 is divided into three is shown, but the number of division is not limited. The electromagnetic shield layer 103 may be divided into four or more parts.

なお、第３〜第５の電磁シールド層１０３ｃ〜１０３ｅの各々には、定電位端子部１１４が設けられ、これらの定電位端子部１１４を介して定電位が供給される。なお、定電位端子部１１４の構成は、第１の例と同じでよい。 Each of the third to fifth electromagnetic shield layers 103 c to 103 e is provided with a constant potential terminal portion 114, and a constant potential is supplied through these constant potential terminal portions 114. The configuration of the constant potential terminal portion 114 may be the same as that in the first example.

（電磁シールド層の分割構造の第３の例）
図４は、電磁シールド層１０３の分割構造の第３の例を示す平面模式図である。図４に示すように、第３の例では、電磁シールド層１０３が４分割される。具体的には、シンチレータ１０２の各辺に平行または直角でシンチレータ１０２の中心で交差する２本の直線により規定される４つの四辺形の領域に、それぞれ別体に分割された４つの電磁シールド層１０３ｆ〜１０３ｉが配置される。なお、隣接する電磁シールド層１０３ｆ〜１０３ｉの一部が重畳している。また、各々の電磁シールド層１０３ｆ〜１０３ｉには定電位端子部１１４が設けられており、定電位端子部１１４を介して定電位が供給されて同電位に維持される。このように、第３の例では、電磁シールド層１０３は、シンチレータ１０２の四辺に平行な方向についても分割される。このため、第３の例によれば、４つの電磁シールド層１０３ｆ〜１０３ｉの各辺のおよび対角線の長さは、シンチレータ１０２の各辺のおよび対角線の長さの約半分となる。このように、各々の電磁シールド層１０３ｆ〜１０３ｉの熱変形量は、シンチレータ１０２を１枚で覆うことができる電磁シールド層１０３に比較して小さくなるから、センサパネル１０１の全体の反りが低減される。特に、センサパネル１０１の対角線の方向のみならず、四辺に平行な方向についても、センサパネル１０１に掛かる力を低減して反りを低減できる。 (Third example of divided structure of electromagnetic shield layer)
FIG. 4 is a schematic plan view showing a third example of the divided structure of the electromagnetic shield layer 103. As shown in FIG. 4, in the third example, the electromagnetic shield layer 103 is divided into four. Specifically, four electromagnetic shielding layers divided into four quadrangular regions defined by two straight lines that are parallel or perpendicular to each side of the scintillator 102 and intersect at the center of the scintillator 102 are separately provided. 103f to 103i are arranged. A part of the adjacent electromagnetic shield layers 103f to 103i overlaps. Each of the electromagnetic shield layers 103f to 103i is provided with a constant potential terminal portion 114, and a constant potential is supplied through the constant potential terminal portion 114 and maintained at the same potential. Thus, in the third example, the electromagnetic shield layer 103 is also divided in the direction parallel to the four sides of the scintillator 102. Therefore, according to the third example, the length of each side and the diagonal line of the four electromagnetic shield layers 103f to 103i is about half of the length of each side and the diagonal line of the scintillator 102. As described above, since the amount of thermal deformation of each of the electromagnetic shield layers 103f to 103i is smaller than that of the electromagnetic shield layer 103 that can cover the scintillator 102 with one sheet, the overall warpage of the sensor panel 101 is reduced. The In particular, not only the direction of the diagonal line of the sensor panel 101 but also the direction parallel to the four sides can reduce the force applied to the sensor panel 101 and reduce the warpage.

（電磁シールド層の分割構造の第４の例）
図５は、電磁シールド層１０３の分割構造の第４の例を示す平面模式図である。第４の例では、センサパネル１０１の２本の対角線と各辺により規定される４つの三角形の領域の各々に、４つの電磁シールド層１０３ｊ〜１０３ｍの各々が配置される。このような構成であれば、電磁シールド層１０３は、センサパネル１０１の四辺に平行な方向については２分割または３分割され、対角線の方向については２分割されることになる。したがって、対角線の方向および四辺と平行な方向について、センサパネル１０１に掛かる力が低減されるから、センサパネル１０１の全体の反りが低減される。 (Fourth example of divided structure of electromagnetic shield layer)
FIG. 5 is a schematic plan view showing a fourth example of the divided structure of the electromagnetic shield layer 103. In the fourth example, each of the four electromagnetic shield layers 103j to 103m is arranged in each of four triangular regions defined by two diagonal lines and each side of the sensor panel 101. With such a configuration, the electromagnetic shield layer 103 is divided into two or three in the direction parallel to the four sides of the sensor panel 101, and is divided into two in the diagonal direction. Therefore, since the force applied to the sensor panel 101 is reduced in the diagonal direction and the direction parallel to the four sides, the overall warpage of the sensor panel 101 is reduced.

（電磁シールド層の分割構造の第５の例）
図６は、電磁シールド層１０３の分割構造の第５の例を示す平面模式図である。図６に示すように、第５の例においては、シンチレータ１０２の外周部に４つの電磁シールド層１０３ｎ〜１０３ｒが配置される。そして、４つの電磁シールド層１０３ｎ〜１０３ｑに囲まれる領域に１つの電磁シールド層１０３ｒが配置される。すなわち、第５の例は、第１の例の第１の電磁シールド層１０３ａが、第３の例と同じ態様で複数に分割された構成を有する。このような構成によれば、第１の例と第３の例の両方の効果を奏することができる。また、第１の例および第３の例と比較して、電磁シールド層１０３がさらに分割されるため、センサパネル１０１の反りのさらなる低減が達成できる。 (Fifth example of divided structure of electromagnetic shield layer)
FIG. 6 is a schematic plan view showing a fifth example of the divided structure of the electromagnetic shield layer 103. As shown in FIG. 6, in the fifth example, four electromagnetic shield layers 103 n to 103 r are arranged on the outer periphery of the scintillator 102. One electromagnetic shield layer 103r is disposed in a region surrounded by the four electromagnetic shield layers 103n to 103q. That is, the fifth example has a configuration in which the first electromagnetic shield layer 103a of the first example is divided into a plurality of parts in the same manner as the third example. According to such a configuration, the effects of both the first example and the third example can be achieved. Moreover, since the electromagnetic shield layer 103 is further divided as compared with the first example and the third example, further reduction of the warp of the sensor panel 101 can be achieved.

（電磁シールド層の分割構造の第６の例）
図７は、電磁シールド層１０３の分割構造の第６の例を示す平面模式図である。図７に示すように、第６の例においても、シンチレータ１０２の外周部に４つの電磁シールド層１０３ｓ〜１０３ｖが配置される。第６の例では、これら４つの電磁シールド層１０３ｓ〜１０３ｖは、第１の例の第１の電磁シールド層１０３ａが、第４の例と同じ態様で分割された構成を有する。そして、４つの電磁シールド層１０３ｓ〜１０３ｖに囲まれる領域に１つの電磁シールド層１０３ｗが配置される。このような構成によれば、第１の例と第４の例の両方の効果を奏することができる。また、第１の例と第４の例に比較して、電磁シールド層１０３がさらに分割されるため、さらなる反りの低減が達成できる。 (Sixth example of divided structure of electromagnetic shield layer)
FIG. 7 is a schematic plan view showing a sixth example of the divided structure of the electromagnetic shield layer 103. As shown in FIG. 7, also in the sixth example, four electromagnetic shield layers 103 s to 103 v are arranged on the outer periphery of the scintillator 102. In the sixth example, these four electromagnetic shield layers 103s to 103v have a configuration in which the first electromagnetic shield layer 103a of the first example is divided in the same manner as in the fourth example. One electromagnetic shield layer 103w is disposed in a region surrounded by the four electromagnetic shield layers 103s to 103v. According to such a configuration, the effects of both the first example and the fourth example can be achieved. Further, since the electromagnetic shield layer 103 is further divided as compared with the first example and the fourth example, further reduction of warpage can be achieved.

（放射線検出システムの例）
次に、図８を用いて、本発明の実施形態の放射線検出装置１を用いた放射線検出システムを説明する。図８は、本発明の実施形態の放射線検出装置１を用いた放射線検出システムの構成例を模式的に示す図である。図８に示すように、放射線源であるＸ線チューブ６０５０が出射した放射線６０６０（Ｘ線）は、患者あるいは被験者６０６１の胸部６０６２を透過し、本発明の実施形態の放射線検出装置１に含まれるシンチレータ１０２に入射する。シンチレータ１０２は、入射した放射線によって励起して光を発し、シンチレータ１０２が発した光は光電変換素子に入射する。この入射した光には患者あるいは被験者６０６１の体内部の情報が含まれている。放射線検出装置１は、光の入射に対応して放射線を電荷に変換して、電気的情報を得る。この情報はデジタルデータに変換され信号処理手段となるイメージプロセッサ６０７０により画像処理され制御室の表示手段となるディスプレイ６０８０で観察できる。また、この情報は電話回線６０９０等の伝送処理手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタールームなど表示手段となるディスプレイ６０８１に表示もしくは光ディスク等の記録手段に保存することができ、遠隔地の医師が診断することも可能である。また記録手段となるフィルムプロセッサ６１００により記録媒体となるフィルム６１１０に記録することもできる。 (Example of radiation detection system)
Next, a radiation detection system using the radiation detection apparatus 1 according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 8 is a diagram schematically illustrating a configuration example of a radiation detection system using the radiation detection apparatus 1 according to the embodiment of the present invention. As shown in FIG. 8, the radiation 6060 (X-rays) emitted from the X-ray tube 6050 as a radiation source passes through the chest 6062 of the patient or subject 6061 and is included in the radiation detection apparatus 1 of the embodiment of the present invention. The light enters the scintillator 102. The scintillator 102 is excited by incident radiation to emit light, and the light emitted from the scintillator 102 enters the photoelectric conversion element. This incident light includes information inside the body of the patient or subject 6061. The radiation detection apparatus 1 converts electrical radiation into electric charge in response to the incidence of light to obtain electrical information. This information is converted into digital data, image-processed by an image processor 6070 as a signal processing means, and can be observed on a display 6080 as a display means in a control room. Further, this information can be transferred to a remote place by transmission processing means such as a telephone line 6090, and can be displayed on a display 6081 serving as a display means such as a doctor room in another place or stored in a recording means such as an optical disk. It is also possible for a doctor to make a diagnosis. Moreover, it can also record on the film 6110 used as a recording medium by the film processor 6100 used as a recording means.

以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、前記実施形態は、本発明を実施するにあたっての具体例を示したに過ぎない。本発明の技術的範囲は、前記実施形態に限定されるものではない。本発明は、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能であり、それらも本発明の技術的範囲に含まれる。 As mentioned above, although embodiment of this invention was described in detail, the said embodiment only showed the specific example in implementing this invention. The technical scope of the present invention is not limited to the above embodiment. The present invention can be variously modified without departing from the gist thereof, and these are also included in the technical scope of the present invention.

Claims

A sensor panel in which a plurality of photoelectric conversion elements are arranged;
A scintillator disposed on the sensor panel and converting incident radiation into light that can be detected by the photoelectric conversion element;
An electromagnetic shield layer having a conductive layer made of a conductive material and disposed on the surface of the scintillator opposite to the sensor panel; and
Have
The radiation detection apparatus, wherein the electromagnetic shield layer is divided into a plurality of parts.

The radiation detection apparatus according to claim 1, wherein the adjacent electromagnetic shield layers partially overlap each other.

The radiation detection apparatus according to claim 1, wherein a constant potential is supplied to the conductive layers of the plurality of electromagnetic shield layers.

The plurality of electromagnetic shield layers include a first electromagnetic shield layer disposed at an outer peripheral portion of the scintillator and provided with an opening at a central portion, and a second electromagnetic shield disposed at the central portion of the scintillator and closing the opening. The radiation detection apparatus according to claim 1, further comprising a shield layer.

The radiation detection apparatus according to claim 4, wherein the first electromagnetic shield layer is further divided into a plurality of parts.

The radiation detection apparatus according to claim 4, wherein the plurality of electromagnetic shield layers are disposed in each of four regions defined by two intersecting straight lines.

The electromagnetic shield layer has a function of reflecting light emitted from the scintillator, a function of preventing light from entering from the outside, a function of preventing moisture from entering the scintillator from the outside, and an external force for the scintillator. The radiation detection apparatus according to claim 1, further comprising at least one function of protecting from radiation.

The radiation detection apparatus according to any one of claims 1 to 7,
Signal processing means for processing signals obtained by the radiation detection device;
A radiation detection system comprising: