JP2016204735A - Ceramic structure and method for manufacturing ceramic structure - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、セラミック構造体およびセラミック構造体の製造方法に関する。 The present invention relates to a ceramic structure and a method for manufacturing the ceramic structure.
従来、セラミック部材の表面に、ＣＶＤ法（化学気相蒸着法）によりＳｉＣを析出させてＣＶＤ−ＳｉＣ層を形成してセラミック構造体を製造する技術が知られている。
このようなセラミック構造体は、焼結法で製造されたＳｉＣ成形体に比較して緻密で高純度であり、耐食性、耐熱性、強度特性にも優れているため、半導体製造装置用の加熱ヒータやエッチング装置（エッチャー）、ＣＶＤ装置等に用いられるダミーウエハ、サセプター、炉芯管等の各種部材として提案されている（例えば、特許文献１参照）。
Conventionally, a technique for manufacturing a ceramic structure by depositing SiC on a surface of a ceramic member by a CVD method (chemical vapor deposition method) to form a CVD-SiC layer is known.
Such a ceramic structure is dense and high-purity as compared with a SiC molded body manufactured by a sintering method, and has excellent corrosion resistance, heat resistance, and strength characteristics, so a heater for a semiconductor manufacturing apparatus And various members such as a dummy wafer, a susceptor, and a furnace core tube used in an etching apparatus (etcher), a CVD apparatus, and the like (see, for example, Patent Document 1).
ところで、ＣＶＤ−ＳｉＣ層は基礎となる部材の表面形状に従って成長するが、ＣＶＤによるＳｉＣ結晶の成長を完璧に制御することはできないため、基礎となる部材の表面が平坦であっても、ＣＶＤ−ＳｉＣ層が平坦にならない場合があり、ＣＶＤ−ＳｉＣ層の表面が波打った形状となっている場合もある。
更に、基礎となる部材の表面に凹凸が存在する場合には、その凹凸に従ってＳｉＣ層が成長し、ＣＶＤ−ＳｉＣ層の表面が波打った形状となり易い。表面の平坦さが要求される部材は、ＣＶＤ−ＳｉＣ層を形成した後で、表面の平滑化のために若干の表面研磨が必要となる場合がある。
By the way, the CVD-SiC layer grows according to the surface shape of the underlying member. However, since the growth of the SiC crystal by CVD cannot be controlled perfectly, even if the surface of the underlying member is flat, the CVD- The SiC layer may not be flat, and the surface of the CVD-SiC layer may be wavy.
Furthermore, when unevenness exists on the surface of the base member, the SiC layer grows according to the unevenness, and the surface of the CVD-SiC layer tends to have a wave shape. A member requiring a flat surface may require some surface polishing to smooth the surface after the CVD-SiC layer is formed.
この様に、ＣＶＤ−ＳｉＣ層に対して切削や研磨などの加工を施すと、セラミック構造体の表面には、例えば、ＣＶＤ−ＳｉＣ層の表面の方向に対してＳｉＣ結晶の成長方向が加工面に対して垂直である領域、ＣＶＤ−ＳｉＣ層の表面の方向に対してＳｉＣ結晶の成長方向が加工面に対して４５度程度傾斜している領域など、ＳｉＣ結晶の成長方向が様々な領域が混在することになる。
この様な場合には、ＣＶＤ−ＳｉＣ層の表面の物理的強度や熱伝導率などの諸特性が領域毎に不均一になるという問題がある。
In this way, when the CVD-SiC layer is subjected to processing such as cutting or polishing, the surface of the ceramic structure has, for example, a growth direction of the SiC crystal with respect to the direction of the surface of the CVD-SiC layer. There are various regions in which the growth direction of the SiC crystal is various, such as a region perpendicular to the surface of the CVD-SiC layer and a region in which the growth direction of the SiC crystal is inclined by about 45 degrees with respect to the processing surface Will be mixed.
In such a case, there is a problem that various characteristics such as physical strength and thermal conductivity of the surface of the CVD-SiC layer become non-uniform for each region.
また、ＣＶＤ−ＳｉＣ層の表面には、マイクロパイプと呼ばれる直径１〜２μｍの中空パイプ状の縦穴が形成される場合がある。サセプターなどとして適用する場合、もしＣＶＤ−ＳｉＣ層を完全に貫通するマイクロパイプが形成されてしまうと、ＣＶＤ−ＳｉＣ層の内部に存在する基材に含まれる不純物が、マイクロパイプを通ってＣＶＤ−ＳｉＣ層の表面に漏れ出してしまい、半導体部品を汚染する可能性がある。マイクロパイプの問題も、ＣＶＤ−ＳｉＣ層の表面を均一にすることにより解決することが可能である。 In addition, a hollow pipe-like vertical hole having a diameter of 1 to 2 μm called a micropipe may be formed on the surface of the CVD-SiC layer. When applied as a susceptor or the like, if a micropipe completely penetrating the CVD-SiC layer is formed, impurities contained in the substrate existing inside the CVD-SiC layer are passed through the micropipe through the CVD- There is a possibility of leaking to the surface of the SiC layer and contaminating the semiconductor component. The micropipe problem can also be solved by making the surface of the CVD-SiC layer uniform.
本発明では、前記課題を鑑み、切削や研磨などの加工を施しても広い範囲で表面特性を均一に保持できるセラミック構造体およびセラミック構造体の製造方法を提供することを目的とする。 In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a ceramic structure and a method for manufacturing the ceramic structure that can uniformly maintain surface characteristics in a wide range even if processing such as cutting or polishing is performed.
前記課題を解決するための本発明のセラミック構造体は、ＳｉＣからなる本体と、前記本体の表面に形成されたＣＶＤ−ＳｉＣ層と、前記ＣＶＤ−ＳｉＣ層の表層に形成された表面層と、を備え、前記表面層は、ＳｉＣ結晶がランダム配向である。 The ceramic structure of the present invention for solving the above problems is a main body made of SiC, a CVD-SiC layer formed on the surface of the main body, a surface layer formed on the surface layer of the CVD-SiC layer, In the surface layer, SiC crystals are randomly oriented.
本発明のセラミック構造体によれば、ＳｉＣからなる本体の表面に形成されたＣＶＤ−ＳｉＣ層の表層には表面層が形成されており、表面層は、ＳｉＣ結晶がランダム配向されている。切削や研磨などによってＣＶＤ−ＳｉＣ層の表面に位置するＳｉＣの結晶方向に偏りが生じていたとしても、ＣＶＤ−ＳｉＣ層を覆う表面層が存在するので、表面層の特性が支配的となり、ＣＶＤ−ＳｉＣ層の結晶方向の影響は顕在化し難い。
そして、セラミック構造体の表面の特性として顕在化するのは表面層の特性であり、表面層を構成するＳｉＣ結晶の配向がランダムであるため、セラミック構造体全体としての表面特性はＳｉＣ結晶がランダムに配向した均一なものとなる。このため、切削や研磨などの加工を施しても、広い範囲で表面特性を均一に保持することができる。
According to the ceramic structure of the present invention, the surface layer is formed on the surface layer of the CVD-SiC layer formed on the surface of the main body made of SiC, and SiC crystals are randomly oriented in the surface layer. Even if there is a deviation in the crystal direction of SiC located on the surface of the CVD-SiC layer by cutting or polishing, the surface layer covers the CVD-SiC layer, so the characteristics of the surface layer become dominant, and the CVD -The influence of the crystal orientation of the SiC layer is difficult to manifest.
The surface characteristics of the ceramic structure are manifested by the characteristics of the surface layer. Since the orientation of the SiC crystals constituting the surface layer is random, the surface characteristics of the entire ceramic structure are random for the SiC crystals. It becomes the uniform thing which orientated. For this reason, even if processing such as cutting or polishing is performed, the surface characteristics can be uniformly maintained in a wide range.
サンプル片から集束イオンビーム装置（ＦＩＢ，株式会社日立ハイテクノロジーズ製ＦＢ２２００）を用いて膜厚１００ｎｍ断面薄膜試料を作製し、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ，株式会社日立ハイテクノロジーズ製ＨＦ−２０００）により断面方向から“表面層”における制限視野電子線回折図形を測定した。直径３００ｎｍの制限視野絞りにて“表面層”５視野を選択して制限視野電子線回折図形を５枚測定し、得られた５枚の回折図形を画像処理により加算して１枚の回折図形を合成した。
この合成された回折図形は“表面層”中のπ×１５０ｎｍ×１５０ｎｍ×１００ｎｍ×５（ｎｍ３）の体積から得られた回折図形となる。この合成された回折図形が“リング状の回折パターンを示す”か、あるいは“一方向に強度分布を持つ回折パターンを示す”か、によって、それぞれ、“ＳｉＣ結晶の配向がランダムである”、あるいは“ＳｉＣ結晶は特定の方向に配向している”、と判断することができる。本件では、回折図形を中心角４５度で８分割し、８分割した全ての領域に回折点が存在する場合に“ＳｉＣ結晶の配向がランダムである”と定義する。
Using a focused ion beam device (FIB, FB2200 manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation) from the sample piece, a cross-sectional thin film sample having a thickness of 100 nm was prepared, and a cross-section was measured using a transmission electron microscope (TEM, HF-2000 manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation). The restricted-field electron diffraction pattern in the “surface layer” was measured from the direction. Select 5 “surface layer” fields with a 300 nm diameter limited field stop, measure 5 limited field electron diffraction patterns, and add the 5 diffraction patterns obtained by image processing to create one diffraction pattern. Was synthesized.
This synthesized diffraction pattern is a diffraction pattern obtained from a volume of π × 150 nm × 150 nm × 100 nm × 5 (nm 3 ) in the “surface layer”. Depending on whether the synthesized diffraction pattern “shows a ring-shaped diffraction pattern” or “shows a diffraction pattern having an intensity distribution in one direction”, respectively, “the orientation of the SiC crystal is random”, or It can be determined that “the SiC crystal is oriented in a specific direction”. In this case, the diffraction pattern is divided into eight at a central angle of 45 degrees, and “difference in the orientation of the SiC crystal” is defined when there are diffraction spots in all the divided eight regions.
さらに、本発明のセラミック構造体は、以下の態様であることが望ましい。
（１）前記表面層の層厚が０．２〜０．５μｍである。
ＣＶＤ−ＳｉＣ層は、５〜２０μｍ程度の大きさの単結晶ＳｉＣが積層された構造となることが多い。ある程度の大きさを有する単結晶ＳｉＣが一定の方向に配向していると、前述した様に物理的特性や熱的特性の偏りが大きく現れ易い。
ＣＶＤ−ＳｉＣ層の表面特性の偏りが顕在化しない様にすることが本発明の趣旨であり、その一面からは表面層は厚ければ厚いほど好ましい。０．０５μｍ程度の薄い表面層では効果が限定的であり、また、薄くて強度が得られ難くなり、表面層自体の形態安定性も好ましくない。一方で、表面層が１μｍ以上の厚さになれば、ＣＶＤ−ＳｉＣ層のメリットである気密性、熱伝導性、化学安定性などが得られなくなってしまう。
表面層を０．２〜０．５μｍとすると、ＣＶＤ−ＳｉＣ層のメリットを活かしつつ、本発明の効果を発現させることができる。
Furthermore, it is desirable that the ceramic structure of the present invention has the following aspect.
(1) The surface layer has a layer thickness of 0.2 to 0.5 μm.
The CVD-SiC layer often has a structure in which single crystal SiC having a size of about 5 to 20 μm is stacked. If single crystal SiC having a certain size is oriented in a certain direction, as described above, deviations in physical characteristics and thermal characteristics tend to appear greatly.
It is the gist of the present invention that the deviation in surface characteristics of the CVD-SiC layer is not manifested. From one side, the thicker the surface layer, the better. A thin surface layer having a thickness of about 0.05 μm has a limited effect. Further, it is thin and it is difficult to obtain strength, and the morphological stability of the surface layer itself is not preferable. On the other hand, if the thickness of the surface layer is 1 μm or more, the airtightness, thermal conductivity, chemical stability, and the like, which are merits of the CVD-SiC layer, cannot be obtained.
When the surface layer is 0.2 to 0.5 μm, the advantages of the present invention can be exhibited while taking advantage of the CVD-SiC layer.
（２）前記表面層の平均結晶粒径は、前記ＣＶＤ−ＳｉＣ層の平均結晶粒径よりも小さい。
前述した様に、ＣＶＤ−ＳｉＣ層は、５〜２０μｍ程度の大きさのＳｉＣ結晶が積層された構造となることが多いが、ある程度の大きさを有するＳｉＣ結晶が一定の方向に配向していると、物理的特性や熱的特性の偏りが大きく現れ易い。
表面層を構成するＳｉＣ結晶は配向がランダムであるが、個々のＳｉＣ結晶のサイズが大きければ、特性は均一とならず、却って偏りを生じさせてしまう。
表面層を構成するＳｉＣ結晶のサイズをＣＶＤ−ＳｉＣ層を構成するＳｉＣ結晶のサイズよりも小さくすることで、表面特性の均一化を図ることができる。
(2) The average crystal grain size of the surface layer is smaller than the average crystal grain size of the CVD-SiC layer.
As described above, the CVD-SiC layer often has a structure in which SiC crystals having a size of about 5 to 20 μm are stacked, but the SiC crystals having a certain size are oriented in a certain direction. The bias of physical characteristics and thermal characteristics tends to appear greatly.
The SiC crystals constituting the surface layer are randomly oriented, but if the size of each SiC crystal is large, the characteristics will not be uniform, but will be biased.
By making the size of the SiC crystal constituting the surface layer smaller than the size of the SiC crystal constituting the CVD-SiC layer, the surface characteristics can be made uniform.
（３）前記表面層の平均結晶粒径は、０．０１〜０．１μｍである。
前述した様に、ＣＶＤ−ＳｉＣ層を構成するＳｉＣ結晶のサイズは５〜２０μｍ程度であることが多いので、表面層を構成するＳｉＣ結晶のサイズを０．０１〜０．１μｍとすることで、ＣＶＤ−ＳｉＣ層において生じる特性の偏りに対して、１０％未満に抑えることができる。このため、表面特性の均一化をより一層図ることができる。
なお、前述した（１）の好適範囲と組み合わせ、表面層の厚さは、構成するＳｉＣ結晶のサイズ（平均結晶粒径）の１０〜５０倍程度が好ましい。
(3) The average crystal grain size of the surface layer is 0.01 to 0.1 μm.
As described above, since the size of the SiC crystal constituting the CVD-SiC layer is often about 5 to 20 μm, the size of the SiC crystal constituting the surface layer is set to 0.01 to 0.1 μm. It can be suppressed to less than 10% with respect to the deviation of characteristics generated in the CVD-SiC layer. For this reason, the surface characteristics can be made more uniform.
In addition, the thickness of the surface layer is preferably about 10 to 50 times the size of the SiC crystal (average crystal grain size) in combination with the preferred range of (1) described above.
表面層を構成するＳｉＣの平均結晶粒径は次の様に求める。
上記と同じ方法により制限視野電子線回折図形を測定した試料位置において、同様に透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ，株式会社日立ハイテクノロジーズ製ＨＦ−２０００）を用いて断面ＴＥＭ像を５視野撮影する（撮影倍率80,000倍、表示倍率500,000倍）。この際、微結晶の輪郭が明瞭になるように対物絞りを選択（４０μｍ）し、試料傾斜ホルダを用いて適切な電子線入射角度を調整する。各視野のＴＥＭ像中で最も輪郭が明瞭な結晶粒を３個ずつ選び、そのＴＥＭ像面内における各結晶粒に外接する円の直径を測長して結晶サイズとする。得られた合計１５個の結晶サイズから、最大値と最小値とを除いた１３個の結晶サイズについて、平均値を算出し、これを表面層の結晶サイズとする。
The average crystal grain size of SiC constituting the surface layer is determined as follows.
At the sample position where the limited-field electron diffraction pattern was measured by the same method as described above, a cross-sectional TEM image was similarly photographed using a transmission electron microscope (TEM, HF-2000 manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation) (shooting). (Magnification 80,000 times, display magnification 500,000 times). At this time, an objective aperture is selected (40 μm) so that the outline of the microcrystal becomes clear, and an appropriate electron beam incident angle is adjusted using a sample tilt holder. Three crystal grains having the clearest outline are selected from each TEM image in each field of view, and the diameter of a circle circumscribing each crystal grain in the TEM image plane is measured to obtain a crystal size. From the total 15 crystal sizes obtained, an average value is calculated for 13 crystal sizes excluding the maximum and minimum values, and this is used as the crystal size of the surface layer.
（４）前記表面層は、前記ＣＶＤ−ＳｉＣ層の表面を加熱して昇華、その後冷却して再結晶化したものである。
なお、昇華と並行して、一部のＳｉＣについては焼結が進むこともある。
すなわち、ＣＶＤ−ＳｉＣ層の表面を加熱して昇華、その後冷却して再結晶化して、ＳｉＣ結晶がランダム配向されている表面層を形成する。このため、切削や研磨などの加工を施した場合でも、表面特性を均一に保持できる。
(4) The surface layer is obtained by heating and sublimating the surface of the CVD-SiC layer and then cooling and recrystallizing.
In parallel with sublimation, some SiC may be sintered.
That is, the surface of the CVD-SiC layer is heated and sublimated, and then cooled and recrystallized to form a surface layer in which SiC crystals are randomly oriented. For this reason, even when processing such as cutting or polishing is performed, the surface characteristics can be kept uniform.
前記課題を解決するための本発明のセラミック構造体の製造方法は、ＳｉＣからなる本体の表面にＣＶＤ処理を施してＣＶＤ−ＳｉＣ層を形成した後、前記ＣＶＤ−ＳｉＣ層の表面に水が存在する状態でレーザー照射を行うことにより、前記ＣＶＤ−ＳｉＣ層の表層を加熱して昇華、その後冷却して再結晶化させることにより、表面層を形成する。 The method for manufacturing a ceramic structure of the present invention for solving the above-described problem is that a CVD-SiC layer is formed on a surface of a main body made of SiC to form a CVD-SiC layer, and then water exists on the surface of the CVD-SiC layer. By performing laser irradiation in such a state, the surface layer of the CVD-SiC layer is heated and sublimated, and then cooled and recrystallized to form a surface layer.
すなわち、ＳｉＣからなる本体の表面にＣＶＤ処理を施して形成したＣＶＤ−ＳｉＣ層の表層に、レーザー照射して表面層を加熱して昇華させる。その後、冷却するとＣＶＤ−ＳｉＣ層を構成するＳｉＣが再結晶化する。
このため、切削や研磨などの加工を施した場合であっても、セラミック構造体の表面特性を均一に保持することができる。また、ＣＶＤ−ＳｉＣ層を完全に貫通するマイクロパイプが生じた場合でも、マイクロパイプの出口付近を埋めることができるので、基材に含まれる不純物がマイクロパイプを通って漏れ出して半導体部品を汚染するのを防止することができる。
That is, the surface layer of the CVD-SiC layer formed by performing the CVD process on the surface of the main body made of SiC is irradiated with laser to heat and sublimate the surface layer. Thereafter, when cooled, SiC constituting the CVD-SiC layer is recrystallized.
For this reason, even if it is a case where processing, such as cutting and grinding | polishing, is given, the surface characteristic of a ceramic structure can be hold | maintained uniformly. Moreover, even when a micropipe that completely penetrates the CVD-SiC layer is generated, the vicinity of the outlet of the micropipe can be filled, so that impurities contained in the base material leak through the micropipe and contaminate the semiconductor component. Can be prevented.
また、水が存在する状態でレーザー照射して表面層を加熱して昇華、その後冷却して再結晶化するので、ＣＶＤ−ＳｉＣ層の表面に水が存在することでレーザー照射部分のみがピンポイントで高温となり、内部が高温となり難く、不純物が反応して気化（膨張）することを防止することができる。このとき、レーザー照射されている間は高温になるが、レーザー照射が終了すると水によって急冷され、ＳｉＣ結晶が大きく成長しない（微小なＳｉＣ結晶となる）ことから、配向性が低い表面層が得られる。 In addition, since the surface layer is heated and sublimated by water irradiation in the presence of water and then cooled and recrystallized, only the laser irradiated part is pinpointed by the presence of water on the surface of the CVD-SiC layer. Therefore, it is difficult for the inside to become high temperature, and it is possible to prevent impurities from reacting and vaporizing (expanding). At this time, the temperature is high during the laser irradiation, but when the laser irradiation is completed, it is rapidly cooled by water, and the SiC crystal does not grow greatly (becomes a fine SiC crystal), so that a surface layer with low orientation is obtained. It is done.
さらに、本発明のセラミック構造体の製造方法は、以下の態様であることが望ましい。
（１）前記表面層は、ＳｉＣ結晶がランダム配向となる。
ＣＶＤ−ＳｉＣ層の表面層がレーザー照射によりランダム配向となるため、一層均一化される。
Furthermore, it is desirable that the method for producing a ceramic structure of the present invention is as follows.
(1) In the surface layer, SiC crystals are randomly oriented.
Since the surface layer of the CVD-SiC layer is randomly oriented by laser irradiation, it is made more uniform.
（２）前記レーザー照射に用いるレーザー光は、ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）レーザーの第２高調波または第３高調波を用いる。
ＹＡＧレーザー光（基本波）の波長は１０６４ｎｍであり、第２高調波の波長は５３２ｎｍ、第３高調波の波長は３５５ｎｍである。ＹＡＧレーザー光の波長が３００〜９００ｎｍであると、水の光吸収率が１０％未満であるので、水が存在する状況下でのレーザー照射に好適である。
(2) As a laser beam used for the laser irradiation, a second harmonic or a third harmonic of a YAG (yttrium, aluminum, garnet) laser is used.
The wavelength of the YAG laser light (fundamental wave) is 1064 nm, the wavelength of the second harmonic is 532 nm, and the wavelength of the third harmonic is 355 nm. When the wavelength of the YAG laser light is 300 to 900 nm, the light absorption rate of water is less than 10%, which is suitable for laser irradiation in the presence of water.
（３）前記レーザー照射は、前記ＣＶＤ−ＳｉＣ層の表面を少なくとも２５４５℃まで加熱する。
ＣＶＤ−ＳｉＣ層は、２５４５℃まで加熱すると、ＳｉＣが昇華を開始する。
(3) The laser irradiation heats the surface of the CVD-SiC layer to at least 2545 ° C.
When the CVD-SiC layer is heated to 2545 ° C., SiC starts sublimation.
本発明によれば、ＣＶＤ−ＳｉＣ層の表面がランダムな配向のＳｉＣ結晶によって被覆されるので、切削や研磨などの加工を施した場合であっても、セラミック構造体の表面特性を均一に保持することができる。 According to the present invention, since the surface of the CVD-SiC layer is covered with randomly oriented SiC crystals, the surface characteristics of the ceramic structure are kept uniform even when processing such as cutting or polishing is performed. can do.
本発明のセラミック構造体およびセラミック構造体の製造方法について説明する。 The ceramic structure of the present invention and the method for producing the ceramic structure will be described.
前記課題を解決するための本発明のセラミック構造体は、ＳｉＣからなる本体と、前記本体の表面に形成されたＣＶＤ−ＳｉＣ層と、前記ＣＶＤ−ＳｉＣ層の表層に形成された表面層と、を備え、前記表面層は、ＳｉＣ結晶がランダム配向である。 The ceramic structure of the present invention for solving the above problems is a main body made of SiC, a CVD-SiC layer formed on the surface of the main body, a surface layer formed on the surface layer of the CVD-SiC layer, In the surface layer, SiC crystals are randomly oriented.
本発明のセラミック構造体によれば、ＳｉＣからなる本体の表面に形成されたＣＶＤ−ＳｉＣ層の表層には表面層が形成されており、表面層は、ＳｉＣ結晶がランダム配向されている。切削や研磨などによってＣＶＤ−ＳｉＣ層の表面に位置するＳｉＣの結晶方向に偏りが生じていたとしても、ＣＶＤ−ＳｉＣ層を覆う表面層が存在するので、表面層の特性が支配的となり、ＣＶＤ−ＳｉＣ層の結晶方向の影響は顕在化し難い。
そして、セラミック構造体の表面の特性として顕在化するのは表面層の特性であり、表面層を構成するＳｉＣ結晶の配向がランダムであるため、セラミック構造体全体としての表面特性はＳｉＣ結晶がランダムに配向した均一なものとなる。このため、切削や研磨などの加工を施しても、広い範囲で表面特性を均一に保持することができる。
According to the ceramic structure of the present invention, the surface layer is formed on the surface layer of the CVD-SiC layer formed on the surface of the main body made of SiC, and SiC crystals are randomly oriented in the surface layer. Even if there is a deviation in the crystal direction of SiC located on the surface of the CVD-SiC layer by cutting or polishing, the surface layer covers the CVD-SiC layer, so the characteristics of the surface layer become dominant, and the CVD -The influence of the crystal orientation of the SiC layer is difficult to manifest.
The surface characteristics of the ceramic structure are manifested by the characteristics of the surface layer. Since the orientation of the SiC crystals constituting the surface layer is random, the surface characteristics of the entire ceramic structure are random for the SiC crystals. It becomes the uniform thing which orientated. For this reason, even if processing such as cutting or polishing is performed, the surface characteristics can be uniformly maintained in a wide range.
なお、表面層のＳｉＣ結晶がランダム配向であるとは、表面層を構成するＳｉＣ結晶の結晶方位が特定の方向に揃っておらず、バラツキを有することを意味する。
サンプル片から集束イオンビーム装置（ＦＩＢ，株式会社日立ハイテクノロジーズ製ＦＢ２２００）を用いて膜厚１００ｎｍ断面薄膜試料を作製し、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ，株式会社日立ハイテクノロジーズ製ＨＦ−２０００）により断面方向から“表面層”における制限視野電子線回折図形を測定した。直径３００ｎｍの制限視野絞りにて“表面層”５視野を選択して制限視野電子線回折図形を５枚測定し、得られた５枚の回折図形を画像処理により加算して１枚の回折図形を合成した。
この合成された回折図形は“表面層”中のπ×１５０ｎｍ×１５０ｎｍ×１００ｎｍ×５（ｎｍ３）の体積から得られた回折図形となる。この合成された回折図形が“リング状の回折パターンを示す”か、あるいは“一方向に強度分布を持つ回折パターンを示す”か、によって、それぞれ、“ＳｉＣ結晶の配向がランダムである”、あるいは“ＳｉＣ結晶は特定の方向に配向している”、と判断することができる。本件では、回折図形を中心角４５度で８分割し、８分割した全ての領域に回折点が存在する場合に“ＳｉＣ結晶の配向がランダムである”と定義する。
In addition, that the SiC crystal of the surface layer is in a random orientation means that the crystal orientation of the SiC crystal constituting the surface layer is not aligned in a specific direction and has variations.
Using a focused ion beam device (FIB, FB2200 manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation) from the sample piece, a cross-sectional thin film sample having a thickness of 100 nm was prepared, and a cross-section was measured using a transmission electron microscope (TEM, HF-2000 manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation). The restricted-field electron diffraction pattern in the “surface layer” was measured from the direction. Select 5 “surface layer” fields with a 300 nm diameter limited field stop, measure 5 limited field electron diffraction patterns, and add the 5 diffraction patterns obtained by image processing to create one diffraction pattern. Was synthesized.
This synthesized diffraction pattern is a diffraction pattern obtained from a volume of π × 150 nm × 150 nm × 100 nm × 5 (nm 3 ) in the “surface layer”. Depending on whether the synthesized diffraction pattern “shows a ring-shaped diffraction pattern” or “shows a diffraction pattern having an intensity distribution in one direction”, respectively, “the orientation of the SiC crystal is random”, or It can be determined that “the SiC crystal is oriented in a specific direction”. In this case, the diffraction pattern is divided into eight at a central angle of 45 degrees, and “difference in the orientation of the SiC crystal” is defined when there are diffraction spots in all the divided eight regions.
さらに、本発明のセラミック構造体は、以下の態様であることが望ましい。
（１）前記表面層の層厚が０．２〜０．５μｍである。
ＣＶＤ−ＳｉＣ層は、５〜２０μｍ程度の大きさの単結晶ＳｉＣが積層された構造となることが多い。ある程度の大きさを有する単結晶ＳｉＣが一定の方向に配向していると、前述した様に物理的特性や熱的特性の偏りが大きく現れ易い。
ＣＶＤ−ＳｉＣ層の表面特性の偏りが顕在化しない様にすることが本発明の趣旨であり、その一面からは表面層は厚ければ厚いほど好ましい。０．０５μｍ程度の薄い表面層では効果が限定的であり、また、薄くて強度が得られ難くなり、表面層自体の形態安定性も好ましくない。一方で、表面層が１μｍ以上の厚さになれば、ＣＶＤ−ＳｉＣ層のメリットである気密性、熱伝導性、化学安定性などが得られなくなってしまう。
表面層を０．２〜０．５μｍとすると、ＣＶＤ−ＳｉＣ層のメリットを活かしつつ、本発明の効果を発現させることができる。
Furthermore, it is desirable that the ceramic structure of the present invention has the following aspect.
(1) The surface layer has a layer thickness of 0.2 to 0.5 μm.
The CVD-SiC layer often has a structure in which single crystal SiC having a size of about 5 to 20 μm is stacked. If single crystal SiC having a certain size is oriented in a certain direction, as described above, deviations in physical characteristics and thermal characteristics tend to appear greatly.
It is the gist of the present invention that the deviation in surface characteristics of the CVD-SiC layer is not manifested. From one side, the thicker the surface layer, the better. A thin surface layer having a thickness of about 0.05 μm has a limited effect. Further, it is thin and it is difficult to obtain strength, and the morphological stability of the surface layer itself is not preferable. On the other hand, if the thickness of the surface layer is 1 μm or more, the airtightness, thermal conductivity, chemical stability, and the like, which are merits of the CVD-SiC layer, cannot be obtained.
When the surface layer is 0.2 to 0.5 μm, the advantages of the present invention can be exhibited while taking advantage of the CVD-SiC layer.
（２）前記表面層の平均結晶粒径は、前記ＣＶＤ−ＳｉＣ層の平均結晶粒径よりも小さい。
前述した様に、ＣＶＤ−ＳｉＣ層は、５〜２０μｍ程度の大きさのＳｉＣ結晶が積層された構造となることが多いが、ある程度の大きさを有するＳｉＣ結晶が一定の方向に配向していると、物理的特性や熱的特性の偏りが大きく現れ易い。
表面層を構成するＳｉＣ結晶は配向がランダムであるが、個々のＳｉＣ結晶のサイズが大きければ、特性は均一とならず、却って偏りを生じさせてしまう。
表面層を構成するＳｉＣ結晶のサイズをＣＶＤ−ＳｉＣ層を構成するＳｉＣ結晶のサイズよりも小さくすることで、表面特性の均一化を図ることができる。
(2) The average crystal grain size of the surface layer is smaller than the average crystal grain size of the CVD-SiC layer.
As described above, the CVD-SiC layer often has a structure in which SiC crystals having a size of about 5 to 20 μm are stacked, but the SiC crystals having a certain size are oriented in a certain direction. The bias of physical characteristics and thermal characteristics tends to appear greatly.
The SiC crystals constituting the surface layer are randomly oriented, but if the size of each SiC crystal is large, the characteristics will not be uniform, but will be biased.
By making the size of the SiC crystal constituting the surface layer smaller than the size of the SiC crystal constituting the CVD-SiC layer, the surface characteristics can be made uniform.
（３）前記表面層の平均結晶粒径は、０．０１〜０．１μｍである。
前述した様に、ＣＶＤ−ＳｉＣ層を構成するＳｉＣ結晶のサイズは５〜２０μｍ程度であることが多いので、表面層を構成するＳｉＣ結晶のサイズを０．０１〜０．１μｍとすることで、ＣＶＤ−ＳｉＣ層において生じる特性の偏りに対して、１０％未満に抑えることができる。このため、表面特性の均一化をより一層図ることができる。
なお、前述した（１）の好適範囲と組み合わせ、表面層の厚さは、構成するＳｉＣ結晶のサイズ（平均結晶粒径）の１０〜５０倍程度が好ましい。
(3) The average crystal grain size of the surface layer is 0.01 to 0.1 μm.
As described above, since the size of the SiC crystal constituting the CVD-SiC layer is often about 5 to 20 μm, the size of the SiC crystal constituting the surface layer is set to 0.01 to 0.1 μm. It can be suppressed to less than 10% with respect to the deviation of characteristics generated in the CVD-SiC layer. For this reason, the surface characteristics can be made more uniform.
In addition, the thickness of the surface layer is preferably about 10 to 50 times the size of the SiC crystal (average crystal grain size) in combination with the preferred range of (1) described above.
ＳｉＣ結晶の平均結晶粒径の測定方法としては、２次元画像として得られるＴＥＭ画像を基にして寸法を測定する。ＴＥＭ画像におけるコントラストの境界をＳｉＣ結晶粒子の境界とみなす。ＴＥＭ画像では、輪郭が明瞭な状態でＳｉＣ結晶粒子を確認することはできないので、１０ｎｍ未満のＳｉＣ結晶粒子については除外する。ＳｉＣ粒子径としては、ＳｉＣ粒子が円であれば直径とし、円でなければ外接円の直径とする。なお、膜の表面から膜の厚さ５％分は除き、また、ＣＶＤ−ＳｉＣ層との境界面から膜の厚さ５％分は除き、膜の中間部の厚さ９０％分の領域について、幅５００ｎｍの範囲で測定し、平均値を算出する。 As a method for measuring the average crystal grain size of the SiC crystal, the dimension is measured based on a TEM image obtained as a two-dimensional image. The contrast boundary in the TEM image is regarded as the boundary of the SiC crystal particles. In the TEM image, since SiC crystal particles cannot be confirmed in a state where the outline is clear, SiC crystal particles of less than 10 nm are excluded. The SiC particle diameter is the diameter if the SiC particle is a circle, and the diameter of the circumscribed circle if it is not a circle. In addition, about the area | region for 90% of thickness of the intermediate part of a film | membrane except for 5% of film thickness from the surface of a film | membrane, and excluding 5% of film thickness from the interface with a CVD-SiC layer. , And measure in the range of width 500nm, to calculate the average value.
（４）前記表面層は、前記ＣＶＤ−ＳｉＣ層の表面を加熱して昇華、その後冷却して再結晶化したものである。
なお、昇華と並行して、一部のＳｉＣについては焼結が進むこともある。
すなわち、ＣＶＤ−ＳｉＣ層の表面を加熱して昇華、その後冷却して再結晶化して、ＳｉＣ結晶がランダム配向されている表面層を形成する。このため、切削や研磨などの加工を施した場合でも、表面特性を均一に保持できる。
(4) The surface layer is obtained by heating and sublimating the surface of the CVD-SiC layer and then cooling and recrystallizing.
In parallel with sublimation, some SiC may be sintered.
That is, the surface of the CVD-SiC layer is heated and sublimated, and then cooled and recrystallized to form a surface layer in which SiC crystals are randomly oriented. For this reason, even when processing such as cutting or polishing is performed, the surface characteristics can be kept uniform.
前記課題を解決するための本発明のセラミック構造体の製造方法は、ＳｉＣからなる本体の表面にＣＶＤ処理を施してＣＶＤ−ＳｉＣ層を形成した後、前記ＣＶＤ−ＳｉＣ層の表面に水が存在する状態でレーザー照射を行うことにより、前記ＣＶＤ−ＳｉＣ層の表層を加熱して昇華、その後冷却して再結晶化させることにより、表面層を形成する。 The method for manufacturing a ceramic structure of the present invention for solving the above-described problem is that a CVD-SiC layer is formed on a surface of a main body made of SiC to form a CVD-SiC layer, and then water is present on the surface of the CVD-SiC layer. By performing laser irradiation in such a state, the surface layer of the CVD-SiC layer is heated and sublimated, and then cooled and recrystallized to form a surface layer.
すなわち、ＳｉＣからなる本体の表面にＣＶＤ処理を施して形成したＣＶＤ−ＳｉＣ層の表層に、レーザー照射して表面層を加熱して昇華させることにより、ＣＶＤ−ＳｉＣ層を構成するＳｉＣを再結晶化する。
このため、切削や研磨などの加工を施した場合であっても、セラミック構造体の表面特性を均一に保持することができる。また、ＣＶＤ−ＳｉＣ層を完全に貫通するマイクロパイプが生じた場合でも、マイクロパイプの出口付近を埋めることができるので、基材に含まれる不純物がマイクロパイプを通って漏れ出して半導体部品を汚染するのを防止することができる。
また、水が存在する状態でレーザー照射して表面層を加熱して昇華するので、ＣＶＤ−ＳｉＣ層の表面に水が存在することでレーザー照射部分のみがピンポイントで高温となり、内部が高温となり難く、不純物が反応して気化（膨張）することを防止することができる。このとき、レーザー照射されている間は高温になるが、レーザー照射が終了すると水によって急冷され、ＳｉＣ結晶が大きく成長しない（微小なＳｉＣ結晶となる）ことから、配向性が低い表面層が得られる。
That is, the surface layer of the CVD-SiC layer formed by subjecting the surface of the main body made of SiC to a CVD process is sublimated by heating the surface layer by laser irradiation to recrystallize the SiC constituting the CVD-SiC layer. Turn into.
For this reason, even if it is a case where processing, such as cutting and grinding | polishing, is given, the surface characteristic of a ceramic structure can be hold | maintained uniformly. Moreover, even when a micropipe that completely penetrates the CVD-SiC layer is generated, the vicinity of the outlet of the micropipe can be filled, so that impurities contained in the base material leak through the micropipe and contaminate the semiconductor component. Can be prevented.
In addition, since the surface layer is heated and sublimated by laser irradiation in the presence of water, only the laser irradiation part becomes hot at a pinpoint and the inside becomes hot because water exists on the surface of the CVD-SiC layer. It is difficult to prevent the impurities from reacting and vaporizing (expanding). At this time, the temperature is high during the laser irradiation, but when the laser irradiation is completed, it is rapidly cooled by water, and the SiC crystal does not grow greatly (becomes a fine SiC crystal), so that a surface layer with low orientation is obtained. It is done.
さらに、本発明のセラミック構造体の製造方法は、以下の態様であることが望ましい。
（１）前記表面層は、ＳｉＣ結晶がランダム配向となる。
ＣＶＤ−ＳｉＣ層の表面層がレーザー照射によりランダム配向となるため、一層均一化される。
Furthermore, it is desirable that the method for producing a ceramic structure of the present invention is as follows.
(1) In the surface layer, SiC crystals are randomly oriented.
Since the surface layer of the CVD-SiC layer is randomly oriented by laser irradiation, it is made more uniform.
（２）前記レーザー照射に用いるレーザー光は、ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）レーザーの第２高調波または第３高調波を用いる。
ＹＡＧレーザー光（基本波）の波長は１０６４ｎｍであり、第２高調波の波長は５３２ｎｍ、第３高調波の波長は３５５ｎｍである。ＹＡＧレーザー光の波長が３００〜９００ｎｍであると、水の光吸収率が１０％未満であるので、水が存在する状況下でのレーザー照射に好適である。
(2) As a laser beam used for the laser irradiation, a second harmonic or a third harmonic of a YAG (yttrium, aluminum, garnet) laser is used.
The wavelength of the YAG laser light (fundamental wave) is 1064 nm, the wavelength of the second harmonic is 532 nm, and the wavelength of the third harmonic is 355 nm. When the wavelength of the YAG laser light is 300 to 900 nm, the light absorption rate of water is less than 10%, which is suitable for laser irradiation in the presence of water.
（３）前記レーザー照射は、前記ＣＶＤ−ＳｉＣ層の表面を少なくとも２５４５℃まで加熱する。
ＣＶＤ−ＳｉＣ層は、２５４５℃まで加熱すると、ＳｉＣが昇華を開始する。
(3) The laser irradiation heats the surface of the CVD-SiC layer to at least 2545 ° C.
When the CVD-SiC layer is heated to 2545 ° C., SiC starts sublimation.
図１（Ａ）〜図１（Ｃ）に基づいて、セラミック構造体１０の製造方法について説明する。
まず、ＳｉＣからなる本体２０の表面２１に（図１（Ａ）参照）、ＣＶＤ処理を施してＳｉＣ結晶３２を蒸着させてＣＶＤ−ＳｉＣ層を形成する（図１（Ｂ）参照）。
その後、図１（Ｃ）に示すように、ＣＶＤ−ＳｉＣ層３０の表面にレーザー照射を行うことにより、ＣＶＤ−ＳｉＣ層３０の表層３１を加熱して昇華、その後冷却して再結晶化させることにより、ＳｉＣ結晶４１がランダム配向となる表面層４０を形成してセラミック構造体１０を製造する。
A manufacturing method of the ceramic structure 10 will be described with reference to FIGS.
First, a CVD process is performed on the surface 21 of the main body 20 made of SiC (see FIG. 1A) to deposit a SiC crystal 32 to form a CVD-SiC layer (see FIG. 1B).
Thereafter, as shown in FIG. 1C, the surface of the CVD-SiC layer 30 is subjected to laser irradiation to heat and sublimate the surface layer 31 of the CVD-SiC layer 30 and then to cool and recrystallize. Thus, the surface layer 40 in which the SiC crystals 41 are randomly oriented is formed to manufacture the ceramic structure 10.
次に、セラミック構造体１０について説明する。
図１（Ａ）〜図１（Ｃ）に示すように、セラミック構造体１０は、ＳｉＣからなる本体２０と、本体２０の表面２１に形成されたＣＶＤ−ＳｉＣ層３０と、ＣＶＤ−ＳｉＣ層３０の表層３１に形成された表面層４０とを有する。
セラミック構造体１０は、種々の物に用いることができるため、種々の形状を呈することができる。ここでは、セラミック構造体１０として板状のものを例示している。従って、本体２０も板状となっている。
Next, the ceramic structure 10 will be described.
As shown in FIGS. 1A to 1C, the ceramic structure 10 includes a main body 20 made of SiC, a CVD-SiC layer 30 formed on a surface 21 of the main body 20, and a CVD-SiC layer 30. And the surface layer 40 formed on the surface layer 31.
Since the ceramic structure 10 can be used for various things, it can exhibit various shapes. Here, a plate-like material is illustrated as the ceramic structure 10. Therefore, the main body 20 is also plate-shaped.
図１（Ｂ）に示すように、本体２０の表面２１に形成されたＣＶＤ−ＳｉＣ層３０では、ＣＶＤ法によりＳｉＣ結晶３２を層状に蒸着させるが、ＳｉＣ結晶３２の堆積方向の制御は難しい。このため、表面２１に対して傾斜してＳｉＣ結晶３２が堆積される場合がある。
ＣＶＤ−ＳｉＣ層３０の表層３１には、表面層４０が形成されている。表面層４０は、ＣＶＤ−ＳｉＣ層３０の表面に例えばレーザー照射を行うことにより、ＣＶＤ−ＳｉＣ層３０の表層３１を加熱して昇華、その後冷却して再結晶化させることにより形成される。このため、ＳｉＣ結晶４１がランダム配向となっている。
As shown in FIG. 1B, in the CVD-SiC layer 30 formed on the surface 21 of the main body 20, the SiC crystal 32 is vapor-deposited by the CVD method, but it is difficult to control the deposition direction of the SiC crystal 32. For this reason, the SiC crystal 32 may be deposited with an inclination with respect to the surface 21.
A surface layer 40 is formed on the surface layer 31 of the CVD-SiC layer 30. The surface layer 40 is formed by, for example, laser irradiation on the surface of the CVD-SiC layer 30 to heat and sublimate the surface layer 31 of the CVD-SiC layer 30 and then cool and recrystallize. For this reason, the SiC crystal 41 is in a random orientation.
表面層４０の層厚Ｔ１（図１（Ｃ）参照）は、０．２〜０．５μｍが望ましい。また、表面層４０の平均結晶粒径は、ＣＶＤ−ＳｉＣ層３０の平均結晶粒径よりも小さいのが望ましい。さらに、表面層４０の平均結晶粒径は、０．０１〜０．１μｍであることが望ましい。ここで、粒径とは、二次元画像における粒子の外形に接する円の直径として定義することができる。 The layer thickness T1 (see FIG. 1C) of the surface layer 40 is preferably 0.2 to 0.5 μm. The average crystal grain size of the surface layer 40 is preferably smaller than the average crystal grain size of the CVD-SiC layer 30. Furthermore, the average crystal grain size of the surface layer 40 is desirably 0.01 to 0.1 μm. Here, the particle diameter can be defined as the diameter of a circle in contact with the outer shape of the particle in the two-dimensional image.
次に、本実施形態のセラミック構造体およびセラミック構造体の製造方法の作用・効果について説明する。
本実施形態のセラミック構造体１０によれば、ＳｉＣからなる本体２０の表面２１に形成されたＣＶＤ−ＳｉＣ層３０の表層３１には表面層４０が形成されており、表面層４０は、ＳｉＣ結晶がランダム配向されている。切削や研磨などによってＣＶＤ−ＳｉＣ層３０の表面に位置するＳｉＣの結晶方向に偏りが生じていたとしても、ＣＶＤ−ＳｉＣ層３０を覆う表面層４０が存在するので、表面層４０の特性が支配的となり、ＣＶＤ−ＳｉＣ層３０の結晶方向の影響は顕在化し難い。
そして、セラミック構造体１０の表面の特性として顕在化するのは表面層４０の特性であり、表面層４０を構成するＳｉＣ結晶の配向がランダムであるため、セラミック構造体１０全体としての表面特性はＳｉＣ結晶がランダムに配向した均一なものとなる。このため、切削や研磨などの加工を施しても、広い範囲で表面特性を均一に保持することができる。
Next, operations and effects of the ceramic structure and the method for manufacturing the ceramic structure of the present embodiment will be described.
According to the ceramic structure 10 of the present embodiment, the surface layer 40 is formed on the surface layer 31 of the CVD-SiC layer 30 formed on the surface 21 of the main body 20 made of SiC. Are randomly oriented. Even if a deviation occurs in the crystal direction of SiC located on the surface of the CVD-SiC layer 30 by cutting or polishing, the surface layer 40 covering the CVD-SiC layer 30 exists, so the characteristics of the surface layer 40 are dominant. Thus, the influence of the crystal orientation of the CVD-SiC layer 30 is difficult to be manifested.
The surface characteristics of the ceramic structure 10 are manifested as the characteristics of the surface layer 40. Since the orientation of the SiC crystals constituting the surface layer 40 is random, the surface characteristics of the ceramic structure 10 as a whole are The SiC crystal is randomly oriented and uniform. For this reason, even if processing such as cutting or polishing is performed, the surface characteristics can be uniformly maintained in a wide range.
本実施形態のセラミック構造体１０によれば、表面層４０の層厚Ｔ１が０．２〜０．５μｍである。
ＣＶＤ−ＳｉＣ層３０は、５〜２０μｍ程度の大きさの単結晶ＳｉＣが積層された構造となることが多い。ある程度の大きさを有する単結晶ＳｉＣが一定の方向に配向していると、前述した様に物理的特性や熱的特性の偏りが大きく現れ易い。
ＣＶＤ−ＳｉＣ層３０の表面特性の偏りが顕在化しない様にすることが本発明の趣旨であり、その一面からは表面層４０は厚ければ厚いほど好ましい。０．０５μｍ程度の薄い表面層４０では効果が限定的であり、また、薄くて強度が得られ難くなり、表面層４０自体の形態安定性も好ましくない。一方で、表面層４０が１μｍ以上の厚さになれば、ＣＶＤ−ＳｉＣ層３０のメリットである気密性、熱伝導性、化学安定性などが得られなくなってしまう。
表面層４０を０．２〜０．５μｍとすると、ＣＶＤ−ＳｉＣ層３０のメリットを活かしつつ、本発明の効果を発現させることができる。
According to the ceramic structure 10 of the present embodiment, the layer thickness T1 of the surface layer 40 is 0.2 to 0.5 μm.
The CVD-SiC layer 30 often has a structure in which single crystal SiC having a size of about 5 to 20 μm is laminated. If single crystal SiC having a certain size is oriented in a certain direction, as described above, deviations in physical characteristics and thermal characteristics tend to appear greatly.
The purpose of the present invention is to prevent the surface characteristics of the CVD-SiC layer 30 from becoming uneven. From one side, the thicker the surface layer 40 is, the better. The effect of the thin surface layer 40 of about 0.05 μm is limited, and it is difficult to obtain strength due to being thin, and the surface stability of the surface layer 40 itself is not preferable. On the other hand, if the surface layer 40 has a thickness of 1 μm or more, the airtightness, thermal conductivity, chemical stability, and the like that are the merits of the CVD-SiC layer 30 cannot be obtained.
When the surface layer 40 is 0.2 to 0.5 μm, the advantages of the present invention can be exhibited while utilizing the merit of the CVD-SiC layer 30.
本実施形態のセラミック構造体１０によれば、表面層４０の平均結晶粒径は、ＣＶＤ−ＳｉＣ層３０の平均結晶粒径よりも小さい。
前述した様に、ＣＶＤ−ＳｉＣ層３０は、５〜２０μｍ程度の大きさのＳｉＣ結晶が積層された構造となることが多いが、ある程度の大きさを有するＳｉＣ結晶が一定の方向に配向していると、物理的特性や熱的特性の偏りが大きく現れ易い。
表面層４０を構成するＳｉＣ結晶は配向がランダムであるが、個々のＳｉＣ結晶のサイズが大きければ、特性は均一とならず、却って偏りを生じさせてしまう。
表面層４０を構成するＳｉＣ結晶のサイズをＣＶＤ−ＳｉＣ層３０を構成するＳｉＣ結晶のサイズよりも小さくすることで、表面特性の均一化を図ることができる。
According to the ceramic structure 10 of the present embodiment, the average crystal grain size of the surface layer 40 is smaller than the average crystal grain size of the CVD-SiC layer 30.
As described above, the CVD-SiC layer 30 often has a structure in which SiC crystals having a size of about 5 to 20 μm are stacked, but the SiC crystals having a certain size are oriented in a certain direction. If so, deviations in physical characteristics and thermal characteristics tend to appear greatly.
The SiC crystals constituting the surface layer 40 are randomly oriented, but if the size of each SiC crystal is large, the characteristics will not be uniform, but will be biased.
By making the size of the SiC crystal constituting the surface layer 40 smaller than the size of the SiC crystal constituting the CVD-SiC layer 30, the surface characteristics can be made uniform.
本実施形態のセラミック構造体１０によれば、表面層４０の平均結晶粒径は、０．０１〜０．１μｍである。
前述した様に、ＣＶＤ−ＳｉＣ層３０を構成するＳｉＣ結晶のサイズは５〜２０μｍ程度であることが多いので、表面層４０を構成するＳｉＣ結晶のサイズを０．０１〜０．１μｍとすることで、ＣＶＤ−ＳｉＣ層３０において生じる特性の偏りに対して、１０％未満に抑えることができる。このため、表面特性の均一化をより一層図ることができる。
なお、前述した表面層４０の層厚Ｔ１の好適範囲と組み合わせ、表面層４０の厚さは、構成するＳｉＣ結晶のサイズ（平均結晶粒径）の１０〜５０倍程度が好ましい。
According to the ceramic structure 10 of the present embodiment, the average crystal grain size of the surface layer 40 is 0.01 to 0.1 μm.
As described above, since the size of the SiC crystal constituting the CVD-SiC layer 30 is often about 5 to 20 μm, the size of the SiC crystal constituting the surface layer 40 is set to 0.01 to 0.1 μm. Thus, it can be suppressed to less than 10% with respect to the deviation in characteristics generated in the CVD-SiC layer 30. For this reason, the surface characteristics can be made more uniform.
In combination with the preferred range of the layer thickness T1 of the surface layer 40 described above, the thickness of the surface layer 40 is preferably about 10 to 50 times the size (average crystal grain size) of the SiC crystal to be formed.
本実施形態のセラミック構造体１０によれば、表面層４０は、ＣＶＤ−ＳｉＣ層３０の表面を加熱して昇華、その後冷却して再結晶化したものである。
すなわち、ＣＶＤ−ＳｉＣ層３０の表面を加熱して昇華、その後冷却して再結晶化して、ＳｉＣ結晶がランダム配向されている表面層４０を形成する。このため、切削や研磨などの加工を施した場合でも、表面特性を均一に保持できる。
According to the ceramic structure 10 of the present embodiment, the surface layer 40 is obtained by heating and sublimating the surface of the CVD-SiC layer 30 and then cooling and recrystallizing.
That is, the surface of the CVD-SiC layer 30 is heated and sublimated, and then cooled and recrystallized to form a surface layer 40 in which SiC crystals are randomly oriented. For this reason, even when processing such as cutting or polishing is performed, the surface characteristics can be kept uniform.
本実施形態のセラミック構造体の製造方法によれば、ＳｉＣからなる本体２０の表面２１にＣＶＤ処理を施して形成したＣＶＤ−ＳｉＣ層３０の表層３１に、レーザー照射して表層３１を加熱して昇華させる。その後、表層３１を再結晶化させて、ＣＶＤ−ＳｉＣ層３０を構成するＳｉＣ結晶４１を再結晶化するので、ＳｉＣ結晶４１がランダム配向され、均一化される。 According to the method for manufacturing a ceramic structure of the present embodiment, the surface layer 31 of the CVD-SiC layer 30 formed by subjecting the surface 21 of the main body 20 made of SiC to CVD treatment is irradiated with laser to heat the surface layer 31. Sublimate. Thereafter, the surface layer 31 is recrystallized and the SiC crystal 41 constituting the CVD-SiC layer 30 is recrystallized, so that the SiC crystal 41 is randomly oriented and uniformized.
すなわち、ＳｉＣからなる本体２０の表面２１にＣＶＤ処理を施して形成したＣＶＤ−ＳｉＣ層３０の表層３１に、レーザー照射して表面層を加熱して昇華させる。その後、表面層を再結晶化、すなわち、ＣＶＤ−ＳｉＣ層３０を構成するＳｉＣを再結晶化するので、ＳｉＣ結晶がランダム配向され、均一化される。
このため、切削や研磨などの加工を施した場合であっても、セラミック構造体１０の表面特性を均一に保持することができる。また、ＣＶＤ−ＳｉＣ層３０を完全に貫通するマイクロパイプが生じた場合でも、マイクロパイプの出口付近を埋めることができるので、基材に含まれる不純物がマイクロパイプを通って漏れ出して半導体部品を汚染するのを防止することができる。
That is, the surface layer 31 of the CVD-SiC layer 30 formed by performing the CVD process on the surface 21 of the main body 20 made of SiC is irradiated with laser to heat and sublimate the surface layer. Thereafter, the surface layer is recrystallized, that is, SiC constituting the CVD-SiC layer 30 is recrystallized, so that the SiC crystals are randomly oriented and uniformized.
For this reason, even if it is a case where processing, such as cutting and grinding | polishing, is given, the surface characteristic of the ceramic structure 10 can be hold | maintained uniformly. Further, even when a micropipe that completely penetrates the CVD-SiC layer 30 is generated, the vicinity of the outlet of the micropipe can be filled, so that impurities contained in the base material leak out through the micropipe and the semiconductor component is removed. It is possible to prevent contamination.
また、水が存在する状態でレーザー照射して表面層を加熱するので、レーザー照射部分のみがピンポイントで高温となり、内部が高温となり難く、不純物が反応して気化（膨張）することを防止することができる。このとき、レーザー照射されている間は高温になるが、レーザー照射が終了すると水によって急冷され、ＳｉＣ結晶が大きく成長しない（微小なＳｉＣ結晶となる）ことから、配向性が低い表層３１が得られる。 In addition, since the surface layer is heated by laser irradiation in the presence of water, only the laser irradiation part is pinpointed to a high temperature, the internal temperature is unlikely to be high, and impurities are prevented from reacting and vaporizing (expanding). be able to. At this time, the temperature is high during the laser irradiation, but when the laser irradiation is completed, it is rapidly cooled by water, and the SiC crystal does not grow greatly (becomes a fine SiC crystal), so that the surface layer 31 with low orientation is obtained. It is done.
（実施例）
２０．０ｍｍ（縦）×２０．０ｍｍ（横）×２．０ｍｍ（厚さ）のＳｉＣ基材の上に厚さ約１５０μｍのＣＶＤ−ＳｉＣ層を形成した試験片に対して、さらにＣＶＤ層の表面に水が存在する状態でＹＡＧレーザーの第２高調波（波長５３２ｎｍ）を照射して加熱し、ＣＶＤ層の表面に存在するＳｉＣを昇華・再結晶させ、厚さ約２５０ｎｍの表面層を形成した試験片を実施例１として用意した。
図２に実施例１の画像を示す。
(Example)
For a test piece in which a CVD-SiC layer having a thickness of about 150 μm was formed on a SiC substrate having a size of 20.0 mm (length) × 20.0 mm (width) × 2.0 mm (thickness), a CVD layer was further formed. In the state where water is present on the surface, the second harmonic of the YAG laser (wavelength of 532 nm) is irradiated and heated to sublimate and recrystallize the SiC present on the surface of the CVD layer to form a surface layer with a thickness of about 250 nm. The prepared test piece was prepared as Example 1.
FIG. 2 shows an image of Example 1.
まず、実施例１の表面層を構成する結晶粒子の配向を確認した。
具体的には、試験片から集束イオンビーム装置（ＦＩＢ，株式会社日立ハイテクノロジーズ製ＦＢ２２００）を用いて膜厚１００ｎｍ断面薄膜試料を作製し、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ，株式会社日立ハイテクノロジーズ製ＨＦ−２０００）により断面方向から“表面層”における制限視野電子線回折図形を測定した。直径３００ｎｍの制限視野絞りにて“表面層”５視野を選択して制限視野電子線回折図形を５枚測定し、得られた５枚の回折図形を画像処理により加算して１枚の回折図形を合成した。
その結果を図３に示す。
First, the orientation of crystal grains constituting the surface layer of Example 1 was confirmed.
Specifically, a thin film sample having a thickness of 100 nm was prepared from a test piece using a focused ion beam device (FIB, FB2200 manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation), and a transmission electron microscope (TEM, HF manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation). -2000), the limited-field electron diffraction pattern in the “surface layer” was measured from the cross-sectional direction. Select 5 “surface layer” fields with a 300 nm diameter limited field stop, measure 5 limited field electron diffraction patterns, and add the 5 diffraction patterns obtained by image processing to create one diffraction pattern. Was synthesized.
The result is shown in FIG.
図３に示す回折図形は“表面層”中のπ×１５０ｎｍ×１５０ｎｍ×１００ｎｍ×５（ｎｍ３）の体積から得られた回折図形となる。この合成された回折図形が“リング状の回折パターンを示す”か、あるいは“一方向に強度分布を持つ回折パターンを示す”か、によって、それぞれ、“ＳｉＣ結晶の配向がランダムである”、あるいは“ＳｉＣ結晶は特定の方向に配向している”、と判断することができる。本件では、回折図形の上方を０度として中心角４５度で８分割し（領域１〜領域８）、８分割した全ての領域に回折点が存在する場合に“ＳｉＣ結晶の配向がランダムである”と定義する。 The diffraction pattern shown in FIG. 3 is a diffraction pattern obtained from a volume of π × 150 nm × 150 nm × 100 nm × 5 (nm 3 ) in the “surface layer”. Depending on whether the synthesized diffraction pattern “shows a ring-shaped diffraction pattern” or “shows a diffraction pattern having an intensity distribution in one direction”, respectively, “the orientation of the SiC crystal is random”, or It can be determined that “the SiC crystal is oriented in a specific direction”. In this case, the upper part of the diffraction pattern is divided into eight at a central angle of 45 degrees (area 1 to area 8) with 0 degree above the diffraction pattern, and when diffraction points are present in all the divided areas, the “SiC crystal orientation is random. ".
図３に示すように、実施例１の表面層については、領域１から領域８までの全てにおいて回折点が多数確認された。
一方、図４に示すように、比較・参考のために表面層を形成しない試験片のＣＶＤ−ＳｉＣ層については、領域３、領域４、領域７、領域８についてのみ回折点が確認された。
この結果から、実施例１の表面層は、ＳｉＣ結晶粒子の配向（結晶方位）が特定の方向に偏っておらずランダムであると言える。
一方、比較・参考のための試験片（図４）は、ＳｉＣ結晶粒子の配向（結晶方位）が揃っていると言える。
As shown in FIG. 3, in the surface layer of Example 1, many diffraction points were confirmed in all of the region 1 to the region 8.
On the other hand, as shown in FIG. 4, for the CVD-SiC layer of the test piece on which the surface layer is not formed for comparison and reference, diffraction points were confirmed only for the region 3, the region 4, the region 7, and the region 8.
From this result, it can be said that the surface layer of Example 1 is random because the orientation (crystal orientation) of the SiC crystal particles is not biased in a specific direction.
On the other hand, it can be said that the specimen (FIG. 4) for comparison and reference has the same orientation (crystal orientation) of the SiC crystal particles.
次に、実施例１の表面層を構成する結晶粒子のサイズを確認した。
表面層を構成するＳｉＣの平均結晶粒径は次の様に求める。
上記と同じ方法により制限視野電子線回折図形を測定した試料位置において、同様に透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ，株式会社日立ハイテクノロジーズ製ＨＦ−２０００）を用いて断面ＴＥＭ像を５視野撮影する（撮影倍率80,000倍、表示倍率500,000倍）。この際、微結晶の輪郭が明瞭になるように対物絞りを選択（４０μｍ）し、試料傾斜ホルダを用いて適切な電子線入射角度を調整する。各視野のＴＥＭ像中で最も輪郭が明瞭な結晶粒を３個ずつ選び、そのＴＥＭ像面内における各結晶粒に外接する円の直径を測長して結晶サイズとする。得られた合計１５個の結晶サイズから、最大値と最小値とを除いた１３個の結晶サイズについて、平均値を算出し、これを表面層の結晶サイズとする。
実施例１の５視野撮影した結果を図５（Ａ）、図６（Ａ）、図７（Ａ）、図８（Ａ）、図９（Ａ）に示す。
また、これらの５視野において輪郭が明確な結晶粒子を各３個ずつ選択し、合計１５個について結晶粒子のサイズを測定した結果を図５（Ｂ）、図６（Ｂ）、図７（Ｂ）、図８（Ｂ）、図９（Ｂ）に示す。
Next, the size of the crystal particles constituting the surface layer of Example 1 was confirmed.
The average crystal grain size of SiC constituting the surface layer is determined as follows.
At the sample position where the limited-field electron diffraction pattern was measured by the same method as described above, a cross-sectional TEM image was similarly photographed using a transmission electron microscope (TEM, HF-2000 manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation) (shooting). (Magnification 80,000 times, display magnification 500,000 times). At this time, an objective aperture is selected (40 μm) so that the outline of the microcrystal becomes clear, and an appropriate electron beam incident angle is adjusted using a sample tilt holder. Three crystal grains having the clearest outline are selected from each TEM image in each field of view, and the diameter of a circle circumscribing each crystal grain in the TEM image plane is measured to obtain a crystal size. From the total 15 crystal sizes obtained, an average value is calculated for 13 crystal sizes excluding the maximum and minimum values, and this is used as the crystal size of the surface layer.
FIG. 5A, FIG. 6A, FIG. 7A, FIG. 8A, and FIG. 9A show the results of five fields of view taken in Example 1.
In addition, three crystal grains each having a clear outline in these five fields of view are selected, and the results of measuring the crystal grain size for a total of 15 are shown in FIGS. 5 (B), 6 (B), and 7 (B). ), FIG. 8B, and FIG. 9B.
図５（Ｂ）における結晶粒子のサイズは６４ｎｍ、６８ｎｍ、５６ｎｍであった。
図６（Ｂ）における結晶粒子のサイズは８２ｎｍ（最大値）、３４ｎｍ、３４ｎｍであった。
図７（Ｂ）における結晶粒子のサイズは２８ｎｍ、３８ｎｍ、３８ｎｍであった。
図８（Ｂ）における結晶粒子のサイズは５４ｎｍ、１６ｎｍ、１２ｎｍ（最小値）であった。
図９（Ｂ）における結晶粒子のサイズは２０ｎｍ、１４ｎｍ、２４ｎｍであった。
これらの測定値のうち、最大値である８２ｎｍと最小値である１２ｎｍとを除いた１３個の結晶粒子のサイズは１４ｎｍ〜６８ｎｍの範囲であり、平均値は３７．５ｎｍとなった。
The size of the crystal particles in FIG. 5B was 64 nm, 68 nm, and 56 nm.
The size of the crystal particles in FIG. 6B was 82 nm (maximum value), 34 nm, and 34 nm.
The size of the crystal particle in FIG. 7B was 28 nm, 38 nm, and 38 nm.
The crystal grain sizes in FIG. 8B were 54 nm, 16 nm, and 12 nm (minimum value).
The size of the crystal particle in FIG. 9B was 20 nm, 14 nm, and 24 nm.
Among these measured values, the size of 13 crystal grains excluding the maximum value of 82 nm and the minimum value of 12 nm was in the range of 14 nm to 68 nm, and the average value was 37.5 nm.
本発明のセラミック構造体およびセラミック構造体の製造方法は、前述した各実施形態に限定されるものでなく、適宜な変形、改良等が可能である。 The ceramic structure and the method of manufacturing the ceramic structure of the present invention are not limited to the above-described embodiments, and appropriate modifications and improvements can be made.
本発明のセラミック構造体およびセラミック構造体の製造方法は、例えば半導体製造工程に用いるセラミック構造体およびこのセラミック構造体の製造方法としてことができる。 The ceramic structure and the method for manufacturing the ceramic structure of the present invention can be used, for example, as a ceramic structure used in a semiconductor manufacturing process and a method for manufacturing the ceramic structure.
１０ セラミック構造体
２０ 本体
２１ 表面
３０ ＣＶＤ−ＳｉＣ層
３１ 表層
４０ 表面層
４１ ＳｉＣ結晶
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Ceramic structure 20 Main body 21 Surface 30 CVD-SiC layer 31 Surface layer 40 Surface layer 41 SiC crystal
Claims (9)
前記本体の表面に形成されたＣＶＤ−ＳｉＣ層と、
前記ＣＶＤ−ＳｉＣ層の表層に形成された表面層と、を備え、
前記表面層は、ＳｉＣ結晶がランダム配向であることを特徴とするセラミック構造体。 A main body made of SiC;
A CVD-SiC layer formed on the surface of the body;
A surface layer formed on a surface layer of the CVD-SiC layer,
The surface layer has a ceramic structure in which SiC crystals are randomly oriented.
前記ＣＶＤ−ＳｉＣ層の表面に水が存在する状態でレーザー照射を行うことにより、前記ＣＶＤ−ＳｉＣ層の表層を加熱して昇華、その後冷却して再結晶化させることにより、表面層を形成することを特徴とするセラミック構造体の製造方法。 After performing a CVD process on the surface of the main body made of SiC to form a CVD-SiC layer,
By performing laser irradiation in a state where water is present on the surface of the CVD-SiC layer, the surface layer of the CVD-SiC layer is heated and sublimated, and then cooled and recrystallized to form a surface layer. A method for producing a ceramic structure.
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