JP2016188816A - 光デバイス及び光デバイスの測定方法 - Google Patents
光デバイス及び光デバイスの測定方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016188816A JP2016188816A JP2015069121A JP2015069121A JP2016188816A JP 2016188816 A JP2016188816 A JP 2016188816A JP 2015069121 A JP2015069121 A JP 2015069121A JP 2015069121 A JP2015069121 A JP 2015069121A JP 2016188816 A JP2016188816 A JP 2016188816A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- light
- frequency
- unit
- optical device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
Description
これらの材料を用いた赤外線センサの具体的な用途の例としては、人感センサや非接触式温度計や非分散型赤外線吸収方式(NDIR:Non−dispersive Infrared)のガスセンサ等が挙げられる。これらいずれの用途においても、被検出光による出力信号が微弱であるため、高感度な赤外線センサが要求される。
しかしながら、ナローギャップ半導体からなるフォトダイオード等のセンサの感度は小さく、さらに温度変化による影響を受けやすいため、微弱の光信号を測定する場合、高精度な出力は得られ難い。そのため、多くの用途では赤外線センサが検出した被検出光による出力信号を温度補正する必要がある。
もう一つの手段としては、センサの内部抵抗が持つ温度情報を利用するという方法がある。この場合、最も簡易的な手段としては、センサと、初段の増幅アンプの入力端との間に、リレーやスイッチ等の切り替え回路を設け、センサの出力信号からセンサの内部抵抗を測定するときには、センサを抵抗測定回路に接続し、センサの出力信号から光信号を測定するときには、センサの出力を初段の増幅アンプに接続するという方法も開示されている(例えば、特許文献1参照)。
また、サーミスタ等の温度計を用いて温度情報を取得する場合、センサの周囲の温度の測定はできるが、その温度はセンサの芯(例えばフォトダイオードのPN接合部分)の温度とは異なる場合があり、また、センサの芯の温度変化のタイミングとサーミスタの温度変化のタイミングは一般的に異なるため、高精度且つ高速での光信号の温度補正は困難である。
本発明は、上記問題点に着目してなされたものであり、被検出光の検出精度をより向上させることの可能な光デバイス及び光デバイスの測定方法を提供することを目的としている。
まず、本発明の第1実施形態を説明する。
図1は、第1実施形態に係る光デバイス1の構成例を示す概念図である。
図1に示すように、光デバイス1は、光検出部11と、バイアス部12と、第1出力部13と、第2出力部14と、を備える。
光検出部11は、フォトダイオードのような量子型光検出素子を適用することができる。量子型光検出素子が被検出光に応じた信号を出力することで、ボロメータのような熱型検出素子と比して、光の検出を高速に行うことが可能となる。
量子型光検出素子の受光部がIn及びSbの少なくともいずれか一方を含むナローバンドギャップ化合物半導体から形成されることで、赤外線を含む波長帯での光検出部11の感度を高め、S/N比の高い光デバイス1を実現することができる。
例えば、受光部に、InSb、InAlSb、InAsSbのいずれかを含むフォトダイオードの場合、数μm以上12μm以下の波長の光を検出することができる。このような材料からできたフォトダイオードは、CO2、CO、NO、等の環境汚染ガスが吸収する波長を受光することができるため、これらのガスの濃度測定に好適である。
これらの半導体材料を用いたフォトダイオードは室温で低い抵抗を持ちながら、そのバンドギャップによって室温でもキャリアが励起されるため、感度が小さいだけではなく感度が温度環境の影響を受けやすい場合が多く、高精度の測定を実現するには温度補正が必要な場合が多い。また、このような材料の場合、温度によって内部抵抗が大きく変動し、例えば、InSbの場合には1℃あたり内部抵抗が3%程度変動するため、電流出力の方が望ましい場合がある。光検出部11として、半導体材料を用いたフォトダイオードを用いた場合、微弱な電圧を印加することによって内部抵抗に応じた電流を得ることができる。上記のような材料を用いたフォトダイオードは無バイアス(ゼロ電圧)付近では、室温ではほぼ線形の電流−電圧特性を示す。この線形な領域内にバイアス信号Sbiasとしての変調電圧の値を設定することで、被検出光に対しての感度や発熱を抑制することができるため、好適である。
なお、本発明の一実施形態では、被検出光の周波数帯域とバイアス信号Sbiasの周波数(帯域)f1とは異なる。
第2出力部14によって抽出されたIp情報信号は、光検出部11に入射された被検出光の強度を表す信号であるから、このIp情報信号を用いることによって、人感検知やガス濃度の演算を行うことができる。
また、本発明の一実施形態では、第2出力部14は、光検出部11としての量子型光検出素子の抵抗に応じた信号であるR0情報信号に基づいて量子型光検出素子の温度情報を推定し、該温度情報に基づいて量子型光検出素子に入射された被検出光による光電流に応じた信号であるIp情報信号を補正してもよい。
このように、本発明の第一実施形態に示す光デバイス1では、光検出部11の抵抗値を測定しながら、被検出光に応じたIp情報信号が同時に出力される。したがって、光検出部11の抵抗を表すR0情報信号に基づき温度を推定しながら、被検出光による出力信号であるIp情報信号を補正することによって、高速且つ高精度に、被検出光の測定を行うことができる。
図2は、本発明の第2実施形態における光デバイス1の一例を示す構成図である。
なお、第1実施形態における光デバイス1と同一部には同一符号を付与しその詳細な説明は省略する。
図2に示すように、第2実施形態における光デバイス1は、光検出部11とバイアス部12と第1出力部13と第2出力部14とを備えると共に、さらに、光源部15を備える。
図2に示すように、バイアス部12は、第1周波数(f1)の電流又は電圧信号からなる変調信号をバイアス信号Sbiasとして光検出部11に供給する。
光検出部11は、入射した被検出光に応じた信号と、バイアス部12から供給されたバイアス信号Sbiasに応じた信号との和を検出信号S1として出力する。
第1出力部13には光検出部11からの検出信号S1が入力され、第1出力部13では、R0情報信号として、検出信号S1の中から周波数f1の成分を抽出する。第1出力部13で抽出されたR0情報信号は、光検出部11が出力するバイアス信号Sbiasに応じた信号を表すものである。よって、バイアス信号Sbiasと検出信号S1とから、R0情報信号を取得することにより、光検出部11の抵抗情報を得ることができる。
光源部15が光検出部11に出力する光を所望の周波数に変調することで、例えば一定の周波数を持ったパルス光信号等、第2出力部14が復調しやすいような信号を検出信号S1として出力することができる。そのため、被検出光の検出精度を高めることができ、結果的に、第2出力部14の出力信号であるIp情報信号に基づく、物体検知や、ガス濃度等の測定精度を向上させることができる。
この第3実施形態は、図1に示す第1実施形態における光デバイスにおいて、光検出部11として、量子型光検出素子を用いたものである。
図3は、第3実施形態における光デバイス1の一例を示す構成図である。第1実施形態における光検出部11と同一部には同一符号を付与し、その詳細な説明は省略する。
この第3実施形態における光デバイス1では、バイアス部12から出力されるバイアス信号Sbiasは電圧信号からなる。また、第3実施形態における光デバイス1では、バイアス信号Sbiasは、後述のオペアンプ11bの被反転入力端子に接続される。
図3に示す光検出部11は、フォトダイオード11aからの短絡電流を電圧に変換するトランスインピーダンス(Transimpedance)アンプと呼ばれる増幅回路を構成している。
この場合、フォトダイオード11aの内部抵抗R0に応じた電流がトランスインピーダンスアンプによって電圧信号に変換され、オペアンプ11bから出力される。これによってフォトダイオード11aからの出力を電圧値として読み取ることが可能となる。
以上の構成とすることによって、フォトダイオード11aでの被検出光に応じた信号(Ip情報信号)と、バイアス信号Sbiasとの和に応じた電圧信号からなる検出信号S1が光検出部11から出力されるため、第1出力部13及び第2出力部14では、検出光に応じた検出信号S1を電圧信号として処理することができる。
この第4実施形態は、図1に示す第1実施形態における光デバイスにおいて、第2出力部14が温度補正部14aを備えたものである。
図4は、第4実施形態における光デバイス1の一例を示す構成図である。第1実施形態における光検出部11と同一部には同一符号を付与し、その詳細な説明は省略する。
この第4実施形態における光デバイス1では、第2出力部14の温度補正部14aは、光検出部11の抵抗に応じた信号(R0情報信号)に基づいて光検出部11の温度情報を推定し、推定した温度情報に基づいて光検出部11に入射された被検出光による光電流に応じた信号(Ip情報信号)を補正する。
(温度補正方法の一例)
Ip情報信号及び温度Tと相関を持つR0情報信号は共に温度依存性を持つため、Ip情報信号は一般的に次式(1)で表すことができる。
Ip=Ri×Φ
={An(R0)n+An−1(R0)n−1+…+A1(R0)+A0} ……(1)
ただし、(1)式中のRiは一定の温度Tでの光検出部11の感度、Φは光検出部11に入射される光信号の強度、An〜A0は定数である。
Ip1
=Ip/{An(R0)n+An−1(R0)n−1+…+A1(R0)+A0}
……(2)
したがって、温度Tにおける感度Riと、同じ温度における光信号の強度Φに対するIp情報信号とが予め分かっていれば、任意の温度に於けるR0とIpを同時に測定し、式(2)を利用して、予め決められた温度TでのIp情報信号に換算(補正)した、光信号の強度Φの被検出光に応じたIp情報信号であるIp1を求めることができる。言い換えれば、式(1)から、被検出光の強度Φは任意の温度に於けるIp及び抵抗R0から求めることができる。
このように予め決められた温度T以外の温度でも、その時のR0とIpを測定し温度補正を行うことで、温度TでのIp及び被検出光の強度Φ(式(1)よりΦ=Ip1/Ri)を求めることができ、周囲の温度変化が大きいような環境下でも光検出の精度を高めることができる。
この第5実施形態は、図3に示す第3実施形態における光デバイスにおいて、第2出力部14が温度補正部14aを備えたものである。
図5は、第5実施形態における光デバイス1の一例を示す構成図である。第3実施形態における光検出部11と同一部には同一符号を付与し、その詳細な説明は省略する。
この第5実施形態における光デバイス1では、第2出力部14の温度補正部14aは、量子型検出素子としてのフォトダイオード11aの抵抗に応じた信号(R0情報信号)に基づいてフォトダイオード11aの温度情報を推定し、推定した温度情報に基づいて、フォトダイオード11aに入射された被検出光による光電流に応じた信号(Ip情報信号)を補正する。
このように、光電流に応じた信号(Ip情報信号)の温度補正を行うことで、特にナローギャップ半導体からなるフォトダイオード等のセンサのように、感度が小さく、温度環境の影響を受けやすいセンサにより、微弱な光信号を測定する場合であっても、光検出の精度を高めることができる。
<実施例1>
図6は、実施例1における光デバイス1の一例を示す構成図である。
図6に示すように、光検出部11としてフォトダイオード11aを用い、オペアンプ11b及び抵抗器11cを設けることにより、トランスインピーダンス(Transimpedance)アンプと呼ばれる増幅回路を構成した。また、光源部15として、黒体炉を用いた。
ここで多数のフォトダイオードを直列に接続することによって、高いS/N比を実現することができる。被検出光の周波数は90Hzである。また、バイアス部12から出力されるバイアス信号Sbiasの周波数を390Hz、振幅を5mVに設定した。
ここで、ロックインアンプの動作原理を説明する。
図7に、ロックインアンプの基本回路を示す。
図7に示すように、ロックインアンプは、入力信号を後段での処理に適した大きさまで増幅するプリアンプ101と、プリアンプ101で増幅された入力信号Vinと、リファレンス信号Vrefとをもとに同期検波を行うことにより周波数変換するミキサー102と、ミキサー102から出力される周波数変換された出力信号Vpsdから所定周波数成分のみを抽出し、ロックインアンプの出力として出力するローパスフィルタLPF103と、参照信号としてのリファレンス信号を入力し、参照信号(リファレンス信号)と同じ周波数且つ一定の振幅を持つ信号を出力するトリガー生成回路104と、トリガー生成回路104から出力された信号と入力信号Vinとの位相差が零となるように位相調整を行い位相調整後の参照信号Vrefをミキサー102に出力する位相調整回路105と、を備える。
Vin=Acos(2πft) ……(3)
ただし、(3)式中のAは振幅、tは時間、fは周波数である。
参照信号としてのリファレンス信号は入力信号と同じ周波数を持つため、次式(4)で表すことができる。
Vref=Bcos(2πft+θ) ……(4)
ただし、(4)式中のBは振幅を示す。またθは入力信号Vinとリファレンス信号Vrefとの位相差を示し、位相差θは、ロックインアンプ内部に備える位相調整回路105で調整される。
Vpsd=Vin×Vref
=(1/2)×ABcos(θ)+(1/2)ABcos(4πft+θ)……(5)
ここで、ローパスフィルタ(LPF)103を、f成分を除く成分を除去するようにし、また、振幅Bを一定にすれば、ロックインアンプの出力信号は、振幅A及びcos(θ)に比例したDC信号となる。
つまり、f成分を除く周波数の信号は除去され、f成分の信号のみが抽出され、出力される。また、ローパスフィルタ103の遮断周波数が小さい程、高いS/N比を得ることができる。
実施例1では、図6に示す光デバイス1を用いて温度補正の実証を行った。
まず、フォトダイオード11aの温度Tが25℃の場合における一定の光信号について、光検出部11としてのフォトダイオード11aによる出力電流の測定を行った。ここでは、光源部15として温度227℃の黒体炉を用い、アパーチャー径φは22.2mm、黒体炉からフォトダイオード11aまでの距離は100mmとし、光を周波数90Hzでチョッピングした場合の光信号を出力させた。この光信号をフォトダイオード11aにより測定したところ、フォトダイオード11aの出力信号(Ip情報信号)は実効値で、5.8nArmsであった。この実効値5.8nArmsは、オペアンプ11bの出力を抵抗器11cの抵抗値R1との比を算出することで求めた。
また、バイアス部12として、周波数390Hz、振幅5mVrmsの正弦波電圧電源を用いた。
Ip
=−5.55×10−39R06+3.19×10−33R05
−7.46×10−28R04+9.13×10−23R03
−6.24×10−18R02+2.32×1013R0
+1.98×10−9[Arms] ……(6)
Ip1
=5.8×10−9/(−5.55×10−39R06+3.19×10−33R05
−7.46×10−28R04+9.13×10−23R03
−6.24×10−18R02 +2.32×1013R0
+1.98×10−9)[Arms] ……(7)
また式(1)よりΦ=Ip1/Riの関係から、任意の温度に於ける被検出光の強度を求めることができる。
なお、ロックインアンプの出力の演算処理及びその温度補正は、コンピューターによって演算処理を行った。
温度補正の効果を実証するために、フォトダイオード11aの温度が70℃付近まで加熱されるように、熱風をフォトダイオード11aに与えた。そのときのIp情報信号とR0情報信号と時間との関係を図8に示す。図8において、横軸は経過時間、縦軸は、光電流Ip(Ip情報信号)及び内部抵抗R0(R0情報信号)である。
その結果を図9に示す。横軸は経過時間を表し、縦軸は温度補正後の光電流Ip1(Ip情報信号)を表す。図9から分かるように、熱風等の外乱によってフォトダイオード11aの温度が変化するような環境においても、温度変化の影響は大幅にキャンセルされており、安定した光電流の値が得られていることが分かる。
比較例1として図10に示すように、光検出部11としてフォトダイオード11aを用い、フォトダイオード11aの出力電流を第2出力部14としてのロックインアンプ2に入力すると共に、フォトダイオード11aのそばにサーミスタ(白金抵抗体)21を設け、サーミスタ21の抵抗を抵抗測定装置22により測定し、測定した抵抗値を温度情報とした。それ以外の条件は、実施例1と同様にした。
比較例2として図12に示すような回路を用いて実験を行った。
すなわち、図12に示すように、光検出部11としてフォトダイオード11aを用い、フォトダイオード11aの両端を、スイッチSWを介して第2出力部14としてのロックインアンプ2と、抵抗測定装置22とのいずれか一方に切り換えて接続するようにした。
スイッチSWを用いて、フォトダイオード11aの両端を抵抗測定装置22に接続する期間をTRとし、Ip情報信号測定用のロックインアンプ2からなる第2出力部14に接続する期間をTIとし、フォトダイオード11aの両端の接続先を交互に切り換えながら、フォトダイオード11aによるIp情報信号の測定と、フォトダイオード11aの抵抗値に基づくR0の測定とを行った。今回の測定では、TRを450ms、TIを150msとした。
図13において、横軸は経過時間、縦軸は、温度補正後の光電流Ip1(Ip情報信号)を表す。
以上のように、本発明の一実施形態における光デバイス1は、被検出光に応じたIp情報信号と、光検出部11の抵抗に応じたR0情報信号とを同時に出力することができる。そのため、S/N比の高い、被検出光に応じた光電流に基づくIp情報信号を得ることができる。また、被検出光に応じたIp情報信号と同時に出力される、温度に応じて変化する光検出部11の抵抗に応じたR0情報信号に基づいて、Ip情報信号を温度補正することによって、より高精度なIp情報信号を得ることができ、すなわち、光デバイス1による被検出光の検出精度や被検光の強度測定を向上させることができる。
また、サーミスタ等の温度計を用いることなく、光検出部11の温度に応じた抵抗情報を得ることができるため、部品数の増加を抑制し、光デバイス1の小型化や薄型化を図ることができる。
なお、ここまで、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されず、その技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施されてよいことは言うまでもない。
10 半導体発光素子
11 光検出部
11a フォトダイオード
11b オペアンプ
11c 抵抗器
13 第1出力部
14 第2出力部
14a 温度補正部
15 光源部
21 サーミスタ
22 抵抗測定装置
Claims (10)
- 入射される被検出光に応じた信号とバイアス信号とに応じた検出信号を出力する光検出部と、
第1周波数の電流信号又は電圧信号を前記バイアス信号として前記光検出部に出力するバイアス部と、
前記検出信号が入力され、当該検出信号から前記第1周波数の成分を抽出する第1出力部と、
前記検出信号が入力され、当該検出信号から前記第1周波数を除く周波数成分を抽出する第2出力部と、を備える光デバイス。 - 前記第1出力部で抽出した前記第1周波数の成分に基づいて前記光検出部の温度を推定し、推定した温度に基づいて前記第2出力部で抽出した前記第1周波数を除く周波数成分を補正する温度補正部を備える請求項1記載の光デバイス。
- 前記被検出光となる、前記第1周波数とは異なる第2周波数の光を出力する光源部をさらに備え、
前記第2出力部は、前記検出信号から前記第2周波数の成分を抽出する請求項1又は請求項2に記載の光デバイス。 - 前記光検出部は、量子型光検出素子を含む請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の光デバイス。
- 前記量子型光検出素子の受光部は、インジウム及びアンチモンのうちのいずれか一方を含むナローバンドギャップ化合物半導体から形成される請求項4に記載の光デバイス。
- 前記光検出部は、オペアンプと抵抗器とをさらに備え、
前記オペアンプの出力端子と反転入力端子との間に前記抵抗器が接続されると共に、前記オペアンプの反転入力端子とグランド電位との間に前記量子型光検出素子が接続され、前記バイアス部の出力が前記オペアンプの非反転入力端子に接続される請求項4又は請求項5に記載の光デバイス。 - 前記第1出力部は、前記第1周波数の成分として前記量子型光検出素子の抵抗に応じた信号を抽出する請求項4から請求項6のいずれか一項に記載の光デバイス。
- 前記被検出光となる、前記第1周波数とは異なる第2周波数の光を出力する光源部を備え、
前記第2出力部は、前記第2周波数の成分として、前記量子型光検出素子に入射される被検出光により生じる光電流に応じた信号を抽出する請求項4から請求項7のいずれか一項に記載の光デバイス。 - 前記量子型光検出素子はフォトダイオードである請求項4から請求項8のいずれか1項に記載の光デバイス。
- 被検出光が入射される光検出部を備えた光デバイスの測定方法であって、
第1周波数の電流信号又は電圧信号をバイアス信号として前記光検出部に供給し、
当該光検出部から出力される検出信号から、前記第1周波数の成分と前記第1周波数を除く周波数成分とを個別に抽出し、
抽出した前記第1周波数の成分から前記光検出部の温度を推定し、
前記第1周波数を除く周波数成分を前記入射される被検出光に応じた信号として、推定した前記温度に基づき補正する光デバイスの測定方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015069121A JP6487253B2 (ja) | 2015-03-30 | 2015-03-30 | 光デバイス及び光デバイスの測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015069121A JP6487253B2 (ja) | 2015-03-30 | 2015-03-30 | 光デバイス及び光デバイスの測定方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016188816A true JP2016188816A (ja) | 2016-11-04 |
JP6487253B2 JP6487253B2 (ja) | 2019-03-20 |
Family
ID=57239617
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015069121A Active JP6487253B2 (ja) | 2015-03-30 | 2015-03-30 | 光デバイス及び光デバイスの測定方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6487253B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019215316A (ja) * | 2018-06-13 | 2019-12-19 | エー・ウント・エー・エレクトロニック・ゲゼルシヤフト・ミト・ベシユレンクテル・ハフツング | 電子装置、そのような電子装置を備えた光ガスセンサー及びそのような電子装置を用いて光電流と温度を組み合せて測定する方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS582711A (ja) * | 1981-06-30 | 1983-01-08 | Leo Giken:Kk | 光電変換素子の感度安定化方法 |
JPS58166226A (ja) * | 1982-03-27 | 1983-10-01 | Minolta Camera Co Ltd | 光電変換装置 |
JPS6375528A (ja) * | 1986-09-18 | 1988-04-05 | Daikin Ind Ltd | 赤外線検出装置 |
JPS63286728A (ja) * | 1987-05-19 | 1988-11-24 | Yokogawa Electric Corp | 光パワ−メ−タ |
US5266792A (en) * | 1991-10-28 | 1993-11-30 | Simmonds Precision Products, Inc. | Temperature compensated optical detector |
WO2007125873A1 (ja) * | 2006-04-24 | 2007-11-08 | Asahi Kasei Emd Corporation | 赤外線センサ |
JP2011119398A (ja) * | 2009-12-02 | 2011-06-16 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 赤外線センサの信号処理装置、赤外線センサ |
JP2012078160A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 赤外線センサ信号の補正方法及び温度測定方法並びに温度測定装置 |
-
2015
- 2015-03-30 JP JP2015069121A patent/JP6487253B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS582711A (ja) * | 1981-06-30 | 1983-01-08 | Leo Giken:Kk | 光電変換素子の感度安定化方法 |
JPS58166226A (ja) * | 1982-03-27 | 1983-10-01 | Minolta Camera Co Ltd | 光電変換装置 |
JPS6375528A (ja) * | 1986-09-18 | 1988-04-05 | Daikin Ind Ltd | 赤外線検出装置 |
JPS63286728A (ja) * | 1987-05-19 | 1988-11-24 | Yokogawa Electric Corp | 光パワ−メ−タ |
US5266792A (en) * | 1991-10-28 | 1993-11-30 | Simmonds Precision Products, Inc. | Temperature compensated optical detector |
WO2007125873A1 (ja) * | 2006-04-24 | 2007-11-08 | Asahi Kasei Emd Corporation | 赤外線センサ |
JP2011119398A (ja) * | 2009-12-02 | 2011-06-16 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 赤外線センサの信号処理装置、赤外線センサ |
JP2012078160A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 赤外線センサ信号の補正方法及び温度測定方法並びに温度測定装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019215316A (ja) * | 2018-06-13 | 2019-12-19 | エー・ウント・エー・エレクトロニック・ゲゼルシヤフト・ミト・ベシユレンクテル・ハフツング | 電子装置、そのような電子装置を備えた光ガスセンサー及びそのような電子装置を用いて光電流と温度を組み合せて測定する方法 |
KR20190141077A (ko) * | 2018-06-13 | 2019-12-23 | 이플러스이엘렉트로닉 게엠베하 | 전자 어셈블리, 전자 어셈블리를 포함하는 광학 가스 센서 및 전자 어셈블리를 이용하여 광전류 및 온도를 결합하여 측정하는 방법 |
JP7266436B2 (ja) | 2018-06-13 | 2023-04-28 | エー・ウント・エー・エレクトロニック・ゲゼルシヤフト・ミト・ベシユレンクテル・ハフツング | 電子装置を備えた光ガスセンサー及びそのような電子装置を用いて光電流と温度を組み合せて測定する方法 |
KR102603955B1 (ko) | 2018-06-13 | 2023-11-21 | 이플러스이엘렉트로닉 게엠베하 | 전자 어셈블리, 전자 어셈블리를 포함하는 광학 가스 센서 및 전자 어셈블리를 이용하여 광전류 및 온도를 결합하여 측정하는 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6487253B2 (ja) | 2019-03-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Zhou et al. | InAs Photodiodes for 3.43$\mu\text {m} $ Radiation Thermometry | |
US11988552B2 (en) | Photoconductor readout device and method of using same for determining responsivity and detectivity | |
Svetlitza et al. | THz measurements and calibration based on a blackbody source | |
KR102603955B1 (ko) | 전자 어셈블리, 전자 어셈블리를 포함하는 광학 가스 센서 및 전자 어셈블리를 이용하여 광전류 및 온도를 결합하여 측정하는 방법 | |
CN103900722B (zh) | 非制冷红外焦平面阵列读出电路 | |
Leis et al. | A temperature compensation technique for near-infrared methane gas threshold detection | |
Wang et al. | High-sensitive measurement of water vapor: shot-noise level performance via a noise canceller | |
JP6487253B2 (ja) | 光デバイス及び光デバイスの測定方法 | |
De Marcellis et al. | Differential measurements of light power variations through Si photodiodes in a bridge configuration for high-sensitivity chemical/biological optical sensing | |
US7435961B2 (en) | Imaging sensor | |
Yoon et al. | Thermodynamic radiation thermometry using radiometers calibrated for radiance responsivity | |
JP5576162B2 (ja) | 量子型赤外線ガス濃度計 | |
US11754443B2 (en) | Photoconductor readout circuit | |
JP6574110B2 (ja) | ガスセンサ回路、ガスセンサ装置及びガス濃度検知方法 | |
Hobbs et al. | Evaluation of phase sensitive detection method and Si avalanche photodiode for radiation thermometry | |
Dong et al. | Mid-infrared carbon monoxide detection system using differential absorption spectroscopy technique | |
Park et al. | Switched integration amplifier-based photocurrent meter for accurate spectral responsivity measurement of photometers | |
Refaat et al. | Comparison between super low ionization ratio and reach through avalanche photodiode structures | |
Mikołajczyk et al. | Detection of optical signals in selected sensing applications | |
US20230068316A1 (en) | Temperature Detection Through Differential Dual Detectors | |
Heeley et al. | Zero Drift Infrared Radiation Thermometer Using Chopper Stabilised Pre-Amplifier | |
Ye et al. | On the InGaAs-based Photodetection Circuit for Scanning Near-Infrared Signal in the Wavelength Range of 1.0-2.0 μm | |
Zhao et al. | Manganite heterojunction photodetectors for femtosecond pulse laser measurements | |
Matolin et al. | A 64× 64 pixel temporal contrast microbolometer infrared sensor | |
Hobbs et al. | InGaAs APD thermometry |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171207 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180629 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180724 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180920 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190205 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190221 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6487253 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |