JP2016183140A - Compound for electroluminescence devices, and electroluminescence device prepared therewith - Google Patents

Compound for electroluminescence devices, and electroluminescence device prepared therewith Download PDF

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純一 星野
直子 矢内
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直子 矢内
友美 岩本
Tomomi Iwamoto
友美 岩本
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a long-life electroluminescence device, and a compound for electroluminescence devices for achieving the same.SOLUTION: A compound for electroluminescence devices is represented by formula (1) or formula (2) (X is a substituted/unsubstituted aryl group; L is a linking group to represent a substituted/unsubstituted arylene group; i is 0 or 1).SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、電界発光素子用化合物およびそれを用いた電界発光素子に関するものである。   The present invention relates to a compound for an electroluminescent element and an electroluminescent element using the same.

電界発光素子は、自発光、高速応答などの特長を持ち、フラットパネルディスプレイなどへの適用が期待されている。特に、正孔輸送性の有機薄膜(正孔輸送層)と電子輸送性の有機薄膜(電子輸送層)とを積層した2層型(積層型)のものが報告されて以来、10V以下の低電圧で発光する大面積発光素子として関心を集めている。積層型の電界発光素子は、正極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/負極、を基本構成とする薄膜の積層膜からなる。このうち発光層は、2層型の場合のように、正孔輸送層及び電子輸送層にその機能を兼ねさせてもよい。また、蛍光性有機化合物の種類を選択することにより種々の色の発光が可能なことから、様々な発光素子、表示素子等への応用が期待されている。   Electroluminescent devices have features such as self-emission and high-speed response, and are expected to be applied to flat panel displays. In particular, since a two-layered type (laminated type) in which a hole-transporting organic thin film (hole-transporting layer) and an electron-transporting organic thin film (electron-transporting layer) are reported has been reported, a low voltage of 10 V or less. It has attracted attention as a large-area light-emitting element that emits light with voltage. The laminated electroluminescent element is composed of a thin film having a basic structure of positive electrode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / negative electrode. Among these, the light emitting layer may have the function of the hole transport layer and the electron transport layer as in the case of the two-layer type. Further, since various colors can be emitted by selecting the type of the fluorescent organic compound, application to various light emitting elements, display elements and the like is expected.

このような電界発光素子において、長寿命、高効率な素子を実現するため、種々の色について様々な構造の材料が提案されてきた。その中でピレン構造は、高い安定性を兼ね備えた材料として使用されている。その中でも特許文献1に開示されているピレン構造を有する非対称ピレン誘導体を発光層のホスト材料として用いることで、長寿命な電界発光素子の作製が可能であるとしている。   In such an electroluminescent device, materials having various structures for various colors have been proposed in order to realize a long-life and highly efficient device. Among them, the pyrene structure is used as a material having high stability. Among them, it is said that by using an asymmetric pyrene derivative having a pyrene structure disclosed in Patent Document 1 as a host material of a light emitting layer, a long-life electroluminescent element can be manufactured.

しかしながら、非対称な構造は分子内に極性を生むため、電界発光素子中に発生する正孔や電子といった極性の高い活性種と反応し、その材料の分解を引き起こす。そのため、特許文献1に開示されている非対称ピレン誘導体を発光層のホスト材料として用いた場合、十分な寿命特性が得られていなかった。   However, since the asymmetric structure produces polarity in the molecule, it reacts with active species having high polarity such as holes and electrons generated in the electroluminescent element, causing decomposition of the material. Therefore, when the asymmetric pyrene derivative disclosed in Patent Document 1 is used as the host material for the light emitting layer, sufficient life characteristics have not been obtained.

また、特許文献2に開示されているピレン誘導体は、嵩高い置換基を用いることでピレン誘導体の結晶化とエキシマーの形成が抑制され、これを用いることにより長寿命な電界発光素子の作製が可能であるとしている。   In addition, the pyrene derivative disclosed in Patent Document 2 can suppress the crystallization of the pyrene derivative and the formation of the excimer by using a bulky substituent, and by using this, a long-life electroluminescent device can be produced. It is said that.

しかしながら、特許文献2に開示されているピレン誘導体が有する置換基の嵩高さは十分ではなく、特許文献2に開示されているピレン誘導体を発光層のホスト材料として用いた場合、十分な寿命特性が得られていなかった。   However, the bulkiness of the substituents possessed by the pyrene derivative disclosed in Patent Document 2 is not sufficient, and when the pyrene derivative disclosed in Patent Document 2 is used as a host material for the light-emitting layer, sufficient lifetime characteristics are obtained. It was not obtained.

特許第4705914号公報Japanese Patent No. 4705914 特開2002−63988号公報JP 2002-63988 A

そこで本発明は、長寿命な電界発光素子とそれを実現する電界発光素子用の化合物を提供することを目的とする。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a long-life electroluminescent element and a compound for the electroluminescent element that realizes the electroluminescent element.

上記の目的を達成するため、本発明の電界発光素子用の化合物は下記一般式(1)または一般式(2)であることが好ましい。

Figure 2016183140
Figure 2016183140
(一般式(1)または一般式(2)において、Xは置換または無置換のアリール基を表し、Lは連結基であり、置換または無置換のアリーレン基を表し、iは0または1を表す。)
一般式(1)または一般式(2)で表される化合物は嵩高いアントラセン部位が、ピレン環同士のスタッキングに起因する結晶化を抑制することで薄膜としての安定性を高めるため、長寿命な電界発光素子用の化合物となる。 In order to achieve the above object, the compound for an electroluminescent device of the present invention is preferably represented by the following general formula (1) or general formula (2).
Figure 2016183140
Figure 2016183140
(In General Formula (1) or General Formula (2), X represents a substituted or unsubstituted aryl group, L represents a linking group, represents a substituted or unsubstituted arylene group, and i represents 0 or 1 .)
The compound represented by the general formula (1) or the general formula (2) has a long life because the bulky anthracene portion enhances the stability as a thin film by suppressing crystallization caused by stacking of pyrene rings. It becomes the compound for electroluminescent elements.

また、本発明に係る電界発光素子は、陽極と陰極からなる一対の電極の間に、少なくとも1層の有機層が挟持された電界発光素子において、前記有機層の少なくとも1層が、上記一般式(1)または一般式(2)で表される電界発光素子用の化合物を単独もしくは混合物の成分として含有することが好ましい。上記の電界発光素子用の化合物を用いることで、長寿命な電界発光素子が提供できる。 The electroluminescent device according to the present invention is an electroluminescent device in which at least one organic layer is sandwiched between a pair of electrodes composed of an anode and a cathode. It is preferable to contain the compound for electroluminescent elements represented by (1) or General formula (2) individually or as a component of a mixture. By using the above compound for an electroluminescent element, a long-life electroluminescent element can be provided.

また、本発明に係る電界発光素子は、陽極と陰極からなる一対の電極の間に、正孔注入層を含む複数の有機層が挟持された有機電界発光素子において、前記正孔注入層が上記一般式(1)または一般式(2)で表される化合物と電子アクセプター化合物との混合層からなることが好ましい。電子アクセプターを用いて上記化合物の仕事関数を低下させることで、上記化合物を正孔注入層として用いることができる。特に上記化合物はイオン化ポテンシャルの低いピレン構造を有するため、電子アクセプターのドープにより生じる正孔が安定となり、長寿命な電界発光素子が提供できる。   In addition, the electroluminescent device according to the present invention is an organic electroluminescent device in which a plurality of organic layers including a hole injection layer are sandwiched between a pair of electrodes composed of an anode and a cathode. It is preferably composed of a mixed layer of the compound represented by the general formula (1) or the general formula (2) and the electron acceptor compound. By reducing the work function of the compound using an electron acceptor, the compound can be used as a hole injection layer. In particular, since the above compound has a pyrene structure with a low ionization potential, holes generated by doping with an electron acceptor become stable, and an electroluminescent device having a long lifetime can be provided.

また、有機層は、少なくとも1層の発光層及び正孔輸送層をさらに含み、発光層及び正孔輸送層は、前記一般式(1)または一般式(2)で表される電界発光素子用化合物からなることが好ましい。正孔注入層から発光層において、一般式(1)または一般式(2)で表される電界発光素子用化合物を用いることで、異なる層間のキャリア注入障壁が少なくなるため、劣化の原因となるキャリアの蓄積が抑制されるため、長寿命な電界発光素子が提供できる。   The organic layer further includes at least one light emitting layer and a hole transport layer, and the light emitting layer and the hole transport layer are for the electroluminescent device represented by the general formula (1) or the general formula (2). It preferably consists of a compound. By using the compound for an electroluminescent element represented by the general formula (1) or the general formula (2) from the hole injection layer to the light emitting layer, the carrier injection barrier between different layers is reduced, which causes deterioration. Since accumulation of carriers is suppressed, a long-life electroluminescent element can be provided.

本発明によれば、長寿命な電界発光素子とそれを実現する電界発光素子用の化合物が提供できる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the compound for electroluminescent elements and the electroluminescent element which implement | achieve it can be provided with a long life.

本発明の電界発光素子の概略である。1 is an outline of an electroluminescent element of the present invention.

本実施形態は下記一般式(1)または一般式(2)で表される電界発光素子用化合物である。

Figure 2016183140
Figure 2016183140
(一般式(1)または一般式(2)において、Xは置換または無置換のアリール基を表し、Lは連結基であり、置換または無置換のアリーレン基を表し、iは0または1を表す。) The present embodiment is a compound for an electroluminescent element represented by the following general formula (1) or general formula (2).
Figure 2016183140
Figure 2016183140
(In General Formula (1) or General Formula (2), X represents a substituted or unsubstituted aryl group, L represents a linking group, represents a substituted or unsubstituted arylene group, and i represents 0 or 1 .)

一般式(1)または一般式(2)で表される化合物は対称な構造であることから、遷移双極子モーメントが低下しないため量子効率の低下を抑制することができる。また、ピレン環はピレン環同士でのスタッキング力が強いため、電界発光素子中において2つのピレン環がエキシマーを形成することで発光効率を低下させる。しかし、一般式(1)または一般式(2)で表される化合物は、2つの嵩高いアントラセン部位がピレン環同士のスタッキングを抑制することで、エキシマーの形成を防ぐことができるため、発光効率の低下を防ぐことができる。さらに、嵩高いアントラセン部位が、ピレン環同士のスタッキングに起因する結晶化を抑制することで薄膜としての安定性を高める。このような薄膜の安定性の増加により、結果として電界発光素子としての寿命が延びると考えられる。   Since the compound represented by the general formula (1) or the general formula (2) has a symmetric structure, the transition dipole moment does not decrease, so that a decrease in quantum efficiency can be suppressed. In addition, since the pyrene ring has a strong stacking force between the pyrene rings, the two pyrene rings form an excimer in the electroluminescent element, thereby reducing the light emission efficiency. However, in the compound represented by the general formula (1) or the general formula (2), two bulky anthracene sites can prevent the formation of excimer by suppressing the stacking of the pyrene rings. Can be prevented. Further, the bulky anthracene moiety suppresses crystallization due to stacking of pyrene rings, thereby improving the stability as a thin film. Such an increase in the stability of the thin film is considered to increase the lifetime of the electroluminescent device as a result.

Lは連結基であり、それぞれ置換または無置換のアリーレン基である。フェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基等の低分子量のアリーレン基が、合成が容易である点で好ましい。また、アントラセン環の嵩高さによるピレン環のエキシマー形成を防ぐ観点から、フェニレン基が、アリーレン基としてより好ましい。これらの連結基は、通常は無置換であることが好ましいが、さらに置換されていてもよく、その場合は極性を持たないアリール基が好ましい。   L is a linking group, and each is a substituted or unsubstituted arylene group. A low molecular weight arylene group such as a phenylene group, a biphenylene group, or a naphthylene group is preferable because it can be easily synthesized. Moreover, a phenylene group is more preferable as an arylene group from the viewpoint of preventing excimer formation of the pyrene ring due to the bulk of the anthracene ring. These linking groups are usually preferably unsubstituted, but may be further substituted, in which case an aryl group having no polarity is preferred.

Xは置換または無置換のアリール基であり、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基等の低分子量のアリール基が、合成が容易である点で好ましい。これらの置換基は、さらに置換されていてもよいが、極性を持たないアリール基が好ましい。   X is a substituted or unsubstituted aryl group, and a low molecular weight aryl group such as a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, or a naphthyl group is preferable in terms of easy synthesis. These substituents may be further substituted, but aryl groups having no polarity are preferred.

前記化合物の分子量については特に限定は無いが、成膜プロセスを考慮すると、1000以下であることが好ましい。分子量が1000を超えてくると、溶解性が低下することで合成が困難になる他、デバイスに応用する場合の塗布プロセスが困難になる。また、蒸着プロセスによってデバイスを作成する場合においても、蒸着温度が400度以上の高温になる事が多く、材料の分解を生じる事がある為である。   The molecular weight of the compound is not particularly limited, but is preferably 1000 or less in consideration of the film forming process. When the molecular weight exceeds 1000, synthesis becomes difficult due to a decrease in solubility, and the coating process for application to a device becomes difficult. In addition, even when a device is produced by a vapor deposition process, the vapor deposition temperature is often a high temperature of 400 ° C. or more, and the material may be decomposed.

以下に、一般式(1)または一般式(2)で表される本実施形態の化合物の具体例を示すが、本実施形態はこれらに限定されるものではない。   Although the specific example of the compound of this embodiment represented by General formula (1) or General formula (2) below is shown, this embodiment is not limited to these.

Figure 2016183140
Figure 2016183140

また、本実施形態は、前記一般式(1)または一般式(2)の化合物を含むことを特徴とする電界発光素子である。本発明の実施の形態による電界発光素子について図1を参照しながら説明する。図1に示すように、電界発光素子1は、基板2上に、陽極3、正孔注入層4、正孔輸送層5、発光層6、電子輸送層7、電子注入層8、陰極9を順次有する。   Moreover, this embodiment is an electroluminescent element characterized by including the compound of the said General formula (1) or General formula (2). An electroluminescent device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 1, the electroluminescent device 1 includes an anode 3, a hole injection layer 4, a hole transport layer 5, a light emitting layer 6, an electron transport layer 7, an electron injection layer 8, and a cathode 9 on a substrate 2. Have sequentially.

基板2は、透明または半透明の材料から形成されていることが好ましく、例えば、ガラス板、透明プラスチックシート、半透明プラスチックシート、石英、透明セラミックスあるいはこれらを組み合わせた複合シートがある。なお、基板2は、不透明な材料から形成されていてもよい。この場合、電界発光素子1は、図1に示される積層順序を逆にすればよい。さらに、基板2に、例えば、カラーフィルター膜、色変換膜、誘電体反射膜等を組み合わせることにより、発光色をコントロールしてもよい。   The substrate 2 is preferably formed of a transparent or translucent material, such as a glass plate, a transparent plastic sheet, a translucent plastic sheet, quartz, transparent ceramics, or a composite sheet combining these. The substrate 2 may be formed from an opaque material. In this case, the electroluminescent element 1 should just reverse the lamination | stacking order shown by FIG. Furthermore, the emission color may be controlled by combining the substrate 2 with, for example, a color filter film, a color conversion film, a dielectric reflection film, or the like.

陽極3は、比較的仕事関数の大きい金属、合金または電気電導性化合物を電極物質として使用することが好ましい。陽極3に使用する電極物質としては、例えば、金、白金、銀、銅、コバルト、ニッケル、パラジウム、バナジウム、タングステン、酸化錫、酸化亜鉛、ITO(Indium Tin Oxide)、ポリチオフェン、ポリピロールなどがある。これらの電極物質は、単独で使用してもよく、複数併用してもよい。陽極3は、これらの電極物質を、例えば、蒸着法、スパッタリング法等の気相成長法により、基板2の上に形成することができる。また、陽極3は、一層構成であっても、多層構成であってもよい。   The anode 3 preferably uses a metal, an alloy or an electrically conductive compound having a relatively large work function as an electrode material. Examples of the electrode material used for the anode 3 include gold, platinum, silver, copper, cobalt, nickel, palladium, vanadium, tungsten, tin oxide, zinc oxide, ITO (Indium Tin Oxide), polythiophene, and polypyrrole. These electrode materials may be used alone or in combination. The anode 3 can form these electrode materials on the substrate 2 by, for example, a vapor phase growth method such as a vapor deposition method or a sputtering method. Further, the anode 3 may have a single layer structure or a multilayer structure.

正孔注入層4は、陽極3からの正孔(ホール)の注入を容易にする機能を有する化合物を含有する層である。また、陽極3との密着性も材料選択時の重要な因子である。具体的には、フタロシアニン誘導体、トリアリールメタン誘導体、トリアリールアミン誘導体などを少なくとも1種用いて形成することができる。本実施形態の一般式(1)または一般式(2)で表される化合物は仕事関数が陽極3に比べて大きいため、通常は正孔注入層4には適さない材料である。しかしながら、塩化アンチモンや塩化鉄、酸化モリブデン等の電子アクセプターを用いて強制的に正孔を発生させた場合には、陽極3からの正孔注入が容易になるため、本実施形態の一般式(1)または一般式(2)で表される化合物も正孔注入層4として用いることができる。特に一般式(1)または一般式(2)で表される化合物はイオン化ポテンシャルの低いピレン構造を有するため、電子アクセプターのドープにより生じる正孔が安定となり、長寿命な電界発光素子が提供できる。   The hole injection layer 4 is a layer containing a compound having a function of facilitating injection of holes from the anode 3. In addition, adhesion with the anode 3 is also an important factor when selecting a material. Specifically, it can be formed using at least one phthalocyanine derivative, triarylmethane derivative, triarylamine derivative, or the like. Since the compound represented by the general formula (1) or the general formula (2) of the present embodiment has a work function larger than that of the anode 3, the compound is usually not suitable for the hole injection layer 4. However, when holes are forcibly generated using an electron acceptor such as antimony chloride, iron chloride, or molybdenum oxide, hole injection from the anode 3 is facilitated, so that the general formula ( The compound represented by 1) or general formula (2) can also be used as the hole injection layer 4. In particular, since the compound represented by the general formula (1) or the general formula (2) has a pyrene structure with a low ionization potential, holes generated by doping of the electron acceptor are stabilized, and a long-life electroluminescent device can be provided.

正孔輸送層5は、注入された正孔を発光層6に輸送する機能、および発光層6中の電子が正孔輸送層5に注入されるのを妨げる機能を有する化合物を含有する層である。正孔輸送層5は、トリアリールメタン誘導体、トリアリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、カルバゾール誘導体、もしくはアントラセン誘導体などの炭化水素化合物などを少なくとも1種用いて形成することができる。また本実施形態の一般式(1)または一般式(2)で表される化合物も正孔輸送層5として用いることができる。   The hole transport layer 5 is a layer containing a compound having a function of transporting injected holes to the light emitting layer 6 and a function of preventing electrons in the light emitting layer 6 from being injected into the hole transport layer 5. is there. The hole transport layer 5 includes at least one hydrocarbon compound such as a triarylmethane derivative, a triarylamine derivative, a stilbene derivative, a polysilane derivative, polyphenylenevinylene and a derivative thereof, polythiophene and a derivative thereof, a carbazole derivative, or an anthracene derivative. Can be formed. Further, the compound represented by the general formula (1) or the general formula (2) of the present embodiment can also be used as the hole transport layer 5.

なお、正孔注入層4と正孔輸送層5の機能を併せ持つ材料であれば、正孔注入輸送層として、単層で二層分の機能を果たす事が可能である。一方で、正孔注入層4や正孔輸送層5を、さらに複数の層に機能分離して使用することも可能である。   In addition, if it is a material which has the function of the positive hole injection layer 4 and the positive hole transport layer 5, as a positive hole injection transport layer, it can fulfill the function for two layers by a single layer. On the other hand, the hole injection layer 4 and the hole transport layer 5 can be further functionally separated into a plurality of layers.

発光層6は、注入された正孔(ホール)および電子の輸送機能と正孔と電子の再結合により励起子を生成させる機能を有する化合物を含有する層である。ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、フルオランテン誘導体、ナフタセン誘導体といった炭化水素系の化合物が好ましく用いられる。本実施形態における一般式(1)または一般式(2)で表される化合物は発光層6に用いられることが好ましく、通常はホスト材料として用いられ、長寿命の電界発光素子が提供できる。   The light emitting layer 6 is a layer containing a compound having a function of transporting injected holes and electrons and a function of generating excitons by recombination of holes and electrons. Hydrocarbon compounds such as naphthalene derivatives, anthracene derivatives, phenanthrene derivatives, pyrene derivatives, fluoranthene derivatives, and naphthacene derivatives are preferably used. The compound represented by the general formula (1) or the general formula (2) in the present embodiment is preferably used for the light emitting layer 6, and is usually used as a host material, thereby providing a long-life electroluminescent device.

発光層6にはホスト材料のほかに、発光ドーピング材料として、他の蛍光性物質を含有させてもよい。蛍光性物質としては、例えば、キナクリドン、ルブレン、スチリル系色素等の化合物、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム等の8−キノリノールないしその誘導体を配位子とする金属錯体色素などのキノリン誘導体、テトラフェニルブタジエン、アントラセン、フルオランテン、ピレン、ペリレン、コロネン、12−フタロペリノン誘導体、フェニルアントラセン誘導体、テトラアリールエテン誘導体、芳香族アミン誘導体等が挙げられる。特に、アミノナフタレン誘導体、アミノピレン誘導体、アミノフェナントレン誘導体、アミノフルオレン誘導体、アミノクリセン誘導体、アミノアントラセン誘導体、アミノペリレン誘導体等の芳香族アミン誘導体は非常に好ましい材料である。   In addition to the host material, the light emitting layer 6 may contain another fluorescent substance as a light emitting doping material. Examples of fluorescent substances include compounds such as quinacridone, rubrene, and styryl dyes, quinoline derivatives such as metal complex dyes having 8-quinolinol or a derivative thereof such as tris (8-quinolinolato) aluminum as a ligand, tetraphenyl, and the like. Examples thereof include butadiene, anthracene, fluoranthene, pyrene, perylene, coronene, 12-phthaloperinone derivatives, phenylanthracene derivatives, tetraarylethene derivatives, aromatic amine derivatives, and the like. In particular, aromatic amine derivatives such as aminonaphthalene derivatives, aminopyrene derivatives, aminophenanthrene derivatives, aminofluorene derivatives, aminochrysene derivatives, aminoanthracene derivatives, and aminoperylene derivatives are very preferable materials.

発光層6にはホスト材料、発光ドーピング材料の他に、他の化合物を含有させても良い。他の化合物を混ぜる事でキャリアの輸送を調節したり、蛍光色素を混ぜる事で発光色を変換させて使用することができる。キャリアの輸送を調節する化合物としては、例えば、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム等の8キノリノールないしその誘導体やキノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、イミダゾピリジン誘導体、イミダゾピリミジン誘導体、フェナントロリン誘導体等の電子輸送性化合物、またはトリアリールアミン誘導体等の正孔輸送性化合物等が好ましく用いることができる。   The light emitting layer 6 may contain other compounds in addition to the host material and the light emitting doping material. It can be used by adjusting the transport of carriers by mixing other compounds, or by changing the emission color by mixing fluorescent dyes. Examples of compounds that regulate carrier transport include electron transport such as 8-quinolinol such as tris (8-quinolinolato) aluminum or its derivatives, quinoxaline derivatives, pyridine derivatives, pyrimidine derivatives, imidazopyridine derivatives, imidazopyrimidine derivatives, phenanthroline derivatives, and the like. Or a hole transporting compound such as a triarylamine derivative can be preferably used.

電子輸送層7は、注入された電子を輸送する機能および発光層6から正孔が注入されるのを妨げる機能を有するものである。電子輸送層7は、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム等の8−キノリノールなしいその誘導体を配位子とする有機金属錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレノン誘導体、チオピランジオキサイド誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、イミダゾピリジン誘導体、イミダゾピリミジン誘導体、フェナントロリン誘導体等の複素環化合物、アントラセン誘導体やフルオランテン誘導体等の炭化水素誘導体などを少なくとも1種用いて形成することができる。また本実施形態の一般式(1)または一般式(2)で表される化合物も電子輸送層として用いることができ、特に発光層に一般式(1)または一般式(2)で表される化合物を用いた場合には、同一の材料を電子輸送層に用いることが好ましい。   The electron transport layer 7 has a function of transporting injected electrons and a function of preventing holes from being injected from the light emitting layer 6. The electron transport layer 7 is composed of an organometallic complex having an 8-quinolinol-like derivative such as tris (8-quinolinolato) aluminum as a ligand, an oxadiazole derivative, a triazole derivative, a triazine derivative, a quinoline derivative, a quinoxaline derivative, diphenyl At least one quinone derivative, nitro-substituted fluorenone derivative, thiopyrandioxide derivative, pyridine derivative, pyrimidine derivative, imidazopyridine derivative, imidazopyrimidine derivative, heterocyclic compound such as phenanthroline derivative, hydrocarbon derivative such as anthracene derivative or fluoranthene derivative, etc. It can be formed using seeds. In addition, the compound represented by the general formula (1) or the general formula (2) of the present embodiment can also be used as the electron transport layer, and particularly represented by the general formula (1) or the general formula (2) in the light emitting layer. When a compound is used, it is preferable to use the same material for the electron transport layer.

電子注入層8は、陰極9からの電子の注入を容易にする機能の他、陰極9との密着性を高める機能を有するものである。電子注入層8は、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム等の8−キノリノールなしいその誘導体を配位子とする有機金属錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレノン誘導体、チオピランジオキサイド誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、イミダゾピリジン誘導体、イミダゾピリミジン誘導体、フェナントロリン誘導体などを少なくとも1種用いて形成することができる。本実施形態の一般式(1)または一般式(2)で表される化合物は、通常は電子注入層8に適さないが、注入性に優れた陰極9を用いた場合や、アルカリ金属やアルカリ土類金属等の比較的仕事関数の小さい金属およびその塩をドーピングすることで電子注入層8として使用することができる。   The electron injection layer 8 has a function of facilitating injection of electrons from the cathode 9 and a function of improving adhesion with the cathode 9. The electron injection layer 8 is composed of an organometallic complex having an 8-quinolinol or its derivative such as tris (8-quinolinolato) aluminum as a ligand, oxadiazole derivative, triazole derivative, triazine derivative, quinoline derivative, quinoxaline derivative, diphenyl A quinone derivative, a nitro-substituted fluorenone derivative, a thiopyrandioxide derivative, a pyridine derivative, a pyrimidine derivative, an imidazopyridine derivative, an imidazopyrimidine derivative, a phenanthroline derivative, or the like can be used. The compound represented by the general formula (1) or the general formula (2) of the present embodiment is usually not suitable for the electron injection layer 8, but when the cathode 9 having excellent injectability is used, an alkali metal or an alkali The electron injection layer 8 can be used by doping a metal having a relatively small work function such as an earth metal and a salt thereof.

陰極9は、比較的仕事関数の小さい金属およびその塩、合金、または電気電導性化合物を電極構成物質として使用することができる。例えば、金属として、リチウム、ナトリウム、カルシウム、マグネシウム、インジウム、ルテニウム、チタニウム、マンガン、イットリウム、アルミニウム、酸化物として酸化リチウム、酸化ナトリウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、弗化物として、弗化リチウム、弗化ナトリウム、弗化カルシウム、弗化マグネシウム、合金として、リチウム−インジウム合金、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム−カルシウム合金、アルミニウム−マグネシウム合金、電気電導性化合物としてグラファイト薄膜等を挙げることができる。   For the cathode 9, a metal having a relatively small work function and a salt thereof, an alloy, or an electrically conductive compound can be used as an electrode constituent material. For example, lithium, sodium, calcium, magnesium, indium, ruthenium, titanium, manganese, yttrium, aluminum as metal, lithium oxide, sodium oxide, calcium oxide, magnesium oxide as oxide, lithium fluoride, fluoride as fluoride Sodium, calcium fluoride, magnesium fluoride, alloys include lithium-indium alloy, sodium-potassium alloy, magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy, aluminum-lithium alloy, aluminum-calcium alloy, aluminum-magnesium alloy, electrical conduction Examples of the functional compound include a graphite thin film.

これらの電極構成物質は、単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。陰極9は、これらの電極物質を、例えば、蒸着法、スパッタリング法、イオン化蒸着法、イオンプレーティング法、クラスターイオンビーム法等の方法により、電子注入層8の上に形成することができる。また、陰極9は一層構成であっても、多層構成であってもよい。なお、電界発光素子の発光を効率よく取り出すために、陽極3または陰極9の少なくとも一方の電極が、透明ないし半透明であることが好ましく、一般に、光の透過率が80%以上となるように陽極3または陰極9の材料、厚みを設定することがより好ましい。   These electrode constituent materials may be used alone or in combination. The cathode 9 can be formed of these electrode materials on the electron injection layer 8 by a method such as vapor deposition, sputtering, ionized vapor deposition, ion plating, or cluster ion beam. Further, the cathode 9 may have a single layer structure or a multilayer structure. In order to efficiently extract light emitted from the electroluminescent element, it is preferable that at least one of the anode 3 and the cathode 9 is transparent or translucent, and generally has a light transmittance of 80% or more. It is more preferable to set the material and thickness of the anode 3 or the cathode 9.

電界発光素子は蒸着プロセスにて成膜されることが多いが、本実施形態における一般式(1)または一般式(2)で表される化合物は、アントラセン環の嵩高さによってピレン環のスタッキングが抑制されているために溶解性が高く、塗布プロセスによっても十分に成膜が可能である。よって、本発明の化合物を用いることで、プロセスの低コスト化が可能になる。塗布用の溶媒としては、トルエン、キシレンなどの炭化水素系の溶媒や、ジクロロエタン等のハロゲン系の溶媒を用いることができる。成膜方法としては、スピンコート法や、グラビア印刷等の各種印刷方法、インクジェット法等を用いることができる。スピンコート法であれば、通常は1〜3%程度の濃度の溶液とすることで、50nmから200nm程度の薄膜が形成可能である。   The electroluminescent element is often formed by a vapor deposition process. However, the compound represented by the general formula (1) or the general formula (2) in the present embodiment has a pyrene ring stacking depending on the bulk of the anthracene ring. Since it is suppressed, the solubility is high, and a film can be sufficiently formed even by a coating process. Therefore, the cost of the process can be reduced by using the compound of the present invention. As the coating solvent, a hydrocarbon solvent such as toluene or xylene, or a halogen solvent such as dichloroethane can be used. As a film forming method, a spin coating method, various printing methods such as gravure printing, an ink jet method, or the like can be used. In the case of the spin coating method, a thin film of about 50 nm to 200 nm can be formed by using a solution having a concentration of about 1 to 3%.

以下、本実施形態の化合物の具体的な合成例を示し、本実施形態をさらに詳細に説明する。   Hereafter, the specific synthesis example of the compound of this embodiment is shown, and this embodiment is demonstrated further in detail.

Figure 2016183140
13.6g(40.8mmol)の9−ブロモ−10−フェニルアントラセンを脱水テトラヒドロフランに溶解し、−78℃に冷却した。ここに28.3ml(45mmol)のnブチルリチウムのnヘキサン溶液を滴下し、更に1時間後に11.7g(80mmol)のホウ酸トリエチルを加えた。4時間反応を行った後に希塩酸溶液を加えた。次いで分離した有機層を用いて再結晶を行い、8.9g(29.9mmol)の10−フェニルアントラセン−9−ボロン酸を得た。収率は73.3%であった。
Figure 2016183140
13.6 g (40.8 mmol) of 9-bromo-10-phenylanthracene was dissolved in dehydrated tetrahydrofuran and cooled to -78 ° C. To this, 28.3 ml (45 mmol) of n-butyllithium in n-hexane was added dropwise, and 1 hour later, 11.7 g (80 mmol) of triethyl borate was added. After reacting for 4 hours, a diluted hydrochloric acid solution was added. The separated organic layer was then recrystallized to obtain 8.9 g (29.9 mmol) of 10-phenylanthracene-9-boronic acid. The yield was 73.3%.

(合成例1)・・・例示化合物H4の合成

Figure 2016183140
1.49g(5.0mmol)の10−フェニルアントラセン−9−ボロン酸と0.72g(2.0mmol)の1,6−ジブロモピレン、触媒としてのテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム231mgをトルエン40ml、エタノール10mlの混合溶媒に溶解した。ここに2Mの炭酸ナトリウム水溶液10mlを加え120℃にて2日間反応した。反応終了後に有機層を分離し、カラムクロマトグラフィーによる精製を行い、1.18g(4.19mmol)の例示化合物H4を得た。収率は83.8%であった。得られた固体のAPCI−MSを測定したところ、C56H34=707に対し、m/z=707が得られたことから、この化合物をH4と同定した。 (Synthesis Example 1) ... Synthesis of Exemplified Compound H4
Figure 2016183140
1.49 g (5.0 mmol) of 10-phenylanthracene-9-boronic acid, 0.72 g (2.0 mmol) of 1,6-dibromopyrene, 231 mg of tetrakistriphenylphosphine palladium as a catalyst, 40 ml of toluene and 10 ml of ethanol In a mixed solvent. To this was added 10 ml of 2M aqueous sodium carbonate solution and reacted at 120 ° C. for 2 days. After completion of the reaction, the organic layer was separated and purified by column chromatography to obtain 1.18 g (4.19 mmol) of exemplified compound H4. The yield was 83.8%. When APCI-MS of the obtained solid was measured, m / z = 707 was obtained with respect to C56H34 = 707. Thus, this compound was identified as H4.

Figure 2016183140
4.472g(15.0mmol)の10−フェニルアントラセン−9−ボロン酸と18.873g(75.0mmol)の1,3−ジブロモベンゼン、触媒としてのテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム867mgをトルエン150ml、エタノール50mlの混合溶媒に溶解した。ここに2Mの炭酸ナトリウム水溶液75mlを加え100℃にて5時間反応した。反応終了後に有機層を分離し、カラムクロマトグラフィーによる精製を行い、4.317g(10.5mmol)の9−(3−ブロモフェニル)−10−フェニルアントラセンを得た。収率は70.3%であった。
Figure 2016183140
4.472 g (15.0 mmol) of 10-phenylanthracene-9-boronic acid, 18.873 g (75.0 mmol) of 1,3-dibromobenzene, 867 mg of tetrakistriphenylphosphine palladium as a catalyst, 150 ml of toluene and 50 ml of ethanol In a mixed solvent. To this, 75 ml of 2M aqueous sodium carbonate solution was added and reacted at 100 ° C. for 5 hours. After completion of the reaction, the organic layer was separated and purified by column chromatography to obtain 4.317 g (10.5 mmol) of 9- (3-bromophenyl) -10-phenylanthracene. The yield was 70.3%.

Figure 2016183140
2.1g(5mmol)の9−(3−ブロモフェニル)−10−フェニルアントラセンを脱水テトラヒドロフランに溶解し、−78℃に冷却した。ここに3.44ml(5.5mmol)のnブチルリチウムのnヘキサン溶液を滴下し、更に1時間後に1.02mL(6mmol)のホウ酸トリエチルを加えた。12時間反応を行った後に希塩酸溶液を加えた。次いで分離した有機層を用いて再結晶を行い、1.8g(4.9mmol)の3−(9−フェニルアントラセンー10−イル)フェニルボロン酸を得た。収率は97.5%であった。
Figure 2016183140
2.1 g (5 mmol) of 9- (3-bromophenyl) -10-phenylanthracene was dissolved in dehydrated tetrahydrofuran and cooled to -78 ° C. To this, 3.44 ml (5.5 mmol) of n-butyllithium in n-hexane was added dropwise, and 1.02 mL (6 mmol) of triethyl borate was further added after 1 hour. After reacting for 12 hours, a diluted hydrochloric acid solution was added. The separated organic layer was then recrystallized to obtain 1.8 g (4.9 mmol) of 3- (9-phenylanthracen-10-yl) phenylboronic acid. The yield was 97.5%.

(合成例2)・・・例示化合物H6の合成

Figure 2016183140
1.8g(4.8mmol)の3−(9−フェニルアントラセンー10−イル)フェニルボロン酸と0.72g(2.0mmol)の1,6−ジブロモピレン、触媒としてのテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム231mgをトルエン40ml、エタノール10mlの混合溶媒に溶解した。ここに2Mの炭酸ナトリウム水溶液10mlを加え120℃にて2日間反応した。反応終了後に有機層を分離し、カラムクロマトグラフィーによる精製を行い、1.18g(4.19mmol)の例示化合物H6を得た。収率は83.8%であった。得られた固体のAPCI−MSを測定したところ、C68H40=859に対し、m/z=859が得られたことから、この化合物をH6と同定した。 Synthesis Example 2 Synthesis of Exemplified Compound H6
Figure 2016183140
1.8 g (4.8 mmol) 3- (9-phenylanthracen-10-yl) phenylboronic acid and 0.72 g (2.0 mmol) 1,6-dibromopyrene, 231 mg tetrakistriphenylphosphine palladium as catalyst Was dissolved in a mixed solvent of 40 ml of toluene and 10 ml of ethanol. To this was added 10 ml of 2M aqueous sodium carbonate solution and reacted at 120 ° C. for 2 days. After completion of the reaction, the organic layer was separated and purified by column chromatography to obtain 1.18 g (4.19 mmol) of exemplified compound H6. The yield was 83.8%. When APCI-MS of the obtained solid was measured, m / z = 859 was obtained with respect to C68H40 = 859. Therefore, this compound was identified as H6.

以下、本実施形態の具体的な実施例を比較例とともに示し、本実施形態をさらに詳細に説明する。   Hereinafter, specific examples of the present embodiment will be shown together with comparative examples, and the present embodiment will be described in more detail.

(実施例1)
ガラス基板上にRFスパッタ法で、ITO透明電極薄膜を100nmの厚さに成膜し、パターニングした。このITO透明電極付きガラス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄し、煮沸エタノール中から引き上げて乾燥した。透明電極表面をUV/O洗浄した後、真空蒸着装置の基板ホルダーに固定して、槽内を1×10−4Pa以下まで減圧した。
Example 1
An ITO transparent electrode thin film having a thickness of 100 nm was formed on a glass substrate by RF sputtering and patterned. This glass substrate with an ITO transparent electrode was subjected to ultrasonic cleaning using a neutral detergent, acetone and ethanol, and then pulled up from boiling ethanol and dried. After the surface of the transparent electrode was washed with UV / O 3, it was fixed to a substrate holder of a vacuum deposition apparatus, and the inside of the tank was depressurized to 1 × 10 −4 Pa or less.

次に、減圧状態を保ったまま、下記構造の化11を蒸着速度0.1nm/sec で50nmの膜厚に蒸着し、正孔注入層とした。   Next, while maintaining the reduced pressure state, Chemical Formula 11 having the following structure was deposited to a film thickness of 50 nm at a deposition rate of 0.1 nm / sec to form a hole injection layer.

Figure 2016183140
Figure 2016183140

次いで、下記構造の化12を蒸着速度0.1nm/secで10nmの厚さに蒸着し、正孔輸送層とした。   Next, chemical compound 12 having the following structure was deposited at a deposition rate of 0.1 nm / sec to a thickness of 10 nm to form a hole transport layer.

Figure 2016183140
Figure 2016183140

さらに、減圧状態を保ったまま、ホスト材料として本実施形態の化合物H1と、下記構造の化13を発光ドーパントとして、体積比97:3で、全体の蒸着速度0.1nm/secで40nmの厚さに蒸着し、発光層とした。   Further, while maintaining the reduced pressure state, the compound H1 of the present embodiment as a host material and the chemical structure 13 of the following structure as a light-emitting dopant with a volume ratio of 97: 3 and a total deposition rate of 0.1 nm / sec and a thickness of 40 nm It vapor-deposited to make a light emitting layer.

Figure 2016183140
Figure 2016183140

次に、減圧状態を保ったまま、本実施形態の化合物H1を10nm、続けてトリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム(Alq3)を5nm、蒸着速度0.1nm/secで蒸着し、電子輸送層とした。   Next, while maintaining the reduced pressure state, the compound H1 of this embodiment was deposited at a thickness of 10 nm, followed by tris (8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq3) at a deposition rate of 5 nm and a deposition rate of 0.1 nm / sec. did.

次いで、LiFを蒸着速度0.1nm/secで0.5nmの厚さに蒸着して電子注入電極とし、保護電極としてAlを100nm蒸着し、最後にガラス封止して電界発光素子を得た。   Next, LiF was deposited to a thickness of 0.5 nm at a deposition rate of 0.1 nm / sec to form an electron injection electrode, Al was deposited to 100 nm as a protective electrode, and finally glass sealed to obtain an electroluminescent device.

この電界発光素子に直流電圧を印加したところ、10mA/cmの電流密度で、初期輝度が480cd/m、輝度半減寿命が1410時間の発光ドーパント由来の青色発光が得られた。 When a direct current voltage was applied to the electroluminescent element, blue light emission derived from a light emitting dopant having an initial luminance of 480 cd / m 2 and a luminance half life of 1410 hours at a current density of 10 mA / cm 2 was obtained.

(実施例2〜22、比較例1〜2)
化合物(H1)の代わりに表1に記載した化合物を用いた以外は実施例1と同様に電界発光素子を作製した。これらの素子の初期輝度と輝度半減時間の試験結果を表1に示した。比較例に示す化合物は下記構造である。
(Examples 2-22, Comparative Examples 1-2)
An electroluminescent device was produced in the same manner as in Example 1 except that the compounds listed in Table 1 were used instead of the compound (H1). Table 1 shows the test results of the initial luminance and the luminance half time of these elements. The compound shown in the comparative example has the following structure.

Figure 2016183140
Figure 2016183140
Figure 2016183140
Figure 2016183140

Figure 2016183140
Figure 2016183140

表1に示したように、本実施形態で示したピレン誘導体を発光層に用いると、2つのアントラセン環がエキシマーの形成を抑制するため、高輝度な有機電界発光素子が得られる。また結晶化が抑制されることで、長寿命な有機電界発光素子が得られる。 As shown in Table 1, when the pyrene derivative shown in this embodiment is used for a light emitting layer, two anthracene rings suppress the formation of excimer, and thus a high-brightness organic electroluminescent element can be obtained. Moreover, a long-life organic electroluminescent element is obtained by suppressing crystallization.

(実施例23)
ガラス基板上にRFスパッタ法で、ITO透明電極薄膜を100nmの厚さに成膜し、パターニングした。このITO透明電極付きガラス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄し、煮沸エタノール中から引き上げて乾燥した。透明電極表面をUV/O洗浄した後、真空蒸着装置の基板ホルダーに固定して、槽内を1×10−4Pa以下まで減圧した。
(Example 23)
An ITO transparent electrode thin film having a thickness of 100 nm was formed on a glass substrate by RF sputtering and patterned. This glass substrate with an ITO transparent electrode was subjected to ultrasonic cleaning using a neutral detergent, acetone and ethanol, and then pulled up from boiling ethanol and dried. After the surface of the transparent electrode was washed with UV / O 3, it was fixed to a substrate holder of a vacuum deposition apparatus, and the inside of the tank was depressurized to 1 × 10 −4 Pa or less.

次に、減圧状態を保ったまま、本実施形態の化合物H1と、酸化モリブデンを体積比95:5で、全体の蒸着速度0.1nm/secで50nmの膜厚に蒸着し、正孔注入層とした。   Next, while maintaining the reduced pressure state, the compound H1 of the present embodiment and molybdenum oxide were vapor-deposited at a volume ratio of 95: 5 to a film thickness of 50 nm at an overall vapor deposition rate of 0.1 nm / sec. It was.

次いで、本実施形態の化合物H1を蒸着速度0.1nm/secで10nmの厚さに蒸着し、正孔輸送層とした。   Subsequently, the compound H1 of this embodiment was vapor-deposited at a vapor deposition rate of 0.1 nm / sec to a thickness of 10 nm to form a hole transport layer.

さらに、減圧状態を保ったまま、ホスト材料として本実施形態の化合物H1と、化13を体積比97:3で、全体の蒸着速度0.1nm/secで40nmの厚さに蒸着し、発光層とした。   Further, while maintaining the reduced pressure state, the compound H1 of this embodiment and the chemical compound 13 as a host material were vapor-deposited at a volume ratio of 97: 3 at a total vapor deposition rate of 0.1 nm / sec to a thickness of 40 nm. It was.

次に、減圧状態を保ったまま、本実施形態の化合物H1を10nm、続けてトリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム(Alq3)を5nm、蒸着速度0.1nm/secで蒸着し、電子輸送層とした。   Next, while maintaining the reduced pressure state, the compound H1 of this embodiment was deposited at a thickness of 10 nm, followed by tris (8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq3) at a deposition rate of 5 nm and a deposition rate of 0.1 nm / sec. did.

次いで、LiFを蒸着速度0.1nm/secで0.5nmの厚さに蒸着して電子注入電極とし、保護電極としてAlを100nm蒸着し、最後にガラス封止して電界発光素子を得た。   Next, LiF was deposited to a thickness of 0.5 nm at a deposition rate of 0.1 nm / sec to form an electron injection electrode, Al was deposited to 100 nm as a protective electrode, and finally glass sealed to obtain an electroluminescent device.

この電界発光素子に直流電圧を印加したところ、10mA/cmの電流密度で、初期輝度が480cd/m、輝度半減寿命が1470時間の発光ドーパント由来の青色発光が得られた。 When a direct current voltage was applied to the electroluminescent element, blue light emission derived from a light emitting dopant having an initial luminance of 480 cd / m 2 and a luminance half life of 1470 hours was obtained at a current density of 10 mA / cm 2 .

(実施例24〜44、比較例4〜5)
化合物(H1)の代わりに表1に記載した化合物を用いた以外は実施例23と同様に電界発光素子を作製した。これらの素子の初期輝度と輝度半減時間の試験結果を表3に示した。
(Examples 24-44, Comparative Examples 4-5)
An electroluminescent device was produced in the same manner as in Example 23 except that the compounds listed in Table 1 were used instead of the compound (H1). Table 3 shows the test results of the initial luminance and the luminance half time of these elements.

Figure 2016183140
Figure 2016183140

表2に示したように、本実施形態で示したピレン誘導体を正孔注入層および正孔輸送層および発光層に用いると、2つのアントラセン環がエキシマーの形成を抑制するため、高輝度な有機電界発光素子が得られる。また電子アクセプターのドーピングによって生じるラジカルカチオンが安定化され、長寿命な有機電界発光素子が得られる。 As shown in Table 2, when the pyrene derivative shown in this embodiment is used for the hole injection layer, the hole transport layer, and the light emitting layer, the two anthracene rings suppress the formation of the excimer. An electroluminescent element is obtained. In addition, radical cations generated by the electron acceptor doping are stabilized, and a long-life organic electroluminescence device can be obtained.

以上のように、本発明に係る電界発光素子用化合物は、高輝度かつ長寿命な電界発光素子を実現する化合物として有用である。これを利用した電界発光素子はディスプレイや照明などの発光デバイスに応用する事が可能である。   As described above, the compound for an electroluminescent device according to the present invention is useful as a compound for realizing an electroluminescent device having high luminance and a long lifetime. An electroluminescent element utilizing this can be applied to a light emitting device such as a display or illumination.

1 電界発光素子
2 基板
3 陽極
4 正孔注入層
5 正孔輸送層
6 発光層
7 電子輸送層
8 電子注入層
9 陰極
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Electroluminescent element 2 Substrate 3 Anode 4 Hole injection layer 5 Hole transport layer 6 Light emitting layer 7 Electron transport layer 8 Electron injection layer 9 Cathode

Claims (4)

下記一般式(1)または一般式(2)で表される電界発光素子用化合物。
Figure 2016183140
Figure 2016183140
(前記一般式(1)または前記一般式(2)において、Xは置換または無置換のアリール基を表し、Lは連結基であり、置換または無置換のアリーレン基を表し、iは0または1を表す。)
The compound for electroluminescent elements represented by the following general formula (1) or general formula (2).
Figure 2016183140
Figure 2016183140
(In the general formula (1) or the general formula (2), X represents a substituted or unsubstituted aryl group, L represents a linking group, a substituted or unsubstituted arylene group, and i represents 0 or 1 Represents.)
陽極と陰極からなる一対の電極の間に、少なくとも1層の有機層が挟持された電界発光素子において、
前記有機層の少なくとも1層が、請求項1に記載の電界発光素子用化合物を単独もしくは混合物の成分として含有することを特徴とする電界発光素子。
In an electroluminescent device in which at least one organic layer is sandwiched between a pair of electrodes consisting of an anode and a cathode,
At least one layer of the organic layer contains the compound for an electroluminescent device according to claim 1 alone or as a component of a mixture.
陽極と陰極からなる一対の電極の間に、正孔注入層を含む複数の有機層が挟持された有機電界発光素子において、
前記正孔注入層が前記一般式(1)または一般式(2)で表される電界発光素子用化合物と電子アクセプター化合物との混合層からなることを特徴とする請求項1に記載の電界発光素子。
In an organic electroluminescence device in which a plurality of organic layers including a hole injection layer are sandwiched between a pair of electrodes consisting of an anode and a cathode,
2. The electroluminescence according to claim 1, wherein the hole injection layer is composed of a mixed layer of a compound for an electroluminescent element represented by the general formula (1) or the general formula (2) and an electron acceptor compound. element.
前記有機層は、少なくとも1層の発光層及び正孔輸送層をさらに含み、
前記発光層及び前記正孔輸送層は、前記一般式(1)または一般式(2)で表される電界発光素子用化合物からなることを特徴とする請求項3に記載の電界発光素子。
The organic layer further includes at least one light emitting layer and a hole transport layer,
The electroluminescent device according to claim 3, wherein the light emitting layer and the hole transport layer are composed of the compound for electroluminescent device represented by the general formula (1) or the general formula (2).
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108069816A (en) * 2016-11-15 2018-05-25 华中科技大学 A kind of 9- naphthalenes anthracene derivant unimolecule white light emitting material and its preparation and application
KR20200027341A (en) * 2018-09-04 2020-03-12 최돈수 Compound for organic light emitting diode, organic light emitting diode having the same, and display apparatus having organic light emitting diode
CN112299944A (en) * 2019-07-26 2021-02-02 三星显示有限公司 Anthracene compound and organic light emitting device including the same

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108069816A (en) * 2016-11-15 2018-05-25 华中科技大学 A kind of 9- naphthalenes anthracene derivant unimolecule white light emitting material and its preparation and application
CN108069816B (en) * 2016-11-15 2020-07-14 华中科技大学 9-naphthalene anthracene derivative monomolecular white light material and preparation and application thereof
KR20200027341A (en) * 2018-09-04 2020-03-12 최돈수 Compound for organic light emitting diode, organic light emitting diode having the same, and display apparatus having organic light emitting diode
KR102201026B1 (en) * 2018-09-04 2021-01-08 최돈수 Compound for organic light emitting diode, organic light emitting diode having the same, and display apparatus having organic light emitting diode
CN112299944A (en) * 2019-07-26 2021-02-02 三星显示有限公司 Anthracene compound and organic light emitting device including the same

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